JP2016105059A - Cantilever type probe, and probe card - Google Patents

Abstract

Translated fromJapanese

【課題】良好な応力分散特性を有し、かつ横方向の荷重に強いカンチレバー型プローブ、及びプローブカードを提供すること。【解決手段】本発明にかかるプローブ１００は、検査対象Ｗの電極と接触するコンタクト５０を備えた先端部５と、配線基板６と接続される本体部５と、導電材料によって形成され、本体部１と先端部５とを連結するビーム部３と、を備えたカンチレバー型プローブである。プローブの厚さ方向において、ビーム部３は本体部１側に配置された上層３１と、コンタクト側に配置された下層３２と、上層３１と下層３２との間に配置された中間層３３と、を備えている。上層３１及び下層３３には、それぞれ、Ｙ方向における導電材料の合計寸法が中間層３２における導電材料の合計寸法よりも小さくなっている幅狭部３１ｂ、３３ｂが設けられている。Ｘ方向において、先端部５と本体部１との間に幅狭部３１ｂ、３３ｂが配置されている。【選択図】図３Provided are a cantilever type probe and a probe card which have good stress dispersion characteristics and are resistant to lateral loads. A probe 100 according to the present invention is formed of a distal end portion 5 having a contact 50 that contacts an electrode of an inspection object W, a main body portion 5 connected to a wiring board 6, and a conductive material. 1 is a cantilever-type probe including a beam portion 3 that connects 1 and a tip portion 5. In the thickness direction of the probe, the beam unit 3 includes an upper layer 31 disposed on the main body unit 1 side, a lower layer 32 disposed on the contact side, an intermediate layer 33 disposed between the upper layer 31 and the lower layer 32, It has. The upper layer 31 and the lower layer 33 are provided with narrow portions 31b and 33b in which the total dimension of the conductive material in the Y direction is smaller than the total dimension of the conductive material in the intermediate layer 32, respectively. In the X direction, narrow portions 31 b and 33 b are arranged between the tip portion 5 and the main body portion 1. [Selection] Figure 3

Description

Translated fromJapanese

本発明は、カンチレバー型プローブ、及びプローブカードに関する。  The present invention relates to a cantilever type probe and a probe card.

半導体デバイス等の電気的検査には、プローブが用いられている。プローブの性能としては、より小さな寸法で、大きな荷重と撓み量を実現することが重要である。特許文献１、２は、ビームを弾性部品とするカンチレバー型プローブを開示している。  Probes are used for electrical inspection of semiconductor devices and the like. As for the performance of the probe, it is important to realize a large load and a deflection amount with smaller dimensions.Patent Documents 1 and 2 disclose cantilever type probes using a beam as an elastic part.

特許文献１のカンチレバー型プローブは、梁（ビーム）を含む弾性部品を備えている。そして、弾性部品の第１の終端には、先端が設けられている。そして、先端に設けられたコンタクト（接触子）が半導体デバイスのパッドと接触する。さらに、特許文献１のカンチレバー型プローブには、弾性部品の上に、補強部材が設けられている。そして、補強部材の幅が変化している。  The cantilever type probe ofPatent Document 1 includes an elastic component including a beam. A tip is provided at the first end of the elastic component. A contact (contact) provided at the tip comes into contact with the pad of the semiconductor device. Furthermore, the cantilever type probe ofPatent Document 1 is provided with a reinforcing member on an elastic part. And the width | variety of the reinforcement member is changing.

特許文献２には、２本のビームを有するカンチレバー型プローブが開示されている（図３５Ａ、図３５Ｂ）。２本のビームの幅が変化している。具体的には、ビームの長手方向における中央で、２本のビームの幅が細くなっている。  Patent Document 2 discloses a cantilever type probe having two beams (FIGS. 35A and 35B). The widths of the two beams are changing. Specifically, the width of the two beams is narrow at the center in the longitudinal direction of the beams.

特表２０１０−５１３８７０号公報Special table 2010-513870 gazette米国特許出願公開２０１２−６２２６０号明細書US Patent Application Publication No. 2012-62260

このようなカンチレバー型プローブでは、片持ち梁構造のビームを弾性部品として、鉛直方向に対してビームが変形して、撓む。半導体チップの微細化と高密度化により、プローブを小さくすることが求められている。ここで、ビームを短くすると同じ撓み量に対して、荷重とビームの応力が増加する。また、ビームの幅を細くすると、同じ撓み量に対して、荷重が減少するが、ビームの応力は変わらない。接触子の荷重が少なすぎると接触性が劣化する。  In such a cantilever type probe, a beam having a cantilever structure is used as an elastic part, and the beam is deformed and bent in the vertical direction. The miniaturization and high density of semiconductor chips are required to make the probe smaller. Here, when the beam is shortened, the load and the stress of the beam increase with respect to the same deflection amount. Further, when the beam width is narrowed, the load is reduced for the same deflection amount, but the beam stress is not changed. If the load of the contact is too small, the contact property is deteriorated.

上記の点から、プローブの構造設計は、決められた制約の寸法（長さ、幅）で必要な荷重を得られるように厚さを解析及び実験から求めるのが一般的である。応力が大きいと、プローブの耐久性が劣化してしまう。また、応力緩和と微細化はトレードオフの関係にある。さらに、応力緩和と荷重変化もトレードオフの関係にある。  In view of the above, in the structural design of a probe, the thickness is generally obtained from analysis and experiment so that a necessary load can be obtained with dimensions (length and width) of a predetermined constraint. If the stress is large, the durability of the probe deteriorates. Moreover, stress relaxation and miniaturization are in a trade-off relationship. Furthermore, there is a trade-off between stress relaxation and load change.

上記のようにカンチレバー型プローブにおいて、ビームの幅を変化させる場合、等しい三角形を向い合わせた構造とすることで、理想的な応力分散を得ることができる。しかしながら、三角形を向い合わせた構造とする場合、ビーム中央における２つの三角形の接点部分が細くなりすぎるため、実現が困難である。  As described above, in the cantilever type probe, when changing the beam width, an ideal stress distribution can be obtained by adopting a structure in which equal triangles face each other. However, in the case of a structure in which triangles face each other, it is difficult to realize because the contact portions of the two triangles in the center of the beam are too thin.

そのため、ビーム中央部にある程度の幅を持たせる必要が生じる。それにより、ビームの中央部に応力が発生していない部分が生じ、その周辺に応力が強く偏在してしまう。また、中央部でビーム幅を細くしすぎると、横方向の荷重に対してビームが弱くなる。そのため、狭ピッチでプローブが並んでいる場合、汚れや洗浄残渣、静電気などにより隣接するプローブ同士が接触してしまう可能性がある。隣接するプローブが接触したまま離れずにショートする不具合（スティッキング）が発生しやすくなる。  Therefore, it is necessary to give a certain width to the central portion of the beam. As a result, a portion where no stress is generated occurs in the central portion of the beam, and the stress is strongly unevenly distributed in the vicinity thereof. If the beam width is too narrow at the center, the beam becomes weak against lateral loads. Therefore, when probes are arranged at a narrow pitch, adjacent probes may come into contact with each other due to dirt, cleaning residues, static electricity, and the like. A problem (sticking) in which adjacent probes are in contact with each other and do not leave is likely to occur.

