JP2016096249A - Shield cover and electronic device - Google Patents
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Abstract
Description
Translated fromJapanese本発明は、シールドカバー及び電子装置に関するものである。 The present invention relates to a shield cover and an electronic device.
近年、スマートフォンやタブレット等の表示画面を有する携帯端末となる電子装置が普及しており、これらのスマートフォンやタブレット等は、携帯性の観点から、軽量化の他、薄型化が求められている。ところで、スマートフォンやタブレット等においては、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、パワーマネージメントチップ、無線通信チップ等の半導体素子が搭載されているが、これらの半導体素子は、動作させると熱が発生する。このように半導体素子において熱が発生し高温になると、半導体素子における機能が低下するため、半導体素子を冷却することが必須となる。 In recent years, electronic devices serving as mobile terminals having display screens such as smartphones and tablets have become widespread, and these smartphones, tablets, and the like are required to be lighter and thinner in terms of portability. By the way, in smart phones, tablets, and the like, semiconductor elements such as a CPU (Central Processing Unit), a power management chip, and a wireless communication chip are mounted. When these semiconductor elements are operated, heat is generated. As described above, when heat is generated in the semiconductor element and the temperature is increased, the function of the semiconductor element is deteriorated, so that the semiconductor element must be cooled.
半導体素子を冷却する方法としては、冷却ファン等の可動部品により放熱するアクティブ機構の他、可動部品を用いることなく放熱板等により放熱を行うパッシブ機構がある。スマートフォンやタブレット等においては、携帯性の観点より軽量化や薄型化が求められていることから、パッシブ機構が好ましいとされている。パッシブ機構では、半導体素子において発生した熱が、半導体素子と放熱板等との間に形成された熱伝導部材を介して、放熱板等に熱伝導され、放熱板等において放熱されることにより、半導体素子が冷却される。 As a method of cooling the semiconductor element, there is an active mechanism that radiates heat using a movable part such as a cooling fan, and a passive mechanism that radiates heat using a heat radiating plate or the like without using a movable part. In smart phones, tablets, and the like, passive mechanisms are preferred because they are required to be lightweight and thin from the viewpoint of portability. In the passive mechanism, the heat generated in the semiconductor element is thermally conducted to the heat radiating plate or the like through the heat conducting member formed between the semiconductor element and the heat radiating plate, and is radiated in the heat radiating plate or the like. The semiconductor element is cooled.
このような熱伝導部材は、一般的には、熱接合材料（ＴＩＭ：Thermal Interface Material）により形成されている。熱接合材料は、表面粘着性を有しており、熱導電性が高く、柔軟性を有する材料であり、半導体素子と放熱板との隙間を埋めることにより、熱抵抗を低減させることができるため、半導体素子において発生した熱を速やかに熱伝導させることができる。 Such a heat conducting member is generally formed of a thermal bonding material (TIM: Thermal Interface Material). The thermal bonding material is a material having surface adhesiveness, high thermal conductivity, and flexibility, and can reduce thermal resistance by filling the gap between the semiconductor element and the heat sink. The heat generated in the semiconductor element can be quickly conducted.
図１に基づきスマートフォンやタブレット等の電子装置の構造を説明する。スマートフォンやタブレット等の電子装置においては、ＣＰＵ等の半導体素子９１０は、プリント基板９２０にハンダ付けされており、半導体素子９１０の周囲には、半導体素子９１０から発生する電磁波をシールドするため導電性を有する金属材料により形成されたシールドカバー９３０及びシールド支柱部９４０が設けられている。シールド支柱部９４０は、導電性を有する材料により、半導体素子９１０を囲むように形成され、プリント基板９２０にハンダ付けされており、接地電位に接続されている。シールドカバー９３０はシールド支柱部９４０にはめ込むことができるように形成されており、シールドカバー９３０をシールド支柱部９４０にはめ込むことにより、シールドカバー９３０により、プリント基板９２０に設置されている半導体素子９１０を覆うことができる。具体的には、シールドカバー９３０は、上面９３０ａと側面９３０ｂとにより形成されており、側面９３０ｂは、シールド支柱部９４０の外形よりも若干大きな形状で形成されている。よって、シールド支柱部９４０が内側となるように、シールドカバー９３０の側面９３０ｂをはめ込むことにより、シールドカバー９３０により、プリント基板９２０の上に設置されている半導体素子９１０を覆うことができる。 The structure of an electronic device such as a smartphone or tablet will be described with reference to FIG. In an electronic device such as a smartphone or a tablet, a
半導体素子９１０とシールドカバー９３０との間には、半導体素子９１０及びシールドカバー９３０の内側の面と接触するように、第１の熱接合部材９５１が設けられている。また、シールドカバー９３０と液晶パネル９６１の裏面における金属板９６０との間には、シールドカバー９３０の外側の面及び金属板９６０と接触するように、第２の熱接合部材９５２が設けられている。尚、一般的には、第１の熱接合部材９５１及び第２の熱接合部材９５２は、５〜２０％圧縮して用いられるため、設置される部分の間隔よりも若干厚く形成されている。 A first
また、シールド支柱部９４０は、接地電位に接続されているため、シールド支柱部９４０と側面９３０ｂにおいて接触しているシールドカバー９３０も接地電位となっている。このように、シールドカバー９３０を接地電位にすることにより、シールドカバー９３０において、半導体素子９１０を動作させた際に半導体素子９１０より発生した電磁波を遮蔽する効果を高めることができる。これにより、半導体素子９１０より発生した電磁波により、液晶パネル９６１の表示等に及ぼす悪影響を抑制することができる。 Further, since the
このような電子装置においては、半導体素子９１０とシールドカバー９３０との間隔Ｗ１やシールドカバー９３０と金属板９６０との間隔Ｗ２を狭くすることにより、電子装置を薄型化することができる。しかしながら、薄型化のため部品の寸法を短くした分、部品における公差を狭くすることは困難であるため、不具合が生じる場合がある。 In such an electronic device, the electronic device can be thinned by narrowing the interval W1 between the
具体的には、実際に電子装置を構成する部品を製造する際には、長さや厚さ等にバラツキが生じる。このため、例えば、第２の熱接合部材９５２における厚さが設計値よりも厚く形成された場合や、間隔Ｗ２が設計値よりも狭く形成された場合には、液晶パネル９６１が金属板９６０側から受ける力により撓み表示画面ににじみが発生し、表示品位が低下する場合がある。また、電子装置の筐体などの外観等が変形してしまう場合がある。この傾向は、電子装置を薄型化すればするほど顕著になる。即ち、電子装置の薄型化のため、部品の寸法を短くし、熱接合部材の厚さを薄くしても、それに対応して公差を狭めることは困難であるため、薄型化した場合には、上述した不具合が生じることが顕著になる。 Specifically, when manufacturing components that actually constitute an electronic device, variations in length, thickness, and the like occur. For this reason, for example, when the thickness of the second
このため、液晶パネルの表示品位を低下させたり、電子装置の外観を変形させる等の不具合が生じることなく、薄型化することが可能な電子装置に用いられるシールドカバーが求められている。 For this reason, there is a need for a shield cover used in an electronic device that can be reduced in thickness without causing problems such as degrading the display quality of a liquid crystal panel or deforming the appearance of the electronic device.
