JP2017194590A

Movatterモバイル変換

Info

Publication number: JP2017194590A
Application number: JP2016085196A
Authority: JP
Inventors: 真司川田; Shinji Kawada; 佐藤　公信; Masanobu Sato; 公信佐藤
Original assignee: Rohm Co Ltd
Current assignee: Rohm Co Ltd
Priority date: 2016-04-21
Filing date: 2016-04-21
Publication date: 2017-10-26

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a gamma correction voltage generation circuit that can improve flexibility of setting a gamma correction voltage as suppressing increase in cost.SOLUTION: A gamma correction voltage generation circuit comprises: a memory 1 that stores a look-up table indicative of a relation between a temperature and N pieces of digital data indicative of first to N-th (N in an integer equal to or more than 3) gamma correction voltages in a non-volatile manner; a register 5B; a control unit (A/D converter 2, a temperature information monitoring circuit 3, a selection circuit 4, and temporary register 5A) that reads N pieces of the digital data indicative of the first to N-th gamma correction voltages corresponding to acquired temperature information from the memory 1 and causes the register 5B to hold the read N pieces of the digital data; and N pieces of D/A converter 6_1 to 6_N that convert N pieces of the digital data held by the register 5B to respective analog voltages.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

Translated fromJapanese

本発明は、表示パネルのガンマ補正のための電圧を生成するガンマ補正電圧発生回路に関する。 The present invention relates to a gamma correction voltage generation circuit that generates a voltage for gamma correction of a display panel.

一般的な表示装置は、表示パネルと、表示パネルを駆動するためのゲートドライバ及びソースドライバとを備える。表示パネルは、複数のデータ線と、複数のデータ線と直交するように配置される複数の走査線と、データ線および走査線の交点にマトリクス状に配置された複数の画素回路とを備える。ゲートドライバは、表示パネルの複数の走査線を順次選択する。ソースドライバは、階調電圧（発光階調に応じたアナログ電圧）を表示パネルの各データ線に印加して表示パネルの各データ線を駆動する。 A general display device includes a display panel, and a gate driver and a source driver for driving the display panel. The display panel includes a plurality of data lines, a plurality of scanning lines arranged so as to be orthogonal to the plurality of data lines, and a plurality of pixel circuits arranged in a matrix at intersections of the data lines and the scanning lines. The gate driver sequentially selects a plurality of scanning lines of the display panel. The source driver applies a gradation voltage (analog voltage corresponding to the light emission gradation) to each data line of the display panel to drive each data line of the display panel.

表示パネルの色あいと表示パネルの各データ線に印加される電圧との関係は、線形特性ではなく図９に示すようなガンマ曲線特性を有する。このような表示パネルのガンマ曲線特性は、個々の表示パネルでそれぞれ異なる。さらに表示パネルのガンマ曲線特性は、同一の表示パネルであっても表示パネルの温度が変われば、その温度変化に応じて変化する。 The relationship between the color of the display panel and the voltage applied to each data line of the display panel has a gamma curve characteristic as shown in FIG. 9 instead of a linear characteristic. Such a display panel has different gamma curve characteristics for each display panel. Further, the gamma curve characteristics of the display panel change according to the temperature change if the temperature of the display panel changes even in the same display panel.

そのため表示装置では表示パネルのガンマ曲線特性に応じたガンマ補正が通常行われる。ガンマ補正は、ガンマ補正電圧発生回路を表示装置に設け、ガンマ補正電圧発生回路から出力されるガンマ補正電圧に基づいてソースドライバが各階調電圧を生成することで、実現することができる。 Therefore, the display device normally performs gamma correction according to the gamma curve characteristics of the display panel. The gamma correction can be realized by providing a gamma correction voltage generation circuit in the display device and generating each gradation voltage by the source driver based on the gamma correction voltage output from the gamma correction voltage generation circuit.

図１０は一般的なガンマ補正電圧発生回路の構成を示す図である。図１０に示すガンマ補正電圧発生回路は、メモリ１０１と、第１のレジスタ１０２と、第２のレジスタ１０３と、Ａ／Ｄ変換器１０４と、温度情報監視回路１０５と、選択回路１０６と、第１〜第Ｎ（Ｎは３以上の自然数）のＤ／Ａ変換器１０７＿１〜１０７＿Ｎと、第１〜第Ｎの出力アンプ１０８＿１〜１０８＿Ｎとを備える。第１のレジスタ１０２、第２のレジスタ１０３、Ａ／Ｄ変換器１０４、温度情報監視回路１０５、選択回路１０６、第１〜第ＮのＤ／Ａ変換器１０７＿１〜１０７＿Ｎ、及び第１〜第Ｎの出力アンプ１０８＿１〜１０８＿Ｎは、半導体パッケージ１０９内に収容される。メモリ１０１と半導体パッケージ１０９とは、バスによってデータ通信可能に接続される。メモリ１０１及び半導体パッケージ１０９はバスによって他のデバイスともデータ通信可能である。 FIG. 10 is a diagram showing a configuration of a general gamma correction voltage generation circuit. The gamma correction voltage generation circuit shown in FIG. 10 includes amemory 101, afirst register 102, asecond register 103, an A /D converter 104, a temperatureinformation monitoring circuit 105, aselection circuit 106, 1 to Nth (N is a natural number of 3 or more) D / A converters 107_1 to 107_N and first to Nth output amplifiers 108_1 to 108_N.First register 102,second register 103, A /D converter 104, temperatureinformation monitoring circuit 105,selection circuit 106, first to Nth D / A converters 107_1 to 107_N, and first to Nth The output amplifiers 108_1 to 108_N are accommodated in thesemiconductor package 109. Thememory 101 and thesemiconductor package 109 are connected via a bus so that data communication is possible. Thememory 101 and thesemiconductor package 109 can communicate data with other devices via a bus.

メモリ１０１は、第１の温度以下における第１〜第Ｎのガンマ補正電圧を示すＮ個のデジタルデータと、第１の温度より高い第２の温度以上における第１〜第Ｎのガンマ補正電圧を示すＮ個のデジタルデータとを不揮発的に記憶する。第１のレジスタ１０２は、メモリ１０１から読み出される第１の温度以下における第１〜第Ｎのガンマ補正電圧を示すＮ個のデジタルデータを保持する。第２のレジスタ１０３は、メモリ１０１から読み出される第２の温度以上における第１〜第Ｎのガンマ補正電圧を示すＮ個のデジタルデータを保持する。 Thememory 101 stores N digital data indicating the first to Nth gamma correction voltages at the first temperature or lower, and the first to Nth gamma correction voltages at the second temperature higher than the first temperature. N pieces of digital data shown are stored in a nonvolatile manner. Thefirst register 102 holds N digital data indicating the first to Nth gamma correction voltages read from thememory 101 and below the first temperature. Thesecond register 103 holds N digital data indicating the first to Nth gamma correction voltages at the second temperature or higher read from thememory 101.

Ａ／Ｄ変換器１０４は、外部から供給される温度情報（アナログデータ）をデジタルデータに変換して温度情報監視回路１０５に出力する。温度情報監視回路１０５は、温度情報のデジタルデータを周期的に選択回路１０６に出力する。 The A /D converter 104 converts temperature information (analog data) supplied from the outside into digital data and outputs the digital data to the temperatureinformation monitoring circuit 105. The temperatureinformation monitoring circuit 105 periodically outputs temperature information digital data to theselection circuit 106.

