JP2022140627A - 発光装置 - Google Patents

Abstract

【課題】可搬性に優れた発光装置を提供する。一覧性に優れた発光装置を提供する。
【解決手段】第１の方向に帯状の可撓性の高い領域と帯状の可撓性の低い領域とを交互に
有する発光装置であり、可撓性の高い領域は、可撓性を有する発光パネルを有し、可撓性
の低い領域は、発光パネルに比べて可撓性の低い支持パネルと、発光パネルと、を重ねて
有する発光装置である。発光パネルは、外部接続電極を含み、外部接続電極と重なる可撓
性の低い領域Ａの第１の方向の長さが、領域Ａに最も近い可撓性の低い領域Ｂの第１の方
向の長さよりも長いことが好ましい。
【選択図】図１

Description

本発明は、発光装置、表示装置、電子機器、照明装置、又はそれらの作製方法に関する。
特に、エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ、以下ＥＬ
とも記す）現象を利用した発光装置、表示装置、電子機器、照明装置、又はそれらの作製
方法に関する。

近年、発光装置や表示装置は様々な用途への応用が期待されており、多様化が求められて
いる。

例えば、携帯機器用途等の発光装置や表示装置では、薄型であること、軽量であること、
又は破損しにくいこと等が求められている。

ＥＬ現象を利用した発光素子（ＥＬ素子とも記す）は、薄型軽量化が容易である、入力信
号に対し高速に応答可能である、直流低電圧電源を用いて駆動可能である等の特徴を有し
、発光装置や表示装置への応用が検討されている。

例えば、特許文献１に、フィルム基板上に、スイッチング素子であるトランジスタや有機
ＥＬ素子を備えたフレキシブルなアクティブマトリクス型の発光装置が開示されている。

特開２００３－１７４１５３号公報

例えば、可搬性を高めるために表示装置を小型化することで表示領域が狭くなると、一度
に表示できる情報量が減少し、一覧性が低下する。

本発明の一態様は、可搬性に優れた発光装置、表示装置、電子機器、もしくは照明装置を
提供することを目的の一とする。または、本発明の一態様は、一覧性に優れた発光装置、
表示装置、もしくは電子機器を提供することを目的の一とする。本発明の一態様は、可搬
性及び一覧性に優れた発光装置、表示装置、もしくは電子機器を提供することを目的の一
とする。

本発明の一態様は、新規な発光装置、表示装置、電子機器、もしくは照明装置を提供する
ことを目的の一とする。または、本発明の一態様は、軽量な発光装置、表示装置、電子機
器、もしくは照明装置を提供することを目的の一とする。または、本発明の一態様は、信
頼性が高い発光装置、表示装置、電子機器、もしくは照明装置を提供することを目的の一
とする。または、本発明の一態様は、破損しにくい発光装置、表示装置、電子機器、もし
くは照明装置を提供することを目的の一とする。または、本発明の一態様は、厚さが薄い
発光装置、表示装置、電子機器、もしくは照明装置を提供することを目的の一とする。ま
たは、本発明の一態様は、可撓性を有する発光装置、表示装置、電子機器、もしくは照明
装置を提供することを目的の一とする。または、本発明の一態様は、継ぎ目のない広い発
光領域を有する発光装置もしくは照明装置、又は継ぎ目のない広い表示領域を有する表示
装置もしくは電子機器を提供することを目的の一とする。または、本発明の一態様は、消
費電力が低い発光装置、表示装置、電子機器、もしくは照明装置を提供することを目的の
一とする。

なお、本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。

本発明の一態様の発光装置は、帯状の可撓性の高い領域と帯状の可撓性の低い領域とを交
互に有する。該発光装置は、可撓性の高い領域で曲げることで、折りたたむことができる
。本発明の一態様の発光装置は、折りたたんだ状態では可搬性に優れ、展開した状態では
、継ぎ目のない広い発光領域により一覧性に優れる。本発明の一態様を適用することで、
発光領域又は表示領域の広さを減らすことなく、装置の可搬性を高めることができる。

具体的には、本発明の一態様は、可撓性を有する発光パネルと、該発光パネルを支持し、
互いに離間する複数の支持パネルと、を有し、該支持パネルは、該発光パネルに比べて可
撓性が低い発光装置である。

また、本発明の一態様は、第１の方向に帯状の可撓性の高い領域と帯状の可撓性の低い領
域とを交互に有する発光装置であり、可撓性の高い領域は、可撓性を有する発光パネルを
有し、可撓性の低い領域は、発光パネルに比べて可撓性の低い支持パネルと、発光パネル
と、を重ねて有する発光装置である。

上記構成の発光装置において、支持パネルに比べて可撓性の高い保護層を有し、可撓性の
高い領域及び可撓性の低い領域は、発光パネルと、保護層と、を重ねて有することが好ま
しい。

また、本発明の一態様は、第１の方向に帯状の可撓性の高い領域と帯状の可撓性の低い領
域とを交互に有する発光装置であり、可撓性の高い領域は、可撓性を有する発光パネルを
有し、可撓性の低い領域は、発光パネルに比べて可撓性が低い支持パネルと、支持パネル
の間の発光パネルと、を有する発光装置である。

上記構成の発光装置において、一対の保護層を有し、保護層は、支持パネルに比べて可撓
性が高く、可撓性の低い領域では、一対の保護層が支持パネルの間に位置し、発光パネル
が一対の保護層の間に位置することが好ましい。

また、本発明の一態様は、第１の方向に帯状の可撓性の高い領域と帯状の可撓性の低い領
域とを交互に有する発光装置であり、可撓性の高い領域は、可撓性を有する発光パネルを
有し、可撓性の低い領域は、一対の支持パネルと、一対の支持パネルの間の発光パネルと
を有し、支持パネルは、発光パネルに比べて可撓性が低い発光装置である。

上記構成の発光装置において、一対の保護層を有し、保護層は、支持パネルに比べて可撓
性が高く、可撓性の低い領域では、一対の保護層が一対の支持パネルの間に位置し、発光
パネルが一対の保護層の間に位置することが好ましい。

また、上記各構成の発光装置において、連続する２つの可撓性の高い領域の一方を内曲げ
し、他方を外曲げしたとき、一方の可撓性の高い領域内における発光パネルの曲率半径を
半径とする円と、他方の可撓性の高い領域内における発光パネルの曲率半径を半径とする
円とは、当該発光装置を支持する平面に平行に移動することで重なることが好ましい。

なお、本明細書中では、発光パネルの発光面が内側になるように曲げる場合を「内曲げ」
、発光パネルの発光面が外側になるように曲げる場合を「外曲げ」と記す。また、発光パ
ネルや発光装置における発光面とは、発光素子からの光が取り出される面を指す。

また、上記構成の発光装置において、複数の可撓性の高い領域で内曲げと外曲げを交互に
繰り返したとき、発光パネルの当該発光装置を支持する平面に最も近い面と最も遠い面と
の間の最短距離Ｌが、複数の可撓性の高い領域内における発光パネルの曲率半径の和Ｄと
、発光パネルの厚さＴとを用いて、Ｌ＜２（Ｄ＋Ｔ）で表されることが好ましい。

また、上記各構成の発光装置において、発光パネルは、外部接続電極を含み、外部接続電
極と重なる可撓性の低い領域Ａの第１の方向の長さが、領域Ａに最も近い可撓性の低い領
域Ｂの第１の方向の長さよりも長いことが好ましい。

また、上記各発光装置において、領域Ａ、領域Ｂ、及び領域Ａに最も遠い可撓性の低い領
域Ｃのうち、第１の方向の長さが最も長い領域は領域Ａであり、次に長い領域は領域Ｃで
あることが好ましい。

上記各発光装置において、複数の可撓性の低い領域のうち、第１の方向の長さが最も長い
領域は、領域Ａであることが好ましい。

また、上記各構成の発光装置を用いた電子機器や照明装置も本発明の一態様である。また
、上記各構成の発光装置自体が電子機器や照明装置として機能する場合もある。

なお、本明細書中における発光装置とは、発光素子を用いた表示装置を含む。また、発光
素子にコネクター、例えば異方導電性フィルム、もしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉ
ｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）が取り付けられたモジュール、ＴＣＰの先にプリント配線板が設
けられたモジュール、又は発光素子にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式により
ＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含むものとする。さらに
、照明器具等に用いられる発光装置も含むものとする。

本発明の一態様では、可搬性に優れた発光装置、表示装置、電子機器、もしくは照明装置
を提供できる。本発明の一態様では、一覧性に優れた発光装置、表示装置、もしくは電子
機器を提供できる。本発明の一態様では、可搬性及び一覧性に優れた発光装置、表示装置
、もしくは電子機器を提供できる。

本発明の一態様では、新規な発光装置、表示装置、電子機器、もしくは照明装置を提供す
ることができる。または、本発明の一態様では、軽量な発光装置、表示装置、電子機器、
もしくは照明装置を提供することができる。または、本発明の一態様は、信頼性が高い発
光装置、表示装置、電子機器、もしくは照明装置を提供することができる。または、本発
明の一態様では、本発明の一態様は、破損しにくい発光装置、表示装置、電子機器、もし
くは照明装置を提供することができる。または、本発明の一態様では、厚さが薄い発光装
置、表示装置、電子機器、もしくは照明装置を提供することができる。または、本発明の
一態様では、可撓性を有する発光装置、表示装置、電子機器、もしくは照明装置を提供す
ることができる。または、本発明の一態様では、継ぎ目のない広い発光領域を有する発光
装置もしくは照明装置、又は継ぎ目のない広い表示領域を有する表示装置もしくは電子機
器を提供できる。または、本発明の一態様では、消費電力が低い発光装置、表示装置、電
子機器、もしくは照明装置を提供することができる。

発光装置を説明する図。発光装置を説明する図。発光装置を説明する図。発光装置を説明する図。発光装置を説明する図。発光装置を説明する図。発光パネルを説明する図。発光パネルを説明する図。発光パネルを説明する図。発光パネルを説明する図。発光パネルの作製方法を説明する図。発光パネルの作製方法を説明する図。発光パネルを説明する図。発光装置を説明する図。発光装置を説明する図。発光装置を説明する図。発光装置を説明する図。発光パネルを説明する図。発光装置を説明する図。発光装置を説明する図。発光装置を説明する図。発光装置を説明する図。

実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定さ
れず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し
得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の
記載内容に限定して解釈されるものではない。

なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同
一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様の
機能を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。

また、図面等において示す各構成の、位置、大きさ、範囲などは、理解の簡単のため、実
際の位置、大きさ、範囲などを表していない場合がある。このため、開示する発明は、必
ずしも、図面等に開示された位置、大きさ、範囲などに限定されない。

（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置について説明する。

本発明の一態様の発光装置は、帯状の可撓性の高い領域と帯状の可撓性の低い領域とを交
互に有する。該発光装置は、可撓性の高い領域で曲げることで、折りたたむことができる
。本発明の一態様の発光装置は、折りたたんだ状態では可搬性に優れ、展開した状態では
、継ぎ目のない広い発光領域により一覧性に優れる。

