JP2014183251A - Semiconductor laser device - Google Patents

Abstract

Translated fromJapanese

【課題】従来よりも光取り出し効率の高い半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】 半導体レーザ装置１は、半導体基板１０ａと、半導体基板１０ａの第１面側の上層に形成された第１反射鏡１１と、第１反射鏡１１の上層に形成された発光部１３と、発光部１３の上層に形成された第２反射鏡１５と、第２反射鏡１５の上層に形成されたコンタクト層１７と、半導体基板１０ａの前記第１面と反対の第２面側の上層に形成された第１電極１９ａと、コンタクト層１７の上層に形成された第２電極２１を備える。
前記第１電極１９ａは、前記発光部１３の形成側の面において、半導体基板１０ａ側に突き出た形状に形成され、この突き出た形状を複数個（２個以上）持つ。
【選択図】 図１A semiconductor laser device having higher light extraction efficiency than conventional ones is provided.
A semiconductor laser device 1 includes a semiconductor substrate 10a, a first reflecting mirror 11 formed in an upper layer on the first surface side of the semiconductor substrate 10a, and a light emitting section 13 formed in an upper layer of the first reflecting mirror 11. A second reflecting mirror 15 formed in the upper layer of the light emitting portion 13, a contact layer 17 formed in the upper layer of the second reflecting mirror 15, and a second surface side opposite to the first surface of the semiconductor substrate 10a. A first electrode 19 a formed in the upper layer and a second electrode 21 formed in the upper layer of the contact layer 17 are provided.
The first electrode 19a is formed in a shape protruding toward the semiconductor substrate 10a on the surface on which the light emitting unit 13 is formed, and has a plurality (two or more) of the protruding shapes.
[Selection] Figure 1

Description

Translated fromJapanese

本発明は半導体レーザ装置に関する。  The present invention relates to a semiconductor laser device.

半導体レーザ装置として、近年、基板面に垂直な方向に光を取り出す構成の垂直外部共振器型面発光レーザ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ｅｘｔｅｒｎａｌ Ｃａｖｉｔｙ Ｓｕｒｆａｃｅ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｌａｓｅｒｓ：以下、「ＶＥＣＳＥＬ」と略記する。）の開発が進められている（例えば、下記特許文献１、非特許文献１参照）。  As a semiconductor laser device, in recent years, development of a vertical external cavity surface emitting laser (Vertical External Cavity Surface Emitting Lasers: hereinafter abbreviated as “VECSEL”) having a configuration in which light is extracted in a direction perpendicular to the substrate surface has been advanced. (For example, seePatent Document 1 and Non-PatentDocument 1 below).

図６は、特許文献１や非特許文献１に開示された従来のＶＥＣＳＥＬ構造のレーザ装置の模式的断面図である。従来のレーザ装置９０は、半導体基板４０の上面に、ｎ側多層膜反射鏡１１、発光部１３、及びｐ側多層膜反射鏡１５を備え、発光部１３を一対の反射鏡１１及び１５が半導体基板４０の面に垂直な方向に挟み込む構成である。  FIG. 6 is a schematic cross-sectional view of a conventional laser device having a VECSEL structure disclosed inPatent Document 1 andNon-Patent Document 1. The conventional laser device 90 includes an n-side multilayer reflector 11, alight emitting unit 13, and a p-side multilayer reflector 15 on the upper surface of thesemiconductor substrate 40, and the pair of reflectingmirrors 11 and 15 is a semiconductor. The structure is sandwiched in a direction perpendicular to the surface of thesubstrate 40.

また、ｐ側多層膜反射鏡１５の上層には、高濃度のコンタクト層１７を介してｐ側電極２１が形成されている。一方、発光部１３や一対の反射鏡１１及び１５が形成されていない側において、半導体基板４０の面上にはｎ側電極１９が形成されている。  A p-side electrode 21 is formed on the p-side multilayer mirror 15 via a high-concentration contact layer 17. On the other hand, an n-side electrode 19 is formed on the surface of thesemiconductor substrate 40 on the side where thelight emitting unit 13 and the pair of reflectingmirrors 11 and 15 are not formed.

ｎ側多層膜反射鏡１１、発光部１３、ｐ側多層膜反射鏡１５及びコンタクト層１７の多層構造体の外側には絶縁層２５が形成されている。この絶縁層２５は、ｐ側電極２１とｎ側電極１９の間にバイアス電圧が印加された際、発光効率を高めるべく発光部１３を含む上記多層構造体の領域に電流を集中させ、その外側の領域に電流を流さないようにするための高抵抗層（電流狭窄層）を構成する。そして、この絶縁層２５の周囲をパッシベーション層２７が覆っている。  Aninsulating layer 25 is formed outside the multilayer structure of the n-side multilayer mirror 11, thelight emitting unit 13, the p-side multilayer reflector 15 and thecontact layer 17. When a bias voltage is applied between the p-side electrode 21 and the n-side electrode 19, theinsulating layer 25 concentrates a current in the region of the multilayer structure including the light-emittingportion 13 in order to increase the light emission efficiency, and A high resistance layer (current confinement layer) for preventing current from flowing in the region is configured. Apassivation layer 27 covers the periphery of theinsulating layer 25.

半導体基板４０に対して、光取り出し方向ｄ１の向きに離間した位置には、外部出力ミラー３が備えられている。  Anexternal output mirror 3 is provided at a position separated from thesemiconductor substrate 40 in the light extraction direction d1.

ｐ側電極２１とｎ側電極１９の間にバイアス電圧を印加することにより、発光部１３に電流が流れて当該領域が発光する。この光は、外部出力ミラー３、ｎ側多層膜反射鏡１１、及びｐ側多層膜反射鏡１５によって形成される共振器で共振され、励起された光がレーザ光５として外部出力ミラー３から放出される。  By applying a bias voltage between the p-side electrode 21 and the n-side electrode 19, a current flows through thelight emitting unit 13 and the region emits light. This light is resonated by a resonator formed by theexternal output mirror 3, the n-side multilayer reflector 11, and the p-side multilayer reflector 15, and the excited light is emitted from theexternal output mirror 3 aslaser light 5. Is done.

