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JP4009523B2 - オゾンガス濃度計測方法及びオゾンガス濃度計測装置 - Google Patents

オゾンガス濃度計測方法及びオゾンガス濃度計測装置
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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、オゾンガス濃度の計測方法及びその装置に関し、特に、発生したオゾンを濃縮して得られる高濃度オゾンガスや極低流量でオゾナイザーを運転した際に得られる高濃度オゾンガスの濃度計測方法及びその装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来から、オゾンガスの濃度を計測する方法として紫外線吸収法が知られている。これは、オゾンが紫外線領域の254nm付近に最大吸収帯を持ち、この254nm域では他の気体の吸収強度が小さいことを利用して濃度を求める方法であり、オゾンを含まない標準ガス(ゼロガス)と、計測対象ガス(試料ガス)とをオゾンガス濃度計の紫外線吸収セル内に個別に流し、それぞれの吸光強度から計測対象ガスのガス濃度を計測するようになっている。
【0003】
【特許文献1】
特開2000−19107号公報(段落0002〜0004、図4)
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、従来の紫外線吸収式オゾンガス濃度計は、オゾンガス濃度10vol %以下のオゾンガスの濃度測定用に形成してあり、オゾンガス濃度15vol %以上の高濃度オゾンガスの濃度を計測できるものは提供されていない。
【0005】
さらに、オゾンガスの圧力が高い場合、例えば、大気圧下では紫外線吸光光路、すなわち、オゾンガスの厚みを50μmと薄くしてもオゾンガス濃度が10vol %を超えると大部分の紫外線がオゾンガスに吸収されるため、高精度のオゾン濃度検出ができなかった。
【0006】
これは従来、純酸素ガスを原料として高能力のオゾン発生器でオゾンを発生させても通常の運転方法では10vol %程度の濃度のオゾンガスしか生成することができず、15vol %以上の高濃度オゾンガスが実用化されていなかったことに起因していると考えられる。
【0007】
近年、半導体製造分野等では、酸化膜製造等の用途に使用するために15vol %以上の高濃度オゾンが要望されてきている。この場合、オゾンガスの濃度は酸化膜厚形成に大きな影響を及ぼすことになるから、高濃度オゾンガスの濃度を高精度に、しかもインラインで計測できるオゾンガス濃度計測技術が待望されている。
【0008】
本発明は、このような点に着目してなされたものであり、高濃度のオゾンガスでも、容易に、かつ正確にその濃度を測定することのできるオゾンガス濃度の計測方法並び計測装置を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上述の目的を達成するために請求項1に記載の本発明では、オゾンガス流通路に両面を紫外線透過ガラスで構成した紫外線透過窓を形成し、その一側に紫外線発光部を、他側に紫外線受光部をそれぞれ配置し、オゾンによる紫外線吸光強度を計測することでオゾン濃度を計測するオゾンガス濃度計測方法において、オゾンガス流通路に負圧のオゾンガスを流通させ、このオゾンガス流通路内を流れるオゾンガス流量を計測するとともに、オゾンガス流通路での絶対圧を紫外線吸光強度と同時に計測し、これらの計測値と、絶対圧の計測点と紫外線透過窓の間のコンダクタンスから、絶対圧の計測値を紫外線透過ガラス部の絶対圧力に換算して、オゾン濃度を求めるようにしたことを特徴としている。
【0010】
また、請求項2に記載の発明では、オゾンガス流通路内を流通させるオゾンガスの圧力を100Pa〜50kPaとしたことを特徴とし、請求項3に記載の発明では、オゾンガス流通路内を流れるオゾンガス流量を計測し、予め求めておいた紫外線透過ガラス部を通過する際に生ずる紫外線照射により分解するオゾン分解率とオゾンガス流量ならびにオゾン濃度の関係からオゾン濃度の補正を行うようにしたことを特徴とし、請求項4に記載の発明では、オゾンガス流通路内を流れるオゾンガス流量を100sccm以下に設定したことを特徴とし、請求項5に記載の発明では、オゾンガス流通路内のガス温度とオゾンガス流路自体の温度との少なくとも一方を計測し、オゾン濃度を標準状態に換算することを特徴とし、請求項6に記載した発明は、オゾンガス流通路内を流通するオゾンガスをオゾンガス濃度15vol%以上の高濃度オゾンガスにしたことを特徴としている。
【0011】
さらに、請求項7に記載した発明は、オゾンガス流通路内の絶対ガス圧を100Pa以下とすることでオゾンガス濃度の零点補正を行うことを特徴とし、請求項8に記載の発明では、オゾンガスを密閉容器に封入し電気火花などでオゾンガスを完全に分解し、その圧力上昇から求めたオゾン濃度を校正値とすることを特徴としている。
【0012】
請求項9に記載の発明は、オゾンガス流通路の両面を紫外線透過ガラスで構成した紫外線透過窓を形成しその一側に紫外線発光部を、他側に紫外線受光部をそれぞれ配置し、オゾンによる紫外線吸光強度を計測することでオゾン濃度を計測するオゾンガス濃度計測装置において、オゾンガス流通路の出口側を真空ポンプで排気することによりオゾンガス流通路に負圧のオゾンガスを流通させ、オゾンガス流通路を流れるオゾンガス流量を制御するとともに紫外線透過窓近傍に圧力センサーを配して、オゾンガス流通路内の絶対圧を紫外線吸光強度と同時に計測し、これらの計測値をオゾン濃度算出部に伝達してオゾン濃度を求めることを特徴としたものである。
【0013】
そして、請求項10に記載の本発明では、紫外線透過窓を構成している紫外線透過ガラスの間隔を50μm以上に構成したことを特徴とし、請求項11に記載した発明では、オゾンガス流通路内とオゾンガス流通路を構成している配管との少なくとも一方にオゾンセンサーを取り付けてオゾンガス濃度を計測し、その計測値をオゾンガス濃度算出部に伝達してオゾン濃度を補正することを特徴とし、請求項12に記載した発明は、オゾンガス算出部では紫外線透過窓におけるオゾンガスの絶対圧、温度がセンサーの計測値から換算されると共に、オゾンガスの濃度と紫外線吸光強度、オゾンガスの絶対圧、温度、オゾンガス流量、紫外線照射によるオゾン分解率との関係が定義されていることを特徴とし、請求項13に記載した発明は、オゾンガス流通路の出口がオゾン処理をする真空槽に直接接続されており、濃度計測済みのオゾンガスをオゾン処理に使用するようにしたことを特徴とし、請求項14に記載の発明は、オゾンガス流通路の内面を高濃度オゾンで不動態化処理したことを特徴とし、請求項15に記載の発明は、オゾンガス流通路の両面に紫外線透過ガラスで構成した紫外線透過窓を形成しその一側に紫外線発光部を、他側に紫外線受光部をそれぞれ配置し、オゾンによる紫外線吸光強度を計測することでオゾン濃度を計測するオゾンガス濃度計測装置において、ガス通路内でのガス圧を100Pa以下に設定し、オゾンガス濃度のゼロガス構成を行うように構成したことを特徴としている。
【0014】
【発明の作用】
本発明では、両面を紫外線透過ガラスで構成してある紫外線透過窓の一側に紫外線発光部を、他側に紫外線受光部をそれぞれ配置してなるオゾンガス流通路(紫外線吸収セル)に、測定対象となるオゾンガスを負圧の圧力条件で流通させている。これにより、流通ガス中のオゾン分子数の絶対量が少なくなり、オゾン濃度が高濃度となった場合は特に、僅かな濃度変化があっても、吸光強度に大きな差が現れる。したがって、オゾン濃度を高精度に測定することができることになる。
【0015】
