JP2004177286A - Wrist watch type temperature sensor - Google Patents

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To realize a temperature measuring function by forming a semiconductor material layer on a glass face covering a time display face of a wrist watch, and by forming thereon a temperature sensor, a temperature detection circuit and a semiconductor memory in a membrane shape in micron order by a membrane formation process of a semiconductor device, almost without changing the thickness and the weight of the whole wrist watch from that of the conventional wrist watch. <P>SOLUTION: The semiconductor material layer is formed on the glass face of the wrist watch, and a transistor functioning as the temperature sensor, the temperature detection circuit for detecting the temperature by detecting the conduction state of the transistor, and the semiconductor memory for storing the temperature detected by the temperature detection circuit as temperature data are formed on the semiconductor material layer by the membrane formation process of the semiconductor device. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

Translated fromJapanese

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、腕時計型温度センサーに関し、さらに詳しくは、体温の測定を行う腕時計型温度センサーに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の腕時計型体温計として、水銀を用いた体温計を腕時計に搭載したものが知られている。この腕時計では、水銀溜まりが時計の裏側部分にあり、水銀溜まりから時計の表側の文字盤側へ細管が伸びている。腕時計を装着した状態において、水銀溜まりが手首に固定され、体温により水銀が温められて膨張し、細管内部の水銀の位置が変化する。細管内部の水銀の位置から体温を測定できるように、時計の文字盤上に温度を読み取るための目盛が刻まれており、その目盛から体温を測定するようにしている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】
特開平１１−４４７７９号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような腕時計型体温計においては、水銀溜まりや細管等の部品を腕時計に追加するため、腕時計全体の厚みが増加し、重くなる。
【０００５】
また、測定者自身が水銀位置と目盛をもとに、体温を読み取る必要があるため、測定者が別の作業をしながら体温を測定することができない。あるいは測定者が睡眠中に測定できない。そのため、体温に異常があった場合に、すぐに測定できずに、発見が遅れるという問題があった。
【０００６】
本発明は、このような事情を考慮してなされたもので、腕時計の時刻表示面を覆うガラス面に半導体材料層を形成し、その上に半導体デバイスの薄膜形成プロセスにより、ミクロンオーダーの薄膜状に、温度センサー、温度検出回路、および半導体メモリーを形成し、これにより腕時計全体の厚みや重量を従来の腕時計とほとんど変えることなく、温度測定機能を実現することを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、腕時計のガラス面に半導体材料層を形成し、その半導体材料層上に、半導体デバイスの薄膜形成プロセスにより、温度センサーとして機能するトランジスタと、そのトランジスタの導通状態を検出することで温度を検出する温度検出回路と、温度検出回路によって検出された温度を温度データとして記憶する半導体メモリーとを形成してなる腕時計型温度センサーである。
【０００８】
本発明によれば、腕時計のガラス面に半導体材料層が形成され、その上に、半導体デバイスの薄膜形成プロセスにより、温度センサー、温度検出回路、および半導体メモリーが、ミクロンオーダーの薄膜状に形成されるので、腕時計全体の厚みや重量を従来の腕時計とほとんど変えることなく、温度測定機能を付加することができる。
【０００９】
