JP2023176957A - Anisotropic conductive sheet and method for manufacturing anisotropic conductive sheet - Google Patents

Abstract

Translated fromJapanese

【課題】半導体デバイス等の被検査物に加わる力を抑えつつ、貫通電極の剥離を起こさずに安定して検査を繰り返し行うことが可能な構成の異方性導電シートを提供することを目的とする。【解決手段】異方性導電シート１は、樹脂材料からなるシート状の絶縁層２と、絶縁層２を厚み方向に貫通した複数の貫通孔２ｃと、貫通孔２ｃに形成された金属薄膜からなる貫通電極３とを有し、貫通電極３は、複数の分割電極３１（または分割電極３２）が貫通孔２ｃの周方向に配されて構成される。【選択図】図１[Problem] The purpose of the present invention is to provide an anisotropic conductive sheet having a structure that allows stable repeated testing without peeling of through electrodes while suppressing the force applied to an object to be tested such as a semiconductor device. do. [Solution] An anisotropic conductive sheet 1 includes a sheet-like insulating layer 2 made of a resin material, a plurality of through holes 2c penetrating the insulating layer 2 in the thickness direction, and a metal thin film formed in the through holes 2c. The through electrode 3 includes a plurality of divided electrodes 31 (or divided electrodes 32) arranged in the circumferential direction of the through hole 2c. [Selection diagram] Figure 1

Description

Translated fromJapanese

本発明は、半導体デバイス等の被検査物に対する検査を繰り返し行うための異方性導電シート及び異方性導電シートの製造方法に関する。 The present invention relates to an anisotropic conductive sheet and a method for manufacturing an anisotropic conductive sheet for repeatedly testing objects to be inspected such as semiconductor devices.

従来、樹脂材料からなる基材シートに貫通孔を形成して中空構造にし、前記貫通孔に金属薄膜からなる貫通電極を形成する電気コネクタの製造方法が提案されている（特許文献１：特開２０２０－０２７８５９号公報、特許文献２：国際公開第２０１８／２１２２７７号）。 Conventionally, a method for manufacturing an electrical connector has been proposed in which a through hole is formed in a base sheet made of a resin material to form a hollow structure, and a through electrode made of a metal thin film is formed in the through hole (Patent Document 1: Japanese Patent Application Laid-Open No. 2020-027859, Patent Document 2: International Publication No. 2018/212277).

特開２０２０－０２７８５９号公報Japanese Patent Application Publication No. 2020-027859国際公開第２０１８／２１２２７７号International Publication No. 2018/212277

半導体デバイスは日進月歩で集積化されており、それら半導体デバイスに対応すべく、より狭ピッチの電極を有する異方性導電シートが求められている。しかしながら、従来技術において、絶縁層は樹脂材であり、貫通電極は金属薄膜であるため、両者は伸び率も硬さも異なる。そのため、繰り返し検査をすることで、貫通電極が絶縁層の伸縮に追随出来ずに亀裂が生じて導通が不安定になってしまう問題や、前記亀裂が拡大して貫通電極が絶縁層から剥がれて導通不良になってしまう問題や、剥がれて脱落した貫通電極の一部が半導体デバイスに付着してコンタミネーションになるなど品質上の問題がある。 Semiconductor devices are becoming increasingly integrated, and anisotropic conductive sheets having narrower pitch electrodes are required to accommodate these semiconductor devices. However, in the prior art, since the insulating layer is made of a resin material and the through electrode is a thin metal film, the elongation rate and hardness of the two are different. Therefore, repeated inspections can cause problems such as the through electrode not being able to follow the expansion and contraction of the insulating layer, resulting in cracks and unstable continuity, or the cracks expanding and the through electrode peeling off from the insulating layer. There are quality problems, such as poor conductivity and parts of the through electrodes that have peeled off and fallen off, adhering to the semiconductor device and causing contamination.

本発明は、上記事情に鑑みてなされ、半導体デバイス等の被検査物に加わる力を抑えつつ、貫通電極の剥離を起こさずに安定して検査を繰り返し行うことが可能な構成の異方性導電シートを提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and has an anisotropic conductive conductor having a structure that allows stable repeated inspection without peeling of the through electrode while suppressing the force applied to the object to be inspected such as a semiconductor device. The purpose is to provide sheets.

一実施形態として、以下に開示するような解決策により、前記課題を解決する。 In one embodiment, the above problem is solved by a solution as disclosed below.

本発明に係る異方性導電シートは、樹脂材料からなるシート状の絶縁層と、前記絶縁層を厚み方向に貫通した複数の貫通孔と、前記貫通孔に形成された金属薄膜からなる貫通電極とを有し、前記貫通電極は、複数の分割電極が前記貫通孔の周方向に配されて構成されることを特徴とする。 An anisotropic conductive sheet according to the present invention includes a sheet-like insulating layer made of a resin material, a plurality of through holes penetrating the insulating layer in the thickness direction, and a through electrode made of a metal thin film formed in the through holes. The through electrode is characterized in that a plurality of divided electrodes are arranged in a circumferential direction of the through hole.