なお、図６に示すレーザ装置９０は、ｎ側電極１９の形成側がレーザ光５の取り出し面となっているため（取り出し方向ｄ１）、ｎ側電極１９は、光の通路を遮らないような形状となっている。具体的には、図６のレーザ装置９０においては、ｎ側電極１９がドーナツ形状を構成している。また、その内側の位置であって、半導体基板４０のｎ側電極１９が形成されている側の面上には、誘電体層２９が形成されている。当該誘電体層２９は、共振中の光の損失を抑制するために設けられている。  In the laser device 90 shown in FIG. 6, the formation side of the n-side electrode 19 is the extraction surface of the laser beam 5 (extraction direction d1), and therefore the n-side electrode 19 has a shape that does not block the light path. It has become. Specifically, in the laser device 90 of FIG. 6, the n-side electrode 19 forms a donut shape. Adielectric layer 29 is formed on the inner surface of thesemiconductor substrate 40 on the surface where the n-side electrode 19 is formed. Thedielectric layer 29 is provided to suppress loss of light during resonance.

コンタクト層１７は、高濃度（例えば、１×１０^１８／ｃｍ^３以上）のキャリアがドープされており、ｐ側電極２１との間のコンタクト抵抗値を下げる役割を果たしている。Thecontact layer 17 is doped with high-concentration (for example, 1 × 10¹⁸ / cm³ or more) carriers, and plays a role of reducing the contact resistance value with the p-side electrode 21.

ここで、同様に、ｎ側電極１９と半導体基板４０の間の抵抗値を下げるべく、例えば半導体基板４０を高濃度にドープする方法が考えられる。  Here, similarly, in order to lower the resistance value between the n-side electrode 19 and thesemiconductor substrate 40, for example, a method of doping thesemiconductor substrate 40 at a high concentration is conceivable.

しかし、一般的に高濃度にドープされた半導体層は、光を多く吸収することが知られている。図６の構成によれば、発光部１３で生成された光は、外部出力ミラー３との間で半導体基板４０内を通過しながら反射を繰り返した後、外部へと取り出される構成である。従って、半導体基板４０を高濃度でドープした場合、発光部１３で生成された光が半導体基板４０内で吸収されてしまい、取り出し効率が低下するという問題がある。  However, it is generally known that highly doped semiconductor layers absorb a lot of light. According to the configuration of FIG. 6, the light generated by thelight emitting unit 13 is extracted after being repeatedly reflected while passing through thesemiconductor substrate 40 with theexternal output mirror 3. Therefore, when thesemiconductor substrate 40 is doped at a high concentration, the light generated by thelight emitting unit 13 is absorbed in thesemiconductor substrate 40, and there is a problem that the extraction efficiency is lowered.

このような点に鑑み、特許文献１や非特許文献１の構成では、半導体基板４０として、低濃度キャリア（例えば、５×１０^１６／ｃｍ^３以上、５×１０^１７／ｃｍ^３以下程度）のＧａＡｓ基板を採用している。In view of such points, in the configurations ofPatent Document 1 andNon-Patent Document 1, as thesemiconductor substrate 40, low-concentration carriers (for example, about 5 × 10¹⁶ / cm³ or more and about 5 × 10¹⁷ / cm³ or less) are used. A GaAs substrate is used.

特表２００６−５１１９６６号公報JP-T 2006-511966

Ｇｒｅｇｏｒｙ Ｔ． Ｎｉｖｅｎ， ｅｔ．ａｌ． 「Ｌａｓｅｒ ｌｉｇｈｔｉｎｇ ｒｅｖｏｌｕｔｉｏｎ − Ｃｏｍｉｎｇ ｓｏｏｎ ｔｏ ａ ｔｈｅａｔｅｒ ｎｅａｒ ｙｏｕ− 」， Ｄｅｃｅｍｂｅｒ ２０１０， Ｏｐｔｉｋ ＆ Ｐｈｏｔｏｎｉｋ Ｎｏ．４， ｐ３４〜ｐ３７Gregory T. Niven, et. al. “Laser lighting revolution-Coming so to the near you-”, December 2010, Optik & Photo No. 4, p34-p37

しかし、半導体基板４０として、このような低濃度のＧａＡｓ基板を用いると、半導体基板４０とｎ側電極１９の間のコンタクト抵抗や、半導体基板４０内の抵抗が大きくなる。このため、駆動時にｐ側電極２１とｎ側電極１９の間にバイアス電圧を印加すると高いジュール熱が発生し、これに起因してレーザ装置９０が大きく昇温する。温度が上昇するとレーザ光５の波長が長波長側にシフトするため、所望の発光波長の光の取り出し効率は低下してしまう。  However, when such a low concentration GaAs substrate is used as thesemiconductor substrate 40, the contact resistance between thesemiconductor substrate 40 and the n-side electrode 19 and the resistance in thesemiconductor substrate 40 increase. For this reason, when a bias voltage is applied between the p-side electrode 21 and the n-side electrode 19 during driving, high Joule heat is generated, and the laser apparatus 90 is greatly heated due to this. When the temperature rises, the wavelength of thelaser beam 5 shifts to the longer wavelength side, so that the light extraction efficiency of a desired emission wavelength is lowered.

なお、ｎ側電極１９と半導体基板４０の間の抵抗値を下げるべく、ｎ側電極１９と半導体基板４０の間に高濃度のコンタクト層を形成する方法も考えられる。しかし、この方法を採用した場合、ｎ側電極１９と半導体基板４０の間のコンタクト抵抗値は低下させられるものの、低濃度の半導体基板４０内を電流が通過することには変わりがないため、素子全体の抵抗を低下させることはできない。よって、高いジュール熱が発生してレーザ光５の波長が長波長側にシフトする点において、上記従来構成と同様の課題を有している。  A method of forming a high-concentration contact layer between the n-side electrode 19 and thesemiconductor substrate 40 is also conceivable in order to reduce the resistance value between the n-side electrode 19 and thesemiconductor substrate 40. However, when this method is employed, the contact resistance value between the n-side electrode 19 and thesemiconductor substrate 40 can be reduced, but there is no change in the current passing through the low-concentration semiconductor substrate 40. The overall resistance cannot be reduced. Therefore, it has the same problem as the conventional configuration in that high Joule heat is generated and the wavelength of thelaser light 5 is shifted to the long wavelength side.

本発明は、上記の点に鑑み、従来よりも光取り出し効率の高い半導体レーザ装置を提供することを目的とする。  In view of the above points, an object of the present invention is to provide a semiconductor laser device having higher light extraction efficiency than conventional ones.

