JP2010080339A

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Publication number: JP2010080339A
Application number: JP2008249007A
Authority: JP
Inventors: Norihiko Kamiura; 紀彦上浦
Original assignee: Toshiba Mobile Display Co Ltd
Current assignee: Japan Display Central Inc
Priority date: 2008-09-26
Filing date: 2008-09-26
Publication date: 2010-04-08

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a display which has an excellent display quality without causing deterioration in manufacturing yield and can have a long lifetime. <P>SOLUTION: The display is provided with an active area 102 composed of a plurality of pixels, and has an array substrate 100 having an organic EL element 40 of self light-emitting nature arranged in each pixel and a metal layer 500 which is arranged at the surrounding 104 of the active area and has light reflection property, a sealing substrate 200 which is arranged opposed to the organic EL element of the array substrate, and a seal member 300 made of frit glass which is arranged in frame shape so as to surround the active area and joints the array substrate and the sealing substrate. The metal layer 500 and the seal member 300 are adhered through an insulating layer 501 containing a metallic material to form the metal layer. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

Translated fromJapanese

この発明は、表示装置に係り、特に、自発光性の表示素子を備えた構成の表示装置に関する。 The present invention relates to a display device, and more particularly to a display device having a structure including a self-luminous display element.

近年、平面表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置が注目されている。この有機ＥＬ表示装置は、自発光性の表示素子である有機ＥＬ素子を備えていることから、視野角が広く、バックライトを必要とせず薄型化及び軽量化が可能であり、消費電力が抑えられ、且つ応答速度が速いといった特徴を有している。これらの特徴から、有機ＥＬ表示装置は、液晶表示装置に代わる、次世代の平面表示装置の有力候補として注目を集めている。 In recent years, organic electroluminescence (EL) display devices have attracted attention as flat display devices. Since this organic EL display device includes an organic EL element, which is a self-luminous display element, the viewing angle is wide, and it is possible to reduce the thickness and weight without requiring a backlight, thereby reducing power consumption. And the response speed is fast. Because of these features, organic EL display devices are attracting attention as potential candidates for next-generation flat display devices that replace liquid crystal display devices.

有機ＥＬ表示装置は、陽極と陰極との間に発光機能を有する有機化合物を含む有機活性層を保持した有機ＥＬ素子を備えて構成されている。このような有機ＥＬ表示装置としては、有機ＥＬ素子で発生したＥＬ光をアレイ基板側から外部に取り出す下面発光（ボトムエミッション）方式、及び、有機ＥＬ素子で発生したＥＬ光を封止基板側から外部に取り出す上面発光（トップエミッション）方式がある。 The organic EL display device includes an organic EL element that holds an organic active layer containing an organic compound having a light emitting function between an anode and a cathode. As such an organic EL display device, a bottom emission method in which EL light generated in the organic EL element is extracted from the array substrate side, and EL light generated in the organic EL element from the sealing substrate side are used. There is a top emission method that takes out to the outside.

このような構成の有機ＥＬ素子は、水分や酸素の影響により劣化しやすい薄膜を含んで構成されている。このため、有機ＥＬ素子が大気に曝されないように密封する必要がある。 The organic EL element having such a configuration is configured to include a thin film that is easily deteriorated by the influence of moisture and oxygen. For this reason, it is necessary to seal the organic EL element so as not to be exposed to the atmosphere.

そこで、例えば、特許文献１によれば、有機ＥＬ素子が配置された基板の周辺に設置した低融点ガラスであるフリットガラスを介して封止基板を貼り合せることにより水分の流入を防止する構成が提案されている。また、特許文献２によれば、透明な材質の第１フリット層と、不透明な材質の第２フリット層を含む密封材により厚さ調整を可能とする構成が提案されている。
特開２００７−２００８４０号公報特開２００７−２００８３６号公報Thus, for example, according to Patent Document 1, there is a configuration in which inflow of moisture is prevented by bonding a sealing substrate through a frit glass that is a low-melting glass placed around a substrate on which an organic EL element is disposed. Proposed. Further, according to Patent Document 2, a configuration is proposed in which the thickness can be adjusted by a sealing material including a first frit layer made of a transparent material and a second frit layer made of an opaque material.
Japanese Patent Laid-Open No. 2007-200840 Japanese Patent Laid-Open No. 2007-200836

有機ＥＬ素子を備えたアレイ基板と封止基板とをフリットガラスによって接合する場合には、通常、封止基板となるガラス板にフリットガラスを塗布して硬化焼成し、冷却した後にアレイ基板を合わせ、レーザー等の局所的に加熱する装置によってフリットガラスを溶融して、アレイ基板と封止基板との外周全部を接合し、両基板の間に有機ＥＬ素子を密封している。 When joining an array substrate equipped with an organic EL element and a sealing substrate with frit glass, the frit glass is usually applied to a glass plate to be a sealing substrate, cured and fired, cooled, and then combined with the array substrate. The frit glass is melted by a locally heating device such as a laser, the entire outer periphery of the array substrate and the sealing substrate is bonded, and the organic EL element is sealed between the two substrates.

平面表示装置については、画像を表示するアクティブエリアの大きさは所望のサイズを確保しつつ、外形寸法を縮小すること（狭額縁化）が市場から強く望まれており、有機ＥＬ表示装置についても同様の要望がある。そのため、アレイ基板と封止基板との接合を担うフリットガラスの塗布幅（溶着後の幅）の縮小が望まれる一方で、表示装置として十分な機械的強度及び密封性能を確保する必要がある。 As for flat display devices, there is a strong demand from the market to reduce the outer dimensions (narrow frame size) while ensuring the desired size of the active area for displaying images, and for organic EL display devices as well. There is a similar demand. For this reason, it is desired to reduce the application width (the width after welding) of the frit glass for bonding the array substrate and the sealing substrate, but it is necessary to ensure sufficient mechanical strength and sealing performance as a display device.

しかしながら、アレイ基板の表面に剥き出しとなった金属配線とフリットガラスとが直接溶着されている箇所については、引き剥がす力に対する機械的強度及び密封性能が不足する傾向にあり、製造歩留まりの低下を招くおそれがある。 However, at locations where the metal wiring exposed on the surface of the array substrate and the frit glass are directly welded, the mechanical strength and sealing performance against the peeling force tend to be insufficient, leading to a decrease in manufacturing yield. There is a fear.

この発明は、上述した問題点に鑑みなされたものであって、その目的は、狭額縁化が可能であるとともに、機械的強度及び密封性能を向上することが可能な表示装置を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a display device capable of narrowing the frame and improving the mechanical strength and sealing performance. is there.

この発明の態様による表示装置は、
複数の画素によって構成されたアクティブエリアを備えた表示装置であって、
各画素に配置された自発光性の表示素子と、前記アクティブエリアの周辺に配置された光反射性を有する金属層と、を備えた第１基板と、
前記第１基板の前記表示素子に対向して配置された第２基板と、
前記アクティブエリアを囲むように枠状に配置され、前記第１基板と前記第２基板とを接合するフリットガラスからなるシール部材と、を備え、
前記金属層と前記シール部材とは、前記金属層を形成する金属材料を含む絶縁層を介して溶着されたことを特徴とする。A display device according to an aspect of the present invention includes:
A display device having an active area composed of a plurality of pixels,
A first substrate comprising a self-luminous display element disposed in each pixel; and a light-reflective metal layer disposed around the active area;
A second substrate disposed opposite to the display element of the first substrate;
A seal member that is arranged in a frame shape so as to surround the active area, and is made of frit glass that joins the first substrate and the second substrate;
The metal layer and the seal member are welded via an insulating layer containing a metal material that forms the metal layer.