この構成によれば、被検査物に加わる力を抑えることができるとともに、内部歪みが緩和されて絶縁層の伸縮に貫通電極が追随しやすくなる。よって、繰り返し検査をする場合においても貫通電極の剥離を起こさずに安定して検査を繰り返し行うことができる。 According to this configuration, the force applied to the object to be inspected can be suppressed, internal strain is relaxed, and the through electrode can easily follow the expansion and contraction of the insulating layer. Therefore, even in the case of repeated inspections, the inspections can be stably repeated without causing peeling of the through electrodes.

前記貫通孔それぞれにおける前記分割電極の数は２以上である。前記分割電極の数は９以下であることが好ましい。これにより、絶縁層が伸縮する際の分割電極への影響度合いをより低減することができるとともに、必要な密着強度を確保できる。前記分割電極の数は６以下であることがより好ましい。これにより、必要な導体面積を確保することが容易にできる。一例として、前記貫通孔の形状は、平面視で円形状、扇形状、半円形状、三角形状、四角形状、六角形状、多角形状等に設定される。 The number of the divided electrodes in each of the through holes is two or more. It is preferable that the number of the divided electrodes is 9 or less. Thereby, the degree of influence on the divided electrodes when the insulating layer expands and contracts can be further reduced, and the necessary adhesion strength can be ensured. More preferably, the number of divided electrodes is six or less. This makes it easy to secure the necessary conductor area. As an example, the shape of the through hole is set to a circular shape, a fan shape, a semicircular shape, a triangular shape, a quadrangular shape, a hexagonal shape, a polygonal shape, etc. in plan view.

前記絶縁層の厚みは０．０５ｍｍ以上であることが好ましい。これにより、被検査物を検査する際の押圧力を緩和することができる。前記絶縁層の厚みは２．００ｍｍ以下であることが好ましい、これにより、被検査物を導通させる際の抵抗値の変動を抑えることができる。前記絶縁層の厚みは０．１ｍｍ以上０．５ｍｍ以下であることがより好ましい。一例として、前記樹脂材料はゴム弾性体からなる。これにより、伸縮性に富み、弾性復元力に優れた構成にできる。一例として、前記貫通孔の直径は０．００１ｍｍ以上０．０４０ｍｍ以下に設定される。 The thickness of the insulating layer is preferably 0.05 mm or more. Thereby, the pressing force when inspecting the object to be inspected can be alleviated. It is preferable that the thickness of the insulating layer is 2.00 mm or less. This makes it possible to suppress fluctuations in the resistance value when the test object is made conductive. The thickness of the insulating layer is more preferably 0.1 mm or more and 0.5 mm or less. As an example, the resin material is made of a rubber elastic body. This makes it possible to create a structure that is highly stretchable and has excellent elastic restoring force. As an example, the diameter of the through hole is set to 0.001 mm or more and 0.040 mm or less.

一例として、前記貫通電極における前記厚み方向の一端面と他端面とはそれぞれ前記絶縁層における前記厚みの０．８倍以下で突出している構成である。この構成により、被検査物を検査する際の貫通電極との導通をより確実にして接触抵抗を小さくすることができる。 As an example, one end surface and the other end surface of the through electrode in the thickness direction each protrude by 0.8 times or less the thickness of the insulating layer. With this configuration, conduction with the through electrode can be more ensured when inspecting an object to be inspected, and contact resistance can be reduced.

一例として、前記貫通孔に内向きの凸部が形成されており、前記分割電極は前記凸部にて区画されている構成である。この構成により、各分割電極と絶縁層との密着力をより向上させることができる。 As an example, an inward convex portion is formed in the through hole, and the divided electrodes are partitioned by the convex portion. With this configuration, the adhesion between each divided electrode and the insulating layer can be further improved.

本発明に係る異方性導電シートの製造方法は、樹脂材料からなるシート状の絶縁層と、前記絶縁層を厚み方向に貫通した複数の貫通孔と、前記貫通孔に形成された貫通電極とを有する異方性導電シートの製造方法であって、金属薄膜からなる複数の分割電極を前記貫通孔の周方向に配して前記貫通電極にすることを特徴とする。 The method for manufacturing an anisotropic conductive sheet according to the present invention includes: a sheet-like insulating layer made of a resin material; a plurality of through holes penetrating the insulating layer in the thickness direction; and a through electrode formed in the through hole. A method of manufacturing an anisotropic conductive sheet having the above method, characterized in that a plurality of divided electrodes made of a metal thin film are arranged in a circumferential direction of the through hole to form the through electrode.