選択回路１０６は、温度情報監視回路１０５から通知される温度情報が第１の温度以下を示していれば、第１のレジスタ１０２から読み出した第１の温度以下における第Ｋ（ＫはＮ以下の自然数）のガンマ補正電圧を示すデジタルデータを第ＫのＤ／Ａ変換器１０７＿Ｋに出力する。 If the temperature information notified from the temperatureinformation monitoring circuit 105 indicates the first temperature or less, theselection circuit 106 is the Kth (K is N or less) at the first temperature or less read from thefirst register 102. The digital data indicating the (natural number) gamma correction voltage is output to the K-th D / A converter 107_K.

また選択回路１０６は、温度情報監視回路１０５から通知される温度情報が第２の温度以上を示していれば、第２のレジスタ１０３から読み出した第２の温度以上における第Ｋ（ＫはＮ以下の自然数）のガンマ補正電圧を示すデジタルデータを第ＫのＤ／Ａ変換器１０７＿Ｋに出力する。 If the temperature information notified from the temperatureinformation monitoring circuit 105 indicates the second temperature or more, theselection circuit 106 is the Kth (K is N or less) at the second temperature or more read from thesecond register 103. The digital data indicating the gamma correction voltage of (natural number) is output to the Kth D / A converter 107_K.

また選択回路１０６は、温度情報監視回路１０５から通知される温度情報が第１の温度より高く第２の温度より低い温度を示していれば、温度情報監視回路１０５から通知される温度情報が示す温度における第Ｋのガンマ補正電圧を示すデジタルデータを、第１の温度以下における第Ｋのガンマ補正電圧を示すデジタルデータと、第２の温度以上における第Ｋのガンマ補正電圧を示すデジタルデータとから求め、その求めたデジタルデータを第ＫのＤ／Ａ変換器１０７＿Ｋに出力する。 Theselection circuit 106 indicates the temperature information notified from the temperatureinformation monitoring circuit 105 if the temperature information notified from the temperatureinformation monitoring circuit 105 indicates a temperature higher than the first temperature and lower than the second temperature. The digital data indicating the Kth gamma correction voltage at the temperature is obtained from the digital data indicating the Kth gamma correction voltage at the first temperature or lower and the digital data indicating the Kth gamma correction voltage at the second temperature or higher. The obtained digital data is output to the Kth D / A converter 107_K.

第ＫのＤ／Ａ変換器１０７＿Ｋは、選択回路１０６から送られてくるデジタルデータを第Ｋのガンマ補正電圧（アナログ電圧）に変換し、その変換した第Ｋのガンマ補正電圧を第Ｋの出力アンプ１０８＿Ｋに出力する。 The Kth D / A converter 107_K converts the digital data sent from theselection circuit 106 into a Kth gamma correction voltage (analog voltage), and outputs the converted Kth gamma correction voltage to the Kth output. Output to the amplifier 108_K.

第Ｋの出力アンプ１０８＿Ｋは電流増幅アンプである。したがって、第Ｋの出力アンプ１０８＿Ｋは第Ｋのガンマ補正電圧を出力する。 The Kth output amplifier 108_K is a current amplification amplifier. Accordingly, the Kth output amplifier 108_K outputs the Kth gamma correction voltage.

特開平６−６２４２３号公報JP-A-6-62423

上述した通り図１０に示すガンマ補正電圧発生回路では、温度情報監視回路１０５から通知される温度情報が第１の温度より高く第２の温度より低い温度を示していれば、温度情報監視回路１０５から通知される温度情報が示す温度における第Ｋのガンマ補正電圧を示すデジタルデータを、第１の温度以下における第Ｋのガンマ補正電圧を示すデジタルデータと、第２の温度以上における第Ｋのガンマ補正電圧を示すデジタルデータとから求めている。このため、第１の温度より高く第２の温度より低い温度における第Ｋのガンマ補正電圧を示すデジタルデータの値は、温度変化に応じて一方向に変化（例えば図１１に示すように温度上昇に応じて増加）するようにしか設定することができなかった。 As described above, in the gamma correction voltage generation circuit shown in FIG. 10, if the temperature information notified from the temperatureinformation monitoring circuit 105 indicates a temperature higher than the first temperature and lower than the second temperature, the temperatureinformation monitoring circuit 105. Digital data indicating the Kth gamma correction voltage at the temperature indicated by the temperature information notified from the digital data indicating the Kth gamma correction voltage at the first temperature or lower, and the Kth gamma at the second temperature or higher. It is obtained from the digital data indicating the correction voltage. Therefore, the value of the digital data indicating the Kth gamma correction voltage at a temperature higher than the first temperature and lower than the second temperature changes in one direction according to the temperature change (for example, as shown in FIG. It could only be set to increase in response to

第１の温度より高く第２の温度より低い温度におけるガンマ補正電圧の設定の柔軟性を高める方策として、第１の温度より高く第２の温度より低い温度の範囲を複数のサブ範囲に分け、サブ範囲における第１〜第Ｎのガンマ補正電圧を示すＮ個のデジタルデータをレジスタに保持させる構成が考えられる。しかしながら、この構成ではサブ範囲の個数分だけレジスタサイズが増加することになり、コストが大幅に増大するという新たな問題が発生する。 As a measure for increasing the flexibility of setting the gamma correction voltage at a temperature higher than the first temperature and lower than the second temperature, a range of temperatures higher than the first temperature and lower than the second temperature is divided into a plurality of sub-ranges, A configuration is conceivable in which N digital data indicating the first to Nth gamma correction voltages in the sub-range are held in a register. However, in this configuration, the register size increases by the number of sub-ranges, which causes a new problem that the cost significantly increases.

なお、特許文献１で開示されているガンマ補正回路は、ブライドの制御電圧により適応的にガンマ補正データの補正係数を可変するものであって、温度に応じてガンマ補正電圧の値を変えるものではない。 Note that the gamma correction circuit disclosed inPatent Document 1 adaptively varies the correction coefficient of gamma correction data according to the control voltage of the bride, and does not change the value of the gamma correction voltage according to the temperature. Absent.

本発明は、上記の状況に鑑み、コストの増大を抑制しながらガンマ補正電圧の設定の柔軟性を高くすることができるガンマ補正電圧発生回路を提供することを目的とする。 In view of the above situation, an object of the present invention is to provide a gamma correction voltage generation circuit that can increase the flexibility of setting a gamma correction voltage while suppressing an increase in cost.

本明細書中に開示されているガンマ補正電圧発生回路は、温度と第１〜第Ｎ（Ｎは３以上の自然数）のガンマ補正電圧を示すＮ個のデジタルデータとの関係を示すルックアップテーブルを不揮発的に記憶するメモリと、レジスタと、取得した温度情報に対応する第１〜第Ｎのガンマ補正電圧を示すＮ個のデジタルデータを前記メモリから読み出して前記レジスタに保持させる制御部と、前記レジスタが保持しているＮ個の前記デジタルデータをそれぞれアナログ電圧に変換するＮ個のＤ／Ａ変換器とを備える構成（第１の構成）である。 A gamma correction voltage generation circuit disclosed in the present specification is a look-up table showing a relationship between temperature and N digital data indicating first to Nth (N is a natural number of 3 or more) gamma correction voltages. A non-volatile memory, a register, and a controller that reads N digital data indicating first to Nth gamma correction voltages corresponding to the acquired temperature information from the memory and holds the digital data in the register, A configuration (first configuration) including N D / A converters that respectively convert the N digital data held in the register into analog voltages.

