本発明は、ベース基板とリッド基板とによって形成されるキャビティ内に電子素子が封入されている電子部品に関する。 The present invention relates to an electronic component in which an electronic element is sealed in a cavity formed by a base substrate and a lid substrate.
従来より、パッケージにキャビティ内においてベース基板上に電子素子が実装されている電子部品が提案されている。このような電子部品では、パッケージ外部から貫通電極等を介して電子素子に電力が供給されることで、電子素子が作動するように構成されている。 Conventionally, an electronic component in which an electronic element is mounted on a base substrate in a cavity of a package has been proposed. Such an electronic component is configured such that the electronic element is activated by supplying electric power to the electronic element from the outside of the package via a through electrode or the like.
しかしながら、電子部品に対しては小型化と高機能化の両立が求められており、これにより、電子素子からの発熱により、パッケージ内の温度が高温になりやすくなるといった課題がある。パッケージ内の温度が高温になってしまうと、電子素子の処理能力が顕著に低下し、電子部品の信頼性低下につながってしまう。 However, electronic components are required to be both compact and highly functional, and there is a problem that the temperature in the package tends to become high due to heat generated from the electronic elements. When the temperature in the package becomes high, the processing capability of the electronic element is significantly reduced, leading to a reduction in the reliability of the electronic component.
そこで、電子素子からの発熱を放熱可能な構成が提案されている。例えば、キャビティ内において、電子素子に弾性変形可能な放熱部材を接触させて、電子素子からの発熱を放熱させる構成が知られている。 Therefore, a configuration capable of dissipating heat generated from the electronic element has been proposed. For example, a configuration is known in which heat generation from an electronic element is dissipated by bringing an elastically deformable heat dissipation member into contact with the electronic element in the cavity.
しかしながら上記従来技術には次の課題がある。
電子素子に放熱部材を接触させる場合、放熱部材から受ける接触圧によって、電子素子の変形、位置ずれ等に起因する信頼性低下の課題がある。即ち、従来技術では、電子素子の放熱性を高めて、小型化、高機能化を図りつつ、かつ信頼性を向上させることが可能な電子部品の構成は何ら開示されていない。However, the above prior art has the following problems.
When the heat radiating member is brought into contact with the electronic element, there is a problem of a decrease in reliability due to deformation, displacement, and the like of the electronic element due to contact pressure received from the heat radiating member. That is, the prior art does not disclose any configuration of an electronic component that can improve the heat dissipation of the electronic element, reduce the size and increase the functionality, and improve the reliability.
そこで本発明は、小型化かつ高性能化が可能であり、かつ信頼性を向上させることが可能な電子部品を提供することを目的とする。 SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an electronic component that can be reduced in size and performance, and can improve reliability.
上記目的を達成するために本発明の電子部品は、
ベース基板とリッド基板とを有するパッケージと、前記パッケージに形成されるキャビティ内において、実装部材を介して前記ベース基板上に実装される電子素子と、前記リッド基板の内側面に形成されており、前記電子素子の一方の表面に接触する少なくとも一つの放熱凸部と、前記ベース基板上に形成されており、前記電子素子の他方の表面に接触可能な支持凸部と、を備えていることを特徴とする。In order to achieve the above object, the electronic component of the present invention includes:
A package having a base substrate and a lid substrate; an electronic element mounted on the base substrate via a mounting member in a cavity formed in the package; and an inner surface of the lid substrate. At least one heat radiation convex portion that contacts one surface of the electronic element; and a support convex portion that is formed on the base substrate and can contact the other surface of the electronic element. Features.
かかる構成によれば、放熱凸部が、電子素子に当接していることにより、電子素子で生じた熱を放熱凸部を介して効率よくパッケージ外部に放熱することができるので電子部品の小型化かつ高性能化を実現できる。さらに、電子素子の他方の表面に対して、支持凸部が接触可能に構成されているので、放熱凸部の接触によって電子素子の変形、位置ずれ等が生じても、支持凸部が電子素子に接触することによって電子素子の変形、位置ずれ等を低減できる。 According to such a configuration, since the heat radiating convex portion is in contact with the electronic element, the heat generated in the electronic element can be efficiently radiated to the outside of the package through the heat radiating convex portion, thereby reducing the size of the electronic component. And high performance can be realized. Further, since the support convex portion is configured to be able to contact the other surface of the electronic element, even if the electronic element is deformed or displaced due to the contact of the heat dissipation convex portion, the support convex portion is the electronic element. The deformation, displacement, etc. of the electronic element can be reduced by contacting with.
また、本発明にあっては、
前記支持凸部の高さは、前記電子素子が実装されている状態の前記実装部材の高さよりも低いと好適である。In the present invention,
It is preferable that the height of the support protrusion is lower than the height of the mounting member in a state where the electronic element is mounted.