本発明の半導体レーザ装置は、
半導体基板と、
前記半導体基板の第１面側の上層に形成された第１反射鏡と、
前記第１反射鏡の上層に形成された発光部と、
前記発光部の上層に形成された第２反射鏡と、
前記第２反射鏡の上層に形成されたコンタクト層と、
前記半導体基板の前記第１面と反対の第２面側の上層に形成された第１電極と、
前記コンタクト層の上層に形成された第２電極を備え、
前記第１電極は、前記半導体基板と接触し、当該半導体基板の発光部が形成されている半導体基板側に突き出た形状に形成され、この突き出た形状を複数個持つことを特徴とする。The semiconductor laser device of the present invention is
A semiconductor substrate;
A first reflecting mirror formed in an upper layer on the first surface side of the semiconductor substrate;
A light emitting part formed in an upper layer of the first reflecting mirror;
A second reflecting mirror formed on an upper layer of the light emitting unit;
A contact layer formed on an upper layer of the second reflecting mirror;
A first electrode formed in an upper layer on the second surface side opposite to the first surface of the semiconductor substrate;
A second electrode formed on the contact layer;
The first electrode is in contact with the semiconductor substrate and is formed in a shape protruding toward the semiconductor substrate on which the light emitting portion of the semiconductor substrate is formed, and has a plurality of protruding shapes.

上記構成によれば、半導体基板と第１電極間の電気を伝える接触面積は、半導体基板側に突き出た形状部の表面積分だけ加わり、増大する。つまり、半導体基板と第１電極間のコンタクト抵抗Ｒ（＝（コンタクト抵抗率）Ｘ（長さ）÷（面積））は接触面積の増大に伴い低下し、ジュール熱を減らすことができる。
また、突き出た形状の電極部分を配置された部位は、半導体基板の厚さが薄くなるので、半導体基板内部の電気抵抗を減らせ、かつ、半導体基板自身の熱伝導率による温度上昇も減らすことができる。According to the above configuration, the contact area for transmitting electricity between the semiconductor substrate and the first electrode is increased by the surface integral of the shape portion protruding toward the semiconductor substrate. That is, the contact resistance R (= (contact resistivity) X (length) ÷ (area)) between the semiconductor substrate and the first electrode decreases with an increase in contact area, and Joule heat can be reduced.
In addition, since the thickness of the semiconductor substrate is reduced at the portion where the protruding electrode portion is disposed, the electrical resistance inside the semiconductor substrate can be reduced, and the temperature rise due to the thermal conductivity of the semiconductor substrate itself can be reduced. it can.

つまり、半導体基板と第１電極間オーミックコンタクトの電気抵抗率が大きくても、第１電極が半導体基板側へ突き出ることにより、これらの接触面積が増大する構成となる。よって、第１電極を半導体基板側に突き出た形状にすることで、第１電極から半導体基板までの電気抵抗を減らす構成にすることができる。従って、半導体基板から第１電極までに発生するジュール熱は、従来構成と比べて削減されるため、これに起因するレーザ装置の温度上昇が抑えられ、レーザ光の波長シフトも抑えられるため、所望の発光波長の光の取り出し効率が低下しない。  That is, even if the electrical resistivity of the ohmic contact between the semiconductor substrate and the first electrode is large, the contact area is increased by the first electrode protruding toward the semiconductor substrate. Therefore, by forming the first electrode in a shape protruding toward the semiconductor substrate, it is possible to reduce the electrical resistance from the first electrode to the semiconductor substrate. Therefore, since Joule heat generated from the semiconductor substrate to the first electrode is reduced as compared with the conventional configuration, the temperature rise of the laser device due to this is suppressed, and the wavelength shift of the laser light is also suppressed. The extraction efficiency of the light having the emission wavelength is not lowered.

また、第１電極は半導体基板側に突き出ているため、電気伝導路かつ熱伝導路でもある半導体基板の長さが短くでき、半導体基板内部の温度上昇は低い値が実現される。この結果、高いジュール熱が発生して、発光波長がシフトすることで、所望の発光波長の光の取り出し効率が低下するという問題も解消する。  Further, since the first electrode protrudes toward the semiconductor substrate, the length of the semiconductor substrate that is also an electric conduction path and a heat conduction path can be shortened, and a low value of temperature rise inside the semiconductor substrate is realized. As a result, high Joule heat is generated and the emission wavelength is shifted, so that the problem that the extraction efficiency of light having a desired emission wavelength is reduced is also solved.

つまり、上記の構成によれば、素子の低抵抗化と光の取り出し効率の向上という両者を同時に実現することができる  That is, according to the above configuration, it is possible to simultaneously realize both the reduction of the resistance of the element and the improvement of the light extraction efficiency.

より具体的な第１の構成として、前記第１電極の半導体基板側に突き出た形状に円筒状を適用した構成とすることができる。  As a more specific first configuration, a cylindrical shape can be applied to the shape of the first electrode protruding toward the semiconductor substrate.

この構成では、円板部に側面の円筒部が追加された分だけ接触面積が増加している。
これにより、上記効果が実現される。In this configuration, the contact area is increased by the addition of the side cylindrical portion to the disc portion.
Thereby, the above effect is realized.

更にこのとき、円筒内部に第１電極材料を充填する構成としても構わない。  Further, at this time, the first electrode material may be filled inside the cylinder.

これらの構成によれば、半導体基板として低濃度キャリア基板を使用しても、第１電極から半導体基板までの電気抵抗を減らすことができる。よって、第１電極と半導体基板間のコンタクト抵抗を含む電気抵抗を減らし、ジュール熱による温度上昇を抑制することができ、安定して高い光の取り出し効率が実現される。  According to these configurations, even when a low-concentration carrier substrate is used as the semiconductor substrate, the electrical resistance from the first electrode to the semiconductor substrate can be reduced. Therefore, electrical resistance including contact resistance between the first electrode and the semiconductor substrate can be reduced, temperature rise due to Joule heat can be suppressed, and high light extraction efficiency can be realized stably.

また、より具体的な第２の構成として、前記第１電極の半導体基板側に突き出た形状が矩形溝の波板形状を適用した構成とすることができる。なお、本発明における波板形状とは、凹凸形状が平行して複数繰り返し形成されている状態を言う。  Further, as a more specific second configuration, a configuration in which the corrugated shape of a rectangular groove is applied to the shape of the first electrode protruding toward the semiconductor substrate side can be employed. In addition, the corrugated plate shape in the present invention refers to a state in which a plurality of uneven shapes are repeatedly formed in parallel.