また、測定された温度データが半導体メモリーに保存されるため、測定者が別の作業をしながら体温を測定することが可能であり、測定者が睡眠中でも測定可能である。
【００１０】
【発明の実施の形態】
本発明において、半導体材料層は、腕時計のガラス面に形成されていればよい。ガラス面としては、特に限定されず、文字盤や液晶表示面を覆うガラス面や、腕時計の裏面にガラス板を用いているものであれば、そのガラス板の面であってもよい。そして、半導体材料層は、例えば腕時計の文字盤や液晶表示面を覆うガラスの外側面上に形成されていてもよいし、ガラスの内側面上に形成されていてもよい。半導体材料層をガラス面に形成するのは、絶縁性と層形成時の耐熱性の観点からであり、この条件が満たされれば、合成樹脂、その他の材料上に形成してもよい。
【００１１】
半導体材料層に用いる半導体材料としては、当該分野で公知の、例えば、連続粒界結晶シリコン（ＣＧシリコン）のような半導体材料を適用することができる。半導体材料層は、例えば、蒸着法、スパッタリング法等の当該分野で公知の半導体デバイスの薄膜形成プロセスを用いることで形成することができる。
【００１２】
トランジスタは、温度センサーとして機能するものであればよい。温度検出回路は、そのトランジスタの導通状態を検出することで温度を検出できるものであればよい。半導体メモリーは、温度検出回路によって検出された温度を温度データとして記憶できるものであればよい。
【００１３】
これらのトランジスタと、温度検出回路と、半導体メモリーとは、半導体材料層上に、半導体デバイスの薄膜形成プロセスにより、ミクロンオーダーの膜厚で形成できるものであればよく、いずれも当該分野で公知の材料と方法を用いて形成することができる。
【００１４】
腕時計は、ガラス面を有する液晶表示板を備え、その液晶表示板に液晶表示が可能なものであってもよく、その場合には、半導体材料層をその液晶表示板のガラス面に形成し、その半導体材料層上に温度センサーと、温度検出回路と、半導体メモリーとを形成してもよい。そしてこの場合、半導体材料層上に、液晶表示板を駆動するための液晶駆動回路を形成してもよい。
【００１５】
上記構成においては、温度センサーが形成されたガラス面または液晶表示板のガラス面を手首に接触させた状態で固定するためのリストバンドをさらに設けた構成とすることが望ましい。また、アラーム出力機能や通信機能をさらに設けた構成としてもよい。このように、アラーム出力機能や通信機能を設けた場合には、体温に異常があった場合に、警告音を発して測定者に知らせたり、半導体メモリーに保存されたデータを、通信機能を用いてパソコンに取り込んでデータ管理したり、取り込んだデータをネットワークで医療機関に送り、専門医のアドバイスを受けることも可能である。
【００１６】
以下、図面に示す実施の形態に基づいてこの発明を詳述する。なお、この発明はこれによって限定されるものではなく、各種の変形が可能である。
【００１７】
実施例１
図１（ａ）および図１（ｂ）は本発明による腕時計型温度センサーの実施例１の構成を示す説明図である。
これらの図において、１０は腕時計のガラス、１１は温度表示部、１２ａは警告音発生器（アラーム出力機能）、１２ｂは赤外線通信器（通信機能）、１３は温度センサー、１４は温度検出回路、１５は半導体メモリー、１６はリストバンド、１７はＣＧシリコン層（連続粒界結晶シリコン層）である。
【００１８】
本腕時計型温度センサーは、腕時計の文字盤を覆うガラス１０の外側面に温度センサーを設けた構成となっている。すなわち、腕時計のガラス１０面上にＣＧシリコン層１７が形成され、そのＣＧシリコン層１７上に、半導体デバイスの薄膜形成プロセスにより、温度センサー１３、温度検出回路１４、半導体メモリー１５が形成されている。
【００１９】
ＣＧシリコン層１７は、例えば、蒸着法、スパッタリング法等の当該分野で公知の半導体デバイスの薄膜形成プロセスで形成する。
【００２０】
温度センサー１３は、シリコントランジスタのベース・エミッタ間の順方向の立ち上がり電圧Ｖ_ＢＥが温度変化に対してほぼ直線的に変化する現象を利用したもので、−３０〜１００℃程度までの温度を測定することが可能である。
【００２１】
温度検出回路１４は、このシリコントランジスタのベース・エミッタ間の順方向の立ち上がり電圧Ｖ_ＢＥをデジタルデータに変換することで温度検出を行う。
【００２２】
半導体メモリー１５は、この温度検出回路１４で変換されたデジタルデータを温度データとして記憶する。
【００２３】
警告音発生器１２ａは、温度検出回路１４で検出した温度が、使用者によって指定された温度になると、例えば電子ブザー音のような警告音を発生する。
【００２４】
赤外線通信器１２ｂは、半導体メモリー１５に記憶された温度データを、例えばパソコンなどに送ることができるようになっている。
【００２５】
ＣＧシリコン層１７、温度センサー１３、温度検出回路１４、半導体メモリー１５は、ガラス１０面上にミクロンオーダーの薄膜状に形成されているため、腕時計全体の厚み、および重量をほとんど変えることなく、温度測定機能を実現することが可能である。
【００２６】
図２は本腕時計型温度センサーを、文字盤の表示面を外側にして手首に装着した状態を示す説明図である。この図において、１８はリストバンドの止め具、１９は使用者の手首である。
【００２７】
本腕時計型温度センサーを、文字盤の表示面を外側にして手首に装着した状態、つまり時計の針を見ることができる状態にした場合には、もう一方の腕をガラス面の温度センサーに押し当てることで、体温を測定することが可能である。
【００２８】
