JP2014123655A - Substrate transfer apparatus, method for transferring substrate, and substrate processing system - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To surely prevent slip, drop or the like of a substrate while preventing a pad provided on a substrate transfer arm and a substrate to be transferred by the substrate transfer arm, from being bonded.SOLUTION: A first transfer apparatus 17 in a substrate processing system 10, is arranged in a transfer module 11 held in a vacuum environment, and comprises: a transfer arm 17a for transferring a wafer W for carrying in/out the wafer W to a process module 12 for performing a plasma treatment to the wafer W; a fork 17b arranged on a tip of the transfer arm 17a, on which the wafer W is placed; and a pad 17c arranged on the fork 17b so as to abut to a rear surface of the wafer W and hold the wafer W. A Peltier element 22 is mounted to the fork 17b or the pad 17c to transfer the wafer W in a state that the pad 17c is kept at a constant temperature.

Description

Translated fromJapanese

本発明は、半導体ウエハ等の基板を搬送する基板搬送装置及び基板搬送方法と、基板搬送装置を備える基板処理システムに関する。  The present invention relates to a substrate transfer apparatus and a substrate transfer method for transferring a substrate such as a semiconductor wafer, and a substrate processing system including the substrate transfer apparatus.

半導体ウエハ（以下「ウエハ」という）にプラズマエッチング等の処理を施す基板処理システムとして、複数枚のウエハが収容された容器であるフープ（ＦＯＵＰ）を載置するロードポートとウエハにプラズマ処理を施すプロセスモジュール（真空処理室）との間に、大気圧雰囲気に維持されてフープに対して半導体ウエハの搬入出を行うローダーモジュールと、真空圧雰囲気に維持されてプロセスモジュールに対してウエハの搬入出を行うトランスファモジュールと、ローダーモジュールとトランスファモジュールとの間に配置されて大気圧雰囲気と真空雰囲気とを選択的に切り替え可能なロードロックモジュールとを設けたものが知られている。このような基板処理システムでは、トランスファモジュールに第１のウエハ搬送装置を配置し、ローダーモジュールに第２のウエハ搬送装置を配置して、これらのウエハ搬送装置によりウエハをロードポートとプロセスモジュールとの間で搬送している。  2. Description of the Related Art As a substrate processing system for performing processing such as plasma etching on a semiconductor wafer (hereinafter referred to as “wafer”), the wafer is subjected to plasma processing on a load port on which a FOUP, which is a container containing a plurality of wafers, and a wafer are mounted. A loader module that carries in and out the semiconductor wafer with respect to the hoop between the process module (vacuum processing chamber) and a wafer module that carries in and out of the process module that is maintained in a vacuum atmosphere. And a load lock module that is disposed between the loader module and the transfer module and that can selectively switch between the atmospheric pressure atmosphere and the vacuum atmosphere. In such a substrate processing system, the first wafer transfer device is arranged in the transfer module, the second wafer transfer device is arranged in the loader module, and the wafer is transferred between the load port and the process module by these wafer transfer devices. It is transported between.

第１のウエハ搬送装置は、一般的に、屈曲や伸縮が可能なアームの先端部にフォーク（エンドエフェクタ）を備えた構造を有しており、このフォークに、ウエハの裏面に当接（接触）してウエハを支持する保持部材（パッド）を、例えば、３点支持で設けている。この保持部材には、一般的にゴム等の弾性材料が用いられているため、ウエハの熱により保持部材自体の材料特性が変化し、これに伴って保持部材のウエハに対する保持力が変化する。その結果、ウエハと保持部材とが固着し、ウエハの受け渡し時にウエハが保持部材から剥がれ難くなってしまうことがある。このようなウエハと保持部材との固着に対する対策としては、従来から保持部材の材質改善や形状変更等が提案されている（例えば、特許文献１参照）。  The first wafer transfer apparatus generally has a structure in which a fork (end effector) is provided at the tip of an arm that can be bent and stretched. The holding member (pad) for supporting the wafer is provided with, for example, three-point support. Since an elastic material such as rubber is generally used for the holding member, the material characteristics of the holding member itself change due to the heat of the wafer, and the holding force of the holding member with respect to the wafer changes accordingly. As a result, the wafer and the holding member may adhere to each other, and the wafer may be difficult to peel off from the holding member when the wafer is delivered. As countermeasures against such adhesion between the wafer and the holding member, conventionally, improvement of the material of the holding member, shape change, and the like have been proposed (for example, see Patent Document 1).

国際公開第２００９／００５０２７号International Publication No. 2009/005027

フォークに設けられた保持部材とウエハとの固着は、直径が３００ｍｍサイズのウエハでは大きな問題となることはなかった。しかし、近年の直径４５０ｍｍのウエハでは、この不具合が顕著に現れ始めている。即ち、ウエハの大型化に伴って、ウエハの熱と重量とに起因して、ウエハと保持部材との固着が発生しやすくなっており、この問題に対しては、従来の保持部材の材質改善や形状変更等では、十分に対応することが困難となってきている。  Adherence between the holding member provided on the fork and the wafer did not pose a major problem with a wafer having a diameter of 300 mm. However, in the recent wafer with a diameter of 450 mm, this problem has begun to appear remarkably. That is, as the size of the wafer increases, the wafer and the holding member are more likely to stick due to the heat and weight of the wafer. It has become difficult to fully respond to changes in shape and shape.

本発明の目的は、基板搬送アームが基板を搬送する際の基板と基板搬送アームに設けられたパッドとの固着を防止しながら、基板のずれや落下等を確実に防止することができる基板搬送装置及び基板搬送方法と、この基板搬送装置を備える基板処理システムを提供することにある。  SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a substrate transport capable of reliably preventing a substrate from being displaced or dropped while preventing the substrate transport arm from transporting a substrate and a pad provided on the substrate transport arm. The present invention provides an apparatus and a substrate transfer method, and a substrate processing system including the substrate transfer apparatus.