かかる構成によれば、電子素子の実装時において、支持凸部と電子素子の間にクリアランスを確保することができる。よって、変形時のみ支持凸部が接触することで、電子素子の耐久性を確保することができる。即ち、電子部品の信頼性向上を図ることが可能になる。 According to such a configuration, a clearance can be ensured between the support convex portion and the electronic element when the electronic element is mounted. Therefore, the durability of the electronic element can be ensured by the contact of the supporting convex portions only at the time of deformation. That is, it becomes possible to improve the reliability of the electronic component.
また、本発明にあっては、
前記放熱凸部が金属バンプによって形成されていると好適である。In the present invention,
It is preferable that the heat radiating convex portion is formed by a metal bump.
かかる構成によれば、リッド基板に対して簡易に放熱凸部を形成することができる。また、バンプが金属材質であるので、例えば樹脂材料等と比較すると、放熱性をさらに向上させることができる。 According to this configuration, the heat radiating protrusion can be easily formed on the lid substrate. Further, since the bump is made of a metal material, the heat dissipation can be further improved as compared with, for example, a resin material.
また、本発明にあっては、
前記支持凸部が金属バンプによって形成されていると好適である。In the present invention,
It is preferable that the support convex portion is formed of a metal bump.
かかる構成によれば、ベース基板に対して簡易に支持凸部を形成することができる。また、バンプが金属材質であるので、放熱機能も付加することが可能になる。即ち、電子素子と支持凸部との接触時に、電子素子での発熱を支持凸部から放熱することが可能になる。 According to such a configuration, the support convex portion can be easily formed on the base substrate. Further, since the bump is made of a metal material, a heat dissipation function can be added. That is, it is possible to radiate the heat generated by the electronic element from the support protrusion when the electronic element is in contact with the support protrusion.
また、本発明にあっては、
前記支持凸部が、めっき層によって形成されていると好適である。In the present invention,
It is preferable that the support convex portion is formed of a plating layer.
かかる構成によれば、ベース基板に対して簡易に支持凸部を形成することができる。また、凸部が金属材質であるので、放熱機能も付加することが可能になる。即ち、電子素子と支持凸部との接触時に、電子素子での発熱を支持凸部から放熱することが可能になる。
さらに、パッケージの内外を貫通する貫通電極をめっきで形成する場合、貫通電極の形成工程と、支持凸部の形成工程とを同工程で行うことが出来るので、電子部品の生産効率を向上させることができる。According to such a configuration, the support convex portion can be easily formed on the base substrate. Moreover, since the convex portion is made of a metal material, a heat dissipation function can be added. That is, it is possible to radiate the heat generated by the electronic element from the support protrusion when the electronic element is in contact with the support protrusion.
Furthermore, when the through electrode penetrating the inside and outside of the package is formed by plating, the through electrode forming step and the supporting convex portion forming step can be performed in the same step, so that the production efficiency of electronic components is improved. Can do.
また、本発明にあっては、
前記支持凸部が、金属バンプと、該金属バンプの表面に形成されためっき層によって形成されていることを特徴とする。In the present invention,
The support convex part is formed by a metal bump and a plating layer formed on the surface of the metal bump.
かかる構成によれば、めっき層を形成するための形成条件を変えることで、支持凸部の高さを自由に調整することができる。よって、実装する電子素子の特性、機能に応じて、支持凸部の高さを調整できるので、高機能化かつ小型化を実現できる。 According to such a configuration, the height of the support convex portion can be freely adjusted by changing the formation conditions for forming the plating layer. Therefore, since the height of the support convex portion can be adjusted according to the characteristics and functions of the electronic device to be mounted, high functionality and downsizing can be realized.
また、本発明にあっては、
前記電子素子の上面視において、前記支持凸部が、前記電子素子の周縁に沿った位置に形成されていることを特徴とする。In the present invention,
In the top view of the electronic element, the support convex portion is formed at a position along the periphery of the electronic element.
かかる構成によれば、電子素子の変形、位置ずれを生じた際に、好適に変形、位置ずれを低減させることが可能になる。 According to such a configuration, when the electronic element is deformed or misaligned, it is possible to suitably reduce the deformation or misalignment.
また、本発明にあっては、
前記リッド基板は、ガラス材料、シリコン材料又は金属材料によって形成されていることを特徴とする。In the present invention,
The lid substrate is formed of a glass material, a silicon material, or a metal material.
かかる構成によれば、電子素子の特性、機能に応じて、リッド基板の材料を適宜選択することができるので、電子部品の高機能化かつ小型化を達成することができる。 According to such a configuration, since the material of the lid substrate can be appropriately selected according to the characteristics and functions of the electronic element, it is possible to achieve high functionality and downsizing of the electronic component.
