【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は発光ダイオードアレ
イに関し、特にページプリンタ用感光ドラムの露光源な
どに用いられる発光ダイオードアレイに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a light emitting diode array, and more particularly, to a light emitting diode array used as an exposure source of a photosensitive drum for a page printer.
【０００２】[0002]
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】従来の
発光ダイオードアレイを図１４及び図１５に示す。図１
５は、図１４のＡ−Ａ線断面図である。図１４および図
１５において、２１は半導体基板、２２は島状半導体
層、２３は個別電極、２４は共通電極である。2. Description of the Related Art FIGS. 14 and 15 show a conventional light emitting diode array. FIG.
FIG. 5 is a sectional view taken along line AA of FIG. 14 and 15, 21 is a semiconductor substrate, 22 is an island-shaped semiconductor layer, 23 is an individual electrode, and 24 is a common electrode.
【０００３】半導体基板２１は、例えばシリコン（Ｓ
ｉ）やガリウム砒素（ＧａＡｓ）などの単結晶半導体基
板などから成る。The semiconductor substrate 21 is made of, for example, silicon (S
i) or a single crystal semiconductor substrate such as gallium arsenide (GaAs).
【０００４】島状半導体層２２は、ガリウム砒素やアル
ミニウムガリウム砒素などの化合物半導体層などから成
り、一導電型不純物を含有する層２２ａと逆導電型不純
物を含有する層２２ｂから成る。一導電型不純物を含有
する層２２ａと逆導電型不純物を含有する層２２ｂの界
面部分で半導体接合部が形成される。この島状半導体層
２２は、例えばＭＯＣＶＤ（有機金属化学気相成長）法
やＭＢＥ（分子線エビタキシー）法でガリウム砒素やア
ルミニウムガリム砒素などから成る単結晶半導体層を形
成した後に、メサエッチングなどによって島状に形成さ
れる。The island-shaped semiconductor layer 22 is made of a compound semiconductor layer such as gallium arsenide or aluminum gallium arsenide, and is composed of a layer 22a containing impurities of one conductivity type and a layer 22b containing impurities of opposite conductivity type. A semiconductor junction is formed at the interface between the layer 22a containing one conductivity type impurity and the layer 22b containing the opposite conductivity type impurity. The island-shaped semiconductor layer 22 is formed, for example, by forming a single-crystal semiconductor layer made of gallium arsenide, aluminum gallium arsenide, or the like by MOCVD (metal organic chemical vapor deposition) or MBE (molecular beam evitaxy), followed by mesa etching or the like. Are formed in an island shape.
【０００５】島状半導体層２２の表面部分には、例えば
窒化シリコン膜（ＳｉxＮy）などから成る保護膜２５
が形成されており、この保護膜２５の表面部分には、例
えば金（Ａｕ）などから成る個別電極２３が形成されて
いる。この個別電極２３は、保護膜２５に形成されたス
ルーホールを介して逆導電型不純物を含有する半導体層
２２ｂに接続されている。この個別電極２３は、島状半
導体層２２のうちの逆導電型不純物を含有する層２２ｂ
の上面部分から壁面部分を経由して、半導体基板２１の
端面近傍まで、隣接する島状半導体層２２ごとに交互に
他の端面側に延在するように形成されている。また、半
導体基板２１の裏面側のほぼ全面には共通電極２４が形
成されている。[0005] On the surface portion of the island-shaped semiconductor layer 22, for example a protective film 25 made of a silicon nitride film (Six Ny)
Are formed, and individual electrodes 23 made of, for example, gold (Au) are formed on the surface of the protective film 25. This individual electrode 23 is connected to a semiconductor layer 22b containing an impurity of the opposite conductivity type via a through hole formed in the protective film 25. This individual electrode 23 is formed of a layer 22 b containing an impurity of the opposite conductivity type in the island-shaped semiconductor layer 22.
Is formed so as to alternately extend to the other end face side for each adjacent island-shaped semiconductor layer 22 from the upper surface part to the vicinity of the end face of the semiconductor substrate 21 via the wall face part. A common electrode 24 is formed on almost the entire back surface of the semiconductor substrate 21.
【０００６】島状半導体層２２、個別電極２３および共
通電極２４で個々の発光ダイオードが構成され、この発
光ダイオードは半導体基板２１上に一列状に並ぶように
形成される。この場合、例えば個別電極２３が発光ダイ
オードのアノード電極となり、共通電極２４がカソード
電極となる。なお、個別電極２３はその広幅部分におい
て外部回路とボンディングワイヤなどで接続される。Each light emitting diode is constituted by the island-shaped semiconductor layer 22, the individual electrode 23, and the common electrode 24. The light emitting diodes are formed on the semiconductor substrate 21 so as to be arranged in a line. In this case, for example, the individual electrode 23 becomes the anode electrode of the light emitting diode, and the common electrode 24 becomes the cathode electrode. The individual electrode 23 is connected to an external circuit at a wide portion thereof by a bonding wire or the like.
【０００７】このような発光ダイオードアレイでは、例
えば個別電極２３から共通電極２４に向けて順方向に電
流を流すと、逆導電型不純物を含有する層２２ｂには電
子が注入され、一導電型不純物を含有する層２２ａには
正孔が注入される。これらの少数キャリアの一部が多数
キャリアと発光再結合することによって光を生じる。ま
た、列状に形成された発光素子のいずれかの個別電極２
３を選択して電流を流して発光させることにより、例え
ばページプリンタ用感光ドラムの露光用光源として用い
られる。In such a light emitting diode array, for example, when a current flows in a forward direction from the individual electrode 23 to the common electrode 24, electrons are injected into the layer 22b containing the reverse conductivity type impurity, and the one conductivity type impurity is injected. Holes are injected into the layer 22a containing. Some of these minority carriers emit light by radiative recombination with majority carriers. In addition, any one of the individual electrodes 2 of the light emitting elements formed in a row
By selecting 3 and causing a current to flow to emit light, it is used, for example, as an exposure light source for a photosensitive drum for a page printer.