また、同じオゾン濃度でもオゾン分子数は流通ガスの圧力に比例するため、オゾン濃度を正確に得るためには、紫外線吸収セル部分の絶対圧を正確に測定することが不可欠である。本発明では、オゾンガス流通路の絶対圧を計測し、その計測値を直接用い、または、オゾンガス流量に応じた補正を行うことで紫外線吸収セル部分での絶対圧を算出し、オゾン濃度を求めるように構成している。
【0016】
さらに、流通ガス流量が小さい場合、特に、100sccm以下では紫外線吸光セル部分で紫外線を照射された場合、紫外線の吸光と同時に、オゾン分解が発生するため、紫外線の吸光強度は実際のオゾン濃度よりも小さくなってしまう。そこで、予め、紫外線照射によるオゾン分解率とオゾンガス流量並びにオゾン濃度の関係を求めておき、オゾン濃度を補正する構成としている。
【0017】
また、オゾンガス流通路内のガス温度を直接計測することで、オゾン濃度を標準状態に換算できる。ただし、流通ガスが負圧で流量が小さい場合、紫外線吸光セル近傍のオゾンガス流路自体の温度自体を計測したほうが、オゾンガス自体の温度の計測点が紫外線吸光セルから離れる場合には、より正確な計測ができる。
【0018】
さらに、定期的な零点補正は、通常はガス流路を切り替えてオゾンを含まない空気や酸素などを供給した時の紫外線吸光強度をリファレンスとして補正を行っているが、本発明ではオゾンガス流通路の圧力を100Pa以下とすることで残存するオゾン分子量を非常に少なくすることで零点補正を行うことができる。
【0019】
一方、オゾン濃度の構成は、負圧のオゾンガスを密閉容器内に封入し電気火花などを用いてオゾンガスを完全に分解し、密閉容器の圧力上昇からオゾン濃度を求める爆発法を基準として行うことで、負圧下のオゾンガス濃度の校正も可能となる。
【0020】
【発明の実施の形態】
図1は本発明を適用したオゾンガス供給系での濃度測定システムの概略構成図であり、オゾンガス供給源(1)と真空ポンプ(4)との間に、オゾンガス濃度計測装置(2)が装着してある。また、オゾンガス濃度計測装置(2)を校正する場合には、爆発式オゾン濃度校正器(3)を、例えば、オゾンガス濃度計測装置(2)と真空ポンプ(4)に接続すると良い。
【0021】
オゾンガス濃度計測装置(2)は図2に示すように、内部にオゾンガス流通路(5)を形成しているケーシング(6)に紫外線透過窓(7)を形成し、この紫外線透過窓(7)部分に一対の紫外線透過ガラス(8)を50μm以上の間隔を持たせた状態で対向させて配置し、紫外線透過ガラス(8)間をオゾンガス流通路(5)に形成することで紫外線吸収セルに構成してある。そして、紫外線透過ガラス(8)で形成した紫外線透過窓(7)部分に、紫外線発光部(9)と紫外線受光部(10)とが紫外線透過ガラス(8)で形成したオゾンガス流通路(5)を挟んで対向する状態に配置してある。そして、オゾンガス濃度計測装置(2)は、そのオゾンガス流通路(5)における出口路部分を図1で示した爆発式オゾン濃度校正器(3)の代わりにオゾンガス消費装置(図示略)を介して前記真空ポンプ(4)に接続し、オゾンガス濃度計測装置(2)でガス濃度を計測されたオゾンガスをオゾンガス消費装置に供給するとよい。
【0022】
紫外線発光部(9)は、紫外線ランプ(11)と、紫外線ランプ電源(12)と、紫外線(30)を透過光(31)と反射光(32)に分割するハーフミラー(13)とで形成してある。そして、紫外線受光部(10a)での紫外線透過窓(7)を通過した反射光(32)の紫外線光量と紫外線受光部(10b)での透過光(31)の紫外線光量をオゾン濃度算出装置(14)に伝達するようにしてある。勿論、紫外線発光部(9)の構成により透過光(31)が紫外線透過窓(7)を通過する場合もある。
【0023】
オゾンガス濃度計測装置(2)での紫外線透過窓(7)の近傍部にオゾンガス流通路(5)内の圧力を検知する圧力センサー(15)とオゾンガス流通路(5)内を流れるオゾンガスの温度を検知する温度センサー(16a)とが配置してある。そして、この圧力センサー(15)で検出した圧力信号と温度センサー(16a)で検出した温度信号は、前記オゾン濃度算出装置(14)に入力されるようになっている。なお、オゾンガス流量が少ない場合には紫外線透過窓(7)の極近傍のケーシング(6)に取り付けた温度センサー(16b)を用いた方がオゾンガス温度を正確に計測できる。
【0024】
また、オゾンガス濃度計測装置(2)の紫外線透過窓(7)を形成している個所よりも下流側に位置するガス出口路(17)にマスフローコントローラ(18)が配置してある。なお、オゾンガス濃度計測装置(2)でのオゾンガス流通路(5)やオゾンガス供給路(19)の内面を高濃度(例えば15vol%以上)に濃縮処理したオゾンガスで不動態化処理しておくと、オゾンガス流通路(5)やオゾンガス供給路(19)の内面に酸化不動態膜が形成され、オゾンガスの自然分解や流路壁面との反応によりオゾンガスが分解消費されることを防止することができる。
図中符号(20)はオゾン濃度算出装置(14)で算出されたオゾンガス濃度の表示部である。
【0025】
オゾンガス供給源(1)としては、空気分離装置や酸素ガスシリンダ等の酸素源と、オゾン発生器及びオゾンガス濃縮装置等とで構成したオゾン製造ユニットや、高濃度オゾンガスを貯蔵したガスシリンダなどのガス貯蔵容器が考えられる。
【0026】
このように構成したオゾンガス濃度測定システムでは、負圧状態(100Pa〜50kPa)でオゾンガス供給路(19)を所定流量(100sccm)で流れているオゾンガスをオゾンガス濃度計測装置(4)に導入して測定した紫外線吸光強度をオゾン濃度算出装置(14)に入力し、オゾン濃度算出装置(14)では紫外線吸光強度を温度、圧力及びオゾン流量に基づいて補正して演算することにより、オゾンガス流通路(5)内を流れるオゾンガス濃度を計測して表示部(20)に表示するようになっている。この場合、オゾンガス流通路(5)のコンダクタンスとオゾンガス流通路(5)内を流れているガス流量とに基づいて紫外線吸収セル部分での絶対圧を補正している。また、オゾンガス流通路(5)内の圧力を100Pa(0.7Torr)以下の真空状態にして紫外線吸光強度を計測することにより、無オゾン状態での紫外線吸光強度を計測してゼロガス校正を行っている。
【0027】
ここで、測定対象ガス(オゾンガス)での紫外線吸光強度をI、標準ガス又は100Pa以下の真空状態での紫外線吸光強度をI、モル吸光係数をε[L/mol・cm]、測定光路長をd[cm]、オゾン濃度をC[mol/L]、測定対象ガスの圧力をP[kPa]、測定対象ガスの温度をT[K]、基準圧をP(101.3kPa)、基準温度をT(273K)とした場合、オゾン濃度と紫外線吸光強度との関係は次式で表すことができる。
【式1】
Figure 0004009523
【0028】
本発明では、負圧状態でオゾンガス濃度を測定するようにしていることから、高濃度のオゾンガスであっても、そのオゾン分子の数が少なく、オゾン濃度の僅かな変動に対しても紫外線吸光強度の変化が大きく表れることになるから、測定対象となっているオゾンガス濃度を高精度に測定することができることになる。
【0029】
本発明方法では、検出センサーであるオゾンガス濃度計測装置(2)、圧力センサー(15)、温度センサー(16a)(16b)、マスフローメータ(18)と、オゾン濃度算出装置(14)並びに表示部(20)を離して配置しておくことができ、また、複数の検出センサー部からの情報を1台のオゾン濃度算出装置(14)並びに表示部(20)で処理・表示することもできる。
【0030】
さらに、上記のオゾンガス濃度測定システムでは、オゾンガス濃度計測装置(2)のオゾンガス流通路(5)内を100Pa以下の超高真空状態にして紫外線吸光強度を計測することによりゼロガス校正を行っているが、オゾンガス濃度計測装置(2)のオゾンガス流通路(5)内に標準ガスを流して、ゼロガス校正を行うようにしても良い。
【0031】
