【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、液晶ディスプレ
イやプラズマディスプレイなどのフラットパネルディス
プレイなどの製造工程において、露光対象基板であるガ
ラス基板やカラーフィルタなどの面上にパターンを形成
する露光装置に係り、特に、露光対象基板をフォトマス
クに対してステップ移動して所定位置に順次位置決め
し、位置決めされた各所定位置で露光を行う露光装置及
び露光方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an exposure apparatus for forming a pattern on a surface of a glass substrate or a color filter which is an exposure target substrate in a manufacturing process of a flat panel display such as a liquid crystal display or a plasma display. In particular, the present invention relates to an exposure apparatus and an exposure method in which a substrate to be exposed is step-moved with respect to a photomask to be sequentially positioned at a predetermined position, and exposure is performed at each of the positioned predetermined positions.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、露光装置として、フォトマスクと
ガラス基板との間に微小なギャップを設けてマスクパタ
ーンを基板面上に露光するプロキシミティ露光装置が知
られている。プロキシミティ露光装置では、マスクのサ
イズよりも基板のサイズが大きい場合、微小ギャップを
確保したまま、基板をマスクに対してステップ移動して
所定位置に順次位置決めし、位置決めされた各所定位置
で露光を行う、所謂分割露光を行っている。その場合、
各所定位置において、マスクと基板とを高精度に位置合
わせするアライメントが行われる。アライメントでは、
マスクのパターン領域内に設けられた位置決め用のマー
クと、基板に設けられた位置決め用のマークとをＣＣＤ
などからなるマーク検出センサで検出し、その検出マー
クのずれ補正分だけ露光チャックを移動して、基板をマ
スクに対して位置決めしている。2. Description of the Related Art Conventionally, as an exposure apparatus, a proximity exposure apparatus has been known which exposes a mask pattern on a surface of a substrate by providing a minute gap between a photomask and a glass substrate. In the proximity exposure device, when the size of the substrate is larger than the size of the mask, the substrate is step-moved relative to the mask while the micro gap is secured, and the substrates are sequentially positioned at predetermined positions, and the exposure is performed at each of the predetermined positions. The so-called divided exposure is performed. In that case,
At each predetermined position, alignment is performed to align the mask and the substrate with high accuracy. In alignment,
The positioning mark provided in the pattern area of the mask and the positioning mark provided on the substrate are CCD.
The mark is detected by a mark detection sensor made of, for example, and the substrate is positioned with respect to the mask by moving the exposure chuck by an amount corresponding to the deviation correction of the detected mark.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】上記従来の分割露光方
式の露光装置では、マスクのパターン領域内に位置決め
用マークを設けているので、センサはパターン領域内で
マスクの位置決め用マークと基板の位置決め用マークと
を検出することになる。パターン領域には露光光が照射
されるので、露光を行う前に、センサを露光の妨げにな
らないように露光エリアの外すなわちパターン領域の外
側に退避移動させている。また、アライメントを行う前
に、センサを所定の退避位置からパターン領域内のマー
ク検出位置まで移動させている。センサの移動時間はア
ライメントのタクトタイム（アライメント所要時間）に
直接カウントされるので、露光チャックのステップ移動
回数が多くなると、そのタクトタイムに対して移動回数
に応じたセンサの移動時間の割合が増えてしまう。すな
わち、アライメントのタクトタイムは、ステップ移動回
数が多くなるに従ってセンサの移動時間の割合が増える
ので、ステップ移動回数の多い装置では、センサの移動
時間はアライメントを高速化する際に障害となり、高ス
ループット化を図れないという問題があった。In the conventional division exposure type exposure apparatus described above, since the positioning mark is provided in the pattern area of the mask, the sensor positions the mask positioning mark and the substrate in the pattern area. The mark for use will be detected. Since the pattern area is irradiated with the exposure light, the sensor is retracted outside the exposure area, that is, outside the pattern area so as not to interfere with the exposure before performing the exposure. Further, before performing the alignment, the sensor is moved from a predetermined retracted position to a mark detection position in the pattern area. Since the sensor movement time is directly counted in the alignment takt time (alignment required time), if the number of step movements of the exposure chuck increases, the ratio of the sensor movement time to the takt time increases according to the number of movements. Will end up. In other words, in the takt time of alignment, the ratio of the sensor movement time increases as the number of step movements increases, so in a device with a large number of step movements, the sensor movement time becomes an obstacle when speeding up the alignment, and high throughput. There was a problem that it could not be realized.