【０００８】ところが、この従来の発光ダイオードアレ
イでは、半導体基板２１の表面側に形成した島状半導体
層２２上に、個別電極２３を設けると共に、半導体基板
２１の裏面側に共通電極２４を設けていることから、個
別電極２３と共通電極２４の形成工程が２回になり、製
造工程が煩雑になるという問題があった。また、個別電
極２３と共通電極２４が半導体基板２１の表裏面にある
と、ワイヤボンディング法などによって外部回路と接続
する際に、その接続作業が困難であるという問題もあっ
た。However, in this conventional light emitting diode array, individual electrodes 23 are provided on the island-shaped semiconductor layer 22 formed on the front side of the semiconductor substrate 21 and a common electrode 24 is provided on the back side of the semiconductor substrate 21. Therefore, the step of forming the individual electrode 23 and the common electrode 24 is performed twice, and there is a problem that the manufacturing process becomes complicated. Further, when the individual electrode 23 and the common electrode 24 are on the front and back surfaces of the semiconductor substrate 21, there is a problem that the connection work is difficult when connecting to an external circuit by a wire bonding method or the like.
【０００９】そこで、本願発明者等は特願平７−１９２
８５７号において、図１６および図１７に示すように、
半導体基板２１上に、一導電型不純物を含有する下層半
導体層２２ａを設けると共に、この下層半導体層２２ａ
上に逆導電型不純物を含有する上層半導体層２２ｂを下
層半導体層２２ａよりも小面積となるように設け、下層
半導体層２２ａの露出部分に共通電極２４を接続して設
け、上層半導体層２２ｂに個別電極２３を接続して設け
ることを提案した。Therefore, the present inventors have filed a Japanese Patent Application No. 7-192.
No. 857, as shown in FIGS. 16 and 17,
A lower semiconductor layer 22a containing an impurity of one conductivity type is provided on a semiconductor substrate 21, and the lower semiconductor layer 22a
An upper semiconductor layer 22b containing an impurity of the opposite conductivity type is provided thereon so as to have a smaller area than the lower semiconductor layer 22a, and a common electrode 24 is connected to an exposed portion of the lower semiconductor layer 22a. It has been proposed to connect and provide the individual electrodes 23.
【００１０】このように構成すると、半導体基板２１の
同じ側に個別電極２３と共通電極２４を設けることがで
き、個別電極２３と共通電極２４を一回の工程で同時に
形成できることから、発光ダイオードアレイの製造工程
が簡略化されると共に、個別電極２３と共通電極２４が
同じ側に位置することから、ワイヤボンディング法など
による外部回路との接続作業も容易になる。With this configuration, the individual electrodes 23 and the common electrode 24 can be provided on the same side of the semiconductor substrate 21 and the individual electrodes 23 and the common electrode 24 can be formed simultaneously in a single process. And the common electrode 24 is located on the same side as the individual electrode 23, so that the connection with an external circuit by a wire bonding method or the like is facilitated.
【００１１】なお、図１７中、２５は窒化シリコン膜な
どから成る絶縁膜である。また、図１６に示すように、
共通電極２４は、隣接する島状半導体層２２ごとに異な
る群に属するように二群に分けて設けられ、個別電極２
３は隣接する島状半導体層２２が同じ個別電極２３で接
続されるように設けられている。In FIG. 17, reference numeral 25 denotes an insulating film made of a silicon nitride film or the like. Also, as shown in FIG.
The common electrode 24 is provided in two groups so as to belong to a different group for each adjacent island-shaped semiconductor layer 22.
3 is provided so that adjacent island-shaped semiconductor layers 22 are connected by the same individual electrode 23.
【００１２】この発光ダイオードでは、個別電極２３と
共通電極２４の組合せを選択して電流を流すことによっ
て、各発光ダイオードを選択的に発光させる。In this light-emitting diode, each light-emitting diode selectively emits light by selecting a combination of the individual electrode 23 and the common electrode 24 and flowing a current.
【００１３】ところが、この従来の発光ダイオードアレ
イでは、隣接する島状半導体層２２ごとに個別電極２３
を設けると共に、島状半導体層２２の一つおきごとに同
じ共通電極２４を接続しているが、カソード側の共通電
極２４が交互になっているために、電極パターンが複雑
になって電極の短絡などを誘発しやすくなるという問題
があった。However, in this conventional light emitting diode array, individual electrodes 23 are provided for each adjacent island-shaped semiconductor layer 22.
And the same common electrode 24 is connected to every other island-shaped semiconductor layer 22, but since the common electrodes 24 on the cathode side are alternated, the electrode pattern becomes complicated, and There is a problem that a short circuit or the like is easily induced.
【００１４】また、この従来の発光ダイオードアレイで
は、第二の半導体層２２ｂの端部から、第一の半導体層
２２ａが交互に露出するように、パターニングして各発
光ダイオードごとに共通電極２４を接続していることか
ら、発光ダイオードを高精細化する場合、第一の半導体
層２２ａと共通電極２４との接続面積が小さくなり、第
一の半導体層２２ａと共通電極２４との接続抵抗が大き
くなるという問題があった。すなわち、この種の半導体
装置では、接続面積が１／Ｋになれば、接続抵抗はＫ2
になり、高精細化を図る際に大きな障害となる。In this conventional light emitting diode array, the common electrode 24 is patterned for each light emitting diode by patterning such that the first semiconductor layers 22a are alternately exposed from the end of the second semiconductor layer 22b. Since the connection is made, when the definition of the light emitting diode is increased, the connection area between the first semiconductor layer 22a and the common electrode 24 is reduced, and the connection resistance between the first semiconductor layer 22a and the common electrode 24 is increased. There was a problem of becoming. In other words, in this type of semiconductor device, if the connection area becomes 1 / K, the connection resistance becomes K2
This is a major obstacle to achieving higher definition.
【００１５】本発明は、このような従来技術の問題点に
鑑みて為されたものであり、電極パターンが複雑になる
ことを解消すると共に、第一の半導体層と共通電極との
接続部が小面積になることを解消した発光ダイオードア
レイを提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above-mentioned problems of the prior art, and eliminates the need for a complicated electrode pattern, and at the same time, the connecting portion between the first semiconductor layer and the common electrode is formed. It is an object of the present invention to provide a light emitting diode array in which the area is reduced.