また上記第１の構成のガンマ補正電圧発生回路において、前記メモリ及び前記制御部と外部とのデータ通信を行うための通信経路上に設けられるスイッチを備え、前記スイッチがオフ状態である場合に、前記メモリと前記制御部とのデータ通信は可能であるが、前記メモリ及び前記制御部と外部とのデータ通信が不可能になり、前記スイッチがオン状態である場合に、前記メモリと前記制御部とのデータ通信並びに前記メモリ及び前記制御部と外部とのデータ通信が可能である構成（第２の構成）にしてもよい。 Further, the gamma correction voltage generation circuit of the first configuration includes a switch provided on a communication path for performing data communication between the memory and the control unit and the outside, and the switch is in an off state. Data communication between the memory and the control unit is possible, but data communication between the memory and the control unit and the outside becomes impossible, and the memory and the control unit are turned on when the switch is on. It is also possible to adopt a configuration (second configuration) in which data communication with the memory and data communication between the memory and the control unit and the outside are possible.

また上記第２の構成のガンマ補正電圧発生回路において、前記スイッチは、前記レジスタ、前記制御部、及び前記Ｄ／Ａ変換器と同一の半導体チップに集積化される構成（第３の構成）にしてもよい。 In the second configuration of the gamma correction voltage generation circuit, the switch is configured to be integrated on the same semiconductor chip as the register, the control unit, and the D / A converter (third configuration). May be.

また上記第１〜第３いずれかの構成のガンマ補正電圧発生回路において、前記メモリは、第１の半導体チップに集積化され、前記レジスタ、前記制御部、及び前記Ｄ／Ａ変換器は、第２の半導体チップに集積化され、前記第１の半導体チップ及び前記第２の半導体チップは、同一の半導体パッケージに収容される構成（第４の構成）にしてもよい。 In the gamma correction voltage generating circuit having any one of the first to third configurations, the memory is integrated on a first semiconductor chip, and the register, the control unit, and the D / A converter are Two semiconductor chips may be integrated, and the first semiconductor chip and the second semiconductor chip may be configured to be accommodated in the same semiconductor package (fourth configuration).

また上記第４の構成のガンマ補正電圧発生回路において、前記第１の半導体チップは前記第２の半導体チップ上に載置される構成（第５の構成）にしてもよい。 In the fourth configuration of the gamma correction voltage generation circuit, the first semiconductor chip may be mounted on the second semiconductor chip (fifth configuration).

また上記第４又は第５の構成のガンマ補正電圧発生回路において、前記第１の半導体チップに接続される導電部材は全て前記第２の半導体チップに接続される構成（第６の構成）にしてもよい。 In the gamma correction voltage generation circuit of the fourth or fifth configuration, all the conductive members connected to the first semiconductor chip are connected to the second semiconductor chip (sixth configuration). Also good.

また上記第１〜第６いずれかの構成のガンマ補正電圧発生回路において、前記制御部は、取得した前記温度情報に対応する第１〜第Ｎのガンマ補正電圧を示すＮ個のデジタルデータを所定の周期で前記メモリから読み出す構成（第７の構成）にしてもよい。 Further, in the gamma correction voltage generation circuit having any one of the first to sixth configurations, the control unit predetermines N digital data indicating first to Nth gamma correction voltages corresponding to the acquired temperature information. It is also possible to adopt a configuration (seventh configuration) for reading from the memory at a period of

また上記第７の構成のガンマ補正電圧発生回路において、取得した前記温度情報の変化が所定の条件に達した場合には前記所定の周期のタイミングでなくても、前記制御部は、取得した前記温度情報に対応する第１〜第Ｎのガンマ補正電圧を示すＮ個のデジタルデータを前記メモリから読み出す構成（第８の構成）にしてもよい。 In the gamma correction voltage generation circuit of the seventh configuration, when the acquired change in the temperature information reaches a predetermined condition, the control unit acquires the acquired A configuration (eighth configuration) may be employed in which N digital data indicating the first to Nth gamma correction voltages corresponding to the temperature information are read from the memory.

本明細書中に開示されている表示装置は、表示パネルと、前記表示パネルを駆動する駆動回路と、前記駆動回路にガンマ補正電圧を供給する上記第１〜第８いずれかの構成のガンマ補正電圧生成回路とを備える構成（第９の構成）である。 A display device disclosed in the present specification includes a display panel, a drive circuit that drives the display panel, and a gamma correction according to any one of the first to eighth configurations that supplies a gamma correction voltage to the drive circuit. And a voltage generation circuit (ninth configuration).

本明細書中に開示されている車両は、上記第９の構成の表示装置を備える構成（第１０の構成）である。 The vehicle disclosed in this specification is a configuration (tenth configuration) including the display device having the ninth configuration.

本明細書中に開示されているガンマ補正電圧発生回路によれば、コストの増大を抑制しながらガンマ補正電圧の設定の柔軟性を高くすることができる。 According to the gamma correction voltage generation circuit disclosed in the present specification, the flexibility of setting the gamma correction voltage can be increased while suppressing an increase in cost.

ガンマ補正電圧発生回路の構成例を示す図The figure which shows the structural example of a gamma correction voltage generation circuitメモリによって記憶されるルックアップテーブルを模式的に示す図The figure which shows typically the lookup table memorize | stored by memoryガンマ補正電圧発生回路の動作例を示すフローチャートA flowchart showing an operation example of the gamma correction voltage generation circuit温度とガンマ補正電圧を示すデジタルデータの値との関係を示す図Diagram showing the relationship between temperature and the value of digital data indicating gamma correction voltageガンマ補正電圧発生回路を収容する半導体パッケージの一構造例を示す断面図Sectional drawing which shows one structural example of the semiconductor package which accommodates a gamma correction voltage generation circuit液晶表示装置の概略構成例を示す図The figure which shows the schematic structural example of a liquid crystal display device液晶表示装置を搭載した車両の一構成例を示す外観図External view showing a configuration example of a vehicle equipped with a liquid crystal display device車載用液晶表示装置の一例を示す外観図External view showing an example of in-vehicle liquid crystal display表示パネルの色あいと印加電圧との関係を示す図The figure which shows the relationship between the color of the display panel and the applied voltage一般的なガンマ補正電圧発生回路の構成を示す図The figure which shows the structure of the general gamma correction voltage generation circuit温度とガンマ補正電圧を示すデジタルデータの値との関係を示す図Diagram showing the relationship between temperature and the value of digital data indicating gamma correction voltage