この構成によれば、被検査物に加わる力を抑えることができるとともに、内部歪みが緩和されて絶縁層の伸縮に貫通電極が追随しやすくなる。よって、貫通電極の剥離を起こさずに安定して検査を繰り返し行うことができる。一例として、前記貫通電極を金属めっきにて形成する。 According to this configuration, the force applied to the object to be inspected can be suppressed, internal strain is relaxed, and the through electrode can easily follow the expansion and contraction of the insulating layer. Therefore, inspections can be performed repeatedly and stably without causing peeling of the through electrodes. As an example, the through electrode is formed by metal plating.

本発明によれば、半導体デバイス等の被検査物に加わる力を抑えつつ、貫通電極の剥離を起こさずに安定して検査を繰り返し行うことが可能な構成の異方性導電シートが実現できる。 According to the present invention, it is possible to realize an anisotropic conductive sheet having a structure that allows stable repeated testing without causing peeling of through electrodes while suppressing the force applied to an object to be tested such as a semiconductor device.

図１は本発明の実施形態に係る異方性導電シートの第１例を模式的に示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view schematically showing a first example of an anisotropic conductive sheet according to an embodiment of the present invention.図２Ａは第１例の異方性導電シートの要部を模式的に示す平面図であり、図２Ｂは図２ＡのＢ－Ｂ線断面図であり、図２Ｃは図２Ａの底面図である。FIG. 2A is a plan view schematically showing essential parts of the anisotropic conductive sheet of the first example, FIG. 2B is a sectional view taken along line BB in FIG. 2A, and FIG. 2C is a bottom view in FIG. 2A. .図３Ａは第２例の異方性導電シートの要部を模式的に示す平面図であり、図３Ｂは図３ＡのＢ－Ｂ線断面図であり、図３Ｃは図３Ａの底面図である。FIG. 3A is a plan view schematically showing the main parts of the anisotropic conductive sheet of the second example, FIG. 3B is a sectional view taken along the line BB in FIG. 3A, and FIG. 3C is a bottom view in FIG. 3A. .図４Ａは第３例の異方性導電シートの要部を模式的に示す平面図であり、図４Ｂは図４ＡのＢ－Ｂ線断面図であり、図４Ｃは図４Ａの底面図である。FIG. 4A is a plan view schematically showing the main parts of the anisotropic conductive sheet of the third example, FIG. 4B is a sectional view taken along the line BB of FIG. 4A, and FIG. 4C is a bottom view of FIG. 4A. .図５は本発明の実施形態に係る異方性導電シートの製造手順を示すフロー図である。FIG. 5 is a flow diagram showing the manufacturing procedure of an anisotropic conductive sheet according to an embodiment of the present invention.図６Ａは第１例の変形例の要部を模式的に示す平面図であり、図６Ｂは第２例の変形例の要部を模式的に示す平面図であり、図６Ｃは第３例の変形例の要部を模式的に示す平面図である。FIG. 6A is a plan view schematically showing a main part of a modification of the first example, FIG. 6B is a plan view schematically showing a main part of a modification of the second example, and FIG. 6C is a plan view schematically showing a main part of a modification of the second example. It is a top view which shows typically the principal part of the modification.図７は本発明の実施形態に係る異方性導電シートと半導体デバイスとの位置関係を模式的に示す側面図である。FIG. 7 is a side view schematically showing the positional relationship between an anisotropic conductive sheet and a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.

以下、図面を参照して、本発明の実施形態について詳しく説明する。本実施形態に係る異方性導電シート１は、半導体デバイスや半導体素子等の被検査物の電気特性検査に適用される。異方性導電シート１は、樹脂材料からなるシート状の絶縁層２と、絶縁層２を厚み方向に貫通した複数の貫通孔２ｃと、貫通孔２ｃに形成された金属薄膜からなる貫通電極３とを有する構成である。ここで、異方性導電シート１の各部の位置関係を説明し易くするため、図中にＸ，Ｙ，Ｚの矢印で向きを示している。異方性導電シート１は、いずれの向きにおいても使用できる。なお、実施形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する場合がある。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The anisotropicconductive sheet 1 according to this embodiment is applied to testing the electrical characteristics of objects to be tested such as semiconductor devices and semiconductor elements. The anisotropicconductive sheet 1 includes a sheet-like insulatinglayer 2 made of a resin material, a plurality of throughholes 2c that penetrate the insulatinglayer 2 in the thickness direction, and a throughelectrode 3 made of a metal thin film formed in the throughholes 2c. This is a configuration having the following. Here, in order to make it easier to explain the positional relationship of each part of the anisotropicconductive sheet 1, the directions are indicated by X, Y, and Z arrows in the figure. The anisotropicconductive sheet 1 can be used in any orientation. In addition, in all the figures for explaining the embodiment, members having the same function are given the same reference numerals, and repeated explanation thereof may be omitted.

