JP2007095968A - Stem for semiconductor laser device and manufacturing method thereof - Google Patents

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a stem for a semiconductor laser device that is capable of excellently holding adhesiveness between a semiconductor laser element, and to provide its manufacturing method. <P>SOLUTION: The stem (1) for a semiconductor laser device includes a base (10), and a heat sink (11) provided on the base (10). An inclined face (11c) for connecting at least one side face (11a) of the heat sink (11) with the main face (11b) of the heat sink (11) is formed to the heat sink (11). An angle (θ<SB>1</SB>) formed of the side face (11a) of the heat sink (11) and the inclined face (11c) of the heat sink (11) is over 180° and ≤225°. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

Translated fromJapanese

本発明は、半導体レーザー素子を搭載するための半導体レーザー装置用ステムと、その製造方法に関する。  The present invention relates to a stem for a semiconductor laser device for mounting a semiconductor laser element, and a manufacturing method thereof.

従来の半導体レーザー装置用ステムとしては、半導体レーザー素子からの熱を放熱するためのヒートシンクをベース上に設けたものが知られている（例えば、特許文献１参照）。  As a conventional stem for a semiconductor laser device, a stem provided with a heat sink for dissipating heat from a semiconductor laser element on a base is known (for example, see Patent Document 1).

図３は、特許文献１に提案された従来の半導体レーザー装置用ステムの断面図である。図３に示すように、半導体レーザー装置用ステム１００は、ベース１０１と、ベース１０１上に設けられたヒートシンク１０２と、ベース１０１を貫通する貫通孔１０１ａに挿通された複数のリード１０３とを含む。この半導体レーザー装置用ステム１００を用いて半導体レーザー装置を組み立てる際は、ヒートシンク１０２の側面１０２ａに接着層（例えば半田層等）を介して半導体レーザー素子１０４を搭載する。  FIG. 3 is a cross-sectional view of a conventional stem for a semiconductor laser device proposed in Patent Document 1. In FIG. As shown in FIG. 3, the semiconductorlaser device stem 100 includes abase 101, aheat sink 102 provided on thebase 101, and a plurality ofleads 103 inserted through athrough hole 101 a penetrating thebase 101. When the semiconductor laser device is assembled using the semiconductorlaser device stem 100, thesemiconductor laser element 104 is mounted on theside surface 102a of theheat sink 102 via an adhesive layer (for example, a solder layer).

図４Ａ，Ｂは、上述した半導体レーザー装置用ステム１００の製造方法を説明するための工程別断面図である。まず、図４Ａに示すように、ベース１０１上に、例えばロウ材（図示せず）等を介してヒートシンク１０２を接着する。続いて、図４Ｂに示すように、１対の押圧治具１０５ａ，１０５ｂを用いて、ヒートシンク１０２の側面１０２ａと、その反対側に位置する裏面１０２ｂとを押圧する。これにより、半導体レーザー素子１０４（図３参照）の搭載面となるヒートシンク１０２の側面１０２ａを平坦化することができるため、搭載される半導体レーザー素子１０４の光軸ズレを防止できる。
特開平０２−１７４１７９号公報FIGS. 4A and 4B are cross-sectional views illustrating the method for manufacturing the semiconductorlaser device stem 100 described above. First, as shown in FIG. 4A, aheat sink 102 is bonded onto thebase 101 via, for example, a brazing material (not shown). Subsequently, as shown in FIG. 4B, the pair ofpressing jigs 105a and 105b are used to press theside surface 102a of theheat sink 102 and theback surface 102b located on the opposite side. As a result, theside surface 102a of theheat sink 102, which is the mounting surface of the semiconductor laser element 104 (see FIG. 3), can be flattened, so that the optical axis shift of the mountedsemiconductor laser element 104 can be prevented.
Japanese Unexamined Patent Publication No. 02-174179

