JP2018041935A - Split method - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To suppress the decrease in etching rate of plasma etching on a wafer in which a metal member is formed in each region which coincides with a street.SOLUTION: A dividing method comprises the steps of: (ST1, ST2) forming a first protection film on a surface of a wafer, and forming, by lamination, a second protection film on the first protection film, which is different from the first protection film in removal characteristics; (ST3) applying a laser light to the wafer along each street from a front face side of the wafer with the first and second protection films formed thereon to remove the first and second protection films and metal member on each street; (ST4) removing, from the wafer, debris depositing on the second protection film together with the second protection film; and (ST5) plasma etching the wafer while using the first protection film as a mask to form a groove along each street and then dividing the wafer.SELECTED DRAWING: Figure 3

Description

Translated fromJapanese

本発明は、基板の表面側をストリートで区画した複数の領域にデバイスが形成されたウエーハを当該ストリートに沿って分割する分割方法に関する。  The present invention relates to a dividing method for dividing a wafer in which devices are formed in a plurality of regions obtained by partitioning the surface side of a substrate with a street along the street.

従来、この種のウエーハの分割方法として、ウエーハにプラズマエッチングを施してストリートに溝を形成し、ウエーハを複数のデバイスチップに分割する技術が知られている。例えば、特許文献１には、ウエーハの表面にエッチング耐性を備える水溶性保護膜を被膜し、基板のストリートに対応する部分にレーザー光を照射して基板を露出させ、露出したストリート部分にプラズマエッチングを施す分割方法が開示されている。プラズマエッチングを用いることで、ウエーハ全面にエッチング処理を一括で施すことができるため、ウエーハの大小に拘わらず処理時間を増大させないようにすることが可能となる。  Conventionally, as a method for dividing a wafer of this type, a technique is known in which plasma etching is performed on a wafer to form a groove in a street, and the wafer is divided into a plurality of device chips. For example, in Patent Document 1, a water-soluble protective film having etching resistance is coated on the surface of a wafer, the substrate is exposed by irradiating a portion corresponding to the street of the substrate with laser light, and plasma etching is performed on the exposed street portion. A dividing method for performing the above is disclosed. By using plasma etching, the entire wafer surface can be etched all at once, so that the processing time can be prevented from increasing regardless of the size of the wafer.

米国特許第８７０３５８１号明細書US Pat. No. 8,703,581

デバイスが形成されたウエーハでは、デバイスの設計、製造上の問題を見つけ出すために、ストリートと重なる領域に金属部材（金属パターン）を形成することがある。金属部材が形成されたウエーハにプラズマエッチングを施すためには、例えばレーザーアブレーション加工によって当該金属部材や上記特許文献１に記載のような保護膜をパターニング除去し、ストリート部分の基板を露出させる必要がある。しかしながら、ストリート上の金属部材や保護膜をアブレーションすると、除去された金属部材や基板を構成する物質の一部がデブリとなって保護膜上に堆積する。保護膜上に堆積したデブリは、ウエーハにプラズマエッチングを施す際のエッチングレートの低下の要因となるおそれがある。  In a wafer on which a device is formed, a metal member (metal pattern) may be formed in an area overlapping with a street in order to find out a problem in designing and manufacturing the device. In order to perform plasma etching on a wafer on which a metal member is formed, it is necessary to pattern-remove the metal member or the protective film described in Patent Document 1 by laser ablation, for example, to expose the substrate in the street portion. is there. However, when the metal member or the protective film on the street is ablated, a part of the removed metal member or the substance constituting the substrate becomes debris and accumulates on the protective film. The debris deposited on the protective film may cause a decrease in the etching rate when plasma etching is performed on the wafer.

本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、ストリートと重なる領域に金属部材が形成されたウエーハにおいて、プラズマエッチングのエッチングレートの低下を抑制することができるウエーハの分割方法の提供を目的とする。  The present invention has been made in view of the above, and an object of the present invention is to provide a wafer dividing method capable of suppressing a decrease in the etching rate of plasma etching in a wafer in which a metal member is formed in an area overlapping with a street. And

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、基板の表面側をストリートで区画した複数の領域にデバイスが形成され、該ストリートと重なる領域に金属部材が形成されたウエーハを該ストリートに沿って分割する分割方法であって、該表面に第１保護膜を形成し、該第１保護膜上に該第１保護膜とは除去特性が異なる第２保護膜を積層形成する工程と、該第１、第２保護膜が形成されたウエーハの該表面側から該ストリートに沿ってレーザー光を照射してストリート上の該第１、第２保護膜および該金属部材を除去する工程と、次いで、該ウエーハから該第２保護膜とともにウエーハにレーザー光を照射することにより該第２保護膜上に付着したデブリを除去する工程と、該第１保護膜をマスクとしてプラズマエッチングして、該ストリートに沿って溝を形成し、該ウエーハを分割する工程と、を備える。  In order to solve the above-described problems and achieve the object, the present invention provides a wafer in which a device is formed in a plurality of regions in which the surface side of a substrate is partitioned by a street, and a metal member is formed in a region overlapping the street. In this dividing method, the first protective film is formed on the surface, and a second protective film having different removal characteristics from the first protective film is formed on the first protective film. And removing the first and second protective films and the metal member on the street by irradiating laser light along the street from the surface side of the wafer on which the first and second protective films are formed. A step of removing debris adhering to the second protective film by irradiating the wafer together with the second protective film from the wafer, and plasma etching using the first protective film as a mask. The A groove is formed along the streets, and a step of dividing the wafer.

また、該第１保護膜は水溶性であり、該第２保護膜は非水溶性であることが好ましい。  The first protective film is preferably water-soluble, and the second protective film is preferably water-insoluble.

また、該第１保護膜は非水溶性であり、該第２保護膜は水溶性であることが好ましい。  The first protective film is preferably water-insoluble and the second protective film is preferably water-soluble.

本発明にかかる分割方法は、デブリの影響を受けることなくウエーハにプラズマエッチングを施すことができる。従って、本発明にかかる分割方法は、ストリートと重なる領域に金属部材が形成されたウエーハにおいて、プラズマエッチングのエッチングレートの低下を抑制することができるという効果を奏する。  The dividing method according to the present invention can perform plasma etching on a wafer without being affected by debris. Therefore, the dividing method according to the present invention has an effect that it is possible to suppress a decrease in the etching rate of plasma etching in a wafer in which a metal member is formed in a region overlapping with a street.

図１は、実施形態にかかるウエーハの分割方法の加工対象であるウエーハを示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing a wafer that is a processing target of the wafer dividing method according to the embodiment.図２は、図１中のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line II-II in FIG.図３は、実施形態にかかるウエーハの分割方法の流れを示すフローチャートである。FIG. 3 is a flowchart illustrating the flow of the wafer dividing method according to the embodiment.図４は、実施形態にかかるウエーハの分割方法を実施する加工設備の構成の一例を示す模式図である。FIG. 4 is a schematic diagram illustrating an example of a configuration of a processing facility that performs the wafer dividing method according to the embodiment.図５は、実施形態にかかるウエーハの分割方法を実施する加工設備の構成の一例を示す模式図である。FIG. 5 is a schematic diagram illustrating an example of a configuration of a processing facility that performs the wafer dividing method according to the embodiment.図６は、第１保護膜形成工程を実施する様子を示す断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view showing a state in which the first protective film forming step is performed.図７は、レーザー加工装置を示す説明図である。FIG. 7 is an explanatory view showing a laser processing apparatus.図８は、レーザー加工装置に含まれる第２保護膜形成兼除去部を示す説明図である。FIG. 8 is an explanatory view showing a second protective film forming / removing part included in the laser processing apparatus.図９は、レーザーアブレーション工程を実施する様子を示す断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view showing how the laser ablation process is performed.図１０は、レーザーアブレーション加工後のウエーハを示す断面図である。FIG. 10 is a cross-sectional view showing the wafer after laser ablation processing.図１１は、第２保護膜を除去したウエーハを示す断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view showing the wafer from which the second protective film has been removed.図１２は、プラズマエッチング装置を示す説明図である。FIG. 12 is an explanatory view showing a plasma etching apparatus.図１３は、溝形成工程を実施する様子を示す断面図である。FIG. 13 is a cross-sectional view showing how the groove forming step is performed.図１４は、プラズマエッチング後のウエーハを示す断面図である。FIG. 14 is a cross-sectional view showing the wafer after plasma etching.図１５は、第１保護膜除去工程を実施する様子を示す断面図である。FIG. 15 is a cross-sectional view illustrating a state in which the first protective film removal step is performed.図１６は、第１保護膜が除去されたウエーハ（デバイスチップ）を示す断面図である。FIG. 16 is a cross-sectional view showing the wafer (device chip) from which the first protective film has been removed.図１７は、変形例にかかる加工設備の構成を示す図である。FIG. 17 is a diagram illustrating a configuration of a processing facility according to a modification.図１８は、他の変形例にかかる加工設備の構成を示す図である。FIG. 18 is a diagram illustrating a configuration of a processing facility according to another modification.

本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。  DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Embodiments (embodiments) for carrying out the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The present invention is not limited by the contents described in the following embodiments. The constituent elements described below include those that can be easily assumed by those skilled in the art and those that are substantially the same. Furthermore, the structures described below can be combined as appropriate. Various omissions, substitutions, or changes in the configuration can be made without departing from the scope of the present invention.

実施形態にかかるウエーハの分割方法について、図面を参照して説明する。図１は、実施形態にかかるウエーハの分割方法の加工対象であるウエーハを示す斜視図である。図２は、図１中のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。  A wafer dividing method according to an embodiment will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a perspective view showing a wafer that is a processing target of the wafer dividing method according to the embodiment. FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line II-II in FIG.