絶縁層２を構成する樹脂材料は、ゴム弾性体からなる。前記樹脂材料としては、シリコーンゴム、フッ素ゴム、ウレタンゴム、アクリルゴム、イソプレンゴム、スチレン・ブタジエンゴム、ブタジエンゴム、ブチルゴム、エチレン・プロピレンゴム、エチレン・プロピレン・ジエンゴム、エチレン・酢ビゴム、クロロプレンゴム、クロロスルホン化ポリエチレンゴム、塩素化ポリエチレンゴム、エピクロルヒドリンゴム、チオコールゴム、天然ゴム、ニトリルゴム、その他既知のゴム弾性体が適用可能である。特に、シリコーンゴム、フッ素ゴム、ウレタンゴム、アクリルゴムは、耐薬品性に優れているので好ましい。 The resin material constituting the insulatinglayer 2 is made of a rubber elastic body. The resin materials include silicone rubber, fluorine rubber, urethane rubber, acrylic rubber, isoprene rubber, styrene-butadiene rubber, butadiene rubber, butyl rubber, ethylene-propylene rubber, ethylene-propylene-diene rubber, ethylene-vinyl acetate rubber, chloroprene rubber, Chlorosulfonated polyethylene rubber, chlorinated polyethylene rubber, epichlorohydrin rubber, thiol rubber, natural rubber, nitrile rubber, and other known rubber elastic bodies are applicable. In particular, silicone rubber, fluororubber, urethane rubber, and acrylic rubber are preferred because they have excellent chemical resistance.

一例として、絶縁層２の厚みは２．００ｍｍ以下であり、絶縁層２の厚み方向の圧縮弾性率は５Ｎ／ｍｍ²以下に設定され、絶縁層２の体積抵抗率は１０＾１２Ω・ｃｍ超に設定される。半導体デバイスや半導体素子等の被検査物４０を検査する際に、被検査物４０に加わる荷重は１０ｇｆ以下に設定される。As an example, the thickness of the insulatinglayer 2 is 2.00 mm or less, the compressive elastic modulus of the insulatinglayer 2 in the thickness direction is set to 5 N/mm² or less, and the volume resistivity of the insulatinglayer 2 is more than 10^12 Ω·cm. is set to When inspecting thetest object 40 such as a semiconductor device or a semiconductor element, the load applied to thetest object 40 is set to 10 gf or less.

貫通電極３は、良導電性の金属導体により形成されている。良導電性の金属導体としては、金、白金、銅、銅合金、ニッケル、ニッケル合金、その他既知の貴金属等を好適に採用することができる。貫通電極３が形成される貫通孔２ｃは、一例として、ピッチＰ１でＸ方向に５～５０個が配されており、ピッチＰ１でＹ方向に５～５０個が配されている。貫通孔２ｃはマトリクス配置されており、ピッチＰ１は、一例として０．００５ｍｍ以上０．０５ｍｍ以下である。貫通孔２ｃの形状は、平面視で円形状、扇形状、半円形状、三角形状、四角形状、六角形状、多角形状等に設定される。一例として、貫通孔２ｃの直径は０．００５ｍｍ以上０．０２５ｍｍ以下に設定される。ここで、貫通孔２ｃの形状や配置は、半導体デバイスや半導体素子等の被検査物４０の外部電極４１に、貫通電極３における複数の分割電極３１（または分割電極３２）のうちの２つ以上が接触可能な構成であればよく、上記構成に限定されない。なお、外部電極４１は、金属端子に限定されず、半田ボールの場合がある。 The throughelectrode 3 is formed of a highly conductive metal conductor. As the highly conductive metal conductor, gold, platinum, copper, copper alloy, nickel, nickel alloy, and other known noble metals can be suitably employed. For example, 5 to 50 throughholes 2c in which the throughelectrodes 3 are formed are arranged in the X direction at a pitch P1, and 5 to 50 throughholes 2c are arranged in the Y direction at a pitch P1. The throughholes 2c are arranged in a matrix, and the pitch P1 is, for example, 0.005 mm or more and 0.05 mm or less. The shape of the throughhole 2c is set to a circular shape, a fan shape, a semicircular shape, a triangular shape, a quadrangular shape, a hexagonal shape, a polygonal shape, etc. in plan view. As an example, the diameter of the throughhole 2c is set to 0.005 mm or more and 0.025 mm or less. Here, the shape and arrangement of the throughhole 2c are such that two or more of the plurality of divided electrodes 31 (or divided electrodes 32) in the throughelectrode 3 The structure is not limited to the above structure as long as it can be contacted. Note that theexternal electrode 41 is not limited to a metal terminal, but may be a solder ball.

続いて、第１例の異方性導電シート１Ａについて、以下に説明する。 Next, the first example of the anisotropicconductive sheet 1A will be described below.

