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JP2964779B2 - 光学素子のプレス成形用金型 - Google Patents

光学素子のプレス成形用金型

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JP2964779B2
JP2964779B2JP4170347AJP17034792AJP2964779B2JP 2964779 B2JP2964779 B2JP 2964779B2JP 4170347 AJP4170347 AJP 4170347AJP 17034792 AJP17034792 AJP 17034792AJP 2964779 B2JP2964779 B2JP 2964779B2
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JP
Japan
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alloy
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press
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JP4170347A
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秀直 片岡
正二 中村
正明 春原
梅谷  誠
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は研磨によらず、プレス成
形により光学素子を製造するための金型に関するもので
ある。
【0002】
【従来の技術】近年、高精度な光学レンズの製造方法と
して、従来のような研磨方法を用いて製造するのではな
く、レンズ形状に加工された金型を用いたプレス加工に
より一発成形されている。ところで、この成形で用いら
れる光学素子のプレス成形用金型は、高温度下でも安定
で耐酸化性、耐熱性、耐熱衝撃性に優れていること、ガ
ラスにたいして化学的に不活性であること、プレス時に
プレス面の形状精度が崩れないよう機械的強度に優れい
ること、さらに、高精度に加工する必要があるため、加
工性に優れ精密加工が可能なことが必要である。
【0003】この目的を達成するために、例えば、タン
グステンカーバイド、サーメット、セラミックスを母材
としこの母材上に貴金属合金膜を形成したもの光学素子
のプレス成形用金型等が提案されており、種々の検討が
行われている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら前記のよ
うな金型母材および貴金属合金膜を所望の形状に加工す
るためには、ダイヤモンド砥石による研削加工により精
密加工することになるが、このような材料は極めて硬度
が大きく、そのために、ダイヤモンド砥石の摩耗が激し
く高精度な加工が困難なうえに、一個のダイヤモンド砥
石で加工できる金型面数が少ない。また、加工時の切込
み量が大きく出来ず、加工に非常に長時間を要する。さ
らに、小口径レンズ用の金型の加工では、加工可能なダ
イヤモンド砥石がないといった問題がある。
【0005】このように、従来の金型は、高精度なもの
は望めず、そのために得られたレンズも光学性能を充分
に満たすものではなく、高価格で、しかも、形状に大き
な制限があった。
【0006】また、上記問題点を解決するために、精密
加工性の良好なシリコンを母材としたものが提案されて
いる(例えば、特開昭64−42333号公報)が、機
械的強度の点で問題がある。
【0007】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、精密加工性、機械的強度に優れ、高温下での耐酸化
性、耐熱性、耐熱衝撃性に優れ、ガラスに対して化学的
に不活性な光学素子のプレス成形用金型を提供すること
を目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の光学素子のプレス成形用金型は、母材の少な
くとも表層部を、高融点で精密加工性、機械的強度に優
れた、シリコンを最も多く含み、かつ、Ta、W、C
r、Nb、V、Mo、Pbのうち少なくとも1種類以上
を含む合金とし、母材表層部を所望の形状に精密加工し
た後、保護膜として耐酸化性、耐熱性、機械的強度に優
れ、ガラスに対して化学的に不活性な貴金属合金(白金
(Pt)、パラジウム(Pd)、イリジウム(Ir)、
ロジウム(Rh)、オスミウム(Os)、ルテニウム
(Ru)、レニウム(Re、タングステン(W)、タ
ンタル(Ta)のうち、少なくとも一種類以上の金属を
含む合金)膜を母材上に形成するものである。貴金属膜
の形成には、蒸着法、スパッタリング法、イオンプレー
ティング法などのPVDやCVD等が使用可能である。
【0009】この場合、母材と保護膜との間に、母材、
保護膜に対して密着性がよく、かつ、熱膨張係数が両者
と近似した値で、耐熱性、機械的強度に優れた材料から
なる中間層を形成すれば、一層、好ましい。
【0010】あるいは、光学素子のプレス成形用金型母
材として、耐熱性、耐食性に優れ、高温強度を有するタ
ングステンカーバイド等の超硬合金、セラミックス、サ
ーメットなどを母材として、これを所望する形状に近似
した形状に加工した後、少なくとも表層が、高融点で精
密加工性、機械的強度に優れた、シリコンを最も多く含
み、かつ、Ta、W、Cr、Nb、V、Mo、Pbのう
ち少なくとも1種類以上を含む合金膜を形成するか、も
しくは、シリコン単体膜を形成した後、少なくとも前記
膜の表層をイオン注入法等により、Ta、W、Cr、N
b、V、Mo、Pbのうち少なくとも1種類以上を含む
合金膜とし、これらの合金膜を切削加工により所望の形
状に精密加工した後、保護膜として耐酸化性、耐熱性、
機械的強度に優れ、ガラスに対して化学的に不活性な貴
金属合金(白金(Pt)、パラジウム(Pd)、イリジ
ウム(Ir)、ロジウム(Rh)、オスミウム(O
s)、ルテニウム(Ru)、レニウム(Re、タング
ステン(W)、タンタル(Ta)のうち、少なくとも一
種類以上の金属を含む合金)膜を形成したものである。
【0011】この場合、シリコン合金膜と保護膜との
間、あるいは、前記母材と前記合金膜の間、または、そ
の両方に、シリコン合金膜と保護膜、前記母材と前記シ
リコン合金膜に対してともに密着性がよく、かつ、熱膨
張係数が両者に近似した値で、耐熱性、機械的強度に優
れた材料からなる中間層を形成すれば、一層好ましい。
【0012】
【作用】本発明は上述したように、加工性、機械的強
度、両方を兼ね備えた母材、あるいは膜を用いて金型を
構成したため、それらの母材、あるいは膜を切削加工す
ることにより高精度な面形状を短時間で、容易に得るこ
とが出来るとともに、成形時のプレス圧力にも十分に耐
えることが出来る。
【0013】そして、加工に際しては、ダイヤモンドバ
イトの摩耗がほとんどないため、工具の寿命が伸び、金
型製作のコストを削減することが出来る。また、ダイヤ
モンドバイトによる切削加工が可能となるため小曲率半
径の成形型の加工も出来、加工範囲も広がる。
【0014】さらに、母材保護膜は、面品質、耐熱、耐
衝撃性が優れた材質を用いていることから、良好な加工
性と成形型寿命を兼ね備えた成形型が容易に出来、その
型でプレス成形すると高精度な面形状を有した安価な光
学ガラス素子を得ることが可能となる。
【0015】
【実施例】以下本発明の実施例について図面を参照しな
がら説明する。
【0016】(第一実施例) 図1において1aは母材(少なくとも表層部がSi−M
o系合金(Si:82at%、Mo:18at%))、
2は保護膜である。まず、母材1aのプレス成形面をダ
イヤモンドバイトを用いて高精密(表面粗度Rmax:0.
05ミクロン)に切削加工する。そして、この母材1a
上にスパッタ法により白金(Pt)−ロジウム(Rh)
合金の保護膜2を膜厚5ミクロンで成膜した。
【0017】(第二実施例) 図2において1bは母材(タングステンカーバイト)、
3は合金層(少なくとも表層部がSiーW系合金(S
i:63at%、Mo:37at%))である。まず、
母材1bを研削加工により所望する形状に近似した形状
