JP2006165097A - Light emitting device envelope - Google Patents

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To improve heat dissipation efficiency in an envelope of a light-emitting element. <P>SOLUTION: An electrode of the bottom surface of a light-emitting element 1a is connected to a lead frame 11, and an electrode of the bottom surface of a light-emitting element 1a' is connected to another lead frame 12. With this configuration, since the heat generated in the light-emitting element 1a is dissipated through the lead frame 11, and the heat generated in the light-emitting element 1a' is dissipated through the lead frame 12, the heat dissipation efficiency is improved. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

Translated fromJapanese

本発明は、発光素子が発した光を外部へ放射するようにした発光素子の外囲器に関する。  The present invention relates to an envelope of a light emitting element that emits light emitted by the light emitting element to the outside.

発光ダイオード(Light Emitting Diode:LED）等の発光素子には、光を外部へ効率的に放射するために外囲器（パッケージ）が必要である。その一例として、大型ＳＭＤ(Surface Mount Device)外囲器がある。  A light emitting element such as a light emitting diode (LED) needs an envelope (package) in order to efficiently emit light to the outside. One example is a large SMD (Surface Mount Device) envelope.

このような外囲器としては、例えば特許文献１に記載のものが知られている。図６の斜視図に示すように、従来の外囲器は、パッケージ２０に内壁が傾斜した凹部２１を備え、凹部２１の底面に金属製のカソード側のリードフレーム１１とアノード側のリードフレーム１２が別々に配置される。発光素子１の下端の電極がリードフレーム１１に銀ペースト等の導電性材料で接続され、発光素子１の上端の電極２がワイヤ３を通じてリードフレーム１２に接続される。パッケージ２０は、凹部２１の内壁で完全拡散反射に近い条件で発光素子１からの光が反射されるように、白色のポリフタルアミド樹脂で形成される。凹部２１には、上面開口部から透光性のエポキシ樹脂３０が液体の状態で注入され、その後、エポキシ樹脂３０は加温され硬化される。このような構成により、この外囲器は、発光素子１が発した直接光あるいは反射光をエポキシ樹脂３０を介して外部へ放射するようになっている。  As such an envelope, for example, the one described in Patent Document 1 is known. As shown in the perspective view of FIG. 6, the conventional envelope includes aconcave portion 21 whose inner wall is inclined in apackage 20, and a metal cathode-side lead frame 11 and an anode-side lead frame 12 on the bottom surface of theconcave portion 21. Are arranged separately. The lower electrode of the light emitting element 1 is connected to thelead frame 11 with a conductive material such as silver paste, and the upper electrode 2 of the light emitting element 1 is connected to thelead frame 12 through thewire 3. Thepackage 20 is formed of white polyphthalamide resin so that light from the light emitting element 1 is reflected on the inner wall of therecess 21 under conditions close to complete diffuse reflection. Atranslucent epoxy resin 30 is injected into therecess 21 in a liquid state from the upper surface opening, and then theepoxy resin 30 is heated and cured. With such a configuration, the envelope radiates direct light or reflected light emitted from the light emitting element 1 to the outside through theepoxy resin 30.

また、図７の斜視図に示すように、白色を含めた混色を実現するために、複数の発光素子を外囲器に搭載することもある。同図では、ＲＢＧ三色の発光素子１ａ，１ｂ，１ｃの下端の電極が、それぞれ別個のカソード側のリードフレーム１１ａ，１１ｂ，１１ｃ上に銀ペーストもしくは共晶半田で接続されている。そして、発光素子１ａ，１ｂ，１ｃのそれぞれの上端の電極２ａ，２ｂ，２ｃは、それぞれに対応するワイヤ３ａ，３ｂ，３ｃを通じて共通のアノード側のリードフレーム１２に接続される。
特開２００３−１６３３７８号公報In addition, as shown in the perspective view of FIG. 7, a plurality of light emitting elements may be mounted on the envelope in order to achieve color mixing including white. In the drawing, the electrodes at the lower ends of the RBG three-colorlight emitting elements 1a, 1b, and 1c are respectively connected to separate cathode-side lead frames 11a, 11b, and 11c by silver paste or eutectic solder. Theupper electrodes 2a, 2b, 2c of thelight emitting elements 1a, 1b, 1c are connected to thecommon lead frame 12 on the anode side through thecorresponding wires 3a, 3b, 3c.
JP 2003-163378 A