この発明によれば、狭額縁化が可能であるとともに、機械的強度及び密封性能を向上することが可能な表示装置を提供できる。このため、製造歩留まりの低下が抑制されるとともに、表示素子が大気に曝されることがなく、表示素子の劣化が抑制されるため、良好な表示品位の維持及び長寿命化が可能となる。 According to the present invention, it is possible to provide a display device capable of narrowing the frame and improving the mechanical strength and the sealing performance. For this reason, a decrease in manufacturing yield is suppressed, the display element is not exposed to the atmosphere, and deterioration of the display element is suppressed, so that it is possible to maintain good display quality and extend the life.

以下、この発明の一実施の形態に係る表示装置について図面を参照して説明する。なお、この実施の形態では、表示装置として、自己発光型表示装置、特に、有機ＥＬ表示装置を例にして説明する。 A display device according to an embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. In this embodiment, a self-luminous display device, particularly an organic EL display device will be described as an example of the display device.

有機ＥＬ表示装置１は、図１に示すように、画像を表示するアクティブエリア１０２を有するアレイ基板（第１基板）１００を備えている。アクティブエリア１０２は、マトリクス状に配置された複数の画素ＰＸによって構成されている。また、図１では、カラー表示タイプの有機ＥＬ表示装置１を例に示しており、アクティブエリア１０２は、複数種類の色画素、例えば３原色に対応した赤色画素ＰＸＲ、緑色画素ＰＸＧ、及び、青色画素ＰＸＢによって構成されている。 As shown in FIG. 1, the organic EL display device 1 includes an array substrate (first substrate) 100 having anactive area 102 for displaying an image. Theactive area 102 is composed of a plurality of pixels PX arranged in a matrix. Further, FIG. 1 shows a color display type organic EL display device 1 as an example, and theactive area 102 includes a plurality of types of color pixels, for example, a red pixel PXR, a green pixel PXG, and a blue color corresponding to three primary colors. A pixel PXB is used.

アレイ基板１００の少なくともアクティブエリア１０２は、封止基板（第２基板）２００によって封止されている。封止基板２００は、光透過性を有する絶縁性の基板、特にガラス基板によって構成されている。この封止基板２００のアレイ基板１００と対向する内面は、平坦に形成されていても良いし、少なくともアクティブエリア１０２との対向面が窪み、周縁部より肉薄に形成されても良い。 At least theactive area 102 of thearray substrate 100 is sealed with a sealing substrate (second substrate) 200. Thesealing substrate 200 is configured by an insulating substrate having light permeability, particularly a glass substrate. The inner surface of thesealing substrate 200 facing thearray substrate 100 may be formed flat, or at least the surface facing theactive area 102 may be recessed and thinner than the peripheral edge.

これらのアレイ基板１００と封止基板２００とは、それぞれの周縁部がアクティブエリア１０２を囲むように枠状に配置されたシール部材３００によって接合されている。この実施の形態においては、シール部材３００は、フリットガラス（低融点ガラス）からなる。 Thearray substrate 100 and thesealing substrate 200 are joined by aseal member 300 that is arranged in a frame shape so that each peripheral portion surrounds theactive area 102. In this embodiment, theseal member 300 is made of frit glass (low melting point glass).

各画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）は、画素回路１０及びこの画素回路１０によって駆動制御される表示素子４０を備えている。図１に示した画素回路１０は、一例であって、他の構成の画素回路を適用しても良いことは言うまでもない。 Each pixel PX (R, G, B) includes apixel circuit 10 and adisplay element 40 that is driven and controlled by thepixel circuit 10. Thepixel circuit 10 shown in FIG. 1 is an example, and it goes without saying that a pixel circuit having another configuration may be applied.

図１に示した例では、画素回路１０は、駆動トランジスタＤＲＴ、各種スイッチ（第１スイッチＳＷ１、第２スイッチＳＷ２、第３スイッチＳＷ３）、蓄積容量素子Ｃｓなどを備えて構成されている。駆動トランジスタＤＲＴは、表示素子４０に供給する電流量を制御する機能を有している。第１スイッチＳＷ１及び第２スイッチＳＷ２は、サンプル・ホールドスイッチとして機能する。第３スイッチＳＷ３は、駆動トランジスタＤＲＴから表示素子４０への駆動電流の供給、つまり表示素子４０のオン／オフを制御する機能を有している。蓄積容量素子Ｃｓは、駆動トランジスタＤＲＴのゲート−ソース間の電位を保持する機能を有している。 In the example illustrated in FIG. 1, thepixel circuit 10 includes a driving transistor DRT, various switches (first switch SW1, second switch SW2, third switch SW3), a storage capacitor element Cs, and the like. The drive transistor DRT has a function of controlling the amount of current supplied to thedisplay element 40. The first switch SW1 and the second switch SW2 function as a sample / hold switch. The third switch SW3 has a function of controlling the supply of drive current from the drive transistor DRT to thedisplay element 40, that is, the on / off of thedisplay element 40. The storage capacitor element Cs has a function of holding the potential between the gate and source of the drive transistor DRT.

駆動トランジスタＤＲＴは、高電位電源線Ｐ１と第３スイッチＳＷ３との間に接続されている。表示素子４０は、第３スイッチＳＷ３と低電位電源線Ｐ２との間に接続されている。第１スイッチＳＷ１及び第２スイッチＳＷ２のゲート電極は、第１ゲート線ＧＬ１に接続されている。第３スイッチＳＷ３のゲート電極は、第２ゲート線ＧＬ２に接続されている。第１スイッチＳＷ１のソース電極は、映像信号線ＳＬに接続されている。 The drive transistor DRT is connected between the high potential power supply line P1 and the third switch SW3. Thedisplay element 40 is connected between the third switch SW3 and the low potential power line P2. The gate electrodes of the first switch SW1 and the second switch SW2 are connected to the first gate line GL1. The gate electrode of the third switch SW3 is connected to the second gate line GL2. The source electrode of the first switch SW1 is connected to the video signal line SL.

これらの駆動トランジスタＤＲＴ、第１スイッチＳＷ１、第２スイッチＳＷ２、及び、第３スイッチＳＷ３は、例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）によって構成され、その半導体層は、アモルファスシリコンやポリシリコンなどによって形成可能であり、ここではポリシリコンによって形成されている。 The drive transistor DRT, the first switch SW1, the second switch SW2, and the third switch SW3 are configured by, for example, a thin film transistor (TFT), and the semiconductor layer can be formed by amorphous silicon, polysilicon, or the like. Here, it is formed of polysilicon.

このような回路構成の場合、第１ゲート線ＧＬ１からオン信号が供給されたのに基づいて第１スイッチＳＷ１及び第２スイッチＳＷ２がオンとなり、映像信号線ＳＬを流れる電流量に応じて高電位電源線Ｐ１から駆動トランジスタＤＲＴに電流が流れ、また、駆動トランジスタＤＲＴを流れる電流に応じて蓄積容量素子ＣＳが充電される。これにより、駆動トランジスタＤＲＴは、映像信号線ＳＬから供給された電流量と同一の電流量を、高電位電源線Ｐ１から表示素子４０に供給可能となる。 In the case of such a circuit configuration, the first switch SW1 and the second switch SW2 are turned on based on the ON signal supplied from the first gate line GL1, and the high potential is set according to the amount of current flowing through the video signal line SL. A current flows from the power supply line P1 to the drive transistor DRT, and the storage capacitor element CS is charged according to the current flowing through the drive transistor DRT. As a result, the drive transistor DRT can supply the same amount of current as that supplied from the video signal line SL to thedisplay element 40 from the high potential power supply line P1.