に加工する。このときの形状は最終形状からのズレ量1
0ミクロン以下にした。
【0018】次にこれらの母材1b上にイオンプレーテ
ィング法により合金層(少なくとも表層部がSi−W
系合金)を膜厚20ミクロンで形成した。その後、この
合金層3をダイヤモンドバイトによる切削加工により高
精度に所望の形状に仕上げた。最後に合金層上に第一
実施例と同様に保護膜を形成した。
【0019】以上の各実施例では、切削加工の容易な母
材あるいは加工層を形成することにより、加工時間が大
幅に短縮され、かつ高精度な面形状を有したプレス成形
用金型が安価に作製できた。また、この金型を用いてガ
ラスを加熱、プレス成形したところ、プレス圧力による
金型の変形もなく、10000回の成形後も金型品質の
劣化が認められなかった。
【0020】ここで、加工層、中間層、保護膜の形成方
法は、蒸着法やスパッタリング法、イオンプレーティン
グ法以外の方法で形成しても問題ない。
【0021】
【発明の効果】以上のように本発明の光学素子のプレス
成形用型は、加工性の良い母材、加工層を設けることで
ダイヤモンドバイトによる切削加工により従来の金型に
比べ短時間で、しかも、高精度に製作が出来、ダイヤモ
ンドバイトの加工寿命が長く、加工コストを低減するこ
とが出来た。そして、切削加工が可能であるため曲率半
径の小さな成形型の作製が可能であり、ダイヤモンドバ
イトの摩耗がほとんど生じないので大口径の金型の製作
も容易で多種多様の形状を持った成形用型が作製でき
る。また、母材、加工層、合金層には、機械的強度、耐
熱性、耐熱衝撃性に優れた材質を用いたため、プレス時
の金型の変形もなく、その結果、型寿命も長く、連続し
た成形にも充分対応できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の光学素子のプレス成形用金型の第一実
施例の構成を示す断面図
【図2】本発明の光学素子のプレス成形用金型の第二実
施例の構成を示す断面図
【符号の説明】
1a 母材 1b 母材 2 保護膜 3 合金層
フロントページの続き (72)発明者 梅谷 誠 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭64−42333(JP,A) 特開 平5−170458(JP,A) 特開 平4−260619(JP,A) 特開 昭61−242922(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) C03B 11/00 C03B 40/00

Claims (6)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】少なくとも表層部が、シリコンを最も多く
    含み、かつ、Ta、W、Cr、Nb、V、Mo、Pbの
    うち少なくとも1種類以上含む合金からなる母材とし、
    前記母材を所望の形状に加工した後、前記母材上に耐熱
    性、耐食性に優れた保護膜を形成することを特徴とする
    光学素子のプレス成形用金型。
  2. 【請求項2】前記母材と前記保護膜の間に中間層を形成
    することを特徴とする請求項1記載の光学素子のプレス
    成形用金型。
  3. 【請求項3】母材を超硬合金、セラミックス、サーメッ
    ト等の耐熱性、耐食性に優れ、耐高温強度を有するもの
    を用い、前記母材を所望の形状に近似した形状に加工し
    た後、前記母材上に少なくとも表層部が、シリコンを
    も多く含み、かつ、Ta、W、Cr、Nb、V、Mo、
    Pbのうち少なくとも1種類以上を含む合金からなる合
    金膜を形成し、前記合金膜を所望の形状に高精度に加工
    した後、前記合金膜上に耐熱性、耐食性に優れた保護膜
    を形成することを特徴とする光学素子のプレス成形用金
    型。
  4. 【請求項4】前記合金膜と前記保護膜の間、あるいは、
    前記母材と前記合金膜の間、または、その両方に中間層
    を形成することを特徴とする請求項3記載の光学素子の
    プレス成形用金型。
  5. 【請求項5】前記表層部の合金がSi−Mo系合金ある
    いはSi−W系合金であることを特徴とする請求項1ま
    たは請求項3に記載の光学素子のプレス成形用金型。
  6. 【請求項6】前記保護膜がPt−Rh系合金であること
    を特徴とする請求項1または請求項3に記載の光学素子
    のプレス成形用金型。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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SG68649A1 (en)*1997-02-211999-11-16Matsushita Electric Industrial Co LtdPress-molding die method for manufacturing the same and glass article molded with the same
JP2010013292A (ja)*2008-06-302010-01-21Ohara Incガラス成形体の製造方法、及びガラス成形体の曇り低減方法
US20130023129A1 (en)2011-07-202013-01-24Asm America, Inc.Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US10714315B2 (en)2012-10-122020-07-14Asm Ip Holdings B.V.Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en)2013-02-012016-12-29Asm Ip Holding B.V.System for treatment of deposition reactor
US10941490B2 (en)2014-10-072021-03-09Asm Ip Holding B.V.Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en)2015-03-122019-04-30Asm Ip Holding B.V.Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10211308B2 (en)2015-10-212019-02-19Asm Ip Holding B.V.NbMC layers
US11139308B2 (en)2015-12-292021-10-05Asm Ip Holding B.V.Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en)2016-02-192020-01-07Asm Ip Holding B.V.Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10343920B2 (en)2016-03-182019-07-09Asm Ip Holding B.V.Aligned carbon nanotubes
US10367080B2 (en)2016-05-022019-07-30Asm Ip Holding B.V.Method of forming a germanium oxynitride film
US9859151B1 (en)2016-07-082018-01-02Asm Ip Holding B.V.Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en)2016-07-082020-04-07Asm Ip Holdings B.V.Organic reactants for atomic layer deposition
KR102532607B1 (ko)2016-07-282023-05-15에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9887082B1 (en)2016-07-282018-02-06Asm Ip Holding B.V.Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en)2016-07-282017-11-07Asm Ip Holding B.V.Method and apparatus for filling a gap