本実施の形態の一観点によれば、基板の上に設置された半導体素子を覆う、金属材料により形成されたシールドカバーであって、上面の中央部分におけるシールドカバー上面部と、前記上面の中央部分に開口を有するシールドカバー外枠部と、を有し、前記シールドカバー上面部と前記シールドカバー外枠部は、導電性弾性部材により接続されており、前記半導体素子と前記シールドカバー上面部との間には、前記半導体素子から前記シールドカバー上面部に熱を伝導させる第１の熱接合部材が設置され、前記シールドカバー上面部と表示パネルの裏面に設けられた金属板との間には、前記シールドカバー上面部から前記金属板に熱を伝導させる第２の熱接合部材が設置されることを特徴とする。 According to one aspect of the present embodiment, a shield cover formed of a metal material that covers a semiconductor element placed on a substrate, the shield cover upper surface portion in the center portion of the upper surface, and the center of the upper surface A shield cover outer frame portion having an opening in a portion, and the shield cover upper surface portion and the shield cover outer frame portion are connected by a conductive elastic member, and the semiconductor element and the shield cover upper surface portion In between, a first thermal bonding member that conducts heat from the semiconductor element to the upper surface portion of the shield cover is installed, and between the upper surface portion of the shield cover and a metal plate provided on the back surface of the display panel The second heat bonding member for conducting heat from the upper surface of the shield cover to the metal plate is installed.
開示のシールドカバーによれば、液晶パネルの表示品位を低下させたり、電子装置の外観を変形させる等の不具合が生じることなく、電子装置を薄型化することができる。 According to the disclosed shield cover, it is possible to reduce the thickness of the electronic device without causing problems such as lowering the display quality of the liquid crystal panel and deforming the appearance of the electronic device.
実施するための形態について、以下に説明する。尚、同じ部材等については、同一の符号を付して説明を省略する。 The form for implementing is demonstrated below. In addition, about the same member etc., the same code | symbol is attached | subjected and description is abbreviate | omitted.
〔第１の実施の形態〕
第１の実施の形態における電子装置について説明する。本実施の形態における電子装置は、スマートフォンやタブレット等の電子装置である。具体的には、図２に示されるように、ＣＰＵ等の半導体素子１０が、プリント基板２０にハンダ付けされており、半導体素子１０の周囲には、シールドカバー３０及びシールド支柱部４０が設けられている。シールドカバー３０は、半導体素子１０から発生する電磁波をシールドするため金属材料により形成されている。シールドカバー３０が取り付けられるシールド支柱部４０は、導電性を有する金属材料等により、半導体素子１０を囲むように形成され、プリント基板２０にハンダ付けされており、接地電位に接続されている。[First Embodiment]
The electronic device according to the first embodiment will be described. The electronic device in the present embodiment is an electronic device such as a smartphone or a tablet. Specifically, as shown in FIG. 2, a
シールドカバー３０は、上面の中央部分に設置されるシールドカバー上面部３１と、上面の中央部分に開口が形成されているシールドカバー外枠部３２とを有している。シールドカバー上面部３１は、シールドカバー外枠部３２における開口よりも若干大きな形状で形成されている。シールドカバー外枠部３２は、中央に開口を有する上面３２ａと側面３２ｂとにより形成されている。シールドカバー外枠部３２とシールドカバー上面部３１とは、シールドカバー外枠部３２の上面３２ａにおける外側の面とシールドカバー上面部３１における外側の面とが、導電性弾性部材３３により接続されている。導電性弾性部材３３は、導電性ゴム等の導電性を有する樹脂材料により形成されており、導電性と弾性の双方の機能を備えている。 The
本実施の形態においては、シールドカバー外枠部３２をシールド支柱部４０にはめ込むことにより、プリント基板２０の上の半導体素子１０をシールドカバー３０により覆うことができる。即ち、シールドカバー外枠部３２における側面３２ｂは、シールド支柱部４０の外形よりも若干大きな形状で形成されており、シールド支柱部４０が内側となるように、シールドカバー外枠部３２の側面３２ｂをはめ込むことができるように形成されている。 In the present embodiment, the
半導体素子１０とシールドカバー上面部３１との間には、半導体素子１０及びシールドカバー上面部３１の内側の面と接触するように、第１の熱接合部材５１が設けられている。また、シールドカバー上面部３１と表示パネル６１の裏面における金属板６０との間には、シールドカバー上面部３１の外側の面及び金属板６０と接触するように、第２の熱接合部材５２が設けられている。 A first
尚、シールド支柱部４０は接地電位となっているため、シールド支柱部４０と側面３２ｂにおいて接触しているシールドカバー外枠部３２及びシールドカバー外枠部３２と導電性弾性部材３３により接続されているシールドカバー上面部３１も接地電位となっている。このように、シールドカバー外枠部３２及びシールドカバー上面部３１を接地電位にすることにより、シールドカバー３０において、半導体素子１０を動作させた際に半導体素子１０より発生する電磁波を遮蔽する効果を高めることができる。これにより、半導体素子１０より発生した電磁波により、表示パネル６１の表示等に及ぼす悪影響を抑制することができる。 Since the
本実施の形態においては、半導体素子１０は、ＣＰＵ、パワーマネージメントチップ、無線通信チップ、メモリ等であり、動作させた場合に発熱する。表示パネル６１は、液晶パネル、ＥＬ（Electro Luminescence：エレクトロルミネッセンス）パネル等の画像を表示することのできるパネルである。 In the present embodiment, the
熱接合材料としては、一般的には、液状の放熱グリース、使用される温度範囲内において相転移温度を有し固体と液体の間で相転移する熱伝導性フェイズチェンジマテリアル、固体で柔軟性のある放熱シート等がある。このうち、液状の放熱グリースや、熱伝導性フェイズチェンジマテリアルは、弾性を有しておらず、また、液体等になるため、電子装置における振動等により流動する可能性がある。従って、第１の熱接合部材５１及び第２の熱接合部材５２として用いる場合には、固体で柔軟性のある放熱シートが好ましい。 In general, the thermal bonding material is a liquid thermal grease, a thermally conductive phase change material that has a phase transition temperature within the temperature range to be used and a phase transition between the solid and the liquid, and a solid and flexible material. There are some heat dissipation sheets. Among these, the liquid heat-dissipating grease and the heat conductive phase change material do not have elasticity and become liquid or the like, and thus may flow due to vibration or the like in the electronic device. Therefore, when using as the 1st