上記課題を解決するために、請求項１記載の基板搬送装置は、基板に対して所定の熱処理を施す処理室に対して熱処理前の基板の搬入と熱処理後の基板の搬出とを行う基板搬送装置であって、前記基板を搬送する搬送アームと、前記搬送アームの先端に配置され、前記基板が載置される載置部と、前記載置部の少なくとも３カ所に配置され、前記基板の裏面に当接して前記基板を保持する弾性材料からなる保持部材と、前記保持部材又は前記載置部に取り付けられて前記保持部材を所定の温度に維持する温度調節手段とを備えることを特徴とする。  In order to solve the above-mentioned problem, a substrate transfer apparatus according to claim 1, wherein a substrate transfer unit that carries in a substrate before heat treatment and unloads a substrate after heat treatment to a processing chamber that performs a predetermined heat treatment on the substrate. A transfer arm for transferring the substrate; a mounting portion disposed at a tip of the transfer arm; and the mounting portion on which the substrate is mounted; A holding member made of an elastic material that contacts the back surface and holds the substrate, and a temperature adjusting unit that is attached to the holding member or the mounting portion and maintains the holding member at a predetermined temperature. To do.

請求項２記載の基板搬送装置は、請求項１記載の基板搬送装置において、前記保持部材は、前記所定の温度において保持した基板の位置ずれ及び落下が生じず、且つ、前記基板との固着が生じないように表面加工がなされていることを特徴とする。  The substrate transfer apparatus according to claim 2 is the substrate transfer apparatus according to claim 1, wherein the holding member does not cause a positional shift and a drop of the substrate held at the predetermined temperature, and is not fixed to the substrate. It is characterized in that surface processing is performed so as not to occur.

請求項３記載の基板搬送装置は、請求項１又は２記載の基板搬送装置において、前記温度調節手段はペルチェ素子であることを特徴とする。  A substrate transfer apparatus according to a third aspect of the present invention is the substrate transfer apparatus according to the first or second aspect, wherein the temperature adjusting means is a Peltier element.

請求項４記載の基板搬送装置は、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の基板搬送装置において、前記所定の温度は、前記保持部材に保持される基板の温度範囲内であることを特徴とする。  The substrate transfer apparatus according to claim 4, wherein the predetermined temperature is within a temperature range of the substrate held by the holding member. Features.

請求項５記載の基板搬送装置は、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の基板搬送装置において、前記基板は直径が４５０ｍｍの円板状の半導体ウエハであることを特徴とする。  The substrate transfer apparatus according to claim 5 is the substrate transfer apparatus according to any one of claims 1 to 4, wherein the substrate is a disk-shaped semiconductor wafer having a diameter of 450 mm.

上記課題を解決するために、請求項６記載の基板搬送方法は、基板に対して所定の熱処理を施す処理室に対して熱処理前の基板の搬入と熱処理後の基板の搬出を行う基板搬送装置による基板搬送方法であって、前記基板搬送装置において前記基板の裏面に当接して前記基板を保持する弾性材料からなる保持部材を所定の温度に維持する温度調節ステップと、前記温度調節ステップにより温度調節された前記保持部材に前記処理前の基板又は前記処理後の基板を保持させる保持ステップと、前記保持ステップにより保持した前記基板を搬送する搬送ステップとを有することを特徴とする。  In order to solve the above-mentioned problem, the substrate transfer method according to claim 6 is a substrate transfer apparatus for carrying in a substrate before heat treatment and carrying out a substrate after heat treatment to a processing chamber for performing a predetermined heat treatment on the substrate. A temperature adjusting step of maintaining a holding member made of an elastic material in contact with the back surface of the substrate and holding the substrate at a predetermined temperature in the substrate transferring apparatus, and a temperature by the temperature adjusting step. And a holding step for holding the pre-processed substrate or the processed substrate on the adjusted holding member, and a transfer step of transferring the substrate held by the holding step.

請求項７記載の基板搬送方法は、請求項６記載の基板搬送方法において、前記保持部材は、前記所定の温度において保持した基板の位置ずれ及び落下が生じず、且つ、前記基板との固着が生じないように表面加工がなされていることを特徴とする。  The substrate transfer method according to claim 7 is the substrate transfer method according to claim 6, wherein the holding member does not cause a positional shift and a drop of the substrate held at the predetermined temperature, and the substrate is not fixed to the substrate. It is characterized in that surface processing is performed so as not to occur.

請求項８記載の基板搬送方法は、請求項６又は７記載の基板搬送方法において、前記温度調節ステップは、前記保持部材又は前記載置部に取り付けられたペルチェ素子によって行われることを特徴とする。  The substrate transfer method according to claim 8 is the substrate transfer method according to claim 6 or 7, wherein the temperature adjusting step is performed by a Peltier element attached to the holding member or the mounting portion. .

請求項９記載の基板搬送方法は、請求項６乃至８のいずれか１項に記載の基板搬送方法において、前記所定の温度を、前記保持部材に保持される基板の温度範囲内の温度とすることを特徴とする。  The substrate transfer method according to claim 9 is the substrate transfer method according to any one of claims 6 to 8, wherein the predetermined temperature is a temperature within a temperature range of the substrate held by the holding member. It is characterized by that.

請求項１０記載の基板搬送方法は、請求項６乃至９のいずれか１項に記載の基板搬送方法において、前記搬送ステップでは、前記基板として直径が４５０ｍｍの円板状の半導体ウエハを搬送することを特徴とする。  The substrate transfer method according toclaim 10 is the substrate transfer method according to any one of claims 6 to 9, wherein in the transfer step, a disk-shaped semiconductor wafer having a diameter of 450 mm is transferred as the substrate. It is characterized by.

上記課題を解決するために、請求項１１記載の基板搬送システムは、基板を載置する載置台を有する基板載置室と、前記基板に対して所定の熱処理を施す処理室と、前記基板載置室と前記処理室との間で前記基板を搬送する基板搬送装置とを備える基板処理システムであって、前記基板搬送装置は、前記基板を搬送する搬送アームと、前記搬送アームの先端に配置され、前記基板が載置される載置部と、前記載置部の少なくとも３カ所に配置され、前記基板の裏面に当接して前記基板を保持する弾性材料からなる保持部材と、前記保持部材又は前記載置部に取り付けられて前記保持部材を所定の温度に維持する温度調節手段とを備えることを特徴とする。  In order to solve the above-mentioned problem, a substrate transfer system according toclaim 11 includes a substrate mounting chamber having a mounting table for mounting a substrate, a processing chamber for performing a predetermined heat treatment on the substrate, and the substrate mounting. A substrate processing system comprising a substrate transfer device for transferring the substrate between a placement chamber and the processing chamber, wherein the substrate transfer device is arranged at a transfer arm for transferring the substrate and a tip of the transfer arm A holding member on which the substrate is placed, and a holding member made of an elastic material that is disposed at at least three locations of the placement portion and that contacts the back surface of the substrate and holds the substrate, and the holding member Or it is equipped with the temperature adjustment means attached to the mounting part mentioned above, and maintaining the said holding member at predetermined temperature, It is characterized by the above-mentioned.