この構成では、半導体基板側に突き出た矩形溝の側面部が追加された分だけ接触面積が増加している。また、第１電極は半導体基板側に突き出ているため、電気伝導路かつ熱伝導路でもある半導体基板の長さが短くなっている。これらにより上記効果が実現される。  In this configuration, the contact area is increased by the addition of the side surface portion of the rectangular groove protruding to the semiconductor substrate side. Further, since the first electrode protrudes toward the semiconductor substrate, the length of the semiconductor substrate that is also an electric conduction path and a heat conduction path is shortened. These effects are realized by these.

更にこのとき、第１電極の反半導体基板側（素子の外表面を形成する部分）の表面積（熱伝達面積）も増加するので、第１電極表面で発生する熱伝達による冷却効果も増大し、ますます、ジュール熱による温度上昇を抑制することができる。  In addition, since the surface area (heat transfer area) of the first electrode on the side opposite to the semiconductor substrate (the portion forming the outer surface of the element) is also increased, the cooling effect due to heat transfer generated on the surface of the first electrode is also increased. Increasingly, temperature rise due to Joule heat can be suppressed.

これらにより、素子の低抵抗化と光の取り出し効率の向上という両者を同時に実現することができる。  As a result, it is possible to simultaneously realize both a reduction in resistance of the element and an improvement in light extraction efficiency.

本発明の半導体レーザ装置によれば、光の通過経路上に高濃度領域を設けない状態で、コンタクト抵抗及び素子抵抗を低抵抗にすることができるので、従来よりも高い光取り出し効率が実現できる。  According to the semiconductor laser device of the present invention, since the contact resistance and the element resistance can be lowered without providing a high concentration region on the light passage path, higher light extraction efficiency can be realized than before. .

第１実施形態のレーザ装置の模式的断面図である。It is a typical sectional view of the laser apparatus of a 1st embodiment.第１実施形態のレーザ装置が搭載された半導体基板を光取り出し方向側から見たときの模式的平面図である。It is a typical top view when the semiconductor substrate with which the laser apparatus of 1st Embodiment is mounted is seen from the light extraction direction side.第１実施形態のレーザ装置の工程断面図の一部である。It is a part of process sectional drawing of the laser apparatus of 1st Embodiment.第１実施形態のレーザ装置の工程断面図の一部である。It is a part of process sectional drawing of the laser apparatus of 1st Embodiment.第１実施形態のレーザ装置の工程断面図の一部である。It is a part of process sectional drawing of the laser apparatus of 1st Embodiment.第１実施形態のレーザ装置の工程断面図の一部である。It is a part of process sectional drawing of the laser apparatus of 1st Embodiment.第１実施形態のレーザ装置の工程断面図の一部である。It is a part of process sectional drawing of the laser apparatus of 1st Embodiment.第１実施形態のレーザ装置の工程断面図の一部である。It is a part of process sectional drawing of the laser apparatus of 1st Embodiment.第１実施形態のレーザ装置の工程断面図の一部である。It is a part of process sectional drawing of the laser apparatus of 1st Embodiment.第１実施形態のレーザ装置の工程断面図の一部である。It is a part of process sectional drawing of the laser apparatus of 1st Embodiment.第２実施形態のレーザ装置の模式的断面図である。It is typical sectional drawing of the laser apparatus of 2nd Embodiment.第２実施形態のレーザ装置が搭載された半導体基板を光取り出し方向側から見たときの模式的平面図である。It is a typical top view when the semiconductor substrate with which the laser apparatus of 2nd Embodiment is mounted is seen from the light extraction direction side.従来のレーザ装置の模式的断面図である。It is typical sectional drawing of the conventional laser apparatus.

本発明の半導体レーザ装置（以下、適宜「レーザ装置」と略記する。）につき、図面を参照して説明する。なお、各図において図面の寸法比と実際の寸法比は必ずしも一致しない。  A semiconductor laser device of the present invention (hereinafter abbreviated as “laser device” as appropriate) will be described with reference to the drawings. In each figure, the dimensional ratio in the drawing does not necessarily match the actual dimensional ratio.

図１は、第１実施形態のレーザ装置の模式的断面図である。なお、図６と同一の要素に対しては、同一の符号を付している。    FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of the laser apparatus of the first embodiment. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the element same as FIG.

（構成）
第１実施形態のレーザ装置１は、半導体基板１０ａ、ｎ側多層膜反射鏡１１（「第１反射鏡」に対応）、発光部１３、ｐ側多層膜反射鏡１５（「第２反射鏡」に対応）、コンタクト層１７、ｎ側電極１９ａ（「第１電極」に対応）、ｐ側電極２１（「第２電極」に対応）を有する。(Constitution)
Thelaser device 1 of the first embodiment includes asemiconductor substrate 10a, an n-side multilayer reflector 11 (corresponding to a “first reflector”), alight emitting unit 13, and a p-side multilayer reflector 15 (“second reflector”). ), Acontact layer 17, an n-side electrode 19a (corresponding to “first electrode”), and a p-side electrode 21 (corresponding to “second electrode”).

半導体基板１０ａの一方の面（「第１面」に対応）の上層にはｎ側多層膜反射鏡１１が形成されており、ｎ側多層膜反射鏡１１の上層に発光部１３が形成され、発光部１３の上層にｐ側多層膜反射鏡１５が形成される。ｐ側多層膜反射鏡１５の上層にコンタクト層１７が形成され、コンタクト層１７の上層にｐ側電極２１が形成される。  The n-side multilayer reflector 11 is formed on the upper surface of one surface (corresponding to the “first surface”) of thesemiconductor substrate 10a, and thelight emitting section 13 is formed on the upper layer of the n-side multilayer reflector 11, A p-side multilayer mirror 15 is formed in the upper layer of thelight emitting unit 13. Acontact layer 17 is formed above the p-side multilayer reflector 15, and a p-side electrode 21 is formed above thecontact layer 17.

また、半導体基板１０ａの他方の面（「第２面」に対応）には、ｎ側電極１９ａが形成されている。  An n-side electrode 19a is formed on the other surface (corresponding to the “second surface”) of thesemiconductor substrate 10a.

