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JP2019016496A - Organic el display panel and manufacturing method of organic el display panel - Google Patents

Organic el display panel and manufacturing method of organic el display panelDownload PDF

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JP2019016496AJP2017132646AJP2017132646AJP2019016496AJP 2019016496 AJP2019016496 AJP 2019016496AJP 2017132646 AJP2017132646 AJP 2017132646AJP 2017132646 AJP2017132646 AJP 2017132646AJP 2019016496 AJP2019016496 AJP 2019016496A
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Abstract

Translated fromJapanese

【課題】共通電極層と補助電極層との間の接触電気抵抗を低減する。【解決手段】画素電極１１９の間隙に延伸した第１補助電極層１３５と、第１補助電極層１３５に重畳した第２補助電極層２００と、発光層１２３と、第１補助電極層１３５及び第２補助電極層２００とを覆って連続して配された共通電極層１２５とを備え、第１補助電極層１３５と共通電極層１２５とは、第１補助電極層１３５の上面に垂直な壁面上の一部領域１３５ａ１、ａ２において接触しており、第１補助電極層１３５は、アルミニウムと異なる金属を主成分として含み、アルミニウムよりも大気中における接触抵抗が低い材料からなる。【選択図】図５PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce the contact electrical resistance between a common electrode layer and an auxiliary electrode layer. SOLUTION: A first auxiliary electrode layer 135 extending in a gap of a pixel electrode 119, a second auxiliary electrode layer 200 superimposed on the first auxiliary electrode layer 135, a light emitting layer 123, a first auxiliary electrode layer 135 and a first. 2. A common electrode layer 125 that is continuously arranged so as to cover the auxiliary electrode layer 200 is provided, and the first auxiliary electrode layer 135 and the common electrode layer 125 are on a wall surface perpendicular to the upper surface of the first auxiliary electrode layer 135. The first auxiliary electrode layer 135 is made of a material containing a metal different from aluminum as a main component and having a lower contact resistance in the atmosphere than aluminum. [Selection diagram] Fig. 5

Description

Translated fromJapanese

本開示は、有機材料の電界発光現象を利用した有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子を用いた有機ＥＬ表示パネル及びその製造方法に関する。  The present disclosure relates to an organic EL display panel using an organic EL (Electro Luminescence) element using an electroluminescence phenomenon of an organic material, and a manufacturing method thereof.

近年、デジタルテレビ等の表示装置に用いられる表示パネルとして、基板上に有機ＥＬ素子をマトリックス状に複数配列した有機ＥＬ表示パネルが実用化されている。
有機ＥＬ表示パネルでは、一般に各有機ＥＬ素子の発光層と、隣接する有機ＥＬ素子とは絶縁材料からなる絶縁層で仕切られており、カラー表示用の有機ＥＬ表示パネルにおいては、有機ＥＬ素子がＲＧＢ各色に発光する副画素を形成し、隣り合うＲＧＢの副画素が組合わさってカラー表示における単位画素が形成されている。In recent years, an organic EL display panel in which a plurality of organic EL elements are arranged in a matrix on a substrate has been put into practical use as a display panel used in a display device such as a digital television.
In the organic EL display panel, the light emitting layer of each organic EL element and the adjacent organic EL element are generally partitioned by an insulating layer made of an insulating material. In the organic EL display panel for color display, the organic EL element is Sub-pixels that emit light of RGB colors are formed, and adjacent RGB sub-pixels are combined to form a unit pixel in color display.

有機ＥＬ素子は、一対の電極の間に有機発光材料を含む発光層が配設された基本構造を有し、駆動時には、一対の電極対間に電圧を印加し、発光層に注入されるホールと電子との再結合に伴って発光する。
トップエミッション型の有機ＥＬ素子は、基板上に画素電極、有機層（発光層を含む）、及び共通電極が順に設けられた素子構造を有する。発光層からの光は、光反射性材料からなる画素電極にて反射されるとともに、光透光性材料からなる共通電極から上方に出射される。共通電極は、基板上の表示画素部全面にわたって成膜することが多い。テレビ等大画面表示装置への利用に向けた有機ＥＬ表示パネルが大型化に伴い、共通電極の電気抵抗が増加し、給電部から遠い部分では電圧降下により電流が十分に供給されずに発光効率が低下し、これに起因して輝度ムラが発生することが懸念される。An organic EL element has a basic structure in which a light emitting layer containing an organic light emitting material is disposed between a pair of electrodes, and when driven, a hole is injected into the light emitting layer by applying a voltage between the pair of electrodes. Emits light upon recombination of electrons with electrons.
A top emission type organic EL element has an element structure in which a pixel electrode, an organic layer (including a light emitting layer), and a common electrode are sequentially provided on a substrate. The light from the light emitting layer is reflected by the pixel electrode made of a light reflective material and emitted upward from the common electrode made of a light transmissive material. In many cases, the common electrode is formed over the entire surface of the display pixel portion on the substrate. With the increase in size of organic EL display panels for use in large-screen display devices such as televisions, the electrical resistance of the common electrode increases, and current is not sufficiently supplied due to voltage drop in areas far from the power supply unit, resulting in luminous efficiency There is a concern that the brightness may be reduced and luminance unevenness may occur due to this.

これに対し、例えば、特許文献１では、基板上の画素電極と同層に補助電極層を延伸し、その上に共通電極を重畳させて共通電極との電気的な接続を図ることにより、共通電極の電気抵抗を低減する技術が提案されている。また、補助電極層と共通電極とを金属酸化物からなるホール注入層を介して積層して、補助電極層と共通電極との電気的な接続を図る技術（例えば、特許文献２）や、金属原子を含む電子輸送層を介して積層する技術が提案されている（例えば、特許文献３）。  On the other hand, for example, inPatent Document 1, an auxiliary electrode layer is extended in the same layer as a pixel electrode on a substrate, and a common electrode is superimposed on the auxiliary electrode layer to achieve electrical connection with the common electrode. Techniques for reducing the electrical resistance of electrodes have been proposed. In addition, a technique (for example, Patent Document 2) in which an auxiliary electrode layer and a common electrode are stacked through a hole injection layer made of a metal oxide to electrically connect the auxiliary electrode layer and the common electrode, metal A technique of stacking via an electron transport layer containing atoms has been proposed (for example, Patent Document 3).

特開２００２−３１８５５６号公報JP 2002-318556 A特許第５８８４２２４号公報Japanese Patent No. 5884224国際公開特許ＷＯ２０１５／１５１４１５International Patent Publication WO2015 / 151415特開２００９−２８３３０４号公報JP 2009-283304 A

ところが、補助電極層の材料に画素電極と同じ光反射性を有するアルミニウム、銀といった金属を用いた場合、その後の製造工程において補助電極層の表層に酸化膜が形成され、補助電極層と共通電極層と間の接触電気抵抗が高まるという課題があった。
本開示は、上記課題に鑑みてなされたものであり、補助電極層に画素電極と同じ光反射性を有する安価な金属材料を用いた構成において、共通電極層と補助電極層との間の電気的接続における接触電気抵抗の低減を図り、発光効率を向上させるとともに輝度ムラを抑制する有機ＥＬ表示パネル、及びその有機ＥＬ表示パネルの製造方法を提供することを目的とする。However, when a metal such as aluminum or silver having the same light reflectivity as the pixel electrode is used as the material of the auxiliary electrode layer, an oxide film is formed on the surface layer of the auxiliary electrode layer in the subsequent manufacturing process, and the auxiliary electrode layer and the common electrode are formed. There was a problem that the contact electrical resistance between the layers increased.
The present disclosure has been made in view of the above-described problems. In a configuration in which an inexpensive metal material having the same light reflectivity as that of the pixel electrode is used for the auxiliary electrode layer, electricity between the common electrode layer and the auxiliary electrode layer is provided. An object of the present invention is to provide an organic EL display panel that reduces the contact electrical resistance in a general connection, improves luminous efficiency, and suppresses uneven luminance, and a method for manufacturing the organic EL display panel.

上記目的を達成するため、本開示の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルは、基板上に複数の画素電極が行列状に配され、各画素電極上に有機発光材料を含む発光層が配されてなる有機ＥＬ表示パネルであって、基板と、前記基板の上方に行列状に配された複数の画素電極と、前記基板の上方において、隣接する前記画素電極の間隙のうちの少なくとも１の間隙内に列又は行方向に延伸して配された第１給電補助電極層と、前記第１給電補助電極層に重畳して配された第２給電補助電極層と、前記複数の画素電極上に配された複数の発光層と、前記複数の発光層の上方、前記第１給電補助電極層及び前記第２給電補助電極層を覆って連続して配された共通電極層とを備え、前記第１給電補助電極層と前記共通電極層とは、少なくとも前記第１給電補助電極層の上面に垂直な壁面上の一部領域において接しており、前記第２給電補助電極層は、アルミニウムを主成分として含み、かつ、少なくとも前記第２給電補助電極層の表層にはアルミニウムの酸化物が形成されており、前記第１給電補助電極層は、アルミニウムと異なる金属を主成分として含み、アルミニウムよりも大気中における接触抵抗が低い材料からなることを特徴とする。  In order to achieve the above object, an organic EL display panel according to one embodiment of the present disclosure includes a plurality of pixel electrodes arranged in a matrix on a substrate, and a light-emitting layer including an organic light-emitting material disposed on each pixel electrode. An organic EL display panel comprising: a substrate; a plurality of pixel electrodes arranged in a matrix above the substrate; and at least one gap among gaps between adjacent pixel electrodes above the substrate A first power supply auxiliary electrode layer disposed extending in the column or row direction, a second power supply auxiliary electrode layer disposed so as to overlap the first power supply auxiliary electrode layer, and the plurality of pixel electrodes. A plurality of light emitting layers, and a common electrode layer continuously disposed above the plurality of light emitting layers and covering the first power supply auxiliary electrode layer and the second power supply auxiliary electrode layer, The auxiliary power supply electrode layer and the common electrode layer include at least the first electric power supply. The second power supply auxiliary electrode layer is in contact with a part of the wall surface perpendicular to the upper surface of the auxiliary electrode layer, the second power supply auxiliary electrode layer contains aluminum as a main component, and at least the surface layer of the second power supply auxiliary electrode layer is made of aluminum. The first feeding auxiliary electrode layer is made of a material containing a metal different from aluminum as a main component and having a lower contact resistance in the atmosphere than aluminum.

本開示の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルは、補助電極層に画素電極と同じ光反射性を有する安価な金属材料を用いた構成において、共通電極層と補助電極層との間の電気的接続における接触電気抵抗を低減することができる。その結果、発光効率を向上させると共に輝度ムラを抑制することができる。  An organic EL display panel according to one embodiment of the present disclosure has an electrical connection between a common electrode layer and an auxiliary electrode layer in a configuration using an inexpensive metal material having the same light reflectivity as a pixel electrode for the auxiliary electrode layer. The contact electrical resistance at can be reduced. As a result, it is possible to improve luminous efficiency and suppress luminance unevenness.

実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１の回路構成を示す模式ブロック図である。1 is a schematic block diagram showing a circuit configuration of an organicEL display device 1 according to an embodiment.有機ＥＬ表示装置１に用いる有機ＥＬ表示パネル１０の各副画素１００ｓｅにおける回路構成を示す模式回路図である。3 is a schematic circuit diagram illustrating a circuit configuration in each sub-pixel 100se of the organicEL display panel 10 used in the organicEL display device 1. FIG.有機ＥＬ表示パネル１０の一部を示す模式平面図である。3 is a schematic plan view showing a part of the organicEL display panel 10. FIG.図３におけるＡ１−Ａ１で切断した模式断面図である。It is the schematic cross section cut | disconnected by A1-A1 in FIG.図４に示す第２補助電極層２００周辺の断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view around the secondauxiliary electrode layer 200 shown in FIG. 4.（ａ）〜（ｄ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図３におけるＡ１−Ａ１と同じ位置で切断した模式断面図である。(A)-(d) is the schematic cross section cut | disconnected in the same position as A1-A1 in FIG. 3 which shows the state in each process in manufacture of the organicelectroluminescent display panel 10. FIG.（ａ）〜（ｃ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図３におけるＡ１−Ａ１と同じ位置で切断した模式断面図である。(A)-(c) is the schematic cross section cut | disconnected in the same position as A1-A1 in FIG. 3 which shows the state in each process in manufacture of the organicelectroluminescent display panel 10. FIG.（ａ）〜（ｄ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図３におけるＡ１−Ａ１と同じ位置で切断した模式断面図である。(A)-(d) is the schematic cross section cut | disconnected in the same position as A1-A1 in FIG. 3 which shows the state in each process in manufacture of the organicelectroluminescent display panel 10. FIG.（ａ）〜（ｇ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図３におけるＡ１−Ａ１と同じ位置で切断した模式断面図である。(A)-(g) is the schematic cross section cut | disconnected in the same position as A1-A1 in FIG. 3 which shows the state in each process in manufacture of the organicelectroluminescent display panel 10. FIG.（ａ）〜（ｂ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図３におけるＡ１−Ａ１と同じ位置で切断した模式断面図である。(A)-(b) is the schematic cross section cut | disconnected in the same position as A1-A1 in FIG. 3 which shows the state in each process in manufacture of the organicelectroluminescent display panel 10. FIG.共通電極層１２５の製造に用いるスパッタ装置６００を示す模式図である。It is a schematic diagram showing asputtering apparatus 600 used for manufacturing acommon electrode layer 125.（ａ）は、変形例１に係る表示パネル１０Ｖ、（ｂ）は、変形例２に係る表示パネル１０Ｗ、（ｃ）は、変形例３に係る表示パネル１０Ｘの、それぞれバンク及び補助電極層の形状を示す模式平面図である。(A) is adisplay panel 10V according to themodification 1, (b) is adisplay panel 10W according to themodification 2, and (c) is a bank and an auxiliary electrode layer of thedisplay panel 10X according to the modification 3, respectively. It is a schematic plan view which shows a shape.（ａ）は、図１２（ａ）におけるＡ３−Ａ３で切断した模式断面図、（ｂ）は、図１２（ｂ）におけるＡ４−Ａ４で切断した模式断面図である。(A) is the schematic cross section cut | disconnected by A3-A3 in Fig.12 (a), (b) is the schematic cross section cut | disconnected by A4-A4 in FIG.12 (b).（ａ）は、変形例４に係る表示パネル１０Ｙにおける第２補助電極層２００周辺の断面図、（ｂ）は、表示パネル１０Ｙにおいて第１補助電極層１３５Ｗ上に第２補助電極層２００Ｗ及びホール注入層１２０Ｂを設けない変形例４Ａの断面図である。(A) is sectional drawing of the 2ndauxiliary electrode layer 200 periphery in thedisplay panel 10Y which concerns on the modification 4, (b) is 2ndauxiliary electrode layer 200W and hole on the 1stauxiliary electrode layer 135W in thedisplay panel 10Y. It is sectional drawing of the modification 4A which does not provide theinjection layer 120B.（ａ）は、変形例５に係る表示パネル１０Ｚにおける第２補助電極層２００周辺の断面図、（ｂ）は、表示パネル１０Ｚにおいて第１補助電極層１３５Ｗ上に第２補助電極層２００Ｗ及びホール注入層１２０Ｂを設けない変形例５Ａの断面図である。(A) is sectional drawing of the 2ndauxiliary electrode layer 200 periphery in the display panel 10Z which concerns on the modification 5, (b) is 2ndauxiliary electrode layer 200W and hole on the 1stauxiliary electrode layer 135W in the display panel 10Z. It is sectional drawing of the modification 5A which does not provide theinjection layer 120B.（ａ）は、変形例６に係る表示パネル１０ＹＺにおける第２補助電極層２００周辺の断面図、（ｂ）は、表示パネル１０ＹＺにおいて第１補助電極層１３５Ｗ上に第２補助電極層２００Ｗ及びホール注入層１２０Ｂを設けない変形例６Ａの断面図である。(A) is sectional drawing of the 2ndauxiliary electrode layer 200 periphery in the display panel 10YZ which concerns on the modification 6, (b) is 2ndauxiliary electrode layer 200W and hole on the 1stauxiliary electrode layer 135W in the display panel 10YZ. It is sectional drawing of the modification 6A which does not provide theinjection layer 120B.

≪発明を実施するための形態に至った経緯≫
トップエミッション型の有機ＥＬ素子は、厚みを最適に設定して光共振器構造を採用することにより出射される光の色度を調整し輝度を高めているため、画素電極の表面部が高い光反射性を有することが必要である。そのため、画素電極には、金属層、合金層、透明導電膜層などが選択され、金属層としては、シート抵抗が小さく、高い光反射性を有する材料として、例えば、銀（Ａｇ）又はアルミニウム（Ａｌ）を含む金属材料から構成することができる。このうち、材料コストを考慮すると銀よりも工業的にはアルミニウムを選択することが好ましい。≪Background to the form for carrying out the invention≫
The top-emission type organic EL device uses an optical resonator structure with an optimal thickness to adjust the chromaticity of the emitted light and increase the brightness. It is necessary to have reflectivity. Therefore, a metal layer, an alloy layer, a transparent conductive film layer, or the like is selected for the pixel electrode. As the metal layer, a material having a low sheet resistance and high light reflectivity, such as silver (Ag) or aluminum ( It can be composed of a metal material containing Al). Among these, in consideration of material cost, it is preferable to select aluminum industrially than silver.

他方、給電補助電極層は、基板上の画素電極と同時に同層に形成されるために、画素電極と同じ材料により形成される。したがって、補助電極層には、アルミニウムを主成分として含む金属層、合金層を用いることとなる。しかしながら、この場合、補助電極層の製膜後に行われる上層の製造工程において補助電極層の表層に酸化膜が形成され、補助電極層と共通電極層と間の接触電気抵抗が高くなることが発明者らの検討により判明した。その理由は、補助電極層よりも後に形成されるホール注入層やバンクの焼成工程、ウェットプロセスなどにおいて補助電極層のアルミニウムを主成分として含む金属層、又は合金層が酸化するためであると考えられる。  On the other hand, since the auxiliary power supply electrode layer is formed in the same layer as the pixel electrode on the substrate, it is formed of the same material as the pixel electrode. Therefore, a metal layer or an alloy layer containing aluminum as a main component is used for the auxiliary electrode layer. However, in this case, an oxide film is formed on the surface of the auxiliary electrode layer in the upper layer manufacturing process performed after the auxiliary electrode layer is formed, and the contact electric resistance between the auxiliary electrode layer and the common electrode layer is increased. It became clear by examination of those. The reason is considered to be that the metal layer or alloy layer containing aluminum as a main component of the auxiliary electrode layer is oxidized in the hole injection layer formed after the auxiliary electrode layer, the firing process of the bank, the wet process, or the like. It is done.

特に、特許文献２に記載されるような金属酸化物（例えば、酸化タングステン：ＷＯｘ）からなるホール注入層を介した状態で補助電極層と共通電極とを積層して、補助電極層と共通電極との電気的な接続を図る場合には、ホール注入層の介在により補助電極層と共通電極との接触電気抵抗が増加するのみならず、補助電極層のアルミニウム合金がより酸化しやすい状態になることが発明者らの検討により判明した。一般に、ＩＴＯに対し良好な接触電機抵抗が得られると報告されているアルミニウム合金を補助電極層の材料に用いた場合でも、アルミの酸化膜被膜が補助電極表面に形成され、共通電極との接触電機抵抗が増加することが発明者らの実験により判明している。その理由は、酸化タングステン自体に含まれる酸素が補助電極層に移動しやすいこと、あるいは、酸化タングステンは空孔密度が他材料に比べて高いことから、ウェット工程や焼成工程において上層からの現像液などの薬液や水の浸透、またはベーク時に酸素を通過させやすいために補助電極層に酸素が進入しやすいことなどが影響、起因していると考えられる。  In particular, the auxiliary electrode layer and the common electrode are stacked by interposing the auxiliary electrode layer and the common electrode through a hole injection layer made of a metal oxide (for example, tungsten oxide: WOx) as described inPatent Document 2. When the electrical connection is made, the contact electric resistance between the auxiliary electrode layer and the common electrode is increased by the interposition of the hole injection layer, and the aluminum alloy of the auxiliary electrode layer is more easily oxidized. It became clear by examination of inventors. In general, even when aluminum alloy, which is reported to have good contact electrical resistance against ITO, is used as the material for the auxiliary electrode layer, an aluminum oxide film is formed on the surface of the auxiliary electrode, and contact with the common electrode It has been found by experiments by the inventors that the electric resistance increases. The reason for this is that oxygen contained in tungsten oxide itself easily moves to the auxiliary electrode layer, or because tungsten oxide has a higher hole density than other materials, the developer from the upper layer in the wet process or firing process. It is considered that this is caused by the influence of oxygen penetration into the auxiliary electrode layer because oxygen or the like easily penetrates through the chemical solution or water or during baking.

そして、補助電極層のアルミニウム合金が酸化した場合、補助電極層中に欠陥や異物などの存在により局所的に酸化膜を介さずに補助電極層と共通電極とが電気的に接続された場合、その部位に電流が集中して流れ局所的な発熱や材料劣化などが発生するおそれがあることがわかった。
さらに、特許文献３に記載されるように、発光素子部分におけるキャリア移動度を増加する目的で、高抵抗なフッ化物と金属原子を含む電子輸送層を介して補助電極層と共通電極を積層する構成も提案されている。しかしながら、補助電極層と共通電極間では、画素電極と共通電極間とは電気的極性が逆になることから、高抵抗なフッ化物と金属原子を含むものの金属層そのものではない電子輸送層が介在することにより補助電極層と共通電極との接触電気抵抗がさらに増加することとなる。キャリア移動度をさらなる向上のために電子輸送層の膜厚増加も考慮すべきである。And when the aluminum alloy of the auxiliary electrode layer is oxidized, when the auxiliary electrode layer and the common electrode are electrically connected without locally passing through the oxide film due to the presence of defects or foreign matters in the auxiliary electrode layer, It has been found that current concentrates on the part and local heat generation or material deterioration may occur.
Further, as described in Patent Document 3, for the purpose of increasing the carrier mobility in the light emitting element portion, the auxiliary electrode layer and the common electrode are stacked via the electron transport layer containing a high resistance fluoride and a metal atom. A configuration is also proposed. However, between the auxiliary electrode layer and the common electrode, the electrical polarity is reversed between the pixel electrode and the common electrode, so an electron transport layer that contains high resistance fluoride and metal atoms but is not the metal layer itself is interposed. As a result, the contact electric resistance between the auxiliary electrode layer and the common electrode is further increased. In order to further improve the carrier mobility, an increase in the thickness of the electron transport layer should be considered.

これに対し、特許文献４では、補助電極層と対向電極間に発光機能層が介在する構成において、断面視したとき補助電極層は側面において電子輸送層を介さずに対向電極と接触する有機ＥＬ素子が提案されている。しかしながら、この構成では、上述のとおり、補助電極層の表層に酸化膜が形成された場合には、補助電極層と対向電極と間の接触電気抵抗が高くなることが懸念される。  On the other hand, in Patent Document 4, in the configuration in which the light emitting functional layer is interposed between the auxiliary electrode layer and the counter electrode, the auxiliary electrode layer is in contact with the counter electrode on the side surface without the electron transport layer when viewed in cross section. Devices have been proposed. However, in this configuration, as described above, when an oxide film is formed on the surface layer of the auxiliary electrode layer, there is a concern that the contact electric resistance between the auxiliary electrode layer and the counter electrode is increased.

そこで、発明者らは、補助電極層に画素電極と同じ光反射性を有する安価な金属材料を用いた構成において、共通電極層と補助電極層との間の電気的接続における接触電気抵抗を低減できる構成について鋭意検討を行い、以下の実施の形態に至った。
≪本発明を実施するための形態の概要≫
本開示の態様に係る有機ＥＬ表示パネルは、有機ＥＬ表示パネルは、基板上に複数の画素電極が行列状に配され、各画素電極上に有機発光材料を含む発光層が配されてなる有機ＥＬ表示パネルであって、基板と、前記基板の上方に行列状に配された複数の画素電極と、前記基板の上方において、隣接する前記画素電極の間隙のうちの少なくとも１の間隙内に列又は行方向に延伸して配された第１給電補助電極層と、前記第１給電補助電極層に重畳して配されたアルミニウムを主成分として含む第２給電補助電極層と、前記複数の画素電極上に配された複数の発光層と、前記複数の発光層の上方、前記第１給電補助電極層及び前記第２給電補助電極層を覆って連続して配された共通電極層とを備え、前記第１給電補助電極層と前記共通電極層とは、少なくとも前記第１給電補助電極層の上面に垂直な壁面上の一部領域において接触しており、前記第２給電補助電極層は、前記第１給電補助電極層は、アルミニウムと異なる金属を主成分として含み、アルミニウムよりも大気中における接触抵抗が低い材料からなることを特徴とする。Therefore, the inventors reduced the contact electric resistance in the electrical connection between the common electrode layer and the auxiliary electrode layer in a configuration using an inexpensive metal material having the same light reflectivity as the pixel electrode for the auxiliary electrode layer. The earnest examination was carried out about the structure which can be performed, and it came to the following embodiment.
<< Outline of Embodiment for Implementing the Present Invention >>
An organic EL display panel according to an aspect of the present disclosure is an organic EL display panel in which a plurality of pixel electrodes are arranged in a matrix on a substrate, and a light emitting layer containing an organic light emitting material is arranged on each pixel electrode. An EL display panel, comprising: a substrate; a plurality of pixel electrodes arranged in a matrix above the substrate; and a column in at least one of the gaps between adjacent pixel electrodes above the substrate. Alternatively, the first power supply auxiliary electrode layer arranged extending in the row direction, the second power supply auxiliary electrode layer mainly including aluminum arranged so as to overlap the first power supply auxiliary electrode layer, and the plurality of pixels A plurality of light emitting layers disposed on the electrodes, and a common electrode layer disposed continuously above the plurality of light emitting layers and covering the first power supply auxiliary electrode layer and the second power supply auxiliary electrode layer. The first power supply auxiliary electrode layer and the common electrode layer; At least in a partial region on the wall surface perpendicular to the upper surface of the first power supply auxiliary electrode layer. The second power supply auxiliary electrode layer is made of a metal different from aluminum. It is characterized by being made of a material that is contained as a component and has a lower contact resistance in air than aluminum.

また、別の態様では、上記態様において、前記第２給電補助電極層は、少なくとも前記第２給電補助電極層の表層にはアルミニウムの酸化物が形成されている構成としてもよい。
係る構成により、補助電極層に画素電極と同じ光反射性を有する安価な金属材料を用いた同層で形成した構成においても、共通電極層と補助電極層との間の電気的接続における接触電気抵抗を低減することができる。その結果、発光効率を向上させると共に輝度ムラを抑制することができる。In another aspect, in the above aspect, the second power supply auxiliary electrode layer may be configured such that an oxide of aluminum is formed on at least a surface layer of the second power supply auxiliary electrode layer.
With such a configuration, even in a configuration in which the auxiliary electrode layer is formed of the same layer using an inexpensive metal material having the same light reflectivity as that of the pixel electrode, the contact electricity in the electrical connection between the common electrode layer and the auxiliary electrode layer is achieved. Resistance can be reduced. As a result, it is possible to improve luminous efficiency and suppress luminance unevenness.

また、別の態様では、上記何れかの態様において、さらに、前記第２給電補助電極層と前記共通電極層との間には、前記複数の発光層の上方、前記第１給電補助電極層及び前記第２給電補助電極層を覆って連続して配された１層以上からなる機能層を備え、前記第１給電補助電極層の一部領域付近において、前記機能層は欠落又は薄層化しており、前記第１給電補助電極層の厚みは前記発光層上の前記機能層の厚みよりも厚い構成としてもよい。  In another aspect, in any one of the above aspects, further between the second power supply auxiliary electrode layer and the common electrode layer, above the plurality of light emitting layers, the first power supply auxiliary electrode layer, and A functional layer composed of one or more layers continuously arranged so as to cover the second power supply auxiliary electrode layer; in the vicinity of a partial region of the first power supply auxiliary electrode layer, the functional layer is missing or thinned; The thickness of the first power supply auxiliary electrode layer may be greater than the thickness of the functional layer on the light emitting layer.

係る構成により、補助電極層と共通電極とを金属酸化物（ＷＯｘ）からなるホール注入層を介して積層する場合や、発光素子部分におけるキャリア移動度を増加する目的で、金属原子を含む電子輸送層を介して補助電極層と共通電極を積層する場合においても、第１給電補助電極層と共通電極層とを、少なくとも第１給電補助電極層の上面に垂直な壁面上の一部領域において接触させることができる。  With such a configuration, when an auxiliary electrode layer and a common electrode are stacked via a hole injection layer made of a metal oxide (WOx), or for the purpose of increasing carrier mobility in a light emitting element portion, electron transport including metal atoms is performed. Even when the auxiliary electrode layer and the common electrode are stacked via the layers, the first power supply auxiliary electrode layer and the common electrode layer are contacted at least in a partial region on the wall surface perpendicular to the upper surface of the first power supply auxiliary electrode layer. Can be made.

また、別の態様では、上記何れかの態様において、前記第２給電補助電極層の表層付近の抵抗は、前記第１給電補助電極層の表層付近の抵抗より高い構成としてもよい。また、別の態様では、上記何れかの態様において、前記第１給電補助電極層と前記共通電極層との間の接触抵抗は、前記第２給電補助電極層と前記共通電極層との間の接触抵抗より低い構成としてもよい。また、別の態様では、上記何れかの態様において、前記材料のシート抵抗は、アルミニウムのシート抵抗より高い構成としてもよい。  In another aspect, in any one of the above aspects, the resistance near the surface layer of the second power feeding auxiliary electrode layer may be higher than the resistance near the surface layer of the first power feeding auxiliary electrode layer. In another aspect, in any one of the above aspects, the contact resistance between the first power supply auxiliary electrode layer and the common electrode layer is between the second power supply auxiliary electrode layer and the common electrode layer. It is good also as a structure lower than contact resistance. In another aspect, in any of the above aspects, the sheet resistance of the material may be higher than the sheet resistance of aluminum.

また、別の態様では、上記何れかの態様において、前記アルミニウムと異なる金属は、タングステン、クロム、チタン、モリブデン、ニッケル、銅、ランタン、インジウムから選択される１以上の金属、またはそれらを含む金属の積層構成としてもよい。
係る構成により、これらの金属は、室温では化学的に安定しているので、第１補助電極層の表層部にはアルミニウムに比べて、金属の酸化物が形成されにくい構成とすることができる。In another aspect, in any one of the above aspects, the metal different from aluminum is one or more metals selected from tungsten, chromium, titanium, molybdenum, nickel, copper, lanthanum, and indium, or a metal including them. It is good also as a laminated structure.
With such a configuration, these metals are chemically stable at room temperature, so that a metal oxide is less likely to be formed on the surface layer portion of the first auxiliary electrode layer than aluminum.

また、別の態様では、上記何れかの態様において、前記第１給電補助電極層は、ＩＴＯ又はＩＺＯからなる構成としてもよい。
係る構成により、これらの酸化物は、室温では化学的に安定しているので、第１補助電極層の表層部には金属の酸化物が形成されにくい構成とすることができる。または、ＩＴＯ、ＩＺＯなどもとから酸化物でありながら、導電性を有する構成とすることができる。そのため、大気中における接触抵抗がアルミニウムよりも低い。言い換えれば、第２給電補助電極層の表層付近の抵抗は、第１給電補助電極層の表層付近の抵抗より高い構成を実現することができる。In another aspect, in any of the above aspects, the first power feeding auxiliary electrode layer may be made of ITO or IZO.
With such a configuration, these oxides are chemically stable at room temperature, so that a metal oxide is hardly formed on the surface layer portion of the first auxiliary electrode layer. Alternatively, a conductive structure can be used while being an oxide such as ITO or IZO. Therefore, the contact resistance in the atmosphere is lower than that of aluminum. In other words, it is possible to realize a configuration in which the resistance near the surface layer of the second power feeding auxiliary electrode layer is higher than the resistance near the surface layer of the first power feeding auxiliary electrode layer.

また、別の態様では、上記何れかの態様において、前記機能層を第１の機能層とするとき、さらに、前記第２給電補助電極層と前記第１の機能層との間には、前記複数の発光層の下方、前記第１給電補助電極層及び前記第２給電補助電極層の上方に不連続に配された第２の機能層を備える構成としてもよい。
係る構成により、補助電極層と共通電極とを金属酸化物（ＷＯｘ）からなるホール注入層を介して積層することができる。In another aspect, in any one of the above aspects, when the functional layer is the first functional layer, the second power feeding auxiliary electrode layer and the first functional layer further include the It is good also as a structure provided with the 2nd functional layer arrange | positioned discontinuously under the several light emitting layer and the said 1st electric power feeding auxiliary electrode layer and the said 2nd electric power feeding auxiliary electrode layer.
With this configuration, the auxiliary electrode layer and the common electrode can be stacked via the hole injection layer made of metal oxide (WOx).

また、別の態様では、上記何れかの態様において、さらに、前記第２給電補助電極層と前記機能層との間には、前記複数の発光層の下方、前記第１給電補助電極層及び前記第２給電補助電極層の上方に不連続に配されたＩＴＯ又はＩＺＯからなる透明導電層を備える構成としてもよい。
係る構成により、画素電極と共通電極との間で光共振器構造に必要な光路長を確保するための光学調整層として透明導電層を利用することができる。In another aspect, in any one of the above aspects, further between the second power supply auxiliary electrode layer and the functional layer, below the light emitting layers, the first power supply auxiliary electrode layer, and the It is good also as a structure provided with the transparent conductive layer which consists of ITO or IZO discontinuously distribute | arranged above the 2nd electric power feeding auxiliary electrode layer.
With such a configuration, a transparent conductive layer can be used as an optical adjustment layer for securing an optical path length necessary for the optical resonator structure between the pixel electrode and the common electrode.

また、別の態様では、上記何れかの態様において、前記共通電極層は、ＩＴＯ又はＩＺＯからなる透明導電層を含む構成としてもよい。
係る構成により、共通電極層をスパッタリング法により成膜することができ、第１給電補助電極層と共通電極層とを、少なくとも第１給電補助電極層の上面に垂直な壁面上の一部領域において接触させることができる。In another aspect, in any of the above aspects, the common electrode layer may include a transparent conductive layer made of ITO or IZO.
With this configuration, the common electrode layer can be formed by a sputtering method, and the first power supply auxiliary electrode layer and the common electrode layer are formed at least in a partial region on the wall surface perpendicular to the upper surface of the first power supply auxiliary electrode layer. Can be contacted.

