JP2012182289A - Reflective mask blank and manufacturing method thereof, and reflective mask and manufacturing method thereof - Google Patents

Abstract

Translated fromJapanese

【課題】遮光性の高い遮光枠を有する反射型マスクブランク及びその製造方法、反射型マスク及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、基板１１と、この基板表面に形成された多層反射層２１と、この多層反射層２１の上に形成された吸収層５１を有する反射型マスクブランク及び反射型マスクの製造構成において、マスクブランク製造前の基板１１に微細な凹凸パターンを設けることで、反射型マスクとして使用する際に、位相効果により多層反射層２１から発生する反射強度を下げ、遮光性の高い遮光枠を作製する。
【選択図】図１A reflective mask blank having a highly light-shielding frame, a method for manufacturing the same, a reflective mask, and a method for manufacturing the same are provided.
The present invention relates to a reflective mask blank and a reflective mask having a substrate 11, a multilayer reflective layer 21 formed on the surface of the substrate, and an absorption layer 51 formed on the multilayer reflective layer 21. In the manufacturing configuration, by providing a fine concavo-convex pattern on the substrate 11 before manufacturing the mask blank, when used as a reflective mask, the reflection intensity generated from the multilayer reflective layer 21 is reduced due to the phase effect, and the light shielding has a high light shielding property. Make a frame.
[Selection] Figure 1

Description

Translated fromJapanese

本発明は、反射型マスクブランク、及び反射型マスクブランクの製造方法に関する。特に、極端紫外線（Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ；ＥＵＶ）を光源とするＥＵＶリソグラフィを用いた半導体製造装置などに利用される、反射型マスクブランク及びその製造方法、反射型マスク及びその製造方法に関する。  The present invention relates to a reflective mask blank and a method for manufacturing a reflective mask blank. In particular, the present invention relates to a reflective mask blank, a manufacturing method thereof, a reflective mask, and a manufacturing method thereof, which are used in a semiconductor manufacturing apparatus using EUV lithography using extreme ultraviolet (EUV) as a light source.

近年、半導体デバイスの微細化に伴い、波長が１３．５ｎｍ近傍のＥＵＶを光源に用いたＥＵＶリソグラフィが提案されている。ＥＵＶリソグラフィは、光源波長の特性のため、真空中で行われる必要がある。  In recent years, with the miniaturization of semiconductor devices, EUV lithography using EUV having a wavelength of around 13.5 nm as a light source has been proposed. EUV lithography needs to be performed in a vacuum due to the characteristics of the light source wavelength.

ＥＵＶ光は、その波長領域において、ほとんどの物質の屈折率が１よりもわずかに小さい値であり、非常に光吸収性されやすい。このため、ＥＵＶリソグラフィにおいては従来から用いられてきた透過型の屈折光学系を使用することができず、反射光学系となる。従って、原版となるフォトマスク（以下、マスクと呼ぶ）も、従来の透過型のマスクは使用できないため、反射型マスクとする必要がある。  In the wavelength region of EUV light, the refractive index of most substances is a value slightly smaller than 1, and it is very easy to absorb light. For this reason, the EUV lithography cannot use a transmission type refractive optical system which has been used conventionally, and becomes a reflection optical system. Therefore, a photomask (hereinafter referred to as a mask) as an original plate must be a reflective mask because a conventional transmissive mask cannot be used.

このような反射型マスクの元となる反射型マスクブランクは、低熱膨張基板の上に露光光源波長に対して高い反射率を示す多層反射層と、露光光源波長の吸収層が順次形成されており、更に基板の裏面には露光機内における静電チャックのための裏面導電膜が形成されている。また、前記多層反射層と、吸収層の間に緩衝層を有する構造を持つＥＵＶマスクもある。反射形マスクブランクから反射形マスクへ加工する際には、ＥＢリソグラフィとエッチング技術により吸収層を部分的に除去し、緩衝層を有する構造の場合はこれも同じく除去し、吸収部と反射部からなる回路パターンを形成する。このように作製された反射型マスクによって反射された光像が反射光学系を経て半導体基板上に転写される。  A reflective mask blank that is the basis of such a reflective mask has a multilayer reflective layer showing a high reflectivity with respect to the exposure light source wavelength and an absorption layer of the exposure light source wavelength sequentially formed on a low thermal expansion substrate. Further, a back surface conductive film for an electrostatic chuck in the exposure machine is formed on the back surface of the substrate. There is also an EUV mask having a structure having a buffer layer between the multilayer reflective layer and the absorption layer. When processing from a reflective mask blank to a reflective mask, the absorber layer is partially removed by EB lithography and etching technology, and in the case of a structure having a buffer layer, this is also removed, and from the absorber and reflector A circuit pattern is formed. The light image reflected by the reflection type mask thus manufactured is transferred onto the semiconductor substrate via the reflection optical system.

反射光学系を用いた露光方法では、マスク面に対して垂直方向から所定角度傾いた入射角（通常６°）で照射されるため、吸収層の膜厚が厚い場合、パターン自身の影が生じてしまい、この影となった部分における反射強度は、影になっていない部分よりも小さいため、コントラストが低下し、転写パターンのエッジ部のぼやけや設計寸法からのずれが生じてしまう。これはシャドーイングと呼ばれ、反射マスクの原理的課題の一つである。  In an exposure method using a reflective optical system, irradiation is performed at an incident angle (usually 6 °) tilted by a predetermined angle from the vertical direction with respect to the mask surface. Therefore, since the reflection intensity in the shadowed portion is smaller than that in the non-shadowed portion, the contrast is lowered, and the edge portion of the transfer pattern is blurred and deviated from the design dimension. This is called shadowing and is one of the fundamental problems of the reflective mask.

このようなパターンエッジ部のぼやけや設計寸法からのずれを防ぐためには、吸収層の膜厚は小さくし、パターンの高さを低くすることが有効であるが、吸収層の膜厚が小さくなると、吸収層における遮光性が低下し、転写コントラストが低下し、転写パターンの精度低下となる。つまり、吸収層を薄くし過ぎると転写パターンの精度を保つための必要なコントラストが得られなくなってしまう。従って、吸収層の膜厚は、厚すぎても薄すぎても問題になるので、現在は、概ね５０〜９０ｎｍの間になっており、ＥＵＶ光の吸収層での反射率は０．５〜２％程度である。  In order to prevent such blurring of the pattern edge portion and deviation from the design dimension, it is effective to reduce the thickness of the absorption layer and reduce the height of the pattern, but when the thickness of the absorption layer becomes small In addition, the light shielding property in the absorbing layer is lowered, the transfer contrast is lowered, and the accuracy of the transfer pattern is lowered. That is, if the absorption layer is too thin, the contrast necessary for maintaining the accuracy of the transfer pattern cannot be obtained. Therefore, since the thickness of the absorbing layer is too thick or too thin, it is currently in the range of about 50 to 90 nm, and the reflectance of the EUV light absorbing layer is 0.5 to About 2%.