この状態では、別の作業をしながらの測定や睡眠中の測定はできないが、体温を測定しない場合に通常の腕時計として使用することができる。
【００２９】
図３は本腕時計型温度センサーを、文字盤の表示面を内側にして手首に装着した状態を示す説明図である。
腕時計型温度センサーを、文字盤の表示面を内側にして手首に装着した状態、つまり時計の針を見ることができない状態にした場合には、ガラス面の温度センサーが常に手首に押し当てられた状態となる。測定した体温データは半導体メモリー１５に保存されるため、別の作業をしながら、あるいは睡眠中でも体温を測定することが可能である。
【００３０】
この場合は、時計の針を見ることができないため、時計としては使用できないが、一般に体温の測定と時刻の確認を同時に行うことは稀であり、いずれか片方の機能をその都度選択して使用すればよく、実用上全く問題はない。逆にそのような形態にすることで、腕時計のガラスと、ＣＧシリコン層１７／温度センサー１３／温度検出回路１４／半導体メモリー１５を一体化できるため、腕時計全体の厚み、重量をほとんど変えることなく、体温測定機能を追加できるメリットがある。
【００３１】
このガラス面の温度センサー１３が常に手首に押し当てられた状態では、体温表示を読み取ることができないが、警告音発生装置１２ａを備えているので、体温に異常があった場合には、警告音を発して直ちに測定者に知らせることができ、体温異常の早期発見が可能である。
【００３２】
また、体温の異常に気がつきにくい乳幼児などに本腕時計型温度センサーを装着させておけば、体温異常の早期発見が可能となる。
【００３３】
さらに、半導体メモリー１５に保存されたデータを、赤外線通信器１２ｂにより、パソコンに取り込んでデータ管理したり、取り込んだデータをネットワークで医療機関に送り、専門医のアドバイスを受けることも可能である。
【００３４】
実施例２
図４（ａ）および図４（ｂ）は本発明による腕時計型温度センサーの実施例２の構成を示す説明図である。
本例では、腕時計の文字盤を覆うガラス１０の内側面に温度センサーを設けた構成となっている。すなわち、腕時計のガラス１０の内側面上にＣＧシリコン層１７が形成され、そのＣＧシリコン層１７上に、半導体デバイスの薄膜形成プロセスにより、温度センサー１３、温度検出回路１４、半導体メモリー１５が形成されている。１２は警告音発生器１２ａと赤外線通信器１２ｂを示す。
【００３５】
本構成では、ＣＧシリコン層１７、温度センサー１３、温度検出回路１４、および半導体メモリー１５が、時計外部に露出されないため、埃や汚れが付きにくいという利点がある。ただし、体温測定時に測定箇所の熱がガラスに吸収されると、正確な体温測定できない。このため、ガラス１０の厚みを薄くすることにより、体温がガラスに吸収されにくい構造としている。
体温の測定原理、使用方法などは実施例１と同様である。
【００３６】
実施例３
図５（ａ）および図５（ｂ）は本発明による腕時計型温度センサーの実施例３の構成を示す説明図である。
本例では、腕時計内にガラス面を有する液晶表示板２０が配置され、その液晶表示板２０に時刻を表示する構成となっている。そして、液晶表示板２０のガラス面上にＣＧシリコン層１７が形成され、そのＣＧシリコン層１７上に半導体デバイスの薄膜形成プロセスにより、温度センサー１３、温度検出回路１４、半導体メモリー１５が形成されている。また、液晶表示板２０のＣＧシリコン層１７を形成した反対面のガラス面に、液晶表示板２０を駆動するための液晶駆動回路２１が形成されている。
【００３７】
図６は実施例３の液晶表示の腕時計型温度センサーを、液晶表示面を外側にして手首に装着した状態を示す説明図であり、図７は液晶表示面を内側にして手首に装着した状態を示す説明図である。
体温の測定原理、使用方法、長所は実施例１と同様である。
【００３８】
実施例４
図８（ａ）および図８（ｂ）は本発明による腕時計型温度センサーの実施例４の構成を示す説明図である。
本例では、腕時計内にガラス面を有する液晶表示板２０が配置され、その液晶表示板２０に時刻を表示する構成となっている。そして、液晶表示板２０のガラス面上にＣＧシリコン層１７が形成され、そのＣＧシリコン層１７上に半導体デバイスの薄膜形成プロセスにより、温度センサー１３、温度検出回路１４、半導体メモリー１５が形成されている。また、ＣＧシリコン層１７に、液晶表示板２０を駆動するための液晶駆動回路２１が形成されている。
【００３９】
本構成では、液晶駆動回路をＣＧシリコン層２０上に薄膜状に形成しているので、実施例３に比べ全体の厚みを薄型化でき、軽量化できるというメリットがある。
体温の測定原理、使用方法などは実施例３と同様である。
【００４０】
このようにして、腕時計の時刻表示面を覆うガラス面にＣＧシリコン層を形成し、その上に半導体デバイスの薄膜形成プロセスにより、ミクロンオーダーの薄膜状に、温度センサー、温度検出回路、および半導体メモリーを形成することにより、腕時計全体の厚みや重量を従来の腕時計とほとんど変えることなく、温度測定機能を付加することができる。
【００４１】
また、警告音発生装置を備えているので、体温に異常があった場合には、警告音を発して直ちに測定者に知らせることができ、体温異常の早期発見が可能である。
【００４２】
さらに、半導体メモリーに保存されたデータを、赤外線通信器により、パソコンに取り込んでデータ管理したり、取り込んだデータをネットワークで医療機関に送り、専門医のアドバイスを受けることも可能である。
【００４３】
【発明の効果】