また、別の態様では、上記何れかの態様において、前記共通電極層は、銀を主成分とする金属電極層を含む構成としてもよい。
係る構成により、共通電極層のシート抵抗を低減することができる。
また、別の態様では、上記何れかの態様において、前記基板上方に樹脂を主成分とする平坦化下部層と平坦化上部層からなる平坦化層を備え、前記平坦化下部層と前記平坦化上部層とのの間には、列又は行方向に延伸して配され、第３給電補助電極層を備え、前記平坦化上部層には前記第３給電補助電極層の上面までを貫通するコンタクトホールが開設されており、前記第１給電補助電極層が前記第３補助電極層とコンタクトホールを介して電気的に接続されており、前記共通電極層は、前記コンタクトホールに内周面と底面とに連続して配されており、前記第３給電補助電極層と前記共通電極層とは前記第１給電補助電極層を介して電気的に接続されている構成としてもよい。In another aspect, in any of the above aspects, the common electrode layer may include a metal electrode layer containing silver as a main component.
With this configuration, the sheet resistance of the common electrode layer can be reduced.
In another aspect, in any one of the above aspects, a planarization layer including a planarization lower layer mainly composed of a resin and a planarization upper layer is provided above the substrate, and the planarization lower layer and the planarization are provided. A third power supply auxiliary electrode layer is provided between the upper layer and the upper power supply layer so as to extend in the column or row direction, and the flattening upper layer penetrates up to the upper surface of the third power supply auxiliary electrode layer. A hole is opened, and the first auxiliary power supply electrode layer is electrically connected to the third auxiliary electrode layer via a contact hole, and the common electrode layer has an inner peripheral surface and a bottom surface of the contact hole. The third power supply auxiliary electrode layer and the common electrode layer may be electrically connected via the first power supply auxiliary electrode layer.

係る構成により、第３給電補助電極層の行方向断面に相当する分だけ補助電極の断面積を増加してシート抵抗を低減することができ、画素密度の増加（高精細化）に伴う光取り出し効率低下抑制できる。また、基板上の平坦化下部層と平坦化上部層との間に補助電極を設ける構成から、基板上の画素電極等による位置的制約が少なく、第３給電補助電極層の平面的なレイアウトの自由度が向上する。  With such a configuration, it is possible to increase the cross-sectional area of the auxiliary electrode by an amount corresponding to the cross-section in the row direction of the third power supply auxiliary electrode layer, thereby reducing the sheet resistance, and to extract light accompanying an increase in pixel density (high definition) Efficiency reduction can be suppressed. In addition, since the auxiliary electrode is provided between the flattening lower layer and the flattening upper layer on the substrate, there are few positional restrictions due to pixel electrodes on the substrate, and the planar layout of the third power supply auxiliary electrode layer is reduced. The degree of freedom is improved.

また、別の態様では、さらに、前記コンタクトホールの底面と前記コンタクトホール内の前記共通電極層との間には機能層が配されており、前記コンタクトホールの深さは前記機能層の厚みよりも厚く、前記第１給電補助電極層と前記共通電極層とは、少なくとも前記第１給電補助電極層における前記コンタクトホールに内周面上の一部領域において接触している構成としてもよい。  In another aspect, a functional layer is further disposed between the bottom surface of the contact hole and the common electrode layer in the contact hole, and the depth of the contact hole is greater than the thickness of the functional layer. The first power supply auxiliary electrode layer and the common electrode layer may be configured to be in contact with at least the contact hole in the first power supply auxiliary electrode layer in a partial region on the inner peripheral surface.

係る構成より、共通電極層と第１給電補助電極層との接触箇所を増加し、第３給電補助電極層への給電経路の断面積を増加することができる。その結果、共通電極層から給電補助電極への接続抵抗を低減できる。また、別の態様では、上記何れかの態様において、前記基板は、ＴＦＴ基板と、ＴＦＴ基板上方に樹脂を主成分とする絶縁層とを含み、前記基板上方に樹脂を主成分とする平坦化層を備え、前記ＴＦＴ基板と前記絶縁層との間には、列又は行方向に延伸して配された第４給電補助電極層を備え、前記平坦化層には、当該平坦化層上面から前記第４給電補助電極層の下面までを貫通するコンタクトホールが開設されており、前記第１給電補助電極層が前記第４補助電極層と前記コンタクトホールを介して電気的に接続されており、前記共通電極層は、前記コンタクトホールに内周面と底面とに連続して配されており、前記第４給電補助電極層と前記共通電極層とは、前記第１給電補助電極層を介して電気的に接続されている構成としてもよい。  With this configuration, the number of contact points between the common electrode layer and the first power supply auxiliary electrode layer can be increased, and the cross-sectional area of the power supply path to the third power supply auxiliary electrode layer can be increased. As a result, the connection resistance from the common electrode layer to the power feeding auxiliary electrode can be reduced. In another aspect, in any one of the above aspects, the substrate includes a TFT substrate and an insulating layer mainly composed of a resin above the TFT substrate, and is planarized based on the resin above the substrate. A fourth power supply auxiliary electrode layer extending in the column or row direction between the TFT substrate and the insulating layer, and the planarizing layer includes an upper surface of the planarizing layer. A contact hole penetrating to the lower surface of the fourth power supply auxiliary electrode layer is opened, and the first power supply auxiliary electrode layer is electrically connected to the fourth auxiliary electrode layer via the contact hole; The common electrode layer is continuously arranged in the contact hole on an inner peripheral surface and a bottom surface, and the fourth power supply auxiliary electrode layer and the common electrode layer are interposed via the first power supply auxiliary electrode layer. It is good also as a structure electrically connected.

係る構成により、第４給電補助電極層の行方向断面に相当する分だけ補助電極の断面積を増加してシート抵抗を低減することができ、画素密度の増加（高精細化）に伴う光取り出し効率低下抑制できる。また、基板中のチャンネル保護層と無機絶縁層との間に補助電極を設ける構成から、基板上の画素電極等による位置的制約が少なく、第４給電補助電極層の平面的なレイアウトの自由度が向上する。  With such a configuration, the sheet resistance can be reduced by increasing the cross-sectional area of the auxiliary electrode by an amount corresponding to the cross-section in the row direction of the fourth power supply auxiliary electrode layer, and light extraction accompanying an increase in pixel density (high definition) Efficiency reduction can be suppressed. In addition, since the auxiliary electrode is provided between the channel protective layer and the inorganic insulating layer in the substrate, there are few positional restrictions due to the pixel electrode or the like on the substrate, and the degree of freedom in planar layout of the fourth power supply auxiliary electrode layer Will improve.

また、別の態様では、上記何れかの態様において、さらに、前記基板における前記コンタクトホールの底面と前記コンタクトホール内の前記共通電極層との間には機能層が配されており、前記コンタクトホールの深さは前記機能層の厚みよりも厚く、前記第１給電補助電極層と前記共通電極層とは、少なくとも前記第１給電補助電極層における前記コンタクトホールに内周面上の一部領域において接触している構成としてもよい。  In another aspect, in any one of the above aspects, a functional layer is further disposed between a bottom surface of the contact hole in the substrate and the common electrode layer in the contact hole, and the contact hole The first feed auxiliary electrode layer and the common electrode layer are at least in a partial region on the inner peripheral surface of the contact hole in the first feed auxiliary electrode layer. It is good also as a structure which is contacting.

係る構成により、共通電極層と第１給電補助電極層との接触箇所を増加し、第４給電補助電極層への給電経路の断面積を増加することができる。その結果、共通電極層から給電補助電極への接続抵抗を低減できる。
また、別の態様では、上記何れかの態様において、前記基板は、ＴＦＴ基板と、ＴＦＴ基板上方に樹脂を主成分とする絶縁層とを含み、前記基板上方に樹脂を主成分とする平坦下部層と平坦化上部層からなる平坦化層を備え、前記平坦化下部層と前記平坦化上部層との間には、列又は行方向に延伸して配された、第３給電補助電極層を備え、前記ＴＦＴ基板と前記絶縁層との間には、列又は行方向に延伸して配された第４給電補助電極層を備え、前記平坦化下部層、前記平坦化上部層、及び前記絶縁層には前記第４給電補助電極層の上面までを貫通するコンタクトホールが開設されており、前記第１給電補助電極層は前記第３補助電極層と前記コンタクトホールを介して電気的に接続されており、前記第３給電補助電極層は前記第４補助電極層と前記コンタクトホールを介して電気的に接続されており、前記共通電極層は、前記コンタクトホールに内周面と底面とに連続して配されており、前記第３給電補助電極層及び前記第４補助電極層と、前記共通電極層とは、前記第１給電補助電極層を介して電気的に接続されている構成としてもよい。With this configuration, the number of contact points between the common electrode layer and the first power supply auxiliary electrode layer can be increased, and the cross-sectional area of the power supply path to the fourth power supply auxiliary electrode layer can be increased. As a result, the connection resistance from the common electrode layer to the power feeding auxiliary electrode can be reduced.
In another aspect, in any one of the above aspects, the substrate includes a TFT substrate and an insulating layer mainly composed of a resin above the TFT substrate, and a flat lower portion mainly composed of the resin above the substrate. A third power supply auxiliary electrode layer provided between the flattening lower layer and the flattening upper layer and extending in the column or row direction. A fourth power supply auxiliary electrode layer extending in the column or row direction between the TFT substrate and the insulating layer, the planarizing lower layer, the planarizing upper layer, and the insulation The layer has a contact hole penetrating to the upper surface of the fourth power supply auxiliary electrode layer, and the first power supply auxiliary electrode layer is electrically connected to the third auxiliary electrode layer through the contact hole. The third power supply auxiliary electrode layer is the fourth auxiliary electrode. And the common electrode layer is continuously disposed on the contact hole on an inner peripheral surface and a bottom surface, and the third power supply auxiliary electrode layer and the first electrode are connected to each other through the contact hole. The four auxiliary electrode layers and the common electrode layer may be electrically connected via the first power supply auxiliary electrode layer.

係る構成により、第１補助電極層を介して共通電極層と第３給電補助電極層、さらに第４給電補助電極層が電気的に接続されるので、第３給電補助電極層及び第４給電補助電極層を共通電極層の給電補助電極として機能させることができる。そのため、より一層シート抵抗を低減することができ高精細化に向けて有効である。
また、別の態様では、上記何れかの態様において、さらに、前記コンタクトホールの底面と前記コンタクトホール内の前記共通電極層との間には機能層が配されており、前記コンタクトホールの深さは前記機能層の厚みよりも厚く、前記第１給電補助電極層と前記共通電極層とは、少なくとも前記第１給電補助電極層における前記コンタクトホールに内周面上の一部領域において接触している構成としてもよい。With this configuration, the common electrode layer, the third power supply auxiliary electrode layer, and the fourth power supply auxiliary electrode layer are electrically connected via the first auxiliary electrode layer, and therefore the third power supply auxiliary electrode layer and the fourth power supply auxiliary electrode layer are electrically connected. The electrode layer can function as a power feeding auxiliary electrode for the common electrode layer. Therefore, the sheet resistance can be further reduced, which is effective for high definition.
In another aspect, in any one of the above aspects, a functional layer is further disposed between the bottom surface of the contact hole and the common electrode layer in the contact hole, and the depth of the contact hole Is thicker than the functional layer, and the first power supply auxiliary electrode layer and the common electrode layer are in contact with at least a part of the inner peripheral surface of the contact hole in the first power supply auxiliary electrode layer. It is good also as composition which has.

係る構成により、共通電極層と第１給電補助電極層との接触箇所を増加し、第３給電補助電極層及び第４給電補助電極層への給電経路の断面積を増加することができ、共通電極層から給電補助電極への接続抵抗を低減できる。 また、本開示の態様に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法は、基板上に複数の画素電極が行列状に配され、各画素電極上に有機発光材料を含む発光層が配されてなる有機ＥＬ表示パネルの製造方法であって、基板を準備する工程と、前記基板の上方に行列状に複数の画素電極を形成する工程と、前記基板の上方において、隣接する前記画素電極の間隙のうちの少なくとも１の間隙内に列又は行方向に延伸して、アルミニウムと異なる金属を主成分として含み、アルミニウムよりも大気中における接触抵抗が低い材料からなる第１給電補助電極層を形成する工程と、前記第１給電補助電極層上に前記第１給電補助電極層と同じ方向に延伸して、前記第１給電補助電極層に重畳して、アルミニウムを主成分として含む第２給電補助電極層を形成する工程と、前記複数の画素電極上に複数の発光層を形成する工程と、前記複数の発光層の上方、前記第１給電補助電極層及び前記第２給電補助電極層を覆って連続して、かつ、前記第１給電補助電極層と前記共通電極層とは、少なくとも前記第１給電補助電極層の上面に垂直な壁面上の一部領域において接するように、共通電極層をスパッタリング法により形成する工程とを有することを特徴とする。  With this configuration, the number of contact points between the common electrode layer and the first power supply auxiliary electrode layer can be increased, and the cross-sectional area of the power supply path to the third power supply auxiliary electrode layer and the fourth power supply auxiliary electrode layer can be increased. The connection resistance from the electrode layer to the power feeding auxiliary electrode can be reduced. In addition, in the method of manufacturing an organic EL display panel according to an aspect of the present disclosure, an organic EL in which a plurality of pixel electrodes are arranged in a matrix on a substrate and a light emitting layer containing an organic light emitting material is arranged on each pixel electrode. A method of manufacturing a display panel, comprising: a step of preparing a substrate; a step of forming a plurality of pixel electrodes in a matrix above the substrate; and a gap between adjacent pixel electrodes above the substrate Extending in at least one gap in the column or row direction, forming a first power supply auxiliary electrode layer made of a material containing a metal different from aluminum as a main component and having a lower contact resistance in the atmosphere than aluminum; A second power supply auxiliary electrode layer containing aluminum as a main component is formed on the first power supply auxiliary electrode layer by extending in the same direction as the first power supply auxiliary electrode layer and overlapping the first power supply auxiliary electrode layer. You A step of forming a plurality of light emitting layers on the plurality of pixel electrodes, and continuously covering the first power supply auxiliary electrode layer and the second power supply auxiliary electrode layer above the plurality of light emission layers, In addition, the common electrode layer is formed by a sputtering method so that the first power supply auxiliary electrode layer and the common electrode layer are in contact with each other at least in a partial region on the wall surface perpendicular to the upper surface of the first power supply auxiliary electrode layer. And a process.

係る構成により、共通電極層と補助電極層との電気的接続における電気抵抗の低減を図り、発光効率を向上させると共に輝度ムラを抑制することができる有機ＥＬ表示パネル１０を製造できる。
また、別の態様では、上記何れかの態様において、さらに、前記第２給電補助電極層と前記共通電極層との間に、前記複数の発光層の上方、前記第１給電補助電極層及び前記第２給電補助電極層を覆って連続して１層以上からなり、前記第１給電補助電極層の厚みよりも薄い機能層を真空蒸着法により形成する工程を有する構成としてもよい。With this configuration, it is possible to manufacture the organicEL display panel 10 that can reduce electrical resistance in electrical connection between the common electrode layer and the auxiliary electrode layer, improve luminous efficiency, and suppress luminance unevenness.
In another aspect, in any one of the above aspects, further between the second power feeding auxiliary electrode layer and the common electrode layer, above the plurality of light emitting layers, the first power feeding auxiliary electrode layer, and the It may be configured to include a step of forming a functional layer that is continuously formed of one or more layers covering the second power supply auxiliary electrode layer and is thinner than the thickness of the first power supply auxiliary electrode layer by a vacuum deposition method.

また、別の態様では、上記何れかの態様において、前記機能層は、前記第１給電補助電極層の一部領域付近において欠落又は薄層化して形成される構成としてもよい。
係る構成により、スパッタリング法により形成された共通電極層を蒸着法により形成された機能層が欠落又は薄層化している第１給電補助電極層の上面に垂直な壁面上の一部領域において確実に接触させることができる。In another aspect, in any one of the above aspects, the functional layer may be formed to be missing or thinned near a partial region of the first power feeding auxiliary electrode layer.
With such a configuration, the common electrode layer formed by the sputtering method can be reliably obtained in a partial region on the wall surface perpendicular to the upper surface of the first power supply auxiliary electrode layer in which the functional layer formed by the vapor deposition method is missing or thinned. Can be contacted.

≪実施の形態１≫
１．１ 表示装置１の回路構成
以下では、実施の形態１に係る有機ＥＬ表示装置１（以後、「表示装置１」と称する）の回路構成について、図１を用い説明する。
図１に示すように、表示装置１は、有機ＥＬ表示パネル１０（以後、「表示パネル１０」と称する）と、これに接続された駆動制御回路部２０とを有して構成されている。<<Embodiment 1 >>
1.1 Circuit Configuration ofDisplay Device 1 Hereinafter, the circuit configuration of the organic EL display device 1 (hereinafter referred to as “display device 1”) according toEmbodiment 1 will be described with reference to FIG.
As shown in FIG. 1, thedisplay device 1 includes an organic EL display panel 10 (hereinafter referred to as “display panel 10”) and a drivecontrol circuit unit 20 connected thereto.

表示パネル１０は、有機材料の電界発光現象を利用した有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）パネルであって、複数の有機ＥＬ素子が、例えば、マトリクス状に配列され構成されている。駆動制御回路部２０は、４つの駆動回路２１〜２４と制御回路２５とにより構成されている。
なお、表示装置１において、表示パネル１０に対する駆動制御回路部２０の各回路の配置形態については、図１に示した形態に限定されない。Thedisplay panel 10 is an organic EL (Electro Luminescence) panel using an electroluminescence phenomenon of an organic material, and a plurality of organic EL elements are arranged in a matrix, for example. The drivecontrol circuit unit 20 includes fourdrive circuits 21 to 24 and acontrol circuit 25.
In thedisplay device 1, the arrangement form of each circuit of the drivecontrol circuit unit 20 with respect to thedisplay panel 10 is not limited to the form shown in FIG. 1.

１．２ 表示パネル１０の回路構成
表示パネル１０においては、複数の単位画素１００ｅが行列状に配されて表示領域を構成している。各単位画素１００ｅは、３個の有機ＥＬ素子、つまり、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色に発行する３個の副画素１００ｓｅから構成される。各副画素１００ｓｅの回路構成について、図２を用い説明する。1.2 Circuit Configuration ofDisplay Panel 10 In thedisplay panel 10, a plurality ofunit pixels 100e are arranged in a matrix to form a display area. Eachunit pixel 100e includes three organic EL elements, that is, three sub-pixels 100se that are issued to three colors of R (red), G (green), and B (blue). A circuit configuration of each sub-pixel 100se will be described with reference to FIG.

図２は、表示装置１に用いる表示パネル１０の各副画素１００ｓｅに対応する有機ＥＬ素子１００における回路構成を示す回路図である。
図２に示すように、本実施の形態に係る表示パネル１０では、各副画素１００ｓｅが２つのトランジスタＴｒ１ 、Ｔｒ２ と一つのキャパシタＣ、及び発光部としての有機ＥＬ素子部ＥＬとを有し構成されている。トランジスタＴｒ１ は、駆動トランジスタであり、トランジスタＴｒ２ は、スイッチングトランジスタである。FIG. 2 is a circuit diagram illustrating a circuit configuration of theorganic EL element 100 corresponding to each sub-pixel 100se of thedisplay panel 10 used in thedisplay device 1.
As shown in FIG. 2, in thedisplay panel 10 according to the present embodiment, each sub-pixel 100se includes two transistors Tr1 and Tr2, one capacitor C, and an organic EL element portion EL as a light emitting portion. Has been. The transistor Tr1 is a drive transistor, and the transistor Tr2 is a switching transistor.

スイッチングトランジスタＴｒ２ のゲートＧ２ は、走査ラインＶｓｃｎに接続され、ソースＳ２ は、データラインＶｄａｔに接続されている。スイッチングトランジスタＴｒ２ のドレインＤ２ は、駆動トランジスタＴｒ１ のゲートＧ１ に接続されている。
駆動トランジスタＴｒ１ のドレインＤ１ は、電源ラインＶａに接続されており、ソースＳ１ は、有機ＥＬ素子部ＥＬの画素電極（アノード）に接続されている。有機ＥＬ素子部ＥＬにおける共通電極層（カソード）は、接地ラインＶｃａｔに接続されている。また、後述する第１補助電極層１３５及び第２補助電極層２００も、接地ラインＶｃａｔに接続され、共通電極層、第１補助電極層１３５及び第２補助電極層２００は、相互に接続されている。The gate G2 of the switching transistor Tr2 is connected to the scanning line Vscn, and the source S2 is connected to the data line Vdat. The drain D2 of the switching transistor Tr2 is connected to the gate G1 of the drive transistor Tr1.
The drain D1 of the drive transistor Tr1 is connected to the power supply line Va, and the source S1 is connected to the pixel electrode (anode) of the organic EL element part EL. The common electrode layer (cathode) in the organic EL element part EL is connected to the ground line Vcat. A firstauxiliary electrode layer 135 and a secondauxiliary electrode layer 200 described later are also connected to the ground line Vcat, and the common electrode layer, the firstauxiliary electrode layer 135 and the secondauxiliary electrode layer 200 are connected to each other. Yes.

なお、キャパシタＣの第１端は、スイッチングトランジスタＴｒ２ のドレインＤ２ 及び駆動トランジスタＴｒ１ のゲートＧ１ と接続され、キャパシタＣの第２端は、電源ラインＶａと接続されている。
表示パネル１０においては、隣接する複数の副画素１００ｓｅ（例えば、赤色（Ｒ）と緑色（Ｇ）と青色（Ｂ）の発光色の３つの副画素１００ｓｅ）を組み合せて１つの単位画素１００ｅを構成し、各単位画素１００ｅが分布するように配されて画素領域を構成している。そして、各副画素１００ｓｅのゲートＧ２ からゲートラインが各々引き出され、表示パネル１０の外部から接続される走査ラインＶｓｃｎに接続されている。同様に、各副画素１００ｓｅのソースＳ２ からソースラインが各々引き出され表示パネル１０の外部から接続されるデータラインＶｄａｔに接続されている。The first end of the capacitor C is connected to the drain D2 of the switching transistor Tr2 and the gate G1 of the drive transistor Tr1, and the second end of the capacitor C is connected to the power supply line Va.
In thedisplay panel 10, oneunit pixel 100e is configured by combining a plurality of adjacent sub-pixels 100se (for example, three sub-pixels 100se of red (R), green (G), and blue (B) emission colors). Theunit pixels 100e are distributed so as to constitute a pixel region. The gate lines are drawn from the gates G2 of the sub-pixels 100se and connected to the scanning lines Vscn connected from the outside of thedisplay panel 10. Similarly, source lines are drawn from the source S2 of each sub-pixel 100se and connected to the data line Vdat connected from the outside of thedisplay panel 10.

また、各副画素１００ｓｅの電源ラインＶａ及び各副画素１００ｓｅの接地ラインＶｃａｔは集約されて、表示装置１の電源ライン及び接地ラインに接続されている。
１．３ 表示パネル１０の全体構成
本実施の形態に係る表示パネル１０について、図面を用いて説明する。なお、図面は模式図であって、その縮尺は実際とは異なる場合がある。The power line Va of each subpixel 100se and the ground line Vcat of each subpixel 100se are integrated and connected to the power line and the ground line of thedisplay device 1.
1.3 Overall Configuration ofDisplay Panel 10 Thedisplay panel 10 according to the present embodiment will be described with reference to the drawings. In addition, drawing is a schematic diagram and the scale may differ from an actual thing.

図３は、実施の形態に係る表示パネルの一部を示す模式平面図である。
表示パネル１０は、有機化合物の電界発光現象を利用した有機ＥＬ表示パネルであり、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）が形成された基板１００ｘ（ＴＦＴ基板）に行列状に配された複数の有機ＥＬ素子１００が、上面より光を発するトップエミッション型の構成を有する。ここで、本明細書では、図３におけるＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向を、それぞれ表示パネル１０における、行方向、列方向、厚み方向とする。FIG. 3 is a schematic plan view showing a part of the display panel according to the embodiment.
Thedisplay panel 10 is an organic EL display panel using an electroluminescence phenomenon of an organic compound, and a plurality of organic ELs arranged in a matrix on asubstrate 100x (TFT substrate) on which a thin film transistor (TFT) is formed. Theelement 100 has a top emission type structure that emits light from the upper surface. Here, in this specification, the X direction, the Y direction, and the Z direction in FIG. 3 are the row direction, the column direction, and the thickness direction in thedisplay panel 10, respectively.

表示パネル１０の表示領域には、複数の有機ＥＬ素子１００から構成される単位画素１００ｅが行列状に配されている。各単位画素１００ｅには、有機化合物により光を発する領域である、赤色に発光する１００ａＲ、緑色に発光する１００ａＧ、青色に発光する１００ａＢ（以後、１００ａＲ、１００ａＧ、１００ａＢを区別しない場合は、「１００ａ」と略称する）の３種類の自己発光領域１００ａが形成されている。すなわち、行方向に並んだ自己発光領域１００ａＲ、１００ａＧ、１００ａＢのそれぞれに対応する３つの副画素１００ｓｅ（以後、区別する場合は、「青色副画素１００ｓｅＢ」、「緑色副画素１００ｓｅＧ」及び「赤色副画素１００ｓｅＲ」とする）が１組となりカラー表示における単位画素１００ｅを構成している。  In the display area of thedisplay panel 10,unit pixels 100 e composed of a plurality oforganic EL elements 100 are arranged in a matrix. Eachunit pixel 100e has a region emitting light by an organic compound, that is, 100aR emitting red, 100aG emitting green, and 100aB emitting blue (hereinafter referred to as “100a unless 100aR, 100aG, 100aB is distinguished). 3 types of self-luminous regions 100a are formed. That is, three sub-pixels 100se corresponding to each of the self-luminous regions 100aR, 100aG, and 100aB arranged in the row direction (hereinafter referred to as “blue sub-pixel 100seB”, “green sub-pixel 100seG”, and “red sub-pixel”). Pixel 100seR ”) constitutes a set and constitutes aunit pixel 100e in color display.

表示パネル１０には、複数の補助画素電極１５０（後述する図４に図示）及び複数の画素電極１１９が基板１００ｘ上に行及び列方向にそれぞれ所定の距離だけ離れた状態で行列状に配されている。複数の補助画素電極１５０及び画素電極１１９は、平面視において例えば、概矩形形状であり、画素電極１１９は光反射材料からなる。行方向に順に３つ並んだ補助画素電極１５０及び画素電極１１９は、行方向に順に並んだ３つの自己発光領域１００ａＲ、１００ａＧ、１００ａＢに対応する。  In thedisplay panel 10, a plurality of auxiliary pixel electrodes 150 (shown in FIG. 4 described later) and a plurality ofpixel electrodes 119 are arranged in a matrix on thesubstrate 100x with a predetermined distance in the row and column directions. ing. The plurality ofauxiliary pixel electrodes 150 and thepixel electrodes 119 have, for example, a substantially rectangular shape in plan view, and thepixel electrodes 119 are made of a light reflecting material. The threeauxiliary pixel electrodes 150 and thepixel electrodes 119 arranged in order in the row direction correspond to the three self-light emitting regions 100aR, 100aG, and 100aB arranged in order in the row direction.

また、図３及び図４に示すように、表示パネル１０には、複数の第１給電補助電極層１３５（以後、「第１補助電極層１３５」とする）が基板１００ｘ上の単位画素１００ｅ間に列方向にわたって連続して配されている。第１補助電極層１３５は、画素電極１１９とは異なる光反射材料からなる。また、それぞれの第１補助電極層１３５の上には、第２給電補助電極層２００（以後、「第２補助電極層２００」とする）が基板１００ｘ上の単位画素１００ｅ間に列方向にわたって連続して配されている。第２補助電極層２００は、画素電極１１９と同じ光反射材料からなる。第１補助電極層１３５の行方向の幅は、後述する製造工程の影響により生じる微差を除外した場合、第２補助電極層２００の行方向の幅と同一に構成されている。  3 and 4, thedisplay panel 10 includes a plurality of first power supply auxiliary electrode layers 135 (hereinafter referred to as “first auxiliary electrode layers 135”) between theunit pixels 100e on thesubstrate 100x. Are arranged continuously in the column direction. The firstauxiliary electrode layer 135 is made of a light reflecting material different from that of thepixel electrode 119. In addition, on each firstauxiliary electrode layer 135, a second power supply auxiliary electrode layer 200 (hereinafter referred to as “secondauxiliary electrode layer 200”) is continuously provided in the column direction between theunit pixels 100e on thesubstrate 100x. It is arranged. The secondauxiliary electrode layer 200 is made of the same light reflecting material as thepixel electrode 119. The width in the row direction of the firstauxiliary electrode layer 135 is configured to be the same as the width in the row direction of the secondauxiliary electrode layer 200 when a fine difference caused by the influence of the manufacturing process described later is excluded.

隣接する画素電極１１９間には、絶縁層形式のライン状に延伸するバンクが設けられている。また、隣接する画素電極１１９と第１補助電極層１３５との間にも、絶縁層形式のライン状に延伸するバンクが設けられている。
画素電極１１９とこれに隣接する画素電極１１９とは、互いに絶縁されている。また、画素電極１１９とこれに隣接する第２補助電極層２００又は第１補助電極層１３５とは、互いに絶縁されている。Betweenadjacent pixel electrodes 119, a bank extending in the form of an insulating layer line is provided. A bank extending in the form of an insulating layer is also provided between theadjacent pixel electrode 119 and the firstauxiliary electrode layer 135.
Thepixel electrode 119 and thepixel electrode 119 adjacent to thepixel electrode 119 are insulated from each other. Further, thepixel electrode 119 and the secondauxiliary electrode layer 200 or the firstauxiliary electrode layer 135 adjacent to thepixel electrode 119 are insulated from each other.

１つの画素電極１１９と、これに行方向に隣接する画素電極１１９との間（１つの画素電極１１９の行方向の外縁１１９ａ３と、この画素電極１１９に行方向に隣接する画素電極１１９の行方向の外縁１１９ａ４との間）、及び、１つの画素電極１１９と、これに行方向に隣接する第１補助電極層１３５との間（１つの画素電極１１９の行方向の外縁１１９ａ３と、この画素電極１１９に行方向に隣接する第１補助電極層１３５の行方向の外縁１３５ａ２との間、及び、１つの画素電極１１９の行方向の外縁１１９ａ４と、この画素電極１１９に行方向に隣接する第１補助電極層１３５の行方向の外縁１３５ａ１との間）に位置する基板１００ｘ上の領域上方には、各条が列方向（図３のＹ方向）に延伸する列バンク５２２Ｙが複数列並設されている。そのため、自己発光領域１００ａの行方向外縁は、列バンク５２２Ｙの行方向外縁により規定される。  Between onepixel electrode 119 and apixel electrode 119 adjacent thereto in the row direction (the outer edge 119a3 in the row direction of onepixel electrode 119 and the row direction of thepixel electrode 119 adjacent to thispixel electrode 119 in the row direction) Between the outer edge 119a4 of onepixel electrode 119 and the firstauxiliary electrode layer 135 adjacent to thepixel electrode 119 in the row direction (the outer edge 119a3 in the row direction of the onepixel electrode 119 and the pixel electrode). The firstauxiliary electrode layer 135 adjacent to the 119 in the row direction and the outer edge 135a2 in the row direction of the firstauxiliary electrode layer 135 and the outer edge 119a4 in the row direction of onepixel electrode 119 and the first adjacent to thepixel electrode 119 in the row direction Above the region on thesubstrate 100x located between theauxiliary electrode layer 135 and the outer edge 135a1 in the row direction), a plurality ofcolumn banks 522Y in which each strip extends in the column direction (Y direction in FIG. 3) is arranged in parallel. To have. Therefore, the row direction outer edge of the self-luminous region 100a is defined by the row direction outer edge of thecolumn bank 522Y.

一方、１つの画素電極１１９と、これに列方向に隣接する画素電極１１９との間（１つの画素電極１１９の列方向の外縁１１９ａ２と、この画素電極１１９に列方向に隣接する画素電極１１９の列方向の外縁１１９ａ１との間）に位置する基板１００ｘ上の領域上方には、各条が行方向（図３のＸ方向）に延伸する行バンク１２２Ｘが複数行並設されている。行バンク１２２Ｘが形成される領域は、画素電極１１９上方の発光層１２３において有機電界発光が生じないために非自己発光領域１００ｂとなる。そのため、自己発光領域１００ａの列方向における外縁は、行バンク１２２Ｘの列方向外縁により規定される。  On the other hand, between onepixel electrode 119 and apixel electrode 119 adjacent thereto in the column direction (the outer edge 119a2 in the column direction of onepixel electrode 119 and thepixel electrode 119 adjacent to thepixel electrode 119 in the column direction). Above the region on thesubstrate 100x located between the outer edge 119a1 in the column direction), a plurality ofrow banks 122X in which each strip extends in the row direction (X direction in FIG. 3) are arranged in parallel. The region where therow bank 122X is formed becomes a non-self-luminous region 100b because organic electroluminescence does not occur in thelight emitting layer 123 above thepixel electrode 119. Therefore, the outer edge in the column direction of the self-luminous region 100a is defined by the outer edge in the column direction of therow bank 122X.

隣り合う列バンク５２２Ｙ間を間隙５２２ｚと定義したとき、間隙５２２ｚには、自己発光領域１００ａＲに対応する赤色間隙５２２ｚＲ、自己発光領域１００ａＧに対応する緑色間隙５２２ｚＧ、自己発光領域１００ａＢに対応する青色間隙５２２ｚＢ、第１補助電極層１３５の配される領域に対応する補助間隙５２２ｚＡ（以後、間隙５２２ｚＲ、間隙５２２ｚＧ、間隙５２２ｚＢ、間隙５２２ｚＡを区別しない場合は、「間隙５２２ｚ」と称する）が存在し、表示パネル１０は、列バンク５２２Ｙと間隙５２２ｚとが交互に多数並んだ構成を採る。  When the gap betweenadjacent column banks 522Y is defined as agap 522z, thegap 522z includes a red gap 522zR corresponding to the self-emitting area 100aR, a green gap 522zG corresponding to the self-emitting area 100aG, and a blue gap corresponding to the self-emitting area 100aB. 522zB, there is an auxiliary gap 522zA corresponding to the region where the firstauxiliary electrode layer 135 is disposed (hereinafter referred to as “gap 522z” when the gap 522zR, the gap 522zG, the gap 522zB, and the gap 522zA are not distinguished), Thedisplay panel 10 has a configuration in which a large number ofcolumn banks 522Y andgaps 522z are alternately arranged.

表示パネル１０では、複数の自己発光領域１００ａと非自己発光領域１００ｂとが、間隙５２２ｚＲ、間隙５２２ｚＧ、間隙５２２ｚＢに沿って列方向に交互に並んで配されている。非自己発光領域１００ｂには、画素電極１１９とＴＦＴのソースＳ１ とを接続する接続凹部（コンタクトホール、不図示）があり、画素電極１１９に対して電気接続するための画素電極１１９上のコンタクト領域（コンタクトウインドウ、不図示）が設けられている。  In thedisplay panel 10, a plurality of self-light-emittingregions 100a and non-self-light-emittingregions 100b are alternately arranged in the column direction along the gap 522zR, the gap 522zG, and the gap 522zB. The non-selflight emitting region 100b has a connection recess (contact hole, not shown) for connecting thepixel electrode 119 and the TFT source S1, and is a contact region on thepixel electrode 119 for electrical connection to thepixel electrode 119. (Contact window, not shown) is provided.

