JP3948295B2 - Processing equipment - Google Patents

Description

Translated fromJapanese

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、加工装置に関し、特にレジストマスクを不要とするノンコンタクトマスク加工手段や、マイクロプラズマ源を用いた加工手段に特徴がある。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、表面に薄膜が形成された基板に代表される被処理物にパターンニング加工を行う場合、レジストプロセスが用いられる。その一例を図６に示す。図６において、まず、被処理物２５の表面に感光性レジスト２６を塗布する（ａ）。次に、露光機を用いて露光した後現像すると、レジスト２６が所望の形状にパターンニングできる（ｂ）。そして、被処理物２５を真空容器内に載置し、真空容器内にプラズマを発生させ、レジスト２６をマスクとして被処理物２５をエッチング加工すると、被処理物２５の表面が所望の形状にパターニングされる（ｃ）。最後に、レジスト２６を酸素プラズマや有機溶剤などで除去することで、加工が完了する（ｄ）。
【０００３】
以上のようなレジストプロセスは、微細パターンを精度良く形成するのに適しているため、半導体などの電子デバイスの製造において重要な役割を果たすに至った。また、工程が複雑であるという欠点もある。
【０００４】
そこで、レジストプロセスを用いない新しい加工方法が検討されている。その一例として、図７にノンコンタクトマスクエッチングの概念図を示す。真空容器１内に配置された電極７上に被処理物８を載置し、真空容器１内にガス供給装置２よりガスを供給しつつ、排気装置３により真空容器１内を排気し、真空容器１内を所定の圧力に制御しながら、プラズマ源用高周波電源４より、プラズマ源としての誘電板５上に配置されたコイル６に高周波電力を供給することにより、真空容器１内にプラズマを発生させ、被処理物８の近傍に配置させたマスク９に設けられた微小な貫通穴を通じてプラズマから漏れ出る活性粒子を被処理物８に作用させ、被処理物を加工する方法である。
【０００５】
また、別例として、図８にマイクロプラズマエッチングの概念図を示す。被処理物８の近傍に配置することが可能なマイクロプラズマ源１７に高周波電力を供給してマイクロプラズマを発生させ、マイクロプラズマから漏れ出る活性粒子を被処理物８に作用させ、被処理物を加工する方法である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来例で述べた被処理物の加工において、この被処理物の表面に形成されるパターンニング形状を制御することが困難であるという問題が生じることがある。その結果、加工精度が低下するという問題点があった。
【０００７】
本発明は、上記従来の問題点に鑑み、パターンニング形状を制御でき、かつ、加工精度に優れた加工装置を提供することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本願発明の加工装置は、真空容器と、前記真空容器内にガスを供給するガス供給装置と、前記真空容器内を排気する排気装置と、前記真空容器内にプラズマを発生させるプラズマ源と、前記プラズマ源に高周波電力を供給する高周波電源と、前記真空容器内に配置された電極と、前記プラズマ源と前記電極との間かつ前記電極に対向して配置されると共に貫通穴が設けられたマスクと、前記真空容器内かつ前記電極に対向して設けられ前記電極表面に配置された前記被処理物と前記マスクとの距離をレーザーにより計測する距離計測装置と、前記距離計測装置にて得られた情報に基づき、前記マスクと前記被処理物との距離を変化させる距離制御装置とを備えたことを特徴とする。
【０００９】
本願発明の加工装置において、好適には、距離制御装置は、真空容器内に発生させたプラズマを停止することなく動作可能であることが好ましい。また、マスクと被処理物との距離を徐々に大きくしていくことが望ましい。あるいは、マスクと被処理物との距離を徐々に小さくしていってもよい。
【００１０】
また、好適には、マスクが導電体であり、かつ、マスクに負の直流電圧を印加することが望ましい。あるいは、マスクが導電体であり、かつ、マスクに高周波電力を印加してもよい。あるいは、マスクが導電体に絶縁体のコーティングを施したものであり、かつ、マスクに高周波電力を印加してもよい。あるいは、被処理物を載置する電極に高周波電力を印加してもよい。
【００２２】