実施形態にかかるウエーハの分割方法は、図１に示すウエーハＷを分割する分割方法である。図１に示すウエーハＷは、実施形態ではシリコン、サファイア、ガリウムヒ素などを基板Ｓとする円板状の半導体ウエーハや光デバイスウエーハである。ウエーハＷは、図１に示すように、表面ＷＳの交差する複数のストリート（分割予定ライン）Ｌによって区画された基板Ｓ上の各領域に、それぞれデバイスＤが形成されている。ウエーハＷは、複数のデバイスＤが基板Ｓ上に形成されている。実施形態にかかるウエーハＷは、ストリートＬの幅が数十μｍ程度以下で、かつデバイスＤの大きさが０．１ｍｍ以上かつ２０ｍｍ以下であり、プラズマエッチングにより複数のデバイスチップＤＴ（図１５参照）に分割されるのが好適なものである。また、実施形態にかかるウエーハＷの厚さは、３０μｍ以上で且つ３００μｍ以下である。なお、デバイスチップＤＴは、基板Ｓの一部とデバイスＤとを含んで構成される。  The wafer dividing method according to the embodiment is a dividing method for dividing the wafer W shown in FIG. A wafer W shown in FIG. 1 is a disk-shaped semiconductor wafer or optical device wafer having a substrate S of silicon, sapphire, gallium arsenide, or the like in the embodiment. In the wafer W, as shown in FIG. 1, devices D are formed in each region on the substrate S defined by a plurality of streets (division planned lines) L where the surface WS intersects. In the wafer W, a plurality of devices D are formed on the substrate S. In the wafer W according to the embodiment, the width of the street L is about several tens of μm or less, the size of the device D is 0.1 mm or more and 20 mm or less, and a plurality of device chips DT are formed by plasma etching (see FIG. 15). It is preferable to be divided into two. Further, the thickness of the wafer W according to the embodiment is 30 μm or more and 300 μm or less. The device chip DT includes a part of the substrate S and the device D.

本実施形態において、デバイスＤは、ＭＯＳＦＥＴ（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）である。ウエーハＷのデバイスＤは、ＩＣ(Integrated Circuit)又はソースドレインなどの回路を備える。また、ウエーハＷは、図２に示すように、基板ＳとデバイスＤとの間に、絶縁膜としての機能層ＦＬが形成されている。機能層ＦＬを形成する絶縁膜は、ＳｉＯ_２膜または、ＳｉＯＦ、ＢＳＧ（ＳｉＯＢ）等の無機物系の膜やポリイミド系、パリレン系等のポリマー膜である有機物系の膜からなる低誘電率絶縁体被膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）からなる。なお、機能層ＦＬは、ウエーハＷから省略してもよい。また、ウエーハＷは、裏面ＷＲ全面に電極となる金属膜が形成されていてもよい。In the present embodiment, the device D is a MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor). The device D of the wafer W includes a circuit such as an IC (Integrated Circuit) or a source / drain. In the wafer W, as shown in FIG. 2, a functional layer FL as an insulating film is formed between the substrate S and the device D. The insulating film for forming the functional layer FL is a low dielectric constant insulator made of an SiO₂ film, an inorganic film such as SiOF or BSG (SiOB), or an organic film such as a polymer film such as polyimide or parylene. It consists of a coating (Low-k film). Note that the functional layer FL may be omitted from the wafer W. In addition, the wafer W may have a metal film serving as an electrode formed on the entire back surface WR.

ウエーハＷのストリートＬに対応する箇所は、機能層ＦＬが除去されており、ＴＥＧ（Test Element Group）等の金属部材Ｍが設けられている。金属部材Ｍは、デバイスＤの設計、製造上の問題を見つけ出すための金属パターンである。金属部材Ｍは、プラズマエッチングにより除去が困難な導電性の金属により構成される。なお、図２に示されたウエーハＷのストリートＬに設けられた金属部材Ｍは、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）用のダミーパターンでも良い。  The functional layer FL is removed from a location corresponding to the street L of the wafer W, and a metal member M such as a TEG (Test Element Group) is provided. The metal member M is a metal pattern for finding out problems in designing and manufacturing the device D. The metal member M is made of a conductive metal that is difficult to remove by plasma etching. Note that the metal member M provided on the street L of the wafer W shown in FIG. 2 may be a dummy pattern for CMP (Chemical Mechanical Polishing).

さらに、ウエーハＷは、図２に示すように、デバイスＤ、金属部材Ｍおよび機能層ＦＬの一部の表面に形成された第１保護膜Ｆ１と、第１保護膜Ｆ１上に積層して形成された第２保護膜Ｆ２とを備える。第１保護膜Ｆ１は、エッチング耐性を備えた保護膜である。本実施形態において、第１保護膜Ｆ１は、非水溶性かつ有機溶剤等の溶液（剥離液）により溶解される（剥離される）保護膜であり、例えばレジスト膜剤で形成される。第２保護膜Ｆ２は、第１保護膜Ｆ１とは除去特性が異なる保護膜である。本実施形態において、第２保護膜Ｆ２は、水溶性の保護膜であり、例えばポリビニルアルコール（polyvinyl alcohol：ＰＶＡ）やポリビニルピロリドン（polyvinyl pyrrolidone：ＰＶＰ）といった水溶性の樹脂材料等で形成される。すなわち、本実施形態において、第１保護膜Ｆ１と第２保護膜Ｆ２とは、第２保護膜Ｆ２を溶解させる際に使用する溶液に対する溶解特性が異なるものである。  Further, as shown in FIG. 2, the wafer W is formed by laminating the first protective film F1 formed on a part of the surface of the device D, the metal member M, and the functional layer FL, and the first protective film F1. Second protective film F2. The first protective film F1 is a protective film having etching resistance. In the present embodiment, the first protective film F1 is a water-insoluble protective film that is dissolved (peeled) by a solution (stripping solution) such as an organic solvent, and is formed of, for example, a resist film agent. The second protective film F2 is a protective film having different removal characteristics from the first protective film F1. In the present embodiment, the second protective film F2 is a water-soluble protective film, and is formed of a water-soluble resin material such as polyvinyl alcohol (PVA) or polyvinyl pyrrolidone (PVP). That is, in the present embodiment, the first protective film F1 and the second protective film F2 have different solubility characteristics with respect to the solution used when the second protective film F2 is dissolved.

次に、実施形態にかかるデバイスウエーハの分割方法について説明する。図３は、実施形態にかかるウエーハの分割方法の流れを示すフローチャートである。図４および図５は、実施形態にかかるウエーハの分割方法を実施する加工設備の構成の一例を示す模式図である。図６は、第１保護膜形成工程を実施する様子を示す断面図である。図７は、レーザー加工装置を示す説明図である。図８は、レーザー加工装置に含まれる第２保護膜形成兼除去部を示す説明図である。図９は、レーザーアブレーション工程を実施する様子を示す断面図である。図１０は、レーザーアブレーション加工後のウエーハを示す断面図である。図１１は、第２保護膜を除去したウエーハを示す断面図である。図１２は、プラズマエッチング装置を示す説明図である。図１３は、溝形成工程を実施する様子を示す断面図である。図１４は、プラズマエッチング後のウエーハを示す断面図である。図１５は、第１保護膜除去工程を実施する様子を示す断面図である。図１６は、第１保護膜が除去されたウエーハ（デバイスチップ）を示す断面図である。  Next, a method for dividing the device wafer according to the embodiment will be described. FIG. 3 is a flowchart illustrating the flow of the wafer dividing method according to the embodiment. FIG. 4 and FIG. 5 are schematic diagrams illustrating an example of a configuration of a processing facility that performs the wafer dividing method according to the embodiment. FIG. 6 is a cross-sectional view showing a state in which the first protective film forming step is performed. FIG. 7 is an explanatory view showing a laser processing apparatus. FIG. 8 is an explanatory view showing a second protective film forming / removing part included in the laser processing apparatus. FIG. 9 is a cross-sectional view showing how the laser ablation process is performed. FIG. 10 is a cross-sectional view showing the wafer after laser ablation processing. FIG. 11 is a cross-sectional view showing the wafer from which the second protective film has been removed. FIG. 12 is an explanatory view showing a plasma etching apparatus. FIG. 13 is a cross-sectional view showing how the groove forming step is performed. FIG. 14 is a cross-sectional view showing the wafer after plasma etching. FIG. 15 is a cross-sectional view illustrating a state in which the first protective film removal step is performed. FIG. 16 is a cross-sectional view showing the wafer (device chip) from which the first protective film has been removed.

実施形態にかかるデバイスウエーハの分割方法は、図３に示すように、第１保護膜形成工程ＳＴ１と、第２保護膜形成工程ＳＴ２と、レーザーアブレーション工程ＳＴ３と、第２保護膜除去工程ＳＴ４と、溝形成工程ＳＴ５と、第１保護膜除去工程ＳＴ６とを備える。  As shown in FIG. 3, the device wafer dividing method according to the embodiment includes a first protective film forming step ST1, a second protective film forming step ST2, a laser ablation step ST3, and a second protective film removing step ST4. And a groove forming step ST5 and a first protective film removing step ST6.

本実施形態において、図３に示す各工程を実施する加工設備１００は、図４に示すように、第１保護膜形成工程ＳＴ１を実施する第１保護膜形成装置１０と、第２保護膜形成工程ＳＴ２、レーザーアブレーション工程ＳＴ３、および第２保護膜除去工程ＳＴ４を実施するレーザー加工装置２０と、溝形成工程ＳＴ５を実施するプラズマエッチング装置４０と、第１保護膜除去工程ＳＴ６を実施する第１保護膜除去装置６０とを備える。また、加工設備１００は、図５に示すように、第１保護膜形成装置１０と、レーザー加工装置２０と、プラズマエッチング装置４０と、第１保護膜除去装置６０の間でウエーハＷを搬送するインターフェース１０１を備える。また、実施形態にかかるウエーハの分割方法を実施する加工設備は、ロボットを含む搬送部を中心にして各装置（各処理部）が周囲に配設されたクラスタ型のシステムであってもよい（図示せず）。  In the present embodiment, theprocessing facility 100 that performs each step shown in FIG. 3 includes, as shown in FIG. 4, a first protectivefilm forming apparatus 10 that performs a first protective film forming step ST1, and a second protective film formation. Thelaser processing apparatus 20 that performs the process ST2, the laser ablation process ST3, and the second protective film removing process ST4, theplasma etching apparatus 40 that performs the groove forming process ST5, and the first that performs the first protective film removing process ST6. And a protectivefilm removing device 60. Further, as shown in FIG. 5, theprocessing facility 100 conveys the wafer W among the first protectivefilm forming apparatus 10, thelaser processing apparatus 20, theplasma etching apparatus 40, and the first protectivefilm removing apparatus 60. Aninterface 101 is provided. In addition, the processing equipment for performing the wafer dividing method according to the embodiment may be a cluster system in which each device (each processing unit) is arranged around a transport unit including a robot ( Not shown).