[第１例]
図２Ａは第１例の異方性導電シート１Ａの要部を模式的に示す平面図であり、図２Ｂは図２ＡのＢ－Ｂ線断面図であり、図２Ｃは図２Ａの底面図である。異方性導電シート１Ａは、樹脂材料からなるシート状の絶縁層２と、絶縁層２を厚み方向に貫通した複数の円形状の貫通孔２ｃと、貫通孔２ｃに形成された金属薄膜からなる貫通電極３とを有し、貫通孔２ｃの周方向に合計３つの分割電極３１が等間隔で配されて貫通電極３が構成される。分割電極３１は、貫通孔２ｃの厚み方向の中心線Ｐ３に対して回転対称となる位置に配される。各分割電極３１は平面視で円弧状である。ここで、分割電極３１の数は、２～９の範囲内で増減可能である。図６Ａは、第１例の変形例の要部を模式的に示す平面図であり、この例では、円形状の貫通孔２ｃの周方向に合計２つの円弧状の分割電極３１が配されて貫通電極３が構成される。[First example]
FIG. 2A is a plan view schematically showing a main part of the anisotropicconductive sheet 1A of the first example, FIG. 2B is a sectional view taken along the line BB in FIG. 2A, and FIG. 2C is a bottom view in FIG. 2A. be. The anisotropicconductive sheet 1A includes a sheet-like insulatinglayer 2 made of a resin material, a plurality of circular throughholes 2c penetrating the insulatinglayer 2 in the thickness direction, and a metal thin film formed in the throughholes 2c. A total of three dividedelectrodes 31 are arranged at equal intervals in the circumferential direction of the throughhole 2c, and the throughelectrode 3 is configured. The dividedelectrodes 31 are arranged at positions that are rotationally symmetrical with respect to the center line P3 in the thickness direction of the throughhole 2c. Each dividedelectrode 31 has an arc shape in plan view. Here, the number of dividedelectrodes 31 can be increased or decreased within the range of 2 to 9. FIG. 6A is a plan view schematically showing a main part of a modification of the first example, and in this example, a total of two arc-shaped dividedelectrodes 31 are arranged in the circumferential direction of the circular through-hole 2c. A throughelectrode 3 is configured.

図２Ｂの例では、貫通電極３における厚み方向のサイズＴ２は、絶縁層２における厚み方向のサイズＴ２よりも大きい値に設定される。貫通電極３における前記厚み方向の一端面と他端面とはそれぞれ絶縁層２における前記厚みの０．８倍以下で突出している。 In the example of FIG. 2B, the size T2 of the throughelectrode 3 in the thickness direction is set to a larger value than the size T2 of the insulatinglayer 2 in the thickness direction. One end surface and the other end surface of the throughelectrode 3 in the thickness direction each protrude by 0.8 times or less the thickness of the insulatinglayer 2.

図７は、異方性導電シート１Ａと半導体デバイスなどの被検査物４０との位置関係を模式的に示す側面図であり、部分拡大図である。一例として、被検査物４０はチップ型ＩＣであり、複数の外部電極４１を有する。ここで、貫通電極３のピッチＰ１は、外部電極４１のピッチＰ２よりも小さい値に設定される。一例として、ピッチＰ１は、ピッチＰ２の１／３以下に設定される。これにより、半導体デバイスや半導体素子等の被検査物４０の外部電極４１に、貫通電極３における複数の分割電極３１のうちの２つ以上が接触可能な構成にできるので、マルチコンタクトとなって、貫通電極３と外部電極４１との位置合わせの自由度が高くなる。 FIG. 7 is a side view schematically showing the positional relationship between the anisotropicconductive sheet 1A and an object to be inspected 40 such as a semiconductor device, and is a partially enlarged view. As an example, thetest object 40 is a chip-type IC, and has a plurality ofexternal electrodes 41. Here, the pitch P1 of the throughelectrodes 3 is set to a smaller value than the pitch P2 of theexternal electrodes 41. As an example, the pitch P1 is set to 1/3 or less of the pitch P2. As a result, a configuration can be created in which two or more of the plurality of dividedelectrodes 31 in the throughelectrode 3 can contact theexternal electrode 41 of the object to be inspected 40 such as a semiconductor device or a semiconductor element, so that a multi-contact is formed. The degree of freedom in positioning the throughelectrode 3 and theexternal electrode 41 is increased.

本実施形態によれば、被検査物４０における外部電極４１のピッチやサイズ等のバリエーションに容易に対応可能な構成の異方性導電シート１Ａにできる。そして、半導体デバイスや半導体素子等の被検査物４０に加わる力を抑えつつ均等に分散することができる。尚且つ、内部歪みが緩和されて絶縁層２の伸縮に貫通電極３が追随しやすくなる。よって、貫通電極３の剥離を起こさずに安定して検査を繰り返し行うことができる。 According to this embodiment, the anisotropicconductive sheet 1A can be configured to easily accommodate variations in the pitch, size, etc. of theexternal electrodes 41 in theobject 40 to be inspected. The force applied to theobject 40 to be inspected, such as a semiconductor device or a semiconductor element, can be suppressed and evenly distributed. In addition, the internal strain is relaxed, and the throughelectrode 3 can easily follow the expansion and contraction of the insulatinglayer 2. Therefore, inspections can be repeatedly performed stably without causing peeling of the throughelectrodes 3.