オゾン濃度の校正を爆発式オゾン濃度校正器(3)を用いる場合、図1のように爆発式オゾン濃度校正器(3)にオゾン濃度計測装置(2)を通過したオゾンガスを直接導入しても良いし、三方弁(41)、バイパス(42)、三方弁(43)を通過させることでオゾンガス濃度計測装置(2)を軽油させることなく導入しても良い。
【0032】
爆発式オゾン濃度校正器(3)では導入したオゾンガスを三方弁(43)とバルブ(48)を封じ切って電源(47)より高電圧を供給して火花ギャップ(46)で火花を飛ばしてオゾンガスを爆発させて完全に分解させる。爆発前後の温度と圧力を温度センサー(44)と圧力センサー(45)で計測することでオゾン濃度が得られる。こうして得られたオゾン濃度でオゾンガス濃度計測装置(2)の校正を行うと良い。
【0033】
【発明の効果】
本発明では、測定対象となるオゾンガスを負圧の圧力条件で紫外線吸収式オゾン濃度計測装置の紫外線吸収セル内を流通させていることから、流通ガス中のオゾン分子の絶対数が少なく、僅かな濃度変化があっても、吸光強度に大きな差が現れる。したがって、計測対象ガス中のオゾンガス濃度を高精度に測定することができる。
【0034】
また、本発明では、オゾンガス濃度計測装置部分で検出した絶対圧力に基づき濃度を演算算出するようにしてあることから、圧力の影響が現れやすい負圧状態下での測定であっても計測対象ガス中のオゾンガス濃度を高精度に検出することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明を適用したオゾンガス濃度測定システムの概略構成図である。
【図2】 オゾンガス濃度計測装置の概略構成図である。

Claims (15)

  1. オゾンガス流通路の両面に紫外線透過ガラスで構成した紫外線透過窓を配置し、その一側に紫外線発光部を、他側に紫外線受光部をそれぞれ配置し、オゾンによる紫外線吸光強度を計測することでオゾン濃度を計測するオゾンガス濃度計測方法において、
    オゾンガス流通路に負圧のオゾンガスを流通させ、このオゾンガス流通路内を流れるオゾンガス流量を計測するとともに、オゾンガス流通路での絶対圧を紫外線吸光強度と同時に計測し、これらの計測値と、絶対圧の計測点と紫外線透過窓の間のコンダクタンスから、絶対圧の計測値を紫外線透過ガラス部の絶対圧力に換算して、オゾンガス濃度を求めるようにしたオゾンガス濃度計測方法。
  2. オゾンガス流通路内を流通させるオゾンガスの圧力が100Pa〜50kPaである請求項1に記載のオゾンガス濃度計測方法。
  3. オゾンガス流通路内を流れるオゾンガス流量を計測し、予め求めておいた紫外線透過ガラス部を通過する際に生じる紫外線照射により分解するオゾン分解率とオゾンガス流量並びにオゾン濃度の関係から請求項1または2に記載した方法で求めたオゾン濃度の補正を行うことを特徴とするオゾンガス濃度計測方法。
  4. オゾンガス流通路内を流れるオゾンガス流量を100sccm以下とした請求項1から3のいずれか1項に記載のオゾンガス濃度計測方法。
  5. オゾンガス流通路内のガス温度とオゾンガス流路自体の温度との少なくとも一方を計測し、請求項1から4のいずれかの方法で求めたオゾン濃度を標準状態に換算することを特徴とするオゾンガス濃度計測方法。
  6. オゾンガス流通路内を流通するオゾンガスが、オゾンガス濃度15vol %以上の高濃度オゾンガスである請求項1から5のいずれか1項に記載のオゾンガス濃度計測方法。
  7. オゾンガス流通路内の絶対ガス圧を100Pa以下とすることでオゾンガス濃度の零点補正を行うことを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載のオゾンガス濃度計測方法。
  8. オゾンガスを密閉容器に封入し電気火花などでオゾンガスを完全に分解し、その圧力上昇から求めたオゾン濃度を校正値とすることを特徴とする請求項1から7のいずれか1項に記載のオゾンガス濃度計測方法。
  9. オゾンガス流通路に両面を紫外線透過ガラスで構成した紫外線透過窓を形成しその一側に紫外線発光部を、他側に紫外線受光部をそれぞれ配置し、オゾンによる紫外線吸光強度を計測することでオゾン濃度を計測するオゾンガス濃度計測装置において、
    オゾンガス流通路の出口側を真空ポンプで排気することによりオゾンガス流通路に負圧のオゾンガスを流通させ、オゾンガス流通路を流れるオゾンガス流量を制御するとともに紫外線透過窓近傍に圧力センサーを配して、オゾンガス流通路内の絶対圧を紫外線吸光強度と同時に計測し、これらの計測値と前記オゾンガス流量値をオゾン濃度算出部に伝達してオゾン濃度を求めることを特徴とするオゾンガス濃度計測装置。
  10. 紫外線透過窓を構成している紫外線透過ガラスの間隔を50μm以上に構成した請求項9に記載のオゾンガス濃度計測装置。
  11. オゾンガス流通路を構成している配管とオゾンガス流通路内との少なくとも一方にオゾンセンサーを取り付けてオゾンガスの濃度を計測し、その計測値をオゾンガス濃度算出部に伝達してオゾン濃度を補正することを特徴とする請求項9または10に記載のオゾンガス濃度計測装置。
  12. オゾンガス算出部では紫外線透過窓におけるオゾンガスの絶対圧、温度がセンサーの計測値から換算されると共に、オゾンガス濃度と紫外線吸光強度、オゾンガスの絶対圧、温度、オゾンガス流量、紫外線照射によるオゾン分解率との関係が定義されていることを特徴とする請求項9から11のいずれか1項に記載のオゾンガス濃度計測装置。
  13. オゾンガス流通路の出口がオゾン処理をする真空槽に直接接続されており、濃度計測済みのオゾンガスをオゾン処理に使用するようにしたことを特徴とする請求項9から12のいずれか1項に記載のオゾンガス濃度計測装置。
  14. オゾンガス流通路の内面を高濃度オゾンで不動態化処理してある請求項9から13のいずれか1項に記載のオゾンガス濃度計測装置。
  15. オゾンガス流通路の両面を紫外線透過ガラスで構成した紫外線透過窓を形成しその一側に紫外線発光部を、他側に紫外線受光部をそれぞれ配置し、オゾンによる紫外線吸光強度を計測することでオゾン濃度を計測するオゾンガス濃度計測装置において、
    ガス通路内でのガス圧を100Pa以下に設定し、オゾンガス濃度のゼロガス校正を行うことを特徴とするオゾンガス濃度計測装置。
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Families Citing this family (326)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication numberPriority datePublication dateAssigneeTitle
JP2006029836A (ja)*2004-07-132006-02-02Horiba Ltdガス分析計の校正方法およびガス分析計
JP5221881B2 (ja)*2007-02-092013-06-26大陽日酸株式会社ガス分析装置
JP5184392B2 (ja)*2008-01-232013-04-17大陽日酸株式会社オゾン濃度の間接測定方法
JP5272516B2 (ja)*2008-05-232013-08-28株式会社明電舎プロセス制御方法、プロセス制御システム
JP5239053B2 (ja)*2008-05-232013-07-17株式会社明電舎オゾン濃度測定方法及びその装置
JP5410074B2 (ja)2008-11-072014-02-05東京エレクトロン株式会社オゾンガス濃度測定方法、オゾンガス濃度測定システム及び基板処理装置
US9394608B2 (en)2009-04-062016-07-19Asm America, Inc.Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en)*2009-08-142014-08-12Asm America, Inc.Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
