【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は半導体のウエハや液
晶のガラス基板上に付着したパーティクルをフィルタに
捕集するためのパーティクルサンプラ用ノズルに関し、
更に詳しくは、ウエハやガラス基板上等に付着したパー
ティクルを効率よくフィルタに捕集し、捕集した微粒子
サンプルを例えばマイクロ波誘導プラズマ利用元素分析
計等に供給するパーティクルサンプラのノズル部分の改
良に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a nozzle for a particle sampler for collecting particles adhering on a semiconductor wafer or a liquid crystal glass substrate by a filter.
More specifically, the present invention relates to an improvement in a nozzle portion of a particle sampler that efficiently collects particles adhering on a wafer or a glass substrate into a filter and supplies the collected fine particle sample to, for example, an elemental analyzer utilizing microwave induction plasma. .
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体回路を形成するウエハ上のゴミ
は、配線回路の断線を生じ、液晶パネルを構成するガラ
ス基板上のゴミは、画素の欠落を生じる。このため、製
造工程におけるゴミ対策は歩留り等において重要な課題
になっている。2. Description of the Related Art Dust on a wafer forming a semiconductor circuit causes disconnection of a wiring circuit, and dust on a glass substrate constituting a liquid crystal panel causes a dropout of a pixel. Therefore, measures against dust in the manufacturing process have become an important issue in terms of yield and the like.
【０００３】この解決のため、ウエハ上やガラス基板上
のゴミ（以下、パーティクルという）をフィルタ上に収
集してその成分や量を測定し、パーティクル発生の原因
を本質的に解析する試みがなされている。図５，図６は
分析に先立ってウエハ上やガラス基板上のパーティクル
をフィルタ上に捕集するパーテイクルサンプラであり、
本出願人が特願平６−３２４５３２号（出願日平成６年
１２月２７日）として出願している。In order to solve this problem, an attempt has been made to collect dust (hereinafter, referred to as particles) on a wafer or a glass substrate on a filter, measure the components and amounts thereof, and essentially analyze the cause of the generation of the particles. ing. 5 and 6 show a particle sampler for collecting particles on a wafer or a glass substrate on a filter prior to analysis.
The present applicant has filed an application as Japanese Patent Application No. 6-324532 (filing date: December 27, 1994).
【０００４】この出願の内容について簡単に説明する。
図５は、パーティクルサンプラの正面図、図６は平面図
である。尚、図ではウエハ上のパーティクルをフィルタ
上に採取する場合を例に挙げて説明する。図中、１は被
測定体であるウエハ、２はウエハ１を搭載する第１のス
テージで、搭載したウエハを回転軸Ｏ1を中心に回転す
る。３は第１のステージの回転軸Ｏ1を変位する第２の
ステージで、第１のステージ２を搭載し、回転軸Ｏ2を
中心に回転角θで第１のステージ２を回転する。[0004] The contents of this application will be briefly described.
FIG. 5 is a front view of the particle sampler, and FIG. 6 is a plan view. In the drawing, a case where particles on a wafer are collected on a filter will be described as an example. In the figure, 1 is a wafer to be measured body 2 in the first stage carrying the wafer 1 rotates equipped with the wafer around the rotation axis O1. Reference numeral 3 denotes a second stage for displacing the rotation axis O1 of the first stage, on which the first stage 2 is mounted, and which rotates the first stage 2 at a rotation angle θ about the rotation axis O2 .