しかし、上述した半導体レーザー装置用ステム１００を複数個同時に運搬したり、複数個同時にバレル処理したりする際に、例えば半導体レーザー装置用ステム１００同士が衝突することによって、ヒートシンク１０２の角部Ｘ（図３参照）に突起が形成される可能性がある。上記突起が形成されると、半導体レーザー素子１０４を搭載する際、上記側面１０２ａと半導体レーザー素子１０４との密着性が低下するおそれがある。特に、多量の熱を発する半導体レーザー素子１０４を搭載する際は、放熱性を高めるため、上記側面１０２ａと半導体レーザー素子１０４との間の接着層を薄くする必要があるが、上記角部Ｘに突起が形成されると、上記接着層を薄くすることが困難となるおそれがある。  However, when a plurality of the above-described semiconductor laser device stems 100 are simultaneously transported or barrel-processed simultaneously, for example, the semiconductor laser device stems 100 collide with each other, thereby causing the corner portion X ( There is a possibility that a protrusion is formed in the case of FIG. If the protrusion is formed, when thesemiconductor laser element 104 is mounted, the adhesion between theside surface 102a and thesemiconductor laser element 104 may be reduced. In particular, when mounting thesemiconductor laser element 104 that generates a large amount of heat, it is necessary to thin the adhesive layer between theside surface 102a and thesemiconductor laser element 104 in order to improve heat dissipation. If the protrusion is formed, it may be difficult to make the adhesive layer thin.

本発明は、上記従来の課題を解決するもので、半導体レーザー素子との密着性を良好に保つことができる半導体レーザー装置用ステム及びその製造方法を提供する。  The present invention solves the above-mentioned conventional problems, and provides a stem for a semiconductor laser device capable of maintaining good adhesion to a semiconductor laser element and a method for manufacturing the same.

本発明の半導体レーザー装置用ステムは、ベースと前記ベース上に設けられたヒートシンクとを含む半導体レーザー装置用ステムであって、
前記ヒートシンクには、前記ヒートシンクの少なくとも１つの側面と前記ヒートシンクの主面とを連結する傾斜面が形成されており、
前記ヒートシンクの前記側面と前記ヒートシンクの前記傾斜面とがなす角度が、１８０度を超え２２５度以下であることを特徴とする。The stem for a semiconductor laser device of the present invention is a stem for a semiconductor laser device including a base and a heat sink provided on the base,
In the heat sink, an inclined surface that connects at least one side surface of the heat sink and the main surface of the heat sink is formed,
An angle formed by the side surface of the heat sink and the inclined surface of the heat sink is more than 180 degrees and not more than 225 degrees.

本発明の半導体レーザー装置用ステムの製造方法は、ベースと前記ベース上に設けられたヒートシンクとを含む半導体レーザー装置用ステムの製造方法であって、
前記ヒートシンクの少なくとも１つの側面を押圧手段により押圧する工程を含み、
前記押圧手段は、前記ヒートシンクの前記側面を押圧するための押圧面を含み、
前記押圧面は、第１押圧面と、前記第１押圧面と連結する第２押圧面とを含み、
前記第１押圧面は、前記ヒートシンクの前記側面に対する押圧方向と略直交する面であり、
前記第２押圧面は、前記第１押圧面と前記第２押圧面との間の連結部から前記押圧方向側へ傾斜する傾斜面であり、
前記第１押圧面と前記第２押圧面とがなす角度が、１３５度以上１８０度未満であることを特徴とする。A method for manufacturing a stem for a semiconductor laser device according to the present invention is a method for manufacturing a stem for a semiconductor laser device including a base and a heat sink provided on the base,
A step of pressing at least one side surface of the heat sink by a pressing means,
The pressing means includes a pressing surface for pressing the side surface of the heat sink,
The pressing surface includes a first pressing surface and a second pressing surface connected to the first pressing surface,
The first pressing surface is a surface substantially orthogonal to the pressing direction with respect to the side surface of the heat sink,
The second pressing surface is an inclined surface that is inclined toward the pressing direction side from a connecting portion between the first pressing surface and the second pressing surface,
An angle formed by the first pressing surface and the second pressing surface is 135 degrees or more and less than 180 degrees.

本発明の半導体レーザー装置用ステムによれば、上記傾斜面を含むため、この半導体レーザー装置用ステム同士が衝突した場合に、半導体レーザー素子の搭載面となるヒートシンクの側面と、上記傾斜面との間の角部に突起が形成されることを防止できる。これにより、半導体レーザー素子との密着性を良好に保つことができる。また、本発明の半導体レーザー装置用ステムの製造方法によれば、上記本発明の半導体レーザー装置用ステムを容易に製造することができる。  According to the semiconductor laser device stem of the present invention, since the inclined surface is included, when the semiconductor laser device stems collide with each other, the side surface of the heat sink that becomes the mounting surface of the semiconductor laser element and the inclined surface Protrusions can be prevented from being formed at the corners between them. Thereby, the adhesiveness with a semiconductor laser element can be kept favorable. Moreover, according to the method for manufacturing a stem for a semiconductor laser device of the present invention, the stem for a semiconductor laser device of the present invention can be easily manufactured.