JP5239000B2 (ja)*2009-10-272013-07-17有限会社光電鍍工業所オゾン濃度測定装置
JP5670717B2 (ja)*2010-12-222015-02-18俊介 細川オゾンガス供給装置
US9312155B2 (en)2011-06-062016-04-12Asm Japan K.K.High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10854498B2 (en)2011-07-152020-12-01Asm Ip Holding B.V.Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en)2011-07-202013-01-24Asm America, Inc.Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en)2011-10-282015-04-28Asm America, Inc.Process feed management for semiconductor substrate processing
US10714315B2 (en)2012-10-122020-07-14Asm Ip Holdings B.V.Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en)2013-02-012016-12-29Asm Ip Holding B.V.System for treatment of deposition reactor
US10683571B2 (en)2014-02-252020-06-16Asm Ip Holding B.V.Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en)2014-03-182019-01-01Asm Ip Holding B.V.Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en)2014-03-192021-05-25Asm Ip Holding B.V.Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en)2014-07-282020-12-08Asm Ip Holding B.V.Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en)2014-08-212018-02-13Asm Ip Holding B.V.Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US9657845B2 (en)2014-10-072017-05-23Asm Ip Holding B.V.Variable conductance gas distribution apparatus and method
US10941490B2 (en)2014-10-072021-03-09Asm Ip Holding B.V.Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en)2015-03-122019-04-30Asm Ip Holding B.V.Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en)2015-06-262019-10-29Asm Ip Holding B.V.Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en)2015-07-072020-03-24Asm Ip Holding B.V.Magnetic susceptor to baseplate seal
US10211308B2 (en)2015-10-212019-02-19Asm Ip Holding B.V.NbMC layers
CN106872366A (zh)*2015-12-112017-06-20新大陆科技集团有限公司一种单光源的低浓度臭氧浓度检测仪
US11139308B2 (en)2015-12-292021-10-05Asm Ip Holding B.V.Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en)2016-02-192020-01-07Asm Ip Holding B.V.Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10343920B2 (en)2016-03-182019-07-09Asm Ip Holding B.V.Aligned carbon nanotubes
US10865475B2 (en)2016-04-212020-12-15Asm Ip Holding B.V.Deposition of metal borides and silicides
US10190213B2 (en)2016-04-212019-01-29Asm Ip Holding B.V.Deposition of metal borides
US10032628B2 (en)2016-05-022018-07-24Asm Ip Holding B.V.Source/drain performance through conformal solid state doping
US10367080B2 (en)2016-05-022019-07-30Asm Ip Holding B.V.Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en)2016-05-252022-09-27Asm Ip Holding B.V.Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10612137B2 (en)2016-07-082020-04-07Asm Ip Holdings B.V.Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en)2016-07-082018-01-02Asm Ip Holding B.V.Selective film deposition method to form air gaps
US10714385B2 (en)2016-07-192020-07-14Asm Ip Holding B.V.Selective deposition of tungsten
KR102532607B1 (ko)2016-07-282023-05-15에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9812320B1 (en)2016-07-282017-11-07Asm Ip Holding B.V.Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en)2016-07-282018-02-06Asm Ip Holding B.V.Method and apparatus for filling a gap
US10643826B2 (en)2016-10-262020-05-05Asm Ip Holdings B.V.Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en)2016-10-272022-12-20Asm Ip Holding B.V.Deposition of charge trapping layers