このように、良好な応力分散特性を有し、かつ横方向の荷重に強いプローブが望まれている。  Thus, a probe having good stress dispersion characteristics and strong against a lateral load is desired.

本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、良好な応力分散特性を有し、かつ横方向の荷重に強いカンチレバー型プローブ、及びプローブカードを提供することを目的とする。  The present invention has been made in view of the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a cantilever probe and a probe card that have good stress dispersion characteristics and are resistant to lateral loads.

本発明の一態様に係るカンチレバー型プローブは、検査対象の電極と接触するコンタクトを備えた先端部と、配線基板と接続される本体部と、導電材料によって形成され、前記本体部と前記先端部とを連結するビーム部と、を備えたカンチレバー型プローブであって、前記カンチレバー型プローブの厚さ方向において、前記ビーム部は前記配線基板側に配置された上層と、前記コンタクト側に配置された下層と、前記上層と前記下層との間に配置された中間層と、を備え、前記上層、及び下層のそれぞれには、前記ビーム部の長手方向において前記先端部と前記本体部との間に配置された幅狭部が形成され、前記幅狭部は前記長手方向と直交する幅方向における前記導電材料の合計寸法が前記中間層における前記導電材料の合計寸法よりも小さくなっているカンチレバー型プローブ。
この構成によって、良好な応力分散特性を有し、かつ横方向の荷重に強いカンチレバー型プローブを実現することができる。A cantilever type probe according to an aspect of the present invention is formed of a tip portion having a contact that contacts an electrode to be inspected, a main body portion connected to a wiring board, and a conductive material, and the main body portion and the tip portion A cantilever-type probe comprising: a beam portion connected to the upper surface of the cantilever-type probe in the thickness direction; and an upper layer disposed on the wiring board side and the contact side. A lower layer, and an intermediate layer disposed between the upper layer and the lower layer, and each of the upper layer and the lower layer is provided between the tip portion and the main body portion in the longitudinal direction of the beam portion. An arranged narrow portion is formed, and in the narrow portion, the total dimension of the conductive material in the width direction orthogonal to the longitudinal direction is smaller than the total dimension of the conductive material in the intermediate layer. Kuna' and has a cantilever type probe.
With this configuration, it is possible to realize a cantilever type probe having good stress dispersion characteristics and strong against a lateral load.

上記のカンチレバー型プローブにおいて、前記幅方向に前記上層及び前記下層をくびれた形状とすることで、前記幅狭部が形成されていてもよい。あるいは、上記のカンチレバー型プローブにおいて、前記厚さ方向に前記上層及び前記下層を抜いた形状とすることで、前記幅狭部が形成されていてもよい。こうすることで、容易に所望の幅寸法を得ることができる。  In the above cantilever type probe, the narrow portion may be formed by constricting the upper layer and the lower layer in the width direction. Alternatively, in the cantilever type probe, the narrow portion may be formed by forming the upper layer and the lower layer in the thickness direction. In this way, a desired width dimension can be easily obtained.

上記のカンチレバー型プローブにおいて、前記中間層の厚さをＴｘとし、前記ビーム部のビームの厚さをＴｂとした場合に、Ｔｂ×１／３＞Ｔｘ＞Ｔｂ×１／２０となっていてもよい。このような厚さとすることで、プローブ１００の機械的特性を適切なものとすることができる。  In the above cantilever type probe, when the thickness of the intermediate layer is Tx and the thickness of the beam of the beam portion is Tb, Tb × 1/3> Tx> Tb × 1/20 Good. By setting it as such thickness, the mechanical characteristic of theprobe 100 can be made appropriate.

本発明の一態様に係るカンチレバー型プローブカードは上記のカンチレバー型プローブと、前記カンチレバー型プローブが複数実装された配線基板と、を備えたプローブカード。このようにすることで、高性能のプローブを狭ピッチで実装することができる。  A cantilever probe card according to an aspect of the present invention is a probe card including the above cantilever probe and a wiring board on which a plurality of the cantilever probes are mounted. By doing so, high-performance probes can be mounted at a narrow pitch.

本発明によれば、良好な応力分散特性を有し、かつ横方向の荷重に強いカンチレバー型プローブ、及びプローブカードを提供することができる。  According to the present invention, it is possible to provide a cantilever type probe and a probe card that have good stress dispersion characteristics and are resistant to lateral loads.

実施形態１にかかるプローブの構成を示す上面図である。FIG. 3 is a top view showing the configuration of the probe according to the first embodiment.実施形態１にかかるプローブの構成を示す側面図である。It is a side view showing the composition of theprobe concerning Embodiment 1.実施形態１にかかるプローブの構成を示す斜視図である。1 is a perspective view illustrating a configuration of a probe according toEmbodiment 1. FIG.プローブのビーム部を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the beam part of a probe.プローブに対する荷重と応力の関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between the load with respect to a probe, and stress.プローブに対する横荷重と変形量の関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between the lateral load with respect to a probe, and a deformation amount.実施形態２にかかるプローブの構成を示す上面図である。It is a top view which shows the structure of theprobe concerning Embodiment 2. FIG.実施形態２にかかるプローブの構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structure of theprobe concerning Embodiment 2. FIG.プローブのビーム部を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the beam part of a probe.実施形態３にかかるプローブの構成を示す側面図である。It is a side view which shows the structure of theprobe concerning Embodiment 3.実施形態３にかかるプローブの構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structure of theprobe concerning Embodiment 3. FIG.

以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。以下の説明は、本発明の好適な実施の形態を示すものであって、本発明の範囲が以下の実施の形態に限定されるものではない。以下の説明において、同一の符号が付されたものは実質的に同様の内容を示している。  Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. The following description shows preferred embodiments of the present invention, and the scope of the present invention is not limited to the following embodiments. In the following description, the same reference numerals indicate substantially the same contents.

実施の形態１．
本実施の形態に係るプローブは、片持ち梁構造を有するカンチレバー型プローブである。本実施の形態に係るプローブの構成について、図１〜３を参照して説明する。なお、以下の説明において、説明の明確化のために、ＸＹＺの３次元直交座標系を用いる。Ｘ方向は、プローブ１００の長手方向、すなわち、プローブ１００のビームの延在方向である。Ｙ方向は、ビームの幅方向である。Ｚ方向は、プローブの厚さ方向である。Ｚ方向がプローブ検査においてプローブ１００をワークに近づける方向、すなわち、ワークの表面と垂直な方向となる。Embodiment 1 FIG.
The probe according to the present embodiment is a cantilever type probe having a cantilever structure. The configuration of the probe according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. In the following description, an XYZ three-dimensional orthogonal coordinate system is used for clarity of explanation. The X direction is the longitudinal direction of theprobe 100, that is, the extending direction of the beam of theprobe 100. The Y direction is the beam width direction. The Z direction is the thickness direction of the probe. The Z direction is a direction in which theprobe 100 is brought closer to the workpiece in the probe inspection, that is, a direction perpendicular to the surface of the workpiece.