【０００４】本発明は、上記の点に鑑みて為されたもの
で、アライメントを高速化でき、高スループット化を実
現できる露光装置及び露光方法を提供しようとするもの
である。The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide an exposure apparatus and an exposure method which can realize high-speed alignment and high throughput.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】本発明に係る露光装置
は、パターン形成用のマスクをマスクホルダで保持し、
該マスクよりも大きい露光対象基板を露光チャックで保
持し、該露光チャックをステップ移動して露光対象基板
をマスクに対して所定位置に順次位置決めし、位置決め
した各所定位置で露光を行う露光装置において、マスク
のパターン領域の外側に設けられた位置決め用のマーク
と、露光対象基板に設けられた位置決め用のマークとを
該基板のステップ移動位置で検出する検出手段と、前記
検出手段を前記両マークのマーク検出位置に移動する移
動手段と、前記露光対象基板のステップ移動中若しくは
露光中に、前記露光対象基板のステップ移動位置に対応
する前記マーク検出位置の位置情報に基づき前記移動手
段を前記マーク検出位置に移動するように駆動制御する
制御手段とを具えたものである。これによれば、露光対
象基板のステップ移動中若しくは露光中に、制御手段が
移動手段を駆動制御するので、露光対象基板のステップ
移動若しくは露光と並行して検出手段をマーク検出位置
に移動することができる。また、本発明に係る露光方法
は、パターン形成用のマスクをマスクホルダで保持し、
該マスクよりも大きい露光対象基板を露光チャックで保
持し、該露光チャックをステップ移動して露光対象基板
をマスクに対して所定位置に順次位置決めし、位置決め
した各所定位置で露光を行う露光方法であって、マスク
のパターン領域の外側に設けられた位置決め用のマーク
と、露光対象基板に設けられた位置決め用のマークとを
該基板のステップ移動位置で検出手段により検出する工
程と、前記露光対象基板のステップ移動中若しくは露光
中に、前記露光対象基板のステップ移動位置に対応する
前記マーク検出位置の位置情報に基づき前記検出手段を
前記マーク検出位置に移動する工程とを具えたものであ
る。これによれば、露光対象基板のステップ移動若しく
は露光と並行して検出手段をマーク検出位置に移動する
ことができる。したがって、本発明に係る露光装置及び
露光方法では、露光チャックのステップ移動回数が多く
なっても、検出手段の移動時間はアライメントのタクト
タイムにカウントされず、これにより、アライメントの
タクトタイムを短縮することができ、よって、アライメ
ントを高速化でき、高スループット化を図れる。An exposure apparatus according to the present invention holds a mask for pattern formation by a mask holder,
An exposure apparatus in which an exposure target substrate larger than the mask is held by an exposure chuck, the exposure chuck is step-moved to sequentially position the exposure target substrate at a predetermined position with respect to the mask, and exposure is performed at each of the determined predetermined positions. A detecting means for detecting a positioning mark provided outside the pattern area of the mask and a positioning mark provided on the exposure target substrate at a step movement position of the substrate; Moving means for moving to the mark detecting position, and the moving means for moving the mark based on the position information of the mark detecting position corresponding to the step moving position of the exposure target substrate during step movement or exposure of the exposure target substrate. And a control means for controlling the driving so as to move to the detection position. According to this, since the control means drives and controls the moving means during the step movement or the exposure of the exposure target substrate, it is possible to move the detection means to the mark detection position in parallel with the step movement or the exposure of the exposure target substrate. You can Further, the exposure method according to the present invention holds a mask for pattern formation with a mask holder,
An exposure method in which an exposure target substrate larger than the mask is held by an exposure chuck, the exposure chuck is step-moved to sequentially position the exposure target substrate at a predetermined position with respect to the mask, and exposure is performed at each of the determined predetermined positions. And a step of detecting the positioning mark provided outside the pattern area of the mask and the positioning mark provided on the exposure target substrate at the step movement position of the substrate by the detection means, and the exposure target During the step movement or exposure of the substrate, the step of moving the detection means to the mark detection position based on the position information of the mark detection position corresponding to the step movement position of the exposure target substrate. According to this, the detection means can be moved to the mark detection position in parallel with the step movement of the exposure target substrate or the exposure. Therefore, in the exposure apparatus and the exposure method according to the present invention, even when the number of step movements of the exposure chuck increases, the movement time of the detection means is not counted as the alignment takt time, thereby shortening the alignment takt time. Therefore, the alignment can be speeded up and the throughput can be increased.