本発明の半導体レーザー装置用ステムは、ベースと、このベース上に設けられたヒートシンクとを含む。ベースを構成する材料は特に限定されず、例えば鉄や鉄−ニッケル合金等を使用することができる。また、ヒートシンクを構成する材料についても、放熱性を有する限り特に限定されず、例えば銅やアルミニウム等を使用することができる。なお、ベースとヒートシンクとは、ロウ材等を用いて接着されていてもよいし、同じ材料から一体的に形成されていてもよい。  The stem for a semiconductor laser device of the present invention includes a base and a heat sink provided on the base. The material which comprises a base is not specifically limited, For example, iron, an iron-nickel alloy, etc. can be used. Moreover, it does not specifically limit about the material which comprises a heat sink, as long as it has heat dissipation, For example, copper, aluminum, etc. can be used. The base and the heat sink may be bonded using a brazing material or the like, or may be integrally formed from the same material.

また、上記ヒートシンクには、上記ヒートシンクの少なくとも１つの側面と上記ヒートシンクの主面とを連結する傾斜面が形成されている。そして、上記側面と上記傾斜面とがなす角度が、１８０度を超え２２５度以下である。これにより、本発明の半導体レーザー装置用ステム同士が衝突した場合に、半導体レーザー素子の搭載面となる上記側面と、上記傾斜面との間の角部に突起が形成されることを防止できるため、半導体レーザー素子との密着性を良好に保つことができる。なお、本発明の半導体レーザー装置用ステム同士が衝突した場合に、ヒートシンクの主面と上記傾斜面との間の角部には突起が形成される可能性がある。しかし、ヒートシンクの主面と上記傾斜面との間の角部に形成される突起は、ヒートシンクの側面と半導体レーザー素子との密着を妨げる可能性は殆どない。また、上記側面と上記傾斜面とがなす角度が２２５度を超える場合は、上記側面と上記傾斜面との間の角部に突起が形成される可能性があるため、半導体レーザー素子との密着性が低下するおそれがある。なお、「ヒートシンクの主面」とは、ベースにおけるヒートシンクが設けられた表面側からヒートシンクを平面視した場合に、正面に見えるヒートシンクの面をいう。  The heat sink has an inclined surface that connects at least one side surface of the heat sink and the main surface of the heat sink. The angle formed between the side surface and the inclined surface is more than 180 degrees and not more than 225 degrees. As a result, when the stems for a semiconductor laser device of the present invention collide with each other, it is possible to prevent protrusions from being formed at the corners between the side surface serving as the mounting surface of the semiconductor laser element and the inclined surface. Adhesion with the semiconductor laser element can be kept good. In addition, when the stems for semiconductor laser devices of the present invention collide with each other, there is a possibility that protrusions are formed at corners between the main surface of the heat sink and the inclined surface. However, the projections formed at the corners between the main surface of the heat sink and the inclined surface hardly interfere with the adhesion between the side surface of the heat sink and the semiconductor laser element. In addition, when the angle formed by the side surface and the inclined surface exceeds 225 degrees, a protrusion may be formed at a corner between the side surface and the inclined surface. May decrease. The “main surface of the heat sink” refers to the surface of the heat sink that can be seen from the front when the heat sink is viewed from the surface side where the heat sink is provided in the base.

次に、本発明の半導体レーザー装置用ステムの製造方法について説明する。本発明の半導体レーザー装置用ステムの製造方法は、上述した本発明の半導体レーザー装置用ステムを製造するための好適な製造方法である。よって、上述と重複する内容については、説明を省略する。  Next, a method for manufacturing a stem for a semiconductor laser device according to the present invention will be described. The method for manufacturing a stem for a semiconductor laser device of the present invention is a preferable method for manufacturing the stem for a semiconductor laser device of the present invention described above. Therefore, the description overlapping with the above description is omitted.

本発明の半導体レーザー装置用ステムの製造方法は、上記ヒートシンクの少なくとも１つの側面を押圧手段により押圧する工程を含む。上記押圧手段は、上記ヒートシンクの上記側面を押圧するための押圧面を含み、上記押圧面は、第１押圧面と、この第１押圧面と連結する第２押圧面とを含む。  The method for manufacturing a stem for a semiconductor laser device of the present invention includes a step of pressing at least one side surface of the heat sink by a pressing means. The pressing means includes a pressing surface for pressing the side surface of the heat sink, and the pressing surface includes a first pressing surface and a second pressing surface connected to the first pressing surface.