図６に示した構成の場合、発光素子１で発生した熱は、熱伝導性の良い金属を通して逃げることになる。つまり、発光素子１の下端の電極の底面が接続されたリードフレーム１１を通じて熱が逃げる。一方、発光素子１の上端の電極に接続されているワイヤ３は細いため、このワイヤ３に接続されているリードフレーム１２は、熱の放熱経路としてはほとんど寄与せず、この外囲器は放熱効率が低いという問題がある。  In the case of the configuration shown in FIG. 6, heat generated in the light emitting element 1 escapes through a metal having good thermal conductivity. That is, heat escapes through thelead frame 11 to which the bottom surface of the lower electrode of the light emitting element 1 is connected. On the other hand, since thewire 3 connected to the electrode at the upper end of the light emitting element 1 is thin, thelead frame 12 connected to thewire 3 hardly contributes as a heat dissipation path, and this envelope does not dissipate heat. There is a problem of low efficiency.

また、図７に示した構成では、３つの独立したリードフレーム１１ａ，１１ｂ，１１ｃは、発光素子１ａ，１ｂ，１ｃの下端の電極の底面がそれぞれ接続されているので放熱に寄与するが、共通のリードフレーム１２は、発光素子１ａ，１ｂ，１ｃの上端の電極２ａ，２ｂ，２ｃにそれぞれ細いワイヤ３ａ，３ｂ，３ｃを通じて接続されているため、放熱にはほとんど寄与しない。よって、この外囲器も放熱効率は十分ではない。  In the configuration shown in FIG. 7, the threeindependent lead frames 11a, 11b, and 11c contribute to heat radiation because the bottom surfaces of the lower electrodes of thelight emitting elements 1a, 1b, and 1c are connected to each other. Since thelead frame 12 is connected to theelectrodes 2a, 2b, 2c at the upper ends of thelight emitting elements 1a, 1b, 1c throughthin wires 3a, 3b, 3c, respectively, it hardly contributes to heat dissipation. Therefore, the heat dissipation efficiency of this envelope is not sufficient.

本発明は、上記に鑑みてなされたものであり、その課題とするところは、発光素子の外囲器における放熱効率を改善することにある。  This invention is made | formed in view of the above, The place made into the subject is to improve the thermal radiation efficiency in the envelope of a light emitting element.

本発明に係る発光素子の外囲器は、上部がｐ型、下部がｎ型で上下両面に電極を備えた第１発光素子と、上部がｎ型、下部がｐ型で上下両面に電極を備えた第２発光素子と、第１発光素子の下面の電極が接続される第１リードフレームと、第２発光素子の下面の電極が接続される第２リードフレームと、第１発光素子の上面の電極と第２発光素子の上面の電極とを接続するワイヤと、を有することを特徴とする。  The envelope of the light emitting device according to the present invention includes a first light emitting device having a p-type upper portion and an n-type lower portion and electrodes on both upper and lower surfaces, an n-type upper portion, a p-type lower portion, and electrodes on both upper and lower surfaces. A second light emitting element, a first lead frame to which an electrode on the lower surface of the first light emitting element is connected, a second lead frame to which an electrode on the lower surface of the second light emitting element is connected, and an upper surface of the first light emitting element And a wire connecting the electrode of the second light emitting element and the electrode on the upper surface of the second light emitting element.

本発明にあっては、第１リードフレームに第１発光素子の下面の電極を接続し、第２リードフレームに第２発光素子の下面の電極を接続したことで、第１リードフレームと第２リードフレームの双方が放熱に寄与する。  In the present invention, the electrode on the lower surface of the first light emitting element is connected to the first lead frame, and the electrode on the lower surface of the second light emitting element is connected to the second lead frame. Both lead frames contribute to heat dissipation.