本発明によれば、腕時計のガラス面に半導体材料層を形成し、その上に、半導体デバイスの薄膜形成プロセスにより、温度センサー、温度検出回路、および半導体メモリーを、ミクロンオーダーの薄膜状に形成するので、腕時計全体の厚みや重量を従来の腕時計とほとんど変えることなく、温度測定機能を付加することができる。また、測定した温度データを半導体メモリーに保存するので、測定者が別の作業をしながら体温を測定することが可能であり、測定者が睡眠中でも測定可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による腕時計型温度センサーの実施例１の構成を示す説明図である。
【図２】本腕時計型温度センサーを、文字盤の表示面を外側にして手首に装着した状態を示す説明図である。
【図３】本腕時計型温度センサーを、文字盤の表示面を内側にして手首に装着した状態を示す説明図である。
【図４】本発明による腕時計型温度センサーの実施例２の構成を示す説明図である。
【図５】本発明による腕時計型温度センサーの実施例３の構成を示す説明図である。
【図６】実施例３の液晶表示の腕時計型温度センサーを、液晶表示面を外側にして手首に装着した状態を示す説明図である。
【図７】実施例３の液晶表示の腕時計型温度センサーを、液晶表示面を内側にして手首に装着した状態を示す説明図である。
【図８】本発明による腕時計型温度センサーの実施例４の構成を示す説明図である。
【符号の説明】
１０ 腕時計のガラス
１１ 温度表示部
１２ａ 警告音発生器
１２ｂ 赤外線通信器
１３ 温度センサー
１４ 温度検出回路
１５ 半導体メモリー
１６ リストバンド
１７ ＣＧシリコン層
１８ リストバンドの止め具
１９ 使用者の手首
２０ 液晶表示板
２１ 液晶駆動回路[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a wristwatch-type temperature sensor, and more particularly, to a wristwatch-type temperature sensor for measuring body temperature.
[0002]
[Prior art]
As a conventional wristwatch-type thermometer, a wristwatch equipped with a thermometer using mercury is known. In this wristwatch, the mercury pool is located on the back side of the watch, and a thin tube extends from the mercury pool to the dial side on the front side of the watch. In a state where the wristwatch is worn, the mercury pool is fixed to the wrist, the mercury is heated by the body temperature and expands, and the position of the mercury inside the thin tube changes. A scale for reading the temperature is engraved on the dial of the watch so that the body temperature can be measured from the position of mercury inside the thin tube, and the body temperature is measured from the scale (for example, see Patent Document 1). ).
[0003]
[Patent Document 1]
JP-A-11-44779
[Problems to be solved by the invention]
However, in such a wristwatch-type thermometer, since parts such as a mercury reservoir and a thin tube are added to the wristwatch, the thickness of the entire wristwatch increases and becomes heavy.
[0005]
Further, since the measurer himself needs to read the body temperature based on the mercury position and the scale, the measurer cannot measure the body temperature while performing another operation. Alternatively, the measurer cannot measure during sleep. Therefore, when there is an abnormality in the body temperature, there is a problem that the measurement cannot be performed immediately, and the detection is delayed.