１つの副画素１００ｓｅにおいて、列方向に設けられた列バンク５２２Ｙと行方向に設けられた行バンク１２２Ｘとは直交し、自己発光領域１００ａは、列方向において行バンク１２２Ｘと、この行バンク１２２Ｘに隣接する行バンク１２２Ｘの間に位置している。
１．４ 表示パネル１０の各部構成
表示パネル１０における有機ＥＬ素子１００の構成を図４及び図５を用いて説明する。図４は、図３におけるＡ１−Ａ１で切断した模式断面図である。図５は、図４に示す第２補助電極層２００周辺の拡大図である。In one subpixel 100se, thecolumn bank 522Y provided in the column direction and therow bank 122X provided in the row direction are orthogonal to each other, and the self-light-emittingregion 100a is connected to therow bank 122X and therow bank 122X in the column direction. Located betweenadjacent row banks 122X.
1.4 Configuration of Each Part ofDisplay Panel 10 The configuration of theorganic EL element 100 in thedisplay panel 10 will be described with reference to FIGS. 4 is a schematic cross-sectional view cut along A1-A1 in FIG. FIG. 5 is an enlarged view around the secondauxiliary electrode layer 200 shown in FIG.

本実施の形態に係る表示パネル１０においては、Ｚ軸方向下方に薄膜トランジスタが形成された基板（ＴＦＴ基板）が構成され、その上に有機ＥＬ素子部が構成されている。
１．４．１ 基板
（１）基板１００ｘ
基板１００ｘは表示パネル１０の支持部材であり、基材（不図示）と、基材上に形成された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）層（不図示）とを有する。In thedisplay panel 10 according to the present embodiment, a substrate (TFT substrate) in which a thin film transistor is formed below the Z-axis direction is configured, and an organic EL element portion is configured thereon.
1.4.1 Substrate (1)Substrate 100x
Thesubstrate 100x is a support member for thedisplay panel 10 and includes a base material (not shown) and a thin film transistor (TFT) layer (not shown) formed on the base material.

基材は、表示パネル１０の支持部材であり、平板状である。基材の材料としては、電気絶縁性を有する材料、例えば、ガラス材料、樹脂材料、半導体材料、絶縁層をコーティングした金属材料などを用いることができる。
ＴＦＴ層は、基材上面に形成された複数のＴＦＴ及び配線（ＴＦＴのソースＳ１ と、対応する画素電極１１９を接続する）を含む複数の配線からなる。ＴＦＴは、表示パネル１０の外部回路からの駆動信号に応じ、自身に対応する画素電極１１９と外部電源とを電気的に接続するものであり、電極、半導体層、絶縁層などの多層構造からなる。配線は、ＴＦＴ、画素電極１１９、外部電源、外部回路などを電気的に接続している。The base material is a support member of thedisplay panel 10 and has a flat plate shape. As the material of the base material, a material having electrical insulation properties, for example, a glass material, a resin material, a semiconductor material, a metal material coated with an insulating layer, or the like can be used.
The TFT layer is composed of a plurality of wirings including a plurality of TFTs and wirings (connecting the TFT source S1 and the corresponding pixel electrode 119) formed on the upper surface of the substrate. The TFT electrically connects thepixel electrode 119 corresponding to itself and an external power source according to a drive signal from an external circuit of thedisplay panel 10 and has a multilayer structure such as an electrode, a semiconductor layer, and an insulating layer. . The wiring electrically connects the TFT, thepixel electrode 119, an external power supply, an external circuit, and the like.

（２）平坦化層１１８
基材上及びＴＦＴ層の上面には平坦化層１１８が設けられている。基板１００ｘの上面に位置する平坦化層１１８は、ＴＦＴ層によって凹凸が存在する基板１００ｘの上面を平坦化するものである。また、平坦化層１１８は、配線及びＴＦＴの間を埋め、配線及びＴＦＴの間を電気的に絶縁している。(2)Planarization layer 118
Aplanarizing layer 118 is provided on the substrate and the upper surface of the TFT layer. Theplanarization layer 118 located on the upper surface of thesubstrate 100x is for planarizing the upper surface of thesubstrate 100x where unevenness exists by the TFT layer. Further, theplanarization layer 118 fills a space between the wiring and the TFT and electrically insulates the wiring and the TFT.

平坦化層１１８には、画素電極１１９と対応する画素のソースＳ１ に接続される配線とを接続するために、画素電極１１９に対応して、当該配線の上方の一部にコンタクト孔（不図示）が開設されている。
平坦化層１１８の上限膜厚が１０μｍ以上の場合、製造時の膜厚バラツキがより大きくなると共に、ボトム線幅の制御が困難となる。タクト増大による生産性低下の観点から、平坦化層１１８の上限膜厚は、７μｍ以下が望ましい。また、平坦化層１１８の膜厚とボトム線幅とを同程度にする必要があり、平坦化層１１８の膜厚が薄くなると、特に、平坦化層１１８の下限膜厚が１μｍ以下では、解像度の制約により所望のボトム線幅を得ることが困難となる。一般的なフラットパネルディスプレイ用露光機の場合には平坦化層１１８の下限膜厚は、２μｍが限界となる。したがって、平坦化層１１８の厚みは、例えば、１μｍ以上１０μｍ以下、より好ましくは２μｍ以上７μｍ以下であることが好ましい。In order to connect thepixel electrode 119 and a wiring connected to the pixel source S1 corresponding to thepixel electrode 119, theplanarization layer 118 has a contact hole (not shown) corresponding to thepixel electrode 119 in a part above the wiring. ) Has been established.
When the upper limit film thickness of theplanarization layer 118 is 10 μm or more, the film thickness variation at the time of manufacture becomes larger and the control of the bottom line width becomes difficult. From the viewpoint of lowering productivity due to an increase in tact, the upper limit film thickness of theplanarization layer 118 is desirably 7 μm or less. Further, it is necessary to make the film thickness of theplanarizing layer 118 and the bottom line width approximately the same. When the film thickness of theplanarizing layer 118 is reduced, the resolution is reduced particularly when the lower limit film thickness of theplanarizing layer 118 is 1 μm or less. Therefore, it is difficult to obtain a desired bottom line width. In the case of a general flat panel display exposure machine, the lower limit film thickness of theflattening layer 118 is 2 μm. Therefore, the thickness of theplanarization layer 118 is preferably 1 μm or more and 10 μm or less, and more preferably 2 μm or more and 7 μm or less.

１．４．２ 有機ＥＬ素子部
（１）補助画素電極１５０及び画素電極１１９
基板１００ｘの上面に位置する平坦化層１１８上には、図４及び図５に示すように、副画素１００ｓｅ単位で補助画素電極１５０が設けられている。さらに、補助画素電極１５０上には、画素電極１１９が積層されている。1.4.2 Organic EL element section (1)Auxiliary pixel electrode 150 andpixel electrode 119
On theplanarization layer 118 positioned on the upper surface of thesubstrate 100x, as shown in FIGS. 4 and 5,auxiliary pixel electrodes 150 are provided in units of subpixels 100se. Furthermore, apixel electrode 119 is stacked on theauxiliary pixel electrode 150.

補助画素電極１５０及び画素電極１１９は、発光層１２３へキャリアを供給するためのものであり、例えば陽極として機能した場合は、発光層１２３へホールを供給する。また、表示パネル１０がトップエミッション型であるため、画素電極１１９は光反射性を有する。補助画素電極１５０及び画素電極１１９の形状は、例えば、概矩形形状をした平板状である。補助画素電極１５０及び画素電極１１９は、行方向に、隣接する第１補助電極層１３５との間で、間隔δＸ１をあけて、配されている。また、補助画素電極１５０及び画素電極１１９は、行方向に、隣接する補助画素電極１５０及び画素電極１１９との間で、間隔δＸ２をあけて、配されている。平坦化層１１８のコンタクト孔（不図示）上には、画素電極１１９の一部を基板１００ｘ方向に凹入された画素電極１１９の接続凹部（コンタクト孔；不図示）が形成されており、接続凹部の底で画素電極１１９と対応する画素のソースＳ１ に接続される配線とが接続される。  Theauxiliary pixel electrode 150 and thepixel electrode 119 are for supplying carriers to thelight emitting layer 123. For example, when functioning as an anode, holes are supplied to thelight emitting layer 123. Further, since thedisplay panel 10 is a top emission type, thepixel electrode 119 has light reflectivity. The shape of theauxiliary pixel electrode 150 and thepixel electrode 119 is, for example, a flat plate having a substantially rectangular shape. Theauxiliary pixel electrode 150 and thepixel electrode 119 are arranged with an interval δX1 between the adjacent first auxiliary electrode layers 135 in the row direction. In addition, theauxiliary pixel electrode 150 and thepixel electrode 119 are arranged with an interval δX2 between the adjacentauxiliary pixel electrode 150 and thepixel electrode 119 in the row direction. On the contact hole (not shown) of theplanarization layer 118, a connection recess (contact hole; not shown) of thepixel electrode 119 is formed by recessing a part of thepixel electrode 119 in the direction of thesubstrate 100x. At the bottom of the recess, thepixel electrode 119 and the wiring connected to the corresponding pixel source S1 are connected.

平坦化層１１８上に、補助画素電極１５０を形成することにより、密着性が高まり、平坦化層１１８より下層に水素が入ることを防ぐことができる。ＴＦＴに酸化物半導体（ＴＡＯＳ：Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ Ａｍｏｒｐｈｕｓ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）を用いたときに水素によるＴＦＴの劣化を抑制できる。
なお、平坦化層１１８上には、補助画素電極１５０を形成しないとしてもよい。By forming theauxiliary pixel electrode 150 over theplanarization layer 118, adhesion can be improved and hydrogen can be prevented from entering below theplanarization layer 118. When an oxide semiconductor (TAOS: Transparent Amorphous Semiconductor) is used for the TFT, deterioration of the TFT due to hydrogen can be suppressed.
Note that theauxiliary pixel electrode 150 may not be formed over theplanarization layer 118.

（２）第１補助電極層１３５及び第２補助電極層２００
第１補助電極層１３５及び第２補助電極層２００は、基板１００ｘ上方においてそれぞれ補助画素電極１５０及び画素電極１１９と同層に延伸し配され、その上に共通電極層１２５を重畳させて共通電極層１２５との電気的な接続を図ることにより、共通電極層１２５の電気抵抗を低減するための補助的な電極層である。基板１００ｘの上面に位置する平坦化層１１８上には、図４及び図５に示すように、第１補助電極層１３５が設けられている。第１補助電極層１３５は、図５に示すように、隣接する画素電極１１９との間に行方向に間隔δＸ１をあけて配されている。また、第１補助電極層１３５は、図５に示すように、隣接するバンク５２２の基部との間に行方向に間隔をあけて配されている。(2) Firstauxiliary electrode layer 135 and secondauxiliary electrode layer 200
The firstauxiliary electrode layer 135 and the secondauxiliary electrode layer 200 are extended and arranged in the same layer as theauxiliary pixel electrode 150 and thepixel electrode 119, respectively, above thesubstrate 100x, and thecommon electrode layer 125 is superimposed thereon to overlap the common electrode. This is an auxiliary electrode layer for reducing the electric resistance of thecommon electrode layer 125 by achieving electrical connection with thelayer 125. A firstauxiliary electrode layer 135 is provided on theplanarizing layer 118 located on the upper surface of thesubstrate 100x, as shown in FIGS. As shown in FIG. 5, the firstauxiliary electrode layer 135 is arranged with an interval δX1 in the row direction betweenadjacent pixel electrodes 119. Further, as shown in FIG. 5, the firstauxiliary electrode layer 135 is arranged with a space in the row direction between the bases of the adjacent banks 522.

ここで、 第１補助電極層１３５の厚みは、５ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることが好ましく、本実施の形態では、例えば、５０ｎｍである。
また、第１補助電極層１３５上には、図４及び図５に示すように、第２補助電極層２００が積層されている。第２補助電極層２００の行方向の幅は、第１補助電極層１３５の行方向の幅と同一である。つまり、第２補助電極層２００の上面の面積は、第１補助電極層１３５の上面の面積と等価である。Here, the thickness of the firstauxiliary electrode layer 135 is preferably 5 nm or more and 200 nm or less, and in this embodiment, for example, 50 nm.
Further, as shown in FIGS. 4 and 5, the secondauxiliary electrode layer 200 is laminated on the firstauxiliary electrode layer 135. The width of the secondauxiliary electrode layer 200 in the row direction is the same as the width of the firstauxiliary electrode layer 135 in the row direction. That is, the area of the upper surface of the secondauxiliary electrode layer 200 is equivalent to the area of the upper surface of the firstauxiliary electrode layer 135.

第２補助電極層２００は、アルミニウムを主成分として含み、かつ、少なくとも第２補助電極層２００の表層２０１にはアルミニウムの自然酸化物層が形成されている。アルミニウムの自然酸化物層の厚みは、概ね約３ｎｍから約４ｎｍである。基板作製工程上で大気にさらされることによる大気中での酸素並びに、第２補助電極層２００の上方に形成されるホール注入層１２０Ｂの成膜後の加熱工程において、ホール注入層１２０Ｂ側から供給される酸素により第２補助電極層２００の表層２０１のアルミニウムが酸化するためである。  The secondauxiliary electrode layer 200 contains aluminum as a main component, and a natural oxide layer of aluminum is formed on at least thesurface layer 201 of the secondauxiliary electrode layer 200. The thickness of the native oxide layer of aluminum is generally about 3 nm to about 4 nm. Supplyed from thehole injection layer 120B side in the heating step after forming thehole injection layer 120B formed above the secondauxiliary electrode layer 200 and oxygen in the atmosphere by being exposed to the atmosphere in the substrate manufacturing process This is because aluminum in thesurface layer 201 of the secondauxiliary electrode layer 200 is oxidized by the oxygen that is generated.

（３）ホール注入層１２０
画素電極１１９上及び第２補助電極層２００上には、図４に示すように、ホール注入層１２０が積層されている。ホール注入層１２０は、画素電極１１９から注入されたホールをホール輸送層１２１へ輸送する機能を有する。
ホール注入層１２０は、基板１００ｘ側から順に、画素電極１１９上及び第２補助電極層２００上に形成された金属酸化物からなるホール注入層１２０Ａと、後述する間隙５２２ｚＲ、間隙５２２ｚＧ、間隙５２２ｚＢ内のホール注入層１２０Ａ上それぞれに積層された有機物からなるホール注入層１２０Ｂとを含む。青色副画素、緑色副画素及び赤色副画素内に設けられたホール注入層１２０Ａを、それぞれホール注入層１２０ＡＢ、ホール注入層１２０ＡＧ及びホール注入層１２０ＡＲ、第２補助電極層２００上に形成されたホール注入層１２０Ａをホール注入層１２０ＡＡとする。また、青色副画素、緑色副画素及び赤色副画素内に設けられたホール注入層１２０Ｂを、それぞれホール注入層１２０ＢＢ、ホール注入層１２０ＢＧ及びホール注入層１２０ＢＲとする。(3)Hole injection layer 120
On thepixel electrode 119 and the secondauxiliary electrode layer 200, as shown in FIG. 4, ahole injection layer 120 is laminated. Thehole injection layer 120 has a function of transporting holes injected from thepixel electrode 119 to thehole transport layer 121.
Thehole injection layer 120 includes, in order from thesubstrate 100x side, ahole injection layer 120A made of a metal oxide formed on thepixel electrode 119 and the secondauxiliary electrode layer 200, and a gap 522zR, a gap 522zG, and a gap 522zB described later. And ahole injection layer 120B made of an organic material stacked on each of the hole injection layers 120A. Hole injection layers 120A provided in the blue subpixel, the green subpixel, and the red subpixel are formed on the hole injection layer 120AB, the hole injection layer 120AG, the hole injection layer 120AR, and the secondauxiliary electrode layer 200, respectively. Theinjection layer 120A is a hole injection layer 120AA. Thehole injection layer 120B provided in the blue subpixel, the green subpixel, and the red subpixel is referred to as a hole injection layer 120BB, a hole injection layer 120BG, and a hole injection layer 120BR, respectively.

本実施の形態では、後述する間隙５２２ｚＲ、間隙５２２ｚＧ、間隙５２２ｚＢ内では、ホール注入層１２０Ｂは列方向に延伸するように線状に設けられている構成を採る。しかしながら、ホール注入層１２０Ｂは、画素電極１１９上に形成されたホール注入層１２０Ａ上にのみ形成され、間隙５２２ｚ内では列方向に断続して設けられている構成としてもよい。  In the present embodiment, thehole injection layer 120B is linearly provided so as to extend in the column direction in a gap 522zR, a gap 522zG, and a gap 522zB described later. However, thehole injection layer 120B may be formed only on thehole injection layer 120A formed on thepixel electrode 119 and intermittently provided in the column direction in thegap 522z.

（４）バンク１２２
図４、図５に示すように、画素電極１１９、ホール注入層１２０、第１補助電極層１３５及び第２補助電極層２００の端縁を被覆するように絶縁物からなるバンクが形成されている。バンクには、列方向に延伸して行方向に複数並設されている列バンク５２２Ｙと、行方向に延伸して列方向に複数並設されている行バンク１２２Ｘとがある。図３に示すように、列バンク５２２Ｙは、行バンク１２２Ｘと直交する行方向に沿った状態で設けられており、列バンク５２２Ｙと行バンク１２２Ｘとで格子状をなしている（以後、行バンク１２２Ｘ、列バンク５２２Ｙを区別しない場合は「バンク１２２」と称する）。(4) Bank 122
As shown in FIGS. 4 and 5, a bank made of an insulating material is formed so as to cover the edges of thepixel electrode 119, thehole injection layer 120, the firstauxiliary electrode layer 135, and the secondauxiliary electrode layer 200. . The banks include acolumn bank 522Y extending in the column direction and arranged in parallel in the row direction, and arow bank 122X extending in the row direction and arranged in parallel in the column direction. As shown in FIG. 3, thecolumn bank 522Y is provided in a state along the row direction orthogonal to therow bank 122X, and thecolumn bank 522Y and therow bank 122X form a lattice shape (hereinafter,row bank 122X). 122X andcolumn bank 522Y are referred to as “bank 122” when not distinguished from each other).

行バンク１２２Ｘの形状は、行方向に延伸する線状であり、列方向に平行に切った断面は上方を先細りとする順テーパー台形状である。行バンク１２２Ｘは、各列バンク５２２Ｙを貫通するようにして、列方向と直交する行方向に沿った状態で設けられており、各々が列バンク５２２Ｙの上面５２２Ｙｂよりも低い位置に上面を有する。そのため、行バンク１２２Ｘと列バンク５２２Ｙとにより、自己発光領域１００ａに対応する開口が形成されている。  The shape of therow bank 122X is a linear shape extending in the row direction, and the cross section cut in parallel to the column direction is a forward tapered trapezoidal shape that tapers upward. Therow banks 122X are provided in a state along the row direction orthogonal to the column direction so as to penetrate eachcolumn bank 522Y, and each has an upper surface at a position lower than the upper surface 522Yb of thecolumn bank 522Y. Therefore, an opening corresponding to the self-lightemitting region 100a is formed by therow bank 122X and thecolumn bank 522Y.

行バンク１２２Ｘは、発光層１２３の材料となる有機化合物を含んだインクの列方向への流動を制御するためのものである。そのため、行バンク１２２Ｘは、インクに対する親液性が所定の値以上であることが必要である。係る構成により、副画素間のインク塗布量の変動を抑制する。行バンク１２２Ｘにより画素電極１１９は、露出することはなく、行バンク１２２Ｘが存在する領域では発光せず、輝度には寄与しない。  Therow bank 122X is for controlling the flow in the column direction of the ink containing the organic compound that is the material of thelight emitting layer 123. Therefore, therow bank 122X needs to have a lyophilic property with respect to ink that is equal to or greater than a predetermined value. With this configuration, fluctuations in the amount of ink applied between subpixels are suppressed. Thepixel electrode 119 is not exposed by therow bank 122X, does not emit light in the region where therow bank 122X exists, and does not contribute to luminance.

行バンク１２２Ｘは、画素電極１１９の列方向における外縁１１９ａ１、ａ２の上方に存在する。
行バンク１２２Ｘは、共通電極層１２５との間の電気的リークを防止するとともに、列方向における各副画素１００ｓｅの発光領域１００ａの外縁を規定する。
列バンク５２２Ｙの形状は、列方向に延伸する線状であり、行方向に平行に切った断面は、上方を先細りとする順テーパー台形状である。列バンク５２２Ｙは、発光層１２３の材料となる有機化合物を含んだインクの行方向への流動を堰き止めて形成される発光層１２３の行方向外縁を規定するものである。Therow bank 122X exists above the outer edges 119a1 and a2 in the column direction of thepixel electrode 119.
Therow bank 122X prevents electrical leakage with thecommon electrode layer 125 and defines the outer edge of thelight emitting region 100a of each subpixel 100se in the column direction.
The shape of thecolumn bank 522Y is a linear shape extending in the column direction, and the cross section cut in parallel to the row direction is a forward tapered trapezoidal shape that tapers upward. Thecolumn bank 522Y defines the outer edge in the row direction of thelight emitting layer 123 formed by blocking the flow in the row direction of the ink containing the organic compound that is the material of thelight emitting layer 123.

列バンク５２２Ｙは、画素電極１１９の行方向における外縁１１９ａ３、ａ４上方及び第１補助電極層１３５の行方向における外縁１３５ａ１、ａ２により、行方向の基部が規定されている。列バンク５２２Ｙは、共通電極層１２５との間の電気的リークを防止するとともに、行方向における各副画素１００ｓｅの発光領域１００ａの外縁を規定する。列バンク５２２Ｙはインクに対する撥液性が所定の値以上であることが必要である。  In thecolumn bank 522Y, the base in the row direction is defined by the outer edges 119a3 and a4 above thepixel electrode 119 in the row direction and the outer edges 135a1 and a2 in the row direction of the firstauxiliary electrode layer 135. Thecolumn bank 522Y prevents electrical leakage with thecommon electrode layer 125 and defines the outer edge of thelight emitting region 100a of each subpixel 100se in the row direction. Thecolumn bank 522Y needs to have a liquid repellency of ink equal to or higher than a predetermined value.

（５）ホール輸送層１２１
図４に示すように、間隙５２２ｚＲ、５２２ｚＧ、５２２ｚＢ内におけるホール注入層１２０上には、ホール輸送層１２１が積層される。また、行バンク１２２Ｘにおけるホール注入層１２０上にも、ホール輸送層１２１が積層される（不図示）。ホール輸送層１２１は、ホール注入層１２０のホール注入層１２０Ｂに接触している。ホール輸送層１２１は、ホール注入層１２０から注入されたホールを発光層１２３へ輸送する機能を有する。間隙５２２ｚＲ、５２２ｚＧ、５２２ｚＢ内に設けられたホール輸送層１２１を、それぞれホール輸送層１２１Ｒ、ホール輸送層１２１Ｇ及びホール輸送層１２１Ｂとする。(5)Hole transport layer 121
As shown in FIG. 4, ahole transport layer 121 is stacked on thehole injection layer 120 in the gaps 522zR, 522zG, and 522zB. Ahole transport layer 121 is also stacked on thehole injection layer 120 in therow bank 122X (not shown). Thehole transport layer 121 is in contact with thehole injection layer 120B of thehole injection layer 120. Thehole transport layer 121 has a function of transporting holes injected from thehole injection layer 120 to thelight emitting layer 123. The hole transport layers 121 provided in the gaps 522zR, 522zG, and 522zB are referred to as ahole transport layer 121R, ahole transport layer 121G, and ahole transport layer 121B, respectively.

本実施の形態では、後述する間隙５２２ｚ内では、ホール輸送層１２１は、ホール注入層１２０Ｂと同様、列方向に延伸するように線状に設けられている構成を採る。しかしながら、ホール輸送層１２１は間隙５２２ｚ内では列方向に断続して設けられている構成としてもよい。
（６）発光層１２３
図４に示すように、ホール輸送層１２１上には、発光層１２３が積層されている。発光層１２３は、有機化合物からなる層であり、内部でホールと電子が再結合することで光を発する機能を有する。列バンク５２２Ｙにより規定された間隙５２２ｚＲ、間隙５２２ｚＧ、間隙５２２ｚＢ内では、発光層１２３は、列方向に延伸するように線状に設けられている。赤色副画素１００ｓｅＲ内の自己発光領域１００ａＲに対応する赤色間隙５２２ｚＲ、緑色副画素１００ｓｅＧ内の自己発光領域１００ａＧに対応する緑色間隙５２２ｚＧ、青色副画素１００ｓｅＢ内の自己発光領域１００ａＢに対応する青色間隙５２２ｚＢには、それぞれ各色に発光する発光層１２３Ｒ、１２３Ｇ、１２３Ｂが形成されている。In the present embodiment, in thegap 522z to be described later, thehole transport layer 121 has a configuration in which thehole transport layer 121 is linearly provided so as to extend in the column direction, like thehole injection layer 120B. However, thehole transport layer 121 may be provided intermittently in the column direction in thegap 522z.
(6)Light emitting layer 123
As shown in FIG. 4, thelight emitting layer 123 is laminated on thehole transport layer 121. The light-emittinglayer 123 is a layer made of an organic compound and has a function of emitting light by recombining holes and electrons inside. Within the gap 522zR, the gap 522zG, and the gap 522zB defined by thecolumn bank 522Y, thelight emitting layer 123 is linearly provided so as to extend in the column direction. A red gap 522zR corresponding to the self-light-emitting area 100aR in the red sub-pixel 100seR, a green gap 522zG corresponding to the self-light-emitting area 100aG in the green sub-pixel 100seG, and a blue gap 522zB corresponding to the self-light-emitting area 100aB in the blue sub-pixel 100seB. Are formed with light emittinglayers 123R, 123G, and 123B that emit light of the respective colors.

発光層１２３は、画素電極１１９からキャリアが供給される部分のみが発光するので、層間に絶縁物である行バンク１２２Ｘが存在する範囲では、有機化合物の電界発光現象が生じない。そのため、発光層１２３は、行バンク１２２Ｘがない部分のみが発光して、この部分が自己発光領域１００ａとなり、自己発光領域１００ａの列方向における外縁は、行バンク１２２Ｘの列方向外縁により規定される。  Since thelight emitting layer 123 emits light only from the portion to which carriers are supplied from thepixel electrode 119, the electroluminescence phenomenon of the organic compound does not occur in the range where therow bank 122X which is an insulator exists between the layers. Therefore, in thelight emitting layer 123, only the portion without therow bank 122X emits light, and this portion becomes the selflight emitting region 100a, and the outer edge in the column direction of the selflight emitting region 100a is defined by the column direction outer edge of therow bank 122X. .

発光層１２３のうち行バンク１２２Ｘの側面及び上面の上方にある部分は発光せず、この部分は非自己発光領域となる。発光層１２３は、自己発光領域においては、ホール輸送層１２１の上面に位置し、非自己発光領域１００ｂにおいては行バンク１２２Ｘの上面及び側面上のホール輸送層１２１上面に位置する（不図示）。
なお、発光層１２３は、自己発光領域１００ａだけでなく、隣接する非自己発光領域１００ｂまで連続して延伸されている。このようにすると、発光層１２３の形成時に、自己発光領域１００ａに塗布されたインクが、非自己発光領域１００ｂに塗布されたインクを通じて列方向に流動でき、列方向の画素間でその膜厚を平準化することができる。但し、非自己発光領域１００ｂでは、行バンク１２２Ｘによって、インクの流動が程良く抑制される。よって、列方向に大きな膜厚むらが発生しにくく画素毎の輝度むらが改善される。The portions of thelight emitting layer 123 above the side and upper surfaces of therow bank 122X do not emit light, and this portion becomes a non-self light emitting region. Thelight emitting layer 123 is located on the upper surface of thehole transport layer 121 in the self-light emitting region, and is located on the upper surface of therow bank 122X and the upper surface of thehole transport layer 121 on the side surface in the non-selflight emitting region 100b (not shown).
Note that thelight emitting layer 123 is continuously extended not only to the selflight emitting region 100a but also to the adjacent non selflight emitting region 100b. In this way, when thelight emitting layer 123 is formed, the ink applied to the selflight emitting region 100a can flow in the column direction through the ink applied to the non-selflight emitting region 100b, and the film thickness is increased between the pixels in the column direction. Can be leveled. However, in the non-selflight emitting region 100b, the flow of ink is moderately suppressed by therow bank 122X. Therefore, large unevenness in film thickness hardly occurs in the column direction, and uneven brightness in each pixel is improved.

（７）電子輸送層１２４
図３、図４及び図５に示すように、列バンク５２２Ｙ及び列バンク５２２Ｙにより規定された間隙５２２ｚを被覆するように電子輸送層１２４が積層して形成されている。電子輸送層１２４については、表示パネル１０の少なくとも表示領域全体に連続した状態で形成されている。電子輸送層１２４は、基板１００ｘ側から順に金属酸化物又はフッ化物等からなる電子輸送層１２４Ａと、電子輸送層１２４Ａ上に積層された有機物を主成分とする電子輸送層１２４Ｂとを含む（以後において、電子輸送層１２４Ａ、１２４Ｂを総称する場合は「電子輸送層１２４」と表記する）。(7)Electron transport layer 124
As shown in FIGS. 3, 4 and 5, theelectron transport layer 124 is laminated so as to cover thecolumn bank 522Y and thegap 522z defined by thecolumn bank 522Y. Theelectron transport layer 124 is formed in a continuous state at least over the entire display region of thedisplay panel 10. Theelectron transport layer 124 includes, in order from thesubstrate 100x side, anelectron transport layer 124A made of a metal oxide, fluoride, or the like, and anelectron transport layer 124B mainly composed of an organic material stacked on theelectron transport layer 124A (hereinafter referred to as “electron transport layer 124B”). Theelectron transport layers 124A and 124B are collectively referred to as “electron transport layer 124”).

電子輸送層１２４は、図４及び図５に示すように、発光層１２３上に形成されている。電子輸送層１２４は、共通電極層１２５からの電子を発光層１２３へ輸送するとともに、発光層１２３への電子の注入を制限する機能を有する。
電子輸送層１２４は、図４及び図５に示すように、第１補助電極層１３５及び第２補助電極層２００の上方にも形成される。したがって、第２補助電極層２００上にホール輸送層１２１が積層されている本実施の形態の構成では、ホール輸送層１２１上面にも形成される。図５に示すように、電子輸送層１２４は、第１補助電極層１３５の端部及び第２補助電極層２００の端部において、欠落（段切れ）又は薄層化している。Theelectron transport layer 124 is formed on thelight emitting layer 123 as shown in FIGS. Theelectron transport layer 124 has a function of transporting electrons from thecommon electrode layer 125 to thelight emitting layer 123 and restricting injection of electrons into thelight emitting layer 123.
As shown in FIGS. 4 and 5, theelectron transport layer 124 is also formed above the firstauxiliary electrode layer 135 and the secondauxiliary electrode layer 200. Therefore, in the configuration of the present embodiment in which thehole transport layer 121 is stacked on the secondauxiliary electrode layer 200, thehole transport layer 121 is also formed on the upper surface. As shown in FIG. 5, theelectron transport layer 124 is missing (stepped) or thinned at the end of the firstauxiliary electrode layer 135 and the end of the secondauxiliary electrode layer 200.

ここで、「欠落」とは、電子輸送層１２４の一部分が途切れて不連続になり下地が見えている状態をさす。欠落によって、電子輸送層３１２４の欠落している部分において、共通電極層１２５と第１補助電極層１３５とが接することにより、両者が電気的に接続される構造を実現することができる。その結果、欠落している部分以外よりも低い電気抵抗にて、共通電極層１２５と第１補助電極層１３５とが接続される。  Here, “missing” means a state in which a part of theelectron transport layer 124 is interrupted and becomes discontinuous so that the base is visible. Due to the lack, thecommon electrode layer 125 and the firstauxiliary electrode layer 135 are in contact with each other in the missing portion of the electron transport layer 3124, thereby realizing a structure in which both are electrically connected. As a result, thecommon electrode layer 125 and the firstauxiliary electrode layer 135 are connected with an electrical resistance lower than that other than the missing portion.

また、「薄層化」とは、電子輸送層１２４の一部分が欠落するには至らないものの、電子輸送層１２４の一部分が第１補助電極１３５、第２補助電極２００の上平面上よりもその断面部においては薄層化された薄層化部が形成されることをさす。薄層化によって、電子輸送層１２４の薄層化部において、薄層化部以外の部分よりも低い電気抵抗にて、共通電極層１２５が第１補助電極層１３５に電気的に接続される構造を実現することができる。  In addition, “thinning” means that a part of theelectron transport layer 124 is not lost, but a part of theelectron transport layer 124 is more than the upper plane of the firstauxiliary electrode 135 and the secondauxiliary electrode 200. In the cross section, it means that a thinned portion is formed. A structure in which thecommon electrode layer 125 is electrically connected to the firstauxiliary electrode layer 135 in the thinned portion of theelectron transport layer 124 with a lower electrical resistance than the portion other than the thinned portion due to the thinning. Can be realized.

また、電子輸送層１２４においては、金属酸化物又はフッ化物等からなる電子輸送層１２４Ａの抵抗が大きいため、電子輸送層１２４Ａを欠落、薄膜化することだけで大きな効果を得ることができる。
そのため、電子輸送層１２４が欠落又は薄層化している部分に相当する第２補助電極層２００における側面部において、第２補助電極層２００の表層２０１と共通電極層１２５とが接する構成となる。しかしながら、上述のとおり、第２補助電極層２００は、第２補助電極層２００の表層２０１にはアルミニウムの酸化物が形成されているので、第２補助電極層２００の表層２０１と共通電極層１２５との接触電気抵抗は高いものとなる。Further, in theelectron transport layer 124, since the resistance of theelectron transport layer 124A made of a metal oxide, fluoride, or the like is large, a great effect can be obtained only by omitting theelectron transport layer 124A and making it thin.
Therefore, thesurface layer 201 of the secondauxiliary electrode layer 200 and thecommon electrode layer 125 are in contact with each other at the side surface portion of the secondauxiliary electrode layer 200 corresponding to the portion where theelectron transport layer 124 is missing or thinned. However, as described above, in the secondauxiliary electrode layer 200, thesurface layer 201 of the secondauxiliary electrode layer 200 is formed with an oxide of aluminum, and thus thesurface layer 201 of the secondauxiliary electrode layer 200 and thecommon electrode layer 125 are formed. The contact electric resistance with is high.

