本発明は、磁気センサおよびその磁気センサを備えた電流センサに関する。 The present invention relates to a magnetic sensor and a current sensor including the magnetic sensor.
コイルおよびコイルに流れる電流による誘導磁界を測定する磁気測定素子を備える磁気センサは広く使用されており、一例として電流センサの検出部が挙げられる。 2. Description of the Related Art Magnetic sensors including a coil and a magnetic measurement element that measures an induced magnetic field caused by a current flowing in the coil are widely used, and a detection unit of the current sensor can be given as an example.
磁気センサが備えるコイル（配線）と磁気測定素子との配置関係は、誘導磁界の測定精度や生産しやすさ（製造コスト）に関連するため、様々な検討が行われている。 Since the arrangement relationship between the coil (wiring) and the magnetic measurement element included in the magnetic sensor is related to the measurement accuracy of the induced magnetic field and the ease of production (manufacturing cost), various studies have been conducted.
例えば、特許文献１には、立体的構造のソレノイド、高感度な磁気検出素子および高感度な多次元磁気センサの提供を目的に、磁気センサの発明が開示されている。当該発明の立体構造ソレノイドは、表面に深い溝が設けられ、溝方向を横断して設けられた複数の下層配線を有する半導体基板と、該半導体基板の上側に接合され、溝上方で溝方向を横断して設けられた複数の上層配線を有する上側基板とを備え、上層配線の端部と下層配線の端部とは上側基板に穿設されたスルーホールを介して接続され、上層配線と下層配線とで螺旋状のソレノイドコイルが形成されているものである。 For example, Patent Document 1 discloses a magnetic sensor invention for the purpose of providing a three-dimensional solenoid, a highly sensitive magnetic detection element, and a highly sensitive multidimensional magnetic sensor. The three-dimensional structure solenoid of the present invention has a deep groove on the surface, a semiconductor substrate having a plurality of lower-layer wirings provided across the groove direction, and bonded to the upper side of the semiconductor substrate so that the groove direction is above the groove. An upper substrate having a plurality of upper layer wirings provided transversely, and an end portion of the upper layer wiring and an end portion of the lower layer wiring are connected through a through hole formed in the upper substrate, and the upper layer wiring and the lower layer wiring A spiral solenoid coil is formed with the wiring.
特許文献２には、回路系統に流れる被測定電流の測定が、当該回路系統に影響を与えることなく行えるようにすることを目的に、電流測定装置の発明が開示されている。当該発明において、信号線に被測定電流が流れたときに発生する磁界が作用するように磁気抵抗素子を信号線の近傍に配設し、作用する磁界の強さに応じた磁気抵抗素子の抵抗変化に応じ、被測定電流を測定する手段を設けたことが開示されている。 Patent Document 2 discloses an invention of a current measuring device for the purpose of enabling measurement of a current to be measured flowing in a circuit system without affecting the circuit system. In the present invention, the magnetoresistive element is disposed in the vicinity of the signal line so that the magnetic field generated when the current to be measured flows through the signal line, and the resistance of the magnetoresistive element according to the strength of the acting magnetic field. It is disclosed that means for measuring the current to be measured is provided in accordance with the change.
特許文献３には、感度やダイナミックレンジを維持したまま小型化することを目的に、そのような小型化が容易な構造の磁気センサの発明が開示されている。当該発明は、基板上に形成された複数個の略長方形の軟磁性体膜と、軟磁性体膜をメアンダ状に直列に接続した複数個の電極と、軟磁性体膜および電極を覆うように形成された絶縁層と、この絶縁層上に形成され、巻き方向が逆向きで直列に接続された２つのスパイラルコイルとを備えた磁気センサであり、軟磁性体膜は、２つのスパイラルコイルが形成された領域内に形成され、電極は、軟磁性体膜のうち電極間に位置する部分が２つのスパイラルコイルの同相磁界発生領域に配置されており、かつ軟磁性体膜が形成された領域の全体の幅は、スパイラルコイルの中心部の幅よりも大きいことが開示されている。 Patent Document 3 discloses an invention of a magnetic sensor having a structure that can be easily downsized for the purpose of downsizing while maintaining sensitivity and dynamic range. The present invention covers a plurality of substantially rectangular soft magnetic films formed on a substrate, a plurality of electrodes in which the soft magnetic films are connected in series in a meander shape, and the soft magnetic films and the electrodes. A magnetic sensor comprising a formed insulating layer and two spiral coils formed on the insulating layer and connected in series with opposite winding directions. The soft magnetic film includes two spiral coils. The electrode is formed in the formed region, and the electrode is a region in which the portion of the soft magnetic film located between the electrodes is disposed in the in-phase magnetic field generating region of the two spiral coils and the soft magnetic film is formed It is disclosed that the overall width of the coil is larger than the width of the central portion of the spiral coil.
本発明が磁気センサあるいは電流センサである以上、検出感度の向上は常に要求される技術課題である。 As long as the present invention is a magnetic sensor or a current sensor, improvement in detection sensitivity is always a required technical problem.
また、従来技術におけるコイル（配線）の配置では、コイル（配線）に流れる電流により誘導される誘導磁界の全てが磁気測定素子に作用するわけではなく、磁気検出に寄与しない誘導磁界が存在する。磁気検出に寄与しない誘導磁界の存在は、磁気検出効率の観点からは好ましくない。 Further, in the arrangement of the coil (wiring) in the prior art, not all of the induced magnetic field induced by the current flowing through the coil (wiring) acts on the magnetic measurement element, and there exists an induced magnetic field that does not contribute to magnetic detection. The presence of an induced magnetic field that does not contribute to magnetic detection is not preferable from the viewpoint of magnetic detection efficiency.
さらに、本発明の磁気センサを、磁気平衡方式の電流センサに適用しようとする場合、フィードバック電流が流れるコイル（配線）の配置によっては、フィードバック電流により発生するキャンセル磁界の一部が、被測定電流により発生する磁界のキャンセルに寄与しない場合がある。このような場合、無駄なキャンセル磁界を発生させていることとなり、フィードバック電流を抑制する観点からは好ましくない。より小さなフィードバック電流で適切なキャンセル磁界、あるいは、より大きなキャンセル磁界を発生させることができれば、フィードバック電流を低減することができ、電流センサの低消費電力化を図ることができる。 Furthermore, when applying the magnetic sensor of the present invention to a magnetic balance type current sensor, depending on the arrangement of the coil (wiring) through which the feedback current flows, a part of the cancellation magnetic field generated by the feedback current may be measured current. May not contribute to cancellation of the magnetic field generated by. In such a case, a useless canceling magnetic field is generated, which is not preferable from the viewpoint of suppressing the feedback current. If an appropriate canceling magnetic field or a larger canceling magnetic field can be generated with a smaller feedback current, the feedback current can be reduced and the power consumption of the current sensor can be reduced.
本発明の目的は、磁気センサおよび電流センサの設計自由度の向上、感度の向上および小型化に資する技術を提供することにある。また、本発明の目的は、磁気平衡方式の電流センサに適用される磁気センサのフィードバック電流を低減し、電流センサの消費電力を低減することにある。 An object of the present invention is to provide a technique that contributes to improvement in design flexibility, sensitivity improvement, and miniaturization of a magnetic sensor and a current sensor. Another object of the present invention is to reduce the feedback current of a magnetic sensor applied to a magnetic balance type current sensor and to reduce the power consumption of the current sensor.
上記した課題を解決するため、本発明は、一態様として、第１面上に配置される第１配線と、第２面上に配置される第２配線と、前記第１配線および前記第２配線を流れる電流による磁界を測定可能であって測定面上に配置される磁気測定素子とを備える磁気センサであって、前記磁気測定素子は前記第１面よりも下側に位置し、前記第２配線は前記素子面よりも下側に位置し、前記第１面における前記第１配線が配置される領域である第１領域と、前記測定面における前記磁気測定素子が配置される領域である測定領域とは、前記磁気センサを平面視したときに重複する部分を有し、前記第２面における前記第２配線が配置される領域である第２領域と、前記測定領域とは、前記磁気センサを平面視したときに重複する部分を有さず、前記第１配線に流れる第１電流による第１磁界と、前記第２配線に流れる第２電流による第２磁界とが、前記磁気測定素子が配置された位置における磁界の強さを大きくする関係にある磁気センサを提供する。 In order to solve the above-described problems, as one aspect, the present invention provides a first wiring disposed on the first surface, a second wiring disposed on the second surface, the first wiring, and the second wiring. A magnetic sensor capable of measuring a magnetic field due to a current flowing in the wiring and disposed on a measurement surface, wherein the magnetic measurement element is located below the first surface, and Two wirings are located below the element surface, and are a first region where the first wiring is disposed on the first surface and a region where the magnetic measurement element is disposed on the measurement surface. The measurement region has a portion that overlaps when the magnetic sensor is viewed in plan. The second region is a region where the second wiring is disposed on the second surface, and the measurement region is the magnetic field. There are no overlapping parts when viewing the sensor in plan view, A magnetic field in which a first magnetic field caused by a first current flowing in one wiring and a second magnetic field caused by a second current flowing in the second wiring have a relationship of increasing the strength of the magnetic field at the position where the magnetic measuring element is disposed. Provide a sensor.
