











本発明は、投影露光装置の照明装置などに搭載されるシリンドリカルマイクロレンズアレイや回折格子などの、周期構造の光学面を有した光学素子、及びその製造方法に関する。
なお、本明細書でいう「周期構造の光学面」とは、各々が複数の凹凸形状をアレイ状に配置した光学面のことを指す。The present invention relates to an optical element having an optical surface having a periodic structure, such as a cylindrical microlens array or a diffraction grating, which is mounted on an illumination device of a projection exposure apparatus, and a method for manufacturing the same.
In addition, the “optical surface of a periodic structure” in the present specification refers to an optical surface in which a plurality of uneven shapes are arranged in an array.
また、本発明は、投影露光装置の照明装置などに搭載されるフライアイインテグレータ、及びそのフライアイインテグレータの製造方法に関する。
また、本発明は、投影露光装置の照明装置、及びそれを搭載した投影露光装置に関する。The present invention also relates to a fly eye integrator mounted on an illumination device of a projection exposure apparatus, and a method for manufacturing the fly eye integrator.
The present invention also relates to an illumination apparatus for a projection exposure apparatus and a projection exposure apparatus equipped with the illumination apparatus.
投影露光装置の照明装置には、照明領域の照度を均一化する目的で、光源からの射出光に基づき二次光源を複数個形成するオプティカルインテグレータが搭載される。
特許文献1などに開示された照明装置には、このオプティカルインテグレータとしてフライアイインテグレータが用いられている(特許文献1の図1の符号8,及び図2参照)。The illumination apparatus of the projection exposure apparatus is equipped with an optical integrator that forms a plurality of secondary light sources based on the light emitted from the light source in order to make the illuminance in the illumination area uniform.
In the illumination device disclosed in
特に、特許文献1の図2に開示されたフライアイインテグレータは、1対のシリンドリカルマイクロレンズアレイからなる。個々のシリンドリカルマイクロレンズアレイは、表裏の双方にシリンドリカルレンズ面を有しており、それらシリンドリカルレンズ面の母線方向は表裏で90°回転している。
なお、本明細書における「シリンドリカルレンズ面」は、微小なシリンドリカルレンズ面(レンズエレメント)が、アレイ状に複数個形成された面を指す。In particular, the fly's eye integrator disclosed in FIG. 2 of
The “cylindrical lens surface” in this specification refers to a surface in which a plurality of minute cylindrical lens surfaces (lens elements) are formed in an array.
このシリンドリカルレンズ面は、或る方向に一様な形状をしているので、その形状精度を向上させ、高性能なフライアイインテグレータを実現することが可能である。
しかしながら、現在は、1対のシリンドリカルマイクロレンズアレイの間の位置合わせを高精度に行う技術が無いため、シリンドリカルレンズ面の形状精度が向上したとしても、フライアイインテグレータが高性能化するとは限らない。
因みに、一般のレンズなどの光学部材の間の位置合わせは、光学部材の外形を基準として行われる。特許文献2には、その応用技術が開示されている。しかし、そのような位置合わせ精度は、高性能な投影露光装置の照明装置に必要とされる位置合わせ精度(位置合わせ誤差10μm程度)には及ばない。However, since there is currently no technology for performing high-precision alignment between a pair of cylindrical microlens arrays, even if the shape accuracy of the cylindrical lens surface is improved, the fly eye integrator may not always have high performance. .
Incidentally, alignment between optical members, such as a general lens, is performed on the basis of the external shape of an optical member.
そこで本発明は、光学素子間の位置合わせ精度を簡単かつ確実に向上させることのできる光学素子の製造方法、及び光学素子間の位置合わせ精度を簡単かつ確実に向上させることのできる光学素子を提供することを目的とする。
また、本発明は、高性能なフライアイインテグレータの製造方法、及び高性能なフライアイインテグレータを提供することを目的とする。Accordingly, the present invention provides an optical element manufacturing method capable of easily and reliably improving the alignment accuracy between optical elements, and an optical element capable of easily and reliably improving the alignment accuracy between optical elements. The purpose is to do.
Another object of the present invention is to provide a method for manufacturing a high-performance fly's eye integrator and a high-performance fly's eye integrator.
また、本発明は、高性能な投影露光装置の照明装置、及び高性能な投影露光装置を提供することを目的とする。 Another object of the present invention is to provide an illumination device for a high-performance projection exposure apparatus and a high-performance projection exposure apparatus.
請求項1に記載の光学素子の製造方法は、予め決められた波長の光に対し透明な基板の少なくとも一方の面上に、周期構造の光学面を形成する光学面の形成手順と、前記周期構造の光学面が形成された前記基板の少なくとも一方の面の非有効領域内に、平面部を形成する平面部の形成手順とを含むことを特徴とする。
請求項2に記載の光学素子の製造方法は、請求項1に記載の光学素子の製造方法において、前記基板は、光学ガラスからなり、前記光学面の形成手順及び前記平面部の形成手順は、フォトリソグラフィーからなることを特徴とする。The optical element manufacturing method according to
The optical element manufacturing method according to
請求項3に記載の光学素子の製造方法は、請求項2に記載の光学素子の製造方法において、前記光学面の形成手順及び前記平面部の形成手順は、ドライエッチングを含むフォトリソグラフィーからなることを特徴とする。
請求項4に記載の光学素子の製造方法は、請求項1〜請求項3の何れか一項に記載の光学素子の製造方法において、光学顕微鏡によって検出可能なマークを前記平面部にパターニングするマークの形成手順をさらに含むことを特徴とする。The optical element manufacturing method according to
The optical element manufacturing method according to
請求項5に記載の光学素子は、所定の波長に対し透明な基板の少なくとも一方の面に、周期構造形状を有する光学素子において、前記周期構造形状が周囲に形成された領域に平面部を有したことを特徴とする。
請求項6に記載の光学素子は、請求項5に記載の光学素子において、前記平面部には、マークを有し、前記一方の面及び前記一方の面とは対向する面に形成された周期構造形状は、シリンドリカルレンズ形状であり、かつ互いに母線方向が90°の関係を有することを特徴とする。The optical element according to
The optical element according to claim 6 is the optical element according to
請求項7に記載のフライアイインテグレータの製造方法は、請求項6に記載の光学素子を1対用意する手順と、前記1対の光学素子にそれぞれ形成された前記マークを光学顕微鏡で検出しながらそれら1対の光学素子を位置合わせする手順とを含むことを特徴とする。
請求項8に記載のフライアイインテグレータは、請求項7に記載のフライアイインテグレータの製造方法により製造されたことを特徴とする。A method for manufacturing a fly's eye integrator according to claim 7 comprises: preparing a pair of optical elements according to claim 6; and detecting the marks respectively formed on the pair of optical elements with an optical microscope. And a procedure for aligning the pair of optical elements.
