JP2021002546A - Semiconductor laser light source module and semiconductor laser device - Google Patents
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Abstract
Description
Translated fromJapanese本開示は、半導体レーザ光源モジュールおよび半導体レーザ装置に関する。 The present disclosure relates to a semiconductor laser light source module and a semiconductor laser device.
筐体内に収容されたレーザダイオードの電極と、電源電極とをワイヤボンディングにより電気的に接続されている半導体レーザ光源モジュールが知られている（例えば、特許文献１）。 A semiconductor laser light source module in which an electrode of a laser diode housed in a housing and a power supply electrode are electrically connected by wire bonding is known (for example, Patent Document 1).
従来の技術では、ワイヤを流れる電流によって寄生インダクタンスが発生するといった問題がある。 In the conventional technique, there is a problem that a parasitic inductance is generated by a current flowing through a wire.
本開示は、以下の形態として実現することが可能である。 The present disclosure can be realized in the following forms.
本開示の一形態によれば、半導体レーザ光源モジュール（１００，１００ｂ，１００ｃ）が提供される。この半導体レーザ光源モジュールは、活性層を含む半導体層（６３）の一方の面側に形成された第一電極（６４）と、前記活性層の他方の面側に形成された第二電極（６２）とを備える端面出射型のレーザダイオード（６０）と、前記レーザダイオードを囲む側壁部（９０Ｗ）を有して前記側壁部のうち少なくとも一部にレーザ光を透過する透光部（９２）を備える筐体（９０）と、前記第一電極に当接される第一導電体（７０，７０ｂ）と、前記第二電極に当接される第二導電体（４０，４０ｂ）と、前記側壁部の外部側に設けられ、前記第一導電体と電気的に接続される第一接続部と、前記側壁部の外部側に設けられ、前記第二導電体と電気的に接続される第二接続部と、を備える。 According to one embodiment of the present disclosure, a semiconductor laser light source module (100, 100b, 100c) is provided. This semiconductor laser light source module includes a first electrode (64) formed on one surface side of a semiconductor layer (63) including an active layer and a second electrode (62) formed on the other surface side of the active layer. ), And a translucent portion (92) having a side wall portion (90 W) surrounding the laser diode and transmitting laser light to at least a part of the side wall portion. A housing (90) to be provided, a first conductor (70, 70b) abutting on the first electrode, a second conductor (40, 40b) abutting on the second electrode, and the side wall. A first connection portion provided on the outer side of the portion and electrically connected to the first conductor, and a second connection portion provided on the outer side of the side wall portion and electrically connected to the second conductor. It is provided with a connection part.
この形態の半導体レーザ光源モジュールによれば、正極側となる第一導電体と、レーザダイオードの第一電極とが当接されて電気的に接続されるとともに、負極側となる第二導電体と、第二電極とが当接されて電気的に接続される。半導体レーザ光源モジュールは、側壁部の外部側に第一接続部と、第二接続部とを備え、半導体レーザ装置の回路基板上に実装可能に構成される。したがって、ボンディングワイヤを用いることなくレーザダイオードに電流を供給でき、寄生インダクタンスの発生を抑制することができる。 According to the semiconductor laser light source module of this form, the first conductor on the positive electrode side and the first electrode of the laser diode are brought into contact with each other and electrically connected, and the second conductor on the negative electrode side is formed. , The second electrode is abutted and electrically connected. The semiconductor laser light source module is provided with a first connection portion and a second connection portion on the outer side of the side wall portion, and is configured to be mountable on a circuit board of a semiconductor laser device. Therefore, the current can be supplied to the laser diode without using the bonding wire, and the generation of parasitic inductance can be suppressed.
本開示の一形態によれば、半導体レーザ光源モジュール（２００，２００ｅ）が提供される。この半導体レーザ光源モジュールは、活性層を含む半導体層（１６３）の一方の面側に形成された第一電極（１６４）と、前記活性層の他方の面側に形成された第二電極（１６２）とを備える端面出射型のレーザダイオード（１６０）と、前記レーザダイオードを囲む側壁部（１９０Ｗ）を有し、前記側壁部のうち少なくとも一部にレーザ光を透過する透光部（１９２）を備える筐体（１９０）と、前記第一電極と電気的に接続され、前記レーザダイオードを駆動する平板状のＬＤドライバ（１１０）と、前記レーザダイオードを挟んで前記ＬＤドライバの一方の面側と対向するように配され、前記第二電極に当接されて前記レーザダイオードと電気的に接続される導電体（１７０）と、前記ＬＤドライバの他方の面側に当接されるセラミック製の基台部（１３０，１３０ｅ）と、前記筐体の外部側に配置される第一電極パッド（１３４）であって、前記ＬＤドライバと電気的に接続される第一電極パッドと、前記筐体の外部側に配置される第二電極パッド（１３６）であって、前記導電体と電気的に接続される第二電極パッドと、を備える。 According to one embodiment of the present disclosure, a semiconductor laser light source module (200, 200e) is provided. This semiconductor laser light source module has a first electrode (164) formed on one surface side of a semiconductor layer (163) including an active layer and a second electrode (162) formed on the other surface side of the active layer. ), And a side wall portion (190 W) surrounding the laser diode, and a translucent portion (192) that transmits laser light to at least a part of the side wall portion. A housing (190) provided, a flat plate-shaped LD driver (110) electrically connected to the first electrode and driving the laser diode, and one surface side of the LD driver sandwiching the laser diode. A conductor (170) arranged so as to face each other and abutted against the second electrode and electrically connected to the laser diode, and a ceramic group abutted on the other surface side of the LD driver. The base portion (130, 130e), the first electrode pad (134) arranged on the outer side of the housing, the first electrode pad electrically connected to the LD driver, and the housing. It is a second electrode pad (136) arranged on the outer side, and includes a second electrode pad that is electrically connected to the conductor.
この形態の半導体レーザ光源モジュールによれば、ＬＤドライバと、レーザダイオードの第一電極とが当接されて電気的に接続されるとともに、第三導電体と、第二電極とが当接されて電気的に接続される。半導体レーザ光源モジュールは、第二電極と電気的に接続される第二電極パッドと、第二電極に電気的に接続される第一電極パッドとを側壁部の外部側に備えることにより、半導体レーザ装置の回路基板上に実装可能に構成される。したがって、ボンディングワイヤを用いることなくＬＤドライバからレーザダイオードに電流を供給でき、寄生インダクタンスの発生を抑制することができる。 According to the semiconductor laser light source module of this form, the LD driver and the first electrode of the laser diode are brought into contact with each other and electrically connected, and the third conductor and the second electrode are brought into contact with each other. It is electrically connected. The semiconductor laser light source module is provided with a second electrode pad electrically connected to the second electrode and a first electrode pad electrically connected to the second electrode on the outer side of the side wall portion to provide a semiconductor laser. It is configured to be mountable on the circuit board of the device. Therefore, the current can be supplied from the LD driver to the laser diode without using the bonding wire, and the generation of parasitic inductance can be suppressed.