図１では、光取り出し方向ｄ１は半導体基板１０ａの発光部１３及び一対の反射鏡１１，１５が形成されている側と反対側であり、半導体基板１０ａとこの方向ｄ１に離間した位置には外部出力ミラー３が形成される。なお、図６に示すレーザ装置９０と同様に、図１に示すレーザ装置１も電流狭窄用の絶縁層２５、パッシベーション層２７、誘電体層２９を備えている。  In FIG. 1, the light extraction direction d1 is opposite to the side where thelight emitting portion 13 and the pair of reflectingmirrors 11 and 15 are formed on thesemiconductor substrate 10a, and the position separated from thesemiconductor substrate 10a in this direction d1 is external. Anoutput mirror 3 is formed. Similar to the laser device 90 shown in FIG. 6, thelaser device 1 shown in FIG. 1 includes an insulatinglayer 25 for current confinement, apassivation layer 27, and adielectric layer 29.

半導体基板１０ａは、例えばＧａＡｓ基板で構成される。ここで、本実施形態においては、半導体基板１０ａは、キャリア濃度が１×１０^１８／ｃｍ^３未満、より好ましくは５×１０^１７／ｃｍ^３以下の低濃度でドープされている。Thesemiconductor substrate 10a is composed of, for example, a GaAs substrate. Here, in this embodiment, thesemiconductor substrate 10a is doped at a low concentration of carrier concentration of less than 1 × 10¹⁸ / cm³ , more preferably 5 × 10¹⁷ / cm³ or less.

発光部１３は、取り出すレーザ光５の波長に応じた材料で構成される。例えば、発光波長が０．８μｍ〜１μｍの場合はＧａＩｎＡｓ又はＡｌＧａＡｓなどが用いられる。  Thelight emitting unit 13 is made of a material corresponding to the wavelength of thelaser beam 5 to be extracted. For example, when the emission wavelength is 0.8 μm to 1 μm, GaInAs or AlGaAs is used.

ｎ側多層膜反射鏡１１及びｐ側多層膜反射鏡１５は、所望の波長に対して吸収が少なく、且つ屈折率の異なる２種類の材料が積層されたもの、例えば、ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ又はＧａＡｓ／ＡｌＡｓなどが用いられる。また、各反射鏡１１，１５を構成する各層の厚さは、材料及び波長に応じた厚さとされる。なお、ｐ側多層膜反射鏡１５の反射率を９９％以上、ｎ側多層膜反射鏡１１の反射率を２０％以上９０％以下の範囲とするのが好ましい。ｎ側多層膜反射鏡１１の反射率をｐ側多層膜反射鏡１５よりも低くしているのは、発光部１３からの光が、ｎ側多層膜反射鏡１１とｐ側多層膜反射鏡１５の間で反射を繰り返すことで励起された後、ｎ側多層膜反射鏡１１を通過して外部へと取り出す必要があるためである。  The n-side multilayer mirror 11 and the p-side multilayer mirror 15 are formed by laminating two kinds of materials having little absorption with respect to a desired wavelength and different refractive indexes, for example, GaAs / AlGaAs or GaAs / AlAs or the like is used. Further, the thickness of each layer constituting each reflectingmirror 11 and 15 is set to a thickness according to the material and the wavelength. The reflectance of the p-side multilayer mirror 15 is preferably 99% or more, and the reflectance of the n-side multilayer mirror 11 is preferably 20% or more and 90% or less. The reason why the reflectance of the n-side multilayer reflector 11 is lower than that of the p-side multilayer reflector 15 is that the light from thelight emitting unit 13 is reflected by the n-side multilayer reflector 11 and the p-side multilayer reflector 15. This is because it is necessary to pass through the n-side multilayer mirror 11 and take out to the outside after being excited by repeating reflection between the two.

また、ｎ側多層膜反射鏡１１は、半導体基板１０ａと接触して形成されている。  The n-side multilayerfilm reflecting mirror 11 is formed in contact with thesemiconductor substrate 10a.

コンタクト層１７は、ｐ側多層膜反射鏡１５の上層に形成される。コンタクト層１７は、例えばＧａＡｓで構成され、コンタクト抵抗を小さくするために炭素（Ｃ）などのｐ型不純物が１×１０^１８／ｃｍ^３以上の高濃度でドープされている。Thecontact layer 17 is formed in the upper layer of the p-side multilayer mirror 15. Thecontact layer 17 is made of, for example, GaAs, and is doped with a p-type impurity such as carbon (C) at a high concentration of 1 × 10¹⁸ / cm³ or more in order to reduce the contact resistance.

上述したように、ｎ側電極１９ａは、半導体基板１０ａの発光部１３及び一対の反射鏡１１，１５が形成されている側と反対側の面、すなわち光取り出し方向ｄ１側の面に接触して形成されている。ｎ側電極１９ａの材料としては、例えばＮｉ／Ｇｅ／Ａｕ／Ｎｉ／ＡｕやＡｕ／Ｇｅ／Ｎｉ／Ａｕなどが利用可能である。  As described above, the n-side electrode 19a contacts the surface of thesemiconductor substrate 10a opposite to the side where thelight emitting portion 13 and the pair of reflectingmirrors 11 and 15 are formed, that is, the surface on the light extraction direction d1 side. Is formed. For example, Ni / Ge / Au / Ni / Au or Au / Ge / Ni / Au can be used as the material of the n-side electrode 19a.

ｐ側電極２１は、コンタクト層１７の上層に形成される。ｐ側電極２１はｎ側電極１９ａと同一の材料で形成して構わない。  The p-side electrode 21 is formed in the upper layer of thecontact layer 17. The p-side electrode 21 may be formed of the same material as the n-side electrode 19a.

図２は、半導体基板１０ａを、光取り出し方向側すなわちｎ側電極１９ａ側から見たときの模式的平面図である。なお、図２では、半導体基板１０ａ上にレーザ装置１が複数配列されている状態（本実施例では３つ）を示しており、レーザ装置１からの光取り出し方向は紙面の手前側である。  FIG. 2 is a schematic plan view of thesemiconductor substrate 10a when viewed from the light extraction direction side, that is, the n-side electrode 19a side. 2 shows a state in which a plurality oflaser devices 1 are arranged on thesemiconductor substrate 10a (three in this embodiment), and the light extraction direction from thelaser device 1 is the front side of the drawing.