【発明の実施の形態】
（第１の実施形態）
以下、本発明の第１実施形態について、図１乃至図３を参照して説明する。
【００２３】
図１に、本発明の第１実施形態に係る誘導結合型プラズマ源を搭載した加工装置の断面図を示す。図１において、真空容器１内にガス供給装置２から所定のガスを導入しつつ、排気装置としてのターボ分子ポンプ３により排気を行い、真空容器１内を所定の圧力に保ちながら、コイル用高周波電源４により周波数１３．５６ＭＨｚの高周波電力を、プラズマ源としての誘電板５上のコイル６に供給することにより、真空容器１内にプラズマが発生する。電極７上には、被処理物としての基板８が載置される。アルミニウム（導体）製のマスク９は、基板８の近傍に配置され、マスク９には微小な貫通穴が設けられている。マスク用高周波電源１０より、マスク９に５００ｋＨｚの高周波電力を供給することができる。マスク９の端部に距離計測装置としてのレーザー変位計１１が設けられており、基板８とマスク９との距離が計測できる。レーザー変位計１１により得られた情報は、距離制御装置としてのモーター１２にフィードバックされ、ギアボックス１３を介してマスク９の位置を変化させることにより、基板８とマスク９の距離が所望の値に保たれる。また、シーケンサ１４により、マスク９と基板８の距離を徐々に大きく、または徐々に小さくするよう、プログラム可能となっている。
【００２４】
図２に、本発明の第１実施形態に係る被処理物の加工方法の概念図を示す。マスク９には微小な貫通穴１５が多数設けられており、マスク９に印加される高周波電力の影響により、マスク９の表面にはイオンシースが形成される。イオンシースにおいて、プラズマ中の活性粒子であるイオン１６はマスク９の方向に加速されるが、貫通穴１４を通じて漏れ出たイオン１６が、基板８に高い運動エネルギーをもって衝突する。この作用により、基板８或いは基板８上に形成された薄膜などがエッチング加工され、マスク形状が転写される。
【００２５】
このとき、マスク９と基板８との距離を徐々に大きくしていくと、貫通穴１５から基板８へ向かうイオン束の広がりにより、基板８上の被エッチング領域が大きくなってくる。その結果、図３に示すような順テーパー形状を得ることが可能となる。なお、真空容器１内に発生させたプラズマを停止することなく、モーター１２の動作を行えるよう、レーザー変位計１１からのフィードバック用信号線等にはシールド対策が施されている。
【００２６】
マスク９と基板８との距離を徐々に小さくした場合も、同様の順テーパー形状を得ることができる。
【００２７】
以下に、具体的な加工条件の一例を示す。４フッ化炭素ガスを１００ｓｃｃｍ供給し、真空容器１内の圧力を１Ｐａに保ちながら、コイル６に１０００Ｗの高周波電力を供給し、真空容器１内にプラズマを発生させる。マスク９に２００Ｗの高周波電力を供給しつつ、マスク９と基板８の距離を１００μｍ／分の速度で５０μｍから３５０μｍまで３分間で変化させながら、基板８上に形成された多結晶シリコン膜のエッチングを行った。このとき、多結晶シリコン膜が６００ｎｍエッチングされ、断面形状は順テーパー形状であった。また、パターン底の寸法とパターン表面の寸法の差は１．２μｍであり、テーパー角は４５度であった。
【００２８】
以上述べた本発明の第１実施形態において、真空容器内にプラズマを発生させるために、誘導結合型プラズマ源を用いた場合を例示したが、アンテナ式プラズマ源、マイクロ波プラズマ源、平行平板型プラズマ源、電子サイクロトロン共鳴型プラズマ源など、様々なプラズマ源を用いることができる。
【００２９】
また、マスクが導体であり、かつ、マスクに高周波電力を印加する場合を例示したが、マスクに負の直流電圧を印加してもよい。或いは、絶縁体のコーティングを施されたマスクに、高周波電力を印加してもよい。或いは、被処理物を載置するための電極に高周波電力を印加することによっても、同様の加工を行うことができる。
【００３０】
（第２の実施形態）
次に、本発明の第２実施形態について、図３乃至図５を参照して説明する。
【００３１】
図４に、本発明の第２実施形態に係るマイクロプラズマ源を搭載した加工装置の断面図を示す。図４において、電極１８上に載置された被処理物としての基板８の近傍に、マイクロプラズマ源１７が配置され、マイクロプラズマ源１７に１００ＭＨｚの高周波電力を印加することにより、マイクロプラズマが発生する。このマイクロプラズマから漏れ出る活性粒子を基板８に作用させ、基板８を加工することができる。マイクロプラズマ源１７の端部に距離計測装置としてのレーザー変位計１１が設けられており、基板８とマイクロプラズマ源１７との距離が計測できる。レーザー変位計１１により得られた情報は、距離制御装置としてのモーター１２にフィードバックされ、ギアボックス１３を介してマイクロプラズマ源１７の位置を変化させることにより、基板８とマイクロプラズマ源１７の距離が所望の値に保たれる。また、シーケンサ１４には、マイクロプラズマ源１７と基板８の距離を徐々に大きく、または徐々に小さくなるようにプログラムが組み込まれている。