そして、第２ゲート線ＧＬ２からオン信号が供給されたのに基づいて第３スイッチＳＷ３がオンとなり、蓄積容量素子ＣＳで保持した容量に応じて、駆動トランジスタＤＲＴは、高電位電源線Ｐ１から第３スイッチＳＷ３を介して表示素子４０に所定輝度に対応した所定量の電流を供給する。これにより、表示素子４０は、所定の輝度に発光する。 Then, the third switch SW3 is turned on based on the ON signal supplied from the second gate line GL2, and the driving transistor DRT is connected to the first potential from the high potential power supply line P1 according to the capacitance held in the storage capacitor element CS. A predetermined amount of current corresponding to a predetermined luminance is supplied to thedisplay element 40 via the three switch SW3. Thereby, thedisplay element 40 emits light with a predetermined luminance.

表示素子４０は、自発光性の表示素子である有機ＥＬ素子４０（Ｒ、Ｇ、Ｂ）によって構成されている。すなわち、赤色画素ＰＸＲは、主に赤色波長に対応した光を出射する有機ＥＬ素子４０Ｒを備えている。緑色画素ＰＸＧは、主に緑色波長に対応した光を出射する有機ＥＬ素子４０Ｇを備えている。青色画素ＰＸＢは、主に青色波長に対応した光を出射する有機ＥＬ素子４０Ｂを備えている。 Thedisplay element 40 includes an organic EL element 40 (R, G, B) that is a self-luminous display element. That is, the red pixel PXR includes an organic EL element 40R that mainly emits light corresponding to the red wavelength. The green pixel PXG includes an organic EL element 40G that mainly emits light corresponding to the green wavelength. The blue pixel PXB includes an organic EL element 40B that mainly emits light corresponding to the blue wavelength.

各種有機ＥＬ素子４０（Ｒ、Ｇ、Ｂ）は、基本的に同一構成であり、例えば、図２に示すように、配線基板１２０上に配置されている。なお、配線基板１２０は、ガラス基板などの絶縁性の支持基板１０１上に、アンダーコート層１１１、ゲート絶縁膜１１２、層間絶縁膜１１３、有機絶縁膜（平坦化層）１１４などの絶縁層を備える他に、各種スイッチＳＷ、駆動トランジスタＤＲＴ、蓄積容量素子Ｃｓ、各種配線（ゲート線、映像信号線、電源線等）などを備えて構成されている。アンダーコート層１１１、ゲート絶縁膜１１２、及び、層間絶縁膜１１３は、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）や酸化シリコン（ＳｉＯ）などの無機系材料によって形成されている。 The various organic EL elements 40 (R, G, B) have basically the same configuration, and are disposed on the wiring substrate 120 as shown in FIG. The wiring board 120 includes an insulating layer such as anundercoat layer 111, a gate insulating film 112, aninterlayer insulating film 113, and an organic insulating film (planarization layer) 114 on an insulatingsupport substrate 101 such as a glass substrate. In addition, it includes various switches SW, drive transistors DRT, storage capacitor elements Cs, various wirings (gate lines, video signal lines, power supply lines, etc.), and the like. Theundercoat layer 111, the gate insulating film 112, and theinterlayer insulating film 113 are made of an inorganic material such as silicon nitride (SiN) or silicon oxide (SiO).

すなわち、図２に示した例では、アンダーコート層１１１の上には、スイッチや駆動トランジスタなどのトランジスタ素子（図１に示した回路構成においては第３スイッチＳＷ３に相当する）２０の半導体層２１が配置されている。半導体層２１は、ゲート絶縁膜１１２によって覆われている。 That is, in the example shown in FIG. 2, on theundercoat layer 111, thesemiconductor layer 21 of a transistor element (corresponding to the third switch SW3 in the circuit configuration shown in FIG. 1) 20 such as a switch or a drive transistor. Is arranged. Thesemiconductor layer 21 is covered with the gate insulating film 112.

ゲート絶縁膜１１２の上には、トランジスタ素子２０のゲート電極２０Ｇや図示しないゲート線などが配置されている。ゲート電極２０Ｇやゲート線は、層間絶縁膜１１３によって覆われている。層間絶縁膜１１３の上には、トランジスタ素子２０のソース電極２０Ｓ及びドレイン電極２０Ｄや図示しない信号線などが配置されている。 On the gate insulating film 112, agate electrode 20G of thetransistor element 20, a gate line (not shown), and the like are disposed. Thegate electrode 20G and the gate line are covered with aninterlayer insulating film 113. On theinterlayer insulating film 113, asource electrode 20S and a drain electrode 20D of thetransistor element 20, a signal line (not shown), and the like are arranged.

これらのソース電極２０Ｓ及びドレイン電極２０Ｄは、ゲート絶縁膜１１２及び層間絶縁膜１１３を半導体層２１まで貫通するコンタクトホールを介して半導体層２１にそれぞれコンタクトしている。これらのソース電極２０Ｓ及びドレイン電極２０Ｄや信号線は、有機絶縁膜１１４によって覆われている。このような有機絶縁膜１１４は、下層の凹凸の影響を緩和しその表面を平坦化する目的で、樹脂材料をコーティングするなどの手法により形成されている。 Thesource electrode 20S and the drain electrode 20D are in contact with thesemiconductor layer 21 through contact holes that penetrate the gate insulating film 112 and theinterlayer insulating film 113 to thesemiconductor layer 21, respectively. Thesource electrode 20S, the drain electrode 20D, and the signal line are covered with an organicinsulating film 114. Such an organicinsulating film 114 is formed by a technique such as coating with a resin material in order to alleviate the influence of the unevenness of the lower layer and flatten the surface.

この実施の形態においては、有機ＥＬ素子４０は、有機絶縁膜１１４の上に配置されている。この有機ＥＬ素子４０は、第１電極６０と第２電極６４との間に有機活性層６２を保持した構成であり、以下に詳細な構造について説明する。 In this embodiment, theorganic EL element 40 is disposed on the organic insulatingfilm 114. Theorganic EL element 40 has a configuration in which an organic active layer 62 is held between afirst electrode 60 and asecond electrode 64, and a detailed structure will be described below.

すなわち、第１電極６０は、有機絶縁膜１１４の上において各画素ＰＸに独立した島状に配置され、陽極として機能する。この第１電極６０は、有機絶縁膜１１４をドレイン電極２０Ｄまで貫通するコンタクトホールを介して、ドレイン電極２０Ｄにコンタクトしている。 That is, thefirst electrode 60 is disposed in an island shape independent of each pixel PX on the organic insulatingfilm 114 and functions as an anode. Thefirst electrode 60 is in contact with the drain electrode 20D through a contact hole that penetrates the organic insulatingfilm 114 to the drain electrode 20D.

このような第１電極６０は、アルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）などの光反射性を有する導電材料を用いて形成された反射層の上に、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）やインジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）などの光透過性を有する導電材料を用いて形成された透過層を積層した構造であってもよいし、反射層単層、または、透過層単層として構成しても良い。トップエミッション方式の場合、第１電極６０は、反射層を含んでいることが望ましい。 Such afirst electrode 60 is made of indium tin oxide (ITO) or indium oxide on a reflective layer formed using a light reflective conductive material such as aluminum (Al) or silver (Ag). It may have a structure in which a transmission layer formed using a light-transmitting conductive material such as zinc oxide (IZO) is laminated, or may be configured as a reflection layer single layer or a transmission layer single layer. good. In the case of the top emission method, it is desirable that thefirst electrode 60 includes a reflective layer.