【０００６】[0006]
【発明の実施の形態】添付図面を参照して本発明の実施
の形態を詳細に説明する。図１は、本発明に係る露光装
置の一例を示す概略構成図である。図１において、露光
装置は、フォトマスク保持用のマスクホルダ１と、ガラ
ス基板保持用の露光チャック２と、ＸＹステップテーブ
ル３と、Ｚチルティングステージ４と、ＸＹアライメン
トテーブル５と、ＣＣＤなどからなる４つのマーク検出
センサ６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄと、センサ移動用の４つ
のＸＹステージ７Ａ，７Ｂ，７Ｃ，７Ｄなどを具えてい
る。マスクホルダ１は、図示しない支持部材に固定され
ている。このホルダ１は、枠型状に形成したスペーサ１
Ａと、該スペーサ１Ａの上面に気密に取り付けられた透
明板１Ｂなどを備え、該スペーサ１Ａの下面周縁部でフ
ォトマスクＭの上面周縁部を吸着保持している。露光チ
ャック２は、ホルダ１の下方において、ステップテーブ
ル３とチルティングテーブル４とを介してアライメント
テーブル５上に載置されている。この露光チャック２
は、マスクＭのサイズよりも大きいサイズのガラス基板
Ｐの下面をチャック上面で吸着保持している。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing an example of an exposure apparatus according to the present invention. In FIG. 1, the exposure apparatus includes a mask holder 1 for holding a photomask, an exposure chuck 2 for holding a glass substrate, an XY step table 3, a Z tilting stage 4, an XY alignment table 5, a CCD and the like. It comprises four mark detection sensors 6A, 6B, 6C and 6D, and four XY stages 7A, 7B, 7C and 7D for moving the sensors. The mask holder 1 is fixed to a support member (not shown). The holder 1 is a spacer 1 formed in a frame shape.
A, a transparent plate 1B airtightly attached to the upper surface of the spacer 1A, and the like, and the upper peripheral edge portion of the photomask M is suction-held by the lower peripheral edge portion of the spacer 1A. The exposure chuck 2 is placed on the alignment table 5 below the holder 1 via the step table 3 and the tilting table 4. This exposure chuck 2
Holds the lower surface of the glass substrate P having a size larger than the size of the mask M by the chuck upper surface.
【０００７】フォトマスクＭは、基板Ｐ側の下面がパタ
ーン面となっており、この面に図２に示すようなパター
ン領域ＭＡと、位置決め用の複数個のアライメントマー
ク（図の例では１０個）ＭＢ１〜ＭＢ１０と、遮光領域
ＭＣなどを有する。パターン領域ＭＡは、図の例では長
方形状に形成され、パターン面のほぼ中央に設けられて
いる。マークＭＢ１〜ＭＢ１０は、パターン領域ＭＡの
外側に設けられている。図の例では、領域ＭＡの各隅部
の周辺の異なる２箇所と、領域ＭＡの２つの長辺の中心
付近とに設けられている。パターン領域ＭＡ及びマーク
ＭＢ１〜ＭＢ１０以外の領域（図にハッチングで示す領
域）は、例えばクロム（Ｃｒ）膜などの遮光膜によって
形成された遮光領域ＭＣとなっている。The photomask M has a pattern surface on the lower surface on the substrate P side, and on this surface, a pattern area MA as shown in FIG. 2 and a plurality of alignment marks for positioning (in the example of the figure, 10 marks) are formed. ) MB1 to MB10, and a light shielding area MC and the like. The pattern area MA is formed in a rectangular shape in the example of the drawing, and is provided at substantially the center of the pattern surface. The marks MB1 to MB10 are provided outside the pattern area MA. In the example shown in the figure, it is provided at two different locations around each corner of the area MA and near the center of the two long sides of the area MA. Areas other than the pattern area MA and the marks MB1 to MB10 (areas indicated by hatching in the figure) are light-shielding areas MC formed by a light-shielding film such as a chromium (Cr) film.
【０００８】ガラス基板Ｐは、フォトマスクＭ側の上面
が露光面となっており、この面に図３に示すような複数
の露光対象領域（図の例では９つ）ＰＡ１〜ＰＡ９を縦
横に有する。図３では、基板Ｐの外周を二点鎖線で示
し、領域ＰＡ１〜ＰＡ９を実線で示している。領域ＰＡ
１〜ＰＡ９のうち、領域ＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３のサイ
ズは図２に示すパターン領域ＭＡのほぼ半分のサイズ
（図２に一点鎖線で囲った部分）とほぼ同じサイズであ
り、領域ＰＡ４，ＰＡ５，…，ＰＡ９のサイズは同領域
ＭＡとほぼ同じサイズである。また、露光面には、位置
決め用のターゲットマーク（図の例では「×」マーク）
ＰＢが複数設けられている。このマークＰＢは、各領域
ＰＡ１，ＰＡ２，…，ＰＡ９において、マスクＭの所定
のアライメントマークと対応する任意の位置に設けられ
ており、図の例では、各隅部の周辺に所定数（１個乃至
４個）設けられている。The upper surface of the glass substrate P on the photomask M side is an exposure surface, and a plurality of exposure target areas (nine in the illustrated example) PA1 to PA9 as shown in FIG. Have. In FIG. 3, the outer periphery of the substrate P is shown by a chain double-dashed line, and the areas PA1 to PA9 are shown by solid lines. Area PA
1 to PA9, the areas PA1, PA2, PA3 have almost the same size as the half of the pattern area MA shown in FIG. 2 (the portion surrounded by the alternate long and short dash line in FIG. 2). The size of PA9 is almost the same as that of the area MA. In addition, on the exposed surface, a target mark for positioning (“x” mark in the example in the figure)
A plurality of PBs are provided. The mark PB is provided at an arbitrary position corresponding to a predetermined alignment mark of the mask M in each of the areas PA1, PA2, ..., PA9, and in the example of the figure, a predetermined number (1 1 to 4) are provided.