このような構成の下、ｐ側電極２１とｎ側電極１９ａの間にバイアス電圧を印加すると、ｐ側電極２１、コンタクト層１７、ｐ側多層膜反射鏡１５、発光部１３、ｎ側多層膜反射鏡１１、半導体基板１０ａ、及びｎ側電極１９ａからなる電流経路が形成される。これにより、発光部１３に電流が流れ、当該領域が光を発する。この光は、ｐ側多層膜反射鏡１５、ｎ側多層膜反射鏡１１、及び外部出力ミラー３にて構成される共振器内を共振しながら励起され、レーザ光５として外部に取り出される。  Under such a configuration, when a bias voltage is applied between the p-side electrode 21 and the n-side electrode 19a, the p-side electrode 21, thecontact layer 17, the p-side multilayer reflector 15, thelight emitting unit 13, the n-side multilayer film A current path including the reflectingmirror 11, thesemiconductor substrate 10a, and the n-side electrode 19a is formed. Thereby, an electric current flows into thelight emission part 13, and the said area | region emits light. This light is excited while resonating in the resonator constituted by the p-side multilayer mirror 15, the n-side multilayer mirror 11, and theexternal output mirror 3, and is extracted outside aslaser light 5.

そして、ｎ側電極１９ａは低いキャリア濃度の半導体基板１０ａに接触しているためコンタクト抵抗率は大きいが、ｎ側電極１９を半導体基板１０側に突き出た形状にすることにより、ｎ側電極１９と半導体基板１０との間の電気伝導面積を大きくし、且つ、コンタクト抵抗を小さくできる。また、半導体基板１０ａ内部の電流経路長さを短くできるので半導体基板１０内部の電圧降下も小さくできる。さらに、ｐ側電極２１は高濃度のコンタクト層１７と接触しているので、コンタクト抵抗は低く抑えられる。これらにより素子全体の抵抗は低く抑えられる。これにより、高いジュール熱が発生して、発光波長がシフトし、所望の発光波長の光の取り出し効率が低下するという問題は解消する。  Since the n-side electrode 19a is in contact with thesemiconductor substrate 10a having a low carrier concentration, the contact resistivity is high. However, by forming the n-side electrode 19 so as to protrude toward thesemiconductor substrate 10, the n-side electrode 19a It is possible to increase the electric conduction area between thesemiconductor substrate 10 and the contact resistance. In addition, since the current path length inside thesemiconductor substrate 10a can be shortened, the voltage drop inside thesemiconductor substrate 10 can also be reduced. Furthermore, since the p-side electrode 21 is in contact with the high-concentration contact layer 17, the contact resistance can be kept low. As a result, the resistance of the entire element can be kept low. This eliminates the problem that high Joule heat is generated, the emission wavelength is shifted, and the light extraction efficiency of the desired emission wavelength is reduced.

なお、図１の構成において、誘電体層２９を備えない構成としても構わない。  In the configuration shown in FIG. 1, thedielectric layer 29 may not be provided.

また、上記実施形態では、半導体基板１０ａの光取り出し方向ｄ１側をｎ側、反対側をｐ側として説明したが、ｐ側とｎ側の位置を反転させても構わない。以下の実施形態でも同様である。  Moreover, although the said embodiment demonstrated the light extraction direction d1 side of thesemiconductor substrate 10a as the n side and the other side was the p side, you may invert the position of the p side and the n side. The same applies to the following embodiments.

（製造方法）
以下、図１に示すレーザ装置１の製造方法の一例につき、図３Ａ〜図３Ｇの各工程断面図を参照して説明する。(Production method)
Hereinafter, an example of the manufacturing method of thelaser apparatus 1 shown in FIG. 1 will be described with reference to the cross-sectional views of the steps in FIGS. 3A to 3G.

（ステップＳ１）
図３Ａに示すように、半導体基板１０ａ上に、ｎ側多層膜反射鏡１１、発光部１３、ｐ側多層膜反射鏡１５及びコンタクト層１７を下からこの順に結晶成長させる。(Step S1)
As shown in FIG. 3A, an n-side multilayer mirror 11, alight emitting section 13, a p-side multilayer reflector 15 and acontact layer 17 are grown on thesemiconductor substrate 10a in this order from the bottom.

ここで、半導体基板１０ａとしては、例えばキャリア濃度が５×１０^１７／ｃｍ^３以下の低濃度のＧａＡｓ基板が採用される。Here, as thesemiconductor substrate 10a, for example, a low concentration GaAs substrate having a carrier concentration of 5 × 10¹⁷ / cm³ or less is employed.

ｎ側多層膜反射鏡１１としては、ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ又はＧａＡｓ／ＡｌＡｓなどが用いられ、反射率が２０％以上９０％以下となるように積層数が設定される。発光部１３としては、ＧａＩｎＡｓ又はＡｌＧａＡｓなどが用いられ、発光波長に応じて採用される材料や組成比が設定される。ｐ側多層膜反射鏡１５としては、ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ又はＧａＡｓ／ＡｌＡｓなどが用いられ、反射率が９９％以上となるように積層数が設定される。なお、積層される膜厚の例としては、ｎ側多層膜反射鏡１１が１００ｎｍ〜２０００ｎｍ程度、発光部１３が５０ｎｍ〜２０００ｎｍ程度、ｐ側多層膜反射鏡１５が１０００ｎｍ〜５０００ｎｍ程度である。  As the n-side multilayer reflector 11, GaAs / AlGaAs or GaAs / AlAs is used, and the number of layers is set so that the reflectance is 20% or more and 90% or less. As thelight emitting unit 13, GaInAs, AlGaAs, or the like is used, and materials and composition ratios to be employed are set according to the emission wavelength. As the p-side multilayer mirror 15, GaAs / AlGaAs or GaAs / AlAs is used, and the number of layers is set so that the reflectance is 99% or more. As an example of the film thickness to be laminated, the n-side multilayer reflector 11 is about 100 nm to 2000 nm, thelight emitting portion 13 is about 50 nm to 2000 nm, and the p-side multilayer reflector 15 is about 1000 nm to 5000 nm.

また、コンタクト層１７としては、例えばＣなどのｐ型不純物が１×１０^１８／ｃｍ^３以上の高濃度でドープされたＧａＡｓが膜厚１０ｎｍ〜１０００ｎｍ程度成膜される。As thecontact layer 17, for example, GaAs doped with a p-type impurity such as C at a high concentration of 1 × 10¹⁸ / cm³ or more is formed to a thickness of about 10 nm to 1000 nm.

（ステップＳ２）
ステップＳ１で成膜された多層構造体を、ウェットエッチング法又はドライエッチング法によりメサ形状に加工する（図３Ｂ参照）。(Step S2)
The multilayer structure formed in step S1 is processed into a mesa shape by wet etching or dry etching (see FIG. 3B).