The fly eye integrator described in claim 8 is manufactured by the fly eye integrator manufacturing method described in claim 7.
請求項9に記載の投影露光装置の照明装置は、請求項8に記載のフライアイインテグレータを備えたことを特徴とする。
請求項10に記載の投影露光装置は、請求項9に記載の投影露光装置の照明装置を備えたことを特徴とする。An illumination device for a projection exposure apparatus according to a ninth aspect includes the fly eye integrator according to the eighth aspect.
A projection exposure apparatus according to a tenth aspect includes the illumination apparatus for the projection exposure apparatus according to the ninth aspect.
本発明によれば、光学素子間の位置合わせ精度を簡単かつ確実に向上させることのできる光学素子の製造方法、及び光学素子間の位置合わせ精度を簡単かつ確実に向上させることのできる光学素子が実現する。
また、本発明によれば、高性能なフライアイインテグレータの製造方法、及び高性能なフライアイインテグレータが実現する。ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the optical element which can improve the alignment accuracy between optical elements easily and reliably, and the optical element which can improve the alignment accuracy between optical elements easily and reliably. Realize.
In addition, according to the present invention, a high-performance fly eye integrator manufacturing method and a high-performance fly eye integrator are realized.
また、本発明によれば、高性能な投影露光装置の照明装置、及び高性能な投影露光装置が実現する。 Further, according to the present invention, an illumination device for a high-performance projection exposure apparatus and a high-performance projection exposure apparatus are realized.
[第1実施形態]
以下、図1、図2、図3、図4、図5、図6、図7、図8、図9を参照して本発明の第1実施形態を説明する。
本実施形態は、フライアイインテグレータの製造方法の実施形態である。本製造方法にて製造するフライアイインテグレータは、後述する第2実施形態の投影露光装置の照明装置に搭載されるものである。[First Embodiment]
Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, and 9.
This embodiment is an embodiment of a manufacturing method of a fly eye integrator. The fly eye integrator manufactured by this manufacturing method is mounted on the illumination device of the projection exposure apparatus according to the second embodiment described later.
先ず、フライアイインテグレータを説明する。
図1は、フライアイインテグレータの構成要素を示す斜視図(分解図)である。
図1に示すように、フライアイインテグレータ10には、1対のシリンドリカルマイクロレンズアレイ11,12が、光の入射側からこの順で配置される。
シリンドリカルマイクロレンズアレイ11の表面(光の入射面)11A,裏面11A’のそれぞれには、凸のシリンドリカルレンズ面が形成される。First, the fly eye integrator will be described.
FIG. 1 is a perspective view (exploded view) showing components of a fly eye integrator.
As shown in FIG. 1, in the
Convex cylindrical lens surfaces are formed on the front surface (light incident surface) 11A and the
シリンドリカルマイクロレンズアレイ12の表面12A,裏面12A’のそれぞれにも、凸のシリンドリカルレンズ面が形成される。
シリンドリカルマイクロレンズアレイ11の表面11Aのシリンドリカルレンズ面の母線方向と、裏面11A’のシリンドリカルレンズ面の母線方向とは互いに90°回転している。Convex cylindrical lens surfaces are also formed on the
The generatrix direction of the cylindrical lens surface of the
表面11Aのシリンドリカルレンズ面のレンズエレメントの形成周期(ピッチ)は、裏面11A’のシリンドリカルレンズ面のそれよりも短い。
同様に、シリンドリカルマイクロレンズアレイ12の表面12Aのシリンドリカルレンズ面の母線方向と、裏面12A’のシリンドリカルレンズ面の母線方向とは互いに90°回転している。The formation period (pitch) of the lens elements on the cylindrical lens surface of the
Similarly, the generatrix direction of the cylindrical lens surface of the
表面12Aのシリンドリカルレンズ面のレンズエレメントの形成周期(ピッチ)は、裏面12A’のシリンドリカルレンズ面のそれよりも短い。
また、シリンドリカルマイクロレンズアレイ11の厚さと、シリンドリカルマイクロレンズアレイ12の厚さとでは、前者の方が厚い。
例えば、各部のサイズは、以下のとおりである。The formation period (pitch) of the lens elements on the cylindrical lens surface of the
Further, the former is thicker in terms of the thickness of the
For example, the size of each part is as follows.