請求項１２記載の基板搬送システムは、請求項１１記載の基板処理システムにおいて、前記保持部材は、前記所定の温度において保持した基板の位置ずれ及び落下が生じず、且つ、前記基板との固着が生じないように表面加工がなされていることを特徴とする。  The substrate transfer system according toclaim 12 is the substrate processing system according toclaim 11, wherein the holding member does not cause a positional deviation and a drop of the substrate held at the predetermined temperature, and the substrate is not fixed to the substrate. It is characterized in that surface processing is performed so as not to occur.

請求項１３記載の基板搬送システムは、請求項１１又は１２記載の基板処理システムにおいて、前記温度調節手段はペルチェ素子であることを特徴とする。  A substrate transfer system according to a thirteenth aspect is the substrate processing system according to the eleventh or twelfth aspect, wherein the temperature adjusting means is a Peltier element.

請求項１４記載の基板搬送システムは、請求項１１乃至１３のいずれか１項に記載の基板処理システムにおいて、前記基板は直径が４５０ｍｍの円板状の半導体ウエハであることを特徴とする。  The substrate transfer system according toclaim 14 is the substrate processing system according to any one ofclaims 11 to 13, wherein the substrate is a disk-shaped semiconductor wafer having a diameter of 450 mm.

請求項１５記載の基板搬送システムは、請求項１１乃至１４のいずれか１項に基板処理システムにおいて、前記基板載置室は、大気圧雰囲気と真空雰囲気とを選択的に切り替え可能に構成され、前記処理室は、真空雰囲気に保持されて、その内部に収容された基板に対して前記所定の熱処理を施し、前記基板搬送装置は、真空雰囲気に保持された搬送室内に配置されていることを特徴とする。  The substrate transfer system according toclaim 15 is the substrate processing system according to any one ofclaims 11 to 14, wherein the substrate mounting chamber is configured to be capable of selectively switching between an atmospheric pressure atmosphere and a vacuum atmosphere, The processing chamber is held in a vacuum atmosphere, the substrate is housed therein, and the predetermined heat treatment is performed on the substrate, and the substrate transfer apparatus is disposed in a transfer chamber held in a vacuum atmosphere. Features.

本発明によれば、基板搬送装置において、基板を保持する保持部材の温度を一定に維持する。また、この略一定の温度で保持部材の基板に対する保持力が適切となるように、保持部材を調整しておく。これにより、保持部材が基板を搬送する際に基板を保持する保持力を一定に保つことができるため、搬送する基板の温度にかかわらず、搬送中の基板に位置ずれや落下が生じることを回避しつつ、保持部材と基板との固着を防止することができる。このような効果は、特に、温度の異なる大型の基板を搬送する基板搬送装置に極めて顕著に得ることができる。  According to the present invention, in the substrate transport apparatus, the temperature of the holding member that holds the substrate is kept constant. Further, the holding member is adjusted so that the holding force of the holding member with respect to the substrate is appropriate at the substantially constant temperature. As a result, the holding force for holding the substrate when the holding member transports the substrate can be kept constant, so that the substrate being transported is prevented from being displaced or dropped regardless of the temperature of the substrate being transported. However, sticking between the holding member and the substrate can be prevented. Such an effect can be obtained particularly remarkably in a substrate transport apparatus that transports large substrates having different temperatures.

本発明の実施の形態に係る基板搬送装置を備える基板処理システムの概略構成を示す平面図である。It is a top view showing a schematic structure of a substrate processing system provided with a substrate transfer device concerning an embodiment of the invention.図１の基板処理システムが備える第１の搬送装置が備えるフォークの構造と、図１の基板処理システムが備えるプロセスモジュールに対する第１の搬送機構による基板の搬入出時のフォークとリフトピンとの位置関係を示す平面図及び断面図である。The fork structure provided in the first transfer device provided in the substrate processing system of FIG. 1 and the positional relationship between the fork and the lift pin when the substrate is carried in and out by the first transfer mechanism with respect to the process module provided in the substrate processing system of FIG. It is the top view and sectional drawing which show.図２に示すフォークに配置されたパッドに対するペルチェ素子（温度調節手段）の配置例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the example of arrangement | positioning of the Peltier device (temperature adjustment means) with respect to the pad arrange | positioned at the fork shown in FIG.

以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。ここでは、基板として直径が４５０ｍｍ（φ４５０）の半導体ウエハ（ウエハ）を取り上げ、ウエハに高温処理の一例であるプラズマ処理を施す基板処理システムを取り上げることとする。  Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. Here, a semiconductor wafer (wafer) having a diameter of 450 mm (φ450) is taken up as a substrate, and a substrate processing system that performs plasma processing, which is an example of high-temperature processing, is taken up.

図１は、本発明の実施の形態に係る基板搬送装置を備える基板処理システム１０の概略構成を示す平面図である。基板処理システム１０は、ウエハＷを枚葉で（１枚ずつ）プラズマ処理を施すように構成されている。詳しくは、基板処理システム１０は、平面視略五角形状のトランスファモジュール１１（基板搬送室）と、トランスファモジュール１１の周りに放射状に配置されてトランスファモジュール１１に接続された６つのプロセスモジュール１２（基板処理室）と、トランスファモジュール１１に対向して配置されたローダーモジュール１３と、トランスファモジュール１１及びローダーモジュール１３の間に介在する２つのロードロックモジュール１４（大気／真空切替室）とを備える。  FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of asubstrate processing system 10 including a substrate transfer apparatus according to an embodiment of the present invention. Thesubstrate processing system 10 is configured to perform plasma processing on wafers W (one by one). Specifically, thesubstrate processing system 10 includes a transfer module 11 (substrate transfer chamber) having a substantially pentagonal shape in plan view, and six process modules 12 (substrates) arranged radially around thetransfer module 11 and connected to thetransfer module 11. A processing chamber), aloader module 13 disposed opposite to thetransfer module 11, and two load lock modules 14 (atmosphere / vacuum switching chamber) interposed between thetransfer module 11 and theloader module 13.