US11532757B2 (en)2016-10-272022-12-20Asm Ip Holding B.V.Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en)2016-11-012020-07-14ASM IP Holdings, B.V.Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko)2016-11-152023-06-21에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR102762543B1 (ko)2016-12-142025-02-05에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 장치
US11447861B2 (en)2016-12-152022-09-20Asm Ip Holding B.V.Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en)2016-12-152023-02-14Asm Ip Holding B.V.Sequential infiltration synthesis apparatus
US10269558B2 (en)2016-12-222019-04-23Asm Ip Holding B.V.Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en)2017-01-102022-07-19Asm Ip Holding B.V.Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en)2017-02-152019-11-05Asm Ip Holding B.V.Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en)2017-06-282022-04-19Asm Ip Holding B.V.Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko)2017-07-182019-01-28에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en)2017-07-192022-06-28Asm Ip Holding B.V.Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en)2017-07-262020-03-17Asm Ip Holdings B.V.Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en)2017-08-082020-09-08Asm Ip Holding B.V.Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en)2017-08-082020-06-23Asm Ip Holdings B.V.Radiation shield
US11769682B2 (en)2017-08-092023-09-26Asm Ip Holding B.V.Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en)2017-08-292023-11-28Asm Ip Holding B.V.Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en)2017-08-302022-04-05Asm Ip Holding B.V.Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko)2017-08-302023-01-26에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 장치
US11056344B2 (en)2017-08-302021-07-06Asm Ip Holding B.V.Layer forming method
US10658205B2 (en)2017-09-282020-05-19Asm Ip Holdings B.V.Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en)2017-10-052019-09-03Asm Ip Holding B.V.Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
WO2019103613A1 (en)2017-11-272019-05-31Asm Ip Holding B.V.A storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace
CN111344522B (zh)2017-11-272022-04-12阿斯莫Ip控股公司包括洁净迷你环境的装置
US10872771B2 (en)2018-01-162020-12-22Asm Ip Holding B. V.Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh)2018-01-192023-04-21荷蘭商Asm 智慧財產控股公司沈積方法
KR102695659B1 (ko)2018-01-192024-08-14에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법
US11081345B2 (en)2018-02-062021-08-03Asm Ip Holding B.V.Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en)2018-02-142021-01-19Asm Ip Holding B.V.Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
WO2019158960A1 (en)2018-02-142019-08-22Asm Ip Holding B.V.A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en)2018-02-152020-08-04Asm Ip Holding B.V.Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko)2018-02-202024-02-13에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en)2018-02-232021-04-13Asm Ip Holding B.V.Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en)2018-03-012022-10-18Asm Ip Holding B.V.Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en)2018-03-092023-04-18Asm Ip Holding B.V.Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en)2018-03-162021-09-07Asm Ip Holding B.V.Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko)2018-03-272024-03-11에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en)2018-03-292022-01-25Asm Ip Holding B.V.Substrate processing apparatus and method