本発明の一態様の発光装置において、可撓性の高い領域は内曲げ、外曲げのいずれで折り
たたむこともできる。

本発明の一態様の発光装置を使用しない際に、発光パネルの発光面が内側になるように曲
げることで、発光面にキズや汚れがつくことを抑制できる。

本発明の一態様の発光装置を使用する際には、展開することで、継ぎ目のない広い発光領
域全体を用いてもよいし、発光パネルの発光面が外側になるように曲げることで、発光領
域の一部を用いてもよい。折りたたまれ、使用者にとって見えない発光領域を非発光領域
とすることで、発光装置の消費電力を抑制できる。

以下では、２つの帯状の可撓性の高い領域と３つの帯状の可撓性の低い領域とを有する、
３つ折りが可能な発光装置を例に挙げて説明する。

図１（Ａ）に展開した状態の発光装置を示す。図１（Ｂ）に展開した状態又は折りたたん
だ状態の一方から他方に変化する途中の状態の発光装置を示す。図１（Ｃ）に折りたたん
だ状態の発光装置を示す。図２は、発光装置の各構成を示す斜視図である。図３（Ａ）は
発光装置の発光面側の平面図であり、図３（Ｂ）は発光装置の発光面と対向する面側の平
面図である。図３（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｆ）は、それぞれ図３（Ａ）の発光装置を矢印の方
向から見た側面図の一例である。図３（Ｅ）は、図３（Ａ）における一点鎖線Ａ－Ｂ間の
断面図である。図４（Ａ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、図１（Ｃ）の発光装置を矢印の方向から
見た側面図の一例である。

また、図１４（Ａ）～（Ｃ）に、それぞれ図１（Ａ）～（Ｃ）の変形例を示す。図１４（
Ａ）に展開した状態の発光装置を示す。図１４（Ｂ）に展開した状態又は折りたたんだ状
態の一方から他方に変化する途中の状態の発光装置を示す。図１４（Ｃ）に折りたたんだ
状態の発光装置を示す。図１５は、発光装置の各構成を示す斜視図である。図１６（Ａ）
は発光装置の発光面側の平面図であり、図１６（Ｂ）は発光装置の発光面と対向する面側
の平面図である。図１６（Ｃ）、（Ｄ）は、それぞれ図１６（Ａ）の発光装置を矢印の方
向から見た側面図の一例である。図１６（Ｅ）は、図１６（Ａ）における一点鎖線Ａ－Ｂ
間の断面図である。図１６（Ｆ）は、図１６（Ｃ）等に示す発光装置の変形例である。

図１（Ａ）～（Ｃ）、図１４（Ａ）～（Ｃ）に示す発光装置は、可撓性を有する発光パネ
ル１１を有する。該発光装置は、さらに複数の支持パネル１５ａと複数の支持パネル１５
ｂを有する。各支持パネル１５ａ、１５ｂは、発光パネル１１に比べて可撓性が低い。複
数の支持パネル１５ａは互いに離間している。複数の支持パネル１５ｂは互いに離間して
いる。

図３（Ａ）に示すように、発光装置は、可撓性の高い領域Ｅ１及び可撓性の低い領域Ｅ２
を交互に有する。可撓性の高い領域と可撓性の低い領域はそれぞれ帯状（縞状）に形成さ
れる。本実施の形態では、複数の可撓性の高い領域や複数の可撓性の低い領域が互いに平
行である例を示すが、各領域は平行に配置されていなくてもよい。

発光装置における可撓性の高い領域Ｅ１は、少なくとも可撓性を有する発光パネルを有し
ていればよい。特に、有機ＥＬ素子を用いた発光パネルは、高い可撓性及び耐衝撃性に加
え、薄型軽量化が図れるため、好ましい。発光パネルの構成例については実施の形態２、
３にて詳述する。

発光装置における可撓性の低い領域Ｅ２は、少なくとも可撓性を有する発光パネルと、該
発光パネルに比べて可撓性の低い支持パネルとを重ねて有していればよい。

図１６（Ａ）に示すように、発光装置は、一方向に可撓性の高い領域及び可撓性の低い領
域を交互に有する。

図１６（Ａ）では、可撓性の低い領域における、可撓性の高い領域及び可撓性の低い領域
が並ぶ方向の長さを長さＷ１～長さＷ３で示す。

また、可撓性の低い領域には、発光パネルが有する外部接続電極を含むことが好ましい。
ここで、外部接続電極とは、例えば、図７（Ｂ）に示す導電層１５７等に相当する。

図１６（Ａ）では、長さＷ１の可撓性の低い領域に外部接続電極を含む。発光装置では、
外部接続電極と重なる可撓性の低い領域Ａの長さＷ１が、領域Ａに最も近い可撓性の低い
領域Ｂの長さＷ３よりも長い。

ここで、発光装置を折りたたんだ際に、発光パネル１１の端部（折り曲げた部分、折り曲
げた状態における端部、等ともいえる）が、支持パネル１５ａ、１５ｂの端部よりも外側
に位置すると、発光パネル１１が傷つく場合や、発光パネル１１に含まれる素子が破壊さ
れる場合がある。

一方、図１（Ｃ）に示す折りたたんだ状態の発光装置は、発光パネル１１の端部と該発光
パネル１１の上下に位置する支持パネル１５ａ、１５ｂの端部が揃っている。これにより
、発光パネル１１が傷つくこと、発光パネル１１に含まれる素子が破壊されること等を抑
制できる。

さらに、図１４（Ｃ）に示す折りたたんだ状態の発光装置は、発光パネル１１の端部が、
支持パネル１５ａ、１５ｂの端部よりも内側に位置する。これにより、さらに発光パネル
１１が傷つくこと、発光パネル１１に含まれる素子が破壊されること等を抑制できる。

以上のことから、発光装置では、外部接続電極と重なる可撓性の低い領域Ａの長さＷ１が
、領域Ａに最も近い可撓性の低い領域Ｂの長さＷ３よりも長いことが好ましい。特に、領
域Ａの長さＷ１、領域Ｂの長さＷ３、及び領域Ａに最も遠い可撓性の低い領域Ｃの長さＷ
２のうち、長さＷ１が最も長く、次に長さＷ２が長いことが好ましい。

支持パネルは、発光パネルの発光面側又は発光面と対向する面側の少なくとも一方に設け
られていればよい。

図３（Ｃ）又は図１６（Ｃ）に示す支持パネル１５ａ、１５ｂのように、発光パネルの発
光面側及び発光面と対向する面側の双方に支持パネルを有すると、一対の支持パネルによ
って発光パネルを挟持できるため、可撓性の低い領域の機械的強度を高め、発光装置がよ
り破損しにくくなり好ましい。

また、支持パネル１５ａ、１５ｂに替えて、図３（Ｄ）又は図１６（Ｄ）に示す支持パネ
ル１５を用いて、支持パネル１５の間に発光パネル１１を配置してもよい。

また、図１（Ａ）、図２、図３（Ｃ）等では、可撓性の低い領域Ｅ２において、保護層や
発光パネルの側面が露出する例を示したが、本発明の一態様はこれに限られない。図３（
Ｆ）に示すように、可撓性の低い領域Ｅ２において、保護層や発光パネルの側面が支持パ
ネル１５（又は一対の支持パネル１５ａ、１５ｂの一方もしくは両方）で覆われていても
よい。図２１に保護層や発光パネルの側面が、支持パネル１５ｂで覆われた発光装置の具
体的な構成を示す。図２１（Ａ）に、展開した状態の該発光装置を示す。また、図２１（
Ｂ）に展開した状態又は折りたたんだ状態の一方から他方に変化する途中の状態の該発光
装置を示す。また、図２１（Ｃ）に折りたたんだ状態の該発光装置を示す。また、図２２
は、該発光装置の各構成を示す斜視図である。

発光パネルの発光面側又は発光面と対向する面側のみに支持パネルを有すると、発光装置
をより薄型又はより軽量にすることができ好ましい。例えば、図１６（Ｆ）に示すように
、複数の支持パネル１５ａを用いず、複数の支持パネル１５ｂのみを有する発光装置とし
てもよい。

可撓性の高い領域Ｅ１及び可撓性の低い領域Ｅ２は、発光パネルと、支持パネルに比べて
可撓性の高い保護層と、を重ねて有することが好ましい。これにより、発光装置の可撓性
の高い領域Ｅ１が、可撓性を有し、かつ機械的強度の高い領域となり、発光装置をより破
損しにくくすることができる。したがって、可撓性の低い領域はもちろん、可撓性の高い
領域においても、発光装置が外力等による変形で壊れにくい構成にすることができる。

例えば、発光パネル、支持パネル、保護層のそれぞれの厚さは、支持パネルが最も厚く、
発光パネルが最も薄い構成が好ましい。または、例えば、発光パネル、支持パネル、保護
層のそれぞれの可撓性は、支持パネルの可撓性が最も低く、発光パネルの可撓性が最も高
い構成が好ましい。このような構成とすることで、可撓性の高い領域と可撓性の低い領域
の可撓性の差が大きくなる。確実に可撓性の高い領域で折り曲げができる構成とすること
で、可撓性の低い領域で曲げが生じることを抑制でき、発光装置の信頼性を高めることが
できる。また、意図しないところで発光装置が曲がることを抑制できる。

発光パネルの発光面側及び発光面と対向する面側の双方に保護層を有すると、一対の保護
層によって発光パネルを挟持できるため、発光装置の機械的強度を高め、発光装置がより
破損しにくくなり好ましい。

例えば、図３（Ｃ）又は図１６（Ｃ）に示すように、可撓性の低い領域Ｅ２では、一対の
保護層１３ａ、１３ｂが一対の支持パネル１５ａ、１５ｂの間に位置し、発光パネル（図
示しない）が一対の保護層１３ａ、１３ｂの間に位置することが好ましい。

または、図３（Ｄ）又は図１６（Ｄ）に示すように、可撓性の低い領域Ｅ２では、一対の
保護層１３ａ、１３ｂが支持パネル１５の間に位置し、発光パネル（図示しない）が一対
の保護層１３ａ、１３ｂの間に位置することが好ましい。

発光パネルの発光面側又は発光面と対向する面側のみに保護層を有すると、発光装置をよ
り薄型又はより軽量にすることができ好ましい。例えば、保護層１３ａを用いず、保護層
１３ｂのみを有する発光装置としてもよい。

また、発光パネルの発光面側の保護層１３ａが遮光膜であると、発光パネルの非発光領域
に外光が照射されることを抑制できる。これにより、非発光領域に含まれる駆動回路が有
するトランジスタ等の光劣化を抑制できるため好ましい。