＜ガンマ補正電圧発生回路＞
図１はガンマ補正電圧発生回路の構成例を示す図である。図１に示すガンマ補正電圧発生回路は、メモリ１と、Ａ／Ｄ変換器２と、温度情報監視回路３と、選択回路４と、一時レジスタ５Ａと、レジスタ５Ｂと、第１〜第Ｎ（Ｎは３以上の自然数）のＤ／Ａ変換器６＿１〜６＿Ｎと、第１〜第Ｎの出力アンプ７＿１〜７＿Ｎと、スイッチ８とを備える。メモリ１、Ａ／Ｄ変換器２、温度情報監視回路３、選択回路４、一時レジスタ５Ａ、レジスタ５Ｂ、第１〜第ＮのＤ／Ａ変換器６＿１〜６＿Ｎ、第１〜第Ｎの出力アンプ７＿１〜７＿Ｎ、及びスイッチ８は、半導体パッケージ９内に収容される。メモリ１と選択回路４とは、Ｉ２Ｃ等のバスによってデータ通信可能に接続される。メモリ１及び選択回路４はスイッチ８がオン状態である場合にＩ２Ｃ等のバスによって他のデバイスともデータ通信可能である。<Gamma correction voltage generation circuit>
FIG. 1 is a diagram showing a configuration example of a gamma correction voltage generation circuit. The gamma correction voltage generation circuit shown in FIG. 1 includes amemory 1, an A /D converter 2, a temperatureinformation monitoring circuit 3, a selection circuit 4, atemporary register 5A, aregister 5B, and first to Nth ( N is a natural number of 3 or more) D / A converters 6_1 to 6_N, first to Nth output amplifiers 7_1 to 7_N, and aswitch 8.Memory 1, A /D converter 2, temperatureinformation monitoring circuit 3, selection circuit 4,temporary register 5A, register 5B, first to Nth D / A converters 6_1 to 6_N, first to Nth output amplifiers 7_1 to 7_N and theswitch 8 are accommodated in thesemiconductor package 9. Thememory 1 and the selection circuit 4 are connected by a bus such as I2C so that data communication is possible. Thememory 1 and the selection circuit 4 can communicate data with other devices through a bus such as I2C when theswitch 8 is in an ON state.

メモリ１は、例えばＥＥＰＲＯＭ（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）のようなデータの書き換えが可能な不揮発性メモリであって、温度と第１〜第Ｎのガンマ補正電圧を示すＮ個のデジタルデータとの関係を示すルックアップテーブルを不揮発的に記憶する。 Thememory 1 is a rewritable nonvolatile memory such as an EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory), for example, and includes N digital data indicating temperature and first to Nth gamma correction voltages. A lookup table indicating the relationship is stored in a nonvolatile manner.

図２は、メモリ１によって記憶されるルックアップテーブルを模式的に示す図である。図２中のＤ（１）は第１のガンマ補正電圧を示すデジタルデータであって、図２において区分けされた温度範囲毎に異なる値を取り得る。同様に、図２中のＤ（２）は第２のガンマ補正電圧を示すデジタルデータであって、図２において区分けされた温度範囲毎に異なる値を取り得る。同様に、図２中のＤ（Ｎ）は第Ｎのガンマ補正電圧を示すデジタルデータであって、図２において区分けされた温度範囲毎に異なる値を取り得る。 FIG. 2 is a diagram schematically showing a look-up table stored by thememory 1. D (1) in FIG. 2 is digital data indicating the first gamma correction voltage, and can take different values for each temperature range divided in FIG. Similarly, D (2) in FIG. 2 is digital data indicating the second gamma correction voltage, and can take a different value for each temperature range divided in FIG. Similarly, D (N) in FIG. 2 is digital data indicating the Nth gamma correction voltage, and can take different values for each temperature range divided in FIG.

Ａ／Ｄ変換器２は、外部から供給される温度情報（アナログデータ）を周期的にデジタルデータに変換して温度情報監視回路３に出力する。Ａ／Ｄ変換器２におけるＡ／Ｄ変換の周期は、例えば数十ｍｓ〜数百ｍｓが想定されるが、この範囲に限定されるものではない。外部から供給される温度情報（アナログデータ）は、ガンマ補正の対象である表示パネルの近傍に設けられた温度センサの出力信号であることが望ましいが、例えば図１に示すガンマ補正電圧発生回路が車載用表示装置に組み込まれる場合には車内温度検出用温度センサの出力信号であっても良い。 The A /D converter 2 periodically converts temperature information (analog data) supplied from the outside into digital data and outputs the digital data to the temperatureinformation monitoring circuit 3. The period of A / D conversion in the A /D converter 2 is assumed to be, for example, several tens of milliseconds to several hundreds of milliseconds, but is not limited to this range. The temperature information (analog data) supplied from the outside is preferably an output signal of a temperature sensor provided in the vicinity of the display panel that is the target of gamma correction. For example, the gamma correction voltage generation circuit shown in FIG. When incorporated in a vehicle-mounted display device, it may be an output signal of a temperature sensor for detecting the temperature inside the vehicle.

温度情報監視回路３は、温度情報のデジタルデータを所定の周期で選択回路４に出力する。さらに温度情報監視回路３は、外部から供給される温度情報の変化が所定の条件に達した場合には所定の周期のタイミングでなくても、温度情報のデジタルデータを選択回路４に出力する。外部から供給される温度情報の変化が所定の条件に達した場合の例としては、温度情報監視回路３が最後に選択回路４に出力した温度情報のデジタルデータが示す温度と、温度情報監視回路３が取得した温度情報のデジタルデータが示す温度との差が所定値以上になった場合を挙げることができる。この例では、温度情報監視回路３は、最後に選択回路４に出力した温度情報のデジタルデータを保持する保持部と、最後に選択回路４に出力した温度情報のデジタルデータが示す温度と、温度情報監視回路３が取得した温度情報のデジタルデータが示す温度との差が所定値以上であるか否かを判定する判定部とを備える構成にすれば良い。 The temperatureinformation monitoring circuit 3 outputs digital data of temperature information to the selection circuit 4 at a predetermined cycle. Furthermore, the temperatureinformation monitoring circuit 3 outputs the digital data of the temperature information to the selection circuit 4 even when the change of the temperature information supplied from the outside reaches a predetermined condition, even if it is not at a predetermined cycle timing. As an example when the change in temperature information supplied from the outside reaches a predetermined condition, the temperature indicated by the digital data of the temperature information last output to the selection circuit 4 by the temperatureinformation monitoring circuit 3 and the temperatureinformation monitoring circuit 3 may be a case where the difference from the temperature indicated by the digital data of the temperature information acquired is equal to or greater than a predetermined value. In this example, the temperatureinformation monitoring circuit 3 includes a holding unit that holds digital data of temperature information that is finally output to the selection circuit 4, a temperature indicated by the digital data of temperature information that is finally output to the selection circuit 4, and a temperature What is necessary is just to make it the structure provided with the determination part which determines whether the difference with the temperature which the digital data of the temperature information which theinformation monitoring circuit 3 acquired is more than predetermined value.

選択回路４は、温度情報監視回路３から通知される温度情報に対応する第１〜第Ｎのガンマ補正電圧を示すＮ個のデジタルデータをメモリ１から読み出して一時レジスタ５Ａに保持させる。一時レジスタ５Ａによって保持されているデータは、外部トリガ信号に同期してレジスタ５Ｂに反映される。外部トリガ信号としては、例えば表示パネルにおけるパネルフレーム周期と同一周期であるＳＴＶ（Start Vertical）信号を用いることができるが、ＳＴＶ信号に限定されるものではない。レジスタ５Ｂは、保持している第Ｋのガンマ補正電圧を示すデジタルデータを第ＫのＤ／Ａ変換器６＿Ｋに送る。 The selection circuit 4 reads N digital data indicating the first to Nth gamma correction voltages corresponding to the temperature information notified from the temperatureinformation monitoring circuit 3 from thememory 1 and stores the digital data in thetemporary register 5A. The data held by thetemporary register 5A is reflected in theregister 5B in synchronization with the external trigger signal. As the external trigger signal, for example, an STV (Start Vertical) signal having the same period as the panel frame period in the display panel can be used, but the external trigger signal is not limited to the STV signal. Theregister 5B sends the digital data indicating the held Kth gamma correction voltage to the Kth D / A converter 6_K.