[0006]
The present invention has been made in view of such circumstances. A semiconductor material layer is formed on a glass surface covering a time display surface of a wristwatch, and a thin film of micron order is formed thereon by a thin film forming process of a semiconductor device. In addition, a temperature sensor, a temperature detection circuit, and a semiconductor memory are formed, thereby realizing a temperature measurement function without substantially changing the thickness and weight of the entire wristwatch from those of a conventional wristwatch.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
According to the present invention, a semiconductor material layer is formed on a glass surface of a wristwatch, a transistor functioning as a temperature sensor is formed on the semiconductor material layer by a thin film formation process of a semiconductor device, and a conduction state of the transistor is detected to detect a temperature. And a semiconductor memory that stores the temperature detected by the temperature detection circuit as temperature data.
[0008]
According to the present invention, a semiconductor material layer is formed on a glass surface of a wristwatch, and a temperature sensor, a temperature detection circuit, and a semiconductor memory are formed on the glass surface of the wristwatch in a micron-order thin film by a thin-film forming process. Therefore, the temperature measuring function can be added without changing the thickness and weight of the entire wristwatch from those of the conventional wristwatch.
[0009]
In addition, since the measured temperature data is stored in the semiconductor memory, it is possible for the measurer to measure the body temperature while performing another operation, and the measurement can be performed even while the measurer is sleeping.
[0010]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
In the present invention, the semiconductor material layer may be formed on the glass surface of the wristwatch. The glass surface is not particularly limited, and may be a glass surface covering a dial or a liquid crystal display surface, or a glass plate surface as long as a glass plate is used on the back surface of a wristwatch. The semiconductor material layer may be formed, for example, on the outer surface of glass that covers a dial or a liquid crystal display surface of a wristwatch, or may be formed on the inner surface of glass. The semiconductor material layer is formed on the glass surface from the viewpoint of insulating properties and heat resistance at the time of forming the layer. If this condition is satisfied, the semiconductor material layer may be formed on a synthetic resin or another material.
[0011]
As a semiconductor material used for the semiconductor material layer, a semiconductor material known in the art, such as continuous grain crystal silicon (CG silicon), can be used. The semiconductor material layer can be formed by using a known semiconductor device thin film formation process such as an evaporation method or a sputtering method.
[0012]
The transistor may function as a temperature sensor. The temperature detection circuit may be any circuit that can detect the temperature by detecting the conduction state of the transistor. The semiconductor memory only needs to be able to store the temperature detected by the temperature detection circuit as temperature data.
[0013]
These transistors, the temperature detection circuit, and the semiconductor memory are not particularly limited as long as they can be formed on the semiconductor material layer to a thickness on the order of microns by a thin film formation process of a semiconductor device. It can be formed using materials and methods.
[0014]
The watch may include a liquid crystal display panel having a glass surface, and the liquid crystal display panel may be capable of performing liquid crystal display. In that case, a semiconductor material layer is formed on the glass surface of the liquid crystal display panel, A temperature sensor, a temperature detection circuit, and a semiconductor memory may be formed on the semiconductor material layer. In this case, a liquid crystal driving circuit for driving the liquid crystal display panel may be formed over the semiconductor material layer.
[0015]
In the above configuration, it is preferable to further provide a wristband for fixing the glass surface on which the temperature sensor is formed or the glass surface of the liquid crystal display panel in contact with the wrist. Further, a configuration in which an alarm output function and a communication function are further provided may be adopted. When an alarm output function or communication function is provided in this way, a warning sound is issued to notify the measurer when there is an abnormality in the body temperature, or the data stored in the semiconductor memory is used by the communication function. The data can be downloaded to a personal computer for data management, or the captured data can be sent to a medical institution over a network for advice from a specialist.
[0016]
Hereinafter, the present invention will be described in detail based on an embodiment shown in the drawings. The present invention is not limited to this, and various modifications are possible.
[0017]
Example 1
FIGS. 1A and 1B are explanatory views showing the configuration of a wristwatch-type temperature sensor according to a first embodiment of the present invention.
In these figures, 10 is a wristwatch glass, 11 is a temperature display unit, 12a is a warning sound generator (alarm output function), 12b is an infrared communication device (communication function), 13 is a temperature sensor, 14 is a temperature detection circuit,Reference numeral 15 denotes a semiconductor memory, 16 denotes a wristband, and 17 denotes a CG silicon layer (continuous grain crystal silicon layer).
[0018]
The wristwatch type temperature sensor has a configuration in which a temperature sensor is provided on an outer surface of aglass 10 that covers a dial of a wristwatch. That is, theCG silicon layer 17 is formed on the surface of theglass 10 of the wristwatch, and thetemperature sensor 13, thetemperature detection circuit 14, and thesemiconductor memory 15 are formed on theCG silicon layer 17 by a thin film forming process of a semiconductor device. .