図５は本実施形態に係る異方性導電シート１の製造手順を示すフロー図である。続いて、本実施形態の製造方法について、フロー図に沿って以下に説明する。 FIG. 5 is a flow diagram showing the manufacturing procedure of the anisotropicconductive sheet 1 according to this embodiment. Next, the manufacturing method of this embodiment will be described below along with a flowchart.

金属製で丸針状の芯材をピッチＰ１で配列した基台を準備する。前記芯材は外周方向に等間隔で、金属薄膜の膜厚と同じか浅い溝もしくはケガキが形成されている。ステップＳ１は、前記芯材に金または白金もしくは銅からなる金属めっきを施して貫通電極３を前記芯材の外周に形成する。 A base is prepared in which circular needle-shaped core materials made of metal are arranged at a pitch P1. The core material has grooves or markings formed at equal intervals in the outer circumferential direction and having a thickness equal to or shallower than the metal thin film. In step S1, the core material is plated with a metal made of gold, platinum, or copper to form the throughelectrode 3 on the outer periphery of the core material.

ステップＳ１に続いてステップＳ２にて、一例として、液状のシリコーン樹脂またはフッ素樹脂またはウレタン樹脂を前記基台が配された型枠に注型し、樹脂硬化させて、絶縁層２を形成する。 Following step S1, in step S2, for example, a liquid silicone resin, fluororesin, or urethane resin is poured into the mold in which the base is placed, and the resin is cured to form the insulatinglayer 2.

ステップＳ２に続いてステップＳ３にて、エッチャントにて前記芯材を溶かして不要領域を除去する。例えば、前記芯材が鉄またはアルミニウムであり、前記金属めっきが金または白金である場合、フッ化水素（ＨＦ）をエッチャントにすることができる。エッチャントは、所望のエッチャント濃度で水または水溶液に溶解したエッチング液の状態でノズルから吐出される。前記不要領域を除去した後、エッチング液は水などで洗い流される。このようにして、異方性導電シート１を製造する。 Following step S2, in step S3, the core material is melted with an etchant to remove unnecessary areas. For example, when the core material is iron or aluminum and the metal plating is gold or platinum, hydrogen fluoride (HF) can be used as the etchant. The etchant is discharged from the nozzle in the form of an etchant dissolved in water or an aqueous solution at a desired etchant concentration. After removing the unnecessary area, the etching solution is washed away with water or the like. In this way, the anisotropicconductive sheet 1 is manufactured.

この構成によれば、貫通孔２ｃの周方向に複数の分割電極３１を等間隔で配して貫通電極３を形成するので、半導体デバイス等の被検査物４０に加わる力を抑えつつ均等に分散することができる。尚且つ、内部歪みが緩和されて絶縁層２の伸縮に貫通電極３が追随しやすくなる。また、ナノメートルサイズの貫通電極３を再現性良く製造することができる。 According to this configuration, the plurality of dividedelectrodes 31 are arranged at equal intervals in the circumferential direction of the throughhole 2c to form the throughelectrode 3, so that the force applied to theobject 40 such as a semiconductor device is suppressed and evenly distributed. can do. In addition, the internal strain is relaxed, and the throughelectrode 3 can easily follow the expansion and contraction of the insulatinglayer 2. Furthermore, nanometer-sized throughelectrodes 3 can be manufactured with good reproducibility.

続いて、第２例の異方性導電シート１Ｂについて、以下に説明する。 Next, a second example of the anisotropicconductive sheet 1B will be described below.

[第２例]
図３Ａは第２例の異方性導電シート１Ｂの要部を模式的に示す平面図であり、図３Ｂは図３ＡのＢ－Ｂ線断面図であり、図３Ｃは図３Ａの底面図である。異方性導電シート１Ｂは、樹脂材料からなるシート状の絶縁層２と、絶縁層２を厚み方向に貫通した複数の四角形状の貫通孔２ｃと、貫通孔２ｃに形成された金属薄膜からなる貫通電極３とを有し、貫通孔２ｃの各辺に合計４つの分割電極３２が周方向に等間隔で配されて貫通電極３が構成される。分割電極３２は、貫通孔２ｃの厚み方向の中心線Ｐ３に対して回転対称となる位置に配される。各分割電極３２は平面視で線状である。ここで、分割電極３２の数は、２～９の範囲内で増減可能である。図６Ｂは、第２例の変形例の要部を模式的に示す平面図であり、この例では、六角形状の貫通孔２ｃの周方向に合計６つの線状の分割電極３２が配されて貫通電極３が構成される。[Second example]
3A is a plan view schematically showing the main parts of the anisotropicconductive sheet 1B of the second example, FIG. 3B is a sectional view taken along the line BB in FIG. 3A, and FIG. 3C is a bottom view in FIG. 3A. be. The anisotropicconductive sheet 1B consists of a sheet-shaped insulatinglayer 2 made of a resin material, a plurality of square-shaped throughholes 2c penetrating the insulatinglayer 2 in the thickness direction, and a metal thin film formed in the throughholes 2c. A total of four dividedelectrodes 32 are arranged at equal intervals in the circumferential direction on each side of the throughhole 2c, and the throughelectrode 3 is configured. The dividedelectrodes 32 are arranged at positions that are rotationally symmetrical with respect to the center line P3 in the thickness direction of the throughhole 2c. Each dividedelectrode 32 is linear in plan view. Here, the number of dividedelectrodes 32 can be increased or decreased within the range of 2 to 9. FIG. 6B is a plan view schematically showing a main part of a modification of the second example, and in this example, a total of six linearsegmented electrodes 32 are arranged in the circumferential direction of the hexagonal throughhole 2c. A throughelectrode 3 is configured.

