【０００１】本発明はプラズマ処理装置及びプラズマ処
理方法に関する。The present invention relates to a plasma processing apparatusand a plasma processing apparatus.
Related to themanagement method .
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来から、半導体製造工程において、ガ
スをプラズマ化し、被処理体を処理するプラズマ処理装
置として、例えばプラズマエッチング装置が知られてい
る。このようなプラズマエッチング装置として、例えば
特開昭６３−３００５１７号が開示されている。この技
術は、半導体ウエハの直径より大きな直径の静電チャッ
クにより半導体ウエハを保持し、プラズマを生起させ半
導体ウエハをエッチング処理するものであった。2. Description of the Related Art Conventionally, in a semiconductor manufacturing process, for example, a plasma etching apparatus is known as a plasma processing apparatus for processing a target object by converting a gas into a plasma. As such a plasma etching apparatus, for example, JP-A-63-300177 is disclosed. In this technique, a semiconductor wafer is held by an electrostatic chuck having a diameter larger than that of the semiconductor wafer, and plasma is generated to etch the semiconductor wafer.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、半導体
ウエハを吸着保持する静電チャックのウエハ保持面にポ
リミド系の樹脂等を使用した場合、静電チャックのウエ
ハ吸着面の半導体ウエハを保持しない箇所がプラズマに
よりエッチングされてしまうので、静電チャックの寿命
を延命化することができないという問題点があった。ま
た被処理体、例えば半導体ウエハの周縁部は、例えば特
開平１−１９８０２６号等にも開示されているように、
半導体ウエハを搬送する際、パーティクルの発生を防止
するために、周辺露光等の処理が施されている。そし
て、この露光等の処理が施された半導体ウエハを前述の
エッチング装置でエッチングする際、半導体ウエハの本
来処理を施したい箇所と共に、露光等の処理でレジスト
膜等が剥離された半導体ウエハの周縁部も同様にエッチ
ング処理されてしまう。そして、この半導体ウエハの周
縁部がエッチング処理されると、半導体ウエハの周縁部
が微細な凹凸形状となり、エッチング処理の後、搬送装
置等で半導体ウエハを搬送する際、半導体ウエハの周縁
部が破損したり損傷するという問題が生じていた。However, when a polyimide resin or the like is used for the wafer holding surface of the electrostatic chuck that holds the semiconductor wafer by suction, there are places where the semiconductor wafer is not held on the wafer suction surface of the electrostatic chuck. Since the etching is performed by the plasma, there is a problem that the life of the electrostatic chuck cannot be extended. Further, as described in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 1-198026,
When a semiconductor wafer is carried, processing such as peripheral exposure is performed to prevent generation of particles. When the semiconductor wafer that has been subjected to the processing such as exposure is etched by the above-described etching apparatus, the portion of the semiconductor wafer where the original processing is desired to be performed and the peripheral edge of the semiconductor wafer from which the resist film and the like have been removed by the processing such as exposure. The part is similarly etched. When the peripheral portion of the semiconductor wafer is etched, the peripheral portion of the semiconductor wafer has a fine irregular shape. The problem of dripping and damage occurred.
【０００４】また、半導体ウエハの周縁部が凸凹形状と
なると搬送等の際、この凸凹形状にパーティクルがトラ
ップされ、次の工程を行なう装置の処理室内に、このト
ラップされたパーティクルが飛散し、半導体ウエハに付
着して歩留りを低下させてしまうという改善点を有して
いた。さらに、プラズマ処理装置が例えばＣＶＤ装置で
あれば、半導体ウエハの周縁部に膜が付着してしまうの
で、この膜が、半導体ウエハを搬送する搬送手段等によ
って搬送される際に破損或いは損傷しパーティクルとし
て飛散してしまうという問題が生じていた。Further, when the peripheral edge of the semiconductor wafer becomes uneven, particles are trapped in the uneven shape during transportation or the like, and the trapped particles are scattered in a processing chamber of an apparatus for performing the next step, and the semiconductor wafer is scattered. There is an improvement that the yield is reduced by adhering to the wafer. Furthermore, if the plasma processing apparatus is, for example, a CVD apparatus, a film adheres to a peripheral portion of the semiconductor wafer, and the film is damaged or damaged when being conveyed by a conveying means for conveying the semiconductor wafer. There was a problem that it was scattered.