第１保護膜形成工程ＳＴ１は、ウエーハＷのデバイスＤ、機能層ＦＬの一部および金属部材Ｍの表面に非水溶性の第１保護膜Ｆ１を被膜する工程である。図６に示すように、第１保護膜形成工程ＳＴ１では、保護部材としてのダイシングテープＴに貼着されたウエーハＷの裏面ＷＲ側を第１保護膜形成装置１０のスピンナテーブル１１に吸着保持させ、当該スピンナテーブル１１を軸心回りに回転させながら、ウエーハＷに例えばレジスト膜剤といった第１保護膜溶液を第１保護膜形成装置１０のノズル１２から供給する。これにより、ウエーハＷのデバイスＤ、機能層ＦＬの一部および金属部材Ｍ上に、非水溶性かつ有機溶剤等の溶液により溶解される第１保護膜Ｆ１が被膜される。なお、本実施形態においては、環状フレームＦ（図７参照）に取り付けられたダイシングテープＴを保護部材として用いるものとしたが、保護部材は、樹脂や硬質の材料から形成される基板であってもよい。  The first protective film forming step ST1 is a step of coating the water-insoluble first protective film F1 on the surface of the device D of the wafer W, a part of the functional layer FL, and the metal member M. As shown in FIG. 6, in the first protective film forming step ST <b> 1, the back surface WR side of the wafer W adhered to the dicing tape T as a protective member is attracted and held on the spinner table 11 of the first protectivefilm forming apparatus 10. The first protective film solution such as a resist film agent is supplied to the wafer W from thenozzle 12 of the first protectivefilm forming apparatus 10 while rotating the spinner table 11 about the axis. As a result, the first protective film F1 which is dissolved in a water-insoluble solution such as an organic solvent is coated on the device D of the wafer W, a part of the functional layer FL, and the metal member M. In the present embodiment, the dicing tape T attached to the annular frame F (see FIG. 7) is used as a protective member. However, the protective member is a substrate formed of a resin or a hard material. Also good.

次に、第２保護膜形成工程ＳＴ２、レーザーアブレーション工程ＳＴ３、および第２保護膜除去工程ＳＴ４を図７に示すレーザー加工装置２０を用いて順次実施する。レーザー加工装置２０は、図示するように、チャックテーブル２１と、レーザー光照射部２２と、ウエーハＷを収容するカセット２３と、第２保護膜形成兼除去部３０とを備える。  Next, the second protective film forming step ST2, the laser ablation step ST3, and the second protective film removing step ST4 are sequentially performed using thelaser processing apparatus 20 shown in FIG. As shown in the figure, thelaser processing apparatus 20 includes a chuck table 21, a laserbeam irradiation unit 22, acassette 23 for storing a wafer W, and a second protective film formation /removal unit 30.

チャックテーブル２１は、表面を構成する部分がポーラスセラミック等から形成された円板形状であり、図示しない真空吸引経路を介して図示しない真空吸引源と接続され、表面に載置されたウエーハＷを吸引することで当該ウエーハＷを保持する。チャックテーブル２１は、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に移動自在に設けられる。  The chuck table 21 has a disk shape in which a portion constituting the surface is made of porous ceramic or the like. The chuck table 21 is connected to a vacuum suction source (not shown) via a vacuum suction path (not shown), and a wafer W placed on the surface is attached to the chuck table 21. The wafer W is held by suction. The chuck table 21 is provided to be movable in the X-axis direction and the Y-axis direction.

レーザー光照射部２２は、チャックテーブル２１に保持されたウエーハＷの表面ＷＳにレーザーアブレーション加工を施す。レーザー光照射部２２は、レーザー光を発振する発振手段２２ａと、レーザー光の繰り返し周波数の設定する周波数設定手段２２ｂと、レーザー光の出力を調整する出力調整手段２２ｃと、発振手段２２ａで発振されたレーザー光を集光する集光器２２ｄとを有する。レーザー光照射部２２は、チャックテーブル２１に保持されたウエーハＷに対して、Ｚ軸方向に移動自在に設けられる。  The laserbeam irradiation unit 22 performs laser ablation processing on the surface WS of the wafer W held on the chuck table 21. The laserbeam irradiation unit 22 is oscillated by anoscillation unit 22a that oscillates the laser beam, afrequency setting unit 22b that sets a repetition frequency of the laser beam, anoutput adjustment unit 22c that adjusts the output of the laser beam, and anoscillation unit 22a. And acondenser 22d for condensing the laser light. The laserbeam irradiation unit 22 is provided so as to be movable in the Z-axis direction with respect to the wafer W held on the chuck table 21.

カセット２３は、環状フレームＦに取り付けられたダイシングテープＴに裏面ＷＲが貼着されたウエーハＷを複数枚収容するものである。カセット２３は、図示しないカセットエレベータによりＺ軸方向に移動自在に設けられる。  Thecassette 23 accommodates a plurality of wafers W each having a back surface WR attached to a dicing tape T attached to the annular frame F. Thecassette 23 is provided so as to be movable in the Z-axis direction by a cassette elevator (not shown).

第２保護膜形成兼除去部３０は、レーザーアブレーション加工前のウエーハＷが第１搬送手段２４により搬送されてきて、このレーザーアブレーション加工前のウエーハＷに第２保護膜Ｆ２を形成するものである。また、第２保護膜形成兼除去部３０は、レーザーアブレーション加工後のウエーハＷが第２搬送手段２５により搬送されてきて、このレーザーアブレーション加工後のウエーハＷの第２保護膜Ｆ２を除去するものである。  The second protective film formation /removal unit 30 is configured to form the second protective film F2 on the wafer W before the laser ablation processing, when the wafer W before the laser ablation processing is transported by the first transport means 24. . The second protective film forming /removal unit 30 removes the second protective film F2 of the wafer W after the laser ablation processing after the wafer W after the laser ablation processing is transported by the second transport means 25. It is.

第２保護膜形成兼除去部３０は、図８に示すように、レーザーアブレーション加工前後のウエーハＷを保持するスピンナテーブル３１と、スピンナテーブル３１をＺ軸周りに回転させる電動モータ３２と、スピンナテーブル３１上に保持されたウエーハＷに第２保護膜Ｆ２を形成する水溶性の第２保護膜溶液を供給する保護膜溶液供給ノズル３３と、スピンナテーブル３１上のレーザーアブレーション加工後のウエーハＷに洗浄液を供給する洗浄液供給ノズル３４とを備えている。  As shown in FIG. 8, the second protective film formation /removal unit 30 includes a spinner table 31 that holds the wafer W before and after laser ablation processing, anelectric motor 32 that rotates the spinner table 31 around the Z axis, and a spinner table. A protective filmsolution supply nozzle 33 for supplying a water-soluble second protective film solution for forming the second protective film F2 on the wafer W held on thewafer 31, and a cleaning liquid on the wafer W after the laser ablation processing on the spinner table 31. And a cleaningliquid supply nozzle 34 for supplying the liquid.

スピンナテーブル３１は、円板状に形成されて表面の中央部にポーラスセラミック等から形成された吸着チャック３１ａを備える。吸着チャック３１ａは、図示しない吸引手段に連通されている。これにより、スピンナテーブル３１は、吸着チャック３１ａに載置されたウエーハＷを吸引することでウエーハＷを保持する。電動モータ３２は、その駆動軸の上端にスピンナテーブル３１を連結し、このスピンナテーブル３１を回転自在に支持する。  The spinner table 31 includes asuction chuck 31a formed in a disc shape and formed of porous ceramic or the like at the center of the surface. Thesuction chuck 31a communicates with suction means (not shown). As a result, the spinner table 31 holds the wafer W by sucking the wafer W placed on thesuction chuck 31a. Theelectric motor 32 connects the spinner table 31 to the upper end of the drive shaft, and supports the spinner table 31 rotatably.

保護膜溶液供給ノズル３３は、第２保護膜溶液を貯留する図示しない第２保護膜溶液供給源に接続されており、水溶性の第２保護膜溶液をウエーハＷに供給する。第２保護膜溶液は、例えばポリビニルアルコール（polyvinyl alcohol：ＰＶＡ）やポリビニルピロリドン（polyvinyl pyrrolidone：ＰＶＰ）といった水溶性の液状樹脂から構成される。また、洗浄液供給ノズル３４は、第２保護膜Ｆ２を溶解させる洗浄液としての洗浄水（例えば純水）を貯留する図示しない洗浄水供給源に接続されている。  The protective filmsolution supply nozzle 33 is connected to a second protective film solution supply source (not shown) that stores the second protective film solution, and supplies the water-soluble second protective film solution to the wafer W. The second protective film solution is made of a water-soluble liquid resin such as polyvinyl alcohol (PVA) or polyvinyl pyrrolidone (PVP). The cleaningliquid supply nozzle 34 is connected to a cleaning water supply source (not shown) that stores cleaning water (for example, pure water) as a cleaning liquid for dissolving the second protective film F2.

第２保護膜形成工程ＳＴ２は、上述したレーザー加工装置２０に含まれる第２保護膜形成兼除去部３０によりウエーハＷに第２保護膜Ｆ２を形成する工程である。ウエーハＷに第２保護膜Ｆ２を形成する際には、第１保護膜形成兼除去装置１０で第１保護膜Ｆ１が被膜されたウエーハＷを第２保護膜形成兼除去部３０のスピンナテーブル３１上に搬送し、ダイシングテープＴを介してスピンナテーブル３１にウエーハＷの裏面ＷＲ側を吸着保持させる。その後、スピンナテーブル３１をＺ軸回りに回転させながら、保護膜溶液供給ノズル３３からウエーハＷに第２保護膜溶液を供給する。これにより、図２に示すように、ウエーハＷの第１保護膜Ｆ１上に第２保護膜Ｆ２が積層される。  The second protective film forming step ST2 is a step of forming the second protective film F2 on the wafer W by the second protective film forming and removingunit 30 included in thelaser processing apparatus 20 described above. When the second protective film F2 is formed on the wafer W, the wafer W coated with the first protective film F1 by the first protective film forming / removingdevice 10 is used as the spinner table 31 of the second protective film forming / removingunit 30. Then, the spinner table 31 is sucked and held on the back surface WR side of the wafer W via the dicing tape T. Thereafter, the second protective film solution is supplied from the protective filmsolution supply nozzle 33 to the wafer W while rotating the spinner table 31 around the Z axis. Thereby, as shown in FIG. 2, the second protective film F2 is laminated on the first protective film F1 of the wafer W.