また、本発明にあっては、
前記リッド基板は、側壁部分がガラス材料で形成され、主面部分がシリコン材料によって形成されることを特徴とする。In the present invention,
The lid substrate is characterized in that a side wall portion is formed of a glass material and a main surface portion is formed of a silicon material.
かかる構成によれば、リッド基板の主面部分をシリコン材料とすることで、主面部分をガラス材料で形成する場合と比較すると、電子素子の放熱性を高めることが可能になる。 According to such a configuration, the main surface portion of the lid substrate is made of a silicon material, so that the heat dissipation of the electronic element can be improved as compared with the case where the main surface portion is made of a glass material.
以上説明したように、本発明によれば、小型化かつ高性能化が可能であり、かつ信頼性を向上させることが可能な電子部品を提供することが可能になる。 As described above, according to the present invention, it is possible to provide an electronic component that can be reduced in size and performance, and that can improve reliability.
以下に図面を参照して、この発明を実施するための形態を例示的に詳しく説明する。ただし、以下の実施形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対配置などは、特に特定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。 DETAILED DESCRIPTION Exemplary embodiments for carrying out the present invention will be described in detail below with reference to the drawings. However, the dimensions, materials, shapes, relative arrangements, and the like of the components described in the following embodiments are not intended to limit the scope of the present invention only to those unless otherwise specified. Absent.
［第１実施形態］
図１、図２を参照して、本発明に係る第１実施形態について説明する。[First Embodiment]
A first embodiment according to the present invention will be described with reference to FIGS. 1 and 2.
（１：リッド基板の構成）
図１に、本実施形態におけるリッド基板１０の概略構成を示す。リッド基板１０の内側面には、複数の凸部１２（放熱凸部）が形成されている。本実施形態では、金属製のリッド基板１０に対して、金属製の凸部１２が一体的に形成されている。また、凸部１２は、根元の幅と比較して先端の幅が細くなる形状を有している。なお、リッド基板１０の材料は金属材料に限定されるものではなく、ガラス材料やシリコン材料であってもよい。(1: Configuration of lid substrate)
FIG. 1 shows a schematic configuration of the lid substrate 10 in the present embodiment. On the inner surface of the lid substrate 10, a plurality of convex portions 12 (heat radiation convex portions) are formed. In the present embodiment, the metal protrusion 12 is integrally formed with the metal lid substrate 10. Moreover, the convex part 12 has a shape where the width | variety of a front-end | tip becomes thin compared with the width | variety of a root. The material of the lid substrate 10 is not limited to a metal material, and may be a glass material or a silicon material.
凸部１２の表面には、ゲッター膜１１が成膜されている。本実施形態では、ゲッター膜１１が凸部１２の表面だけではなく、リッド基板１０のほぼ全面を覆うように成膜されている。ゲッター膜１１は、金属材料によって形成される膜であり、加熱されることにより活性化し、酸素や水素などを吸着するゲッタリング機能を有している。 A getter film 11 is formed on the surface of the convex portion 12. In the present embodiment, the getter film 11 is formed so as to cover not only the surface of the convex portion 12 but also almost the entire surface of the lid substrate 10. The getter film 11 is a film formed of a metal material and has a gettering function that is activated when heated and adsorbs oxygen, hydrogen, and the like.
なお、本実施形態では、断面視コの字状のリッド基板１０を用いているが、本発明におけるリッド基板１０の形状はこれに限られるものではなく、平板状のリッド基板１０であってもよい。また、凸部１２はリッド基板１０の内側面に少なくとも一つ形成されていればよい。 In this embodiment, the U-shaped lid substrate 10 is used in cross-section, but the shape of the lid substrate 10 in the present invention is not limited to this, and a flat lid substrate 10 may be used. Good. Further, at least one protrusion 12 may be formed on the inner surface of the lid substrate 10.
（２：電子部品の構成）
図２を参照して、本実施形態に係る電子部品１の構成を説明する。
本実施形態に係る電子部品１は、上述したリッド基板１０とベース基板３０とを有し、これらの基板の間に形成されるキャビティ内に電子素子２０（半導体素子、水晶振動子、ＭＥＭＳ素子など）が封入されている。なお、リッド基板１０とベース基板３０との接合方法は、接着剤等による接合、陽極接合方法による接合、電子ビームによる接合、ろう材を溶融させることによる接合など、基板の材料等に応じて種々の接合方法を採用することができる。(2: Configuration of electronic components)
With reference to FIG. 2, the structure of the electronic component 1 which concerns on this embodiment is demonstrated.
The electronic component 1 according to the present embodiment includes the lid substrate 10 and the base substrate 30 described above, and an electronic element 20 (semiconductor element, crystal resonator, MEMS element, etc.) in a cavity formed between these substrates. ) Is enclosed. There are various bonding methods for the lid substrate 10 and the base substrate 30 depending on the material of the substrate, such as bonding by an adhesive, bonding by an anodic bonding method, bonding by an electron beam, bonding by melting a brazing material, and the like. The joining method can be adopted.