尚、第１の熱接合部材５１及び第２の熱接合部材５２を放熱シートにより形成した場合には、発明者による経験に基づく知見より、放熱シートの熱伝導率の範囲は、１Ｗ／ｍＫ以上、１０Ｗ／ｍＫ以下が好ましい。放熱シートの熱伝導率が、１Ｗ／ｍＫ未満の場合には、充分な放熱をすることができず、また、１０Ｗ／ｍＫを超えるものは、柔軟性も低下し、価格も高くなるため、電子装置を製造することが困難となり、低価格で製造することに適さないからである。また、放熱シートのアスカーＣ硬度は、３０以下であることが好ましい。放熱シートは柔軟性が求められるため、適度な軟らかさを有するものが好ましいからである。 In addition, when the 1st
また、第１の熱接合部材５１と第２の熱接合部材５２とは、アスカーＣ硬度が異なるものであることが好ましく、更には、第１の熱接合部材５１は第２の熱接合部材５２よりも軟らかいものであることが好ましい。第１の熱接合部材５１は第２の熱接合部材５２よりも軟らかいと、力を受けた場合に第１の熱接合部材５１が変形するため、受けた力を第１の熱接合部材５１側にリリースすることができるため、力のリリース方向を一方向にすることができるからである。 Further, it is preferable that the first
シールドカバー３０は、電磁波を吸収し遮蔽する機能を有しており、接地電位に接続されている。シールドカバー３０は、導電性を有するとともに、所望の剛性が求められるため、金属材料により形成されていることが好ましい。具体的には、シールドカバー３０は、ステンレスや、Ａｌ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｍｇを含む金属材料（合金を含む）により形成されていることが好ましい。 The
表示パネル６１の裏面に設けられた金属板６０は、表示パネル６１の保護等の機能の他、熱拡散板または放熱板としての機能が求められるため、金属材料により形成されている。具体的には、ステンレスや、Ａｌ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｍｇを含む金属材料（合金を含む）により形成されていることが好ましい。また、金属板６０には、熱伝導を補助するため、グラファイトシート等の熱伝導シートが張り付けられていてもよい。 The
次に、本実施の形態の電子装置について、より詳細に説明する。具体的には、半導体素子１０とシールドカバー３０のシールドカバー上面部３１との間隔Ｗ１が０．４ｍｍ±０．１ｍｍ、シールドカバー３０のシールドカバー上面部３１と金属板６０との間隔Ｗ２が０．４ｍｍ±０．１ｍｍとなる設計値の場合について説明する。 Next, the electronic device of this embodiment will be described in more detail. Specifically, the interval W1 between the
シールドカバー３０におけるシールドカバー外枠部３２及びシールドカバー上面部３１は、厚さが約０．１ｍｍ厚のアルミニウム合金により形成されている。シールドカバー外枠部３２及びシールドカバー上面部３１は、各々プレス加工により作製されている。導電性弾性部材３３として、ＥＭ導電７ＫＢＧ（富士高分子工業株式会社製）が用いられている。本実施の形態においては、シールドカバー外枠部３２の上面３２ａの外側の面とシールドカバー上面部３１の外側の面とを導電性弾性部材３３により接続することにより、シールドカバー３０が作製されている。 The shield cover
シールドカバー外枠部３２と導電性弾性部材３３との接続、及び、シールドカバー上面部３１と導電性弾性部材３３との接続は、熱圧着によりなされており、例えば、アマルファ（メック株式会社）により行ってもよい。アマルファは、金属の表面を化学処理し、樹脂材料との接合に最適な表面を形成することにより、接着剤を用いることなく、金属と樹脂材料とを一体化する技術である。 The connection between the shield cover
第１の熱接合部材５１は、設計厚み０．５ｍｍのＴＣ−５０ＳＰ−１．７（信越化学工業株式会社製：アスカーＣ硬度２）により形成されている。また、第２の熱接合部材５２は、設計厚み０．５ｍｍのＴＣ−５０ＣＡＴ−２０（信越化学工業株式会社製：アスカーＣ硬度２０）により形成されている。従って、アスカーＣ硬度は、第２の熱接合部材５２よりも第１の熱接合部材５１が低くなっている。即ち、第１の熱接合部材５１は、第２の熱接合部材５２よりも軟らかい材料により形成される。尚、熱接合部材は、通常、５％〜２０％圧縮して用いられるため、２０％圧縮した際の厚さが設計値の中央値となるように形成されている。 The first
本実施の形態においては、第２の熱接合部材５２の厚さが設計厚みよりも厚く形成されていたり、間隔Ｗ２が設計値の中央値よりも狭く形成されている場合には、図３に示されるように、第２の熱接合部材５２により、シールドカバー上面部３１が押される。このように、硬い第２の熱接合部材５２により、シールドカバー上面部３１が押されて動き、軟らかい第１の熱接合部材５１が変形することにより、力が吸収される。これにより、表示パネル６１に加わる力を抑制することができるため、表示パネル６１における表示画面がにじむことを防ぐことができ、また、電子装置の外観等の変形を防ぐことができる。この際、シールドカバー外枠部３２とシールドカバー上面部３１とを接続している伸縮性を有する導電性弾性部材３３が伸び、シールドカバー上面部３１は接地電位が保たれるため、電磁シールドとしての機能が損なわれることはない。 In the present embodiment, when the thickness of the second
〔第２の実施の形態〕
次に、第２の実施の形態について説明する。本実施の形態は、図４に示されるように、シールドカバー外枠部３２の上面３２ａの内側の面とシールドカバー上面部３１の内側の面とを導電性弾性部材３３により接続することにより、シールドカバー３０が作製されている電子装置である。導電性弾性部材３３による接続部分を変更しても、シールドカバー３０が、シールドカバー外枠部３２とシールドカバー上面部３１が導電性弾性部材３３により接続されていれば、第１の実施の形態と同様の効果を得ることができる。[Second Embodiment]
Next, a second embodiment will be described. In the present embodiment, as shown in FIG. 4, the inner surface of the
図５は、本実施の形態において、第２の熱接合部材５２の厚さが設計厚みよりも厚く形成されていたり、間隔Ｗ２が設計値の中央値よりも狭く形成されている場合の状態を示す。これらの場合には、第１の実施の形態と同様に、硬い第２の熱接合部材５２により、シールドカバー上面部３１が押され、軟らかい第１の熱接合部材５１が変形することにより、力が吸収される。 FIG. 5 shows a state where the thickness of the second
尚、上記以外の内容については、第１の実施の形態と同様である。 The contents other than the above are the same as in the first embodiment.
〔第３の実施の形態〕
次に、第３の実施の形態について説明する。本実施の形態は、図６に示されるように、シールドカバー外枠部３２の上面３２ａの内側の面とシールドカバー上面部３１の外側の面とを導電性弾性部材３３により接続することにより、シールドカバー３０が作製されている電子装置である。導電性弾性部材３３による接続部分を変更しても、シールドカバー３０が、シールドカバー外枠部３２とシールドカバー上面部３１が導電性弾性部材３３により接続されていれば、第１の実施の形態と同様の効果を得ることができる。[Third Embodiment]
Next, a third embodiment will be described. In this embodiment, as shown in FIG. 6, the inner surface of the
図７は、本実施の形態において、第２の熱接合部材５２の厚さが設計厚みよりも厚く形成されていたり、間隔Ｗ２が設計値の中央値よりも狭く形成されている場合の状態を示す。これらの場合には、第１の実施の形態と同様に、硬い第２の熱接合部材５２により、シールドカバー上面部３１が押され、軟らかい第１の熱接合部材５１が変形することにより、力が吸収される。 FIG. 7 shows a state where the thickness of the second
尚、上記以外の内容については、第１の実施の形態と同様である。 The contents other than the above are the same as in the first embodiment.