一方、反射型マスクを用いて半導体基板上に転写回路パターンを形成する際、一枚の半導体基板上には複数の回路パターンのチップが形成される。隣接するチップ間において、チップ外周部が重なる領域が存在する場合がある。これは、ウェハ１枚あたりに取れるチップを出来るだけ増やしたいという生産性向上の要求のために、チップを高密度に配置するためである。この場合、この領域については、複数回（最大で４回）に渡り露光（多重露光）されることになる。この転写パターンのチップ外周部はマスク上でも外周部であり、通常、吸収層の部分である。  On the other hand, when a transfer circuit pattern is formed on a semiconductor substrate using a reflective mask, chips having a plurality of circuit patterns are formed on one semiconductor substrate. There may be a region where the outer periphery of the chip overlaps between adjacent chips. This is because the chips are arranged at a high density in order to increase productivity so as to increase as many chips as possible per wafer. In this case, this region is exposed (multiple exposure) a plurality of times (up to four times). The chip outer peripheral portion of this transfer pattern is also the outer peripheral portion on the mask, and is usually the absorption layer portion.

しかしながら、上述したように吸収層上でのＥＵＶ光の反射率は、０．５〜２％程度あるために、多重露光によりチップ外周部が感光してしまう問題があった。このため、マスク上のチップ外周部は通常の吸収層よりもＥＵＶ光の遮光性の高い領域（以下、遮光枠と呼ぶ）の必要性が出てきた。  However, as described above, since the reflectance of EUV light on the absorption layer is about 0.5 to 2%, there is a problem that the outer periphery of the chip is exposed by multiple exposure. For this reason, the necessity has arisen for the area | region (henceforth a light-shielding frame) where the chip | tip outer peripheral part on a mask has a higher light-shielding property of EUV light than a normal absorption layer.

このような問題を解決する技術として、反射型マスクの吸収層から多層反射層までを掘り込んだ溝を形成することや、回路パターン領域の吸収層の膜厚よりも厚い膜を形成することや、反射型マスク上にレーザ照射もしくはイオン注入することで多層反射層の反射率を低下させることにより、露光光源波長に対する遮光性の高い遮光枠を設けた反射型マスクが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。  As a technique for solving such problems, it is possible to form a groove dug from the absorption layer of the reflective mask to the multilayer reflection layer, to form a film thicker than the thickness of the absorption layer in the circuit pattern region, A reflective mask provided with a light-shielding frame having a high light-shielding property with respect to the exposure light source wavelength has been proposed by reducing the reflectance of the multilayer reflective layer by laser irradiation or ion implantation on the reflective mask (for example, (See Patent Document 1).

特開２００９−２１２２２０号公報JP 2009-212220 A

しかしながら、前記特許文献１に記載される技術では、吸収層から多層反射層までを掘り込んだ溝を形成することや、回路パターン領域の吸収層の膜厚よりも厚い膜を形成することで遮光枠を形成する場合、遮光枠の形成にリソグラフィによるパターニング工程が新たに発生し、反射型マスクを製造する工程が複雑となるため、歩留まりの悪化が懸念される。特にマスク作製工程における多層反射層の掘り込みはＳｉとＭｏの合計８０層を加工する必要があり、加工面からのパーティクル発生は避けられず、欠陥面でのマスク品質の低下を招くとうい不都合を有する。さらに、この方法では、上層の吸収層を除去した後に、多層反射層を除去することから、多層反射層がほんの数層残ってしまった場合は、逆に反射率を高くしてしまう懸念がある。  However, in the technique described inPatent Document 1, light is shielded by forming a groove dug from the absorption layer to the multilayer reflection layer, or by forming a film thicker than the thickness of the absorption layer in the circuit pattern region. In the case of forming the frame, a patterning process by lithography newly occurs in forming the light shielding frame, and the process for manufacturing the reflective mask becomes complicated. In particular, the duplication of the multilayer reflective layer in the mask manufacturing process requires processing of a total of 80 layers of Si and Mo, and the generation of particles from the processed surface is unavoidable. Have Further, in this method, since the multilayer reflective layer is removed after removing the upper absorption layer, if only a few multilayer reflective layers remain, there is a concern that the reflectance may be increased. .

また、反射型マスク上にレーザ照射もしくはイオン注入することで遮光枠を形成する場合、多層反射層以外によるレーザ光もしくはイオンの損失があるため、この損失分を考慮したレーザ光もしくはイオンを照射しなくてはならない。また多層反射層以外の膜にはレーザ光もしくはイオンの照射によるダメージが生じ、吸収層の露光光源波長の吸収率の低下してしまうことが懸念される。  In addition, when a light shielding frame is formed by laser irradiation or ion implantation on a reflective mask, there is a loss of laser light or ions due to other than the multilayer reflective layer. Must-have. Further, there is a concern that damage to the film other than the multilayer reflective layer may be caused by irradiation with laser light or ions, resulting in a decrease in the absorption rate of the exposure light source wavelength of the absorption layer.

そこで、本発明は、遮光枠の形成において、マスク作製時のリソグラフィ、エッチングなどによるパターニング工程を必要とせず、且つ欠陥面でのマスク品質低下を防ぎ、且つ吸収層へのダメージや光学的性質の変化のない、遮光性の高い遮光枠を有する反射型マスクブランク及びその製造方法、反射型マスク及びその製造方法を提供することを目的とする。  Therefore, the present invention does not require a patterning process such as lithography and etching at the time of mask preparation in the formation of the light shielding frame, prevents deterioration of the mask quality on the defective surface, and damages to the absorption layer and optical properties. It is an object of the present invention to provide a reflective mask blank having a light-shielding frame having a high light-shielding property without change, a manufacturing method thereof, a reflective mask, and a manufacturing method thereof.

請求項１に係る発明による反射型マスクブランクは、低熱膨張基板と、前記低熱膨張基板表面に形成された多層反射層と、前記多層反射層の上に形成された吸収層とを具備し、前記吸収層には転写回路パターンが形成され、ブランク作製時に前記転写回路パターン領域の外側にＥＵＶ光の反射率の低い遮光枠を設けて構成した。  A reflective mask blank according to a first aspect of the present invention comprises a low thermal expansion substrate, a multilayer reflective layer formed on the surface of the low thermal expansion substrate, and an absorption layer formed on the multilayer reflective layer, A transfer circuit pattern was formed on the absorption layer, and a light-shielding frame having a low EUV light reflectance was provided outside the transfer circuit pattern area when a blank was produced.

請求項２に係る発明による反射型マスクブランクは、前記遮光枠となる領域の前記低熱膨張基板の表面を高さ２．５〜４．５ｎｍ、周期３０ｎｍ以下の凹凸形状に形成して構成した。  A reflective mask blank according to a second aspect of the present invention is configured by forming the surface of the low thermal expansion substrate in the region serving as the light shielding frame into an uneven shape having a height of 2.5 to 4.5 nm and a period of 30 nm or less.

請求項３に係る発明による反射型マスクブランクの製造方法は、後に遮光枠となる領域の低熱膨張基板の表面に、多層反射層を形成する工程と、前記多層反射層を形成する工程に先だって、凹凸形状を形成する工程とを備えて構成した。  The method for manufacturing a reflective mask blank according to the invention according toclaim 3 is provided prior to the step of forming a multilayer reflective layer on the surface of the low thermal expansion substrate in the region that will later become a light shielding frame, and the step of forming the multilayer reflective layer. And a step of forming a concavo-convex shape.