US10229833B2 (en)2016-11-012019-03-12Asm Ip Holding B.V.Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en)2016-11-012020-07-14ASM IP Holdings, B.V.Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10643904B2 (en)2016-11-012020-05-05Asm Ip Holdings B.V.Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en)2016-11-072018-11-20Asm Ip Holding B.V.Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko)2016-11-152023-06-21에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR102762543B1 (ko)2016-12-142025-02-05에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 장치
US11581186B2 (en)2016-12-152023-02-14Asm Ip Holding B.V.Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en)2016-12-152022-09-20Asm Ip Holding B.V.Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR102700194B1 (ko)2016-12-192024-08-28에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 장치
US10269558B2 (en)2016-12-222019-04-23Asm Ip Holding B.V.Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en)2016-12-282020-12-15Asm Ip Holding B.V.Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en)2017-01-102022-07-19Asm Ip Holding B.V.Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en)2017-02-092020-05-19Asm Ip Holding B.V.Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en)2017-02-152019-11-05Asm Ip Holding B.V.Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en)2017-03-292020-01-07Asm Ip Holdings B.V.Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
USD876504S1 (en)2017-04-032020-02-25Asm Ip Holding B.V.Exhaust flow control ring for semiconductor deposition apparatus
KR102457289B1 (ko)2017-04-252022-10-21에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10892156B2 (en)2017-05-082021-01-12Asm Ip Holding B.V.Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en)2017-05-082020-09-08Asm Ip Holdings B.V.Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en)2017-06-202024-07-16Asm Ip Holding B.V.Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en)2017-06-282022-04-19Asm Ip Holding B.V.Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en)2017-07-052020-06-16Asm Ip Holdings B.V.Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko)2017-07-182019-01-28에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en)2017-07-192020-01-21Asm Ip Holding B.V.Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en)2017-07-192021-05-25Asm Ip Holding B.V.Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en)2017-07-192022-06-28Asm Ip Holding B.V.Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en)2017-07-262020-03-17Asm Ip Holdings B.V.Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
TWI815813B (zh)2017-08-042023-09-21荷蘭商Asm智慧財產控股公司用於分配反應腔內氣體的噴頭總成
US10770336B2 (en)2017-08-082020-09-08Asm Ip Holding B.V.Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en)2017-08-082020-06-23Asm Ip Holdings B.V.Radiation shield
US11139191B2 (en)2017-08-092021-10-05Asm Ip Holding B.V.Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en)2017-08-092019-04-02Asm Ip Holding B.V.Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11769682B2 (en)2017-08-092023-09-26Asm Ip Holding B.V.Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
CN109420186B (zh)*2017-08-222023-10-20宁波方太厨具有限公司臭氧消毒柜及其紫外光强度检测方法
USD900036S1 (en)2017-08-242020-10-27Asm Ip Holding B.V.Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en)2017-08-292023-11-28Asm Ip Holding B.V.Layer forming method and apparatus
US11056344B2 (en)2017-08-302021-07-06Asm Ip Holding B.V.Layer forming method