プロセスモジュール１２は真空チャンバを有し、真空チャンバ内にはウエハＷを載置するための円柱状のステージ１５が設けられている。プロセスモジュール１２では、ステージ１５にウエハＷが載置された後に、真空チャンバ内を減圧して処理ガスを導入すると共に、真空チャンバ内に高周波電力を印加してプラズマを生成させ、生成したプラズマによってウエハＷにエッチング処理等のプラズマ処理を施す。なお、プロセスモジュール１２とトランスファモジュール１１とは、開閉自在なゲートバルブ１６で仕切られる。  Theprocess module 12 has a vacuum chamber, and acolumnar stage 15 for mounting the wafer W is provided in the vacuum chamber. In theprocess module 12, after the wafer W is placed on thestage 15, the inside of the vacuum chamber is depressurized to introduce the processing gas, and high-frequency power is applied to the vacuum chamber to generate plasma. Plasma processing such as etching processing is performed on the wafer W. Theprocess module 12 and thetransfer module 11 are partitioned by agate valve 16 that can be freely opened and closed.

プロセスモジュール１２が備えるステージ１５には、ステージ１５の上面から突出自在に、複数（ここでは３本とする）の細棒状のリフトピン１５ａが設けられている。これらのリフトピン１５ａは、平面視において同一円周上に配置されており、ステージ１５の上面から突出することによってステージ１５に載置されたウエハＷを支持して持ち上げるとともに、ステージ１５内へ退出することによって支持したウエハＷをステージ１５へ載置する。  Thestage 15 provided in theprocess module 12 is provided with a plurality of (three in this case) thin rod-like lift pins 15 a so as to protrude from the upper surface of thestage 15. These lift pins 15 a are arranged on the same circumference in a plan view, and protrude from the upper surface of thestage 15 to support and lift the wafer W placed on thestage 15 and to retreat into thestage 15. Thus, the supported wafer W is placed on thestage 15.

トランスファモジュール１１は、真空（減圧）状態に維持されており、その内部には、２つのスカラアームタイプの２本の搬送アーム１７ａと、内部に配置された不図示のガイドレールとを有する第１の搬送機構１７が配置されている。２本の搬送アーム１７ａはそれぞれ、旋回自在かつ伸縮自在に構成されており、その先端にはウエハＷを支持するフォーク（エンドエフェクタ）１７ｂが取り付けられている。第１の搬送機構１７は、ガイドレールに沿って移動自在であり、各プロセスモジュール１２及び各ロードロックモジュール１４の間でウエハＷを搬送する。なお、第１の搬送機構１７によるウエハＷの搬送方法とフォーク１７ｂの構造については、後に図２及び図３を参照して詳細に説明する。  Thetransfer module 11 is maintained in a vacuum (depressurized) state, and has afirst transfer arm 17a of two SCARA arm types and a guide rail (not shown) disposed therein. Thetransport mechanism 17 is arranged. Each of the twotransfer arms 17a is configured to be pivotable and extendable, and a fork (end effector) 17b for supporting the wafer W is attached to the tip of the twotransfer arms 17a. Thefirst transfer mechanism 17 is movable along the guide rail, and transfers the wafer W between eachprocess module 12 and eachload lock module 14. Note that the method of transporting the wafer W by thefirst transport mechanism 17 and the structure of thefork 17b will be described in detail later with reference to FIGS.

ロードロックモジュール１４は、真空雰囲気と大気圧雰囲気とに切り換え可能な内圧可変室として構成されている。ロードロックモジュール１４の内部には、ウエハＷを載置するための円柱状のステージ１８が配置されており、ステージ１８には、リフトピン１５ａと同等のリフトピン１８ａが、ステージ１８の上面から突出自在に設けられている。  Theload lock module 14 is configured as an internal pressure variable chamber that can be switched between a vacuum atmosphere and an atmospheric pressure atmosphere. Acylindrical stage 18 for placing the wafer W is disposed inside theload lock module 14, and lift pins 18 a equivalent to the lift pins 15 a can protrude from the upper surface of thestage 18. Is provided.

ロードロックモジュール１４は、ウエハＷをローダーモジュール１３からトランスファモジュール１１へ搬送する際には、先ず、内部を大気圧に維持してローダーモジュール１３からウエハＷを受け取り、次いで、内部を真空まで減圧してトランスファモジュール１１へウエハＷを受け渡す。逆に、ウエハＷをトランスファモジュール１１からローダーモジュール１３へ搬送する際には、先ず、内部を真空に維持してトランスファモジュール１１からウエハＷを受け取り、次いで、内部を大気圧へと昇圧してローダーモジュール１３へウエハＷを受け渡す。  When transferring the wafer W from theloader module 13 to thetransfer module 11, theload lock module 14 first receives the wafer W from theloader module 13 while maintaining the interior at atmospheric pressure, and then depressurizes the interior to a vacuum. The wafer W is delivered to thetransfer module 11. Conversely, when the wafer W is transferred from thetransfer module 11 to theloader module 13, first, the interior is maintained in a vacuum and the wafer W is received from thetransfer module 11, and then the interior is increased to atmospheric pressure to load the loader. The wafer W is delivered to themodule 13.

ローダーモジュール１３は、直方体状の大気搬送室として構成されており、長手方向の一方の側面にロードロックモジュール１４が接続され、長手方向の他方の側面には、複数のウエハＷを収容する容器である不図示のフープを載置するための複数（ここでは３つ）のフープ載置台１９が接続されている。  Theloader module 13 is configured as a rectangular parallelepiped atmospheric transfer chamber. Theload lock module 14 is connected to one side surface in the longitudinal direction, and a container for storing a plurality of wafers W on the other side surface in the longitudinal direction. A plurality (three in this case) of hoop mounting tables 19 for mounting a certain unillustrated hoop are connected.

ローダーモジュール１３の内部には、ウエハＷを搬送する第２の搬送機構２０が配置されており、第２の搬送機構２０は、不図示のガイドレールと、スカラアームタイプの搬送アーム２０ａとを有している。搬送アーム２０ａは、ガイドレールに沿って移動自在であり、また、旋回自在かつ伸縮自在に構成されている。第１の搬送装置１７と同様に、搬送アーム２０ａの先端にはウエハＷを支持するフォーク２０ｂが取り付けられている。ローダーモジュール１３では、第２の搬送機構２０が、フープ載置台１９に載置されたフープと各ロードロックモジュール１４との間でウエハＷを搬送する。  Inside theloader module 13, asecond transfer mechanism 20 for transferring the wafer W is disposed. Thesecond transfer mechanism 20 includes a guide rail (not shown) and a SCARA armtype transfer arm 20a. doing. Thetransfer arm 20a is movable along the guide rail, and is configured to be rotatable and extendable. As with thefirst transfer device 17, afork 20b that supports the wafer W is attached to the tip of thetransfer arm 20a. In theloader module 13, thesecond transfer mechanism 20 transfers the wafer W between the FOUP placed on the FOUP placement table 19 and eachload lock module 14.