他方、電子輸送層１２４が欠落又は薄層化している部分に相当する第１補助電極層１３５における側面上の一部領域１３５ａ１、１３５ａ２において、第１補助電極層１３５と共通電極層１２５の少なくとも一部とが接触している。ここでは、第１補助電極層１３５の表層部には金属の酸化物が形成されていないので、第１補助電極層１３５側面上の一部領域１３５ａ１、１３５ａ２と共通電極層１２５との接触電気抵抗は低いものとなる。  On the other hand, at least one of the firstauxiliary electrode layer 135 and thecommon electrode layer 125 in the partial regions 135a1 and 135a2 on the side surface of the firstauxiliary electrode layer 135 corresponding to the portion where theelectron transport layer 124 is missing or thinned. The part is in contact. Here, since the metal oxide is not formed on the surface layer portion of the firstauxiliary electrode layer 135, the contact electric resistance between the partial regions 135 a 1 and 135 a 2 on the side surface of the firstauxiliary electrode layer 135 and thecommon electrode layer 125. Is low.

このとき、第２補助電極層２００と共通電極層１２５との間には１層以上からなる機能層である電子輸送層１２４が配されているが、第１補助電極層１３５の厚みは電子輸送層１２４の層厚よりも厚いことが好ましい。言い換えると、第１補助電極層１３５の厚みは、画素電極１１９（第１補助電極層１３５）形成後に、第１補助電極層１３５に積層して真空蒸着法により形成され、電気的接触において高抵抗成分となる機能層の総厚よりも厚いことが好ましい。  At this time, theelectron transport layer 124, which is a functional layer including one or more layers, is disposed between the secondauxiliary electrode layer 200 and thecommon electrode layer 125. The thickness of the firstauxiliary electrode layer 135 is the electron transport layer. Thelayer 124 is preferably thicker than the layer thickness. In other words, the thickness of the firstauxiliary electrode layer 135 is formed by vacuum deposition after being formed on the firstauxiliary electrode layer 135 after the pixel electrode 119 (first auxiliary electrode layer 135) is formed. It is preferably thicker than the total thickness of the functional layer as a component.

係る構成を採ることにより、図５に示すように、第１補助電極層１３５の側面上の一部領域１３５ａ１、１３５ａ２において、第１補助電極層１３５と共通電極層１２５とを第１補助電極１３５の上面でより、より低抵抗に接触させることができる。
（８）共通電極層１２５
図４及び図５に示すように、電子輸送層１２４上に、共通電極層１２５が形成されている。共通電極層１２５は、各発光層１２３に共通の電極となっている。共通電極層１２５は、基板１００ｘ側から順に金属酸化物からなる共通電極層１２５Ａと、共通電極層１２５Ａ上に積層された金属を主成分とする共通電極層１２５Ｂとを含む（以後において、共通電極層１２５Ａ、１２５Ｂを総称する場合は「共通電極層１２５」と表記する）。By adopting such a configuration, the firstauxiliary electrode layer 135 and thecommon electrode layer 125 are connected to the firstauxiliary electrode 135 in the partial regions 135a1 and 135a2 on the side surface of the firstauxiliary electrode layer 135 as shown in FIG. The lower surface can be contacted with lower resistance.
(8)Common electrode layer 125
As shown in FIGS. 4 and 5, thecommon electrode layer 125 is formed on theelectron transport layer 124. Thecommon electrode layer 125 is an electrode common to each light emittinglayer 123. Thecommon electrode layer 125 includes acommon electrode layer 125A made of metal oxide in order from thesubstrate 100x side, and acommon electrode layer 125B mainly composed of metal stacked on thecommon electrode layer 125A (hereinafter, thecommon electrode layer 125A). (Thelayers 125A and 125B are collectively referred to as “common electrode layer 125”).

共通電極層１２５は、図４に示すように、電子輸送層１２４上の画素電極１１９上方の領域にも形成される。共通電極層１２５は、画素電極１１９と対になって発光層１２３を挟むことで通電経路を作り、発光層１２３へキャリアを供給するものであり、例えば陰極として機能した場合は、発光層１２３へ電子を供給する。
共通電極層１２５Ａは、図４及び図５に示すように、第１補助電極層１３５及び第２補助電極層２００上方の領域にも形成される。このとき、共通電極層１２５Ａは、電子輸送層１２４が欠落又は薄層化している部分に相当する第１補助電極層１３５の側面上の一部領域１３５ａ１、１３５ａ２と電気的に接する。As shown in FIG. 4, thecommon electrode layer 125 is also formed in a region above thepixel electrode 119 on theelectron transport layer 124. Thecommon electrode layer 125 is paired with thepixel electrode 119 to form an energization path by sandwiching thelight emitting layer 123 and supply carriers to thelight emitting layer 123. For example, when thecommon electrode layer 125 functions as a cathode, to thelight emitting layer 123 Supply electrons.
As shown in FIGS. 4 and 5, thecommon electrode layer 125 </ b> A is also formed in a region above the firstauxiliary electrode layer 135 and the secondauxiliary electrode layer 200. At this time, thecommon electrode layer 125A is in electrical contact with partial regions 135a1 and 135a2 on the side surface of the firstauxiliary electrode layer 135 corresponding to a portion where theelectron transport layer 124 is missing or thinned.

他方、共通電極層１２５Ｂは、図４及び図５に示すように、主として共通電極層１２５Ａの上面にのみ形成される。
（９）封止層１２６
共通電極層１２５を被覆するように、封止層１２６が積層形成されている。封止層１２６は、発光層１２３が水分や空気などに触れて劣化することを抑制するためのものである。封止層１２６は、共通電極層１２５の上面を覆うように設けられている。On the other hand, as shown in FIGS. 4 and 5, thecommon electrode layer 125B is mainly formed only on the upper surface of thecommon electrode layer 125A.
(9)Sealing layer 126
Asealing layer 126 is stacked so as to cover thecommon electrode layer 125. Thesealing layer 126 is for suppressing thelight emitting layer 123 from being deteriorated by contact with moisture or air. Thesealing layer 126 is provided so as to cover the upper surface of thecommon electrode layer 125.

（１０）接合層１２７
封止層１２６のＺ軸方向上方には、上部基板１３０のＺ軸方向下側の主面にカラーフィルタ層１２８が形成されたカラーフィルタ基板１３１が配されており、接合層１２７により接合されている。接合層１２７は、基板１００ｘから封止層１２６までの各層からなる背面パネルとカラーフィルタ基板１３１とを貼り合わせるとともに、各層が水分や空気に晒されることを防止する機能を有する。(10)Bonding layer 127
Above thesealing layer 126 in the Z-axis direction, acolor filter substrate 131 in which acolor filter layer 128 is formed on the main surface of theupper substrate 130 on the lower side in the Z-axis direction is disposed and bonded by thebonding layer 127. Yes. Thebonding layer 127 has a function of bonding the back panel including the layers from thesubstrate 100x to thesealing layer 126 and thecolor filter substrate 131 and preventing the layers from being exposed to moisture and air.

（１１）上部基板１３０
接合層１２７の上に、上部基板１３０にカラーフィルタ層１２８が形成されたカラーフィルタ基板１３１が設置・接合されている。上部基板１３０には、表示パネル１０がトップエミッション型であるため、例えば、カバーガラス、透明樹脂フィルムなどの光透過性材料が用いられる。また、上部基板１３０により、表示パネル１０、剛性向上、水分や空気などの侵入防止などを図ることができる。(11)Upper substrate 130
On thebonding layer 127, acolor filter substrate 131 in which thecolor filter layer 128 is formed on theupper substrate 130 is installed and bonded. Since thedisplay panel 10 is a top emission type, for example, a light transmissive material such as a cover glass or a transparent resin film is used for theupper substrate 130. Further, theupper substrate 130 can improve the rigidity of thedisplay panel 10 and prevent intrusion of moisture and air.

（１２）カラーフィルタ層１２８
上部基板１３０には画素の各色自己発光領域１００ａに対応する位置にカラーフィルタ層１２８が形成されている。カラーフィルタ層１２８は、Ｒ、Ｇ、Ｂに対応する波長の可視光を透過させるために設けられる透明層であり、各色画素から出射された光を透過させて、その色度を矯正する機能を有する。例えば、本例では、赤色間隙５２２ｚＲ内の自己発光領域１００ａＲ、緑色間隙５２２ｚＧ内の自己発光領域１００ａＧ、青色間隙５２２ｚＢ内の自己発光領域１００ａＢの上方に、赤色、緑色、青色のフィルタ層１２８Ｒ、１２８Ｇ、１２８Ｂが各々形成されている。(12)Color filter layer 128
Acolor filter layer 128 is formed on theupper substrate 130 at a position corresponding to each color self-luminous region 100a of the pixel. Thecolor filter layer 128 is a transparent layer provided to transmit visible light having wavelengths corresponding to R, G, and B, and has a function of transmitting light emitted from each color pixel and correcting the chromaticity. Have. For example, in this example, the red, green, and blue filter layers 128R and 128G are disposed above the self-emitting region 100aR in the red gap 522zR, the self-emitting region 100aG in the green gap 522zG, and the self-emitting region 100aB in the blue gap 522zB. , 128B are formed.

（１３）遮光層１２９
上部基板１３０には、各画素の発光領域１００ａ間の境界に対応する位置に遮光層１２９が形成されている。遮光層１２９は、Ｒ、Ｇ、Ｂに対応する波長の可視光を透過させないために設けられる黒色樹脂層であって、例えば光吸収性及び遮光性に優れる黒色顔料を含む樹脂材料からなる。(13)Light shielding layer 129
Alight shielding layer 129 is formed on theupper substrate 130 at a position corresponding to the boundary between thelight emitting regions 100a of each pixel. Thelight shielding layer 129 is a black resin layer provided so as not to transmit visible light having wavelengths corresponding to R, G, and B. For example, thelight shielding layer 129 is made of a resin material containing a black pigment having excellent light absorption and light shielding properties.

１．４．３ 各部の構成材料
図３、図４及び図５に示す各部の構成材料について、一例を示す。
（１）基板１００ｘ（ＴＦＴ基板）
基材１００ｐとしては、例えば、ガラス基板、石英基板、シリコン基板、硫化モリブデン、銅、亜鉛、アルミニウム、ステンレス、マグネシウム、鉄、ニッケル、金、銀などの金属基板、ガリウム砒素基などの半導体基板、プラスチック基板等を採用することができる。1.4.3 Constituent material of each part An example is shown about the constituent material of each part shown in FIG.3, FIG4 and FIG.5.
(1)Substrate 100x (TFT substrate)
Examples of thebase material 100p include a glass substrate, a quartz substrate, a silicon substrate, molybdenum sulfide, copper, zinc, aluminum, stainless steel, magnesium, iron, nickel, gold, silver and other metal substrates, a gallium arsenide based semiconductor substrate, A plastic substrate or the like can be employed.

可撓性を有するプラスチック材料として、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂いずれの樹脂を用いてもよい。可撓性を有する材料からなるフィルムであってもよい。基材の材料としては、電気絶縁性を有する材料、例えば、樹脂材料を用いることができる。具体的には、基板５０に用いることが可能な材料としては、例えば、ポリイミド、ポリイミドベンゾオキサゾール、ポリイミドベンゾイミダゾールのほかにポリイミドを単位構造として含む共重合体、ポリエステル、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリ塩化ビニル、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンナフタレン、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体等のポリオレフィン、環状ポリオレフィン、変性ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、アクリル系樹脂、ポリメチルメタクリレート、アクリル−スチレン共重合体、ブタジエン−スチレン共重合体、エチレン−ビニルアルコール共重合体、ポリエーテル、ポリエーテルケトン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、ポリアセタール、ポリフェニレンオキシド、変形ポリフェニレンオキシド、ポリアリレート、芳香族ポリエステル、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン等が挙げられる。また、これらの材料のうち１種または２種以上を組み合わせた多層構造であってもよい。  As the flexible plastic material, either a thermoplastic resin or a thermosetting resin may be used. A film made of a flexible material may be used. As the material of the base material, a material having electrical insulation, for example, a resin material can be used. Specifically, as a material that can be used for the substrate 50, for example, a copolymer containing polyimide as a unit structure in addition to polyimide, polyimide benzoxazole, polyimide benzimidazole, polyester, polytetrafluoroethylene, polyphenylene sulfide , Polyamide, Polyamideimide, Polycarbonate, Polystyrene, Polypropylene, Polyethylene, Polyvinyl chloride, Polyethersulfone, Polyethylene naphthalene, Ethylene-propylene copolymer, Ethylene-vinyl acetate copolymer, Polyolefin, Cyclic polyolefin, Modified polyolefin, Poly Vinyl chloride, polyvinylidene chloride, acrylic resin, polymethyl methacrylate, acrylic-styrene copolymer, butadiene-styrene copolymer, ethylene Nyl alcohol copolymer, polyether, polyether ketone, polyether ether ketone, polyether imide, polyacetal, polyphenylene oxide, modified polyphenylene oxide, polyarylate, aromatic polyester, polytetrafluoroethylene, polyvinylidene fluoride, etc. . Moreover, the multilayer structure which combined 1 type (s) or 2 or more types among these materials may be sufficient.

ＴＦＴ層は、基材１００ｐに形成されたＴＦＴ回路と、ＴＦＴ回路上に形成された無機絶縁層１１６、平坦化層１１８とを有する。ＴＦＴ回路は、基材１００ｐ上面に形成された複数のＴＦＴ及び配線からなる。ＴＦＴは、発光素子１００の外部回路からの駆動信号に応じ、自身に対応する画素電極１１９と外部電源とを電気的に接続するものであり、電極、半導体層、絶縁層などの多層構造からなる。配線は、ＴＦＴ、画素電極１２、外部電源、外部回路などを電気的に接続している。  The TFT layer includes a TFT circuit formed on thebase material 100p, an inorganic insulatinglayer 116, and aplanarization layer 118 formed on the TFT circuit. The TFT circuit is composed of a plurality of TFTs and wirings formed on the upper surface of thesubstrate 100p. The TFT electrically connects thepixel electrode 119 corresponding to itself and an external power source in accordance with a drive signal from an external circuit of thelight emitting element 100, and has a multilayer structure such as an electrode, a semiconductor layer, and an insulating layer. . The wiring electrically connects the TFT, the pixel electrode 12, an external power source, an external circuit, and the like.

ＴＦＴを構成するゲート電極、ゲート絶縁層、チャネル層、チャネル保護層、ソース電極、ドレイン電極などには公知の材料を用いることができる。ゲート電極としては、例えば、銅（Ｃｕ）とモリブデン（Ｍｏ）との積層体を採用している。
ゲート絶縁層１０３としては、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ2）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）など、電気絶縁性を有する材料であれば、公知の有機材料や無機材料のいずれも用いることができる。チャネル層としては、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）から選択される少なくとも一種を含む酸化物半導体を採用することができる。Known materials can be used for a gate electrode, a gate insulating layer, a channel layer, a channel protective layer, a source electrode, a drain electrode, and the like constituting the TFT. As the gate electrode, for example, a stacked body of copper (Cu) and molybdenum (Mo) is employed.
As thegate insulating layer 103, any known organic material or inorganic material can be used as long as it is a material having electrical insulation properties such as silicon oxide (SiO2 ) and silicon nitride (SiNx). As the channel layer, an oxide semiconductor containing at least one selected from indium (In), gallium (Ga), and zinc (Zn) can be used.

チャネル保護層１０６としては、例えば、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、あるいは酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）を用いることができる。ソース電極、ドレイン電極としては、例えば、銅マンガン（ＣｕＭｎ）と銅（Ｃｕ）とモリブデン（Ｍｏ）の積層体を採用することができる。
ＴＦＴ上部の無機絶縁層１１６は、ガスバリア性を有する無機化合物からなる。例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ2）、窒化シリコン（ＳｉＮ）や酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、酸化シリコン（ＳｉＯ）や酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）を用いることもできる。As the channelprotective layer 106, for example, silicon oxynitride (SiON), silicon nitride (SiNx), or aluminum oxide (AlOx) can be used. As a source electrode and a drain electrode, the laminated body of copper manganese (CuMn), copper (Cu), and molybdenum (Mo) is employable, for example.
The inorganicinsulating layer 116 above the TFT is made of an inorganic compound having a gas barrier property. For example, silicon oxide (SiO2 ), silicon nitride (SiN), silicon oxynitride (SiON), silicon oxide (SiO), or silicon oxynitride (SiON) can also be used.

ＴＦＴの接続電極層としては、例えば、モリブデン（Ｍｏ）と銅（Ｃｕ）と銅マンガン（ＣｕＭｎ）との積層体を採用することができる。なお、接続電極層の構成に用いる材料としては、これに限定されるものではなく、導電性を有する材料から適宜選択することが可能である。
基板１００ｘの上面に位置する平坦化層１１８の材料としては、例えば、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、シロキサン系樹脂、ノボラック型フェノール系樹脂などの有機化合物を用いることができる。As the connection electrode layer of the TFT, for example, a laminate of molybdenum (Mo), copper (Cu), and copper manganese (CuMn) can be employed. Note that the material used for the structure of the connection electrode layer is not limited to this, and can be appropriately selected from conductive materials.
As a material of theplanarization layer 118 positioned on the upper surface of thesubstrate 100x, for example, an organic compound such as polyimide resin, acrylic resin, siloxane resin, or novolac phenol resin can be used.

（２）画素電極１１９、補助画素電極１５０、第２補助電極層２００及び第１補助電極層１３５
画素電極１１９は、金属材料から構成されている。トップエミッション型の本実施の形態に係る表示パネル１０の場合には、厚みを最適に設定して光共振器構造を採用することにより出射される光の色度を調整し輝度を高めているため、画素電極１１９の表面部が高い反射性を有することが必要である。本実施の形態に係る表示パネル１０では、画素電極１１９は、金属層、合金層、透明導電膜の中から選択される複数の膜を積層させた構造であってもよい。金属層としては、シート抵抗が小さく、高い光反射性を有する材料として、例えば、銀（Ａｇ）又はアルミニウム（Ａｌ）を含む金属材料から構成することができる。例えば、アルミニウム（Ａｌ）合金では、反射率が８０〜９５％と高く、電気抵抗率が、２．８２×１０-8（１０ ｎΩｍ）小さく、第２補助電極層２００の材料として好適である。(2)Pixel electrode 119,auxiliary pixel electrode 150, secondauxiliary electrode layer 200, and firstauxiliary electrode layer 135
Thepixel electrode 119 is made of a metal material. In the case of thedisplay panel 10 according to the present embodiment of the top emission type, the brightness is increased by adjusting the chromaticity of the emitted light by adopting the optical resonator structure with the optimum thickness. The surface portion of thepixel electrode 119 needs to have high reflectivity. In thedisplay panel 10 according to the present embodiment, thepixel electrode 119 may have a structure in which a plurality of films selected from a metal layer, an alloy layer, and a transparent conductive film are stacked. The metal layer can be made of a metal material containing, for example, silver (Ag) or aluminum (Al) as a material having low sheet resistance and high light reflectivity. For example, an aluminum (Al) alloy has a high reflectance of 80 to 95% and an electrical resistivity of 2.82 × 10−8 (10 nΩm), and is suitable as a material for the secondauxiliary electrode layer 200.

アルミニウム合金などの金属層の他、高反射率の観点から、例えば、銀や銀を含む合金等を用いることができる。透明導電層の構成材料としては、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などを用いることができる。さらに、コスト面からアルミニウムを主成分として含む金属層、合金層を用いることが好ましい。
第２補助電極層２００の厚みは、反射率、シート抵抗の観点から数３０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることが好ましく、本実施の形態では、例えば、１００ｎｍである。In addition to a metal layer such as an aluminum alloy, for example, silver or an alloy containing silver can be used from the viewpoint of high reflectivity. As a constituent material of the transparent conductive layer, for example, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), or the like can be used. Furthermore, it is preferable to use a metal layer or an alloy layer containing aluminum as a main component from the viewpoint of cost.
The thickness of the secondauxiliary electrode layer 200 is preferably several 30 nm or more and 500 nm or less from the viewpoint of reflectivity and sheet resistance. In the present embodiment, for example, the thickness is 100 nm.

なぜなら、第２補助電極層２００は、基板上の画素電極１１９と同時に同層に形成されるために、画素電極１１９と同じ材料により形成されている。したがって、第２補助電極層２００には、アルミニウムを主成分として含む金属層、合金層を用いることが最も好ましい。
第１補助電極層１３５は、第２補助電極層２００を構成する材料と異なる金属を主成分として含み、第２補助電極層２００を構成する材料よりも大気中における接触抵抗が低い材料からなる。具体的には、第１補助電極層１３５は、例えば、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、ランタン（Ｌａ）、インジウム（Ｉｎ）などの金属材料から形成されることが好ましい。例えば、タングステン（Ｗ）は、反射率が５０〜６０％で、電気抵抗率についても、５．２９×１０-8（１０ ｎΩｍ）程度とアルミニウム（Ａｌ）より劣るものの、第２補助電極２００の上層には第１の補助電極１３５が積層され電気的に接触できている。そのため、補助電極としてのシート抵抗は低抵抗化できるととともに、同層で形成される画素電極１１９としても高い反射も両立できる。このため、下層である第１補助電極層１３５の材料として好適である。また、同じ思想のもと、第２補助電極としては、ＩＴＯ又はＩＺＯなどの導電性を有する金属酸化物を用いることができる。第１補助電極層１３５に、これらの材料を用いることで、第１補助電極だけのシート抵抗としてはアルミニウムには及ばないものの、第２補助電極２００との積層により、シート抵抗を低くすることができるとともに、第１補助電極層１３５の表層部には高抵抗となる金属の酸化物は形成されにくい構成とすることができる。その結果、共通電極層１２５と接触する第１補助電極層１３５の側面上の一部領域１３５ａ１、１３５ａ２と共通電極層１２５との良好な接触電気抵抗をより低くすることができる。This is because the secondauxiliary electrode layer 200 is formed of the same material as thepixel electrode 119 because it is formed in the same layer as thepixel electrode 119 on the substrate. Therefore, the secondauxiliary electrode layer 200 is most preferably a metal layer or an alloy layer containing aluminum as a main component.
The firstauxiliary electrode layer 135 contains a metal different from the material constituting the secondauxiliary electrode layer 200 as a main component, and is made of a material having a lower contact resistance in the atmosphere than the material constituting the secondauxiliary electrode layer 200. Specifically, the firstauxiliary electrode layer 135 includes, for example, tungsten (W), chromium (Cr), titanium (Ti), molybdenum (Mo), nickel (Ni), copper (Cu), lanthanum (La), It is preferably formed from a metal material such as indium (In). For example, tungsten (W) has a reflectance of 50 to 60% and an electrical resistivity of about 5.29 × 10−8 (10 nΩm), which is inferior to aluminum (Al). A firstauxiliary electrode 135 is laminated on the upper layer and is in electrical contact. Therefore, the sheet resistance as the auxiliary electrode can be lowered, and thepixel electrode 119 formed in the same layer can achieve high reflection. For this reason, it is suitable as a material of the firstauxiliary electrode layer 135 which is a lower layer. Further, based on the same idea, a conductive metal oxide such as ITO or IZO can be used as the second auxiliary electrode. By using these materials for the firstauxiliary electrode layer 135, the sheet resistance of only the first auxiliary electrode is not as good as that of aluminum, but the sheet resistance can be lowered by stacking with the secondauxiliary electrode 200. In addition, a metal oxide having high resistance can be hardly formed on the surface layer portion of the firstauxiliary electrode layer 135. As a result, it is possible to further reduce the good contact electrical resistance between thecommon electrode layer 125 and the partial regions 135a1 and 135a2 on the side surface of the firstauxiliary electrode layer 135 in contact with thecommon electrode layer 125.

第１補助電極層１３５の厚みは、上述のとおり、５ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることが好ましく、本実施の形態では、例えば、５０ｎｍである。
（３）ホール注入層１２０
ホール注入層１２０Ａは、例えば、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、バナジウム（Ｖ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、イリジウム（Ｉｒ）などの酸化物からなる層である。ホール注入層１２０Ａを遷移金属の酸化物から構成する場合には、複数の酸化数をとるためこれにより複数の準位をとることができ、その結果、ホール注入が容易になり駆動電圧を低減することができる。As described above, the thickness of the firstauxiliary electrode layer 135 is preferably not less than 5 nm and not more than 200 nm. In the present embodiment, for example, the thickness is 50 nm.
(3)Hole injection layer 120
Thehole injection layer 120A is a layer made of an oxide such as silver (Ag), molybdenum (Mo), chromium (Cr), vanadium (V), tungsten (W), nickel (Ni), iridium (Ir), for example. is there. When thehole injection layer 120A is composed of an oxide of a transition metal, a plurality of levels can be obtained by taking a plurality of oxidation numbers. As a result, hole injection is facilitated and driving voltage is reduced. be able to.

本実施の形態では、ホール注入層１２０Ａは、タングステン（Ｗ）の酸化物（組成式ＷＯｘにおいて、ｘは概ね２＜ｘ＜３の範囲における実数）を含む構成とした。このとき、タングステン（Ｗ）の酸化物は、５価タングステン原子の６価タングステン原子の比率（Ｗ5+／Ｗ6+）が大きいほど、有機ＥＬ素子の駆動電圧が低くなるため、５価タングステン原子を所定値以上多く含むことが好ましい。ホール注入層１２０Ａは、膜厚が２ｎｍ以上（ここでは一例として１０ｎｍ）３０ｎｍ以下の酸化タングステン層として構成される。ホール注入層１２０Ａは、酸化タングステンから構成されることが望ましいが、通常混入し得る程度の極微量の不純物が含まれていてもよい。膜厚は２ｎｍ以上あると、均一な成膜を行いやすく、また、以下に示す陽極２とホール注入層１２０との間のショットキーオーミック接続を形成しやすいので、好ましい。ショットキーオーミック接続は酸化タングステンの膜厚が２ｎｍ以上で安定して形成されるため、これ以上の膜厚でホール注入層１２０を形成すれば、ショットキーオーミック接続を利用して、画素電極１１９からホール注入層１２０への安定したホール注入効率を期待できる。「ショットキーオーミック接続」とは、画素電極１１９のフェルミレベルと、前述したホール注入層１２０のフェルミ面近傍の占有準位で最も低い結合エネルギーとの差が所定値以下に収まっている接続を言う。In this embodiment, thehole injection layer 120A includes a tungsten (W) oxide (in the composition formula WOx, x is a real number in a range of 2 <x <3). At this time, in the oxide of tungsten (W), as the ratio of hexavalent tungsten atoms to hexavalent tungsten atoms (W5+ / W6+ ) increases, the driving voltage of the organic EL element decreases. It is preferable to contain more atoms than the predetermined value. Thehole injection layer 120A is configured as a tungsten oxide layer having a thickness of 2 nm or more (here, 10 nm as an example) and 30 nm or less. Thehole injection layer 120A is preferably made of tungsten oxide, but may contain a very small amount of impurities that can normally be mixed. A film thickness of 2 nm or more is preferable because uniform film formation is easy and Schottky ohmic connection between theanode 2 and thehole injection layer 120 described below is easily formed. Since the Schottky ohmic connection is stably formed when the film thickness of tungsten oxide is 2 nm or more, if thehole injection layer 120 is formed with a film thickness larger than this, the Schottky ohmic connection can be used from thepixel electrode 119. Stable hole injection efficiency to thehole injection layer 120 can be expected. “Schottky ohmic connection” refers to a connection in which the difference between the Fermi level of thepixel electrode 119 and the lowest binding energy at the occupied level near the Fermi surface of thehole injection layer 120 is within a predetermined value. .

ホール注入層１２０Ｂは、上述のとおり、例えば、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などの導電性ポリマー材料の有機高分子溶液からなる塗布膜を用いることができる。また、図４に示すように、青色副画素、緑色副画素及び赤色副画素内に設けられたホール注入層１２０Ｂを、それぞれホール注入層１２０ＢＢ、１２０ＢＧ及び１２０ＢＲとしたとき、ホール注入層１２０ＢＲの厚みは、ホール注入層１２０ＢＢの厚み及びホール注入層１２０ＢＧの厚みよりも大きく構成されている。ホール注入層１２０ＢＢの厚みは０ｎｍより大きく２５ｎｍ以下であり、ホール注入層１２０ＢＧの厚みは０ｎｍより大きく３０ｎｍ以下であり、ホール注入層１２０ＢＲの厚みは２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることが好ましい。  As described above, for thehole injection layer 120B, a coating film made of an organic polymer solution of a conductive polymer material such as PEDOT (a mixture of polythiophene and polystyrenesulfonic acid) can be used. Further, as shown in FIG. 4, when the hole injection layers 120B provided in the blue subpixel, the green subpixel, and the red subpixel are the hole injection layers 120BB, 120BG, and 120BR, respectively, the thickness of the hole injection layer 120BR. Is configured to be larger than the thickness of the hole injection layer 120BB and the thickness of the hole injection layer 120BG. The thickness of the hole injection layer 120BB is greater than 0 nm and 25 nm or less, the thickness of the hole injection layer 120BG is greater than 0 nm and 30 nm or less, and the thickness of the hole injection layer 120BR is preferably 20 nm or more and 50 nm or less.

（４）バンク１２２
バンク１２２は、樹脂等の有機材料を用い形成されており絶縁性を有する。バンク１２２の形成に用いる有機材料の例としては、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等があげられる。バンク１２２は、有機溶剤耐性を有することが好ましい。より好ましくは、アクリル系樹脂を用いることが望ましい。屈折率が低くリフレクターとして好適であるからである。(4) Bank 122
The bank 122 is formed using an organic material such as a resin and has an insulating property. Examples of the organic material used for forming the bank 122 include acrylic resin, polyimide resin, and novolac type phenol resin. The bank 122 preferably has organic solvent resistance. More preferably, an acrylic resin is used. This is because it has a low refractive index and is suitable as a reflector.

又は、バンク１２２は、無機材料を用いる場合には、屈折率の観点から、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ）を用いることが好ましい。あるいは、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの無機材料を用い形成される。
さらに、バンク１２２は、製造工程中において、エッチング処理、ベーク処理など施されることがあるので、それらの処理に対して過度に変形、変質などをしないような耐性の高い材料で形成されることが好ましい。Alternatively, when an inorganic material is used for the bank 122, for example, silicon oxide (SiO) is preferably used from the viewpoint of refractive index. Alternatively, for example, an inorganic material such as silicon nitride (SiN) or silicon oxynitride (SiON) is used.
Furthermore, since the bank 122 may be subjected to an etching process, a baking process, or the like during the manufacturing process, the bank 122 is formed of a highly resistant material that does not excessively deform or alter the process. Is preferred.

また、表面に撥水性をもたせるために、表面をフッ素処理することもできる。また、バンク１２２の形成にフッ素を含有した材料を用いてもよい。また、バンク１２２の表面に撥水性を低くするために、バンク１２２に紫外線照射を行う、低温でベーク処理を行ってもよい。
（５）ホール輸送層１２１
ホール輸送層１２１は、例えば、ポリフルオレンやその誘導体、あるいはアミン系有機高分子であるポリアリールアミンやその誘導体などの高分子化合物、あるいは、ＴＦＢ（ｐｏｌｙ（９、９−ｄｉ−ｎ−ｏｃｔｙｌｆｌｕｏｒｅｎｅ−ａｌｔ−（１、４−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ−（（４−ｓｅｃ−ｂｕｔｙｌｐｈｅｎｙｌ）ｉｍｉｎｏ）−１、４−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ））などを用いることができる。図４に示すように、青色副画素、緑色副画素及び赤色副画素内に設けられたホール輸送層１２１を、それぞれホール輸送層１２１Ｂ、ホール輸送層１２１Ｇ及びホール輸送層１２１Ｒとしたとき、これらの膜厚は概ね１０ｎｍから３０ｎｍの範囲であることが好ましい。Moreover, in order to give the surface water repellency, the surface can be treated with fluorine. Further, a material containing fluorine may be used for forming the bank 122. Further, in order to reduce the water repellency on the surface of the bank 122, the bank 122 may be baked at a low temperature by irradiating the bank 122 with ultraviolet rays.
(5)Hole transport layer 121
Thehole transport layer 121 is formed of, for example, a polymer compound such as polyfluorene or a derivative thereof, an amine organic polymer such as polyarylamine or a derivative thereof, or TFB (poly (9,9-di-n-octylfluorene- alt- (1,4-phenylene-((4-sec-butylphenyl) imino) -1,4-phenylene))), etc. As shown in FIG. When thehole transport layer 121 provided in the sub-pixel is ahole transport layer 121B, ahole transport layer 121G, and ahole transport layer 121R, respectively, these film thicknesses are preferably in the range of approximately 10 nm to 30 nm.

（６）発光層１２３
発光層１２３は、上述のように、ホールと電子とが注入され再結合されることにより励起状態が生成され発光する機能を有する。発光層１２３の形成に用いる材料は、湿式印刷法を用い製膜できる発光性の有機材料を用いることが必要である。
具体的には、例えば、特許公開公報（日本国・特開平５−１６３４８８号公報）に記載のオキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、アンスラセン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８−ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２−ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体などの蛍光物質で形成されることが好ましい。(6)Light emitting layer 123
As described above, thelight emitting layer 123 has a function of emitting light by generating an excited state when holes and electrons are injected and recombined. The material used for forming the light-emittinglayer 123 needs to be a light-emitting organic material that can be formed by a wet printing method.
Specifically, for example, an oxinoid compound, a perylene compound, a coumarin compound, an azacoumarin compound, an oxazole compound, an oxadiazole compound, a perinone compound, and pyrrolopyrrole described in Japanese Patent Publication (JP-A-5-163488). Compound, naphthalene compound, anthracene compound, fluorene compound, fluoranthene compound, tetracene compound, pyrene compound, coronene compound, quinolone compound and azaquinolone compound, pyrazoline derivative and pyrazolone derivative, rhodamine compound, chrysene compound, phenanthrene compound, cyclopentadiene compound, stilbene compound , Diphenylquinone compound, styryl compound, butadiene compound, dicyanomethylenepyran compound, dicyanomethylenethiopyran compound, fluorene In compounds, pyrylium compounds, thiapyrylium compounds, serenapyrylium compounds, telluropyrylium compounds, aromatic ardadiene compounds, oligophenylene compounds, thioxanthene compounds, anthracene compounds, cyanine compounds, acridine compounds, 8-hydroxyquinoline compound metal complexes, 2- It is preferably formed of a fluorescent substance such as a metal complex of a bipyridine compound, a Schiff salt and a group III metal complex, an oxine metal complex, or a rare earth complex.