US11295980B2 (en)2017-08-302022-04-05Asm Ip Holding B.V.Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko)2017-08-302023-01-26에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 장치
KR102401446B1 (ko)2017-08-312022-05-24에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 장치
KR102630301B1 (ko)2017-09-212024-01-29에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en)2017-09-222020-11-24Asm Ip Holding B.V.Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en)2017-09-282020-05-19Asm Ip Holdings B.V.Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en)2017-10-052019-09-03Asm Ip Holding B.V.Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en)2017-10-102019-06-11Asm Ip Holding B.V.Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en)2017-10-302021-02-16Asm Ip Holding B.V.Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en)2017-11-162021-02-02Asm Ip Holding B.V.Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
KR102443047B1 (ko)2017-11-162022-09-14에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11022879B2 (en)2017-11-242021-06-01Asm Ip Holding B.V.Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
CN111344522B (zh)2017-11-272022-04-12阿斯莫Ip控股公司包括洁净迷你环境的装置
WO2019103613A1 (en)2017-11-272019-05-31Asm Ip Holding B.V.A storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace
US10872771B2 (en)2018-01-162020-12-22Asm Ip Holding B. V.Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
KR102695659B1 (ko)2018-01-192024-08-14에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법
TWI799494B (zh)2018-01-192023-04-21荷蘭商Asm 智慧財產控股公司沈積方法
USD903477S1 (en)2018-01-242020-12-01Asm Ip Holdings B.V.Metal clamp
US11018047B2 (en)2018-01-252021-05-25Asm Ip Holding B.V.Hybrid lift pin
USD880437S1 (en)2018-02-012020-04-07Asm Ip Holding B.V.Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en)2018-02-062021-08-03Asm Ip Holding B.V.Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
WO2019158960A1 (en)2018-02-142019-08-22Asm Ip Holding B.V.A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10896820B2 (en)2018-02-142021-01-19Asm Ip Holding B.V.Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en)2018-02-152020-08-04Asm Ip Holding B.V.Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
US10658181B2 (en)2018-02-202020-05-19Asm Ip Holding B.V.Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
KR102636427B1 (ko)2018-02-202024-02-13에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en)2018-02-232021-04-13Asm Ip Holding B.V.Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en)2018-03-012022-10-18Asm Ip Holding B.V.Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en)2018-03-092023-04-18Asm Ip Holding B.V.Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en)2018-03-162021-09-07Asm Ip Holding B.V.Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko)2018-03-272024-03-11에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en)2018-03-292022-01-25Asm Ip Holding B.V.Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en)2018-03-292021-08-10Asm Ip Holding B.V.Substrate rack and a substrate processing system and method
KR102501472B1 (ko)2018-03-302023-02-20에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 방법
KR102600229B1 (ko)2018-04-092023-11-10에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
TWI811348B (zh)2018-05-082023-08-11荷蘭商Asm 智慧財產控股公司藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
US12025484B2 (en)2018-05-082024-07-02Asm Ip Holding B.V.Thin film forming method