基板処理システム１０は、例えば、コンピュータからなる制御装置２１を有し、基板処理システム１０の各構成要素（例えば、トランスファモジュール１１やプロセスモジュール１２）の動作は制御装置２１によって制御される。  Thesubstrate processing system 10 includes acontrol device 21 including, for example, a computer, and the operation of each component (for example, thetransfer module 11 and the process module 12) of thesubstrate processing system 10 is controlled by thecontrol device 21.

図２（ａ）は、フォーク１７ｂの構造と、プロセスモジュール１２に対する第１の搬送機構１７によるウエハＷの搬入出時のフォーク１７ｂとリフトピン１５ａとの位置関係を示す平面図（上面図）である。また、図２（ｂ）は、図２（ａ）に示す矢視Ａ−Ａ断面図である。  FIG. 2A is a plan view (top view) showing the structure of thefork 17b and the positional relationship between thefork 17b and the lift pins 15a when the wafer W is loaded into and unloaded from theprocess module 12 by thefirst transfer mechanism 17. FIG. . FIG. 2B is a cross-sectional view taken along the line AA shown in FIG.

第１の搬送機構１７のフォーク１７ｂには、３カ所に、ウエハＷと当接（接触）してウエハＷを保持する保持部材であるパッド１７ｃが配置されている。なお、パッド１７ｃは、ウエハＷをフォーク１７ｂに直接接触させることのない範囲で、３カ所よりも多く設けてもよい。  On thefork 17b of thefirst transfer mechanism 17,pads 17c, which are holding members that hold (contact) the wafer W and hold the wafer W, are arranged at three locations. Note that thepad 17c may be provided in more than three places as long as the wafer W is not in direct contact with thefork 17b.

プロセスモジュール１２へのウエハＷの搬入時には、先ず、フォーク１７ｂがウエハＷをパッド１７ｃ上に保持した状態でプロセスモジュール１２に進入する。続いて、プロセスモジュール１２に設けられたリフトピン１５ａが上昇して、ウエハＷをフォーク１７ｂから持ち上げて支持する。そして、フォーク１７ｂがプロセスモジュール１２から退出すると、リフトピン１５ａが降下して、支持したウエハＷがステージ１５上に載置される。逆に、プロセスモジュール１２からのウエハＷの搬出時には、先ず、ウエハＷを支持したリフトピン１５ａが所定位置まで上昇した後、ウエハＷの下側の所定位置にフォーク１７ｂが進入し、続いて、リフトピン１５ａが降下することで、ウエハＷはリフトピン１５ａからフォーク１７ｂへ受け渡される。このようなウエハＷの受け渡しが可能となるように、フォーク１７ｂは、リフトピン１５ａと干渉しない形状に設計されている。  When the wafer W is loaded into theprocess module 12, first, thefork 17b enters theprocess module 12 with the wafer W held on thepad 17c. Subsequently, the lift pins 15a provided in theprocess module 12 are lifted to lift and support the wafer W from thefork 17b. Then, when thefork 17 b is withdrawn from theprocess module 12, the lift pins 15 a are lowered and the supported wafer W is placed on thestage 15. Conversely, when the wafer W is unloaded from theprocess module 12, first, the lift pins 15 a that support the wafer W rise to a predetermined position, and then thefork 17 b enters a predetermined position below the wafer W, and then the lift pins When 15a is lowered, the wafer W is transferred from the lift pins 15a to thefork 17b. Thefork 17b is designed to have a shape that does not interfere with the lift pins 15a so that the wafer W can be transferred.

なお、第１の搬送機構１７のフォーク１７ｂとロードロックモジュール１４に設けられたリフトピン１８ａとの間でのウエハＷの受け渡しは、フォーク１７ｂとリフトピン１５ａとの間でのウエハＷの受け渡しと同じ手順で行われる。  The transfer of the wafer W between thefork 17b of thefirst transfer mechanism 17 and thelift pin 18a provided in theload lock module 14 is the same procedure as the transfer of the wafer W between thefork 17b and thelift pin 15a. Done in

上述したように、リフトピン１５ａ（リフトピン１８ａ）が上昇して、ウエハＷをフォーク１７ｂから持ち上げて支持する際には、ウエハＷがフォーク１７ｂに設けられたパッド１７ｃから容易に離れる必要がある。つまり、搬送されてきたウエハＷとパッド１７ｃとが固着することのないようにする必要がある。  As described above, when the lift pins 15a (lift pins 18a) are lifted to support the wafer W by lifting it from thefork 17b, the wafer W needs to be easily separated from thepad 17c provided on thefork 17b. That is, it is necessary to prevent the transferred wafer W and thepad 17c from sticking to each other.

一方で、第１の搬送機構１７は、ウエハＷがパッド１７ｃに支持された状態でウエハＷを搬送するために、パッド１７ｃには、ウエハＷの搬送中にウエハＷの位置ずれや落下を確実に防止することができるだけの保持力（摩擦力や粘着力等）が必要とされる。このとき、第１の搬送機構１７により搬送されるウエハＷには、プロセスモジュール１２での処理前の常温近傍のものもあれば、プロセスモジュール１２でのプラズマ処理後の温度の高い（例えば、約３００℃の）ものもあるため、パッド１７ｃには、いずれの温度のウエハＷを搬送する際にも適切な保持力を有していることが必要とされる。  On the other hand, since thefirst transport mechanism 17 transports the wafer W in a state where the wafer W is supported by thepad 17c, thepad 17c reliably prevents the wafer W from being displaced or dropped during the transport of the wafer W. It is necessary to have a holding force (friction force, adhesive force, etc.) that can be prevented. At this time, some of the wafers W transferred by thefirst transfer mechanism 17 have a temperature around room temperature before the processing in theprocess module 12, while the temperature after the plasma processing in theprocess module 12 is high (for example, about Therefore, thepad 17c is required to have an appropriate holding force when the wafer W at any temperature is transferred.