【０００５】本発明の目的は、覆い体によって被処理体
の処理面の周縁部にプラズマによる処理の進行を抑制
し、被処理体の周縁部の被処理体の周縁部に付着するパ
ーティクルの付着量を抑制することができるプラズマ処
理装置を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to suppress the progress of the plasma treatment on the peripheral portion of the processing surface of the object by the cover, and to attach particles adhering to the peripheral portion of the object on the peripheral portion of the object. An object of the present invention is to provide a plasma processing apparatus capable of suppressing the amount.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明は、処理室内に配
置された静電チャック機構に被処理体をクーロン力で吸
着保持し、前記処理室内にプラズマを生起して、前記被
処理体を処理するプラズマ処理装置であって、前記被処
理体とプラズマのシース部との間に配置され、前記被処
理体の処理面の周縁部を非接触で覆う覆い体を具備し、
この覆い体によって前記被処理体の処理面の周縁部にプ
ラズマによる処理を施さないことを特徴とする。According to the present invention, an object to be processed is attracted and held by a Coulomb force to an electrostatic chuck mechanism disposed in a processing chamber, and plasma is generated in the processing chamber, whereby the object is processed. A plasma processing apparatus for performing processing, comprising a cover that is disposed between the processing target and a sheath portion of the plasma, and covers a peripheral portion of a processing surface of the processing target in a non-contact manner,
This cover is characterized in that plasma processing is not performed on the peripheral portion of the processing surface of the object to be processed.
【０００７】[0007]
【作用】本発明は、被処理体とプラズマのシース部との
間に被処理体の処理面の周縁部を非接触で覆う覆い体を
配置したので、この覆い体によって被処理体の処理面の
周縁部にプラズマによる処理の進行を抑制することがで
き、被処理体の処理面の周縁部の表面を処理が終了して
も、処理前の状態に維持することができる。According to the present invention, since a cover for covering the peripheral portion of the processing surface of the processing object in a non-contact manner is disposed between the processing object and the sheath portion of the plasma, the processing surface of the processing object is formed by the cover. The progress of the processing by the plasma at the peripheral portion can be suppressed, and even if the surface of the peripheral portion of the processing surface of the object to be processed is completed, the state before the processing can be maintained.
【０００８】[0008]
【実施例】以下に、本発明に基づくプラズマ処理装置を
プラズマエッチング装置に適用した一実施例を、添付図
面を参照しながら説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment in which a plasma processing apparatus according to the present invention is applied to a plasma etching apparatus will be described below with reference to the accompanying drawings.
【０００９】まず図１に示すようにプラズマエッチング
装置１は、導電性材料、例えばアルミニウム製の略円筒
形状の気密に構成された処理室２を有している。この処
理室２内の下部には昇降機構、例えばサーボモータ３が
設けられており、サーボモータ３によって上下動自在に
構成された載置台としての下部電極４が前記処理室２の
内部に設けられている。また、この下部電極４の周囲に
は下部電極４の上下動にともなって伸縮自在に構成さ
れ、前記処理室２内部を気密に隔離する材質、例えばス
テンレス鋼等からなるべローズ５が設けられている。First, as shown in FIG. 1, a plasma etching apparatus 1 has a substantially cylindrical airtight processing chamber 2 made of a conductive material, for example, aluminum. An elevating mechanism, for example, a servomotor 3 is provided at a lower portion in the processing chamber 2, and a lower electrode 4 as a mounting table configured to be vertically movable by the servomotor 3 is provided inside the processing chamber 2. ing. A bellows 5 is provided around the lower electrode 4 so as to be expandable and contractible with the vertical movement of the lower electrode 4 and made of a material, such as stainless steel, which hermetically isolates the inside of the processing chamber 2. I have.