シリンドリカルマイクロレンズアレイ11の表面11Aにおけるレンズエレメントの形成ピッチ:450μm,
そのレンズエレメントのサグ量:30μm,
シリンドリカルマイクロレンズアレイ11の裏面11A’におけるレンズエレメントの形成ピッチ:750μm,
そのレンズエレメントのサグ量:30μm,
シリンドリカルマイクロレンズアレイ12の表面12Aにおけるレンズエレメントの形成ピッチ:450μm,
そのレンズエレメントのサグ量:30μm,
シリンドリカルマイクロレンズアレイ12の裏面12A’におけるレンズエレメントの形成ピッチ:750μm,
そのレンズエレメントのサグ量:30μm,
シリンドリカルマイクロレンズアレイ11の厚さ:2.8mm,
シリンドリカルマイクロレンズアレイ12の厚さ:1.2mm,
シリンドリカルマイクロレンズアレイ11の有効領域Eの径:100mm,
シリンドリカルマイクロレンズアレイ12の有効領域Eの径:100mm
なお、厚さは、表面の頂点から裏面の頂点までの光軸方向の距離とした。また、有効領域Eとは、フライアイインテグレータ10の使用時に必要な光線が入射する領域である。少なくともその有効領域Eの全域には、シリンドリカルレンズ面が十分な精度で形成されている。Lens element formation pitch on the
Sag amount of the lens element: 30 μm,
Lens element formation pitch on the
Sag amount of the lens element: 30 μm,
Lens element formation pitch on the
Sag amount of the lens element: 30 μm,
Lens element formation pitch on the
Sag amount of the lens element: 30 μm,
Diameter of effective area E of cylindrical microlens array 11: 100 mm,
Diameter of effective area E of cylindrical microlens array 12: 100 mm
The thickness was the distance in the optical axis direction from the top of the front surface to the top of the back surface. The effective area E is an area where light rays necessary for using the
シリンドリカルマイクロレンズアレイ11,12の特徴は、次のとおりである。
シリンドリカルマイクロレンズアレイ11の表面11Aの四隅(有効領域Eから外れた領域)のそれぞれには、凹部11aが形成され、裏面11A’のうち凹部11aに対向する位置のそれぞれには、凹部11aと同型同大の凹部11a’が形成される。
シリンドリカルマイクロレンズアレイ12の表面12Aの四隅において、シリンドリカルマイクロレンズアレイ11の凹部11a’に対向する位置のそれぞれには、凹部11a’と同型同大の凹部12aが形成され、裏面12A’のうち凹部12aに対向する位置のそれぞれには、それと同型同大の凹部12a’が形成される。The characteristics of the
At the four corners of the
凹部11aの底面には、それぞれマーク11a−2がパターニングされ、凹部12aの底面には、それぞれマーク11a−2と同型同大のマーク12a−2がパターニングされている。
また、凹部11aの底面は、シリンドリカルマイクロレンズアレイ11の光学面形成前の基板面と同じ方向を向いた面となっている。ゆえに、凹部11aの底面は、光学面形成前の基板の法線に対し、略垂直な平面となっている。A
In addition, the bottom surface of the
これらのマーク11a−2,12a−2は、シリンドリカルマイクロレンズアレイ11,12の間の位置合わせに用いられる。
次に、シリンドリカルマイクロレンズアレイ11の凹部11a,11a’,マーク11a−2を詳細に説明する。なお、以下の説明は、シリンドリカルマイクロレンズアレイ12の凹部12a,12a’,12a−2にも同様に当てはまる。These
Next, the
図2は、凹部11a,11a’,マーク11a−2を説明する図である。図2の上部は、シリンドリカルマイクロレンズ11の表面11Aの部分拡大図(光軸方向から見た図)であり、図2の下部は、X−XX線における概略断面図である。
図2の上部に示すように、凹部11aを光軸方向から見たときの形状は、円形である。
凹部11a,凹部11a’の深さは、表面11A,裏面11A’に形成されたシリンドリカルレンズ面のサグ量と略同じである。FIG. 2 is a diagram illustrating the
As shown in the upper part of FIG. 2, the shape of the
The depth of the
凹部11aの底面11a−1に、クロムからなるマーク11a−2がパターニングされている。マーク11a−2のパターン形状は、十字状である。
例えば、各部のサイズは、以下のとおりである。
凹部11a,11a’の深さd0:30μm,
凹部11a,11a’の径d1:3mm,
マーク11a−2の全体の幅d2:1mm,
マーク11a−2の線幅d3:0.002±0.0005mm,
マーク11a−2の厚さd4:0.1μm
次に、シリンドリカルマイクロレンズアレイ11の製造方法を説明する。なお、以下の説明は、シリンドリカルマイクロレンズアレイ12の製造方法にも同様に当てはまる(基板の厚さのみ異なる。)。A
For example, the size of each part is as follows.
Depth d0 of
Line width d3 of the
Next, a method for manufacturing the
シリンドリカルマイクロレンズアレイ11の製造には、フォトリソグラフィーが適用される。
図3は、このフォトリソグラフィーに用いられる投影露光装置の概略構成図である。以下、後述する第2実施形態の投影露光装置と区別するため、この投影露光装置を「レンズアレイの製造装置」という。レンズアレイの製造装置は、ステップ・アンド・リピートによる逐次露光が可能である。Photolithography is applied to manufacture the
FIG. 3 is a schematic block diagram of a projection exposure apparatus used for this photolithography. Hereinafter, this projection exposure apparatus is referred to as a “lens array manufacturing apparatus” in order to distinguish it from a projection exposure apparatus according to a second embodiment described later. The lens array manufacturing apparatus can perform sequential exposure by step-and-repeat.
図3に示すように、レンズアレイの製造装置には、照明装置14a、マスクステージ14b、投影光学系14h、ウエハステージ14e、制御部14fなどが備えられる。
照明装置14aには、光源(超高圧水銀ランプなど)14a−1、コリメータレンズ14a−2、フライアイインテグレータ14a−3、コンデンサレンズ14a−4、折り曲げミラー14a−5などが備えられる。As shown in FIG. 3, the lens array manufacturing apparatus includes an
The illuminating
図4は、シリンドリカルマイクロレンズアレイ11の製造手順を示すフローチャートである。図5、図6は、製造途中の各段階におけるシリンドリカルマイクロレンズアレイ11の様子を示す概略断面図である。以下、各ステップを順に説明する。
(図4ステップS11)
シリンドリカルマイクロレンズアレイ11の原型となる基板が用意される。以下、この基板に対し、シリンドリカルマイクロレンズアレイ11と同じ符号「11」を付与する。FIG. 4 is a flowchart showing a manufacturing procedure of the
(Step S11 in FIG. 4)
A substrate serving as a prototype of the
基板11は、後述する第2実施形態の投影露光装置の使用波長に対し透明な材料、例えば、石英ガラスからなる。
基板11の厚さは、シリンドリカルマイクロレンズアレイ11の厚さに応じた値、例えば3mmに設定される。
基板11の外形には、図8に示すように、オリエンテーションフラットなどの位置の指標が設けられている。The
The thickness of the
As shown in FIG. 8, the outer shape of the
図5(a)に示すように、基板11の一方の面(表面)に、レジスト(以下、ポジ型レジストとする。)R1が塗布される。レジストR1の厚さは、その面に創成すべきシリンドリカルレンズ面のサグ量に応じた値、例えば、50μmに設定される。
(図4ステップS12)
基板11は、レジストR1を上にしてレンズアレイの製造装置(図3)のウエハステージ14eにセットされる。レンズアレイの製造装置のマスクステージ14bには、図7(a)に示すような凹部用のマスクM1がセットされる。As shown in FIG. 5A, a resist (hereinafter referred to as a positive resist) R1 is applied to one surface (front surface) of the
(FIG. 4, step S12)
The
この凹部用のマスクM1は、シリンドリカルマイクロレンズアレイ11上に形成されるべき凹部11aの形状に対応する開口パターン(円形の開口パターン)を有している。
レンズアレイの製造装置は、基板11のレジストR1上において凹部11aが形成されるべき4つの領域を、凹部用のマスクM1のパターンでそれぞれ露光する。このときの露光量は、後述するレンズ面用のマスクM2による露光時における適正露光量の2倍以上に設定される(つまりオーバー露光される。)。The concave mask M1 has an opening pattern (circular opening pattern) corresponding to the shape of the
Apparatus for manufacturing a lens array, the four regions to
これによって、図5(b)に示すように、レジストR1の露光領域が変質する。オーバー露光されたので、レジストR1の露光領域は、最深部まで変質する。
なお、基板11における各露光領域の位置座標は、レンズアレイの製造装置が基板11の外形(オリエンテーションフラットなど)を基準とする。
(図4ステップS13)
レンズアレイの製造装置(図3)のマスクステージ14bに、図7(b)に示すようなレンズ面用のマスクM2がセットされる。As a result, as shown in FIG. 5B, the exposed region of the resist R1 is altered. Since the overexposure is performed, the exposed region of the resist R1 is changed to the deepest portion.