Ａ．第１実施形態：
図１から図３を用いて第１実施形態の半導体レーザ光源モジュール１００の構造について説明する。半導体レーザ光源モジュール１００を以下、単にモジュール１００とも呼ぶ。A. First Embodiment:
The structure of the semiconductor laser
図１および図２に示すように、第１実施形態のモジュール１００は、非導電性材料からなる矩形状の筐体９０内部にレーザダイオード６０を備える。モジュール１００は、ＬｉＤＡＲ（Light Detection and Ranging）といった光学的測距装置に搭載される半導体レーザ装置の回路基板上に実装され、測距用のレーザ光を出射するレーザ光源として用いられる。モジュール１００は、ＬｉＤＡＲ以外の光測距装置や、ディスクの記録や読み込み、レーザプリンタ、光通信、照明装置、レーザ顕微鏡、レーザマーカ等の種々の用途のレーザ光源として用いてよい。 As shown in FIGS. 1 and 2, the
レーザダイオード６０は、出射方向ＤＬに測距用のレーザ光を出射する端面出射型のレーザダイオードである。レーザダイオード６０から出射されるレーザ光のパルス幅は、例えば５ｎｓｅｃ程度であり、５ｎｓｅｃの短パルスを用いることで、測距の分解能を高めている。図１および図２には、技術の理解を容易にするため、ＸＹＺ方向とともに、モジュール１００から出射されるレーザ光の出射方向ＤＬを模式的に示した。出射方向ＤＬは、＋Ｘ方向と同一である。図示したＸＹＺ方向および出射方向ＤＬは、各図において共通し、向きを特定する場合には、正の方向を「＋」、負の方向を「−」として、方向表記に正負の符合を併用する。 The
筐体９０は、４つの平板状の側壁部９０Ｗで構成され、側壁部９０Ｗでレーザダイオード６０を囲む。筐体９０の＋Ｚ方向側（以下、上面側とも呼ぶ）は、平板状の蓋体である金属製のリッド８０によって封止される。リッド８０は、非導電性材料で構成されてもよい。レーザダイオード６０に対して＋Ｘ方向側の側壁部９０Ｗには、出射方向ＤＬと重なる位置に透光部９２を備え、レーザダイオード６０から出射されるレーザ光を透過する。 The
図２および図３を用いて、モジュール１００の内部構造の詳細について説明する。図２に示すように、モジュール１００は、Ｚ方向に沿って下面側から順に、セラミック製の基台部３０と、第二導電体４０と、レーザダイオード６０と、第一導電体７０とを筐体９０内部に備える。なお、図２では、技術の理解を容易にするため筐体９０の図示を省略している。 The details of the internal structure of the
本実施形態において、基台部３０には、窒化アルミニウムからなるセラミック基板が用いられるが、アルミナなどの種々のセラミック材料が用いられてもよい。第二導電体４０は、金属層４８と、導電体からなるサブマウントＳｍとの互いの面を当接して構成される。サブマウントＳｍは省略されてもよい。図３に示すように、基台部３０と、第二導電体４０と、レーザダイオード６０と、第一導電体７０とは互いに当接された状態でＺ方向に沿って配置されている。本明細書において、「当接する」とは、各部材同士が直接接触している状態のほか、各部材間にハンダ接合や銀ペーストなどの接着剤、ろう材層を介在させる状態をも含む。 In the present embodiment, a ceramic substrate made of aluminum nitride is used for the
レーザダイオード６０は、図３に示すように、レーザ光を発生させるｐｎ接合からなる発光層を内部に有する半導体層６３を備える。半導体層６３は、例えば、ｎ型クラッド層とｐ型クラッド層とで活性層を挟持したダブルへテロ構造の層をｎ型基板上に備えて構成される。レーザダイオード６０のＸ方向の両端面は、劈開面として形成され、素子内部に共振器を構成するレーザ出射側端面およびレーザ反射側端面として機能する。レーザ出射側端面に低反射率コーティング膜を備え、レーザ反射側端面に高反射率コーティング膜を備えてもよい。半導体層６３は、＋Ｚ方向側で正極として機能する平板状の第一電極６４と、−Ｚ方向側で負極として機能する平板状の第二電極６２とによって挟み込まれて構成される。第一電極６４から第二電極６２に、すなわちｐｎ接合の順方向に電流を流すことにより、ｎ型クラッド層からの電子と、ｐ型クラッド層からの正孔とが活性層に流入して結合することで発光する。活性層内の光は、誘導放出により出射方向ＤＬにレーザ光として出射される。 As shown in FIG. 3, the
第一電極６４は、上面側で第一導電体７０と当接し、互いに電気的に接続される。第一導電体７０は、平板状の金属層である。本実施形態において、モジュール１００は、図３および図１に示すように、筐体９０の外部側、すなわち＋Ｙ方向側の側壁部９０Ｗの外表面に端面７０Ｗを露出した状態で備える。端面７０Ｗは、第一導電体７０の＋Ｙ方向側の端面である。側壁部９０Ｗから露出した第一導電体７０の端面７０Ｗは、半導体レーザ装置の回路基板上の正極側（アノード）の導体配線と、モジュール１００とを電気的に接続させるための第一接続部として機能する。本実施形態において、端面７０Ｗには、金錫ハンダで構成される第一実装部７２が備えられる。モジュール１００は、第一実装部７２のはんだ付けにより半導体レーザ装置の回路基板の表面に実装される。 The
第二電極６２は、下面側で第二導電体４０と当接し、互いに電気的に接続される。第二導電体４０は、上述したように、平板状の金属層４８と、導電性のサブマウントＳｍとで構成される。本実施形態では、第二電極６２は、サブマウントＳｍの上面側と当接される。モジュール１００は、図３および図１に示すように、筐体９０の外部側、すなわち＋Ｙ方向側の側壁部９０Ｗの外表面に端面４０Ｗを露出した状態で備える。端面４０Ｗは、第二導電体４０（本実施形態において、金属層４８）の＋Ｙ方向側の端面である。側壁部９０Ｗから露出した第二導電体４０の端面４０Ｗは、半導体レーザ装置の回路基板上の負極側（カソード）の導体配線と、モジュール１００とを電気的に接続させるための第二接続部として機能する。本実施形態において、端面４０Ｗには、金錫ハンダで構成される第二実装部４２が備えられる。モジュール１００は、第二実装部４２のはんだ付けにより半導体レーザ装置の回路基板上に表面実装される。 The
モジュール１００は、上述したように第一実装部７２と第二実装部４２とを介して半導体レーザ装置の回路基板上に実装され、レーザダイオードドライバ（以下、ＬＤドライバとも呼ぶ）と電気的に接続される。ＬＤドライバは、半導体レーザ装置の制御装置から出力される発光信号に従ってレーザダイオード６０を駆動し、レーザ光の出力のＯＮ／ＯＦＦを実行する。発光信号とは、レーザダイオード６０の発光タイミングを指示する電気信号である。レーザダイオード６０には、第一導電体７０から第一電極６４を介して、ＬＤドライバから電源および信号が供給される。 As described above, the
以上説明したように、本実施形態の半導体レーザ光源モジュール１００によれば、正極側となる第一導電体７０と、レーザダイオード６０の第一電極６４とが当接されて電気的に接続されるとともに、負極側となる第二導電体４０と、第二電極６２とが当接されて電気的に接続される。モジュール１００は、側壁部９０Ｗの外部側に第一接続部と、第二接続部とを備え、半導体レーザ装置の回路基板上に実装可能に構成される。したがって、本実施形態のモジュール１００によれば、ボンディングワイヤを用いることなくレーザダイオード６０に電流を供給でき、寄生インダクタンスの発生を抑制することができる。 As described above, according to the semiconductor laser
本実施形態のモジュール１００によれば、平板状の金属層からなる第一導電体７０の＋Ｙ方向側の端面７０Ｗを＋Ｙ方向側の側壁部９０Ｗの外表面に露出させることにより、半導体レーザ装置の回路基板上に実装するための第一接続部が構成される。したがって、第一導電体７０によりレーザダイオード６０の第一電極６４側からの放熱性を向上させることができる。第一電極６４と第一接続部とを一つの金属層である第一導電体７０で電気的に接続することにより、基板間容量やインダクタンスの発生を抑制することができる。 According to the