【００１０】前記下部電極４には、冷媒、例えばチラー
等を流通循環させるための冷媒収容部、例えば冷却ジャ
ケット６が設けられ、この冷却ジャケット６には、チラ
ーを供給及び排出するための冷媒供給／排出路７が接続
されている。さらに、前記下部電極４には、温調用ヒー
タ８が設けられており、この温調用ヒータ８は、電力供
給リード線９を介して温調用ヒータ８に電力を供給する
ための電力源１０に接続され、温調用ヒータ８と前記冷
媒ジャケット６に収容される冷媒とによって前記下部電
極４を所定温度、例えば２０℃以下に設定可能に構成さ
れている。[0010] The lower electrode 4 is provided with a coolant accommodating portion, for example, a cooling jacket 6 for circulating a coolant, for example, a chiller or the like. The cooling jacket 6 supplies a coolant for supplying and discharging the chiller. / Discharge path 7 is connected. Further, the lower electrode 4 is provided with a temperature control heater 8, which is connected to a power source 10 for supplying power to the temperature control heater 8 via a power supply lead wire 9. The lower electrode 4 can be set to a predetermined temperature, for example, 20 ° C. or lower, by the temperature control heater 8 and the refrigerant contained in the refrigerant jacket 6.
【００１１】さらに、前記下部電極４は、表面にアルマ
イト処理を施した導電材質、例えばアルミニウム等から
なり、被処理体、例えば半導体ウエハＷを載置する面に
前記半導体ウエハＷをクーロン力によって吸着保持する
静電チャック機構４０が設けられている。この静電チャ
ック機構４０は、図２に示すように、２枚の高分子フィ
ルム４２，４３の間に銅箔等の導電膜４１を封入したも
ので、この静電チャック機構４０の半導体ウエハＷの載
置面は、半導体ウエハＷの径より小さな径に構成されて
いる。そして、前記導電膜４１は、開閉手段、例えば電
磁スイッチ４５を介して直流電源４４に接続され、この
直流電源４４をＯＮするとともに前記電磁スイッチ４５
を閉じることで前記高分子フィルム４２，４３の表面に
分極による静電気が発生し、そのクーロン力によって前
記半導体ウエハＷは、前記高分子フィルム４２の半導体
ウエハＷ載置面側に吸着され保持されるよう構成されて
いる。また、前記下部電極４には、複数、例えば３つの
貫通孔部１２が設けられ、この貫通孔部１２には、それ
ぞれリフターピン１３が設けられ、これらのリフターピ
ン１３は接合部材１４を介して上下機構、例えばエアー
シリンダー１５と接続され、上下動自在に構成されてい
る。なお、前記半導体ウエハＷは、前記リフターピン１
３にて支持され、前記エアーシリンダー１５が上下動す
ることにより前記静電チャック機構４０のウエハ載置面
から着脱するよう構成されている。Further, the lower electrode 4 is made of a conductive material such as aluminum or the like, the surface of which is subjected to an alumite treatment, and attracts the semiconductor wafer W to the surface on which the object to be processed, for example, the semiconductor wafer W is mounted, by Coulomb force. The holding electrostatic chuck mechanism 40 is provided. As shown in FIG. 2, the electrostatic chuck mechanism 40 has a conductive film 41 such as a copper foil sealed between two polymer films 42 and 43. Is configured to have a smaller diameter than the diameter of the semiconductor wafer W. The conductive film 41 is connected to a DC power supply 44 via opening / closing means, for example, an electromagnetic switch 45, and when the DC power supply 44 is turned on, the electromagnetic switch 45 is turned on.
Is closed, static electricity due to polarization is generated on the surfaces of the polymer films 42 and 43, and the Coulomb force causes the semiconductor wafer W to be adsorbed and held on the semiconductor wafer W mounting surface side of the polymer film 42. It is configured as follows. Further, the lower electrode 4 is provided with a plurality of, for example, three through-hole portions 12, and the through-hole portions 12 are provided with lifter pins 13, respectively. It is connected to a vertical mechanism, for example, an air cylinder 15, and is configured to be vertically movable. The semiconductor wafer W is mounted on the lifter pins 1.
3 and is configured to be detached from the wafer mounting surface of the electrostatic chuck mechanism 40 by moving the air cylinder 15 up and down.