（７）電子輸送層１２４
電子輸送層１２４には、電子輸送性が高い有機材料が用いられる。電子輸送層１２４Ａは、フッ化ナトリウムで形成された層を含んでいてもよい。電子輸送層１２４Ｂに用いられる有機材料としては、例えば、オキサジアゾール誘導体（ＯＸＤ）、トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）、フェナンスロリン誘導体（ＢＣＰ、Ｂｐｈｅｎ）などのπ電子系低分子有機材料が挙げられる。電子輸送層１２４Ａは膜厚が１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の範囲で形成されている。(7)Electron transport layer 124
For theelectron transport layer 124, an organic material having a high electron transport property is used. Theelectron transport layer 124A may include a layer formed of sodium fluoride. Examples of the organic material used for theelectron transport layer 124B include π-electron low molecular weight organic materials such as an oxadiazole derivative (OXD), a triazole derivative (TAZ), and a phenanthroline derivative (BCP, Bphen). Theelectron transport layer 124A has a thickness in the range of 1 nm to 10 nm.

また、電子輸送層１２４Ｂは、電子輸送性が高い有機材料に、アルカリ金属、又は、アルカリ土類金属から選択されるドープ金属がドープされて形成された層を含んでいてもよい。アルカリ金属は、具体的には、Ｌｉ（リチウム）、Ｎａ（ナトリウム）、Ｋ（カリウム）、Ｒｂ（ルビジウム）、Ｃｓ（セシウム）、Ｆｒ（フランシウム）である。また、アルカリ土類金属は、具体的には、Ｃａ（カルシウム）、Ｓｒ（ストロンチウム）、Ｂａ（バリウム）、Ｒａ（ラジウム）である。実施の形態では、Ｂａがドープされている。Ｂａのドープ濃度は４０ｗｔ％以下であり、２０ｗｔ％以下が好ましく、１５ｗｔ％以下がより好ましい。電子輸送層１２４Ｂは膜厚が少なくとも１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下の範囲で形成されている。本実施の形態では、電子輸送層１２４は、約３０ｎｍとした。  Theelectron transport layer 124B may include a layer formed by doping an organic material having a high electron transport property with a doped metal selected from an alkali metal or an alkaline earth metal. Specifically, the alkali metal is Li (lithium), Na (sodium), K (potassium), Rb (rubidium), Cs (cesium), or Fr (francium). The alkaline earth metal is specifically Ca (calcium), Sr (strontium), Ba (barium), or Ra (radium). In the embodiment, Ba is doped. The doping concentration of Ba is 40 wt% or less, preferably 20 wt% or less, and more preferably 15 wt% or less. Theelectron transport layer 124B is formed with a film thickness in the range of at least 10 nm and 50 nm. In the present embodiment, theelectron transport layer 124 is about 30 nm.

（８）共通電極層１２５
共通電極層１２５Ａは、光透過性を有する導電材料が用いられる。例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）若しくは酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などを用い形成される。
共通電極層１２５Ｂは、銀（Ａｇ）又はアルミニウム（Ａｌ）などを薄膜化した電極を用い形成される。(8)Common electrode layer 125
For thecommon electrode layer 125A, a conductive material having optical transparency is used. For example, indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO) is used.
Thecommon electrode layer 125B is formed using an electrode obtained by thinning silver (Ag) or aluminum (Al).

（９）封止層１２６
封止層１２６は、発光層１２３などの有機層が水分に晒されたり、空気に晒されたりすることを抑制する機能を有し、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの透光性材料を用い形成される。また、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの材料を用い形成された層の上に、アクリル樹脂、シリコン樹脂などの樹脂材料からなる封止樹脂層を設けてもよい。(9)Sealing layer 126
Thesealing layer 126 has a function of suppressing exposure of an organic layer such as thelight emitting layer 123 to moisture or exposure to air. For example, silicon nitride (SiN), silicon oxynitride (SiON), or the like. The translucent material is used. Further, a sealing resin layer made of a resin material such as an acrylic resin or a silicon resin may be provided on a layer formed using a material such as silicon nitride (SiN) or silicon oxynitride (SiON).

封止層１２６は、トップエミッション型である本実施の形態に係る表示パネル１０の場合においては、光透過性の材料で形成されることが必要となる。
（１０）接合層１２７
接合層１２７の材料は、例えば、樹脂接着剤等からなる。接合層１２７は、アクリル樹脂、シリコン樹脂、エポキシ樹脂などの透光性材料樹脂材料を採用することができる。In the case of thedisplay panel 10 according to the present embodiment, which is a top emission type, thesealing layer 126 needs to be formed of a light transmissive material.
(10)Bonding layer 127
The material of thebonding layer 127 is made of, for example, a resin adhesive. As thebonding layer 127, a light-transmitting material resin material such as an acrylic resin, a silicon resin, or an epoxy resin can be used.

（１１）上部基板１３０
上部基板１３０としては、例えば、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板等に透光性材料を採用することができる。
（１２）カラーフィルタ層１２８
カラーフィルタ層１２８としては、公知の樹脂材料（例えば市販製品として、ＪＳＲ株式会社製カラーレジスト）等を採用することができる。(11)Upper substrate 130
As theupper substrate 130, for example, a light-transmitting material can be used for a glass substrate, a quartz substrate, a plastic substrate, or the like.
(12)Color filter layer 128
As thecolor filter layer 128, a known resin material (for example, a color resist manufactured by JSR Corporation as a commercial product) or the like can be employed.

（１３）遮光層１２９
遮光層１２９としては、紫外線硬化樹脂（例えば紫外線硬化アクリル樹脂）材料を主成分とし、これに黒色顔料を添加してなる樹脂材料からなる。黒色顔料としては、例えば、カーボンブラック顔料、チタンブラック顔料、金属酸化顔料、有機顔料など遮光性材料を採用することができる。(13)Light shielding layer 129
Thelight shielding layer 129 is made of a resin material which is mainly composed of an ultraviolet curable resin (for example, an ultraviolet curable acrylic resin) material and a black pigment is added thereto. As the black pigment, for example, a light shielding material such as a carbon black pigment, a titanium black pigment, a metal oxide pigment, or an organic pigment can be employed.

２ 表示パネル１０の製造方法
表示パネル１０の製造方法について、図６〜１１を用いて説明する。図６〜図１１における各図は、表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図３におけるＡ１−Ａ１と同じ位置で切断した模式断面図である。
（１）基板１００ｘの準備
複数のＴＦＴや配線が形成された基板１００ｘを準備する。基板１００ｘは、公知のＴＦＴの製造方法により製造することができる（図６（ａ））。2. Manufacturing method ofdisplay panel 10 The manufacturing method of thedisplay panel 10 is demonstrated using FIGS. Each of FIGS. 6 to 11 is a schematic cross-sectional view taken at the same position as A1-A1 in FIG.
(1) Preparation ofsubstrate100x A substrate 100x on which a plurality of TFTs and wirings are formed is prepared. Thesubstrate 100x can be manufactured by a known TFT manufacturing method (FIG. 6A).

（２）平坦化層１１８の形成
基板１００ｘを被覆するように、上述の平坦化層１１８の構成材料（感光性の樹脂材料）をフォトレジストとして塗布し、表面を平坦化することにより平坦化層１１８を形成する（図６（ｂ））。
コンタクト孔（不図示）の形成は、以下のプロセスにより行う。先ず、平坦化層１１８を形成した後、所定の開口部が施されたフォトマスクを重ね、その上から紫外線照射を行い平坦化層１１８を露光し、フォトマスクが有するパターンを転写する。その後、現像によって、コンタクト孔をパターニングした平坦化層１１８を形成する。コンタクト孔の底部において、基板１００ｘ上の配線が露出する。ポジ型のフォトレジストを用いて平坦化層１１８を形成しているが、ネガ型のフォトレジストを用いて平坦化層１１８を形成してもよい。(2) Formation of theplanarization layer 118 The above-described constituent material (photosensitive resin material) of theplanarization layer 118 is applied as a photoresist so as to cover thesubstrate 100x, and the surface is planarized by planarizing the surface. 118 is formed (FIG. 6B).
A contact hole (not shown) is formed by the following process. First, after theplanarization layer 118 is formed, a photomask provided with a predetermined opening is overlaid, and ultraviolet irradiation is performed thereon to expose theplanarization layer 118, thereby transferring the pattern of the photomask. Thereafter, aplanarization layer 118 in which the contact holes are patterned is formed by development. The wiring on thesubstrate 100x is exposed at the bottom of the contact hole. Although theplanarization layer 118 is formed using a positive photoresist, theplanarization layer 118 may be formed using a negative photoresist.

（３）、補助画素電極１５０、第１補助電極層１３５、画素電極１１９、第２補助電極層２００、ホール注入層１２０Ａの形成
スパッタリング法、真空蒸着法などの気相成長法を用い金属膜を積層して形成した後、フォトリソグラフィー法及びエッチング法を用いパターニングすることでなされる。
具体的には、先ず、コンタクト孔を開設した平坦化層１１８を形成した後、平坦化層１１８の表面にドライエッチング処理を行い製膜前洗浄を行う。(3) Formation of theauxiliary pixel electrode 150, the firstauxiliary electrode layer 135, thepixel electrode 119, the secondauxiliary electrode layer 200, and thehole injection layer 120A The metal film is formed using a vapor phase growth method such as a sputtering method or a vacuum evaporation method. After the layers are formed, patterning is performed using a photolithography method and an etching method.
Specifically, first, aplanarization layer 118 having contact holes is formed, and then the surface of theplanarization layer 118 is subjected to dry etching treatment and pre-film cleaning is performed.

次に、補助画素電極１５０、第１補助電極層１３５を形成するための第１金属層１５０Ｘをスパッタリング法、又は真空蒸着法などの気相成長法により平坦化層１１８の表面に製膜する（図６（ｃ））。本例では、タングステンをスパッタリング法により製膜する。
さらに、第１金属層１５０Ｘの表面に製膜前洗浄を行った後、画素電極１１９、第２補助電極層２００を形成するための第２金属層１１９Ｘを気相成長法により第１金属層１５０Ｘの表面に製膜する（図６（ｃ））。本例では、アルミニウム又はアルミニウムを主成分とする合金からなる膜をスパッタリング法により製膜する。Next, the first metal layer 150X for forming theauxiliary pixel electrode 150 and the firstauxiliary electrode layer 135 is formed on the surface of theplanarization layer 118 by a vapor deposition method such as a sputtering method or a vacuum evaporation method ( FIG. 6 (c)). In this example, tungsten is formed by sputtering.
Further, after pre-deposition cleaning is performed on the surface of the first metal layer 150X, the second metal layer 119X for forming thepixel electrode 119 and the secondauxiliary electrode layer 200 is formed by vapor phase epitaxy. (FIG. 6C). In this example, a film made of aluminum or an alloy containing aluminum as a main component is formed by a sputtering method.

さらに、第１金属層１５０Ｘの表面に製膜前洗浄を行った後、ホール注入層１２０Ａを形成するための第３金属層１２０ＡＸを気相成長法により第２金属層１１９Ｘの表面に製膜する（図６（ｃ））。本例では、タングステンをスパッタリング法により製膜する。
その後、感光性樹脂等からなるフォトレジスト層ＦＲを塗布したのち、所定の開口部が施されたフォトマスクＰＭを載置し、その上から紫外線照射を行いフォトレジストを露光し、そのフォトレジストにフォトマスクが有するパターンを転写する（図６（ｄ））。次に、フォトレジスト層ＦＲを現像によってパターニングする。Further, after pre-deposition cleaning is performed on the surface of the first metal layer 150X, a third metal layer 120AX for forming thehole injection layer 120A is formed on the surface of the second metal layer 119X by vapor deposition. (FIG. 6C). In this example, tungsten is formed by sputtering.
Then, after applying a photoresist layer FR made of a photosensitive resin or the like, a photomask PM with a predetermined opening is placed, and the photoresist is exposed by irradiating with ultraviolet rays from above, and the photoresist is exposed. A pattern included in the photomask is transferred (FIG. 6D). Next, the photoresist layer FR is patterned by development.

その後、パターニングされたフォトレジスト層ＦＲを介して、第３金属層１２０ＡＸにドライエッチング処理を施してパターニングを行い、ホール注入層１２０Ａを形成する。
続けて、パターニングされたフォトレジスト層ＦＲ及びホール注入層１２０Ａを介して、第２金属層１１９Ｘにウエットエッチング処理を施ししてパターニングを行い、画素電極１１９及び第２補助電極層２００を形成する。このとき、ウエットエッチング処理によりパターニングされる第２補助電極層２００は、ドライエッチング処理によりパターニンフされる第２金属層１１９Ｘがホール注入層１２０Ａや第１補助電極層１３５よりも、数μｍ程度オーバエッチングされることがある。本開示においては、第２補助電極層２００が第１補助電極層１３５に重畳して配されていることを要件としているが、重畳して配されているという状態が、第２補助電極層２００が第１補助電極層１３５に対し数μｍ程度オーバエッチングされていることを許容するものであることは言うまでもない。Thereafter, the third metal layer 120AX is subjected to dry etching through the patterned photoresist layer FR to perform patterning, thereby forming thehole injection layer 120A.
Subsequently, the second metal layer 119X is subjected to a wet etching process through the patterned photoresist layer FR and thehole injection layer 120A to perform patterning, thereby forming thepixel electrode 119 and the secondauxiliary electrode layer 200. At this time, in the secondauxiliary electrode layer 200 patterned by the wet etching process, the second metal layer 119X patterned by the dry etching process is over-etched by several μm than thehole injection layer 120A and the firstauxiliary electrode layer 135. May be. In the present disclosure, the secondauxiliary electrode layer 200 is required to be disposed so as to overlap the firstauxiliary electrode layer 135, but the state where the secondauxiliary electrode layer 200 is disposed so as to overlap is required. Needless to say, is allowed to be over-etched with respect to the firstauxiliary electrode layer 135 by several μm.

さらに、続けて、パターニングされたフォトレジスト層ＦＲ及びホール注入層１２０Ａ、画素電極１１９及び第２補助電極層２００を介して、第１金属層１３５Ｘにドライエッチング処理を施してパターニングを行い、補助画素電極１５０及び第１補助電極層１３５を形成する。ドライエッチング処理を行う理由は、タングステンや酸化タングステン膜とアルミ系合金とはウェットエッチングレートに大きな差があるため一括に処理することが困難であるため、タングステン、酸化タングステンはアルゴンガス等でのドライエッチングを使用し、アルミ合金はウェットエッチングを本実施の形態では使用したがその限りではない。  Subsequently, thefirst metal layer 135X is subjected to a dry etching process through the patterned photoresist layer FR andhole injection layer 120A, thepixel electrode 119, and the secondauxiliary electrode layer 200, thereby patterning the auxiliary pixel. Theelectrode 150 and the firstauxiliary electrode layer 135 are formed. The reason for dry etching is that tungsten and tungsten oxide films and aluminum-based alloys have a large difference in wet etching rates, and it is difficult to perform batch processing. Therefore, tungsten and tungsten oxide are dry with argon gas or the like. Etching is used, and wet etching is used in this embodiment for the aluminum alloy, but this is not restrictive.

本実施の形態では、ホール注入層１２０Ａを所定条件で製膜及び焼成することにより、酸素欠陥構造を持つ酸化タングステンを含む酸化タングステン膜からなるホール注入層１２０を成膜して上述の占有準位を形成する構成としている。
ここでは反応性スパッタ法で成膜することが好適である。成膜ムラの発生が抑制されるからである。具体的には、ターゲットを金属タングステンにして反応性スパッタ法を実施する。スパッタガスとしてアルゴンガス、反応性ガスとして酸素ガスをチャンバー内に導入する。この状態で高電圧によりアルゴンをイオン化し、ターゲットに衝突させる。このとき、スパッタリング現象により放出された金属タングステンが酸素ガスと反応して酸化タングステンとなり成膜される。なお、このときの成膜条件は、いわゆる低レート条件に設定することが好ましい。In this embodiment, thehole injection layer 120A is formed from a tungsten oxide film containing tungsten oxide having an oxygen defect structure by forming and baking thehole injection layer 120A under predetermined conditions, and the above-described occupation level is obtained. It is set as the structure which forms.
Here, it is preferable to form the film by a reactive sputtering method. This is because the occurrence of film formation unevenness is suppressed. Specifically, the reactive sputtering method is performed with the target being metallic tungsten. Argon gas as a sputtering gas and oxygen gas as a reactive gas are introduced into the chamber. In this state, argon is ionized by a high voltage and collides with the target. At this time, the metal tungsten released by the sputtering phenomenon reacts with the oxygen gas to form tungsten oxide to form a film. Note that the film formation conditions at this time are preferably set to so-called low rate conditions.

さらに、成膜した酸化タングステン膜に対して個別の焼成工程を実施してもよい。このとき、酸化タングステン膜の成膜を形成する膜厚により複数回に分けて行い、各製膜工程の後に焼成工程を行い、製膜工程と焼成工程とを複数回繰り返す構成としてもよい。これにより、膜密度を高め、溶解耐性を付与する。すなわち、ホール注入層１２０Ａを、酸化タングステン成膜後に所定条件の焼成工程（加熱温度２００℃以上２３０℃以内、加熱時間１５分以上４５分以内の条件で大気焼成する工程）で焼き締めを図る。これにより、膜密度を、５．８ｇ／ｃｍ3以上６．０ｇ／ｃｍ3以下の範囲まで増加させる。このように膜密度を増大させることで、製造時のバンク形成工程で用いるエッチング液や洗浄液に対する溶解耐性を付与し膜減りを抑制している。上記焼成条件に基づけば、焼成工程を経ても膜中の酸素欠陥構造は維持されるため、占有準位は温存され、ホール注入特性が低下することはない。このようにして良好なホール注入特性と溶解耐性の両立を高度に両立させる工程を使用したが、タングステン膜を２ｎｍ程度の膜厚でスパッタ成膜し、その後、加熱温度２００℃以上２３０℃以内大気焼成する酸化させた酸化タングステン膜の単層またはこれらのタングステン成膜と焼成を複数回実施し、所望の膜厚の酸化タングステン膜のプロセスを適用しても構わない。Further, a separate baking step may be performed on the formed tungsten oxide film. At this time, the tungsten oxide film may be formed in a plurality of times depending on the film thickness to be formed, a baking process may be performed after each film forming process, and the film forming process and the baking process may be repeated a plurality of times. This increases the film density and imparts dissolution resistance. That is, thehole injection layer 120A is baked in a baking process under a predetermined condition after the tungsten oxide film is formed (a process of baking in the atmosphere under a heating temperature of 200 ° C. to 230 ° C. and a heating time of 15 minutes to 45 minutes). Thereby, the film density is increased to a range of 5.8 g / cm3 or more and 6.0 g / cm3 or less. By increasing the film density in this way, dissolution resistance to the etching solution and the cleaning solution used in the bank formation process at the time of manufacture is imparted, and the film loss is suppressed. Based on the above baking conditions, the oxygen defect structure in the film is maintained even after the baking step, so that the occupied level is preserved and the hole injection characteristics are not deteriorated. In this way, a process for achieving both good hole injection characteristics and dissolution resistance at a high level was used, but a tungsten film was formed by sputtering with a film thickness of about 2 nm, and then the heating temperature was 200 ° C. or higher and 230 ° C. or lower. A single layer of an oxidized tungsten oxide film to be baked or these tungsten films may be formed and baked a plurality of times, and a process of a tungsten oxide film having a desired film thickness may be applied.

最後に、フォトレジスト層ＦＲを剥離して、同一形状にパターニングされた補助画素電極１５０、画素電極１１９及びホール注入層１２０Ａの積層体と、第１補助電極層１３５、第２補助電極層２００及びホール注入層１２０Ａの積層体とを形成する（図７（ａ））。
このとき、コンタクト孔の内壁に沿って金属膜を形成することにより補助画素電極１５０の接続凹部を形成する。Finally, the photoresist layer FR is peeled off, and a stacked body of theauxiliary pixel electrode 150, thepixel electrode 119 and thehole injection layer 120A patterned in the same shape, the firstauxiliary electrode layer 135, the secondauxiliary electrode layer 200, and A stacked body ofhole injection layers 120A is formed (FIG. 7A).
At this time, a connection concave portion of theauxiliary pixel electrode 150 is formed by forming a metal film along the inner wall of the contact hole.

補助画素電極１５０は、コンタクト孔の底部において露出した基板１００ｘ上の配線と接し、ＴＦＴの電極と電気的に接続された状態となる。
（４）バンク１２２の形成
ホール注入層１２０のホール注入層１２０Ａを形成した後、ホール注入層１２０Ａを覆うようにバンク１２２を形成する。バンク１２２の形成では、先ず行バンク１２２Ｘを形成し、その後、間隙５２２Ｚを形成するように列バンク５２２Ｙを形成する（図７（ｂ））。Theauxiliary pixel electrode 150 is in contact with the wiring on thesubstrate 100x exposed at the bottom of the contact hole, and is electrically connected to the TFT electrode.
(4) Formation of Bank 122 After forming thehole injection layer 120A of thehole injection layer 120, the bank 122 is formed so as to cover thehole injection layer 120A. In forming the bank 122, therow bank 122X is formed first, and then thecolumn bank 522Y is formed so as to form the gap 522Z (FIG. 7B).

バンク１２２の形成は、先ず、ホール注入層１２０Ａ上に、スピンコート法などを用い、バンク１２２の構成材料（例えば、感光性樹脂材料）からなる膜を積層形成する。そして、樹脂膜をパターニングして行バンク１２２Ｘ、列バンク５２２Ｙを順に形成する。行バンク１２２Ｘ、列バンク５２２Ｙのパターニングは、樹脂膜の上方にフォトマスクを利用し露光を行い、現像工程、焼成工程（約２３０℃、約６０分）をすることによりなされる。  In forming the bank 122, first, a film made of a constituent material of the bank 122 (for example, a photosensitive resin material) is formed on thehole injection layer 120A by using a spin coating method or the like. Then, the resin film is patterned to formrow banks 122X andcolumn banks 522Y in order. The patterning of therow bank 122X and thecolumn bank 522Y is performed by performing exposure using a photomask above the resin film and performing a development process and a baking process (about 230 ° C., about 60 minutes).

具体的には、行バンク１２２Ｘの形成工程では、先ず、有機系の感光性樹脂材料、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等からなる感光性樹脂膜を形成した後、乾燥し、溶媒をある程度揮発させてから、所定の開口部が施されたフォトマスクを重ね、その上から紫外線照射を行い感光性樹脂等からなるフォトレジストを露光し、そのフォトレジストにフォトマスクが有するパターンを転写する。次に、感光性樹脂を現像によって行バンク１２２Ｘをパターニングした絶縁層を形成する。一般にはポジ型と呼ばれるフォトレジストが使用される。ポジ型は露光された部分が現像によって除去される。露光されないマスクパターンの部分は、現像されずに残存する。  Specifically, in the step of forming therow bank 122X, first, a photosensitive resin film made of an organic photosensitive resin material, for example, an acrylic resin, a polyimide resin, a novolac type phenol resin, or the like is formed and then dried. Then, after the solvent is volatilized to some extent, a photomask having a predetermined opening is stacked, and the photoresist made of a photosensitive resin or the like is exposed by irradiating ultraviolet rays thereon, and the photomask has on the photoresist. Transfer the pattern. Next, an insulating layer is formed by patterning therow bank 122X by developing a photosensitive resin. In general, a photoresist called a positive type is used. In the positive type, the exposed portion is removed by development. The portion of the mask pattern that is not exposed remains without being developed.

ここで、ホール注入層１２０Ａは、上述のとおり、スパッタリング法あるいは真空蒸着法などの気相成長法を用い金属（例えば、タングステン）からなる膜を形成した後、フォトリソグラフィー法及びエッチング法を用い各画素単位にパターニングされるが、行バンク１２２Ｘ、列バンク５２２Ｙに対する焼成工程において、金属が酸化されホール注入層１２０Ａとして完成する。  Here, as described above, thehole injection layer 120A is formed by using a photolithography method and an etching method after forming a film made of a metal (for example, tungsten) using a vapor phase growth method such as a sputtering method or a vacuum evaporation method. Although patterning is performed on a pixel-by-pixel basis, the metal is oxidized in the firing process for therow bank 122X and thecolumn bank 522Y to complete thehole injection layer 120A.

列バンク５２２Ｙの形成工程では、先ず、スピンコート法などを用い、列バンク５２２Ｙの構成材料（例えば、感光性樹脂材料）からなる膜を積層形成する。そして、樹脂膜をパターニングして間隙５２２ｚを開設して列バンク５２２Ｙを形成する。間隙５２２ｚの形成は、樹脂膜の上方にマスクを配して露光し、その後で現像することによりなされる。列バンク５２２Ｙは、列方向に延設され、行方向に間隙５２２ｚを介して並設される。  In the step of forming thecolumn bank 522Y, first, a film made of a constituent material (for example, a photosensitive resin material) of thecolumn bank 522Y is stacked by using a spin coating method or the like. Then, the resin film is patterned to form agap 522z to form acolumn bank 522Y. The formation of thegap 522z is performed by arranging a mask above the resin film and exposing it, followed by development. Thecolumn banks 522Y extend in the column direction and are arranged in parallel in the row direction viagaps 522z.

（５）有機機能層の形成
行バンク１２２Ｘ上を含む列バンク５２２Ｙにより規定される間隙５２２ｚ内に形成されたホール注入層１２０のホール注入層１２０Ａ上に対して、ホール注入層１２０のホール注入層１２０Ｂ、ホール輸送層１２１、発光層１２３を順に積層形成する（図７（ｃ））。(5) Formation of organic functional layer Hole injection layer ofhole injection layer 120 overhole injection layer 120A ofhole injection layer 120 formed ingap 522z defined bycolumn bank 522Y includingrow bank 122X 120B, thehole transport layer 121, and thelight emitting layer 123 are laminated in order (FIG. 7C).

ホール注入層１２０Ｂは、インクジェット法を用い、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などの導電性ポリマー材料を含むインクを列バンク５２２Ｙにより規定される間隙５２２ｚ内に塗布した後、溶媒を揮発除去させる。あるいは、焼成することによりなされる。その後、フォトリソグラフィー法およびエッチング法を用い各画素単位にパターニングしてもよい。  Thehole injection layer 120B is formed by applying an ink containing a conductive polymer material such as PEDOT (mixture of polythiophene and polystyrene sulfonic acid) into thegap 522z defined by thecolumn bank 522Y using an inkjet method, and then volatilizing the solvent. Let it be removed. Or it is made by baking. Thereafter, patterning may be performed for each pixel using a photolithography method and an etching method.

ホール輸送層１２１は、インクジェット法やグラビア印刷法によるウェットプロセスを用い、構成材料を含むインクを列バンク５２２Ｙにより規定される間隙５２２ｚ内に塗布した後、溶媒を揮発除去させる、あるいは、焼成することによりなされる（図８（ａ））。ホール輸送層１２１のインクを間隙５２２ｚ内に塗布する方法は、上述したホール注入層１２０Ｂにおける方法と同じである。あるいは、スパッタリング法を用い金属（例えば、タングステン）からなる膜を堆積し、焼成によって酸化して形成される。その後、フォトリソグラフィー法及びエッチング法を用い各画素単位にパターニングしてもよい。  Thehole transport layer 121 is formed by applying an ink containing a constituent material in thegap 522z defined by thecolumn bank 522Y using a wet process such as an inkjet method or a gravure printing method, and then volatilizing and removing the solvent or baking. (FIG. 8A). The method for applying the ink of thehole transport layer 121 in thegap 522z is the same as the method for thehole injection layer 120B described above. Alternatively, it is formed by depositing a film made of a metal (for example, tungsten) using a sputtering method and oxidizing it by firing. Thereafter, patterning may be performed for each pixel using a photolithography method and an etching method.

発光層１２３の形成は、インクジェット法を用い、構成材料を含むインクを列バンク５２２Ｙにより規定される間隙５２２ｚ内に塗布した後、焼成することによりなされる（図８（ａ））。具体的には、この工程では、副画素形成領域となる間隙５２２ｚに、インクジェット法によりＲ、Ｇ、Ｂいずれかの有機発光層の材料を含むインク１２３ＲＩ、１２３ＧＩ、１２３ＢＩをそれぞれ充填し、充填したインクを減圧下で乾燥させ、ベーク処理することによって、発光層１２３Ｒ、１２３Ｇ、１２３Ｂを形成する。このとき、発光層１２３のインクの塗布では、先ず、液滴吐出装置を用いて発光層１２３の形成するための溶液の塗布を行う。基板１００ｘに対して赤色発光層、緑色発光層、青色発光層の何れかを形成するためのインクの塗布が終わると、次に、その基板に別の色のインクを塗布し、次にその基板に３色目のインクを塗布する工程が繰り返し行われ、３色のインクを順次塗布する。これにより、基板１００ｘ上には、赤色発光層、緑色発光層、青色発光層が、図の紙面横方向に繰り返して並んで形成される。発光層１２３のインクを間隙５２２ｚ内に塗布する方法の詳細は、上述したホール注入層１２０Ｂにおける方法と同じである。  Thelight emitting layer 123 is formed by applying an ink containing a constituent material into thegap 522z defined by thecolumn bank 522Y and then baking the ink using an inkjet method (FIG. 8A). Specifically, in this step, thegaps 522z serving as the sub-pixel formation regions are filled with inks 123RI, 123GI, and 123BI each containing an R, G, or B organic light emitting layer material by an inkjet method. Thelight emitting layers 123R, 123G, and 123B are formed by drying the ink under reduced pressure and baking the ink. At this time, in the ink application of thelight emitting layer 123, first, a solution for forming thelight emitting layer 123 is applied using a droplet discharge device. When the application of the ink for forming any one of the red light emitting layer, the green light emitting layer, and the blue light emitting layer is finished on thesubstrate 100x, the ink of another color is applied to the substrate, and then the substrate The step of applying the ink of the third color is repeatedly performed, and the inks of the three colors are sequentially applied. As a result, a red light emitting layer, a green light emitting layer, and a blue light emitting layer are repeatedly formed on thesubstrate 100x in the horizontal direction of the drawing. The details of the method for applying the ink of thelight emitting layer 123 in thegap 522z are the same as the method for thehole injection layer 120B described above.

ホール注入層１２０のホール注入層１２０Ｂ、ホール輸送層１２１、発光層１２３の形成方法は上記の方法には限定されず、インクジェット法やグラビア印刷法以外の方法、例えばディスペンサー法、ノズルコート法、スピンコート法、凹版印刷、凸版印刷等の公知の方法によりインクを滴下・塗布しても良い。
図３、図４及び図５に示すように、列バンク５２２Ｙ及び列バンク５２２Ｙにより規定された間隙５２２ｚを被覆するように電子輸送層１２４が積層して形成されている。電子輸送層１２４については、表示パネル１０の少なくとも表示領域全体に連続した状態で形成されている。電子輸送層１２４は、基板１００ｘ側から順に金属酸化物又はフッ化物等からなる電子輸送層１２４Ａと、電子輸送層１２４Ａ上に積層された有機物を主成分とする電子輸送層１２４Ｂとを含む（以後において、電子輸送層１２４Ａ、１２４Ｂを総称する場合は「電子輸送層１２４」と表記する）。The formation method of thehole injection layer 120B, thehole transport layer 121, and thelight emitting layer 123 of thehole injection layer 120 is not limited to the above method, and a method other than the ink jet method or the gravure printing method, for example, a dispenser method, a nozzle coating method, a spin method. The ink may be dropped and applied by a known method such as a coating method, intaglio printing, or relief printing.
As shown in FIGS. 3, 4 and 5, theelectron transport layer 124 is laminated so as to cover thecolumn bank 522Y and thegap 522z defined by thecolumn bank 522Y. Theelectron transport layer 124 is formed in a continuous state at least over the entire display region of thedisplay panel 10. Theelectron transport layer 124 includes, in order from thesubstrate 100x side, anelectron transport layer 124A made of a metal oxide, fluoride, or the like, and anelectron transport layer 124B mainly composed of an organic material stacked on theelectron transport layer 124A (hereinafter referred to as “electron transport layer 124B”). Theelectron transport layers 124A and 124B are collectively referred to as “electron transport layer 124”).

（６）電子輸送層１２４の形成
発光層１２３を形成した後、表示パネル１０の発光エリア（表示領域）全面にわたって、真空蒸着法などにより電子輸送層１２４を形成する（図８（ｂ））。真空蒸着法を用いる理由は有機膜である発光層１２３に損傷を与えないためと、高真空化で行う真空蒸着法は成膜対象の分子が基板に向かって垂直方向に直進的に成膜されるため、本実施の形態における第1補助電極１３５、第２補助電極２００の段面上の一部領域１３５ａ１、１３５ａ２においては成膜されにくく、欠陥（段切れ）または薄膜化させることができるためである。電子輸送層１２４は、基板１００ｘ側から順に金属酸化物又はフッ化物等からなる電子輸送層１２４Ａと、電子輸送層１２４Ａ上に積層された有機物を主成分とする電子輸送層１２４Ｂからなる。電子輸送層１２４Ａは、発光層１２３の上に、金属酸化物又はフッ化物を真空蒸着法などにより、例えば、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の膜厚で成膜する。電子輸送層１２４Ａの上に、有機材料と金属材料との共蒸着法により、電子輸送層１２４Ｂを、例えば１０ｎｍ以上、５０ｎｍ以下の膜厚で成膜する。電子輸送層１２４は、第２補助電極層２００及び第１補助電極層１３５（第１補助電極層１３５上において、第２補助電極層２００が形成された部分を除く）の上にも形成される。その際、電子輸送層１２４は、第１補助電極層１３５の端部及び第２補助電極層２００の端部において、欠落（段切れ）又は薄層化して形成される。なお、電子輸送層１２４Ａ、１２４Ｂの膜厚は、一例であり、上記数値に限られるものではなく、光学的な光取り出しとして最も有利となる適切な膜厚とする。(6) Formation ofElectron Transport Layer 124 After forming thelight emitting layer 123, theelectron transport layer 124 is formed over the entire light emitting area (display region) of thedisplay panel 10 by vacuum deposition or the like (FIG. 8B). The reason why the vacuum deposition method is used is that thelight emitting layer 123 which is an organic film is not damaged, and the vacuum deposition method performed at a high vacuum is such that the molecules to be deposited are formed straightly in the vertical direction toward the substrate. Therefore, the partial regions 135a1 and 135a2 on the step surfaces of the firstauxiliary electrode 135 and the secondauxiliary electrode 200 in this embodiment are not easily formed and can be made defective (stepped) or thinned. It is. Theelectron transport layer 124 includes anelectron transport layer 124A made of a metal oxide or a fluoride in order from thesubstrate 100x side, and anelectron transport layer 124B mainly composed of an organic material stacked on theelectron transport layer 124A. Theelectron transport layer 124A is formed by depositing a metal oxide or fluoride on the light-emittinglayer 123 with a film thickness of, for example, 1 nm or more and 10 nm or less by a vacuum evaporation method or the like. On theelectron transport layer 124A, theelectron transport layer 124B is formed to a thickness of, for example, 10 nm or more and 50 nm or less by a co-evaporation method of an organic material and a metal material. Theelectron transport layer 124 is also formed on the secondauxiliary electrode layer 200 and the first auxiliary electrode layer 135 (except on the firstauxiliary electrode layer 135 where the secondauxiliary electrode layer 200 is formed). . At that time, theelectron transport layer 124 is formed missing (stepped) or thinned at the end of the firstauxiliary electrode layer 135 and the end of the secondauxiliary electrode layer 200. Note that the film thicknesses of theelectron transport layers 124A and 124B are merely examples, and are not limited to the above numerical values, and are set to appropriate film thicknesses that are most advantageous for optical light extraction.