請求項４に係る発明による反射型マスクブランクの製造方法は、前記遮光枠となる領域の低熱膨張基板の表面に前記多層反射層の形成に先立ち凹凸形状を形成する工程に、少なくともリソグラフィとエッチング工程を備えて構成した。  According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a reflective mask blank manufacturing method including at least a lithography and etching step for forming a concavo-convex shape prior to the formation of the multilayer reflective layer on the surface of the low thermal expansion substrate in the region serving as the light shielding frame. It was configured with.

請求項５に係る発明による反射型マスクブランクの製造方法は、前記遮光枠となる領域の低熱膨張基板の表面に凹凸形状を形成する工程に、少なくとも自己組織化単分子膜による工程を備えて構成した。  The method of manufacturing a reflective mask blank according to the invention according toclaim 5 includes a step of forming a concavo-convex shape on the surface of the low thermal expansion substrate in the region serving as the light shielding frame, and at least a step of using a self-assembled monolayer. did.

請求項６に係る発明による反射型マスクブランクの製造方法は、前記遮光枠となる領域の低熱膨張基板の表面に凹凸形状を形成する工程に、少なくともプラズマ処理による工程を備えて構成した。  According to the sixth aspect of the present invention, there is provided a reflective mask blank manufacturing method comprising at least a step of plasma treatment in the step of forming a concavo-convex shape on the surface of the low thermal expansion substrate in the region serving as the light shielding frame.

請求項７に係る発明による反射型マスクブランクの製造方法は、前記遮光枠となる領域の低熱膨張基板の表面に凹凸形状を形成する工程に、少なくともウェット処理による工程を備えて構成した。  According to the seventh aspect of the present invention, there is provided a reflective mask blank manufacturing method including at least a wet processing step in the step of forming the concavo-convex shape on the surface of the low thermal expansion substrate in the region serving as the light shielding frame.

請求項８に係る発明による反射型マスクブランクの製造方法は、前記遮光枠となる領域の低熱膨張基板の表面に凹凸形状を形成する工程に、少なくともサンドブラスト処理による工程を備えて構成した。  The reflective mask blank manufacturing method according to an eighth aspect of the present invention is configured such that the step of forming an uneven shape on the surface of the low thermal expansion substrate in the region serving as the light shielding frame includes at least a step of sandblasting.

請求項９に係る発明による反射型マスクは、請求項１及び２に記載の反射型マスクブランクを用いて構成した。  A reflective mask according to the invention of claim 9 is configured using the reflective mask blank according toclaims 1 and 2.

請求項１０に係る発明による反射型マスクの製造方法は、請求項１及び２に記載の反射型マスクブランクにレジストパターンを形成した後、フルオロカーボンプラズマもしくは塩素プラズマ、必要な場合はその両方のプラズマより吸収層をエッチング処理して、レジストを剥離洗浄し、吸収層に回路パターン領域を形成するように構成した。  According to a tenth aspect of the present invention, there is provided a reflective mask manufacturing method comprising: forming a resist pattern on the reflective mask blank according to the first and second aspects; then, using fluorocarbon plasma or chlorine plasma, and if necessary both plasmas. The absorption layer was etched, the resist was peeled and washed, and a circuit pattern region was formed in the absorption layer.

請求項１１に係る発明による反射型マスクの製造方法は、請求項１及び２に記載の反射型マスクブランクにレジストパターンを形成した後、フルオロカーボンプラズマもしくは塩素プラズマ、必要な場合はその両方のプラズマより吸収層をエッチング処理して、次いで塩素プラズマより緩衝層をエッチング処理し、レジストを剥離洗浄して、吸収層に回路パターン領域を形成するように構成した。  According to an eleventh aspect of the present invention, there is provided a method for producing a reflective mask comprising: forming a resist pattern on the reflective mask blank according to the first and second aspects; then, using fluorocarbon plasma or chlorine plasma, and if necessary both plasmas. The absorption layer was etched, then the buffer layer was etched from chlorine plasma, the resist was peeled and washed, and a circuit pattern region was formed in the absorption layer.

本発明によれば、反射型マスクの製造工程を変更する必要が無いため、マスクの欠陥品質を低下することなく、マスク上のチップ外周部に従来の吸収層よりも遮光性の高い遮光枠を形成することができる。このため、本発明の反射型マスクを用いることで、高い精度で転写パターンを形成できるという効果を奏する。  According to the present invention, since there is no need to change the manufacturing process of the reflective mask, a light shielding frame having a light shielding property higher than that of a conventional absorption layer is provided on the outer periphery of the chip on the mask without deteriorating the defect quality of the mask. Can be formed. For this reason, there is an effect that a transfer pattern can be formed with high accuracy by using the reflective mask of the present invention.

本発明の一実施の形態に係る反射型マスクブランクの構成を説明するために示した概略断面図である。It is the schematic sectional drawing shown in order to demonstrate the structure of the reflective mask blank which concerns on one embodiment of this invention.図１を上面側から見た状態を示した概略平面図である。It is the schematic plan view which showed the state which looked at FIG. 1 from the upper surface side.本発明の他の実施の形態に係る反射型マスクブランクの構成を説明するために示した概略断面図である。It is the schematic sectional drawing shown in order to demonstrate the structure of the reflective mask blank which concerns on other embodiment of this invention.図３を上面側から見た状態を示した概略平面図である。It is the schematic plan view which showed the state which looked at FIG. 3 from the upper surface side.本発明による実施例の作製手順を説明するために示した概略断面図である。It is the schematic sectional drawing shown in order to demonstrate the preparation procedure of the Example by this invention.図５により作製した反射型マスクブランクのＥＵＶ反射率を示した特性図である。It is the characteristic view which showed the EUV reflectance of the reflective mask blank produced by FIG.本発明による反射型マスクの作製手順を説明するために示した概略断面図である。It is the schematic sectional drawing shown in order to demonstrate the preparation procedures of the reflective mask by this invention.

以下、本発明の実施の形態に係る反射型マスクブランク及びその製造方法、反射型マスク及びその製造方法について、図面を参照して詳細に説明する。  Hereinafter, a reflective mask blank and its manufacturing method, a reflective mask and its manufacturing method according to embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

まず、本発明の反射型マスクブランクの構成について説明する。図１（ａ）〜（ｄ）は、本発明の反射型マスクブランク１００、２００、３００、４００の断面を示している。即ち、本発明のブランクの構成は、１００、２００、３００、４００のいずれを用いてもよい。図２は、図１（ａ）〜（ｄ）の本発明の反射型マスクブランク１００、２００、３００、４００を上面から見た図である。  First, the configuration of the reflective mask blank of the present invention will be described. 1A to 1D show cross sections of the reflective mask blanks 100, 200, 300, and 400 of the present invention. That is, any of 100, 200, 300, and 400 may be used for the blank structure of the present invention. FIG. 2 is a top view of thereflective mask blanks 100, 200, 300, and 400 of the present invention shown in FIGS.