当該磁気センサによれば、磁気測定素子が配置された測定面より上側にある第１面上に配置された第１配線に流れる第１電流による第１磁界と、測定面より下側にある第２面上に配置された第２配線に流れる第２電流による第２磁界とが、磁気測定素子が配置された位置における磁界の強さを大きくする関係にあることから、所定の磁界強度を得ることができる領域を広くすることができる。その結果、磁気センサの設計自由度を向上できる。あるいは、磁気測定素子を多く配置することで感度を向上し、所定の感度を得るに必要な領域が狭くても良いため、小型化を図ることが可能になる。また、磁気測定素子が配置された位置における所定の磁界強度を得るための第１電流および第２電流を低減することが可能になる。その結果、第１および第２配線に流す電流が同じであれば、より強い磁界を磁気測定素子に印加することができるため、磁気センサのダイナミックレンジを大きくすることが可能となる。さらに、本磁気センサを磁気平衡方式の電流センサに適用した場合、フィードバック電流を低減し、当該磁気平衡方式電流センサの消費電力を小さくすることができる。 According to the magnetic sensor, the first magnetic field generated by the first current flowing in the first wiring disposed on the first surface above the measurement surface on which the magnetic measurement element is disposed, and the first magnetic field below the measurement surface. Since the second magnetic field generated by the second current flowing through the second wiring arranged on the two surfaces has a relationship of increasing the strength of the magnetic field at the position where the magnetic measurement element is arranged, a predetermined magnetic field strength is obtained. The area that can be widened can be widened. As a result, the degree of freedom in designing the magnetic sensor can be improved. Alternatively, the sensitivity can be improved by arranging a large number of magnetic measuring elements, and the area necessary for obtaining the predetermined sensitivity may be narrow, so that the size can be reduced. In addition, it is possible to reduce the first current and the second current for obtaining a predetermined magnetic field strength at the position where the magnetic measurement element is disposed. As a result, if the currents flowing through the first and second wirings are the same, a stronger magnetic field can be applied to the magnetic measurement element, so that the dynamic range of the magnetic sensor can be increased. Furthermore, when this magnetic sensor is applied to a magnetic balance type current sensor, the feedback current can be reduced, and the power consumption of the magnetic balance type current sensor can be reduced.
第１配線、第２配線および磁気測定素子の上記の構造を実現する具体的な構成として、前記第２面を下側の面とし、前記測定面を上側の面とする段差構造を備えていてもよい。あるいは、前記第２面を下側の面とし、前記測定面を突出面とする凸部構造を備えていてもよい。凸部構造を備える場合において、前記第２配線を平面視したときに、複数の前記第２配線が、前記突出面を挟んで前記第１配線と平行に配置されていてもよい。 As a specific configuration for realizing the above-described structure of the first wiring, the second wiring, and the magnetic measurement element, a step structure is provided in which the second surface is a lower surface and the measurement surface is an upper surface. Also good. Alternatively, a convex structure may be provided in which the second surface is a lower surface and the measurement surface is a protruding surface. In the case of providing a convex structure, when the second wiring is viewed in plan, a plurality of the second wirings may be arranged in parallel with the first wiring across the protruding surface.
上記の凸部構造を有する場合の具体的な構成として、メサ構造を有する場合が挙げられる。この場合には、磁気センサは、基板と、前記基板の表面に形成されたメサ構造と、前記メサ構造の台形上面からなる前記測定面に配置された前記磁気測定素子と、前記基板の表面からの距離が前記台形上面より遠くに位置する前記第１面の面上であって前記磁気測定素子に対向する位置に配置された前記第１配線と、前記基板の表面からの距離が前記台形上面より近くに位置する前記第２面の面上であって前記第２面を平面視したときに前記メサ構造が形成された領域（上記の測定領域に相当する。）以外の領域（上記の第２領域に相当する。）に配置された前記第２配線と、を有する。 As a specific configuration in the case of having the above convex structure, there is a case of having a mesa structure. In this case, the magnetic sensor includes a substrate, a mesa structure formed on the surface of the substrate, the magnetic measurement element disposed on the measurement surface including a trapezoidal upper surface of the mesa structure, and a surface of the substrate. The distance between the first wiring disposed on the surface of the first surface located farther from the upper surface of the trapezoid and facing the magnetic measurement element, and the distance from the surface of the substrate is the upper surface of the trapezoid A region other than a region (corresponding to the measurement region described above) other than the region where the mesa structure is formed when the second surface is viewed in plan on the surface of the second surface located closer to the second surface. Corresponding to two regions).
かかる磁気センサでは、第１配線は磁気測定素子に対向するように配置されるため、第１領域と測定領域とは、磁気センサの平面視で重複する部分を有する。メサ構造が形成された領域（上記の測定領域に相当する。）以外の領域に第２配線は配置されるため、第２領域と測定領域とは、磁気センサの平面視で重複する部分を有しない。 In such a magnetic sensor, since the first wiring is disposed so as to face the magnetic measurement element, the first region and the measurement region have portions that overlap in a plan view of the magnetic sensor. Since the second wiring is arranged in a region other than the region where the mesa structure is formed (corresponding to the measurement region described above), the second region and the measurement region have an overlapping portion in plan view of the magnetic sensor. do not do.
当該磁気センサによれば、磁気測定素子が配置されたメサ構造の台形上面より上側（本明細書において、基板から遠い側を「上側」、基板に近い側を「下側」という場合がある。）にある第１面上に配置された第１配線に流れる第１電流による第１磁界と、台形上面より下側にある第２面上に配置された第２配線に流れる第２電流による第２磁界とが、磁気測定素子が配置された位置における磁界の強さを大きくする関係になる。 According to the magnetic sensor, the upper side of the trapezoidal upper surface of the mesa structure on which the magnetic measurement element is arranged (in this specification, the side far from the substrate may be referred to as “upper side” and the side closer to the substrate may be referred to as “lower side”. The first magnetic field generated by the first current flowing in the first wiring disposed on the first surface in FIG. 5 and the second magnetic field generated by the second current flowing in the second wiring disposed on the second surface located below the trapezoidal upper surface. The two magnetic fields have a relationship of increasing the strength of the magnetic field at the position where the magnetic measurement element is disposed.
前記第２面を平面視したときに、複数の前記第２配線が、前記メサ構造が形成された前記領域を挟んで前記第１配線と並行に配置されてもよい。前記第１電流の方向と前記第２電流の方向は、互いに逆とすることができる。前記第１配線は、前記第１面の面上に並べて配列された複数の直線状配線を含んでもよく、この場合、前記複数の直線状配線のそれぞれが並列に接続されてもよい。前記第２配線は、前記第２面の面上に並べて配列された複数の直線状配線を含んでもよく、この場合、前記複数の直線状配線のそれぞれが並列に接続されてもよい。前記第１配線が、前記第１面の面上に並べて配列された複数の直線状配線を含み、前記第２配線が、前記第２面の面上に並べて配列された複数の直線状配線を含んでもよく、この場合、前記第１配線に含まれる前記複数の直線状配線のそれぞれおよび前記第２配線に含まれる前記複数の直線状配線のそれぞれが直列に接続されてもよい。前記磁気測定素子は、磁気抵抗効果素子、ホール素子および磁気インピーダンス素子からなる群から選ばれる１種または２種以上からなるものであってもよい。 When the second surface is viewed in plan, the plurality of second wirings may be arranged in parallel with the first wirings across the region where the mesa structure is formed. The direction of the first current and the direction of the second current can be opposite to each other. The first wiring may include a plurality of linear wirings arranged side by side on the surface of the first surface. In this case, each of the plurality of linear wirings may be connected in parallel. The second wiring may include a plurality of linear wirings arranged side by side on the surface of the second surface, and in this case, each of the plurality of linear wirings may be connected in parallel. The first wiring includes a plurality of linear wirings arranged side by side on the surface of the first surface, and the second wiring includes a plurality of linear wirings arranged side by side on the surface of the second surface. In this case, each of the plurality of linear wirings included in the first wiring and each of the plurality of linear wirings included in the second wiring may be connected in series. The magnetic measurement element may be one or more selected from the group consisting of a magnetoresistive element, a Hall element, and a magnetic impedance element.