The position coordinates of each exposure region on the
(FIG. 4, step S13)
A
このレンズ面用のマスクM2は、シリンドリカルレンズマイクロレンズアレイ11上に形成されるべきシリンドリカルレンズ面の形状に対応する透過率分布を有したグレースケールマスクである。
なお、図8の点線で囲まれた領域は、レンズアレイの製造装置による1回の露光領域(例えば、20×20mmの矩形領域)である。1回の露光領域は、シリンドリカルレンズ面が十分な精度で形成されるべき有効領域Eよりも小さい。This lens surface mask M2 is a gray scale mask having a transmittance distribution corresponding to the shape of the cylindrical lens surface to be formed on the cylindrical
The area surrounded by the dotted line in FIG. 8 is a single exposure area (for example, a rectangular area of 20 × 20 mm) by the lens array manufacturing apparatus. One exposure area is smaller than the effective area E in which the cylindrical lens surface is to be formed with sufficient accuracy.
レンズアレイの製造装置は、基板11のレジストR1上のうち、有効領域Eよりも若干広い領域内の各位置を、レンズ面用のマスクM2のパターンで、逐次露光する。これによって、図5(c)に示すように、レジストR1の露光領域が、その露光量に応じた厚さずつ変質する。
なお、基板11における各露光領域の位置座標は、レンズアレイの製造装置が基板11の外形(オリエンテーションフラットなど)を基準とする。Apparatus for manufacturing a lens array, out of the resist R1 of the
The position coordinates of each exposure region on the
(図4ステップS14)
基板11のレジストR1が現像される。これによって、図5(d)に示すように、レジストR1の変質部分が除去される。レジストR1の表面形状は、凹部11a及びシリンドリカルレンズ面に対応した形状となる。なお、凹部11aの底面は、基板11の面が露出した状態となっている。(FIG. 4, step S14)
The resist R1 on the
さらに、反応性イオンエッチング装置などによりドライエッチングが施される。これによって、レジストR1の表面形状が基板11の表面に転写され、基板11の表面(符号11Aを付す。)には、図5(e)に示すように、凹部11a及びシリンドリカルレンズ面が現れる。
つまり、凹部11aは、シリンドリカルレンズ面と共通のフォトリソグラフィーの手順を経て形成される。因みに、凹部11aを形成するためだけに必要な手順は、図4ステップS12ステップのみである。よって、凹部11aの形成は、効率的に行われる。Further, dry etching is performed by a reactive ion etching apparatus or the like. As a result, the surface shape of the resist R1 is transferred onto the surface of the
That is, the
(図4ステップS15)
図6(a)に示すように、基板11の表面11Aに、レジスト(以下、ポジ型レジストとする。)R2がスピンコートなどによって塗布される。レジストR2の厚さは、例えば、1mmである。
(図4ステップS16)
基板11が、レンズアレイの製造装置(図3)のウエハステージ14eにセットされる。レンズアレイの製造装置のマスクステージ14bには、図7(c)に示すようなマーク用のマスクM3がセットされる。(FIG. 4, step S15)
As shown in FIG. 6A, a resist (hereinafter referred to as a positive resist) R2 is applied to the
(FIG. 4, step S16)
The
このマーク用のマスクM3は、マーク11a−2の形状に対応する開口パターン(十字状の開口パターン)を有している。
レンズアレイの製造装置は、基板11のレジストR2上のうち、マーク11a−2が形成されるべき4つの領域を、マーク用のマスクM3のパターンでそれぞれ露光する。これによって、図6(b)に示すように、レジストR2の露光領域が、変質する。The mask M3 for the mark has an opening pattern corresponding to the shape of the
Apparatus for manufacturing a lens array, out of the resist R2 of the
なお、基板11における各露光領域の位置座標は、レンズアレイの製造装置が基板11の外形(オリエンテーションフラットなど)を基準とする。
(図4ステップS17)
基板11のレジストR2が現像される。これによって、図6(c)に示すように、レジストR2の変質部分が除去される。レジストR2には、マーク11a−2と同じパターンの開口が現れる。The position coordinates of each exposure region on the
(FIG. 4, step S17)
The resist R2 on the
このレジストR2の上から、図6(d)に示すように、全体的にクロムC1の層が形成される。クロムC1の厚さは、例えば、0.1μmである。
さらに、基板11は、アルカリに浸され、レジストR2が剥離される。これによって、図6(e)に示すように、クロムからなるマーク11a−2が凹部11aの底面11a−1に現れる。As shown in FIG. 6D, a layer of chromium C1 is formed over the resist R2. The thickness of the chromium C1 is, for example, 0.1 μm.