上記第１押圧面は、上記ヒートシンクの上記側面に対する押圧方向と略直交する面であり、上記第２押圧面は、上記第１押圧面と上記第２押圧面との間の連結部から上記押圧方向側へ傾斜する傾斜面である。そして、上記第１押圧面と上記第２押圧面とがなす角度が、１３５度以上１８０度未満である。本発明の半導体レーザー装置用ステムの製造方法によれば、上記押圧する工程によって、上記ヒートシンクの少なくとも１つの側面と上記ヒートシンクの主面とを連結する傾斜面を形成することができる。よって、上述した本発明の半導体レーザー装置用ステムを容易に製造することができる。なお、上記押圧手段は、上記ヒートシンクより硬度の高い材料から構成されていればよく、例えばダイ等の押圧治具が使用できる。特に、ＴｉＣ等を焼結した超硬質材料からなるダイを使用すると、上記ヒートシンクの上記側面に対する押圧加工を容易に行うことができる。以下、本発明の一実施形態について図面を参照して説明する。  The first pressing surface is a surface substantially orthogonal to a pressing direction with respect to the side surface of the heat sink, and the second pressing surface is pressed from a connecting portion between the first pressing surface and the second pressing surface. It is an inclined surface which inclines to the direction side. And the angle which the said 1st press surface and the said 2nd press surface make is 135 degree | times or more and less than 180 degree | times. According to the method for manufacturing a stem for a semiconductor laser device of the present invention, an inclined surface connecting at least one side surface of the heat sink and the main surface of the heat sink can be formed by the pressing step. Therefore, the above-described stem for the semiconductor laser device of the present invention can be easily manufactured. In addition, the said press means should just be comprised from the material whose hardness is higher than the said heat sink, For example, press jigs, such as die | dye, can be used. In particular, when a die made of an ultra-hard material obtained by sintering TiC or the like is used, it is possible to easily press the side surface of the heat sink. Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

まず、本発明の一実施形態に係る半導体レーザー装置用ステムについて説明する。参照する図１Ａは、本発明の一実施形態に係る半導体レーザー装置用ステムの斜視図であり、参照する図１Ｂは、本発明の一実施形態に係る半導体レーザー装置用ステムの断面図である。  First, a stem for a semiconductor laser device according to an embodiment of the present invention will be described. 1A to be referred to is a perspective view of a stem for a semiconductor laser device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 1B to be referred to is a cross-sectional view of the stem for a semiconductor laser device according to an embodiment of the present invention.

図１Ａ，Ｂに示すように、半導体レーザー装置用ステム１は、ベース１０と、ベース１０の主面１０ａ上に設けられたヒートシンク１１と、ベース１０に固定された複数のリード１２とを含む。リード１２は、例えば鉄−ニッケル合金や鉄−ニッケル−コバルト合金等から形成することができる。また、リード１２は、図１Ｂに示すように、ベース１０を貫通する貫通孔１０ｂに挿通されている。  As shown in FIGS. 1A and 1B, the semiconductor laser device stem 1 includes abase 10, aheat sink 11 provided on amain surface 10 a of thebase 10, and a plurality ofleads 12 fixed to thebase 10. Thelead 12 can be formed of, for example, an iron-nickel alloy or an iron-nickel-cobalt alloy. Further, thelead 12 is inserted through athrough hole 10b that penetrates thebase 10 as shown in FIG. 1B.

ヒートシンク１１には、ヒートシンク１１の側面１１ａとヒートシンク１１の主面１１ｂとを連結する傾斜面１１ｃが形成されている。そして、上記側面１１ａと上記傾斜面１１ｃとがなす角度θ₁（図１Ｂ参照）が、１８０度を超え２２５度以下である。これにより、半導体レーザー装置用ステム１同士が衝突した場合に、半導体レーザー素子（図示せず）の搭載面となる上記側面１１ａと、上記傾斜面１１ｃとの間の角部に突起が形成されることを防止できるため、半導体レーザー素子との密着性を良好に保つことができる。In theheat sink 11, aninclined surface 11 c that connects theside surface 11 a of theheat sink 11 and themain surface 11 b of theheat sink 11 is formed. And angle (theta)₁ (refer FIG. 1B) which the saidside surface 11a and the saidinclined surface 11c make is more than 180 degree | times and below 225 degree | times. Thereby, when the semiconductor laser device stems 1 collide with each other, a protrusion is formed at the corner between theside surface 11a serving as a mounting surface of the semiconductor laser element (not shown) and theinclined surface 11c. Since this can be prevented, good adhesion with the semiconductor laser element can be maintained.