本発明は、他の態様として、前記した磁気センサを備える電流センサを提供する。前記磁気センサが備える第１配線および第２配線の少なくとも一方は、測定時に被測定電流が流れるものであってもよい。前記磁気センサが備える第１配線および第２配線の少なくとも一方は、被測定電流による誘導磁界を相殺するキャンセル磁界を発生するフィードバック配線であってもよい。 This invention provides a current sensor provided with an above-described magnetic sensor as another aspect. At least one of the first wiring and the second wiring included in the magnetic sensor may be one in which a current to be measured flows during measurement. At least one of the first wiring and the second wiring included in the magnetic sensor may be a feedback wiring that generates a canceling magnetic field that cancels an induced magnetic field caused by a current to be measured.
本発明によれば、磁気センサの設計自由度および感度を向上し、小型化を図ることができる。また、本磁気センサを電流センサに用いた場合の当該電流センサの設計自由度および感度を向上し、小型化を図ることができる。さらに、本磁気センサを磁気平衡方式電流センサに適用した場合に、フィードバック電流を低減し、当該磁気平衡方式電流センサの消費電力を小さくすることができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the design freedom and sensitivity of a magnetic sensor can be improved, and size reduction can be achieved. In addition, when this magnetic sensor is used as a current sensor, the design freedom and sensitivity of the current sensor can be improved, and the size can be reduced. Furthermore, when this magnetic sensor is applied to a magnetic balance type current sensor, the feedback current can be reduced and the power consumption of the magnetic balance type current sensor can be reduced.
本発明の一実施形態に係る磁気センサは、第１面上に配置される第１配線と、第２面上に配置される第２配線と、第１配線および第２配線を流れる電流による磁界を測定可能であって測定面上に配置される磁気測定素子とを備える。第１の配線がその面上に配置される第１面、第２の配線がその面上に配置される第２面、および磁気測定素子がその面上に配置される測定面は、互いに実質的に平行である。磁気測定素子は第１面よりも下側に位置し、前記第２配線は前記素子面よりも下側に位置する。第１面、第２面および測定面は複数定義されてもよく、それぞれの面およびその面上に配置される要素（第１配線、第２配線および／または磁気測定素子）が、他の面およびその面上に配置される要素と間で、上記の配置関係を満たしていればよい。 A magnetic sensor according to an embodiment of the present invention includes a first wiring disposed on a first surface, a second wiring disposed on a second surface, and a magnetic field generated by a current flowing through the first wiring and the second wiring. And a magnetic measurement element disposed on the measurement surface. The first surface on which the first wiring is arranged, the second surface on which the second wiring is arranged on the surface, and the measurement surface on which the magnetic measurement element is arranged are substantially different from each other. Parallel. The magnetic measurement element is located below the first surface, and the second wiring is located below the element surface. A plurality of first surfaces, second surfaces, and measurement surfaces may be defined, and each surface and elements (first wiring, second wiring, and / or magnetic measurement element) arranged on the surfaces may be other surfaces. It is only necessary to satisfy the above-described arrangement relationship with the elements arranged on the surface.
第１面における第１配線が配置される領域である第１領域と、測定面における磁気測定素子が配置される領域である測定領域とは、磁気センサを平面視したときに重複する部分を有する。一方、第２面における第２配線が配置される領域である第２領域と、前記測定領域とは、前記磁気センサを平面視したときに重複する部分を有しない。 The first region, which is the region where the first wiring is disposed on the first surface, and the measurement region, which is the region where the magnetic measurement element is disposed on the measurement surface, have overlapping portions when the magnetic sensor is viewed in plan. . On the other hand, the second region, which is a region where the second wiring is disposed on the second surface, and the measurement region do not have overlapping portions when the magnetic sensor is viewed in plan.
上記の本発明の一実施形態に係る磁気センサは、第１配線に流れる第１電流による第１磁界と、第２配線に流れる第２電流による第２磁界とが、磁気測定素子が配置された位置における磁界の強さを大きくする関係にある。 In the magnetic sensor according to the embodiment of the present invention, the first magnetic field generated by the first current flowing in the first wiring and the second magnetic field generated by the second current flowing in the second wiring are arranged with the magnetic measurement element. The magnetic field strength at the position is increased.
かかる本発明の一実施形態に係る磁気センサは、磁気測定素子が配置された測定面より上側にある第１面上に配置された第１配線に流れる第１電流による第１磁界と、測定面より下側にある第２面上に配置された第２配線に流れる第２電流による第２磁界とが、磁気測定素子が配置された位置における磁界の強さを大きくする関係にあることから、所定の磁界強度を得ることができる領域を広くすることができる。その結果、磁気センサの設計自由度を向上できる。あるいは、磁気測定素子を多く配置することで感度を向上し、所定の感度を得るに必要な領域が狭くても良いため小型化を図ることが可能になる。また、磁気測定素子が配置された位置における所定の磁界強度を得るための第１電流および第２電流を低減することが可能になる。その結果、第１および第２配線に流す電流が同じであれば、より強い磁界を磁気測定素子に印加することができるため、磁気センサのダイナミックレンジを大きくすることが可能となる。さらに、本磁気センサを磁気平衡方式の電流センサに適用した場合、フィードバック電流を低減し、当該磁気平衡方式電流センサの消費電力を小さくすることができる。 Such a magnetic sensor according to an embodiment of the present invention includes a first magnetic field generated by a first current flowing in a first wiring disposed on a first surface above a measurement surface on which a magnetic measurement element is disposed, and a measurement surface. Since the second magnetic field due to the second current flowing in the second wiring disposed on the second surface on the lower side is in a relationship of increasing the strength of the magnetic field at the position where the magnetic measurement element is disposed, A region where a predetermined magnetic field strength can be obtained can be widened. As a result, the degree of freedom in designing the magnetic sensor can be improved. Alternatively, the sensitivity can be improved by arranging a large number of magnetic measuring elements, and the area required for obtaining the predetermined sensitivity may be narrow, so that the size can be reduced. In addition, it is possible to reduce the first current and the second current for obtaining a predetermined magnetic field strength at the position where the magnetic measurement element is disposed. As a result, if the currents flowing through the first and second wirings are the same, a stronger magnetic field can be applied to the magnetic measurement element, so that the dynamic range of the magnetic sensor can be increased. Furthermore, when this magnetic sensor is applied to a magnetic balance type current sensor, the feedback current can be reduced, and the power consumption of the magnetic balance type current sensor can be reduced.
上記の本発明の一実施形態に係る磁気センサの詳細について、以下、メサ構造を有する場合を具体例として説明する。 The details of the magnetic sensor according to the embodiment of the present invention will be described below using a case having a mesa structure as a specific example.
（実施形態１）
図１は、本発明の実施形態１である磁気センサ１０ａを概念的に示した断面図である。磁気センサ１０ａは、基板１１と、下引き層１２と、磁気測定素子１３と、中間層１４と、第１配線１５と、第２配線１６とを有する。磁気センサ１０ａは、第１配線１５および第２配線１６を流れる電流に基づく誘導磁界を磁気測定素子１３において測定するものである。(Embodiment 1)
FIG. 1 is a sectional view conceptually showing a magnetic sensor 10a according to the first embodiment of the present invention. The magnetic sensor 10 a includes a substrate 11, an undercoat layer 12, a magnetism measuring element 13, an intermediate layer 14, a first wiring 15, and a second wiring 16. The magnetic sensor 10 a measures an induced magnetic field based on a current flowing through the first wiring 15 and the second wiring 16 in the magnetic measurement element 13.
基板１１は、下引き層１２、磁気測定素子１３、中間層１４、第１配線１５、第２配線１６その他磁気センサ１０ａを構成する部材を支持する。基板１１の材料は、前記部材を支持できる限り特に限定されない。基板１１として、たとえば単結晶シリコン基板等の半導体基板、アルミナ等のセラミック基板、フッ素樹脂、ポリイミド樹脂等からなるプラスチック基板が例示される。 The substrate 11 supports the undercoat layer 12, the magnetic measurement element 13, the intermediate layer 14, the first wiring 15, the second wiring 16, and other members constituting the magnetic sensor 10a. The material of the substrate 11 is not particularly limited as long as the member can be supported. Examples of the substrate 11 include a semiconductor substrate such as a single crystal silicon substrate, a ceramic substrate such as alumina, and a plastic substrate made of fluorine resin, polyimide resin, or the like.
下引き層１２は、基板１１の表面に形成され、メサ構造１２ａを有する。下引き層１２の表面には磁気測定素子１３が形成されることから、下引き層１２は絶縁性であることが好ましい。下引き層１２として、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３等からなる無機絶縁層、フッ素樹脂、ポリイミド樹脂等からなる有機絶縁層が例示できる。The undercoat layer 12 is formed on the surface of the substrate 11 and has a mesa structure 12a. Since the magnetic measuring element 13 is formed on the surface of the undercoat layer 12, the undercoat layer 12 is preferably insulating. Examples of the undercoat layer 12 include an inorganic insulating layer made of SiO2 , Si3 N4 , Al2 O3, etc., and an organic insulating layer made of a fluorine resin, a polyimide resin, or the like.