また、キャビティ内に封入されている電子素子２０は、ベース基板３０上に形成された電極パターン２２上に実装部材として金属バンプ２１によって実装されている。 The electronic element 20 sealed in the cavity is mounted on the electrode pattern 22 formed on the base substrate 30 by a metal bump 21 as a mounting member.
ベース基板３０には貫通孔３３が形成されており、貫通孔３３の内側面には導電膜３２が成膜されている。導電膜３２は、貫通孔３３の一端において上述の電極パターン２２と接続しており、貫通孔３３の他端において、外部電極３１と接続している。また、貫通孔３３の内部は、めっきによって封止されており、これによって貫通電極が形成されている。 A through hole 33 is formed in the base substrate 30, and a conductive film 32 is formed on the inner surface of the through hole 33. The conductive film 32 is connected to the above-described electrode pattern 22 at one end of the through hole 33 and is connected to the external electrode 31 at the other end of the through hole 33. Moreover, the inside of the through hole 33 is sealed by plating, thereby forming a through electrode.
かかる構成により、外部電極３１とベース基板３０上に実装された電子素子２０とを電気的に接続しつつ、キャビティ内を確実に封止することができる。なお、本実施形態では、導電膜３２とめっきによって貫通電極を構成しているが、本発明における貫通電極の構成はこれに限られるものではなく、金属部材（金属ピン、金属ワイヤなど）を貫通孔３３に挿入し、ベース基板３０を溶融させることで貫通孔３３を封止する構成であってもよい。 With this configuration, the inside of the cavity can be reliably sealed while electrically connecting the external electrode 31 and the electronic element 20 mounted on the base substrate 30. In the present embodiment, the through electrode is configured by the conductive film 32 and plating. However, the configuration of the through electrode in the present invention is not limited to this, and the metal member (metal pin, metal wire, etc.) is passed through. The through hole 33 may be sealed by inserting the hole 33 and melting the base substrate 30.
電子素子２０がベース基板３０上に実装されている状態において、リッド基板１０に形成された凸部１２の先端は電子素子２０表面（一方の表面）に当接している。本実施形態では、凸部１２の表面にゲッター膜１１が成膜されているので、凸部１２の先端は、ゲッター膜１１を介して電子素子２０表面に当接していることになる。 In a state where the electronic element 20 is mounted on the base substrate 30, the tip of the convex portion 12 formed on the lid substrate 10 is in contact with the surface (one surface) of the electronic element 20. In this embodiment, since the getter film 11 is formed on the surface of the convex portion 12, the tip of the convex portion 12 is in contact with the surface of the electronic element 20 via the getter film 11.
かかる構成により、外部電極３１から電圧が印加されることによって電子素子２０で生じた熱を、凸部１２を経由してリッド基板１０から外部に放熱することが可能になる。これにより、電子素子２０の動作温度を適温に保つことが可能になり、電子部品１の高機能化を実現することができる。 With this configuration, heat generated in the electronic element 20 by applying a voltage from the external electrode 31 can be radiated from the lid substrate 10 to the outside via the convex portion 12. As a result, the operating temperature of the electronic element 20 can be kept at an appropriate temperature, and the electronic component 1 can be highly functionalized.
なお、凸部１２の材質は特に限定されるものではないが、熱伝導率のよいＡｕ、又はＣｕを用いることができる。また、Ｉｎを用いることも可能である。Ｉｎは比較的柔らかい材質であるので、凸部１２としてＩｎを用いることで、放熱性に加え、凸部１２の緩衝性も期待することができる。 In addition, the material of the convex part 12 is not specifically limited, However Au or Cu with good thermal conductivity can be used. It is also possible to use In. Since In is a relatively soft material, by using In as the convex portion 12, in addition to heat dissipation, the buffering property of the convex portion 12 can also be expected.
さらに、本実施形態では、凸部１２の表面にゲッター膜１１が形成されているので、キャビティ内の真空度を高めることができる。その結果、電子部品１のさらなる高機能化を実現することが可能になる。 Furthermore, in this embodiment, since the getter film 11 is formed on the surface of the convex portion 12, the degree of vacuum in the cavity can be increased. As a result, the electronic component 1 can be further enhanced in functionality.
また、凸部１２の表面にゲッター膜１１が形成されていることにより、ゲッター膜１１の成膜面積を大きくすることができる。よって、より好適にキャビティ内の真空度を高めることが可能になる。 In addition, since the getter film 11 is formed on the surface of the convex portion 12, it is possible to increase the deposition area of the getter film 11. Therefore, it is possible to more suitably increase the degree of vacuum in the cavity.