〔第４の実施の形態〕
次に、第４の実施の形態における電子装置について説明する。本実施の形態における電子装置は、図８に示されるように、ＣＰＵ等の半導体素子１０が、プリント基板２０にハンダ付けされており、半導体素子１０の周囲には、シールドカバー１３０及び導電性弾性支柱部１４０が設けられている。シールドカバー１３０は、半導体素子１０から発生する電磁波をシールドするため金属材料により形成されている。シールドカバー１３０が取り付けられる導電性弾性支柱部１４０は、半導体素子１０を囲むように形成されて、プリント基板２０に設置されており、接地電位に接続されている。本実施の形態においては、導電性弾性支柱部１４０は、導電性ゴム等により形成されており、導電性と弾性の双方の機能を備えている。[Fourth Embodiment]
Next, an electronic device according to a fourth embodiment will be described. As shown in FIG. 8, in the electronic device according to the present embodiment, a
シールドカバー１３０は、上面１３０ａと側面１３０ｂとを有しており、シールドカバー１３０の側面１３０ｂを導電性弾性支柱部１４０にはめ込むことにより、プリント基板２０に設置されている半導体素子１０をシールドカバー１３０により覆うことができる。具体的には、シールドカバー１３０の側面１３０ｂは、導電性弾性支柱部１４０の外形よりも若干大きな形状で形成されており、導電性弾性支柱部１４０が内側となるように、シールドカバー１３０の側面１３０ｂをはめ込むことができるように形成されている。これにより、プリント基板２０に取り付けられている半導体素子１０をシールドカバー１３０により覆うことができる。 The
半導体素子１０とシールドカバー１３０の上面１３０ａとの間には、半導体素子１０及びシールドカバー１３０の上面１３０ａの内側の面と接触するように、第１の熱接合部材５１が設けられている。また、シールドカバー１３０の上面１３０ａと表示パネル６１の裏面における金属板６０との間には、シールドカバー１３０の上面１３０ａの外側の面及び金属板６０と接触するように、第２の熱接合部材５２が設けられている。 A first
尚、導電性弾性支柱部１４０は、接地電位に接続されているため、導電性弾性支柱部１４０と側面１３０ｂにおいて接触しているシールドカバー１３０も接地電位となっている。このように、シールドカバー１３０を接地電位にすることにより、シールドカバー１３０において、半導体素子１０を動作させた際に半導体素子１０より発生する電磁波を遮蔽する効果を高めることができる。これにより、半導体素子１０より発生した電磁波により、表示パネル６１の表示等に及ぼす悪影響を抑制することができる。 Since the conductive
より詳細に本実施の形態の電子装置について説明する。具体的には、半導体素子１０とシールドカバー１３０の上面１３０ａとの間隔Ｗ１が０．４ｍｍ±０．１ｍｍ、シールドカバー１３０の上面１３０ａと金属板６０との間隔Ｗ２が０．４ｍｍ±０．１ｍｍとなる設計値の場合について説明する。 The electronic device of this embodiment will be described in more detail. Specifically, the interval W1 between the
シールドカバー１３０は、厚さが約０．１ｍｍ厚のアルミニウム合金をプレス加工により、シールドカバー１３０の上面１３０ａと側面１３０ｂとを形成することにより形成されている。導電性弾性支柱部１４０は、導電性のシリコンゴムにより形成されており、銀ペースト等の導電性接着剤により、プリント基板２０に接続されている。 The
第１の熱接合部材５１は、設計厚み０．５ｍｍのＴＣ−５０ＳＰ−１．７（信越化学工業株式会社製：アスカーＣ硬度２）により形成されている。また、第２の熱接合部材５２は、設計厚み０．５ｍｍのＴＣ−５０ＣＡＴ−２０（信越化学工業株式会社製：アスカーＣ硬度２０）により形成されている。従って、アスカーＣ硬度は、第２の熱接合部材５２よりも第１の熱接合部材５１が低くなっている。即ち、第１の熱接合部材５１は、第２の熱接合部材５２よりも軟らかい材料により形成される。尚、熱接合部材は、通常、５％〜２０％圧縮して用いられるため、２０％圧縮した際の厚さが設計値の中央値となる厚さとなるように形成されている。 The first
本実施の形態においては、第２の熱接合部材５２の厚さが設計厚みよりも厚く形成されていたり、間隔Ｗ２が設計値の中央値よりも狭く形成されている場合には、図９に示されるように、第２の熱接合部材５２により、シールドカバー１３０の上面１３０ａが押される。このように、硬い第２の熱接合部材５２により、シールドカバー１３０の上面１３０ａが押されて動き、軟らかい第１の熱接合部材５１が変形することにより、力が吸収される。これにより、表示パネル６１に加わる力を抑制することができるため、表示パネル６１における表示画面がにじむことを防ぐことができ、また、電子装置の外観等の変形を防ぐことができる。この際、導電性弾性支柱部１４０は伸縮性を有しており縮むが、シールドカバー１３０は、導電性弾性支柱部１４０と接触しており、シールドカバー１３０は接地電位の状態が保たれるため、電磁シールドとしての機能が損なわれることはない。 In the present embodiment, when the thickness of the second
尚、上記以外の内容については、第１の実施の形態と同様である。 The contents other than the above are the same as in the first embodiment.
〔第５の実施の形態〕
次に、第５の実施の形態における電子装置について説明する。本実施の形態における電子装置は、図１０に示されるように、ＣＰＵ等の半導体素子１０は、プリント基板２０にハンダ付けされており、半導体素子１０の周囲には、シールドカバー２３０及びシールド支柱部４０が設けられている。シールドカバー２３０が取り付けられるシールド支柱部４０は、導電性を有する金属材料等により、半導体素子１０を囲むように形成され、プリント基板２０にハンダ付けされており、接地電位に接続されている。[Fifth Embodiment]
Next, an electronic device according to a fifth embodiment will be described. In the electronic device according to the present embodiment, as shown in FIG. 10, a
図１１〜図１４に基づきシールドカバー２３０について説明する。シールドカバー２３０は、上面の中央部分に上面部中央領域２３１、上面部中央領域２３１の周囲に上面部周辺領域２３２が形成されており、上面部中央領域２３１と上面部周辺領域２３２との間には、エキスパンドメタル領域２３３が形成されている。尚、図１１は、シールドカバー２３０の上面図であり、図１２は断面図であり、図１２（ａ）は、エキスパンドメタル領域２３３が広がっていない状態、図１２（ｂ）は、エキスパンドメタル領域２３３が広がっている状態を示す。 The
シールドカバー２３０は、上面部周辺領域２３２の周囲が折り曲げられており側面部２３４が形成されている。エキスパンドメタル領域２３３は、図１３（ａ）に示されるように、シールドカバー２３０の上面において複数の切り込み２３３ａを設けることにより形成されている。本実施の形態においては、エキスパンドメタル領域２３３は、上面部中央領域２３１と上面部周辺領域２３２との間に６重の切り込み２３３ａを設けることにより形成されている。尚、図１０〜図１５においては、便宜上、形成されている切り込み２３３ａが４重の場合を示している。 The
これにより、シールドカバー２３０における上面部中央領域２３１に、上から力が加わることにより、エキスパンドメタル領域２３３において、切り込み２３３ａの開口が広がり伸びる。尚、図１４（ａ）は、図１２（ａ）における状態のエキスパンドメタル領域２３３の断面の拡大図であり、図１４（ｂ）は、図１２（ｂ）における状態のエキスパンドメタル領域２３３の断面の拡大図である。 Accordingly, a force is applied to the upper surface