図２、図３（Ｅ）、図１５又は図１６（Ｅ）に示すように、発光パネル１１の発光面側に
設けられた保護層１３ａの開口部は発光パネルの発光領域１１ａと重なる。発光領域１１
ａを枠状に囲う非発光領域１１ｂと保護層１３ａとが重なるように設けられている。発光
パネル１１の発光面と対向する面側に設けられた保護層１３ｂは、発光領域１１ａ及び非
発光領域１１ｂと重なっている。保護層１３ｂは、発光面と対向する面側により広い範囲
で、特に好ましくは該面全体に設けられることで、発光パネルをより保護することができ
、発光装置の信頼性を高めることができる。

本発明の一態様の発光装置において、複数の可撓性の高い領域で内曲げと外曲げを交互に
繰り返したとき、発光パネルの当該発光装置を支持する平面に最も近い面と最も遠い面と
の間の最短距離Ｌが、複数の可撓性の高い領域内における発光パネルの曲率半径の和Ｄと
、発光パネルの厚さＴとを用いて、Ｌ＜２（Ｄ＋Ｔ）で表されることが好ましい。これに
より、発光装置の薄型化を実現できる。

図４（Ａ）に示す発光装置は、１つの可撓性の高い領域を内曲げし、１つの可撓性の高い
領域を外曲げした状態である。図４（Ａ）における保護層１３ａと保護層１３ｂの境界に
発光パネルが位置するものとする。図４（Ａ）における直径Ｄ１、直径Ｄ２を詳細に説明
する図を図４（Ｂ）に示す。直径Ｄ１は、内曲げした可撓性の高い領域における発光パネ
ルの曲率半径を半径とする円の直径を示す。直径Ｄ２は、外曲げした可撓性の高い領域に
おける発光パネルの曲率半径を半径とする円の直径を示す。発光パネル１１の厚さを厚さ
Ｔとして示す。直径Ｄ１と直径Ｄ２の和が複数の可撓性の高い領域内における発光パネル
の曲率半径の和Ｄの２倍に相当するので、Ｌ＜２（Ｄ＋Ｔ）は、Ｌ＜Ｄ１＋Ｄ２＋２Ｔと
言い換えられる。ここで、図４（Ａ）における発光パネルの当該発光装置を支持する平面
に最も近い面と最も遠い面との間の最短距離Ｌ１は、Ｄ１＋Ｄ２＋３Ｔである。

支持パネル１５ａ、１５ｂの厚さや保護層１３ａ、１３ｂの厚さを薄くする、内曲げする
可撓性の高い領域と外曲げする可撓性の高い領域との間の可撓性の低い領域の幅を狭くす
る等により、図４（Ｃ）に示す発光パネルの当該発光装置を支持する平面に最も近い面と
最も遠い面との間の最短距離Ｌ２のように、Ｌ２＜Ｄ１＋Ｄ２＋３Ｔ、さらにはＬ２＜Ｄ
１＋Ｄ２＋２Ｔ、言い換えるとＬ２＜２（Ｄ＋Ｔ）を満たすことができる。

ここで、発光装置における、折り曲げによって重なった可撓性の低い領域のうち、外側に
位置する一対の領域は、発光装置を支持する平面と平行であることが好ましく、内側に位
置するその他の領域は該平面と平行でないことが好ましい。

本発明の一態様の発光装置において、連続する２つの可撓性の高い領域の一方を内曲げし
、他方を外曲げしたとき、一方の可撓性の高い領域内における発光パネルの曲率半径を半
径とする円と、他方の可撓性の高い領域内における発光パネルの曲率半径を半径とする円
とは、当該発光装置を支持する平面に平行に移動することで重なることが好ましい。これ
により、発光装置の薄型化を実現できる。

図４（Ｄ）に示すように直径Ｄ１の円と直径Ｄ２の円とは、当該発光装置を支持する平面
に平行に移動すること（ここでは紙面左右方向に移動することに相当）で重なる。内曲げ
した可撓性の高い領域における発光パネルの曲率半径と、外曲げした可撓性の高い領域に
おける発光パネルの曲率半径とが、該２つの円の半径に相当するため、図４（Ｄ）に示す
発光装置は、薄型化が実現されているといえる。

また、図４（Ｄ）に示す発光パネルの当該発光装置を支持する平面に最も近い面と最も遠
い面との間の最短距離Ｌ３は、Ｌ３＜Ｄ１＋Ｄ２＋３Ｔ、さらにはＬ３＜Ｄ１＋Ｄ２＋２
Ｔ、言い換えるとＬ３＜２（Ｄ＋Ｔ）を満たすことができる。なお、図４（Ｄ）では、保
護層１３ａ及び保護層１３ｂをまとめて保護層１３として示している。

保護層や支持パネルは、プラスチック、金属、合金、ゴム等を用いて形成できる。プラス
チックやゴム等を用いることで、軽量であり、破損しにくい保護層や支持パネルを得られ
るため、好ましい。例えば、保護層としてシリコーンゴム、支持パネルとしてステンレス
やアルミニウムを用いればよい。

また、保護層や支持パネルに、靱性が高い材料を用いることが好ましい。これにより、耐
衝撃性に優れ、破損しにくい発光装置を実現できる。例えば、有機樹脂や、厚さの薄い金
属材料や合金材料を用いることで、軽量であり、破損しにくい発光装置を実現できる。な
お、同様の理由により、発光パネルを構成する基板にも靱性が高い材料を用いることが好
ましい。

発光面側に位置する保護層や支持パネルは、発光パネルの発光領域と重ならない場合には
、透光性を問わない。発光面側に位置する保護層や支持パネルが、少なくとも一部の発光
領域と重なる場合は、発光パネルからの発光を透過する材料を用いることが好ましい。発
光面と対向する面側に位置する保護層や支持パネルの透光性は問わない。

保護層、支持パネル、発光パネルのいずれか２つを接着する場合には、各種接着剤を用い
ることができ、例えば、二液混合型の樹脂などの常温で硬化する樹脂、光硬化性の樹脂、
熱硬化性の樹脂などの樹脂を用いることができる。また、シート状の接着剤を用いてもよ
い。また、保護層、支持パネル、発光パネルのいずれか２つ以上を貫通するネジや、挟持
するピン、クリップ等を用いて、発光装置の各構成を固定してもよい。

本発明の一態様の発光装置は、１つの発光パネル（１つの発光領域）を、折り曲げられた
部分を境に２つ以上に分けて利用できる。例えば、折りたたむことで隠れた領域を非発光
とし、露出する領域のみが発光してもよい。これにより使用者が使用しない領域が消費す
る電力を削減することができる。

本発明の一態様の発光装置は、各可撓性の高い領域が折り曲げられているか否かを判断す
るためのセンサを有していてもよい。例えばスイッチ、ＭＥＭＳ圧力センサまたは圧力セ
ンサ等を用いて構成することができる。

以上では、可撓性の高い領域を２つ有する発光装置を例に説明したが、本発明はこれに限
られない。例えば、図５（Ａ）に示すように、少なくとも可撓性の高い領域Ｅ１を１つ有
していればよく、図５（Ｂ）又は図１７（Ａ）に示す可撓性の高い領域Ｅ１を３つ有する
４つ折りが可能な発光装置や、図５（Ｃ）又は図１７（Ｂ）に示す可撓性の高い領域Ｅ１
を４つ有する５つ折りが可能な発光装置もそれぞれ本発明の一態様である。

例えば、図１７（Ａ）に示す発光装置では、長さＷ１～長さＷ４のうち、長さＷ１が最も
長く、長さＷ２が次に長く、長さＷ３及び長さＷ４が最も短い。長さＷ３と長さＷ４は異
なる値であってもよい。

また、図１７（Ｂ）に示す発光装置では、長さＷ１～長さＷ５のうち、長さＷ１が最も長
く、長さＷ２が次に長く、長さＷ３、長さＷ４、及び長さＷ５が最も短い。長さＷ３、長
さＷ４、及び長さＷ５はそれぞれ異なる値であってもよい。

図６（Ａ）、（Ｂ）にそれぞれ図５（Ｃ）に示す発光装置を５つ折りにした状態の一例を
示す。

図６（Ａ）では、発光パネルの当該発光装置を支持する平面に最も近い面と最も遠い面と
の間の最短距離Ｌ４が、複数の可撓性の高い領域内における発光パネルの曲率半径の和Ｄ
と、発光パネルの厚さＴとを用いて、Ｌ４＝２Ｄ＋５Ｔで表される。なお、２Ｄ＝Ｄ１＋
Ｄ２＋Ｄ３＋Ｄ４である。

支持パネル１５ａ、１５ｂの厚さや保護層１３ａ、１３ｂの厚さを薄くする、内曲げする
可撓性の高い領域と外曲げする可撓性の高い領域との間の可撓性の低い領域の幅を狭くす
る等により、図６（Ｂ）に示す発光パネルの当該発光装置を支持する平面に最も近い面と
最も遠い面との間の最短距離Ｌ５が、複数の可撓性の高い領域内における発光パネルの曲
率半径の和Ｄと、発光パネルの厚さＴとを用いて、Ｌ５＜Ｄ１＋Ｄ２＋Ｄ３＋Ｄ４＋５Ｔ
、さらにはＬ５＜Ｄ１＋Ｄ２＋Ｄ３＋Ｄ４＋２Ｔ、言い換えるとＬ５＜２Ｄ＋２Ｔを満た
すことができる。

また、図６（Ｂ）に示す直径Ｄ１の円と直径Ｄ２の円とは、当該発光装置を支持する平面
に平行に移動すること（ここでは紙面左右方向に移動することに相当）で重なる。また、
直径Ｄ３の円と直径Ｄ４の円も、当該発光装置を支持する平面に平行に移動することで重
なる。直径Ｄ１の円の半径と直径Ｄ２の円の半径は、連続する２つの可撓性の高い領域の
一方を内曲げし、他方を外曲げしたときに、内曲げした可撓性の高い領域における発光パ
ネルの曲率半径と、外曲げした可撓性の高い領域における発光パネルの曲率半径とに相当
しているといえるため、図６（Ｂ）に示す発光装置も、薄型化が実現されているといえる
。また、直径Ｄ３の円の半径と直径Ｄ４の円の半径からも同様のことがいえる。

また、図６（Ｂ）に示すように、発光装置の最も外側に位置する一対の可撓性の低い領域
に比べて、その他の可撓性の低い領域の幅を狭くすることで、発光装置をより薄型にする
ことができる。

また、発光装置を折りたたむ際に、可撓性の高い領域は、必ずしも内曲げと外曲げを交互
に行う必要はなく、例えば、図５（Ｄ）に示すように、各可撓性の高い領域を内曲げして
もよい。このような状態とすることで、持ち運びの際などに、発光装置の発光面にキズや
汚れが生じることを抑制できる。