【００３２】
図５は、マイクロプラズマ源１７を図４の破線Ａで切った断面図である。２枚の石英ガラス板１９及び２０が接着され、その間にキャピラリ２１が形成されている。反応ガスはキャピラリ２１の内部に導入され、基板８に向かってマイクロプラズマとなって噴出される。高周波電極２２と接地電極２３が石英ガラス板１９及び２０の両側に設けられ、高周波電極２２には高周波電源２４より高周波電力が供給される。マイクロプラズマ源１７は１Ｐａから数気圧まで動作可能であるが、典型的には１０³Ｐａから大気圧までの範囲の圧力で動作する。
【００３３】
このとき、マイクロプラズマ源１７と基板８との距離を徐々に大きくしていくと、マイクロプラズマ源１７から基板８へ向かう活性粒子の流れの広がりにより、基板８上の被エッチング領域が大きくなってくる。その結果、図３に示すような順テーパー形状を得ることが可能となる。なお、発生させたマイクロプラズマを停止することなく、モーター１２の動作を行えるよう、レーザー変位計１１からのフィードバック用信号線等にはシールド対策が施されている。
【００３４】
マイクロプラズマ源１７と基板８との距離を徐々に小さくした場合も、同様の順テーパー形状を得ることができる。
【００３５】
以下に、具体的な加工条件の一例を示す。６フッ化硫黄ガスを５％含むヘリウムガスを２ｓｌｍ供給し、大気圧下でマイクロプラズマ源１７に１０Ｗの高周波電力を供給し、真空容器１内にプラズマを発生させる。マイクロプラズマ源１７と基板８の距離を２００μｍ／分の速度で５００μｍから１０００μｍまで２．５分間で変化させながら、シリコン基板８のエッチングを行った。このとき、シリコン基板が５μｍエッチングされ、断面形状は順テーパー形状であった。また、パターン底の寸法とパターン表面の寸法の差は１０μｍであり、テーパー角は４５度であった。
【００３６】
以上述べた本発明の第２実施形態において、マイクロプラズマ源として平行平板型キャピラリタイプのものを用いる場合を例示したが、誘導結合型キャピラリタイプなど、他方式のキャピラリタイプや、マイクロギャップ方式、誘導結合型チューブタイプなど、様々なマイクロプラズマ源を用いることができる。
【００３７】
また、被処理物を載置するための電極に高周波電力を印加することにより、マイクロプラズマ中のイオンを引き込む作用を強めることも可能である。
【００３８】
以上述べた本発明の実施形態においては、本発明の適用範囲のうち、真空容器の形状、プラズマ源の構造及び配置等に関して様々なバリエーションのうちの一部を例示したに過ぎない。本発明の適用にあたり、ここで例示した以外にも様々なバリエーションが考えられることは、いうまでもない。
【００３９】
また、多結晶シリコンやシリコン基板をエッチング加工する場合を例示したが、加工対象はこれらに限定されるものではなく、本発明は、種々の基板の加工、または、種々の膜がコーティングされた被処理物の加工に適用できる。
【００４０】
また、エッチング加工に際して４フッ化炭素や６フッ化硫黄ガスを用いる場合を例示したが、ガスはこれに限定されるものではなく、被処理物の材質に応じて、マスクまたはマイクロプラズマ源を構成する物質とのエッチング選択比が高められるガスを選定することができる。
【００４１】
また、距離計測装置としてレーザー変位計を用いる場合を例示したが、接触式センサや、原子間力を利用した非接触センサなどを利用することもできる。これらは、可能なコストと必要な精度に応じて選択することができる。
【００４２】
また、マスクまたはマイクロプラズマ源と被処理物の距離を変化させながらエッチング加工する場合を例示したが、プラズマが停止している状態で距離を変化させる工程と、ある距離に保ちながらプラズマを発生させて加工する工程を繰り返してもよい。或いは、プラズマを継続して発生させながら、マスクまたは基板を載置する電極に印加する高周波電力または直流電力を停止した状態で距離を変化させる工程と、ある距離に保ちながらマスクまたは基板を載置する電極に高周波電力または直流電力を供給して加工する工程を繰り返してもよい。