（ステップＳ３）
多層構造体のうち、例えば中央付近の領域をマスクしてイオン注入を行うことにより、電流狭窄層としての絶縁層２５（高抵抗層）を形成する（図３Ｃ参照）。なお、当該箇所を酸化することで絶縁層２５を形成してもよい。(Step S3)
Of the multilayer structure, for example, a region near the center is masked to perform ion implantation, thereby forming an insulating layer 25 (high resistance layer) as a current confinement layer (see FIG. 3C). Note that the insulatinglayer 25 may be formed by oxidizing the portion.

（ステップＳ４）
図３Ｄに示すように、スパッタ法又はＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：物理気相成長）法にて、例えばＳｉＮやＳｉＯ_２などの絶縁材料を膜厚１０ｎｍ〜２０００ｎｍ程度成膜し、パッシベーション層２７を形成する。(Step S4)
As shown in FIG. 3D, an insulating material such as SiN or SiO₂ is formed to a thickness of about 10 nm to 2000 nm by sputtering or PVD (Physical Vapor Deposition), and apassivation layer 27 is formed. To do.

（ステップＳ５）
例えば、コンタクト層１７の上方に係る位置以外をマスクして、ウェットエッチング法又はドライエッチング法により非マスク領域に形成されたパッシベーション層２７を除去する。その後、当該領域にスパッタ法又は真空蒸着法によって例えばＡｕ／Ｚｎ／ＡｕやＴｉ／Ｐｔ／Ａｕなどの電極材料を膜厚１００ｎｍ〜３０００ｎｍ程度成膜して、ｐ側電極２１を形成する。（図３Ｅ参照）。(Step S5)
For example, thepassivation layer 27 formed in the non-mask region is removed by a wet etching method or a dry etching method while masking other than the position above thecontact layer 17. Thereafter, an electrode material such as Au / Zn / Au or Ti / Pt / Au is formed in a thickness of about 100 nm to 3000 nm in the region by sputtering or vacuum vapor deposition to form the p-side electrode 21. (See FIG. 3E).

（ステップＳ６）
その後、ＳｉＯ_２， Ｔａ_２Ｏ_５， ＳｉＮＯなどで構成される光学薄膜を、露出されている半導体基板１０ａの面に発光層１３が形成されている側と反対側の方向から、スパッタ法又は真空蒸着法によって膜厚１０ｎｍ〜１０００ｎｍ程度成膜し、誘電体層２９を形成する（図３Ｆ参照）(Step S6)
Thereafter, an optical thin film composed of SiO₂ , Ta₂ O₅ , SiNO or the like is sputtered or vacuumed from the direction opposite to the side where thelight emitting layer 13 is formed on the exposed surface of thesemiconductor substrate 10a. A film thickness of about 10 nm to 1000 nm is formed by vapor deposition to form a dielectric layer 29 (see FIG. 3F).

（ステップＳ７）
半導体基板１０ａの発光層１３が形成されている側と反対側の面に対し、ウェットエッチング法又はドライエッチング法により、基板面に直交する方向に半導体基板１０ａ側にｎ側電極１９ａが突き出るように半導体基板１０ａに円筒状の凹みを形成する（図３Ｇ参照）。この凹みは、半導体基板１０ａの発光層１３が形成されている側と反対側の面から見て環状（円環状など）を示す。(Step S7)
An n-side electrode 19a protrudes toward thesemiconductor substrate 10a in a direction perpendicular to the substrate surface by wet etching or dry etching on the surface opposite to the side where thelight emitting layer 13 is formed of thesemiconductor substrate 10a. A cylindrical recess is formed in thesemiconductor substrate 10a (see FIG. 3G). This dent shows an annular shape (such as an annular shape) when viewed from the surface of thesemiconductor substrate 10a opposite to the side on which thelight emitting layer 13 is formed.

（ステップＳ８）
半導体基板１０ａの面に、発光層１３が形成されている側と反対側の方向から、スパッタ法又は真空蒸着法によって例えばＮｉ／Ｇｅ／Ａｕ／Ｎｉ／ＡｕやＡｕ／Ｇｅ／Ｎｉ／Ａｕなどの電極材料を膜厚１００ｎｍ〜３０００ｎｍ程度成膜して、ｎ側電極１９を形成する（図３Ｈ参照）。(Step S8)
For example, Ni / Ge / Au / Ni / Au or Au / Ge / Ni / Au is formed on the surface of thesemiconductor substrate 10a by a sputtering method or a vacuum deposition method from the direction opposite to the side where thelight emitting layer 13 is formed. An electrode material is formed to a thickness of about 100 nm to 3000 nm to form the n-side electrode 19 (see FIG. 3H).

上記ステップＳ１〜Ｓ８を経てレーザ装置１を製造する方法は、あくまで一例であり、この方法に限定されるものではない。また、成膜する膜厚の条件や用いられる材料も一例であり、上述した内容に限定されるものではない。  The method of manufacturing thelaser apparatus 1 through the above steps S1 to S8 is merely an example, and is not limited to this method. Moreover, the conditions of the film thickness to form and the material used are examples, and are not limited to the above-mentioned content.

レーザ装置の第２実施形態につき、第１実施形態と異なる箇所のみを説明する。  With respect to the second embodiment of the laser apparatus, only portions different from the first embodiment will be described.

（構成）
図４は、第２実施形態のレーザ装置の模式的断面図である。第２実施形態のレーザ装置１ａにおいては、ｎ側電極（第１電極）が半導体基板側に突き出た矩形溝の波板形状として形成されている。(Constitution)
FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of the laser device of the second embodiment. In thelaser device 1a of the second embodiment, the n-side electrode (first electrode) is formed as a corrugated plate having a rectangular groove protruding toward the semiconductor substrate.

なお、本実施形態では、半導体基板１０ａは第１実施形態と同等のキャリア濃度、すなわち、例えばキャリア濃度が５×１０^１７／ｃｍ^３以下の低濃度のＧａＡｓ基板が採用される。In the present embodiment, thesemiconductor substrate 10a is a GaAs substrate having a carrier concentration equivalent to that in the first embodiment, that is, a low concentration GaAs substrate having a carrier concentration of 5 × 10¹⁷ / cm³ or less, for example.