本実施の形態の発光装置では、一つの発光パネルを１回以上折りたたむことができる。こ
のとき、曲率半径は、例えば、１ｍｍ以上１５０ｍｍ以下とすることができる。

本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態２）
本実施の形態では、発光パネルについて図７～図１２を用いて説明する。本実施の形態で
例示する発光パネルを曲げた際、発光パネルにおける曲率半径の最小値は、１ｍｍ以上１
５０ｍｍ以下、１ｍｍ以上１００ｍｍ以下、１ｍｍ以上５０ｍｍ以下、１ｍｍ以上１０ｍ
ｍ以下、又は２ｍｍ以上５ｍｍ以下とすることができる。本実施の形態の発光パネルは、
小さな曲率半径（例えば２ｍｍ以上５ｍｍ以下）で折り曲げても素子が壊れることがなく
、信頼性が高い。発光パネルを小さな曲率半径で折り曲げることで、本発明の一態様の発
光装置を薄型化することができる。本実施の形態の発光パネルを曲げる方向は問わない。
また、曲げる箇所は１か所であっても２か所以上であってもよい。

＜具体例１＞
図７（Ａ）に実施の形態１で例示した発光パネル１１の平面図を示し、図７（Ａ）におけ
る一点鎖線Ａ１－Ａ２間の断面図の一例を図７（Ｂ）に示す。

図７（Ｂ）に示す発光パネルは、素子層１０１、接着層１０５、基板１０３を有する。素
子層１０１は、基板２０１、接着層２０３、絶縁層２０５、複数のトランジスタ、導電層
１５７、絶縁層２０７、絶縁層２０９、複数の発光素子、絶縁層２１１、封止層２１３、
絶縁層２６１、着色層２５９、遮光層２５７、及び絶縁層２５５を有する。

導電層１５７は、接続体２１５を介してＦＰＣ１０８と電気的に接続する。

発光素子２３０は、下部電極２３１、ＥＬ層２３３、及び上部電極２３５を有する。下部
電極２３１は、トランジスタ２４０のソース電極又はドレイン電極と電気的に接続する。
下部電極２３１の端部は、絶縁層２１１で覆われている。発光素子２３０はトップエミッ
ション構造である。上部電極２３５は透光性を有し、ＥＬ層２３３が発する光を透過する
。

発光素子２３０と重なる位置に、着色層２５９が設けられ、絶縁層２１１と重なる位置に
遮光層２５７が設けられている。着色層２５９及び遮光層２５７は絶縁層２６１で覆われ
ている。発光素子２３０と絶縁層２６１の間は封止層２１３で充填されている。

発光パネルは、光取り出し部１０４及び駆動回路部１０６に、トランジスタ２４０等の複
数のトランジスタを有する。トランジスタ２４０は、絶縁層２０５上に設けられている。
絶縁層２０５と基板２０１は接着層２０３によって貼り合わされている。また、絶縁層２
５５と基板１０３は接着層１０５によって貼り合わされている。絶縁層２０５や絶縁層２
５５に透水性の低い膜を用いると、発光素子２３０やトランジスタ２４０に水等の不純物
が侵入することを抑制でき、発光パネルの信頼性が高くなるため好ましい。接着層２０３
は、接着層１０５と同様の材料を用いることができる。

具体例１では、耐熱性の高い作製基板上で絶縁層２０５やトランジスタ２４０、発光素子
２３０を作製し、該作製基板を剥離し、接着層２０３を用いて基板２０１上に絶縁層２０
５やトランジスタ２４０、発光素子２３０を転置することで作製できる発光パネルを示し
ている。また、具体例１では、耐熱性の高い作製基板上で絶縁層２５５、着色層２５９及
び遮光層２５７を作製し、該作製基板を剥離し、接着層１０５を用いて基板１０３上に絶
縁層２５５、着色層２５９及び遮光層２５７を転置することで作製できる発光パネルを示
している。

基板に、耐熱性が低い材料（樹脂など）を用いる場合、作製工程で基板に高温をかけるこ
とが難しいため、該基板上にトランジスタや絶縁膜を作製する条件に制限がある。また、
発光装置の基板に透水性が高い材料（樹脂など）を用いる場合、基板と発光素子の間に、
高温をかけて、透水性の低い膜を形成することが好ましい。本実施の形態の作製方法では
、耐熱性の高い作製基板上でトランジスタ等の作製を行えるため、高温をかけて、信頼性
の高いトランジスタや十分に透水性の低い絶縁膜を形成することができる。そして、それ
らを耐熱性の低い基板へと転置することで、信頼性の高い発光パネルを作製できる。これ
により、本発明の一態様では、軽量又は薄型であり、且つ信頼性の高い発光装置を実現で
きる。作製方法の詳細は後述する。

基板１０３及び基板２０１には、それぞれ、靱性が高い材料を用いることが好ましい。こ
れにより、耐衝撃性に優れ、破損しにくい発光パネルを実現できる。例えば、基板１０３
を有機樹脂基板とし、基板２０１を厚さの薄い金属材料や合金材料を用いた基板とするこ
とで、基板にガラス基板を用いる場合に比べて、軽量であり、破損しにくい発光パネルを
実現できる。

金属材料や合金材料は熱伝導性が高く、基板全体に熱を容易に伝導できるため、発光パネ
ルの局所的な温度上昇を抑制することができ、好ましい。金属材料や合金材料を用いた基
板の厚さは、１０μｍ以上２００μｍ以下が好ましく、２０μｍ以上５０μｍ以下である
ことがより好ましい。

また、基板２０１に、熱放射率が高い材料を用いると発光パネルの表面温度が高くなるこ
とを抑制でき、発光パネルの破壊や信頼性の低下を抑制できる。例えば、基板２０１を金
属基板と熱放射率の高い層（例えば、金属酸化物やセラミック材料を用いることができる
）の積層構造としてもよい。

＜具体例２＞
図８（Ａ）に発光パネルにおける光取り出し部１０４の別の例を示す。図８（Ａ）の発光
パネルは、タッチ操作が可能な発光パネルである。なお、以下の各具体例では、具体例１
と同様の構成については説明を省略する。

図８（Ａ）に示す発光パネルは、素子層１０１、接着層１０５、基板１０３を有する。素
子層１０１は、基板２０１、接着層２０３、絶縁層２０５、複数のトランジスタ、絶縁層
２０７、絶縁層２０９、複数の発光素子、絶縁層２１１、絶縁層２１７、封止層２１３、
絶縁層２６１、着色層２５９、遮光層２５７、複数の受光素子、導電層２８１、導電層２
８３、絶縁層２９１、絶縁層２９３、絶縁層２９５、及び絶縁層２５５を有する。

具体例２では、絶縁層２１１上に絶縁層２１７を有する。絶縁層２１７を設けることで、
基板１０３と基板２０１の間隔を調整することができる。

図８（Ａ）では、絶縁層２５５及び封止層２１３の間に受光素子を有する例を示す。発光
パネルの非発光領域（例えばトランジスタや配線が設けられた領域など、発光素子が設け
られていない領域）に重ねて受光素子を配置することができるため、画素（発光素子）の
開口率を低下させることなく発光パネルにタッチセンサを設けることができる。

発光パネルが有する受光素子には、例えば、ｐｎ型又はｐｉｎ型のフォトダイオードを用
いることができる。本実施の形態では、受光素子として、ｐ型半導体層２７１、ｉ型半導
体層２７３、及びｎ型半導体層２７５を有するｐｉｎ型のフォトダイオードを用いる。

なお、ｉ型半導体層２７３は、含まれるｐ型を付与する不純物及びｎ型を付与する不純物
がそれぞれ１×１０^２０ｃｍ^－３以下の濃度であり、暗伝導度に対して光伝導度が１００
倍以上である。ｉ型半導体層２７３には、周期表第１３族もしくは第１５族の不純物元素
を有するものもその範疇に含む。すなわち、ｉ型の半導体は、価電子制御を目的とした不
純物元素を意図的に添加しないときに弱いｎ型の電気伝導性を示すので、ｉ型半導体層２
７３は、ｐ型を付与する不純物元素を、成膜時或いは成膜後に、意図的もしくは非意図的
に添加されたものをその範疇に含む。

遮光層２５７は、受光素子よりも基板２０１側に位置しており、受光素子と重なる。受光
素子と封止層２１３との間に位置する遮光層２５７によって、発光素子２３０の発する光
が受光素子に照射されることを抑制できる。

導電層２８１及び導電層２８３は、それぞれ受光素子と電気的に接続する。導電層２８１
は、受光素子に入射する光を透過する導電層を用いることが好ましい。導電層２８３は、
受光素子に入射する光を遮る導電層を用いることが好ましい。

光学式タッチセンサを基板１０３と封止層２１３の間に有すると、発光素子２３０の発光
の影響を受けにくく、Ｓ／Ｎ比を向上させることができるため、好ましい。

＜具体例３＞
図８（Ｂ）に発光パネルにおける光取り出し部１０４の別の例を示す。図８（Ｂ）の発光
パネルは、タッチ操作が可能な発光パネルである。

図８（Ｂ）に示す発光パネルは、素子層１０１、接着層１０５、基板１０３を有する。素
子層１０１は、基板２０１、接着層２０３、絶縁層２０５、複数のトランジスタ、絶縁層
２０７、絶縁層２０９ａ、絶縁層２０９ｂ、複数の発光素子、絶縁層２１１、絶縁層２１
７、封止層２１３、着色層２５９、遮光層２５７、複数の受光素子、導電層２８０、導電
層２８１、及び絶縁層２５５を有する。

図８（Ｂ）では、絶縁層２０５及び封止層２１３の間に受光素子を有する例を示す。受光
素子を絶縁層２０５及び封止層２１３の間に設けることで、トランジスタ２４０を構成す
る導電層や半導体層と同一の材料、同一の工程で、受光素子と電気的に接続する導電層や
受光素子を構成する光電変換層を作製できる。したがって、作製工程を大きく増加させる
ことなく、タッチ操作が可能な発光パネルを作製できる。

＜具体例４＞
図９（Ａ）に発光パネルの別の例を示す。図９（Ａ）の発光パネルは、タッチ操作が可能
な発光パネルである。

図９（Ａ）に示す発光パネルは、素子層１０１、接着層１０５、基板１０３を有する。素
子層１０１は、基板２０１、接着層２０３、絶縁層２０５、複数のトランジスタ、導電層
１５６、導電層１５７、絶縁層２０７、絶縁層２０９、複数の発光素子、絶縁層２１１、
絶縁層２１７、封止層２１３、着色層２５９、遮光層２５７、絶縁層２５５、導電層２７
２、導電層２７４、絶縁層２７６、絶縁層２７８、導電層２９４、及び導電層２９６を有
する。

図９（Ａ）では、絶縁層２５５及び封止層２１３の間に静電容量式のタッチセンサを有す
る例を示す。静電容量式のタッチセンサは、導電層２７２及び導電層２７４を有する。

導電層１５６及び導電層１５７は、接続体２１５を介してＦＰＣ１０８と電気的に接続す
る。導電層２９４及び導電層２９６は、導電性粒子２９２を介して導電層２７４と電気的
に接続する。したがって、ＦＰＣ１０８を介して静電容量式のタッチセンサを駆動するこ
とができる。