有機活性層６２は、第１電極６０の上に配置され、少なくとも発光層を含んでいる。この有機活性層６２は、発光層以外の機能層を含むことができ、例えば、ホール注入層、ホール輸送層、ブロッキング層、電子輸送層、電子注入層、バッファ層などの機能層を含むことができる。このような有機活性層６２は、複数の機能層を複合した単層で構成されても良いし、各機能層を積層した多層構造であっても良い。有機活性層６２においては、発光層が有機系材料であればよく、発光層以外の層は無機系材料でも有機系材料でも構わない。有機活性層６２において、発光層以外の機能層は共通層であってもよい。発光層は、赤、緑、または青に発光する発光機能を有した有機化合物によって形成される。なお、有機活性層６２は、低分子系材料によって形成された薄膜を含んでいても良い。このような薄膜は、マスク蒸着法などの手法により成膜可能である。 The organic active layer 62 is disposed on thefirst electrode 60 and includes at least a light emitting layer. The organic active layer 62 can include functional layers other than the light emitting layer, and includes, for example, functional layers such as a hole injection layer, a hole transport layer, a blocking layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and a buffer layer. it can. Such an organic active layer 62 may be composed of a single layer in which a plurality of functional layers are combined, or may have a multilayer structure in which the functional layers are laminated. In the organic active layer 62, the light emitting layer may be an organic material, and layers other than the light emitting layer may be an inorganic material or an organic material. In the organic active layer 62, the functional layer other than the light emitting layer may be a common layer. The light emitting layer is formed of an organic compound having a light emitting function that emits red, green, or blue light. The organic active layer 62 may include a thin film formed of a low molecular material. Such a thin film can be formed by a technique such as mask vapor deposition.

第２電極６４は、複数の画素ＰＸに共通であって、各画素ＰＸの有機活性層６２の上に配置され、陰極として機能する。このような第２電極６４は、銀（Ａｇ）とマグネシウム（Ｍｇ）との混合物などからなる半透過層、及び、ＩＴＯなどの光透過性を有する導電材料を用いて形成された透過層を積層した構造であってもよいし、半透過層単層、または、透過層単層として構成しても良い。トップエミッション方式の場合、第２電極６４は、半透過層を含んでいることが望ましい。 Thesecond electrode 64 is common to the plurality of pixels PX, is disposed on the organic active layer 62 of each pixel PX, and functions as a cathode. Thesecond electrode 64 is formed by laminating a semi-transmissive layer made of a mixture of silver (Ag) and magnesium (Mg), and a transmissive layer formed using a light-transmitting conductive material such as ITO. The structure may be such that it may be configured as a single semi-transmissive layer or a single transmissive layer. In the case of the top emission method, it is desirable that thesecond electrode 64 includes a semi-transmissive layer.

また、アレイ基板１００は、アクティブエリア１０２において、隣接する画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）間を分離する隔壁７０を備えている。この隔壁７０は、例えば、各第１電極６０の周縁を覆うように配置され、アクティブエリア１０２において格子状またはストライプ状に形成されている。これにより、隣接する異なる色の有機ＥＬ素子が絶縁される。このような隔壁７０は、例えば樹脂材料をパターニングすることによって形成される。この隔壁７０は、第２電極６４によって覆われている。 Further, thearray substrate 100 includes apartition wall 70 that separates adjacent pixels PX (R, G, B) in theactive area 102. For example, thepartition walls 70 are arranged so as to cover the periphery of eachfirst electrode 60 and are formed in a lattice shape or a stripe shape in theactive area 102. Thereby, the adjacent organic EL elements of different colors are insulated. Such apartition 70 is formed by patterning a resin material, for example. Thepartition wall 70 is covered with thesecond electrode 64.

封止基板２００は、アレイ基板１００の有機ＥＬ素子４０に対向するように配置されている。これらのアレイ基板１００と封止基板２００とは、アクティブエリアの周辺１０４において、シール部材３００により接合されている。シール部材３００は、フリットガラスであり、このようなフリットガラスは、レーザー光を照射するなどして熱を加えることによって溶融し、アレイ基板１００と封止基板２００とを接合する。これにより、アレイ基板１００と封止基板２００との間に密閉空間が形成される。有機ＥＬ素子４０は、この密閉空間内に配置され、密封されることになる。 The sealingsubstrate 200 is disposed so as to face theorganic EL element 40 of thearray substrate 100. Thearray substrate 100 and the sealingsubstrate 200 are joined by aseal member 300 at theperiphery 104 of the active area. The sealingmember 300 is frit glass, and such frit glass is melted by applying heat, for example, by irradiating laser light, and joins thearray substrate 100 and the sealingsubstrate 200. As a result, a sealed space is formed between thearray substrate 100 and the sealingsubstrate 200. Theorganic EL element 40 is disposed in this sealed space and sealed.

ところで、この実施の形態においては、アレイ基板１００は、シール部材３００の下地として、金属層５００を備えている。この金属層５００は、アクティブエリア１０２の周辺１０４に配置され、光反射性を有する金属材料によって形成されている。このような金属層５００とシール部材３００とは、金属層５００を形成する金属材料を含む絶縁層５０１を介して溶着されている。 By the way, in this embodiment, thearray substrate 100 includes ametal layer 500 as a base of theseal member 300. Themetal layer 500 is disposed on theperiphery 104 of theactive area 102 and is formed of a metal material having light reflectivity. Such ametal layer 500 and the sealingmember 300 are welded via an insulatinglayer 501 containing a metal material that forms themetal layer 500.

例えば、図２に示すように、アンダーコート層１１１、ゲート絶縁膜１１２、及び、層間絶縁膜１１３は、アクティブエリア１０２からその周辺１０４に延在しており、シール部材３００が配置されるシール領域３１０にも配置されている。金属層５００は、シール領域３１０に対応するように、層間絶縁膜１１３の上に配置されている。 For example, as shown in FIG. 2, theundercoat layer 111, the gate insulating film 112, and theinterlayer insulating film 113 extend from theactive area 102 to theperiphery 104 thereof, and a sealing region where the sealingmember 300 is disposed. 310 is also arranged. Themetal layer 500 is disposed on theinterlayer insulating film 113 so as to correspond to theseal region 310.

このような金属層５００は、例えば、図３に示すように、アクティブエリア１０２を囲むように一連の枠状に配置されている。この場合、金属層５００は、シール部材３００と全周にわたって絶縁層５０１を介して重なっている。なお、金属層５００は、このような配置に限らず、一連でなくても良い。例えば、金属層５００は、島状に形成され、アクティブエリア１０２を囲むように点在するように配置されても良いし、アクティブエリア１０２に沿った少なくとも一辺に配置されても良いし、特に強固な接合が要求されるコーナー部などの特定の箇所についてのみ配置されても良い。 For example, as shown in FIG. 3, themetal layer 500 is arranged in a series of frame shapes so as to surround theactive area 102. In this case, themetal layer 500 overlaps with theseal member 300 over the entire circumference via the insulatinglayer 501. Note that themetal layer 500 is not limited to such an arrangement and may not be a series. For example, themetal layer 500 is formed in an island shape, and may be disposed so as to surround theactive area 102, or may be disposed on at least one side along theactive area 102, and particularly strong. It may be arranged only for a specific portion such as a corner portion that requires smooth bonding.

この金属層５００は、その上面、つまり封止基板２００との対向面に絶縁層５０１を含んでいる。換言すると、絶縁層５０１は、金属層５００の一部であり、金属層５００を形成する過程で形成可能である。つまり、金属層５００において、下面側（つまり層間絶縁膜１１３側）は金属材料単体であり、上面側が金属材料を含む絶縁層５０１となっている。 Themetal layer 500 includes an insulatinglayer 501 on its upper surface, that is, the surface facing the sealingsubstrate 200. In other words, the insulatinglayer 501 is a part of themetal layer 500 and can be formed in the process of forming themetal layer 500. That is, in themetal layer 500, the lower surface side (that is, theinterlayer insulating film 113 side) is a single metal material, and the upper surface side is the insulatinglayer 501 containing the metal material.