【００４３】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、真空容器と、前記真空容器内にガスを供給するガス供給装置と、前記真空容器内を排気する排気装置と、前記真空容器内にプラズマを発生させるプラズマ源と、前記プラズマ源に高周波電力を供給する高周波電源と、前記真空容器内に配置された電極と、前記プラズマ源と前記電極との間かつ前記電極に対向して配置されると共に貫通穴が設けられたマスクと、前記真空容器内かつ前記電極に対向して設けられ前記電極表面に配置された前記被処理物と前記マスクとの距離をレーザーにより計測する距離計測装置と、前記距離計測装置にて得られた情報に基づき、前記マスクと前記被処理物との距離を変化させる距離制御装置とを備えたため、パターンニング形状を制御でき、かつ、加工精度に優れた加工を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態に係る加工装置の構成を示す断面図
【図２】本発明の第１実施形態に係る被処理物の加工方法の概念図
【図３】本発明の実施形態における加工形状を示す図
【図４】本発明の第２実施形態に係る加工装置の構成を示す断面図
【図５】本発明の第２実施形態に係るマイクロプラズマ源の断面図
【図６】従来例で用いたパターンニング工程を示す図
【図７】従来例で用いた加工装置の構成を示す断面図
【図８】従来例で用いた加工装置の構成を示す断面図
【符号の説明】
１ 真空容器
２ ガス供給装置
３ ターボ分子ポンプ
４ コイル用高周波電源
５ 誘電板
６ コイル
７ 電極
８ 基板
９ マスク
１０ マスク用高周波電源
１１ レーザー変位計
１２ モーター
１３ ギアボックス
１４ シーケンサ[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a pressurizedKoSo location, and non contact mask processing means to particularly unnecessary resist mask is characterized in processing means using a micro-plasma source.
[0002]
[Prior art]
In general, a resist process is used when patterning is performed on an object typified by a substrate having a thin film formed on the surface. An example is shown in FIG. In FIG. 6, first, aphotosensitive resist 26 is applied to the surface of the object to be processed 25 (a). Next, theresist 26 can be patterned into a desired shape by developing after exposure using an exposure machine (b). Then, theworkpiece 25 is placed in a vacuum vessel, plasma is generated in the vacuum vessel, and theworkpiece 25 is etched using theresist 26 as a mask, whereby the surface of theworkpiece 25 is patterned into a desired shape. (C). Finally, theresist 26 is removed with oxygen plasma, an organic solvent, or the like, thereby completing the processing (d).
[0003]
Since the resist process as described above is suitable for accurately forming a fine pattern, it has played an important role in the manufacture of electronic devices such as semiconductors. In addition, there is a drawback that the process is complicated.