レーザーアブレーション工程ＳＴ３は、レーザー加工装置２０により、ウエーハＷの表面ＷＳ側から、当該ストリートＬに沿ってレーザー光を照射して、ストリートＬ上の第１保護膜Ｆ１、第２保護膜Ｆ２および金属部材Ｍを除去するレーザーアブレーション加工を施す工程である。レーザーアブレーション加工を施す際には、まず、第２保護膜形成兼除去部３０のスピンナテーブル３１上から第１搬送手段２４によりチャックテーブル２１上にウエーハＷを搬送し、ダイシングテープＴを介してウエーハＷの裏面ＷＲ側をチャックテーブル２１に吸引保持させる。その後、図９に示すように、ウエーハＷ（チャックテーブル２１）とレーザー光照射部２２の集光器２２ｄとをストリートＬに沿って相対移動させながら、当該ストリートＬにレーザー光を照射する。これにより、図１０に示すように、ウエーハＷのストリートＬ上の第１保護膜Ｆ１、第２保護膜Ｆ２および金属部材Ｍが除去され、ストリートＬの基板Ｓ表面が露出する。この際、レーザーアブレーション加工によりウエーハＷから除去された金属部材Ｍの一部、および基板Ｓの一部が、デブリＤＥとして第２保護膜Ｆ２上に付着して堆積する。  In the laser ablation process ST3, thelaser processing apparatus 20 irradiates laser light along the street L from the surface WS side of the wafer W, and the first protective film F1, the second protective film F2, and the metal on the street L are irradiated. This is a step of performing laser ablation processing for removing the member M. When performing laser ablation processing, first, the wafer W is transported from the spinner table 31 of the second protective film forming / removingunit 30 onto the chuck table 21 by the first transport means 24, and the wafer W is passed through the dicing tape T. The back surface WR side of W is sucked and held on the chuck table 21. Thereafter, as shown in FIG. 9, the street L is irradiated with laser light while the wafer W (chuck table 21) and thecondenser 22 d of the laserlight irradiation unit 22 are relatively moved along the street L. As a result, as shown in FIG. 10, the first protective film F1, the second protective film F2, and the metal member M on the street L of the wafer W are removed, and the substrate S surface of the street L is exposed. At this time, a part of the metal member M removed from the wafer W by the laser ablation process and a part of the substrate S are deposited and deposited on the second protective film F2 as debris DE.

第２保護膜除去工程ＳＴ４は、第２保護膜形成兼除去部３０により、レーザーアブレーション加工後のウエーハＷから第２保護膜Ｆ２を除去する工程である。ウエーハＷから第２保護膜Ｆ２を除去する際には、レーザーアブレーション加工後のウエーハＷを第２搬送手段２５によって第２保護膜形成兼除去部３０のスピンナテーブル３１上に搬送し、ダイシングテープＴを介してスピンナテーブル３１にウエーハＷの裏面ＷＲ側を吸着保持させる。その後、スピンナテーブル３１をＺ軸回りに回転させながら、洗浄液供給ノズル３４からウエーハＷに洗浄水を供給する。これにより、図１１に示すように、第２保護膜Ｆ２が溶解されてウエーハＷから除去されると共に、第２保護膜Ｆ２の除去に伴って当該第２保護膜Ｆ２上に付着して堆積したデブリＤＥもウエーハＷから除去される。この際、第１保護膜Ｆ１は、非水溶性の保護膜であることから、洗浄水によって溶解されることなく、ウエーハＷに被膜された状態を保つ。  The second protective film removing step ST4 is a step of removing the second protective film F2 from the wafer W after the laser ablation processing by the second protective film forming and removingunit 30. When removing the second protective film F2 from the wafer W, the wafer W after the laser ablation processing is conveyed onto the spinner table 31 of the second protective film forming / removingsection 30 by the second conveyingmeans 25, and the dicing tape T The back surface WR side of the wafer W is sucked and held on the spinner table 31 via Thereafter, cleaning water is supplied from the cleaningliquid supply nozzle 34 to the wafer W while rotating the spinner table 31 around the Z axis. As a result, as shown in FIG. 11, the second protective film F2 is dissolved and removed from the wafer W, and attached and deposited on the second protective film F2 as the second protective film F2 is removed. The debris DE is also removed from the wafer W. At this time, since the first protective film F1 is a water-insoluble protective film, the first protective film F1 is kept coated on the wafer W without being dissolved by the cleaning water.

次に、図１２に示すプラズマエッチング装置４０を用いて溝形成工程ＳＴ５を実施する。溝形成工程ＳＴ５は、第１保護膜Ｆ１をマスクにして、ウエーハＷの表面ＷＳ側からストリートＬに沿って基板Ｓ表面の露出部分をプラズマエッチングして、ウエーハＷの表面ＷＳ側から裏面ＷＲ側に延びる溝Ｒを形成し、ウエーハＷを複数のデバイスチップＤＴに分割する工程である。  Next, groove forming step ST5 is performed usingplasma etching apparatus 40 shown in FIG. In the groove forming step ST5, using the first protective film F1 as a mask, the exposed portion of the surface of the substrate S is plasma etched along the street L from the front surface WS side of the wafer W, and the back surface WR side from the front surface WS side of the wafer W Is a step of dividing the wafer W into a plurality of device chips DT.

溝形成工程ＳＴ５は、図１２に示すプラズマエッチング装置４０のハウジング４１の開口４２を通して、ウエーハＷをハウジング４１内に収容し、開口４２をゲートバルブ４６により閉じる。そして、ダイシングテープＴを介してウエーハＷの裏面ＷＲ側を高周波電源４３に接続された下部電極４４上の吸着保持部材４５（静電チャック、ＥＳＣ：Electrostatic chuck）に静電気力で吸着、保持する。  In the groove forming step ST5, the wafer W is accommodated in thehousing 41 through theopening 42 of thehousing 41 of theplasma etching apparatus 40 shown in FIG. Then, the back surface WR side of the wafer W is adsorbed and held by an electrostatic force on the lower electrode 44 connected to the high-frequency power supply 43 through the dicing tape T by electrostatic force.

次に、図示しない冷媒供給手段から下部電極４４内の図示しない冷却通路内に冷媒を循環させ、排気装置４７を作動してハウジング４１内の雰囲気を排気口４８を通して真空排気し、ガス供給手段４９から高周波電源５２に接続された上部電極５０の噴出口５１を通してハウジング４１内にエッチングガスをウエーハＷの表面ＷＳ側に向けて供給する。なお、この際、ハウジング４１内を所定の圧力に維持する。そして、エッチングガスを供給した状態で、高周波電源５２から上部電極５０に高周波電力を印加する。これにより、下部電極４４と上部電極５０との間にプラズマが発生し、図１３に示すように、下部電極４４に高周波電源４３から高周波電力を供給してプラズマＰＺ中のイオンＩｏｎをウエーハＷに引き込み、ウエーハＷの表面ＷＳをエッチングする。この際、第２保護膜除去工程ＳＴ４において、第２保護膜Ｆ２の除去に伴って、当該第２保護膜Ｆ２上に堆積したデブリＤＥが除去されているため、デブリＤＥの影響を受けることなく、ウエーハＷにプラズマエッチングを施すことができる。  Next, the refrigerant is circulated from a refrigerant supply means (not shown) into a cooling passage (not shown) in the lower electrode 44, the exhaust device 47 is operated to evacuate the atmosphere in thehousing 41 through theexhaust port 48, and the gas supply means 49 Then, an etching gas is supplied toward the front surface WS of the wafer W into thehousing 41 through thespout 51 of theupper electrode 50 connected to the highfrequency power source 52. At this time, the inside of thehousing 41 is maintained at a predetermined pressure. Then, high-frequency power is applied from the high-frequency power source 52 to theupper electrode 50 with the etching gas supplied. As a result, plasma is generated between the lower electrode 44 and theupper electrode 50, and as shown in FIG. 13, high-frequency power is supplied from the high-frequency power source 43 to the lower electrode 44, and the ions Ion in the plasma PZ are transferred to the wafer W. Pulling in and etching the surface WS of the wafer W. At this time, in the second protective film removal step ST4, the debris DE deposited on the second protective film F2 is removed along with the removal of the second protective film F2, so that it is not affected by the debris DE. The wafer W can be subjected to plasma etching.

溝形成工程ＳＴ５において、エッチングガスの種類、高周波電源４３，５２が印加する高周波電力の周波数及び電力は、第１保護膜Ｆ１のエッチングレートが基板Ｓのエッチングレートよりも低い条件に選択される。本実施形態において、基板Ｓのエッチングレートの第１保護膜Ｆ１のエッチングレートに対する比（エッチング選択比）は、５００以上であるとよい。例えば、高周波電源５２が印加する高周波電力の周波数は、２ＭＨｚ又は１３．５６ＭＨｚであり、高周波電源４３が印加する高周波電力の周波数は、１３．５６ＭＨｚである。  In the groove forming step ST5, the type of etching gas and the frequency and power of the high-frequency power applied by the high-frequency power sources 43 and 52 are selected so that the etching rate of the first protective film F1 is lower than the etching rate of the substrate S. In the present embodiment, the ratio of the etching rate of the substrate S to the etching rate of the first protective film F1 (etching selection ratio) is preferably 500 or more. For example, the frequency of the high frequency power applied by the highfrequency power supply 52 is 2 MHz or 13.56 MHz, and the frequency of the high frequency power applied by the highfrequency power supply 43 is 13.56 MHz.