このような金属層５００は、シール領域３１０において、アレイ基板１００の表面に露出している。このため、シール部材３００として、フリットガラスを塗布、硬化させた封止基板２００をアレイ基板１００に貼り合わせる際、シール部材３００は、金属層５００の上面の絶縁層５０１に接触する。 Such ametal layer 500 is exposed on the surface of thearray substrate 100 in theseal region 310. For this reason, when the sealingsubstrate 200 coated and cured with frit glass is bonded to thearray substrate 100 as the sealingmember 300, the sealingmember 300 comes into contact with the insulatinglayer 501 on the upper surface of themetal layer 500.

そして、封止基板２００の外面側からレーザー光を照射することによって、フリットガラスを加熱し、また一部のレーザー光が金属層５００によって反射されるなどしてフリットガラスと絶縁層５０１との界面の温度上昇によってフリットガラスが溶融し、フリットガラスが絶縁層５０１に溶着される。 The frit glass is heated by irradiating laser light from the outer surface side of the sealingsubstrate 200, and a part of the laser light is reflected by themetal layer 500, so that the interface between the frit glass and the insulatinglayer 501 is obtained. As the temperature rises, the frit glass is melted and the frit glass is welded to the insulatinglayer 501.

このような絶縁層５０１は、金属層５００の一部であり、金属層５００とは別体で成膜された薄膜とは異なり、絶縁層５０１と金属層５００との間に明確な界面は形成されていない。加えて、金属層５００において、金属材料単体よりも金属材料を含む絶縁層５０１の方が比較的高い融点を有している。つまり、金属層５００において、その下面側よりも上面側が高い融点を有している。このため、金属層５００自体の溶着時の熱によるダメージが少ない。 Such an insulatinglayer 501 is a part of themetal layer 500, and unlike a thin film formed separately from themetal layer 500, a clear interface is formed between the insulatinglayer 501 and themetal layer 500. It has not been. In addition, in themetal layer 500, the insulatinglayer 501 containing a metal material has a relatively higher melting point than the metal material alone. That is, in themetal layer 500, the upper surface side has a higher melting point than the lower surface side. For this reason, there is little damage by the heat | fever at the time of welding ofmetal layer 500 itself.

また、金属層５００とは別体の絶縁性薄膜を積層した構造では、金属層５００と絶縁性薄膜との間の界面にレーザー光のエネルギーが集中し、金属層５００から薄膜が剥離するおそれがある。一方で、本実施形態の構造によれば、金属層５００の内部でレーザー光のエネルギーが局所的に集中することはなく、過熱が抑制されるとともに、フリットガラスと絶縁層５０１との界面にレーザー光のエネルギーが集中する。このため、フリットガラスの溶融が促進され、アレイ基板１００と封止基板２００とを強固に接合することが可能となる。 Further, in a structure in which an insulating thin film separate from themetal layer 500 is stacked, the energy of laser light is concentrated on the interface between themetal layer 500 and the insulating thin film, and the thin film may be peeled off from themetal layer 500. is there. On the other hand, according to the structure of the present embodiment, the energy of the laser beam does not concentrate locally inside themetal layer 500, and overheating is suppressed, and the laser is applied to the interface between the frit glass and the insulatinglayer 501. The light energy is concentrated. For this reason, melting of the frit glass is promoted, and thearray substrate 100 and the sealingsubstrate 200 can be firmly bonded.

したがって、アレイ基板１００と封止基板２００とを接合するために、シール領域３１０を大幅に拡大する必要がなく、狭額縁化が可能となる。また、機械的強度及び密封性能を向上することが可能となり、製造歩留まりの低下を抑制できるとともに、有機ＥＬ素子の劣化が抑制されるため、良好な表示品位の維持及び長寿命化が可能となる。 Therefore, in order to join thearray substrate 100 and the sealingsubstrate 200, it is not necessary to greatly enlarge theseal region 310, and a narrow frame can be achieved. In addition, it is possible to improve mechanical strength and sealing performance, and it is possible to suppress a decrease in manufacturing yield and to suppress deterioration of the organic EL element, so that it is possible to maintain good display quality and extend the life. .

≪第１構成例≫
第１構成例においては、絶縁層５０１は、例えば、金属層５００を形成する金属材料の窒化物によって形成されている。金属層５００を形成する金属材料は、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）のいずれかであることが望ましい。金属材料としてチタンを適用して金属層５００を形成した場合、金属層５００の上面には、チタン窒化物（ＴｉＮ）からなる絶縁層５０１が形成される。また、金属材料としてアルミニウムを適用して金属層５００を形成した場合、金属層５００の上面には、アルミニウム窒化物（ＡｌＮ）からなる絶縁層５０１が形成される。≪First configuration example≫
In the first configuration example, the insulatinglayer 501 is formed of, for example, a nitride of a metal material that forms themetal layer 500. The metal material that forms themetal layer 500 is preferably either titanium (Ti) or aluminum (Al). When themetal layer 500 is formed by applying titanium as a metal material, an insulatinglayer 501 made of titanium nitride (TiN) is formed on the upper surface of themetal layer 500. In addition, when themetal layer 500 is formed by applying aluminum as a metal material, an insulatinglayer 501 made of aluminum nitride (AlN) is formed on the upper surface of themetal layer 500.

このような絶縁層（窒化物層）５０１を含む金属層５００は、例えば、金属層５００を形成する金属材料を成膜するのに続いて窒素を導入しながら連続的に成膜し（反応性スパッタ法）、所望の形状にパターニングされることによって形成可能である。 For example, themetal layer 500 including the insulating layer (nitride layer) 501 is continuously formed while nitrogen is introduced after the formation of the metal material for forming the metal layer 500 (reactivity). Sputtering method) can be formed by patterning into a desired shape.

このようにして形成された金属層５００は、図４に示すように、その厚み方向において、下面側が金属材料単体によって形成され、上面側が金属材料の窒化物によって形成されるといった構造上の特徴を有している。 As shown in FIG. 4, themetal layer 500 thus formed has structural features such that the lower surface side is formed of a single metal material and the upper surface side is formed of a nitride of the metal material in the thickness direction. Have.

金属層５００を形成する金属材料として、上述した材料を選択した場合には、金属層５００は、アレイ基板１００に備えられた配線または有機ＥＬ素子４０を構成する電極を形成する工程で同時に形成可能である。図２に示したように、金属層５００が層間絶縁膜１１３の上に配置された構成では、金属層５００は、アレイ基板１００における層間絶縁膜１１３よりも後に形成される配線または電極と同一材料によって形成可能である。 When the above-described materials are selected as the metal material for forming themetal layer 500, themetal layer 500 can be formed at the same time in the process of forming the wiring included in thearray substrate 100 or the electrode constituting theorganic EL element 40. It is. As shown in FIG. 2, in the configuration in which themetal layer 500 is disposed on theinterlayer insulating film 113, themetal layer 500 is made of the same material as the wiring or electrode formed after theinterlayer insulating film 113 in thearray substrate 100. Can be formed.

例えば、層間絶縁膜１１３の上に配置される信号線やトランジスタ素子のソース電極及びドレイン電極がチタンやアルミニウムを主金属として形成される場合、あるいは、これらの信号線や電極がチタン／アルミニウム／チタンといった積層膜によって形成される場合には、金属層５００は、これらの信号線や電極と同一材料により同一工程で形成可能であり、その表面に金属材料の窒化物（ＴｉＮあるいはＡｌＮ）を形成することで絶縁層５０１を一体に形成できる。なお、金属層５００とトランジスタ素子２０のドレイン電極２０Ｄとが同一材料によって形成された場合、ドレイン電極２０Ｄの表面が絶縁層となるが、有機ＥＬ素子４０の第１電極６０とのコンタクトに悪影響を及ぼすことはない。 For example, when signal lines arranged on theinterlayer insulating film 113 and source and drain electrodes of transistor elements are formed using titanium or aluminum as a main metal, or these signal lines or electrodes are formed of titanium / aluminum / titanium. Themetal layer 500 can be formed in the same process using the same material as these signal lines and electrodes, and a nitride of metal material (TiN or AlN) is formed on the surface thereof. Thus, the insulatinglayer 501 can be formed integrally. When themetal layer 500 and the drain electrode 20D of thetransistor element 20 are formed of the same material, the surface of the drain electrode 20D becomes an insulating layer, but the contact with thefirst electrode 60 of theorganic EL element 40 is adversely affected. There is no effect.