＜具体例５＞
図９（Ｂ）に発光パネルの別の例を示す。図９（Ｂ）の発光パネルは、タッチ操作が可能
な発光パネルである。

図９（Ｂ）に示す発光パネルは、素子層１０１、接着層１０５、基板１０３を有する。素
子層１０１は、基板２０１、接着層２０３、絶縁層２０５、複数のトランジスタ、導電層
１５６、導電層１５７、絶縁層２０７、絶縁層２０９、複数の発光素子、絶縁層２１１、
絶縁層２１７、封止層２１３、着色層２５９、遮光層２５７、絶縁層２５５、導電層２７
０、導電層２７２、導電層２７４、絶縁層２７６、及び絶縁層２７８を有する。

図９（Ｂ）では、絶縁層２５５及び封止層２１３の間に静電容量式のタッチセンサを有す
る例を示す。静電容量式のタッチセンサは、導電層２７２及び導電層２７４を有する。

導電層１５６及び導電層１５７は、接続体２１５ａを介してＦＰＣ１０８ａと電気的に接
続する。導電層２７０は、接続体２１５ｂを介してＦＰＣ１０８ｂと電気的に接続する。
したがって、ＦＰＣ１０８ａを介して発光素子２３０やトランジスタ２４０を駆動し、Ｆ
ＰＣ１０８ｂを介して静電容量式のタッチセンサを駆動することができる。

＜具体例６＞
図１０（Ａ）に発光パネルにおける光取り出し部１０４の別の例を示す。

図１０（Ａ）に示す発光パネルは、素子層１０１、基板１０３、接着層１０５を有する。
素子層１０１は、基板２０２、絶縁層２０５、複数のトランジスタ、絶縁層２０７、導電
層２０８、絶縁層２０９ａ、絶縁層２０９ｂ、複数の発光素子、絶縁層２１１、封止層２
１３、及び着色層２５９を有する。

発光素子２３０は、下部電極２３１、ＥＬ層２３３、及び上部電極２３５を有する。下部
電極２３１は、導電層２０８を介してトランジスタ２４０のソース電極又はドレイン電極
と電気的に接続する。下部電極２３１の端部は、絶縁層２１１で覆われている。発光素子
２３０はボトムエミッション構造である。下部電極２３１は透光性を有し、ＥＬ層２３３
が発する光を透過する。

発光素子２３０と重なる位置に、着色層２５９が設けられ、発光素子２３０が発する光は
、着色層２５９を介して基板１０３側に取り出される。発光素子２３０と基板２０２の間
は封止層２１３で充填されている。基板２０２は、前述の基板２０１と同様の材料を用い
て作製できる。

＜具体例７＞
図１０（Ｂ）に発光パネルの別の例を示す。

図１０（Ｂ）に示す発光パネルは、素子層１０１、接着層１０５、基板１０３を有する。
素子層１０１は、基板２０２、絶縁層２０５、導電層３１０ａ、導電層３１０ｂ、複数の
発光素子、絶縁層２１１、導電層２１２、及び封止層２１３を有する。

導電層３１０ａ及び導電層３１０ｂは、発光パネルの外部接続電極であり、ＦＰＣ等と電
気的に接続させることができる。

発光素子２３０は、下部電極２３１、ＥＬ層２３３、及び上部電極２３５を有する。下部
電極２３１の端部は、絶縁層２１１で覆われている。発光素子２３０はボトムエミッショ
ン構造である。下部電極２３１は透光性を有し、ＥＬ層２３３が発する光を透過する。導
電層２１２は、下部電極２３１と電気的に接続する。

基板１０３は、光取り出し構造として、半球レンズ、マイクロレンズアレイ、凹凸構造が
施されたフィルム、光拡散フィルム等を有していてもよい。例えば、樹脂基板上に上記レ
ンズやフィルムを、該基板又は該レンズもしくはフィルムと同程度の屈折率を有する接着
剤等を用いて接着することで、光取り出し構造を有する基板１０３を形成することができ
る。

導電層２１２は必ずしも設ける必要は無いが、下部電極２３１の抵抗に起因する電圧降下
を抑制できるため、設けることが好ましい。また、同様の目的で、上部電極２３５と電気
的に接続する導電層を絶縁層２１１上、ＥＬ層２３３上、又は上部電極２３５上などに設
けてもよい。

導電層２１２は、銅、チタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオジム
、スカンジウム、ニッケル、アルミニウムから選ばれた材料又はこれらを主成分とする合
金材料等を用いて、単層で又は積層して形成することができる。導電層２１２の膜厚は、
例えば、０．１μｍ以上３μｍ以下とすることができ、好ましくは、０．１μｍ以上０．
５μｍ以下である。

上部電極２３５と電気的に接続する導電層の材料にペースト（銀ペーストなど）を用いる
と、該導電層を構成する金属が粒状になって凝集する。そのため、該導電層の表面が粗く
隙間の多い構成となり、例えば、絶縁層２１１上に該導電層を形成しても、ＥＬ層２３３
が該導電層を完全に覆うことが難しく、上部電極と該導電層との電気的な接続をとること
が容易になり好ましい。

＜材料の一例＞
次に、発光パネルに用いることができる材料等を説明する。なお、本実施の形態中で先に
説明した構成については説明を省略する。

素子層１０１は、少なくとも発光素子を有する。発光素子としては、自発光が可能な素子
を用いることができ、電流又は電圧によって輝度が制御される素子をその範疇に含んでい
る。例えば、発光ダイオード（ＬＥＤ）、有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子等を用いることが
できる。

素子層１０１は、発光素子を駆動するためのトランジスタや、タッチセンサ等をさらに有
していてもよい。

発光パネルが有するトランジスタの構造は特に限定されない。例えば、スタガ型のトラン
ジスタとしてもよいし、逆スタガ型のトランジスタとしてもよい。また、トップゲート型
又はボトムゲート型のいずれのトランジスタ構造としてもよい。トランジスタに用いる半
導体材料は特に限定されず、例えば、シリコン、ゲルマニウム等が挙げられる。または、
Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ系金属酸化物などの、インジウム、ガリウム、亜鉛のうち少なくとも一
つを含む酸化物半導体を用いてもよい。

トランジスタに用いる半導体材料の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体、結
晶性を有する半導体（微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、又は一部に結晶領域
を有する半導体）のいずれを用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、トランジ
スタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。

発光パネルが有する発光素子は、一対の電極（下部電極２３１及び上部電極２３５）と、
該一対の電極間に設けられたＥＬ層２３３とを有する。該一対の電極の一方は陽極として
機能し、他方は陰極として機能する。

発光素子は、トップエミッション構造、ボトムエミッション構造、デュアルエミッション
構造のいずれであってもよい。光を取り出す側の電極には、可視光を透過する導電膜を用
いる。また、光を取り出さない側の電極には、可視光を反射する導電膜を用いることが好
ましい。

可視光を透過する導電膜は、例えば、酸化インジウム、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ：Ｉ
ｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加
した酸化亜鉛などを用いて形成することができる。また、金、銀、白金、マグネシウム、
ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、もしく
はチタン等の金属材料、これら金属材料を含む合金、又はこれら金属材料の窒化物（例え
ば、窒化チタン）等も、透光性を有する程度に薄く形成することで用いることができる。
また、上記材料の積層膜を導電膜として用いることができる。例えば、銀とマグネシウム
の合金とＩＴＯの積層膜などを用いると、導電性を高めることができるため好ましい。ま
た、グラフェン等を用いてもよい。

可視光を反射する導電膜は、例えば、アルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、タングス
テン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、もしくはパラジウム等の金属材料、又は
これら金属材料を含む合金を用いることができる。また、上記金属材料や合金に、ランタ
ン、ネオジム、又はゲルマニウム等が添加されていてもよい。また、アルミニウムとチタ
ンの合金、アルミニウムとニッケルの合金、アルミニウムとネオジムの合金等のアルミニ
ウムを含む合金（アルミニウム合金）や、銀と銅の合金、銀とパラジウムと銅の合金、銀
とマグネシウムの合金等の銀を含む合金を用いて形成することができる。銀と銅を含む合
金は、耐熱性が高いため好ましい。さらに、アルミニウム合金膜に接する金属膜又は金属
酸化物膜を積層することで、アルミニウム合金膜の酸化を抑制することができる。該金属
膜、金属酸化物膜の材料としては、チタン、酸化チタンなどが挙げられる。また、上記可
視光を透過する導電膜と金属材料からなる膜とを積層してもよい。例えば、銀とＩＴＯの
積層膜、銀とマグネシウムの合金とＩＴＯの積層膜などを用いることができる。

電極は、それぞれ、蒸着法やスパッタリング法を用いて形成すればよい。そのほか、イン
クジェット法などの吐出法、スクリーン印刷法などの印刷法、又はメッキ法を用いて形成
することができる。

下部電極２３１及び上部電極２３５の間に、発光素子の閾値電圧より高い電圧を印加する
と、ＥＬ層２３３に陽極側から正孔が注入され、陰極側から電子が注入される。注入され
た電子と正孔はＥＬ層２３３において再結合し、ＥＬ層２３３に含まれる発光物質が発光
する。

ＥＬ層２３３は少なくとも発光層を有する。ＥＬ層２３３は、発光層以外の層として、正
孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔ブロック材料、電子輸送性の高い物質
、電子注入性の高い物質、又はバイポーラ性の物質（電子輸送性及び正孔輸送性が高い物
質）等を含む層をさらに有していてもよい。

ＥＬ層２３３には低分子系化合物及び高分子系化合物のいずれを用いることもでき、無機
化合物を含んでいてもよい。ＥＬ層２３３を構成する層は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着
法を含む）、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができ
る。

素子層１０１において、発光素子は、一対の透水性の低い絶縁膜の間に設けられているこ
とが好ましい。これにより、発光素子に水等の不純物が侵入することを抑制でき、発光装
置の信頼性の低下を抑制できる。

透水性の低い絶縁膜としては、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等の窒素と珪素を含
む膜や、窒化アルミニウム膜等の窒素とアルミニウムを含む膜等が挙げられる。また、酸
化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を用いてもよい。

例えば、透水性の低い絶縁膜の水蒸気透過量は、１×１０^－５［ｇ／ｍ^２・ｄａｙ］以下
、好ましくは１×１０^－６［ｇ／ｍ^２・ｄａｙ］以下、より好ましくは１×１０^－７［ｇ
／ｍ^２・ｄａｙ］以下、さらに好ましくは１×１０^－８［ｇ／ｍ^２・ｄａｙ］以下とする
。

基板１０３は透光性を有し、少なくとも素子層１０１が有する発光素子の発する光を透過
する。基板１０３は可撓性を有していてもよい。また、基板１０３の屈折率は、大気の屈
折率よりも高い。