【０００５】４はウエハ１上に付着したパーティクルを
吸引する吸引ノズル、５は吸引機、６は吸引ノズルで吸
引したパーティクルを捕集するフィルタである。吸引ノ
ズル４は、ウエハ１との間隔（ギャップ）が任意に調整
できるようになっていて、ウエハ１上に付着したパーテ
ィクルが吸引しやすい間隔にギャップ制御機構７で設定
される。８はサンプリング中にウエハ１が汚染されない
ように設けられたチャンバで、内部はクリンエアー等で
置換される。Reference numeral 4 denotes a suction nozzle for sucking particles adhered on the wafer 1, reference numeral 5 denotes a suction machine, and reference numeral 6 denotes a filter for collecting particles sucked by the suction nozzle. The gap (gap) between the suction nozzle 4 and the wafer 1 can be arbitrarily adjusted, and is set by the gap control mechanism 7 at an interval at which particles adhering to the wafer 1 are easily sucked. Reference numeral 8 denotes a chamber provided so as not to contaminate the wafer 1 during sampling, and the inside is replaced with clean air or the like.
【０００６】次に、このように構成されたパーティクル
サンプラの動作について説明する。先ず、ウエハ１が第
１のステージ２に搭載され、吸引ノズル４によってパー
ティクルの吸引が開始される。この状態で、ウエハ１
は、回転軸Ｏ1を中心に回転されると共に、第２のステ
ージ３によってＸ−Ｘ’方向に回転される。Next, the operation of the thus configured particle sampler will be described. First, the wafer 1 is mounted on the first stage 2, and the suction nozzle 4 starts suctioning particles. In this state, the wafer 1
Is rotated about the rotation axis O1 and rotated by the second stage 3 in the XX ′ direction.
【０００７】このような動作によって、吸引ノズル４が
ウエハ１上に描く軌跡は、渦巻き状になる。この時、第
２のステージ３の移動速度に対して、第１のステージ２
の回転速度を十分に早くすれば、渦巻きの目を細かくす
ることができ、ウエハ１全面をくまなくスキャンでき
る。By such an operation, the locus drawn by the suction nozzle 4 on the wafer 1 becomes spiral. At this time, the speed of the first stage 2
If the rotation speed is sufficiently increased, the spiral eyes can be made finer, and the entire surface of the wafer 1 can be scanned.
【０００８】吸引ノズル４は、これらの移動に追従し
て、ウエハ１とのギャップが制御されていて、吸引ノズ
ル４の吸引流は、ウエハ１の表面に沿って流れる。この
ため、ウエハ１上のパーティクルは、効率よく吸引ノズ
ル４によって吸引される。尚、図示の例では、第２のス
テージ３が第１のステージ２を搭載した形になっている
が、上下関係は逆の形でもよく、また、第２のステージ
３はＸＹステージでもよい。The suction nozzle 4 controls the gap with the wafer 1 following these movements, and the suction flow of the suction nozzle 4 flows along the surface of the wafer 1. Therefore, particles on the wafer 1 are efficiently sucked by the suction nozzle 4. In the illustrated example, the second stage 3 has the first stage 2 mounted thereon. However, the upper and lower relationship may be reversed, and the second stage 3 may be an XY stage.
【０００９】ところで、上記パーティクルサンプラ用の
吸引ノズルとしては図７に示すようなものが用いられて
いた。図において、吸引ノズル４とウエハ１表面間のギ
ャップをギャップ制御機構７にて制御する。吸引機５
（図５参照）で吸引すると、ノズルの周辺部から吸引ノ
ズルに向かう吸引流が発生する。吸引ノズル４がウエハ
１に接近すれば、この流れはウエハ表面に沿って流れ
る。この流れの中にパーティクル９が存在すれば流れに
対してパーティクル前後面で圧力差が発生し、この圧力
差によりパーティクル９は吸引ノズル４により吸引され
る。Incidentally, as shown in FIG. 7, a suction nozzle for the particle sampler has been used. In the figure, a gap between the suction nozzle 4 and the surface of the wafer 1 is controlled by a gap control mechanism 7. Suction machine 5
When suction is performed in (see FIG. 5), a suction flow is generated from the peripheral portion of the nozzle toward the suction nozzle. When the suction nozzle 4 approaches the wafer 1, this flow flows along the wafer surface. If the particles 9 are present in this flow, a pressure difference is generated between the front and rear surfaces of the particles with respect to the flow, and the particles 9 are sucked by the suction nozzle 4 due to the pressure difference.