また、有機絶縁膜１１４の上に配置される第１電極６０が反射層を含む構成においては、反射層がアルミニウムを主金属として形成される場合には、金属層５００は、第１電極６０の反射層と同一材料により同一工程で形成可能であり、その表面に金属材料の窒化物（ＡｌＮ）を形成することで絶縁層５０１を一体に形成できる。これにより、金属層５００を形成する工程及び絶縁層５０１を形成する工程を別途に必要とせず、製造工程が増加しないため、コストアップを抑制できる。 Further, in the configuration in which thefirst electrode 60 disposed on the organic insulatingfilm 114 includes a reflective layer, when the reflective layer is formed using aluminum as a main metal, themetal layer 500 is formed of thefirst electrode 60. The reflective layer can be formed of the same material and in the same process, and the insulatinglayer 501 can be integrally formed by forming a metal nitride (AlN) on the surface thereof. Accordingly, a process for forming themetal layer 500 and a process for forming the insulatinglayer 501 are not required separately, and the number of manufacturing processes is not increased, so that an increase in cost can be suppressed.

上述したような第１構成例によれば、金属層５００を形成する過程で連続成膜によりその上面側に絶縁層すなわち金属窒化物層５０１が形成され、強固な金属薄膜が形成される。金属窒化物層５０１は、金属材料より融点が高いので、レーザー照射による熱の影響で膜はがれが発生しにくい。また、金属窒化物層５０１において、レーザー光のエネルギーが十分に吸収されるので、金属窒化物層５０１上のフリットガラス３００の加熱及び溶融が促進され、その結果、フリットガラス３００と金属層５００との溶着性が向上し、接合強度が高くなる。金属窒化物層５０１は、金属材料を成膜する際に窒素を徐々に導入しながら連続的に成膜されるため、同一金属を含む窒化物が徐々に形成されることになり、格子不整合が少ない緻密な金属・金属窒化物界面（遷移層）が形成される。このように、金属層５００は、フリットガラス３００を溶着する際において安定した下地となり、高い密着性能及び封止性能を実現することができる。 According to the first configuration example as described above, the insulating layer, that is, themetal nitride layer 501 is formed on the upper surface side by continuous film formation in the process of forming themetal layer 500, and a strong metal thin film is formed. Since themetal nitride layer 501 has a higher melting point than the metal material, film peeling is less likely to occur due to the influence of heat by laser irradiation. In addition, since the energy of the laser beam is sufficiently absorbed in themetal nitride layer 501, heating and melting of thefrit glass 300 on themetal nitride layer 501 are promoted, and as a result, thefrit glass 300 and themetal layer 500 This improves the weldability and increases the bonding strength. Since themetal nitride layer 501 is continuously formed while gradually introducing nitrogen when forming the metal material, a nitride containing the same metal is gradually formed, resulting in lattice mismatch. A dense metal / metal nitride interface (transition layer) with a small amount of metal is formed. Thus, themetal layer 500 becomes a stable base when thefrit glass 300 is welded, and can realize high adhesion performance and sealing performance.

次に、この第１構成例における実施例について説明する。 Next, an example of the first configuration example will be described.

すなわち、封止基板２００となる厚さ０．７ｍｍの平板状のガラス板の周縁部に、粘度１，０００〜５０，０００ｃＰのペースト状にしたフリットガラス３００を、０．５ｍｍの幅に塗布できるよう適当な塗布条件を設定し、アレイ基板１００のアクティブエリア１０２の外周を囲む形状となるよう塗布する。フリットガラス３００を塗布したガラス板を、３００℃以上の温度で加熱してペースト中の有機物質を燃焼させ、フリットガラス３００を硬化させる。 That is, the frittedglass 300 made into a paste having a viscosity of 1,000 to 50,000 cP can be applied to the peripheral edge of a flat glass plate having a thickness of 0.7 mm to be the sealingsubstrate 200 to a width of 0.5 mm. Appropriate application conditions are set so that the outer periphery of theactive area 102 of thearray substrate 100 is surrounded. The glass plate coated with thefrit glass 300 is heated at a temperature of 300 ° C. or higher to burn the organic substance in the paste, and thefrit glass 300 is cured.

一方で、アレイ基板１００の形成過程において、層間絶縁膜１１３の上に、金属材料としてチタン（Ｔｉ）をマグネトロンスパッタ法により成膜しながら、連続的に窒素ガス（Ｎ_２）を導入して反応性スパッタ法に徐々に切り替えながら、窒化物層（ＴｉＮ）を１０ｎｍ成膜し、界面密着力の高いＴｉ／ＴｉＮ積層膜を形成する。このようにして形成した積層膜を、フォトリソグラフィー法及び塩素ガスを主として、ドライエッチングにより加工する。これにより、シール領域（溶着領域）３１０に、絶縁層５０１を含む金属層５００が形成されるとともに、アクティブエリア１０２においては、信号線などの各種配線やトランジスタ素子の各種電極が形成される。その後、アクティブエリア１０２において、第１電極６０と第２電極６４との間に有機活性層６２を保持した有機ＥＬ素子４０と、隣接する有機ＥＬ素子を分離する隔壁７０を形成するなどしてアレイ基板１００が完成する。On the other hand, in the process of forming thearray substrate 100, a reaction is performed by continuously introducing nitrogen gas (N₂ ) while forming titanium (Ti) as a metal material on theinterlayer insulating film 113 by a magnetron sputtering method. While gradually switching to the reactive sputtering method, a nitride layer (TiN) is formed to a thickness of 10 nm to form a Ti / TiN laminated film having high interface adhesion. The laminated film thus formed is processed by dry etching mainly using a photolithography method and chlorine gas. As a result, themetal layer 500 including the insulatinglayer 501 is formed in the seal region (welding region) 310, and various wires such as signal lines and various electrodes of the transistor elements are formed in theactive area 102. Thereafter, in theactive area 102, theorganic EL element 40 holding the organic active layer 62 between thefirst electrode 60 and thesecond electrode 64, and thepartition wall 70 separating the adjacent organic EL elements are formed. Thesubstrate 100 is completed.

その後、アレイ基板１００と、フリットガラス３００を硬化させた封止基板２００とを対向配置し、シール領域３１０において、金属層５００の表面の絶縁層５０１とフリットガラスとを接触させた後、封止基板２００側からシール領域３１０の金属層５００に向けてレーザー光を照射してフリットガラス３００を溶融し、フリットガラス３００と金属層５００とを絶縁層５０１を介して溶着する。これにより、アレイ基板１００と封止基板２００との外周全部が接合され、アレイ基板１００の有機ＥＬ素子４０が密封される。 Thereafter, thearray substrate 100 and the sealingsubstrate 200 on which thefrit glass 300 is cured are disposed to face each other, and the insulatinglayer 501 on the surface of themetal layer 500 and the frit glass are brought into contact with each other in the sealingregion 310, and then sealed. Laser light is irradiated from thesubstrate 200 side toward themetal layer 500 in theseal region 310 to melt thefrit glass 300, and thefrit glass 300 and themetal layer 500 are welded through the insulatinglayer 501. Thereby, the entire outer periphery of thearray substrate 100 and the sealingsubstrate 200 is bonded, and theorganic EL element 40 of thearray substrate 100 is sealed.