第ＫのＤ／Ａ変換器６＿Ｋは、レジスタ５Ｂから送られてくるデジタルデータを第Ｋのガンマ補正電圧（アナログ電圧）に変換し、その変換した第Ｋのガンマ補正電圧を第Ｋの出力アンプ７＿Ｋに出力する。 The Kth D / A converter 6_K converts the digital data sent from theregister 5B into a Kth gamma correction voltage (analog voltage), and the converted Kth gamma correction voltage is a Kth output amplifier. Output to 7_K.

第Ｋの出力アンプ７＿Ｋは電流増幅アンプである。したがって、第Ｋの出力アンプ７＿Ｋは第Ｋのガンマ補正電圧を出力する。 The Kth output amplifier 7_K is a current amplification amplifier. Therefore, the Kth output amplifier 7_K outputs the Kth gamma correction voltage.

次に、以上のような構成である図１に示すガンマ補正電圧発生回路の動作例について図３のフローチャートを参照して説明する。 Next, an example of the operation of the gamma correction voltage generation circuit shown in FIG. 1 having the above configuration will be described with reference to the flowchart of FIG.

温度情報監視回路３は、温度情報のデジタルデータを選択回路４に出力する（ステップＳ１０）。その後、選択回路４は、温度情報監視回路５から通知される温度情報に対応する第１〜第Ｎのガンマ補正電圧を示すＮ個のデジタルデータをメモリ１から読み出して一時レジスタ５Ａに保持させる（ステップＳ２０）。ステップＳ２０に続くステップＳ３０において、外部トリガ信号との同期タイミング（例えばＳＴＶ信号の立ち上がりエッジタイミング）が到来するまでステップＳ４０への移行を待機する。外部トリガ信号との同期タイミングが到来すれば（ステップＳ３０のＹＥＳ）、一時レジスタ５Ａによって保持されているデータはレジスタ５Ｂに反映される（ステップＳ４０）。すなわち、一時レジスタ５Ａによって保持されているデータは外部トリガ信号に同期してレジスタ５Ｂに反映される。図１に示すガンマ補正電圧発生回路の出力切替が表示パネルに映し出される映像に悪影響を及ぼすことを、ステップＳ３０及びＳ４０の処理を実行することによって抑えることができる。なお、映像品質が多少悪化するけれども、一時レジスタ５Ａを設けない構成とし、ステップＳ３０及びＳ４０の処理を実行しないことも可能である。 The temperatureinformation monitoring circuit 3 outputs digital data of temperature information to the selection circuit 4 (step S10). Thereafter, the selection circuit 4 reads N digital data indicating the first to N-th gamma correction voltages corresponding to the temperature information notified from the temperature information monitoring circuit 5 from thememory 1 and holds them in thetemporary register 5A ( Step S20). In step S30 following step S20, a transition to step S40 is awaited until the synchronization timing with the external trigger signal (for example, the rising edge timing of the STV signal) arrives. When the synchronization timing with the external trigger signal arrives (YES in step S30), the data held in thetemporary register 5A is reflected in theregister 5B (step S40). That is, the data held by thetemporary register 5A is reflected in theregister 5B in synchronization with the external trigger signal. It can be suppressed by executing the processes of steps S30 and S40 that the output switching of the gamma correction voltage generation circuit shown in FIG. 1 adversely affects the image displayed on the display panel. Although the video quality is somewhat deteriorated, thetemporary register 5A may not be provided, and the processes in steps S30 and S40 may not be executed.

ステップＳ４０に続くステップＳ５０において、温度情報監視回路３は、内蔵タイマによる計時を開始する。その後、温度情報監視回路３は、計時を開始してから所定の周期時間が経過したか否かを判定する（ステップＳ６０）。 In step S50 following step S40, the temperatureinformation monitoring circuit 3 starts measuring time by the built-in timer. Thereafter, the temperatureinformation monitoring circuit 3 determines whether or not a predetermined period has elapsed since the start of time measurement (step S60).

計時を開始してから所定の周期時間が経過したと判定された場合（ステップＳ６０のＹＥＳ）、ステップＳ８０に移行する。 When it is determined that a predetermined period of time has elapsed since the start of timing (YES in step S60), the process proceeds to step S80.

一方、計時を開始してから所定の周期時間が経過していないと判定された場合（ステップＳ６０のＮＯ）、温度情報監視回路３は、外部から供給される温度情報の変化が所定の条件に達したか否かを判定する（ステップＳ７０）。外部から供給される温度情報の変化が所定の条件に達したと判定された場合（ステップＳ７０のＹＥＳ）、ステップＳ８０に移行する。外部から供給される温度情報の変化が所定の条件に達していないと判定された場合（ステップＳ７０のＮＯ）、ステップＳ６０に戻る。 On the other hand, when it is determined that the predetermined period of time has not elapsed since the start of time measurement (NO in step S60), the temperatureinformation monitoring circuit 3 causes the change in temperature information supplied from the outside to be in a predetermined condition. It is determined whether or not it has been reached (step S70). When it is determined that the change in temperature information supplied from the outside has reached a predetermined condition (YES in step S70), the process proceeds to step S80. When it is determined that the change in the temperature information supplied from the outside does not reach the predetermined condition (NO in step S70), the process returns to step S60.

ステップＳ８０において、温度情報監視回路３の内蔵タイマによる計時を終了して温度情報監視回路３の内蔵タイマをリセットする。ステップＳ８０の処理が終わると、ステップＳ１０に戻る。 In step S80, the time measurement by the built-in timer of the temperatureinformation monitoring circuit 3 is terminated and the built-in timer of the temperatureinformation monitoring circuit 3 is reset. When the process of step S80 ends, the process returns to step S10.

レジスタ５Ｂは、図３のフローチャートによる動作が行われている間常時、保持している第Ｋのガンマ補正電圧を示すデジタルデータを第ＫのＤ／Ａ変換器６＿Ｋに送る。第ＫのＤ／Ａ変換器６＿Ｋは、図３のフローチャートによる動作が行われている間常時、レジスタ５Ｂから送られてくるデジタルデータを第Ｋのガンマ補正電圧（アナログ電圧）に変換し、その変換した第Ｋのガンマ補正電圧を第Ｋの出力アンプ７＿Ｋに出力する。第Ｋの出力アンプ７＿Ｋは、図３のフローチャートによる動作が行われている間常時、第Ｋのガンマ補正電圧を出力する。 Theregister 5B always sends digital data indicating the held K-th gamma correction voltage to the K-th D / A converter 6_K while the operation according to the flowchart of FIG. 3 is performed. The Kth D / A converter 6_K always converts the digital data sent from theregister 5B into the Kth gamma correction voltage (analog voltage) while the operation according to the flowchart of FIG. The converted Kth gamma correction voltage is output to the Kth output amplifier 7_K. The Kth output amplifier 7_K always outputs the Kth gamma correction voltage while the operation according to the flowchart of FIG. 3 is performed.