図１（ａ）に示す反射型マスクブランク１００は、基板１１の表面に、多層反射層２１、吸収層５１が順次形成されている。図１（ｂ）に示す反射型マスクブランク２００は、基板１１の表面に、多層反射層２１、吸収層５１が順次形成されていると共に、基板１１の裏面に導電膜７１が形成された構造となっている。つまり、図１（ｂ）の反射型マスクブランク２００は、図１（ａ）の反射型マスクブランク１００の基板１１の裏面に導電膜７１が形成されている。図１（ｃ）の反射型マスクブランク３００は、基板１１の表面に多層反射層２１、緩衝層４１、吸収層５１が順次形成されている。図１（ｄ）の反射型マスクブランク４００は、図１（ｃ）の反射型マスクブランク３００の基板１１の裏面に導電膜７１が形成された構造となっている。  In the reflective mask blank 100 shown in FIG. 1A, a multilayerreflective layer 21 and anabsorption layer 51 are sequentially formed on the surface of asubstrate 11. The reflective mask blank 200 shown in FIG. 1B has a structure in which a multilayerreflective layer 21 and anabsorption layer 51 are sequentially formed on the surface of thesubstrate 11 and aconductive film 71 is formed on the back surface of thesubstrate 11. It has become. That is, in the reflective mask blank 200 of FIG. 1B, theconductive film 71 is formed on the back surface of thesubstrate 11 of the reflective mask blank 100 of FIG. In the reflective mask blank 300 of FIG. 1C, the multilayerreflective layer 21, thebuffer layer 41, and theabsorption layer 51 are sequentially formed on the surface of thesubstrate 11. The reflective mask blank 400 of FIG. 1D has a structure in which aconductive film 71 is formed on the back surface of thesubstrate 11 of the reflective mask blank 300 of FIG.

前記基板１１の多層反射層側の表面で、後にチップ周辺部の遮光枠に相当する領域には、微細な凹凸パターンが形成された凹凸領域１１ａが存在しており、次いで形成された多層反射層２１には多層反射層の凹凸領域２１ａが、次いで形成された吸収層５１には、吸収層の凹凸領域５１ａが形成されている。図１（ｃ）、（ｄ）の場合は、緩衝層４１の凹凸領域４１ａも形成されている。図１（ａ）〜（ｄ）の反射型マスクブランク１００、２００、３００、４００を上面から見ると図２のように、通常の吸収層領域８０と遮光枠領域９０が形成されている。  On the surface of thesubstrate 11 on the side of the multilayer reflective layer, anuneven area 11a in which a fine uneven pattern is formed is present in an area corresponding to the light shielding frame at the periphery of the chip, and the formed multilayerreflective layer 21 is formed with a concavo-convex region 21 a of the multilayer reflective layer, and the formedabsorption layer 51 is provided with a concavo-convex region 51 a of the absorption layer. In the case of FIGS. 1C and 1D, theuneven region 41 a of thebuffer layer 41 is also formed. When thereflective mask blanks 100, 200, 300, and 400 shown in FIGS. 1A to 1D are viewed from above, a normalabsorption layer region 80 and a lightshielding frame region 90 are formed as shown in FIG.

ここで、前記基板１１の凹凸領域１１ａの凹凸パターンについて説明する。即ち、基板１１は、後にパターン周辺部の遮光枠領域となる部分が、高さ２．５〜４．５ｎｍ、周期３０ｎｍ以下の凹凸領域１１ａを有している。基板１１の凹凸領域１１ａの凹凸は、ドット、ホール、ライン＆スペースのいずれでも良い。また、上述した高さと周期の条件を満たせば、ランダムな配置であっても良い。  Here, the uneven pattern of theuneven region 11a of thesubstrate 11 will be described. That is, thesubstrate 11 has anuneven region 11a having a height of 2.5 to 4.5 nm and a period of 30 nm or less at a portion that later becomes a light-shielding frame region around the pattern. The unevenness of theuneven region 11a of thesubstrate 11 may be any of dots, holes, lines & spaces. Further, if the above-described height and cycle conditions are satisfied, a random arrangement may be used.

次に、前記基板１１に凹凸領域１１ａを形成する方法について説明する。まず、図１に示す基板１１を用意し、その表面に対し、リソグラフィ、エッチング、レジスト剥離洗浄工程を経て、基板１１の凹凸領域１１ａを形成する。このときのパターンの周期が３０ｎｍ以下であれば、パターンの種類はドット、ホール、ライン＆スペースのいずれでも良い。  Next, a method for forming theuneven region 11a on thesubstrate 11 will be described. First, thesubstrate 11 shown in FIG. 1 is prepared, and the concavo-convex region 11a of thesubstrate 11 is formed on the surface thereof through lithography, etching, and a resist peeling cleaning process. As long as the period of the pattern at this time is 30 nm or less, the type of the pattern may be any of dot, hole, line & space.

エッチングの掘り込み深さは、２．５〜４．５ｎｍになるように、エッチング条件と処理時間を設定する。エッチング方法は、ウェットエッチングであればエッチング液にフッ酸を用い、ドライエッチングであれば、基板のエッチングに適している塩素、フッ素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子を含むガスを用いたプラズマエッチング法が可能である。  Etching conditions and processing time are set so that the etching depth is 2.5 to 4.5 nm. For wet etching, hydrofluoric acid is used as an etchant, and for dry etching, plasma etching using a gas containing a halogen atom such as chlorine, fluorine, bromine, or iodine, which is suitable for etching a substrate. Is possible.

また、基板１１に凹凸領域１１ａを形成する別の方法としては、凹凸領域となる部分の基板表面に自己組織化単分子膜（Ｓｅｌｆ-Ａｓｓｅｍｂｌｅｄ Ｍｏｎｏｌａｙｅｒｓ：ＳＡＭ）によって、周期３０ｎｍ以下のドットパターンを形成し、次いでＳＡＭをエッチングマスクとしてドライエッチングにより、基板１１に深さ２．５〜４．５ｎｍの凹凸パターンを形成しても良い。  As another method for forming theuneven region 11a on thesubstrate 11, a dot pattern with a period of 30 nm or less is formed by a self-assembled monolayer (SAM) on the surface of the substrate that is the uneven region. Then, a concavo-convex pattern having a depth of 2.5 to 4.5 nm may be formed on thesubstrate 11 by dry etching using SAM as an etching mask.

さらに、基板１１に凹凸領域１１ａを形成する別の方法としては、上述したようなリソグラフィや自己組織化単分子膜による所望の周期や大きさを有する微細パターン（後にエッチングマスクとなるもの）を形成せずに、基板に直接プラズマやウェット処理をすることで、表面にラフネスを形成しても良い。リソグラフィや自己組織化単分子膜に比べ、パターンの周期や大きさなどの制御性は、低いが、周期３０ｎｍ以下、且つ深さ２．５〜４．５ｎｍの凹凸パターンは、エッチング条件と時間を適宜設定して形成することも可能である。ただし、この場合、凹凸領域以外の領域は、エッチングによって処理されないように保護される必要があるので、あらかじめリソグラフィやフィルムにより保護膜を形成しておく。  Furthermore, as another method for forming theuneven region 11a on thesubstrate 11, a fine pattern (which will later become an etching mask) having a desired period and size is formed by lithography or self-assembled monolayer as described above. Instead, the roughness may be formed on the surface by directly performing plasma or wet treatment on the substrate. Compared to lithography and self-assembled monolayers, the controllability of the pattern period and size is low, but the concavo-convex pattern with a period of 30 nm or less and a depth of 2.5 to 4.5 nm has a longer It is also possible to set it appropriately. However, in this case, since a region other than the uneven region needs to be protected so as not to be processed by etching, a protective film is formed in advance by lithography or a film.