（７）共通電極層１２５の形成
電子輸送層１２４を形成した後、電子輸送層１２４を被覆するように、共通電極層１２５を形成する。共通電極層１２５は、基板１００ｘ側から順に金属酸化物からなる共通電極層１２５Ａと、共通電極層１２５Ａ上に積層された金属を主成分とする共通電極層１２５Ｂとを含む。(7) Formation ofCommon Electrode Layer 125 After forming theelectron transport layer 124, thecommon electrode layer 125 is formed so as to cover theelectron transport layer 124. Thecommon electrode layer 125 includes acommon electrode layer 125A made of a metal oxide in this order from thesubstrate 100x side, and acommon electrode layer 125B mainly composed of metal stacked on thecommon electrode layer 125A.

このうち、先ず、共通電極層１２５Ａは、電子輸送層１２４を被覆するように、スパッタリング法などにより形成する（図８（ｃ））。本例では、共通電極層１２５Ａはスパッタリング法を用いてＩＴＯ又はＩＺＯなどの透明導電層を形成する構成としている。このとき、共通電極層１２５Ａは、第１補助電極層１３５及び第２補助電極層２００上方の領域にも形成され、スパッタリングによる成膜手法は回り込みによって等方的に成膜されやすく、共通電極層１２５Ａは、図４及び図５に示したように、電子輸送層１２４が欠落又は薄層化している部分に相当する第１補助電極層１３５の側面上の一部領域１３５ａ１、１３５ａ２と接する。電子輸送層１２４は真空蒸着を用いて欠陥（段切れ）や薄膜化させ、共通電極層は被覆性の高いスパッタリング成膜で、回り込み成膜をさせることが重要となる。  Among these, first, thecommon electrode layer 125A is formed by sputtering or the like so as to cover the electron transport layer 124 (FIG. 8C). In this example, thecommon electrode layer 125A has a configuration in which a transparent conductive layer such as ITO or IZO is formed using a sputtering method. At this time, thecommon electrode layer 125A is also formed in a region above the firstauxiliary electrode layer 135 and the secondauxiliary electrode layer 200, and the film formation method by sputtering is easily formed isotropically by wraparound. As shown in FIGS. 4 and 5, 125 </ b> A is in contact with partial regions 135 a 1 and 135 a 2 on the side surface of the firstauxiliary electrode layer 135 corresponding to a portion where theelectron transport layer 124 is missing or thinned. It is important that theelectron transport layer 124 is formed by defects (step breaks) or a thin film by using vacuum deposition, and the common electrode layer is formed by a sputtering film having a high coverage and a wraparound film is formed.

ここで、共通電極層１２５の形成方法について、さらに説明する。
まず、図１１を用いて、スパッタ装置６００の概略構成について説明する。スパッタ装置６００は、基板受け渡し室６１０、成膜室６２０、ロードロック室６３０を有し、成膜室６２０内で、マグネトロンスパッタ法によりスパッタリングを行う。成膜室６２０には、スパッタリングガスが導入されている。スパッタリングガスには、Ａｒ（アルゴン）等の不活性ガスが用いられる。本実施形態においては、Ａｒ（アルゴン）が用いられる。Here, a method for forming thecommon electrode layer 125 will be further described.
First, a schematic configuration of thesputtering apparatus 600 will be described with reference to FIG. Thesputtering apparatus 600 includes asubstrate delivery chamber 610, afilm formation chamber 620, and aload lock chamber 630, and performs sputtering by a magnetron sputtering method in thefilm formation chamber 620. A sputtering gas is introduced into thefilm formation chamber 620. As the sputtering gas, an inert gas such as Ar (argon) is used. In the present embodiment, Ar (argon) is used.

スパッタ装置６００内のキャリア６２１には、成膜対象の基板６２２が設置される。基板６２２は、基板受け渡し室６１０において、基板突き上げ機構６１１によりキャリア６２１に装着される。基板６２２が装着されたキャリア６２１は、基板受け渡し室６１０から成膜室６２０を経由してロードロック室６３０まで、搬送路６０１上を一定の速度で直線移動する。本実施形態においては、キャリア６２１の移動速度は３０ｍｍ／ｓである。なお、基板６２２は加温せず、常温でスパッタリングが行われる。  Asubstrate 622 to be deposited is placed on acarrier 621 in thesputtering apparatus 600. Thesubstrate 622 is mounted on thecarrier 621 by the substrate push-upmechanism 611 in thesubstrate delivery chamber 610. Thecarrier 621 on which thesubstrate 622 is mounted linearly moves on thetransfer path 601 at a constant speed from thesubstrate transfer chamber 610 to theload lock chamber 630 through thefilm formation chamber 620. In the present embodiment, the moving speed of thecarrier 621 is 30 mm / s. Note that thesubstrate 622 is not heated and is sputtered at room temperature.

成膜室６２０内には、搬送路６０１に対して直交する方向に延びる、棒状のターゲット６２３が設置されている。本実施の形態においては、ターゲット６２３は、ＩＴＯ又はＩＺＯである。なお、ターゲット６２３は、棒状である必要はなく、例えば、粉末状であってもよい。
電源６２４は、ターゲット６２３に対して電圧を印加する。なお、図１１では電源６２４は交流電源であるが、直流電源、又は、直流／交流のハイブリッド電源であってもよい。In thefilm formation chamber 620, a rod-shapedtarget 623 extending in a direction orthogonal to thetransport path 601 is installed. In the present embodiment, thetarget 623 is ITO or IZO. Note that thetarget 623 does not have to be rod-shaped, and may be, for example, powder.
Thepower source 624 applies a voltage to thetarget 623. In FIG. 11, thepower source 624 is an AC power source, but may be a DC power source or a DC / AC hybrid power source.

排気系６３１によりスパッタ装置６００内を排気し、ガス供給系６３２により成膜室６２０内にスパッタリングガスを導入する。電源６２４によりターゲット６２３に電圧を印加すると、スパッタリングガスのプラズマが発生し、ターゲット６２３の表面がスパッタされる。そして、スパッタされたターゲット６２３の原子を基板６２２上に堆積させることにより成膜する。  The inside of thesputtering apparatus 600 is exhausted by theexhaust system 631, and the sputtering gas is introduced into thefilm formation chamber 620 by thegas supply system 632. When a voltage is applied to thetarget 623 by thepower source 624, sputtering gas plasma is generated, and the surface of thetarget 623 is sputtered. Then, a film is formed by depositing the atoms of the sputteredtarget 623 on thesubstrate 622.

なお、スパッタリングガスであるＡｒ（アルゴン）のガス圧は、例えば、０．６Ｐａであり、流量は１００ｓｃｃｍである。
次に、共通電極層１２５Ｂは、共通電極層１２５Ａ上にＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、スパッタリング法、又は真空蒸着法により形成する（図８（ｃ））。本例では、共通電極層１２５Ｂを真空蒸着法により銀を堆積することにより形成する構成としている。共通電極層１２５Ｂは、図４及び図５に示すように、主として共通電極層１２５Ａの上面にのみ形成される。ここで、共通電極層１２５Ａを被覆性の高いスパッタ成膜などで、電子輸送層１２４が欠落又は薄層化している部分に相当する第１補助電極層１３５の側面上の一部領域１３５ａ１、１３５ａ２に十分コンタクトできていれば、共通電極総１２５Ｂの成膜方法に関しては、真空蒸着法を適用することもできる。In addition, the gas pressure of Ar (argon) which is sputtering gas is 0.6 Pa, for example, and the flow rate is 100 sccm.
Next, thecommon electrode layer 125B is formed on thecommon electrode layer 125A by a CVD (Chemical Vapor Deposition) method, a sputtering method, or a vacuum evaporation method (FIG. 8C). In this example, thecommon electrode layer 125B is formed by depositing silver by a vacuum evaporation method. As shown in FIGS. 4 and 5, thecommon electrode layer 125B is mainly formed only on the upper surface of thecommon electrode layer 125A. Here, partial regions 135a1 and 135a2 on the side surfaces of the firstauxiliary electrode layer 135 corresponding to portions where theelectron transport layer 124 is missing or thinned by sputtering or the like with thecommon electrode layer 125A having high coverage. If sufficient contact can be made, a vacuum deposition method can be applied as a method of forming thecommon electrode 125B.

（８）封止層１２６の形成
共通電極層１２５を形成した後、共通電極層１２５を被覆するように、封止層１２６を形成する（図８（ｄ））。封止層１２６は、ＣＶＤ法、スパッタリング法などを用い形成できる。
（９）カラーフィルタ基板１３１の形成
次に、カラーフィルタ基板１３１の製造工程を例示する。(8) Formation ofSealing Layer 126 After forming thecommon electrode layer 125, thesealing layer 126 is formed so as to cover the common electrode layer 125 (FIG. 8D). Thesealing layer 126 can be formed by a CVD method, a sputtering method, or the like.
(9) Formation of thecolor filter substrate 131 Next, the manufacturing process of thecolor filter substrate 131 is illustrated.

透明な上部基板１３０を準備し、紫外線硬化樹脂（例えば紫外線硬化アクリル樹脂）材料を主成分とし、これに黒色顔料を添加してなる遮光層１２９の材料を透明な上部基板１３０の一方の面に塗布する（図９（ａ））。
塗布した遮光層１２９の上面に所定の開口部が施されたパターンマスクＰＭを重ね、その上から紫外線照射を行う（図９（ｂ））。A transparentupper substrate 130 is prepared, and a material of alight shielding layer 129 made of an ultraviolet curable resin (for example, an ultraviolet curable acrylic resin) as a main component and a black pigment added thereto is applied to one surface of the transparentupper substrate 130. Apply (FIG. 9A).
A pattern mask PM provided with a predetermined opening is overlaid on the upper surface of the coatedlight shielding layer 129, and ultraviolet irradiation is performed thereon (FIG. 9B).

その後、パターンマスクＰＭ及び未硬化の遮光層１２９を除去して現像し、キュアすると、例えば、概矩形状の断面形状の遮光層１２９が完成する（図９（ｃ））。
次に、遮光層１２９を形成した上部基板１３０表面に、紫外線硬化樹脂成分を主成分とするカラーフィルタ層１２８（例えば、Ｇ）の材料１２８Ｇを塗布し（図９（ｄ））、所定のパターンマスクＰＭを載置し、紫外線照射を行う（図９（ｅ））。Thereafter, the pattern mask PM and the uncuredlight shielding layer 129 are removed, developed, and cured, for example, alight shielding layer 129 having a substantially rectangular cross section is completed (FIG. 9C).
Next, a material 128G of a color filter layer 128 (for example, G) mainly composed of an ultraviolet curable resin component is applied to the surface of theupper substrate 130 on which thelight shielding layer 129 is formed (FIG. 9D), and a predetermined pattern is formed. A mask PM is placed and ultraviolet irradiation is performed (FIG. 9E).

その後はキュアを行い、パターンマスクＰＭ及び未硬化のペースト１２８Ｒを除去して現像すると、カラーフィルタ層１２８（Ｇ）が形成される（図９（ｆ））。
この図９（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）の工程を各色のカラーフィルタ材料について同様に繰り返すことで、カラーフィルタ層１２８（Ｒ）、１２８（Ｂ）を形成する（図９（ｇ））。なお、ペースト１２８Ｒを用いる代わりに市販されているカラーフィルタ製品を利用してもよい。Thereafter, curing is performed, and when the pattern mask PM and theuncured paste 128R are removed and developed, a color filter layer 128 (G) is formed (FIG. 9 (f)).
Color filter layers 128 (R) and 128 (B) are formed by repeating the steps of FIGS. 9D, 9E, and 9F for each color filter material in the same manner (FIG. 9G). ). A commercially available color filter product may be used instead of using thepaste 128R.

以上でカラーフィルタ基板１３１が形成される。
（１０）カラーフィルタ基板１３１と背面パネルとの貼り合わせ
次に、基板１００ｘから封止層１２６までの各層からなる背面パネルに、アクリル樹脂、シリコン樹脂、エポキシ樹脂などの紫外線硬化型樹脂を主成分とする接合層１２７の材料を塗布する（図１０（ａ））。Thus, thecolor filter substrate 131 is formed.
(10) Bonding ofColor Filter Substrate 131 and Back Panel Next, UV curable resin such as acrylic resin, silicon resin, and epoxy resin is a main component for the back panel composed of each layer fromsubstrate 100x to sealinglayer 126. The material for thebonding layer 127 is applied (FIG. 10A).

続いて、塗布した材料に紫外線照射を行い、背面パネルとカラーフィルタ基板１３１との相対的位置関係を合せた状態で両基板を貼り合わせる。このとき、両者の間にガスが入らないように注意する。その後、両基板を焼成して封止工程を完了すると、表示パネル１０が完成する（図１０（ｂ））。
３．表示パネル１０の効果について
以下、表示パネル１０から得られる効果について説明する。Subsequently, the applied material is irradiated with ultraviolet rays, and the two substrates are bonded together in a state where the relative positional relationship between the back panel and thecolor filter substrate 131 is matched. At this time, care should be taken so that no gas enters between the two. Then, when both substrates are baked to complete the sealing process, thedisplay panel 10 is completed (FIG. 10B).
3. Effects ofDisplay Panel 10 Hereinafter, effects obtained from thedisplay panel 10 will be described.

補助電極層の材料として、金属層としては、シート抵抗が小さく、高い光反射性を有する材料として、銀又はアルミニウムを含む金属材料から構成することができる。このうち、補助電極層を安価なアルミニウムを含む金属材料から構成した場合、補助電極層の表面（表層）に、酸化膜が形成され、補助電極層と共通電極層との接触抵抗が高くなるという課題があった。  As a material of the auxiliary electrode layer, the metal layer can be made of a metal material containing silver or aluminum as a material having low sheet resistance and high light reflectivity. Among these, when the auxiliary electrode layer is made of an inexpensive metal material containing aluminum, an oxide film is formed on the surface (surface layer) of the auxiliary electrode layer, and the contact resistance between the auxiliary electrode layer and the common electrode layer is increased. There was a problem.

係る課題に対し、本実施の形態に係る表示パネル１０は、基板１００ｘ上に複数の画素電極１１９が行列状に配され、各画素電極１１９上に有機発光材料を含む発光層１２３が配されてなる有機ＥＬ表示パネルにおいて、基板１００ｘと、基板１００ｘの上方に行列状に配された複数の画素電極１１９と、基板１００ｘの上方において、隣接する画素電極１１９の間隙のうちの少なくとも１の間隙内に列又は行方向に延伸して配された第１補助電極層１３５と、第１補助電極層１３５に重畳して配されたアルミニウムを主成分として含み第２補助電極層２００と、複数の画素電極１１９上に配された複数の発光層１２３と、複数の発光層１２３の上方と、重畳して配された第１補助電極層１３５及び第２補助電極層２００とを覆って連続して配された共通電極層１２５とを備える。そして、第１補助電極層１３５と共通電極層１２５とは、少なくとも第１補助電極層１３５の上面に垂直な壁面上の一部領域１３５ａ１、ａ２において接しており、第１補助電極層１３５は、アルミニウムと異なる金属を主成分として含み、アルミニウムよりも大気中における接触抵抗が低い材料からなることを特徴とする。また、第２給電補助電極層２００は、少なくとも第２給電補助電極層２００の表層にはアルミニウムの酸化物が形成されている構成であってもよい。  In response to such a problem, in thedisplay panel 10 according to the present embodiment, a plurality ofpixel electrodes 119 are arranged in a matrix on thesubstrate 100x, and alight emitting layer 123 containing an organic light emitting material is arranged on eachpixel electrode 119. In the organic EL display panel, thesubstrate 100x, the plurality ofpixel electrodes 119 arranged in a matrix above thesubstrate 100x, and the gap between at least one of the gaps betweenadjacent pixel electrodes 119 above thesubstrate 100x. A firstauxiliary electrode layer 135 arranged extending in the column or row direction, a secondauxiliary electrode layer 200 containing as a main component aluminum arranged so as to overlap the firstauxiliary electrode layer 135, and a plurality of pixels Continuously covering the plurality of light emittinglayers 123 disposed on theelectrode 119, the top of the plurality of light emittinglayers 123, and the firstauxiliary electrode layer 135 and the secondauxiliary electrode layer 200 disposed in an overlapping manner. And acommon electrode layer 125 which is. The firstauxiliary electrode layer 135 and thecommon electrode layer 125 are in contact with each other at least in partial regions 135a1 and a2 on the wall surface perpendicular to the upper surface of the firstauxiliary electrode layer 135, and the firstauxiliary electrode layer 135 is It is characterized by comprising a metal different from aluminum as a main component and having a lower contact resistance in the atmosphere than aluminum. Further, the second power supplyauxiliary electrode layer 200 may have a configuration in which an aluminum oxide is formed on at least the surface layer of the second power supplyauxiliary electrode layer 200.

ここで、第２補助電極層２００は、材料面において、アルミニウムを主成分として含み、かつ、少なくとも第２補助電極層２００の表層２０１にはアルミニウムの自然酸化物が形成されている。その上さらに、少なくとも、第２補助電極層２００の上方に形成されるホール注入層１２０Ｂの成膜後の加熱工程において、ホール注入層１２０Ｂ側から供給される酸素により第２補助電極層２００の表層２０１のアルミニウムが酸化するためである。  Here, the secondauxiliary electrode layer 200 includes aluminum as a main component in terms of material, and at least asurface layer 201 of the secondauxiliary electrode layer 200 is formed with a native oxide of aluminum. Furthermore, at least in the heating step after the formation of thehole injection layer 120B formed above the secondauxiliary electrode layer 200, the surface layer of the secondauxiliary electrode layer 200 is supplied by oxygen supplied from thehole injection layer 120B side. This is because 201 aluminum is oxidized.

これに対し、第１補助電極層１３５は、材料面において、第２補助電極層２００を構成する材料と異なる金属、例えば、タングステン、クロム、チタン、モリブデン、ニッケル、銅、ランタン、インジウムから選択される１以上の金属を主成分として含む構成である。あるいは、第１補助電極層１３５はＩＴＯ又はＩＺＯからなる。このように、第１補助電極層１３５は、第２補助電極層２００を構成する材料よりも大気中における接触抵抗が低い材料からなる。これらの金属又は酸化物は、室温では化学的に安定しているので、第１補助電極層１３５の表層部には高抵抗となる金属の酸化物が形成されにくい構成としている。そのため、大気中における接触抵抗がアルミニウムよりも低くなる。言い換えれば、第２補助電極層２００の表層２０１付近の抵抗は、第１補助電極層１３５の表層付近の抵抗より高い構成を実現している。  On the other hand, the firstauxiliary electrode layer 135 is selected from a material different from the material constituting the secondauxiliary electrode layer 200 in terms of material, for example, tungsten, chromium, titanium, molybdenum, nickel, copper, lanthanum, and indium. It is the structure which contains the 1 or more metal which has as a main component. Alternatively, the firstauxiliary electrode layer 135 is made of ITO or IZO. Thus, the firstauxiliary electrode layer 135 is made of a material having a lower contact resistance in the atmosphere than the material constituting the secondauxiliary electrode layer 200. Since these metals or oxides are chemically stable at room temperature, a high resistance metal oxide is hardly formed on the surface layer portion of the firstauxiliary electrode layer 135. Therefore, the contact resistance in the atmosphere is lower than that of aluminum. In other words, the resistance near thesurface layer 201 of the secondauxiliary electrode layer 200 is higher than the resistance near the surface layer of the firstauxiliary electrode layer 135.

本実施の形態の構造の効果により、従来断面での段切れによる電気的コンタクトない場合には１０００〜２０００MΩμｍ2程度のコンタクト抵抗であったが、本実施の形態では、５０〜１００ＭΩμｍ2程度に1桁以上低抵抗化できることができた。
他方、構造面では、共通電極層１２５は、重畳して配されている第１補助電極層１３５及び第２補助電極層２００を覆って連続して配されており、第１補助電極層１３５と共通電極層１２５とは、少なくとも第１補助電極層１３５の上面に垂直な壁面上の一部領域１３５ａ１、ａ２において接触している。The effect of the structure of this embodiment has a 1000～2000Emuomegamyuemu2 about the contact resistance in the absence electrical contact by disconnection of the conventional cross-section, in this embodiment, about 50~100MΩμm2 1 It was possible to reduce the resistance by several orders of magnitude.
On the other hand, in terms of the structure, thecommon electrode layer 125 is continuously arranged so as to cover the firstauxiliary electrode layer 135 and the secondauxiliary electrode layer 200 which are arranged so as to overlap each other. Thecommon electrode layer 125 is in contact with at least partial regions 135a1 and a2 on the wall surface perpendicular to the upper surface of the firstauxiliary electrode layer 135.

その結果、共通電極層１２５と接触する第１補助電極層１３５の側面の一部領域１３５ａ１、１３５ａ２と共通電極層１２５との接触電気抵抗をより低くすることができる。すなわち、第１補助電極層１３５と共通電極層１２５との間の接触抵抗は、第２補助電極層２００と共通電極層１２５との間の接触抵抗より低くすることができる。
また、従来の構成では、上述のとおり、補助電極層のアルミニウム合金が酸化した場合、補助電極層中に欠陥や異物などの存在により局所的に酸化膜を介さずに補助電極層と共通電極が電気的に接触した場合、その部位に電流が集中し局所的な発熱や材料劣化などが発生することが懸念された。しかしながら、表示パネル１０では、共通電極層１２５と接触する第１補助電極層１３５の側面の一部領域１３５ａ１、１３５ａ２と共通電極層１２５との接触電気抵抗をより低くすることができるので、補助電極層と共通電極とが局所的に酸化膜を介さずに接触しても、その部位における局所的な電流集中や、それに伴う局所的な発熱や材料劣化などを防止できる。As a result, the contact electrical resistance between thecommon electrode layer 125 and the partial regions 135a1 and 135a2 on the side surfaces of the firstauxiliary electrode layer 135 in contact with thecommon electrode layer 125 can be further reduced. That is, the contact resistance between the firstauxiliary electrode layer 135 and thecommon electrode layer 125 can be lower than the contact resistance between the secondauxiliary electrode layer 200 and thecommon electrode layer 125.
Further, in the conventional configuration, as described above, when the aluminum alloy of the auxiliary electrode layer is oxidized, the auxiliary electrode layer and the common electrode are not locally passed through the oxide film due to the presence of defects or foreign matters in the auxiliary electrode layer. When electrically contacted, there was a concern that current would concentrate on that part and local heat generation or material deterioration would occur. However, in thedisplay panel 10, the contact electric resistance between the partial electrodes 135 a 1 and 135 a 2 on the side surface of the firstauxiliary electrode layer 135 that is in contact with thecommon electrode layer 125 and thecommon electrode layer 125 can be further reduced. Even if the layer and the common electrode are in contact locally without going through the oxide film, local current concentration at the site, local heat generation and material deterioration associated therewith can be prevented.

以上により、本開示の一態様に係る表示パネル１０は、補助電極層に画素電極と同じ光反射性を有する金属材料を用いた構成において、共通電極層と補助電極層との間の電気的接続における接触電気抵抗を低減することができる。その結果、発光効率を向上させると共に輝度ムラを抑制することができる。
また、上記の態様において、さらに、第２補助電極層２００と共通電極層１２５との間には、複数の発光層１２３の上方、第１補助電極層１３５及び第２補助電極層２００を覆って連続して配された１層以上からなる機能層１２４を備え、第１補助電極層１３５の一部領域１３５ａ１、１３５ａ２付近において、機能層１２４は欠落又は薄層化しており、第１補助電極層１３５の厚みは機能層１２４の厚みよりも厚い構成としてもよい。As described above, in thedisplay panel 10 according to one embodiment of the present disclosure, in the configuration in which a metal material having the same light reflectivity as the pixel electrode is used for the auxiliary electrode layer, electrical connection between the common electrode layer and the auxiliary electrode layer is performed. The contact electrical resistance at can be reduced. As a result, it is possible to improve luminous efficiency and suppress luminance unevenness.
Further, in the above aspect, the firstauxiliary electrode layer 135 and the secondauxiliary electrode layer 200 are covered between the secondauxiliary electrode layer 200 and thecommon electrode layer 125 above the light emitting layers 123. Afunctional layer 124 composed of one or more layers arranged continuously is provided, and thefunctional layer 124 is missing or thinned near the partial regions 135a1 and 135a2 of the firstauxiliary electrode layer 135. The thickness of 135 may be thicker than the thickness of thefunctional layer 124.

さらに、光学的光取り出しを向上させる目的で電子輸送層の膜厚を、例えば、約１００ｎｍ程度まで増加する場合においても同様である。第１補助電極層１３５の厚みを、第２補助電極層２００と共通電極層１２５との間に第１補助電極層１３５及び第２補助電極層２００を覆って連続して配された機能層１２４の総厚よりも厚い構成とすることにより、共通電極層１２５を第１補助電極層１３５の上面に垂直な壁面上の一部領域１３５ａ１、ａ２において確実に接触させることができ、高いキャリア移動度と共通電極層と補助電極層との接触電気抵抗を低減とを両立できることは言うまでもない。  Further, the same applies to the case where the thickness of the electron transport layer is increased to, for example, about 100 nm for the purpose of improving optical light extraction. The thickness of the firstauxiliary electrode layer 135 is set such that thefunctional layer 124 is continuously disposed between the secondauxiliary electrode layer 200 and thecommon electrode layer 125 so as to cover the firstauxiliary electrode layer 135 and the secondauxiliary electrode layer 200. Thecommon electrode layer 125 can be reliably brought into contact with the partial regions 135a1 and a2 on the wall surface perpendicular to the upper surface of the firstauxiliary electrode layer 135 with a high carrier mobility. Needless to say, the contact electrical resistance between the common electrode layer and the auxiliary electrode layer can be reduced.

さらに、画素補助電極１５０と第１補助電極１３５ならびに、画素電極１１９と第２補助電極とは同一膜厚とすることで、同一層として同一工程で形成することでプロセスコストを削減することができる。
また、上記の態様において、発光部の光学的設計上、画素電極１１９とホール注入層１２０Ａとの間に光学調整層として、ＩＴＯ又はＩＺＯなどを挿入する際、同一層で形成された補助電極部において第２補助電極層２００と機能層１２４との間に、第１補助電極層１３５及び第２補助電極層２００の上方に不連続に配されたＩＴＯ又はＩＺＯからなる透明導電層を備える構成となっても本開示の効果は発揮される。Further, the pixelauxiliary electrode 150 and the firstauxiliary electrode 135 and thepixel electrode 119 and the second auxiliary electrode have the same film thickness, so that the process cost can be reduced by forming the same layer in the same process. .
In the above aspect, the auxiliary electrode portion formed of the same layer when ITO or IZO or the like is inserted as an optical adjustment layer between thepixel electrode 119 and thehole injection layer 120A due to optical design of the light emitting portion. And a structure including a transparent conductive layer made of ITO or IZO discontinuously disposed above the firstauxiliary electrode layer 135 and the secondauxiliary electrode layer 200 between the secondauxiliary electrode layer 200 and thefunctional layer 124. Even if it becomes, the effect of this indication is exhibited.

また、本実施の形態に係る表示パネル１０の製造方法は、基板１００ｘ上に複数の画素電極１１９が行列状に配され、各画素電極１１９上に有機発光材料を含む発光層１２３が配されてなる有機ＥＬ表示パネルの製造方法であって、基板１００ｘを準備する工程と、基板１００ｘの上方に行列状に複数の画素電極１１９を形成する工程と、基板１００ｘの上方において、隣接する画素電極１１９の間隙のうちの少なくとも１の間隙内に列又は行方向に延伸して、アルミニウムと異なる金属を主成分として含み、アルミニウムよりも大気中における接触抵抗が低い材料からなる第１補助電極層１３５を形成する工程と、第１補助電極層１３５上に第１補助電極層１３５と同じ方向に延伸して、第１補助電極層１３５に重畳して、アルミニウムを主成分として含む第２補助電極層２００を形成する工程と、複数の画素電極１１９上に複数の発光層１２３を形成する工程と、複数の発光層１２３の上方、第１補助電極層１３５及び第２補助電極層２００を覆って連続して、かつ、第１補助電極層１３５と共通電極層１２５とは、少なくとも第１補助電極層１３５の上面に垂直な壁面上の一部領域１３５ａ１、ａ２において接するように、共通電極層１２５をスパッタリング法により形成する工程とを有することを特徴とする。  In the method for manufacturing thedisplay panel 10 according to the present embodiment, a plurality ofpixel electrodes 119 are arranged in a matrix on thesubstrate 100x, and thelight emitting layer 123 containing an organic light emitting material is arranged on eachpixel electrode 119. In the method for manufacturing an organic EL display panel, a step of preparing asubstrate 100x, a step of forming a plurality ofpixel electrodes 119 in a matrix shape above thesubstrate 100x, and anadjacent pixel electrode 119 above thesubstrate 100x. A firstauxiliary electrode layer 135 made of a material containing a metal different from aluminum as a main component and having a lower contact resistance in the air than aluminum, extending in at least one of the gaps in the column or row direction. A step of forming, extending in the same direction as the firstauxiliary electrode layer 135 on the firstauxiliary electrode layer 135, and superimposing the aluminum on the firstauxiliary electrode layer 135. A step of forming the secondauxiliary electrode layer 200 including the component, a step of forming the plurality of light emittinglayers 123 on the plurality ofpixel electrodes 119, the firstauxiliary electrode layer 135 and the second above the plurality of light emitting layers 123. The firstauxiliary electrode layer 135 and thecommon electrode layer 125 continuously cover theauxiliary electrode layer 200 and are in contact with each other at least in partial regions 135a1 and a2 on the wall surface perpendicular to the upper surface of the firstauxiliary electrode layer 135. As described above, the method includes a step of forming thecommon electrode layer 125 by a sputtering method.

また、上記態様において、第２補助電極層２００と共通電極層１２５との間に、複数の発光層１２３の上方、第１補助電極層１３５及び第２補助電極層２００を覆って連続して１層以上からなり、第１補助電極層１３５の厚みよりも薄い機能層１２４を真空蒸着法により形成する工程を有する構成としてもよい。このとき、機能層１２４は、第１補助電極層１３５の一部領域ａ１、ａ２付近において欠落又は薄層化して形成される構成としてもよい。  Further, in the above aspect, the firstauxiliary electrode layer 135 and the secondauxiliary electrode layer 200 are continuously covered with the firstauxiliary electrode layer 135 and the secondauxiliary electrode layer 200 between the secondauxiliary electrode layer 200 and thecommon electrode layer 125. It is good also as a structure which has the process of forming thefunctional layer 124 which consists of a layer or more and is thinner than the thickness of the 1stauxiliary electrode layer 135 by a vacuum evaporation method. At this time, thefunctional layer 124 may be formed to be missing or thinned in the vicinity of the partial regions a1 and a2 of the firstauxiliary electrode layer 135.

係る構成により、第１補助電極層１３５の厚みを、第２補助電極層２００とスパッタリング法により形成された共通電極層１２５との間に蒸着法により連続して配された機能層１２４の総厚よりも厚い構成とすることにより、スパッタリング法により形成された共通電極層１２５を蒸着法により形成された機能層１２４が欠落又は薄層化している第１補助電極層１３５の上面に垂直な壁面上の一部領域１３５ａ１、ａ２において確実に接触させることができる。  With such a configuration, the thickness of the firstauxiliary electrode layer 135 is set to the total thickness of thefunctional layer 124 continuously disposed by the vapor deposition method between the secondauxiliary electrode layer 200 and thecommon electrode layer 125 formed by the sputtering method. With the thicker structure, thecommon electrode layer 125 formed by the sputtering method has afunctional layer 124 that is missing or thinned on the wall surface perpendicular to the upper surface of the firstauxiliary electrode layer 135. Can be reliably contacted in the partial areas 135a1 and a2.

その結果、共通電極層と補助電極層との電気的接続における電気抵抗の低減を図り、発光効率を向上させると共に輝度ムラを抑制することができる表示パネル１０を製造できる。
４． 変形例
実施の形態に係る表示パネル１０を説明したが、本開示は、その本質的な特徴的構成要素を除き、以上の実施の形態に何ら限定を受けるものではない。例えば、実施の形態に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態や、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で各実施の形態における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本開示に含まれる。以下では、そのような形態の一例として、表示パネル１０の変形例を説明する。As a result, it is possible to manufacture thedisplay panel 10 that can reduce the electric resistance in the electrical connection between the common electrode layer and the auxiliary electrode layer, improve the light emission efficiency, and suppress the luminance unevenness.
4). Although thedisplay panel 10 according to the embodiment has been described, the present disclosure is not limited to the above embodiment except for the essential characteristic components. For example, embodiments obtained by subjecting the embodiments to various modifications conceived by those skilled in the art, and embodiments realized by arbitrarily combining the components and functions in each embodiment without departing from the spirit of the present invention Are also included in this disclosure. Below, the modification of thedisplay panel 10 is demonstrated as an example of such a form.

（１）変形例１
表示パネル１０では、隣接する画素電極１１９の間隙のうちの少なくとも１の間隙内に列又は行方向に延伸して配された１条の第１補助電極層１３５と、第１補助電極層１３５に重畳して配された１条の第２補助電極層２００とを備え、第１補助電極層１３５と共通電極層１２５とは、少なくとも第１補助電極層１３５の上面に垂直な側面上の一部領域１３５ａ１、ａ２において接触している構成としている。(1)Modification 1
In thedisplay panel 10, a single firstauxiliary electrode layer 135 extending in the column or row direction and disposed in at least one of the gaps betweenadjacent pixel electrodes 119, and the firstauxiliary electrode layer 135. The firstauxiliary electrode layer 135 and thecommon electrode layer 125 are at least part of a side surface perpendicular to the upper surface of the firstauxiliary electrode layer 135. The regions 135a1 and a2 are in contact with each other.