Further, the
つまり、マーク11a−2は、リフトオフ加工によってパターニングされる。また、マーク11a−2が形成されるべき底面11a−1は平面である。よって、マーク11a−2の形状精度は、十分に高くなる(線幅誤差0.0005mm程度)。
以上のステップS11〜S17が、基板11の表面11Aの加工手順(図4ステップS1)である。That is, the
The above steps S11 to S17 are the processing procedure (step S1 in FIG. 4) of the
(図4ステップS21)
ステップS11と同様に、基板11の裏面にレジストR1が塗布される。
(図4ステップS22)
ステップS12と同様に、基板11は、レジストR1を上にしてレンズアレイの製造装置(図3)のウエハステージ14eにセットされる。レンズアレイの製造装置のマスクステージ14bには、凹部用のマスクM1(図7(a))がセットされる。(FIG. 4, step S21)
Similar to step S <b> 11, a resist R <b> 1 is applied to the back surface of the
(FIG. 4, step S22)
Similar to step S12, the
レンズアレイの製造装置は、基板11のレジストR1上において凹部11a’が形成されるべき領域を、凹部用のマスクM1のパターンでそれぞれ露光する。このときの露光量は、前述と同様にレンズ面用のマスクM2使用時の適正露光量の2倍以上に設定される(つまりオーバー露光される。)。
なお、基板11における各露光領域の位置座標は、レンズアレイの製造装置が基板11の外形(オリエンテーションフラットなど)を基準とする。Apparatus for manufacturing a lens array, a region where the
The position coordinates of each exposure region on the
(図4ステップS23)
ステップS13と同様に、レンズアレイの製造装置のマスクステージ14bに、レンズ面用のマスクM2(図7(b))がセットされる。
レンズアレイの製造装置は、基板11のレジストR1のうち、有効領域Eよりも若干広い領域内の各位置を、レンズ面用のマスクM2のパターンで、逐次露光する。(FIG. 4, step S23)
Similarly to step S13, the lens surface mask M2 (FIG. 7B) is set on the
Apparatus for manufacturing a lens array, of the resist R1 of the
但し、本ステップS23において、レンズ面用のマスクM2は、ステップS13におけるそれと比較して90°回転した状態でマスクステージ14bに配置されている。これは、基板11の表面のシリンドリカルレンズ面の母線方向と基板11の裏面のシリンドリカルレンズ面の母線方向とを90°回転させるためである。
(図4ステップS24)
ステップS14と同様に、レジストR1の現像、及びドライエッチングが行われる。これによって、基板11の裏面には、凹部11a’及びシリンドリカルレンズ面が現れる。However, in this step S23, the mask M2 for the lens surfaces is arranged on the
(FIG. 4, step S24)
Similar to step S14, development of the resist R1 and dry etching are performed. As a result, the
以上のステップS21〜S24が、基板11の裏面11A’の加工手順(図4ステップS2)である。
その後、図8の外側の細実線で示すとおり、基板11の有効領域E及び凹部11aの周辺の不要な部分が切り落とされると、図1に示したシリンドリカルマイクロレンズアレイ11が完成する。The above steps S21 to S24 are the processing procedure of the
Thereafter, as shown by the thin solid line on the outside of FIG. 8, when the unnecessary area around the effective area E and the
以上説明したとおり、シリンドリカルマイクロレンズアレイ11の製造では、基板11の外形を基準としたフォトリソグラフィーが適用されたので、シリンドリカルマイクロレンズアレイ11の表面11Aにおけるシリンドリカルレンズ面とマーク11a−2との位置関係は、所定の位置関係に正確に合わせられる。
また、マーク11a−2は、クロムパターンからなるので、その外形(エッジ)がシャープ(高コントラスト)である。As described above, in the manufacture of the
Further, since the
同様に、シリンドリカルマイクロレンズアレイ12も上述のとおりに製造される。
シリンドリカルレンズアレイ11,12の双方が完成すると、シリンドリカルマイクロレンズアレイ11,12の位置合わせが行われる。
先ず、位置合わせの作業者は、シリンドリカルマイクロレンズアレイ11,12を、マーク11a−2、マーク12a−2が重なるようにして位置決めして重ね合わせる。Similarly, the
When both the
First, the alignment operator positions and superimposes the
その様子は、図9(a),(b)に示すとおりであり、作業者は、シリンドリカルマイクロレンズアレイ12の表面12A又は裏面12A’の側から、シリンドリカルマイクロレンズアレイ11,12の凹部11a,12aを光学顕微鏡で観察する。図9において符号30aで示すのは、光学顕微鏡の対物レンズである。ここでは、裏面12A’の側から観察する場合を説明する。 The state is as shown in FIGS. 9A and 9B, and the operator can form the
作業者は、シリンドリカルマイクロレンズアレイ12のマーク12a−2を観察するために、光学顕微鏡を操作し、対物レンズ30aの焦点を、図9(a)に示すように、シリンドリカルマイクロレンズアレイ12の凹部12aの底面12a−1の近傍に合わせる。
ここで、底面12a−1は平面である。また、底面12a−1から対物レンズ30aに至る光路には、凹部12a’の底面12a’−1が存在するが、底面12a’−1は平面である。The operator operates the optical microscope to observe the
Here, the
よって、マーク12a−2の近傍を経た光線の多くは、それら面において殆ど屈折作用を受けることなく対物レンズ30aによって取り込まれる。また、クロムパターンからなるマーク12a−2のエッジは、シャープである。したがって、光学顕微鏡は、図9(a)の上部に示すように、マーク12a−2を鮮明に結像することができる。また、マーク12a−2の像は、シリンドリカルマイクロレンズアレイ12の屈折作用を受けることなく、ゆがむことなく光学顕微鏡で観察することができる。 Therefore, most of the light rays that have passed through the vicinity of the
作業者は、光学顕微鏡が結像するマーク12a−2を目視して、マーク12a−2の中心位置を検知する。
また、作業者は、シリンドリカルマイクロレンズアレイ11のマーク11a−2を観察するために、光学顕微鏡を操作し、対物レンズ30aの焦点を、図9(b)に示すように、シリンドリカルマイクロレンズアレイ11の凹部11aの底面11a−1の近傍に合わせる。The operator visually observes the