以下の説明では、Ｚ方向を上下方向（鉛直方向）として説明するが、実際の方向は、プローブカードの姿勢に応じて異なる。それゆえに、プローブカードは、これが試験装置に取り付けられた状態において、本発明でいう上下方向が、実際に、上下方向となる状態、上下逆となる状態、斜めの方向となる状態等、いずれの方向となる状態で使用してもよい。図１は、プローブ１００の構成を示す上面図、図２は、プローブ１００の構成を示す側面図、図３はプローブ１００の構成を示す斜視図である。  In the following description, the Z direction is described as the vertical direction (vertical direction), but the actual direction varies depending on the posture of the probe card. Therefore, in the state where the probe card is attached to the test apparatus, the vertical direction as used in the present invention is actually the vertical direction, the upside down state, the diagonal direction, etc. You may use it in the state used as a direction. 1 is a top view illustrating the configuration of theprobe 100, FIG. 2 is a side view illustrating the configuration of theprobe 100, and FIG. 3 is a perspective view illustrating the configuration of theprobe 100.

プローブ１００は、本体部１と、ビーム部３と、先端部５と、を備えている。先端部５の下端には、プローブ検査時にワークＷと接触するコンタクト５０が設けられている。ワークＷは検査対処となる半導体デバイスなどであり、コンタクト５０と接触される電極等を備えている。本体部１は、プローブカードを構成する配線基板６に取り付けられている。配線基板６は、多層配線基板であり、プローブ１００に検査信号や電源電圧を供給するための配線が複数形成されている。プローブカードは、配線基板６と、配線基板６に実装された複数のプローブ１００と、を備えている。本体部１が、ビーム部３、及び先端部５を支持する。そして、本体部１が配線基板６に接合されることで、プローブ１００が配線基板６に実装される。  Theprobe 100 includes amain body portion 1, abeam portion 3, and atip portion 5. Acontact 50 that contacts the workpiece W at the time of probe inspection is provided at the lower end of thedistal end portion 5. The work W is a semiconductor device or the like to be inspected, and includes an electrode or the like that is in contact with thecontact 50. Themain body 1 is attached to awiring board 6 constituting a probe card. Thewiring board 6 is a multilayer wiring board, and a plurality of wirings for supplying an inspection signal and a power supply voltage to theprobe 100 are formed. The probe card includes awiring board 6 and a plurality ofprobes 100 mounted on thewiring board 6. Themain body 1 supports thebeam 3 and thetip 5. Then, theprobe 100 is mounted on thewiring board 6 by bonding themain body 1 to thewiring board 6.

ビーム部３は、本体部１と先端部５とを連結している。すなわち、Ｘ方向に延びたビーム部３によって、先端部５が片持ち梁状態で支持される。本実施形態にかかるプローブ１００は、ダブルアーム構造のカンチレバー型プローブであり、上ビーム４０と下ビーム３０とを備えている。上ビーム４０と下ビーム３０は、互いに平行になっており、Ｘ方向に延在している。Ｚ方向において、下ビーム３０は上ビーム４０よりもコンタクト５０側、すなわち下側に配置されている。上ビーム４０と下ビーム３０は３層構造となっている。したがって、下ビーム３０は上から順に、上層３１、中間層３２、下層３３の３層構造となっている。同様に、上ビーム４０は、上層４１、中間層４２、及び下層４３の３層構造となっている。上層３１と中間層３２は接触し、中間層３２と下層３３とは接触している。上層４１と中間層４２は接触し、中間層４２と下層４３とは接触している。  Thebeam part 3 connects themain body part 1 and thetip part 5. That is, thetip portion 5 is supported in a cantilever state by thebeam portion 3 extending in the X direction. Theprobe 100 according to the present embodiment is a cantilever type probe having a double arm structure, and includes anupper beam 40 and alower beam 30. Theupper beam 40 and thelower beam 30 are parallel to each other and extend in the X direction. In the Z direction, thelower beam 30 is arranged on thecontact 50 side, that is, on the lower side than theupper beam 40. Theupper beam 40 and thelower beam 30 have a three-layer structure. Therefore, thelower beam 30 has a three-layer structure of anupper layer 31, anintermediate layer 32, and alower layer 33 in order from the top. Similarly, theupper beam 40 has a three-layer structure of anupper layer 41, anintermediate layer 42, and alower layer 43. Theupper layer 31 and theintermediate layer 32 are in contact with each other, and theintermediate layer 32 and thelower layer 33 are in contact with each other. Theupper layer 41 and theintermediate layer 42 are in contact with each other, and theintermediate layer 42 and thelower layer 43 are in contact with each other.

先端部５は、コンタクト５０、第１層５１ａ、第２層５１ｂ、第３層５１ｃ、及び第４層５１ｄを備えている。コンタクト５０は、第１層５１ａ、第２層５１ｂによって、下ビーム３０に保持される。本体部１は、第３層１１ｃ、第４層１１ｄ、第５層１１ｅ、第６層１１ｆ、第７層１１ｇ、第８層１１ｈを備えている。先端部５の第３層５１ｃと本体部１の第３層１１ｃは同じ層となっており、先端部５の第４層５１ｄと本体部１の第４層１１ｄは同じ層となっている。第２層５１ｂと第３層５１ｃとの間に、下ビーム３０の先端が配置され、第３層１１ｃの下側に下ビーム３０の基端が配置される。第４層５１ｄの上側に上ビーム４０の先端が配置され、第４層１１ｄと第５層１１ｅの間に上ビーム４０の基端が配置される。このように上ビーム４０と下ビーム３０は第３層１１ｃ、５１ｃ、及び第４層１１ｄ、５１ｄによって連結される。  Thetip 5 includes acontact 50, afirst layer 51a, asecond layer 51b, athird layer 51c, and afourth layer 51d. Thecontact 50 is held in thelower beam 30 by thefirst layer 51a and thesecond layer 51b. Themain body 1 includes athird layer 11c, afourth layer 11d, afifth layer 11e, asixth layer 11f, aseventh layer 11g, and aneighth layer 11h. Thethird layer 51c of thetip 5 and thethird layer 11c of themain body 1 are the same layer, and thefourth layer 51d of thetip 5 and thefourth layer 11d of themain body 1 are the same layer. The distal end of thelower beam 30 is disposed between thesecond layer 51b and thethird layer 51c, and the proximal end of thelower beam 30 is disposed below thethird layer 11c. The distal end of theupper beam 40 is disposed above thefourth layer 51d, and the proximal end of theupper beam 40 is disposed between thefourth layer 11d and thefifth layer 11e. Thus, theupper beam 40 and thelower beam 30 are connected by thethird layers 11c and 51c and thefourth layers 11d and 51d.

プローブ１００は、コンタクト５０と、第１層５１ａ〜第７層１１ｈと、下ビーム３０の下層３３〜上層３３と、上ビーム４０の下層４３〜上層４３とを含む１４層の積層構造によって構成されている。もちろん、プローブ１００の層構成は、図の構成に限られるものではない。なお、上記の各層は、ＭＥＭＳ（ＭｉｃｒｏＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍｓ）技術を用いて形成することができる。例えば、各層は、公知のフォトリソグラフィー工程、電気メッキ工程、エッチング工程、平坦化工程等により形成される。コンタクト５０は、ロジウム又はパラジウムコバルトなどの導電材料によって形成され、先端部５のその他の層、ビーム部３、及び本体部１の各層はニッケル又はニッケル合金等の導電材料によって形成されている。  Theprobe 100 is configured by a 14-layer laminated structure including thecontact 50, thefirst layer 51a to theseventh layer 11h, thelower layer 33 to theupper layer 33 of thelower beam 30, and thelower layer 43 to theupper layer 43 of theupper beam 40. ing. Of course, the layer configuration of theprobe 100 is not limited to the configuration shown in the figure. Note that each of the above layers can be formed using a MEMS (Micro Electronics Mechanical Systems) technique. For example, each layer is formed by a known photolithography process, electroplating process, etching process, planarization process, or the like. Thecontact 50 is formed of a conductive material such as rhodium or palladium cobalt, and the other layers of thetip 5, thebeam portion 3, and the layers of themain body 1 are formed of a conductive material such as nickel or a nickel alloy.