メサ構造１２ａは下引き層１２の一部であって下引き層１２が基板１１の表面に形成されるものであることから、メサ構造１２ａは基板１１の表面に形成されるものである。メサ構造１２ａは、厚く形成した下引き層１２の一部をエッチングすることにより形成できる。あるいは、メサ構造１２ａは、下引き層１２を形成した後にさらにメサ構造１２ａの部分だけ選択的に層を堆積して形成できる。なお、下引き層１２は、基板１１の全面に形成せず、メサ構造１２ａの部分だけが形成されたものとしても良い。 Since the mesa structure 12 a is a part of the undercoat layer 12 and the undercoat layer 12 is formed on the surface of the substrate 11, the mesa structure 12 a is formed on the surface of the substrate 11. The mesa structure 12a can be formed by etching a part of the undercoat layer 12 formed thick. Alternatively, the mesa structure 12a can be formed by selectively depositing a layer only on the mesa structure 12a after the undercoat layer 12 is formed. The undercoat layer 12 may not be formed on the entire surface of the substrate 11 but only the mesa structure 12a.
磁気測定素子１３は、メサ構造１２ａの台形上面（測定面）１２ｂに配置される。磁気測定素子１３は、第１配線１５および第２配線１６を流れる電流により発生される磁界および外部磁界の合成磁界を測定する。磁気測定素子１３は、磁界が測定できるものであればよく、その種類は特に限定されない。磁気測定素子１３として、磁気抵抗効果素子、ホール素子および磁気インピーダンス素子が挙げられる。磁気センサ１０ａは複数の磁気測定素子１３を備えてもよい。磁気測定素子１３を複数備える場合、複数の磁気測定素子１３の種類は異なっていても良いが、統一されていることが好ましい。 The magnetic measurement element 13 is disposed on the trapezoidal upper surface (measurement surface) 12b of the mesa structure 12a. The magnetic measurement element 13 measures the combined magnetic field of the magnetic field generated by the current flowing through the first wiring 15 and the second wiring 16 and the external magnetic field. The magnetic measuring element 13 is not particularly limited as long as it can measure a magnetic field. Examples of the magnetic measurement element 13 include a magnetoresistance effect element, a Hall element, and a magnetoimpedance element. The magnetic sensor 10 a may include a plurality of magnetic measurement elements 13. When a plurality of magnetic measurement elements 13 are provided, the types of the plurality of magnetic measurement elements 13 may be different, but it is preferable that they are unified.
中間層１４は、下引き層１２の上に形成され、磁気測定素子１３を覆う。中間層１４は、磁気測定素子１３と第１配線１５および第２配線１６との間の層間絶縁層として機能するものであることから、絶縁体からなることが好ましく、たとえば、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３等からなる無機絶縁層、フッ素樹脂、ポリイミド樹脂等からなる有機絶縁層が例示できる。The intermediate layer 14 is formed on the undercoat layer 12 and covers the magnetic measurement element 13. Since the intermediate layer 14 functions as an interlayer insulating layer between the magnetic measurement element 13 and the first wiring 15 and the second wiring 16, the intermediate layer 14 is preferably made of an insulator, for example, SiO2 , Si3 Examples thereof include an inorganic insulating layer made of N4 , Al2 O3 or the like, and an organic insulating layer made of fluorine resin, polyimide resin or the like.
中間層１４は、第１面１４ａおよび第２面１４ｂを有する。第１面１４ａは、基板１１の表面からの距離が台形上面１２ｂより遠く（上側）に位置し、第２面１４ｂは、基板１１の表面からの距離が台形上面１２ｂより近く（下側）に位置する。 The intermediate layer 14 has a first surface 14a and a second surface 14b. The first surface 14a is located farther (upper) from the surface of the substrate 11 than the trapezoidal upper surface 12b, and the second surface 14b is closer to (lower) the distance from the surface of the substrate 11 than the trapezoidal upper surface 12b. To position.
第１配線１５は第１電流Ｉ１を流し、第２配線１６は第２電流Ｉ２を流す。第１配線１５および第２配線１６は、電流を流す機能を有する限りその材料は限定されない。第１配線１５および第２配線１６として、たとえばＣｕやＡｕ、Ａｌ等からなる金属等の導電体、不純物が高濃度にドープされたポリシリコン等の低抵抗半導体が例示できる。第１配線１５および第２配線１６は、異種材料からなるものであってもよいが、同一材料であることが好ましい。The first wiring 15 passing a first currentI 1, the second wiring 16 supplying a second currentI 2. The material of the first wiring 15 and the second wiring 16 is not limited as long as it has a function of flowing current. Examples of the first wiring 15 and the second wiring 16 include a conductor such as a metal made of Cu, Au, Al, or the like, or a low-resistance semiconductor such as polysilicon doped with impurities at a high concentration. The first wiring 15 and the second wiring 16 may be made of different materials, but are preferably made of the same material.
第１配線１５および第２配線１６は、中間層１４の上に形成される。第１配線１５は、第１面１４ａの面上であって磁気測定素子１３に対向する位置に配置され、第２配線１６は、第２面１４ｂの面上であってメサ構造１２ａに隣接する位置に配置される。 The first wiring 15 and the second wiring 16 are formed on the intermediate layer 14. The first wiring 15 is disposed on the surface of the first surface 14a so as to face the magnetic measurement element 13, and the second wiring 16 is on the surface of the second surface 14b and adjacent to the mesa structure 12a. Placed in position.
第１配線１５には第１電流Ｉ１が流れ、第２配線１６には第２電流Ｉ２が流れることから、第１配線１５の周りには、第１電流Ｉ１による第１磁界Ｈ１が発生し、第２配線１６の周りには、第２電流Ｉ２による第２磁界Ｈ２が発生する。図１に示すように、第１配線１５に流れる第１電流Ｉ１が紙面から出射する方向に、第２配線１６に流れる第２電流Ｉ２が紙面に入射する方向に流れるとすると、第１電流Ｉ１による第１磁界Ｈ１は、第１配線１５の下側において紙面右方向の磁界を生じ、第２電流Ｉ２による第２磁界Ｈ２は、第２配線１６の上側において紙面右方向の磁界を生じる。第１配線１５が台形上面１２ｂより上側の第１面１４ａ面上に配置され、第２配線１６が台形上面１２ｂより下側の第２面１４ｂ面上に配置されるから、第１磁界Ｈ１および第２磁界Ｈ２は、磁気測定素子１３が配置された位置において、互いに磁界を強め合う関係にある。つまり、第１磁界Ｈ１および第２磁界Ｈ２は、磁気測定素子１３が配置された位置における磁界の強さを大きくする。Since the first current I1 flows through the first wiring 15 and the second current I2 flows through the second wiring 16, the first magnetic field H1 generated by the first current I1 is around the first wiring 15. There occurs, around the second wiring 16, the second magnetic fieldH 2 is generated by the second currentI 2. As shown in FIG. 1, the direction in which the first current I1 flowing through the first wiring 15 is emitted from the paper surface, the second current I2 flowing through the second wiring 16 and flows in a direction incident to the plane, first first magnetic field H1 by a current I1 is generated a magnetic field in the right direction in the drawing on the lower side of the first wire 15, the second magnetic field H2 of the second current I2 is right direction in the drawing on the upper side of the second wiring 16 Produces a magnetic field. First interconnection 15 is disposed on the first surface 14a faces the upper side of the trapezoidal top face 12b, since the second wiring 16 is disposed on the second surface 14b faces the lower side of the trapezoidal top face 12b, the first magnetic fieldH 1 The second magnetic field H2 has a relationship in which the magnetic field is mutually strengthened at the position where the magnetic measurement element 13 is disposed. That is, the first magnetic field H1 and second magnetic field H2 increases the strength of the magnetic field at the position where the magnetic measuring device 13 is disposed.
本実施形態１の磁気センサ１０ａは、下引き層１２にメサ構造１２ａを有し、磁気測定素子１３と第１配線１５および第２配線１６とが上記した位置関係にあることから、第１電流Ｉ１および第２電流Ｉ２の方向を上記の方向、つまり互いに逆方向にすれば、第１磁界Ｈ１と第２磁界Ｈ２とで磁気測定素子１３が配置された位置おける磁界を強くすることができる。この結果、磁気センサ１０ａの感度を高めることができる。The magnetic sensor 10a according to the first embodiment has the mesa structure 12a in the undercoat layer 12, and the magnetic measurement element 13, the first wiring 15 and the second wiring 16 are in the above-described positional relationship. If the directions of I1 and the second current I2 are set to the above-mentioned directions, that is, the directions opposite to each other, the first magnetic field H1 and the second magnetic field H2 strengthen the magnetic field at the position where the magnetic measurement element 13 is disposed. be able to. As a result, the sensitivity of the magnetic sensor 10a can be increased.