しかしながら、第１補助電極層１３５及び第２補助電極層２００の平面形状は上記に限られず適宜変更してもよい。
図１２（ａ）は、変形例１に係る表示パネル１０Ｖに係る表示パネル１０Ｘのバンク及び補助電極層の形状を示す模式平面図である。図１３（ａ）は、図１２（ａ）におけるＡ３−Ａ３で切断した模式断面図である。変形例１に係る表示パネル１０Ｖは、図１２（ａ）に示すように、隣接するバンク５２２Ｖの間隙に列方向に延伸して配された２条の第１補助電極層１３５Ｖ１、Ｖ２と、第１補助電極層１３５に重畳して配された２条の第２補助電極層２００Ｖ１、Ｖ２とを備えた構成としている。図１３（ａ）に示すように、２条の第１補助電極層１３５Ｖ１、Ｖ２と２条の第２補助電極層２００Ｖ１、Ｖ２の行方向外側に位置する２本の外縁はそれぞれバンク５２２Ｙに覆われている。すなわち、第１補助電極層１３５は、隣接するバンク５２２の基部と接触している。また、第２補助電極層２００Ｖ１、Ｖ２には表層２０１Ｖ１、Ｖ２に自然酸化物層が形成されている。However, the planar shapes of the firstauxiliary electrode layer 135 and the secondauxiliary electrode layer 200 are not limited to the above, and may be changed as appropriate.
FIG. 12A is a schematic plan view showing the shapes of banks and auxiliary electrode layers of thedisplay panel 10X according to thedisplay panel 10V according to the first modification. FIG. 13A is a schematic cross-sectional view cut along A3-A3 in FIG. As shown in FIG. 12A, thedisplay panel 10V according to the modified example 1 includes two first auxiliary electrode layers 135V1 and V2 extending in the column direction between the adjacent banks 522V, The configuration includes two second auxiliary electrode layers 200 </ b> V <b> 1 and V <b> 2 arranged so as to overlap with oneauxiliary electrode layer 135. As shown in FIG. 13A, the two outer edges located on the outer side in the row direction of the two first auxiliary electrode layers 135V1 and V2 and the two second auxiliary electrode layers 200V1 and V2 are respectively covered with thebank 522Y. It has been broken. That is, the firstauxiliary electrode layer 135 is in contact with the base portion of the adjacent bank 522. Further, natural oxide layers are formed on the surface layers 201V1 and V2 on the second auxiliary electrode layers 200V1 and V2.

係る構成により、表示パネル１０Ｖでは、表示パネル１０に比べて、第１補助電極層１３５Ｖ１及び第２補助電極層２００Ｖ１の行方向断面に相当する分だけ補助電極の断面積を増加してシート抵抗を低減することができる。併せて、表示パネル１０Ｖでは、第１補助電極層１３５と共通電極層１２５とは２条の第１補助電極層１３５Ｖ１の行方向に対向する側面上の一部領域１３５Ｖａ１、Ｖａ２において接触している構成を採ることができ、表示パネル１０と同様の接触抵抗を実現することができる。  With this configuration, in thedisplay panel 10V, compared to thedisplay panel 10, the cross-sectional area of the auxiliary electrode is increased by an amount corresponding to the cross-section in the row direction of the first auxiliary electrode layer 135V1 and the second auxiliary electrode layer 200V1, thereby reducing the sheet resistance. Can be reduced. In addition, in thedisplay panel 10V, the firstauxiliary electrode layer 135 and thecommon electrode layer 125 are in contact with each other in the partial regions 135Va1 and Va2 on the side surfaces facing the row direction of the two first auxiliary electrode layers 135V1. The configuration can be adopted, and the same contact resistance as that of thedisplay panel 10 can be realized.

なお、２条の第１補助電極層１３５Ｖ１、Ｖ２と、２条の第１補助電極層１３５を設ける代わりに、１条の第１補助電極層１３５と１条の第２補助電極層２００のそれぞれにスリット状の開口を設けてもよい。
（２）変形例２
変形例３に係る表示パネル１０Ｗでは、第２補助電極層２００Ｗに設けられた貫通孔２００Ｘは、略円形の形状の孔が所定の間隔で列方向に一列に配されている。図１２（ｂ）は、変形例２に係る表示パネル１０Ｗに係る表示パネル１０Ｘのバンク及び補助電極層の形状を示す模式平面図である。図１３（ｂ）は、図１２（ｂ）におけるＡ４−Ａ４で切断した模式断面図である。変形例２に係る表示パネル１０Ｗは、図１２（ａ）に示すように、隣接するバンク５２２Ｗの間隙内に列方向に延伸して配された１条の第１補助電極層１３５Ｗと、第１補助電極層１３５に重畳して配された２条の第２補助電極層２００Ｗとを備え、第２補助電極層２００Ｗ及び第１補助電極層１３５を貫通する列方向に並んだ複数の孔２００Ｗａ、１３５Ｗａが開設された構成を採る。図１３（ｂ）に示すように、第２補助電極層２００Ｗ１、Ｗ２には表層２０１Ｗ１、Ｗ２に自然酸化物層が形成されている。Instead of providing the two first auxiliary electrode layers 135V1 and V2 and the two first auxiliary electrode layers 135, one firstauxiliary electrode layer 135 and one secondauxiliary electrode layer 200, respectively. A slit-shaped opening may be provided on the surface.
(2)Modification 2
In thedisplay panel 10W according to the modified example 3, the throughholes 200X provided in the secondauxiliary electrode layer 200W are substantially circular holes arranged in a line at a predetermined interval in the column direction. FIG. 12B is a schematic plan view showing the shapes of the banks and the auxiliary electrode layers of thedisplay panel 10X according to thedisplay panel 10W according to the second modification. FIG.13 (b) is the schematic cross section cut | disconnected by A4-A4 in FIG.12 (b). As shown in FIG. 12A, thedisplay panel 10W according to the modified example 2 includes a firstauxiliary electrode layer 135W, which is a single strip extending in the column direction in the gap between adjacent banks 522W, A plurality ofholes 200 </ b> Wa arranged in the column direction penetrating the secondauxiliary electrode layer 200 </ b> W and the firstauxiliary electrode layer 135. A configuration in which 135 Wa is established is adopted. As shown in FIG. 13B, natural oxide layers are formed on the surface layers 201W1 and W2 on the second auxiliary electrode layers 200W1 and W2.

係る構成により表示パネル１０Ｗでは、第１補助電極層１３５と共通電極層１２５とは、第１補助電極層１３５Ｗの上面に垂直な側面上の一部領域１３５ａ１、ａ２に加えて、第１補助電極層１３５に開設された孔１３５Ｗａの内周面上の一部領域１３５Ｗａ１、Ｗａ２においても接する構成を採る。このため、表示パネル１０と比べて接触面積を増加することができ、表示パネル１０に比べて接触抵抗を低減することができる。  With this configuration, in thedisplay panel 10W, the firstauxiliary electrode layer 135 and thecommon electrode layer 125 include the first auxiliary electrode in addition to the partial regions 135a1 and a2 on the side surface perpendicular to the upper surface of the firstauxiliary electrode layer 135W. A configuration is also adopted in which partial areas 135Wa1 and Wa2 on the inner peripheral surface of the hole 135Wa formed in thelayer 135 are in contact with each other. For this reason, the contact area can be increased as compared with thedisplay panel 10, and the contact resistance can be reduced as compared with thedisplay panel 10.

（３）変形例３
変形例３に係る表示パネル１０Ｘでは、第２補助電極層２００Ｘに設けられた貫通孔２００Ｘは、略円形の形状の孔が所定の間隔で列方向に二列に配されている。図１２（ｃ）は、変形例３に係る表示パネル１０Ｘのバンク及び補助電極層の形状を示す模式平面図である。具体的には、図１２（ｃ）に示す変形例３に係る表示パネル１０Ｘのように、隣接するバンク５２２Ｙの間隙内に列方向に延伸して配された１条の第１補助電極層１３５Ｘと、第１補助電極層１３５Ｘに重畳して配された１条の第２補助電極層２００Ｘとを備え、第２補助電極層２００Ｘ及び第１補助電極層１３５を貫通する列方向に２列に並んだ複数の孔２００Ｘａ、１３５Ｘａ及び２００Ｘｂ、１３５Ｘｂが開設された構成としてもよい。(3) Modification 3
In thedisplay panel 10X according to the modified example 3, the throughholes 200X provided in the secondauxiliary electrode layer 200X have substantially circular holes arranged in two rows in the column direction at a predetermined interval. FIG. 12C is a schematic plan view showing the shape of the banks and auxiliary electrode layers of thedisplay panel 10X according to the third modification. Specifically, as in thedisplay panel 10X according to the modified example 3 shown in FIG. 12C, a single firstauxiliary electrode layer 135X that extends in the column direction in the gap betweenadjacent banks 522Y. And a secondauxiliary electrode layer 200X arranged on the firstauxiliary electrode layer 135X so as to overlap with the firstauxiliary electrode layer 135X. A plurality of aligned holes 200Xa, 135Xa and 200Xb, 135Xb may be opened.

係る構成により、表示パネル１０Ｗに比べてさらに接触面積を増加することができ、より一層接触抵抗を低減することができる。
（４）変形例４
表示パネル１０では、第１補助電極層１３５及び第２補助電極層２００は、基板１００ｘ上方、平坦化層１１８の上面においてそれぞれ補助画素電極１５０及び画素電極１１９と同層に延伸し配され、その上に共通電極層１２５を重畳させて共通電極層１２５との電気的な接続を図る構成としている。With this configuration, the contact area can be further increased as compared with thedisplay panel 10W, and the contact resistance can be further reduced.
(4) Modification 4
In thedisplay panel 10, the firstauxiliary electrode layer 135 and the secondauxiliary electrode layer 200 are extended and arranged in the same layer as theauxiliary pixel electrode 150 and thepixel electrode 119 above thesubstrate 100x and on the upper surface of theplanarization layer 118, respectively. Thecommon electrode layer 125 is overlapped on the top to make electrical connection with thecommon electrode layer 125.

しかしながら、基板１００ｘ及びその上方において。第１補助電極層１３５及び第２補助電極層２００を設ける層は上記に限られず適宜変更・追加してもよい。
図１４（ａ）は、変形例４に係る表示パネル１０Ｙにおける第２補助電極層２００周辺の断面図である。表示パネル１０Ｙでは、表示パネル１０Ｗの構成に加えて、さらに、平坦化層１１８Ｙを平坦化下部層１１８ＡＹと平坦化上部層１１８ＢＹからなる２層構成とし、平坦化下部層１１８ＡＹと平坦化上部層１１８ＢＹとの間に第３給電補助電極層１３５Ｙを備えた点に特徴がある。However, on thesubstrate 100x and above. The layer on which the firstauxiliary electrode layer 135 and the secondauxiliary electrode layer 200 are provided is not limited to the above, and may be changed or added as appropriate.
FIG. 14A is a cross-sectional view around the secondauxiliary electrode layer 200 in thedisplay panel 10Y according to Modification 4. In thedisplay panel 10Y, in addition to the configuration of thedisplay panel 10W, theplanarization layer 118Y has a two-layer configuration including a planarization lower layer 118AY and a planarization upper layer 118BY, and the planarization lower layer 118AY and the planarization upper layer 118BY. The third power supplyauxiliary electrode layer 135Y is provided between the first power supplyauxiliary electrode layer 135Y and the third power supplyauxiliary electrode layer 135Y.

具体的には、表示パネル１０Ｙは、基板１００ｘ上方に樹脂を主成分とする平坦化下部層１１８ＡＹと平坦化上部層１１８ＢＹとを備え、平坦化下部層１１８ＡＹと平坦化上部層１１８ＢＹとの層間には、列方向に延伸して配された第１補助電極層１３５Ｗと同じ材料からなる第３給電補助電極層１３５Ｙを備える。このとき、第３給電補助電極層１３５Ｙは、行方向において画素電極１１９と重ならない位置まで拡幅されてもよい。また、第１補助電極層１３５Ｗ上には、第２補助電極層２００Ｗ、ホール注入層１２０Ｂ、電子輸送層１２４Ａ、１２４Ｂ、共通電極層１２５Ａ、１２５Ｂ、封止層１２６が順に積層されている。さらに、平坦化上部層１１８ＢＹには、第３給電補助電極層１３５Ｙの上面までを貫通するコンタクトホール１１８ＢＹａが開設されており、第１補助電極層１３５Ｗはコンタクトホール１１８ＢＹａ内周面とコンタクトホール１１８ＢＹａの底面とに連続して配されている。そして、第１補助電極層１３５Ｗは、少なくとも第３給電補助電極層１３５Ｙ上面におけるコンタクトホール１１８ＢＹａ内の一部領域１３５Ｙａにおいて第３給電補助電極層１３５Ｙと接触している。このとき、上述した変形例３と同様に、共通電極層１２５との間には機能層１２４が配されており、第１補助電極層１３５Ｗの厚みは機能層１２４の厚みよりも厚く構成されている。そのため、第１補助電極層１３５Ｗは、側面上の一部領域１３５ａ１、１３５ａ２において共通電極層１２５Ｂと接触している。さらに、上述のとおり、第１補助電極層１３５Ｗは、コンタクトホール１１８ＢＹａ内において第３給電補助電極層１３５Ｙの一部領域１３５Ｙａと接触している。これより、第１補助電極層１３５Ｗ上の第２給電補助電極層２００Ｗの表層２０１Ｗにアルミニウムの自然酸化物層が形成された場合においても、図１４（ａ）中に示した経路Ｃ１、Ｃ２により、第１補助電極層１３５Ｙを介して共通電極層１２５と第３給電補助電極層１３５Ｙとが電気的に接続される構成とすることができ、第３給電補助電極層１３５Ｙを共通電極層１２５の給電補助電極として機能させることができる。  Specifically, thedisplay panel 10Y includes a planarized lower layer 118AY and a planarized upper layer 118BY mainly composed of a resin above thesubstrate 100x, and is disposed between the planarized lower layer 118AY and the planarized upper layer 118BY. Includes a third power supplyauxiliary electrode layer 135Y made of the same material as the firstauxiliary electrode layer 135W arranged extending in the column direction. At this time, the third power feedingauxiliary electrode layer 135Y may be widened to a position that does not overlap with thepixel electrode 119 in the row direction. On the firstauxiliary electrode layer 135W, a secondauxiliary electrode layer 200W, ahole injection layer 120B,electron transport layers 124A and 124B,common electrode layers 125A and 125B, and asealing layer 126 are sequentially stacked. Further, a contact hole 118BYa penetrating up to the upper surface of the third power supplyauxiliary electrode layer 135Y is formed in the planarization upper layer 118BY, and the firstauxiliary electrode layer 135W includes the inner peripheral surface of the contact hole 118BYa and the contact hole 118BYa. It is continuously arranged on the bottom. The firstauxiliary electrode layer 135W is in contact with the third power supplyauxiliary electrode layer 135Y in at least a partial region 135Ya in the contact hole 118BYa on the upper surface of the third power supplyauxiliary electrode layer 135Y. At this time, as in Modification 3 described above, thefunctional layer 124 is disposed between thecommon electrode layer 125 and the thickness of the firstauxiliary electrode layer 135W is greater than the thickness of thefunctional layer 124. Yes. Therefore, the firstauxiliary electrode layer 135W is in contact with thecommon electrode layer 125B in the partial regions 135a1 and 135a2 on the side surfaces. Further, as described above, the firstauxiliary electrode layer 135W is in contact with the partial region 135Ya of the third power supplyauxiliary electrode layer 135Y in the contact hole 118BYa. As a result, even when an aluminum natural oxide layer is formed on thesurface layer 201W of the second power feedingauxiliary electrode layer 200W on the firstauxiliary electrode layer 135W, the paths C1 and C2 shown in FIG. Thecommon electrode layer 125 and the third power supplyauxiliary electrode layer 135Y can be electrically connected via the firstauxiliary electrode layer 135Y, and the third power supplyauxiliary electrode layer 135Y can be connected to thecommon electrode layer 125. It can function as a power feeding auxiliary electrode.

その結果、表示パネル１０Ｙでは、表示パネル１０Ｗに比べて、第３給電補助電極層１３５Ｙの行方向断面に相当する分だけ補助電極の断面積を増加してシート抵抗を低減することができ、画素密度の増加（高精細化）に伴う光取り出し効率低下抑制のための一手段として有効である。また、基板１００ｘ上の平坦化下部層１１８ＡＹと平坦化上部層１１８ＢＹとの間の層に補助電極を設ける構成から、ＴＦＴ配線による位置的制約が少なく、第３給電補助電極層１３５Ｙの平面的なレイアウトの自由度が向上する。  As a result, in thedisplay panel 10Y, the sheet resistance can be reduced by increasing the cross-sectional area of the auxiliary electrode by an amount corresponding to the cross section in the row direction of the third power supplyauxiliary electrode layer 135Y as compared with thedisplay panel 10W. This is effective as a means for suppressing a decrease in light extraction efficiency associated with an increase in density (high definition). Further, since the auxiliary electrode is provided in the layer between the flattening lower layer 118AY and the flattening upper layer 118BY on thesubstrate 100x, there are few positional restrictions due to the TFT wiring, and the third feedingauxiliary electrode layer 135Y is planar. Layout flexibility is improved.

なお、コンタクトホール１１８ＢＹａを設ける位置は、上記した例に限られず、例えば、コンタクトホール１１８ＢＹａを図１４（ａ）と異なる位置に設ける構成としてもよい。
さらに、変形例４Ａでは、変形例４をさらに変形して、成膜工程において第１補助電極層１３５Ｗ上面をマスキングして第２補助電極層２００Ｗ、ホール注入層１２０Ｂを成膜することにより、第１補助電極層１３５Ｗ上には第２補助電極層２００Ｗ、ホール注入層１２０Ｂを設けない構成としてもよい。図１４（ｂ）は、表示パネル１０Ｙにおいて第１補助電極層１３５Ｗ上には第２補助電極層２００Ｗ及びホール注入層１２０Ｂを設けない変形例４Ａの断面図である。係る構成では、第１補助電極層１３５Ｗ上に、電子輸送層１２４Ａ、１２４Ｂ、共通電極層１２５Ａ、１２５Ｂ、封止層１２６が順に積層される。電子輸送層１２４Ａ、１２４Ｂは蒸着で形成される場合には、コンタクトホール１１８ＢＹａの内周面上には形成されない。したがって、コンタクトホール１１８ＢＹａの深さを共通電極層１２５Ａ、１２５Ｂの層厚よりも大きく採ることにより、コンタクトホール１１８ＢＹａの内周面上において第１補助電極層１３５Ｗの一部領域１３５ａ３、１３５ａ４が共通電極層１２５Ｂとが直接接触する構成とすることができる。あるいは、電子輸送層１２４Ａ、１２４Ｂはスパッタリング法やＣＶＤ法で形成される場合には、第１補助電極層１３５Ｗは電子輸送層１２４Ａ、１２４Ｂを介して共通電極層１２５Ｂと電気的に接続される構成とすることができる。Note that the position where the contact hole 118BYa is provided is not limited to the above example, and for example, the contact hole 118BYa may be provided at a position different from that in FIG.
Further, in the modified example 4A, the modified example 4 is further modified to form the secondauxiliary electrode layer 200W and thehole injection layer 120B by masking the upper surface of the firstauxiliary electrode layer 135W in the film forming step, thereby forming the first The secondauxiliary electrode layer 200W and thehole injection layer 120B may not be provided on the firstauxiliary electrode layer 135W. FIG. 14B is a cross-sectional view of Modification 4A in which the secondauxiliary electrode layer 200W and thehole injection layer 120B are not provided on the firstauxiliary electrode layer 135W in thedisplay panel 10Y. In such a configuration, theelectron transport layers 124A and 124B, thecommon electrode layers 125A and 125B, and thesealing layer 126 are sequentially stacked on the firstauxiliary electrode layer 135W. When theelectron transport layers 124A and 124B are formed by vapor deposition, they are not formed on the inner peripheral surface of the contact hole 118BYa. Therefore, by setting the depth of the contact hole 118BYa to be larger than the layer thickness of thecommon electrode layers 125A and 125B, the partial regions 135a3 and 135a4 of the firstauxiliary electrode layer 135W are formed on the common electrode on the inner peripheral surface of the contact hole 118BYa. A structure in which thelayer 125B is in direct contact can be employed. Alternatively, when theelectron transport layers 124A and 124B are formed by a sputtering method or a CVD method, the firstauxiliary electrode layer 135W is electrically connected to thecommon electrode layer 125B via theelectron transport layers 124A and 124B. It can be.

係る構成により、共通電極層１２５と第１給電補助電極層１３５Ｗとの接触箇所を増加し、第３給電補助電極層１３５Ｙへの給電経路の断面積を増加することができる。その結果、共通電極層１２５から給電補助電極への接続抵抗を低減できる。
（５）変形例５
表示パネル１０Ｗの構成に加えて、さらに、基板１００ｘを構成する層と層との間に、第４給電補助電極層１３５Ｚを備えた構成としてもよい。図１５（ａ）は、変形例５に係る表示パネル１０Ｚにおける第２補助電極層２００周辺の断面図である。With such a configuration, the number of contact points between thecommon electrode layer 125 and the first power supplyauxiliary electrode layer 135W can be increased, and the cross-sectional area of the power supply path to the third power supplyauxiliary electrode layer 135Y can be increased. As a result, the connection resistance from thecommon electrode layer 125 to the power feeding auxiliary electrode can be reduced.
(5) Modification 5
In addition to the configuration of thedisplay panel 10W, a configuration in which a fourth power supplyauxiliary electrode layer 135Z is further provided between layers configuring thesubstrate 100x may be employed. FIG. 15A is a cross-sectional view around the secondauxiliary electrode layer 200 in the display panel 10Z according to Modification 5.

図１５（ａ）に示すように、表示パネル１０Ｚにおいて、基板１００ｘは、基材１００ｐと、ＴＦＴ回路を構成するゲート絶縁層１０３、チャンネル保護層１０６、それらの上方に無機材料を主成分とする無機絶縁層１１６とを含む。基板１００ｘ上方には、樹脂を主成分とする平坦化層１１８Ｙが形成されている。平坦化層１１８Ｙは平坦化下部層１１８ＡＹと平坦化上部層１１８ＢＹからなる２層構成でもよく、また、単一の層構成であってもよい。  As shown in FIG. 15A, in the display panel 10Z, thesubstrate 100x includes abase material 100p, agate insulating layer 103 that constitutes a TFT circuit, a channelprotective layer 106, and an inorganic material as a main component above them. And an inorganic insulatinglayer 116. Above thesubstrate 100x, aplanarization layer 118Y mainly composed of a resin is formed. Theplanarization layer 118Y may have a two-layer configuration including a planarization lower layer 118AY and a planarization upper layer 118BY, or may have a single layer configuration.

表示パネル１０Ｚでは、基板１００ｘを構成する複数の層の層間において、例えば、チャンネル保護層１０６と無機絶縁層１１６との層間には、列又は行方向に延伸して配された第４給電補助電極層１３５Ｚを備える。なお、基板１００ｘ中の複数の層の層間において、第４給電補助電極層１３５Ｚを設ける位置は、チャンネル保護層１０６と無機絶縁層１１６との層間には限定されない。また、第４給電補助電極層１３５Ｚは、行方向において画素電極１１９と重ならない位置まで拡幅されてもよい。  In the display panel 10Z, the fourth power supply auxiliary electrode disposed between the plurality of layers constituting thesubstrate 100x, for example, between the channelprotective layer 106 and the inorganic insulatinglayer 116, extending in the column or row direction.Layer 135Z is provided. Note that the position where the fourth power supplyauxiliary electrode layer 135Z is provided between the plurality of layers in thesubstrate 100x is not limited to the layer between the channelprotective layer 106 and the inorganic insulatinglayer 116. Further, the fourth power supplyauxiliary electrode layer 135Z may be widened to a position where it does not overlap with thepixel electrode 119 in the row direction.

第１補助電極層１３５Ｗ上には、第２補助電極層２００Ｗ、ホール注入層１２０Ｂ、電子輸送層１２４Ａ、１２４Ｂ、共通電極層１２５Ａ、１２５Ｂ、封止層１２６が順に積層されている。さらに、平坦化上部層１１８ＢＹ、平坦化下部層１１８ＡＹ、無機絶縁層１１６には、平坦化上部層１１８ＢＹ上面から第４給電補助電極層１３５Ｚの上面までを貫通するコンタクトホール１１６ａが開設されており、第１補助電極層１３５Ｗは、コンタクトホール１１６ａに内周面とコンタクトホール１１６ａの底面とに連続して配されている。そして、第４給電補助電極層１３５Ｚと第１補助電極層１３５Ｗとは、少なくとも第４給電補助電極層１３５Ｚ上面におけるコンタクトホール１１６ａ内の一部領域１３５Ｚａにおいて接触している。このとき、上述した変形例３、４と同様に、第１補助電極層１３５Ｗは、側面上の一部領域１３５ａ１、１３５ａ２において共通電極層１２５Ｂと接触するとともに、コンタクトホール１１６ａ内において第４給電補助電極層１３５Ｚの一部領域１３５Ｚａとも接触している。  A secondauxiliary electrode layer 200W, ahole injection layer 120B,electron transport layers 124A and 124B,common electrode layers 125A and 125B, and asealing layer 126 are sequentially stacked on the firstauxiliary electrode layer 135W. Further, the planarization upper layer 118BY, the planarization lower layer 118AY, and the inorganic insulatinglayer 116 havecontact holes 116a penetrating from the upper surface of the planarization upper layer 118BY to the upper surface of the fourth power supplyauxiliary electrode layer 135Z. The firstauxiliary electrode layer 135W is continuously arranged in thecontact hole 116a on the inner peripheral surface and the bottom surface of thecontact hole 116a. The fourth power supplyauxiliary electrode layer 135Z and the firstauxiliary electrode layer 135W are in contact with each other in at least a partial region 135Za in thecontact hole 116a on the upper surface of the fourth power supplyauxiliary electrode layer 135Z. At this time, as in the third and fourth modifications described above, the firstauxiliary electrode layer 135W is in contact with thecommon electrode layer 125B in the partial regions 135a1 and 135a2 on the side surfaces, and in thecontact hole 116a, the fourth power supply auxiliary is provided. It is also in contact with a partial region 135Za of theelectrode layer 135Z.

これより、第１補助電極層１３５Ｗ上における第２給電補助電極層２００Ｗの表層２０１Ｗにアルミニウムの自然酸化物層が形成された場合でも、図１５（ａ）中に示した経路Ｃ３、Ｃ４により、第１補助電極層１３５Ｗを介して共通電極層１２５と第４給電補助電極層１３５Ｚとが電気的に接続されるので、第４給電補助電極層１３５Ｚを共通電極層１２５の給電補助電極として機能させることができる。  As a result, even when an aluminum natural oxide layer is formed on thesurface layer 201W of the second power supplyauxiliary electrode layer 200W on the firstauxiliary electrode layer 135W, the paths C3 and C4 shown in FIG. Since thecommon electrode layer 125 and the fourth power supplyauxiliary electrode layer 135Z are electrically connected through the firstauxiliary electrode layer 135W, the fourth power supplyauxiliary electrode layer 135Z functions as a power supply auxiliary electrode of thecommon electrode layer 125. be able to.

その結果、表示パネル１０Ｚでは、表示パネル１０Ｗに比べて、第４給電補助電極層１３５Ｚの行方向断面に相当する分だけ補助電極の断面積を増加してシート抵抗を低減することができ、画素密度の増加（高精細化）に伴う光取り出し効率低下抑制のための一手段として有効である。また、基板１００ｘ中のチャンネル保護層１０６と無機絶縁層１１６との間に補助電極を設ける構成から、基板１００ｘ上の画素電極１１９等による位置的制約が少なく、第４給電補助電極層１３５Ｚの平面的なレイアウトの自由度が向上する。  As a result, in the display panel 10Z, the sheet resistance can be reduced by increasing the cross-sectional area of the auxiliary electrode by an amount corresponding to the cross section in the row direction of the fourth power supplyauxiliary electrode layer 135Z as compared with thedisplay panel 10W. This is effective as a means for suppressing a decrease in light extraction efficiency associated with an increase in density (high definition). In addition, since the auxiliary electrode is provided between the channelprotective layer 106 and the inorganic insulatinglayer 116 in thesubstrate 100x, there are few positional restrictions due to thepixel electrode 119 and the like on thesubstrate 100x, and the plane of the fourth power supplyauxiliary electrode layer 135Z. The degree of freedom of general layout is improved.

ここでも、コンタクトホール１１６ａを設ける位置は、上記した例に限られず、例えば、コンタクトホール１１６ａを図１５（ａ）と異なる位置に設ける構成としてもよい。
なお、変形例５Ａでは、変形例５をさらに変形して、成膜工程において第１補助電極層１３５Ｗ上面をマスキングして第２補助電極層２００Ｗ、ホール注入層１２０Ｂを成膜することにより、第１補助電極層１３５Ｗ上に第２補助電極層２００Ｗ、ホール注入層１２０Ｂを設けない構成としてもよい。Here, the position where thecontact hole 116a is provided is not limited to the above example. For example, thecontact hole 116a may be provided at a position different from that shown in FIG.
In the modified example 5A, the modified example 5 is further modified to form the secondauxiliary electrode layer 200W and thehole injection layer 120B by masking the upper surface of the firstauxiliary electrode layer 135W in the film forming step. The secondauxiliary electrode layer 200W and thehole injection layer 120B may not be provided on the firstauxiliary electrode layer 135W.

図１５（ｂ）は、表示パネル１０Ｚにおいて第１補助電極層１３５Ｗ上に第２補助電極層２００Ｗ及びホール注入層１２０Ｂを設けない変形例５Ａの断面図である。係る構成では、第１補助電極層１３５Ｗ上に、電子輸送層１２４Ａ、１２４Ｂ、共通電極層１２５Ａ、１２５Ｂ、封止層１２６が順に積層される。電子輸送層１２４Ａ、１２４Ｂは蒸着で形成される場合には、コンタクトホール１１６ａの内周面上には形成されない。したがって、変形例４と同様に、コンタクトホール１１６ａの内周面上において第１補助電極層１３５Ｗの一部領域１３５ａ３、１３５ａ４が共通電極層１２５Ｂとが直接接触するとともに、図１５（ｂ）に示す変形例４と比較して、一部領域１３５ａ３、１３５ａ４の面積を増加することができる。  FIG. 15B is a cross-sectional view of Modification 5A in which the secondauxiliary electrode layer 200W and thehole injection layer 120B are not provided on the firstauxiliary electrode layer 135W in the display panel 10Z. In such a configuration, theelectron transport layers 124A and 124B, thecommon electrode layers 125A and 125B, and thesealing layer 126 are sequentially stacked on the firstauxiliary electrode layer 135W. When theelectron transport layers 124A and 124B are formed by vapor deposition, they are not formed on the inner peripheral surface of thecontact hole 116a. Therefore, as in the fourth modification, the partial regions 135a3 and 135a4 of the firstauxiliary electrode layer 135W are in direct contact with thecommon electrode layer 125B on the inner peripheral surface of thecontact hole 116a, as shown in FIG. Compared to the fourth modification, the areas of the partial regions 135a3 and 135a4 can be increased.

係る構成により、共通電極層１２５と第４給電補助電極層１３５Ｚとの接触箇所を増加し、第４給電補助電極層１３５Ｚへの給電経路の断面積を増加することができる。その結果、共通電極層１２５から給電補助電極への接続抵抗を低減できる。
（６）変形例６
変形例４に係る表示パネル１０Ｗの構成と変形例５に係る表示パネル１０Ｚの構成とを組み合わせた構成してもよい。With this configuration, the number of contact points between thecommon electrode layer 125 and the fourth power supplyauxiliary electrode layer 135Z can be increased, and the cross-sectional area of the power supply path to the fourth power supplyauxiliary electrode layer 135Z can be increased. As a result, the connection resistance from thecommon electrode layer 125 to the power feeding auxiliary electrode can be reduced.
(6) Modification 6
You may comprise the structure which combined the structure of thedisplay panel 10W which concerns on the modification 4, and the structure of the display panel 10Z which concerns on the modification 5. FIG.

図１６（ａ）は、変形例６に係る表示パネル１０ＹＺにおける第２補助電極層２００周辺の断面図である。表示パネル１０ＹＺでは、平坦化下部層１１８ＡＹと平坦化上部層１１８ＢＹとの間に第３給電補助電極層１３５Ｙを設け、さらに、基板１００ｘを構成する複数の層の層間の何れか、例えば、チャンネル保護層１０６と無機絶縁層１１６との層間に第４給電補助電極層１３５Ｚを備えた点に特徴がある。ここでも、なお、基板１００ｘ中の複数の層の層間において、第４給電補助電極層１３５Ｚを設ける位置は、チャンネル保護層１０６と無機絶縁層１１６との層間には限定されない。変形例３，４と同様に、第１補助電極層１３５Ｗ上には、第２補助電極層２００Ｗ、ホール注入層１２０Ｂ、電子輸送層１２４Ａ、１２４Ｂ、共通電極層１２５Ａ及び１２５Ｂ、封止層１２６が順に積層されている。  FIG. 16A is a cross-sectional view around the secondauxiliary electrode layer 200 in the display panel 10YZ according to Modification 6. In the display panel 10YZ, the third power supplyauxiliary electrode layer 135Y is provided between the planarization lower layer 118AY and the planarization upper layer 118BY, and further, any one of a plurality of layers constituting thesubstrate 100x, for example, channel protection. The fourth embodiment is characterized in that a fourth power feedingauxiliary electrode layer 135Z is provided between thelayer 106 and the inorganic insulatinglayer 116. Here, the position where the fourth power supplyauxiliary electrode layer 135Z is provided between the plurality of layers in thesubstrate 100x is not limited to the layer between the channelprotective layer 106 and the inorganic insulatinglayer 116. Similar to the modified examples 3 and 4, the secondauxiliary electrode layer 200W, thehole injection layer 120B, theelectron transport layers 124A and 124B, thecommon electrode layers 125A and 125B, and thesealing layer 126 are formed on the firstauxiliary electrode layer 135W. They are stacked in order.

また、平坦化下部層１１８ＡＹ、無機絶縁層１１６には、平坦化上部層１１８ＢＹ上面から第４給電補助電極層１３５Ｚの上面までを貫通するコンタクトホール１１６ａが開設されており、第３補助電極層１３５Ｙは、コンタクトホール１１６ａに内周面とコンタクトホール１１６ａの底面とに連続して配されている。そして、第３給電補助電極層１３５Ｙと第４給電補助電極層１３５Ｚとは、少なくとも第４給電補助電極層１３５Ｚ上面におけるコンタクトホール１１６ａ内の一部領域１３５Ｚａにおいて接触している。さらに、平坦化上部層１１８ＢＹには、第３給電補助電極層１３５Ｙの上面までを貫通するコンタクトホール１１８ＢＹａが開設されており、第１補助電極層１３５Ｗは、コンタクトホール１１８ＢＹａに内周面とコンタクトホール１１８ＢＹａの底面とに連続して配されている。そして、第１補助電極層１３５Ｗは、上述した変形例３、４と同様に、側面上の一部領域１３５ａ１、１３５ａ２において共通電極層１２５Ｂと接触するとともに、第１補助電極層１３５Ｗと第３給電補助電極層１３５Ｙとは、少なくとも第３給電補助電極層１３５Ｙ上面におけるコンタクトホール１１８ＢＹａ内の一部領域１３５Ｙａにおいて接触している。  Further, in the planarization lower layer 118AY and the inorganic insulatinglayer 116, acontact hole 116a penetrating from the upper surface of the planarization upper layer 118BY to the upper surface of the fourth power supplyauxiliary electrode layer 135Z is formed, and the thirdauxiliary electrode layer 135Y is formed. Are continuously arranged in thecontact hole 116a on the inner peripheral surface and the bottom surface of thecontact hole 116a. The third power supplyauxiliary electrode layer 135Y and the fourth power supplyauxiliary electrode layer 135Z are in contact with each other in at least a partial region 135Za in thecontact hole 116a on the upper surface of the fourth power supplyauxiliary electrode layer 135Z. Further, a contact hole 118BYa penetrating to the upper surface of the third power supplyauxiliary electrode layer 135Y is formed in the planarization upper layer 118BY, and the firstauxiliary electrode layer 135W is formed in the contact hole 118BYa with the inner peripheral surface and the contact hole. It is continuously arranged on the bottom surface of 118BYa. The firstauxiliary electrode layer 135W is in contact with thecommon electrode layer 125B in the partial regions 135a1 and 135a2 on the side surfaces as in the third and fourth modifications, and the firstauxiliary electrode layer 135W and the third power feed. Theauxiliary electrode layer 135Y is in contact with at least a partial region 135Ya in the contact hole 118BYa on the upper surface of the third power supplyauxiliary electrode layer 135Y.