本実施形態のモジュール１００によれば、平板状の第二導電体４０（より具体的には金属層４８）の＋Ｙ方向側の端面４０Ｗを＋Ｙ方向側の側壁部９０Ｗの外表面に露出させることにより、回路基板上に実装するための第二接続部が構成される。したがって、金属層４８によりレーザダイオード６０の第二電極６２側からの放熱性を向上させることができる。第二電極６２と第二接続部とを一つの金属層４８で電気的に接続することにより、基板間容量やインダクタンスの発生を抑制することができる。 According to the
本実施形態のモジュール１００によれば、第二導電体４０と当接するセラミック製の基台部３０を筐体９０の下面側に備える。したがって、モジュール１００の放熱性能や耐衝撃性を高めるとともに、絶縁性能や低熱膨張性を向上させることができる。 According to the
Ｂ．第２実施形態：
図４に示すように、第２実施形態の半導体レーザ光源モジュール１００ｂは、第一導電体７０に代えて第一導電体７０ｂと、第二導電体４０に代えて第二導電体４０ｂと、基台部３０に代えて下面金属層２０とを備え、更に、第一導体面７４および第二導体面４４を備える点で第１実施形態のモジュール１００と相違する。下面金属層２０は、平板の金属層である。下面金属層２０のＺ方向での厚みは、本実施形態においてリッド８０と同じであるが、任意の厚みで設定してよい。B. Second embodiment:
As shown in FIG. 4, the semiconductor laser light source module 100b of the second embodiment is based on a
本実施形態において、第一導電体７０ｂのＸＹ平面視での外形は、第１実施形態の第一導電体７０の外形よりも小さく構成される。これにより、第一導電体７０ｂは、筐体９０の外部側に露出せず、第一電極６４と当接した状態で筐体９０内に収容される。第二導電体４０ｂは、サブマウントＳｍと、金属層４８ｂとを備える。金属層４８ｂのＸＹ平面視での外形は、第１実施形態の金属層４８の外形よりも小さくなるように構成される。これにより、第二導電体４０ｂの金属層４８ｂは、筐体９０の外部側に露出せず筐体９０内に収容される。サブマウントＳｍやレーザダイオード６０の構成は第１実施形態と同様である。 In the present embodiment, the outer shape of the
第一導体面７４および第二導体面４４は、筐体９０の＋Ｙ方向側の側壁部９０Ｗの外表面上に形成される導体配線の電極パッドである。第一導体面７４および第二導体面４４は、既知の印刷技術やフォトリソグラフィ技術によって側壁部９０Ｗの表面上に形成され、側壁部９０Ｗの厚みよりも小さい厚みを有する。第一導体面７４の表面上には、第一実装部７２が形成され、第二導体面４４の表面上には、第二実装部４２が形成される。 The
第一導体面７４は、金属製のリッド８０と当接し、リッド８０は、第一導電体７０ｂと当接して構成される。これにより、第一導体面７４は、リッド８０および第一導電体７０ｂを介して、第一電極６４と電気的に接続される。他方、第二導体面４４は、下面金属層２０と当接し、下面金属層２０は、第二導電体４０ｂと当接して構成される。これにより、第二導体面４４は、下面金属層２０および第二導電体４０ｂを介して、第二電極６２と電気的に接続される。このように、本実施形態のモジュール１００ｂでは、側壁部９０Ｗの外部側に設けられる第一導体面７４が、半導体レーザ装置の正極と第一導電体７０ｂとを電気的に接続する第一接続部として機能し、第二導体面４４が、半導体レーザ装置の負極と第二導電体４０ｂとを電気的に接続する第二接続部として機能する。 The
以上のように、第２実施形態のモジュール１００ｂによれば、第一実装部７２が、側壁部９０Ｗの厚みよりも小さい厚みを有する第一導体面７４上に形成されるので、第一実装部７２周辺の熱容量を低減することができる。したがって、例えば、リフロー方式による第一実装部７２のはんだ付けによりモジュール１００ｂを回路基板上に実装する場合、第一実装部７２の溶融性を向上させることができる。 As described above, according to the module 100b of the second embodiment, since the first mounting
第２実施形態のモジュール１００ｂによれば、第二実装部４２が、側壁部９０Ｗの厚みよりも小さい厚みを有する第二導体面４４上に形成されるので、第二実装部４２周辺の熱容量を低減することができる。したがって、例えば、リフロー方式による第二実装部４２のはんだ付けによりモジュール１００ｂを回路基板上に実装する場合、第二実装部４２の溶融性を向上させることができる。 According to the module 100b of the second embodiment, the second mounting
第２実施形態のモジュール１００ｂによれば、第一実装部７２は、第一導電体７０ｂと当接せず、リッド８０を介して第一導電体７０ｂと電気的に接続される。したがって、第一実装部７２周辺の熱容量を第一導電体７０ｂと当接する状態よりも低減させ、モジュール１００ｂ実装時の第一実装部７２の溶融性を向上させることができる。 According to the module 100b of the second embodiment, the first mounting
第２実施形態のモジュール１００ｂによれば、第二実装部４２は、第二導電体４０ｂと当接せず、下面金属層２０を介して第二導電体４０ｂと電気的に接続される。したがって、セラミック製の基台部３０を省略しつつ、下面金属層２０によりモジュール１００ｂの下面側の放熱性を向上させることができる。また、第二実装部４２周辺の熱容量を第二導電体４０ｂと当接する状態よりも低減させ、モジュール１００ｂ実装時の第二実装部４２の溶融性を向上させることができる。 According to the module 100b of the second embodiment, the second mounting
Ｃ．第３実施形態：
図５および図６Ａに示すように、第３実施形態のモジュール１００ｃは、第一導電体７０に代えて第一導電体７０ｂと、第二導電体４０に代えて第二導電体４０ｂと、基台部３０に代えて基台部３０ｃとを備える点で第１実施形態のモジュール１００と相違する。第一導電体７０ｂおよび第二導電体４０ｂは、第２実施形態の第一導電体７０ｂおよび第二導電体４０ｂと同一であり、筐体９０内に収容される。また、第３実施形態のモジュール１００ｃは、更に、基台側金属層２０ｃと、第一導体面７４および第二導体面４４と、コリメータレンズ９４とを備える点で第１実施形態のモジュール１００と相違する。コリメータレンズ９４は、レーザダイオード６０から射出されたレーザ光を収差補正して平行光にするレンズである。コリメータレンズ９４は、透光部９２よりも出射方向ＤＬ側に備えられる。C. Third Embodiment:
As shown in FIGS. 5 and 6A, the
本実施形態では、第一導体面７４と第二導体面４４とが、側壁部９０Ｗのうち出射方向ＤＬとは逆側である−Ｘ方向側の側壁部９０Ｗに備えられる。第一実装部７２および第二実装部４２は、第２実施形態と同様に、第一導体面７４と第二導体面４４との表面上にそれぞれ備えられる。本実施形態において、第一導体面７４は、第２実施形態と同様に、金属製のリッド８０と当接し、第一導電体７０ｂを介して第一電極６４と電気的に接続される。 In the present embodiment, the
セラミック製の基台部３０ｃは、図６Ａに示すように、円柱状の貫通孔に電気めっき等により導体が充填されているいわゆるスルーホールビアとも呼ばれるビア状接続部３２を複数備える。ビア状接続部３２は、上面側で第二導電体４０ｂの金属層４８ｂと当接されるとともに、下面側で基台側金属層２０ｃと当接される。 As shown in FIG. 6A, the
基台側金属層２０ｃは、基台部３０ｃのうち第二導電体４０ｂと当接する側とは逆側、すなわち基台部３０ｃの下面側に備えられる。基台側金属層２０ｃは、モジュール１００ｃの下面全域に亘って備えられ、更に、モジュール１００ｃの−Ｘ方向側の側壁部９０Ｗの外表面に至る。−Ｘ方向側の側壁部９０Ｗの外表面に備えられる基台側金属層２０ｃを金属層２０Ｗとしたとき、金属層２０Ｗは、第二導体面４４と当接して互いに電気的に接続される。金属層２０Ｗは、基台側金属層２０ｃに接続される導体配線で構成されてもよい。第二導体面４４は、基台側金属層２０ｃと第二導電体４０ｂとを介して第二電極６２と電気的に接続される。このように、本実施形態のモジュール１００ｃでは、第一導体面７４が−Ｘ方向側の側壁部９０Ｗで第一接続部として機能し、第二導体面４４が−Ｘ方向側の側壁部９０Ｗで第二接続部として機能する。 The base