【００１２】また、前記下部電極４には、ブロッキング
コンデンサー３０を介して高周波、例えば１３．５６Ｍ
Ｈｚ或いは４０ＭＨｚ等の高周波電源３１が接続され、
また、前記高周波電源３１は、制御器３２の指示により
ＯＮ／ＯＦＦされるよう構成され、この制御器３２は、
前記高周波電源３１のＯＮ時間を積算するよう構成され
ている。また、前記処理室２の下部側部付近には排気管
１６を介して排気手段、例えば真空ポンプ１７が接続さ
れており、前記処理室２内を所望の減圧雰囲気に真空引
き可能なように構成されている。The lower electrode 4 has a high frequency, for example, 13.56 M, via a blocking capacitor 30.
Hz or 40 MHz high frequency power supply 31 is connected,
The high-frequency power supply 31 is configured to be turned on / off by an instruction from a controller 32.
It is configured to integrate the ON time of the high frequency power supply 31. An exhaust means, for example, a vacuum pump 17 is connected to the vicinity of the lower side portion of the processing chamber 2 via an exhaust pipe 16 so that the inside of the processing chamber 2 can be evacuated to a desired reduced pressure atmosphere. Have been.
【００１３】また、前記下部電極４の上部には、前記半
導体ウエハＷの処理面の周縁部を非接触で覆う覆い体と
してのリング１８が配置されている。このリング１８
は、複数例えば４本の高純度アルミナ製のシャフト１９
を介して処理室２の外側上部に設けられたエアシリンダ
２０に接続され構成されている。A ring 18 is disposed above the lower electrode 4 as a cover that covers the periphery of the processing surface of the semiconductor wafer W in a non-contact manner. This ring 18
Are a plurality of, for example, four shafts 19 made of high-purity alumina.
And is connected to an air cylinder 20 provided on the upper outside of the processing chamber 2.
【００１４】そして、前記リング１８の半導体ウエハＷ
との対向面側即ち内側部には、半導体ウエハＷの処理面
の周縁部にプラズマによるエッチングが進行しないよう
に、廂部２２が形成されており、この廂部２２の外周に
はテーパー面２１が形成されている。さらに、この廂部
２２の幅は、半導体ウエハＷの外周部、つまりエッジか
ら、０．１〜２．０ｍｍの範囲の所定の領域Ａを覆うよ
うに構成されている。つまり、この所定の領域Ａは、前
述のように、この装置の処理の前処理として、レジスト
等を周辺露光で剥離した領域である。そして、このリン
グの材質としては、後述する反応ガス種によって選択さ
れるものである。例えば反応ガスとして塩素系のガスを
使用する場合は、塩素系のガスと反応するＳｉ系の素材
例えばＳｉ，ＳｉＣ等は、使用せず、塩素系のガスと反
応しない材質、例えばセラミックス，石英ガラス，窒化
アルミ等の材質で形成するのが好ましい。また、反応ガ
スとしてフッ素系のガスを使用する場合は、前述のＳｉ
系の素材例えばＳｉ，ＳｉＣ等で形成するのが好まし
い。The semiconductor wafer W of the ring 18
On the side facing the surface of the semiconductor wafer W, that is, on the inner side, a recessed portion 22 is formed so that etching by plasma does not progress on the peripheral portion of the processing surface of the semiconductor wafer W. Are formed. Further, the width of the closed part 22 is configured to cover a predetermined area A within a range of 0.1 to 2.0 mm from the outer peripheral part of the semiconductor wafer W, that is, the edge. That is, as described above, the predetermined area A is an area in which a resist or the like has been peeled off by peripheral exposure as a pre-processing of the processing of this apparatus. The material of the ring is selected according to the type of a reaction gas described later. For example, when a chlorine-based gas is used as the reaction gas, a Si-based material that reacts with the chlorine-based gas, such as Si or SiC, is not used, and a material that does not react with the chlorine-based gas, such as ceramics or quartz glass is used. , Aluminum nitride and the like. When a fluorine-based gas is used as the reaction gas, the above-described Si is used.
It is preferably formed of a system material such as Si, SiC or the like.