この第１構成例によれば、金属層５００として、Ｔｉ／ＴｉＮが強固に密着した積層膜を形成することができる。シール領域３１０に向けてレーザー光を照射した際には、絶縁層（ＴｉＮ）５０１によってレーザー光のエネルギーが十分に吸収されるので、フリットガラス３００の加熱及び溶融が促進され、溶着後の接合強度を向上することが可能となる。 According to this first configuration example, a laminated film in which Ti / TiN is firmly adhered can be formed as themetal layer 500. When the laser beam is irradiated toward theseal region 310, the energy of the laser beam is sufficiently absorbed by the insulating layer (TiN) 501. Therefore, heating and melting of thefrit glass 300 are promoted, and the bonding strength after welding is increased. Can be improved.

≪第２構成例≫
第２構成例においては、絶縁層５０１は、例えば、金属層５００を形成する金属材料の酸化物によって形成されている。金属層５００を形成する金属材料は、アルミニウム（Ａｌ）、タンタル（Ｔａ）のいずれかであることが望ましい。金属材料としてアルミニウムを適用して金属層５００を形成した場合、金属層５００の上面には、アルミニウム酸化物（Ａｌ_２Ｏ_３）からなる絶縁層５０１が形成される。また、金属材料としてタンタルを適用して金属層５００を形成した場合、金属層５００の上面には、タンタル酸化物（Ｔａ_２Ｏ_５）からなる絶縁層５０１が形成される。≪Second configuration example≫
In the second configuration example, the insulatinglayer 501 is formed of an oxide of a metal material that forms themetal layer 500, for example. The metal material that forms themetal layer 500 is preferably either aluminum (Al) or tantalum (Ta). In the case where themetal layer 500 is formed using aluminum as the metal material, the insulatinglayer 501 made of aluminum oxide (Al₂ O₃ ) is formed on the upper surface of themetal layer 500. In the case where themetal layer 500 is formed using tantalum as the metal material, the insulatinglayer 501 made of tantalum oxide (Ta₂ O₅ ) is formed on the upper surface of themetal layer 500.

このような絶縁層（酸化物層）５０１を含む金属層５００は、例えば、金属層５００を形成する金属材料を成膜した後に所望の形状にパターニングするのに続いて酸化処理（例えば、陽極酸化処理やプラズマ酸化処理など）することによって形成可能である。つまり、絶縁層５０１は、金属層５００を形成するための金属材料を直接酸化することによって形成される。 Themetal layer 500 including such an insulating layer (oxide layer) 501 is formed by, for example, forming a metal material for forming themetal layer 500 and then patterning it into a desired shape, followed by an oxidation treatment (for example, anodic oxidation). It can be formed by performing treatment or plasma oxidation treatment. That is, the insulatinglayer 501 is formed by directly oxidizing a metal material for forming themetal layer 500.

このようにして形成された金属層５００は、図５に示すように、その表面（つまり上面及び側面）が金属材料の酸化物によって形成され、この酸化物によって囲まれた内部が金属材料単体によって形成されるといった構造上の特徴を有している。 As shown in FIG. 5, the surface of themetal layer 500 formed in this way (that is, the upper surface and the side surface) is formed of an oxide of a metal material, and the inside surrounded by the oxide is formed of a metal material alone. It has structural features such as being formed.

金属層５００を形成する金属材料として、上述した材料を選択した場合には、第１構成例と同様に、金属層５００は、アレイ基板１００に備えられた配線または有機ＥＬ素子４０を構成する電極を形成する工程で同時に形成可能であり、コストアップを抑制できる。 When the above-described material is selected as the metal material for forming themetal layer 500, themetal layer 500 is an electrode included in the wiring or theorganic EL element 40 provided in thearray substrate 100, as in the first configuration example. Can be formed at the same time in the process of forming the film, and an increase in cost can be suppressed.

上述したような第２構成例によれば、金属層５００を形成した後の酸化処理によりその表面（上面及び側面）に絶縁層すなわち金属酸化物層５０１が形成され、強固な金属薄膜が形成される。フリットガラス３００を溶着する際、レーザー光の入射光強度（振幅）が金属層５００のうちの金属酸化物層５０１とフリットガラス３００との界面付近で極大となる一方で、金属層５００の内部での過度のエネルギー集中が抑制される。このため、金属層５００のダメージを低減できるとともに、フリットガラス３００と金属層５００との溶着性が向上し、接合強度が高くなる。金属層５００において、金属酸化物層５０１は、金属層５００を形成する金属材料を直接酸化することによって形成したものであるから、不純物の混入も少なく、格子不整合が少ない緻密な金属・金属酸化物界面が形成されるので、レーザー光の入射光強度が高くても界面でのダメージも少ない。このように、金属層５００は、フリットガラス３００を溶着する際において安定した下地となり、高い密着性能及び封止性能を実現することができる。 According to the second configuration example as described above, the insulating layer, that is, themetal oxide layer 501 is formed on the surface (upper surface and side surface) by the oxidation treatment after themetal layer 500 is formed, and a strong metal thin film is formed. The When welding thefrit glass 300, the incident light intensity (amplitude) of the laser beam is maximized in the vicinity of the interface between themetal oxide layer 501 and thefrit glass 300 in themetal layer 500, while in themetal layer 500. Excessive energy concentration is suppressed. Therefore, damage to themetal layer 500 can be reduced, weldability between thefrit glass 300 and themetal layer 500 is improved, and bonding strength is increased. In themetal layer 500, themetal oxide layer 501 is formed by directly oxidizing the metal material forming themetal layer 500. Therefore, themetal oxide layer 501 is a dense metal / metal oxide with less impurity contamination and less lattice mismatch. Since the physical interface is formed, even if the incident light intensity of the laser beam is high, the damage at the interface is small. Thus, themetal layer 500 becomes a stable base when thefrit glass 300 is welded, and can realize high adhesion performance and sealing performance.

次に、この第２構成例における実施例について説明する。 Next, an example of the second configuration example will be described.

一方で、アレイ基板１００の形成過程において、アクティブエリア１０２においては有機絶縁膜１１４の上、及び、周辺１０４においては層間絶縁膜１１３の上に、金属材料としてアルミニウム（Ａｌ）をマグネトロンスパッタ法により成膜した後に、パターニングする。これにより、アクティブエリア１０２においては、第１電極６０の反射層が形成されるとともに、周辺１０４のシール領域（溶着領域）３１０においては、金属層５００が形成される。 On the other hand, in the process of forming thearray substrate 100, aluminum (Al) is formed as a metal material on the organic insulatingfilm 114 in theactive area 102 and on theinterlayer insulating film 113 in theperiphery 104 by magnetron sputtering. After film formation, patterning is performed. As a result, the reflective layer of thefirst electrode 60 is formed in theactive area 102, and themetal layer 500 is formed in the seal region (welded region) 310 of theperiphery 104.

その後、金属層５００を陽極として陽極酸化処理し、アルミニウム表面に活性な酸素がある状態で絶縁層（Ａｌ_２Ｏ_３）を１００〜３００ｎｍの厚さに形成する。この後、２２０℃でアニールして膜界面を安定化させる。アレイ基板１００の周辺１０４には、各種金属配線が配置されるので、アクティブエリア１０２の金属配線に影響を与えることなく選択的に周辺１０４にのみ陽極電位を印加して陽極酸化膜形成ができる。その後、アクティブエリア１０２において、第１電極６０と第２電極６４との間に有機活性層６２を保持した有機ＥＬ素子４０と、隣接する有機ＥＬ素子を分離する隔壁７０を形成するなどしてアレイ基板１００が完成する。Thereafter, anodization is performed using themetal layer 500 as an anode, and an insulating layer (Al₂ O₃ ) is formed to a thickness of 100 to 300 nm with active oxygen on the aluminum surface. Thereafter, annealing at 220 ° C. stabilizes the film interface. Since various metal wirings are arranged in theperiphery 104 of thearray substrate 100, an anodic oxide film can be formed by selectively applying an anode potential only to theperiphery 104 without affecting the metal wiring in theactive area 102. Thereafter, in theactive area 102, theorganic EL element 40 holding the organic active layer 62 between thefirst electrode 60 and thesecond electrode 64, and thepartition wall 70 separating the adjacent organic EL elements are formed. Thesubstrate 100 is completed.