ガラスに比べて有機樹脂は重量が軽いため、基板１０３として有機樹脂を用いると、ガラ
スを用いる場合に比べて発光装置を軽量化でき、好ましい。

可撓性及び可視光に対する透過性を有する材料としては、例えば、可撓性を有する程度の
厚さのガラスや、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（
ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチ
ルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ
）樹脂、ポリアミド樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド
樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂等が挙げられる。特に、熱膨張係数の低い材料を用いることが
好ましく、例えば、ポリアミドイミド樹脂、ポリイミド樹脂、ＰＥＴ等を好適に用いるこ
とができる。また、ガラス繊維に有機樹脂を含浸した基板や、無機フィラーを有機樹脂に
混ぜて熱膨張係数を下げた基板を使用することもできる。

基板１０３としては、上記材料を用いた層が、発光装置の表面を傷などから保護するハー
ドコート層（例えば、窒化シリコン層など）や、押圧を分散可能な材質の層（例えば、ア
ラミド樹脂層など）等と積層されて構成されていてもよい。また、水分等による発光素子
の寿命の低下等を抑制するために、前述の透水性の低い絶縁膜を有していてもよい。

接着層１０５は、透光性を有し、少なくとも素子層１０１が有する発光素子の発する光を
透過する。また、接着層１０５の屈折率は、大気の屈折率よりも高い。

接着層１０５には、二液混合型の樹脂などの常温で硬化する樹脂、光硬化性の樹脂、熱硬
化性の樹脂などの樹脂を用いることができる。例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シ
リコーン樹脂、フェノール樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等の透湿性が低い材
料が好ましい。

また、上記樹脂に乾燥剤を含んでいてもよい。例えば、アルカリ土類金属の酸化物（酸化
カルシウムや酸化バリウム等）のように、化学吸着によって水分を吸着する物質を用いる
ことができる。または、ゼオライトやシリカゲル等のように、物理吸着によって水分を吸
着する物質を用いてもよい。乾燥剤が含まれていると、水分などの不純物が発光素子に侵
入することを抑制でき、発光装置の信頼性が向上するため好ましい。

また、上記樹脂に屈折率の高いフィラー（酸化チタン等）を混合することにより、発光素
子からの光取り出し効率を向上させることができ、好ましい。

また、接着層１０５には、光を散乱させる散乱部材を有していてもよい。例えば、接着層
１０５には、上記樹脂と上記樹脂と屈折率が異なる粒子との混合物を用いることもできる
。該粒子は光の散乱部材として機能する。

樹脂と、該樹脂と屈折率の異なる粒子は、屈折率の差が０．１以上あることが好ましく、
０．３以上あることがより好ましい。具体的には樹脂としては、エポキシ樹脂、アクリル
樹脂、イミド樹脂、シリコーン等を用いることができる。また粒子としては、酸化チタン
、酸化バリウム、ゼオライト等を用いることができる。

酸化チタンおよび酸化バリウムの粒子は、光を散乱させる性質が強く好ましい。またゼオ
ライトを用いると、樹脂等の有する水を吸着することができ、発光素子の信頼性を向上さ
せることができる。

絶縁層２０５、絶縁層２５５には、無機絶縁材料を用いることができる。特に、前述の透
水性の低い絶縁膜を用いると、信頼性の高い発光パネルを実現できるため好ましい。

絶縁層２０７は、トランジスタを構成する半導体への不純物の拡散を抑制する効果を奏す
る。絶縁層２０７としては、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化シリコン膜、窒
化酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜などの無機絶縁膜を用いることができる。

絶縁層２０９、絶縁層２０９ａ、及び絶縁層２０９ｂとしては、それぞれ、トランジスタ
起因等の表面凹凸を低減するために平坦化機能を有する絶縁膜を選択するのが好適である
。例えば、ポリイミド、アクリル、ベンゾシクロブテン系樹脂等の有機材料を用いること
ができる。また、上記有機材料の他に、低誘電率材料（ｌｏｗ－ｋ材料）等を用いること
ができる。なお、これらの材料で形成される絶縁膜や無機絶縁膜を用いた積層構造として
もよい。

絶縁層２１１は、下部電極２３１の端部を覆って設けられている。絶縁層２１１の上層に
形成されるＥＬ層２３３や上部電極２３５の被覆性を良好なものとするため、絶縁層２１
１の側壁が連続した曲率を持って形成される傾斜面となることが好ましい。

絶縁層２１１の材料としては、樹脂又は無機絶縁材料を用いることができる。樹脂として
は、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、シロキサン樹脂、エポキ
シ樹脂、又はフェノール樹脂等を用いることができる。特に、絶縁層２１１の作製が容易
となるため、ネガ型の感光性樹脂、あるいはポジ型の感光性樹脂を用いることが好ましい
。

絶縁層２１１の形成方法は、特に限定されないが、フォトリソグラフィ法、スパッタ法、
蒸着法、液滴吐出法（インクジェット法等）、印刷法（スクリーン印刷、オフセット印刷
等）等を用いればよい。

絶縁層２１７は、無機絶縁材料又は有機絶縁材料等を用いて形成することができる。例え
ば、有機絶縁材料としては、ネガ型やポジ型の感光性樹脂、非感光性樹脂などを用いるこ
とができる。また、絶縁層２１７にかえて、導電層を形成してもよい。例えば、金属材料
を用いて形成することができる。金属材料としては、チタン、アルミニウムなどを用いる
ことができる。絶縁層２１７の代わりに導電層を用い、該導電層と上部電極２３５とを電
気的に接続させる構成とすることで、上部電極２３５の抵抗に起因した電位降下を抑制で
きる。また、絶縁層２１７は、順テーパ形状であっても逆テーパ形状であってもよい。

絶縁層２７６、絶縁層２７８、絶縁層２９１、絶縁層２９３、絶縁層２９５は、それぞれ
、無機絶縁材料又は有機絶縁材料を用いて形成できる。特に絶縁層２７８や絶縁層２９５
は、センサ素子起因の表面凹凸を低減するために平坦化機能を有する絶縁層を用いること
が好ましい。

封止層２１３には、二液混合型の樹脂などの常温で硬化する樹脂、光硬化性の樹脂、熱硬
化性の樹脂などの樹脂を用いることができる。例えば、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）
樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ＰＶＢ（ポリビ
ニルブチラル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等を用いることができる
。封止層２１３に乾燥剤が含まれていてもよい。また、封止層２１３を通過して発光素子
２３０の光が発光パネルの外に取り出される場合は、封止層２１３に屈折率の高いフィラ
ーや散乱部材を含むことが好ましい。乾燥剤、屈折率の高いフィラー、散乱部材について
は、接着層１０５に用いることができる材料と同様の材料が挙げられる。

導電層１５６、導電層１５７、導電層２９４、及び導電層２９６は、それぞれ、トランジ
スタ又は発光素子を構成する導電層と同一の材料、同一の工程で形成できる。また、導電
層２８０は、トランジスタを構成する導電層と同一の材料、同一の工程で形成できる。

例えば、上記導電層は、それぞれ、モリブデン、チタン、クロム、タンタル、タングステ
ン、アルミニウム、銅、ネオジム、スカンジウム等の金属材料又はこれらの元素を含む合
金材料を用いて、単層で又は積層して形成することができる。また、上記導電層は、それ
ぞれ、導電性の金属酸化物を用いて形成しても良い。導電性の金属酸化物としては酸化イ
ンジウム（Ｉｎ_２Ｏ_３等）、酸化スズ（ＳｎＯ_２等）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、ＩＴＯ、イ
ンジウム亜鉛酸化物（Ｉｎ_２Ｏ_３－ＺｎＯ等）又はこれらの金属酸化物材料に酸化シリコ
ンを含ませたものを用いることができる。

また、導電層２０８、導電層２１２、導電層３１０ａ及び導電層３１０ｂも、それぞれ、
上記金属材料、合金材料、又は導電性の金属酸化物等を用いて形成できる。

導電層２７２及び導電層２７４、並びに、導電層２８１及び導電層２８３は、透光性を有
する導電層である。例えば、酸化インジウム、ＩＴＯ、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛
、ガリウムを添加した酸化亜鉛等を用いることができる。また、導電層２７０は導電層２
７２と同一の材料、同一の工程で形成できる。

導電性粒子２９２は、有機樹脂またはシリカなどの粒子の表面を金属材料で被覆したもの
を用いる。金属材料としてニッケルや金を用いると接触抵抗を低減できるため好ましい。
またニッケルをさらに金で被覆するなど、２種類以上の金属材料を層状に被覆させた粒子
を用いることが好ましい。

接続体２１５としては、熱硬化性の樹脂に金属粒子を混ぜ合わせたペースト状又はシート
状の、熱圧着によって異方性の導電性を示す材料を用いることができる。金属粒子として
は、例えばニッケル粒子を金で被覆したものなど、２種類以上の金属が層状となった粒子
を用いることが好ましい。

着色層２５９は特定の波長帯域の光を透過する有色層である。例えば、赤色の波長帯域の
光を透過する赤色（Ｒ）のカラーフィルタ、緑色の波長帯域の光を透過する緑色（Ｇ）の
カラーフィルタ、青色の波長帯域の光を透過する青色（Ｂ）のカラーフィルタなどを用い
ることができる。各着色層は、様々な材料を用いて、印刷法、インクジェット法、フォト
リソグラフィ法を用いたエッチング方法などでそれぞれ所望の位置に形成する。

また、隣接する着色層２５９の間に、遮光層２５７が設けられている。遮光層２５７は隣
接する発光素子から回り込む光を遮光し、隣接画素間における混色を抑制する。ここで、
着色層２５９の端部を、遮光層２５７と重なるように設けることにより、光漏れを抑制す
ることができる。遮光層２５７は、発光素子の発光を遮光する材料を用いることができ、
金属材料や顔料や染料を含む樹脂材料などを用いて形成することができる。なお、図７（
Ｂ）に示すように、遮光層２５７を駆動回路部１０６などの光取り出し部１０４以外の領
域に設けると、導波光などによる意図しない光漏れを抑制できるため好ましい。

また、着色層２５９と遮光層２５７を覆う絶縁層２６１を設けると、着色層２５９や遮光
層２５７に含まれる顔料などの不純物が発光素子等に拡散することを抑制できるため好ま
しい。絶縁層２６１は透光性の材料を用い、無機絶縁材料や有機絶縁材料を用いることが
できる。絶縁層２６１に前述の透水性の低い絶縁膜を用いてもよい。なお、絶縁層２６１
は不要であれば設けなくてもよい。

＜作製方法例＞
次に、発光パネルの作製方法を図１１及び図１２を用いて例示する。ここでは、具体例１
（図７（Ｂ））の構成の発光パネルを例に挙げて説明する。

まず、作製基板３０１上に剥離層３０３を形成し、剥離層３０３上に絶縁層２０５を形成
する。次に、絶縁層２０５上に複数のトランジスタ、導電層１５７、絶縁層２０７、絶縁
層２０９、複数の発光素子、及び絶縁層２１１を形成する。なお、導電層１５７が露出す
るように、絶縁層２１１、絶縁層２０９、及び絶縁層２０７は開口する（図１１（Ａ））
。