KR102600229B1 (ko)2018-04-092023-11-10에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US12025484B2 (en)2018-05-082024-07-02Asm Ip Holding B.V.Thin film forming method
TWI811348B (zh)2018-05-082023-08-11荷蘭商Asm 智慧財產控股公司藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
US12272527B2 (en)2018-05-092025-04-08Asm Ip Holding B.V.Apparatus for use with hydrogen radicals and method of using same
KR102596988B1 (ko)2018-05-282023-10-31에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en)2018-06-042023-08-08Asm Ip Holding B.V.Gas distribution system and reactor system including same
TWI840362B (zh)2018-06-042024-05-01荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en)2018-06-082022-03-29Asm Ip Holding B.V.Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko)2018-06-212023-08-21에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 시스템
US10797133B2 (en)2018-06-212020-10-06Asm Ip Holding B.V.Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102854019B1 (ko)2018-06-272025-09-02에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 필름 및 구조체
TWI873894B (zh)2018-06-272025-02-21荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
US10612136B2 (en)2018-06-292020-04-07ASM IP Holding, B.V.Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10755922B2 (en)2018-07-032020-08-25Asm Ip Holding B.V.Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en)2018-07-032019-08-20Asm Ip Holding B.V.Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11430674B2 (en)2018-08-222022-08-30Asm Ip Holding B.V.Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en)2018-09-112021-06-01Asm Ip Holding B.V.Substrate processing apparatus and method
KR102707956B1 (ko)2018-09-112024-09-19에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.박막 증착 방법
CN110970344B (zh)2018-10-012024-10-25Asmip控股有限公司衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en)2018-10-032022-01-25Asm Ip Holding B.V.Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko)2018-10-082023-10-23에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102546322B1 (ko)2018-10-192023-06-21에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko)2018-10-192023-11-23에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US12378665B2 (en)2018-10-262025-08-05Asm Ip Holding B.V.High temperature coatings for a preclean and etch apparatus and related methods
US11087997B2 (en)2018-10-312021-08-10Asm Ip Holding B.V.Substrate processing apparatus for processing substrates
KR102748291B1 (ko)2018-11-022024-12-31에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en)2018-11-062023-02-07Asm Ip Holding B.V.Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US10818758B2 (en)2018-11-162020-10-27Asm Ip Holding B.V.Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en)2018-11-162020-11-24Asm Ip Holding B.V.Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US11217444B2 (en)2018-11-302022-01-04Asm Ip Holding B.V.Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko)2018-12-042024-02-13에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en)2018-12-132021-10-26Asm Ip Holding B.V.Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TWI874340B (zh)2018-12-142025-03-01荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TWI866480B (zh)2019-01-172024-12-11荷蘭商Asm Ip 私人控股有限公司藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR102727227B1 (ko)2019-01-222024-11-07에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 장치
CN111524788B (zh)2019-02-012023-11-24Asm Ip私人控股有限公司氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR102626263B1 (ko)2019-02-202024-01-16에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI838458B (zh)2019-02-202024-04-11荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司用於3d nand應用中之插塞填充沉積之設備及方法