【００１０】[0010]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記吸
引ノズル４ではフィルタ６を介して吸引するので吸引機
５としてパワーの強いものを用いたとしても吸引力は限
られたものとなる。また、吸引力を強くするためにウエ
ハとノズルの先端のギャップＤ1を狭くするとギャップ
の制御が難しいという問題がある。また、比較的大きな
（例えば粒径に換算した直径が５μｍ程度）のパーティ
クルであれば吸引できるが、１μｍ以下のパーティクル
は捕集率が悪いという問題があった。However, since the suction nozzle 4 suctions through the filter 6, the suction force is limited even if a high-power suction device 5 is used. Further, there is a problem that it is difficult to control the gap is narrowed gap D1 of the tip of the wafer and the nozzle in order to increase the suction power. Further, particles having a relatively large particle size (for example, a particle diameter of about 5 μm) can be sucked, but particles having a particle size of 1 μm or less have a problem of a poor collection rate.
【００１１】本発明は上記問題点を解決するためになさ
れたもので、吹き出しノズルと吸引ノズルを２重管構造
とし、さらに、吸引量に対する吹き出し量の比率、吹き
出し穴の寸法および吹き出しノズルと吸引ノズルの基板
に対する距離を最適化することによりパーティクル捕集
率の向上を図ったパーティクルサンプラ用ノズルを提供
することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems,and has a double nozzle structure in which a blowing nozzleand a suction nozzle are provided.
And the ratio of the blowing amount to the suction amount,
Outlet Dimensions and Substrate of Blow Nozzle and Suction Nozzle
It is an object of the present invention to provide a particle sampler nozzle in which the particle collection rate is improved by optimizing thedistance to the nozzle.
【００１２】このような目的を達成するために本発明
は、パーティクルが付着した基板に向かって流体を吹き
付ける吹き出しノズルと、この吹き出しノズルから吹き
出された流体によって浮上したパーティクルを吸引する
吸引ノズルを有するパーティクルサンプラ用ノズルにお
いて、前記吹き出しノズルの外周部を吸引ノズルで囲ん
で２重管となるように固定し、吸引量に対する吹き出し
量の比率を任意に設定する流量制御装置を設けると共に
前記吹き出しノズルの吹き出し穴の直径を０．１〜０．
５ｍｍとし、基板表面から吹き出しノズルの先端までの
距離を吸引ノズルの先端までの距離と同一若しくは僅か
に突出させて形成したことを特徴とするものである。In order to achieve such an object, the present invention provides a methodof spraying a fluid toward a substrate on which particles are attached.
Blow nozzle to attach and blow from this blow nozzle
Suction the particles levitated by the discharged fluid
Particle sampler nozzles with suction nozzles
And surround the outer peripheral portion of the blowing nozzle with a suction nozzle.
And fix it so that it becomes a double tube, and blow out the amount of suction.
Provide a flow control device to set the volume ratio arbitrarily and
The diameter of the blowout hole of the blowout nozzle is 0.1 to 0.1.
5 mm, from the substrate surface to the tip of the blowing nozzle
Make the distance equal to or slightly smaller than the distance to the tip of the suction nozzle.
It is characterized bybeing formed so asto protrude .
【００１３】[0013]
【発明の実施の形態】図１は吸引ノズル部を拡大した要
部構成図である。図中、４ａは吸引ノズルで、中心部に
はウエハ１に向かって流体を吹きつける吹き出しノズル
１０が形成されている。流体（この例ではエアー）が吹
き出しノズル１０から吹きつけられると、ウエハ１上に
付着したパーティクル９は、ウエハ１上から剥離し、吹
き上げられる。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 is an enlarged view of a main part of a suction nozzle portion. In the figure, reference numeral 4a denotes a suction nozzle, and a blowing nozzle 10 for blowing a fluid toward the wafer 1 is formed at the center. When a fluid (air in this example) is blown from the blowing nozzle 10, the particles 9 attached to the wafer 1 are separated from the wafer 1 and blown up.