【０００９】マーク検出センサ６Ａ〜６Ｂは、それぞ
れ、マスクホルダ１の上方に配置され、図２に示される
ようなフォトマスクＭの各隅部の任意の位置（図の例で
は、遮光領域ＭＤ内或いはアライメントマーク上）でそ
れぞれのＸＹステージ７Ａ〜７Ｄにより保持されてい
る。ＸＹステージ７Ａ〜７Ｄは、それぞれ、センサ６Ａ
〜６Ｂを図１に示すＸ方向やＹ方向に移動する。The mark detection sensors 6A to 6B are respectively arranged above the mask holder 1, and are located at arbitrary positions in the corners of the photomask M as shown in FIG. Alternatively, it is held by each XY stage 7A to 7D on the alignment mark). The XY stages 7A to 7D each include a sensor 6A.
6B are moved in the X and Y directions shown in FIG.
【００１０】図４は、本実施の形態に示す露光装置の制
御ブロックの一例を示す。図４において、制御部８は、
インタフェイス８Ａと、ＭＰＵ８Ｂと、ＲＯＭやＲＡＭ
などからなるメモリ８Ｃなどを含むマイクロコンピュー
タからなっている。メモリ８Ｃには、基板Ｐのステップ
移動位置に対応するマーク検出位置の位置情報であるＸ
Ｙ座標位置データや、装置を駆動するために必要な各種
プログラムなどが記憶されている。ＭＰＵ８Ｂは、メモ
リ８Ｃに記憶されている所定のプログラムを実行して、
マスクＭの対角線上で対向する２つのＸＹステージ７
Ａ，７Ｃと、他の２つのＸＹステージ７Ｂ，７Ｄとを適
宜駆動制御する。また、ステップテーブル３を適宜駆動
して露光チャック２とともに基板Ｐを図１に示すＸ方向
やＹ方向にステップ移動する。また、チルティングステ
ージ４を適宜駆動して露光チャック２をＺ方向にチルテ
ィングすることにより基板Ｐの露光面とマスクＭのパタ
ーン面との間に所定の微小ギャップを形成する。FIG. 4 shows an example of a control block of the exposure apparatus shown in this embodiment. In FIG. 4, the control unit 8
Interface 8A, MPU 8B, ROM and RAM
It is composed of a microcomputer including a memory 8C and the like. The memory 8C stores the position information X of the mark detection position corresponding to the step movement position of the substrate P.
Y-coordinate position data and various programs necessary for driving the device are stored. The MPU 8B executes a predetermined program stored in the memory 8C,
Two XY stages 7 facing each other on the diagonal of the mask M
A and 7C and the other two XY stages 7B and 7D are drive-controlled appropriately. Further, the step table 3 is appropriately driven to step move the substrate P together with the exposure chuck 2 in the X and Y directions shown in FIG. Further, the tilting stage 4 is appropriately driven to tilt the exposure chuck 2 in the Z direction to form a predetermined minute gap between the exposure surface of the substrate P and the pattern surface of the mask M.
【００１１】本実施の形態に示す露光装置では、図５
（Ａ）、（Ｃ）及び（Ｅ）に示されるように、基板Ｐを
マスクＭに対して矢印で示すＹ方向やＸ方向にステップ
移動することで、各領域ＰＡ１，ＰＡ２，…，ＰＡ９の
順に露光を行う。図５（Ａ）において、領域ＰＡ１に対
して露光を行う場合、制御部８は、基板Ｐのステップ移
動中に、当該領域ＰＡ１に応じた基板Ｐのステップ移動
位置に対応する位置データに基づき図１に示すＸＹステ
ージ７Ａ，７Ｃを駆動する。これにより、ステージ７Ａ
は、センサ６Ａを所定のマーク検出位置（図の例では、
マークＭＢ３と、当該領域ＰＡ１にＹ方向で隣接する領
域ＰＡ２のマークＰＢとのマーク検出位置）に移動す
る。また、ステージ７Ｃは、センサ６Ｃを所定のマーク
検出位置（図の例では、マークＭＢ６と、当該領域ＰＡ
１にＸ方向で隣接する領域ＰＡ６のマークＰＢとのマー
ク検出位置）に移動する。これにより、センサ６Ａはそ
の位置でマークＭＢ３，ＰＢを検出し、センサ６Ｃはそ
の位置でマークＭＢ６，ＰＢを検出する。制御部８で
は、センサ６Ａ及び６Ｃから出力されるマーク検出信号
に基づき検出マークのずれを求め、そのずれ補正分だけ
アライメントテーブル３を図１に示すＸ方向やＹ方向に
移動して、基板Ｐに対してマスクＭを位置決めする、所
謂アライメントを行う。なお、上記アライメントは後述
する各領域ＰＡ２，…，ＰＡ９でも行われるので、該各
領域でのアライメントの説明は省略する。In the exposure apparatus shown in this embodiment, as shown in FIG.