【００１５】また、前記リング１８の上部には、前記下
部電極４と対向する上部電極２４が設けられている。こ
の上部電極２４の下面には、材質例えばアモルファスカ
ーボン等からなる導電性を有する板状部材２５が設けら
れ、その上部に空隙２６を開けて配置されている。この
空隙２６には、反応ガス、例えばＣＨＦ３ ，ＣＦ４等
のガスや不活性ガス、例えばＮ2 ，Ａｒ等のガスを供
給するためのガス供給管２７が接続されており、このガ
ス供給管２７から供給されたガスを、前記空隙２６内に
設けられた多数の透孔を有する複数のバッフル板２８に
よって前記ガスを均等に拡散させ、前記板状部材２５に
設けられた複数の透孔２９から前記処理室２内に供給す
るよう構成されている。An upper electrode 24 facing the lower electrode 4 is provided above the ring 18. A conductive plate member 25 made of a material, for example, amorphous carbon or the like is provided on the lower surface of the upper electrode 24, and a gap 26 is formed above the plate member 25. A gas supply pipe 27 for supplying a reaction gas, for example, a gas such as CHF3 or CF4, or an inert gas, for example, a gas such as N2 or Ar is connected to the gap 26. The supplied gas is evenly diffused by a plurality of baffle plates 28 having a large number of through holes provided in the space 26, and the gas is diffused from a plurality of through holes 29 provided in the plate member 25. The processing chamber 2 is configured to be supplied.
【００１６】そして、前記上部電極２４は、電気的に接
地され、前記下部電極４に高周波電力を高周波電源３１
によって印加することにより、それらの電極４，２４間
でブラズマを生起するよう構成されている。The upper electrode 24 is electrically grounded, and a high frequency power is supplied to the lower electrode 4 by a high frequency power supply 31.
, A plasma is generated between the electrodes 4 and 24.
【００１７】次に、以上のように構成されたプラズマエ
ッチング装置１の作用について説明する。Next, the operation of the plasma etching apparatus 1 configured as described above will be described.
【００１８】まず、図１に示すように処理室２内圧力を
真空ポンプ１７にて所定圧力、例えば１０-3Ｔｏｒｒ以
下の減圧雰囲気とし、半導体ウエハＷをリフターピン１
３にて支持し、エアーシリンダー１５によってリフター
ピン１３を下動し、下部電極４に設けられた静電チャッ
ク機構４０の半導体ウエハＷ載置面に載置し、直流電源
４４をＯＮするとともに、電磁スイッチ４５を閉じて、
静電チャック機構４０の半導体ウエハＷ載置面に吸着し
保持する。First, as shown in FIG. 1, the pressure inside the processing chamber 2 is reduced to a predetermined pressure by a vacuum pump 17, for example, a reduced pressure atmosphere of 10−3 Torr or less, and the semiconductor wafer W is placed on the lifter pins
3, the lifter pin 13 is moved downward by the air cylinder 15, placed on the semiconductor wafer W mounting surface of the electrostatic chuck mechanism 40 provided on the lower electrode 4, and the DC power supply 44 is turned on. Close the electromagnetic switch 45,
The semiconductor wafer W is held on the mounting surface of the electrostatic chuck mechanism 40 by suction.
【００１９】この後、昇降機構３によって下部電極４を
上昇させ、半導体ウエハＷの周縁部をリング１８と離間
させた所定間隔位置で上昇を停止する。この停止位置
は、図３に示すように、半導体ウエハＷの処理面と廂部
２２とが接触しない間隔Ｂであり、この間隔Ｂは、プラ
ズマ中の活性種が、半導体ウエハＷの周縁部に作用しな
い間隔で、半導体ウエハＷの処理面から、１０ｍｍ以下
の所定距離に設定する。Thereafter, the lower electrode 4 is raised by the lifting mechanism 3 and stopped at a predetermined position where the periphery of the semiconductor wafer W is separated from the ring 18. The stop position is an interval B where the processing surface of the semiconductor wafer W does not come into contact with the depressed portion 22, as shown in FIG. The distance is set to a predetermined distance of 10 mm or less from the processing surface of the semiconductor wafer W at an interval at which no action occurs.