具体的には、ベースとなる基台（例えばシリコンやＳＵＳ等）に、銅の保護層を設けて、保護層にマークングを行う。そして、マーキング箇所にコンタクト５０となるロジウムを電気メッキにより形成する。その後、フォトリソグラフィー処理によるレジスト形成、メッキ処理によるニッケル層形成、レジスト剥離処理、銅メッキ処理による保護層の形成、保護層の平坦化処理を行うことで、コンタクト５０の上に、第１層５１ａを形成することができる。さらに、第１層５１ａの上から、フォトリソグラフィー処理によるレジスト形成、メッキ処理によるニッケル層形成、レジスト剥離処理、銅メッキ処理による保護層の形成、保護層の平坦化処理を繰り返し行う。こうすることで、各層を順次形成することができる。  Specifically, a copper protective layer is provided on a base (for example, silicon or SUS) serving as a base, and the protective layer is marked. Then, rhodium serving as thecontact 50 is formed at the marking portion by electroplating. Thereafter, a resist layer is formed by photolithography, a nickel layer is formed by plating, a resist stripping process, a protective layer is formed by copper plating, and a protective layer is planarized. Can be formed. Further, a resist formation by a photolithography process, a nickel layer formation by a plating process, a resist peeling process, a protective layer formation by a copper plating process, and a flattening process of the protective layer are repeatedly performed on thefirst layer 51a. In this way, each layer can be formed sequentially.

プローブ１００が設けられたプローブカードに対してワークを近づけていき、ワークＷの電極とコンタクト５０とを接触させる。プローブ１００をオーバードライブさせることで、ビーム部３が変形する。これにより、ビーム部３の変形によって弾性力が生じるため、コンタクト５０とワークＷの電極とを確実に接触させることができる。  The workpiece is brought closer to the probe card provided with theprobe 100, and the electrode of the workpiece W and thecontact 50 are brought into contact with each other. Thebeam unit 3 is deformed by overdriving theprobe 100. Thereby, since an elastic force is generated by the deformation of thebeam portion 3, thecontact 50 and the electrode of the workpiece W can be reliably brought into contact with each other.

次に、下ビーム３０の構成について、図４を用いて説明する。図４（ａ）は、下ビーム３０の各層の平面形状を模式的に示すＸＹ平面図である。図４（ｂ）は、下ビームの各層の形状を示すＹＺ平面図である。なお、上ビーム４０の構成は、下ビーム３０の構成と同様であるため、説明を省略する。すなわち、上ビーム４０の上層４１、中間層４２、及び下層４３は、下ビーム３０の上層３１、中間層３２、及び下層３３と同様の構成となっている。  Next, the configuration of thelower beam 30 will be described with reference to FIG. FIG. 4A is an XY plan view schematically showing the planar shape of each layer of thelower beam 30. FIG. 4B is a YZ plan view showing the shape of each layer of the lower beam. Note that the configuration of theupper beam 40 is the same as the configuration of thelower beam 30, and a description thereof will be omitted. That is, theupper layer 41, theintermediate layer 42, and thelower layer 43 of theupper beam 40 have the same configuration as theupper layer 31, theintermediate layer 32, and thelower layer 33 of thelower beam 30.

上記のように、下ビーム３０は、上層３１、中間層３２、及び下層３３を備えている。上層３１、中間層３２、及び下層３３は、上記の通り、ニッケルなどの導電材料により形成されている。図４（ｂ）に示すように、上層３１、中間層３２、及び下層３３の各層は一定の厚さとなっている。そして、ＸＹ平面視における上層３１、及び下層３３の形状が、中間層３２の形状と異なっている。ＸＹ平面視において、中間層３２は、長方形状となっている。すなわち、中間層３２は、一定の厚さ、及び一定の幅を有する矩形板状となっている。なお、図３では、上層３１、中間層３２、及び下層３３は、略同じ厚さとなっているが、異なる厚さであってもよい。例えば、中間層３２の厚さＴｘを、下ビーム３０の全体の厚さをＴｂとした場合、Ｔｂ×１／３＞Ｔｘ＞Ｔｂ×１／２０とすることが好ましい。このような厚さとすることで、プローブ１００の機械的特性を適切なものとすることができる。例えば、応力分散特性を良好にすることができ、かつＹ方向における耐荷重を向上することができる。  As described above, thelower beam 30 includes theupper layer 31, theintermediate layer 32, and thelower layer 33. As described above, theupper layer 31, theintermediate layer 32, and thelower layer 33 are formed of a conductive material such as nickel. As shown in FIG. 4B, each of theupper layer 31, theintermediate layer 32, and thelower layer 33 has a constant thickness. The shapes of theupper layer 31 and thelower layer 33 in the XY plan view are different from the shape of theintermediate layer 32. In the XY plan view, theintermediate layer 32 has a rectangular shape. That is, theintermediate layer 32 has a rectangular plate shape having a certain thickness and a certain width. In FIG. 3, theupper layer 31, theintermediate layer 32, and thelower layer 33 have substantially the same thickness, but may have different thicknesses. For example, when the thickness Tx of theintermediate layer 32 is Tb and the total thickness of thelower beam 30 is Tb, it is preferable that Tb × 1/3> Tx> Tb × 1/20. By setting it as such thickness, the mechanical characteristic of theprobe 100 can be made appropriate. For example, the stress dispersion characteristics can be improved and the load resistance in the Y direction can be improved.

一方、上層３１、及び下層３３は、その途中で幅が変化している。具体的には、下層３３は、幅広部３３ａ、幅狭部３３ｂ、及び幅広部３３ｃを備えている。幅狭部３３ｂは、幅広部３３ａ、３３ｃよりも幅狭に形成されている。幅広部３３ａは、−Ｘ側、すなわち、Ｘ方向におけるプローブ１００の先端側に配置されている。幅広部３３ｃは、＋Ｘ側、すなわち、Ｘ方向におけるプローブ１００の基端側に配置されている。  On the other hand, the width of theupper layer 31 and thelower layer 33 changes in the middle. Specifically, thelower layer 33 includes awide portion 33a, anarrow portion 33b, and awide portion 33c. Thenarrow portion 33b is formed narrower than thewide portions 33a and 33c. Thewide portion 33a is disposed on the −X side, that is, on the distal end side of theprobe 100 in the X direction. Thewide portion 33c is disposed on the + X side, that is, on the proximal end side of theprobe 100 in the X direction.