なお、磁気センサ１０ａにおいて、第２配線１６を複数有してもよく、複数の第２配線１６が、メサ構造１２ａの両側に配置されてもよい。この場合、メサ構造１２ａの両側の第２配線１６により、磁気測定素子１３が配置された位置おける磁界をさらに強め、磁気センサ１０ａの感度をより高めることができる。 In the magnetic sensor 10a, a plurality of second wirings 16 may be provided, and a plurality of second wirings 16 may be disposed on both sides of the mesa structure 12a. In this case, the second wiring 16 on both sides of the mesa structure 12a can further strengthen the magnetic field at the position where the magnetic measurement element 13 is disposed, and can further increase the sensitivity of the magnetic sensor 10a.
また、図示は省略するが、中間層１４の上側に、第１配線１５および第２配線１６を覆うパッシベーション層を形成してもよい。 Although not shown, a passivation layer that covers the first wiring 15 and the second wiring 16 may be formed on the upper side of the intermediate layer 14.
（実施形態２）
図２は、磁気センサ１０ｂを概念的に示した平面図である。図３は、図２におけるＡ−Ａ線断面を示した断面図である。磁気センサ１０ｂは、下引き層１２にメサ構造１２ａを有し、磁気測定素子１３、第１配線１５および第２配線１６の位置関係において磁気センサ１０ａと同様な構成を有する。(Embodiment 2)
FIG. 2 is a plan view conceptually showing the magnetic sensor 10b. 3 is a cross-sectional view showing a cross section taken along line AA in FIG. The magnetic sensor 10 b has a mesa structure 12 a in the undercoat layer 12, and has the same configuration as the magnetic sensor 10 a in the positional relationship between the magnetic measurement element 13, the first wiring 15, and the second wiring 16.
ただし、磁気センサ１０ｂでは、複数（５本）の磁気測定素子１３が台形上面１２ｂ上に並べて配置され、第１配線１５として複数（５本）の直線状配線が第１面１４ａ上に並んで配置され、第２配線１６として複数の直線状配線がメサ構造１２ａの両側の第２面１４ｂ上にそれぞれ並んで配置されている点が異なる。 However, in the magnetic sensor 10b, a plurality (five) of magnetic measurement elements 13 are arranged side by side on the trapezoidal upper surface 12b, and a plurality (five) of linear wirings are arranged as the first wiring 15 on the first surface 14a. The second wiring 16 is different in that a plurality of linear wirings are arranged side by side on the second surfaces 14b on both sides of the mesa structure 12a.
そして、第１配線１５に含まれる複数（５本）の直線状配線のそれぞれ、および第２配線１６に含まれる複数（メサ構造１２ａの両側合わせて６本）の直線状配線のそれぞれは、図２に示すように、配線の端部領域１７ａおよび１７ｂで直列に接続されている。 Each of a plurality (five) of linear wirings included in the first wiring 15 and each of a plurality of (six on both sides of the mesa structure 12a) included in the second wiring 16 are illustrated in FIG. As shown in FIG. 2, the end regions 17a and 17b of the wiring are connected in series.
磁気センサ１０ｂによれば、複数の第１配線１５および第２配線１６を配置することで、広い範囲で磁界を強めることができる。その結果、磁気センサ１０ｂの感度を高めることができる。 According to the magnetic sensor 10b, the magnetic field can be strengthened in a wide range by arranging the plurality of first wirings 15 and the second wirings 16. As a result, the sensitivity of the magnetic sensor 10b can be increased.
なお、図２および図３には図示しないが、中間層１４の上側に、第１配線１５および第２配線１６を覆うパッシベーション層を形成してもよく、パッシベーション層に開口するように設けられたスルーホール１８ａおよび１８ｂを通して、直列接続された第１配線１５および第２配線１６に接続することができる。 Although not shown in FIGS. 2 and 3, a passivation layer that covers the first wiring 15 and the second wiring 16 may be formed on the upper side of the intermediate layer 14, and provided so as to open to the passivation layer. The first wiring 15 and the second wiring 16 connected in series can be connected through the through holes 18a and 18b.
（実施形態３）
図４は、磁気センサ１０ｃを概念的に示した平面図である。図４におけるＢ−Ｂ線断面は、図３と同様である。磁気センサ１０ｃは、下引き層１２にメサ構造１２ａを有し、磁気測定素子１３、第１配線１５および第２配線１６の位置関係において磁気センサ１０ａと同様な構成を有する。また、磁気センサ１０ｃにおいて、複数（５本）の磁気測定素子１３が台形上面１２ｂ上に並べて配置され、第１配線１５として複数（５本）の直線状配線が第１面１４ａ上に並んで配置され、第２配線１６として複数の直線状配線がメサ構造１２ａの両側の第２面１４ｂ上にそれぞれ並んで配置されている点は磁気センサ１０ｂと同様である。(Embodiment 3)
FIG. 4 is a plan view conceptually showing the magnetic sensor 10c. 4 is the same as that of FIG. The magnetic sensor 10 c has a mesa structure 12 a in the undercoat layer 12, and has the same configuration as the magnetic sensor 10 a in the positional relationship between the magnetic measurement element 13, the first wiring 15 and the second wiring 16. Further, in the magnetic sensor 10c, a plurality (five) of magnetic measurement elements 13 are arranged side by side on the trapezoidal upper surface 12b, and a plurality (five) of linear wirings are arranged as the first wiring 15 on the first surface 14a. It is the same as the magnetic sensor 10b in that a plurality of linear wirings are arranged side by side on the second surfaces 14b on both sides of the mesa structure 12a.
ただし、第１配線１５に含まれる複数（５本）の直線状配線のそれぞれが、図４に示すように、配線の端部領域１７ｃおよび１７ｄで並列に接続されている。また、第２配線１６に含まれる複数（メサ構造１２ａの両側合わせて６本）の直線状配線のそれぞれが、図４に示すように、配線の端部領域１７ｃおよび１７ｄで並列に接続されている。なお、直線状配線が並列接続された第１配線１５と、同様に並列接続された第２配線１６は、端部領域１７ｄで直列に接続されている。 However, each of a plurality (five) of linear wirings included in the first wiring 15 is connected in parallel at the wiring end regions 17c and 17d, as shown in FIG. Further, a plurality of (six in total on both sides of the mesa structure 12a) straight lines included in the second wiring 16 are connected in parallel at the end regions 17c and 17d of the wiring as shown in FIG. Yes. In addition, the 1st wiring 15 by which the linear wiring was connected in parallel, and the 2nd wiring 16 similarly connected in parallel are connected in series by the edge part area | region 17d.
磁気センサ１０ｃによれば、複数の第１配線１５および第２配線１６を配置することで、広い範囲で磁界を強めることができる。その結果、磁気センサ１０ｃの感度を高めることができる。 According to the magnetic sensor 10c, a magnetic field can be strengthened in a wide range by arranging the plurality of first wirings 15 and the second wirings 16. As a result, the sensitivity of the magnetic sensor 10c can be increased.
なお、図４には図示しないが、中間層１４の上側に、第１配線１５および第２配線１６を覆うパッシベーション層を形成してもよく、パッシベーション層に開口するように設けられたスルーホール１８ｃおよび１８ｄを通して、並列接続された第１配線１５と並列接続された第２配線１６とを直列に接続した配線に接続することができる。 Although not shown in FIG. 4, a passivation layer covering the first wiring 15 and the second wiring 16 may be formed on the upper side of the intermediate layer 14, and a through hole 18c provided to open to the passivation layer. And 18d, the first wiring 15 connected in parallel and the second wiring 16 connected in parallel can be connected to the wiring connected in series.
（実施例）
図５から図７は、シミュレーションの条件および結果を示した図であり、図５は実施例における配線の断面位置を示した図、図６は比較例における配線の断面位置を示した図、図７は、実施例および比較例における磁界の強さをシミュレートした結果を示す図である。図５および図６の横軸は水平位置を示し、縦軸は垂直位置を示す。単位は、μｍである。原点は、磁気測定素子１３の断面における中心位置とした。図７の横軸は水平位置（単位はμｍ）であり、縦軸は磁界の強さ（単位はｍＴ）である。(Example)
5 to 7 are diagrams showing simulation conditions and results. FIG. 5 is a diagram showing the cross-sectional position of the wiring in the example. FIG. 6 is a diagram showing the cross-sectional position of the wiring in the comparative example. FIG. 7 is a diagram showing the results of simulating the strength of the magnetic field in the examples and comparative examples. 5 and FIG. 6, the horizontal axis indicates the horizontal position, and the vertical axis indicates the vertical position. The unit is μm. The origin is the center position in the cross section of the magnetic measuring element 13. In FIG. 7, the horizontal axis represents the horizontal position (unit: μm), and the vertical axis represents the magnetic field strength (unit: mT).