【００２０】しかる後、図１に示すように処理室２内を
排気して所定の真空度、例えば数十ｍＴｏｒｒに設定し
つつ、ガス供給管２７から所定のガスを供給し、制御器
３２からの指示信号によって高周波電源３１をＯＮし、
下部電極４と上部電極２４との間に高周波電力、例えば
２００Ｗ以上の電力を印加し、プラズマを生起させ半導
体ウエハＷをエッチング処理する。Thereafter, as shown in FIG. 1, the inside of the processing chamber 2 is evacuated to set a predetermined degree of vacuum, for example, several tens mTorr, and a predetermined gas is supplied from the gas supply pipe 27. The high frequency power supply 31 is turned on by the instruction signal of
A high-frequency power, for example, a power of 200 W or more is applied between the lower electrode 4 and the upper electrode 24 to generate plasma to etch the semiconductor wafer W.
【００２１】このエッチング処理にて、図３に示すよう
に、上部電極２４と下部電極４との間に生起したプラズ
マＰのプラズマシース部Ｐ１の下部に配置したリング１
８は、プラズマＰ中の活性種、例えばイオン等で処理さ
れる半導体ウエハＷの周縁部をそれらの活性種が作用し
ないように半導体ウエハＷの周縁部を非接触で覆ってい
る。このように、リング１８と半導体ウエハＷの周縁部
とが非接触にされる理由としては、エッチング処理で生
成される反応生成物が半導体ウエハＷの周縁部とリング
１８との間に付着するのを抑制できる、或いは半導体ウ
エハＷがリング１８に接触した際、その振動によってリ
ング１８に付着した反応生成物が半導体ウエハＷ上に落
下するのを防止するためである。また、エッチング処理
ではなくて、ＣＶＤ装置では、膜付けするので、半導体
ウエハＷがリング１８に接触していると半導体ウエハＷ
の処理面とリング１８の上面に生成される膜がつながっ
て成長する恐れがあり、半導体ウエハＷの処理面とリン
グ１８が離れる際に、この膜が剥離し、半導体ウエハＷ
上に落下し付着するのを防止するためである。In this etching process, as shown in FIG. 3, the ring 1 disposed below the plasma sheath portion P1 of the plasma P generated between the upper electrode 24 and the lower electrode 4.
Numeral 8 covers the peripheral portion of the semiconductor wafer W in a non-contact manner so that the peripheral portion of the semiconductor wafer W to be treated with active species, for example, ions or the like in the plasma P does not act. The reason why the ring 18 and the peripheral portion of the semiconductor wafer W are brought into non-contact with each other is that the reaction product generated by the etching process adheres between the peripheral portion of the semiconductor wafer W and the ring 18. This is to prevent the reaction products attached to the ring 18 from falling onto the semiconductor wafer W due to the vibration when the semiconductor wafer W comes into contact with the ring 18. In addition, since the film is formed in the CVD apparatus instead of the etching process, if the semiconductor wafer W is in contact with the ring 18, the semiconductor wafer W
There is a possibility that the film formed on the upper surface of the ring 18 may be connected to the processing surface of the semiconductor wafer W and grow. When the processing surface of the semiconductor wafer W and the ring 18 are separated, the film is peeled off and the semiconductor wafer W
This is to prevent the device from dropping on and adhering.
【００２２】以上のように構成された本実施例の効果に
ついて説明する。The effect of the embodiment constructed as described above will be described.
【００２３】このように、半導体ウエハＷの処理面と廂
部２２とが接触しない間隔Ｂ、つまり、この間隔Ｂは、
プラズマ中の活性種が、半導体ウエハＷの周縁部に作用
しない間隔で、半導体ウエハＷの処理面から、１０ｍｍ
以下の所定距離に設定して配置され半導体ウエハＷの処
理が行なわれるので、半導体ウエハＷの処理面の周縁部
にプラズマによる処理の進行を抑制することができ、半
導体ウエハＷの処理面の周縁部の表面を処理が終了して
も、処理前の状態に維持することができるので、半導体
ウエハＷの周縁部の被処理体の周縁部に付着するパーテ
ィクルの付着量を抑制することができ、被処理体の歩留
りを向上することができる。As described above, the interval B at which the processing surface of the semiconductor wafer W does not come into contact with the cooling unit 22, that is, the interval B is
10 mm from the processing surface of the semiconductor wafer W at intervals where the active species in the plasma do not act on the peripheral edge of the semiconductor wafer W.