[0004]
Therefore, a new processing method that does not use a resist process has been studied. As an example, FIG. 7 shows a conceptual diagram of non-contact mask etching. An object to be processed 8 is placed on theelectrode 7 disposed in thevacuum vessel 1, and while the gas is supplied from thegas supply device 2 into thevacuum vessel 1, the inside of thevacuum vessel 1 is evacuated by theexhaust device 3, and the vacuum is supplied. While controlling the inside of thecontainer 1 to a predetermined pressure, high-frequency power is supplied from the high-frequency power source 4 for the plasma source to the coil 6 disposed on thedielectric plate 5 as the plasma source, thereby generating plasma in thevacuum container 1. This is a method of processing an object to be processed by causing active particles that are generated and leaked from plasma through a minute through hole provided in amask 9 disposed in the vicinity of the object to be processed 8 to act on the object to be processed 8.
[0005]
As another example, FIG. 8 shows a conceptual diagram of microplasma etching. A high-frequency power is supplied to amicroplasma source 17 that can be disposed in the vicinity of theworkpiece 8 to generate microplasma, and active particles that leak from the microplasma act on theworkpiece 8 to It is a method of processing.
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the processing of the object to be processed described in the conventional example, there may be a problem that it is difficult to control the patterning shape formed on the surface of the object to be processed. As a result, there is a problem that processing accuracy is lowered.
[0007]
The present invention is the light of the conventional problems, it can be controlled patterned shape, and has an object to provide an excellent pressureKoSo location processing accuracy.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
The processing apparatus of the present invention includes a vacuum vessel, a gas supply device for supplying gas into the vacuum vessel, an exhaust device for exhausting the vacuum vessel, a plasma source for generating plasma in the vacuum vessel, a high frequency power supply for supplying high frequency power to the plasma source, wherein the electrodes disposed in a vacuum container, isbetween and isarranged to face the electrodeRutotomoni penetrations holesbetween the electrodeand the plasma source is provided a mask, a distance measuring device for measuring by a laser a distance betweenthe object to be processed and the mask disposed on the electrodesurfaceprovided opposite to the vacuum vessel and the electrode, resulting in the distance measuring device And a distance control device that changes a distance between the mask and the object to be processed based on the obtained information.
[0009]
In the processingapparatus of the presentgun onset bright, preferably,the distance control device is preferably operable without stopping the plasma generated in the vacuum chamber. It is also desirable to gradually increase the distance between the mask and the object to be processed. Alternatively, the distance between the mask and the object to be processed may be gradually reduced.
[0010]
Preferably, the mask is a conductor and a negative DC voltage is applied to the mask. Alternatively, the mask may be a conductor and high frequency power may be applied to the mask. Alternatively, the mask may be a conductor in which an insulator is coated, and high frequency power may be applied to the mask. Alternatively, it may be applied to high-frequency power tothat electrodes be placed an object to be processed.
[0022]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
(First embodiment)
Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 3.
[0023]
FIG. 1 shows a cross-sectional view of a processing apparatus equipped with an inductively coupled plasma source according to the first embodiment of the present invention. In FIG. 1, while introducing a predetermined gas from agas supply device 2 into avacuum vessel 1, exhausting is performed by a turbomolecular pump 3 as an exhaust device, and thevacuum vessel 1 is kept at a predetermined pressure while being kept at a predetermined pressure. Plasma is generated in thevacuum vessel 1 by supplying a high frequency power having a frequency of 13.56 MHz to the coil 6 on thedielectric plate 5 as a plasma source by the power source 4. Asubstrate 8 as an object to be processed is placed on theelectrode 7. Themask 9 made of aluminum (conductor) is disposed in the vicinity of thesubstrate 8, and themask 9 is provided with a minute through hole. A high frequency power of 500 kHz can be supplied to themask 9 from the highfrequency power supply 10 for the mask. Alaser displacement meter 11 as a distance measuring device is provided at the end of themask 9 so that the distance between thesubstrate 8 and themask 9 can be measured. Information obtained by thelaser displacement meter 11 is fed back to amotor 12 as a distance control device, and the distance between thesubstrate 8 and themask 9 is changed to a desired value by changing the position of themask 9 via thegear box 13. Kept. Thesequencer 14 can be programmed to gradually increase or decrease the distance between themask 9 and thesubstrate 8.