As shown in (A), (C), and (E), the substrate P is step-moved with respect to the mask M in the Y direction and the X direction indicated by arrows, so that the areas PA1, PA2, ... Exposure is performed in order. In FIG. 5 (A), when the area PA1 is exposed, the control unit 8 performs the step movement of the substrate P based on the position data corresponding to the step movement position of the substrate P corresponding to the area PA1. The XY stages 7A and 7C shown in 1 are driven. As a result, stage 7A
Moves the sensor 6A to a predetermined mark detection position (in the example of the figure,
It moves to the mark detection position between the mark MB3 and the mark PB of the area PA2 adjacent to the area PA1 in the Y direction. Further, the stage 7C sets the sensor 6C at a predetermined mark detection position (in the example of the figure, the mark MB6 and the area PA).
1 to the mark detection position with respect to the mark PB of the area PA6 adjacent in the X direction). As a result, the sensor 6A detects the marks MB3 and PB at that position, and the sensor 6C detects the marks MB6 and PB at that position. The control unit 8 obtains the deviation of the detected mark based on the mark detection signals output from the sensors 6A and 6C, moves the alignment table 3 in the X direction and the Y direction shown in FIG. A so-called alignment is performed to position the mask M with respect to. Since the above alignment is also performed in each of the areas PA2, ..., PA9 described later, the description of the alignment in each area will be omitted.
【００１２】領域ＰＡ２に対して露光を行う場合、制御
部８は、ＸＹステージ７Ａ〜７Ｄの駆動を行わない。こ
の場合、同図（Ｂ）に示されるように、センサ６Ａは、
マークＭＢ３と、当該領域ＰＡ２にＹ方向で隣接する領
域ＰＡ３のマークＰＢとのマーク検出位置に位置する。
センサ６Ｃは、マークＭＢ６と、当該領域ＰＡ２にＸ方
向で隣接する領域ＰＡ５のマークＰＢとのマーク検出位
置に位置する。これにより、センサ６Ａはその位置でマ
ークＭＢ３，ＰＢを検出し、センサ６Ｃはその位置でマ
ークＭＢ６，ＰＢを検出する。When the area PA2 is exposed, the controller 8 does not drive the XY stages 7A to 7D. In this case, the sensor 6A, as shown in FIG.
It is located at the mark detection position between the mark MB3 and the mark PB in the area PA3 adjacent to the area PA2 in the Y direction.
The sensor 6C is located at the mark detection position between the mark MB6 and the mark PB in the area PA5 adjacent to the area PA2 in the X direction. As a result, the sensor 6A detects the marks MB3 and PB at that position, and the sensor 6C detects the marks MB6 and PB at that position.
【００１３】領域ＰＡ３に対して露光を行う場合、制御
部８は、基板Ｐのステップ移動中に、当該領域ＰＢ３に
応じた基板Ｐのステップ移動位置に対応する位置データ
に基づきＸＹステージ７Ｂ，７Ｄを駆動する。これによ
り、ステージ７Ｂは、センサ６Ｂを所定のマーク検出位
置（図の例では、マークＭＢ５と、当該領域ＰＡ３にＸ
方向で隣接する領域ＰＡ４のマークＰＢとのマーク検出
位置）に移動する。また、ステージ７Ｄは、センサ６Ｄ
を所定のマーク検出位置（図の例では、マークＭＢ８
と、当該領域ＰＡ３にＹ方向で隣接する領域ＰＡ２のマ
ークＰＢとのマーク検出位置）に移動する。これによ
り、センサ６Ｂはその位置でマークＭＢ５，ＰＢを検出
し、センサ６Ｄはその位置でマークＭＢ８，ＰＢを検出
する。When performing exposure on the area PA3, the control section 8 moves the substrate P stepwise based on the position data corresponding to the step movement position of the substrate P corresponding to the area PB3. To drive. As a result, the stage 7B causes the sensor 6B to move to a predetermined mark detection position (in the example of the drawing, the mark MB5 and the mark PA in the area PA3).
The mark PB of the area PA4 adjacent in the direction (mark detection position). In addition, the stage 7D is a sensor 6D.
At a predetermined mark detection position (mark MB8
To the mark detection position with the mark PB of the area PA2 adjacent to the area PA3 in the Y direction. As a result, the sensor 6B detects the marks MB5 and PB at that position, and the sensor 6D detects the marks MB8 and PB at that position.