【００１６】[0016]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１に係る発明の発光ダイオードアレイでは、
半導体基板上に一導電型を呈する島状の半導体層を列状
に設け、この第一の半導体層上に逆導電型を呈する第二
の半導体層を設け、前記第一の半導体層と第二の半導体
層にそれぞれ電極を接続して設けた発光ダイオードアレ
イにおいて、前記第−の半導体層を前記複数の第二の半
導体層ごとに連続して設けた。According to a first aspect of the present invention, there is provided a light-emitting diode array according to the first aspect.
An island-shaped semiconductor layer having one conductivity type is provided in a row on a semiconductor substrate, and a second semiconductor layer having a reverse conductivity type is provided on the first semiconductor layer. In the light emitting diode array in which the electrodes are connected to the respective semiconductor layers, the negative semiconductor layer is provided continuously for each of the plurality of second semiconductor layers.
【００１７】また、請求項６に係る発明の発光ダイオー
ドアレイでは、半導体基板上に一導電型を呈する島状の
半導体層を列状に設け、この第一の半導体層上に逆導電
型を呈する第二の半導体層を設け、前記第一の半導体層
と第二の半導体層にそれぞれ電極を接続して設けた発光
ダイオードアレイにおいて、前記第一の半導体層を前記
複数の第二の半導体層ごとに連続して設けると共に、前
記第一の半導体層に個別電極を、また前記第二の半導体
層に共通電極をそれぞれ接続して設けた。In the light-emitting diode array according to the present invention, an island-shaped semiconductor layer having one conductivity type is provided in a row on a semiconductor substrate, and a reverse conductivity type is provided on the first semiconductor layer. In a light emitting diode array in which a second semiconductor layer is provided and electrodes are connected to the first semiconductor layer and the second semiconductor layer, the first semiconductor layer is provided for each of the plurality of second semiconductor layers. And an individual electrode was connected to the first semiconductor layer, and a common electrode was connected to the second semiconductor layer.
【００１８】さらに、請求項７に係る発明の発光ダイオ
ードアレイでは、半導体基板上に一導電型を呈する島状
の半導体層を列状に設け、この第一の半導体層上に逆導
電型を呈する第二の半導体層を設け、前記第一の半導体
層と第二の半導体層にそれぞれ電極を接続して設けた発
光ダイオードアレイにおいて、前記第二の半導体層を前
記第一の半導体層上の配列方向における略中央部に設
け、この第二の半導体層に個別電極を、また前記第一の
半導体層の配列方向における両端部に共通電極をそれぞ
れ接続して設けた。Further, in the light emitting diode array according to the present invention, an island-shaped semiconductor layer having one conductivity type is provided in a row on a semiconductor substrate, and a reverse conductivity type is provided on the first semiconductor layer. In a light emitting diode array in which a second semiconductor layer is provided and electrodes are connected to the first semiconductor layer and the second semiconductor layer, the second semiconductor layer is arranged on the first semiconductor layer. The individual electrodes were provided on the second semiconductor layer, and the common electrodes were provided on both ends in the arrangement direction of the first semiconductor layer.
【００１９】[0019]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を添付図
面に基づき詳細に説明する。図１は本発明に係る発光ダ
イオードアレイの第一の実施形態を示す図、図２は第二
の半導体層部分の断面図、図３は第一の半導体層の接続
部分の断面図である。図１、図２および図３において、
１は半導体基板、２は第一の半導体層、３は第二の半導
体層、４は第二の電極（個別電極）、５ａ、５ｂは第一
の電極（共通電極）である。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a diagram showing a first embodiment of a light emitting diode array according to the present invention, FIG. 2 is a sectional view of a second semiconductor layer portion, and FIG. 3 is a sectional view of a connection portion of the first semiconductor layer. In FIG. 1, FIG. 2 and FIG.
1 is a semiconductor substrate, 2 is a first semiconductor layer, 3 is a second semiconductor layer, 4 is a second electrode (individual electrode), 5a and 5b are first electrodes (common electrodes).
【００２０】半導体基板１は、例えばシリコン（Ｓｉ）
やガリウム砒素（ＧａＡｓ）などの単結晶半導体基板か
ら成り、一導電型半導体不純物を含有する。The semiconductor substrate 1 is made of, for example, silicon (Si).
And a single crystal semiconductor substrate such as gallium arsenide (GaAs) and contains one conductivity type semiconductor impurity.
【００２１】第一の半導体層２は、ガリウム砒素やガリ
ウム砒素とアルミニウムガリウム砒素（ＡｌxＧａ1-x
Ａｓ）の二層膜などから成り、一導電型不純物を含有す
る。この第一の半導体層２は、例えばＭＯＣＶＤ法やＭ
ＢＥ法などで形成される。すなわち、半導体基板１の自
然酸化膜を８００〜１０００℃の高温で除去し、次に４
５０℃以下の低温で核となるアモルファスガリウム砒素
をＭＯＣＶＤ法やＭＢＥ法で０．１〜２μｍ程度の厚み
に成長させた後、５００〜７００℃まで昇温して再結晶
化し、ガリウム砒素単結晶を成長させる（二段階成長
法）。この場合、ガリウムの原料としてはトリメチルガ
リウム（（ＣＨ3）3Ｇａ）などが用いられ、砒素の原
料としてはアルシン（ＡｓＨ3）などが用いられる。次
に７５０〜１０００℃の高温でのアニールと６００℃以
下の低温への急冷を数回繰り返す（温度サイクル法）等
のポストアニールを行う。ガリウム砒素とアルミニウム
ガリウム砒素の二層構造にする場合は、アルミニウムの
原科としてはトリメチルアルミニウム（（ＣＨ3）3Ａ
ｌ）などが用いられる。第一の半導体層２は交互の向き
で凹状となるように形成されている。すなわち、第一の
半導体層は第二の半導体層３の隣接する島ごとに連続部
分２ａを介して連続して形成されている。The first semiconductor layer 2 is made of gallium arsenide or gallium arsenide and aluminum gallium arsenide (Alx Ga1 -x
As), which is composed of a two-layer film and contains one conductivity type impurities. This first semiconductor layer 2 is formed, for example, by MOCVD or M
It is formed by a BE method or the like. That is, the natural oxide film of the semiconductor substrate 1 is removed at a high temperature of 800 to 1000 ° C.