[0024]
In FIG. 2, the conceptual diagram of the processing method of the to-be-processed object which concerns on 1st Embodiment of this invention is shown. Themask 9 is provided with a large number of minute throughholes 15, and an ion sheath is formed on the surface of themask 9 due to the influence of the high frequency power applied to themask 9. In the ion sheath,ions 16 which are active particles in the plasma are accelerated in the direction of themask 9, but theions 16 leaking through the throughholes 14 collide with thesubstrate 8 with high kinetic energy. By this action, thesubstrate 8 or a thin film formed on thesubstrate 8 is etched, and the mask shape is transferred.
[0025]
At this time, when the distance between themask 9 and thesubstrate 8 is gradually increased, the region to be etched on thesubstrate 8 becomes larger due to the spread of the ion flux from the throughhole 15 toward thesubstrate 8. As a result, a forward tapered shape as shown in FIG. 3 can be obtained. It should be noted that the signal line for feedback from thelaser displacement meter 11 is shielded so that themotor 12 can be operated without stopping the plasma generated in thevacuum chamber 1.
[0026]
A similar forward tapered shape can be obtained even when the distance between themask 9 and thesubstrate 8 is gradually reduced.
[0027]
An example of specific processing conditions is shown below. While supplying 100 sccm of carbon tetrafluoride gas and keeping the pressure in thevacuum vessel 1 at 1 Pa, high frequency power of 1000 W is supplied to the coil 6 to generate plasma in thevacuum vessel 1. Etching the polycrystalline silicon film formed on thesubstrate 8 while supplying a high frequency power of 200 W to themask 9 and changing the distance between themask 9 and thesubstrate 8 from 50 μm to 350 μm in 3 minutes at a rate of 100 μm / min. Went. At this time, the polycrystalline silicon film was etched by 600 nm, and the cross-sectional shape was a forward tapered shape. The difference between the pattern bottom dimension and the pattern surface dimension was 1.2 μm, and the taper angle was 45 degrees.
[0028]
In the first embodiment of the present invention described above, the case where an inductively coupled plasma source is used to generate plasma in the vacuum vessel is illustrated, but an antenna type plasma source, a microwave plasma source, a parallel plate type Various plasma sources such as a plasma source and an electron cyclotron resonance plasma source can be used.
[0029]
Moreover, although the case where the mask is a conductor and high frequency power is applied to the mask has been illustrated, a negative DC voltage may be applied to the mask. Alternatively, high-frequency power may be applied to a mask coated with an insulator. Alternatively, the same processing can be performed by applying high-frequency power to an electrode on which the workpiece is placed.
[0030]
(Second Embodiment)
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
[0031]
FIG. 4 shows a cross-sectional view of a processing apparatus equipped with a microplasma source according to the second embodiment of the present invention. In FIG. 4, amicroplasma source 17 is disposed in the vicinity of asubstrate 8 as an object to be processed placed on anelectrode 18, and a microplasma is generated by applying high frequency power of 100 MHz to themicroplasma source 17. To do. The active particles leaking from the microplasma act on thesubstrate 8 to process thesubstrate 8. Alaser displacement meter 11 as a distance measuring device is provided at the end of themicroplasma source 17 so that the distance between thesubstrate 8 and themicroplasma source 17 can be measured. Information obtained by thelaser displacement meter 11 is fed back to themotor 12 as a distance control device, and the distance between thesubstrate 8 and themicroplasma source 17 is changed by changing the position of themicroplasma source 17 via thegear box 13. It is kept at the desired value. Thesequencer 14 incorporates a program so that the distance between themicroplasma source 17 and thesubstrate 8 is gradually increased or gradually decreased.
[0032]
5 is a cross-sectional view of themicroplasma source 17 taken along a broken line A in FIG. Twoquartz glass plates 19 and 20 are bonded together, and a capillary 21 is formed between them. The reaction gas is introduced into the capillary 21 and ejected as microplasma toward thesubstrate 8. Ahigh frequency electrode 22 and aground electrode 23 are provided on both sides of thequartz glass plates 19 and 20, and high frequency power is supplied to thehigh frequency electrode 22 from a highfrequency power supply 24. Themicroplasma source 17 can operate from 1 Pa to several atmospheres, but typically operates at a pressure in the range from 10³ Pa to atmospheric pressure.