本発明の発光素子の外囲器によれば、放熱効率を大幅に改善することができる。  According to the envelope of the light emitting element of the present invention, the heat radiation efficiency can be greatly improved.

［第１の実施の形態］
図１は、第１実施形態における発光素子の外囲器の構成を示す斜視図である。同図の外囲器は、受けた光を完全拡散反射に近い条件で反射する白色のＰＰＡ（ポリフタルアミド）樹脂製の枠構造のパッケージ２０に凹部を備え、この凹部の底面に金属製のリードフレーム１１（第１リードフレーム）およびリードフレーム１２（第２リードフレーム）がそれぞれ配置される。この凹部の底面には、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）等による２種類の同色の発光素子１ａ（第１発光素子），発光素子１ａ’（第２発光素子）が配置される。[First Embodiment]
FIG. 1 is a perspective view showing a configuration of an envelope of a light emitting element in the first embodiment. The envelope shown in the figure is provided with a recess in apackage 20 of a white PPA (polyphthalamide) resin frame structure that reflects received light under a condition close to perfect diffuse reflection, and a metal made on the bottom of the recess. A lead frame 11 (first lead frame) and a lead frame 12 (second lead frame) are respectively disposed. Two types oflight emitting elements 1a (first light emitting elements) andlight emitting elements 1a ′ (second light emitting elements) of the same color, such as LEDs (Light Emitting Diodes), are arranged on the bottom surface of the recess.

図２（ａ）に示すように、発光素子１ａは、通常のｎ型ＧａＡｓ基板１００上に、ＡｌｌｎＧａｐ系の赤色四元活性層１０１を含むダブルへテロ構造を有し、ｐ側の上面に円形の電極２ａを、ｎ側の下面に矩形の電極４ａをそれぞれ備える。  As shown in FIG. 2A, thelight emitting device 1a has a double hetero structure including an AllnGap-based red quaternaryactive layer 101 on a normal n-type GaAs substrate 100, and has a circular shape on the upper surface on the p side. Electrode 2a and arectangular electrode 4a on the n-side lower surface.

また、図２（ｂ）に示すように、発光素子１ａ’は、発光素子１ａをｐ型ＧａＰ基板２００に融着させ、後からＧａＡｓ基板１００をエッチングで除去して構成される。よって、発光素子１ａ’の最終構造としては、ｐ型ＧａＰ基板２００の上にＡｌｌｎＧａｐ系赤色四元活性層１０１を含むダブルへテロ構造が形成され、ｎ側の上面に円形の電極２ａ’を、ｐ側の下面に矩形の電極４ａ’をそれぞれ備える。なお、融着の手法は、ウェハー同士を直接融着してもよいし、金属を介して融着してもよい。  As shown in FIG. 2B, thelight emitting element 1a 'is configured by fusing thelight emitting element 1a to the p-type GaP substrate 200 and then removing theGaAs substrate 100 by etching. Therefore, as a final structure of thelight emitting element 1a ′, a double heterostructure including the AllnGap-based red quaternaryactive layer 101 is formed on the p-type GaP substrate 200, and acircular electrode 2a ′ is formed on the n-side upper surface. Arectangular electrode 4a ′ is provided on the lower surface on the p side. As a method of fusion, the wafers may be directly fused or may be fused via a metal.

図１に示すように、発光素子１ａは、その下面の電極４ａがリードフレーム１１に接続され、発光素子１ａ’は、その下面の電極４ａ’がリードフレーム１２に接続される。これらの接続には、銀ペーストもしくはＡｕ−Ｓｎ等の共晶半田を用いる。発光素子１ａの上面の電極２ａと発光素子１ａ’の上面の電極２ａ’は、ワイヤ３を通じて直列に接続される。このような構成の凹部に、透明のエポキシ樹脂３０を液体の状態で注入し、その後、加温して硬化させる。  As shown in FIG. 1, thelower surface electrode 4 a of thelight emitting element 1 a is connected to thelead frame 11, and thelower surface electrode 4 a ′ of thelight emitting element 1 a ′ is connected to thelead frame 12. For these connections, silver paste or eutectic solder such as Au-Sn is used. Theelectrode 2 a on the upper surface of thelight emitting element 1 a and theelectrode 2 a ′ on the upper surface of thelight emitting element 1 a ′ are connected in series through thewire 3. Thetransparent epoxy resin 30 is poured into the recess having such a configuration in a liquid state, and then heated and cured.