[0019]
TheCG silicon layer 17 is formed by a semiconductor device thin film formation process known in the art, such as an evaporation method or a sputtering method.
[0020]
Temperature sensor 13 is intended to forward rise voltage V_BE between the base and emitter of the silicon transistors using a phenomenon which varies substantially linearly with respect to temperature changes, measure the temperature of up to about -30 to 100 ° C. It is possible to do.
[0021]
Temperature detection circuit 14 performs temperature detection by converting a forward rise voltage V_BE between the base and emitter of the silicon transistor to digital data.
[0022]
Thesemiconductor memory 15 stores the digital data converted by thetemperature detection circuit 14 as temperature data.
[0023]
When the temperature detected by thetemperature detection circuit 14 reaches a temperature specified by the user, thewarning sound generator 12a generates a warning sound such as an electronic buzzer sound.
[0024]
Theinfrared communication device 12b can send the temperature data stored in thesemiconductor memory 15 to, for example, a personal computer.
[0025]
Since theCG silicon layer 17, thetemperature sensor 13, thetemperature detection circuit 14, and thesemiconductor memory 15 are formed on the surface of theglass 10 in the form of a thin film on the order of microns, the temperature and the temperature of the entire wristwatch are hardly changed. It is possible to realize a measurement function.
[0026]
FIG. 2 is an explanatory diagram showing a state in which the wristwatch-type temperature sensor is mounted on the wrist with the display surface of the dial facing outward. In this figure,reference numeral 18 denotes a wristband stopper, andreference numeral 19 denotes a user's wrist.
[0027]
When the watch-type temperature sensor is attached to the wrist with the dial display surface facing out, that is, in a state where the hands of the watch can be seen, push the other arm against the temperature sensor on the glass surface. By touching, it is possible to measure body temperature.
[0028]
In this state, measurement while performing another operation or measurement during sleep cannot be performed, but when the body temperature is not measured, the watch can be used as a normal wristwatch.
[0029]
FIG. 3 is an explanatory view showing a state in which the wristwatch-type temperature sensor is mounted on the wrist with the display surface of the dial facing inside.
When the wristwatch-type temperature sensor was worn on the wrist with the dial face inside, that is, the watch's hands could not be seen, the glass surface temperature sensor was always pressed against the wrist State. Since the measured body temperature data is stored in thesemiconductor memory 15, the body temperature can be measured while performing another operation or even during sleep.
[0030]
In this case, it is not possible to use the watch as a watch because you cannot see the hands of the watch, but it is rarely performed at the same time to measure the body temperature and check the time at the same time. It does not matter practically. Conversely, by adopting such a configuration, the glass of the wristwatch and theCG silicon layer 17 /temperature sensor 13 /temperature detection circuit 14 /semiconductor memory 15 can be integrated, so that the thickness and weight of the entire wristwatch are hardly changed. There is an advantage that a body temperature measurement function can be added.
[0031]
While thetemperature sensor 13 on the glass surface is constantly pressed against the wrist, the body temperature display cannot be read. However, since thewarning sound generator 12a is provided, if there is an abnormality in the body temperature, a warning sound is generated. And immediately notify the measurer, which enables early detection of abnormal body temperature.
[0032]
In addition, if the wristwatch-type temperature sensor is attached to an infant or the like who is unlikely to notice abnormal body temperature, early detection of abnormal body temperature becomes possible.
[0033]
Further, the data stored in thesemiconductor memory 15 can be taken into a personal computer by theinfrared communication device 12b for data management, or the taken data can be sent to a medical institution via a network to receive advice from a specialist.
[0034]
Example 2
FIGS. 4A and 4B are explanatory diagrams showing the configuration of a wristwatch-type temperature sensor according to a second embodiment of the present invention.
In this example, the temperature sensor is provided on the inner surface of theglass 10 covering the dial of the wristwatch. That is, theCG silicon layer 17 is formed on the inner surface of theglass 10 of the wristwatch, and thetemperature sensor 13, thetemperature detection circuit 14, and thesemiconductor memory 15 are formed on theCG silicon layer 17 by a semiconductor device thin film forming process. ing.Reference numeral 12 denotes awarning sound generator 12a and aninfrared communication device 12b.