ここで、パッド１７ｃには、一般的に耐熱性に優れたゴム（パーフロロ系ゴムやフッ素系ゴム等のエラストマ）等の弾性材料が用いられ、プロセスモジュール１２においてプラズマ処理された後の高温のウエハＷを保持する必要性から、パッド１７ｃとして用いることができる材料の選択余地は広いものではない。前掲のゴム系弾性材料は、温度が変化すると材料の硬さが変化し、これによってウエハＷを保持する保持力が変化するため、例えば、フープ載置台１９に載置された１個乃至３個のフープに収容された複数枚のウエハＷを処理する間に、ウエハＷの保持力が大きく変化してしまうことを防止する必要がある。特に、ウエハＷのサイズがφ４５０ｍｍの場合には、ウエハＷの自重が大きくなることによって、ウエハＷとパッド１７ｃとの固着が生じやすくなるため、これを回避する必要がある。  Here, thepad 17c is made of an elastic material such as rubber (elastomer such as perfluoro-based rubber or fluorine-based rubber) that is generally excellent in heat resistance, and is a high-temperature wafer after being plasma-treated in theprocess module 12. Since there is a need to hold W, there is no wide room for selecting a material that can be used as thepad 17c. The above-mentioned rubber-based elastic material changes in hardness as the temperature changes, and the holding force for holding the wafer W changes accordingly. For example, one to three rubber-based elastic materials placed on the hoop placement table 19 are used. It is necessary to prevent the holding force of the wafer W from changing greatly during the processing of the plurality of wafers W accommodated in the hoop. In particular, when the size of the wafer W is φ450 mm, since the weight of the wafer W is increased, the wafer W and thepad 17c are likely to adhere to each other, which needs to be avoided.

そこで、本実施の形態では、常時、ウエハＷの搬送時におけるパッド１７ｃの温度を一定温度に維持することとし、そのために、パッド１７ｃの温度調節を行うための温度調節手段をパッド１７ｃ又はフォーク１７ｂに配置する。具体的には、温度調節手段として、電熱変換素子の一例であるペルチェ素子２２を用い、図２に示すように、パッド１７ｃの下面にペルチェ素子２２を接着等により取り付けている。なお、ペルチェ素子２２の駆動制御は、不図示の配線を通して、制御装置２１により行われる。  Therefore, in the present embodiment, the temperature of thepad 17c during the transfer of the wafer W is always maintained at a constant temperature, and for this purpose, temperature adjusting means for adjusting the temperature of thepad 17c is used as thepad 17c or thefork 17b. To place. Specifically, as the temperature adjusting means, aPeltier element 22 which is an example of an electrothermal conversion element is used, and as shown in FIG. 2, thePeltier element 22 is attached to the lower surface of thepad 17c by bonding or the like. The drive control of thePeltier element 22 is performed by thecontrol device 21 through a wiring (not shown).

ここで、パッド１７ｃは、ペルチェ素子２２により維持されている一定温度において、ウエハＷの搬送中にウエハＷに位置ずれや落下が生じないように十分な保持力を有しつつ、リフトピン１５ａ（リフトピン１８ａ）へウエハＷを受け渡すときにウエハＷとの固着が生じることなくスムーズな受け渡しができるように、予め形状設計や表面処理（表面加工）等が行われて、ウエハＷの保持力（保持特性）が最適化されている。換言すれば、パッド１７ｃのウエハＷに対する保持特性が最適化された温度で常にウエハＷを搬送することができるようにパッド１７ｃの温度を一定に制御することにより、ウエハＷの搬送中の位置ずれや落下を防止しつつ、リフトピン１５ａ（リフトピン１８ａ）に対するスムーズな受け渡しを可能とする。  Here, thepad 17c has a sufficient holding force to prevent the wafer W from being displaced or dropped during the transfer of the wafer W at a constant temperature maintained by thePeltier element 22, and thelift pin 15a (lift pin 15c). 18a) When the wafer W is transferred to the wafer W, the shape design and surface treatment (surface processing) are performed in advance so that the wafer W can be smoothly transferred without sticking to the wafer W. Characteristics) are optimized. In other words, by controlling the temperature of thepad 17c to be constant so that the wafer W can always be transported at a temperature at which the holding characteristics of thepad 17c with respect to the wafer W are optimized, a positional deviation during the transport of the wafer W is achieved. Smooth transfer to thelift pin 15a (lift pin 18a) can be achieved while preventing falling.

パッド１７ｃの維持温度は、搬送されるウエハＷの温度範囲内、且つ、ペルチェ素子２２による温度制御が可能な温度範囲内において設定することが望ましい。例えば、フープから取り出したウエハＷの処理を連続して行う場合、処理の開始最初は、未処理のウエハＷを搬送するために、概ね、パッド１７ｃの温度は常温近傍となるが、ウエハＷの処理が進むにしたがって、プロセスモジュール１２での処理後のウエハＷを搬送することによって、パッド１７ｃの温度は常温よりも高くなる。そこで、例えば、ペルチェ素子２２を冷却手段として用い、パッド１７ｃを常温（２７℃近傍）に維持するという用い方が可能である。一方、ペルチェ素子２２は、電流極性を反転させることで、加熱手段として用いることも可能である。そこで、プロセスモジュール１２でのプラズマ処理を終えたウエハＷのプロセスモジュール１２からの搬出開始時の温度が、例えば、３００℃であるとすると、常温と３００℃の略中間の１７０℃（近傍）でパッド１７ｃの温度を一定に維持するという用い方も可能である。  The maintenance temperature of thepad 17c is desirably set within the temperature range of the wafer W being transferred and within the temperature range in which the temperature control by thePeltier element 22 is possible. For example, when the processing of the wafer W taken out from the hoop is continuously performed, the temperature of thepad 17c is approximately near room temperature in order to transfer the unprocessed wafer W at the beginning of the processing. As the process proceeds, the temperature of thepad 17c becomes higher than the normal temperature by carrying the wafer W after the process in theprocess module 12. Thus, for example, it is possible to use thePeltier element 22 as a cooling means and maintain thepad 17c at a normal temperature (around 27 ° C.). On the other hand, thePeltier element 22 can also be used as a heating means by reversing the current polarity. Therefore, if the temperature at the start of unloading of the wafer W from theprocess module 12 after the plasma processing in theprocess module 12 is, for example, 300 ° C., the temperature is approximately 170 ° C. (near) between the normal temperature and 300 ° C. A method of maintaining the temperature of thepad 17c constant is also possible.