また、さらに基板１１に凹凸領域１１ａを形成する別の方法としては、基板１１に対して直接サンドブラスト処理を施すことによって所望の周期や高さを有するラフネスを形成しても良い。ただし、この場合も、凹凸領域以外の領域は、サンドブラストによって処理されないように保護される必要があるので、あらかじめリソグラフィやフィルムにより保護膜を形成しておく。  Further, as another method of forming theuneven region 11a on thesubstrate 11, a roughness having a desired cycle and height may be formed by directly subjecting thesubstrate 11 to sandblasting. However, also in this case, since it is necessary to protect the region other than the uneven region so as not to be processed by sandblasting, a protective film is formed in advance by lithography or a film.

次に、基板以外のブランクの構成（多層反射層２１、緩衝層４１、吸収層５１、裏面導電膜７１）について説明する。これらの膜は、いずれもスパッタリング法により形成する。  Next, the configuration of the blank other than the substrate (the multilayerreflective layer 21, thebuffer layer 41, theabsorption layer 51, and the back conductive film 71) will be described. These films are all formed by a sputtering method.

このうち、図１（ａ）、（ｂ）の多層反射層２１は、１３．５ｎｍ近傍のＥＵＶ光に対して６０％程度の反射率を達成できるように設計されており、モリブデン（Ｍｏ）とシリコン（Ｓｉ）が交互に４０〜５０ペア積層した積層膜で、さらに最上層はルテニウム（Ｒｕ）で構成されている。Ｒｕ層の下に隣接する層はＳｉ層である。ＭｏやＳｉが使われている理由は、ＥＵＶ光に対する吸収（消衰係数）が小さく、且つＭｏとＳｉのＥＵＶ光での屈折率差が大きいために、ＳｉとＲｕの界面での反射率を高く出来るためである。多層反射層の最上層のＲｕは、吸収層の加工におけるストッパーやマスク洗浄時の薬液に対する保護層としての役割を果たしている。  Among these, the multilayerreflective layer 21 in FIGS. 1A and 1B is designed to achieve a reflectance of about 60% with respect to EUV light in the vicinity of 13.5 nm. A laminated film in which 40 to 50 pairs of silicon (Si) are alternately laminated, and the uppermost layer is made of ruthenium (Ru). The layer adjacent to the Ru layer is a Si layer. The reason why Mo and Si are used is that the absorption (extinction coefficient) for EUV light is small and the difference in refractive index between Mo and Si EUV light is large, so the reflectance at the interface between Si and Ru is low. This is because it can be high. The uppermost Ru of the multilayer reflective layer plays a role as a stopper in processing of the absorption layer and a protective layer against chemicals during mask cleaning.

そして、図１（ｃ）、（ｄ）の多層反射層２１は、１３．５ｎｍ近傍のＥＵＶ光に対して６０％程度の反射率を達成できるように設計されており、ＭｏとＳｉが交互に４０〜５０ペア積層した積層膜で、最上層はＳｉ層で構成されている。この場合の多層反射層の最上層のＳｉも、上述したＲｕと同様の役割を果たす。  The multilayerreflective layer 21 in FIGS. 1C and 1D is designed to achieve a reflectance of about 60% with respect to EUV light in the vicinity of 13.5 nm, and Mo and Si are alternately formed. It is a laminated film in which 40 to 50 pairs are laminated, and the uppermost layer is composed of a Si layer. In this case, the uppermost Si of the multilayer reflective layer also plays the same role as Ru described above.

また、図１（ｃ）、（ｄ）の緩衝層４１は、吸収層５１のエッチングやパターン修正時に、緩衝層の下に隣接する多層反射層２１の最上層であるＳｉ層を保護するために設けられており、クロム（Ｃｒ）の窒素化合物（ＣｒＮ）で構成されている。  In addition, thebuffer layer 41 in FIGS. 1C and 1D is used to protect the Si layer, which is the uppermost layer of the multilayerreflective layer 21 adjacent to the buffer layer when the absorbinglayer 51 is etched or the pattern is corrected. It is provided and is made of a nitrogen compound (CrN) of chromium (Cr).

そして、図１（ａ）〜（ｄ）の吸収層５１は、１３．５ｎｍ近傍のＥＵＶに対して吸収率の高いタンタル（Ｔａ）の窒素化合物（ＴａＮ）で構成されている。他の材料として、タンタルホウ素窒化物（ＴａＢＮ）、タンタルシリコン（ＴａＳｉ）、タンタル（Ｔａ）や、それらの酸化物（ＴａＢＯＮ、ＴａＳｉＯ、ＴａＯ）でも良い。  The absorbinglayer 51 in FIGS. 1A to 1D is made of a tantalum (Ta) nitrogen compound (TaN) having a high absorption rate with respect to EUV near 13.5 nm. As other materials, tantalum boron nitride (TaBN), tantalum silicon (TaSi), tantalum (Ta), and oxides thereof (TaBON, TaSiO, TaO) may be used.

そして、図１（ａ）〜（ｄ）の吸収層５１は、上層に波長１９０〜２６０ｎｍの紫外光に対して反射防止機能を有する低反射層を設けた２層構造から成る吸収層であっても良い。低反射層は、マスクの欠陥検査機の検査波長に対して、コントラストを高くし、検査性を向上させるためのものである。  1 (a) to 1 (d) is an absorption layer having a two-layer structure in which a low reflection layer having an antireflection function with respect to ultraviolet light having a wavelength of 190 to 260 nm is provided on the upper layer. Also good. The low reflection layer is for increasing the contrast and improving the inspection property with respect to the inspection wavelength of the mask defect inspection machine.

また、図１（ｂ）及び図１（ｄ）の導電膜７１は、一般にはＣｒＮで構成されているが、導電性があれば良いので、金属材料からなる材料であれば良い。  In addition, theconductive film 71 shown in FIGS. 1B and 1D is generally made of CrN, but may be any material made of a metal material as long as it has conductivity.

前記反射型マスクブランク１００，２００，３００，４００は、基板１１の凹凸領域１１ａが形成された表面に、スパッタリング法により多層反射層２１、吸収層５１、緩衝層４１が形成されるため、基板１１の凹凸領域１１ａの凹凸形状は、最上層の吸収層５１まで引き継がれる。したがって、多層反射層２１、吸収層５１、緩衝層４１それぞれの凹凸領域２１a、５１ａ、４１ａは、別段の処理をしなくとも、自動的に形成される。  In thereflective mask blanks 100, 200, 300, and 400, the multilayerreflective layer 21, theabsorption layer 51, and thebuffer layer 41 are formed by sputtering on the surface of thesubstrate 11 on which theuneven region 11a is formed. The concavo-convex shape of the concavo-convex region 11 a is inherited to theuppermost absorption layer 51. Therefore, theuneven regions 21a, 51a, 41a of the multilayerreflective layer 21, theabsorption layer 51, and thebuffer layer 41 are automatically formed without performing a separate process.