本実施の形態においては、シールドカバー２３０における側面部２３４をシールド支柱部４０にはめ込むことにより、プリント基板２０の上の半導体素子１０をシールドカバー２３０により覆うことができるように形成されている。具体的には、シールドカバー２３０における側面部２３４は、シールド支柱部４０の外形よりも若干大きな形状で形成されている。よって、シールド支柱部４０が内側となるように、シールドカバー２３０における側面部２３４をはめ込むことができ、シールドカバー２３０における側面部２３４をはめ込むことにより、半導体素子１０をシールドカバー２３０により覆うことができる。 In the present embodiment, the
半導体素子１０とシールドカバー２３０における上面部中央領域２３１との間には、半導体素子１０及びシールドカバー２３０における上面部中央領域２３１の内側の面と接触するように、第１の熱接合部材５１が設けられている。また、シールドカバー２３０における上面部中央領域２３１と表示パネル６１の裏面における金属板６０との間には、シールドカバー２３０における上面部中央領域２３１の外側の面及び金属板６０と接触するように、第２の熱接合部材５２が設けられている。 Between the
尚、シールド支柱部４０は、接地電位となっているため、シールド支柱部４０と側面部２３４において接触しているシールドカバー２３０の全体も接地電位となっている。即ち、シールドカバー２３０における上面部中央領域２３１、上面部周辺領域２３２、エキスパンドメタル領域２３３、側面部２３４も接地電位となっている。このように、シールドカバー２３０の全体を接地電位にすることにより、シールドカバー２３０において、半導体素子１０を動作させた際に半導体素子１０より発生する電子波を遮蔽する効果を高めることができる。これにより、半導体素子１０より発生した電磁波により、表示パネル６１の表示等に及ぼす悪影響を抑制することができる。 In addition, since the shield support |
尚、シールドカバー２３０において、電磁シールドしようとするノイズとなる電磁波は、一般的には、周波数がＭＨｚ帯からＧＨｚ帯の電磁波である。このため、エキスパンドメタル領域２３３における切り込み２３３ａにより形成される開口は、電磁波における波長の１／１０以下であることが好ましい。例えば、周波数が１００ＭＨｚの電磁波がノイズとなる場合、１００ＭＨｚの電磁波の波長は３ｍｍであるため、エキスパンドメタル領域２３３の切り込み２３３ａの広がった開口が最大で０．３ｍｍとなるように形成されていれば、十分なシールド効果が得られる。上記の場合、１００ＭＨｚよりも低い周波数の電磁波では、波長はこれよりも長くなるため、１００ＭＨｚ以下の周波数の電磁波をすべて遮蔽することができる。従って、ノイズとなる電磁波のうち、最も周波数の高い電磁波に対応して切り込み２３３ａを形成することにより、すべてのノイズとなる電磁波を遮蔽することができる。 Note that, in the
より詳細に本実施の形態の電子装置について説明する。具体的には、半導体素子１０とシールドカバー２３０の上面部中央領域２３１との間隔Ｗ１が０．４ｍｍ±０．１ｍｍ、シールドカバー３０の上面部中央領域２３１と金属板６０との間隔Ｗ２が０．４ｍｍ±０．１ｍｍとなる設計値の場合について説明する。 The electronic device of this embodiment will be described in more detail. Specifically, the interval W1 between the
シールドカバー２３０は、厚さが約０．１ｍｍ厚のアルミニウム合金により形成されており、プレス加工により作製されている。 The
第１の熱接合部材５１は、設計厚み０．５ｍｍのＴＣ−５０ＳＰ−１．７（信越化学工業株式会社製：アスカーＣ硬度２）により形成されている。第２の熱接合部材５２は、設計厚み０．５ｍｍのＴＣ−５０ＣＡＴ−２０（信越化学工業株式会社製：アスカーＣ硬度２０）により形成されている。従って、アスカーＣ硬度は、第２の熱接合部材５２よりも第１の熱接合部材５１が低くなっている。即ち、第１の熱接合部材５１は、第２の熱接合部材５２よりも軟らかい材料により形成される。尚、熱接合部材は、通常、５％〜２０％圧縮して用いられるため、２０％圧縮した際の厚さが設計値の中央値となるように形成されている。 The first
本実施の形態においては、第２の熱接合部材５２の厚さが設計厚みよりも厚く形成されていたり、間隔Ｗ２が設計値の中央値よりも狭く形成されている場合には、図１５に示されるように、第２の熱接合部材５２により、上面部中央領域２３１が押される。このように、硬い第２の熱接合部材５２により、シールドカバー２３０における上面部中央領域２３１が押されて動き、軟らかい第１の熱接合部材５１が変形することにより、力が吸収される。これにより、表示パネル６１に加わる力を抑制することができるため、表示パネル６１における表示画面がにじむことを防ぐことができ、また、電子装置の外観等の変形を防ぐことができる。この際、シールドカバー２３０における上面部中央領域２３１と上面部周辺領域２３２との間におけるエキスパンドメタル領域２３３が伸縮性を有しており伸びる。これにより、シールドカバー２３０における上面部中央領域２３１は接地電位の状態が保たれるため、電磁シールドとしての機能が損なわれることはない。 In the present embodiment, when the thickness of the second
〔第６の実施の形態〕
次に、第６の実施の形態における電子装置について説明する。本実施の形態における電子装置は、図１６に示されるように、ＣＰＵ等の半導体素子１０が、プリント基板２０にハンダ付けされており、半導体素子１０の周囲には、シールドカバー３０が設けられている。シールドカバー３０は、半導体素子１０から発生する電磁波をシールドするため金属材料により形成されている。シールドカバー３０は、半導体素子１０を囲むように形成され、プリント基板２０に直接ハンダ付け等により取り付けられており、接地電位に接続されている。[Sixth Embodiment]
Next, an electronic device according to a sixth embodiment will be described. In the electronic device according to the present embodiment, as shown in FIG. 16, a
シールドカバー３０は、上面の中央部分に設置されるシールドカバー上面部３１と、上面の中央部分に開口が形成されているシールドカバー外枠部３２とを有している。シールドカバー上面部３１は、シールドカバー外枠部３２における開口よりも若干大きな形状で形成されている。シールドカバー外枠部３２は、中央に開口を有する上面３２ａと側面３２ｂとにより形成されている。シールドカバー外枠部３２とシールドカバー上面部３１とは、シールドカバー外枠部３２の上面３２ａにおける外側の面とシールドカバー上面部３１における外側の面とが、導電性弾性部材３３により接続されている。導電性弾性部材３３は、導電性ゴム等の導電性を有する樹脂材料により形成されており、導電性と弾性の双方の機能を備えている。本実施の形態においては、シールドカバー３０におけるシールドカバー外枠部３２が、プリント基板２０に直接ハンダ付け等により取り付けられている。 The
半導体素子１０とシールドカバー上面部３１との間には、半導体素子１０及びシールドカバー上面部３１の内側の面と接触するように、第１の熱接合部材５１が設けられている。また、シールドカバー上面部３１と表示パネル６１の裏面における金属板６０との間には、シールドカバー上面部３１の外側の面及び金属板６０と接触するように、第２の熱接合部材５２が設けられている。 A first
尚、シールドカバー外枠部３２は、接地電位に接続されているため、シールドカバー外枠部３２と導電性弾性部材３３により接続されているシールドカバー上面部３１も接地電位となっている。このように、シールドカバー外枠部３２及びシールドカバー上面部３１を接地電位にすることにより、半導体素子１０を動作させた際に半導体素子１０より発生する電磁波をシールドカバー３０において遮蔽する効果を高めることができる。これにより、半導体素子１０より発生した電磁波により、表示パネル６１の表示等に及ぼす悪影響を抑制することができる。 Since the shield cover
より詳細に本実施の形態の電子装置について説明する。具体的には、半導体素子１０とシールドカバー３０のシールドカバー上面部３１との間隔Ｗ１が０．４ｍｍ±０．１ｍｍ、シールドカバー３０のシールドカバー上面部３１と金属板６０との間隔Ｗ２が０．４ｍｍ±０．１ｍｍとなる設計値の場合について説明する。 The electronic device of this embodiment will be described in more detail. Specifically, the interval W1 between the