Further, the operator operates the optical microscope to observe the
ここで、底面11a−1は平面である。また、底面11a−1から対物レンズ30aに至る光路には、凹部11a’の底面11a’−1,凹部12aの底面12a−1,凹部12a’の底面12a’−1が存在するが、それらの面は、何れも平面である。
よって、マーク11a−2の近傍を経た光線の多くは、それら面において殆ど屈折作用を受けることなく対物レンズ30aによって取り込まれる。Here, the
Therefore, most of the light rays that have passed through the vicinity of the
また、クロムパターンからなるマーク11a−2のエッジは、シャープである。したがって、光学顕微鏡は、図9(b)の下部に示すように、マーク11a−2を鮮明に、かつゆがむことなく結像することができる。
作業者は、光学顕微鏡が結像するマーク11a−2を目視して、マーク11a−2の中心位置を検知する。The edge of the
The operator visually observes the
そして、検知したマーク11a−2の中心位置とマーク12a−2の中心位置とが近づくよう、作業者は、シリンドリカルマイクロレンズアレイ11,12の相対姿勢と相対位置とをそれぞれ調整する。
さらに、以上の検知及び調整は、シリンドリカルマイクロレンズアレイ11,12の他のマーク11a−2,マーク12a−2についても行われる。Then, the operator adjusts the relative posture and the relative position of the
Further, the above detection and adjustment are also performed on the
その結果、シリンドリカルマイクロレンズアレイ11,12の位置合わせが完了する。
ここで、シリンドリカルマイクロレンズアレイ11のシリンドリカルレンズ面とマーク11a−2との位置関係と、シリンドリカルマイクロレンズアレイ12のシリンドリカルレンズ面とマーク12a−2との位置関係とは、それぞれ所定の位置関係に正確に合わせられている。As a result, the alignment of the
Here, the positional relationship between the cylindrical lens surface of the
したがって、上述した位置合わせによると、シリンドリカルマイクロレンズアレイ11,12のシリンドリカルレンズ面同士を、極めて高精度(例えば、位置合わせ誤差10μm以下で)に位置合わせすることができる。
なお、位置合わせされた状態のシリンドリカルマイクロレンズアレイ11,12は、所定の保持具によって固定される。固定に当たっては、シリンドリカルマイクロレンズアレイ11,12の間隔調整も行われる。例えば、その間隔は、0.5mmに設定される。以上の作業によって、フライアイインテグレータ10(図1参照)が完成する。Therefore, according to the above-described alignment, the cylindrical lens surfaces of the
The aligned
このように、高精度な位置合わせの手順を経て完成したフライアイインテグレータ10は、高性能である。
[第2実施形態]
以下、図10を参照して本発明の第2実施形態を説明する。
本実施形態は、投影露光装置の実施形態である。Thus, the
[Second Embodiment]
Hereinafter, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
This embodiment is an embodiment of a projection exposure apparatus.
図10に示すように、本投影露光装置には、照明装置50、レチクルRなどのマスク(以下、レチクルRとする。)を支持するマスクステージ51、投影光学系54、ウエハWを支持するウエハステージ52、制御部53などが備えられる。
照明装置50には、光源50a、1対のシリンドリカルレンズ50b,50c、折り曲げミラー50d、回折光学素子50e、アフォーカルズームレンズ50f、輪帯照明用回折光学素子50g、ズームレンズ50h、フライアイインテグレータ10、開口絞り50i、コンデンサレンズ50j、折り曲げミラー50kなどが備えられる。As shown in FIG. 10, the projection exposure apparatus includes an
The
光源50aは、例えば248nm(KrF)又は193nm(ArF)の波長の光を供給するエキシマレーザ光源である。
シリンドリカルレンズ50bは、両凹であり、シリンドリカルレンズ50cは両凸である。これらのシリンドリカルレンズ50b,50cは、互いの母線が90°回転するように配置されており、光源21からの射出光束の径を拡大するビームエキスパンダの働きと、その断面を所定形状の断面(例えば、正方形状の断面)に整形する整形光学系の働きとを有する。The
The
回折光学素子50eは、アフォーカルズームレンズ50fの瞳面に所定形状(例えば、輪帯状)の光源像を形成するための回折光学素子である。
アフォーカルズームレンズ50fは、アフォーカル系(無焦点光学系)を維持しながら所定の範囲内でその倍率を連続的に変化させることのできるズームレンズである。
輪帯照明用回折光学素子50gは、平行光束が入射した場合にそのフィールドにリング状の光強度分布を形成する機能を有する。The diffractive
The
The annular illumination diffractive
ズームレンズ50hは、所定範囲内で焦点距離を連続的に変化させることのできるリレー光学系であり、輪帯照明用回折光学素子50gの回折面で回折した光束を集光して、フライアイインテグレータ10の入射面に光軸を中心とした輪帯状の照野を形成する。
ズームレンズ50hは、後側にテレセントリックである。上述の共役関係及びテレセントリシティを満足するため、ズームレンズ50hは、少なくとも3つのレンズ群が独立に移動可能な多群ズームレンズとなっている。The
The
フライアイインテグレータ10は、第1実施形態にて製造された高性能なフライアイインテグレータである。このフライアイインテグレータ10には、相対姿勢と相対位置とがそれぞれ予め調整された1対のシリンドリカルマイクロレンズアレイ11,12を有している。
開口絞り50iは、フライアイインテグレータ10の射出面の近傍に配置され、かつサイズ可変の輪帯状の開口を有している。The
The
マスクステージ51は、投影光学系54の物体面においてレチクルRを移動可能に支持する。
ウエハステージ52は、投影光学系54の像面においてウエハWを移動可能に支持する。
制御部53は、照明装置50、マスクステージ51、ウエハステージ52などの各部を制御する。例えば、制御部53は、ウエハステージ52を駆動して、投影光学系54の光軸と垂直な平面内(XY平面内)の所望の位置座標へとウエハWを移動させることができる。The
The
以上の構成の本投影露光装置における光の振る舞いは、次のとおりである。
光源50aからの射出光は、一対のシリンドリカルレンズ50b,50c、折り曲げミラー50d、回折光学素子50eを介して、適当な形状及びサイズの断面となってアフォーカルズームレンズ50fに入射し、そのアフォーカルズームレンズ50fの瞳面に輪帯状の強度分布を有した像を形成する。The behavior of light in the projection exposure apparatus having the above configuration is as follows.