次に、図６Ｂ、図６Ｃを用いて、モジュール１００ｃを備える半導体レーザ装置４００ｃの構成について説明する。図６Ｂには、半導体レーザ装置４００ｃに備えられる回路基板ＰＢの＋Ｘ方向側の表面が模式的に示されている。回路基板ＰＢは、導体の配線が形成されたプリント配線板である。モジュール１００ｃは、回路基板ＰＢの＋Ｘ方向側の表面に実装される。回路基板ＰＢには、モジュール１００ｃのほか、キャパシタやＬＤドライバ、プリドライバ、コネクタ等の図示しない電子部品が実装される。 Next, the configuration of the
図６Ｂに示すように、本実施形態の半導体レーザ装置４００ｃは、回路基板ＰＢ上に、複数のモジュール１００ｃを備える。モジュール１００ｃは、図６Ｂの例において９つ備えられる。上述したように、本実施形態のモジュール１００ｃでは、第一導体面７４と第二導体面４４とが、出射方向ＤＬとは逆側である−Ｘ方向側の側壁部９０Ｗに備えられる。図６Ｃに示すように、各モジュール１００ｃは、第一実装部７２と第二実装部４２との一般的なリフロー工程によるはんだ付けによって回路基板ＰＢ上に実装される。これにより、第一接続部として機能する第一導体面７４と、第二接続部として機能する第二導体面４４とが、回路基板ＰＢ上の導体配線に当接された状態で回路基板ＰＢの表面に実装される。実装された各モジュール１００ｃのレーザ光の出射方向ＤＬは、＋Ｘ方向側にそれぞれ揃えられる。 As shown in FIG. 6B, the
図６Ｂおよび図６Ｃに示すように、各モジュール１００ｃは、回路基板ＰＢの表面にＺ方向とＹ方向とのそれぞれにおいて互いに等間隔となるように規則的に配列され、いわゆる二次元アレイを構成している。 As shown in FIGS. 6B and 6C, each
図６Ｃに示すように、本実施形態の半導体レーザ装置４００ｃは、各モジュール１００ｃの出射方向ＤＬ側に、更にマイクロレンズアレイ３００を備える。マイクロレンズアレイ３００は、複数の集光レンズを配列した板状の透光部材である。マイクロレンズアレイ３００の各集光レンズは、各モジュール１００ｃから出射されるレーザ光の光路のそれぞれに対応する位置に配置される。 As shown in FIG. 6C, the
第３実施形態のモジュール１００ｃによれば、複数のビア状接続部３２を備えるセラミック製の基台部３０ｃと、基台部３０ｃの下面側の基台側金属層２０ｃとを備える。したがって、基台部３０ｃと基台側金属層２０ｃとによってモジュール１００ｃの下面側の放熱性能や耐衝撃性を高めることができる。また、第二実装部４２は、第二導体面４４上に備えられるので、金属層４８ｂ上に第二実装部４２を備える場合よりも第二実装部４２周辺の熱容量を低減することができる。 According to the
本実施形態のモジュール１００ｃによれば、第一導体面７４が−Ｘ方向側の側壁部９０Ｗで第一接続部として機能し、第二導体面４４が−Ｘ方向側の側壁部９０Ｗで第二接続部として機能する。すなわち、第一接続部と第二接続部とが、レーザダイオード６０の位置に対して出射方向ＤＬとは逆側の側壁部９０Ｗの外部側に備えられる。したがって、端面出射型のレーザダイオード６０を、例えば、出射方向ＤＬを半導体レーザ装置の回路基板の面方向に対して垂直な方向に一致させた状態で回路基板上に実装することができる。本実施形態のモジュール１００ｃを複数備えることにより、回路基板上にアレイ状のレーザ光源を配置することができる。 According to the
本実施形態のモジュール１００ｃによれば、レーザダイオード６０の出射方向ＤＬ側にコリメータレンズ９４を備えるので、モジュール１００ｃを平行光のレーザ光を出射するレーザ光源とすることができる。 According to the
本実施形態の半導体レーザ装置４００ｃによれば、複数の半導体レーザ光源モジュール１００ｃのそれぞれは、レーザ光の出射方向ＤＬ側とは逆側となる第一接続部と第二接続部とが回路基板ＰＢの導体配線に当接された状態で回路基板ＰＢの表面に規則的な配列で実装される。したがって、回路基板ＰＢの面方向に垂直な方向に複数のレーザ光を照射するレーザアレイを備えることができ、半導体レーザ装置４００ｃを高出力化することができる。 According to the
本実施形態の半導体レーザ装置４００ｃによれば、複数のモジュール１００ｃから出射されるそれぞれのレーザ光の光路に対応するマイクロレンズアレイ３００を備える。したがって、複数のモジュール１００ｃのそれぞれから出射されるレーザ光を任意の光路に設定することができる。 According to the
Ｄ．第４実施形態：
図７から図９を用いて第４実施形態の半導体レーザ光源モジュール２００の構造について説明する。半導体レーザ光源モジュール２００を以下、単にモジュール２００とも呼ぶ。図７および図８に示すように、第４実施形態のモジュール２００は、矩形状の非導電性材料からなる筐体１９０内部にレーザダイオード１６０を備えて構成される。図８に示すように、モジュール２００は、Ｚ方向に沿って下面側から順に、セラミック製の基台部１３０と、キャパシタ１２０およびＬＤドライバ１１０と、導電体からなるサブマウントＳｍと、レーザダイオード１６０と、第三導電体１７０とを筐体１９０内部に備える。なお、図８では、技術の理解を容易にするため筐体１９０の図示を省略している。D. Fourth Embodiment:
The structure of the semiconductor laser
レーザダイオード１６０は、レーザ光を発生させるｐｎ接合からなる発光層を内部に有する半導体層１６３を備える。半導体層１６３は、−Ｚ方向側で正極として機能する第一電極１６４と、Ｚ方向側で負極として機能する第二電極１６２とによって挟み込まれた状態で形成される。レーザダイオード１６０の構成は第１実施形態でのレーザダイオード６０と同様であるが、第一電極１６４と、第二電極１６２との位置関係がＺ方向において逆になる点で、第１実施形態とは相違する。すなわち、本実施形態のモジュール２００では、レーザダイオード１６０よりも＋Ｚ方向側が負極側であり、−Ｚ方向側が正極側である。 The
筐体１９０は、図７に示すように、レーザダイオード１６０を囲む側壁部１９０Ｗを備える。筐体１９０の上面側は、金属製のリッド１８０によって封止される。図７に示すように、＋Ｙ方向側の側壁部１９０Ｗには、第一配線電極１９５が備えられる。第一配線電極１９５は、一端側をリッド１８０の一部と当接される導体配線である。第一配線電極１９５の他端側は、モジュール２００の下面側に設けられる第二電極パッド１３６と互いに電気的に接続される。＋Ｘ方向側の側壁部１９０Ｗには、レーザ光の出射経路となる位置に透光部１９２を備え、レーザダイオード１６０から出射されるレーザ光を透過する。 As shown in FIG. 7, the
ＬＤドライバ１１０は、図９に示すように、基台部１３０の上面側に当接された状態で配置される。ＬＤドライバ１１０は、図８および図９に示すように、上面にドライバ電極１１２を備える。ドライバ電極１１２は、サブマウントＳｍと当接されて互いに電気的に接続される導体配線である。サブマウントＳｍが省略される場合には、ドライバ電極１１２は、レーザダイオード１６０の第二電極１６２と当接されて電気的に接続される。ＬＤドライバ１１０は、半導体レーザ装置の制御装置から出力される発光信号に従ってレーザダイオード１６０を駆動し、ドライバ電極１１２を介して第一電極１６４にレーザダイオード１６０の電源および信号を供給してレーザ光の出力のＯＮ／ＯＦＦを実行する。 As shown in FIG. 9, the
第二電極１６２は、上面側で第三導電体１７０と当接されて互いに電気的に接続される。第三導電体１７０は、平板状の金属層であり、レーザダイオード１６０を挟んでＬＤドライバ１１０の一方の面側と対向するように配される。第三導電体１７０は、上面側をリッド１８０と当接されて互いに電気的に接続される。上述したように、リッド１８０の一部は、第一配線電極１９５と当接され、第二電極パッド１３６と電気的に接続される。第二電極パッド１３６は、モジュール２００の下面側で半導体レーザ装置の回路基板上の負極側（カソード）の導体配線とモジュール２００とを電気的に接続するための第二接続部として機能する。 The