図３は、本外囲器におけるリードフレーム１１，１２の構造を示す斜視図である。同図では、リードフレームの構造が分かり易くなるように、パッケージ２０の上部とエポキシ樹脂３０を除去した状態を示している。発光素子１ａが発した熱はリードフレーム１１を通じて放熱され、発光素子１ａ’が発した熱はリードフレーム１２を通じて放熱される。  FIG. 3 is a perspective view showing the structure of thelead frames 11 and 12 in the envelope. The figure shows a state in which the upper portion of thepackage 20 and theepoxy resin 30 are removed so that the structure of the lead frame can be easily understood. The heat generated by thelight emitting element 1 a is radiated through thelead frame 11, and the heat generated by thelight emitting element 1 a ′ is radiated through thelead frame 12.

したがって、本実施の形態によれば、リードフレーム１１に発光素子１ａの下面の電極４ａを接続し、別のリードフレーム１２に発光素子１ａ’の下面の電極４ａ’を接続したことで、リードフレーム１１，１２の双方が放熱に寄与するので、放熱効率を大幅に向上させることができる。これによって、より大きな電流を流すことが可能となり、明るい発光色を得ることができる。  Therefore, according to the present embodiment, thelead frame 11 is connected to theelectrode 4a on the lower surface of thelight emitting element 1a, and theother lead frame 12 is connected to theelectrode 4a 'on the lower surface of thelight emitting element 1a'. Since both 11 and 12 contribute to heat radiation, the heat radiation efficiency can be greatly improved. As a result, a larger current can be passed, and a bright emission color can be obtained.

なお、本実施の形態において、図６に示した発光素子の外囲器と同じ明るさを得るためには、それぞれの発光素子１ａ，１ａ’に流す電流値は半分でよい。この半分の電流値に相当する熱がそれぞれリードフレーム１１，１２から放熱されるので、発光素子の温度上昇を有効に抑えることができる。  In this embodiment, in order to obtain the same brightness as that of the envelope of the light emitting element shown in FIG. 6, the value of the current passed through each of thelight emitting elements 1a and 1a 'may be half. Since the heat corresponding to the half current value is dissipated from thelead frames 11 and 12, respectively, the temperature rise of the light emitting element can be effectively suppressed.

［第２の実施の形態］
図４は、第２実施形態における発光素子の外囲器の構成を示す斜視図である。本実施の形態では、発する光が同色の発光素子ではなく、異なる色の発光素子１ａ（第１発光素子），１ｂ（第２発光素子）を用いる。本実施形態における発光素子１ａは、ｎ型ＳｉＣ基板上に成長させたＧａＮ／ＩｎＧａＮ系の青色ＬＥＤであり、ｐ側の上面に円形の電極２ａを備え、ｎ側の下面にも電極を備える。一方、発光素子１ｂは、ｐ型ＧａＰ基板２００の上にＡｌｌｎＧａＰ系の黄色四元活性層を含むダブルヘテロ構造を有する黄色ＬＥＤであり、ｎ側の上面に円形の電極２ｂを備え、ｐ側の下面にも電極を有する。[Second Embodiment]
FIG. 4 is a perspective view showing the configuration of the envelope of the light emitting element in the second embodiment. In the present embodiment, the light emitted from thelight emitting elements 1a (first light emitting element) and 1b (second light emitting element) of different colors is used instead of the light emitting elements of the same color. Thelight emitting element 1a in the present embodiment is a GaN / InGaN blue LED grown on an n-type SiC substrate, and includes acircular electrode 2a on the p-side upper surface and an electrode on the n-side lower surface. On the other hand, the light-emittingelement 1b is a yellow LED having a double heterostructure including an AllnGaP-based yellow quaternary active layer on a p-type GaP substrate 200, and includes acircular electrode 2b on the n-side upper surface, An electrode is also provided on the lower surface.