US12272527B2 (en)2018-05-092025-04-08Asm Ip Holding B.V.Apparatus for use with hydrogen radicals and method of using same
KR20190129718A (ko)2018-05-112019-11-20에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko)2018-05-282023-10-31에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en)2018-06-042023-08-08Asm Ip Holding B.V.Gas distribution system and reactor system including same
TWI840362B (zh)2018-06-042024-05-01荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en)2018-06-082022-03-29Asm Ip Holding B.V.Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en)2018-06-212020-10-06Asm Ip Holding B.V.Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko)2018-06-212023-08-21에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 시스템
KR102854019B1 (ko)2018-06-272025-09-02에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 필름 및 구조체
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KR102686758B1 (ko)2018-06-292024-07-18에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en)2018-06-292020-04-07ASM IP Holding, B.V.Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10755922B2 (en)2018-07-032020-08-25Asm Ip Holding B.V.Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en)2018-07-032019-08-20Asm Ip Holding B.V.Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en)2018-07-162020-09-08Asm Ip Holding B.V.Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US11053591B2 (en)2018-08-062021-07-06Asm Ip Holding B.V.Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en)2018-08-092021-01-05Asm Ip Holding B.V.Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en)2018-08-162020-11-10Asm Ip Holding B.V.Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en)2018-08-222022-08-30Asm Ip Holding B.V.Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR102707956B1 (ko)2018-09-112024-09-19에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.박막 증착 방법
US11024523B2 (en)2018-09-112021-06-01Asm Ip Holding B.V.Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en)2018-09-142021-06-29Asm Ip Holding B.V.Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344B (zh)2018-10-012024-10-25Asmip控股有限公司衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en)2018-10-032022-01-25Asm Ip Holding B.V.Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko)2018-10-082023-10-23에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en)2018-10-112020-11-24Asm Ip Holding B.V.Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en)2018-10-162020-10-20Asm Ip Holding B.V.Method for etching a carbon-containing feature
KR102605121B1 (ko)2018-10-192023-11-23에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko)2018-10-192023-06-21에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en)2018-10-242022-04-12Asm Ip Holding B.V.Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US12378665B2 (en)2018-10-262025-08-05Asm Ip Holding B.V.High temperature coatings for a preclean and etch apparatus and related methods
US11087997B2 (en)2018-10-312021-08-10Asm Ip Holding B.V.Substrate processing apparatus for processing substrates