シールドカバー３０におけるシールドカバー外枠部３２及びシールドカバー上面部３１は、厚さが約０．１ｍｍ厚のアルミニウム合金により形成されている。 The shield cover
シールドカバー外枠部３２と導電性弾性部材３３との接続、及び、シールドカバー上面部３１と導電性弾性部材３３との接続は、熱圧着によりなされており、例えば、アマルファ（メック株式会社）により行ってもよい。 The connection between the shield cover
第１の熱接合部材５１は、設計厚み０．５ｍｍのＴＣ−５０ＳＰ−１．７（信越化学工業株式会社製：アスカーＣ硬度２）により形成されている。第２の熱接合部材５２は、設計厚み０．５ｍｍのＴＣ−５０ＣＡＴ−２０（信越化学工業株式会社製：アスカーＣ硬度２０）により形成されている。 The first
本実施の形態においては、第２の熱接合部材５２の厚さが設計厚みよりも厚く形成されていたり、間隔Ｗ２が設計値の中央値よりも狭く形成されている場合には、図１７に示されるように、第２の熱接合部材５２により、シールドカバー上面部３１が押される。このように、硬い第２の熱接合部材５２により、シールドカバー上面部３１が押されて動き、軟らかい第１の熱接合部材５１が変形することにより、力が吸収される。これにより、表示パネル６１に加わる力を抑制することができるため、表示パネル６１における表示画面がにじむことを防ぐことができ、また、電子装置の外観等の変形を防ぐことができる。この際、シールドカバー外枠部３２とシールドカバー上面部３１とを接続している伸縮性を有する導電性弾性部材３３が伸びるため、シールドカバー上面部３１は接地電位が保たれ、電磁シールドとしての機能が損なわれることはない。 In the present embodiment, when the thickness of the second
以上、実施の形態について詳述したが、特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された範囲内において、種々の変形及び変更が可能である。 Although the embodiment has been described in detail above, it is not limited to the specific embodiment, and various modifications and changes can be made within the scope described in the claims.
上記の説明に関し、更に以下の付記を開示する。
（付記１）
基板の上に設置された半導体素子を覆う、金属材料により形成されたシールドカバーであって、
上面の中央部分におけるシールドカバー上面部と、
前記上面の中央部分に開口を有するシールドカバー外枠部と、
を有し、前記シールドカバー上面部と前記シールドカバー外枠部は、導電性弾性部材により接続されており、
前記半導体素子と前記シールドカバー上面部との間には、前記半導体素子から前記シールドカバー上面部に熱を伝導させる第１の熱接合部材が設置され、
前記シールドカバー上面部と表示パネルの裏面に設けられた金属板との間には、前記シールドカバー上面部から前記金属板に熱を伝導させる第２の熱接合部材が設置されることを特徴とするシールドカバー。
（付記２）
前記導電性弾性部材は、導電性を有する樹脂材料により形成されていることを特徴とする付記１に記載のシールドカバー。
（付記３）
基板の上に設置された半導体素子を覆う、金属材料により形成されたシールドカバーであって、
上面の中央部分における上面部中央領域と、
前記上面部中央領域を囲む上面部周辺領域と、
前記上面部中央領域と前記上面部周辺領域との間に形成されたエキスパンドメタル領域と、
を有し、
前記エキスパンドメタル領域は、前記シールドカバーに複数の切り込みを設けることにより形成されており、
前記半導体素子と前記シールドカバーの前記上面部中央領域との間には、前記半導体素子から前記シールドカバーに熱を伝導させる第１の熱接合部材が設置され、
前記シールドカバーの前記上面部中央領域と表示パネルの裏面に設けられた金属板との間には、前記シールドカバーから前記金属板に熱を伝導させる第２の熱接合部材が設置されることを特徴とするシールドカバー。
（付記４）
前記シールドカバーは、前記半導体素子からの電磁波をシールドするものであることを特徴とする付記１から３のいずれかに記載のシールドカバー。
（付記５）
基板の上に設置された半導体素子と、
金属材料により形成された前記半導体素子を覆うシールドカバーと、
表示パネルの裏面に設けられた金属板と、
前記半導体素子と前記シールドカバーとの間に設置された前記半導体素子から前記シールドカバーに熱を伝導させる第１の熱接合部材と、
前記シールドカバーと前記金属板との間に設置された前記シールドカバーから前記金属板に熱を伝導させる第２の熱接合部材と、
を有し、
前記シールドカバーは、上面の中央部分におけるシールドカバー上面部と、前記上面の中央部分に開口を有するシールドカバー外枠部と、を有し、前記シールドカバー上面部と前記シールドカバー外枠部は、導電性弾性部材により接続されており、
前記第１の熱接合部材は、前記半導体素子と前記シールドカバー上面部との間に設置されており、
前記第２の熱接合部材は、前記シールドカバー上面部と前記金属板との間に設置されていることを特徴とする電子装置。
（付記６）
前記導電性弾性部材は、導電性を有する樹脂材料により形成されていることを特徴とする付記５に記載の電子装置。
（付記７）
基板の上に設置された半導体素子と、
金属材料により形成された前記半導体素子を覆うシールドカバーと、
表示パネルの裏面に設けられた金属板と、
前記半導体素子と前記シールドカバーとの間に設置された前記半導体素子から前記シールドカバーに熱を伝導させる第１の熱接合部材と、
前記シールドカバーと前記金属板との間に設置された前記シールドカバーから前記金属板に熱を伝導させる第２の熱接合部材と、
を有し、
前記シールドカバーは、上面の中央部分における上面部中央領域と、前記上面部中央領域を囲む上面部周辺領域と、前記上面部中央領域と前記上面部周辺領域との間に形成されたエキスパンドメタル領域とを有し、
前記エキスパンドメタル領域は、前記シールドカバーに複数の切り込みを設けることにより形成されており、
前記第１の熱接合部材は、前記半導体素子と前記シールドカバーの前記上面部中央領域との間に設置されており、
前記第２の熱接合部材は、前記シールドカバーの前記上面部中央領域と前記金属板との間に設置されていることを特徴とする電子装置。
（付記８）
前記基板には、導電性材料により形成されたシールド支柱部が設けられており、
前記シールド支柱部は、接地電位に接続されており、
前記シールドカバーは、前記シールド支柱部と接触して、前記シールド支柱部の一部又は全部を覆い設置されていることを特徴とする付記５から７のいずれかに記載の電子装置。
（付記９）
前記シールドカバーにおける側面が前記基板に接続され、接地電位に接続されていることを特徴とする付記５から７のいずれかに記載の電子装置。
（付記１０）
基板の上に設置された半導体素子と、
金属材料により形成された前記半導体素子を覆うシールドカバーと、
表示パネルの裏面に設けられた金属板と、
前記半導体素子と前記シールドカバーとの間に設置された前記半導体素子から前記シールドカバーに熱を伝導させる第１の熱接合部材と、
前記シールドカバーと前記金属板との間に設置された前記シールドカバーから前記金属板に熱を伝導させる第２の熱接合部材と、
を有し、
前記基板には、導電性弾性部材により形成された導電性弾性支柱部が設けられており、
前記導電性弾性支柱部は、接地電位に接続されており、
前記シールドカバーは、前記導電性弾性支柱部と接触して、前記導電性弾性支柱部の一部又は全部を覆い設置されていることを特徴とする電子装置。
（付記１１）
前記導電性弾性支柱部は、導電性を有する樹脂材料により形成されていることを特徴とする付記１０に記載の電子装置。
（付記１２）
前記第１の熱接合部材は、前記第２の熱接合部材よりも、硬度が低いことを特徴とする付記５から１１のいずれかに記載の電子装置。
（付記１３）
前記第１の熱接合部材及び前記第２の熱接合部材は、放熱シートであることを特徴とする付記５から１２のいずれかに記載の電子装置。
（付記１４）
前記表示パネルは、液晶パネルまたはエレクトロルミネッセンスパネルであることを特徴とする付記５から１３のいずれかに記載の電子装置。In addition to the above description, the following additional notes are disclosed.