さらに本実施形態では、ベース基板３０上に電子素子の裏面（他方の表面）に接触可能な支持凸部２３が形成されている。支持凸部２３は、電子素子２０の上面視（不図示）において、電子素子２０の周縁部に沿った位置に複数設けられている。
これにより、電子素子２０を実装後、リッド基板１０とベース基板３０の接合時に、上述の凸部１２が電子素子２０に接触することになるが、凸部１２が電子素子２０に接触する際の接触圧に伴う変形、位置ずれを、支持凸部２３が電子素子２０に接触することによって低減できる。Furthermore, in this embodiment, the support convex part 23 which can contact the back surface (other surface) of an electronic element is formed on the base substrate 30. FIG. A plurality of support protrusions 23 are provided at positions along the peripheral edge of the electronic element 20 in a top view (not shown) of the electronic element 20.
Thereby, after mounting the electronic element 20, when the lid substrate 10 and the base substrate 30 are joined, the above-described convex portion 12 comes into contact with the electronic element 20, but when the convex portion 12 comes into contact with the electronic element 20. Deformation and displacement due to contact pressure can be reduced by the support protrusion 23 coming into contact with the electronic element 20.
ここで支持凸部２３に関して詳述する。
本実施形態では、支持凸部２３を金属バンプ（Ａｕバンプなど）によって形成している。さらには、上述の凸部１２と同材料によって形成することで、製造プロセスの簡略化を図ることができる。
しかしながら、支持凸部２３の材料はこれに限られるものではない。例えば、Ｃｕ、Ｃｒなどのめっき層によって形成してもよい。さらには、ＣｕやＡｕの金属バンプの先端にこれらのめっき層を形成することで、支持凸部２３としてもよい。この場合は、めっき層を形成することよって支持凸部２３の高さを調整することができるので、電子素子２０の特性や機能に応じて、適切な高さを有する支持凸部２３を簡易に形成することが可能になる。Here, the support protrusion 23 will be described in detail.
In the present embodiment, the support convex portion 23 is formed by a metal bump (Au bump or the like). Furthermore, the manufacturing process can be simplified by using the same material as the convex portion 12 described above.
However, the material of the support convex part 23 is not restricted to this. For example, you may form by plating layers, such as Cu and Cr. Furthermore, it is good also as the support convex part 23 by forming these plating layers in the front-end | tip of the metal bump of Cu or Au. In this case, since the height of the support convex portion 23 can be adjusted by forming the plating layer, the support convex portion 23 having an appropriate height can be easily formed according to the characteristics and functions of the electronic element 20. It becomes possible to form.
また、本実施形態では、導電膜３２とめっきによって貫通電極を構成しているが、支持凸部２３にめっきを用いる場合は、貫通電極のめっき工程と、支持凸部２３のめっき工程とを同工程で行うことで、製造プロセスの簡略化を図ることが可能になる。 In this embodiment, the through electrode is formed by plating with the conductive film 32. However, when plating is used for the support convex portion 23, the plating process of the through electrode and the plating step of the support convex portion 23 are the same. By performing the process, the manufacturing process can be simplified.
また、支持凸部２３の高さは、電子素子２０が実装されている状態の金属バンプ２１の高さよりも低く、支持凸部２３の先端と、電子素子２０の裏面との間のクリアランスが５〜１０μｍとなるように、支持凸部２３が形成されている。
これにより、支持凸部２３は常に電子素子２０裏面と接触しないことになり、例えば、外部衝撃に起因して、凸部１２から接触圧を受け、電子素子２０が変形、位置ずれを起こした際にのみ、支持凸部２３が電子素子２０に接触することができる。よって、支持凸部２３の接触に起因する電子素子２０への応力集中を回避できる。Moreover, the height of the support convex part 23 is lower than the height of the metal bump 21 in the state where the electronic element 20 is mounted, and the clearance between the tip of the support convex part 23 and the back surface of the electronic element 20 is 5. The support convex part 23 is formed so that it may become 10 micrometers.
Thereby, the support convex part 23 is not always in contact with the back surface of the electronic element 20. For example, when the electronic element 20 is deformed or displaced due to contact pressure from the convex part 12 due to an external impact. Only the support protrusion 23 can contact the electronic element 20. Therefore, stress concentration on the electronic element 20 due to the contact of the support convex portion 23 can be avoided.
以上より、本実施形態によれば、リッド基板１０に対して凸部１２を形成し、その凸部１２の少なくとも先端を電子素子２０に当接させることで、電子素子２０で生じた熱を効率的に放熱して電子部品１の高機能化かつ小型化を実現できる。
さらに、ベース基板３０上に、複数の支持凸部２３を形成することで、凸部１２から応力を受けることで電子素子２０の変形、位置ずれが生じた際も、支持凸部２３が凸部１２の反対側から電子素子２０に接触するので、これらの変形、位置ずれを低減することができる。よって、電子部品１の信頼性を向上させることができる。As described above, according to the present embodiment, the convex portion 12 is formed on the lid substrate 10, and at least the tip of the convex portion 12 is brought into contact with the electronic element 20, thereby efficiently generating heat generated in the electronic element 20. Therefore, it is possible to realize high functionality and downsizing of the electronic component 1 by radiating heat.