また、作製基板３０５上に剥離層３０７を形成し、剥離層３０７上に絶縁層２５５を形成
する。次に、絶縁層２５５上に遮光層２５７、着色層２５９、及び絶縁層２６１を形成す
る（図１１（Ｂ））。

作製基板３０１及び作製基板３０５としては、それぞれ、ガラス基板、石英基板、サファ
イア基板、セラミック基板、金属基板などを用いることができる。

また、ガラス基板には、例えば、アルミノシリケートガラス、アルミノホウケイ酸ガラス
、バリウムホウケイ酸ガラス等のガラス材料を用いることができる。後の加熱処理の温度
が高い場合には、歪み点が７３０℃以上のものを用いるとよい。なお、酸化バリウム（Ｂ
ａＯ）を多く含ませることで、より実用的な耐熱ガラスが得られる。他にも、結晶化ガラ
スなどを用いることができる。

作製基板にガラス基板を用いる場合、作製基板と剥離層との間に、酸化シリコン膜、酸化
窒化シリコン膜、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等の絶縁膜を形成すると、ガラス
基板からの汚染を防止でき、好ましい。

剥離層３０３及び剥離層３０７としては、それぞれ、タングステン、モリブデン、チタン
、タンタル、ニオブ、ニッケル、コバルト、ジルコニウム、亜鉛、ルテニウム、ロジウム
、パラジウム、オスミウム、イリジウム、シリコンから選択された元素、該元素を含む合
金材料、又は該元素を含む化合物材料からなり、単層又は積層された層である。シリコン
を含む層の結晶構造は、非晶質、微結晶、多結晶のいずれでもよい。

剥離層は、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、塗布法、印刷法等により形成できる。
なお、塗布法は、スピンコーティング法、液滴吐出法、ディスペンス法を含む。

剥離層が単層構造の場合、タングステン層、モリブデン層、又はタングステンとモリブデ
ンの混合物を含む層を形成することが好ましい。また、タングステンの酸化物もしくは酸
化窒化物を含む層、モリブデンの酸化物もしくは酸化窒化物を含む層、又はタングステン
とモリブデンの混合物の酸化物もしくは酸化窒化物を含む層を形成してもよい。なお、タ
ングステンとモリブデンの混合物とは、例えば、タングステンとモリブデンの合金に相当
する。

また、剥離層として、タングステンを含む層とタングステンの酸化物を含む層の積層構造
を形成する場合、タングステンを含む層を形成し、その上層に酸化物で形成される絶縁膜
を形成することで、タングステン層と絶縁膜との界面に、タングステンの酸化物を含む層
が形成されることを活用してもよい。また、タングステンを含む層の表面を、熱酸化処理
、酸素プラズマ処理、亜酸化窒素（Ｎ_２Ｏ）プラズマ処理、オゾン水等の酸化力の強い溶
液での処理等を行ってタングステンの酸化物を含む層を形成してもよい。またプラズマ処
理や加熱処理は、酸素、窒素、亜酸化窒素単独、あるいは該ガスとその他のガスとの混合
気体雰囲気下で行ってもよい。上記プラズマ処理や加熱処理により、剥離層の表面状態を
変えることにより、剥離層と後に形成される絶縁層との密着性を制御することが可能であ
る。

各絶縁層は、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、塗布法、印刷法等を用いて形成する
ことが可能であり、例えば、プラズマＣＶＤ法によって成膜温度を２５０℃以上４００℃
以下として形成することで、緻密で非常に透水性の低い膜とすることができる。

その後、作製基板３０５の着色層２５９等が設けられた面又は作製基板３０１の発光素子
２３０等が設けられた面に封止層２１３となる材料を塗布し、封止層２１３を介して該面
同士が対向するように、作製基板３０１及び作製基板３０５を貼り合わせる（図１１（Ｃ
））。

そして、作製基板３０１を剥離し、露出した絶縁層２０５と基板２０１を、接着層２０３
を用いて貼り合わせる。また、作製基板３０５を剥離し、露出した絶縁層２５５と基板１
０３を、接着層１０５を用いて貼り合わせる。図１２（Ａ）では、基板１０３が導電層１
５７と重ならない構成としたが、導電層１５７と基板１０３が重なっていてもよい。

なお、剥離工程は、様々な方法を適宜用いることができる。例えば、剥離層として、被剥
離層と接する側に金属酸化膜を含む層を形成した場合は、当該金属酸化膜を結晶化により
脆弱化して、被剥離層を作製基板から剥離することができる。また、耐熱性の高い作製基
板と被剥離層の間に、剥離層として水素を含む非晶質珪素膜を形成した場合はレーザ光の
照射又はエッチングにより当該非晶質珪素膜を除去することで、被剥離層を作製基板から
剥離することができる。また、剥離層として、被剥離層と接する側に金属酸化膜を含む層
を形成し、当該金属酸化膜を結晶化により脆弱化し、さらに剥離層の一部を溶液やＮＦ_３
、ＢｒＦ_３、ＣｌＦ_３等のフッ化ガスを用いたエッチングで除去した後、脆弱化された金
属酸化膜において剥離することができる。さらには、剥離層として窒素、酸素や水素等を
含む膜（例えば、水素を含む非晶質珪素膜、水素含有合金膜、酸素含有合金膜など）を用
い、剥離層にレーザ光を照射して剥離層内に含有する窒素、酸素や水素をガスとして放出
させ被剥離層と基板との剥離を促進する方法を用いてもよい。また、被剥離層が形成され
た作製基板を機械的に除去又は溶液やＮＦ_３、ＢｒＦ_３、ＣｌＦ_３等のフッ化ガスによる
エッチングで除去する方法等を用いることができる。この場合、剥離層を設けなくともよ
い。

また、上記剥離方法を複数組み合わせることでより容易に剥離工程を行うことができる。
つまり、レーザ光の照射、ガスや溶液などによる剥離層へのエッチング、鋭いナイフやメ
スなどによる機械的な除去を行い、剥離層と被剥離層とを剥離しやすい状態にしてから、
物理的な力（機械等による）によって剥離を行うこともできる。

また、剥離層と被剥離層との界面に液体を浸透させて作製基板から被剥離層を剥離しても
よい。また、剥離を行う際に水などの液体をかけながら剥離してもよい。

その他の剥離方法としては、剥離層をタングステンで形成した場合は、アンモニア水と過
酸化水素水の混合溶液により剥離層をエッチングしながら剥離を行うとよい。

なお、作製基板と被剥離層の界面で剥離が可能な場合には、剥離層を設けなくてもよい。
例えば、作製基板としてガラスを用い、ガラスに接してポリイミド、ポリエステル、ポリ
オレフィン、ポリアミド、ポリカーボネート、アクリル等の有機樹脂を形成し、有機樹脂
上に絶縁膜やトランジスタ等を形成する。この場合、有機樹脂を加熱することにより、作
製基板と有機樹脂の界面で剥離することができる。又は、作製基板と有機樹脂の間に金属
層を設け、該金属層に電流を流すことで該金属層を加熱し、金属層と有機樹脂の界面で剥
離を行ってもよい。作製基板から剥離した有機樹脂を発光パネルの基板として用いること
ができる。また、有機樹脂と他の基板を接着剤により貼り合わせてもよい。

最後に、絶縁層２５５及び封止層２１３を開口することで、導電層１５７を露出させる（
図１２（Ｂ））。なお、基板１０３が導電層１５７と重なる構成の場合は、導電層１５７
を露出させるために、基板１０３及び接着層１０５も開口する（図１２（Ｃ））。開口の
手段は特に限定されず、例えばレーザアブレーション法、エッチング法、イオンビームス
パッタリング法などを用いればよい。また、導電層１５７上の膜に鋭利な刃物等を用いて
切り込みを入れ、物理的な力で膜の一部を引き剥がしてもよい。

以上により、発光パネルを作製することができる。

以上に示したように、本実施の形態の発光パネルは、基板１０３と、基板２０１又は基板
２０２と、の２枚の基板で構成される。さらにタッチセンサを含む構成であっても、２枚
の基板で構成することができる。基板の数を最低限とすることで、光の取り出し効率の向
上や表示の鮮明さの向上が容易となる。

本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態３）
本実施の形態では、発光パネルについて図１３を用いて説明する。

図１３に示す発光パネルは、基板４０１、トランジスタ２４０、発光素子２３０、絶縁層
２０７、絶縁層２０９、絶縁層２１１、絶縁層２１７、空間４０５、絶縁層２６１、遮光
層２５７、着色層２５９、受光素子（ｐ型半導体層２７１、ｉ型半導体層２７３、及びｎ
型半導体層２７５を有する）、導電層２８１、導電層２８３、絶縁層２９１、絶縁層２９
３、絶縁層２９５、及び基板４０３を有する。

該発光パネルは、基板４０１及び基板４０３の間に、発光素子２３０及び受光素子を囲む
ように枠状に配置された接着層（図示しない）を有する。該接着層、基板４０１及び基板
４０３によって、発光素子２３０は封止されている。

本実施の形態の発光パネルでは、基板４０３が透光性を有する。発光素子２３０の発する
光は、着色層２５９、基板４０３等を介して、大気に取り出される。

本実施の形態の発光パネルは、タッチ操作が可能な発光パネルである。具体的には、受光
素子を用いて、基板４０３の表面への被検出物の近接又は接触を検知できる。

光学式タッチセンサは、被検出物が接触する表面に傷等がついても検出精度に影響が無い
ため、耐久性が高く好ましい。また、光学式タッチセンサは、非接触によるセンシングが
可能である、表示装置に適用しても画像の鮮明さが低下しない、大型の発光パネルや表示
装置への適用が可能である等の利点もある。

光学式タッチセンサを基板４０３と空間４０５の間に有すると、発光素子２３０の発光の
影響を受けにくく、Ｓ／Ｎ比を向上させることができるため、好ましい。

遮光層２５７は、受光素子よりも基板４０１側に位置しており、受光素子と重なる。遮光
層２５７によって、発光素子２３０の発する光が受光素子に照射されることを抑制できる
。

基板４０１及び基板４０３に用いる材料に特に限定はない。発光素子からの光を取り出す
側の基板には該光を透過する材料を用いる。例えば、ガラス、石英、セラミック、サファ
イア、有機樹脂などの材料を用いることができる。発光を取り出さない側の基板は、透光
性を有していなくてもよいため、上記に挙げた基板の他に、金属材料や合金材料を用いた
金属基板等を用いることもできる。また、基板４０１及び基板４０３には、先の実施の形
態で例示した基板の材料も用いることができる。