図３は、パッド１７ｃに対するペルチェ素子２２の配置形態を示す断面図であり、図２（ｂ）と同じ視点で示されている。図３（ａ）は、図２（ｂ）を拡大して示したものであり、平板状のペルチェ素子２２をパッド１７ｃの裏面に取り付けた形態を示している。図３（ｂ）は、リング状のペルチェ素子２２の中央孔部にパッド１７ｃの裏面側の部分を収容した形態を示している。  FIG. 3 is a cross-sectional view showing an arrangement of thePeltier elements 22 with respect to thepad 17c, and is shown from the same viewpoint as FIG. FIG. 3A is an enlarged view of FIG. 2B, and shows a form in which aflat Peltier element 22 is attached to the back surface of thepad 17c. FIG. 3B shows a form in which a portion on the back surface side of thepad 17 c is accommodated in the central hole portion of the ring-shapedPeltier element 22.

図３（ｃ）は、パッド１７ｃの裏面側の部分とペルチェ素子２２とが接触するように、フォーク１７ｂの裏面にペルチェ素子２２を取り付けた構造を示している。図３（ｃ）の構成とする場合、パッド１７ｃとペルチェ素子２２との接触面積ができるだけ広くなるように、パッド１７ｃの裏面側の部分とペルチェ素子２２の形状を設計することが好ましい。図３（ｄ）は、パッド１７ｃの裏面側の部分にペルチェ素子２２を埋設した構造を示している。図３の各形態に限定されず、パッド１７ｃの温度調節が可能な限りにおいて、ペルチェ素子２２の配設形態に制限はなく、また、パッド１７ｃの温度調節が可能な限りにおいて、ペルチェ素子２２以外の温度調節手段を用いてもよい。  FIG. 3C shows a structure in which thePeltier element 22 is attached to the back surface of thefork 17b so that the back surface side portion of thepad 17c and thePeltier element 22 are in contact with each other. In the case of the configuration of FIG. 3C, it is preferable to design the shape of thePeltier element 22 and the portion on the back side of thepad 17c so that the contact area between thepad 17c and thePeltier element 22 is as large as possible. FIG. 3D shows a structure in which thePeltier element 22 is embedded in the back side portion of thepad 17c. There is no limitation on the arrangement of thePeltier elements 22 as long as the temperature of thepad 17c can be adjusted, as long as the temperature of thepad 17c can be adjusted. The temperature adjusting means may be used.

ところで、第２の搬送装置２０が備えるフォーク２０ｂにもウエハＷに接触してウエハＷを支持するパッド（不図示）が配置されている。第２の搬送装置２０は、プロセスモジュール１２での処理前の常温のウエハＷやプロセスモジュール１２での処理が終了してから所定温度にまで冷却されたウエハＷを搬送する。このように、第２の搬送装置２０は、第１の搬送装置１７のように、極端に温度の異なるウエハＷを搬送することがないために、フォーク２０ｂに配置されるパッドに対しては、原則として、ペルチェ素子２２等による温度調節を行う必要性は高くはなく、例えば、常温でウエハＷを適切な保持力で保持することができるように形状設計や表面処理（表面加工）等が行われたものを用いることができる。  By the way, a pad (not shown) that contacts the wafer W and supports the wafer W is also disposed on thefork 20b included in thesecond transfer device 20. Thesecond transfer device 20 transfers the wafer W at normal temperature before the process in theprocess module 12 and the wafer W cooled to a predetermined temperature after the process in theprocess module 12 is completed. As described above, thesecond transfer device 20 does not transfer the wafer W having an extremely different temperature unlike thefirst transfer device 17, so that the pads disposed on thefork 20 b are not In principle, it is not necessary to adjust the temperature with thePeltier element 22 or the like. For example, shape design or surface treatment (surface processing) is performed so that the wafer W can be held with an appropriate holding force at room temperature. Can be used.

以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明は上記の実施の形態に限定されるものではない。例えば、上記実施の形態では、ウエハＷにプラズマ処理を施す基板処理システムを取り上げたが、これに限定されず、ウエハＷに対して施される熱処理は、大気中や不活性ガス中で行われるものであってもよい。その場合、第１の搬送装置１７は、大気雰囲気又は不活性ガス雰囲気においてウエハＷを搬送し、その際に、パッド１７ｃの温度が制御される。また、例えば、ステージ１５は３本のリフトピン１５ａを有するとしたが、リフトピン１５ａは３本に限られず、ウエハＷを安定的に支持可能であれば、４本以上であってもよい。  As mentioned above, although embodiment of this invention was described, this invention is not limited to said embodiment. For example, in the above-described embodiment, the substrate processing system that performs plasma processing on the wafer W is taken up. However, the present invention is not limited to this, and the heat treatment performed on the wafer W is performed in the atmosphere or in an inert gas. It may be a thing. In that case, thefirst transfer device 17 transfers the wafer W in an air atmosphere or an inert gas atmosphere, and at that time, the temperature of thepad 17c is controlled. For example, thestage 15 has threelift pins 15a, but the number oflift pins 15a is not limited to three, and may be four or more as long as the wafer W can be stably supported.

１０ 基板処理システム
１２ プロセスモジュール
１４ ロードロックモジュール
１５ａ リフトピン
１８ａ リフトピン
１７ 第１の搬送装置
１７ｂ フォーク
１７ｃ パッド（保持部材）
２２ ペルチェ素子DESCRIPTION OFSYMBOLS 10Substrate processing system 12Process module 14Load lock module15a Lift pin18a Lift pin 171st conveyingapparatus 17b Fork 17c Pad (holding member)
22 Peltier elements

Claims (15)