キャパシタ１２０は、図８に示すように、基台部１３０の上面側でＬＤドライバ１１０と並列させた状態で配置される。キャパシタ１２０は、保持した電荷を短パルスの電流としてＬＤドライバ１１０に入力する。キャパシタ１２０は、基台部１３０に設けられる第二ビア状接続部１３３と当接されて互いに電気的に接続される。第二ビア状接続部１３３は、いわゆるスルーホールビアであり、基台部１３０の下面側に位置する第三電極パッド１３５に当接されて電気的に接続される。 As shown in FIG. 8, the
基台部１３０は、いわゆるセラミック基板であり、本実施形態において窒化アルミニウムが用いられるが、アルミナなどの種々のセラミック材料が用いられてもよい。基台部１３０は、図８に示すように、複数の第一ビア状接続部１３２と、第二ビア状接続部１３３と、第二電極パッド１３６と、第一電極パッド１３４と、第三電極パッド１３５と、ビア状放熱部１３８とを備える。 The
第一ビア状接続部１３２は、上面側をＬＤドライバ１１０の下面側の導体配線や電極パッドと電気的に接続され、下面側を第一電極パッド１３４と電気的に接続される。半導体レーザ装置から出力される指令信号は、第一電極パッド１３４から入力され、第一ビア状接続部１３２を介してＬＤドライバ１１０に入力される。すなわち、第一電極パッド１３４は、モジュール２００の下面側で半導体レーザ装置の回路基板上の正極側（アノード）の導体配線とモジュール２００とを電気的に接続するための第一接続部として機能する。 The upper surface side of the first via-shaped connecting
ビア状放熱部１３８は、略直方体形状の貫通孔に電気めっき等により導体を充填されているいわゆるスルーホールビアである。ビア状放熱部１３８は、ＬＤドライバ１１０の下面側の少なくとも一部と当接されるように配置される。本実施形態において、ビア状放熱部１３８は２つ備えられる。ビア状放熱部１３８は一つであってもよく、省略されてもよい。ビア状放熱部１３８は、第一ビア状接続部１３２や第二ビア状接続部１３３よりも体積が大きくなるように構成され、ＬＤドライバ１１０の熱を下面側から放熱させる。本実施形態において、ビア状放熱部１３８は、ＬＤドライバ１１０とは電気的に接続されず導体配線として機能しないが、ＬＤドライバ１１０と電気的に接続されて導体配線として機能させてもよい。 The via-shaped
以上説明したように、本実施形態の半導体レーザ光源モジュール２００によれば、筐体１９０内に収容されたＬＤドライバ１１０と、レーザダイオード１６０の第一電極１６４とが当接されて電気的に接続されるとともに、第三導電体１７０と、第二電極１６２とが当接されて電気的に接続される。モジュール２００は、第二電極１６２と電気的に接続される第二電極パッド１３６と、第二電極１６２に電気的に接続される第一電極パッド１３４とを側壁部１９０Ｗの外部側に備えることにより、半導体レーザ装置の回路基板上に実装可能に構成される。したがって、ボンディングワイヤを用いることなく筐体１９０内のＬＤドライバ１１０からレーザダイオード１６０に電流を供給でき、寄生インダクタンスの発生を抑制することができる。 As described above, according to the semiconductor laser
本実施形態のモジュール２００によれば、ビア状放熱部１３８が、ＬＤドライバ１１０の下面側の少なくとも一部と当接されるように基台部１３０に備えられる。これにより、ＬＤドライバ１１０の下面側からの放熱性能を向上させることができる。 According to the
本実施形態のモジュール２００によれば、第一実装部として機能する第一電極パッド１３４と、ＬＤドライバ１１０とを電気的に接続する導電性の第一ビア状接続部１３２が基台部１３０内に備えられる。これにより、ボンディングワイヤを用いることなくＬＤドライバ１１０と半導体レーザ装置の回路基板とを電気的に接続することができ、寄生インダクタンスの発生を抑制することができる。本実施形態のモジュール２００では、更に、基台部１３０は、キャパシタ１２０と第三電極パッド１３５とを電気的に接続する第二ビア状接続部１３３を備えるので、キャパシタ１２０を筐体１９０内に備えつつ、寄生インダクタンスの発生を抑制することができる。 According to the
本実施形態のモジュール２００によれば、ＬＤドライバ１１０は、上面側にドライバ電極１１２を有する。ＬＤドライバ１１０は、モジュール２００の筐体１９０内に搭載されるとともに、ドライバ電極１１２を介して第一電極１６４と電気的に接続される。したがって、寄生インダクタンスの発生を抑制しつつ、ＬＤドライバ１１０とレーザダイオード１６０との導体配線を簡略なものとすることができる。 According to the
本実施形態のモジュール２００によれば、ＬＤドライバ１１０と第一電極１６４との間に導電性のサブマウントＳｍを備える。したがって、レーザダイオード１６０やＬＤドライバ１１０で発生する熱を放熱させることができるとともに、レーザダイオード１６０とＬＤドライバ１１０との間に生じる熱膨張率差による応力を緩和させることができる。 According to the
Ｅ．第５実施形態：
図１０および図１１に示すように、第５実施形態のモジュール２００ｅは、第一電極パッド１３４および第二電極パッド１３６が、側壁部１９０Ｗのうち、レーザダイオード１６０の位置に対して出射方向ＤＬとは逆側、すなわち−Ｘ方向側の側壁部１９０Ｗに備えられる点と、基台部１３０に代えて基台部１３０ｅを備える点と、第一配線電極１９５を備えない点と、コリメータレンズ１９４を備える点とで、第４実施形態のモジュール２００と相違する。E. Fifth embodiment:
As shown in FIGS. 10 and 11, in the
第二電極パッド１３６は、図１０に示すように、−Ｘ方向側の側壁部１９０Ｗの＋Ｚ方向側の端部に配置され、導電体のリッド１８０と当接される。第二電極パッド１３６は、リッド１８０と第三導電体１７０を介して第二電極１６２と電気的に接続され、−Ｘ方向側の側壁部１９０Ｗ上で第二接続部として機能する。第一電極パッド１３４は、−Ｘ方向側の側壁部１９０Ｗの−Ｚ方向側の端部に配置される。 As shown in FIG. 10, the
基台部１３０ｅは、いわゆるセラミック基板であり、図１１に示すように、第一ビア状接続部１３２を備える点で、第４実施形態での基台部１３０と共通するが、更に、下面側に第二配線電極１９６を備える点で第４実施形態での基台部１３０と相違する。本実施形態において、基台部１３０ｅは、ビア状放熱部１３８と、第二ビア状接続部１３３および第三電極パッド１３５を備えないが、備えてもよい。 The
第二配線電極１９６は、基台部１３０ｅの下面側に備えられる導体配線である。第二配線電極１９６は、側壁部１９０Ｗに設けられる各第一電極パッド１３４と、各第一ビア状接続部１３２とを電気的に接続する。これにより、本実施形態において、第一電極パッド１３４は、第二配線電極１９６および第一ビア状接続部１３２を介してＬＤドライバ１１０に電気的に接続され、サブマウントＳｍを介して第二電極１６２に電気的に接続される。第一電極パッド１３４は、−Ｘ方向側の側壁部１９０Ｗで第一接続部として機能する。 The
次に、図１２、図１３を用いて、モジュール２００ｅを備える半導体レーザ装置４００ｅの構成について説明する。図１２には、半導体レーザ装置４００ｅに備えられる回路基板ＰＢの＋Ｘ方向側の表面が模式的に示されている。図１２に示すように、本実施形態の半導体レーザ装置４００ｅは、回路基板ＰＢ上に、複数のモジュール２００ｅを備える。モジュール２００ｅは、図１２の例において９つ備えられる。 Next, the configuration of the
上述したように、本実施形態のモジュール２００ｅでは、第一電極パッド１３４および第二電極パッド１３６が、レーザダイオード１６０の位置に対して出射方向ＤＬとは逆側である−Ｘ方向側の側壁部１９０Ｗに備えられる。図１３に示すように、各モジュール２００ｅは、第一電極パッド１３４と第二電極パッド１３６との一般的なリフロー工程によるはんだ付けによって回路基板ＰＢ上に実装される。これにより、第一接続部として機能する第一電極パッド１３４と、第二接続部として機能する第二電極パッド１３６とが、回路基板ＰＢ上の導体配線に当接された状態で回路基板ＰＢの表面に実装される。実装された各モジュール２００ｅのレーザ光の出射方向ＤＬは、＋Ｘ方向側にそれぞれ揃えられる。 As described above, in the