【００１４】図５（Ｃ）において、領域ＰＡ４に対して
露光を行う場合、制御部８は、基板Ｐのステップ移動中
に、当該領域ＰＡ４に応じた基板Ｐのステップ移動位置
に対応する位置データに基づきＸＹステージ７Ａ，７Ｄ
を駆動する。これにより、ステージ７Ａは、センサ６Ａ
をマークＭＢ２に対応する位置に移動する。また、ステ
ージ７Ｄは、センサ６Ｄを所定のマーク検出位置（図の
例では、マークＭＢ９と、当該領域ＰＡ４にＸ方向で隣
接する他の領域ＰＡ５のマークＰＢとのマーク検出位
置）に移動する。この場合、マスクＭの対角線上でセン
サ６Ｄに対向するセンサ６Ｂは、マークＭＢ５と、当該
領域ＰＡ４にＸ方向で隣接する領域ＰＡ９のマークＰＢ
とのマーク検出位置に位置する。これにより、センサ６
Ｂはその位置でマークＭＢ５，ＰＢを検出し、センサ６
Ｄはその位置でマークＭＢ９，ＰＢを検出する。In FIG. 5C, when performing exposure on the area PA4, the control unit 8 controls the position data corresponding to the step movement position of the substrate P corresponding to the area PA4 during the step movement of the substrate P. Based on XY stage 7A, 7D
To drive. As a result, the stage 7A is connected to the sensor 6A.
To the position corresponding to the mark MB2. Further, the stage 7D moves the sensor 6D to a predetermined mark detection position (in the example of the figure, a mark detection position between the mark MB9 and the mark PB of another area PA5 adjacent to the area PA4 in the X direction). In this case, the sensor 6B facing the sensor 6D on the diagonal line of the mask M includes the mark MB5 and the mark PB of the area PA9 adjacent to the area PA4 in the X direction.
It is located at the mark detection position of and. As a result, the sensor 6
B detects the marks MB5 and PB at that position, and the sensor 6
D detects the marks MB9 and PB at that position.
【００１５】領域ＰＡ５に対して露光を行う場合、制御
部８Ｃは、ＸＹステージ７Ａ〜７Ｄの駆動を行わない。
この場合、同図（Ｄ）に示されるように、センサ６Ｂ
は、マークＭＢ５と、当該領域ＰＡ５にＸ方向で隣接す
る領域ＰＡ８のマークＰＢとのマーク検出位置に位置す
る。センサ６Ｄは、マークＭＢ９と、当該領域ＰＡ５に
Ｙ方向で隣接する領域ＰＡ６のマークＰＢとのマーク検
出位置に位置する。これにより、センサ６Ｂはその位置
でマークＭＢ５，ＰＢを検出し、センサ６Ｃはその位置
でマークＭＢ９，ＰＢを検出する。When the area PA5 is exposed, the controller 8C does not drive the XY stages 7A to 7D.
In this case, as shown in FIG.
Are located at the mark detection positions of the mark MB5 and the mark PB of the area PA8 adjacent to the area PA5 in the X direction. The sensor 6D is located at the mark detection position between the mark MB9 and the mark PB in the area PA6 adjacent to the area PA5 in the Y direction. As a result, the sensor 6B detects the marks MB5 and PB at that position, and the sensor 6C detects the marks MB9 and PB at that position.
【００１６】領域ＰＡ６に対して露光を行う場合、制御
部８は、基板Ｐのステップ移動中に、当該領域ＰＡ６に
応じた基板Ｐのステップ移動位置に対応する位置データ
に基づきＸＹステージ７Ａ，７Ｃを駆動する。これによ
り、ステージ７Ａは、センサ６Ａを所定のマーク検出位
置（図の例では、マークＭＢ２と、当該領域ＰＡ６にＹ
方向で隣接する領域ＰＡ５のマークＰＢとのマーク検出
位置）に移動する。また、ステージ７Ｃは、センサ６Ｃ
を所定のマーク検出位置（図の例では、マークＭＢ６
と、当該領域ＰＡ６にＸ方向で隣接する領域ＰＡ７のマ
ークＰＢとのマーク検出位置）に移動する。これによ
り、センサ６Ａはその位置でマークＭＢ２，ＰＢを検出
し、センサ６Ｃはその位置でマークＭＢ６，ＰＢを検出
する。When performing the exposure on the area PA6, the control section 8 controls the XY stages 7A and 7C based on the position data corresponding to the step movement position of the substrate P corresponding to the area PA6 during the step movement of the substrate P. To drive. As a result, the stage 7A causes the sensor 6A to move to a predetermined mark detection position (in the example in the figure, the mark MB2 and Y in the area PA6).
In a direction (mark detection position with respect to the mark PB) of the area PA5 adjacent in the direction. In addition, the stage 7C is a sensor 6C.
At a predetermined mark detection position (mark MB6
To the mark detection position with the mark PB of the area PA7 adjacent to the area PA6 in the X direction. As a result, the sensor 6A detects the marks MB2 and PB at that position, and the sensor 6C detects the marks MB6 and PB at that position.