[0033]
At this time, when the distance between themicroplasma source 17 and thesubstrate 8 is gradually increased, the area to be etched on thesubstrate 8 becomes larger due to the spread of the flow of active particles from themicroplasma source 17 toward thesubstrate 8. come. As a result, a forward tapered shape as shown in FIG. 3 can be obtained. It should be noted that the signal line for feedback from thelaser displacement meter 11 is shielded so that themotor 12 can be operated without stopping the generated microplasma.
[0034]
A similar forward taper shape can be obtained even when the distance between themicroplasma source 17 and thesubstrate 8 is gradually reduced.
[0035]
An example of specific processing conditions is shown below. Helium gas containing 5% sulfur hexafluoride gas is supplied at 2 slm, high frequency power of 10 W is supplied to themicroplasma source 17 under atmospheric pressure, and plasma is generated in thevacuum chamber 1. Thesilicon substrate 8 was etched while changing the distance between themicroplasma source 17 and thesubstrate 8 from 500 μm to 1000 μm at a rate of 200 μm / min for 2.5 minutes. At this time, the silicon substrate was etched by 5 μm, and the cross-sectional shape was a forward tapered shape. The difference between the pattern bottom dimension and the pattern surface dimension was 10 μm, and the taper angle was 45 degrees.
[0036]
In the second embodiment of the present invention described above, the case where a parallel plate type capillary type is used as the microplasma source has been exemplified. However, other types of capillary types such as an inductively coupled capillary type, a microgap type, an induction type, etc. Various microplasma sources such as a coupled tube type can be used.
[0037]
In addition, by applying high-frequency power to the electrode for placing the object to be processed, it is possible to enhance the action of attracting ions in the microplasma.
[0038]
In the embodiment of the present invention described above, only a part of various variations in the scope of the present invention regarding the shape of the vacuum vessel, the structure and arrangement of the plasma source, and the like are merely illustrated. It goes without saying that various variations other than those exemplified here can be considered in applying the present invention.
[0039]
In addition, although the case where polycrystalline silicon or a silicon substrate is etched is illustrated, the object to be processed is not limited to these, and the present invention can be applied to processing various substrates or coatings coated with various films. Applicable to processing of processed products.
[0040]
Moreover, although the case where carbon tetrafluoride or sulfur hexafluoride gas is used in the etching process is exemplified, the gas is not limited to this, and a mask or a microplasma source is configured according to the material of the object to be processed. It is possible to select a gas that can increase the etching selectivity with the substance to be performed.
[0041]
Moreover, although the case where a laser displacement meter was used as a distance measuring device was illustrated, a contact sensor, a non-contact sensor using atomic force, or the like can also be used. These can be selected depending on the possible cost and the required accuracy.
[0042]
In addition, the case where the etching process is performed while changing the distance between the mask or the microplasma source and the object to be processed is exemplified, but the process of changing the distance while the plasma is stopped and the generation of the plasma while maintaining the certain distance. The processing step may be repeated. Alternatively, the step of changing the distance while the high frequency power or the DC power applied to the electrode on which the mask or substrate is placed is stopped while plasma is continuously generated, and the mask or substrate is placed while maintaining a certain distance. The process of supplying high frequency power or DC power to the electrode to be processed may be repeated.