(Appendix 1)
A shield cover made of a metal material covering a semiconductor element installed on a substrate;
An upper surface portion of the shield cover in a central portion of the upper surface;
A shield cover outer frame portion having an opening in a central portion of the upper surface;
The shield cover upper surface part and the shield cover outer frame part are connected by a conductive elastic member,
Between the semiconductor element and the shield cover upper surface portion, a first thermal bonding member that conducts heat from the semiconductor element to the shield cover upper surface portion is installed,
Between the shield cover upper surface part and the metal plate provided on the back surface of the display panel, a second heat bonding member for conducting heat from the shield cover upper surface part to the metal plate is installed. Shield cover.
(Appendix 2)
The shield cover according to appendix 1, wherein the conductive elastic member is made of a conductive resin material.
(Appendix 3)
A shield cover made of a metal material covering a semiconductor element installed on a substrate;
A central region of the upper surface portion in the central portion of the upper surface;
An upper surface peripheral region surrounding the upper surface central region;
An expanded metal region formed between the upper surface central region and the upper surface peripheral region;
Have
The expanded metal region is formed by providing a plurality of cuts in the shield cover,
Between the semiconductor element and the central region of the upper surface portion of the shield cover, a first thermal bonding member that conducts heat from the semiconductor element to the shield cover is installed,
A second thermal bonding member that conducts heat from the shield cover to the metal plate is installed between the central region of the upper surface portion of the shield cover and the metal plate provided on the back surface of the display panel. Characteristic shield cover.
(Appendix 4)
The shield cover according to any one of appendices 1 to 3, wherein the shield cover shields electromagnetic waves from the semiconductor element.
(Appendix 5)
A semiconductor element installed on a substrate;
A shield cover that covers the semiconductor element formed of a metal material;
A metal plate provided on the back surface of the display panel;
A first thermal bonding member for conducting heat from the semiconductor element installed between the semiconductor element and the shield cover to the shield cover;
A second thermal bonding member for conducting heat from the shield cover installed between the shield cover and the metal plate to the metal plate;
Have
The shield cover includes a shield cover upper surface portion in a central portion of the upper surface, and a shield cover outer frame portion having an opening in the central portion of the upper surface, and the shield cover upper surface portion and the shield cover outer frame portion are Connected by a conductive elastic member,
The first thermal bonding member is installed between the semiconductor element and the shield cover upper surface part,
The second thermal bonding member is installed between the shield cover upper surface portion and the metal plate.
(Appendix 6)
The electronic device according to appendix 5, wherein the conductive elastic member is made of a conductive resin material.
(Appendix 7)
A semiconductor element installed on a substrate;
A shield cover that covers the semiconductor element formed of a metal material;
A metal plate provided on the back surface of the display panel;
A first thermal bonding member for conducting heat from the semiconductor element installed between the semiconductor element and the shield cover to the shield cover;
A second thermal bonding member for conducting heat from the shield cover installed between the shield cover and the metal plate to the metal plate;
Have
The shield cover includes an upper surface central region in a central portion of the upper surface, an upper surface peripheral region surrounding the upper surface central region, and an expanded metal region formed between the upper surface central region and the upper surface peripheral region. And
The expanded metal region is formed by providing a plurality of cuts in the shield cover,
The first thermal bonding member is installed between the semiconductor element and the central region of the upper surface portion of the shield cover,
The electronic device according to claim 1, wherein the second thermal bonding member is disposed between the central region of the upper surface portion of the shield cover and the metal plate.
(Appendix 8)
The substrate is provided with a shield post formed of a conductive material,
The shield post is connected to a ground potential;
The electronic device according to any one of appendices 5 to 7, wherein the shield cover is in contact with the shield support portion and is installed so as to cover part or all of the shield support portion.
(Appendix 9)
The electronic device according to any one of appendices 5 to 7, wherein a side surface of the shield cover is connected to the substrate and connected to a ground potential.
(Appendix 10)
A semiconductor element installed on a substrate;
A shield cover that covers the semiconductor element formed of a metal material;
A metal plate provided on the back surface of the display panel;
A first thermal bonding member for conducting heat from the semiconductor element installed between the semiconductor element and the shield cover to the shield cover;
A second thermal bonding member for conducting heat from the shield cover installed between the shield cover and the metal plate to the metal plate;
Have
The substrate is provided with a conductive elastic column portion formed of a conductive elastic member,
The conductive elastic strut portion is connected to a ground potential,
The electronic device according to claim 1, wherein the shield cover is in contact with the conductive elastic column portion and covers a part or all of the conductive elastic column portion.
(Appendix 11)
11. The electronic device according to
(Appendix 12)
The electronic device according to any one of appendices 5 to 11, wherein the first thermal bonding member has a lower hardness than the second thermal bonding member.
(Appendix 13)
The electronic device according to any one of appendices 5 to 12, wherein the first thermal bonding member and the second thermal bonding member are heat dissipation sheets.
(Appendix 14)
14. The electronic device according to any one of appendices 5 to 13, wherein the display panel is a liquid crystal panel or an electroluminescence panel.
１０ 半導体素子
２０ プリント基板
３０ シールドカバー
３１ シールドカバー上面部
３２ シールドカバー外枠部
３２ａ シールドカバー外枠部の上面
３２ｂ シールドカバー外枠部の側面
３３ 導電性弾性部材
４０ シールド支柱部
５１ 第１の熱接合部材
５２ 第２の熱接合部材
６０ 金属板
６１ 表示パネルDESCRIPTION OF
Claims (8)
Translated fromJapanese上面の中央部分におけるシールドカバー上面部と、
前記上面の中央部分に開口を有するシールドカバー外枠部と、
を有し、前記シールドカバー上面部と前記シールドカバー外枠部は、導電性弾性部材により接続されており、
前記半導体素子と前記シールドカバー上面部との間には、前記半導体素子から前記シールドカバー上面部に熱を伝導させる第１の熱接合部材が設置され、
前記シールドカバー上面部と表示パネルの裏面に設けられた金属板との間には、前記シールドカバー上面部から前記金属板に熱を伝導させる第２の熱接合部材が設置されることを特徴とするシールドカバー。A shield cover made of a metal material covering a semiconductor element installed on a substrate;
An upper surface portion of the shield cover in a central portion of the upper surface;
A shield cover outer frame portion having an opening in a central portion of the upper surface;
The shield cover upper surface part and the shield cover outer frame part are connected by a conductive elastic member,
Between the semiconductor element and the shield cover upper surface portion, a first thermal bonding member that conducts heat from the semiconductor element to the shield cover upper surface portion is installed,
Between the shield cover upper surface part and the metal plate provided on the back surface of the display panel, a second heat bonding member for conducting heat from the shield cover upper surface part to the metal plate is installed. Shield cover.