発光素子１ａの下面の電極はリードフレーム１１に接続され、発光素子１ｂの下面の電極はリードフレーム１２に接続される。これらの接続には、銀ペーストもしくはＡｕ−Ｓｎ等の共晶半田が用いられる。発光素子１ａの上面の電極２ａと発光素子１ｂの上面の電極２ｂは、ワイヤ３を通じて直列に接続される。その他、図１と同一物には同一の符号を付すものとし、ここでは重複した説明は省略する。  The electrode on the lower surface of thelight emitting element 1 a is connected to thelead frame 11, and the electrode on the lower surface of thelight emitting element 1 b is connected to thelead frame 12. For these connections, silver paste or eutectic solder such as Au-Sn is used. Theelectrode 2 a on the upper surface of thelight emitting element 1 a and theelectrode 2 b on the upper surface of thelight emitting element 1 b are connected in series through thewire 3. In addition, the same code | symbol shall be attached | subjected to the same thing as FIG. 1, and the overlapping description is abbreviate | omitted here.

本実施の形態によれば、発する光が異なる色の発光素子１ａ，１ｂを用い、その一例として青色ＬＥＤと黄色ＬＥＤを用いたことで、青色と黄色は補色関係にあるので、発光素子１ａ，１ｂが発する光は擬似白色となり、明るい白色発光を実現することができる。  According to the present embodiment, thelight emitting elements 1a and 1b having different colors are used. As an example, the blue LED and the yellow LED are used. The light emitted by 1b becomes pseudo white, and bright white light emission can be realized.

また、第１実施形態と同様に、リードフレーム１１に発光素子１ａの下面の電極を接続し、別のリードフレーム１２に発光素子１ｂの下面の電極を接続したことで、リードフレーム１１，１２の双方が放熱に寄与するので、放熱効率を大幅に向上させることができる。  Further, as in the first embodiment, the electrodes on the lower surface of thelight emitting element 1 a are connected to thelead frame 11 and the electrodes on the lower surface of thelight emitting element 1 b are connected to anotherlead frame 12. Since both contribute to heat dissipation, the heat dissipation efficiency can be greatly improved.

なお、本実施の形態においては、発光素子１ａ，１ｂが発する光をそれぞれ青色、黄色としたが、これに限られるものではなく、様々な色を適用することができる。  In the present embodiment, the light emitted from thelight emitting elements 1a and 1b is blue and yellow, respectively. However, the present invention is not limited to this, and various colors can be applied.

［第３の実施の形態］
図５は、第３実施形態における発光素子の外囲器の構成を示す斜視図である。本実施の形態では、第１発光素子と第２発光素子の組を複数設けた外囲器について説明する。同図の発光素子１ａ，１ｂは、図４に示した発光素子１ａ，１ｂと同一物であり、リードフレーム１１，１２にそれぞれ接続される。本実施形態では、この他にもう一組の発光素子１ｃ，１ｄを用いる。[Third Embodiment]
FIG. 5 is a perspective view showing the configuration of the envelope of the light emitting element in the third embodiment. In this embodiment, an envelope provided with a plurality of sets of first light emitting elements and second light emitting elements will be described. Thelight emitting elements 1a and 1b in the figure are the same as thelight emitting elements 1a and 1b shown in FIG. 4 and are connected to the lead frames 11 and 12, respectively. In the present embodiment, another set oflight emitting elements 1c and 1d is used in addition to this.