図１２および図１３に示すように、各モジュール２００ｅは、回路基板ＰＢの表面にＺ方向とＹ方向とのそれぞれにおいて互いに等間隔となるように規則的に配列され、いわゆる二次元アレイを構成している。 As shown in FIGS. 12 and 13, each
図１３に示すように、本実施形態の半導体レーザ装置４００ｅは、各モジュール２００ｅの出射方向ＤＬ側に、更にマイクロレンズアレイ３００を備える。マイクロレンズアレイ３００の構成は、第３実施形態でのマイクロレンズアレイ３００と同様である。マイクロレンズアレイ３００の各集光レンズは、各モジュール２００ｅから出射されるレーザ光の光路のそれぞれに対応する位置に配置される。 As shown in FIG. 13, the
本実施形態のモジュール２００ｅによれば、第一電極パッド１３４と、第二電極パッド１３６とが、側壁部１９０Ｗのうち、レーザダイオード１６０の位置に対して出射方向ＤＬとは逆側である−Ｘ方向側の側壁部１９０Ｗの外部側に備えられる。したがって、端面出射型のレーザダイオード１６０を、例えば、出射方向ＤＬを半導体レーザ装置の回路基板の面方向に対して垂直な方向に一致させた状態で回路基板上に実装することができる。本実施形態のモジュール２００ｅを複数備えることにより、回路基板上にアレイ状のレーザ光源を配置することができる。 According to the
本実施形態のモジュール２００ｅによれば、レーザダイオード１６０の出射方向ＤＬ側にコリメータレンズ１９４を備えるので、モジュール２００ｅを平行光のレーザ光を出射するレーザ光源とすることができる。 According to the
本実施形態の半導体レーザ装置４００ｅによれば、複数の半導体レーザ光源モジュール２００ｅのそれぞれは、レーザ光の出射方向ＤＬ側とは逆側となる第一接続部と第二接続部とが回路基板ＰＢの導体配線に当接された状態で回路基板ＰＢの表面に規則的な配列で実装される。したがって、回路基板ＰＢの面方向に垂直な方向に複数のレーザ光を照射するレーザアレイを備えることができ、半導体レーザ装置４００ｅを高出力化することができる。 According to the
本実施形態の半導体レーザ装置４００ｅによれば、複数のモジュール２００ｅから出射されるそれぞれのレーザ光の光路に対応するマイクロレンズアレイ３００を備える。したがって、複数のモジュール２００ｅのそれぞれから出射されるレーザ光を任意の光路に設定することができる。 According to the
Ｆ．他の実施形態：
（Ｆ１）上記第１実施形態では、第一導電体７０のＹ方向側の端面７０ＷをＹ方向側の側壁部９０Ｗの外表面に露出させて第一接続部が構成され、平板状の第二導電体４０（より具体的には金属層４８）のＹ方向側の端面４０ＷをＹ方向側の側壁部９０Ｗの外表面に露出させて第二接続部が構成される。これに対して、第一導電体７０、第二導電体４０のいずれか一方の端面をＹ方向側の側壁部９０Ｗの外表面に露出させる構成であってもよい。この場合において、第一導体面７４または第二導体面４４を第一接続部または第二接続部として構成してよい。F. Other embodiments:
(F1) In the first embodiment, the
（Ｆ２）上記第２実施形態および第３実施形態では、第二導体面４４は、下面金属層２０または基台側金属層２０ｃを介して第二電極６２と電気的に接続される。これに対して、下面金属層２０または基台側金属層２０ｃに代えて、例えば基台部３０の上面に形成された導体配線によって第二導体面４４と第二電極６２とが電気的に接続されてもよい。(F2) In the second embodiment and the third embodiment, the
（Ｆ３）上記第２実施形態および第３実施形態では、第一電極６４は、導電体からなるリッド８０を介して第一導体面７４と電気的に接続される。これに対して非導電体からなるリッド８０の下面に形成された導体配線によって第一電極６４と第一導体面７４とが電気的に接続されてもよい。(F3) In the second embodiment and the third embodiment, the
（Ｆ４）上記各実施形態では、筐体９０は側壁部９０Ｗの一部に透光部９２を備え、筐体１９０は側壁部１９０Ｗの一部に透光部１９２を備えるが、側壁部９０Ｗや側壁部１９０Ｗをガラス等で構成することにより側壁部９０Ｗや側壁部１９０Ｗの全体を透光部として構成してもよい。この形態の半導体レーザ光源モジュールによれば、レーザダイオードの出射方向とは逆側から出射されるレーザ光を取得することができる。(F4) In each of the above embodiments, the
（Ｆ５）上記第３実施形態の半導体レーザ装置４００ｃでは、各モジュール１００ｃは、回路基板ＰＢの表面に、Ｚ方向とＹ方向とのそれぞれにおいて互いに等間隔となるように規則的に配列される。これに対して、各モジュール１００ｃは、図１４に示すように、回路基板ＰＢの表面に、互い違いに配置されるいわゆる千鳥状の配置により規則的な配列で実装されてもよい。この形態の半導体レーザ装置４００ｃによれば、各モジュール１００ｃを高密度化し、半導体レーザ装置４００ｃのレーザ光の分解能を高くすることができる。(F5) In the
（Ｆ６）上記第５実施形態の半導体レーザ装置４００ｅでは、各モジュール２００ｅは、回路基板ＰＢの表面に、Ｚ方向とＹ方向とのそれぞれにおいて互いに等間隔となるように規則的に配列される。これに対して、各モジュール２００ｅは、図１５に示すように、回路基板ＰＢの表面に、互い違いに配置されるいわゆる千鳥状の配置により規則的な配列で実装されてもよい。この形態の半導体レーザ装置４００ｅによれば、各モジュール２００ｅを高密度化し、半導体レーザ装置４００ｅによるレーザ光の分解能を高くすることができる。(F6) In the
本開示は、上述の実施形態や変形例に限られるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲において種々の構成で実現することができる。例えば、発明の概要の欄に記載した各形態中の技術的特徴に対応する実施形態、変形例中の技術的特徴は、上述の課題の一部又は全部を解決するために、あるいは、上述の効果の一部又は全部を達成するために、適宜、差し替えや、組み合わせを行うことが可能である。また、その技術的特徴が本明細書中に必須なものとして説明されていなければ、適宜、削除することが可能である。 The present disclosure is not limited to the above-described embodiments and modifications, and can be realized with various configurations without departing from the spirit of the present disclosure. For example, the embodiments corresponding to the technical features in each of the embodiments described in the column of the outline of the invention, the technical features in the modified examples are used to solve some or all of the above-mentioned problems, or the above-mentioned above. It is possible to replace or combine them as appropriate to achieve some or all of the effects. Further, if the technical feature is not described as essential in the present specification, it can be appropriately deleted.