上面の中央部分における上面部中央領域と、
前記上面部中央領域を囲む上面部周辺領域と、
前記上面部中央領域と前記上面部周辺領域との間に形成されたエキスパンドメタル領域と、
を有し、
前記エキスパンドメタル領域は、前記シールドカバーに複数の切り込みを設けることにより形成されており、
前記半導体素子と前記シールドカバーの前記上面部中央領域との間には、前記半導体素子から前記シールドカバーに熱を伝導させる第１の熱接合部材が設置され、
前記シールドカバーの前記上面部中央領域と表示パネルの裏面に設けられた金属板との間には、前記シールドカバーから前記金属板に熱を伝導させる第２の熱接合部材が設置されることを特徴とするシールドカバー。A shield cover made of a metal material covering a semiconductor element installed on a substrate;
A central region of the upper surface portion in the central portion of the upper surface;
An upper surface peripheral region surrounding the upper surface central region;
An expanded metal region formed between the upper surface central region and the upper surface peripheral region;
Have
The expanded metal region is formed by providing a plurality of cuts in the shield cover,
Between the semiconductor element and the central region of the upper surface portion of the shield cover, a first thermal bonding member that conducts heat from the semiconductor element to the shield cover is installed,
A second thermal bonding member that conducts heat from the shield cover to the metal plate is installed between the central region of the upper surface portion of the shield cover and the metal plate provided on the back surface of the display panel. Characteristic shield cover.
金属材料により形成された前記半導体素子を覆うシールドカバーと、
表示パネルの裏面に設けられた金属板と、
前記半導体素子と前記シールドカバーとの間に設置された前記半導体素子から前記シールドカバーに熱を伝導させる第１の熱接合部材と、
前記シールドカバーと前記金属板との間に設置された前記シールドカバーから前記金属板に熱を伝導させる第２の熱接合部材と、
を有し、
前記シールドカバーは、上面の中央部分におけるシールドカバー上面部と、前記上面の中央部分に開口を有するシールドカバー外枠部と、を有し、前記シールドカバー上面部と前記シールドカバー外枠部は、導電性弾性部材により接続されており、
前記第１の熱接合部材は、前記半導体素子と前記シールドカバー上面部との間に設置されており、
前記第２の熱接合部材は、前記シールドカバー上面部と前記金属板との間に設置されていることを特徴とする電子装置。A semiconductor element installed on a substrate;
A shield cover that covers the semiconductor element formed of a metal material;
A metal plate provided on the back surface of the display panel;
A first thermal bonding member for conducting heat from the semiconductor element installed between the semiconductor element and the shield cover to the shield cover;
A second thermal bonding member for conducting heat from the shield cover installed between the shield cover and the metal plate to the metal plate;
Have
The shield cover includes a shield cover upper surface portion in a central portion of the upper surface, and a shield cover outer frame portion having an opening in the central portion of the upper surface, and the shield cover upper surface portion and the shield cover outer frame portion are Connected by a conductive elastic member,
The first thermal bonding member is installed between the semiconductor element and the shield cover upper surface part,
The second thermal bonding member is installed between the shield cover upper surface portion and the metal plate.
金属材料により形成された前記半導体素子を覆うシールドカバーと、
表示パネルの裏面に設けられた金属板と、
前記半導体素子と前記シールドカバーとの間に設置された前記半導体素子から前記シールドカバーに熱を伝導させる第１の熱接合部材と、
前記シールドカバーと前記金属板との間に設置された前記シールドカバーから前記金属板に熱を伝導させる第２の熱接合部材と、
を有し、
前記シールドカバーは、上面の中央部分における上面部中央領域と、前記上面部中央領域を囲む上面部周辺領域と、前記上面部中央領域と前記上面部周辺領域との間に形成されたエキスパンドメタル領域とを有し、
前記エキスパンドメタル領域は、前記シールドカバーに複数の切り込みを設けることにより形成されており、
前記第１の熱接合部材は、前記半導体素子と前記シールドカバーの前記上面部中央領域との間に設置されており、
前記第２の熱接合部材は、前記シールドカバーの前記上面部中央領域と前記金属板との間に設置されていることを特徴とする電子装置。A semiconductor element installed on a substrate;
A shield cover that covers the semiconductor element formed of a metal material;
A metal plate provided on the back surface of the display panel;
A first thermal bonding member for conducting heat from the semiconductor element installed between the semiconductor element and the shield cover to the shield cover;
A second thermal bonding member for conducting heat from the shield cover installed between the shield cover and the metal plate to the metal plate;
Have
The shield cover includes an upper surface central region in a central portion of the upper surface, an upper surface peripheral region surrounding the upper surface central region, and an expanded metal region formed between the upper surface central region and the upper surface peripheral region. And
The expanded metal region is formed by providing a plurality of cuts in the shield cover,
The first thermal bonding member is installed between the semiconductor element and the central region of the upper surface portion of the shield cover,
The electronic device according to claim 1, wherein the second thermal bonding member is disposed between the central region of the upper surface portion of the shield cover and the metal plate.
金属材料により形成された前記半導体素子を覆うシールドカバーと、
表示パネルの裏面に設けられた金属板と、
前記半導体素子と前記シールドカバーとの間に設置された前記半導体素子から前記シールドカバーに熱を伝導させる第１の熱接合部材と、
前記シールドカバーと前記金属板との間に設置された前記シールドカバーから前記金属板に熱を伝導させる第２の熱接合部材と、
を有し、
前記基板には、導電性弾性部材により形成された導電性弾性支柱部が設けられており、
前記導電性弾性支柱部は、接地電位に接続されており、
前記シールドカバーは、前記導電性弾性支柱部と接触して、前記導電性弾性支柱部の一部又は全部を覆い設置されていることを特徴とする電子装置。A semiconductor element installed on a substrate;
A shield cover that covers the semiconductor element formed of a metal material;
A metal plate provided on the back surface of the display panel;
A first thermal bonding member for conducting heat from the semiconductor element installed between the semiconductor element and the shield cover to the shield cover;
A second thermal bonding member for conducting heat from the shield cover installed between the shield cover and the metal plate to the metal plate;
Have
The substrate is provided with a conductive elastic column portion formed of a conductive elastic member,
The conductive elastic strut portion is connected to a ground potential,
The electronic device according to claim 1, wherein the shield cover is in contact with the conductive elastic column portion and covers a part or all of the conductive elastic column portion.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014231644AJP2016096249A (en) | 2014-11-14 | 2014-11-14 | Shield cover and electronic device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014231644AJP2016096249A (en) | 2014-11-14 | 2014-11-14 | Shield cover and electronic device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2016096249Atrue JP2016096249A (en) | 2016-05-26 |
Family
ID=56071894
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2014231644APendingJP2016096249A (en) | 2014-11-14 | 2014-11-14 | Shield cover and electronic device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2016096249A (en) |
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