実施例の配線は、図５に示すような断面配置とした。すなわち、第１配線１５として、水平位置−４０〜４０μｍの範囲、垂直位置５μｍの位置に４本の直線状配線を配置し、第２配線１６として、水平位置−８０〜４０μｍおよび４０〜８０μｍの範囲、垂直位置−１０μｍの位置に４本の直線状配線を配置した。第１配線１５の電流方向は紙面から射出する方向とし、第２配線１６の電流方向は紙面に入射する方向とした。 The wiring of the example was arranged in a cross section as shown in FIG. That is, as the first wiring 15, four linear wirings are arranged in a horizontal position of −40 to 40 μm and a vertical position of 5 μm, and the second wiring 16 has horizontal positions of −80 to 40 μm and 40 to 80 μm. Four linear wirings were arranged in a range, a vertical position of −10 μm. The current direction of the first wiring 15 was set to be emitted from the paper surface, and the current direction of the second wiring 16 was set to be incident to the paper surface.
比較例の配線は、図６に示すような断面配置とした。電流方向が紙面から射出する方向の配線を、実施例の第１配線１５と同様に、水平位置−４０〜４０μｍの範囲、垂直位置５μｍの位置に４本配置し、電流方向が紙面に入射する方向の配線を、水平位置８０〜１６０μｍの範囲、垂直位置５μｍの位置に４本配置した。実施例において第１配線１５と第２配線１６の垂直位置が異なり、横方向に段違いに配置されているのに対し、比較例では各配線の垂直位置が同じであり、横一線に並んで配置されている点が異なる。 The wiring of the comparative example has a cross-sectional arrangement as shown in FIG. As in the case of the first wiring 15 of the embodiment, four wires in the direction in which the current direction is emitted from the paper surface are arranged in the horizontal position of −40 to 40 μm and the vertical position of 5 μm, and the current direction is incident on the paper surface. Four wirings in the direction were arranged in the horizontal position range of 80 to 160 μm and the vertical position of 5 μm. In the embodiment, the vertical positions of the first wiring 15 and the second wiring 16 are different and are arranged in the horizontal direction, whereas in the comparative example, the vertical positions of the respective wirings are the same and are arranged side by side. Is different.
各水平位置における磁界強度をシミュレートした結果を図７に示す。比較例では、２ｍＴ程度の磁界強度が得られる水平位置範囲が−４０〜４０μｍであるのに対し、実施例では、２ｍＴ程度の磁界強度が−８０〜８０μｍの水平位置範囲で得られる。これは、比較例に比べ実施例では、より広い範囲で大きな磁界強度が得られていることを示している。すなわち、実施例における測定領域（磁気測定素子１３が配置される領域）としうる領域は、比較例における測定領域としうる領域よりも広くなっている。 The result of simulating the magnetic field strength at each horizontal position is shown in FIG. In the comparative example, the horizontal position range in which the magnetic field strength of about 2 mT is obtained is −40 to 40 μm, whereas in the embodiment, the magnetic field strength of about 2 mT is obtained in the horizontal position range of −80 to 80 μm. This indicates that a larger magnetic field strength is obtained in a wider range in the example than in the comparative example. That is, a region that can be a measurement region (a region where the magnetic measurement element 13 is disposed) in the embodiment is wider than a region that can be a measurement region in the comparative example.
広範囲に強度の大きな磁界を得ることができれば、磁気センサの設計自由度を高めることが可能になる。また、強度の大きな磁界を広範囲に得ることができる特性を最大限に利用すれば、多数の磁気測定素子１３を当該広範囲の磁界内に配置することができ、より多くの磁気測定素子１３を配置することで信号ノイズ比（Ｓ／Ｎ比）を高め、磁気センサの感度を向上することができる。あるいは、所定のＳ／Ｎ比を得るに必要な磁気測定素子１３に誘導磁界を作用させるための配線の配置面積を縮小することが可能になり、その結果、磁気センサの小型化を図ることが可能になる。 If a strong magnetic field can be obtained over a wide range, the design freedom of the magnetic sensor can be increased. Further, if the characteristics that can obtain a magnetic field with a large intensity in a wide range are utilized to the maximum, a large number of magnetic measurement elements 13 can be arranged in the wide magnetic field, and more magnetic measurement elements 13 are arranged. As a result, the signal noise ratio (S / N ratio) can be increased and the sensitivity of the magnetic sensor can be improved. Alternatively, it is possible to reduce the layout area of the wiring for applying an induction magnetic field to the magnetic measurement element 13 necessary for obtaining a predetermined S / N ratio, and as a result, the magnetic sensor can be reduced in size. It becomes possible.
なお、シミュレーションには、ＡＮＳＹＳ社製「Ｍａｘｗｅｌｌ」を用いた。配線に流れる電流は１０ｍＡとした。 In the simulation, “Maxwell” manufactured by ANSYS was used. The current flowing through the wiring was 10 mA.
（実施形態４）
前記した磁気センサ１０ａ、磁気センサ１０ｂおよび磁気センサ１０ｃの製造方法は、特に限定されることはない。スパッタリング、めっき、エッチング、スピンコーティングなどのドライプロセスやウエットプロセスに係る要素技術を組み合わせた微細加工技術により製造してもよいし、個別に製造した要素（コイル（配線）、磁気測定素子など）を、はんだや接着剤などを用いて組み付けることにより製造してもよい。(Embodiment 4)
The manufacturing method of the magnetic sensor 10a, the magnetic sensor 10b, and the magnetic sensor 10c described above is not particularly limited. It may be manufactured by microfabrication technology combining elemental technologies related to dry processes and wet processes such as sputtering, plating, etching, and spin coating, or individually manufactured elements (coils (wiring), magnetic measurement elements, etc.) Alternatively, it may be manufactured by assembling using solder or an adhesive.
磁気測定素子が磁気抵抗効果素子のようにドライプロセスにより製造できる場合には、ドライプロセスの要素技術をさらに組み合わせて磁気センサを製造すれば、製造効率が高まることがある。 If the magnetic measuring element can be manufactured by a dry process like a magnetoresistive effect element, manufacturing efficiency may be improved if a magnetic sensor is manufactured by further combining elemental technologies of the dry process.
そのような製造方法の限定されない一例は次のとおりである。まず、酸化膜付きシリコンなどからなる基板上に、下引き層１２をスパッタリング法、ＣＶＤ法、塗布法等により形成し、メサ構造１２ａをエッチング法、部分塗布法等により形成する。磁気抵抗効果素子からなる磁気測定素子を作製し、これを覆うように、所定の透磁率を有する絶縁材料（ＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３など）を積層する。この絶縁材料からなる面に、スパッタ、蒸着、めっきなどにより導電材料（Ｃｕ，Ａｕ，Ａｌなど）を製膜し、エッチング法、リフトオフ法等により第１配線１５および第２配線１６を形成することにより、図１〜図４に示される磁気センサを製造することができる。なお、第１配線１５および第２配線１６を保護する適当な絶縁材料を積層してもよい。A non-limiting example of such a manufacturing method is as follows. First, an undercoat layer 12 is formed on a substrate made of silicon with oxide film or the like by sputtering, CVD, coating, or the like, and a mesa structure 12a is formed by etching, partial coating, or the like. A magnetic measuring element made of a magnetoresistive effect element is manufactured, and an insulating material (SiO2 , Al2 O3, etc.) having a predetermined magnetic permeability is laminated so as to cover the magnetic measuring element. A conductive material (Cu, Au, Al, etc.) is formed on the surface made of this insulating material by sputtering, vapor deposition, plating, or the like, and the first wiring 15 and the second wiring 16 are formed by an etching method, a lift-off method, or the like. Thus, the magnetic sensor shown in FIGS. 1 to 4 can be manufactured. An appropriate insulating material that protects the first wiring 15 and the second wiring 16 may be stacked.
（実施形態５）
磁気センサ１０ａ、磁気センサ１０ｂまたは磁気センサ１０ｃを用いた電流センサを説明する。なお、磁気センサ１０ａ、磁気センサ１０ｂおよび磁気センサ１０ｃにおける第１配線１５および第２配線１６は、これを直列に接続してコイル状に形成することがあるので、このような場合、第１配線１５および第２配線１６をコイルと称する場合がある。また、単にコイルと称する場合であっても、単純な直線状配線によって必要な誘導磁界が発生できる場合もあるので、コイルには直線状配線の概念も含むこととする。(Embodiment 5)
A current sensor using the magnetic sensor 10a, the magnetic sensor 10b, or the magnetic sensor 10c will be described. The first wiring 15 and the second wiring 16 in the magnetic sensor 10a, the magnetic sensor 10b, and the magnetic sensor 10c may be connected in series and formed in a coil shape. In such a case, the first wiring The 15 and the second wiring 16 may be referred to as a coil. In addition, even when simply referred to as a coil, a necessary induction magnetic field may be generated by a simple linear wiring, so that the coil includes the concept of a linear wiring.