KR102748291B1 (ko)2018-11-022024-12-31에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en)2018-11-062023-02-07Asm Ip Holding B.V.Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en)2018-11-072021-06-08Asm Ip Holding B.V.Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en)2018-11-162020-10-27Asm Ip Holding B.V.Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en)2018-11-162020-11-24Asm Ip Holding B.V.Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10559458B1 (en)2018-11-262020-02-11Asm Ip Holding B.V.Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en)2018-11-282024-07-16Asm Ip Holding B.V.Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en)2018-11-302022-01-04Asm Ip Holding B.V.Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko)2018-12-042024-02-13에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en)2018-12-132021-10-26Asm Ip Holding B.V.Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TWI874340B (zh)2018-12-142025-03-01荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
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US11289326B2 (en)2019-05-072022-03-29Asm Ip Holding B.V.Method for reforming amorphous carbon polymer film
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USD975665S1 (en)2019-05-172023-01-17Asm Ip Holding B.V.Susceptor shaft
USD947913S1 (en)2019-05-172022-04-05Asm Ip Holding B.V.Susceptor shaft
USD935572S1 (en)2019-05-242021-11-09Asm Ip Holding B.V.Gas channel plate
USD922229S1 (en)2019-06-052021-06-15Asm Ip Holding B.V.Device for controlling a temperature of a gas supply unit
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US11643724B2 (en)2019-07-182023-05-09Asm Ip Holding B.V.Method of forming structures using a neutral beam
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US12169361B2 (en)2019-07-302024-12-17Asm Ip Holding B.V.Substrate processing apparatus and method
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US11587814B2 (en)2019-07-312023-02-21Asm Ip Holding B.V.Vertical batch furnace assembly
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USD965044S1 (en)2019-08-192022-09-27Asm Ip Holding B.V.Susceptor shaft
USD965524S1 (en)2019-08-192022-10-04Asm Ip Holding B.V.Susceptor support
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US11286558B2 (en)2019-08-232022-03-29Asm Ip Holding B.V.Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
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US11562901B2 (en)2019-09-252023-01-24Asm Ip Holding B.V.Substrate processing method
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US11637014B2 (en)2019-10-172023-04-25Asm Ip Holding B.V.Methods for selective deposition of doped semiconductor material
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US11646205B2 (en)2019-10-292023-05-09Asm Ip Holding B.V.Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
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US11501968B2 (en)2019-11-152022-11-15Asm Ip Holding B.V.Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
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US12431354B2 (en)2020-07-012025-09-30Asm Ip Holding B.V.Silicon nitride and silicon oxide deposition methods using fluorine inhibitor
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USD990441S1 (en)2021-09-072023-06-27Asm Ip Holding B.V.Gas flow control plate
USD1060598S1 (en)2021-12-032025-02-04Asm Ip Holding B.V.Split showerhead cover

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication numberPriority datePublication dateAssigneeTitle
JPH02122245A (ja)*1988-10-311990-05-09Teru Yamanashi Kkオゾン濃度測定装置
JPH07318487A (ja)*1994-05-241995-12-08Dairetsuku Kkオゾン濃度計
JPH0933429A (ja)*1995-07-241997-02-07Toshiba Corpオゾン濃度計
JP3758023B2 (ja)*2000-06-202006-03-22株式会社神戸製鋼所光吸収式オゾン濃度計
JP4001797B2 (ja)*2002-08-282007-10-31株式会社明電舎オゾンガス濃度測定方法及びその装置

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