JP2013509705A - Solar cell and manufacturing method thereof - Google Patents
Solar cell and manufacturing method thereofDownload PDFInfo
- Publication number
- JP2013509705A JP2013509705AJP2012536683AJP2012536683AJP2013509705AJP 2013509705 AJP2013509705 AJP 2013509705AJP 2012536683 AJP2012536683 AJP 2012536683AJP 2012536683 AJP2012536683 AJP 2012536683AJP 2013509705 AJP2013509705 AJP 2013509705A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- pattern
- layer
- solar cell
- groove
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
- H10F19/30—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules comprising thin-film photovoltaic cells
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F10/00—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells
- H10F10/10—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells having potential barriers
- H10F10/16—Photovoltaic cells having only PN heterojunction potential barriers
- H10F10/167—Photovoltaic cells having only PN heterojunction potential barriers comprising Group I-III-VI materials, e.g. CdS/CuInSe2 [CIS] heterojunction photovoltaic cells
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
- H10F19/30—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules comprising thin-film photovoltaic cells
- H10F19/31—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules comprising thin-film photovoltaic cells having multiple laterally adjacent thin-film photovoltaic cells deposited on the same substrate
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
- H10F19/30—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules comprising thin-film photovoltaic cells
- H10F19/31—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules comprising thin-film photovoltaic cells having multiple laterally adjacent thin-film photovoltaic cells deposited on the same substrate
- H10F19/35—Structures for the connecting of adjacent photovoltaic cells, e.g. interconnections or insulating spacers
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/10—Semiconductor bodies
- H10F77/16—Material structures, e.g. crystalline structures, film structures or crystal plane orientations
- H10F77/169—Thin semiconductor films on metallic or insulating substrates
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/10—Semiconductor bodies
- H10F77/16—Material structures, e.g. crystalline structures, film structures or crystal plane orientations
- H10F77/169—Thin semiconductor films on metallic or insulating substrates
- H10F77/1696—Thin semiconductor films on metallic or insulating substrates the films including Group II-VI materials, e.g. CdTe or CdS
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/10—Semiconductor bodies
- H10F77/16—Material structures, e.g. crystalline structures, film structures or crystal plane orientations
- H10F77/169—Thin semiconductor films on metallic or insulating substrates
- H10F77/1698—Thin semiconductor films on metallic or insulating substrates the metallic or insulating substrates being flexible
- H10F77/1699—Thin semiconductor films on metallic or insulating substrates the metallic or insulating substrates being flexible the films including Group I-III-VI materials, e.g. CIS or CIGS on metal foils or polymer foils
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
- H10F19/20—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules comprising photovoltaic cells in arrays in or on a single semiconductor substrate, the photovoltaic cells having planar junctions
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
- H10F19/30—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules comprising thin-film photovoltaic cells
- H10F19/31—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules comprising thin-film photovoltaic cells having multiple laterally adjacent thin-film photovoltaic cells deposited on the same substrate
- H10F19/33—Patterning processes to connect the photovoltaic cells, e.g. laser cutting of conductive or active layers
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
Abstract
Translated fromJapaneseDescription
Translated fromJapanese実施例は、太陽電池及びその製造方法に関するものである。 The examples relate to a solar cell and a method for manufacturing the solar cell.
最近、エネルギー需要が増加することによって、太陽光エネルギーを電気エネルギーに変換させる太陽電池に対する開発が進行されている。 Recently, the development of solar cells that convert solar energy into electrical energy has been promoted due to an increase in energy demand.
特に、基板、金属後面電極層、ｐ型ＣＩＧＳ系光吸収層、高抵抗バッファ層、ｎ型窓層などを含む基板構造のｐｎヘテロ接合装置であるＣＩＧＳ系太陽電池が広く使用されている。 In particular, CIGS solar cells which are pn heterojunction devices having a substrate structure including a substrate, a metal back electrode layer, a p-type CIGS light absorption layer, a high-resistance buffer layer, an n-type window layer, and the like are widely used.
前記基板としては、さまざまな種類の基板が使用されることができるが、前記基板がフレキシブル(flexible)な基板である時、基板が撓めた場合基板上に形成された金属後面電極層にクラック(crack)が発生される問題点がある。 As the substrate, various types of substrates can be used. When the substrate is a flexible substrate, if the substrate is bent, the metal back electrode layer formed on the substrate is cracked. There is a problem that (crack) is generated.
実施例は基板と後面電極との結合力を増大させることができる太陽電池及びその製造方法を提供する。 The embodiment provides a solar cell capable of increasing the bonding force between the substrate and the rear electrode and a method for manufacturing the solar cell.
実施例による太陽電池は、基板上に配置されたパターン層と、該パターン層上に配置された後面電極と、該後面電極上に配置された光吸収層と、該光吸収層上に配置されたバッファ層と、及び前記バッファ層上に配置された前面電極を含んで、前記パターン層は凹凸パターンを含む。 A solar cell according to an embodiment is provided with a pattern layer disposed on a substrate, a rear electrode disposed on the pattern layer, a light absorption layer disposed on the rear electrode, and the light absorption layer. The pattern layer includes a concavo-convex pattern including a buffer layer and a front electrode disposed on the buffer layer.
実施例による太陽電池の製造方法は、基板上にパターン層を形成する段階と、前記パターン層上に後面電極を形成する段階と、前記後面電極上に光吸収層を形成する段階と、前記光吸収層上にバッファ層を形成する段階と、及び前記バッファ層上に前面電極を形成する段階を含んで、前記パターン層は凹凸パターンが形成されたものを含む。 A method of manufacturing a solar cell according to an embodiment includes a step of forming a pattern layer on a substrate, a step of forming a rear electrode on the pattern layer, a step of forming a light absorption layer on the rear electrode, and the light The pattern layer includes a step in which a concavo-convex pattern is formed, including a step of forming a buffer layer on the absorption layer and a step of forming a front electrode on the buffer layer.
実施例による太陽電池及びその製造方法は、基板にナノ大きさの凹凸パターンを形成して、基板上に形成される後面電極との結合力を増大させることができる。 The solar cell and the manufacturing method thereof according to the embodiment can increase the bonding force with the rear electrode formed on the substrate by forming a nano-sized uneven pattern on the substrate.