本実施形態に係る磁気センサのコイル（配線）を流れる電流と、当該磁気センサの磁気測定素子において測定される特性値（抵抗など）との関係をあらかじめ把握しておくことにより、磁気センサの磁気測定素子の特性値の変化を測定結果からコイル電流の変化を導き出すことができる。そして、被測定電流の変化に応じてコイル電流が変化するような回路を形成することにより、本実施形態に係る磁気センサを、電流センサの検出部として機能させることができる。 By grasping in advance the relationship between the current flowing through the coil (wiring) of the magnetic sensor according to the present embodiment and the characteristic value (resistance, etc.) measured by the magnetic measurement element of the magnetic sensor, the magnetism of the magnetic sensor It is possible to derive a change in the coil current from the measurement result of the change in the characteristic value of the measurement element. And the magnetic sensor which concerns on this embodiment can be functioned as a detection part of a current sensor by forming a circuit in which the coil current changes according to the change in the current to be measured.
上記回路の具体的な構成は限定されない。本実施形態に係る磁気センサのコイル（配線）を被測定電流が流れてもよい。このとき、本実施形態に係る磁気センサのコイル（配線）の双方を被測定電流が流れてもよいし、一方のみを流れてもよい。本実施形態に係る磁気センサのコイル（配線）が被測定電流による誘導磁界を相殺するキャンセル磁界を発生するフィードバックコイル（配線）であってもよい。フィードバックコイル（配線）である場合には、本実施形態に係る磁気センサの磁気測定素子の磁界感度軸で測定される磁界が実質的にゼロになるときにフィードバックコイル（配線）に流れる電流値に基づいて、被測定電流の値が導出されることになる。 The specific configuration of the circuit is not limited. The current to be measured may flow through the coil (wiring) of the magnetic sensor according to the present embodiment. At this time, the current to be measured may flow through both the coils (wirings) of the magnetic sensor according to the present embodiment, or only one of them may flow. The coil (wiring) of the magnetic sensor according to the present embodiment may be a feedback coil (wiring) that generates a canceling magnetic field that cancels the induced magnetic field caused by the current to be measured. In the case of a feedback coil (wiring), the current value flowing through the feedback coil (wiring) when the magnetic field measured by the magnetic field sensitivity axis of the magnetic measurement element of the magnetic sensor according to the present embodiment becomes substantially zero. Based on this, the value of the current to be measured is derived.
本実施形態に係る電流センサが備える磁気センサは１つであってもよいし、複数であってもよい。本実施形態に係る電流センサが複数の磁気センサを備える場合には、これらの磁気センサは、被測定電流の測定について独立していてもよいし、複数の磁気センサを備えるブリッジ回路により被測定電流を測定してもよい。 The current sensor according to the present embodiment may include one magnetic sensor or a plurality of magnetic sensors. When the current sensor according to the present embodiment includes a plurality of magnetic sensors, these magnetic sensors may be independent of the measurement of the current to be measured, or the current to be measured by a bridge circuit including the plurality of magnetic sensors. May be measured.
本発明の一実施形態に係る電流センサの構成の一例として、図８に示されるような磁気比例式電流センサが挙げられる。磁気比例式電流センサ２０は、被測定電流が流れる電流線２１、電流線２１による誘導磁界を検知可能な位置に配置されたブリッジ回路３０およびブリッジ回路３０から出力される電圧を入力とするオペアンプ２３を備える。 An example of the configuration of a current sensor according to an embodiment of the present invention is a magnetic proportional current sensor as shown in FIG. The magnetic proportional current sensor 20 includes a current line 21 through which a current to be measured flows, a bridge circuit 30 disposed at a position where an induced magnetic field by the current line 21 can be detected, and an operational amplifier 23 that receives a voltage output from the bridge circuit 30 as input. Is provided.
電流線２１の一部はコイル２２を構成し、このコイル２２は、本発明の一実施形態に係る磁気センサの第１配線１５および第２配線１６を含む。 A part of the current line 21 constitutes a coil 22, and the coil 22 includes the first wiring 15 and the second wiring 16 of the magnetic sensor according to the embodiment of the present invention.
図９に示されるように、ブリッジ回路３０は、４つの抵抗を有する。なお、以下の説明では、磁気測定素子１３が、磁気測定素子１３１と磁気測定素子１３２の二つの磁気抵抗効果素子からなる場合を説明する。４つの抵抗のうち、本発明の一実施形態に係る磁気センサの磁気測定素子１３１と抵抗３１とは直接に接続され、本発明の一実施形態に係る磁気センサの他方の磁気測定素子１３２と抵抗３２とは直接に接続されている。図９に示されるように、磁気測定素子１３１と抵抗３２とは入力端子（Ｖｄｄ）に接続されており、磁気測定素子１３２と抵抗３１とはグランド端子（ＧＮＤ）に接続されている。そして、磁気測定素子１３１と抵抗３１との間に出力端子（Ｖ１）が接続され、磁気測定素子１３２と抵抗３２との間に出力端子（Ｖ２）が接続されている。 As shown in FIG. 9, the bridge circuit 30 has four resistors. In the following description, a case will be described in which the magnetic measurement element 13 includes two magnetoresistive elements, that is, the magnetic measurement element 131 and the magnetic measurement element 132. Among the four resistors, the magnetic measurement element 131 and the resistor 31 of the magnetic sensor according to the embodiment of the present invention are directly connected, and the other magnetic measurement element 132 and the resistance of the magnetic sensor according to the embodiment of the present invention are connected. 32 is directly connected. As shown in FIG. 9, the magnetic measurement element 131 and the resistor 32 are connected to an input terminal (Vdd), and the magnetic measurement element 132 and the resistor 31 are connected to a ground terminal (GND). An output terminal (V 1) is connected between the magnetic measurement element 131 and the resistor 31, and an output terminal (V 2) is connected between the magnetic measurement element 132 and the resistor 32.
オペアンプ２３は、ブリッジ回路３０からの２つの出力（Ｖ１，Ｖ２）からの電圧を入力として、これらの電圧の差を出力する。この出力のグランド端子（ＧＮＤ）に対する電圧が、磁気比例式電流センサ２０の出力電圧Ｖｏｕｔとなる。 The operational amplifier 23 receives the voltages from the two outputs (V1, V2) from the bridge circuit 30 and outputs the difference between these voltages. The voltage of this output with respect to the ground terminal (GND) becomes the output voltage Vout of the magnetic proportional current sensor 20.
このように、磁気比例式電流センサ２０は、被測定電流による誘導磁界を磁気測定素子１３１，１３２が直接検出することにより、被測定電流に相関性を有する出力Ｖｏｕｔを出力する方式の電流センサである。 Thus, the magnetic proportional current sensor 20 is a current sensor of a type that outputs the output Vout having a correlation with the current to be measured when the magnetic measuring elements 131 and 132 directly detect the induced magnetic field due to the current to be measured. is there.
本発明の一実施形態に係る電流センサの構成の他の一例として、図１０に示されるような磁気平衡式電流センサが挙げられる。磁気平衡式電流センサ４０は、被測定電流が流れる電流線４１、電流線４１を流れる電流による誘導磁界およびフィードバックコイル４２を流れる電流による誘導磁界を検知可能な位置に配置されたブリッジ回路３０およびブリッジ回路３０から出力される電圧を入力とするオペアンプ４３を備える。 Another example of the configuration of the current sensor according to the embodiment of the present invention is a magnetic balanced current sensor as shown in FIG. The magnetic balance type current sensor 40 includes a current line 41 through which a current to be measured flows, a bridge circuit 30 and a bridge arranged at positions where an induced magnetic field due to a current flowing through the current line 41 and an induced magnetic field due to a current flowing through a feedback coil 42 can be detected. An operational amplifier 43 that receives the voltage output from the circuit 30 is provided.
磁気平衡式電流センサ４０では、電流線４１の一部は特にコイルを構成している必要はなく、電流線４１を流れる電流による誘導磁界をブリッジ回路３０が検出できる限り、ブリッジ回路３０と電流線４１との位置関係は限定されない。ブリッジ回路３０が備える磁気測定素子１３１，１３２に印加される磁界が等しくなるように配置されることが好ましい。 In the magnetic balance type current sensor 40, a part of the current line 41 does not need to form a coil, and the bridge circuit 30 and the current line can be used as long as the bridge circuit 30 can detect the induced magnetic field caused by the current flowing through the current line 41. The positional relationship with 41 is not limited. It is preferable that the magnetic fields applied to the magnetic measurement elements 131 and 132 included in the bridge circuit 30 are equal.