このような第２構成例においても、フリットガラス３００の加熱及び溶融が促進され、溶着後の接合強度を向上することが可能となる。 Also in such a second configuration example, heating and melting of thefrit glass 300 are promoted, and the bonding strength after welding can be improved.

なお、この第２構成例においては、酸化処理については、陽極酸化だけではなくプラズマ酸化法による直接酸化によりアルミニウムの酸化膜（Ａｌ_２Ｏ_３）を形成しても良い。また、金属材料もとして、アルミニウムのほかにタンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、銀（Ａｇ）や、ＭｏＴａ、ＭｏＷ、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ、Ｃｒ／Ａｌ／Ｃｒ、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ、ＡｌＮｄなどの合金材料でも同様な効果が得られる。In the second configuration example, as for the oxidation treatment, an aluminum oxide film (Al₂ O₃ ) may be formed not only by anodic oxidation but also by direct oxidation by plasma oxidation. In addition to aluminum, tantalum (Ta), titanium (Ti), silver (Ag), MoTa, MoW, Mo / Al / Mo, Cr / Al / Cr, Ti / Al / Ti, AlNd are also used as metal materials. Similar effects can be obtained with alloy materials such as.

なお、この発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。 Note that the present invention is not limited to the above-described embodiment as it is, and can be embodied by modifying the constituent elements without departing from the spirit of the invention in the stage of implementation. Further, various inventions can be formed by appropriately combining a plurality of constituent elements disclosed in the embodiment. For example, some components may be deleted from all the components shown in the embodiment. Furthermore, you may combine suitably the component covering different embodiment.

図１は、この発明の一実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の構成を概略的に示す図である。FIG. 1 is a diagram schematically showing a configuration of an organic EL display device according to an embodiment of the present invention.図２は、図１に示した有機ＥＬ表示装置を切断したときの構造を概略的に示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing a structure when the organic EL display device shown in FIG. 1 is cut.図３は、シール部材とその下地（金属層）との位置関係の一例を概略的に示す平面図である。FIG. 3 is a plan view schematically showing an example of the positional relationship between the sealing member and its base (metal layer).図４は、金属層の上面に絶縁層として窒化物層が形成された構造例を説明するための概略断面図である。FIG. 4 is a schematic cross-sectional view for explaining a structural example in which a nitride layer is formed as an insulating layer on the upper surface of the metal layer.図５は、金属層の表面に絶縁層として酸化物層が形成された構造例を説明するための概略断面図である。FIG. 5 is a schematic cross-sectional view for explaining a structural example in which an oxide layer is formed as an insulating layer on the surface of a metal layer.

符号の説明Explanation of symbols

１…有機ＥＬ表示装置ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）…画素
４０…有機ＥＬ素子（表示素子）
６０…第１電極６２…有機活性層６４…第２電極
７０…隔壁
１００…アレイ基板１０２…アクティブエリア１０４…アクティブエリア周辺
１２０…配線基板２００…封止基板３００…シール部材（フリットガラス）
５００…金属層５０１…絶縁層（金属窒化物層、金属酸化物層）DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Organic EL display device PX (R, G, B) ...Pixel 40 ... Organic EL element (display element)
DESCRIPTION OFSYMBOLS 60 ... 1st electrode 62 ... Organicactive layer 64 ...2nd electrode 70 ... Partition 100 ...Array substrate 102 ...Active area 104 ... Active area periphery 120 ...Wiring substrate 200 ...Sealing substrate 300 ... Sealing member (frit glass)
500: Metal layer 501: Insulating layer (metal nitride layer, metal oxide layer)

Claims

Translated fromJapanese

複数の画素によって構成されたアクティブエリアを備えた表示装置であって、
各画素に配置された自発光性の表示素子と、前記アクティブエリアの周辺に配置された光反射性を有する金属層と、を備えた第１基板と、
前記第１基板の前記表示素子に対向して配置された第２基板と、
前記アクティブエリアを囲むように枠状に配置され、前記第１基板と前記第２基板とを接合するフリットガラスからなるシール部材と、を備え、
前記金属層と前記シール部材とは、前記金属層を形成する金属材料を含む絶縁層を介して溶着されたことを特徴とする表示装置。A display device having an active area composed of a plurality of pixels,
A first substrate comprising a self-luminous display element disposed in each pixel; and a light-reflective metal layer disposed around the active area;
A second substrate disposed opposite to the display element of the first substrate;
A seal member that is arranged in a frame shape so as to surround the active area, and is made of frit glass that joins the first substrate and the second substrate;
The display device, wherein the metal layer and the sealing member are welded via an insulating layer containing a metal material forming the metal layer.

前記絶縁層は、前記金属層を形成する金属材料の窒化物によって形成されたことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。 The display device according to claim 1, wherein the insulating layer is formed of a nitride of a metal material forming the metal layer.

前記金属材料は、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）のいずれかであることを特徴とする請求項２に記載の表示装置。 The display device according to claim 2, wherein the metal material is titanium (Ti) or aluminum (Al).

前記絶縁層は、前記金属層を形成する金属材料を成膜するのに続いて窒素を導入しながら連続的に成膜されたことを特徴とする請求項２に記載の表示装置。 The display device according to claim 2, wherein the insulating layer is continuously formed while introducing a nitrogen material after forming a metal material for forming the metal layer.

前記絶縁層は、前記金属層を形成する金属材料の酸化物によって形成されたことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。 The display device according to claim 1, wherein the insulating layer is formed of an oxide of a metal material that forms the metal layer.

前記金属材料は、アルミニウム（Ａｌ）、タンタル（Ｔａ）のいずれかであることを特徴とする請求項５に記載の表示装置。 The display device according to claim 5, wherein the metal material is aluminum (Al) or tantalum (Ta).

前記絶縁層は、前記金属層を形成する金属材料をパターニングするのに続いて酸化処理することによって形成されたことを特徴とする請求項５に記載の表示装置。 The display device according to claim 5, wherein the insulating layer is formed by patterning a metal material forming the metal layer and then oxidizing the metal material.

前記金属層は、前記アクティブエリアを囲むように枠状に配置され、前記シール部材と全周にわたって前記絶縁層を介して重なることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。 The display device according to claim 1, wherein the metal layer is arranged in a frame shape so as to surround the active area, and overlaps with the seal member over the entire periphery via the insulating layer.

前記金属層は、前記第１基板に備えられた配線または前記表示素子を構成する電極と同一材料によって形成されたことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。 The display device according to claim 1, wherein the metal layer is formed of the same material as a wiring provided on the first substrate or an electrode constituting the display element.

前記表示素子は、
反射層及びこの反射層の上に積層された透過層を有する第１電極と、
前記第１電極の前記透過層の上に配置された有機活性層と、
前記有機活性層を覆うように配置された第２電極と、を備えたトップエミッション方式であり、
前記金属層は、前記第１電極の反射層と同一材料によって形成されたことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。The display element is
A first electrode having a reflective layer and a transmissive layer laminated on the reflective layer;
An organic active layer disposed on the transmission layer of the first electrode;
A second emission electrode disposed so as to cover the organic active layer, and a top emission method.
The display device according to claim 1, wherein the metal layer is formed of the same material as the reflective layer of the first electrode.