After growing amorphous gallium arsenide, which is a nucleus at a low temperature of 50 ° C. or less, to a thickness of about 0.1 to 2 μm by MOCVD or MBE, the temperature is raised to 500 to 700 ° C. to recrystallize the gallium arsenide single crystal. Is grown (two-stage growth method). In this case, trimethylgallium ((CH3 )3 Ga) or the like is used as a raw material of gallium, and arsine (AsH3 ) or the like is used as a raw material of arsenic. Next, post-annealing such as repeating annealing at a high temperature of 750 to 1000 ° C. and quenching to a low temperature of 600 ° C. or less several times (temperature cycle method) is performed. In the case of a two-layer structure of gallium arsenide and aluminum gallium arsenide, trimethyl aluminum ((CH3 )3 A
l) and the like are used. The first semiconductor layers 2 are formed so as to be concave in alternate directions. That is, the first semiconductor layer is continuously formed on each adjacent island of the second semiconductor layer 3 via the continuous portion 2a.
【００２２】前記第一の半導体層２上には、矩形状の第
二の半導体層３が形成される。すなわち、第一の半導体
層２の連続部分２ａを除いた２個所に矩形状の第二の半
導体層３が形成されている。この第二の半導体層３も、
アルミニウムガリウム砒素などの化合物半導体膜から成
り、逆導電型不純物を含有する。一導電型不純物を含有
する第一の半導体層２と逆導電型不純物を含有する第二
の半導体層３の界面部分で半導体接合部が形成される。
第一の半導体層２は、例えばＺｎ、Ｃｄなどの半導体不
純物を１×１０18〜１×１０19原子個ｃｍ-3程度含有
し、第二の半導体層３は、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｇｅ、Ｓｉ
などの半導体不純物を１×１０16〜１×１０19原子個ｃ
ｍ-3程度含有する。On the first semiconductor layer 2, a rectangular second semiconductor layer 3 is formed. That is, the second semiconductor layer 3 having a rectangular shape is formed at two places except for the continuous portion 2a of the first semiconductor layer 2. This second semiconductor layer 3 also
It is made of a compound semiconductor film such as aluminum gallium arsenide and contains impurities of the opposite conductivity type. A semiconductor junction is formed at the interface between the first semiconductor layer 2 containing one conductivity type impurity and the second semiconductor layer 3 containing the opposite conductivity type impurity.
The first semiconductor layer 2 contains about 1 × 1018 to 1 × 1019 atomic cm−3 of semiconductor impurities such as Zn and Cd, and the second semiconductor layer 3 contains S, Se, Te, and Ge. , Si
Semiconductor impurities such as 1 × 1016 to 1 × 1019 atoms c
It contains about m-3 .
【００２３】半導体基板１上の全面もしくは一部に、第
一の半導体層２と第二の半導体層３を積層して形成した
後に、第一の半導体層２および第二の半導体層３が交互
の向きで凹状となるようにエッチングし、さらに第二の
半導体層３が矩形状に残るようにエッチングする。After the first semiconductor layer 2 and the second semiconductor layer 3 are formed on the entire surface or a part of the semiconductor substrate 1 by lamination, the first semiconductor layer 2 and the second semiconductor layer 3 are alternately formed. Then, the etching is performed so that the second semiconductor layer 3 remains in a rectangular shape.
【００２４】なお、第二の半導体層３は、アルミニウム
砒素（ＡｌＡｓ）とガリウム砒素（ＧａＡｓ）の混晶比
が異なる複数の層で形成してもよい。The second semiconductor layer 3 may be formed of a plurality of layers having different mixed crystal ratios of aluminum arsenide (AlAs) and gallium arsenide (GaAs).
【００２５】凹状に形成された第一の半導体層２と矩形
状に形成された第二の半導体層３は例えば窒化シリコン
膜などから成る保護膜６で被覆され、隣接する第−の半
導体層２同志の接続部分２ａから半導体基板１の端面近
傍まで延在するように、例えば金（Ａｕ）などから成る
第一の電極５ａ、５ｂが形成される。この場合、第一の
半導体層２は隣接する発光ダイオードごとに連続して形
成されていることから、第一の電極５ａ、５ｂの引き出
し部は、２個の発光ダイオードごとに一本形成すればよ
く、電極パターンは簡素化される。また、２個の発光ダ
イオードごとに第一の電極５ａ、５ｂを一本形成すれば
よいことから、第一の半導体層２と第一の電極５ａ、５
ｂの接続面積を大きくすることができ、第一の半導体層
２と第一の電極５ａ、５ｂの接続抵抗を小さくすること
ができる。The first semiconductor layer 2 formed in a concave shape and the second semiconductor layer 3 formed in a rectangular shape are covered with a protective film 6 made of, for example, a silicon nitride film. First electrodes 5 a and 5 b made of, for example, gold (Au) are formed so as to extend from the connecting portions 2 a of each other to the vicinity of the end face of the semiconductor substrate 1. In this case, since the first semiconductor layer 2 is formed continuously for each of the adjacent light emitting diodes, the lead portion of the first electrodes 5a and 5b may be formed for every two light emitting diodes. Often, the electrode pattern is simplified. Also, since only one first electrode 5a, 5b needs to be formed for every two light emitting diodes, the first semiconductor layer 2 and the first electrodes 5a, 5b
b, the connection area can be increased, and the connection resistance between the first semiconductor layer 2 and the first electrodes 5a, 5b can be reduced.