Further, by forming a plurality of support protrusions 23 on the base substrate 30, the support protrusions 23 can be formed even when the electronic element 20 is deformed or displaced due to stress from the protrusions 12. Since the electronic element 20 is contacted from the opposite side of 12, these deformations and displacements can be reduced. Therefore, the reliability of the electronic component 1 can be improved.
［第２実施形態］
図３を参照して、第２実施形態に係る電子部品２について説明する。なお、第１実施形態と同一の構成に関しては、図１、図２と同一の符号を付して説明を省略する。[Second Embodiment]
With reference to FIG. 3, the electronic component 2 which concerns on 2nd Embodiment is demonstrated. In addition, about the structure same as 1st Embodiment, the code | symbol same as FIG. 1, FIG. 2 is attached | subjected and description is abbreviate | omitted.
本実施形態では、リッド基板１０が主面部分１０ａと側壁部分１０ｂとを有しており、主面部分１０ａがシリコン材料によって形成されており、側壁部分１０ｂがガラス材料によって形成されていることを特徴とする。なお、主面部分１０ａと側壁部分１０ｂとが予め接合されたリッド基板１０を用いてもよいし、側壁部分１０ｂを枠状部材によって構成し、主面部分１０ａを平板状のリッド基板によって構成してもよい。 In the present embodiment, the lid substrate 10 has a main surface portion 10a and a side wall portion 10b, the main surface portion 10a is formed of a silicon material, and the side wall portion 10b is formed of a glass material. Features. The lid substrate 10 in which the main surface portion 10a and the side wall portion 10b are bonded in advance may be used, the side wall portion 10b is configured by a frame-shaped member, and the main surface portion 10a is configured by a flat plate-shaped lid substrate. May be.
そして凸部１２は、主面部分１０ａの内側面に形成されている。なお、凸部１２の構成は第１実施形態で説明したものと同一であるので、ここでは説明を省略する。また、ゲッター膜１１は主面部分１０ａと側壁部分１０ｂの両方に形成されている。 And the convex part 12 is formed in the inner surface of the main surface part 10a. In addition, since the structure of the convex part 12 is the same as what was demonstrated in 1st Embodiment, description is abbreviate | omitted here. The getter film 11 is formed on both the main surface portion 10a and the side wall portion 10b.
かかる構成によれば、側壁部分１０ｂをガラス材料によって形成しているので、側壁部分１０ｂにおいてレーザ光を透過させることができる。よって、レーザ光によってゲッター膜１１を加熱してゲッター膜のゲッタリング機能をさらに高めることも可能になる。即ち、小型化かつ高性能化に対応した電子部品を低コストに提供することが可能になる。 According to such a configuration, since the side wall portion 10b is formed of the glass material, the laser light can be transmitted through the side wall portion 10b. Accordingly, the getter film 11 can be heated by the laser beam to further enhance the gettering function of the getter film. In other words, it is possible to provide electronic components corresponding to downsizing and high performance at low cost.
［第３実施形態］
図４を参照して、第３実施形態に係る電子部品のリッド基板１０について説明する。なお、リッド基板１０以外の構成は第１実施形態、又は第２実施形態で説明した構成を適宜採用することが可能であるので、ここではその説明を省略する。[Third Embodiment]
With reference to FIG. 4, the lid substrate 10 of the electronic component which concerns on 3rd Embodiment is demonstrated. Note that the configuration other than the lid substrate 10 can adopt the configuration described in the first embodiment or the second embodiment as appropriate, and thus the description thereof is omitted here.
本実施形態では、リッド基板１０の内側側面に形成された凸部１２が金属バンプによって形成されており、さらにその表面にめっき層１８が形成されていることが特徴である。なお、めっき層１８の表面には、第１実施形態で説明したゲッター膜１１が形成されている。 The present embodiment is characterized in that the convex portions 12 formed on the inner side surface of the lid substrate 10 are formed by metal bumps, and the plating layer 18 is further formed on the surface thereof. The getter film 11 described in the first embodiment is formed on the surface of the plating layer 18.
かかる構成によれば凸部１２の先端と電子素子２０の表面との間隔が広く、凸部１２の先端を電子素子２０の表面に接触させることが困難な場合であっても、めっき層１８を形成することで、めっき層１８を介して凸部１２と電子素子２０とを当接させることが可能になる。よって、確実に電子素子２０の発熱を放熱させることが可能になる。 According to such a configuration, even when the distance between the tip of the convex portion 12 and the surface of the electronic element 20 is wide and it is difficult to bring the tip of the convex portion 12 into contact with the surface of the electronic element 20, the plating layer 18 is formed. By forming, the convex part 12 and the electronic element 20 can be brought into contact with each other through the plating layer 18. Therefore, the heat generated by the electronic element 20 can be reliably radiated.