【００１７】図５（Ｅ）において、領域ＰＡ７に対して
露光を行う場合、制御部８は、基板Ｐのステップ移動中
に、当該領域ＰＡ７に応じた基板Ｐのステップ移動位置
に対応する位置データに基づきＸＹステージ７Ｂ，７Ｄ
を駆動する。これにより、ステージ７Ｂは、センサ６Ｂ
を所定のマーク検出位置（図の例では、マークＭＢ４
と、当該領域ＰＡ７にＹ方向で隣接する領域ＰＡ８のマ
ークＰＢとのマーク検出位置）に移動する。また、ステ
ージ７Ｄは、センサ６Ｄを所定のマーク検出位置（図の
例では、マークＭＢ１０と、当該領域ＰＡ７にＸ方向で
隣接する領域ＰＡ６のマークＰＢとのマーク検出位置）
に移動する。これにより、センサ６Ｂはその位置でマー
クＭＢ４，ＰＢを検出し、センサ６Ｄはその位置でマー
クＭＢ１０，ＰＢを検出する。In FIG. 5 (E), when the area PA7 is exposed, the control unit 8 controls the position data corresponding to the step movement position of the substrate P corresponding to the area PA7 during the step movement of the substrate P. Based on XY stage 7B, 7D
To drive. As a result, the stage 7B is connected to the sensor 6B.
At a predetermined mark detection position (mark MB4 in the example in the figure).
To the mark detection position with the mark PB of the area PA8 adjacent to the area PA7 in the Y direction. Further, the stage 7D detects the sensor 6D at a predetermined mark detection position (in the example of the figure, the mark detection position between the mark MB10 and the mark PB of the area PA6 adjacent to the area PA7 in the X direction).
Move to. As a result, the sensor 6B detects the marks MB4 and PB at that position, and the sensor 6D detects the marks MB10 and PB at that position.
【００１８】領域ＰＡ８に対して露光を行う場合、制御
部８は、ステージ７Ａ〜７Ｄの駆動を行わない。この場
合、同図（Ｆ）に示されるように、センサ６Ｂは、マー
クＭＢ４と、当該領域ＰＡ８にＹ方向で隣接する領域Ｐ
Ａ９のマークＰＢとのマーク検出位置に位置する。セン
サ６Ｄは、マークＭＢ１０と、当該領域ＰＡ８にＸ方向
で隣接する領域ＰＡ５のマークＰＢとのマーク検出位置
に位置する。これにより、センサ６Ｂはその位置でマー
クＭＢ４，ＰＢを検出し、センサ６Ｄはその位置でマー
クＭＢ１０，ＰＢを検出する。When the area PA8 is exposed, the controller 8 does not drive the stages 7A to 7D. In this case, as shown in (F) of the figure, the sensor 6B has a region P adjacent to the mark MB4 and the region PA8 in the Y direction.
It is located at the mark detection position with the mark PB of A9. The sensor 6D is located at the mark detection position between the mark MB10 and the mark PB in the area PA5 adjacent to the area PA8 in the X direction. As a result, the sensor 6B detects the marks MB4 and PB at that position, and the sensor 6D detects the marks MB10 and PB at that position.
【００１９】領域ＰＡ９に対して露光を行う場合、制御
部８は、基板Ｐのステップ移動中に、当該領域ＰＡ９の
位置データに基づき２つのＸＹステージ７Ａ，７Ｃを駆
動する。これにより、ステージ７Ａは、センサ６Ａを所
定のマーク検出位置（図の例では、マークＭＢ１と、当
該領域ＰＡ９にＸ方向で隣接する領域ＰＡ４のマークＰ
Ｂとのマーク検出位置）に移動する。また、ステージ７
Ｃは、センサ６Ｃを所定のマーク検出位置（図の例で
は、マークＭＢ７と、当該領域ＰＡ９にＹ方向で隣接す
る領域ＰＡ８のマークＰＢとのマーク検出位置）に移動
する。これにより、センサ６Ａはその位置でマークＭＢ
１，ＰＢを検出し、センサ６Ｃはその位置でマークＭＢ
７，ＰＢを検出する。When the area PA9 is exposed, the controller 8 drives the two XY stages 7A and 7C based on the position data of the area PA9 while the substrate P is being moved stepwise. As a result, the stage 7A causes the sensor 6A to move to a predetermined mark detection position (in the illustrated example, the mark MB1 and the mark P in the area PA4 adjacent to the area PA9 in the X direction).
B to the mark detection position). Also, stage 7
C moves the sensor 6C to a predetermined mark detection position (in the example of the figure, the mark detection position between the mark MB7 and the mark PB of the region PA8 adjacent to the region PA9 in the Y direction). As a result, the sensor 6A has the mark MB at that position.
1, PB is detected, and the sensor 6C detects the mark MB at that position.