これより、第１補助電極層１３５Ｗ上における第２給電補助電極層２００Ｗの表層２０１Ｗにアルミニウムの自然酸化物層が形成された場合でも、図１６（ａ）中に示した経路Ｃ５、Ｃ６により、第１補助電極層１３５Ｗを介して共通電極層１２５と第３給電補助電極層１３５Ｙ、さらに第４給電補助電極層１３５Ｚが電気的に接続されるので、第３給電補助電極層１３５Ｙ及び１３５Ｚを共通電極層１２５の給電補助電極として機能させることができる。そのため、より一層シート抵抗を低減することができ高精細化に向けて有効である。また、チャンネル保護層１０６と絶縁層１１６との間の層において、ＴＦＴ回路の配線による位置的制約がない範囲において、第４給電補助電極層１３５Ｚの平面的に自由にレイアウトできる。  As a result, even when an aluminum natural oxide layer is formed on thesurface layer 201W of the second power supplyauxiliary electrode layer 200W on the firstauxiliary electrode layer 135W, the paths C5 and C6 shown in FIG. Since thecommon electrode layer 125, the third power supplyauxiliary electrode layer 135Y, and the fourth power supplyauxiliary electrode layer 135Z are electrically connected via the firstauxiliary electrode layer 135W, the third power supplyauxiliary electrode layers 135Y and 135Z are shared. It can function as a power feeding auxiliary electrode of theelectrode layer 125. Therefore, the sheet resistance can be further reduced, which is effective for high definition. Further, in the layer between the channelprotective layer 106 and the insulatinglayer 116, the fourth power supplyauxiliary electrode layer 135Z can be freely laid out in a plane as long as there is no positional restriction due to the wiring of the TFT circuit.

なお、変形例６Ａでは、変形例６をさらに変形して、第１補助電極層１３５Ｗ上に第２補助電極層２００Ｗ、ホール注入層１２０Ｂを設けない構成としてもよい。
図１６（ｂ）は、表示パネル１０ＹＺにおいて第１補助電極層１３５Ｗ上に第２補助電極層２００Ｗ及びホール注入層１２０Ｂを設けない変形例６Ａの断面図である。係る構成では、第１補助電極層１３５Ｗ上に、電子輸送層１２４Ａ、１２４Ｂ、共通電極層１２５Ａ、１２５Ｂ、封止層１２６が順に積層される。電子輸送層１２４Ａ、１２４Ｂは蒸着で形成される場合には、コンタクトホール１１６ａの内周面上には形成されない。したがって、変形例４、５と同様に、コンタクトホール１１６ａの内周面上において第１補助電極層１３５Ｗの一部領域１３５ａ３、１３５ａ４が共通電極層１２５Ｂとが直接接触するとともに、図１６（ｂ）に示す変形例４と比較して、一部領域１３５ａ３、１３５ａ４の面積を増加することができる。In Modification 6A, Modification 6 may be further modified such that the secondauxiliary electrode layer 200W and thehole injection layer 120B are not provided on the firstauxiliary electrode layer 135W.
FIG. 16B is a cross-sectional view of Modification 6A in which the secondauxiliary electrode layer 200W and thehole injection layer 120B are not provided on the firstauxiliary electrode layer 135W in the display panel 10YZ. In such a configuration, theelectron transport layers 124A and 124B, thecommon electrode layers 125A and 125B, and thesealing layer 126 are sequentially stacked on the firstauxiliary electrode layer 135W. When theelectron transport layers 124A and 124B are formed by vapor deposition, they are not formed on the inner peripheral surface of thecontact hole 116a. Therefore, as in the fourth and fifth modifications, the partial regions 135a3 and 135a4 of the firstauxiliary electrode layer 135W are in direct contact with thecommon electrode layer 125B on the inner peripheral surface of thecontact hole 116a, and FIG. Compared to the fourth modification shown in FIG. 4, the areas of the partial regions 135a3 and 135a4 can be increased.

係る構成により、共通電極層１２５と第１給電補助電極層１３５Ｗとの接触箇所を増加し、第３給電補助電極層１３５Ｙ及び第４給電補助電極層１３５Ｚへの給電経路の断面積を増加することができ、共通電極層１２５から給電補助電極への接続抵抗を低減できる。
（７）その他の変形例
表示パネル１０では、発光層１２３は、行バンク上を列方向に連続して延伸している構成としている。しかしながら、上記構成において、発光層１２３は、行バンク上において画素ごとに断続している構成としてもよい。With this configuration, the number of contact points between thecommon electrode layer 125 and the first power supplyauxiliary electrode layer 135W is increased, and the cross-sectional area of the power supply path to the third power supplyauxiliary electrode layer 135Y and the fourth power supplyauxiliary electrode layer 135Z is increased. The connection resistance from thecommon electrode layer 125 to the power feeding auxiliary electrode can be reduced.
(7) Other Modifications In thedisplay panel 10, thelight emitting layer 123 is configured to extend continuously in the column direction on the row bank. However, in the above configuration, thelight emitting layer 123 may be intermittent for each pixel on the row bank.

また、表示パネル１０では、行方向に隣接する列バンク５２２Ｙ間の間隙５２２ｚに配された副画素１００ｓｅの発光層１２３が発する光の色は互いに異なる構成とし、列方向に隣接する行バンク１２２Ｘ間の間隙に配された副画素１００ｓｅの発光層１２３が発する光の色は同じである構成とした。しかしながら、上記構成において、行方向に隣接する副画素１００ｓｅの発光層１２３が発する光の色は同じであり、列方向に隣接する副画素１００ｓｅの発光層１２３が発する光の色が互いに異なる構成としてもよい。また、行列方向の両方において隣接する副画素１００ｓｅの発光層１２３が発する光の色が互いに異なる構成としてもよい。  In thedisplay panel 10, the light colors emitted from thelight emitting layers 123 of the sub-pixels 100se arranged in thegap 522z between thecolumn banks 522Y adjacent in the row direction are different from each other, and between therow banks 122X adjacent in the column direction. The light emitted from thelight emitting layer 123 of the subpixel 100se arranged in the gap is the same in color. However, in the above configuration, the light emitted from thelight emitting layer 123 of the subpixel 100se adjacent in the row direction is the same, and the light emitted from thelight emitting layer 123 of the subpixel 100se adjacent in the column direction is different from each other. Also good. Further, the light colors emitted from thelight emitting layers 123 of the adjacent subpixels 100se in both the matrix directions may be different from each other.

実施の形態に係る表示パネル１０では、画素１００ｅには、赤色画素、緑色画素、青色画素の３種類があったが、本発明はこれに限られない。例えば、発光層が１種類であってもよいし、発光層が赤、緑、青、白色などに発光する４種類であってもよい。
また、上記実施の形態では、単位画素１００ｅが、マトリクス状に並んだ構成であったが、本発明はこれに限られない。例えば、画素領域の間隔を１ピッチとするとき、隣り合う間隙同士で画素領域が列方向に半ピッチずれている構成に対しても効果を有する。高精細化が進む表示パネルにおいて、多少の列方向のずれは視認上判別が難しく、ある程度の幅を持った直線上（あるいは千鳥状）に膜厚むらが並んでも、視認上は帯状となる。したがって、このような場合も輝度むらが上記千鳥状に並ぶことを抑制することで、表示パネルの表示品質を向上できる。In thedisplay panel 10 according to the embodiment, thepixel 100e has three types of a red pixel, a green pixel, and a blue pixel, but the present invention is not limited to this. For example, the light emitting layer may be one type, or the light emitting layer may be four types that emit red, green, blue, white, and the like.
In the above embodiment, theunit pixels 100e are arranged in a matrix, but the present invention is not limited to this. For example, when the interval between the pixel areas is 1 pitch, the present invention is also effective for a configuration in which the pixel areas are shifted by a half pitch in the column direction between adjacent gaps. In a display panel that is becoming higher in definition, a slight shift in the column direction is difficult to distinguish visually, and even if the film thickness unevenness is arranged on a straight line (or zigzag) having a certain width, it is visually stripped. Therefore, even in such a case, the display quality of the display panel can be improved by suppressing the luminance unevenness from being arranged in a staggered manner.

また、上記実施の形態では、画素電極１１９と共通電極層１２５の間に、ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１、発光層１２３及び電子輸送層１２４が存在する構成であったが、本発明はこれに限られない。例えば、ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１及び電子輸送層１２４を用いずに、画素電極１１９と共通電極層１２５との間に発光層１２３のみが存在する構成としてもよい。また、例えば、ホール注入層、ホール輸送層、電子輸送層、電子注入層などを備える構成や、これらの複数又は全部を同時に備える構成であってもよい。また、これらの層はすべて有機化合物からなる必要はなく、無機物などで構成されていてもよい。  In the above embodiment, thehole injection layer 120, thehole transport layer 121, thelight emitting layer 123, and theelectron transport layer 124 exist between thepixel electrode 119 and thecommon electrode layer 125. It is not limited to this. For example, a configuration in which only thelight emitting layer 123 exists between thepixel electrode 119 and thecommon electrode layer 125 without using thehole injection layer 120, thehole transport layer 121, and theelectron transport layer 124 may be employed. Further, for example, a configuration including a hole injection layer, a hole transport layer, an electron transport layer, an electron injection layer, or the like, or a configuration including a plurality or all of them at the same time may be used. Moreover, these layers do not need to consist of organic compounds, and may be composed of inorganic substances.

また、上記実施の形態では、発光層１２３の形成方法としては、印刷法、スピンコート法、インクジェット法などの湿式成膜プロセスを用いる構成であったが、本発明はこれに限られない。例えば、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、イオンプレーティング法、気相成長法等の乾式成膜プロセスを用いることもできる。さらに、各構成部位の材料には、公知の材料を適宜採用することができる。  In the above embodiment, thelight emitting layer 123 is formed using a wet film forming process such as a printing method, a spin coating method, and an ink jet method, but the present invention is not limited to this. For example, a dry film forming process such as a vacuum evaporation method, an electron beam evaporation method, a sputtering method, a reactive sputtering method, an ion plating method, or a vapor deposition method can be used. Furthermore, a well-known material can be suitably employ | adopted for the material of each structure part.

また、上記の形態では、ＥＬ素子部の下部にアノードである画素電極３１１９が配され、ＴＦＴのソース電極に接続された配線１１０に画素電極３１１９を接続する構成を採用したが、ＥＬ素子部の下部に共通電極層、上部にアノードが配された構成を採用することもできる。この場合には、ＴＦＴにおけるドレインに対して、下部に配されたカソードを接続することになる。  Further, in the above embodiment, the pixel electrode 3119 which is an anode is arranged below the EL element portion, and the pixel electrode 3119 is connected to the wiring 110 connected to the source electrode of the TFT. A configuration in which a common electrode layer is disposed in the lower portion and an anode is disposed in the upper portion may be employed. In this case, the cathode arranged at the lower side is connected to the drain of the TFT.

また、上記実施の形態では、一つの副画素１００ｓｅに対して２つのトランジスタＴｒ1、Ｔｒ2が設けられてなる構成を採用したが、本発明はこれに限定を受けるものではない。例えば、一つのサブピクセルに対して一つのトランジスタを備える構成でもよいし、三つ以上のトランジスタを備える構成でもよい。
さらに、上記実施の形態では、トップエミッション型のＥＬ表示パネルを一例としたが、本発明はこれに限定を受けるものではない。例えば、ボトムエミッション型の表示パネルなどに適用することもできる。その場合には、各構成について、適宜の変更が可能である。In the above embodiment, a configuration in which two transistors Tr1 and Tr2 are provided for one sub-pixel 100se is employed. However, the present invention is not limited to this. For example, one transistor may be provided with one transistor, or three or more transistors may be provided.
Furthermore, in the above embodiment, the top emission type EL display panel is taken as an example, but the present invention is not limited to this. For example, the present invention can be applied to a bottom emission type display panel. In that case, it is possible to appropriately change each configuration.

≪補足≫
以上で説明した実施の形態は、いずれも本発明の好ましい一具体例を示すものである。実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態、工程、工程の順序などは一例であり、本発明を限定する主旨ではない。また、実施の形態における構成要素のうち、本発明の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない工程については、より好ましい形態を構成する任意の構成要素として説明される。<Supplement>
Each of the embodiments described above shows a preferred specific example of the present invention. The numerical values, shapes, materials, constituent elements, arrangement positions and connection forms of the constituent elements, steps, order of steps, and the like shown in the embodiments are merely examples, and are not intended to limit the present invention. In addition, among the constituent elements in the embodiment, steps that are not described in the independent claims indicating the highest concept of the present invention are described as arbitrary constituent elements constituting a more preferable form.

また、上記の工程が実行される順序は、本発明を具体的に説明するために例示するためのものであり、上記以外の順序であってもよい。また、上記工程の一部が、他の工程と同時（並列）に実行されてもよい。
また、発明の理解の容易のため、上記各実施の形態で挙げた各図の構成要素の縮尺は実際のものと異なる場合がある。また本発明は上記各実施の形態の記載によって限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。In addition, the order in which the above steps are performed is for illustration in order to specifically describe the present invention, and may be in an order other than the above. Moreover, a part of said process may be performed simultaneously with another process (parallel).
Further, for easy understanding of the invention, the scales of the components shown in the above-described embodiments may be different from actual ones. The present invention is not limited by the description of each of the above embodiments, and can be appropriately changed without departing from the gist of the present invention.

また、各実施の形態及びその変形例の機能のうち少なくとも一部を組み合わせてもよい。
さらに、本実施の形態に対して当業者が思いつく範囲内の変更を施した各種変形例も本発明に含まれる。Moreover, you may combine at least one part among the functions of each embodiment and its modification.
Furthermore, various modifications in which the present embodiment is modified within the range conceivable by those skilled in the art are also included in the present invention.

本発明に係る有機ＥＬ表示パネル、及び有機ＥＬ表示装置は、テレビジョンセット、パーソナルコンピュータ、携帯電話などの装置、又はその他表示パネルを有する様々な電子機器に広く利用することができる。  The organic EL display panel and the organic EL display device according to the present invention can be widely used in various electronic devices having devices such as a television set, a personal computer, a mobile phone, and other display panels.

１ 有機ＥＬ表示装置
１０、１０Ｖ、１０Ｗ、１０Ｘ、１０Ｙ、１０Ｚ 有機ＥＬ表示パネル
１００ 有機ＥＬ素子
１００ｅ 単位画素
１００ｓｅ 副画素
１００ａ 自己発光領域
１００ｂ 非自己発光領域
１００ｘ 基板（ＴＦＴ基板）
１００ｐ 基台
１０３ ゲート絶縁層
１０６ チャンネル保護層
１１６ 無機絶縁層
１１８ 層間絶縁層
１１９ 画素電極
１３５、１３５Ｗ 第１補助電極層
１３５Ｙ 第３補助電極層
１３５Ｚ 第４補助電極層
１５０ 補助画素電極
２００ 第２補助電極層
１２０、１２０Ａ、１２０Ｂ ホール注入層
１２１ ホール輸送層
１２２ バンク
１２２Ｘ 行バンク
５２２Ｙ 列バンク
１２３ 発光層
１２４、１２４Ａ、１２４Ｂ 電子輸送層
１２５、１２５Ａ、１２５Ｂ 共通電極層
１２６ 封止層
１２７ 接合層
１２８ カラーフィルタ層
１３０ 上部基板
１３１ カラーフィルタ基板DESCRIPTION OFSYMBOLS 1 OrganicEL display device 10, 10V, 10W, 10X, 10Y, 10Z OrganicEL display panel 100Organic EL element 100e Unit pixel 100se Subpixel 100a Self-luminous area 100b Non-self-luminous area 100x Substrate (TFT substrate)
100p base 103gate insulating layer 106 channelprotective layer 116 inorganic insulatinglayer 118interlayer insulating layer 119pixel electrode 135, 135W firstauxiliary electrode layer 135Y thirdauxiliary electrode layer 135Z fourthauxiliary electrode layer 150auxiliary pixel electrode 200 second auxiliaryelectrode Electrode layer 120, 120A, 120BHole injection layer 121 Hole transport layer 122Bank122X Row bank522Y Column bank 123Light emitting layer 124, 124A, 124BElectron transport layer 125, 125A, 125BCommon electrode layer 126Sealing layer 127Bonding layer 128Color Filter layer 130Upper substrate 131 Color filter substrate

Claims (21)

Translated fromJapanese
基板上に複数の画素電極が行列状に配され、各画素電極上に有機発光材料を含む発光層が配されてなる有機ＥＬ表示パネルであって、
基板と、
前記基板の上方に行列状に配された複数の画素電極と、
前記基板の上方において、隣接する前記画素電極の間隙のうちの少なくとも１の間隙内に列又は行方向に延伸して配された第１給電補助電極層と、
前記第１給電補助電極層に重畳して配されたアルミニウムを主成分として含む第２給電補助電極層と、
前記複数の画素電極上に配された複数の発光層と、
前記複数の発光層の上方、前記第１給電補助電極層及び前記第２給電補助電極層を覆って連続して配された共通電極層とを備え、
前記第１給電補助電極層と前記共通電極層とは、少なくとも前記第１給電補助電極層の上面に垂直な壁面上の一部領域において接触しており、
前記第１給電補助電極層は、アルミニウムと異なる金属を主成分として含み、アルミニウムよりも大気中における接触抵抗が低い材料からなる
有機ＥＬ表示パネル。An organic EL display panel in which a plurality of pixel electrodes are arranged in a matrix on a substrate, and a light emitting layer containing an organic light emitting material is arranged on each pixel electrode,
A substrate,
A plurality of pixel electrodes arranged in a matrix above the substrate;
A first power supply auxiliary electrode layer disposed above the substrate and extending in the column or row direction in at least one of the gaps between the adjacent pixel electrodes;
A second power supply auxiliary electrode layer containing as a main component aluminum disposed so as to overlap the first power supply auxiliary electrode layer;
A plurality of light emitting layers disposed on the plurality of pixel electrodes;
A common electrode layer disposed above the plurality of light emitting layers, continuously covering the first power supply auxiliary electrode layer and the second power supply auxiliary electrode layer,
The first power supply auxiliary electrode layer and the common electrode layer are in contact with each other at least in a partial region on the wall surface perpendicular to the upper surface of the first power supply auxiliary electrode layer,
The first power supply auxiliary electrode layer is an organic EL display panel made of a material containing a metal different from aluminum as a main component and having a lower contact resistance in the atmosphere than aluminum. 前記第２給電補助電極層は、少なくとも前記第２給電補助電極層の表層にはアルミニウムの酸化物が形成されている
請求項１に記載の有機ＥＬ表示パネル。The organic EL display panel according to claim 1, wherein the second power supply auxiliary electrode layer has an aluminum oxide formed on at least a surface layer of the second power supply auxiliary electrode layer. さらに、前記第２給電補助電極層と前記共通電極層との間には、前記複数の発光層の上方、前記第１給電補助電極層及び前記第２給電補助電極層を覆って連続して配された１層以上からなる機能層を備え、
前記第１給電補助電極層の一部領域付近において、前記機能層は欠落又は薄層化しており、
前記第１給電補助電極層の厚みは前記発光層上の前記機能層の厚みよりも厚い
請求項１又は２に記載の有機ＥＬ表示パネル。Further, the second power supply auxiliary electrode layer and the common electrode layer are continuously arranged above the light emitting layers, covering the first power supply auxiliary electrode layer and the second power supply auxiliary electrode layer. A functional layer composed of one or more layers,
In the vicinity of a partial region of the first power supply auxiliary electrode layer, the functional layer is missing or thinned,
The organic EL display panel according to claim 1, wherein a thickness of the first power feeding auxiliary electrode layer is thicker than a thickness of the functional layer on the light emitting layer. 前記第２給電補助電極層の表層付近の抵抗は、前記第１給電補助電極層の表層付近の抵抗より高い
請求項１から３の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。4. The organic EL display panel according to claim 1, wherein a resistance near a surface layer of the second power feeding auxiliary electrode layer is higher than a resistance near a surface layer of the first power feeding auxiliary electrode layer. 5. 前記第１給電補助電極層と前記共通電極層との間の接触抵抗は、前記第２給電補助電極層と前記共通電極層との間の接触抵抗より低い
請求項１から４の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。The contact resistance between the first power supply auxiliary electrode layer and the common electrode layer is lower than the contact resistance between the second power supply auxiliary electrode layer and the common electrode layer. An organic EL display panel described in 1. 前記材料のシート抵抗は、アルミニウムのシート抵抗より高い
請求項１から４の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。The organic EL display panel according to any one of claims 1 to 4, wherein the sheet resistance of the material is higher than that of aluminum. 前記アルミニウムと異なる金属は、タングステン、クロム、チタン、モリブデン、ニッケル、銅、ランタン、インジウムから選択される１以上の金属である
請求項１から６の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。The organic EL display panel according to any one of claims 1 to 6, wherein the metal different from aluminum is at least one metal selected from tungsten, chromium, titanium, molybdenum, nickel, copper, lanthanum, and indium. 前記第１給電補助電極層は、ＩＴＯ又はＩＺＯからなる
請求項１から６の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。The organic EL display panel according to claim 1, wherein the first power supply auxiliary electrode layer is made of ITO or IZO. 前記機能層を第１の機能層とするとき、
さらに、前記第２給電補助電極層と前記第１の機能層との間には、前記複数の発光層の下方、前記第１給電補助電極層及び前記第２給電補助電極層の上方に不連続に配された第２の機能層を備える
請求項３の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。When the functional layer is a first functional layer,
Further, there is a discontinuity between the second power supply auxiliary electrode layer and the first functional layer below the plurality of light emitting layers and above the first power supply auxiliary electrode layer and the second power supply auxiliary electrode layer. The organic EL display panel according to claim 3, further comprising a second functional layer disposed on the organic EL display panel. さらに、前記第２給電補助電極層と前記機能層との間には、前記複数の発光層の下方、前記第１給電補助電極層及び前記第２給電補助電極層の上方に不連続に配されたＩＴＯ又はＩＺＯからなる透明導電層を備える
請求項３の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。Furthermore, the second power supply auxiliary electrode layer and the functional layer are discontinuously disposed below the plurality of light emitting layers and above the first power supply auxiliary electrode layer and the second power supply auxiliary electrode layer. The organic electroluminescence display panel according to claim 3, further comprising a transparent conductive layer made of ITO or IZO. 前記共通電極層は、ＩＴＯ又はＩＺＯからなる透明導電層を含む
請求項１から１０の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。The organic EL display panel according to claim 1, wherein the common electrode layer includes a transparent conductive layer made of ITO or IZO. 前記共通電極層は、銀を主成分とする金属電極層を含む
請求項１から１１の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。The organic EL display panel according to claim 1, wherein the common electrode layer includes a metal electrode layer containing silver as a main component. 前記基板上方に樹脂を主成分とする平坦下部層と平坦化上部層からなる平坦化層を備え、
前記平坦化下部層と前記平坦化上部層とのとの間には、列又は行方向に延伸して配された、第３給電補助電極層とを備え、
前記平坦化上部層には前記第３給電補助電極層の上面までを貫通するコンタクトホールが開設されており、前記第１給電補助電極層が前記第３補助電極層と前記コンタクトホールを介して電気的に接続されており、
前記共通電極層は、前記コンタクトホールに内周面と底面とに連続して配されており、
前記第３給電補助電極層と前記共通電極層とは、前記第１給電補助電極層を介して電気的に接続されている
請求項１から１２の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。A flattening layer comprising a flat lower layer mainly composed of a resin and a flattening upper layer above the substrate,
Between the flattening lower layer and the flattening upper layer, a third power supply auxiliary electrode layer arranged to extend in a column or row direction,
A contact hole penetrating up to the upper surface of the third power supply auxiliary electrode layer is formed in the flattening upper layer, and the first power supply auxiliary electrode layer is electrically connected to the third auxiliary electrode layer and the contact hole. Connected,
The common electrode layer is continuously arranged in the contact hole on the inner peripheral surface and the bottom surface,
The organic EL display panel according to any one of claims 1 to 12, wherein the third power supply auxiliary electrode layer and the common electrode layer are electrically connected via the first power supply auxiliary electrode layer. さらに、前記コンタクトホールの底面と前記コンタクトホール内の前記共通電極層との間には機能層が配されており、
前記コンタクトホールの深さは前記機能層の厚みよりも厚く、前記第１給電補助電極層と前記共通電極層とは、少なくとも前記第１給電補助電極層における前記コンタクトホールに内周面上の一部領域において接触している
請求項１３に記載の有機ＥＬ表示パネル。Furthermore, a functional layer is disposed between the bottom surface of the contact hole and the common electrode layer in the contact hole,
The depth of the contact hole is greater than the thickness of the functional layer, and the first power supply auxiliary electrode layer and the common electrode layer are at least one on the inner peripheral surface of the contact hole in the first power supply auxiliary electrode layer. The organic EL display panel according to claim 13, which is in contact in a partial area. 前記基板は、ＴＦＴ基板と、ＴＦＴ基板上方に樹脂を主成分とする絶縁層とを含み、
前記基板上方に樹脂を主成分とする平坦化層を備え、
前記ＴＦＴ基板と前記絶縁層との間には、列又は行方向に延伸して配された第４給電補助電極層を備え、
前記平坦化層には、当該平坦化層上面から前記第４給電補助電極層の下面までを貫通するコンタクトホールが開設されており、前記第１給電補助電極層が前記第４補助電極層と前記コンタクトホールを介して電気的に接続されており、
前記共通電極層は、前記コンタクトホールに内周面と底面とに連続して配されており、 前記第４給電補助電極層と前記共通電極層とは、前記第１給電補助電極層を介して電気的に接続されている
請求項１から１２の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。The substrate includes a TFT substrate and an insulating layer mainly composed of a resin above the TFT substrate,
A planarizing layer mainly composed of a resin is provided above the substrate,
Between the TFT substrate and the insulating layer is provided with a fourth power supply auxiliary electrode layer arranged extending in the column or row direction,
The planarization layer has a contact hole penetrating from the upper surface of the planarization layer to the lower surface of the fourth power supply auxiliary electrode layer, and the first power supply auxiliary electrode layer is connected to the fourth auxiliary electrode layer and the fourth power supply electrode layer. Are electrically connected through contact holes,
The common electrode layer is continuously disposed in the contact hole on an inner peripheral surface and a bottom surface, and the fourth power supply auxiliary electrode layer and the common electrode layer are interposed via the first power supply auxiliary electrode layer. The organic EL display panel according to claim 1, wherein the organic EL display panel is electrically connected. さらに、前記基板における前記コンタクトホールの底面と前記コンタクトホール内の前記共通電極層との間には機能層が配されており、
前記コンタクトホールの深さは前記機能層の厚みよりも厚く、前記第１給電補助電極層と前記共通電極層とは、少なくとも前記第１給電補助電極層における前記コンタクトホールに内周面上の一部領域において接触している
請求項１５に記載の有機ＥＬ表示パネル。Furthermore, a functional layer is disposed between the bottom surface of the contact hole in the substrate and the common electrode layer in the contact hole,
The depth of the contact hole is greater than the thickness of the functional layer, and the first power supply auxiliary electrode layer and the common electrode layer are at least one on the inner peripheral surface of the contact hole in the first power supply auxiliary electrode layer. The organic EL display panel according to claim 15, which is in contact in a partial area. 前記基板は、ＴＦＴ基板と、ＴＦＴ基板上方に樹脂を主成分とする絶縁層とを含み、
前記基板上方に樹脂を主成分とする平坦下部層と平坦化上部層からなる平坦化層を備え、
前記平坦化下部層と前記平坦化上部層との間には、列又は行方向に延伸して配された、第３給電補助電極層を備え、
前記ＴＦＴ基板と前記絶縁層との間には、列又は行方向に延伸して配された第４給電補助電極層を備え、
前記平坦化下部層、前記平坦化上部層、及び前記絶縁層には前記第４給電補助電極層の上面までを貫通するコンタクトホールが開設されており、
前記第１給電補助電極層は前記第３補助電極層と前記コンタクトホールを介して電気的に接続されており、
前記第３給電補助電極層は前記第４補助電極層と前記コンタクトホールを介して電気的に接続されており、
前記共通電極層は、前記コンタクトホールに内周面と底面とに連続して配されており、
前記第３給電補助電極層及び前記第４補助電極層と、前記共通電極層とは、前記第１給電補助電極層を介して電気的に接続されている
請求項１から１２の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。The substrate includes a TFT substrate and an insulating layer mainly composed of a resin above the TFT substrate,
A flattening layer comprising a flat lower layer mainly composed of a resin and a flattening upper layer above the substrate,
Between the flattening lower layer and the flattening upper layer, a third power supply auxiliary electrode layer disposed extending in the column or row direction is provided,
Between the TFT substrate and the insulating layer is provided with a fourth power supply auxiliary electrode layer arranged extending in the column or row direction,
A contact hole is formed in the planarization lower layer, the planarization upper layer, and the insulating layer so as to penetrate to the upper surface of the fourth power supply auxiliary electrode layer.
The first power supply auxiliary electrode layer is electrically connected to the third auxiliary electrode layer through the contact hole,
The third power supply auxiliary electrode layer is electrically connected to the fourth auxiliary electrode layer via the contact hole;
The common electrode layer is continuously arranged in the contact hole on the inner peripheral surface and the bottom surface,
The third power supply auxiliary electrode layer, the fourth auxiliary electrode layer, and the common electrode layer are electrically connected via the first power supply auxiliary electrode layer. An organic EL display panel described in 1. さらに、前記コンタクトホールの底面と前記コンタクトホール内の前記共通電極層との間には機能層が配されており、
前記コンタクトホールの深さは前記機能層の厚みよりも厚く、前記第１給電補助電極層と前記共通電極層とは、少なくとも前記第１給電補助電極層における前記コンタクトホールに内周面上の一部領域において接触している
請求項１７に記載の有機ＥＬ表示パネル。Furthermore, a functional layer is disposed between the bottom surface of the contact hole and the common electrode layer in the contact hole,
The depth of the contact hole is greater than the thickness of the functional layer, and the first power supply auxiliary electrode layer and the common electrode layer are at least one on the inner peripheral surface of the contact hole in the first power supply auxiliary electrode layer. The organic EL display panel according to claim 17, wherein the organic EL display panel is in contact in a partial area. 基板上に複数の画素電極が行列状に配され、各画素電極上に有機発光材料を含む発光層が配されてなる有機ＥＬ表示パネルの製造方法であって、
基板を準備する工程と、
前記基板の上方に行列状に複数の画素電極を形成する工程と、
前記基板の上方において、隣接する前記画素電極の間隙のうちの少なくとも１の間隙内に列又は行方向に延伸して、アルミニウムと異なる金属を主成分として含み、アルミニウムよりも大気中における接触抵抗が低い材料からなる第１給電補助電極層を形成する工程と、
前記第１給電補助電極層上に前記第１給電補助電極層と同じ方向に延伸して、前記第１給電補助電極層に重畳して、アルミニウムを主成分として含む第２給電補助電極層を形成する工程と、
前記複数の画素電極上に複数の発光層を形成する工程と、
前記複数の発光層の上方、前記第１給電補助電極層及び前記第２給電補助電極層を覆って連続して、かつ、前記第１給電補助電極層と前記共通電極層とは、少なくとも前記第１給電補助電極層の上面に垂直な壁面上の一部領域において接するように、共通電極層をスパッタリング法により形成する工程とを有する
有機ＥＬ表示パネルの製造方法。A method of manufacturing an organic EL display panel in which a plurality of pixel electrodes are arranged in a matrix on a substrate, and a light emitting layer containing an organic light emitting material is arranged on each pixel electrode,
Preparing a substrate;
Forming a plurality of pixel electrodes in a matrix above the substrate;
Above the substrate, it extends in the column or row direction in at least one of the gaps between the adjacent pixel electrodes, and contains a metal different from aluminum as a main component, and has a contact resistance in the atmosphere higher than that of aluminum. Forming a first power supply auxiliary electrode layer made of a low material;
A second power supply auxiliary electrode layer containing aluminum as a main component is formed on the first power supply auxiliary electrode layer by extending in the same direction as the first power supply auxiliary electrode layer and overlapping the first power supply auxiliary electrode layer. And a process of
Forming a plurality of light emitting layers on the plurality of pixel electrodes;
Above the plurality of light emitting layers, continuously covering the first power supply auxiliary electrode layer and the second power supply auxiliary electrode layer, and the first power supply auxiliary electrode layer and the common electrode layer are at least the first Forming a common electrode layer by a sputtering method so as to be in contact with a partial region on a wall surface perpendicular to the upper surface of one power feeding auxiliary electrode layer. さらに、前記第２給電補助電極層と前記共通電極層との間に、前記複数の発光層の上方、前記第１給電補助電極層及び前記第２給電補助電極層を覆って連続して１層以上からなり、前記第１給電補助電極層の厚みよりも薄い機能層を真空蒸着法により形成する工程を有する
請求項１９に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。Further, one layer continuously between the second power supply auxiliary electrode layer and the common electrode layer, covering the first power supply auxiliary electrode layer and the second power supply auxiliary electrode layer above the plurality of light emitting layers. The method for manufacturing an organic EL display panel according to claim 19, further comprising a step of forming a functional layer thinner than the thickness of the first power supply auxiliary electrode layer by a vacuum deposition method. 前記機能層は、前記第１給電補助電極層の一部領域付近において欠落又は薄層化して形成される
請求項２０に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。The method for manufacturing an organic EL display panel according to claim 20, wherein the functional layer is formed by being missing or thinned in the vicinity of a partial region of the first power supply auxiliary electrode layer.
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