また、半導体レーザー装置用ステム１においては、上記側面１１ａと上記傾斜面１１ｃとの間の稜線１１ｄを含み、かつ上記側面１１ａに略直交する面１５（図１Ｂにおいて破線で示す）を基準としたときに、上記傾斜面１１ｃにおける稜線１１ｄとは反対側に位置する端部（稜線）１１ｅまでの高さＨ₁（図１Ｂ参照）が５０μｍ以上であることが好ましい。上記主面１１ｂと上記傾斜面１１ｃとの間の角部に例えば１〜２０μｍ程度の突起が形成されても、搭載する半導体レーザー素子との密着性を保つことができるからである。なお、半導体レーザー装置用ステム１の小型化を行うためには、上記Ｈ₁が４００μｍ以下であることが好ましい。Further, in the semiconductor laser device stem 1, a surface 15 (indicated by a broken line in FIG. 1B) including theridge line 11d between theside surface 11a and theinclined surface 11c and substantially orthogonal to theside surface 11a is used as a reference. Sometimes, the height H₁ (see FIG. 1B) to the end (ridge line) 11e located on the opposite side to theridge line 11d on theinclined surface 11c is preferably 50 μm or more. This is because even if a protrusion of about 1 to 20 μm, for example, is formed at the corner between themain surface 11b and theinclined surface 11c, the adhesion with the semiconductor laser element to be mounted can be maintained. In order to reduce the size of the stem 1 for a semiconductor laser device, the H₁ is preferably 400 μm or less.

また、半導体レーザー装置用ステム１においては、上記Ｈ₁と上記θ₁とが、１８０＋ａｒｃｔａｎ（２０／Ｈ₁）≦θ₁の関係を満たすことが好ましい。上記主面１１ｂと上記傾斜面１１ｃとの間の角部に例えば１〜２０μｍ程度の突起が形成されても、搭載する半導体レーザー素子と上記突起との接触を防ぐことができるからである。Further, in the semiconductor laser device for the stem 1, and the H₁ and the theta₁ preferably satisfies the_{180 + arctan (20 / H 1} ) ≦ θ 1 relationship. This is because even if a protrusion of about 1 to 20 μm, for example, is formed at the corner between themain surface 11b and theinclined surface 11c, contact between the semiconductor laser element to be mounted and the protrusion can be prevented.

以上、本発明の一実施形態に係る半導体レーザー装置用ステム１について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されない。例えば、半導体レーザー装置用ステム１に複数の半導体レーザー素子を搭載する場合は、上記傾斜面１１ｃとは別に、上記側面１１ａ以外のヒートシンク１１の側面と上記主面１１ｂとの間に傾斜面が形成されていてもよい。ヒートシンク１１の複数の側面に対してそれぞれ半導体レーザー素子を搭載した場合に、それぞれの半導体レーザー素子との密着性を良好に保つことができるからである。  The semiconductor laser device stem 1 according to one embodiment of the present invention has been described above, but the present invention is not limited to the above embodiment. For example, when a plurality of semiconductor laser elements are mounted on the stem 1 for a semiconductor laser device, an inclined surface is formed between the side surface of theheat sink 11 other than theside surface 11a and themain surface 11b separately from theinclined surface 11c. May be. This is because when the semiconductor laser elements are mounted on the plurality of side surfaces of theheat sink 11, good adhesion to the respective semiconductor laser elements can be maintained.

次に、本発明の一実施形態に係る半導体レーザー装置用ステムの製造方法について説明する。参照する図２Ａ，Ｂは、本発明の一実施形態に係る半導体レーザー装置用ステムの製造方法を説明するための工程別断面図である。なお、図２Ａ，Ｂにおいて、図１Ａ，Ｂと同一の構成要素には同一の符号を付し、その説明は省略する。  Next, a method for manufacturing a stem for a semiconductor laser device according to an embodiment of the present invention will be described. 2A and 2B to be referred to are cross-sectional views for each process for explaining a method for manufacturing a stem for a semiconductor laser device according to an embodiment of the present invention. 2A and 2B, the same components as those in FIGS. 1A and 1B are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.