【００１４】吹き上げられたパーティクル９は、吸引ノ
ズル４ａで吸い上げられ、フィルタ６に捕集される。１
２は流量制御手段で、吹き出しノズル１０から吹き出す
流体の流量を制御する。７はギャップ制御装置で、吸引
ノズル４ａと吹き出しノズル１０とを制御して、ウエハ
１との相対位置（ＸＹ方向及びＺ方向）を変化する。The blown up particles 9 are sucked up by the suction nozzle 4 a and collected by the filter 6. 1
Reference numeral 2 denotes a flow rate control means for controlling the flow rate of the fluid blown out from the blowout nozzle 10. Numeral 7 denotes a gap control device which controls the suction nozzle 4a and the blowing nozzle 10 to change the relative position (XY direction and Z direction) with respect to the wafer 1.
【００１５】例えば、吹き出しノズル１０を左右に振動
するように制御すれば、ウエハ１表面には乱流が発生し
て、各方向からパーティクル９に風圧力が加わる。この
力によって、パーティクル９は、１μｍ以下の付着力の
強いものであっても、数μｍのものと同様にウエハ１上
から簡単に剥離する。ここで説明した吸引ノズル４ａと
吹き出しノズル１０は、一体となった２重管構造のもの
でもよいし、別体となったものでもよい。また、吸引流
量と吹き出し流量との比は、１：２、１：３というよう
な割合で、パーティクル径及び形状に応じて任意に定め
られる。For example, if the blowing nozzle 10 is controlled to vibrate right and left, a turbulent flow is generated on the surface of the wafer 1 and wind pressure is applied to the particles 9 from each direction. With this force, the particles 9 can be easily separated from the wafer 1 even if the particles 9 have a strong adhesive force of 1 μm or less, as in the case of several μm. The suction nozzle 4a and the blowing nozzle 10 described here may have an integral double pipe structure or may be separate. Further, the ratio between the suction flow rate and the blowout flow rate is arbitrarily determined according to the particle diameter and shape at a ratio such as 1: 2, 1: 3.
【００１６】図２は、吹き出しノズル１０の孔径（横
軸）と捕集効率（縦軸）の関係を示す実験結果であり、
パーティクルの素材としては市販されているＳｉＯ2の
粉末（公称粒径０．８μｍ…但し０．３〜数μｍまで分
布している）を使用し、約５０μｍ平方で１０数個を散
布した。また、この実験では吹き出しノズルに供給する
空気圧を５〜６ｋｇｆ／ｃｍ2、吸引ノズルの吸引流量
を３〜１０ｌ／ｍｉｎとした。更に吸引ノズルの内径Ｄ
は吹き出しノズルの外径ｄの数倍〜１０倍とし、吸引ノ
ズルと吹き出しノズルの先端の段差Ｓ1を０〜１００μ
ｍ、被測定体とノズル吹き出しノズルの先端のギャツプ
Ｓ2を１０〜１００μｍとした。上記の条件で吹き出し
ノズルの孔径ｄ1を０．１、０．３、０．５、１．０ｍ
ｍの４種類作製し、夫々の孔径について実験を行った。FIG. 2 is an experimental result showing the relationship between the hole diameter (horizontal axis) of the blowing nozzle 10 and the collection efficiency (vertical axis).