溝形成工程ＳＴ５は、基板Ｓのエッチングレートが第１保護膜Ｆ１のエッチングレートよりも十分高いので、基板Ｓが第１保護膜Ｆ１よりも早くエッチングされ、ストリートＬに表面ＷＳから裏面ＷＲに延びる溝Ｒが形成される。本実施形態においては、図１４に示すように溝ＲがウエーハＷの裏面ＷＲに到達するまでエッチングを行った後、溝形成工程ＳＴ５を終了するが、溝形成工程ＳＴ５において形成される溝Ｒは、裏面ＷＲに到達しなくても良い。即ち、本発明は、溝Ｒの底に基板Ｓの一部を残存させ、後の工程においてウエーハＷを裏面ＷＲ側から研削することにより、複数のデバイスチップＤＴに分割するものとしてもよい。  In the groove forming step ST5, since the etching rate of the substrate S is sufficiently higher than the etching rate of the first protective film F1, the substrate S is etched faster than the first protective film F1, and extends to the street L from the front surface WS to the back surface WR. A groove R is formed. In the present embodiment, as shown in FIG. 14, the etching is performed until the groove R reaches the back surface WR of the wafer W, and then the groove forming step ST5 is finished. However, the groove R formed in the groove forming step ST5 is The rear surface WR may not be reached. That is, according to the present invention, a part of the substrate S may be left at the bottom of the groove R, and the wafer W may be ground from the back surface WR side in a later process to be divided into a plurality of device chips DT.

次に、第１保護膜除去装置６０を用いて第１保護膜除去工程ＳＴ６を実施する。第１保護膜除去工程ＳＴ６は、プラズマエッチングにより溝Ｒが形成されて分割されたウエーハＷ（複数のデバイスチップＤＴ）から第１保護膜Ｆ１を除去する工程である。ウエーハＷ（複数のデバイスチップＤＴ）から第１保護膜Ｆ１を除去する際には、図１５に示すように、ダイシングテープＴを介してウエーハＷの裏面ＷＲ側を第１保護膜除去装置６０のスピンナテーブル６１に吸着保持させる。その後、スピンナテーブル６１を軸心回りに回転させながら、第１保護膜Ｆ１を溶解可能な有機溶剤等の溶液を第１保護膜除去装置６０のノズル６２からウエーハＷ（複数のデバイスチップＤＴ）に供給する。これにより、図１６に示すように、第１保護膜Ｆ１が溶解されてウエーハＷ（複数のデバイスチップＤＴ）上から除去され、第１保護膜Ｆ１および第２保護膜Ｆ２の双方が除去された複数のデバイスチップＤＴを得ることができる。  Next, the first protective film removing step ST6 is performed using the first protectivefilm removing apparatus 60. The first protective film removal step ST6 is a step of removing the first protective film F1 from the wafer W (a plurality of device chips DT) divided by forming the grooves R by plasma etching. When the first protective film F1 is removed from the wafer W (a plurality of device chips DT), the back surface WR side of the wafer W is connected to the first protectivefilm removing apparatus 60 via the dicing tape T as shown in FIG. The spinner table 61 is sucked and held. Thereafter, a solution such as an organic solvent capable of dissolving the first protective film F1 is transferred from thenozzle 62 of the first protectivefilm removing apparatus 60 to the wafer W (a plurality of device chips DT) while rotating the spinner table 61 about the axis. Supply. As a result, as shown in FIG. 16, the first protective film F1 is dissolved and removed from the wafer W (a plurality of device chips DT), and both the first protective film F1 and the second protective film F2 are removed. A plurality of device chips DT can be obtained.

以上説明したように、実施形態にかかるウエーハの分割方法は、第１保護膜Ｆ１とは除去特性（本実施形態では、第２保護膜Ｆ２を溶解させる際に使用する溶液に対する溶解特性）の異なる第２保護膜Ｆ２を当該第１保護膜Ｆ１上に積層するため、第１保護膜Ｆ１をウエーハＷに被膜したまま、第２保護膜Ｆ２のみを溶解させてウエーハＷから除去することができる。その結果、ストリートＬ上の第１保護膜Ｆ１、第２保護膜Ｆ２および金属部材Ｍをレーザーアブレーションによって除去した際に第２保護膜Ｆ２上に付着したデブリＤＥを、当該第２保護膜Ｆ２の除去に伴ってウエーハＷから除去した上で、第１保護膜Ｆ１でデバイスＤを保護しながら、デブリＤＥの影響を受けることなくウエーハＷにプラズマエッチングを施すことができる。従って、実施形態にかかる分割方法は、ストリートＬと重なる領域に金属部材Ｍが形成されたウエーハＷにおいて、プラズマエッチングのエッチングレートの低下を抑制することが可能となる。  As described above, the wafer dividing method according to the embodiment is different from the first protective film F1 in the removal characteristic (in this embodiment, the dissolution characteristic with respect to the solution used when dissolving the second protective film F2). Since the second protective film F2 is laminated on the first protective film F1, only the second protective film F2 can be dissolved and removed from the wafer W while the first protective film F1 is coated on the wafer W. As a result, debris DE adhering to the second protective film F2 when the first protective film F1, the second protective film F2, and the metal member M on the street L are removed by laser ablation is removed from the second protective film F2. The wafer W can be subjected to plasma etching without being affected by the debris DE while being removed from the wafer W along with the removal, while protecting the device D with the first protective film F1. Therefore, the dividing method according to the embodiment can suppress a decrease in the etching rate of plasma etching in the wafer W in which the metal member M is formed in a region overlapping the street L.

本実施形態では、第１保護膜Ｆ１は、非水溶性の保護膜であり、第２保護膜Ｆ２は、水溶性の保護膜である。これにより、第１保護膜Ｆ１と第２保護膜Ｆ２との除去特性（本実施形態では、第２保護膜Ｆ２を溶解させる際に使用する溶液に対する溶解特性）を容易に異なるものとすることができる。その結果、第２保護膜除去工程ＳＴ４において、第１保護膜Ｆ１をウエーハＷに被膜した状態を保ちつつ、第２保護膜Ｆ２をデブリＤＥと共にウエーハＷから除去することができる。  In the present embodiment, the first protective film F1 is a water-insoluble protective film, and the second protective film F2 is a water-soluble protective film. Thereby, the removal characteristics (dissolution characteristics with respect to the solution used when dissolving the second protective film F2 in this embodiment) of the first protective film F1 and the second protective film F2 may be easily made different. it can. As a result, in the second protective film removing step ST4, the second protective film F2 can be removed from the wafer W together with the debris DE while maintaining the state where the first protective film F1 is coated on the wafer W.

ただし、第１保護膜Ｆ１および第２保護膜Ｆ２は、除去特性が異なり、第２保護膜除去工程ＳＴ４において、第１保護膜Ｆ１をウエーハＷに被膜したまま、第２保護膜Ｆ２をデブリＤＥと共に除去可能でさえあれば、本実施形態に示したものに限られない。  However, the first protective film F1 and the second protective film F2 have different removal characteristics, and in the second protective film removal step ST4, the second protective film F2 is debris DE while the first protective film F1 is coated on the wafer W. As long as it can be removed, it is not limited to that shown in the present embodiment.

例えば、第１保護膜Ｆ１を水溶性の保護膜とし、第２保護膜Ｆ２を非水溶性かつ有機溶剤等の溶液により溶解される保護膜としてもよい。この場合、第１保護膜形成工程ＳＴ１は、第１保護膜形成装置１０のノズル１２から、例えばポリビニルアルコール（polyvinyl alcohol：ＰＶＡ）やポリビニルピロリドン（polyvinyl pyrrolidone：ＰＶＰ）といった水溶性の液状樹脂をウエーハＷに供給すればよい。また、第１保護膜除去工程ＳＴ６は、第１保護膜除去装置６０のノズル６１から洗浄水（例えば純水）をウエーハＷに供給して、第１保護膜Ｆ１を除去すればよい。第２保護膜形成工程ＳＴ２は、第２保護膜形成兼除去部３０の保護膜溶液供給ノズル３３から、例えばレジスト膜剤といった非水溶性の材料をウエーハＷに供給し、ウエーハＷの第１保護膜Ｆ１上に非水溶性の第２保護膜Ｆ２を被膜すればよい。また、第２保護膜除去工程ＳＴ４は、第２保護膜形成兼除去部３０の洗浄液供給ノズル３４から第２保護膜Ｆ２を溶解可能な有機溶剤等の溶液をウエーハＷに供給して、デブリＤＥと共に第２保護膜Ｆ２を除去すればよい。  For example, the first protective film F1 may be a water-soluble protective film, and the second protective film F2 may be a water-insoluble and protective film that is dissolved by a solution such as an organic solvent. In this case, in the first protective film forming step ST1, a water-soluble liquid resin such as polyvinyl alcohol (PVA) or polyvinyl pyrrolidone (PVP) is used as a wafer from thenozzle 12 of the first protectivefilm forming apparatus 10. What is necessary is just to supply to W. In the first protective film removal step ST6, cleaning water (for example, pure water) may be supplied from thenozzle 61 of the first protectivefilm removal apparatus 60 to the wafer W to remove the first protective film F1. In the second protective film formation step ST2, a water-insoluble material such as a resist film agent is supplied to the wafer W from the protective filmsolution supply nozzle 33 of the second protective film formation /removal unit 30, and the first protection of the wafer W is performed. A water-insoluble second protective film F2 may be coated on the film F1. In the second protective film removing step ST4, a solution such as an organic solvent capable of dissolving the second protective film F2 is supplied from the cleaningliquid supply nozzle 34 of the second protective film forming / removingunit 30 to the wafer W, and the debris DE is removed. At the same time, the second protective film F2 may be removed.

また、第１保護膜Ｆ１および第２保護膜Ｆ２の双方を水溶性の保護膜としてもよい。この場合、第２保護膜Ｆ２の洗浄水に対する溶解速度が第１保護膜Ｆ１の洗浄水に対する溶解速度よりも高くなるように、第１保護膜Ｆ１および第２保護膜Ｆ２を異なる水溶性の材料で形成したり、第１保護膜Ｆ１および第２保護膜Ｆ２の材料構成の比率を変更したりすれば、第２保護膜Ｆ２を溶解させる際に使用する溶液（洗浄水）に対する第１保護膜Ｆ１と第２保護膜Ｆ２との溶解特性を異なるものとすることができる。それにより、第２保護膜除去工程ＳＴ４において、第１保護膜Ｆ１をウエーハＷに被膜した状態を保ちつつ、第２保護膜Ｆ２をデブリＤＥと共にウエーハＷから除去することができる。  Further, both the first protective film F1 and the second protective film F2 may be water-soluble protective films. In this case, the first protective film F1 and the second protective film F2 are made of different water-soluble materials so that the dissolution rate of the second protective film F2 in the cleaning water is higher than the dissolution rate of the first protective film F1 in the cleaning water. The first protective film with respect to the solution (washing water) used when dissolving the second protective film F2 is formed by changing the ratio of the material structure of the first protective film F1 and the second protective film F2. The dissolution characteristics of F1 and the second protective film F2 can be made different. Thereby, in the second protective film removal step ST4, the second protective film F2 can be removed from the wafer W together with the debris DE while maintaining the state where the first protective film F1 is coated on the wafer W.