[0035]
This configuration has an advantage that theCG silicon layer 17, thetemperature sensor 13, thetemperature detection circuit 14, and thesemiconductor memory 15 are not exposed to the outside of the timepiece, so that dust and dirt hardly adhere. However, if the heat at the measurement point is absorbed by the glass at the time of measuring the body temperature, accurate measurement of the body temperature cannot be performed. For this reason, by reducing the thickness of theglass 10, the body temperature is hardly absorbed by the glass.
The measurement principle of the body temperature, the method of use, and the like are the same as those in the first embodiment.
[0036]
Example 3
FIGS. 5A and 5B are explanatory diagrams showing the configuration of a wristwatch-type temperature sensor according to a third embodiment of the present invention.
In this example, a liquidcrystal display panel 20 having a glass surface is arranged in a wristwatch, and the time is displayed on theliquid crystal panel 20. Then, aCG silicon layer 17 is formed on the glass surface of the liquidcrystal display panel 20, and atemperature sensor 13, atemperature detection circuit 14, and asemiconductor memory 15 are formed on theCG silicon layer 17 by a thin film forming process of a semiconductor device. I have. Further, a liquidcrystal drive circuit 21 for driving the liquidcrystal display panel 20 is formed on the opposite glass surface of the liquidcrystal display panel 20 on which theCG silicon layer 17 is formed.
[0037]
FIG. 6 is an explanatory view showing a state in which the wristwatch-type temperature sensor of the liquid crystal display of the third embodiment is attached to the wrist with the liquid crystal display surface outside, and FIG. 7 is a state attached to the wrist with the liquid crystal display surface inside. FIG.
The principle of measuring the body temperature, the method of use, and the advantages are the same as those of the first embodiment.
[0038]
Example 4
8 (a) and 8 (b) are explanatory views showing the configuration of a wristwatch type temperature sensor according to a fourth embodiment of the present invention.
In this example, a liquidcrystal display panel 20 having a glass surface is arranged in a wristwatch, and the time is displayed on theliquid crystal panel 20. Then, aCG silicon layer 17 is formed on the glass surface of the liquidcrystal display panel 20, and atemperature sensor 13, atemperature detection circuit 14, and asemiconductor memory 15 are formed on theCG silicon layer 17 by a thin film forming process of a semiconductor device. I have. A liquidcrystal drive circuit 21 for driving the liquidcrystal display panel 20 is formed on theCG silicon layer 17.
[0039]
In this configuration, since the liquid crystal drive circuit is formed in a thin film on theCG silicon layer 20, there is an advantage that the overall thickness can be made thinner and lighter than in the third embodiment.
The measurement principle of the body temperature, the method of use, and the like are the same as in Example 3.
[0040]
Thus, a CG silicon layer is formed on the glass surface covering the time display surface of the wristwatch, and a temperature sensor, a temperature detection circuit, and a semiconductor memory are formed on the CG silicon layer by a thin film forming process of a semiconductor device. By forming, the temperature measuring function can be added without substantially changing the thickness and weight of the entire wristwatch from those of the conventional wristwatch.
[0041]
In addition, since a warning sound generation device is provided, when there is an abnormality in the body temperature, a warning sound can be emitted and the measurer can be immediately notified, and the abnormality in the body temperature can be detected early.
[0042]
Furthermore, the data stored in the semiconductor memory can be taken into a personal computer by an infrared communication device to manage the data, or the taken data can be sent to a medical institution via a network to receive advice from a specialist.
[0043]
【The invention's effect】
According to the present invention, a semiconductor material layer is formed on a glass surface of a wristwatch, and a temperature sensor, a temperature detection circuit, and a semiconductor memory are formed on the glass surface in a micron-order thin film by a semiconductor device thin film forming process. Therefore, a temperature measuring function can be added without substantially changing the thickness and weight of the entire wristwatch from those of the conventional wristwatch. In addition, since the measured temperature data is stored in the semiconductor memory, it is possible for the measurer to measure the body temperature while performing another operation, and the measurement can be performed even while the measurer is sleeping.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is an explanatory diagram showing the configuration of a wristwatch-type temperature sensor according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is an explanatory view showing a state in which the wristwatch-type temperature sensor is mounted on a wrist with the display surface of the dial facing outward.
FIG. 3 is an explanatory view showing a state in which the wristwatch-type temperature sensor is mounted on a wrist with the display surface of the dial facing inward.
FIG. 4 is an explanatory diagram showing a configuration of a wristwatch-type temperature sensor according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 5 is an explanatory view showing a configuration of a wristwatch-type temperature sensor according to a third embodiment of the present invention.