As the material for the particles, commercially available SiO2 powder (nominal particle diameter: 0.8 μm, but distributed from 0.3 to several μm) was used, and about 10 μm particles were scattered in a square of about 50 μm. In this experiment, the air pressure supplied to the blowing nozzle was 5-6 kgf / cm2 , and the suction flow rate of the suction nozzle was 3-10 l / min. Furthermore, the inner diameter D of the suction nozzle
Is several times to 10 times the outer diameter d of the blowing nozzle, and the step S1 between the suction nozzle and the tip of the blowing nozzle is 0 to 100 μm.
m, the Gyatsupu S2 of the distal end of the body to be measured and the nozzle blowout nozzle was 10 to 100 [mu] m. Under the above conditions, the hole diameter d1 of the blowing nozzle is set to 0.1, 0.3, 0.5, 1.0 m
m were prepared, and experiments were performed for each of the hole diameters.
【００１７】実験結果から明らかなように、孔径０．１
ｍｍでは直径０．３μｍ以上のパーティクルが５１％、
直径０．５μｍ以上では７５％、孔径０．３ｍｍでは直
径０．３μｍ以上のパーティクルが６２％、直径０．５
μｍ以上では８６％、孔径０．５ｍｍでは直径０．３μ
ｍ以上のパーティクルが５０％、直径０．５μｍ以上で
は７９％、孔径１．０ｍｍでは直径０．３μｍ以上のパ
ーティクルが４１％、直径０．５μｍ以上では７１％収
集していることがわかる。従って本発明では孔径を０．
１〜０．５ｍｍと規定する。As is clear from the experimental results, the pore size is 0.1
mm, particles with a diameter of 0.3 μm or more are 51%,
75% of the particles having a diameter of 0.5 μm or more, 62% of the particles having a diameter of 0.3 μm or more have a diameter of 0.5
86% above μm, 0.3μ diameter at 0.5mm hole diameter
It can be seen that 50% of the particles having a diameter of m or more, 79% have a diameter of 0.5 μm or more, 41% of particles having a diameter of 0.3 μm or more have a hole diameter of 1.0 mm and 71% have a particle diameter of 0.5 μm or more. Therefore, according to the present invention, the pore size is set to 0.
It is defined as 1 to 0.5 mm.
【００１８】図３は捕集前のパーティクルの個数と本発
明のノズルにより捕集した場合の捕集個数を比較したも
のである。なお、ウエハ１上のパーティクルは上述のＳ
ｉＯ2の粉末を約５０μｍ平方で１０数個を散布したも
のを使用し直径及び個数は予め電子顕微鏡によって目視
で計数してある。試験結果からも分かるように、１μｍ
以上のパーティクルは完全にサンプリングできているこ
とが分かる。尚、吹き出しノズル１０を用いない従来の
ノズルでは、１〜２、３μｍのパーティクルが取りきれ
ないという結果であった。FIG. 3 shows the number of particles before collection and the number of particles.
Comparison of the number collected when collected by the bright nozzle
It is. Note that the particles on the wafer 1
iOTwoPowder of about 50 μm square was sprayed over 10 pieces.
The diameter and the number are visually observed by an electron microscope in advance.
Is counted. As can be seen from the test results, 1 μm
These particles must be completely sampled.
I understand. It should be noted that conventional blowout nozzles 10 are not used.
With the nozzle, 1-2, 3μm particles can be removed
There was no result.
【００１９】[0019]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
パーティクルが付着した基板に向かって流体を吹き付け
る吹き出しノズルと、この吹き出しノズルから吹き出さ
れた流体によって浮上したパーティクルを吸引する吸引
ノズルを有するパーティクルサンプラ用ノズルにおい
て、前記吹き出しノズルの外周部を吸引ノズルで囲んで
２重管となるように固定し、吸引量に対する吹き出し量
の比率を任意に設定する流量制御装置を設けると共に前
記吹き出しノズルの吹き出し穴の直径を０．１〜０．５
ｍｍとし、基板表面から吹き出しノズルの先端までの距
離を吸引ノズルの先端までの距離と同一若しくは僅かに
突出させて形成したので、パーティクルの捕集率の向上
を図ったパーティクルサンプラ用ノズルを実現すること
ができる。As described above, according to the present invention,
Spray fluid toward the substrate with particles
Blow nozzle and the air blown from this blow nozzle
Suction that sucks particles levitated by the collected fluid
Particle sampler nozzle with nozzle
Surrounding the outer peripheral portion of the blowing nozzle with a suction nozzle.