発光パネルの封止方法は限定されず、例えば、固体封止であっても中空封止であってもよ
い。例えば、封止材として、ガラスフリットなどのガラス材料や、二液混合型の樹脂など
の常温で硬化する樹脂、光硬化性の樹脂、熱硬化性の樹脂などの樹脂を用いることができ
る。空間４０５は、窒素やアルゴンなどの不活性な気体で充填されていてもよく、封止層
２１３と同様の樹脂等で充填されていてもよい。また、樹脂内に前述の乾燥剤、屈折率の
高いフィラー、又は散乱部材が含まれていてもよい。

本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

本実施例では、本発明の一態様の発光装置を作製した。本実施例の発光装置は、３つに折
りたたむことができる屏風タイプ（ｔｒｉ－ｆｏｌｄ Ｆｏｌｄｉｎｇ Ｓｃｒｅｅｎ
Ｔｙｐｅ）のディスプレイであるともいえる。

本実施例で作製した発光装置が有する発光パネルを図１８（Ａ）、（Ｂ）に示す。本実施
例で作製した発光装置は、基板１０３と基板２０１の大きさが異なる点と、異なる色の画
素間に絶縁層２１７を有する点で、実施の形態２で説明した具体例１（図７（Ｂ））と異
なる。その他は具体例１などの説明を参照できる。絶縁層２１７は、具体例２などの説明
を参照できる。

発光パネルは、実施の形態２に示した作製方法を用いて作製した。

まず、作製基板３０１であるガラス基板上に剥離層３０３を形成し、剥離層３０３上に被
剥離層を形成した。また、作製基板３０５であるガラス基板上に剥離層３０７を形成し、
剥離層３０７上に被剥離層を形成した。次に、作製基板３０１と作製基板３０５とを、そ
れぞれの被剥離層が形成された面が対向するように貼り合わせた。そして、２つの作製基
板をそれぞれ被剥離層から剥離し、それぞれの被剥離層に可撓性基板を貼り合わせた。以
下に各層の材料を示す。

剥離層３０３及び剥離層３０７としては、タングステン膜と、該タングステン膜上の酸化
タングステン膜の積層構造を形成した。

剥離層を構成する積層構造は、成膜直後の剥離性は低いが、加熱処理により無機絶縁膜と
の反応が起こることで、剥離層と無機絶縁膜の界面の状態が変化し脆性を示す。そして、
剥離の起点を形成することで、物理的に剥離することができるようになる。

剥離層３０３上の被剥離層としては、絶縁層２０５と、トランジスタと、発光素子２３０
である有機ＥＬ素子と、を形成した。剥離層３０７上の被剥離層としては、絶縁層２５５
やカラーフィルタ（着色層２５９に相当）等を作製した。

絶縁層２０５及び絶縁層２５５としては、それぞれ、酸化窒化シリコン膜及び窒化シリコ
ン膜等を含む積層構造を用いた。

トランジスタには、ＣＡＡＣ－ＯＳ（Ｃ Ａｘｉｓ Ａｌｉｇｎｅｄ Ｃｒｙｓｔａｌｌ
ｉｎｅ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）を用いたトランジスタを適用した。
ＣＡＡＣ－ＯＳは非晶質ではないため、欠陥準位が少なく、トランジスタの信頼性を高め
ることができる。また、ＣＡＡＣ－ＯＳは結晶粒界を有さないため、可撓性を有する装置
を湾曲させたときの応力によってＣＡＡＣ－ＯＳ膜にクラックが生じにくい。

ＣＡＡＣ－ＯＳは、膜面に概略垂直にｃ軸配向した酸化物半導体のことである。酸化物半
導体の結晶構造としては他にナノスケールの微結晶集合体であるｎａｎｏ－ｃｒｙｓｔａ
ｌ（ｎｃ）など、アモルファスや単結晶とは異なる多彩な構造が存在することが確認され
ている。ＣＡＡＣは、単結晶よりも結晶性が低いが、アモルファスやｎｃに比べて結晶性
が高い。

本実施例では、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ系酸化物を用いたチャネルエッチ型のトランジスタを用
いた。該トランジスタは、ガラス基板上で５００℃未満のプロセスで作製可能である。

プラスチック基板等の有機樹脂上に直接トランジスタ等の素子を作製する方法では、素子
の作製工程の温度を、有機樹脂の耐熱温度よりも低くしなくてはならない。本実施例では
、作製基板がガラス基板であり、また、無機膜である剥離層の耐熱性が高いため、ガラス
基板上にトランジスタを作製する場合と同じ温度でトランジスタを作製することができる
ため、トランジスタの性能、信頼性を容易に確保できる。

発光素子２３０には、青色の光を呈する発光層を有する蛍光発光ユニットと、緑色の光を
呈する発光層及び赤色の光を呈する発光層を有する燐光発光ユニットと、を有するタンデ
ム型の有機ＥＬ素子を用いた。発光素子２３０は、トップエミッション構造である。発光
素子２３０の下部電極２３１としては、アルミニウム膜上にチタン膜を積層し、チタン膜
上に光学調整層として機能するＩＴＯ膜を積層した。光学調整層の膜厚は、各画素の色に
応じて変化させた。カラーフィルタとマイクロキャビティ構造との組み合わせにより、本
実施例で作製した発光パネルからは、色純度の高い光を取り出すことができる。基板１０
３及び基板２０１は、可撓性を有する、厚さ２０μｍの有機樹脂フィルムを用いた。

作製した発光パネルは、発光部（画素部）のサイズを対角５．９インチ、画素数を７２０
×１２８０×３（ＲＧＢ）、画素ピッチを０．１０２ｍｍ×０．１０２ｍｍ、解像度を２
４９ｐｐｉ、開口率を４５．２％とした。スキャンドライバは内蔵であり、ソースドライ
バはＣＯＦ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｆｉｌｍ）を用いて外付けした。

図１９に、本実施例で作製した発光装置の表示写真を示す。図１９（Ａ）は発光装置を展
開した状態、図１９（Ｂ）、（Ｃ）は発光装置を展開した状態から折りたたんだ状態に変
化させる途中の状態、図１９（Ｄ）は発光装置を折りたたんだ状態における、発光装置の
表示写真である。折り曲げる部分の曲率半径は４ｍｍとした。本実施例の発光装置は、画
像を表示したまま折りたたんでも、表示や駆動に問題は生じなかった。本実施例の発光装
置は、展開した状態か折りたたんだ状態かをセンサで検知し、それぞれで異なる画像を表
示する機能を有する。これにより、折りたたんだ状態で見えなくなる発光パネルの領域の
駆動を休止して省電力を図る機能も有している。

ここで、一対の保護層や一対の支持パネルで、発光パネルが完全に固定されていると、発
光装置を曲げる際に、発光パネルが引っ張られ、発光パネルが破損する恐れがある。また
、発光装置を展開する際に、発光パネルが縮む方向に力がかかり、発光パネルが破損する
恐れがある。本実施例で作製した発光装置は、一対の保護層や一対の支持パネルで、発光
パネルが完全には固定されていない。したがって、発光装置を折り曲げる際や展開する際
に、発光パネルがスライドすることで、一対の保護層や一対の支持パネルに対する発光パ
ネルの位置が変化する。そのため、発光パネルに力がかかり、発光パネルが破損すること
を抑制できる。

図２０（Ａ）～（Ｃ）に、本発明の一態様の発光装置を示す。ここでは、発光パネル１１
が一対の支持パネル１５ａ（１）及び支持パネル１５ｂ（１）で固定されていない場合を
示す。発光パネル１１は、一対の支持パネル１５ａ（２）及び支持パネル１５ｂ（２）で
固定されているか、一対の支持パネル１５ａ（３）及び支持パネル１５ｂ（３）で固定さ
れているか、双方で固定されている。本発明の一態様の発光装置は、複数の対の支持パネ
ルを有するが、少なくとも一対の支持パネルが、発光パネルを固定していればよい。

図２０（Ａ）に示す展開した状態の発光装置における、一点鎖線Ｍ１－Ｎ１上の発光パネ
ル１１の表示は、図２０（Ｂ）に示す展開した状態から折りたたんだ状態に変化する途中
の状態の発光装置では、一点鎖線Ｍ２－Ｎ２上に移動する。さらに、図２０（Ｃ）に示す
折りたたんだ状態の発光装置では、該表示は、一点鎖線Ｍ３－Ｎ３上に移動する。このよ
うに、本発明の一態様の発光装置では、一対の保護層や一対の支持パネルで、発光パネル
が完全には固定されていないため、発光装置を折り曲げる際や展開する際に、発光パネル
がスライドする。これにより、一対の保護層や一対の支持パネルに対する発光パネルの位
置が変化する。そのため、発光パネルに力がかかり、発光パネルが破損することを抑制で
きる。

１１ 発光パネル
１１ａ 発光領域
１１ｂ 非発光領域
１３ 保護層
１３ａ 保護層
１３ｂ 保護層
１５ 支持パネル
１５ａ 支持パネル
１５ｂ 支持パネル
１０１ 素子層
１０３ 基板
１０４ 光取り出し部
１０５ 接着層
１０６ 駆動回路部
１０８ ＦＰＣ
１０８ａ ＦＰＣ
１０８ｂ ＦＰＣ
１５６ 導電層
１５７ 導電層
２０１ 基板
２０２ 基板
２０３ 接着層
２０５ 絶縁層
２０７ 絶縁層
２０８ 導電層
２０９ 絶縁層
２０９ａ 絶縁層
２０９ｂ 絶縁層
２１１ 絶縁層
２１２ 導電層
２１３ 封止層
２１５ 接続体
２１５ａ 接続体
２１５ｂ 接続体
２１７ 絶縁層
２３０ 発光素子
２３１ 下部電極
２３３ ＥＬ層
２３５ 上部電極
２４０ トランジスタ
２５５ 絶縁層
２５７ 遮光層
２５９ 着色層
２６１ 絶縁層
２７０ 導電層
２７１ ｐ型半導体層
２７２ 導電層
２７３ ｉ型半導体層
２７４ 導電層
２７５ ｎ型半導体層
２７６ 絶縁層
２７８ 絶縁層
２８０ 導電層
２８１ 導電層
２８３ 導電層
２９１ 絶縁層
２９２ 導電性粒子
２９３ 絶縁層
２９４ 導電層
２９５ 絶縁層
２９６ 導電層
３０１ 作製基板
３０３ 剥離層
３０５ 作製基板
３０７ 剥離層
３１０ａ 導電層
３１０ｂ 導電層
４０１ 基板
４０３ 基板
４０５ 空間

Claims (1)

1. 第１の方向に帯状の可撓性の高い領域と帯状の可撓性の低い領域とを交互に有する発光装置であり、
   前記可撓性の高い領域は、可撓性を有する発光パネルを有し、
   前記可撓性の低い領域は、前記発光パネルに比べて可撓性の低い支持パネルと、前記発光パネルと、を重ねて有する発光装置。

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