４０，４０ｂ 第二導電体、６０、１６０ レーザダイオード、６２，１６２ 第二電極、６３，１６３ 半導体層、６４，１６４ 第一電極、７０，７０ｂ 第一導電体、９０ 筐体、９０Ｗ，１９０Ｗ 側壁部、９２，１９２ 透光部、１００，１００ｂ，１００ｃ，２００，２００ｅ 半導体レーザ光源モジュール、１１０ ＬＤドライバ、１３０，１３０ｅ 基台部、１３４ 第一電極パッド、１３６ 第二電極パッド、１７０ 第三導電体、40,40b 2nd conductor, 60,160 laser diode, 62,162 2nd electrode, 63,163 semiconductor layer, 64,164 1st electrode, 70,70b 1st conductor, 90 housing, 90W, 190W side wall Unit, 92,192 Translucent part, 100, 100b, 100c, 200, 200e Semiconductor laser light source module, 110 LD driver, 130, 130e base part, 134 1st electrode pad, 136 2nd electrode pad, 170 3rd conductive body,
Claims (22)
Translated fromJapanese活性層を含む半導体層（６３）の一方の面側に形成された第一電極（６４）と、前記活性層の他方の面側に形成された第二電極（６２）とを備える端面出射型のレーザダイオード（６０）と、
前記レーザダイオードを囲む側壁部（９０Ｗ）を有し、前記側壁部のうち少なくとも一部にレーザ光を透過する透光部（９２）を備える筐体（９０）と、
前記第一電極に当接される第一導電体（７０，７０ｂ）と、
前記第二電極に当接される第二導電体（４０，４０ｂ）と、
前記側壁部の外部側に設けられ、前記第一導電体と電気的に接続される第一接続部と、
前記側壁部の外部側に設けられ、前記第二導電体と電気的に接続される第二接続部と、を備える
半導体レーザ光源モジュール。A semiconductor laser light source module (100, 100b, 100c).
An end face ejection type including a first electrode (64) formed on one surface side of a semiconductor layer (63) including an active layer and a second electrode (62) formed on the other surface side of the active layer. Laser diode (60) and
A housing (90) having a side wall portion (90 W) surrounding the laser diode and having a translucent portion (92) that transmits laser light at least a part of the side wall portion.
The first conductor (70, 70b) abutting on the first electrode and
The second conductors (40, 40b) that come into contact with the second electrode and
A first connection portion provided on the outer side of the side wall portion and electrically connected to the first conductor,
A semiconductor laser light source module including a second connecting portion provided on the outer side of the side wall portion and electrically connected to the second conductor.
前記第一導電体に含まれる前記平板状の金属層の端面（７０Ｗ）が、前記側壁部の外部側に露出して前記第一接続部として機能する、請求項１に記載の半導体レーザ光源モジュール。The first conductor includes a flat metal layer and contains a flat metal layer.
The semiconductor laser light source module according to claim 1, wherein the end surface (70 W) of the flat metal layer contained in the first conductor is exposed to the outer side of the side wall portion and functions as the first connection portion. ..
前記第一導体面の外部側の表面が前記第一接続部として機能する、請求項１に記載の半導体レーザ光源モジュール。Further, on the outer side of the side wall portion, a first conductor surface (74) having a thickness smaller than the thickness of the side wall portion and which is electrically connected to the first conductor is provided. ,
The semiconductor laser light source module according to claim 1, wherein the outer surface of the first conductor surface functions as the first connection portion.
前記第二導電体に含まれる前記平板状の金属層の端面（４０Ｗ）が、前記側壁部の外部側に露出して前記第二接続部として機能する、請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載の半導体レーザ光源モジュール。The second conductor includes a flat metal layer (48).
Any of claims 1 to 3, wherein the end face (40 W) of the flat metal layer contained in the second conductor is exposed to the outer side of the side wall portion and functions as the second connecting portion. The semiconductor laser light source module according to claim 1.
前記第二導体面の外部側の表面が前記第二接続部として機能する、請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載の半導体レーザ光源モジュール。Further, on the outer side of the side wall portion, a second conductor surface (44) having a thickness smaller than the thickness of the side wall portion, which is electrically connected to the second conductor, is provided. ,
The semiconductor laser light source module according to any one of claims 1 to 3, wherein the outer surface of the second conductor surface functions as the second connecting portion.