図３Ｂの例では、貫通電極３における厚み方向のサイズＴ２は、絶縁層２における厚み方向のサイズＴ２よりも大きい値に設定される。貫通電極３における前記厚み方向の一端面と他端面とはそれぞれ絶縁層２における前記厚みの０．８倍以下で突出している。 In the example of FIG. 3B, the size T2 of the throughelectrode 3 in the thickness direction is set to a larger value than the size T2 of the insulatinglayer 2 in the thickness direction. One end surface and the other end surface of the throughelectrode 3 in the thickness direction each protrude by 0.8 times or less the thickness of the insulatinglayer 2.

第２例の構成は、金属製で角針状の芯材をピッチＰ１で配列した基台を準備して、前記芯材は外周方向に等間隔で、金属薄膜の膜厚と同じか浅い溝もしくはケガキを形成することで、第１例と同じように製造できる。貫通孔２ｃは、四角形状や六角形状に限定されず、五角形状や八角形状などにすることもできる。 The configuration of the second example is to prepare a base in which square needle-shaped core materials made of metal are arranged at a pitch P1, and the core materials have grooves at equal intervals in the outer circumferential direction and as shallow as or equal to the thickness of the metal thin film. Alternatively, it can be manufactured in the same manner as the first example by forming markings. The throughhole 2c is not limited to a square shape or a hexagonal shape, but can also be a pentagonal shape, an octagonal shape, or the like.

続いて、第３例の異方性導電シート１Ｃについて、以下に説明する。 Next, a third example of the anisotropicconductive sheet 1C will be described below.

[第３例]
図４Ａは第３例の異方性導電シート１Ｃの要部を模式的に示す平面図であり、図４Ｂは図４ＡのＢ－Ｂ線断面図であり、図４Ｃは図４Ａの底面図である。異方性導電シート１Ｃは、樹脂材料からなるシート状の絶縁層２と、絶縁層２を厚み方向に貫通した複数の略円形状の貫通孔２ｃと、貫通孔２ｃに形成された金属薄膜からなる貫通電極３とを有し、貫通孔２ｃの周方向に合計３つの分割電極３１が等間隔で配されて貫通電極３が構成される。そして、貫通孔２ｃの内壁に前記樹脂材料からなる凸部２ｄが形成されており、各分割電極３１は凸部２ｄにて区画されている。分割電極３１は、貫通孔２ｃの厚み方向の中心線Ｐ３に対して回転対称となる位置に配される。各分割電極３１は平面視で円弧状である。ここで、分割電極３１の数は、２～９の範囲内で増減可能である。図６Ｃは、第３例の変形例の要部を模式的に示す平面図であり、この例では、円形状の貫通孔２ｃの周方向に合計４つの円弧状の分割電極３１が配されて貫通電極３が構成される。[3rd example]
FIG. 4A is a plan view schematically showing main parts of an anisotropicconductive sheet 1C of the third example, FIG. 4B is a sectional view taken along the line BB in FIG. 4A, and FIG. 4C is a bottom view in FIG. 4A. be. The anisotropicconductive sheet 1C includes a sheet-like insulatinglayer 2 made of a resin material, a plurality of substantially circular throughholes 2c that penetrate the insulatinglayer 2 in the thickness direction, and a metal thin film formed in the throughholes 2c. A total of three dividedelectrodes 31 are arranged at equal intervals in the circumferential direction of the throughhole 2c to constitute the throughelectrode 3. Aconvex portion 2d made of the resin material is formed on the inner wall of the throughhole 2c, and each dividedelectrode 31 is divided by theconvex portion 2d. The dividedelectrodes 31 are arranged at positions that are rotationally symmetrical with respect to the center line P3 in the thickness direction of the throughhole 2c. Each dividedelectrode 31 has an arc shape in plan view. Here, the number of dividedelectrodes 31 can be increased or decreased within the range of 2 to 9. FIG. 6C is a plan view schematically showing a main part of a modification of the third example, and in this example, a total of four arc-shaped dividedelectrodes 31 are arranged in the circumferential direction of the circular through-hole 2c. A throughelectrode 3 is configured.