［第４実施形態］
本発明の第４実施形態について説明する。なお、本実施形態は、上述した第１実施形態〜第３実施形態と適宜組み合わせることが可能である。[Fourth Embodiment]
A fourth embodiment of the present invention will be described. Note that this embodiment can be appropriately combined with the above-described first to third embodiments.
本実施形態では、電子素子２０の上面視において、支持凸部２３を、凸部１２と対向する位置に形成している点が特徴である。これによれば、電子素子２０が凸部１２から応力を受けた場合に、より効果的に、電子素子２０の変形、位置ずれを低減することが可能になる。例えば、電子素子２０の表面中央領域に接触するように、凸部１２を４点形成する場合は、それと同様に、ベース基板３０上に支持凸部２３を、凸部１２と対向するように４点形成すればよい。
なお、支持凸部２３の数を、凸部１２の数と同数にする必要はなく、少なくとも一つの支持凸部２３が形成されていれば、上述の本発明の効果を得ることは可能である。The present embodiment is characterized in that the support convex portion 23 is formed at a position facing the convex portion 12 in the top view of the electronic element 20. According to this, when the electronic element 20 receives stress from the convex part 12, it becomes possible to reduce the deformation | transformation and position shift of the electronic element 20 more effectively. For example, in the case where four protrusions 12 are formed so as to be in contact with the surface central region of the electronic element 20, the support protrusions 23 are formed on the base substrate 30 so as to face the protrusions 12. Dot formation is sufficient.
Note that the number of the support protrusions 23 does not have to be the same as the number of the protrusions 12, and the above-described effects of the present invention can be obtained as long as at least one support protrusion 23 is formed. .
［第５実施形態］
本発明の第５実施形態について説明する。なお、本実施形態は、上述した第１実施形態〜第５実施形態と適宜組み合わせることが可能である。[Fifth Embodiment]
A fifth embodiment of the present invention will be described. Note that this embodiment can be appropriately combined with the first to fifth embodiments described above.
支持凸部２３を設ける位置は、上述の実施形態で説明した位置に限られるものではない。例えば、電子素子２０の上面視において、電子素子２０の周縁部に沿う位置であって、かつ、一部が電子素子２０の周縁部よりも外側にあるように、支持凸部２３を設けてもよい。これによれば、電子素子２０の実装時に、支持凸部２３を基準位置として、電子素子２０を適切な位置に実装することが可能になる。よって、実装精度の高い電子部品を提供することができる。 The position where the support convex portion 23 is provided is not limited to the position described in the above embodiment. For example, the support convex portion 23 may be provided so as to be located along the peripheral edge of the electronic element 20 and partly outside the peripheral edge of the electronic element 20 in the top view of the electronic element 20. Good. According to this, when mounting the electronic element 20, it is possible to mount the electronic element 20 at an appropriate position with the support convex portion 23 as a reference position. Therefore, an electronic component with high mounting accuracy can be provided.
［その他の実施形態］
本発明の実施形態は、上記第１実施形態〜第５実施形態に限られるものではない。
例えば、上記実施形態では、リッド基板１０の裏面全面にゲッター膜１１が形成されている構成が開示されているが、本発明の構成はこれに限られるものではない。十分な真空度が確保されているのであれば、ゲッター膜１１を設けない構成であってもよい。[Other Embodiments]
Embodiments of the present invention are not limited to the first to fifth embodiments.
For example, in the above embodiment, a configuration in which the getter film 11 is formed on the entire back surface of the lid substrate 10 is disclosed, but the configuration of the present invention is not limited to this. As long as a sufficient degree of vacuum is ensured, the structure in which the getter film 11 is not provided may be used.
また、上記実施形態では、電子素子２０の実装部材として金属バンプ２１を用いているが、金属バンプ２１以外、例えば導電性接着剤等を実装部材として用いることも可能である。 Moreover, in the said embodiment, although the metal bump 21 is used as a mounting member of the electronic element 20, other than the metal bump 21, for example, it is also possible to use a conductive adhesive or the like as the mounting member.
また、上記実施形態では、支持凸部２３を複数設ける場合、これらの高さが全て同じ例を開示しているが、支持凸部２３の高さはこれに限られるものではない。即ち、電子素子２０の変形度合いに応じて、支持凸部２３の高さを変える構成であってもよい。具体的には、最も顕著に変形する領域、例えば、凸部１２が密集している領域に対向する支持凸部２３の高さは低くし、変形度合いが小さな領域、例えば、凸部１２が形成されていない領域に対向する支持凸部２３の高さを高くするような構成であってもよい。 Moreover, in the said embodiment, when providing the support convex part 23 with two or more, the height of all these is disclosed the same, However, The height of the support convex part 23 is not restricted to this. In other words, the height of the support convex portion 23 may be changed according to the degree of deformation of the electronic element 20. Specifically, the height of the support convex portion 23 facing the region that deforms most significantly, for example, the region where the convex portions 12 are dense, is reduced, and the region having a small degree of deformation, for example, the convex portion 12 is formed. The structure which makes the height of the support convex part 23 which opposes the area | region which is not made high may be sufficient.
１・・・電子部品、１０・・・リッド基板、１１・・・ゲッター膜、１２・・・凸部、２０・・・電子素子、２３・・・支持凸部、３０・・・ベース基板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Electronic component, 10 ... Lid board | substrate, 11 ... Getter film, 12 ... Convex part, 20 ... Electronic element, 23 ... Support convex part, 30 ... Base substrate
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|---|---|---|---|---|
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| JPH09293755A (en)* | 1996-04-25 | 1997-11-11 | Hitachi Ltd | Semiconductor device, manufacturing method thereof, and mounting method thereof |
| JPH11163044A (en)* | 1997-11-25 | 1999-06-18 | Hitachi Ltd | Printed wiring board and electronic component mounting method |
| JP2001298131A (en)* | 2000-03-13 | 2001-10-26 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | Chip package with inner structure for effective thermal transfer |
| JP2005142442A (en)* | 2003-11-07 | 2005-06-02 | Sony Corp | Printed circuit board and mounting method of surface mounted component |
| JP2005340738A (en)* | 2004-05-31 | 2005-12-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JP2008078475A (en)* | 2006-09-22 | 2008-04-03 | Shinko Electric Ind Co Ltd | Electronic component device |
| JP2010056224A (en)* | 2008-08-27 | 2010-03-11 | Seiko Instruments Inc | Electronic component package,and method of manufacturing electronic component package |
| US20100084761A1 (en)* | 2008-10-06 | 2010-04-08 | Masatoshi Shinagawa | Semiconductor device and fabrication method of the same |
| JP2012146859A (en)* | 2011-01-13 | 2012-08-02 | Renesas Electronics Corp | Semiconductor device |
| JP2013110151A (en)* | 2011-11-17 | 2013-06-06 | Elpida Memory Inc | Semiconductor chip and semiconductor device |
| US20150049450A1 (en)* | 2013-08-19 | 2015-02-19 | Fujitsu Limited | Electronic device and method of manufacturing electronic device |
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02135763A (en)* | 1988-11-16 | 1990-05-24 | Matsushita Electric Works Ltd | Semiconductor device |
| JPH05291388A (en)* | 1991-12-16 | 1993-11-05 | Motorola Inc | Semiconductor wafer level package |
| US5323051A (en)* | 1991-12-16 | 1994-06-21 | Motorola, Inc. | Semiconductor wafer level package |
| JPH0750330A (en)* | 1993-08-05 | 1995-02-21 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device and assembling method thereof |
| JPH0778918A (en)* | 1993-09-09 | 1995-03-20 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
| JPH09293755A (en)* | 1996-04-25 | 1997-11-11 | Hitachi Ltd | Semiconductor device, manufacturing method thereof, and mounting method thereof |
| JPH11163044A (en)* | 1997-11-25 | 1999-06-18 | Hitachi Ltd | Printed wiring board and electronic component mounting method |
| JP2001298131A (en)* | 2000-03-13 | 2001-10-26 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | Chip package with inner structure for effective thermal transfer |
| JP2005142442A (en)* | 2003-11-07 | 2005-06-02 | Sony Corp | Printed circuit board and mounting method of surface mounted component |
| JP2005340738A (en)* | 2004-05-31 | 2005-12-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JP2008078475A (en)* | 2006-09-22 | 2008-04-03 | Shinko Electric Ind Co Ltd | Electronic component device |
| JP2010056224A (en)* | 2008-08-27 | 2010-03-11 | Seiko Instruments Inc | Electronic component package,and method of manufacturing electronic component package |
| US20100084761A1 (en)* | 2008-10-06 | 2010-04-08 | Masatoshi Shinagawa | Semiconductor device and fabrication method of the same |
| JP2012146859A (en)* | 2011-01-13 | 2012-08-02 | Renesas Electronics Corp | Semiconductor device |
| JP2013110151A (en)* | 2011-11-17 | 2013-06-06 | Elpida Memory Inc | Semiconductor chip and semiconductor device |
| US20150049450A1 (en)* | 2013-08-19 | 2015-02-19 | Fujitsu Limited | Electronic device and method of manufacturing electronic device |
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| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI795677B (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
| JP6627988B2 (en) | Semiconductor package | |
| JPWO2019026902A1 (en) | High frequency module | |
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