7. Detect PB.
【００２０】本実施の形態に示す装置では、２つのステ
ージ７Ａ，７Ｃ及び７Ｂ，７Ｄの駆動を基板Ｐのステッ
プ移動中に行うので、該基板Ｐのステップ移動と並行し
てセンサ６Ａ，６Ｃ及び６Ｂ，６Ｄを所定のマーク検出
位置に移動することができる。これにより、露光チャッ
ク２のステップ移動回数が多くなっても、センサ６Ａ〜
６Ｄの移動時間はアライメントのタクトタイムにカウン
トされることはない。したがって、アライメントのタク
トタイムを短縮することができ、よって、アライメント
を高速化でき高スループット化を図れる。In the apparatus shown in the present embodiment, the two stages 7A, 7C and 7B, 7D are driven during the step movement of the substrate P. Therefore, in parallel with the step movement of the substrate P, the sensors 6A, 6C and 6B and 6D can be moved to a predetermined mark detection position. As a result, even if the number of step movements of the exposure chuck 2 increases, the sensors 6A to 6A ...
The 6D movement time is not counted as the alignment takt time. Therefore, the takt time of the alignment can be shortened, so that the alignment can be speeded up and the throughput can be increased.
【００２１】本実施の形態に示す露光装置において、２
つのステージ７Ａ，７Ｃ及び７Ｂ，７Ｄの駆動を露光中
に行うようにしてよい。その場合、露光と並行してセン
サ６Ａ，６Ｃ及び６Ｂ，６Ｄを所定のマーク検出位置に
移動することができるので、基板Ｐのステップ移動中に
ステージ７Ａ，７Ｃ、Ｂ，７Ｄの駆動を行う場合の効果
と同様な効果を得ることができる。In the exposure apparatus shown in this embodiment, 2
The two stages 7A, 7C and 7B, 7D may be driven during exposure. In that case, since the sensors 6A, 6C and 6B, 6D can be moved to predetermined mark detection positions in parallel with the exposure, when the stages 7A, 7C, B, 7D are driven during the step movement of the substrate P. An effect similar to that of can be obtained.
【００２２】[0022]
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る露光
装置及び露光方法によれば、アライメントを高速化で
き、高スループット化を実現できる、という優れた効果
を奏する。As described above, according to the exposure apparatus and the exposure method of the present invention, there are excellent effects that the alignment can be speeded up and the throughput can be increased.
【図１】 本発明に係る露光装置の一例を示す概略構成
図。FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing an example of an exposure apparatus according to the present invention.
【図２】 フォトマスクのパターン面の平面図を示すも
のであって、パターン領域とアライメントマークと遮光
領域との配置態様の一例を示す平面図。FIG. 2 is a plan view showing a pattern surface of a photomask, showing a layout example of a pattern region, an alignment mark, and a light shielding region.
【図３】 ガラス基板の露光面の平面図を示すものであ
って、露光対象領域とこれに関連するターゲットマーク
との配置態様の一例を示す平面図。FIG. 3 is a plan view of an exposure surface of a glass substrate, showing a layout example of an exposure target area and target marks related thereto.
【図４】 露光装置の制御ブロックの一例を示す制御ブ
ロック図。FIG. 4 is a control block diagram showing an example of a control block of the exposure apparatus.
【図５】 ガラス基板をステップ移動して露光を行うと
きの各露光対象領域に対するマーク検出センサの移動位
置を示す説明図。FIG. 5 is an explanatory view showing the movement position of the mark detection sensor with respect to each exposure target area when performing stepwise movement of the glass substrate to perform exposure.
１ マスクホルダ２ 露光チャック３ ＸＹステップテーブル４ Ｚチルティングステージ５ ＸＹアライメントステージ６Ａ〜６Ｄ マーク検出センサ７Ａ〜７Ｄ ＸＹステージ８ 制御部Ｍ フォトマスクＭＡ パターン領域ＭＢ１〜ＭＢ１０ アライメントマークＰ ガラス基板ＰＡ１〜ＰＡ９ 露光対象領域ＰＢ ターゲットマーク1 Mask holder2 Exposure chuck3 XY step table4 Z tilting stage5 XY alignment stage6A to 6D mark detection sensor7A-7D XY stage8 control unitM photomaskMA pattern areaMB1 to MB10 alignment marksP glass substratePA1-PA9 exposure target areaPB target mark
─────────────────────────────────────────────────────フロントページの続き (72)発明者 高橋 聡 東京都渋谷区東３丁目16番３号 日立電子 エンジニアリング株式会社内(72)発明者 佐藤 隆悟 東京都渋谷区東３丁目16番３号 日立電子 エンジニアリング株式会社内Ｆターム(参考） 2H097 AB05 KA03 KA12 KA13 KA20 KA29 LA12 5F046 BA02 ED01 FA10 FB19 ─────────────────────────────────────────────────── ───Continued front page (72) Inventor Satoshi Takahashi Hitachi Electronics, 3-16-3 Higashi, Shibuya-ku, Tokyo Engineering Co., Ltd.(72) Inventor Ryugo Sato Hitachi Electronics, 3-16-3 Higashi, Shibuya-ku, Tokyo Engineering Co., Ltd.F term (reference) 2H097 AB05 KA03 KA12 KA13 KA20 KA29 LA12 5F046 BA02 ED01 FA10 FB19
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