まず、図２Ａに示すように、ベース１０上に、例えばロウ材（図示せず）等を介してヒートシンク１１を接着する。続いて、図２Ｂに示すように、１対の押圧治具２０ａ，２０ｂを用いて、ヒートシンク１１の側面１１ａと、その反対側に位置する裏面１１ｆとを押圧する。ここで、上記押圧治具２０ａは、上記側面１１ａを押圧するための押圧面２０１ａを含み、この押圧面２０１ａは、第１押圧面２０１１ａと、この第１押圧面２０１１ａと連結する第２押圧面２０１２ａとを含む。第１押圧面２０１１ａは、上記側面１１ａに対する押圧方向（図２Ｂにおける矢印I方向）と略直交する面であり、第２押圧面２０１２ａは、第１押圧面２０１１ａと第２押圧面２０１２ａとの間の連結部２０２ａから上記押圧方向側へ傾斜する傾斜面である。そして、第１押圧面２０１１ａと第２押圧面２０１２ａとがなす角度θ₂（図２Ｂ参照）が、１３５度以上１８０度未満である。これにより、ヒートシンク１１の側面１１ａとヒートシンク１１の主面１１ｂとを連結する傾斜面１１ｃを形成することができる。また、背景技術で説明したように、上記側面１１ａを平坦化することもできる。なお、押圧治具２０ａにより上記側面１１ａを押圧する際の圧力条件は、例えば４０〜７０ＭＰａ程度であればよい。First, as shown in FIG. 2A, aheat sink 11 is bonded onto thebase 10 via, for example, a brazing material (not shown). Subsequently, as shown in FIG. 2B, the pair of pressingjigs 20a and 20b are used to press theside surface 11a of theheat sink 11 and theback surface 11f located on the opposite side. Here, thepressing jig 20a includes apressing surface 201a for pressing theside surface 11a. Thepressing surface 201a includes a firstpressing surface 2011a and a second pressing surface connected to the firstpressing surface 2011a. 2012a. The firstpressing surface 2011a is a surface that is substantially orthogonal to the pressing direction with respect to theside surface 11a (the direction of arrow I in FIG. 2B), and the secondpressing surface 2012a is between the firstpressing surface 2011a and the secondpressing surface 2012a. It is the inclined surface which inclines to the said press direction side from theconnection part 202a. The angle θ₂ (see FIG. 2B) formed by the firstpressing surface 2011a and the secondpressing surface 2012a is 135 degrees or more and less than 180 degrees. Thereby, theinclined surface 11c which connects theside surface 11a of theheat sink 11 and themain surface 11b of theheat sink 11 can be formed. Further, as described in the background art, theside surface 11a can be flattened. In addition, the pressure conditions at the time of pressing the saidside surface 11a with the press jig |tool 20a should just be about 40-70 Mpa, for example.

押圧治具２０ａにおいては、上記連結部２０２ａを含み、かつ第１押圧面２０１１ａに略直交する面１６（図２Ｂにおいて破線で示す）を基準としたときに、第２押圧面２０１２ａにおける上記連結部２０２ａとは反対側の端部２０３ａまでの高さＨ₂（図２Ｂ参照）が５０μｍ以上であることが好ましい。上述した半導体レーザー装置用ステム１における高さＨ₁（図１Ｂ参照）を５０μｍ以上とすることができるため、上述した理由と同様にヒートシンク１１の側面１１ａと半導体レーザー素子（図示せず）との密着性を保つことができるからである。なお、上記角度θ₂を適宜調整することにより、上述した半導体レーザー装置用ステム１における角度θ₁（図１Ｂ参照）の値を所望の値に調整することができる。In thepressing jig 20a, when the surface 16 (shown by a broken line in FIG. 2B) that includes the connectingportion 202a and is substantially orthogonal to the firstpressing surface 2011a is used as a reference, the connecting portion on the secondpressing surface 2012a. It is preferable that the height H₂ (see FIG. 2B) to theend 203a on the opposite side to 202a is 50 μm or more. Since the height H₁ (see FIG. 1B) in the above-described stem 1 for semiconductor laser device can be set to 50 μm or more, theside surface 11a of theheat sink 11 and the semiconductor laser element (not shown) can be formed in the same manner as described above. This is because adhesion can be maintained. By appropriately adjusting the angle θ₂ , the value of the angle θ₁ (see FIG. 1B) in the above-described stem 1 for a semiconductor laser device can be adjusted to a desired value.