Fix so that it becomes a double tube, and blow out amount against suction amount
Before installing a flow control device to arbitrarily set the ratio of
The diameter of the blowing hole of the blowing nozzle is 0.1 to 0.5.
mm and the distance from the substrate surface to the tip of the blowing nozzle.
Separation is equal to or slightly equal to the distance to the tip of the suction nozzle.
Since the projection is formed so as to protrude, it is possible to realize a particle sampler nozzle in whichthe collection rate of particles is improved.
【００２０】[0020]
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、被測定体の上に付着したパーティクルを気体に
よって浮上させる吹き出しノズルと、浮上したパーテイ
クルを吸引する吸引ノズルからなり、、前記吹き出しノ
ズルの吹き出し孔の直径を０．１〜０．５ｍｍとしたの
で、捕集力の向上を図ったパーティクルサンプラ用ノズ
ルを実現することができる。As described above in detail, according to the present invention, a blowing nozzle for floating particles adhering on an object to be measured by a gas, and a suction nozzle for sucking the floating particles, Since the diameter of the blowing hole of the blowing nozzle is 0.1 to 0.5 mm, it is possible to realize a particle sampler nozzle with an improved collection force.
【図１】本発明のパーティクルサンプラ用ノズルの実施
の態様の一例を示した断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of an embodiment of a particle sampler nozzle according to the present invention.
【図２】本発明のノズルを用いた吹き出しノズルの孔径
（横軸）と捕集効率（縦軸）の関係を示す実験結果であ
る。FIG. 2 is an experimental result showing a relationship between a hole diameter (horizontal axis) and a collection efficiency (vertical axis) of a blowing nozzle using the nozzle of the present invention.
【図３】捕集前のパーテイクルの個数と本発明のノズル
により捕集した場合の捕集個数を比較した図である。FIG. 3 is a diagram comparing the number of particles before collection with the number of particles collected by the nozzle of the present invention.
【図４】本発明の他の実施の形態の一例を示すパーティ
クルサンプラ用ノズルである。FIG. 4 is a particle sampler nozzle showing an example of another embodiment of the present invention.
【図５】パーティクルサンプラの一例を示す正面図であ
る。FIG. 5 is a front view showing an example of a particle sampler.
【図６】図５の平面図である。FIG. 6 is a plan view of FIG. 5;
【図７】従来のパーティクルサンプラ用ノズルの一例を
示す説明図である。FIG. 7 is an explanatory view showing an example of a conventional particle sampler nozzle.
１ ウエハ ４ａ 吸引ノズル ６ フィルタ ７ ギャップ制御装置 ９ パーティクル １０ 吹き出しノズル １２ 流量制御手段 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Wafer 4a Suction nozzle 6 Filter 7 Gap control device 9 Particle 10 Blowing nozzle 12 Flow rate control means
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8165545AJP3019772B2 (en) | 1996-06-26 | 1996-06-26 | Nozzle for particle sampler |
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8165545AJP3019772B2 (en) | 1996-06-26 | 1996-06-26 | Nozzle for particle sampler |
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1010018A JPH1010018A (en) | 1998-01-16 |
| JP3019772B2true JP3019772B2 (en) | 2000-03-13 |
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000321180A (en) | 1999-05-12 | 2000-11-24 | Nec Kyushu Ltd | Surface contamination measuring instrument of equipment |
| JP2012159421A (en)* | 2011-02-01 | 2012-08-23 | Ulvac Japan Ltd | Particle measuring instrument |
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| JPH1010018A (en) | 1998-01-16 |
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
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