特に、基板がフレキシブル(flexible)である場合には、基板が撓んでも基板と後面電極との間にクラック(crack)が発生しない。 In particular, when the substrate is flexible, no crack is generated between the substrate and the rear electrode even if the substrate is bent.
すなわち、凹凸構造のパターンの溝の内部にも後面電極が形成されて、基板と後面電極との結合力が増大されることができる。 That is, the rear electrode is also formed inside the groove of the concavo-convex structure pattern, and the bonding force between the substrate and the rear electrode can be increased.
また、基板と一部が接する光吸収層も凹凸構造のパターンと接して、光吸収層と基板との結合力も増大されることができる。 Further, the light absorption layer partly in contact with the substrate is also in contact with the pattern of the concavo-convex structure, so that the bonding force between the light absorption layer and the substrate can be increased.
実施例の説明において、各基板、層、膜または電極などが各基板、層、膜、または電極などの“上(on)”にまたは“下(under)”に形成されるものとして記載する場合において、“上(on)”と“下(under)”は“直接(directly)”または“他の構成要素を介して(indirectly)”形成されることをすべて含む。また、各構成要素の上または下に対する基準は、図面を基準で説明する。図面での各構成要素らの大きさは、説明のために誇張されることができるし、実際に適用される大きさを意味するものではない。 In the description of the embodiments, the case where each substrate, layer, film, or electrode is described as being formed “on” or “under” each substrate, layer, film, or electrode, etc. In this context, “on” and “under” include all “directly” or “indirectly” formed. In addition, the reference to the top or bottom of each component will be described with reference to the drawings. The size of each component in the drawings can be exaggerated for the purpose of explanation, and does not mean a size that is actually applied.
図１１は、実施例による太陽電池を示した断面図である。 FIG. 11 is a cross-sectional view illustrating a solar cell according to an example.
図１１に示されたところのように、実施例による太陽電池は、基板１００、パターン層１７０、後面電極２００、光吸収層３００、バッファ層４００及び前面電極５００を含む。 As shown in FIG. 11, the solar cell according to the embodiment includes a
この時、前記パターン層１７０は、凹凸パターン１５０を含んで、前記凹凸パターン１５０は四つ角形状または正弦波形状の屈曲が周期的に形成されることができる。 At this time, the
また、前記凹凸パターン１５０は、図３に示されたところのように、溝１１０と突起１２０を含んで、前記溝の幅は、１００〜３００ｎｍであり、前記突起の幅は、１００〜２００ｎｍであり、前記溝と突起の高さは、１００〜３００ｎｍになることができる。 Further, as shown in FIG. 3, the
前記溝１１０と突起１２０は、凹凸構造で形成されて、前記突起１２０が前記基板１００から突き出された形状を有する。 The
また、前記溝１１０と突起１２０によって接触面積が広くなって、前記基板１００と以後に形成される後面電極との結合を増大させることができる。 Further, the contact area is widened by the
特に、前記基板１００がフレキシブル(flexible)な場合には、前記基板１００が撓んでもパターン層１７０によって後面電極にクラック(crack)が発生することを防止することができる。 In particular, when the
そして、前記凹凸パターン１５０の前記溝１１０の内部にも後面電極が形成されて、前記基板１００と後面電極の結合力が増大されることができる。 In addition, a rear electrode may be formed in the
前記パターン層１７０は、エポキシ、エポキシメラミン、アクリル、ウレタン樹脂などの単独または混合物形態のレジン(resin)を含む物質で形成されることができる。 The
以下、太陽電池の製造工程によって前記太陽電池をさらに詳しく説明するようにする。 Hereinafter, the solar cell will be described in more detail by the manufacturing process of the solar cell.
図１乃至図１１は、実施例による太陽電池の製造方法を示した断面図である。 1 to 11 are cross-sectional views illustrating a method for manufacturing a solar cell according to an embodiment.
まず、図１に示されたところのように、基板１００上に凹凸パターン１５０を含むパターン層１７０を形成する。 First, as shown in FIG. 1, a
前記基板１００は、硝子(glass)が使用されているし、アルミナのようなセラミックス基板、ステンレススチール、チタン基板またはポリマー基板なども使用されることができる。 The
硝子基板としては、ソーダライムガラス(sodalimeglass)を使用することができるし、ポリマー基板としてはＰＥＴ(polyethyleneterephthalate)、ポリイミド(polyimide)を使用することができる。 As the glass substrate, soda lime glass can be used, and as the polymer substrate, PET (polyethylene terephthalate) or polyimide can be used.
また、前記基板１００は、リジット(rigid)でも、またはフレキシブル(flexible)でもよい。 The
前記凹凸パターン１５０は、前記基板１００の表面に樹脂層を形成した後、前記樹脂層に凹凸パターンを形成することができる。 The concavo-
この時、パターンを形成する方法は、図２に示されたところのように、前記樹脂層を前記基板１００上に形成した後、金型２３０を利用してモールディング(molding)工程を進行しながら、ＵＶ硬化工程を同時に進行して形成されることができる。 At this time, as shown in FIG. 2, the pattern is formed by forming a resin layer on the
前記樹脂層を前記基板１００上に塗布する時はスピンコーティング(spin coating)工程で進行されることができる。 The resin layer may be applied on the
前記樹脂層は、エポキシ、エポキシメラミン、アクリル、ウレタン樹脂などの単独または混合物形態のレジン(resin)を含む物質で形成されることができる。 The resin layer may be formed of a material including a resin such as an epoxy, an epoxy melamine, an acrylic, a urethane resin, or a single or mixed form.