発光素子１ｃは、ｎ型ＳｉＣ基板上に成長させたＧａＮ／ＩｎＧａＮ系の緑色ＬＥＤであり、ｐ側の上面に円形の電極２ｃを備え、ｎ側の下面にも電極も備える。発光素子１ｄは、ｐ型ＧａＰ基板上にＡｌｌｎＧａＰ系の赤色四元活性層１０１を含むダブルへテロ構造を有する赤色ＬＥＤであり、ｎ側の上面に円形の電極２ｄを備え、ｐ側の下面にも電極を備える。  The light-emittingelement 1c is a GaN / InGaN green LED grown on an n-type SiC substrate, and includes acircular electrode 2c on the p-side upper surface and an electrode on the n-side lower surface. The light-emittingelement 1d is a red LED having a double hetero structure including an AllnGaP-based red quaternaryactive layer 101 on a p-type GaP substrate. The light-emittingelement 1d includes acircular electrode 2d on an n-side upper surface, and a p-side lower surface. Also comprises an electrode.

発光素子１ｃの下面の電極はリードフレーム１１に接続され、発光素子１ｄの下面の電極はリードフレーム１２に接続される。これらの接続には、銀ペーストもしくはＡｕ−Ｓｎ等の共晶半田が用いられる。発光素子１ｃの上面の電極２ｃと発光素子１ｄの上面の電極２ｄは、ワイヤ３ｂを通じて直列に接続される。その他、図４と同一物には同一の符号を付すものとし、ここでは重複した説明は省略する。  The electrode on the lower surface of thelight emitting element 1 c is connected to thelead frame 11, and the electrode on the lower surface of thelight emitting element 1 d is connected to thelead frame 12. For these connections, silver paste or eutectic solder such as Au-Sn is used. Theelectrode 2c on the upper surface of thelight emitting element 1c and theelectrode 2d on the upper surface of thelight emitting element 1d are connected in series through awire 3b. In addition, the same code | symbol shall be attached | subjected to the same thing as FIG. 4, and the overlapping description is abbreviate | omitted here.

このような構成とすることで、発光素子１ａ，１ｃが発した熱はリードフレーム１１を通じて放熱され、発光素子１ｂ，１ｄが発した熱はリードフレーム１２を通じて放熱される。  With this configuration, heat generated by thelight emitting elements 1 a and 1 c is radiated through thelead frame 11, and heat generated by thelight emitting elements 1 b and 1 d is radiated through thelead frame 12.

したがって、本実施の形態によれば、４つの発光素子１ａ〜１ｄを集積化したパッケージでも、リードフレーム１１に発光素子１ａ，１ｃのそれぞれの下面の電極を接続し、別のリードフレーム１２に発光素子１ｂ、１ｄの下面の電極を接続したことで、発光素子１ａ，１ｃが発した熱はリードフレーム１１から放熱され、発光素子１ｂ、１ｄが発した熱はリードフレーム１２から放熱されるので、リードフレーム１１，１２の双方が放熱に寄与し、放熱効率を大幅に向上させることができる。これによって、より大きな電流を流すことが可能となり、明るい発光色を得ることができる。  Therefore, according to the present embodiment, even in a package in which the fourlight emitting elements 1a to 1d are integrated, the electrodes on the lower surfaces of thelight emitting elements 1a and 1c are connected to thelead frame 11 and light is emitted to anotherlead frame 12. By connecting the electrodes on the lower surfaces of theelements 1b and 1d, the heat generated by thelight emitting elements 1a and 1c is radiated from thelead frame 11, and the heat generated by thelight emitting elements 1b and 1d is radiated from thelead frame 12. Both the lead frames 11 and 12 contribute to heat radiation, and the heat radiation efficiency can be greatly improved. As a result, a larger current can be passed, and a bright emission color can be obtained.

また、本実施の形態によれば、発光素子の色の種類を多くできるので、より演色性の良い白色発光を実現することができる。  Further, according to the present embodiment, since the types of colors of the light emitting elements can be increased, white light emission with better color rendering can be realized.

なお、直列に接続した発光素子１ａ，１ｂの組と、発光素子１ｃ、１ｄの組については、それぞれの直列電圧と直列抵抗はほぼ同じになるように、発光波長および素子の構造を選択することが望ましい。これにより、直列に接続された発光素子に流れる電流値を、双方の組でほぼ等しくすることができる。  In addition, for the set oflight emitting elements 1a and 1b connected in series and the set oflight emitting elements 1c and 1d, the light emission wavelength and the structure of the elements should be selected so that the series voltage and series resistance are almost the same. Is desirable. Thereby, the value of the current flowing through the light emitting elements connected in series can be made substantially equal in both sets.