以上において説明した図１に示すガンマ補正電圧発生回路は、温度と第１〜第Ｎのガンマ補正電圧を示すＮ個のデジタルデータとの関係を示すルックアップテーブルを不揮発的に記憶するメモリ１を備える。これにより、図１に示すガンマ補正電圧発生回路は、図１０に示すガンマ補正電圧発生回路のように第１の温度より高く第２の温度より低い温度における第Ｋのガンマ補正電圧を示すデジタルデータの値は、温度変化に応じて一方向に変化するようにしか設定することができないという制約を有していない。すなわち、図１に示すガンマ補正電圧発生回路は、ガンマ補正電圧の設定の柔軟性を高くすることができる。 The gamma correction voltage generation circuit shown in FIG. 1 described above includes amemory 1 that stores in a nonvolatile manner a lookup table indicating the relationship between temperature and N digital data indicating the first to Nth gamma correction voltages. Prepare. Accordingly, the gamma correction voltage generation circuit shown in FIG. 1 is digital data indicating the Kth gamma correction voltage at a temperature higher than the first temperature and lower than the second temperature, like the gamma correction voltage generation circuit shown in FIG. The value of has no restriction that it can only be set to change in one direction in response to a temperature change. That is, the gamma correction voltage generation circuit shown in FIG. 1 can increase the flexibility of setting the gamma correction voltage.

例えば、一つのガンマ補正電圧は図４中の太実線で示すように温度変化に応じて一方向に変化する（極値が存在しないように変化する）設定とし、もう一つのガンマ補正電圧は図４中の細実線で示すように温度変化に応じて極小値と極大値がそれぞれ一つずつ存在するように変化する設定とすることができる。なお、図４に示していない（Ｎ−２）個のガンマ補正電圧についても図４に示した２個のガンマ補正電圧の温度変化に応じた設定とは独立して自由に設定することができる。 For example, one gamma correction voltage is set to change in one direction (changes so that there is no extreme value) as the temperature changes as shown by a thick solid line in FIG. As shown by a thin solid line in FIG. 4, it can be set to change so that one minimum value and one maximum value exist according to the temperature change. Note that (N-2) gamma correction voltages not shown in FIG. 4 can be freely set independently of the setting of the two gamma correction voltages shown in FIG. 4 according to the temperature change. .

また、図１に示すガンマ補正電圧発生回路は、図１０に示すガンマ補正電圧発生回路と比較してレジスタサイズが減少する構成であるため、コストの増大を抑制しながらガンマ補正電圧の設定の柔軟性を高くすることができる。なお、図１に示すガンマ補正電圧発生回路は、図１０に示すガンマ補正電圧発生回路と比較してメモリサイズが増加する構成であるが、一般的にメモリは集積化が容易であるため、図１０に示すガンマ補正電圧発生回路に対する図１に示すガンマ補正電圧発生回路のメモリサイズの増加程度であれば、メモリサイズの増加にほとんど影響を与えない。 Further, the gamma correction voltage generation circuit shown in FIG. 1 has a configuration in which the register size is reduced as compared with the gamma correction voltage generation circuit shown in FIG. Sexuality can be increased. Note that the gamma correction voltage generation circuit shown in FIG. 1 has a configuration in which the memory size is increased as compared with the gamma correction voltage generation circuit shown in FIG. 10, but the memory is generally easy to integrate. If the memory size of the gamma correction voltage generation circuit shown in FIG. 1 is increased to the gamma correction voltage generation circuit shown in FIG. 10, the increase in the memory size is hardly affected.

さらに、図１に示すガンマ補正電圧発生回路は、通常の使用状態ではスイッチ８をオフ状態にしている。これにより、図１に示すガンマ補正電圧発生回路は、図１０に示すガンマ補正電圧発生回路では起こり得たメモリ−レジスタ間のデータ通信とメモリ−他のデバイス間のデータ通信との競合を回避している。すわなち、図１に示すガンマ補正電圧発生回路は、通常の使用状態において、メモリ１−選択回路４間のデータ通信を確実に行うことができる。なお、図１に示すガンマ補正電圧発生回路の工場出荷時などにおいて、温度と第１〜第Ｎのガンマ補正電圧を示すＮ個のデジタルデータとの関係を示すルックアップテーブルをメモリ１に書き込む際には、スイッチ８をオン状態にするためのスイッチ制御信号を外部から図１に示すガンマ補正電圧発生回路に与えて、スイッチ８を一時的にオン状態にすれば良い。 Further, the gamma correction voltage generation circuit shown in FIG. 1 has theswitch 8 turned off in a normal use state. Accordingly, the gamma correction voltage generation circuit shown in FIG. 1 avoids the conflict between the data communication between the memory and the register and the data communication between the memory and another device, which may have occurred in the gamma correction voltage generation circuit shown in FIG. ing. That is, the gamma correction voltage generation circuit shown in FIG. 1 can reliably perform data communication between thememory 1 and the selection circuit 4 in a normal use state. When the gamma correction voltage generating circuit shown in FIG. 1 is shipped from the factory, a look-up table showing the relationship between temperature and N digital data indicating the first to Nth gamma correction voltages is written into thememory 1. For this purpose, a switch control signal for turning on theswitch 8 may be externally supplied to the gamma correction voltage generation circuit shown in FIG. 1 to temporarily turn on theswitch 8.

ここで、図１に示すガンマ補正電圧発生回路を収容する半導体パッケージ９の構造例について説明する。図５は、図１に示すガンマ補正電圧発生回路を収容する半導体パッケージ９の一構造例を示す断面図である。 Here, a structural example of thesemiconductor package 9 that accommodates the gamma correction voltage generation circuit shown in FIG. 1 will be described. FIG. 5 is a sectional view showing an example of the structure of thesemiconductor package 9 that accommodates the gamma correction voltage generation circuit shown in FIG.

半導体パッケージ９は、第１の半導体チップＣ１と、第２の半導体チップＣ２と、複数のＡｕワイヤＷ１及びＷ２と、複数のＣｕ系ピン端子Ｐ１とを絶縁性樹脂Ｒ１で封止している。なお、複数のＣｕ系ピン端子Ｐ１の下面及び一側面は外部に露出している。 In thesemiconductor package 9, the first semiconductor chip C1, the second semiconductor chip C2, the plurality of Au wires W1 and W2, and the plurality of Cu-based pin terminals P1 are sealed with an insulating resin R1. Note that the lower surface and one side surface of the plurality of Cu-based pin terminals P1 are exposed to the outside.

メモリ１は、第１の半導体チップＣ１に集積化される。Ａ／Ｄ変換器２、温度情報監視回路３、選択回路４、一時レジスタ５Ａ、レジスタ５Ｂ、第１〜第ＮのＤ／Ａ変換器６＿１〜６＿Ｎ、第１〜第Ｎの出力アンプ７＿１〜７＿Ｎ、及びスイッチ８は、第２の半導体チップＣ２に集積化される。そして、第１の半導体チップＣ１は絶縁性の両面テープＴＰ１を介して第２の半導体チップＣ２上に載置される。第１の半導体チップＣ１に接続されるＡｕワイヤＷ１は全て第２の半導体チップＣ２に接続される。ＡｕワイヤＷ２は第２の半導体チップＣ２とＣｕ系ピン端子Ｐ１とを接続する。 Thememory 1 is integrated on the first semiconductor chip C1. A /D converter 2, temperatureinformation monitoring circuit 3, selection circuit 4,temporary register 5A, register 5B, first to Nth D / A converters 6_1 to 6_N, first to Nth output amplifiers 7_1 to 7_N , And theswitch 8 are integrated in the second semiconductor chip C2. Then, the first semiconductor chip C1 is placed on the second semiconductor chip C2 via the insulating double-sided tape TP1. All the Au wires W1 connected to the first semiconductor chip C1 are connected to the second semiconductor chip C2. The Au wire W2 connects the second semiconductor chip C2 and the Cu-based pin terminal P1.