上記製造方法においては、上記押圧工程（図２Ｂ）が、ヒートシンク１１をベース１０上に設ける工程（図２Ａ）の後に行われる。これにより、上記傾斜面１１ｃの形成と同時に、ベース１０に対する上記側面１１ａの相対位置を微調整することができる。  In the manufacturing method, the pressing step (FIG. 2B) is performed after the step of providing theheat sink 11 on the base 10 (FIG. 2A). Thereby, the relative position of theside surface 11a with respect to the base 10 can be finely adjusted simultaneously with the formation of theinclined surface 11c.

以上、本発明の一実施形態に係る半導体レーザー装置用ステムの製造方法について説明したが、本発明は上記実施形態には限定されない。例えば、上記実施形態では、１対の押圧治具２０ａ，２０ｂを用いたが、押圧工程時に半導体レーザー装置用ステム１を支持する支持手段がある場合は、押圧手段として押圧治具２０ａのみを使用してもよい。  The method for manufacturing a stem for a semiconductor laser device according to an embodiment of the present invention has been described above, but the present invention is not limited to the above embodiment. For example, in the above embodiment, a pair of pressingjigs 20a and 20b is used. However, when there is a supporting means for supporting the semiconductor laser device stem 1 during the pressing process, only thepressing jig 20a is used as the pressing means. May be.

本発明は、多量の熱を発する半導体レーザー素子を搭載するための半導体レーザー装置用ステムに有用であり、例えばＣＤ（Compact Disk）やＤＶＤ（Digital Versatile Disk）等に記録された情報を再生するための光ピックアップ装置に組み込まれる半導体レーザー装置に適用できる。  INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention is useful for a semiconductor laser device stem for mounting a semiconductor laser element that emits a large amount of heat, for example, for reproducing information recorded on a CD (Compact Disk), a DVD (Digital Versatile Disk), or the like. The present invention can be applied to a semiconductor laser device incorporated in the optical pickup device.

Ａは本発明の一実施形態に係る半導体レーザー装置用ステムの斜視図であり、Ｂは本発明の一実施形態に係る半導体レーザー装置用ステムの断面図である。A is a perspective view of a stem for a semiconductor laser device according to an embodiment of the present invention, and B is a cross-sectional view of the stem for a semiconductor laser device according to an embodiment of the present invention.Ａ，Ｂは、本発明の一実施形態に係る半導体レーザー装置用ステムの製造方法を説明するための工程別断面図である。FIGS. 5A and 5B are cross-sectional views for explaining a method for manufacturing a stem for a semiconductor laser device according to an embodiment of the present invention. FIGS.従来の半導体レーザー装置用ステムの断面図である。It is sectional drawing of the stem for the conventional semiconductor laser apparatuses.Ａ，Ｂは、従来の半導体レーザー装置用ステムの製造方法を説明するための工程別断面図である。A and B are sectional views according to processes for explaining a conventional method of manufacturing a stem for a semiconductor laser device.

符号の説明Explanation of symbols

１ 半導体レーザー装置用ステム
１０ ベース
１０ａ 主面
１０ｂ 貫通孔
１１ ヒートシンク
１１ａ 側面
１１ｂ 主面
１１ｃ 傾斜面
１１ｄ 稜線
１１ｅ 端部
１１ｆ 裏面
１２ リード
１５，１６ 面
２０ａ，２０ｂ 押圧治具（押圧手段）
２０１ａ 押圧面
２０２ａ 連結部
２０３ａ 端部
２０１１ａ 第１押圧面
２０１２ａ 第２押圧面
Ｈ₁，Ｈ₂ 高さ
θ₁，θ₂ 角度DESCRIPTION OF SYMBOLS 1Stem 10 for semiconductorlaser apparatus Base10a Main surface 10b Through-hole 11Heat sink11a Side surface11b Main surface 11c Inclinedsurface11d Edge line11e End part11f Back surface 12Lead 15, 16Surface 20a, 20b Pressing jig (pressing means)
201a pressure surface 202a connectingportion 203aend 2011afirst pressure surface 2012a second pressure surfaces H₁ and H₂ heights θ₁ and θ₂ angles

Claims (6)