Ｘ方向において、幅広部３３ａと幅広部３３ｃとの間に、幅狭部３３ｂが配置されている。したがって、下層３３は、幅方向にくびれた形状となっており、その中間に幅広部３３ａ、３３ｃよりも狭い幅狭部３３ｂを備えている。幅広部３３ａから幅狭部３３ｂに向かって、徐々に下層３３の幅が狭くなっている。同様に、幅広部３３ｃから幅狭部３３ｂに向かって、徐々に下層３３の幅が狭くなっている。幅狭部３３ｂにおいて最も下層３３の幅が狭くなっており、両端に向かうにつれて幅が徐々に広くなっていく。ＸＹ平面視において、下層３３は、幅狭部３３ｂを通るＹ方向の直線に対して線対称になっている。したがって、中間層３２によって、くびれた形状の上層３１、及び下層３２を補強することができる。  In the X direction, anarrow portion 33b is disposed between thewide portion 33a and thewide portion 33c. Therefore, thelower layer 33 has a shape narrowed in the width direction, and includes anarrow portion 33b narrower than thewide portions 33a and 33c. The width of thelower layer 33 gradually decreases from thewide portion 33a toward thenarrow portion 33b. Similarly, the width of thelower layer 33 gradually decreases from thewide portion 33c toward thenarrow portion 33b. In thenarrow portion 33b, the width of thelower layer 33 is narrowest, and the width gradually increases toward both ends. In the XY plan view, thelower layer 33 is line-symmetric with respect to a straight line in the Y direction passing through thenarrow portion 33b. Accordingly, the constrictedupper layer 31 andlower layer 32 can be reinforced by theintermediate layer 32.

上層３１も下層３３と同様の構成を有している。すなわち、Ｘ方向における上層３１の途中には、幅広部３１ａ、３１ｃよりも幅が狭い幅狭部３１ｂが設けられている。このように、下ビーム３０に、幅の一定な中間層３２を設け、中間層３２を上層３１及び下層３３で挟み込む構成としている。そして、上層３１、及び下層３３は、Ｘ方向における中間に向けてビーム幅が徐々に狭くなるテーパ形状を有している。  Theupper layer 31 has the same configuration as thelower layer 33. That is, in the middle of theupper layer 31 in the X direction, anarrow portion 31b that is narrower than thewide portions 31a and 31c is provided. As described above, theintermediate layer 32 having a constant width is provided in thelower beam 30, and theintermediate layer 32 is sandwiched between theupper layer 31 and thelower layer 33. Theupper layer 31 and thelower layer 33 have a tapered shape in which the beam width gradually decreases toward the middle in the X direction.

したがって、Ｙ方向における中間層３２の幅は、上層３１及び下層３３の幅よりも広くなっている。すなわち、上層３１及び下層３３には、それぞれ、Ｙ方向における導電材料の合計寸法が中間層３２における導電材料の合計寸法よりも小さくなっている幅狭部３１ｂ、３３ｂがそれぞれ設けられている。そして、Ｘ方向において、幅狭部３１ｂ、３３ｂは、本体部１と先端部５との間に配置されている。  Therefore, the width of theintermediate layer 32 in the Y direction is wider than the widths of theupper layer 31 and thelower layer 33. That is, theupper layer 31 and thelower layer 33 are provided withnarrow portions 31b and 33b in which the total dimension of the conductive material in the Y direction is smaller than the total dimension of the conductive material in theintermediate layer 32, respectively. In the X direction, thenarrow portions 31 b and 33 b are disposed between themain body portion 1 and thetip portion 5.

この構成により、ビーム幅の変化を理想的な形に近づけることができ、応力をより広く分散させることが可能になる。よって、同じビーム長で、同じ撓み量対荷重を持つプローブ１００をより低い応力で実現することができる。したがって、耐久性を高めることが可能になる。さらに、横方向（Ｙ方向）における耐荷重を向上することができるため、スティッキングに不具合にも強くなる。これにより、狭ピッチの実装が可能で、高性能のプローブを実現することができる。  With this configuration, the change in the beam width can be approximated to an ideal shape, and the stress can be more widely distributed. Therefore, theprobe 100 having the same beam length and the same deflection amount versus load can be realized with lower stress. Therefore, durability can be increased. Furthermore, since the load resistance in the lateral direction (Y direction) can be improved, the problem of sticking becomes strong. Thereby, a narrow pitch mounting is possible and a high-performance probe can be realized.

なお、上層３１、及び下層３３を変化させる形状は、Ｘ方向における下ビーム３０の中央を頂点として、下ビーム３０の本体部１側を底辺とする三角形とすることが望ましい。しかしながら、頂点の形成が困難である場合、三角形に近似した形状とすることも可能である。例えば、幅広部３３ｃから幅狭部３３ｂまでのＸＹ平面形状がほぼ等脚台形となっていてもよい。また、幅方向において上層３１、及び下層３３が両側に均等にくびれていてもよい。  The shape that changes theupper layer 31 and thelower layer 33 is preferably a triangle having the center of thelower beam 30 in the X direction as the apex and thebase portion 1 side of thelower beam 30 as the base. However, when it is difficult to form vertices, it is possible to make the shape approximate to a triangle. For example, the XY plane shape from thewide portion 33c to thenarrow portion 33b may be substantially isosceles trapezoid. Further, theupper layer 31 and thelower layer 33 may be equally constricted on both sides in the width direction.

本実施の形態では、上層３１、４１、及び下層３３、４３をくびれた形状としている。このようにすることで、容易に所望の幅寸法を実現することができる。例えば、上記したように、ＭＥＭＳ技術を用いて各層を形成する場合、フォトリソグラフィー工程において、フォトレジストがくびれた形状に応じたパターンになるように露光、現像する。これにより、容易に、所望の幅寸法を得ることができる。  In the present embodiment, theupper layers 31 and 41 and thelower layers 33 and 43 are constricted. By doing in this way, a desired width dimension is easily realizable. For example, as described above, when each layer is formed using the MEMS technique, in the photolithography process, exposure and development are performed so that the photoresist has a pattern corresponding to the constricted shape. Thereby, a desired width dimension can be obtained easily.

また、Ｘ方向におけるコンタクト５０の先端（力点）は、下ビーム３０の固定端と同一線上にあることが望ましい。例えば、＋Ｘ方向における第２層５１ｂの端に、Ｘ方向におけるコンタクト５０の先端の位置を設定することが望ましい。  Further, the tip (force point) of thecontact 50 in the X direction is desirably collinear with the fixed end of thelower beam 30. For example, it is desirable to set the position of the tip of thecontact 50 in the X direction at the end of thesecond layer 51b in the + X direction.

図５は、応力分散の解析を行った計算結果を示す図である。図５において、破線が本実施の形態にかかるプローブ（本形状）での負荷応力を示し、実線が比較例（基本形状）の構成による負荷応力を示している。比較例では、上ビームと下ビームとがそれぞれ１層構造となっている。すなわち、上ビームと下ビームの全体がくびれた形状となっている。また、図５は、鉛直方向に荷重を与えた場合に最大となる箇所での応力、具体的には、本体部１の−Ｘ側の端において、下ビーム３０に加わる応力を示している。図５に示すよう、本実施の形態による構成を用いることで、比較例よりも負荷応力を緩和させることができる。本実施の形態に係る構成によって、比較例に対して約１５％の応力緩和を実現することができる。  FIG. 5 is a diagram illustrating a calculation result obtained by analyzing the stress dispersion. In FIG. 5, the broken line indicates the load stress in the probe (the main shape) according to the present embodiment, and the solid line indicates the load stress due to the configuration of the comparative example (basic shape). In the comparative example, the upper beam and the lower beam each have a single layer structure. That is, the entire upper beam and lower beam are constricted. FIG. 5 shows the stress at the maximum point when a load is applied in the vertical direction, specifically, the stress applied to thelower beam 30 at the end of themain body 1 on the −X side. As shown in FIG. 5, by using the configuration according to the present embodiment, it is possible to reduce the load stress as compared with the comparative example. With the configuration according to the present embodiment, about 15% stress relaxation can be realized with respect to the comparative example.