FIG. 6 is an explanatory view showing a state in which the wristwatch-type temperature sensor of the liquid crystal display according to the third embodiment is mounted on a wrist with the liquid crystal display surface outside.
FIG. 7 is an explanatory diagram showing a state in which the wristwatch-type temperature sensor of the liquid crystal display of Example 3 is mounted on a wrist with the liquid crystal display surface inside.
FIG. 8 is an explanatory diagram showing a configuration of a wristwatch-type temperature sensor according to a fourth embodiment of the present invention.
[Explanation of symbols]
REFERENCE SIGNSLIST 10watch glass 11temperature display section 12 awarning sound generator 12 binfrared communication device 13temperature sensor 14temperature detection circuit 15semiconductor memory 16wristband 17CG silicon layer 18wristband stopper 19user wrist 20 liquidcrystal display panel 21 LCD drive circuit

Claims (9)

Translated fromJapanese

腕時計のガラス面に半導体材料層を形成し、その半導体材料層上に、半導体デバイスの薄膜形成プロセスにより、温度センサーとして機能するトランジスタと、そのトランジスタの導通状態を検出することで温度を検出する温度検出回路と、温度検出回路によって検出された温度を温度データとして記憶する半導体メモリーとを形成してなる腕時計型温度センサー。A semiconductor material layer is formed on a glass surface of a wristwatch, a transistor functioning as a temperature sensor is formed on the semiconductor material layer by a thin film forming process of a semiconductor device, and a temperature at which a temperature is detected by detecting a conduction state of the transistor. A wristwatch-type temperature sensor including a detection circuit and a semiconductor memory that stores a temperature detected by the temperature detection circuit as temperature data.半導体材料層に用いられる半導体材料が連続粒界結晶シリコンからなる請求項１記載の腕時計型温度センサー。The wristwatch-type temperature sensor according to claim 1, wherein the semiconductor material used for the semiconductor material layer is made of continuous grain silicon.半導体材料層が、腕時計の時刻表示面を覆うガラスの外側面上に形成され、その半導体材料層上に温度センサーと、温度検出回路と、半導体メモリーとが形成されてなる請求項１記載の腕時計型温度センサー。The wristwatch according to claim 1, wherein the semiconductor material layer is formed on an outer surface of the glass covering a time display surface of the wristwatch, and a temperature sensor, a temperature detection circuit, and a semiconductor memory are formed on the semiconductor material layer. Type temperature sensor.半導体材料層が、腕時計の時刻表示面を覆うガラスの内側面上に形成され、その半導体材料層上に温度センサーと、温度検出回路と、半導体メモリーとが形成されてなる請求項１記載の腕時計型温度センサー。2. The wristwatch according to claim 1, wherein the semiconductor material layer is formed on an inner surface of glass covering a time display surface of the wristwatch, and a temperature sensor, a temperature detection circuit, and a semiconductor memory are formed on the semiconductor material layer. Type temperature sensor.腕時計がガラス面を有する液晶表示板を備えた腕時計からなり、半導体材料層がその液晶表示板のガラス面に形成され、その半導体材料層上に温度センサーと、温度検出回路と、半導体メモリーとが形成されてなる請求項１記載の腕時計型温度センサー。The wristwatch includes a wristwatch having a liquid crystal display panel having a glass surface, a semiconductor material layer is formed on a glass surface of the liquid crystal display panel, and a temperature sensor, a temperature detection circuit, and a semiconductor memory are formed on the semiconductor material layer. The wristwatch-type temperature sensor according to claim 1 formed.半導体材料層上に、液晶表示板を駆動するための液晶駆動回路が形成されてなる請求項５記載の腕時計型温度センサー。6. The wristwatch-type temperature sensor according to claim 5, wherein a liquid crystal drive circuit for driving a liquid crystal display panel is formed on the semiconductor material layer.温度センサーが形成されたガラス面または液晶表示板のガラス面を手首に接触させた状態で固定するためのリストバンドをさらに備えてなる請求項３または５記載の腕時計型温度センサー。The wristwatch-type temperature sensor according to claim 3 or 5, further comprising a wristband for fixing the glass surface on which the temperature sensor is formed or the glass surface of the liquid crystal display panel in contact with the wrist.アラーム出力機能をさらに備えてなる請求項１記載の腕時計型温度センサー。The wristwatch-type temperature sensor according to claim 1, further comprising an alarm output function.通信機能をさらに備えてなる請求項１記載の腕時計型温度センサー。The wristwatch-type temperature sensor according to claim 1, further comprising a communication function.

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