また、第１保護膜Ｆ１および第２保護膜Ｆ２の双方を非水溶性かつ有機溶剤等の溶液により溶解される保護膜としてもよい。この場合、第１保護膜Ｆ１と第２保護膜Ｆ２とを、異なる種類の溶液によって溶解する異なる材料で形成すれば、第２保護膜Ｆ２を溶解させる際に使用する溶液に対する第１保護膜Ｆ１と第２保護膜Ｆ２との溶解特性を異なるものとすることができる。また、第２保護膜Ｆ２の溶液に対する溶解速度が第１保護膜Ｆ１の溶液に対する溶解速度よりも高くなるように、第１保護膜Ｆ１および第２保護膜Ｆ２を異なる非水溶性の材料で形成したり、第１保護膜Ｆ１および第２保護膜Ｆ２の材料構成の比率を変更したりすることによっても、第２保護膜Ｆ２を溶解させる際に使用する溶液に対する第１保護膜Ｆ１と第２保護膜Ｆ２との溶解特性を異なるものとすることができる。それにより、第２保護膜除去工程ＳＴ４において、第１保護膜Ｆ１をウエーハＷに被膜した状態を保ちつつ、第２保護膜Ｆ２をデブリＤＥと共にウエーハＷから除去することができる。  Further, both the first protective film F1 and the second protective film F2 may be protective films that are water-insoluble and dissolved by a solution such as an organic solvent. In this case, if the first protective film F1 and the second protective film F2 are formed of different materials that are dissolved by different types of solutions, the first protective film F1 for the solution used when the second protective film F2 is dissolved. And the second protective film F2 can have different dissolution characteristics. Further, the first protective film F1 and the second protective film F2 are formed of different water-insoluble materials so that the dissolution rate of the second protective film F2 in the solution is higher than the dissolution rate of the first protective film F1 in the solution. Or by changing the ratio of the material configuration of the first protective film F1 and the second protective film F2, the first protective film F1 and the second protective film F2 with respect to the solution used when the second protective film F2 is dissolved. Dissolution characteristics with the protective film F2 can be made different. Thereby, in the second protective film removal step ST4, the second protective film F2 can be removed from the wafer W together with the debris DE while maintaining the state where the first protective film F1 is coated on the wafer W.

また、非水溶性の保護膜の除去手法は、有機溶剤等の溶液による溶解に限られない。例えば、酸素プラズマや窒素プラズマを用いたプラズマアッシングによって非水溶性の保護膜をウエーハＷから除去してもよい。プラズマアッシングによって除去可能な非水溶性の保護膜としては、レジスト膜剤を用いるものや、ドライフィルムレジスト等が挙げられる。ドライフィルムレジストは、例えば加熱圧着によりウエーハＷに被膜することができる。  Further, the removal method of the water-insoluble protective film is not limited to dissolution by a solution such as an organic solvent. For example, the water-insoluble protective film may be removed from the wafer W by plasma ashing using oxygen plasma or nitrogen plasma. Examples of the water-insoluble protective film that can be removed by plasma ashing include those using a resist film agent and dry film resists. The dry film resist can be coated on the wafer W by, for example, thermocompression bonding.

第１保護膜Ｆ１をプラズマアッシングによって除去可能な非水溶性の保護膜とした場合、例えば第２保護膜Ｆ２を水溶性の保護膜とする等、上述した手法により第２保護膜Ｆ２を溶解させる際に使用する溶液に対する第１保護膜Ｆ１と第２保護膜Ｆ２との溶解特性を異なるものとすればよい。それにより、第１保護膜Ｆ１と第２保護膜Ｆ２との除去特性を異なるものとし、第２保護膜除去工程ＳＴ４において、第１保護膜Ｆ１をウエーハＷに被膜したまま、第２保護膜Ｆ２をデブリＤＥと共に除去することができる。また、溝形成工程ＳＴ５を実施するプラズマエッチング装置４０にプラズマアッシングを実施可能なアッシングチャンバーを併設し、真空処理システム（図示せず）を構成しておけば、当該アッシングチャンバーでウエーハＷにプラズマアッシングを施して第１保護膜Ｆ１を除去することができる。つまり、溝形成工程ＳＴ５および第１保護膜除去工程ＳＴ６を真空処理システム内で実施することができるため、加工工程の効率化や加工設備の簡易化を図ることができる。  When the first protective film F1 is a water-insoluble protective film that can be removed by plasma ashing, the second protective film F2 is dissolved by the above-described method, for example, the second protective film F2 is used as a water-soluble protective film. The dissolution characteristics of the first protective film F1 and the second protective film F2 with respect to the solution used at the time may be different. Thereby, the removal characteristics of the first protective film F1 and the second protective film F2 are different from each other, and the second protective film F2 remains coated on the wafer W in the second protective film removal step ST4. Can be removed together with the debris DE. In addition, if an ashing chamber capable of performing plasma ashing is provided in theplasma etching apparatus 40 for performing the groove forming step ST5 and a vacuum processing system (not shown) is configured, plasma ashing is performed on the wafer W in the ashing chamber. Can be applied to remove the first protective film F1. That is, since the groove forming step ST5 and the first protective film removing step ST6 can be performed in the vacuum processing system, the efficiency of the processing process and the simplification of the processing equipment can be achieved.

一方、第２保護膜Ｆ２をプラズマアッシングによって除去可能な非水溶性の保護膜とした場合には、第１保護膜Ｆ１は、プラズマアッシングよって除去されない保護膜でさえあればよい。それにより、第１保護膜Ｆ１と第２保護膜Ｆ２との除去特性を異なるものとし、第２保護膜除去工程ＳＴ４において、第１保護膜Ｆ１をウエーハＷに被膜したまま、第２保護膜Ｆ２をデブリＤＥと共に除去することができる。  On the other hand, when the second protective film F2 is a water-insoluble protective film that can be removed by plasma ashing, the first protective film F1 only needs to be a protective film that is not removed by plasma ashing. Thereby, the removal characteristics of the first protective film F1 and the second protective film F2 are different from each other, and the second protective film F2 remains coated on the wafer W in the second protective film removal step ST4. Can be removed together with the debris DE.

さらに、第１保護膜Ｆ１と第２保護膜Ｆ２との除去特性を異なるものする手法は、上述したものに限られない。例えば、第１保護膜Ｆ１および第２保護膜Ｆ２の双方を同じ材料、同じ材料構成の比率で形成し、第２保護膜除去工程ＳＴ４において、第２保護膜Ｆ２がウエーハＷから除去されても、第１保護膜Ｆ１が溶液によって溶解しきらず（または、プラズマアッシングにより除去されきらず）ウエーハＷに残留するように、第２保護膜Ｆ２の厚みを第１保護膜Ｆ１の厚みよりも大きく形成してもよい。その結果、第２保護膜除去工程ＳＴ４において、第１保護膜Ｆ１をウエーハＷに被膜した状態を保ちつつ、第２保護膜Ｆ２をデブリＤＥと共にウエーハＷから除去することができる。  Furthermore, the method of making the removal characteristics of the first protective film F1 and the second protective film F2 different is not limited to that described above. For example, both the first protective film F1 and the second protective film F2 are formed with the same material and the same material composition ratio, and the second protective film F2 is removed from the wafer W in the second protective film removal step ST4. The thickness of the second protective film F2 is made larger than the thickness of the first protective film F1 so that the first protective film F1 is not completely dissolved by the solution (or is not completely removed by plasma ashing) and remains on the wafer W. May be. As a result, in the second protective film removing step ST4, the second protective film F2 can be removed from the wafer W together with the debris DE while maintaining the state where the first protective film F1 is coated on the wafer W.

例えば、第１保護膜Ｆ１および第２保護膜Ｆ２の一方を粘着テープとしてもよい。この場合、第１保護膜Ｆ１および第２保護膜Ｆ２の他方は、水溶性の保護膜または非水溶性の保護膜のいずれであってもよく、非水溶性の保護膜である場合は、有機溶剤等により溶解されるもの、及びプラズマアッシングにより除去されるもののいずれであってもよい。  For example, one of the first protective film F1 and the second protective film F2 may be an adhesive tape. In this case, the other of the first protective film F1 and the second protective film F2 may be either a water-soluble protective film or a water-insoluble protective film. Any of those dissolved by a solvent or the like and those removed by plasma ashing may be used.

粘着テープは、一方の面に粘着材を備えたウエーハＷと同程度の径のテープ部材を用いる。第１保護膜Ｆ１を粘着テープとする場合には、第１保護膜形成工程ＳＴ１において、ウエーハＷのデバイスＤ、機能層ＦＬの一部および金属部材Ｍの表面に粘着テープの粘着材側の面を貼着する。その後、第２保護膜形成工程ＳＴ２で粘着テープ（第１保護膜Ｆ１）の粘着材と反対側の面に第２保護膜Ｆ２を形成し、レーザーアブレーション工程ＳＴ３でストリート上の粘着テープ（第１保護膜Ｆ１）、第２保護膜Ｆ２および金属部材Ｍを除去し、第２保護膜除去工程ＳＴ４で例えば溶液による溶解またはプラズマアッシングにより第２保護膜Ｆ２をウエーハＷから除去する。これにより、粘着テープ（第１保護膜Ｆ１）をウエーハＷに貼着（被膜）したまま、第２保護膜Ｆ２をデブリＤＥと共に除去することが可能となる。次いで、溝形成工程ＳＴ５で粘着テープ（第１保護膜Ｆ１）をマスクにして、ウエーハＷにプラズマエッチングを施す。従って、第１保護膜Ｆ１を粘着テープとする場合、粘着テープは、プラズマエッチングをウエーハＷに施す際にデバイスＤを保護可能なエッチング耐性を備えるものを用いる。そして、第１保護膜除去工程ＳＴ６において、ウエーハＷ（複数のデバイスチップＤＴ）から粘着テープ（第１保護膜Ｆ１）を剥離させる。この際、ウエーハＷと同程度の径を有し、かつ、粘着テープの粘着力よりも強い粘着力を備えた剥離用テープを、ウエーハＷ（複数のデバイスチップＤＴ）の全面に一旦貼着し、剥離用テープと共に各粘着テープをウエーハＷ（複数のデバイスチップＤＴ）から剥がせば、粘着テープ（第１保護膜Ｆ１）を一括で除去することができる。  As the adhesive tape, a tape member having a diameter similar to that of the wafer W provided with an adhesive material on one surface is used. When the first protective film F1 is an adhesive tape, in the first protective film formation step ST1, the surface of the adhesive tape on the surface of the device D of the wafer W, a part of the functional layer FL, and the metal member M is provided. Affix. Thereafter, the second protective film F2 is formed on the surface opposite to the adhesive material of the adhesive tape (first protective film F1) in the second protective film forming step ST2, and the adhesive tape (first on the street) in the laser ablation step ST3. The protective film F1), the second protective film F2, and the metal member M are removed, and the second protective film F2 is removed from the wafer W by, for example, dissolution with a solution or plasma ashing in a second protective film removal step ST4. Accordingly, the second protective film F2 can be removed together with the debris DE while the adhesive tape (first protective film F1) is adhered (coated) to the wafer W. Next, plasma etching is performed on the wafer W using the adhesive tape (first protective film F1) as a mask in the groove forming step ST5. Therefore, when the first protective film F1 is an adhesive tape, an adhesive tape having etching resistance capable of protecting the device D when plasma etching is performed on the wafer W is used. In the first protective film removal step ST6, the adhesive tape (first protective film F1) is peeled from the wafer W (the plurality of device chips DT). At this time, a peeling tape having the same diameter as that of the wafer W and having an adhesive strength stronger than that of the adhesive tape is once stuck on the entire surface of the wafer W (multiple device chips DT). The adhesive tape (first protective film F1) can be removed in a lump by peeling each adhesive tape together with the peeling tape from the wafer W (a plurality of device chips DT).

一方、第２保護膜Ｆ２を粘着テープとする場合、第２保護膜形成工程ＳＴ２において、ウエーハＷの第１保護膜Ｆ１上に粘着テープの粘着材側の面を貼着する。その後、レーザーアブレーション工程ＳＴ３でストリート上の第１保護膜Ｆ１、粘着テープ（第２保護膜Ｆ２）および金属部材Ｍを除去する。そして、第２保護膜除去工程ＳＴ４において、ウエーハＷから粘着テープ（第２保護膜Ｆ２）のみを剥離させる。これにより、第１保護膜Ｆ１をウエーハＷに被膜したまま、粘着テープ（第２保護膜Ｆ２）を、当該粘着テープ上に堆積したデブリＤＥと共に除去することが可能となる。なお、粘着テープ（第２保護膜Ｆ２）をウエーハＷから剥離する際には、上述したように、ウエーハＷと同程度の径であり、かつ、粘着テープの粘着力よりも強い粘着力を備えた剥離用テープを用いることで、粘着テープ（第２保護膜Ｆ２）を一括で除去することができる。  On the other hand, when the second protective film F2 is an adhesive tape, the adhesive tape-side surface of the adhesive tape is attached onto the first protective film F1 of the wafer W in the second protective film forming step ST2. Thereafter, the first protective film F1, the adhesive tape (second protective film F2) and the metal member M on the street are removed in the laser ablation process ST3. In the second protective film removing step ST4, only the adhesive tape (second protective film F2) is peeled off from the wafer W. As a result, the adhesive tape (second protective film F2) can be removed together with the debris DE deposited on the adhesive tape while the first protective film F1 is coated on the wafer W. When the adhesive tape (second protective film F2) is peeled off from the wafer W, as described above, it has the same diameter as the wafer W and has an adhesive strength stronger than the adhesive strength of the adhesive tape. By using the peeling tape, the adhesive tape (second protective film F2) can be removed at once.

また、実施形態にかかるウエーハの加工方法に実施する加工設備は、本実施形態に示すものに限られない。図１７は、変形例にかかる加工設備１００Ａの構成を示す説明図である。図示するように、加工設備１００Ａは、加工設備１００のレーザー加工装置２０に代えてレーザー加工装置２０Ａ、第２保護膜形成兼除去部３０に代えて、第２保護膜形成装置３０Ａと、第２保護膜除去装置３０Ｂとを備える。加工設備１００Ａのその他の構成は、加工設備１００と同様であるため、同じ符号を付し、説明を省略する。  Moreover, the processing equipment implemented in the wafer processing method according to the embodiment is not limited to that shown in the present embodiment. FIG. 17 is an explanatory diagram illustrating a configuration of aprocessing facility 100A according to a modification. As illustrated, theprocessing facility 100A includes alaser processing device 20A instead of thelaser processing device 20 of theprocessing facility 100, a second protectivefilm forming device 30A instead of the second protective film forming and removingunit 30, and a second protectivefilm forming device 30A. And a protectivefilm removing device 30B. Since the other structure of theprocessing equipment 100A is the same as that of theprocessing equipment 100, the same reference numerals are given and description thereof is omitted.

レーザー加工装置２０Ａは、レーザー加工装置２０から第２保護膜形成兼除去部３０を省略したものである。第２保護膜形成装置３０Ａは、第２保護膜形成工程ＳＴ２を実施する際に用いられる。第２保護膜形成装置３０Ａは、例えば図６に示す第１保護膜形成装置１０と同様の構成を有し、ウエーハＷに第２保護膜溶液を供給可能なものである。これにより、第２保護膜形成工程ＳＴ２において、第２保護膜形成装置３０ＡからウエーハＷに第２保護膜溶液を供給し、ウエーハＷの第１保護膜Ｆ１上に第２保護膜Ｆ２を積層することができる。また、第２保護膜除去装置３０Ｂは、第２保護膜除去工程ＳＴ４を実施する際に用いられる。第２保護膜除去装置３０Ｂは、例えば図１５に示す第１保護膜除去装置６０と同様の構成を有し、ウエーハＷに第２保護膜Ｆ２を溶解可能な洗浄液（洗浄水、または有機溶剤等の溶液）を供給可能なものである。これにより、第２保護膜除去工程ＳＴ４において、第２保護膜除去装置３０ＢからウエーハＷに洗浄液を供給し、第２保護膜Ｆ２を溶解させて、デブリＤＥと共に第２保護膜Ｆ２をウエーハＷから除去することができる。  Thelaser processing apparatus 20 </ b> A is obtained by omitting the second protective film formation /removal unit 30 from thelaser processing apparatus 20. The second protectivefilm forming apparatus 30A is used when performing the second protective film forming step ST2. The second protectivefilm forming apparatus 30 </ b> A has the same configuration as the first protectivefilm forming apparatus 10 shown in FIG. 6, for example, and can supply the second protective film solution to the wafer W. Thus, in the second protective film forming step ST2, the second protective film solution is supplied from the second protectivefilm forming apparatus 30A to the wafer W, and the second protective film F2 is stacked on the first protective film F1 of the wafer W. be able to. The second protectivefilm removing device 30B is used when performing the second protective film removing step ST4. The second protectivefilm removing apparatus 30B has the same configuration as the first protectivefilm removing apparatus 60 shown in FIG. 15, for example, and is a cleaning liquid (cleaning water, organic solvent, or the like) that can dissolve the second protective film F2 in the wafer W. Solution) can be supplied. Thereby, in the second protective film removing step ST4, the cleaning liquid is supplied from the second protectivefilm removing device 30B to the wafer W, the second protective film F2 is dissolved, and the second protective film F2 together with the debris DE is removed from the wafer W. Can be removed.

図１８は、他の変形例にかかる加工設備１００Ｂの構成を示す説明図である。図示するように、加工設備１００Ｂは、加工設備１００のレーザー加工装置２０に代えてレーザー加工装置２０Ｂ、第１保護膜形成装置１０および第２保護膜形成兼除去部３０に代えて、保護膜形成部３０Ｃおよび第２保護膜除去装置３０Ｂを備える。加工設備１００Ｂのその他の構成は、加工設備１００と同様であるため、同じ符号を付し、説明を省略する。また、第２保護膜除去装置３０Ｂは、加工設備１００Ａに用いられるものと同様の構成を有するため、説明を省略する。  FIG. 18 is an explanatory diagram showing a configuration of aprocessing facility 100B according to another modification. As shown in the figure, theprocessing equipment 100B is replaced with alaser processing apparatus 20B, a first protectivefilm forming apparatus 10 and a second protective film forming / removingsection 30 instead of thelaser processing apparatus 20 of theprocessing equipment 100. 30C and the 2nd protectivefilm removal apparatus 30B are provided. Since the other structure of theprocessing equipment 100B is the same as that of theprocessing equipment 100, the same code | symbol is attached | subjected and description is abbreviate | omitted. Further, the second protectivefilm removing apparatus 30B has the same configuration as that used in theprocessing facility 100A, and thus the description thereof is omitted.

レーザー加工装置２０Ｂは、図７に示すレーザー加工装置２０の第２保護膜形成兼除去部３０に代えて、保護膜形成部３０Ｃを備える。保護膜形成部３０Ｃは、第１保護膜形成工程ＳＴ１および第２保護膜形成工程ＳＴ２を実施する際に用いられる。保護膜形成部３０Ｃは、図８に示す第２保護膜形成兼除去部３０の保護膜溶液供給ノズル３３に代えて、第１保護膜溶液をウエーハＷに供給する第１保護膜溶液供給ノズル、洗浄液供給ノズル３４に代えて、第２保護膜溶液をウエーハＷに供給する第２保護膜溶液供給ノズルを備えるものである。これにより、第１保護膜形成工程ＳＴ１において、保護膜形成部３０Ｃの第１保護膜溶液供給ノズルからウエーハＷに第１保護膜溶液を供給し、ウエーハＷに第１保護膜Ｆ１を形成することができる。また、第２保護膜形成工程ＳＴ２において、保護膜形成部３０Ｃの第２保護膜溶液供給ノズルからウエーハＷに第２保護膜溶液を供給し、ウエーハＷの第１保護膜Ｆ１上に第２保護膜Ｆ２を積層することができる。  Thelaser processing apparatus 20B includes a protectivefilm forming unit 30C instead of the second protective film forming and removingunit 30 of thelaser processing apparatus 20 shown in FIG. The protectivefilm forming unit 30C is used when performing the first protective film forming step ST1 and the second protective film forming step ST2. The protectivefilm forming unit 30C is a first protective film solution supply nozzle that supplies the first protective film solution to the wafer W instead of the protective filmsolution supply nozzle 33 of the second protective film forming and removingunit 30 shown in FIG. Instead of the cleaningliquid supply nozzle 34, a second protective film solution supply nozzle for supplying the second protective film solution to the wafer W is provided. Thus, in the first protective film forming step ST1, the first protective film solution is supplied from the first protective film solution supply nozzle of the protectivefilm forming unit 30C to the wafer W, and the first protective film F1 is formed on the wafer W. Can do. Further, in the second protective film forming step ST2, the second protective film solution is supplied from the second protective film solution supply nozzle of the protectivefilm forming unit 30C to the wafer W, and the second protective film is formed on the first protective film F1 of the wafer W. The film F2 can be stacked.

また、加工設備１００、１００Ａにおいて、第１保護膜形成装置１０と第１保護膜除去装置６０とは、一体の装置であってもよい。すなわち、図８に示す第２保護膜形成兼除去部３０と同様に、ウエーハＷに第１保護膜溶液を供給する保護膜溶液供給ノズルと、ウエーハＷに第１保護膜Ｆ１を溶解させる洗浄液（洗浄水、または有機溶剤等の溶液）を供給する洗浄液供給ノズルとを備える装置を用いて、第１保護膜形成工程ＳＴ１および第１保護膜除去工程ＳＴ６を実施してもよい。  In theprocessing facilities 100 and 100A, the first protectivefilm forming apparatus 10 and the first protectivefilm removing apparatus 60 may be an integrated apparatus. That is, similarly to the second protective film formation /removal unit 30 shown in FIG. 8, a protective film solution supply nozzle that supplies the first protective film solution to the wafer W, and a cleaning solution that dissolves the first protective film F1 in the wafer W ( The first protective film forming step ST1 and the first protective film removing step ST6 may be performed using an apparatus including a cleaning liquid supply nozzle that supplies cleaning water or a solution such as an organic solvent.

また、加工設備１００Ａにおいて、第２保護膜形成装置３０Ａと第２保護膜除去装置３０Ｂとは、一体の装置であってもよい。すなわち、図８に示す第２保護膜形成兼除去部３０をレーザー加工装置２０から独立した別箇の装置とし、当該装置を用いて第２保護膜形成工程ＳＴ２および第２保護膜除去工程ＳＴ４を実施してもよい。  In theprocessing facility 100A, the second protectivefilm forming apparatus 30A and the second protectivefilm removing apparatus 30B may be an integrated apparatus. That is, the second protective film forming / removingunit 30 shown in FIG. 8 is a separate apparatus independent of thelaser processing apparatus 20, and the second protective film forming process ST2 and the second protective film removing process ST4 are performed using the apparatus. You may implement.

また、加工設備１００Ｂにおいて、第２保護膜除去装置３０Ｂと第１保護膜除去装置６０とは、一体の装置であってもよい。すなわち、ウエーハＷに第１保護膜Ｆ１を溶解させる洗浄液（洗浄水、または有機溶剤等の溶液）を供給するノズルと、ウエーハＷに第２保護膜Ｆ２を溶解させる洗浄液（洗浄水、または有機溶剤等の溶液）を供給するノズルとを備える装置を用いて、第２保護膜除去工程ＳＴ４および第１保護膜除去工程ＳＴ６を実施してもよい。  In theprocessing facility 100B, the second protectivefilm removing device 30B and the first protectivefilm removing device 60 may be an integrated device. That is, a nozzle that supplies a cleaning liquid (cleaning water or a solution such as an organic solvent) that dissolves the first protective film F1 in the wafer W, and a cleaning liquid (cleaning water or an organic solvent) that dissolves the second protective film F2 in the wafer W. The second protective film removing step ST4 and the first protective film removing step ST6 may be performed using an apparatus including a nozzle that supplies a solution such as a first solution.

また、加工設備１００、１００Ａ、１００Ｂにおいて、第１保護膜除去装置６０は、ウエーハＷから第１保護膜Ｆ１を除去可能なものであれば、本実施形態に示したものに限られず、第２保護膜除去装置３０Ｂは、ウエーハＷから第２保護膜Ｆ２を除去可能なものであれば、本実施形態に示したものに限られない。例えば、第１保護膜除去装置６０または第２保護膜除去装置３０Ｂは、上述したように、酸素プラズマや窒素プラズマを用いたプラズマアッシングにより保護膜をウエーハＷから除去する装置であってもよい。また、第１保護膜除去装置６０または第２保護膜除去装置３０Ｂは、プラズマエッチング装置４０に隣接して配置されてもよい。  Further, in theprocessing equipment 100, 100A, 100B, the first protectivefilm removing device 60 is not limited to the one shown in the present embodiment as long as it can remove the first protective film F1 from the wafer W. The protectivefilm removing device 30B is not limited to the one shown in the present embodiment as long as it can remove the second protective film F2 from the wafer W. For example, the first protectivefilm removing device 60 or the second protectivefilm removing device 30B may be a device that removes the protective film from the wafer W by plasma ashing using oxygen plasma or nitrogen plasma as described above. The first protectivefilm removing device 60 or the second protectivefilm removing device 30B may be disposed adjacent to theplasma etching device 40.

また、加工設備１００、１００Ａ、１００Ｂにおいて、各装置とインターフェース１０１とが一つの装置に構成されてもよく、複数の装置に構成されてもよい。  Further, in theprocessing equipment 100, 100A, 100B, each device and theinterface 101 may be configured as one device or may be configured as a plurality of devices.

１０ 第１保護膜形成装置
２０，２０Ａ，２０Ｂ レーザー加工装置
２１ チャックテーブル
２２ レーザー光照射部
２２ａ 発振手段
２２ｂ 周波数設定手段
２２ｃ 出力調整手段
２２ｄ 集光器
２３ カセット
２４ 第１搬送手段
２５ 第２搬送手段
３０ 第２保護膜形成兼除去部
３０Ａ 第２保護膜形成装置
３０Ｂ 第２保護膜除去装置
３０Ｃ 保護膜形成部
３１ スピンナテーブル
３１ａ 吸着チャック
３２ 電動モータ
３３ 保護膜溶液供給ノズル
３４ 洗浄液供給ノズル
４０ プラズマエッチング装置
４１ ハウジング
４２ 開口
４３，５２ 高周波電源
４４ 下部電極
４５ 吸着保持部材
４６ ゲートバルブ
４７ 排気装置
４８ 排気口
４９ ガス供給手段
５０ 上部電極
５１ 噴出口
６０ 第１保護膜除去装置
６１ スピンナテーブル
６２ ノズル
１００，１００Ａ，１００Ｂ 加工設備
１０１ インターフェース
Ｄ デバイス
ＤＴ デバイスチップ
Ｆ１ 第１保護膜
Ｆ２ 第２保護膜
ＦＬ 機能層
Ｉｏｎ イオン
Ｌ ストリート（分割予定ライン）
Ｍ 金属部材
ＰＺ プラズマ
Ｒ 溝
Ｓ 基板
Ｗ ウエーハ
ＷＳ 表面
ＷＲ 裏面DESCRIPTION OFSYMBOLS 10 1st protectivefilm formation apparatus 20, 20A, 20BLaser processing apparatus 21 Chuck table 22 Laserbeam irradiation part 22a Oscillation means 22b Frequency setting means 22c Output adjustment means22d Condenser 23Cassette 24 First conveyance means 25 Second conveyance means DESCRIPTION OFSYMBOLS 30 2nd protective film formation andremoval part 30A 2nd protectivefilm formation apparatus 30B 2nd protectivefilm removal apparatus 30C Protectivefilm formation part 31 Spinner table31a Adsorption chuck 32Electric motor 33 Protective filmsolution supply nozzle 34 Cleaningliquid supply nozzle 40Plasma etching Device 41Housing 42Opening 43, 52 High frequency power supply 44Lower electrode 45Adsorption holding member 46 Gate valve 47Exhaust device 48Exhaust port 49 Gas supply means 50Upper electrode 51Ejection port 60 First protectivefilm removing device 61 Spinner table 62 Nozzle 1 00, 100A,100B Processing equipment 101 Interface D device DT Device chip F1 First protective film F2 Second protective film FL Functional layer Ion Ion L Street (scheduled division line)
M Metal member PZ Plasma R Groove S Substrate W Wafer WS Front WR Back

Claims (3)

Translated fromJapanese

基板の表面側をストリートで区画した複数の領域にデバイスが形成され、該ストリートと重なる領域に金属部材が形成されたウエーハを該ストリートに沿って分割する分割方法であって、
該表面に第１保護膜を形成し、該第１保護膜上に該第１保護膜とは除去特性が異なる第２保護膜を積層形成する工程と、
該第１、第２保護膜が形成されたウエーハの該表面側から該ストリートに沿ってレーザー光を照射してストリート上の該第１、第２保護膜および該金属部材を除去する工程と、
次いで、該ウエーハから該第２保護膜とともにウエーハにレーザー光を照射することにより該第２保護膜上に付着したデブリを除去する工程と、
該第１保護膜をマスクとしてプラズマエッチングして、該ストリートに沿って溝を形成し、該ウエーハを分割する工程と、を備える分割方法。A method of dividing a wafer in which a device is formed in a plurality of regions partitioned on the surface side of the substrate by streets and a metal member is formed in a region overlapping the streets along the streets,
Forming a first protective film on the surface, and forming a second protective film on the first protective film, the second protective film having different removal characteristics from the first protective film;
Irradiating a laser beam along the street from the surface side of the wafer on which the first and second protective films are formed to remove the first and second protective films and the metal member on the street;
Next, a step of removing debris adhering to the second protective film by irradiating a laser beam to the wafer together with the second protective film from the wafer;
Dividing the wafer by plasma etching using the first protective film as a mask, forming a groove along the street, and dividing the wafer. 該第１保護膜は水溶性であり、該第２保護膜は非水溶性である請求項１に記載の分割方法。  The dividing method according to claim 1, wherein the first protective film is water-soluble and the second protective film is water-insoluble. 該第１保護膜は非水溶性であり、該第２保護膜は水溶性である請求項１に記載の分割方法。
The dividing method according to claim 1, wherein the first protective film is water-insoluble and the second protective film is water-soluble.

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