ブリッジ回路３０の構成は、図９に示される構成であるから説明を省略する。 The configuration of the bridge circuit 30 is the configuration shown in FIG.
フィードバックコイル４２は、本発明の一実施形態に係る磁気センサの第１配線１５および第２配線１６からなる。フィードバックコイル４２の一端はオペアンプ４３の出力に接続され、フィードバックコイル４２を流れる電流はオペアンプ４３により制御されている。フィードバックコイル４２の他端は抵抗４４を介して接地され、抵抗４４とフィードバックコイル４２との間のグランド端子（ＧＮＤ）に対する電位が出力電圧Ｖｏｕｔとなる。 The feedback coil 42 includes the first wiring 15 and the second wiring 16 of the magnetic sensor according to one embodiment of the present invention. One end of the feedback coil 42 is connected to the output of the operational amplifier 43, and the current flowing through the feedback coil 42 is controlled by the operational amplifier 43. The other end of the feedback coil 42 is grounded via a resistor 44, and the potential with respect to the ground terminal (GND) between the resistor 44 and the feedback coil 42 becomes the output voltage Vout.
オペアンプ４３は、ブリッジ回路３０の２つの出力（Ｖ１，Ｖ２）からの電圧を入力として、フィードバックコイル４２を流れる電流による誘導磁界と被測定電流による誘導磁界とが相殺して、ブリッジ回路の２つの出力（Ｖ１，Ｖ２）からの電圧が等しくなるように、フィードバックコイル４２に対して出力する電圧を制御する。 The operational amplifier 43 receives the voltages from the two outputs (V1, V2) of the bridge circuit 30, and the induced magnetic field caused by the current flowing through the feedback coil 42 and the induced magnetic field caused by the current to be measured cancel each other. The voltage output to the feedback coil 42 is controlled so that the voltages from the outputs (V1, V2) are equal.
このように、磁気平衡式電流センサ４０は、被測定電流による誘導磁界をキャンセルするように誘導磁界を生じさせるフィードバックコイル４２の電流値を、磁気測定素子１３１，１３２の検出値に基づいて制御することにより、被測定電流に相関性を有する出力Ｖｏｕｔを出力する方式の電流センサである。 As described above, the magnetic balance type current sensor 40 controls the current value of the feedback coil 42 that generates the induced magnetic field so as to cancel the induced magnetic field due to the current to be measured based on the detected values of the magnetic measuring elements 131 and 132. Thus, this is a current sensor that outputs an output Vout having a correlation with the current to be measured.
本実施形態の磁気平衡式電流センサ４０では、磁気センサの下引き層１２にメサ構造１２ａを有し、磁気測定素子１３（磁気測定素子１３１，１３２）と第１配線１５および第２配線１６との位置関係を実施形態１〜３に記載したとおりにすることで、磁気測定素子１３が配置された位置おける磁界の強さを大きくし、磁界の範囲を広くすることができる。その結果、より小さなフィードバック電流で適切なキャンセル磁界、あるいは、より大きなキャンセル磁界を発生させることができ、フィードバック電流を低減することができる。また、電流センサの低消費電力化を図ることができる。 In the magnetic balance type current sensor 40 of the present embodiment, the under layer 12 of the magnetic sensor has a mesa structure 12a, and the magnetic measurement element 13 (magnetic measurement elements 131 and 132), the first wiring 15 and the second wiring 16 are provided. By making the positional relationship as described in the first to third embodiments, the strength of the magnetic field at the position where the magnetic measurement element 13 is disposed can be increased, and the range of the magnetic field can be widened. As a result, an appropriate canceling magnetic field or a larger canceling magnetic field can be generated with a smaller feedback current, and the feedback current can be reduced. In addition, the power consumption of the current sensor can be reduced.
以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。 The embodiment described above is described for facilitating understanding of the present invention, and is not described for limiting the present invention. Therefore, each element disclosed in the above embodiment is intended to include all design changes and equivalents belonging to the technical scope of the present invention.
例えば、上記の実施形態では、磁気センサがメサ構造を有する場合を具体例として説明したが、これに限定されない。第２面を下側の面とし、測定面を上側の面とする段差構造を備えていてもよい。あるいは、第２面を下側の面とし、測定面を突出面とする凸部構造を備えていてもよい。凸部構造を備える場合において、第２配線を平面視したときに、複数の第２配線が、突出面を挟んで第１配線と平行に配置されていてもよい。 For example, in the above embodiment, the case where the magnetic sensor has a mesa structure has been described as a specific example, but the present invention is not limited to this. A step structure having the second surface as a lower surface and the measurement surface as an upper surface may be provided. Or you may have the convex part structure which makes a 2nd surface a lower surface and makes a measurement surface a protrusion surface. In the case where the convex structure is provided, when the second wiring is viewed in plan, a plurality of second wirings may be arranged in parallel with the first wiring across the protruding surface.
なお、第１配線と第２配線とが平面視したときに重複するように配置されて、特許文献１に開示されるソレノイド状になった場合には、第１配線と第２配線とが接近することとなる。この場合において、第１配線および第２配線に流れる電流の周波数が高くなると、双方の配線に大きな誘導磁界が発生する恐れが高まり、その結果、磁気センサの出力に大きなノイズが発生する可能性が高くなる。したがって、本発明に係る磁気センサでは、第１配線と第２配線とは平面視したときに重複しないように配置される。 In addition, when it arrange | positions so that it may overlap when 1st wiring and 2nd wiring planarly view, and it becomes a solenoid shape disclosed by patent document 1, 1st wiring and 2nd wiring will approach. Will be. In this case, when the frequency of the current flowing through the first wiring and the second wiring is increased, there is a high possibility that a large induction magnetic field is generated in both the wirings, and as a result, a large noise may be generated in the output of the magnetic sensor. Get higher. Therefore, in the magnetic sensor according to the present invention, the first wiring and the second wiring are arranged so as not to overlap when viewed in plan.
本発明の磁気センサは電流センサの検出部として好適であり、本発明の磁気センサを備える電流センサは、ハイブリッド自動車、電気自動車などに用いられるモーター兼発電機の電流を計測する機器として好適である。 The magnetic sensor of the present invention is suitable as a detection unit of a current sensor, and the current sensor including the magnetic sensor of the present invention is suitable as a device for measuring the current of a motor / generator used in a hybrid vehicle, an electric vehicle, or the like. .
１０ａ…磁気センサ
１０ｂ…磁気センサ
１０ｃ…磁気センサ
１１…基板
１２…下引き層
１２ａ…メサ構造
１２ｂ…台形上面
１３…磁気測定素子
１４…中間層
１４ａ…第１面
１４ｂ…第２面
１５…第１配線
１６…第２配線
１７ａ，１７ｂ，１７ｃ，１７ｄ…端部領域
１８ａ，１８ｂ，１８ｃ，１８ｄ…スルーホール
２０…磁気比例式電流センサ
２１…電流線
２２…コイル
２３…オペアンプ
３０…ブリッジ回路
３１…抵抗
３２…抵抗
４０…磁気平衡式電流センサ
４１…電流線
４２…フィードバックコイル
４３…オペアンプ
４４…抵抗
１３１…磁気測定素子
１３２…磁気測定素子
Ｈ１…第１磁界
Ｈ２…第２磁界
Ｉ１…第１電流
Ｉ２…第２電流DESCRIPTION OF SYMBOLS 10a ... Magnetic sensor 10b ... Magnetic sensor 10c ... Magnetic sensor 11 ... Substrate 12 ... Undercoat layer 12a ... Mesa structure 12b ... Trapezoid upper surface 13 ... Magnetic measuring element 14 ... Intermediate layer 14a ... First surface 14b ... Second surface 15 ... First 1 wiring 16 ... 2nd wiring 17a, 17b, 17c, 17d ... end region 18a, 18b, 18c, 18d ... through hole 20 ... magnetic proportional current sensor 21 ... current wire 22 ... coil 23 ... operational amplifier 30 ... bridge circuit 31 ... resistor 32 ... resistor 40 ... magnetic balance type current sensor 41 ... current line 42 ... feedback coil 43 ... operational amplifier 44 ... resistor 131 ... magnetic measuring element 132 ... magnetic measuring element H 1... first magnetic field H 2... second magnetic field I1 ... first current I2 ... second current
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|---|---|---|---|---|
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| JP2003519780A (en)* | 1999-12-31 | 2003-06-24 | ハネウェル・インコーポレーテッド | Magnetic resistance signal insulation device |
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