ここで、重要なことは、基板１１の凹凸形状によって、多層反射層２１にも同様の高さ２．５〜４．５ｎｍ、周期３０ｎｍ以下の凹凸形状が形成されることである。これによって、ＥＵＶ光を露光し、反射されるＥＵＶ光の位相が凹凸の凹部と凸部でほぼ１８０度反転するために、打ち消しあい、反射率を大幅に低下させることが可能となる。本来、凹凸部の高低差は、ＥＵＶ光の波長１３．５ｎｍの１／４波長の奇数倍（３．３７５ｎｍ、１０．１２５ｎｍ、１６．８７５ｎｍ）で、丁度１８０度反転する計算になるが、実験によれば、概ね２．５〜４．５ｎｍの範囲で充分な効果が見られた。周期に関しては、ＥＵＶ波長１３．５ｎｍにおいて、反転した位相が効果を発揮する距離を、周期を振った実験によって調べたところ、概ね３０ｎｍ以下で効果が見られた。  Here, what is important is that a similar uneven shape having a height of 2.5 to 4.5 nm and a period of 30 nm or less is also formed in the multilayerreflective layer 21 due to the uneven shape of thesubstrate 11. As a result, the EUV light is exposed and the phase of the reflected EUV light is inverted by approximately 180 degrees between the concave and convex portions of the concave and convex portions. Therefore, it is possible to cancel each other and greatly reduce the reflectance. Originally, the height difference of the concavo-convex portion is an odd multiple of the quarter wavelength of EUV light wavelength of 13.5 nm (3.375 nm, 10.125 nm, 16.875 nm), and it is calculated to invert just 180 degrees. According to the results, sufficient effects were observed in the range of approximately 2.5 to 4.5 nm. Regarding the period, when the distance at which the inverted phase exhibits the effect at an EUV wavelength of 13.5 nm was examined by an experiment with varying periods, the effect was found to be approximately 30 nm or less.

次に、この発明の一実施の形態に係る反射型マスク及びその製造方法について詳細に説明する。  Next, a reflective mask and a manufacturing method thereof according to an embodiment of the present invention will be described in detail.

ここで、図３（ａ）には、前記図１（ａ）の反射型マスクブランク１００から作製した反射型マスク１０１を示し、図３（ｂ）には、前記図１（ｂ）の反射型マスクブランク２００から作製した反射型マスク２０１を示す。そして、図３（ｃ）には、前記図１（ｃ）の反射型マスクブランク３００から作製した反射型マスク３０１を示し、図３（ｄ）には、前記図１（ｄ）の反射型マスクブランク４００から作製した反射型マスク４０１を示す。いずれも、多層反射層２１の上部の吸収層５１及び緩衝層４１がある場合は緩衝層４１を掘り込むことによって、回路パターン領域８５を有する反射型マスクが形成される。これら図３（ａ）〜（ｄ）の反射型マスク１０１、２０１、３０１、４０１は，いずれも図４に示すように通常の吸収層領域８０と遮光枠領域９０と回路パターン領域８５から構成されている。  Here, FIG. 3 (a) shows areflective mask 101 made from the reflective mask blank 100 of FIG. 1 (a), and FIG. 3 (b) shows the reflective type of FIG. 1 (b). Areflective mask 201 produced from a mask blank 200 is shown. FIG. 3C shows areflective mask 301 made from the reflective mask blank 300 of FIG. 1C, and FIG. 3D shows the reflective mask of FIG. 1D. Areflective mask 401 made from a blank 400 is shown. In any case, when there is theabsorption layer 51 and thebuffer layer 41 on the upper side of the multilayerreflective layer 21, a reflective mask having acircuit pattern region 85 is formed by digging thebuffer layer 41. Each of thereflective masks 101, 201, 301, 401 in FIGS. 3A to 3D includes a normalabsorbing layer region 80, a lightshielding frame region 90, and acircuit pattern region 85 as shown in FIG. ing.

このようにして、ＥＵＶ光に対する反射率が吸収層領域８０よりも充分に小さい遮光枠領域９０を有する反射型マスクブランクを得る。  In this way, a reflective mask blank having a lightshielding frame region 90 having a reflectance with respect to EUV light that is sufficiently smaller than that of theabsorption layer region 80 is obtained.

ここで、上記反射マスクを作製する場合には、まず、図１に示す反射型マスクブランク１００もしくは２００を用意し、電子線リソグラフィによりレジストパターンを形成後、フルオロカーボンプラズマもしくは塩素プラズマ、必要な場合はその両方のプラズマより吸収層５１をエッチングし、レジスト剥離洗浄することで、吸収層５１に回路パターン領域８５を形成して図３に示す反射型マスク１０１もしくは２０１を作製する。  Here, when producing the reflective mask, first, the reflective mask blank 100 or 200 shown in FIG. 1 is prepared, and after forming a resist pattern by electron beam lithography, fluorocarbon plasma or chlorine plasma, if necessary. Theabsorption layer 51 is etched from both plasmas, and the resist is peeled and washed to form thecircuit pattern region 85 in theabsorption layer 51, thereby producing thereflective mask 101 or 201 shown in FIG.

また、図１に示す反射型マスクブランク３００もしくは４００を用意し、電子線リソグラフィによりレジストパターンを形成後、フルオロカーボンプラズマもしくは塩素プラズマ、必要な場合はその両方のプラズマより吸収層５１をエッチングし、次いで塩素プラズマにより緩衝層４１をエッチングし、レジスト剥離洗浄することで、吸収層５１および緩衝層４１に回路パターン領域８５を形成して図３（ａ）に示す反射型マスク３０１もしくは４０１を作製する。  Also, a reflective mask blank 300 or 400 shown in FIG. 1 is prepared, and after forming a resist pattern by electron beam lithography, the absorbinglayer 51 is etched from fluorocarbon plasma or chlorine plasma, if necessary, both plasmas, Thebuffer layer 41 is etched by chlorine plasma, and the resist is peeled and washed to form thecircuit pattern region 85 in theabsorption layer 51 and thebuffer layer 41, and thereflective mask 301 or 401 shown in FIG.

このようにして、ＥＵＶ光に対する反射率が吸収層領域よりも充分に小さい遮光枠領域を有する反射型マスク１０１，２０１，３０１，４０１を作製する。  In this way, thereflective masks 101, 201, 301, 401 having the light shielding frame region whose reflectance to the EUV light is sufficiently smaller than the absorption layer region are manufactured.

次に、本願発明による実施例１として反射型マスクブランクを作成し、実施例２として実施例１で作製した反射型マスクブランクを用いて反射型マスクを作製して、その特性を確認する。  Next, a reflective mask blank is produced as Example 1 according to the present invention, and a reflective mask blank is produced using the reflective mask blank produced in Example 1 as Example 2, and its characteristics are confirmed.

（実施例１）
図５（ａ）に示すように基板として低熱膨張ガラス基板１１１を用意して、後に遮光枠となる領域（チップ外周部を取り囲むように幅２ｍｍの帯状の領域）に、電子線レジスト１３１（ＺＥＰ５２０、日本ゼオン製）を膜厚２０ｎｍでコートする（図５（ｂ）参照）。次に、ＥＢ描画機（ＪＢＸ９０００、日本電子製）により、ドーズ１００μＣ／ｃｍ２で、パターン線幅１５ｎｍ、周期３０ｎｍのパターンを描画し、有機現像によりレジストドットパターン１３１ａを形成した（図５（ｃ）参照）。Example 1
As shown in FIG. 5A, a low thermalexpansion glass substrate 111 is prepared as a substrate, and an electron beam resist 131 (ZEP520) is formed in a region (a strip-shaped region having a width of 2 mm so as to surround a chip outer periphery) later. , Manufactured by Nippon Zeon Co., Ltd.) with a film thickness of 20 nm (see FIG. 5B). Next, a pattern with a pattern line width of 15 nm and a period of 30 nm was drawn with an EB drawing machine (JBX9000, manufactured by JEOL Ltd.) at a dose of 100 μC / cm 2, and a resistdot pattern 131a was formed by organic development (FIG. 5C). reference).