【００２６】第二の半導体層３の表面から壁面部を経由
して半導体基板１の端面近傍まで延在するように、例え
ば金（Ａｕ）などから成る第二の電極４が形成されてい
る。この第二の電極４は、隣接する第二の半導体層３ご
とに一つ形成されている。すなわち、異なる群に属する
隣接する発光ダイオードごとに第二の電極４を設けてい
る。第二の電極４の広幅部分が外部回路と接続するため
のワイヤボンディングを行う電極パッドとなる。A second electrode 4 made of, for example, gold (Au) is formed so as to extend from the surface of the second semiconductor layer 3 to the vicinity of the end face of the semiconductor substrate 1 via the wall surface. One second electrode 4 is formed for each adjacent second semiconductor layer 3. That is, the second electrode 4 is provided for each adjacent light emitting diode belonging to a different group. The wide portion of the second electrode 4 becomes an electrode pad for performing wire bonding for connection to an external circuit.
【００２７】第二の電極４と第一の電極５ａ、５ｂの組
合せを選択して電流を流すことにより、個々の発光ダイ
オードを選択して発光させることができる。すなわち、
図１および図２に示すように、半導体基板１がｐ型、第
一の半導体層２がｎ型、第二の半導体層３がｐ型である
とすれば、第二の半導体層３と第一の半導体層２との間
に順方向に電流を流した場合、一方の第一の電極５ａを
開放した状態で他方の第一の電極５ｂを接地すれば第一
の電極５ｂに接続されている発光ダイオードだけが発光
する。したがって、隣接する第二の半導体層３毎に共通
する第二の電極４を設けても、第一の電極５ａ、５ｂは
別々に接続されていることから、この第一の電極５ａ、
５ｂと半導体基板１との間の電圧印加状態を変えること
で隣接する発光ダイオードを選択的に発光させることが
可能になる。By selecting a combination of the second electrode 4 and the first electrodes 5a and 5b and passing an electric current, each individual light emitting diode can be selected to emit light. That is,
As shown in FIGS. 1 and 2, if the semiconductor substrate 1 is p-type, the first semiconductor layer 2 is n-type, and the second semiconductor layer 3 is p-type, the second semiconductor layer 3 and the second When a current flows in the forward direction between one semiconductor layer 2 and the other first electrode 5b is grounded while one first electrode 5a is open, it is connected to the first electrode 5b. Only the light emitting diode that emits light. Therefore, even if the common second electrode 4 is provided for each adjacent second semiconductor layer 3, since the first electrodes 5 a and 5 b are separately connected, the first electrodes 5 a and 5 b
By changing the voltage application state between 5b and the semiconductor substrate 1, it becomes possible to selectively cause adjacent light emitting diodes to emit light.
【００２８】なお、二つの島状半導体層ごとに第一の電
極５ａ、５ｂに接続する場合に限らず、それ以上の島状
半導体層ごとに第一の電極５ａ、５ｂを設けてもよい。The present invention is not limited to the case where the first electrodes 5a and 5b are connected to every two island-shaped semiconductor layers, but the first electrodes 5a and 5b may be provided for every more island-shaped semiconductor layers.
【００２９】図４は、本発明に係る発光ダイオードアレ
イの第二の実施形態を示す図である。この例では、第一
の半導体層２の連続部分２ａが第二の半導体層３の列状
に並んだ領域Ｘ内に位置するように隣接する第一の半導
体層２を連続して形成している。この第一の半導体層２
の連続部分２ａを第二の半導体層３の列状に並んだ領域
内に設けると、発光領域を小さくせずに発光ダイオード
自体を小さくできる。FIG. 4 is a view showing a second embodiment of the light emitting diode array according to the present invention. In this example, the adjacent first semiconductor layers 2 are continuously formed so that the continuous portion 2a of the first semiconductor layer 2 is located in the region X arranged in a row of the second semiconductor layer 3. I have. This first semiconductor layer 2
Is provided in the region of the second semiconductor layer 3 arranged in a row, the light emitting diode itself can be reduced without reducing the light emitting region.
【００３０】図５および図６は、本発明に係る発光ダイ
オードアレイの第三の実施形態を示す図であり、図５は
平面図、図６は断面図である。この例では、第一の半導
体層２の連続部分２ａを第二の半導体層３の列状に並ん
だ領域内に配設し、前記第一の半導体層２の連続部分２
ａで共通電極５ａ、５ｂに接続すると共に、第二の半導
体層３の列状に並んだ端部近傍で個別電極４に接続して
いる。このように構成すると、第一の実施形態に比べて
発光領域を小さくせずに発光ダイオード自体を小さくで
きると共に、第二の実施形態に比べて、各発光ダイオー
ドにおける電流の流れが均一になり、各発光ダイオード
における発光状態が均一になる。また、この第三の実施
形態では、中央の共通電極５ａ、５ｂに近い領域で発光
分布が発生することから、共通電極５ａ、５ｂと個別電
極４との間隔が狭くなる（高密度化する）ほど有利であ
る。FIGS. 5 and 6 are views showing a third embodiment of the light-emitting diode array according to the present invention. FIG. 5 is a plan view and FIG. 6 is a sectional view. In this example, the continuous portion 2a of the first semiconductor layer 2 is disposed in a region where the second semiconductor layer 3 is arranged in a row, and the continuous portion 2a of the first semiconductor layer 2 is arranged.
At a, it is connected to the common electrodes 5a and 5b, and is connected to the individual electrodes 4 near the ends of the second semiconductor layer 3 arranged in a row. With such a configuration, the light emitting diode itself can be reduced without reducing the light emitting region as compared with the first embodiment, and the current flow in each light emitting diode becomes uniform as compared with the second embodiment, The light emitting state of each light emitting diode becomes uniform. Further, in the third embodiment, since the light emission distribution occurs in the region near the central common electrodes 5a and 5b, the interval between the common electrodes 5a and 5b and the individual electrodes 4 is narrowed (density is increased). It is more advantageous.