しかし、前記パターンを形成する方法は、これに限定されないで、前記樹脂層を前記基板１００上に形成した後、レーザー光源を利用して形成されることもできる。 However, the method for forming the pattern is not limited thereto, and the pattern may be formed using a laser light source after the resin layer is formed on the
図３及び図４は、図１の‘Ａ'領域を詳細に示したものであり、前記凹凸パターン１５０は、溝１１０と突起１２０を含むように形成されて、四角柱形状の凹凸パターン１５０の屈曲が周期的に形成される。 3 and 4 show in detail the 'A' region of FIG. 1. The concave /
前記溝１１０と突起１２０は、凹凸構造に形成されて、前記突起１２０が前記基板１００から突き出された形状を有する。 The
また、前記溝１１０と突起１２０によって接触面積が広くなるので、前記基板１００と以後に形成される後面電極との結合力を増大させることができる。 In addition, since the contact area is widened by the
特に、前記基板１００がフレキシブル(flexible)な場合には、前記基板１００が撓んでも前記パターン層１７０によって引張応力が後面電極に伝達されてクラック(crack)が発生することを防止することができる。 In particular, when the
この時、前記溝１１０の幅(ｆ)は、１００〜３００ｎｍであり、前記突起１２０の幅(ｇ)は１００〜２００ｎｍであり、前記溝１１０の高さ(b)と突起１２０の高さ(c)は、１００〜３００ｎｍになることができる。 At this time, the width (f) of the
本実施例では前記凹凸パターン１５０が前記溝１１０と突起１２０で形成されたことを提示したが、これに限定されないで、以後に形成される後面電極との結合力を向上させることができるパターンが形成された構造に形成されることができる。 In this embodiment, it is presented that the concave /
図面には示さなかったが、四角柱形状の前記凹凸パターン１５０は、一方向に長く形成されることができる。 Although not shown in the drawing, the concave /
この時、前記凹凸パターン１５０は、四角柱形状に限定されないで、図４に示されたところのように、屈曲された正弦波形状の凹凸パターン１６０の屈曲が周期的に形成されることもできる。 At this time, the concavo-
前記パターン層１７０は、エポキシ、エポキシメラミン、アクリル、ウレタン樹脂などの単独または混合物形態のレジン(resin)を含む物質で形成されることができる。 The
前記基板１００がポリマー基板であるＰＥＴ、ポリイミドで形成される場合、前記パターン層１７０と基板１００との結合力が強いために、前記基板１００と以後に形成される後面電極とも結合力が強まることができる。 When the
そして、図５及び図６に示されたところのように、前記パターン層１７０上に後面電極２０１を形成する。 Then, as shown in FIGS. 5 and 6, the
前記後面電極２０１は、導電層である。前記後面電極２０１は、太陽電池のうちで前記光吸収層３００から生成された電荷が移動するようにして太陽電池の外部に電流を流れるようにすることができる。前記後面電極２０１は、このような機能を遂行するために電気伝導度が高くて比抵抗が小さくなければならない。 The
また、前記後面電極２０１は、ＣＩＧＳ化合物形成時に隋伴される硫黄(Ｓ)またはセレニウム(Se)雰囲気下での熱処理時に高温安全性が維持されなければならない。 In addition, the
このような後面電極２０１は、モリブデン(Ｍｏ)、ニッケル(Ｎｉ)、金(Ａｕ)、アルミニウム(Ａｌ)、クロム(Ｃｒ)、タングステン(Ｗ)及び銅(Ｃｕ)のうち何れか一つで形成されることができる。このなかに、特に、モリブデン(Ｍｏ)は、上述した後面電極２０１に要求される特性を全般的に満たすことができる。 The
前記後面電極２０１は、二つ以上の層らを含むことができる。この時、それぞれの層らは同じ金属で形成されるか、またはお互いに異なる金属で形成されることができる
この時、前記後面電極２０１は、前記凹凸パターン１５０の前記溝１１０内部にも挿入されて、前記後面電極２０１と基板１００との結合力が増大されることができる。The
前記後面電極２０１が前記パターン層１７０と接する面は、前記パターン層１７０の凹凸パターン１５０に対応する凹凸を有するように形成されて、前記後面電極２０１の上面は、前記基板１００と平行な面を有するように形成されることができる。 The surface of the
特に、前記基板１００がフレキシブル(flexible)な場合、基板と後面電極との熱膨張係数差によって前記基板１００が撓んでも前記基板１００に形成された前記凹凸パターン１５０によって、前記基板１００と後面電極との間にクラック(crack)が発生することを防止することができる。 In particular, when the
この時、前記基板１００、凹凸パターン１５０及び後面電極２０１との厚さは、前記基板１００が凹凸パターン１５０及び後面電極２０１より厚く形成されて、前記後面電極２０１が前記凹凸パターン１５０より厚く形成される。 At this time, the thickness of the
すなわち、前記基板１００、凹凸パターン１５０及び後面電極２０１の厚さ及び大きさ関係は、図６を参照して、次のように示すことができる。 That is, the thickness and size relationship of the
(ａ＋ｂ)=Ｗ(ｃ＋ｄ)・・・(１)
(ｃ)=Ｘ(ｄ)・・・(２)
(ｄ)=Ｙ(ｅ)・・・(３)
(ｆ)=Ｚ(ｇ)・・・(４)
ここで、Ｗは０．１７〜０．４３、Ｘは０．０３〜０．１５、Ｙは０．０４〜０．１２、Ｚは１〜２の値を有する。(a + b) = W (c + d) (1)
(c) = X (d) (2)
(d) = Y (e) (3)
(f) = Z (g) (4)
Here, W has a value of 0.17 to 0.43, X has a value of 0.03 to 0.15, Y has a value of 0.04 to 0.12, and Z has a value of 1 to 2.