続いて、ＣＦ４／Ａｒ混合ガスプラズマによるドライエッチングと、残ったレジストの剥膜洗浄を経て、基板１１１の一部にドットからなる凹凸パターン１１１ａを形成する（図５（ｄ）参照）。  Subsequently, a concavo-convex pattern 111a composed of dots is formed on a part of thesubstrate 111 through dry etching using CF4 / Ar mixed gas plasma and film removal cleaning of the remaining resist (see FIG. 5D).

次に、波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光に対して反射率が６４％程度となるように設計されたＭｏとＳｉの４０ペアの積層及び最上層にＲｕをもつ多層反射層１２１とＴａＮからなる吸収層１５１をスパッタリング装置により順次形成する（図５（ｄ）、（ｅ）参照）。このときの吸収層１５１の膜厚は、５０ｎｍとした。このようにして、外周部に遮光領域９０（図２参照）を有する反射型マスクブランク１００が完成される（図５（ｆ）参照）。  Next, an absorption layer composed of 40 pairs of Mo and Si designed to have a reflectance of about 64% with respect to EUV light having a wavelength of 13.5 nm and a multilayerreflective layer 121 having Ru as the uppermost layer and TaN. Thelayer 151 is sequentially formed by a sputtering apparatus (see FIGS. 5D and 5E). The film thickness of theabsorption layer 151 at this time was 50 nm. In this way, the reflective mask blank 100 having the light shielding region 90 (see FIG. 2) on the outer peripheral portion is completed (see FIG. 5 (f)).

そして、この実施例１にて作製した反射型マスクブランク１００の吸収層側のＥＵＶ光（波長１３．５ｎｍ）の反射率を測定した。この結果、遮光枠以外の領域（通常の吸収層部）での反射率が１．２４％であるのに対し、遮光枠領域（遮光枠部）の反射率が０．２１％となり、遮光枠以外に比べて、概ね１／６に低減していることが確認された（図６参照）。網掛け
（実施例２）
実施例１にて作製した反射型マスクブランク１００から反射型マスク１０１を作製し、露光テストを図７に示す手順で実施した。即ち、反射型マスクブランク１００に電子線リソグラフィとドライエッチング、レジスト剥離洗浄を行い、吸収層１５１に回路パターン１８５を形成し、本発明の遮光枠を有する反射型マスク１０１を作製した。電子線リソグラフィには、化学増幅型ポジレジストＦＥＰ１７１（富士フィルムエレクトニクスマテリアルズ製）を用いて、描画機ＪＢＸ９０００（日本電子製）によってドーズ１５μＣ／ｃｍ描画した後に、ＴＭＡＨ２．３８％現像液によりレジストパターン１８４を形成した（図７（ｃ）参照）。吸収層５１のエッチングには、Ｃｌ_２の誘導結合型プラズマを適用した。And the reflectance of the EUV light (wavelength 13.5 nm) by the side of the absorption layer of the reflective mask blank 100 produced in this Example 1 was measured. As a result, the reflectance of the region other than the light shielding frame (normal absorption layer portion) is 1.24%, whereas the reflectance of the light shielding frame region (light shielding frame portion) is 0.21%. Compared to other cases, it was confirmed that the ratio was reduced to 1/6 (see FIG. 6). Shading (Example 2)
Areflective mask 101 was fabricated from the reflective mask blank 100 fabricated in Example 1, and an exposure test was performed according to the procedure shown in FIG. That is, electron beam lithography, dry etching, and resist peeling cleaning were performed on the reflective mask blank 100 to form thecircuit pattern 185 on theabsorption layer 151, and thereflective mask 101 having the light shielding frame of the present invention was manufactured. For electron beam lithography, a chemically amplified positive resist FEP171 (manufactured by Fuji Film Electronics Materials) is used to draw a dose of 15 μC / cm by a drawing machine JBX9000 (manufactured by JEOL Ltd.), and then a resist with TMAH 2.38% developer. Apattern 184 was formed (see FIG. 7C). Cl₂ inductively coupled plasma was applied to the etching of theabsorption layer 51.

そして、この実施例２にて作製した反射型マスク１０１を用いて１３．５ｎｍのＥＵＶを光源とした露光を行い、半導体基板上に隣接した４つのチップを転写した。隣接したチップにおいて、作製した反射型マスク上の遮光枠に相当する領域の一部は重なっていたにもかかわらず、半導体基板上の当該領域におけるレジストの感光は確認されなかった。  Then, using thereflective mask 101 produced in Example 2, exposure was performed using 13.5 nm EUV as a light source, and four adjacent chips were transferred onto the semiconductor substrate. In the adjacent chip, although a part of the region corresponding to the light shielding frame on the manufactured reflective mask was overlapped, the resist exposure in the region on the semiconductor substrate was not confirmed.

本発明は、上記実施の形態に限ることなく、その他、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々の変形を実施し得ることが可能である。さらに、上記実施形態には、種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜な組合せにより、種々の発明が抽出され得る。  The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention at the stage of implementation. Furthermore, the above embodiments include inventions at various stages, and various inventions can be extracted by appropriately combining a plurality of disclosed constituent elements.

例えば実施形態に示される全構成要件から幾つかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題が解決でき、発明の効果で述べられている効果が得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。  For example, even if some constituent elements are deleted from all the constituent elements shown in the embodiment, the problems described in the column of problems to be solved by the invention can be solved, and the effects described in the effects of the invention can be obtained. In some cases, a configuration from which this configuration requirement is deleted can be extracted as an invention.

本発明によれば、遮光枠の形成において、マスク作製時のリソグラフィ、エッチングなどによるパターニング工程を必要とせず、且つ欠陥面でのマスク品質低下を防ぎ、且つ吸収層へのダメージや光学的性質の変化のない、遮光性の高い遮光枠を有する反射型マスクブランク及びその製造方法、反射型マスク及びその製造方法を提供することができる。  According to the present invention, the formation of the light-shielding frame does not require a patterning step by lithography, etching, or the like at the time of mask production, prevents deterioration of the mask quality on the defective surface, and damages to the absorption layer or optical properties. It is possible to provide a reflective mask blank having a light-shielding frame having a high light-shielding property and a method for manufacturing the same, a reflective mask, and a method for manufacturing the same.

１１・・・基板
１１ａ・・・基板の凹凸領域
２１・・・多層反射層
２１ａ・・・多層反射層の凹凸領域
４１・・・緩衝層
４１ａ・・・緩衝層の凹凸領域
５１・・・吸収層
５１ａ・・・吸収層の凹凸領域
７１・・・裏面導電膜
８０・・・非遮光枠領域
８５・・・回路パターン領域
９０・・・遮光枠領域
１００、２００、３００、４００・・・反射型マスクブランク
１０１、２０１、３０１、４０１・・・反射型マスク
１１１・・・低熱膨張基板
１１１ａ・・・低熱膨張基板の凹凸領域
１２１・・・多層反射層
１２１ａ・・・多層反射層の凹凸領域
１５１・・・吸収層
１５１ａ・・・吸収層の凹凸領域
１３１・・・基板の凹凸パターン形成のためのレジスト
１３１ａ・・・基板の凹凸パターン形成のためのレジストパターン
１６１・・・回路パターン形成のためのレジスト
１８４・・・回路パターン形成のためのレジストパターン
１８５・・・吸収枠の回路パターンDESCRIPTION OFSYMBOLS 11 ...Substrate 11a ... Uneven region ofsubstrate 21 ... Multilayerreflective layer 21a ... Uneven region of multilayerreflective layer 41 ...Buffer layer 41a ... Uneven region ofbuffer layer 51 ...Absorption Layer 51a: Uneven region ofabsorption layer 71 ... Backconductive film 80 ...Non-shielding frame region 85 ...Circuit pattern region 90 ...Shading frame region 100, 200, 300, 400 ... Reflection Type mask blank 101, 201, 301, 401 ...Reflective mask 111 ... Lowthermal expansion substrate 111a ... Uneven region of lowthermal expansion substrate 121 ... Multilayerreflective layer 121a ... Uneven region of multilayer reflective layer DESCRIPTION OFSYMBOLS 151 ...Absorbing layer 151a ... Uneven region of absorbinglayer 131 ... Resist for forming uneven pattern onsubstrate 131a ... Resist pattern for forming uneven pattern onsubstrate 161 ... Resist forcircuit pattern formation 184 ... Resist pattern forcircuit pattern formation 185 ... Circuit pattern of absorption frame

Claims (11)

Translated fromJapanese

低熱膨張基板と、
前記低熱膨張基板表面に形成された多層反射層と、
前記多層反射層の上に形成された吸収層と、
を具備し、前記吸収層には転写回路パターンが形成され、ブランク作製時に前記転写回路パターン領域の外側にＥＵＶ光の反射率の低い遮光枠を設けることを特徴とする反射型マスクブランク。A low thermal expansion substrate;
A multilayer reflective layer formed on the surface of the low thermal expansion substrate;
An absorbing layer formed on the multilayer reflective layer;
The reflective mask blank is characterized in that a transfer circuit pattern is formed on the absorption layer, and a light-shielding frame having a low EUV light reflectance is provided outside the transfer circuit pattern region when the blank is manufactured. 前記遮光枠となる領域の前記低熱膨張基板の表面が高さ２．５〜４．５ｎｍ、周期３０ｎｍ以下の凹凸形状を有することを特徴とする請求項１記載の反射型マスクブランク。  2. The reflective mask blank according to claim 1, wherein the surface of the low thermal expansion substrate in the region serving as the light shielding frame has an uneven shape having a height of 2.5 to 4.5 nm and a period of 30 nm or less. 後に遮光枠となる領域の低熱膨張基板の表面に、多層反射層を形成する工程と、
前記多層反射層を形成する工程に先だって、凹凸形状を形成する工程と、
を具備することを特徴とする反射型マスクブランクの製造方法。Forming a multilayer reflective layer on the surface of the low thermal expansion substrate in the region that will later become a light shielding frame;
Prior to the step of forming the multilayer reflective layer, a step of forming a concavo-convex shape,
The manufacturing method of the reflective mask blank characterized by comprising. 前記遮光枠となる領域の低熱膨張基板の表面に前記多層反射層の形成に先立ち凹凸形状を形成する工程は、少なくともリソグラフィとエッチング工程を備えることを特徴とする請求項３記載の反射型マスクブランクの製造方法。  4. The reflective mask blank according to claim 3, wherein the step of forming the concavo-convex shape prior to the formation of the multilayer reflective layer on the surface of the low thermal expansion substrate in the region serving as the light shielding frame includes at least a lithography and an etching step. Manufacturing method. 前記遮光枠となる領域の低熱膨張基板の表面に凹凸形状を形成する工程は、少なくとも自己組織化単分子膜による工程を備えることを特徴とする請求項３記載の反射型マスクブランクの製造方法。  4. The method of manufacturing a reflective mask blank according to claim 3, wherein the step of forming the concavo-convex shape on the surface of the low thermal expansion substrate in the region serving as the light shielding frame includes at least a step of using a self-assembled monolayer. 前記遮光枠となる領域の低熱膨張基板の表面に凹凸形状を形成する工程は、少なくともプラズマ処理による工程を備えることを特徴とする請求項３記載の反射型マスクブランクの製造方法。  4. The method of manufacturing a reflective mask blank according to claim 3, wherein the step of forming the concavo-convex shape on the surface of the low thermal expansion substrate in the region serving as the light shielding frame includes at least a step of plasma treatment. 前記遮光枠となる領域の低熱膨張基板の表面に凹凸形状を形成する工程は、少なくともウェット処理による工程を備えることを特徴とする請求項３記載の反射型マスクブランクの製造方法。  4. The method of manufacturing a reflective mask blank according to claim 3, wherein the step of forming the concavo-convex shape on the surface of the low thermal expansion substrate in the region serving as the light shielding frame includes a step of at least a wet treatment. 前記遮光枠となる領域の低熱膨張基板の表面に凹凸形状を形成する工程は、少なくともサンドブラスト処理による工程を備えることを特徴とする請求項３記載の反射型マスクブランクの製造方法。  4. The method of manufacturing a reflective mask blank according to claim 3, wherein the step of forming the concavo-convex shape on the surface of the low thermal expansion substrate in the region serving as the light shielding frame includes at least a step of sandblasting. 請求項１及び２に記載の反射型マスクブランクの上面に吸収層領域、遮光枠領域、回路パターン領域を形成したことを特徴とする反射型マスク。  3. A reflective mask, wherein an absorption layer region, a light shielding frame region, and a circuit pattern region are formed on an upper surface of the reflective mask blank according to claim 1. 請求項１及び２に記載の反射型マスクブランクにレジストパターンを形成した後、フルオロカーボンプラズマもしくは塩素プラズマ、必要な場合はその両方のプラズマより吸収層をエッチング処理して、レジストを剥離洗浄し、吸収層に回路パターン領域を形成することを特徴とする反射型マスクの製造方法。  After a resist pattern is formed on the reflective mask blank according to claim 1 and 2, the absorption layer is etched by fluorocarbon plasma or chlorine plasma, and if necessary, both plasmas, and the resist is peeled and washed and absorbed. A method of manufacturing a reflective mask, comprising forming a circuit pattern region in a layer. 請求項１及び２に記載の反射型マスクブランクにレジストパターンを形成した後、フルオロカーボンプラズマもしくは塩素プラズマ、必要な場合はその両方のプラズマより吸収層をエッチング処理して、次いで塩素プラズマより緩衝層をエッチング処理し、レジストを剥離洗浄して、吸収層に回路パターン領域を形成することを特徴とする反射型マスクの製造方法。    After the resist pattern is formed on the reflective mask blank according to claim 1 and 2, the absorbing layer is etched from fluorocarbon plasma or chlorine plasma, if necessary, both plasmas, and then the buffer layer is formed from chlorine plasma. A method of manufacturing a reflective mask, comprising etching treatment, stripping and cleaning a resist, and forming a circuit pattern region in an absorption layer.

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