【００３１】図７は、本発明に係る発光ダイオードアレ
イの第四の実施形態を示す図である。この実施形態で
は、個別電極４を外部回路に接続するための電極パッド
４ａを第二の半導体層３の列状に並んだ配列方向Ｙの一
方側のみに設けている。このように構成すると、個別電
極４の形成領域を小さくでき、ひいては発光ダイオード
アレイを小型化できる。FIG. 7 is a view showing a fourth embodiment of the light emitting diode array according to the present invention. In this embodiment, the electrode pads 4a for connecting the individual electrodes 4 to an external circuit are provided only on one side in the arrangement direction Y in which the second semiconductor layers 3 are arranged in a row. With this configuration, the area where the individual electrodes 4 are formed can be reduced, and the size of the light emitting diode array can be reduced.
【００３２】図８及び図９は、請求項６に記載した発光
ダイオードアレイの一実施形態を示す図であり、図９は
図８のＡ−Ａ線断面図である。図８及び図９において、
１は半導体基板、２は第一の半導体層、３は第二の半導
体層、４は第二の電極（個別電極）、５ａ、５ｂは第一
の電極（共通電極）である。FIGS. 8 and 9 show an embodiment of the light-emitting diode array according to the sixth aspect, and FIG. 9 is a sectional view taken along line AA of FIG. 8 and 9,
1 is a semiconductor substrate, 2 is a first semiconductor layer, 3 is a second semiconductor layer, 4 is a second electrode (individual electrode), 5a and 5b are first electrodes (common electrodes).
【００３３】この発光ダイオードアレイでは、第一の半
導体層２は、例えばｎ型半導体層で構成され、平面視し
た場合に、帯状部２ａと、この帯状部２ａの端部に連続
して形成された突出部２ｂ、２ｃとで構成される。ま
た、第二の半導体層３は、例えばｐ型半導体層で構成さ
れ、第一の半導体層２の突出部２ｂ、２ｃ上に形成され
ている。第一の半導体層２の帯状部２ａには、第二の電
極（個別電極）４が接続され、第二の半導体層３には、
第一の電極（共通電極）５ａ、５ｂが接続される。In this light-emitting diode array, the first semiconductor layer 2 is formed of, for example, an n-type semiconductor layer, and is formed continuously with a band 2a and an end of the band 2a when viewed in plan. Projected portions 2b and 2c. The second semiconductor layer 3 is formed of, for example, a p-type semiconductor layer, and is formed on the protrusions 2 b and 2 c of the first semiconductor layer 2. A second electrode (individual electrode) 4 is connected to the strip 2a of the first semiconductor layer 2, and the second semiconductor layer 3
The first electrodes (common electrodes) 5a and 5b are connected.
【００３４】このように、第一の半導体層２をｎ型半導
体層で構成して第二の電極（個別電極）４を接続すると
共に、第二の半導体層３をｐ型半導体層で構成して第一
の電極（共通電極）５ａ、５ｂを接続すると、発光しな
いＢ層側の個別電極４を大面積で半導体層に接続できる
ため、個別電極４と半導体層の接続抵抗を小さくできる
という効果を奏する。特に、ｎ層側はｐ層側に比較して
オーミッタ接触抵抗が大きいことから、大面積で接続で
きればより有利である。また、発光部である突出部２
ｂ、２ｃを横方向に重ね合わせることが可能なため、発
光ダイオードを小さくすることなく、高精細化が可能で
ある。As described above, the first semiconductor layer 2 is composed of an n-type semiconductor layer, the second electrode (individual electrode) 4 is connected, and the second semiconductor layer 3 is composed of a p-type semiconductor layer. When the first electrodes (common electrodes) 5a and 5b are connected to each other, the individual electrode 4 on the B layer side that does not emit light can be connected to the semiconductor layer in a large area, so that the connection resistance between the individual electrode 4 and the semiconductor layer can be reduced. To play. In particular, since the n-layer side has a higher ohmic contact resistance than the p-layer side, it is more advantageous to be able to connect in a large area. In addition, the protruding portion 2 which is a light emitting portion
Since b and 2c can be overlapped in the horizontal direction, high definition can be achieved without reducing the size of the light emitting diode.
【００３５】図１０および図１１は、請求項７に記載し
た発光ダイオードアレイの一実施形態を示す図であり、
図１１は図１０のＡ−Ａ線断面図である。この発光ダイ
オードアレイでは、第一の半導体層２を島状に設け、こ
の第一の半導体層２上の配列方向における略中央部に第
二の半導体層３を設け、この第二の半導体層３に個別電
極４を、また第一の半導体層２の配列方向における両端
部に共通電極５ａ、５Ｂをそれぞれ接続して設けたもの
である。この発光ダイオードアレイでは、個別電極４が
発光ダイオードのアノード電極となり、共通電極５ａ、
５ｂがカソード電極となる。同じ島状の第一の半導体層
２の両端部に接続された共通電極５ａ、５ｂのいずれか
を接地して個別電極４から電流を流すことにより、電界
効果によって共通電極５ａ、５ｂの接地された側だけ発
光することになる。なお、図１１中、６は窒化シリコン
膜などから成る保護膜であるが、第二の半導体層３上に
おける個別電極４の両側の保護膜６を除去すると、第一
の半導体層２と第二の半導体層３の界面部分で発光した
光をより効率的に取り出すことができる。FIGS. 10 and 11 show an embodiment of the light-emitting diode array according to the seventh aspect of the present invention.
FIG. 11 is a sectional view taken along line AA of FIG. In this light-emitting diode array, the first semiconductor layer 2 is provided in an island shape, and the second semiconductor layer 3 is provided substantially at the center in the arrangement direction on the first semiconductor layer 2. And common electrodes 5a and 5B connected to both ends of the first semiconductor layer 2 in the arrangement direction. In this light emitting diode array, the individual electrode 4 serves as an anode electrode of the light emitting diode, and the common electrode 5a,
5b becomes a cathode electrode. One of the common electrodes 5a and 5b connected to both ends of the same island-shaped first semiconductor layer 2 is grounded and a current flows from the individual electrode 4, so that the common electrodes 5a and 5b are grounded by an electric field effect. Only the side that emits light. In FIG. 11, reference numeral 6 denotes a protective film made of a silicon nitride film or the like. When the protective films 6 on both sides of the individual electrode 4 on the second semiconductor layer 3 are removed, the first semiconductor layer 2 and the second The light emitted at the interface of the semiconductor layer 3 can be extracted more efficiently.