このような構造により、スイッチ８をオフ状態にしていれば、メモリ１が半導体パッケージ９の外部からアクセスできないようになっている。 With such a structure, thememory 1 cannot be accessed from the outside of thesemiconductor package 9 if theswitch 8 is turned off.

＜液晶表示装置＞
図１に示すガンマ補正電圧発生回路は、例えば液晶表示装置に組み込まれる。図６は、液晶表示装置の概略構成例を示す図である。図６に示す液晶表示装置は、図１に示すガンマ補正電圧発生回路と同一構成であるガンマ補正電圧発生回路１０と、液晶表示パネル１１と、液晶表示パネル１１を駆動するためのゲートドライバ１２及びソースドライバ１３とを備える。<Liquid crystal display device>
The gamma correction voltage generation circuit shown in FIG. 1 is incorporated in, for example, a liquid crystal display device. FIG. 6 is a diagram illustrating a schematic configuration example of the liquid crystal display device. The liquid crystal display device shown in FIG. 6 includes a gamma correctionvoltage generation circuit 10 having the same configuration as the gamma correction voltage generation circuit shown in FIG. 1, a liquidcrystal display panel 11, agate driver 12 for driving the liquidcrystal display panel 11, and Asource driver 13.

液晶表示パネル１１は、複数のデータ線と、複数のデータ線と直交するように配置される複数の走査線と、データ線および走査線の交点にマトリクス状に配置された複数の画素回路とを備える。ゲートドライバ１２は、液晶表示パネル１１の複数の走査線を順次選択する。ソースドライバ１３は、階調電圧（発光階調に応じたアナログ電圧）を液晶表示パネル１１の各データ線に印加して液晶表示パネル１１の各データ線を駆動する。 The liquidcrystal display panel 11 includes a plurality of data lines, a plurality of scanning lines arranged orthogonal to the plurality of data lines, and a plurality of pixel circuits arranged in a matrix at intersections of the data lines and the scanning lines. Prepare. Thegate driver 12 sequentially selects a plurality of scanning lines of the liquidcrystal display panel 11. Thesource driver 13 drives each data line of the liquidcrystal display panel 11 by applying a gradation voltage (analog voltage corresponding to the light emission gradation) to each data line of the liquidcrystal display panel 11.

また、ソースドライバ１３は、ガンマ補正電圧発生回路１０から出力される第１〜第Ｎのガンマ補正電圧を用いて複数の階調電圧を生成する。複数の階調電圧は、第１〜第Ｎのガンマ補正電圧と、番号が隣接する２つのガンマ補正電圧間の複数の分圧とによって構成される。番号が隣接する２つのガンマ補正電圧間の複数の分圧は、例えば複数の中間タップを有する抵抗を設け、番号が隣接する２つのガンマ補正電圧の一方を当該抵抗の一端に印加し、番号が隣接する２つのガンマ補正電圧の他方を当該抵抗の一端に印加し、当該抵抗の中間タップから取り出すと良い。 Thesource driver 13 generates a plurality of gradation voltages using the first to Nth gamma correction voltages output from the gamma correctionvoltage generation circuit 10. The plurality of gradation voltages are constituted by first to Nth gamma correction voltages and a plurality of divided voltages between two gamma correction voltages adjacent to each other in number. For example, a resistor having a plurality of intermediate taps is provided, and one of two gamma correction voltages adjacent to each other is applied to one end of the resistor. The other of the two adjacent gamma correction voltages may be applied to one end of the resistor and taken out from the intermediate tap of the resistor.

タイミングコントローラ１４は、ゲートドライバ１２及びソースドライバ１３の各動作のタイミングを制御する。液晶表示パネル１１の各画素回路は、液晶層を有しており、対応する走査線によって選択されているときに、対応するデータ線に印加される階調電圧に応じて液晶層の透光度を可変する。 Thetiming controller 14 controls the timing of each operation of thegate driver 12 and thesource driver 13. Each pixel circuit of the liquidcrystal display panel 11 has a liquid crystal layer, and when selected by the corresponding scanning line, the translucency of the liquid crystal layer according to the gradation voltage applied to the corresponding data line. Is variable.

図６に示す液晶表示装置は、例えば図７に示す車両Ｘに搭載される車載機器Ｘ１として用いられる。液晶表示装置である車載機器Ｘ１は、車両Ｘの室内フロント部に設けられる（図８参照）。液晶表示装置である車載機器Ｘ１に備えられる液晶パネルＸ１１には、例えばナビゲーション情報や車両後方の撮像画像などが表示される。 The liquid crystal display device shown in FIG. 6 is used as, for example, an in-vehicle device X1 mounted on the vehicle X shown in FIG. The in-vehicle device X1, which is a liquid crystal display device, is provided on the indoor front portion of the vehicle X (see FIG. 8). For example, navigation information, a captured image of the rear of the vehicle, and the like are displayed on the liquid crystal panel X11 provided in the in-vehicle device X1 that is a liquid crystal display device.

車載用の液晶表示装置は、屋内に設置される家庭用の液晶テレビなどに比べて使用環境の温度変化が大きいため、図１に示すガンマ補正電圧発生回路を組み込む表示装置として好適である。なお、屋外に設けられるデジタルサイネージ及び屋外での使用が想定されるノート型パーソナルコンピュータのモニタなども、車載用の液晶表示装置と同様に、屋内に設置される家庭用の液晶テレビなどに比べて使用環境の温度変化が大きいため、図１に示すガンマ補正電圧発生回路を組み込む表示装置として好適である。 The in-vehicle liquid crystal display device is suitable as a display device incorporating the gamma correction voltage generation circuit shown in FIG. 1 because the temperature change in the usage environment is larger than that of a home-use liquid crystal television set installed indoors. In addition, digital signage provided outdoors and monitors for notebook personal computers that are assumed to be used outdoors are also similar to liquid crystal display devices for vehicles, such as LCD TVs for home use installed indoors. Since the temperature change in the usage environment is large, it is suitable as a display device incorporating the gamma correction voltage generation circuit shown in FIG.

＜その他の変形例＞
なお、本発明の構成は、上記実施形態のほか、発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加えることが可能である。<Other variations>
The configuration of the present invention can be variously modified in addition to the above-described embodiment without departing from the gist of the invention.

上述した実施形態では、ガンマ補正電圧発生回路を液晶表示装置に適用したが、有機ＥＬ（Organic Electro-Luminescence）表示装置などの他の表示装置に適用してもよい。 In the embodiment described above, the gamma correction voltage generation circuit is applied to the liquid crystal display device, but may be applied to other display devices such as an organic EL (Organic Electro-Luminescence) display device.

また上述した実施形態では、図１に示すガンマ補正電圧発生回路にスイッチ８を設けたが、例えば通常の使用状態ではガンマ補正電圧発生回路のバスに他のデイバスが接続されていない構成である場合等を想定してスイッチ８を設けない構成にしても良い。 In the above-described embodiment, theswitch 8 is provided in the gamma correction voltage generation circuit shown in FIG. 1. For example, in a normal use state, no other device is connected to the bus of the gamma correction voltage generation circuit. For example, theswitch 8 may not be provided.

また上述した実施形態では、図３に示すフローチャートにおいてステップＳ５０を設けたが、例えば所定の周期時間内では温度条件の変化が所定の条件に達するような急激な温度変化が生じない場合等を想定してステップＳ５０を設けないようにしてもよい。 In the above-described embodiment, step S50 is provided in the flowchart shown in FIG. 3, but it is assumed that, for example, a rapid temperature change in which a change in temperature condition reaches a predetermined condition does not occur within a predetermined cycle time. Thus, step S50 may not be provided.