更に、前記基台部の前記第二導電体と当接する側とは逆側に基台側金属層（２０ｃ）を備え、
前記基台部は、導電性を有するビア状接続部（３２）を備え、
前記基台側金属層は、前記第二接続部と電気的に接続されるとともに、前記ビア状接続部を介して前記第二導電体と電気的に接続される、
半導体レーザ光源モジュール。The semiconductor laser light source module according to claim 6.
Further, a base side metal layer (20c) is provided on the side of the base portion opposite to the side that comes into contact with the second conductor.
The base portion includes a conductive via-shaped connecting portion (32).
The base-side metal layer is electrically connected to the second connecting portion and is electrically connected to the second conductor via the via-shaped connecting portion.
Semiconductor laser light source module.
前記複数の半導体レーザ光源モジュールに電流を供給する回路基板（ＰＢ）と、を備え、
前記複数の半導体レーザ光源モジュールのそれぞれは、前記側壁部の外部側に備えられる前記第一接続部と前記第二接続部とが前記回路基板の導体配線に当接された状態で、前記回路基板の表面に規則的な配列で実装される、
半導体レーザ装置。The semiconductor laser light source module according to claim 9, wherein a plurality of semiconductor laser light source modules and
A circuit board (PB) that supplies a current to the plurality of semiconductor laser light source modules is provided.
Each of the plurality of semiconductor laser light source modules has the circuit board in a state where the first connection portion and the second connection portion provided on the outer side of the side wall portion are in contact with the conductor wiring of the circuit board. Implemented in a regular array on the surface of
Semiconductor laser device.
前記複数の半導体レーザ光源モジュールは、前記回路基板の表面に互い違いに配置されることにより前記規則的な配列で実装される、
半導体レーザ装置。The semiconductor laser device according to claim 10.
The plurality of semiconductor laser light source modules are mounted in the regular arrangement by alternately arranging them on the surface of the circuit board.
Semiconductor laser device.
更に、前記規則的に配列された前記複数の半導体レーザ光源モジュールから出射されるそれぞれのレーザ光の光路に対応するマイクロレンズアレイ（３００）を備える、
半導体レーザ装置。The semiconductor laser device according to claim 10 or 11.
Further, the microlens array (300) corresponding to the optical path of each laser beam emitted from the plurality of regularly arranged semiconductor laser light source modules is provided.
Semiconductor laser device.
活性層を含む半導体層（１６３）の一方の面側に形成された第一電極（１６４）と、前記活性層の他方の面側に形成された第二電極（１６２）とを備える端面出射型のレーザダイオード（１６０）と、
前記レーザダイオードを囲む側壁部（１９０Ｗ）を有し、前記側壁部のうち少なくとも一部にレーザ光を透過する透光部（１９２）を備える筐体（１９０）と、
前記第一電極と電気的に接続され、前記レーザダイオードを駆動する平板状のＬＤドライバ（１１０）と、
前記レーザダイオードを挟んで前記ＬＤドライバの一方の面側と対向するように配され、前記第二電極に当接されて前記レーザダイオードと電気的に接続される導電体（１７０）と、
前記ＬＤドライバの他方の面側に当接されるセラミック製の基台部（１３０，１３０ｅ）と、
前記筐体の外部側に配置される第一電極パッド（１３４）であって、前記ＬＤドライバと電気的に接続される第一電極パッドと、
前記筐体の外部側に配置される第二電極パッド（１３６）であって、前記導電体と電気的に接続される第二電極パッドと、を備える
半導体レーザ光源モジュール。It is a semiconductor laser light source module (200, 200e).
An end face emission type including a first electrode (164) formed on one surface side of a semiconductor layer (163) including an active layer and a second electrode (162) formed on the other surface side of the active layer. Laser diode (160) and
A housing (190) having a side wall portion (190 W) surrounding the laser diode and having a translucent portion (192) that transmits laser light at least a part of the side wall portion.
A flat-plate LD driver (110) that is electrically connected to the first electrode and drives the laser diode,
A conductor (170) arranged so as to face one surface side of the LD driver across the laser diode, abutting on the second electrode, and electrically connected to the laser diode.
A ceramic base portion (130, 130e) abutting on the other surface side of the LD driver, and
A first electrode pad (134) arranged on the outer side of the housing, which is electrically connected to the LD driver, and a first electrode pad.
A semiconductor laser light source module including a second electrode pad (136) arranged on the outer side of the housing, the second electrode pad being electrically connected to the conductor.
前記基台部のうち前記ＬＤドライバと当接される面の少なくとも一部と当接されて、前記ＬＤドライバの熱を放熱するビア状放熱部（１３８）を備える
半導体レーザ光源モジュール。The semiconductor laser light source module according to claim 13.
A semiconductor laser light source module including a via-shaped heat radiating portion (138) that is in contact with at least a part of a surface of the base portion that is in contact with the LD driver and dissipates heat from the LD driver.
前記基台部は、前記ＬＤドライバと前記第一電極パッドとを電気的に接続する導電性のビア状接続部（１３２）を備える
半導体レーザ光源モジュール。The semiconductor laser light source module according to claim 13 or 14.
The base portion is a semiconductor laser light source module including a conductive via-shaped connecting portion (132) that electrically connects the LD driver and the first electrode pad.
請求項１３から請求項１５までのいずれか一項に記載の半導体レーザ光源モジュール。The LD driver has a driver electrode (112) on one surface side thereof, and any one of claims 13 to 15 in which the driver electrode and the first electrode are electrically connected to each other. The semiconductor laser light source module according to.
前記サブマウントは、前記ドライバ電極と当接して前記ＬＤドライバと電気的に接続されるとともに、前記第一電極と当接して前記レーザダイオードと電気的に接続される
請求項１６に記載の半導体レーザ光源モジュール。Further, a conductive submount (Sm) is provided between the LD driver and the first electrode.
The semiconductor laser according to claim 16, wherein the submount is in contact with the driver electrode and electrically connected to the LD driver, and is in contact with the first electrode and electrically connected to the laser diode. Light source module.
前記複数の半導体レーザ光源モジュールに電流を供給する回路基板（ＰＢ）と、を備え、
前記複数の半導体レーザ光源モジュールのそれぞれは、前記側壁部の外部側に備えられる前記第一電極パッドと前記第二電極パッドとが前記回路基板の導体配線に当接された状態で、前記回路基板の表面に規則的な配列で実装される、
半導体レーザ装置（４００ｅ）。The semiconductor laser light source module according to claim 19, wherein a plurality of semiconductor laser light source modules and
A circuit board (PB) that supplies a current to the plurality of semiconductor laser light source modules is provided.
Each of the plurality of semiconductor laser light source modules has the circuit board in a state where the first electrode pad and the second electrode pad provided on the outer side of the side wall portion are in contact with the conductor wiring of the circuit board. Implemented in a regular arrangement on the surface of
Semiconductor laser device (400e).
前記複数の半導体レーザ光源モジュールは、前記回路基板の表面に互い違いに配置されることにより前記規則的な配列で実装される、
半導体レーザ装置。The semiconductor laser device according to claim 20.
The plurality of semiconductor laser light source modules are mounted in the regular arrangement by alternately arranging them on the surface of the circuit board.
Semiconductor laser device.
前記規則的に配列された前記複数の半導体レーザ光源モジュールから出射されるそれぞれのレーザ光の光路に対応するマイクロレンズアレイ（３００）を備える、
半導体レーザ装置。The semiconductor laser device according to claim 20 or 21.
A microlens array (300) corresponding to an optical path of each laser light emitted from the plurality of regularly arranged semiconductor laser light source modules is provided.
Semiconductor laser device.
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