Translated fromJapanese

基板に対して所定の熱処理を施す処理室に対して熱処理前の基板の搬入と熱処理後の基板の搬出とを行う基板搬送装置であって、
前記基板を搬送する搬送アームと、
前記搬送アームの先端に配置され、前記基板が載置される載置部と、
前記載置部の少なくとも３カ所に配置され、前記基板の裏面に当接して前記基板を保持する弾性材料からなる保持部材と、
前記保持部材又は前記載置部に取り付けられて前記保持部材を所定の温度に維持する温度調節手段とを備えることを特徴とする基板搬送装置。A substrate transfer apparatus for carrying in a substrate before heat treatment and carrying out a substrate after heat treatment to a processing chamber for performing a predetermined heat treatment on the substrate,
A transfer arm for transferring the substrate;
A placement portion disposed at a tip of the transfer arm and on which the substrate is placed;
A holding member made of an elastic material, which is disposed at least in three places of the mounting portion and contacts the back surface of the substrate and holds the substrate;
A substrate transfer apparatus comprising: a temperature adjusting unit that is attached to the holding member or the mounting portion and maintains the holding member at a predetermined temperature. 前記保持部材は、前記所定の温度において保持した基板の位置ずれ及び落下が生じず、且つ、前記基板との固着が生じないように表面加工がなされていることを特徴とする請求項１記載の基板搬送装置。  The surface of the holding member is subjected to surface processing so that the substrate held at the predetermined temperature is not displaced and dropped, and is not fixed to the substrate. Substrate transfer device. 前記温度調節手段はペルチェ素子であることを特徴とする請求項１又は２記載の基板搬送装置。  3. The substrate transfer apparatus according to claim 1, wherein the temperature adjusting means is a Peltier element. 前記所定の温度は、前記保持部材に保持される基板の温度範囲内であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の基板搬送装置。  The substrate transport apparatus according to claim 1, wherein the predetermined temperature is within a temperature range of a substrate held by the holding member. 前記基板は直径が４５０ｍｍの円板状の半導体ウエハであることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の基板搬送装置。  5. The substrate transfer apparatus according to claim 1, wherein the substrate is a disk-shaped semiconductor wafer having a diameter of 450 mm. 基板に対して所定の熱処理を施す処理室に対して熱処理前の基板の搬入と熱処理後の基板の搬出を行う基板搬送装置による基板搬送方法であって、
前記基板搬送装置において前記基板の裏面に当接して前記基板を保持する弾性材料からなる保持部材を所定の温度に維持する温度調節ステップと、
前記温度調節ステップにより温度調節された前記保持部材に前記処理前の基板又は前記処理後の基板を保持させる保持ステップと、
前記保持ステップにより保持した前記基板を搬送する搬送ステップとを有することを特徴とする基板搬送方法。A substrate carrying method by a substrate carrying apparatus for carrying in a substrate before heat treatment and carrying out a substrate after heat treatment to a processing chamber for performing a predetermined heat treatment on the substrate,
A temperature adjusting step of maintaining a holding member made of an elastic material that contacts the back surface of the substrate and holds the substrate at a predetermined temperature in the substrate transfer device;
A holding step of holding the substrate before processing or the substrate after processing on the holding member temperature-controlled by the temperature adjusting step;
A substrate transport method comprising transporting the substrate held by the holding step. 前記保持部材は、前記所定の温度において保持した基板の位置ずれ及び落下が生じず、且つ、前記基板との固着が生じないように表面加工がなされていることを特徴とする請求項６記載の基板搬送方法。  The surface of the holding member is subjected to surface processing so that the substrate held at the predetermined temperature is not displaced or dropped, and is not fixed to the substrate. Substrate transport method. 前記温度調節ステップは、前記保持部材又は前記載置部に取り付けられたペルチェ素子によって行われることを特徴とする請求項６又は７記載の基板搬送方法。  8. The substrate transfer method according to claim 6, wherein the temperature adjustment step is performed by a Peltier element attached to the holding member or the mounting portion. 前記所定の温度を、前記保持部材に保持される基板の温度範囲内の温度とすることを特徴とする請求項６乃至８のいずれか１項に記載の基板搬送方法。  The substrate transport method according to claim 6, wherein the predetermined temperature is set to a temperature within a temperature range of a substrate held by the holding member. 前記搬送ステップでは、前記基板として直径が４５０ｍｍの円板状の半導体ウエハを搬送することを特徴とする請求項６乃至９のいずれか１項に記載の基板搬送方法。  The substrate transfer method according to claim 6, wherein in the transfer step, a disk-shaped semiconductor wafer having a diameter of 450 mm is transferred as the substrate. 基板を載置する載置台を有する基板載置室と、
前記基板に対して所定の熱処理を施す処理室と、
前記基板載置室と前記処理室との間で前記基板を搬送する基板搬送装置とを備える基板処理システムであって、
前記基板搬送装置は、
前記基板を搬送する搬送アームと、
前記搬送アームの先端に配置され、前記基板が載置される載置部と、
前記載置部の少なくとも３カ所に配置され、前記基板の裏面に当接して前記基板を保持する弾性材料からなる保持部材と、
前記保持部材又は前記載置部に取り付けられて前記保持部材を所定の温度に維持する温度調節手段とを備えることを特徴とする基板搬送システム。A substrate mounting chamber having a mounting table for mounting the substrate;
A processing chamber for performing a predetermined heat treatment on the substrate;
A substrate processing system comprising a substrate transfer device for transferring the substrate between the substrate placement chamber and the processing chamber,
The substrate transfer device includes:
A transfer arm for transferring the substrate;
A placement portion disposed at a tip of the transfer arm and on which the substrate is placed;
A holding member made of an elastic material, which is disposed at least in three places of the mounting portion and contacts the back surface of the substrate and holds the substrate;
A substrate transfer system comprising: a temperature adjusting unit that is attached to the holding member or the mounting portion and maintains the holding member at a predetermined temperature. 前記保持部材は、前記所定の温度において保持した基板の位置ずれ及び落下が生じず、且つ、前記基板との固着が生じないように表面加工がなされていることを特徴とする請求項１１記載の基板処理システム。  The surface of the holding member is formed so that the substrate held at the predetermined temperature is not displaced and dropped, and is not fixed to the substrate. Substrate processing system. 前記温度調節手段はペルチェ素子であることを特徴とする請求項１１又は１２記載の基板処理システム。  13. The substrate processing system according to claim 11, wherein the temperature adjusting means is a Peltier element. 前記基板は直径が４５０ｍｍの円板状の半導体ウエハであることを特徴とする請求項１１乃至１３のいずれか１項に記載の基板処理システム。  The substrate processing system according to claim 11, wherein the substrate is a disk-shaped semiconductor wafer having a diameter of 450 mm. 前記基板載置室は、大気圧雰囲気と真空雰囲気とを選択的に切り替え可能に構成され、
前記処理室は、真空雰囲気に保持されて、その内部に収容された基板に対して前記所定の熱処理を施し、
前記基板搬送装置は、真空雰囲気に保持された搬送室内に配置されていることを特徴とする請求項１１乃至１４のいずれか１項に基板処理システム。The substrate mounting chamber is configured to be selectively switchable between an atmospheric pressure atmosphere and a vacuum atmosphere,
The processing chamber is maintained in a vacuum atmosphere, and performs the predetermined heat treatment on the substrate accommodated therein,
15. The substrate processing system according to claim 11, wherein the substrate transfer device is disposed in a transfer chamber that is maintained in a vacuum atmosphere.

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