TWI873122B (zh)2019-02-202025-02-21荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
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TWI842826B (zh)2019-02-222024-05-21荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司基材處理設備及處理基材之方法
US11742198B2 (en)2019-03-082023-08-29Asm Ip Holding B.V.Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR102782593B1 (ko)2019-03-082025-03-14에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR102858005B1 (ko)2019-03-082025-09-09에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
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US11289326B2 (en)2019-05-072022-03-29Asm Ip Holding B.V.Method for reforming amorphous carbon polymer film
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USD947913S1 (en)2019-05-172022-04-05Asm Ip Holding B.V.Susceptor shaft
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US11643724B2 (en)2019-07-182023-05-09Asm Ip Holding B.V.Method of forming structures using a neutral beam
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TWI839544B (zh)2019-07-192024-04-21荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
CN112309899A (zh)2019-07-302021-02-02Asm Ip私人控股有限公司基板处理设备
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US12169361B2 (en)2019-07-302024-12-17Asm Ip Holding B.V.Substrate processing apparatus and method
US11587814B2 (en)2019-07-312023-02-21Asm Ip Holding B.V.Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en)2019-07-312022-01-18Asm Ip Holding B.V.Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en)2019-07-312023-02-21Asm Ip Holding B.V.Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh)2019-08-052024-02-09Asm Ip私人控股有限公司用于化学源容器的液位传感器
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USD965524S1 (en)2019-08-192022-10-04Asm Ip Holding B.V.Susceptor support
USD965044S1 (en)2019-08-192022-09-27Asm Ip Holding B.V.Susceptor shaft
JP2021031769A (ja)2019-08-212021-03-01エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ.成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD940837S1 (en)2019-08-222022-01-11Asm Ip Holding B.V.Electrode
USD930782S1 (en)2019-08-222021-09-14Asm Ip Holding B.V.Gas distributor
USD949319S1 (en)2019-08-222022-04-19Asm Ip Holding B.V.Exhaust duct
US11286558B2 (en)2019-08-232022-03-29Asm Ip Holding B.V.Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
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US11562901B2 (en)2019-09-252023-01-24Asm Ip Holding B.V.Substrate processing method
CN112593212B (zh)2019-10-022023-12-22Asm Ip私人控股有限公司通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
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US12009241B2 (en)2019-10-142024-06-11Asm Ip Holding B.V.Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
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US11637014B2 (en)2019-10-172023-04-25Asm Ip Holding B.V.Methods for selective deposition of doped semiconductor material
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US11646205B2 (en)2019-10-292023-05-09Asm Ip Holding B.V.Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
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US11501968B2 (en)2019-11-152022-11-15Asm Ip Holding B.V.Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
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US11876356B2 (en)2020-03-112024-01-16Asm Ip Holding B.V.Lockout tagout assembly and system and method of using same
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US11996289B2 (en)2020-04-162024-05-28Asm Ip Holding B.V.Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
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