Light emitted from the
その像からの射出光束は、ほぼ平行な光束となってアフォーカルズームレンズ50fから射出し、輪帯照明用回折光学素子50gに入射する。
輪帯照明用回折光学素子50gの入射面には、光軸に対して略同じ角度で光束が入射する。
輪帯照明用回折光学素子50gに入射した光束は、回折作用を受け、ズームレンズ50hの作用を受けて、光軸に対する角度における強度分布を調整する。The emitted light beam from the image becomes a substantially parallel light beam, is emitted from the
A light beam is incident on the incident surface of the annular illumination diffractive
The light beam incident on the annular illumination diffractive
そして、輪帯照明用回折光学素子50gからの射出光束は、ズームレンズ50hにより、フライアイインテグレータ10の入射面に輪帯状の照野を形成する。
フライアイインテグレータ10に入射した光束は、フライアイインテグレータ10の後側焦点面に、複数の光源像を並べて形成する。
これらの光源像の個々の形状は、フライアイインテグレータ10の入射面に形成される照野と相似形状である(以下、これらの光源像を、「二次光源」という。)。Then, the luminous flux emitted from the annular illumination diffractive
The light beam incident on the
The individual shapes of these light source images are similar to the illumination field formed on the incident surface of the fly eye integrator 10 (hereinafter, these light source images are referred to as “secondary light sources”).
個々の二次光源からの射出光束は、開口絞り50i、コンデンサレンズ50j、及び折り曲げミラー50kを介して、レチクルRを重畳的に照明する。
レチクルRを透過した光束は、投影光学系54によって結像され、ウエハWの所定領域をレチクルRのパターンで露光する。
この露光領域は、ウエハWがXY平面内で移動すると、ウエハWの上を移動する。制御部53は、ウエハWの位置座標を管理しながら照明装置50を駆動制御して、ウエハW上をレチクルRのパターンで逐次露光(ステップ・アンド・リピートによる露光)するか、或いは走査露光(スキャン露光)する。The luminous flux emitted from each secondary light source illuminates the reticle R in a superimposed manner via the
The light beam transmitted through the reticle R is imaged by the projection
This exposure area moves on the wafer W when the wafer W moves in the XY plane. The
以上、本投影露光装置の照明装置50には、上述した第1実施形態で製造した高性能なフライアイインテグレータ10が搭載されているので、レチクルRを照明する光の均一性は高く、光の利用効率も高い。つまり、照明装置50の性能は高い。
したがって、本投影露光装置は、レチクルRのパターンをウエハW上に高いコントラストで転写することができる。つまり、本投影露光装置は、スループットが高く、高性能である。As described above, since the high-performance
Therefore, the projection exposure apparatus can transfer the pattern of the reticle R onto the wafer W with high contrast. That is, this projection exposure apparatus has high throughput and high performance.
[その他]
なお、上述した第1実施形態では、光軸方向から見た凹部の形状が、円形とされているが(図2参照)、四角形など他の形状としてもよい。
また、上述した第1実施形態では、凹部の形成される面が、図9に示すように、シリンドリカルマイクロレンズアレイ11の表面11A及び裏面11A’、シリンドリカルマイクロレンズアレイ12の表面12A及び裏面12A’の全てとされたが、必ずしも全てで無くてよい。凹部は、少なくとも光学顕微鏡の光路になり得る箇所に設けられればよい。[Others]
In the first embodiment described above, the shape of the recess viewed from the optical axis direction is a circle (see FIG. 2), but may be another shape such as a rectangle.
Further, in the first embodiment described above, the surfaces on which the recesses are formed are the
例えば、図11(a)に示すように、シリンドリカルマイクロレンズアレイ11の表面11Aの側から観察することが決まっている場合は、シリンドリカルマイクロレンズアレイ12の裏面12A’の凹部12a’を省略することができる。
また、上述した第1実施形態では、シリンドリカルマイクロレンズアレイ12においてマークの形成される面は、表面12Aであるが、図11(b)に示すように、裏面12A’であってもよい。For example, as shown in FIG. 11A, when it is decided to observe from the
In the first embodiment described above, the surface on which the mark is formed in the
また、上述した第1実施形態では、シリンドリカルマイクロレンズアレイ11においてマークの形成される面は、表面11Aであるが、図11(c)に示すように裏面11A’であってもよい。
また、図11(c)に示すように、シリンドリカルマイクロレンズアレイ11においてマークの形成される面が裏面11A’であり、かつシリンドリカルマイクロレンズ11の表面11Aの側から観察することが決まっている場合は、シリンドリカルマイクロレンズアレイ12の裏面11A’の凹部12a’を省略できる。In the first embodiment described above, the surface on which the mark is formed in the
In addition, as shown in FIG. 11C, when the surface on which the mark is formed in the
また、上述した第1実施形態においては、シリンドリカルレンズ面の形成に用いられるグレースケールマスク(レンズ面用のマスクM2)は、図7(b)に示すものに限定されることはなく、必要な透過率分布が付けられていれば、他の開口タイプのグレースケールマスクが用いられてもよい。
また、投影光学系14hをデフォーカスするなどの露光方法を採用し、より滑らかな形状のシリンドリカルレンズ面を得てもよい。また、2種類以上のマスクを用いた多重露光を採用することによって、シリンドリカルレンズ面の形状精度を高めてもよい。In the first embodiment described above, the gray scale mask (lens surface mask M2 ) used for forming the cylindrical lens surface is not limited to that shown in FIG. Other aperture type gray scale masks may be used as long as the transmittance distribution is provided.
An exposure method such as defocusing the projection
また、上述した第1実施形態においては、マークの線幅を、0.002±0.0005mmとしたが(図12(a))、例えば、図12(b)に示すように、0.01±0.0005mmなど他の線幅にしてもよい。
また、上述した第1実施形態においては、図12(a),(b)に示すように、マークのパターン形状を、十字状としたが、図12(c),(d)に示すように、マークのパターン形状を×字状としてもよい。In the first embodiment described above, the line width of the mark is 0.002 ± 0.0005 mm (FIG. 12A). For example, as shown in FIG. Other line widths such as ± 0.0005 mm may be used.
In the first embodiment described above, the pattern shape of the mark is a cross shape as shown in FIGS. 12A and 12B, but as shown in FIGS. 12C and 12D. The pattern shape of the mark may be an X shape.