前記条件式でａは、前記凹凸パターン１５０の上面である前記突起１２０の上面から前記後面電極パターン２０１の上面までの距離、ｂは前記溝１１０の高さ、ｃは前記突起１２０の高さ、ｄは前記パターン層１７０で前記溝１１０の底面から前記基板１００までの厚さを意味する。 In the conditional expression, a is a distance from the upper surface of the
また、ｅは、前記基板１００の厚さ、ｆは前記溝１１０の幅、ｇは前記突起１２０の幅を意味する。 E is the thickness of the
条件式(１)は、前記後面電極２０１とパターン層１７０との間の関係を示す条件式である。 Conditional expression (1) is a conditional expression showing the relationship between the
条件式(１)に示されたところのように、前記後面電極２０１の全体厚さである(ａ＋ｂ)は、前記パターン層１７０の全体厚さである(ｃ＋ｄ)の０．１７〜０．４３(Ｗ)倍になることができる。 As shown in the conditional expression (1), (a + b) that is the total thickness of the
この時、前記Ｗの値が０．１７より小さな場合には、緩衝層である前記パターン層１７０のｄ領域が厚くなって、前記基板１００とパターン層１７０の密着力が減少することがある。 At this time, if the value of W is smaller than 0.17, the d region of the
また、前記Ｗの値が０．４３より大きい場合には、前記後面電極２０１全体の厚さと前記パターン層１７０厚さの差が減少するので、前記パターン層１７０でｄの十分な厚さが確保されなくて、クラック(crack)防止のための緩衝役割が減少することがある。 Further, when the value of W is larger than 0.43, the difference between the thickness of the entire
条件式(２)は、前記パターン層１７０の全体厚さで前記突起１２０または溝１１０が占める割合を意味する。 Conditional expression (2) means the ratio of the
すなわち、前記突起１２０の高くｃは、前記パターン層１７０で前記溝１１０の底面から前記基板１００までの厚さであるｄの０．０３〜０．１５(Ｘ)倍になることができる。 That is, the height c of the
この時、前記Ｘの値が０．０３より小さな場合には前記突起１２０の高くｃ値が小さすぎて、前記後面電極２０１との密着面積が減少すると共に前記凹凸パターン１５０が小さすぎてクラック防止のための緩衝役割が減少することがある。 At this time, if the value of X is smaller than 0.03, the
また、前記Ｘの値が０．１５より大きい場合には、前記突起１２０の高さｃ値が大きくなって、前記凹凸パターン１５０を製作しにくいだけでなく、前記後面電極２０１蒸着時に前記溝１１０の底面まで蒸着されなくて、クラックのための緩衝役割が減少することがある。 In addition, when the value of X is larger than 0.15, the height c value of the
条件式(３)は、前記基板１００と前記パターン層１７０で前記溝１１０の底面から前記基板１００までの厚さであるｄ領域との間の関係を示す条件式である。 Conditional expression (3) is a conditional expression that indicates the relationship between the
すなわち、前記溝１１０の底面から前記基板１００までパターン層１７０の厚さであるｄの値は前記基板１００の０．０４〜０．１２(Ｙ)倍になることができる。 That is, the value d, which is the thickness of the
この時、前記Ｙの値が０．０４より小さければｄ値が低くて、前記基板１００によるクラックの緩衝役割が減少することがある。 At this time, if the value of Y is smaller than 0.04, the d value is low and the buffering role of cracks by the
また、前記Ｙの値が０．１２より大きい場合には相対的に前記基板１００の厚さが減少して前記基板１００の撓め現象が易しく発生してクラックが易しく発生することがある。 In addition, when the value of Y is greater than 0.12, the thickness of the
条件式(４)は、前記溝１１０の幅(ｆ)と前記突起１２０の幅(ｇ)の割合に関係を示す条件式である。 Conditional expression (4) is a conditional expression showing a relationship with the ratio of the width (f) of the
すなわち、前記溝１１０の幅(ｆ)は、前記突起１２０の幅(ｇ)の１〜２(Ｚ)倍になることができる。 That is, the width (f) of the
また、前記凹凸パターン１５０の周期(ｈ)は、規則的または非規則的に形成されることができるし、２００〜５００ｎｍの周期で形成されることができる。 In addition, the period (h) of the concavo-
そして、前記基板１００、凹凸パターン１５０及び後面電極２０１の硬度(hardness)は、前記後面電極２０１が前記基板１００、凹凸パターン１５０より堅くて、前記基板１００の硬度が前記凹凸パターン１５０の硬度より堅いか、または等しいことがある。 Further, the hardness of the
引き継いで、図７に示されたところのように、前記後面電極２０１にパターニング(patterning)工程を進行して後面電極パターン２００を形成する。 Subsequently, as shown in FIG. 7, a patterning process is performed on the
前記後面電極パターン２００は、前記後面電極２０１にフォトリソグラフィー(photolithography)工程を進行して形成されることができる。 The
また、前記後面電極パターン２００は、ストライプ(stripe)形態またはマトリックス(matrix)形態で配置されることができるし、それぞれのセルに対応することができる。 In addition, the
しかし、前記後面電極パターン２００は、前記の形態に限定されないで、多様な形態で形成されることができる。 However, the
この時、前記後面電極パターン２００の間で前記基板１００に形成された前記凹凸パターン１５０の一部が露出することができる。 At this time, a part of the
次に図８に示されたところのように、前記後面電極パターン２００上に光吸収層３００、バッファ層４００を形成する。 Next, as shown in FIG. 8, a
前記光吸収層３００は、ｐ型半導体化合物を含む。さらに詳しくは、前記光吸収層３００は、Ｉ-ＩＩＩ-ＶＩ族系化合物を含む。例えば、前記光吸収層３００は、銅-インジウム-ガリウム-セレン系(Ｃｕ(Ｉｎ、Ｇａ)Ｓｅ２と、ＣＩＧＳ系)結晶構造、銅-インジウム-セレン系または銅-ガリウム-セレン系結晶構造を有することができる。 The
例えば、前記光吸収層３００を形成するために、銅ターゲット、インジウムターゲット及びガリウムターゲットを使用して、前記後面電極パターン２００上にＣＩＧ系金属プリカーソルー(precursor)膜が形成される。 For example, in order to form the
以後、前記金属プリカーソルー膜は、セレニゼイション(selenization)工程によって、セレニウム(Ｓｅ)と反応してＣＩＧＳ系光吸収層３００が形成される。 Thereafter, the metal precursor film reacts with selenium (Se) in a selenization process to form the CIGS
また、前記金属プリカーソルー膜を形成する工程及びセレニゼイション工程の間に、前記基板１００に含まれたアルカリ(alkali)成分が前記後面電極パターン２００を通じて、前記金属プリカーソルー膜及び前記光吸収層３００に拡散される。 In addition, an alkali component included in the
アルカリ(alkali)成分は、前記光吸収層３００のグレーン(grain)大きさを向上させて、結晶性を向上させることができる。 The alkali component may improve the crystal size by improving the grain size of the