Since the processing of the semiconductor wafer W is performed while being set with the following predetermined distance, the progress of the processing by the plasma at the peripheral portion of the processing surface of the semiconductor wafer W can be suppressed, and the peripheral edge of the processing surface of the semiconductor wafer W Since the surface of the portion can be maintained in the state before the process even after the process is completed, the amount of particles attached to the peripheral portion of the object to be processed at the peripheral portion of the semiconductor wafer W can be suppressed, The yield of the object to be processed can be improved.
【００２４】なお、実施例では、半導体ウエハを被処理
体としているが、代わりに、例えばＬＣＤ基板を被処理
体としてもよい。また、実施例では、覆い体としてリン
グ状のものを用いているが、覆い体の形状は被処理体の
形状に依存して四角等に変更することができ、被処理体
の周縁部を実質的に覆えるものなら何でもよい。また、
実施例では、下部電極に高周波電力を印加し且つ上部電
極を電気的に接地しているが、この印加を逆として等方
性エッチング（アノードカップル型）を行うようにして
もよい。In the embodiment, asemiconductor wafer is processed.
Body, but instead, for example, to process an LCD substrate
It may be a body. Further, in the embodiment, the covering is phosphorus.
Shape is used, but the shape of the cover is
Depending on the shape, it can be changed to a square, etc.
Any material can be used as long as it can substantially cover the peripheral portion of. Also,
In the embodiment, high-frequency power is applied to the lower electrode and
The poles are electrically grounded, but this application is reversed to
To perform reactive etching (anode couple type)
Is also good.
【００２５】さらに、実施例では、一例として本発明に
基づくプラズマ処理装置をプラズマエッチング装置に適
用した例を示したが、かかる装置に限定されることな
く、ＣＶＤ装置、アッシング装置、ＬＣＤ装置等の処理
の際に反応生成物が発生する装置であればどのような装
置にも適応可能である。Further, in the embodiment, an example in which the plasma processing apparatus according to the present invention is applied to a plasma etching apparatus has been described as an example. However, the present invention is not limited to such an apparatus, and may be applied to a CVD apparatus, an ashing apparatus, an LCD apparatus, and the like. The present invention can be applied to any device that generates a reaction product during the treatment.
【００２６】[0026]
【発明の効果】本発明は、覆い体によって被処理体の処
理面の周縁部にプラズマによる処理の進行を抑制するこ
とができ、被処理体の処理面の周縁部の表面を処理が終
了しても、処理前の状態に維持することができるので、
被処理体の周縁部の被処理体の周縁部に付着するパーテ
ィクルの付着量を抑制することができ、被処理体の歩留
りを向上することができる。According to the present invention, it is possible to suppress the progress of the processing by the plasma on the peripheral portion of the processing surface of the object to be processed by the cover, and to finish the processing of the surface of the peripheral portion of the processing surface of the object to be processed. Even so, it can be maintained in the state before processing,
The amount of particles adhering to the peripheral portion of the processing object at the peripheral portion of the processing object can be suppressed, and the yield of the processing object can be improved.
【図１】本発明に係る第１の実施例が適用されるプラズ
マエッチング装置の概略的な断面図である。FIG. 1 is a schematic sectional view of a plasma etching apparatus to which a first embodiment according to the present invention is applied.