【００３６】図１２は、請求項７に記載した発光ダイオ
ードアレイの他の実施形態を示す図である。この発光ダ
イオードアレイでも、第一の半導体層２を島状に設け、
この第一の半導体２上の配列方向における略中央部に第
二の半導体層３を設け、この第二の半導体層３に個別電
極４を、また第一の半導体層の配列方向における両端部
に共通電極５ａ、５ｂをそれぞれ接続して設けた点では
上記実施形態と同じであるが、この実施形態では共通電
極５ａ、５ｂを隣接する第一の半導体層２にまたがって
設けている。FIG. 12 is a view showing another embodiment of the light emitting diode array according to the seventh aspect. Also in this light emitting diode array, the first semiconductor layer 2 is provided in an island shape,
A second semiconductor layer 3 is provided at a substantially central portion in the arrangement direction on the first semiconductor 2, an individual electrode 4 is provided on the second semiconductor layer 3, and at both ends in the arrangement direction of the first semiconductor layer. This embodiment is the same as the above embodiment in that the common electrodes 5a and 5b are connected to each other, but in this embodiment, the common electrodes 5a and 5b are provided so as to extend over the adjacent first semiconductor layer 2.
【００３７】図１３は、請求項７に記載した発光ダイオ
ードアレイのその他の実施形態を示す図である。この発
光ダイオードアレイでも、第一の半導体層２を島状に設
け、この第一の半導体２上の配列方向における略中央部
に第二の半導体層３を設け、この第二の半導体層３に個
別電極４を、また第一の半導体層の配列方向における両
端部に共通電極５ａ、５ｂをそれぞれ接続して設けた点
では上記実施形態と同じであるが、この実施形態では、
第一の半導体２を発光ダイオードが配列した配列方向に
連続して帯状に設けると共に、この第一の半導体層２上
の所定部分に断続的に第二の半導体層３を設け、輪廻津
する発光ダイオードに共通する共通電極５ａ、５ｂを設
けたものである。FIG. 13 is a view showing another embodiment of the light emitting diode array according to the seventh aspect. Also in this light-emitting diode array, the first semiconductor layer 2 is provided in the form of an island, and the second semiconductor layer 3 is provided substantially at the center of the first semiconductor 2 in the arrangement direction. This embodiment is the same as the above embodiment in that the individual electrodes 4 are provided by connecting the common electrodes 5a and 5b to both ends in the arrangement direction of the first semiconductor layer, respectively.
The first semiconductor 2 is continuously provided in a band shape in the arrangement direction in which the light emitting diodes are arranged, and the second semiconductor layer 3 is provided intermittently at a predetermined portion on the first semiconductor layer 2 to emit light in a cycle. The common electrodes 5a and 5b common to the diodes are provided.
【００３８】[0038]
【発明の効果】以上のように、請求項１に係る発光ダイ
オードアレイによれば、半導体基板上に一導電型を呈す
る島状の半導体層を列状に設け、この第一の半導体層上
に逆導電型を呈する第二の半導体層を設け、前記第一の
半導体層と第二の半導体層にそれぞれ電極を接続して設
けた発光ダイオードアレイにおいて、前記第一の半導体
層を前記複数の第二の半導体層ごとに連続して設けたこ
とから、電極パターン、特に第一の半導体層に接続され
る電極パターンが簡素化され、電極の短格などを防止で
きると共に、発光ダイオードを高精細化させても、第一
の半導体と第一の電極の接続面積を大きく取ることがで
きる。As described above, according to the light emitting diode array of the first aspect, island-shaped semiconductor layers having one conductivity type are provided in a row on a semiconductor substrate, and the islands are formed on the first semiconductor layer. A second semiconductor layer having a reverse conductivity type is provided, and in the light emitting diode array provided by connecting electrodes to the first semiconductor layer and the second semiconductor layer, the first semiconductor layer is formed by the plurality of second semiconductor layers. The electrode pattern, especially the electrode pattern connected to the first semiconductor layer, is simplified because it is continuously provided for each of the two semiconductor layers. Even so, the connection area between the first semiconductor and the first electrode can be increased.
【００３９】また、請求項６に係る発光ダイオードアレ
イによれば、第一の半導体層を複数の第二の半導体層ご
とに連続して設けると共に、この第一の半導体層に個別
電極を、また第二の半導体層に共通電極をそれぞれ接続
して設けたことから、電極パターン、特に第二の半導体
層に接続される電極パターンが簡素化され、電極の短格
などを防止できると共に、発光ダイオードを高精細化さ
せても、第一の半導体と第一の電極の接続面積を大きく
取ることができる。According to the light emitting diode array of the sixth aspect, the first semiconductor layer is provided continuously for each of the plurality of second semiconductor layers, and the first semiconductor layer is provided with the individual electrodes. Since the common electrode is connected to the second semiconductor layer, the electrode pattern, particularly the electrode pattern connected to the second semiconductor layer, is simplified. , The connection area between the first semiconductor and the first electrode can be increased.
【００４０】さらに、請求項７に係る発光ダイオードア
レイによれば、第二の半導体層を第一の半導体層上の配
列方向における略中央部に設け、この第二の半導体層に
個別電極を、また第一の半導体層の配列方向における両
端部に共通電極をそれぞれ接続して設けたことから、電
極パターン、特に第二の半導体層に接続される電極パタ
ーンが簡素化され、電極の短格などを防止できると共
に、発光ダイオードを高精細化させても、第一の半導体
と第一の電極の接続面積を大きく取ることができる。Further, according to the light emitting diode array according to the seventh aspect, the second semiconductor layer is provided substantially at the center in the arrangement direction on the first semiconductor layer, and the individual electrodes are provided on the second semiconductor layer. In addition, since the common electrodes are connected to both ends in the arrangement direction of the first semiconductor layer, the electrode patterns, particularly the electrode patterns connected to the second semiconductor layer, are simplified, and the electrodes are shorter. Can be prevented, and the connection area between the first semiconductor and the first electrode can be increased even if the light emitting diode is made finer.