また、前記光吸収層３００は、銅、インジウム、ガリウム、セレン(Ｃｕ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｓｅ)を同時蒸着法(co-evaporation)によって形成することもできる。 The
前記光吸収層３００は、外部の光の入射を受けて、電気エネルギーに変換させる。前記光吸収層３００は、光電効果によって光起電力を生成する。 The
この時、前記基板１００と接する前記光吸収層３００の一部も前記凹凸パターン１５０上に形成される。 At this time, a part of the
すなわち、前記光吸収層３００の一部も前記凹凸パターン１５０の溝１１０と突起１２０に結合されて、前記光吸収層３００と基板１００との結合力も増大されることができる。 That is, a part of the
前記バッファ層４００は、少なくとも一つ以上の層で形成されることができるし、前記光吸収層３００が形成された前記基板１００上に硫化カドミウム(ＣｄＳ)、ＩＴＯ、ＺｎＯ、ｉ−ＺｎＯのうちで何れか一つまたはこれらの積層で形成されることができるし、インジウム(Ｉｎ)、ガリウム(Ｇａ)、アルミニウム(Ａｌ)などをドーピングすることで低い抵抗値を得ることができる。 The
この時、前記バッファ層４００は、ｎ型半導体層であり、前記光吸収層３００は、ｐ型半導体層である。よって、前記光吸収層３００及びバッファ層４００はｐｎ接合を形成する。 At this time, the
前記バッファ層４００は、前記光吸収層３００と以後に形成される前面電極との間に配置される。 The
すなわち、前記光吸収層３００と前面電極は、格子定数とエネルギーバンドギャップの差が大きいために、バンドギャップが二つの物質の中間に位置する前記バッファ層４００を挿入して良好な接合を形成することができる。 That is, since the
本実施例では一つのバッファ層を前記光吸収層３００上に形成したが、これに限定されないで、前記バッファ層４００は複数個の層で形成されることもできる。 In this embodiment, one buffer layer is formed on the
引き継いで、図９に示されたところのように、前記光吸収層３００及びバッファ層４００を貫通するコンタクトパターン３１０を形成する。 Subsequently, as shown in FIG. 9, a
前記コンタクトパターン３１０は、機械的な(mechnical)方法またはレーザー(laser)を使用する工程を進行して形成することができるし、前記後面電極パターン２００の一部が露出される。 The
そして、図１０に示されたところのように、前記バッファ層４００上に透明な導電性物質を積層して、前面電極５００及び接続配線７００を形成する。 Then, as shown in FIG. 10, a transparent conductive material is stacked on the
前記透明な導電性物質を前記バッファ層４００上に積層させる時、前記透明な導電性物質が前記コンタクトパターン３１０の内部にも挿入されて、前記接続配線７００を形成することができる。 When the transparent conductive material is stacked on the
前記後面電極パターン２００と前面電極５００は、前記接続配線７００によって電気的に連結される。 The
前記前面電極５００は、前記基板１００上にスパッタリング工程を進行してアルミニウムがドーピングされた酸化亜鉛で形成される。 The
前記前面電極５００は、前記光吸収層３００とｐｎ接合を形成するウィンドウ(window)層として、太陽電池前面の透明電極の機能をするために光透過率が高くて、電気伝導性が良い酸化亜鉛(ＺｎＯ)で形成される。 The
この時、前記酸化亜鉛にアルミニウムをドーピングすることで、低い抵抗値を有する電極を形成することができる。 At this time, an electrode having a low resistance value can be formed by doping the zinc oxide with aluminum.
前記前面電極５００である酸化亜鉛薄膜は、ＲＦスパッタリング方法としてＺｎＯターゲットを使用して蒸着する方法とＺｎターゲットを利用した反応性スパッタリング、そして有機金属化学蒸着法などで形成されることができる。 The zinc oxide thin film as the
また、電気光学的特性が優れたＩＴＯ(IndiumtinOxide)薄膜を酸化亜鉛薄膜上に蒸着した二重構造を形成することもできる。 It is also possible to form a double structure in which an ITO (Indiumtin Oxide) thin film having excellent electro-optical characteristics is deposited on a zinc oxide thin film.
引き継いで、図１１に示されたところのように、前記光吸収層３００、バッファ層４００及び前面電極５００を貫通する分離パターン３２０を形成する。 Subsequently, as shown in FIG. 11, a
前記分離パターン３２０は、機械的な(mechnical)方法またはレーザー(laser)を使用する工程を進行して形成されることができるし、前記後面電極パターン２００の一部が露出される。 The
前記バッファ層４００及び前面電極５００は、前記分離パターン３２０によって区分されることができるし、前記分離パターン３２０によってそれぞれのセル(Ｃ１、Ｃ２)はお互いに分離することができる。 The
前記分離パターン３２０によって前記前面電極５００バッファ層４００及び光吸収層３００は、ストライプ形態またはマトリックス形態で配置されることができる。 The
前記分離パターン３２０は、前記の形態に限定されないで、多様な形態で形成されることができる。 The
前記分離パターン３２０によって前記後面電極パターン２００、光吸収層３００、バッファ層４００及び前面電極５００を含むセル(Ｃ１、Ｃ２)が形成される。 The
この時、前記接続配線７００によってそれぞれのセル(Ｃ１、Ｃ２)は、お互いに連結されることができる。すなわち、前記接続配線７００は第２セル(Ｃ２)の後面電極パターン２００と前記第２セル(Ｃ２)に隣接する前記第１セル(Ｃ１)の前面電極５００を電気的に連結する。 At this time, the cells (C1, C2) may be connected to each other by the
以上で説明した実施例による太陽電池及びその製造方法は、基板にナノ大きさの凹凸パターンを形成して基板上に形成される後面電極との結合力を増大させることができる。 The solar cell and the manufacturing method thereof according to the embodiments described above can increase the bonding force with the rear electrode formed on the substrate by forming a nano-sized uneven pattern on the substrate.
特に、基板がフレキシブル(flexible)な場合には、基板が撓んでも基板と後面電極との間にクラック(crack)が発生しない。 In particular, when the substrate is flexible, no crack is generated between the substrate and the rear electrode even if the substrate is bent.
すなわち、凹凸構造のパターンの溝の内部にも後面電極が形成されて、基板と後面電極との結合力が増大されることができる。 That is, the rear electrode is also formed inside the groove of the concavo-convex structure pattern, and the bonding force between the substrate and the rear electrode can be increased.
また、基板と一部が接する光吸収層も凹凸構造のパターンと接して、光吸収層と基板との結合力も増大されることができる。 Further, the light absorption layer partly in contact with the substrate is also in contact with the pattern of the concavo-convex structure, so that the bonding force between the light absorption layer and the substrate can be increased.