図５は、図２にならって、本実施形態のレーザ装置１ａが搭載された半導体基板１０ａを光取り出し方向側すなわちｎ側電極１９ａ側から見たときの模式的平面図である。  FIG. 5 is a schematic plan view of thesemiconductor substrate 10a on which thelaser device 1a according to the present embodiment is mounted as viewed from the light extraction direction side, that is, the n-side electrode 19a side, following FIG.

このような構成においても、第１実施形態と同様、ｎ側電極１９ａは低いキャリア濃度の半導体基板１０ａに接触しているためコンタクト抵抗率は大きい。しかし、ｎ側電極１９ａを半導体基板１０ａ側に突き出た形状にすることにより、ｎ側電極１９ａと半導体基板１０ａとの間の電気伝導面積を大きくでき、且つ、コンタクト抵抗を小さくできる。
また、半導体基板１０ａ内部の電流経路長さを短くできるので半導体基板１０ａ内部の電圧降下も小さくできる。ここで、ｐ側電極２１は高濃度のコンタクト層１７と接触しているので、コンタクト抵抗は低く抑えられている。さらに、ｎ側電極１９ａの反半導体基板側の表面積（熱伝達面積）も増加するので、ｎ側電極１９ａ表面における熱伝達による冷却効果も増大する。これにより、ますます、ジュール熱による温度上昇を抑制することができる。
これらにより素子全体の抵抗は低く抑えられる。よって、高いジュール熱が発生して、発光波長がシフトすることで、所望の発光波長の光の取り出し効率が低下するという問題は解消できる。Even in such a configuration, since the n-side electrode 19a is in contact with thesemiconductor substrate 10a having a low carrier concentration, as in the first embodiment, the contact resistivity is high. However, by forming the n-side electrode 19a so as to protrude toward thesemiconductor substrate 10a, the area of electrical conduction between the n-side electrode 19a and thesemiconductor substrate 10a can be increased, and the contact resistance can be reduced.
Further, since the current path length inside thesemiconductor substrate 10a can be shortened, the voltage drop inside thesemiconductor substrate 10a can also be reduced. Here, since the p-side electrode 21 is in contact with the high-concentration contact layer 17, the contact resistance is kept low. Furthermore, since the surface area (heat transfer area) of the n-side electrode 19a on the anti-semiconductor substrate side is also increased, the cooling effect by heat transfer on the surface of the n-side electrode 19a is also increased. Thereby, the temperature rise by Joule heat can be suppressed more and more.
As a result, the resistance of the entire element can be kept low. Therefore, the problem that the extraction efficiency of light having a desired emission wavelength is reduced due to generation of high Joule heat and shift of the emission wavelength can be solved.

（製造方法）
図４に示すレーザ装置１ａの製造方法については、第１実施形態と同じ手順で製造できるため、省略する。(Production method)
The manufacturing method of thelaser device 1a shown in FIG. 4 is omitted because it can be manufactured by the same procedure as in the first embodiment.

１ ： 半導体レーザ装置
３ ： 外部出力ミラー
５ ： レーザ光
１０ ： 半導体基板
１０ａ ： 低キャリア濃度の半導体基板
１１ ： ｎ側多層膜反射鏡（第１反射鏡）
１３ ： 発光部
１５ ： ｐ側多層膜反射鏡（第２反射鏡）
１７ ： コンタクト層
１９ ： ｎ側電極（第１電極）
１９ａ ： 非平面形状のｎ側電極（第１電極）
２１ ： ｐ側電極（第２電極）
２５ ： 電流狭窄層としての絶縁層
２７ ： パッシベーション層
２９ ： 誘電体層
４０ ： 半導体基板
９０ ： 従来のＶＥＣＳＥＬ構造のレーザ装置
ｄ１ ： レーザ光の取り出し方向1: Semiconductor laser device 3: External output mirror 5: Laser light 10:Semiconductor substrate 10a: Low carrier concentration semiconductor substrate 11: n-side multilayer mirror (first reflector)
13: Light-emitting part 15: P-side multilayer reflector (second reflector)
17: contact layer 19: n-side electrode (first electrode)
19a: Non-planar n-side electrode (first electrode)
21: p-side electrode (second electrode)
25: Insulating layer as a current confinement layer 27: Passivation layer 29: Dielectric layer 40: Semiconductor substrate 90: Conventional laser device with VECSEL structure d1: Laser beam extraction direction

Claims (4)

Translated fromJapanese

半導体基板と、
前記半導体基板の第１面側の上層に形成された第１反射鏡と、
前記第１反射鏡の上層に形成された発光部と、
前記発光部の上層に形成された第２反射鏡と、
前記第２反射鏡の上層に形成されたコンタクト層と、
前記半導体基板の前記第１面と反対の第２面側の上層に形成された第１電極と、
前記コンタクト層の上層に形成された第２電極と、を備え、
前記第１電極は、前記半導体基板と接触し、当該半導体基板の発光部が形成されている半導体基板側に突き出た形状に形成され、この突き出た形状を複数個持つことを特徴とする半導体レーザ装置。A semiconductor substrate;
A first reflecting mirror formed in an upper layer on the first surface side of the semiconductor substrate;
A light emitting part formed in an upper layer of the first reflecting mirror;
A second reflecting mirror formed on an upper layer of the light emitting unit;
A contact layer formed on an upper layer of the second reflecting mirror;
A first electrode formed in an upper layer on the second surface side opposite to the first surface of the semiconductor substrate;
A second electrode formed on an upper layer of the contact layer,
The first electrode is in contact with the semiconductor substrate and is formed in a shape protruding toward the semiconductor substrate on which the light emitting portion of the semiconductor substrate is formed, and has a plurality of protruding shapes apparatus. 前記第１電極の半導体基板側に突き出た形状が円筒状であることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ装置。  2. The semiconductor laser device according to claim 1, wherein a shape of the first electrode protruding toward the semiconductor substrate is cylindrical. 前記第１電極の半導体基板側に突き出た形状が矩形溝の波板状であることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ装置。  2. The semiconductor laser device according to claim 1, wherein a shape of the first electrode protruding toward the semiconductor substrate is a corrugated plate having a rectangular groove. 前記第１電極の半導体基板側に突き出た形状内部に電極材料を充填したことを特徴とする請求項２または請求項３に記載の半導体レーザ装置。  4. The semiconductor laser device according to claim 2, wherein an electrode material is filled in a shape protruding to the semiconductor substrate side of the first electrode. 5.

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