第１実施形態における発光素子の外囲器の構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structure of the envelope of the light emitting element in 1st Embodiment.同図（ａ）は第１発光素子の構成、同図（ｂ）は第２発光素子の構成をそれぞれ示す断面図である。FIG. 4A is a cross-sectional view showing the configuration of the first light emitting element, and FIG. 4B is a cross-sectional view showing the configuration of the second light emitting element.リードフレームの構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structure of a lead frame.第２実施形態における発光素子の外囲器の構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structure of the envelope of the light emitting element in 2nd Embodiment.第３実施形態における発光素子の外囲器の構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structure of the envelope of the light emitting element in 3rd Embodiment.単数の発光素子を搭載した従来の外囲器の構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structure of the conventional envelope which mounts a single light emitting element.複数の発光素子を搭載した従来の外囲器の構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structure of the conventional envelope which mounts a several light emitting element.

符号の説明Explanation of symbols

１，１ａ，１ａ’，１ｂ，１ｃ，１ｄ…発光素子
２，２ａ，２ｂ，２ｃ…電極
３，３ａ，３ｂ，３ｃ…ワイヤ
４ａ，４ａ’…電極
１１，１１ａ，１１ｂ，１１ｃ…リードフレーム
１２…リードフレーム
２０…パッケージ
２１…凹部
３０…エポキシ樹脂
１００…ｎ型ＧａＡｓ基板
１０１…赤色四元活性層
２００…ｐ型ＧａＰ基板
DESCRIPTION OFSYMBOLS 1, 1a, 1a ', 1b, 1c, 1d ...Light emitting element 2, 2a, 2b, 2c ...Electrode 3, 3a, 3b, 3c ...Wire 4a, 4a' ...Electrode 11, 11a, 11b, 11c ...Lead frame 12 ...Lead frame 20 ...Package 21 ...Recess 30 ...Epoxy resin 100 ... n-type GaAs substrate 101 ... Red quaternaryactive layer 200 ... p-type GaP substrate

Claims (4)

Translated fromJapanese

上部がｐ型、下部がｎ型で上下両面に電極を備えた第１発光素子と、
上部がｎ型、下部がｐ型で上下両面に電極を備えた第２発光素子と、
第１発光素子の下面の電極が接続される第１リードフレームと、
第２発光素子の下面の電極が接続される第２リードフレームと、
第１発光素子の上面の電極と第２発光素子の上面の電極とを接続するワイヤと、
を有することを特徴とする発光素子の外囲器。A first light-emitting element having an upper part of p-type, a lower part of n-type, and electrodes on both upper and lower sides;
A second light emitting device having an n-type upper portion and a p-type lower portion and electrodes on both upper and lower surfaces;
A first lead frame to which an electrode on the lower surface of the first light emitting element is connected;
A second lead frame to which an electrode on the lower surface of the second light emitting element is connected;
A wire connecting the electrode on the upper surface of the first light emitting element and the electrode on the upper surface of the second light emitting element;
An envelope of a light-emitting element, comprising: 第１発光素子と第２発光素子が発する光は同じ色であることを特徴とする請求項１記載の発光素子の外囲器。  The light emitting device envelope according to claim 1, wherein the light emitted from the first light emitting device and the second light emitting device have the same color. 第１発光素子と第２発光素子が発する光は異なる色であることを特徴とする請求項１記載の発光素子の外囲器。  The light emitting device envelope according to claim 1, wherein the light emitted from the first light emitting device and the second light emitting device have different colors. 第１発光素子と第２発光素子の組を複数備えたことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の発光素子の外囲器。
The envelope of the light emitting element according to any one of claims 1 to 3, wherein a plurality of sets of the first light emitting element and the second light emitting element are provided.

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