以上で実施例を中心に説明したが、これは単に例示であるだけで本発明を限定するものではなくて、本発明が属する分野の通常の知識を有した者なら本実施例の本質的な特性を脱しない範囲で以上に例示されないさまざまの変形と応用が可能であることを分かることができるであろう。例えば、実施例に具体的に現われた各構成要素は、変形して実施することができるものである。そして、このような変形と応用に係る差異点らは、添付された請求範囲で規定する本発明の範囲に含まれるものとして解釈されなければならないであろう。 Although the embodiment has been mainly described above, this is merely an example and is not intended to limit the present invention. Those who have ordinary knowledge in the field to which the present invention belongs are essential to the present embodiment. It will be understood that various modifications and applications not exemplified above are possible without departing from the characteristics. For example, each component specifically shown in the embodiments can be implemented by being modified. Such differences in modification and application should be construed as being included in the scope of the present invention as defined in the appended claims.
１００ 基板
１１０ 溝
１２０ 突起
１５０ 凹凸パターン
１７０ パターン層
２００ 後面電極
３００ 光吸収層
４００ バッファ層
５００ 前面電極DESCRIPTION OF
Claims (19)
Translated fromJapanese前記パターン層上に配置された後面電極と、
前記後面電極上に配置された光吸収層と、
前記光吸収層上に配置されたバッファ層と、及び
前記バッファ層上に配置された前面電極を含んで、
前記パターン層は凹凸パターンを含むことを特徴とする太陽電池。A pattern layer disposed on a substrate;
A rear electrode disposed on the pattern layer;
A light absorbing layer disposed on the rear electrode;
A buffer layer disposed on the light absorption layer; and a front electrode disposed on the buffer layer;
The solar cell according to claim 1, wherein the pattern layer includes an uneven pattern.
前記溝と突起の高さは１００〜３００ｎｍであり、
前記溝と突起を含む前記凹凸パターンの周期は、２００〜５００ｎｍであることを含むことを特徴とする請求項２に記載の太陽電池。The groove has a width of 100 to 300 nm, the protrusion has a width of 100 to 200 nm,
The height of the groove and protrusion is 100 to 300 nm,
The solar cell according to claim 2, wherein a period of the uneven pattern including the groove and the protrusion includes 200 to 500 nm.
aは前記凹凸パターンの上面である前記突起の上面から前記後面電極の表面までの距離、ｂは前記溝の高さ、ｃは前記突起の高さ、ｄは前記パターン層で前記溝の底面から前記基板までの厚さであるとする時、
(ａ＋ｂ)=Ｗ(ｃ＋ｄ)
の条件式を満足して、ここで、Ｗは０．１７〜０．４３の値を有することを特徴とする請求項２に記載の太陽電池。For the substrate, pattern layer, and rear electrode,
a is the distance from the upper surface of the protrusion, which is the upper surface of the concavo-convex pattern, to the surface of the rear electrode, b is the height of the groove, c is the height of the protrusion, and d is the pattern layer from the bottom surface of the groove. When the thickness is up to the substrate,
(a + b) = W (c + d)
The solar cell according to claim 2, wherein W has a value of 0.17 to 0.43.
ｃは、前記突起の高さ、ｄは前記パターン層で前記溝の底面から前記基板までの厚さであるとする時、
(ｃ)=Ｘ(ｄ)
の条件式を満足して、ここで、Ｘは０．０３〜０．１５の値を有することを特徴とする請求項２に記載の太陽電池。For the pattern layer,
When c is the height of the protrusion, and d is the thickness from the bottom surface of the groove to the substrate in the pattern layer,
(c) = X (d)
The solar cell according to claim 2, wherein X has a value of 0.03 to 0.15.
ｄは前記パターン層で前記溝の底面から前記基板までの厚さ、ｅは前記基板の厚さであるとする時、
(ｄ)=Ｙ(ｅ)
の条件式を満足して、ここで、Ｙは０．０４〜０．１２の値を有することを特徴とする請求項２に記載の太陽電池。For the substrate and the pattern layer,
When d is the thickness of the pattern layer from the bottom of the groove to the substrate, and e is the thickness of the substrate,
(d) = Y (e)
The solar cell according to claim 2, wherein Y has a value of 0.04 to 0.12.
ｆは前記溝の幅、ｇは前記突起の幅とする時、
(ｆ)=Ｚ(ｇ)
の条件式を満足して、ここで、Ｚは１〜２の値を有することを特徴とする請求項２に記載の太陽電池。For the pattern layer,
When f is the width of the groove and g is the width of the protrusion,
(f) = Z (g)
The solar cell according to claim 2, wherein Z has a value of 1 to 2, wherein the conditional expression is satisfied.
前記パターン層上に後面電極を形成する段階と、
前記後面電極上に光吸収層を形成する段階と、
前記光吸収層上にバッファ層を形成する段階と、及び
前記バッファ層上に前面電極を形成する段階を含む太陽電池の製造方法。Forming a pattern layer including a concavo-convex pattern on a substrate;
Forming a back electrode on the pattern layer;
Forming a light absorbing layer on the rear electrode;
A method for manufacturing a solar cell, comprising: forming a buffer layer on the light absorption layer; and forming a front electrode on the buffer layer.
前記基板上に樹脂層を形成する段階と、及び
前記樹脂層に金型を利用したモールディング(molding)工程を進行しながら、ＵＶ硬化工程を同時に進行して、凹凸パターンが形成されたパターン層を形成する段階と、を含むことを特徴とする請求項１１に記載の太陽電池の製造方法。The step of forming the pattern layer includes:
A step of forming a resin layer on the substrate, and a molding layer using a mold for the resin layer, a UV curing step is performed at the same time, and a pattern layer having a concavo-convex pattern is formed. And forming the solar cell according to claim 11.
前記溝と突起の高さは１００〜３００ｎｍであり、
前記溝と突起を含む前記凹凸パターンの周期は２００〜５００ｎｍであることを含むことを特徴とする請求項１４に記載の太陽電池の製造方法。The groove has a width of 100 to 300 nm, the protrusion has a width of 100 to 200 nm,
The height of the groove and protrusion is 100 to 300 nm,
The method of manufacturing a solar cell according to claim 14, wherein a period of the uneven pattern including the grooves and protrusions is 200 to 500 nm.