【図１】本発明に係る発光ダイオードアレイの第一の実
施形態を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a first embodiment of a light emitting diode array according to the present invention.
【図２】本発明に係る発光ダイオードアレイの第一の実
施形態における第この半導体層部分を示す断面図であ
る。FIG. 2 is a sectional view showing a first semiconductor layer portion in the first embodiment of the light emitting diode array according to the present invention.
【図３】本発明に係る発光ダイオードアレイの第一の実
施形態における第一の半導体層部分を示す断面図であ
る。FIG. 3 is a cross-sectional view showing a first semiconductor layer portion in the light-emitting diode array according to the first embodiment of the present invention.
【図４】本発明に係る発光ダイオードアレイの第二の実
施形態を示す図である。FIG. 4 is a view showing a second embodiment of the light emitting diode array according to the present invention.
【図５】本発明に係る発光ダイオードアレイの第三の実
施形態を示す図である。FIG. 5 is a view showing a third embodiment of the light-emitting diode array according to the present invention.
【図６】本発明に係る発光ダイオードアレイの第三の実
施形態を示す断面図である。FIG. 6 is a sectional view showing a third embodiment of the light emitting diode array according to the present invention.
【図７】本発明に係る発光ダイオードアレイの第四の実
施形態を示す図である。FIG. 7 is a view showing a fourth embodiment of the light emitting diode array according to the present invention.
【図８】請求項６に記載した発明に係る発光ダイオード
アレイの一実施形態を示す図である。FIG. 8 is a view showing one embodiment of a light emitting diode array according to the invention described in claim 6;
【図９】図８のＡ−Ａ線断面図である。FIG. 9 is a sectional view taken along line AA of FIG. 8;
【図１０】請求項７に記載した発明に係る発光ダイオー
ドアレイの一実施形態を示す図である。FIG. 10 is a view showing one embodiment of a light emitting diode array according to the invention described in claim 7;
【図１１】図１０のＡ−Ａ線断面図である。FIG. 11 is a sectional view taken along line AA of FIG. 10;
【図１２】請求項７に記載した発明に係る発光ダイオー
ドアレイの他の実施形態を示す図である。FIG. 12 is a view showing another embodiment of the light emitting diode array according to the invention described in claim 7;
【図１３】請求項７に記載した発明に係る発光ダイオー
ドアレイのその他の実施形態を示す図である。FIG. 13 is a view showing another embodiment of the light-emitting diode array according to the invention described in claim 7;
【図１４】従来の発光ダイオードアレイを示す図であ
る。FIG. 14 is a view showing a conventional light emitting diode array.
【図１５】図１４のＡ−Ａ線断面図である。FIG. 15 is a sectional view taken along line AA of FIG. 14;
【図１６】従来の他の発光ダイオードアレイを示す図で
ある。FIG. 16 is a diagram showing another conventional light emitting diode array.
【図１７】図１６のＡ−Ａ線断面図である。FIG. 17 is a sectional view taken along line AA of FIG. 16;
１・・・半導体基板、２・・・第一の半導体層、２ａ・
・・第一の半導体層の連続部分、３・・・第二の半導体
層、４・・・第一の電極（個別電極）、５ａ、５ｂ・・
・第二の電極（共通電極）DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Semiconductor substrate, 2 ... 1st semiconductor layer, 2a.
..Continuous portion of first semiconductor layer, 3 ... second semiconductor layer, 4 ... first electrode (individual electrode), 5a, 5b
.Second electrode (common electrode)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平６−232454（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−66456（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−104482（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−312536（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−163980（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−55157（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−194978（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−124180（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−237915（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H04L 33/00 B41J 2/44 B41J 2/45 B41J 2/455 H04N 1/036────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (56) References JP-A-6-232454 (JP, A) JP-A-7-66456 (JP, A) JP-A-6-104482 (JP, A) JP-A-6-104482 312536 (JP, A) JP-A-6-163980 (JP, A) JP-A-2-55157 (JP, A) JP-A-3-194978 (JP, A) JP-A-55-124180 (JP, A) JP-A-9-237915 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl.7 , DB name) H04L 33/00 B41J 2/44 B41J 2/45 B41J 2/455 H04N 1/036
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|---|---|---|---|---|
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10181077A (en) | 1998-07-07 |
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6222208B1 (en) | Light-emitting diode and light-emitting diode array | |
| JP3311946B2 (en) | Light emitting diode array | |
| JP3813010B2 (en) | Light emitting diode element and light emitting diode element array | |
| US20040113225A1 (en) | Semiconductor epitaxial structure and semiconductor light-emitting device | |
| JP3420417B2 (en) | Light emitting diode array | |
| JP3717284B2 (en) | LIGHT EMITTING ELEMENT, LIGHT EMITTING ELEMENT ARRAY, AND LIGHT EMITTING ELEMENT MANUFACTURING METHOD | |
| JP3638413B2 (en) | Semiconductor light emitting device and manufacturing method thereof | |
| JP3488783B2 (en) | Light emitting diode array | |
| US6063644A (en) | Light-emitting element and array with etched surface, and fabrication method thereof | |
| JP3492862B2 (en) | Manufacturing method of light emitting diode array | |
| JP3426834B2 (en) | Method for manufacturing light emitting diode array | |
| JPH11135837A (en) | Semiconductor light emitting device | |
| JP3261032B2 (en) | Light emitting diode array | |
| JP3236649B2 (en) | Semiconductor light emitting device | |
| JP3426865B2 (en) | Light emitting diode array | |
| JP3464124B2 (en) | Light emitting diode array | |
| JP3311922B2 (en) | Light emitting diode array | |
| JPH03190287A (en) | Light-emitting diode array | |
| JP3359503B2 (en) | Semiconductor light emitting device | |
| JP3450992B2 (en) | Semiconductor light emitting device | |
| JP3426891B2 (en) | Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same | |
| JP3506585B2 (en) | Light emitting diode array | |
| JPH09174921A (en) | Light emitting diode array | |
| JPH1012930A (en) | Light emitting diode array | |
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