図６に、横荷重に対する変形量の解析を行った計算結果を示す。図６において、破線が本実施の形態にかかるプローブでの変形量を示し、実線が比較例の構成による変形量を示している。図６に示すように、本実施の形態による構成を用いることで、比較例よりも横荷重に対する変形量を小さくすることができる。本実施の形態に係る構成によって、比較例に対して変形量が約１／４となるため、横荷重に対する強度を約４倍にすることができる。  FIG. 6 shows a calculation result obtained by analyzing the deformation amount with respect to the lateral load. In FIG. 6, the broken line indicates the deformation amount of the probe according to the present embodiment, and the solid line indicates the deformation amount due to the configuration of the comparative example. As shown in FIG. 6, by using the configuration according to the present embodiment, the amount of deformation with respect to the lateral load can be made smaller than that of the comparative example. With the configuration according to the present embodiment, the deformation amount is about ¼ that of the comparative example, so that the strength against the lateral load can be increased about four times.

このように、本実施の形態に係るプローブ１００の構成によれば、応力分散特性を良好にすることができ、かつ横方向の耐荷重を向上することができる。よって、小型で高性能のプローブを実現することができる。よって、プローブが狭ピッチで実装されたプローブカードを実現することができる。  Thus, according to the configuration of theprobe 100 according to the present embodiment, it is possible to improve the stress dispersion characteristics and improve the lateral load resistance. Therefore, a small and high-performance probe can be realized. Therefore, it is possible to realize a probe card in which probes are mounted at a narrow pitch.

実施の形態２．
本実施の形態にかかるプローブの構成について、図７〜図８を用いて説明する。図７は、プローブ２００の構成を示す上面図であり、図８は、斜視図である。図７、図８に示すように、プローブ２００は、実施形態１に係るプローブ１００と同様の構成を有するカンチレバー型プローブである。したがって、プローブ２００は、プローブ１００と同様に上ビーム４０と下ビーム３０とを備えている。なお、実施の形態１のプローブ１００の同様の構成については、同様の符号を付して、説明を省略する。Embodiment 2. FIG.
The configuration of the probe according to this embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 7 is a top view showing the configuration of theprobe 200, and FIG. 8 is a perspective view. As shown in FIGS. 7 and 8, theprobe 200 is a cantilever type probe having the same configuration as theprobe 100 according to the first embodiment. Therefore, theprobe 200 includes theupper beam 40 and thelower beam 30 in the same manner as theprobe 100. In addition, about the same structure of theprobe 100 ofEmbodiment 1, the same code | symbol is attached | subjected and description is abbreviate | omitted.

本実施の形態では、下ビーム３０と上ビーム４０の構成が実施の形態１のプローブ１００と異なっている。より具体的には、下ビーム３０と上ビーム４０の上層３１、４１、及び下層３３、４３の構成が実施の形態１と異なっている。その他の構成については、実施の形態１と同様になっている。  In the present embodiment, the configuration of thelower beam 30 and theupper beam 40 is different from that of theprobe 100 of the first embodiment. More specifically, the configurations of theupper layers 31 and 41 and thelower layers 33 and 43 of thelower beam 30 and theupper beam 40 are different from those of the first embodiment. Other configurations are the same as those in the first embodiment.

ここで、下ビーム３０の構成について、図９を用いて説明する。図９（ａ）は、下ビーム３０の各層の形状を示すＸＹ平面図である。図９（ｂ）は、下ビーム３０の正面図である。なお、上ビーム４０は、下ビーム３０と同様の構成を有しているため、説明を省略する。  Here, the configuration of thelower beam 30 will be described with reference to FIG. FIG. 9A is an XY plan view showing the shape of each layer of thelower beam 30. FIG. 9B is a front view of thelower beam 30. Since theupper beam 40 has the same configuration as thelower beam 30, the description thereof is omitted.

本実施の形態では、下層３３には菱形の抜き形状３３ｄが設けられている。抜き形状３３ｄは、上下に貫通した貫通穴となっており、下層３３の中心に配置されている。抜き形状３３ｄはＸ方向における中間から両端に向かって徐々に幅狭になっていく菱形である。矩形板に抜き形状３３ｄを設けることで、幅広部３３ａと幅広部３３ｃとの間に、幅狭部３３ｂが形成されている。幅狭部３３ｂにおける導電材料の幅が、幅広部３３ａ、３３ｃにおける導電材料の幅よりも狭くなっている。Ｘ方向において、幅広部３３ａと幅広部３３ｃとの間に、幅狭部３３ｂが配置されている。Ｚ方向に下層３３を抜いた形状とすることによりは、Ｘ方向における下層３３の中間に幅広部３３ａ、３３ｃよりも狭い幅狭部３３ｂが形成される。ＸＹ平面視において、下層３３は、幅狭部３３ｂを通るＹ方向の直線に対して線対称になっている。  In the present embodiment, thelower layer 33 is provided with a diamond-shapedcut shape 33d. The punchingshape 33 d is a through hole penetrating vertically, and is arranged at the center of thelower layer 33. Theblank shape 33d is a rhombus that gradually narrows from the middle in the X direction toward both ends. By providing therectangular shape 33d on the rectangular plate, thenarrow portion 33b is formed between thewide portion 33a and thewide portion 33c. The width of the conductive material in thenarrow portion 33b is narrower than the width of the conductive material in thewide portions 33a and 33c. In the X direction, anarrow portion 33b is disposed between thewide portion 33a and thewide portion 33c. By forming thelower layer 33 in the Z direction, anarrow portion 33b narrower than thewide portions 33a and 33c is formed in the middle of thelower layer 33 in the X direction. In the XY plan view, thelower layer 33 is line-symmetric with respect to a straight line in the Y direction passing through thenarrow portion 33b.

上層３１も下層３３と同様の構成を有している。すなわち、上層３１にも菱形の抜き形状３１ｄが形成されている。上層３１、及び下層３３は、導電材料の合計幅寸法がＸ方向における位置に応じて変化する。換言すると、中間層３２を構成する導電材料のＹ方向における合計寸法は、幅狭部３３ｂで最も小さくなっている。上層３１及び下層３３には、それぞれ、導電材料の合計寸法が中間層３２における導電材料の合計寸法よりも狭くなっている幅狭部３１ｂ、３３ｂがそれぞれ設けられている。そして、Ｘ方向において、幅狭部３１ｂ、３３ｂは、本体部１と先端部５との間に配置されている。  Theupper layer 31 has the same configuration as thelower layer 33. That is, theupper layer 31 is also formed with a diamond-shapedcut shape 31d. In theupper layer 31 and thelower layer 33, the total width dimension of the conductive material changes according to the position in the X direction. In other words, the total dimension in the Y direction of the conductive material constituting theintermediate layer 32 is the smallest at thenarrow portion 33b. Theupper layer 31 and thelower layer 33 are provided withnarrow portions 31b and 33b, respectively, in which the total size of the conductive material is narrower than the total size of the conductive material in theintermediate layer 32. In the X direction, thenarrow portions 31 b and 33 b are disposed between themain body portion 1 and thetip portion 5.