ａは前記凹凸パターンの上面である前記突起の上面から前記後面電極の表面までの距離、ｂは前記溝の高さ、ｃは前記突起の高さ、ｄは前記パターン層で前記溝の底面から前記基板までの厚さであるとする時、
(ａ＋ｂ)=Ｗ(ｃ＋ｄ)
の条件式を満足して、ここでＷは０．１７〜０．４３の値を有することを特徴とする請求項１４に記載の太陽電池の製造方法。For the substrate, pattern layer, and rear electrode,
a is the distance from the upper surface of the protrusion, which is the upper surface of the concavo-convex pattern, to the surface of the rear electrode, b is the height of the groove, c is the height of the protrusion, and d is the pattern layer from the bottom surface of the groove. When the thickness is up to the substrate,
(a + b) = W (c + d)
The method of manufacturing a solar cell according to claim 14, wherein W has a value of 0.17 to 0.43.
ｃは前記突起の高さ、ｄは前記パターン層で前記溝の底面から前記基板までの厚さであるとする時、
(ｃ)=Ｘ(ｄ)
の条件式を満足して、ここでＸは０．０３〜０．１５の値を有することを特徴とする請求項１４に記載の太陽電池の製造方法。For the pattern layer,
c is the height of the protrusion, and d is the thickness of the pattern layer from the bottom of the groove to the substrate,
(c) = X (d)
The method of manufacturing a solar cell according to claim 14, wherein the conditional expression is satisfied, wherein X has a value of 0.03 to 0.15.
ｄは前記パターン層で前記溝の底面から前記基板までの厚さ、ｅは前記基板の厚さであるとする時、
(ｄ)=Ｙ(ｅ)
の条件式を満足して、ここでＹは０．０４〜０．１２の値を有することを特徴とする請求項１４に記載の太陽電池の製造方法。For the substrate and the pattern layer,
When d is the thickness of the pattern layer from the bottom of the groove to the substrate, and e is the thickness of the substrate,
(d) = Y (e)
The method of manufacturing a solar cell according to claim 14, wherein the conditional expression is satisfied, wherein Y has a value of 0.04 to 0.12.
ｆは前記溝の幅、ｇは前記突起の幅とする時、
(ｆ)=Ｚ(ｇ)
の条件式を満足して、ここでＺは１〜２の値を有することを特徴とする請求項１４に記載の太陽電池の製造方法。For the pattern layer,
When f is the width of the groove and g is the width of the protrusion,
(f) = Z (g)
The method of manufacturing a solar cell according to claim 14, wherein the conditional expression is satisfied, wherein Z has a value of 1 to 2. 15.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2009-0103076 | 2009-10-28 | ||
| KR1020090103076AKR101091405B1 (en) | 2009-10-28 | 2009-10-28 | Solar cell and manufacturing method thereof |
| PCT/KR2010/007493WO2011053025A2 (en) | 2009-10-28 | 2010-10-28 | Solar cell and a production method for the same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2013509705Atrue JP2013509705A (en) | 2013-03-14 |
| JP5663030B2 JP5663030B2 (en) | 2015-02-04 |
Family
ID=43922852
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012536683AExpired - Fee RelatedJP5663030B2 (en) | 2009-10-28 | 2010-10-28 | Solar cell and manufacturing method thereof |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8987585B2 (en) |
| EP (1) | EP2434550A4 (en) |
| JP (1) | JP5663030B2 (en) |
| KR (1) | KR101091405B1 (en) |
| CN (1) | CN102598299A (en) |
| WO (1) | WO2011053025A2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014120628A (en)* | 2012-12-17 | 2014-06-30 | Rohm Co Ltd | Photoelectric conversion device and method of manufacturing the same |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101186560B1 (en)* | 2011-07-07 | 2012-10-08 | 포항공과대학교 산학협력단 | Substrate for solar cell and manufacturing method thereof |
| KR101281005B1 (en)* | 2011-07-20 | 2013-07-08 | (주)에스티아이 | Thin film solar cell device |
| FR2979752B1 (en)* | 2011-09-02 | 2016-03-11 | Commissariat Energie Atomique | NON-PLAN PHOTOVOLTAIC DEVICE |
| KR101272998B1 (en)* | 2011-10-13 | 2013-06-10 | 엘지이노텍 주식회사 | Solar cell and solar cell module unsing the same |
| CN103000709B (en)* | 2012-11-26 | 2017-02-08 | 北京大学深圳研究生院 | Back electrode, back electrode absorbing layer composite structure and solar cell |
| KR20150039536A (en)* | 2013-10-02 | 2015-04-10 | 엘지이노텍 주식회사 | Solar cell |
| KR102514594B1 (en) | 2015-08-13 | 2023-03-27 | 삼성전자주식회사 | Exterior package for flexible electrochemical device and electrochemical device including the exterior package |
| CN114759101B (en)* | 2020-12-29 | 2023-08-01 | 隆基绿能科技股份有限公司 | Hot carrier solar cell and photovoltaic module |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0575155A (en)* | 1991-09-13 | 1993-03-26 | Sanyo Electric Co Ltd | Photovoltaic device and its production |
| JPH05308148A (en)* | 1992-03-05 | 1993-11-19 | Tdk Corp | Solar cell |
| JP2001345460A (en)* | 2000-03-29 | 2001-12-14 | Sanyo Electric Co Ltd | Solar cell device |
| JP2003298086A (en)* | 2002-03-29 | 2003-10-17 | Tdk Corp | Solar cell and its fabricating method |
| JP2003298084A (en)* | 2002-03-29 | 2003-10-17 | Tdk Corp | Solar cell and its fabricating method |
| JP2005101422A (en)* | 2003-09-26 | 2005-04-14 | Sanyo Electric Co Ltd | Photoelectromotive force unit |
| JP2007201304A (en)* | 2006-01-30 | 2007-08-09 | Honda Motor Co Ltd | Solar cell and method for manufacturing the same |
| JP2009021479A (en)* | 2007-07-13 | 2009-01-29 | Omron Corp | CIS solar cell and manufacturing method thereof |
| WO2009082137A2 (en)* | 2007-12-21 | 2009-07-02 | Jusung Engineering Co., Ltd. | Thin film type solar cell and method for manufacturing the same |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0911884B1 (en)* | 1997-10-27 | 2005-02-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Photoelectric converter and method of manufacturing the same |
| JP2000208800A (en)* | 1998-11-13 | 2000-07-28 | Fuji Xerox Co Ltd | Solar cell, self-powered display element using the same, and method of manufacturing solar cell |
| JP2005150242A (en)* | 2003-11-12 | 2005-06-09 | Japan Gore Tex Inc | SOLAR CELL SUBSTRATE, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND SOLAR CELL |
| US8716594B2 (en)* | 2006-09-26 | 2014-05-06 | Banpil Photonics, Inc. | High efficiency photovoltaic cells with self concentrating effect |