[0043]
【The invention's effect】
As is apparent from the above description, a vacuum vessel, a gas supply device that supplies gas into the vacuum vessel, an exhaust device that exhausts the inside of the vacuum vessel, and a plasma source that generates plasma in the vacuum vessel; , a high frequency power supply for supplying high frequency power, an electrode disposed in said vacuum container, isbetween andRutotomoni penetrations holes arearranged to face the electrodeof the electrodeand the plasma source is provided to the plasma source a mask which is the distance betweenthe vacuum vessel andthe processing object and the mask disposed on the electrodesurfaceprovided opposite to the electrode and the distance measuring device for measuring by a laser, the distance measuring device Based on the information obtained, a distance control device that changes the distance between the mask and the object to be processed is provided, so that the patterning shape can be controlled and processing with excellent processing accuracy can be performed. Ukoto can.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a cross-sectional view showing a configuration of a processing apparatus according to a first embodiment of the present invention. FIG. 2 is a conceptual diagram of a processing method for an object to be processed according to the first embodiment of the present invention. FIG. 4 is a cross-sectional view showing a configuration of a processing apparatus according to a second embodiment of the present invention. FIG. 5 is a cross-sectional view of a microplasma source according to the second embodiment of the present invention. 6 is a diagram showing the patterning process used in the conventional example. FIG. 7 is a cross-sectional view showing the configuration of the processing apparatus used in the conventional example. FIG. 8 is a cross-sectional view showing the configuration of the processing apparatus used in the conventional example. Explanation】
DESCRIPTION OFSYMBOLS 1Vacuum container 2Gas supply apparatus 3 Turbo molecular pump 4 Highfrequency power supply 5 for coils Dielectric plate 6Coil 7Electrode 8Substrate 9Mask 10 Highfrequency power supply 11 formasks 11Laser displacement meter 12Motor 13Gear box 14 Sequencer

Claims (7)

Translated fromJapanese

真空容器と、前記真空容器内にガスを供給するガス供給装置と、前記真空容器内を排気する排気装置と、前記真空容器内にプラズマを発生させるプラズマ源と、前記プラズマ源に高周波電力を供給する高周波電源と、前記真空容器内に配置された電極と、前記プラズマ源と前記電極との間かつ前記電極に対向して配置されると共に貫通穴が設けられたマスクと、前記真空容器内かつ前記電極に対向して設けられ前記電極表面に配置された前記被処理物と前記マスクとの距離をレーザーにより計測する距離計測装置と、前記距離計測装置にて得られた情報に基づき、前記マスクと前記被処理物との距離を変化させる距離制御装置とを備えたこと
を特徴とする加工装置。A vacuum vessel, a gas supply device for supplying gas into the vacuum vessel, an exhaust device for exhausting the inside of the vacuum vessel, a plasma source for generating plasma in the vacuum vessel, and supplying high-frequency power to the plasma source to the high-frequency power source, an electrode disposed in said vacuum container, andduring and mask opposed disposedRutotomoni penetrations holesto the electrodes are providedbetween the electrodeand the plasma source,the vacuum container and a distance measuring device for measuring a distance betweenthe object to be processed and the mask disposed on the electrodesurfaceprovided opposite to the electrode by a laser, based on the information obtained by the distance measuring device, wherein A processing apparatus comprising: a distance control device that changes a distance between a mask and the workpiece.前記距離制御装置は、前記真空容器内に発生させたプラズマを停止することなく動作可能であることを特徴とする請求項１記載の加工装置。The processing apparatus according to claim 1,wherein the distance control device isoperable without stopping plasma generated in the vacuum vessel.前記マスクと前記被処理物の距離を徐々に大きく、または徐々に小さくするようプログラム可能であることを特徴とする請求項１記載の加工装置。Processing apparatus according to claim 1,wherein the gradually increasing the distance the mask andthe object to be processed, or gradually programmable to small.前記マスクが導電体であり、かつ、前記マスクに負の直流電圧を印加する直流電源を備えたことを特徴とする請求項１記載の加工装置。It said mask is a conductor, and the processing apparatus according to claim 1, further comprising a DC power supply for applying a negative DC voltage tothe mask.前記マスクが導電体であり、かつ、前記マスクに高周波電力を印加する高周波電源を備えたことを特徴とする請求項１記載の加工装置。It said mask is a conductor, and the processing apparatus according to claim 1, further comprising a high-frequency power source for applying RF power tothe mask.前記マスクが導電体に絶縁体のコーティングを施したものであり、かつ、前記マスクに高周波電力を印加する高周波電源を備えたことを特徴とする請求項１記載の加工装置。The mask is intended with a coating of insulator to the conductor, and the processing apparatus according to claim 1, further comprising a high-frequency power source for applying RF power tothe mask.前記被処理物を載置する前記電極に高周波電力を印加する高周波電源を備えたことを特徴とする請求項１記載の加工装置。The processing apparatus according to claim 1, further comprising a high-frequency power source for applying RF power tothe electrode for placing an object to be processed.

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