このように、下ビーム３０に、幅の一定な中間層３２を設け、中間層３２を上層３１及び下層３３で挟み込む構成としている。そして、上層３１、及び下層３３では、Ｘ方向における中間に向けて導電材料の合計幅寸法が小さくなっていく。  As described above, theintermediate layer 32 having a constant width is provided in thelower beam 30, and theintermediate layer 32 is sandwiched between theupper layer 31 and thelower layer 33. In theupper layer 31 and thelower layer 33, the total width dimension of the conductive material decreases toward the middle in the X direction.

この構成により、実施の形態１と同様に、ビーム幅の変化を理想的な形に近づけることができ、応力をより広く分散させることが可能になる。よって、同じビーム長において、同じ撓み量対荷重を持つプローブ２００をより低い応力で実現することができる。したがって、耐久性を高めることが可能になる。さらに、横方向における耐荷重を向上することができるため、スティッキングに不具合にも強くなる。  With this configuration, similar to the first embodiment, the change in the beam width can be brought close to an ideal shape, and the stress can be more widely distributed. Therefore, theprobe 200 having the same deflection amount versus load can be realized with lower stress at the same beam length. Therefore, durability can be increased. Furthermore, since the load resistance in the lateral direction can be improved, the sticking is more resistant to defects.

本実施の形態では、上層３１、４１、及び下層３３、４３に抜き形状が形成されている。このようにすることで、容易に所望の幅寸法を実現することができる。例えば、上記したように、ＭＥＭＳ技術を用いて各層を形成する場合、フォトリソグラフィー工程において、フォトレジストが抜き形状に応じたパターンになるように露光、現像する。これにより、容易に、所望の幅寸法を得ることができる。  In the present embodiment, theupper layers 31 and 41 and thelower layers 33 and 43 have a punched shape. By doing in this way, a desired width dimension is easily realizable. For example, as described above, when each layer is formed using the MEMS technique, in the photolithography process, exposure and development are performed so that the photoresist has a pattern corresponding to the extracted shape. Thereby, a desired width dimension can be obtained easily.

なお、実施の形態１、２において、上ビーム４０と下ビーム３０とを同じ構成としたが、上ビーム４０と下ビーム３０とは異なる構成であってもよい。例えば、上ビーム４０は実施の形態１で示したように中間層４２がくびれた形状を有しており、下ビーム３０は実施の形態２で示したように中間層３２が抜き形状３２ｄを有していてもよい。  In the first and second embodiments, theupper beam 40 and thelower beam 30 have the same configuration, but theupper beam 40 and thelower beam 30 may have different configurations. For example, theupper beam 40 has a shape in which theintermediate layer 42 is constricted as shown in the first embodiment, and thelower beam 30 has the shape in which theintermediate layer 32 has a blank shape 32d as shown in the second embodiment. You may do it.

さらに、ダブルアーム構造のカンチレバー型プローブに限らず、シングルアーム構造のカンチレバー型プローブであってもよい。この場合、１つのビームが実施の形態１、又は実施の形態２で示した構成となる。あるいは、ダブルアーム構造のカンチレバー型プローブにおいて、一方のビームのみ、本実施の形態にかかる構造を採用してもよい。  Further, the cantilever type probe is not limited to a double arm structure, and may be a single arm structure. In this case, one beam has the configuration shown in the first embodiment or the second embodiment. Alternatively, in a cantilever type probe having a double arm structure, the structure according to the present embodiment may be employed for only one beam.

実施の形態３．
実施の形態３にかかるプローブ３００の構成について、図１０．及び図１１を用いて説明する。図１０は、プローブ３００の構成を示す側面図であり、図１１は斜視図である。なお、本実施の形態におけるプローブ３００の基本的構成は実施の形態１と同様であるため、適宜説明を省略する。Embodiment 3 FIG.
FIG. 10 shows the configuration of theprobe 300 according to the third embodiment. And it demonstrates using FIG. FIG. 10 is a side view showing the configuration of theprobe 300, and FIG. 11 is a perspective view. Note that the basic configuration of theprobe 300 in the present embodiment is the same as that in the first embodiment, and thus description thereof will be omitted as appropriate.

Ｚ方向において、上ビーム４０と下ビーム３０との間に、中間ビーム６０が設けられている。中間ビーム６０は、上ビーム４０、及び下ビーム３０とそれぞれ平行になっている。中間ビーム６０の先端は、第３層５１ｃと第４層５１ｄの間に配置されている。中間ビーム６０の基端は、第３層１１ｃと第４層１１ｄとの間に配置されている。中間ビーム６０は、実施形態１、２の上層３１等と同様に一定の幅となっている。すなわち、中間ビーム６０は、一定の幅かつ一定の厚みを有する矩形板状となっている。  Anintermediate beam 60 is provided between theupper beam 40 and thelower beam 30 in the Z direction. Theintermediate beam 60 is parallel to theupper beam 40 and thelower beam 30, respectively. The tip of theintermediate beam 60 is disposed between thethird layer 51c and thefourth layer 51d. The base end of theintermediate beam 60 is disposed between thethird layer 11c and thefourth layer 11d. Theintermediate beam 60 has a constant width like theupper layer 31 of the first and second embodiments. That is, theintermediate beam 60 has a rectangular plate shape having a constant width and a constant thickness.

実施の形態１、２とは異なり、上ビーム４０と下ビーム３０はそれぞれ１層構造となっている。上ビーム４０と下ビーム３０は、中間層３２、４２と同様にくびれた形状となっている。すなわち、上ビーム４０は、プローブ３００の先端側に配置された幅広部４０ａと、基端側に配置された幅広部４０ｃと、幅広部４０ａと幅広部４０ｃとの間に配置された幅狭部４０ｂを備えている。下ビーム３０は、プローブ３００の先端側に配置された幅広部３０ａと、基端側に配置された幅広部３０ｃと、幅広部３０ａと幅広部３０ｃとの間に配置された幅狭部３０ｂを備えている。  Unlike the first and second embodiments, theupper beam 40 and thelower beam 30 each have a single-layer structure. Theupper beam 40 and thelower beam 30 are constricted like theintermediate layers 32 and 42. That is, theupper beam 40 includes awide portion 40a disposed on the distal end side of theprobe 300, awide portion 40c disposed on the proximal end side, and a narrow portion disposed between thewide portion 40a and thewide portion 40c. 40b. Thelower beam 30 includes awide portion 30a disposed on the distal end side of theprobe 300, awide portion 30c disposed on the proximal end side, and anarrow portion 30b disposed between thewide portion 30a and thewide portion 30c. I have.

