JP2013140950A5 - - Google Patents

Claims (21)

1. ガスをプラズマ化し、該プラズマの作用により被処理体をプラズマ処理するプラズマ処理装置であって、
   減圧可能な処理容器と、
   前記処理容器内に設けられ、被処理体を載置する載置台として機能する下部電極と、
   前記処理容器に設けられ、前記下部電極と対向するように配置され、上部電極又はアンテナ電極として機能する対向電極と、
   前記処理容器内にハロゲン含有ガス及び酸素ガスを含むガスを導入するガス供給源と、
   前記処理容器内で前記ハロゲン含有ガス及び前記酸素ガスを含む前記ガスのプラズマを生成するプラズマ生成部と、を備え、
   前記ハロゲン含有ガス及び前記酸素ガスを含む前記ガスの前記プラズマに晒される前記処理容器内の面のうち、フッ化化合物で被膜された、前記被処理体の載置位置と前記対向電極との間の面の少なくとも一部又は全部、或いは、フッ化化合物で被膜された、前記対向電極の面の少なくとも一部又は全部を有し、
   前記フッ化化合物はＹＦ_３を含有し、
   前記フッ化化合物の最表層は、前記ハロゲン含有ガス及び前記酸素ガスを含む前記ガスから生成されたプラズマによりＹ，Ｏ、及びＦを含有するか、Ｙ，Ｏ、Ｆ、及び少なくともＣｌ及びＢｒのうち何れか１つを含有する変質された層であることを特徴とするプラズマ処理装置。
2. 前記ハロゲン含有ガス及び前記酸素ガスを含む前記ガスから生成されたプラズマによりＹ，Ｏ、及びＦを含有するか、Ｙ，Ｏ、Ｆ、及び少なくともＣｌ及びＢｒのうち何れか１つを含有する変質された層である前記フッ化化合物の最表層は、２０ｎｍ以下の厚さであることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
3. 前記フッ化化合物は、溶射皮膜、ＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）又はＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）により形成されることを特徴とする請求項１又は２に記載のプラズマ処理装置。
4. 前記フッ化化合物を形成する材料は、Ａｌ、Ｓｉを含むフッ化化合物であることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
5. 前記フッ化化合物は、金属の基材上に直接又は１以上の絶縁物の被膜を介して最表層に形成されることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
6. 前記フッ化化合物は、Ａｌの基材、Ｙ_２Ｏ_３膜又はＡｌ_２Ｏ_３膜のいずれかの直上に形成されていることを特徴とする請求項５に記載のプラズマ処理装置。
7. 前記フッ化化合物の膜厚は、３００μｍ未満であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
8. 前記フッ化化合物の膜厚は、２００μｍ未満であることを特徴とする請求項７に記載のプラズマ処理装置。
9. 前記フッ化化合物の最表層は、エネルギー線の照射により溶解した後再結晶化されていることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
10. 前記プラズマに晒される前記処理容器内の面のうち、前記フッ化化合物で被膜された、バッフル板と前記対向電極側との間の面の一部又は全部を有することを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
11. 前記プラズマに晒される前記処理容器内の面のうち、前記フッ化化合物で被膜された面は、前記載置台から前記処理容器の天井面までのギャップに応じて決定された面であることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
12. 前記処理容器内に設けられたデポシールド、シャッター、バッフル板及びリングボトムシールドの少なくともいずれかは、前記フッ化化合物で被覆された、プラズマに晒される面を有することを特徴とする請求項１〜１１のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
13. 前記フッ化化合物で被覆された、前記載置台の静電チャックの側面、又は該静電チャックの側面と上面とを有することを特徴とする請求項１〜１２のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
14. 前記フッ化化合物で被覆された、前記載置台に載置される被処理体の周縁部を覆うフォーカスリングの上面を有することを特徴とする請求項１〜１３のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
15. 前記フッ化化合物の下部に酸化イットリウムＹ_２Ｏ_３が溶射形成され、
    前記フッ化化合物の膜厚は、前記酸化イットリウムの膜厚の５０％以下であることを特徴とする請求項１〜１４のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
16. 前記フッ化化合物を形成する材料の表面粗さは７．０以下であることを特徴とする請求項１〜１５のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
17. 前記フッ化化合物を形成する材料の気孔率は３〜７％であることを特徴とする請求項１〜１６のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
18. ガスをプラズマ化し、該プラズマの作用により被処理体をプラズマ処理するプラズマ処理装置であって、
    減圧可能な処理容器と、
    前記処理容器内に設けられ、被処理体を載置する載置台として機能する下部電極と、
    前記処理容器に設けられ、前記下部電極と対向するように配置され、上部電極又はアンテナ電極として機能する対向電極と、
    前記処理容器内にハロゲン含有ガス及び酸素ガスを含むガスを導入するガス供給源と、
    前記処理容器内で前記ハロゲン含有ガス及び前記酸素ガスを含む前記ガスのプラズマを生成するプラズマ生成部と、を備えるプラズマ処理装置用のプラズマ処理方法であって、
    前記ハロゲン含有ガス及び前記酸素ガスを含む前記ガスの前記プラズマに晒される前記処理容器内の面のうち、前記被処理体の載置位置と前記対向電極との間の面の少なくとも一部又は全部、或いは前記対向電極の面の少なくとも一部又は全部がフッ化化合物で被膜されている処理容器内に、前記ガス供給源から前記ハロゲン含有ガス及び前記酸素ガスを含む前記ガスを導入する工程と、
    前記プラズマ生成部を用いて前記ハロゲン含有ガス及び前記酸素ガスを含む前記ガスのプラズマを生成する工程と、
    前記ハロゲン含有ガス及び前記酸素ガスを含む前記ガスの前記プラズマの作用により前記載置台上の被処理体をプラズマ処理する工程と、を含み、
    前記フッ化化合物はＹＦ_３を含有し、
    前記フッ化化合物の最表層は、前記ハロゲン含有ガス及び前記酸素ガスを含む前記ガスから生成されたプラズマによりＹ，Ｏ、及びＦを含有するか、Ｙ，Ｏ、Ｆ、及び少なくともＣｌ及びＢｒのうち何れか１つを含有する変質された層に変質されることを特徴とするプラズマ処理方法。
19. 前記フッ化化合物の下部に酸化イットリウムＹ_２Ｏ_３が溶射形成され、
    前記フッ化化合物の膜厚は、前記酸化イットリウムの膜厚の５０％以下に形成することを特徴とする請求項１８に記載のプラズマ処理方法。
20. 前記フッ化化合物を形成する材料の表面粗さは７．０以下であることを特徴とする請求項１８又は１９に記載のプラズマ処理方法。
21. 前記フッ化化合物を形成する材料の気孔率は３〜７％であることを特徴とする請求項１８〜２０のいずれか一項に記載のプラズマ処理方法。