このように、上記実施形態は、全ての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきであり、本発明の技術的範囲は、上記実施形態の説明ではなく、特許請求の範囲によって示されるものであり、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内に属する全ての変更が含まれると理解されるべきである。 As described above, the above embodiments are examples in all respects and should not be considered to be restrictive, and the technical scope of the present invention is not the description of the above embodiments, but the claims. It is to be understood that all changes that come within the scope of the claims, are equivalent in meaning to the claims, and fall within the scope of the claims.

本発明は、あらゆる分野（家電分野、自動車分野、産業機械分野など）で用いられる表示装置に利用することが可能である。 The present invention can be used for display devices used in various fields (such as the home appliance field, the automobile field, and the industrial machine field).

１メモリ
２Ａ／Ｄ変換器
３温度情報監視回路
４選択回路
５Ａ一時レジスタ
５Ｂレジスタ
６＿１〜６＿Ｎ第１〜第ＮのＤ／Ａ変換器
７＿１〜７＿Ｎ第１〜第Ｎの出力アンプ
８スイッチ
９半導体パッケージ
１０ガンマ補正電圧発生回路
１１液晶表示パネル
１２ゲートドライバ
１３ソースドライバ
１４タイミングコントローラ
Ｃ１第１の半導体チップ
Ｃ２第２の半導体チップ
Ｐ１Ｃｕ系ピン端子
Ｒ１絶縁性樹脂
ＴＰ１絶縁性両面テープ
Ｗ１、Ｗ２Ａｕワイヤ
Ｘ車両
Ｘ１車載機器
Ｘ１１液晶パネルDESCRIPTION OFSYMBOLS 1 Memory 2 A /D converter 3 Temperature information monitoring circuit 4Selection circuit 5A Temporary register 5B Register 6_1-6_N 1st-Nth D / A converter 7_1-7_N 1st-Nth output amplifier 8Switch 9Semiconductor Package 10 Gamma correctionvoltage generation circuit 11 Liquidcrystal display panel 12Gate driver 13Source driver 14 Timing controller C1 First semiconductor chip C2 Second semiconductor chip P1 Cu-based pin terminal R1 Insulating resin TP1 Insulating double-sided tape W1, W2 Au Wire X Vehicle X1 In-vehicle device X11 LCD panel

Claims

Translated fromJapanese

温度と第１〜第Ｎ（Ｎは３以上の自然数）のガンマ補正電圧を示すＮ個のデジタルデータとの関係を示すルックアップテーブルを不揮発的に記憶するメモリと、
レジスタと、
取得した温度情報に対応する第１〜第Ｎのガンマ補正電圧を示すＮ個のデジタルデータを前記メモリから読み出して前記レジスタに保持させる制御部と、
前記レジスタが保持しているＮ個の前記デジタルデータをそれぞれアナログ電圧に変換するＮ個のＤ／Ａ変換器とを備えることを特徴とするガンマ補正電圧発生回路。A memory that nonvolatilely stores a lookup table indicating a relationship between temperature and N digital data indicating first to Nth (N is a natural number of 3 or more) gamma correction voltages;
Registers,
A control unit that reads out N digital data indicating first to Nth gamma correction voltages corresponding to the acquired temperature information from the memory and holds the digital data in the register;
A gamma correction voltage generation circuit comprising: N D / A converters for converting the N digital data held in the register into analog voltages, respectively.

前記メモリ及び前記制御部と外部とのデータ通信を行うための通信経路上に設けられるスイッチを備え、
前記スイッチがオフ状態である場合に、前記メモリと前記制御部とのデータ通信は可能であるが、前記メモリ及び前記制御部と外部とのデータ通信が不可能になり、
前記スイッチがオン状態である場合に、前記メモリと前記制御部とのデータ通信並びに前記メモリ及び前記制御部と外部とのデータ通信が可能である請求項１に記載のガンマ補正電圧発生回路。A switch provided on a communication path for performing data communication between the memory and the control unit and the outside;
When the switch is in an off state, data communication between the memory and the control unit is possible, but data communication between the memory and the control unit and the outside becomes impossible.
2. The gamma correction voltage generation circuit according to claim 1, wherein when the switch is in an ON state, data communication between the memory and the control unit and data communication between the memory and the control unit and the outside are possible.

前記スイッチは、前記レジスタ、前記制御部、及び前記Ｄ／Ａ変換器と同一の半導体チップに集積化される請求項２に記載のガンマ補正電圧発生回路。 The gamma correction voltage generation circuit according to claim 2, wherein the switch is integrated on the same semiconductor chip as the register, the control unit, and the D / A converter.

前記メモリは、第１の半導体チップに集積化され、
前記レジスタ、前記制御部、及び前記Ｄ／Ａ変換器は、第２の半導体チップに集積化され、
前記第１の半導体チップ及び前記第２の半導体チップは、同一の半導体パッケージに収容される請求項１〜３のいずれか一項に記載のガンマ補正電圧発生回路。The memory is integrated in a first semiconductor chip;
The register, the control unit, and the D / A converter are integrated on a second semiconductor chip,
The gamma correction voltage generation circuit according to claim 1, wherein the first semiconductor chip and the second semiconductor chip are accommodated in the same semiconductor package.

前記第１の半導体チップは前記第２の半導体チップ上に載置される請求項４に記載のガンマ補正電圧発生回路。 The gamma correction voltage generation circuit according to claim 4, wherein the first semiconductor chip is mounted on the second semiconductor chip.

前記第１の半導体チップに接続される導電部材は全て前記第２の半導体チップに接続される請求項４または請求項５に記載のガンマ補正電圧発生回路。 6. The gamma correction voltage generation circuit according to claim 4, wherein all conductive members connected to the first semiconductor chip are connected to the second semiconductor chip.

前記制御部は、取得した前記温度情報に対応する第１〜第Ｎのガンマ補正電圧を示すＮ個のデジタルデータを所定の周期で前記メモリから読み出す請求項１〜６のいずれか一項に記載のガンマ補正電圧発生回路。 The said control part reads N digital data which shows the 1st-Nth gamma correction voltage corresponding to the acquired said temperature information from the said memory with a predetermined | prescribed period. Gamma correction voltage generator circuit.

取得した前記温度情報の変化が所定の条件に達した場合には前記所定の周期のタイミングでなくても、前記制御部は、取得した前記温度情報に対応する第１〜第Ｎのガンマ補正電圧を示すＮ個のデジタルデータを前記メモリから読み出す請求項７に記載のガンマ補正電圧発生回路。 If the change in the acquired temperature information reaches a predetermined condition, the control unit may control the first to Nth gamma correction voltages corresponding to the acquired temperature information, even if the timing is not the predetermined cycle. The gamma correction voltage generation circuit according to claim 7, wherein N digital data indicating the same are read from the memory.

表示パネルと、
前記表示パネルを駆動する駆動回路と、
前記駆動回路にガンマ補正電圧を供給する請求項１〜８のいずれか一項に記載のガンマ補正電圧生成回路とを備えることを特徴とする表示装置。A display panel;
A drive circuit for driving the display panel;
A display device comprising the gamma correction voltage generation circuit according to claim 1, wherein a gamma correction voltage is supplied to the driving circuit.

請求項９に記載の表示装置を備えることを特徴とする車両。 A vehicle comprising the display device according to claim 9.