幅狭部３０ｂ、４０ｂを下ビーム３０、及び上ビーム４０に設けることで、Ｘ方向の中間において、下ビーム３０及び上ビーム４０が中間ビーム６０よりも幅狭になる。換言すると、実施の形態３の構成では、上ビーム４０が実施の形態１の上層３１に対応し、下ビーム３０が実施の形態１の下層３３に対応し、中間ビーム６０は実施の形態１の中間層３２に対応することになる。そして、上層となる上ビーム４０と中間層となる中間ビーム６０とが離間して設けられ、下層となる下ビーム３０と中間層となる中間ビーム６０とが離間して設けられている。間層３２、４２の代わりに、独立した中間ビーム６０を設けている。換言すると、実施の形態１の下ビーム３０の上層３１、中間層３２、及び下層３３が独立したビームとなっている構成となっている。  By providing thenarrow portions 30 b and 40 b in thelower beam 30 and theupper beam 40, thelower beam 30 and theupper beam 40 become narrower than theintermediate beam 60 in the middle in the X direction. In other words, in the configuration of the third embodiment, theupper beam 40 corresponds to theupper layer 31 of the first embodiment, thelower beam 30 corresponds to thelower layer 33 of the first embodiment, and theintermediate beam 60 is the same as that of the first embodiment. This corresponds to theintermediate layer 32. Theupper beam 40 serving as the upper layer and theintermediate beam 60 serving as the intermediate layer are provided apart from each other, and thelower beam 30 serving as the lower layer and theintermediate beam 60 serving as the intermediate layer are provided separately from each other. Instead of theintermediate layers 32 and 42, an independentintermediate beam 60 is provided. In other words, theupper layer 31, theintermediate layer 32, and thelower layer 33 of thelower beam 30 of the first embodiment are configured as independent beams.

Ｙ方向において、上ビーム４０と下ビーム３０は、それぞれ、導電材料の合計寸法が中間ビーム６０における導電材料の合計寸法よりも小さくなっている幅狭部４０ｂ、３０ｂが設けられている。Ｘ方向において、先端部５と本体部１との間に幅狭部４０ｂ、３０ｂが配置されている。よって、実施の形態１と同様の効果を得ることができる。  In the Y direction, theupper beam 40 and thelower beam 30 are provided withnarrow portions 40 b and 30 b in which the total size of the conductive material is smaller than the total size of the conductive material in theintermediate beam 60, respectively. In the X direction,narrow portions 40 b and 30 b are disposed between thetip portion 5 and themain body portion 1. Therefore, the same effect as in the first embodiment can be obtained.

なお、上ビーム４０、及び下ビーム３０の構成は、実施の形態１の中間層３２と同様の構成に限らず、実施の形態２の中間層３２と同様の構成となっていてもよい。すなわち、矩形板に抜き形状を設けることで、上ビーム４０、及び下ビーム３０を構成してもよい。  The configuration of theupper beam 40 and thelower beam 30 is not limited to the configuration similar to theintermediate layer 32 of the first embodiment, and may be the same configuration as theintermediate layer 32 of the second embodiment. That is, theupper beam 40 and thelower beam 30 may be configured by providing a rectangular plate with a blank shape.

実施の形態１〜３のいずれかに記載されたプローブを配線基板６に複数搭載することで、狭ピッチのプローブカードを実現することができる。さらに、上記したように、応力を良好に分散することができ、横荷重に対する強度が高いため、高性能のプローブ、及びプローブカードを実現することが可能になる。したがって、耐久性、及び検査の信頼性を向上することができる。  By mounting a plurality of probes described in any one of the first to third embodiments on thewiring board 6, a narrow pitch probe card can be realized. Furthermore, as described above, the stress can be dispersed well and the strength against the lateral load is high, so that a high-performance probe and probe card can be realized. Therefore, durability and reliability of inspection can be improved.

以上、本発明の実施形態を説明したが、本発明はその目的と利点を損なうことのない適宜の変形を含み、更に、上記の実施形態よる限定は受けない。  As mentioned above, although embodiment of this invention was described, this invention contains the appropriate deformation | transformation which does not impair the objective and advantage, Furthermore, it does not receive the restriction | limiting by said embodiment.

１ 本体部
３ ビーム部
５ 先端部
３０ 下ビーム
３１ 上層
３２ 中間層
３３ 下層
４０ 上ビーム
４１ 上層
４２ 中間層
４３ 下層
５０ コンタクト
Ｗ ワーク
１００、２００、３００ プローブDESCRIPTION OFSYMBOLS 1 Main-body part 3Beam part 5Tip part 30Lower beam 31Upper layer 32Intermediate layer 33Lower layer 40Upper beam 41Upper layer 42Intermediate layer 43Lower layer 50Contact W Workpieces 100, 200, 300 Probe

Claims (5)

Translated fromJapanese

検査対象の電極と接触するコンタクトを備えた先端部と、
配線基板と接続される本体部と、
導電材料によって形成され、前記本体部と前記先端部とを連結するビーム部と、
を備えたカンチレバー型プローブであって、
前記カンチレバー型プローブの厚さ方向において、前記ビーム部は前記配線基板側に配置された上層と、前記コンタクト側に配置された下層と、前記上層と前記下層との間に配置された中間層と、を備え、
前記上層、及び下層のそれぞれには、前記ビーム部の長手方向において前記先端部と前記本体部との間に配置された幅狭部が形成され、
前記幅狭部は前記長手方向と直交する幅方向における前記導電材料の合計寸法が前記中間層における前記導電材料の合計寸法よりも小さくなっているカンチレバー型プローブ。
カンチレバー型プローブ。A tip with a contact in contact with the electrode to be inspected;
A main body connected to the wiring board;
A beam part formed of a conductive material and connecting the main body part and the tip part;
A cantilever probe comprising:
In the thickness direction of the cantilever type probe, the beam portion includes an upper layer disposed on the wiring board side, a lower layer disposed on the contact side, and an intermediate layer disposed between the upper layer and the lower layer. With
Each of the upper layer and the lower layer is formed with a narrow portion disposed between the tip portion and the main body portion in the longitudinal direction of the beam portion,
The narrow portion is a cantilever probe in which the total dimension of the conductive material in the width direction orthogonal to the longitudinal direction is smaller than the total dimension of the conductive material in the intermediate layer.
Cantilever probe. 前記幅方向に前記上層及び前記下層をくびれた形状とすることで、前記幅狭部が形成されている請求項１に記載のカンチレバー型プローブ。  The cantilever type probe according to claim 1, wherein the narrow portion is formed by constricting the upper layer and the lower layer in the width direction. 前記厚さ方向に前記上層及び前記下層を抜いた形状とすることで、前記幅狭部が形成されている請求項１に記載のカンチレバー型プローブ。  The cantilever type probe according to claim 1, wherein the narrow portion is formed by removing the upper layer and the lower layer in the thickness direction. 前記中間層の厚さをＴｘとし、前記ビーム部のビームの厚さをＴｂとした場合に、Ｔｂ×１／３＞Ｔｘ＞Ｔｂ×1／２０となっていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のカンチレバー型プローブ。  2. The thickness of the intermediate layer is Tx, and the thickness of the beam of the beam portion is Tb, Tb × 1/3> Tx> Tb × 1/20 is satisfied. The cantilever type probe according to any one of? 請求項１〜４のいずれか１項に記載のカンチレバー型プローブと、
前記カンチレバー型プローブが複数実装された配線基板と、を備えたプローブカード。The cantilever type probe according to any one of claims 1 to 4,
And a wiring board on which a plurality of the cantilever probes are mounted.

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