図４Ｂの例では、貫通電極３における厚み方向のサイズＴ２は、絶縁層２における厚み方向のサイズＴ２よりも大きい値に設定される。貫通電極３における前記厚み方向の一端面と他端面とはそれぞれ絶縁層２における前記厚みの０．８倍以下で突出している。 In the example of FIG. 4B, the size T2 of the throughelectrode 3 in the thickness direction is set to a larger value than the size T2 of the insulatinglayer 2 in the thickness direction. One end surface and the other end surface of the throughelectrode 3 in the thickness direction each protrude by 0.8 times or less the thickness of the insulatinglayer 2.

第３例の構成は、金属製で丸針状の芯材をピッチＰ１で配列した基台を準備して、前記芯材は外周方向に等間隔で、金属薄膜の膜厚よりも深い溝もしくはスリットを形成することで、第１例と同じように製造できる。前記溝の深さは凸部２ｄの突出量に対応している。凸部２ｄによって、各分割電極３１と絶縁層２との密着力をより向上させることができる。第３例の構成を第２例に適用して、第２例の構成に凸部２ｄを設けることも可能である。 The configuration of the third example is to prepare a base in which circular needle-shaped core materials made of metal are arranged at a pitch P1, and the core materials are arranged in grooves or grooves deeper than the thickness of the metal thin film at equal intervals in the outer circumferential direction. By forming slits, it can be manufactured in the same manner as the first example. The depth of the groove corresponds to the amount of protrusion of theprotrusion 2d. Theconvex portions 2d can further improve the adhesion between each dividedelectrode 31 and the insulatinglayer 2. It is also possible to apply the configuration of the third example to the second example and provide theconvex portion 2d in the configuration of the second example.

本発明は、以上説明した実施例に限定されることなく、本発明を逸脱しない範囲において種々変更が可能である。 The present invention is not limited to the embodiments described above, and various modifications can be made without departing from the scope of the present invention.

１、１Ａ、１Ｂ、１Ｃ 異方性導電シート
２ 絶縁層、２ｃ 貫通孔、２ｄ 凸部
３ 貫通電極
３１ 分割電極
３２ 分割電極
４０ 被検査物（半導体デバイス）
４１ 外部電極1, 1A, 1B, 1C Anisotropicconductive sheet 2 Insulating layer, 2c Through hole,2d Convex portion 3 Throughelectrode 31 Dividedelectrode 32 Dividedelectrode 40 Test object (semiconductor device)
41 External electrode

Claims (6)

Translated fromJapanese

樹脂材料からなるシート状の絶縁層と、前記絶縁層を厚み方向に貫通した複数の貫通孔と、前記貫通孔に形成された金属薄膜からなる貫通電極とを有し、前記貫通電極は、複数の分割電極が前記貫通孔の周方向に配されて構成されること
を特徴とする異方性導電シート。It has a sheet-like insulating layer made of a resin material, a plurality of through holes penetrating the insulating layer in the thickness direction, and a through electrode made of a metal thin film formed in the through hole, and the through electrode has a plurality of through holes. An anisotropic conductive sheet characterized in that divided electrodes are arranged in the circumferential direction of the through hole. 前記貫通孔それぞれにおける前記分割電極の数は２以上９以下であること
を特徴とする請求項１に記載の異方性導電シート。The anisotropic conductive sheet according to claim 1, wherein the number of the divided electrodes in each of the through holes is 2 or more and 9 or less. 前記絶縁層の厚みは０．０５～２．００ｍｍであること
を特徴とする請求項１または２に記載の異方性導電シート。The anisotropic conductive sheet according to claim 1 or 2, wherein the thickness of the insulating layer is 0.05 to 2.00 mm. 前記貫通電極における前記厚み方向の一端面と他端面とはそれぞれ前記絶縁層の厚みの０．８倍以下で突出していること
を特徴とする請求項３に記載の異方性導電シート。4. The anisotropic conductive sheet according to claim 3, wherein one end surface and the other end surface of the through electrode in the thickness direction each protrude by 0.8 times or less the thickness of the insulating layer. 前記貫通孔に内向きの凸部が形成されており、前記分割電極は前記凸部にて区画されていること
を特徴とする請求項１または２に記載の異方性導電シート。3. The anisotropic conductive sheet according to claim 1, wherein an inward convex portion is formed in the through hole, and the divided electrodes are partitioned by the convex portion. 樹脂材料からなるシート状の絶縁層と、前記絶縁層を厚み方向に貫通した複数の貫通孔と、前記貫通孔に形成された貫通電極とを有する異方性導電シートの製造方法であって、金属薄膜からなる複数の分割電極を前記貫通孔の周方向に配して前記貫通電極にすること
を特徴とする異方性導電シートの製造方法。A method for producing an anisotropic conductive sheet having a sheet-like insulating layer made of a resin material, a plurality of through holes penetrating the insulating layer in the thickness direction, and a through electrode formed in the through holes, the method comprising: A method for manufacturing an anisotropic conductive sheet, characterized in that a plurality of divided electrodes made of thin metal films are arranged in the circumferential direction of the through hole to form the through electrode.

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