Translated fromJapanese

ベースと前記ベース上に設けられたヒートシンクとを含む半導体レーザー装置用ステムであって、
前記ヒートシンクには、前記ヒートシンクの少なくとも１つの側面と前記ヒートシンクの主面とを連結する傾斜面が形成されており、
前記ヒートシンクの前記側面と前記ヒートシンクの前記傾斜面とがなす角度が、１８０度を超え２２５度以下であることを特徴とする半導体レーザー装置用ステム。A stem for a semiconductor laser device including a base and a heat sink provided on the base,
In the heat sink, an inclined surface that connects at least one side surface of the heat sink and the main surface of the heat sink is formed,
The stem for a semiconductor laser device, wherein an angle formed between the side surface of the heat sink and the inclined surface of the heat sink is more than 180 degrees and not more than 225 degrees. 前記ヒートシンクの前記側面と前記ヒートシンクの前記傾斜面との間の稜線を含み、かつ前記側面に略直交する面を基準としたときに、前記傾斜面における前記稜線とは反対側に位置する端部までの高さが５０μｍ以上である請求項１に記載の半導体レーザー装置用ステム。  An end portion that includes a ridge line between the side surface of the heat sink and the inclined surface of the heat sink and is located on the opposite side of the ridge line on the inclined surface when a surface substantially orthogonal to the side surface is used as a reference. The stem for a semiconductor laser device according to claim 1, wherein the height of the semiconductor laser device is 50 μm or more. 前記傾斜面における前記端部の前記高さをＨ（μｍ）とし、前記側面と前記傾斜面とがなす角度をθ（度）としたときに、１８０＋ａｒｃｔａｎ（２０／Ｈ）≦θの関係を満たす請求項２に記載の半導体レーザー装置用ステム。  When the height of the end portion of the inclined surface is H (μm) and the angle between the side surface and the inclined surface is θ (degrees), the relationship of 180 + arctan (20 / H) ≦ θ is satisfied. The stem for a semiconductor laser device according to claim 2. ベースと前記ベース上に設けられたヒートシンクとを含む半導体レーザー装置用ステムの製造方法であって、
前記ヒートシンクの少なくとも１つの側面を押圧手段により押圧する工程を含み、
前記押圧手段は、前記ヒートシンクの前記側面を押圧するための押圧面を含み、
前記押圧面は、第１押圧面と、前記第１押圧面と連結する第２押圧面とを含み、
前記第１押圧面は、前記ヒートシンクの前記側面に対する押圧方向と略直交する面であり、
前記第２押圧面は、前記第１押圧面と前記第２押圧面との間の連結部から前記押圧方向側へ傾斜する傾斜面であり、
前記第１押圧面と前記第２押圧面とがなす角度が、１３５度以上１８０度未満であることを特徴とする半導体レーザー装置用ステムの製造方法。A method for manufacturing a stem for a semiconductor laser device, comprising a base and a heat sink provided on the base,
A step of pressing at least one side surface of the heat sink by a pressing means,
The pressing means includes a pressing surface for pressing the side surface of the heat sink,
The pressing surface includes a first pressing surface and a second pressing surface connected to the first pressing surface,
The first pressing surface is a surface substantially orthogonal to the pressing direction with respect to the side surface of the heat sink,
The second pressing surface is an inclined surface that is inclined toward the pressing direction side from a connecting portion between the first pressing surface and the second pressing surface,
The method for manufacturing a stem for a semiconductor laser device, wherein an angle formed by the first pressing surface and the second pressing surface is 135 degrees or more and less than 180 degrees. 前記第１押圧面と前記第２押圧面との間の前記連結部を含み、かつ前記第１押圧面に略直交する面を基準としたときに、前記第２押圧面における前記連結部とは反対側の端部までの高さが５０μｍ以上である請求項４に記載の半導体レーザー装置用ステムの製造方法。  What is the connection portion in the second pressing surface when the surface includes the connecting portion between the first pressing surface and the second pressing surface and is substantially orthogonal to the first pressing surface? The method for manufacturing a stem for a semiconductor laser device according to claim 4, wherein the height to the opposite end is 50 μm or more. 前記押圧する工程は、前記ヒートシンクを前記ベース上に設けた後に行われる請求項４に記載の半導体レーザー装置用ステムの製造方法。  The method of manufacturing a stem for a semiconductor laser device according to claim 4, wherein the pressing step is performed after the heat sink is provided on the base.

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