また、上述した第1実施形態においては、凹部、マーク、シリンドリカルレンズ面の全てをフォトリソグラフィーによって形成したが、一部又は全部を他の加工技術によって形成してもよい。
例えば、図12(e)に示すように、マークの形成を、先端の尖った工具で凹部の底面を彫刻することによって実現してもよい。但し、フォトリソグラフィーによって形成する方が、マークの位置精度や形状精度を高めることができるので好ましい。In the first embodiment described above, all of the recesses, marks, and cylindrical lens surfaces are formed by photolithography, but some or all of them may be formed by other processing techniques.
For example, as shown in FIG. 12 (e), the formation of the mark may be realized by engraving the bottom surface of the recess with a tool having a sharp tip. However, it is preferable to form by photolithography because the position accuracy and shape accuracy of the mark can be increased.
また、マークとシリンドリカルレンズ面との位置関係を正確に所定の位置関係にするために、マークとシリンドリカルレンズ面とは共通の製造装置を用いたフォトリソグラフィーによって形成されることが望ましい。
また、上述した第1実施形態においては、図12(f)に示すように、マークを省略し、マークの代わりに凹部の外形(エッジ)を光学顕微鏡で検知し、その凹部の中心位置を検知することによって、シリンドリカルマイクロレンズアレイ11とシリンドリカルマイクロレンズアレイ12との位置合わせをしてもよい。Further, in order to accurately set the positional relationship between the mark and the cylindrical lens surface to a predetermined positional relationship, it is desirable that the mark and the cylindrical lens surface be formed by photolithography using a common manufacturing apparatus.
Further, in the first embodiment described above, as shown in FIG. 12 (f), the mark is omitted, the outer shape (edge) of the recess is detected with an optical microscope instead of the mark, and the center position of the recess is detected. By doing so, the
その場合、光軸方向から見た凹部の形状を、中心位置の検知を容易化するような形状(例えば、十字状)などに設定してもよい。但し、マークの方が高コントラストなので、高精度な検知を行うためには、マークを利用する方が好ましい。
なお、以上のように、本発明の実施形態では、シリンドリカルマイクロレンズアレイ11の光学面形成前の基板面とほぼ同じ方向を向いている平面にマークを形成することで、マーク観察時にマークの像を歪まずに観察できるようにしている。In that case, the shape of the concave portion viewed from the optical axis direction may be set to a shape that facilitates detection of the center position (for example, a cross shape). However, since the mark has a higher contrast, it is preferable to use the mark in order to perform highly accurate detection.
As described above, in the embodiment of the present invention, the mark image is formed at the time of mark observation by forming the mark on a plane that faces substantially the same direction as the substrate surface of the
ゆえに、上述の実施形態のように、周囲に比べて低くなっている凹部を形成せずとも、シリンドリカルマイクロレンズアレイ11のレンズアレイの形成領域中で平面となっている領域にアライメントマークを直接設けてもよい。
更に、シリンドリカルマイクロレンズアレイ11のレンズアレイの形成領域中にマークを設けることのできる本発明は、次の利点を有する。すなわち、仮に、シリンドリカルマイクロレンズアレイ11の加工方法が、レンズアレイとして必要な領域よりも広い加工領域を必要とする方法であったとしても適用可能となる。つまり、本発明は、マークを設けるに当たって、適用可能な加工方法を限定する必要が無くなるという利点を有する。Therefore, as in the above-described embodiment, an alignment mark is directly provided in a planar area in the lens array formation area of the
Furthermore, the present invention in which a mark can be provided in the lens array forming region of the
また、上述した第1実施形態においては、フライアイインテグレータ10の製造方法や、シリンドリカルマイクロレンズアレイ11の製造方法に本発明を適用した場合を説明したが、それと同様に、周期構造の光学面を有した他の種類の光学素子の製造にも、本発明は適用可能である。他の種類の光学素子とは、例えば、少なくとも一方の面が凹面となったシリンドリカルマイクロレンズアレイ、少なくとも一方の面が平面となったシリンドリカルマイクロレンズアレイ、複数の刻線が表面に形成された回折格子などである。 In the above-described first embodiment, the case where the present invention is applied to the manufacturing method of the
10 フライアイインテグレータ
11,12 シリンドリカルマイクロレンズアレイ(基板)
11A,12A 表面
11A’,12A’ 裏面
11a,12a 凹部
11a−1,11a’−1,12a−1,12a’−1 底面
11a−2,12a−2 マーク
14a 照明装置
14b,51 マスクステージ
14h,54 投影光学系
14e,52 ウエハステージ
14f,53 制御部
14a−1,50a 光源
14a−2 コリメータレンズ
50b,50c シリンドリカルレンズ
14a−3 フライアイインテグレータ
50g 輪帯照明用回折光学素子
10 フライアイインテグレータ
14a−4,50j コンデンサレンズ
14a−5,50d,50k 折り曲げミラー
50e 回折光学素子
50f アフォーカルズームレンズ
50h ズームレンズ
M1 凹部用のマスク
M2 レンズ面用のマスク
M3 マーク用のマスク
50i 開口絞り
50a 対物レンズ
10
11A,
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004339479AJP2006146083A (en) | 2004-11-24 | 2004-11-24 | Optical element manufacturing method, optical element, fly eye integrator manufacturing method, fly eye integrator, projection exposure apparatus illumination apparatus, and projection exposure apparatus |
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2004339479AJP2006146083A (en) | 2004-11-24 | 2004-11-24 | Optical element manufacturing method, optical element, fly eye integrator manufacturing method, fly eye integrator, projection exposure apparatus illumination apparatus, and projection exposure apparatus |
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2006146083Atrue JP2006146083A (en) | 2006-06-08 |
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004339479APendingJP2006146083A (en) | 2004-11-24 | 2004-11-24 | Optical element manufacturing method, optical element, fly eye integrator manufacturing method, fly eye integrator, projection exposure apparatus illumination apparatus, and projection exposure apparatus |
| Country | Link |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination | Free format text:JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date:20070828 | |
| A977 | Report on retrieval | Free format text:JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date:20100304 | |
| A131 | Notification of reasons for refusal | Free format text:JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date:20100309 | |
| A02 | Decision of refusal | Free format text:JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date:20100629 |