| JP5048380B2 (en) | 2007-04-09 | 2012-10-17 | 信越化学工業株式会社 | Method for producing single crystal silicon solar cell |
| KR20080107181A (en)* | 2007-06-05 | 2008-12-10 | 엘지전자 주식회사 | High efficiency solar cell |
| KR101494153B1 (en) | 2007-12-21 | 2015-02-23 | 주성엔지니어링(주) | Thin film solar cell and its manufacturing method |
- 2009
- 2009-10-28KRKR1020090103076Apatent/KR101091405B1/ennot_activeExpired - Fee Related
- 2010
- 2010-10-28EPEP10827109.9Apatent/EP2434550A4/ennot_activeWithdrawn
- 2010-10-28CNCN2010800492881Apatent/CN102598299A/enactivePending
- 2010-10-28USUS13/379,557patent/US8987585B2/ennot_activeExpired - Fee Related
- 2010-10-28JPJP2012536683Apatent/JP5663030B2/ennot_activeExpired - Fee Related
- 2010-10-28WOPCT/KR2010/007493patent/WO2011053025A2/enactiveApplication Filing
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0575155A (en)* | 1991-09-13 | 1993-03-26 | Sanyo Electric Co Ltd | Photovoltaic device and its production |
| JPH05308148A (en)* | 1992-03-05 | 1993-11-19 | Tdk Corp | Solar cell |
| JP2001345460A (en)* | 2000-03-29 | 2001-12-14 | Sanyo Electric Co Ltd | Solar cell device |
| JP2003298086A (en)* | 2002-03-29 | 2003-10-17 | Tdk Corp | Solar cell and its fabricating method |
| JP2003298084A (en)* | 2002-03-29 | 2003-10-17 | Tdk Corp | Solar cell and its fabricating method |
| JP2005101422A (en)* | 2003-09-26 | 2005-04-14 | Sanyo Electric Co Ltd | Photoelectromotive force unit |
| JP2007201304A (en)* | 2006-01-30 | 2007-08-09 | Honda Motor Co Ltd | Solar cell and method for manufacturing the same |
| JP2009021479A (en)* | 2007-07-13 | 2009-01-29 | Omron Corp | CIS solar cell and manufacturing method thereof |
| WO2009082137A2 (en)* | 2007-12-21 | 2009-07-02 | Jusung Engineering Co., Ltd. | Thin film type solar cell and method for manufacturing the same |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014120628A (en)* | 2012-12-17 | 2014-06-30 | Rohm Co Ltd | Photoelectric conversion device and method of manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2011053025A3 (en) | 2011-09-22 |
| EP2434550A4 (en) | 2013-11-20 |
| WO2011053025A2 (en) | 2011-05-05 |
| JP5663030B2 (en) | 2015-02-04 |
| KR101091405B1 (en) | 2011-12-07 |
| KR20110046195A (en) | 2011-05-04 |
| EP2434550A2 (en) | 2012-03-28 |
| US8987585B2 (en) | 2015-03-24 |
| US20120097242A1 (en) | 2012-04-26 |
| CN102598299A (en) | 2012-07-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5663030B2 (en) | Solar cell and manufacturing method thereof | |
| US9812593B2 (en) | Solar cell and preparing method of the same | |
| US20100186816A1 (en) | Solar cell | |
| CN102598301A (en) | Solar cell and manufacturing method thereof | |
| US9748424B2 (en) | Solar cell and preparing method of the same | |
| KR101428146B1 (en) | Solar cell module and method of fabricating the same | |
| KR101283183B1 (en) | Solar cell apparatus and method of fabricating the same | |
| US20140326290A1 (en) | Solar cell and solar cell module | |
| KR101382898B1 (en) | See through type solar cell and fabricating method | |
| KR101327126B1 (en) | Solar cell and solar cell module unsing the same | |
| KR101218503B1 (en) | Method of fabricating solar cell module by using Al thin film. | |
| KR20110048731A (en) | Solar cell and manufacturing method thereof | |
| JP5947315B2 (en) | Solar cell | |
| KR101405639B1 (en) | Solar cell and method of fabricating the same | |
| CN103477443B (en) | Solar cell and method of fabricating the same | |
| KR101765924B1 (en) | Solar cell apparatus and method of fabricating the same | |
| KR101251870B1 (en) | Solar cell apparatus and method of fabricating the same | |
| KR101034146B1 (en) | Solar cell and manufacturing method thereof | |
| US20140182653A1 (en) | Solar cell and solar cell module using the same | |
| KR20130031020A (en) | Solar cell | |
| KR101934434B1 (en) | Solar cell and method of fabricating the same | |
| KR20120116806A (en) | Solar cell | |
| KR101326950B1 (en) | Solar cell | |
| KR101209966B1 (en) | Solar cell and method of fabricating the same |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination | Free format text:JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date:20131018 | |
| A977 | Report on retrieval | Free format text:JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date:20140312 | |
| A131 | Notification of reasons for refusal | Free format text:JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date:20140408 | |
| A521 | Request for written amendment filed | Free format text:JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date:20140704 | |
| A131 | Notification of reasons for refusal | Free format text:JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date:20140729 | |
| A521 | Request for written amendment filed | Free format text:JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date:20141027 | |
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) | Free format text:JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date:20141111 | |
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) | Free format text:JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date:20141205 | |
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model | Ref document number:5663030 Country of ref document:JP Free format text:JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 | |
| R250 | Receipt of annual fees | Free format text:JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 | |
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |