JP2011090724A - 磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録再生装置 - Google Patents

Abstract

【課題】マスク層の除去を確実に且つ高速で行うことを可能とした磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】磁気的に分離された磁気記録パターン２ａを有する磁気記録媒体の製造方法であって、非磁性基板１の上に磁性層２を形成する工程と、磁性層２の上に溶解層３を形成する工程と、溶解層３の上にマスク層４を形成する工程と、溶解層３及びマスク層４を磁気記録パターン２ａに対応した形状にパターニングする工程と、パターニングされたマスク層４を用いて磁性層２を部分的に改質又は除去する工程と、溶解層３を薬剤により湿式溶解し、その上のマスク層４と共に磁性層２の上から除去する工程とを含む。
【選択図】図１

Description

本発明は、ハードディスク装置（ＨＤＤ）等に用いられる磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録再生装置に関するものである。

近年、磁気ディスク装置、フレキシブルディスク装置、磁気テープ装置等の磁気記録装置の適用範囲は著しく増大され、その重要性が増すと共に、これらの装置に用いられる磁気記録媒体について、その記録密度の著しい向上が図られつつある。特に、ＭＲヘッドやＰＲＭＬ技術の導入以来、面記録密度の上昇は更に激しさを増し、近年ではＧＭＲヘッドやＴＭＲヘッドなども導入されて、１年に約１．５倍ものペースで増加を続けている。

これらの磁気記録媒体については、今後更に高記録密度を達成することが要求されている。このため、磁性層の高保磁力化、高信号対雑音比(ＳＮＲ)、及び高分解能を達成することが要求されている。また、近年では線記録密度の向上と同時にトラック密度の増加によって面記録密度を上昇させようとする努力も続けられている。

最新の磁気記録装置においては、トラック密度２５０ｋＴＰＩにも達している。しかしながら、トラック密度を上げていくと、隣接するトラック間の磁気記録情報が互いに干渉し合い、その境界領域の磁化遷移領域がノイズ源となりＳＮＲを損なうという問題が生じ易くなっており、このことはそのままビット・エラー・レートの悪化につながるため、記録密度の向上に対して障害となっている。

面記録密度を上昇させるためには、磁気記録媒体上の各記録ビットのサイズをより微細なものとし、各記録ビットに可能な限り大きな飽和磁化と磁性膜厚を確保する必要がある。その一方で、記録ビットを微細化していくと、１ビット当たりの磁化最小体積が小さくなり、熱揺らぎによる磁化反転で記録データが消失するという問題が生じてしまう。

また、トラック密度を上げていくと、トラック間距離が近づくために、磁気記録装置では極めて高精度のトラックサーボ技術が要求されると同時に、記録を幅広く実行し、再生は隣接トラックからの影響をできるだけ排除するために記録時よりも狭く実行する方法が一般的に用いられている。しかしながら、この方法ではトラック間の影響を最小限に抑えることができる反面、再生出力を十分得ることが困難であり、その結果十分なＳＮＲを確保することが難しいという問題がある。

このような熱揺らぎの問題やＳＮＲの確保、十分な出力の確保を達成する方法の一つとして、記録媒体表面にトラックに沿った凹凸を形成し、記録トラック同士を物理的に分離することによってトラック密度を上げようとする試みがなされている。このような技術は、一般にディスクリートトラック法と呼ばれており、それによって製造された磁気記録媒体のことをディスクリートトラック媒体と呼んでいる。また、同一トラック内のデータ領域を更に分割した、いわゆるパターンドメディアを製造しようとする試みもある。

ディスクリートトラック媒体の一例として、表面に凹凸パターンを形成した非磁性基板に磁気記録媒体を形成して、物理的に分離した磁気記録トラック及びサーボ信号パターンを形成してなる磁気記録媒体が知られている（例えば、特許文献１を参照。）。

この磁気記録媒体は、表面に複数の凹凸のある基板の表面に軟磁性層を介して強磁性層が形成されており、その表面に保護膜を形成したものである。この磁気記録媒体では、凸部領域に周囲と物理的に分断された磁気記録領域が形成されている。

この磁気記録媒体によれば、軟磁性層での磁壁発生を抑制できるため熱揺らぎの影響が出にくく、隣接する信号間の干渉もないので、ノイズの少ない高密度磁気記録媒体を形成できるとされている。

ディスクリートトラック法には、何層かの薄膜からなる磁気記録媒体を形成した後にトラックを形成する方法と、予め基板表面に直接、或いはトラック形成のための薄膜層に凹凸パターンを形成した後に、磁気記録媒体の薄膜形成を行う方法がある（例えば、特許文献２，３を参照。）。

このうち、前者の方法は、磁気層加工型と呼ばれるものである。しかしながら、この方法の場合、媒体形成後に表面に対する物理的な加工が実施されるため、媒体が製造工程において汚染されやすく、かつ製造工程が非常に複雑となるといった欠点がある。一方、後者の方法は、エンボス加工型と呼ばれるものである。しかしながら、この方法の場合、製造工程中に媒体が汚染されにくいものの、基板に形成された凹凸形状がその上に成膜された膜にも引き継がれることになるため、媒体上を浮上しながら記録再生を行う記録再生ヘッドの浮上姿勢や、浮上高さが安定しなくなるとった問題がある。

また、ディスクリートトラック媒体の磁気トラック間領域を、予め形成した磁性層に窒素、酸素等のイオンを注入し、または、レーザを照射することにより、その部分の磁気的な特性を変化させて形成する方法が開示されている（例えば、特許文献４〜６を参照。）。

さらに、磁性層の表面に凹凸パターンを形成した後、その表面を覆う非磁性層を形成し、この非磁性層の表面を斜方イオンビームエッチングやＣＭＰ(Chemical Mechanical Polishing)によって平滑化することによって、磁気記録パターンを形成する方法が開示されている（例えば、特許文献７を参照。）。

特開２００４−１６４６９２号公報特開２００４−１７８７９３号公報特開２００４−１７８７９４号公報特開平５−２０５２５７号公報特開２００６−２０９９５２号公報特開２００６−３０９８４１号公報特開２００５−１３５４５５号公報

パターンドメディアの製造方法として、連続した磁性層の薄膜を形成した後、その磁性層を部分的に加工又は磁気特性を改質して磁気記録パターンを形成する方法を採用する場合は、連続した磁性層の薄膜の表面に磁気記録パターンに対応したマスク層を設ける必要がある。

このマスク層には、磁性層の部分的な加工や磁気特性の改質に耐え得る強度やイオンビームに対する遮蔽性が求められる。一方、このマスク層は、磁性層のパターンニング工程の後に容易に除去できる必要がある。このような特性を有する材料として、例えば硬質カーボンが用いられる。硬質カーボンは、不活性イオンビーム等に対する高い遮蔽性を有すると共に、酸素プラズマ等によってガス化することができるからである。

しかしながら、マスク層のプラズマ除去には時間がかかり、そのことが磁気記録媒体の生産性を低下させていた。また、マスク層のプラズマ除去を高速化しようとすると、表面に残渣が残りやくすなり、そのことが磁気記録媒体の表面の平滑性を低下させていた。

加えて、マスク層の形成工程に際し、ダスト等の影響でパターニングが不十分な箇所があると、この箇所はプラズマエッチングが不十分となり、マスク層を除去しきれずに突起として残ってしまう。これを除去するために、プラズマエッチングを強化すると、磁性層に対するダメージが大きくなる場合がある。

また、マスク層の除去にＣＭＰ(Chemical Mechanical Polishing)を用い、除去速度の高速化を図る場合もあるが、ＣＭＰは、その研磨の停止位置の検知が難しく、磁性層の表面まで研磨してしまう場合があった。

本発明は、このような従来の事情に鑑みて提案されたものであり、マスク層の除去を確実に且つ高速で行うことを可能とし、また、マスク層を適切に除去し、突起のない処理面を形成することを可能とし、なお且つ、生産性の更なる向上を可能とした磁気記録媒体の製造方法、並びに、そのような製造方法により製造された磁気記録媒体を用い、更なる電磁変換特性の向上を可能とした磁気記録再生装置を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明者は鋭意研究を行った結果、磁性層とマスク層との間に溶解層を設け、この溶解層を薬液により湿式溶解することにより、磁性層の表面からマスク層を残存させることなく確実に且つ高速で除去することができ、その結果、磁気記録媒体の生産性を著しく高めると共に、平滑性の高い磁気記録媒体を製造できることを見出し、本発明を完成するに至った。

すなわち、本発明は以下の手段を提供する。
（１） 磁気的に分離された磁気記録パターンを有する磁気記録媒体の製造方法であって、
非磁性基板の上に磁性層を形成する工程と、
前記磁性層の上に溶解層を形成する工程と、
前記溶解層の上にマスク層を形成する工程と、
前記溶解層及びマスク層を前記磁気記録パターンに対応した形状にパターニングする工程と、
前記パターニングされたマスク層を用いて前記磁性層を部分的に改質又は除去する工程と、
前記溶解層を薬剤により湿式溶解し、その上のマスク層と共に前記磁性層の上から除去する工程とを含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
（２） 前記溶解層が、金属であり、前記薬剤が、酸又はアルカリであることを特徴とする前項（１）に記載の磁気記録媒体の製造方法。
（３） 前記金属が、モリブデンであり、前記薬剤が、過酸化水素水、硫酸、硝酸、リン酸からなる群から選ばれる何れか１種以上であることを特徴とする前項（２）に記載の磁気記録媒体の製造方法。
（４） 前記薬剤が過酸化水素水であることを特徴とする前項（３）に記載の磁気記録媒体の製造方法。
（５） 前記金属が、アルミニウム合金であり、前記薬剤が、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムからなる群から選ばれる何れか１種以上であることを特徴とする前項（２）に記載の磁気記録媒体の製造方法。
（６） 前記溶解層が、有機物であり、前記薬剤が、有機溶剤であることを特徴とする前項（１）に記載の磁気記録媒体の製造方法。
（７） 前項（１）〜（６）の何れか一項に記載の方法により製造された磁気記録媒体と、
前記磁気記録媒体を記録方向に駆動する媒体駆動部と、
前記磁気記録媒体に対する記録動作と再生動作とを行う磁気ヘッドと、
前記磁気ヘッドを磁気記録媒体に対して相対移動させるヘッド移動手段と、
前記磁気ヘッドへの信号入力と前記磁気ヘッドから出力信号の再生とを行うための記録再生信号処理手段とを備えることを特徴とする磁気記録再生装置。

以上のように、本発明によれば、磁性層の上に設けたマスク層の除去を確実に且つ高速で行うことが可能となるため、平滑性の高い磁気記録媒体を高い生産性で製造することが可能となる。また、このような磁気記録媒体を用いた磁気記録再生装置では、平滑性の高い特性を生かして更なる電磁変換特性の向上が可能となる。

図１は、本発明を適用した磁気記録媒体の製造方法の一例を説明するための断面図である。図２は、本発明を適用した磁気記録媒体の製造方法の他例を説明するための断面図である。図３は、本発明を適用して製造される磁気記録媒体の一例を示す断面図である。図４は、磁気記録再生装置の一構成例を示す斜視図である。

以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
なお、以下の説明で用いる図面は、特徴をわかりやすくするために、便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。

（磁気記録媒体の製造方法）
先ず、本発明を適用した磁気記録媒体の製造方法の一例について説明する。
本発明は、磁気的に分離された磁気記録パターンを有する磁気記録媒体の製造方法であって、例えば図１（ａ）〜図１（ｇ）に示すように、非磁性基板１の上に磁性層２を形成する工程と、磁性層２の上に溶解層３を形成する工程と、溶解層３の上にマスク層４を形成する工程と、マスク層４の上にレジスト層５を形成する工程と、レジスト層５の表面を磁気記録パターンに対応した形状にパターニングする工程と、パターニングされたレジスト層５を用いてマスク層４及び溶解層３をパターニングする工程と、パターニングされたマスク層４を用いて磁性層２を部分的に除去する工程と、溶解層３を薬剤により湿式溶解し、その上のマスク層４と共に磁性層２の上から除去する工程と、この上に保護層５を形成する工程と、保護層５の上に潤滑膜（図示せず。）を形成する工程とを含んでいる。

具体的に、このような磁気記録媒体を製造する際は、先ず、図１（ａ）に示すように、非磁性基板１の上に、磁性層２、溶解層３及びマスク層４を順次積層して形成する。そして、このマスク層３の上に、図１（ｂ）に示すように、レジスト層５を形成した後、このレジスト層５を、例えばフォトリソグラフィー法やナノインプリント法などを用いて、磁気記録パターンに対応した形状にパターニングする。これにより、レジスト層５の表面には、図１（ｃ）に示すように、磁気記録パターンに対応した部分が凸５ａ、その間が凹５ｂとなるパターンが形成される。

ここで、レジスト層５をパターニングする際は、ナノインプリント法を用いることが好ましい。このナノインプリント法では、放射線を照射することにより硬化する材料をレジスト層５に用い、このレジスト層５にスタンプ（図示せず。）を用いてパターンを転写する。

また、本発明では、このようなパターンを転写する工程の後に、レジスト層５に放射線を照射することが好ましい。これにより、レジスト層５にスタンプの形状を精度良く転写することができ、磁気記録パターンの形成特性を向上させることが可能となる。

特に、レジスト層５にスタンプを用いてパターンを転写する際は、レジスト層５の流動性が高い状態で、このレジスト層５にスタンプを押圧し、その押圧した状態で、レジスト層５に放射線を照射することによりレジスト層５を硬化させ、その後、スタンプをレジスト層５から離すことにより、スタンプの形状を精度良く、レジスト層５に転写することが可能である。

レジスト層５にスタンプを押圧した状態で、このレジスト層５に放射線を照射する方法としては、例えば、スタンプの反対側、すなわち非磁性基板１側から放射線を照射する方法や、スタンプの材料として放射線を透過できる物質を選択し、スタンプ側から放射線を照射する方法、スタンプの側面から放射線を照射する方法、熱線のように固体に対して伝導性の高い放射線を用いて、スタンプ又は非磁性基板１からの熱伝導により放射線を照射する方法などを用いることができる。

なお、本発明における放射線とは、熱線、可視光線、紫外線、Ｘ線、ガンマ線などの広い概念の電磁波のことを言う。また、放射線を照射することにより硬化する材料としては、例えば、熱線に対しては熱硬化樹脂、紫外線に対しては紫外線硬化樹脂を挙げることができる。

また、このような材料の中でも特に、レジスト層５として、ノボラック系樹脂、アクリル酸エステル類、脂環式エポキシ類などの紫外線硬化樹脂を用い、スタンプ材料として、紫外線に対して透過性の高いガラス又は樹脂を用いることが好ましい。

上述したパターンを転写する工程では、スタンプとして、例えば、金属プレートに電子線描画などの方法を用いて微細なトラックパターンを形成したスタンパを用いることができる。また、スタンパには、上記プロセスに耐え得る硬度及び耐久性が要求されるため、例えばＮｉなどが使用されるが、上記目的に合致するものであれば、その材質について特に限定されるものではない。さらに、スタンプには、通常のデータを記録するトラックの他にも、バーストパターンや、グレイコードパターン、プリアンブルパターンなどといったサーボ信号のパターンも形成することができる。

次に、パターニングされたレジスト層５を用いて、例えばＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ）装置に酸素ガスを導入して、マスク層４のレジスト層５で覆われていない箇所を反応性イオンエッチングにより除去する。

マスク層４としては、例えば炭素膜を用いることが好ましい。また、炭素膜は、スパッタリング法やＣＶＤ法などにより成膜することができるが、ＣＶＤ法を用いた方がより緻密性の高い炭素膜を成膜することができる。さらに、炭素膜は、上記酸素ガスを用いたドライエッチング（反応性イオンエッチング又は反応性イオンミリング）が容易であるため、残留物を減らし、磁気記録媒体表面の汚染を減少させることができる。

マスク層４の膜厚は、５ｎｍ〜４０ｎｍの範囲内とすることが好ましく、より好ましくは１０ｎｍ〜３０ｎｍの範囲である。マスク層４の膜厚が５ｎｍより薄いと、このマスク層４のエッジ部分がだれて磁気記録パターンの形成特性が悪化することになる。また、レジスト層５、マスク層４及び溶解層３を透過したイオンが磁性層２に侵入して、磁性層２の磁気特性を悪化させることになる。一方、マスク層４が４０ｎｍより厚くなると、このマスク層４のエッチング時間が長くなり生産性が低下することになる。また、マスク層４をエッチングする際の残渣が磁性層２の表面に残留しやすくなる。

そして、引き続き、反応性イオンエッチングやイオンミリングなどのドライエッチングを用いて、マスク層５の下にある溶解層３のうち、レジスト層５及びマスク層４で覆われていない箇所を部分的に除去する。これにより、図１（ｄ）に示すように、マスク層４及び溶解層３を磁気記録パターンに対応した形状にパターニングすることができる。

次に、図１（ｅ）に示すように、引き続き、反応性イオンエッチングやイオンミリングなどのドライエッチングを用いて、溶解層４の下にある磁性層２のうち、レジスト層５、マスク層４及び溶解層３で覆われていない箇所を部分的に除去し、磁気的に分離された磁気記録パターン２ａを形成する。

本発明では、上述したＩＣＰ装置を用いてマスク層４のレジスト層５で覆われていない箇所を反応性イオンエッチングにより除去する際は、酸素ガスを用いることが好ましいものの、その後の溶解層３及び磁性層２のドライエッチングについては、例えばＩＣＰやＲＩＥなどの反応性イオンエッチング装置を用いて、ＡｒガスやＮ_２ガス等の不活性ガスを導入して行うことが好ましい。すなわち、本発明では、マスク層４のミリングイオンと溶解層３及び磁性層２のミリングイオンとをそれぞれ最適なもの、例えばマスク層４は酸素ガスを用いたＩＣＰ、溶解層３及び磁性層２はＡｒ、Ｎ_２ガスを用いたイオンミリングに変更することが好ましい。

本発明では、このような方法を採用することにより、残された磁性層２のエッジ部を垂直に形成することが可能となる。これは、磁性層２の上の溶解層３及びマスク層４が垂直に切り立った形状であるため、その下の磁性層２も同様の形状となるからである。これにより、フリンジ特性の優れた磁性層２（磁気記録パターン２ａ）を形成することができる。

次に、図１（ｆ）に示すように、溶解層３を薬剤により湿式溶解し、その上のマスク層４及びレジスト層５と共に、磁性層２の上に残存させることなく確実に且つ高速で除去することができる。本発明では、溶解層３を残存させることなく確実に且つ高速で溶解させるため、溶解層３を構成する材料とそれを溶解する薬剤を適切に選択する必要がある。具体的に、本発明では、溶解層３として金属を用い、また薬剤として酸又はアルカリを用いることが好ましい。また、溶解層３は、磁性層２に対する溶解性を高めるために多層としてもよい。

ここで、溶解層３の下にある磁性層２も金属元素を含むため、溶解層３には磁性層２よりも薬剤に溶解しやすい金属を用いることが好ましく、さらに、薬剤は磁性層２にダメージを与えない酸を用いることが好ましい。具体的に、磁性層２としては、ＣｏＣｒ系の磁性合金や、これにＳｉＯ_２等の酸化物を含む材料を用いる場合が多い。したがって、溶解層３としては、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｗ、Ｍｎ、ＮｉＭｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ａｌなどを主として含むものを用いることが好ましい。一方、酸性の薬剤としては、Ｈ_２Ｏ_２、極薄い濃度のＨ_２ＳＯ_４、ＨＮｏ_３、Ｈ_３ＰＯ_４などを用いることが好ましい。この中でも特に、溶解層３としてＭｏ、薬剤として０．１〜１０％程度のＨ_２Ｏ_２を用いることが好ましい。

一方、溶解層３にＡｌのような両性金属を含む合金を用いる場合、Ａｌは酸にもアルカリにも溶解するため、上述した酸に加えてアルカリ性の薬剤を用いることができる。アルカリ性の薬剤としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムなどを用いることができる。この中でも特に、溶解層３としてアルミニウム合金を用いた場合、薬剤として０．１〜１０％程度の水酸化ナトリウム、又は水酸化カリウムを用いることが好ましい。

また、本発明では、磁性層２に対するダメージの少ない溶解層３の構成材料と薬剤の組み合わせとして、溶解層３として有機物を用い、薬剤として有機溶剤を用いることができる。すなわち、有機溶剤は、一般的には磁性層２を構成するＣｏＣｒ系の磁性合金等と化学反応を伴わないからである。本発明で使用可能な有機物と、それを溶解可能な有機溶剤としては、公知のものを用いることができる。例えば、ノボラック系樹脂、アクリル酸エステル類、脂環式エポキシ樹脂などの有機物と、アセトン、ケトン、ヘキサン、テトラクロロエチレン、トルエン、テルピン油などの有機溶媒とを組み合わせて用いることができる。なお、薬剤の濃度は、溶解層３の膜厚、溶解層３を構成する材料の種類、磁性層２を構成する材料との反応性を考慮し適宜選択することができる。

薬剤による溶解層３の溶解時間は、薬剤の濃度や、溶解層３の材質、層厚、液温等により適宜選択されるが、この薬剤による磁性層２へのダメージを極力避けるため、１０秒から１時間程度で溶解層３の溶解を完了する時間とすることが好ましい。

また、本発明では、薬剤による溶解層３の溶解工程の後、基板表面に付着する薬液を除去するため、純水による洗浄工程や、酸又はアルカリ性の薬液を用いた中和工程を設けることが好ましい。さらに、基板表面にマスク層４やレジスト層５の残渣が付着している場合もあるので、発泡ウレタンを用いたスクラブ洗浄工程を設けると効果的である。

次に、図１（ｇ）に示すように、溶解層３、マスク層４及びレジスト層５が除去された面上を覆う保護層６を形成する。この保護層６の形成には、一般的にＤＬＣ(Diamond Like Carbon)薄膜をＰ−ＣＶＤなどを用いて成膜する方法が用いられるが、このような方法に必ずしも限定されるものではない。また、この保護層６は、磁性層２が除去された部分に埋め込まれるのに十分な厚みで形成される。

その後、保護層６の上に潤滑剤を塗布することによって潤滑膜（図示せず。）を形成する。この潤滑膜に用いる潤滑剤としては、フッ素系潤滑剤、炭化水素系潤滑剤及びこれらの混合物などを挙げることができ、通常１〜４ｎｍの厚さで潤滑膜を形成する。
そして、以上の工程を経ることによって、磁気記録媒体を製造することができる。

本発明を適用した磁気記録媒体の製造方法では、磁性層２とマスク層４との間に溶解層３を設け、この溶解層３を薬液により湿式溶解することから、磁性層２の表面から全てのマスク層４を残存させることなく確実に且つ高速で除去することが可能である。

すなわち、従来の製造方法では、上記炭素膜からなるマスク層４を酸素プラズマを用いたアッシングにより除去している。この場合、パターンの形成されていない異常箇所は表面積が小さいために、マスク層４がほとんど除去されずに残ってしまう。そのことが磁気記録媒体の表面の平滑性を低下させ、ヘッドクラッシュ等を生じさせる原因ともなっていた。一方、マスク層４が除去できるまでアッシングを強めてしまうと、その下の磁性層２までダメージが及ぶことになる。

これに対して、本発明では、磁性層２とマスク層４との間に設けられた溶解層３を薬液により溶解してマスク層４と共に除去するため、磁性層２の表面にダメージを与えることなく、マスク層４の除去を確実に且つ高速で行うことが可能である。

以上のように、本発明によれば、磁性層２の上に設けたマスク層４の除去を確実に且つ高速で行うことが可能となるため、平滑性の高い磁気記録媒体を高い生産性で製造することが可能となる。また、このような磁気記録媒体を用いた磁気記録再生装置では、更なる電磁変換特性の向上が可能となる。

次に、本発明を適用した磁気記録媒体の製造方法の他例について説明する。
本発明は、磁気的に分離された磁気記録パターンを有する磁気記録媒体の製造方法であって、例えば上記磁性層２に磁気記録パターンを形成する方法として、磁性層２の磁気特性を部分的に改質する方法を採用する場合である。

すなわち、このような磁気記録媒体を製造する際は、例えば図２（ａ）〜図２（ｇ）に示すように、非磁性基板１の上に磁性層２を形成する工程と、磁性層２の上に溶解層３を形成する工程と、溶解層３の上にマスク層４を形成する工程と、マスク層４の上にレジスト層５を形成する工程と、レジスト層５の表面を磁気記録パターンに対応した形状にパターニングする工程と、パターニングされたレジスト層５を用いてマスク層４及び溶解層３をパターニングする工程と、パターニングされたマスク層４を用いて磁性層２を部分的に改質する工程と、溶解層３を薬剤により湿式溶解し、その上のマスク層４と共に磁性層２の上から除去する工程と、この上に保護層５を形成する工程と、保護層５の上に潤滑膜（図示せず。）を形成する工程とを含んでいる。

具体的に、図２（ａ）〜（ｄ）に示す工程は、上記図１（ａ）〜（ｄ）に示す工程と基本的に同じである。このため、これら図２（ａ）〜（ｄ）に示す工程の説明については省略するものとする。

次に、図２（ｅ）に示すように、例えば反応性プラズマや反応性イオンを用いて、溶解層４の下にある磁性層２のうち、レジスト層５、マスク層４及び溶解層３で覆われていない箇所を部分的に改質し、磁気的に分離された磁気記録パターン２ｂを形成する。

本発明において、磁気記録パターン２ｂとは、磁気記録媒体を表面側から見た場合、磁性層２の一部の磁気特性を改質した、好ましくは非磁性化した非磁性領域７により分離された状態のものを言う。すなわち、磁性層２が表面側から見て分離されていれば、磁性層２の底部において分離されていなくとも、本発明の目的を達成することが可能であり、本発明において磁気記録パターン２ｂの概念に含まれる。

また、磁気記録パターン２ｂを形成するための磁性層２の改質とは、磁性層２をパターン化するために、この磁性層２の保磁力、残留磁化等を部分的に変化させることを指し、その変化とは、保磁力を下げ、残留磁化を下げることを指す。

特に、磁気特性の改質として、反応性プラズマや反応性イオンにさらした箇所の磁性層２の磁化量を当初（未処理）の７５％以下、より好ましくは５０％以下、保磁力を当初の５０％以下、より好ましくは２０％以下とする方法を採用するのが好ましい。このような方法を用いてディスクリートトラック型の磁気記録媒体を製造することにより、本媒体に磁気記録を行う際の書きにじみをなくし、高い面記録密度の磁気記録媒体を提供することが可能となる。

さらに、本発明では、磁気記録トラック及びサーボ信号パターン部を分離する箇所（非磁性領域７）を、すでに成膜された磁性層２を反応性プラズマや反応性イオンにさらして磁性層２を非晶質化することにより実現することも可能である。すなわち、本発明における磁性層２の磁気特性の改質は、磁性層２の結晶構造の改変によって実現することも含む。

本発明において、磁性層２を非晶質化するとは、磁性層２の原子配列を、長距離秩序を持たない不規則な原子配列の形態とすることを指し、より具体的には、２ｎｍ未満の微結晶粒がランダムに配列した状態とすることを指す。そしてこの原子配列状態を分析手法により確認する場合は、Ｘ線回折または電子線回折により、結晶面を表すピークが認められず、また、ハローが認められるのみの状態とする。

反応性プラズマとしては、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ；Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ）や反応性イオンプラズマ（ＲＩＥ；Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｐｌａｓｍａ）が例示できる。また、反応性イオンとしては、上述した誘導結合プラズマ、反応性イオンプラズマ内に存在する反応性のイオンが例示できる。

誘導結合プラズマとしては、気体に高電圧をかけることによってプラズマ化し、さらに高周波数の変動磁場によってそのプラズマ内部に渦電流によるジュール熱を発生させることによって得られる高温のプラズマを例示できる。誘導結合プラズマは、電子密度が高く、従来のイオンビームを用いてディスクリートトラックメディアを製造する場合に比べ、広い面積の磁性膜において、高い効率で磁気特性の改質を実現することができる。

反応性イオンプラズマとは、プラズマ中にＯ_２、ＳＦ_６、ＣＨＦ_３、ＣＦ_４、ＣＣｌ_４等の反応性ガスを加えた反応性の高いプラズマである。このようなプラズマを用いることにより、磁性層２の磁気特性の改質をより高い効率で実現することが可能となる。

本発明では、磁性層２を反応性プラズマにさらすことにより磁性層２を改質するが、この改質は、磁性層２を構成する磁性金属と反応性プラズマ中の原子またはイオンとの反応により実現するのが好ましい。

この場合、反応とは、磁性金属に反応性プラズマ中の原子等が侵入し、磁性金属の結晶構造が変化すること、磁性金属の組成が変化すること、磁性金属が酸化すること、磁性金属が窒化すること、磁性金属が珪化すること等が例示できる。

特に、反応性プラズマとして酸素原子を含有させ、磁性層２を構成する磁性金属と反応性プラズマ中の酸素原子とを反応させることにより、磁性層２を酸化させることが好ましい。磁性層２を部分的に酸化させることにより、酸化部分の残留磁化及び保磁力等を効率よく低減させることが可能となるため、短時間の反応性プラズマ処理により、磁気記録パターンを有する磁気記録媒体を製造することが可能となるからである。

また、反応性プラズマには、ハロゲン原子を含有させることが好ましい。特に、ハロゲン原子として、Ｆ原子を用いることが好ましい。ハロゲン原子は、酸素原子と一緒に反応性プラズマ中に添加して用いてもよく、また酸素原子を用いずに反応性プラズマ中に添加してもよい。上述したように、反応性プラズマに酸素原子等を加えることにより、磁性層２を構成する磁性金属と酸素原子等が反応して磁性層２の磁気特性を改質させることが可能となる。この際、反応性プラズマにハロゲン原子を含有させることにより、この反応性をさらに高めることが可能となる。

また、反応性プラズマ中に酸素原子を添加していない場合においても、ハロゲン原子が磁性合金と反応して、磁性層２の磁気特性を改質させることが可能となる。この理由の詳細は明らかではないが、反応性プラズマ中のハロゲン原子が、磁性層２の表面に形成している異物をエッチングし、これにより磁性層２の表面が清浄化し、磁性層２の反応性が高まることが考えられる。

また、清浄化した磁性層表面とハロゲン原子とが高い効率で反応することが考えられる。このような効果を有するハロゲン原子としてＦ原子を用いるのが特に好ましい。

次に、図２（ｆ）以降に示す工程についても、上記図１（ｆ）以降に示す工程と基本的に同じである。このため、図２（ｆ）以降に示す工程の説明については省略するものとする。

したがって、この図２に示す製造工程においても、磁性層２とマスク層４との間に設けられた溶解層３を薬液により溶解してマスク層４と共に除去するため、磁性層２の表面にダメージを与えることなく、マスク層４の除去を確実に且つ高速で行うことが可能である。したがって、平滑性の高い磁気記録媒体を高い生産性で製造することが可能である。

また、上記図２に示す工程で製造される磁気記録媒体は、図１の工程で製造される磁気記録媒体よりも表面の平滑性が高いため、磁気ヘッドの浮上高さを下げることが可能となり、より記録密度の高い磁気記録媒体を得ることが可能となる。

なお、本発明は、上記実施形態のものに必ずしも限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、本発明では、上記磁性層２に磁気記録パターンを形成する方法として、上記パターニングされたマスク層５及び溶解層４の下にある磁性層２のうち、レジスト層５、マスク層４及び溶解層３で覆われていない箇所を部分的に除去し、磁性層２に凹部を形成した後、この凹部の磁気特性を部分的に改質する方法を採用することも可能である。

また、本発明では、上記磁性層２を部分的に除去した後、この磁性層２が除去された面上を覆う非磁性層を形成し、その後、磁性層２が表出するまで非磁性層に対してＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）による研磨加工を施すことによって、磁気記録パターンとなる磁性層２の間に非磁性層が埋め込まれた状態とすることも可能である。

（磁気記録媒体）
次に、本発明を適用して製造される磁気記録媒体の具体的な構成について、例えば図３に示すディスクリート型の磁気記録媒体３０を例に挙げて詳細に説明する。
なお、以下の説明において例示される磁気記録媒体３０はほんの一例であり、本発明を適用して製造される磁気記録媒体は、そのような構成に必ずしも限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲で適宜変更して実施することが可能である。

この磁気記録媒体３０は、図３に示すように、非磁性基板３１の両面に、軟磁性層３２と、中間層３３と、磁気記録パターン３４ａを有する記録磁性層３４と、保護層３５とが順次積層された構造を有し、更に最表面に潤滑膜３６が形成された構造を有している。また、軟磁性層３２、中間層３３及び記録磁性層３４によって磁性層３７が構成されている。なお、図３においては、非磁性基板３１の片面のみを図示するものとする。

非磁性基板３１としては、例えば、Ａｌ−Ｍｇ合金などのＡｌを主成分としたＡｌ合金基板、ソーダガラスやアルミノシリケート系ガラス、結晶化ガラスなどのガラス基板、シリコン基板、チタン基板、セラミックス基板、樹脂基板等の各種基板を挙げることができるが、その中でも、Ａｌ合金基板や、ガラス基板、シリコン基板を用いることが好ましい。また、非磁性基板３１の平均表面粗さ（Ｒａ）は、１ｎｍ以下であることが好ましく、より好ましくは０．５ｎｍ以下であり、さらに好ましくは０．１ｎｍ以下である。

軟磁性層３２は、磁気ヘッドから発生する磁束の基板面に対する垂直方向成分を大きくするために、また情報が記録される垂直磁性層４の磁化の方向をより強固に非磁性基板１と垂直な方向に固定するために設けられている。この作用は、特に記録再生用の磁気ヘッドとして垂直記録用の単磁極ヘッドを用いる場合に、より顕著なものとなる。

軟磁性層３２としては、例えば、Ｆｅや、Ｎｉ、Ｃｏなどを含む軟磁性材料を用いることができる。具体的な軟磁性材料としては、例えば、ＣｏＦｅ系合金（ＣｏＦｅＴａＺｒ、ＣｏＦｅＺｒＮｂなど。）、ＦｅＣｏ系合金（ＦｅＣｏ、ＦｅＣｏＶなど。）、ＦｅＮｉ系合金（ＦｅＮｉ、ＦｅＮｉＭｏ、ＦｅＮｉＣｒ、ＦｅＮｉＳｉなど。）、ＦｅＡｌ系合金（ＦｅＡｌ、ＦｅＡｌＳｉ、ＦｅＡｌＳｉＣｒ、ＦｅＡｌＳｉＴｉＲｕ、ＦｅＡｌＯなど。）、ＦｅＣｒ系合金（ＦｅＣｒ、ＦｅＣｒＴｉ、ＦｅＣｒＣｕなど。）、ＦｅＴａ系合金（ＦｅＴａ、ＦｅＴａＣ、ＦｅＴａＮなど。）、ＦｅＭｇ系合金（ＦｅＭｇＯなど。）、ＦｅＺｒ系合金（ＦｅＺｒＮなど。）、ＦｅＣ系合金、ＦｅＮ系合金、ＦｅＳｉ系合金、ＦｅＰ系合金、ＦｅＮｂ系合金、ＦｅＨｆ系合金、ＦｅＢ系合金などを挙げることができる。

中間層３３は、磁性層の結晶粒を微細化して、記録再生特性を改善することができる。このような材料としては、特に限定されるものではないが、ｈｃｐ構造、ｆｃｃ構造、アモルファス構造を有するものが好ましい。特に、Ｒｕ系合金、Ｎｉ系合金、Ｃｏ系合金、Ｐｔ系合金、Ｃｕ系合金が好ましく、またこれらの合金を多層化してもよい。例えば、基板側からＮｉ系合金とＲｕ系合金との多層構造、Ｃｏ系合金とＲｕ系合金との多層構造、Ｐｔ系合金とＲｕ系合金との多層構造を採用することが好ましい。

例えば、Ｎｉ系合金であれば、Ｎｉを３３〜９６ａｔ％含む、ＮｉＷ合金、ＮｉＴａ合金、ＮｉＮｂ合金、ＮｉＴｉ合金、ＮｉＺｒ合金、ＮｉＭｎ合金、ＮｉＦｅ合金の中から選ばれる少なくとも１種類の材料からなることが好ましい。また、Ｎｉを３３〜９６ａｔ％含み、Ｓｃ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃのうち少なくとも１種又は２種以上を含む非磁性材料であってもよい。この場合、中間層３３としての効果を維持し、磁性を持たない範囲とするため、Ｎｉの含有量は３３ａｔ％〜９６ａｔ％の範囲とすることが好ましい。

中間層３３の厚みは、多層の場合は合計の厚みで、５〜４０ｎｍとすることが好ましく、より好ましくは８〜３０ｎｍである。中間層３３の厚みが上記範囲にあるとき、直磁性層の垂直配向性が特に高くなり、且つ記録時における磁気ヘッドと軟磁性層との距離を小さくすることができるため、再生信号の分解能を低下させることなく記録再生特性を高めることができる。

磁性層３７は、面内磁気記録媒体用の水平磁性層でも、垂直磁気記録媒体用の垂直磁性層でもかまわないが、より高い記録密度を実現するためには垂直磁性層が好ましい。また、磁性層３７は、主としてＣｏを主成分とする合金から形成することが好ましく、例えば、ＣｏＣｒＰｔ系、ＣｏＣｒＰｔＢ系、ＣｏＣｒＰｔＴａ系の磁性層や、これらにＳｉＯ_２や、Ｃｒ_２Ｏ_３等の酸化物を加えたグラニュラ構造の磁性層を用いることができる。

垂直磁気記録媒体の場合には、例えば軟磁性のＦｅＣｏ合金（ＦｅＣｏＢ、ＦｅＣｏＳｉＢ、ＦｅＣｏＺｒ、ＦｅＣｏＺｒＢ、ＦｅＣｏＺｒＢＣｕなど）、ＦｅＴａ合金（ＦｅＴａＮ、ＦｅＴａＣなど）、Ｃｏ合金（ＣｏＴａＺｒ、ＣｏＺｒＮＢ、ＣｏＢなど）等からなる軟磁性層３２と、Ｒｕ等からなる中間層３３と、６０Ｃｏ−１５Ｃｒ−１５Ｐｔ合金や７０Ｃｏ−５Ｃｒ−１５Ｐｔ−１０ＳｉＯ_２合金からなる記録磁性層３４とを積層したものを利用できる。また、軟磁性層３２と中間層３３との間にＰｔ、Ｐｄ、ＮｉＣｒ、ＮｉＦｅＣｒなどからなる配向制御膜を積層してもよい。

一方、面内磁気記録媒体の場合には、磁性層３７として、非磁性のＣｒＭｏ下地層と強磁性のＣｏＣｒＰｔＴａ磁性層とを積層したものを利用できる。

磁性層３７の厚みは、３ｎｍ以上２０ｎｍ以下、好ましくは５ｎｍ以上１５ｎｍ以下とし、使用する磁性合金の種類と積層構造に合わせて、十分なヘッド出入力が得られるように形成すればよい。また、磁性層３７は、再生の際に一定以上の出力を得るのにある程度以上の膜厚が必要であり、一方で記録再生特性を表す諸パラメーターは出力の上昇とともに劣化するのが通例であるため、最適な膜厚に設定する必要がある。磁性層３７は、通常はスパッタ法により薄膜として形成する。

グラニュラ構造の磁性層３７としては、少なくとも磁性粒子としてＣｏとＣｒを含み、磁性粒子の粒界部に少なくともＳｉ酸化物、Ｃｒ酸化物、Ｔｉ酸化物、Ｗ酸化物、Ｃｏ酸化物、Ｔａ酸化物、Ｒｕ酸化物の中から選ばれる少なくとも１種又は２種以上を含むものが好ましい。具体的には、例えば、ＣｏＣｒＰｔ−Ｓｉ酸化物、ＣｏＣｒＰｔ−Ｃｒ酸化物、ＣｏＣｒＰｔ−Ｗ酸化物、ＣｏＣｒＰｔ−Ｃｏ酸化物、ＣｏＣｒＰｔ−Ｃｒ酸化物−Ｗ酸化物、ＣｏＣｒＰｔ−Ｃｒ酸化物−Ｒｕ酸化物、ＣｏＲｕＰｔ−Ｃｒ酸化物−Ｓｉ酸化物、ＣｏＣｒＰｔＲｕ−Ｃｒ酸化物−Ｓｉ酸化物などを挙げることができる。

グラニュラ構造を有する磁性結晶粒子の平均粒径は、１ｎｍ以上、１２ｎｍ以下であることが好ましい。また磁性層中に存在する酸化物の総量は、３〜１５モル％であることが好ましい。また、グラニュラ構造ではない磁性層としては、ＣｏとＣｒを含み、好ましくはＰｔを含む磁性合金を用いた層が例示できる。

また、この磁気記録媒体３０は、記録磁性層３４に形成された磁気記録パターン３４ａが磁気特性が改質された領域（例えば、非磁性領域又は記録磁性層３４に対して８０％程度保磁力が低下した領域）３８によって磁気的に分離されてなる、いわゆるディスクリート型の磁気記録媒体である。

また、ディスクリート型の磁気記録媒体３０は、その記録密度を高めるために、記録磁性層３４のうち、磁気記録パターン３４ａの幅Ｌ１を２００ｎｍ以下、改質領域３８の幅Ｌ２を１００ｎｍ以下とすることが好ましい。また、この磁気記録媒体３０のトラックピッチＰ（＝Ｌ１＋Ｌ２）は、３００ｎｍ以下とすることが好ましく、記録密度を高めるためにはできるだけ狭くすることが好ましい。

保護層３５には、磁気記録媒体において通常使用される材料を用いればよく、そのような材料として、例えば、炭素（Ｃ）、水素化炭素（ＨＸＣ）、窒素化炭素（ＣＮ）、アルモファスカーボン、炭化珪素（ＳｉＣ）等の炭素質材料や、ＳｉＯ_２、Ｚｒ_２Ｏ_３、ＴｉＮなどを挙げることができる。また、保護層３５は、２層以上積層したものであってもよい。保護層３５の厚みは、１０ｎｍを越えると、磁気ヘッドと磁性層３７との距離が大きくなり、十分な入出力特性が得られなくなるため、１０ｎｍ未満とすることが好ましい。

潤滑膜３６は、例えば、フッ素系潤滑剤や、炭化水素系潤滑剤、これらの混合物等からなる潤滑剤を保護層３５上に塗布することにより形成することができる。また、潤滑膜３６の膜厚は、通常は１〜４ｎｍ程度である。

以上のようなディスクリート型の磁気記録媒体３０は、上記本発明を適用した磁気記録媒体の製造方法を用いることによって、高い生産性で製造することが可能である。

（磁気記録再生装置）
次に、本発明を適用した磁気記録再生装置（ＨＤＤ）について説明する。
本発明を適用した磁気記録再生装置は、例えば図４に示すように、上記磁気記録媒体３０と、上記磁気記録媒体３０を回転駆動する回転駆動部５１と、上記磁気記録媒体３０に対する記録動作と再生動作とを行う磁気ヘッド５２と、磁気ヘッド５２を上記磁気記録媒体３０の径方向に移動させるヘッド駆動部５３と、磁気ヘッド５２への信号入力と磁気ヘッド５２から出力信号の再生とを行うための記録再生信号処理系５４とを備えている。

この磁気記録再生装置では、上記ディスクリートトラック型の磁気記録媒体３０を用いることにより、この磁気記録媒体３０に磁気記録を行う際の書きにじみをなくし、高い面記録密度を得ることが可能である。すなわち、上記磁気記録媒体３０を用いることで記録密度の高い磁気記録再生装置を構成することが可能となる。また、上記磁気記録媒体３０の記録トラックを磁気的に不連続に加工したことによって、従来はトラックエッジ部の磁化遷移領域の影響を排除するために再生ヘッド幅を記録ヘッド幅よりも狭くして対応していたものを、両者をほぼ同じ幅にして動作させることができる。これにより十分な再生出力と高いＳＮＲを得ることができるようになる。

さらに、磁気ヘッド５２の再生部をＧＭＲヘッド又はＴＭＲヘッドで構成することにより、高記録密度においても十分な信号強度を得ることができ、高記録密度を持った磁気記録再生装置を実現することができる。また、この磁気ヘッド５２の浮上量を０．００５μｍ〜０．０２０μｍの範囲内とし、従来より低い高さで浮上させると、出力が向上して高い装置ＳＮＲが得られ、大容量で高信頼性の磁気記録再生装置を提供することができる。

さらに、最尤復号法による信号処理回路を組み合わせるとさらに記録密度を向上でき、例えば、トラック密度１００ｋトラック／インチ以上、線記録密度１０００ｋビット／インチ以上、１平方インチ当たり１００Ｇビット以上の記録密度で記録・再生する場合にも十分なＳＮＲが得られる。

なお、本発明は、磁気的に分離された磁気記録パターンＭＰを有する磁気記録媒体に対して幅広く適用することが可能であり、磁気記録パターンを有する磁気記録媒体としては、磁気記録パターンが１ビットごとに一定の規則性をもって配置された、いわゆるパターンドメディアや、磁気記録パターンがトラック状に配置されたメディア、その他、サーボ信号パターン等を含む磁気記録媒体を挙げることができる。本発明は、この中でも磁気的に分離された磁気記録パターンが磁気記録トラック及びサーボ信号パターンである、いわゆるディスクリート型の磁気記録媒体に適用することが、その製造における簡便性から好ましい。

以下、実施例により本発明の効果をより明らかなものとする。なお、本発明は、以下の実施例に限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲で適宜変更して実施することができる。

（実施例１）
実施例１では、先ず、ＨＤ用ガラス基板をセットした真空チャンバを予め１．０×１０^−５Ｐａ以下に真空排気した。ここで使用したガラス基板は、Ｌｉ_２Ｓｉ_２Ｏ_５、Ａｌ_２Ｏ_３−Ｋ_２Ｏ、Ａｌ_２Ｏ_３−Ｋ_２Ｏ、ＭｇＯ−Ｐ_２Ｏ_５、Ｓｂ_２Ｏ_３−ＺｎＯを構成成分とする結晶化ガラスを材質とし、外径が６５ｍｍ、内径が２０ｍｍ、平均表面粗さ（Ｒａ）が２オングストローム（単位：Å、０．２ｎｍ）である。

次に、このガラス基板にＤＣスパッタリング法を用いて、軟磁性層として層厚６０ｎｍのＦｅＣｏＢ膜、中間層として層厚１０ｎｍのＲｕ膜と、記録磁性層として層厚１５ｎｍの７０Ｃｏ−５Ｃｒ−１５Ｐｔ−１０ＳｉＯ_２合金膜、層厚１４ｎｍの７０Ｃｏ−５Ｃｒ−１５Ｐｔ合金膜と、溶解層として層厚２ｎｍのＣｒＴｉ、層厚５ｎｍのＭｏと、マスク層として層厚３０ｎｍの炭素膜とをこの順で積層した。

次に、この上に、レジストをスピンコート法により塗布し、層厚１００ｎｍのレジスト層を形成した。なお、レジストには、紫外線硬化樹脂であるノボラック系樹脂を用いた。そして、磁気記録パターンのポジパターンを有するガラス製のスタンプを用いて、このスタンプを１ＭＰａ（約８．８ｋｇｆ／ｃｍ^２）の圧力でレジスト層に押し付けた状態で、波長２５０ｎｍの紫外線を、紫外線の透過率が９５％以上であるガラス製のスタンプの上部から１０秒間照射し、レジスト層を硬化させた。その後、スタンプをレジスト層から分離し、レジスト層に磁気記録パターンに対応した凹凸パターンを転写した。

なお、レジスト層に転写した凹凸パターンは、２７１ｋトラック／インチの磁気記録パターンに対応しており、凸部が幅６４ｎｍの円周状、凹部が幅３０ｎｍの円周状であり、レジスト層の層厚は６５ｎｍ、レジスト層の凹部の深さは約５ｎｍであった。また、凹部の基板面に対する角度は、ほぼ９０度であった。

次に、レジスト層の凹部の箇所、並びにその下のマスク層及び溶解層をドライエッチングで除去した。ドライエッチングの条件は、Ｏ_２ガスを４０ｓｃｃｍ、圧力を０．３Ｐａ、高周波プラズマ電力を３００Ｗ、ＤＣバイアスを３０Ｗ、エッチング時間を２０秒とした。

次に、記録磁性層でマスク層に覆われていない箇所にイオンビームを照射し、当該箇所の磁気特性を改質した。イオンビームは、窒素ガス４０ｓｃｃｍ、水素ガス２０ｓｃｃｍ、ネオン２０ｓｃｃｍの混合ガスを用いて発生させた。イオンの量は５×１０^１６原子／ｃｍ^２、加速電圧は２０ｋｅＶとし、エッチング時間を９０秒とした。なお、磁性層のイオンビームを照射した箇所は、磁性粒子が非晶質化し保磁力が約８０％低下していた。

次に、処理基板を１％の過酸化水素水（液温２２℃）に３０分間浸漬して溶解層を溶解し、この溶解層と共にその上のマスク層及びレジスト層を除去した。

次に、中性洗剤に１０分間浸漬し、スクラブ洗浄とスピン洗浄をした後、イオンビームエッチングを用いて処理基板の表面を１ｎｍ程度エッチングし、ＣＶＤ法にてＤＬＣ膜を厚さ４ｎｍ形成し、潤滑剤を２ｎｍ塗布して磁気記録媒体を作製した。

そして、この製造された磁気記録媒体について、グライド検査を実施した。このグライド検査では、検査ヘッド（ヘッドスライダ）と磁気記録媒体の表面との間の浮上高さを、０．２マイクロインチ（６．５ｎｍ）に設定し、検査ヘッドから、磁気記録媒体表面の突起物との衝突に起因するシグナルが出力された場合に、当該磁気記録媒体を不良品と判断する。その結果、実施例１の磁気記録媒体については、突起物に起因するシグナルは検出されなかった。

１…非磁性基板 ２…磁性層 ２ａ，２ｂ…磁気記録パターン ３…溶解層 ４…マスク層 ５…レジスト層 ６…保護層 ７…非磁性領域
３０…磁気記録媒体 ３１…非磁性基板 ３２…軟磁性層 ３３…中間層 ３４…記録磁性層 ３４ａ…磁気記録パターン ３５…保護層 ３６…潤滑膜 ３７…磁性層 ３８…改質領域
５１…回転駆動部 ５２…磁気ヘッド ５３…ヘッド駆動部 ５４…記録再生信号処理系

Claims (7)

1. 磁気的に分離された磁気記録パターンを有する磁気記録媒体の製造方法であって、
   非磁性基板の上に磁性層を形成する工程と、
   前記磁性層の上に溶解層を形成する工程と、
   前記溶解層の上にマスク層を形成する工程と、
   前記溶解層及びマスク層を前記磁気記録パターンに対応した形状にパターニングする工程と、
   前記パターニングされたマスク層を用いて前記磁性層を部分的に改質又は除去する工程と、
   前記溶解層を薬剤により湿式溶解し、その上のマスク層と共に前記磁性層の上から除去する工程とを含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
2. 前記溶解層が、金属であり、前記薬剤が、酸又はアルカリであることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体の製造方法。
3. 前記金属が、モリブデンであり、前記薬剤が、過酸化水素水、硫酸、硝酸、リン酸からなる群から選ばれる何れか１種以上であることを特徴とする請求項２に記載の磁気記録媒体の製造方法。
4. 前記薬剤が過酸化水素水であることを特徴とする請求項３に記載の磁気記録媒体の製造方法。
5. 前記金属が、アルミニウム合金であり、前記薬剤が、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムからなる群から選ばれる何れか１種以上であることを特徴とする請求項２に記載の磁気記録媒体の製造方法。
6. 前記溶解層が、有機物であり、前記薬剤が、有機溶剤であることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体の製造方法。
7. 請求項１〜６の何れか一項に記載の方法により製造された磁気記録媒体と、
   前記磁気記録媒体を記録方向に駆動する媒体駆動部と、
   前記磁気記録媒体に対する記録動作と再生動作とを行う磁気ヘッドと、
   前記磁気ヘッドを磁気記録媒体に対して相対移動させるヘッド移動手段と、
   前記磁気ヘッドへの信号入力と前記磁気ヘッドから出力信号の再生とを行うための記録再生信号処理手段とを備えることを特徴とする磁気記録再生装置。

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