【図２】図１の静電チャック機構の部分概略図である。FIG. 2 is a partial schematic view of the electrostatic chuck mechanism of FIG. 1;
【図３】図１の覆い体の作用を説明する部分概略図であ
る。FIG. 3 is a partial schematic view for explaining the operation of the cover of FIG. 1;
１ プラズマエッチング装置（プラズマ処理装置） ２ 処理室 ４ 載置台（下部電極） １８ 覆い体（リング） ２１ テーパー面 ２２ 廂部 ２４ 上部電極 ４６ エッジ Ｗ 被処理体（半導体ウエハ） Ｐ プラズマ Ｐ１ シース部 REFERENCE SIGNS LIST 1 plasma etching apparatus (plasma processing apparatus) 2 processing chamber 4 mounting table (lower electrode) 18 covering body (ring) 21 tapered surface 22 overlapping section 24 upper electrode 46 edge W workpiece (semiconductor wafer) P plasma P1 sheath section
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/3065 H01L 21/68──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on front page (58) Field surveyed (Int.Cl.7 , DB name) H01L 21/3065 H01L 21/68
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34738693AJP3118497B2 (en) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
| TW083111929ATW357404B (en) | 1993-12-24 | 1994-12-20 | Apparatus and method for processing of plasma |
| US08/363,270US5578164A (en) | 1993-12-24 | 1994-12-23 | Plasma processing apparatus and method |
| KR1019940036495AKR100290048B1 (en) | 1993-12-24 | 1994-12-24 | Plasma treatment apparatus and method |
| US08/696,224US5779803A (en) | 1993-12-24 | 1996-08-13 | Plasma processing apparatus |
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34738693AJP3118497B2 (en) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07183280A JPH07183280A (en) | 1995-07-21 |
| JP3118497B2true JP3118497B2 (en) | 2000-12-18 |
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34738693AExpired - Fee RelatedJP3118497B2 (en) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3118497B2 (en) |
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001185542A (en)* | 1999-12-27 | 2001-07-06 | Hitachi Ltd | Plasma processing apparatus and plasma processing method using the same |
| JP4622890B2 (en)* | 2006-03-02 | 2011-02-02 | セイコーエプソン株式会社 | Wafer processing equipment |
| JP5551420B2 (en) | 2009-12-04 | 2014-07-16 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate processing apparatus, method for measuring distance between electrodes thereof, and storage medium for storing program |
| US8802545B2 (en)* | 2011-03-14 | 2014-08-12 | Plasma-Therm Llc | Method and apparatus for plasma dicing a semi-conductor wafer |
| CN103650118B (en)* | 2011-05-31 | 2016-08-24 | 应用材料公司 | Dynamic Ion Radical Sieve and Ion Radical Aperture in an Inductively Coupled Plasma (ICP) Reactor |
| CN114566450B (en)* | 2022-03-02 | 2022-11-25 | 珠海市硅酷科技有限公司 | Wafer feeding device |
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07183280A (en) | 1995-07-21 |
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2879887B2 (en) | Plasma processing method | |
| TW200416851A (en) | Method of manufacturing semiconductor device, plasma processing apparatus and plasma processing method | |
| JP2001077088A (en) | Plasma processing device | |
| KR20020010639A (en) | Method and apparatus for vacuum treatment | |
| JPH10321605A (en) | Plasma treatment device | |
| JP3535309B2 (en) | Decompression processing equipment | |
| JP4322484B2 (en) | Plasma processing method and plasma processing apparatus | |
| JP2019176031A (en) | Plasma processing apparatus and method for conveying object to be processed | |
| JPH0774231A (en) | Treatment apparatus and its usage method | |
| JP2869384B2 (en) | Plasma processing method | |
| JP3118497B2 (en) | Plasma processing apparatus and plasma processing method | |
| JP6485702B2 (en) | Plasma processing method and electronic component manufacturing method | |
| JP4060941B2 (en) | Plasma processing method | |
| JP3276023B2 (en) | Control method of plasma processing apparatus | |
| KR20140116811A (en) | Plasma etching method and plasma etching apparatus | |
| JPH05175162A (en) | Dry etching equipment | |
| JP3162272B2 (en) | Plasma processing method | |
| US9779986B2 (en) | Plasma treatment method and method of manufacturing electronic component | |
| KR102030470B1 (en) | Test method and apparatus for treating substrate | |
| JP3315197B2 (en) | Plasma processing method | |
| KR100319468B1 (en) | Plasma Treatment Method | |
| JP3027781B2 (en) | Plasma processing method | |
| JP3171762B2 (en) | Plasma processing equipment | |
| JPH09129611A (en) | Etching | |
| JPH11111830A (en) | Electrostatic sucking device and method, and method and device for treatment apparatus using them |
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |