【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、光を照射すること
により物質の特性改善を行う基板の熱処理方法および装
置に関し、半導体基板並びに液晶表示装置用の薄膜トラ
ンジスタ（ＴＦＴ）等の製造時、非晶質シリコン膜を多
結晶化する際に用いて特に好適なものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method and apparatus for heat treatment of a substrate for improving the characteristics of a material by irradiating light, and in an amorphous state at the time of manufacturing a semiconductor substrate and a thin film transistor (TFT) for a liquid crystal display device. It is particularly suitable for use in polycrystallizing a high quality silicon film.
【０００２】[0002]
【従来の技術】高解像度ディスプレイ用として、スイッ
チング素子に多結晶シリコン薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔ）を用いた小型、高精細のアクティブマトリスク型液
晶表示（ＬＣＤ）パネルが開発されている。ＬＣＤのア
クティブエレメントに多結晶シリコンＴＦＴを用いる
と、同一透明絶縁基板上に画素アレイ部と駆動アレイ部
とを同一プロセスで作製できるため、ワイヤーボンディ
ングや駆動ＩＣの実装等の工程を削減できる利点があ
る。2. Description of the Related Art For high resolution displays, a polycrystalline silicon thin film transistor (TF) is used as a switching element.
A small, high-definition active matrisk type liquid crystal display (LCD) panel using T) has been developed. When a polycrystalline silicon TFT is used for an active element of an LCD, a pixel array section and a drive array section can be formed on the same transparent insulating substrate in the same process, which has an advantage that steps such as wire bonding and drive IC mounting can be reduced. is there.
【０００３】多結晶シリコンＴＦＴは、絶縁表面を有す
る基板上に形成された半導体薄膜（厚さ数十〜数百ｎｍ
程度）を用いて薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を構成する
技術である。ＴＦＴを特にＬＣＤのスイッチング素子と
した場合、駆動回路には数百ｋＨｚ以上の駆動周波数が
要求されるため、駆動回路を構成するためには活性層と
して多結晶珪素膜（ポリシリコン膜）を利用したＴＦＴ
が必要とされる。A polycrystalline silicon TFT is a semiconductor thin film (thickness of several tens to several hundreds nm) formed on a substrate having an insulating surface.
This is a technique for forming a thin film transistor (TFT) by using (about). When a TFT is used as a switching element of an LCD in particular, a driving frequency of several hundred kHz or more is required for the driving circuit. Therefore, a polycrystalline silicon film (polysilicon film) is used as an active layer to form the driving circuit. TFT
Is required.
【０００４】従来より、安価にポリシリコン膜を作製す
る技術として非晶質シリコン薄膜或いは多結晶シリコン
薄膜にシリコンをイオン注入して非晶質化したものに光
を照射して多結晶化する熱処理法がある。例えば、ガラ
ス基板上に下地膜となる絶縁膜としてＳｉＯ２（酸化シ
リコン）膜を形成し、該ＳｉＯ２膜上に非晶質のアモル
ファスシリコン膜を減圧ＣＶＤ（Chemical Vapor Dep
osition＝化学気相蒸着）により形成し、レーザーアニ
ール処理、固相成長処理、ランプアニール処理等の熱処
理工程により、アモルファスシリコン膜を結晶化させる
ことにより、ポリシリコン膜を形成する（例えば、特許
文献１参照）。Conventionally, as a technique for producing a polysilicon film at a low cost, a heat treatment for irradiating light to an amorphous silicon thin film or a polycrystalline silicon thin film, which has been made amorphous by ion-implanting silicon, is polycrystallized. There is a law. For example, a SiO2 (silicon oxide) film is formed as an insulating film serving as a base film on a glass substrate, and an amorphous amorphous silicon film is formed on the SiO2 film by low pressure CVD (Chemical Vapor Depth).
osition = Chemical Vapor Deposition) and crystallize the amorphous silicon film by a heat treatment process such as laser annealing treatment, solid phase growth treatment, and lamp annealing treatment to form a polysilicon film. 1).
【０００５】そして、このポリシリコン膜に対し、ドナ
ーやアクセプタを所定量ドープすることにより、チャン
ネル形成用領域、ドレイン領域等を形成する。更に、ゲ
ート絶縁膜、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極、
層間絶縁膜等を形成することにより、薄膜トランジスタ
を形成し、当該薄膜トランジスタを含む半導体装置を製
造する。Then, the polysilicon film is doped with a predetermined amount of a donor and an acceptor to form a channel forming region, a drain region and the like. Furthermore, a gate insulating film, a gate electrode, a source electrode, a drain electrode,
A thin film transistor is formed by forming an interlayer insulating film or the like, and a semiconductor device including the thin film transistor is manufactured.
【０００６】さらに、結晶化されたポリシリコン膜にリ
ンやボロン等の不純物がドーピングされた構造の場合、
光照射処理がドーピング工程で打ち込まれた不純物の活
性化、および膜の界面の改質を目的として施される。Further, in the case of a structure in which the crystallized polysilicon film is doped with impurities such as phosphorus and boron,
The light irradiation process is performed for the purpose of activating the impurities implanted in the doping process and modifying the interface of the film.
【０００７】[0007]
【特許文献１】特開平１０−１７２９１９号公報[Patent Document 1] Japanese Patent Laid-Open No. 10-172919
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成を有する従来例の場合には、次のような問題が
ある。However, the conventional example having such a structure has the following problems.
【０００９】前述した従来の光照射熱処理方式では、熱
処理工程における加熱度合い（例えば、レーザアニール
処理におけるレーザ照射エネルギ、或いはレーザ波長
等）によりポリシリコン膜の結晶化が大きく影響され
る。よって、この加熱度合いに対して最終的に得られる
薄膜トランジスタのトランジスタ特性は非常に敏感に反
応してしまう。即ち、特定のレーザ照射エネルギを設定
してレーザアニール処理を行う場合、照射装置の特性の
バラツキや動作温度等の動作環境の変化により、このエ
ネルギが変位すると、当該レーザアニール処理を経て形
成されるポリシリコン膜の結晶化のバラツキが大きくな
り、薄膜トランジスタのしきい値電圧は、数ボルト程度
の範囲で、設計値から大きく外れてしまうのである。In the above-mentioned conventional light irradiation heat treatment method, the crystallization of the polysilicon film is greatly influenced by the heating degree in the heat treatment step (for example, the laser irradiation energy in the laser annealing process or the laser wavelength). Therefore, the transistor characteristics of the finally obtained thin film transistor react very sensitively to this heating degree. That is, when performing a laser annealing process by setting a specific laser irradiation energy, if this energy is displaced due to variations in the operating environment such as variations in the characteristics of the irradiation device and the operating temperature, the laser annealing process is performed. The crystallization variation of the polysilicon film becomes large, and the threshold voltage of the thin film transistor largely deviates from the designed value in the range of about several volts.
【００１０】このため、レーザアニール処理時のレーザ
照射エネルギを、実用上極めて高精度で制御しないと一
定のトランジスタ特性を持つ薄膜トランジスタ等が安定
して得られない。即ち、現在普及している標準的なレー
ザ照射装置等を用いたのでは、一定のトランジスタ特性
を持つ薄膜トランジスタ等を含む半導体装置の製造が極
めて困難であり、製造された半導体装置が誤作動したり
不良品率が高くなってしまうという問題点がある。Therefore, unless the laser irradiation energy during the laser annealing process is controlled with extremely high accuracy in practical use, a thin film transistor or the like having a certain transistor characteristic cannot be stably obtained. That is, it is extremely difficult to manufacture a semiconductor device including a thin film transistor having a certain transistor characteristic by using a standard laser irradiation device which is currently popular, and the manufactured semiconductor device may malfunction. There is a problem that the defective product rate becomes high.
【００１１】更に、ハロゲンランプを用いたランプアニ
ール処理では、シリコン膜に吸収される発光領域の発光
エネルギーは十分に高くなく、十分な処理を施すには光
強度を上げる、あるいは照射時間を長くする等の対処が
必要である。しかしながら、この場合、ガラス基板上の
シリコン膜のみならずガラス基板の温度を必要以上に上
昇させてしまい、結果として基板のそりや歪を生じてし
まう結果となる。Furthermore, in the lamp annealing process using a halogen lamp, the light emission energy of the light emitting region absorbed by the silicon film is not sufficiently high, and the light intensity is increased or the irradiation time is lengthened to perform a sufficient process. It is necessary to take measures such as However, in this case, not only the temperature of the silicon film on the glass substrate but also the temperature of the glass substrate is raised more than necessary, resulting in warpage or distortion of the substrate.
【００１２】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、比較的容易に一定且つ良好な特性を持
つ薄膜トランジスタ等の半導体素子を基板上に形成可能
な基板の熱処理方法および装置を提供することを目的と
する。The present invention has been made in view of the above circumstances, and a method and apparatus for heat treatment of a substrate capable of relatively easily forming a semiconductor element such as a thin film transistor having a constant and good characteristic on the substrate. The purpose is to provide.
【００１３】[0013]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項１の発明は、基板に光を照射することにより
基板を熱処理する熱処理方法において、表面上にシリコ
ン膜が形成された基板を熱処理室に搬入する基板搬入工
程と、前記熱処理室内に搬入された前記基板を予備加熱
する予備加熱工程と、前記処理室内の前記基板があらか
じめ設定した予備加熱温度まで昇温した後に、前記基板
に対して閃光を照射することにより、予備加熱された前
記基板を処理温度まで昇温させるフラッシュ加熱工程
と、前記熱処理室内から前記基板を搬出する基板搬出工
程と、を備える。In order to solve the above-mentioned problems, the invention of claim 1 is a heat treatment method for heat-treating a substrate by irradiating the substrate with light, and a substrate having a silicon film formed on the surface thereof is provided. A substrate loading step of loading into the heat treatment chamber, a preheating step of preheating the substrate loaded into the heat treatment chamber, and a step of preheating the substrate in the processing chamber to a preset preheating temperature, and then transferring the substrate to the substrate. On the other hand, a flash heating step of raising the temperature of the preheated substrate to a processing temperature by irradiating with flash light, and a substrate unloading step of unloading the substrate from the heat treatment chamber are provided.
【００１４】また、請求項２の発明は、請求項１の発明
にかかる基板の熱処理方法において、前記予備加熱工程
においては前記基板を摂氏２００度乃至摂氏４００度の
温度に予備加熱する。According to a second aspect of the present invention, in the heat treatment method for a substrate according to the first aspect, the substrate is preheated to a temperature of 200 to 400 degrees Celsius in the preheating step.
【００１５】また、請求項３の発明は、請求項１または
請求項２の発明にかかる基板の熱処理方法において、前
記フラッシュ加熱工程においては照射強度を１０乃至３
０Ｊ／ｃｍ2としている。According to a third aspect of the present invention, in the heat treatment method for a substrate according to the first or second aspect, the irradiation intensity is 10 to 3 in the flash heating step.
It is set to 0 J / cm2 .
【００１６】また、請求項４の発明は、基板に光を照射
することにより基板を熱処理する熱処理装置において、
表面上にシリコン膜が形成された基板を保持する熱処理
室と、前記熱処理室内に保持された基板を予備加熱する
予備加熱手段と、あらかじめ設定された予備加熱温度ま
で前記予備加熱手段によって昇温された基板に対して閃
光を照射することにより当該基板を処理温度まで昇温さ
せるフラッシュ加熱手段と、を備える。According to a fourth aspect of the present invention, in a heat treatment apparatus for heat treating a substrate by irradiating the substrate with light,
A heat treatment chamber for holding a substrate having a silicon film formed on its surface, a preheating means for preheating the substrate held in the heat treatment chamber, and a preheating means for raising the temperature to a preset preheating temperature. Flash heating means for heating the substrate to a processing temperature by irradiating the substrate with flash light.
【００１７】また、請求項５の発明は、請求項４の発明
にかかる熱処理装置において、前記予備加熱手段に、前
記基板を摂氏２００度乃至摂氏４００度の温度に予備加
熱させている。According to a fifth aspect of the present invention, in the heat treatment apparatus according to the fourth aspect of the invention, the preheating means preheats the substrate to a temperature of 200 to 400 degrees Celsius.
【００１８】また、請求項６の発明は、請求項４または
請求項５の発明にかかる熱処理装置において、前記フラ
ッシュ加熱手段の基板に対する照射強度を１０乃至３０
Ｊ／ｃｍ2としている。According to a sixth aspect of the invention, in the heat treatment apparatus according to the fourth or fifth aspect of the invention, the irradiation intensity of the flash heating means with respect to the substrate is 10 to 30.
It is set to J / cm2 .
【００１９】[0019]
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態について詳細に説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.
【００２０】図１および図２はこの発明の実施形態に係
わる熱処理装置の断面図であり、図３はその平面概要図
である。1 and 2 are sectional views of a heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a schematic plan view thereof.
【００２１】この熱処理装置は、透光板６１、底板６２
および一対の側板６３、６４からなり、その内部に非晶
質シリコン膜が形成されたガラス基板Ｗを収納して熱処
理するための熱処理室６５を備える。熱処理室６５を構
成する透光板６１は、例えば、石英等の赤外線透過性を
有する材料から構成されている。また、熱処理室６５を
構成する底板６２には、後述する熱拡散板７３および加
熱プレート７４を貫通してガラス基板Ｗをその下面から
支持するための支持ピン７０が立設されている。This heat treatment apparatus has a transparent plate 61 and a bottom plate 62.
A heat treatment chamber 65 for accommodating and heat treating the glass substrate W having a pair of side plates 63 and 64 and having an amorphous silicon film formed therein is provided. The translucent plate 61 that constitutes the heat treatment chamber 65 is made of, for example, a material having infrared transparency such as quartz. Further, on the bottom plate 62 which constitutes the heat treatment chamber 65, support pins 70 are provided upright for penetrating a heat diffusion plate 73 and a heating plate 74, which will be described later, to support the glass substrate W from the lower surface thereof.
【００２２】また、熱処理室６５を構成する側板６４に
は、ガラス基板Ｗの搬入および搬出を行うための開口部
６６が形成されている。開口部６６は、軸６７を中心に
回動するゲートバルブ６８により開閉可能となってい
る。ガラス基板Ｗは、開口部６６が解放された状態で、
図示しない搬送ロボットにより熱処理室６５内に搬入さ
れる。Further, the side plate 64 forming the heat treatment chamber 65 is formed with an opening 66 for loading and unloading the glass substrate W. The opening 66 can be opened and closed by a gate valve 68 that rotates about a shaft 67. The glass substrate W has the opening 66 opened,
It is carried into the heat treatment chamber 65 by a transfer robot (not shown).
【００２３】熱処理室６５の上方には、棒状のキセノン
フラッシュランプ６９が互いに平行に複数個（この実施
形態においては２１個）列設されている。また、キセノ
ンフラッシュランプ６９の上方には、リフレクタ７１が
配設されている。なお、図６は、この実施形態に係るキ
セノンフラッシュランプ６９と後述する熱拡散板７３と
の配置関係を模式的に示す平面図である。A plurality of (21 in this embodiment) rod-shaped xenon flash lamps 69 are arranged in parallel above the heat treatment chamber 65. Further, a reflector 71 is arranged above the xenon flash lamp 69. 6. FIG. 6 is a plan view schematically showing the positional relationship between the xenon flash lamp 69 according to this embodiment and a heat diffusion plate 73 described later.
【００２４】このキセノンフラッシュランプ６９は、そ
の内部にキセノンガスが封入されその両端部にコンデン
サーに接続された陽極および陰極が配設されたガラス管
と、このガラス管の外周部に巻回されたトリガー電極と
を備える。キセノンガスは電気的に絶縁体であることか
ら、通常の状態ではガラス管内に電気は流れない。しか
しながら、トリガー電極に高電圧を加えて絶縁を破壊し
た場合には、コンデンサーに蓄えられた電気がガラス管
内に流れ、その時のジュール熱でキセノンガスが加熱さ
れて光が放出される。このキセノンフラッシュランプ６
９においては、予め蓄えられていた静電エネルギーが
０．１ミリセカンド乃至１０ミリセカンドという極めて
短い光パルスに変換されることから、連続点灯に光源に
比べて極めて強い光を照射し得るという特徴を有する。The xenon flash lamp 69 has a glass tube in which a xenon gas is filled and an anode and a cathode connected to a condenser are arranged at both ends of the glass tube, and the glass tube is wound around the outer circumference of the glass tube. And a trigger electrode. Since xenon gas is an electrical insulator, electricity does not flow in the glass tube under normal conditions. However, when a high voltage is applied to the trigger electrode to break the insulation, electricity stored in the capacitor flows into the glass tube, and the Joule heat at that time heats the xenon gas to emit light. This xenon flash lamp 6
In No. 9, the electrostatic energy stored in advance is converted into an extremely short light pulse of 0.1 millisecond to 10 millisecond, and therefore, it is possible to irradiate continuous lighting with extremely strong light as compared with the light source. Have.
【００２５】キセノンフラッシュランプ６９と透光板６
１との間には、光拡散板７２が配設されている。この光
拡散板７２は、赤外線透過材料としての石英ガラスの表
面に光拡散加工を施したものが使用される。Xenon flash lamp 69 and translucent plate 6
A light diffusion plate 72 is disposed between the light diffusion plate 1 and The light diffusing plate 72 is made of quartz glass as an infrared transmitting material, the surface of which is subjected to a light diffusing process.
【００２６】熱処理室６５内には、熱拡散板７３と加熱
プレート７４とがこの順で配設されている。また、熱拡
散板７３の表面には、ガラス基板Ｗの位置ずれ防止ピン
７５が付設されている。A heat diffusion plate 73 and a heating plate 74 are arranged in this order in the heat treatment chamber 65. Further, on the surface of the heat diffusion plate 73, a displacement prevention pin 75 for the glass substrate W is attached.
【００２７】加熱プレート７４は、ガラス基板Ｗを予備
加熱するためのものである。この加熱プレート７４は、
窒化アルミから構成され、その内部にヒータとこのヒー
タを制御するためのセンサとを収納した構成を有する。
一方、熱拡散板７３は、加熱プレート７４からの熱エネ
ルギーを拡散してガラス基板Ｗを均一に加熱するための
ものである。この熱拡散板７３の材質としては、サファ
イア（酸化アルミニウム）や石英等の比較的熱伝導率が
小さいものが採用される。The heating plate 74 is for preheating the glass substrate W. This heating plate 74 is
It is made of aluminum nitride and has a structure in which a heater and a sensor for controlling the heater are housed inside.
On the other hand, the heat diffusion plate 73 is for diffusing the heat energy from the heating plate 74 and heating the glass substrate W uniformly. As a material of the heat diffusion plate 73, a material having a relatively small thermal conductivity such as sapphire (aluminum oxide) or quartz is adopted.
【００２８】熱拡散板７３および加熱プレート７４は、
エアシリンダ７６の駆動により、図１に示すガラス基板
Ｗの搬入・搬出位置と図２に示すガラス基板Ｗの熱処理
位置との間を昇降する構成となっている。The heat diffusion plate 73 and the heating plate 74 are
By driving the air cylinder 76, it is configured to move up and down between the loading / unloading position of the glass substrate W shown in FIG. 1 and the heat treatment position of the glass substrate W shown in FIG.
【００２９】図１に示すガラス基板Ｗの搬入・搬出位置
は、図示しない搬送ロボットを使用して開口部６６から
搬入したガラス基板Ｗを支持ピン７０上に載置し、ある
いは、支持ピン７０上に載置されたガラス基板Ｗを開口
部から搬出するため、熱拡散板７３および加熱プレート
７４が下降した位置である。この状態においては、支持
ピン７０の上端は、熱拡散板７３および加熱プレート７
４に形成された貫通孔を通過し、熱拡散板７３の表面よ
り上方に配置される。なお、図１においては、説明の便
宜上、本来側面図では図示されない熱拡散板７３および
加熱プレート７４の貫通孔を図示している。At the loading / unloading position of the glass substrate W shown in FIG. 1, the glass substrate W loaded from the opening 66 is placed on the support pin 70 by using a transfer robot (not shown), or on the support pin 70. This is the position where the heat diffusion plate 73 and the heating plate 74 are lowered in order to carry out the glass substrate W placed on the substrate from the opening. In this state, the upper end of the support pin 70 has the heat diffusion plate 73 and the heating plate 7
It passes through the through hole formed in No. 4 and is arranged above the surface of the heat diffusion plate 73. Note that, in FIG. 1, for convenience of description, through holes of the heat diffusion plate 73 and the heating plate 74, which are not originally shown in the side view, are illustrated.
【００３０】図２に示すガラス基板Ｗの熱処理装置は、
ガラス基板Ｗに対して熱処理を行うため、熱拡散板７３
および加熱プレート７４が支持ピン７０の上端より上方
に上昇した位置である。この状態においては、ガラス基
板Ｗはその下面を熱拡散板７３の表面に支持されて上昇
し、透光板６１に近接した位置に配置される。The heat treatment apparatus for the glass substrate W shown in FIG.
Since the glass substrate W is heat-treated, the heat diffusion plate 73
Also, the heating plate 74 is located at a position higher than the upper end of the support pin 70. In this state, the lower surface of the glass substrate W is supported by the surface of the heat diffusion plate 73 and rises, and is arranged at a position close to the translucent plate 61.
【００３１】なお、加熱プレート７４を支持する支持部
材８０と熱処理室６５の底板６２との間には、熱拡散板
７３および加熱プレート７４がガラス基板Ｗの搬入・搬
出位置と熱処理位置との間を昇降する際に発生するパー
ティクルがガラス基板Ｗに付着することを防止するため
の蛇腹７７が配設されている。Between the support member 80 for supporting the heating plate 74 and the bottom plate 62 of the heat treatment chamber 65, the heat diffusion plate 73 and the heating plate 74 are provided between the loading / unloading position of the glass substrate W and the heat treatment position. A bellows 77 is provided to prevent particles generated when moving up and down from adhering to the glass substrate W.
【００３２】熱処理室６５における開口部６６と逆側の
側板６３には、導入路７８が形成されている。この導入
路７８は、後述する大気解放時に空気を導入するための
ものである。なお、空気を導入する代わりに、窒素ガス
等を導入するようにしてもよい。An introduction path 78 is formed in the side plate 63 on the side opposite to the opening 66 in the heat treatment chamber 65. The introduction path 78 is for introducing air when the atmosphere is released, which will be described later. Note that nitrogen gas or the like may be introduced instead of introducing air.
【００３３】一方、熱処理室６５における底板６２に
は、排出路７９が形成されている。この排出路７９は、
開閉弁８１を介して真空ポンプ等の減圧機構と接続され
ている。On the other hand, a discharge path 79 is formed in the bottom plate 62 in the heat treatment chamber 65. This discharge path 79
It is connected to a pressure reducing mechanism such as a vacuum pump via an opening / closing valve 81.
【００３４】次に、この発明に係る熱処理装置によるガ
ラス基板Ｗの熱処理動作について説明する。図３はこの
発明に係る熱処理装置によるガラス基板Ｗの熱処理動作
を示すフローチャートであり、図４はそのときのガラス
基板Ｗの温度の推移等を示すグラフである。Next, the heat treatment operation of the glass substrate W by the heat treatment apparatus according to the present invention will be described. FIG. 3 is a flowchart showing the heat treatment operation of the glass substrate W by the heat treatment apparatus according to the present invention, and FIG. 4 is a graph showing the transition of the temperature of the glass substrate W at that time.
【００３５】まず、基板として図５に示すように０．５
〜１．１ｍｍ厚（代表的には０．７ｍｍ厚）のガラス板
Ｗ１を用意する。ガラス板Ｗ１はＬＣＤ表示装置に一般
的に使用されるものである。以上の様なガラス板Ｗ１を
用意したら、ガラス板Ｗ１に対して非晶質シリコン膜Ｗ
２を成膜し、ガラス基板Ｗを構成する。First, as a substrate, 0.5 as shown in FIG.
A glass plate W1 having a thickness of 1.1 mm (typically 0.7 mm) is prepared. The glass plate W1 is generally used for an LCD display device. When the glass plate W1 as described above is prepared, the amorphous silicon film W is added to the glass plate W1.
2 is deposited to form a glass substrate W.
【００３６】この熱処理装置においては、熱拡散板７３
および加熱プレート７４が図１に示すガラス基板Ｗの搬
入・搬出位置に配置された状態で、図示しない搬送ロボ
ットにより開口部６６を介してガラス基板Ｗが搬入さ
れ、支持ピン７０上に載置される。ガラス基板Ｗの搬入
が完了すれば、開口部６６がゲートバルブ６８により閉
鎖される（ステップＳ１）。しかる後、熱拡散板７３お
よび加熱プレート７４がエアシリンダ７６の駆動により
図２に示すガラス基板Ｗの熱処理位置まで上昇する。In this heat treatment apparatus, the heat diffusion plate 73
The glass substrate W is loaded through the opening 66 by the transport robot (not shown) while the heating plate 74 is arranged at the loading / unloading position of the glass substrate W shown in FIG. It When the loading of the glass substrate W is completed, the opening 66 is closed by the gate valve 68 (step S1). Thereafter, the heat diffusion plate 73 and the heating plate 74 are moved up to the heat treatment position of the glass substrate W shown in FIG. 2 by driving the air cylinder 76.
【００３７】熱拡散板７３および加熱プレート７４は、
加熱プレート７４に内臓されたヒータの作用により、予
め加熱されている。このため、熱拡散板７３および加熱
プレート７４が図２に示すガラス基板Ｗの熱処理位置ま
で上昇した状態においては、ガラス基板Ｗが加熱状態に
ある熱拡散板７３と接触することにより予備加熱され、
図４に示すように、ガラス基板Ｗの温度が順次上昇する
（ステップＳ２）。The heat diffusion plate 73 and the heating plate 74 are
It is preheated by the action of the heater incorporated in the heating plate 74. Therefore, when the heat diffusion plate 73 and the heating plate 74 are raised to the heat treatment position of the glass substrate W shown in FIG. 2, the glass substrate W is preheated by contacting the heat diffusion plate 73 in the heated state,
As shown in FIG. 4, the temperature of the glass substrate W sequentially rises (step S2).
【００３８】この予備加熱工程においては、ガラス基板
Ｗは熱拡散板７３を介して加熱プレート７４からの熱エ
ネルギーを受ける。このため、加熱プレート７４におけ
る温度分布が完全に均一になっていない場合において
も、ガラス基板Ｗを均一に加熱することが可能となる。In this preheating step, the glass substrate W receives heat energy from the heating plate 74 via the heat diffusion plate 73. Therefore, even if the temperature distribution on the heating plate 74 is not completely uniform, the glass substrate W can be heated uniformly.
【００３９】この予備加熱工程と並行して、熱処理室６
４内を減圧する（ステップＳ３）。すなわち、開閉弁８
１を解放して排出路７９を図示しない減圧機構と接続す
ることにより、熱処理室６５内を排気して減圧する。こ
のときには、後述する諸効果を効果的に奏せしめるた
め、熱処理室６５内を１／１０気圧乃至１／１０００気
圧まで減圧することが好ましい。In parallel with this preheating step, the heat treatment chamber 6
The pressure inside 4 is reduced (step S3). That is, the open / close valve 8
1 is released and the discharge path 79 is connected to a decompression mechanism (not shown), so that the inside of the heat treatment chamber 65 is evacuated and decompressed. At this time, it is preferable to reduce the pressure in the heat treatment chamber 65 to 1/10 atmospheric pressure to 1/1000 atmospheric pressure in order to effectively bring out various effects described later.
【００４０】この状態において、ガラス基板Ｗは熱拡散
板７３を介して継続して加熱される。そして、ガラス基
板Ｗの温度上昇時には、図示しない温度センサにより、
ガラス基板Ｗの表面温度、即ち、非晶質シリコン膜Ｗ２
が予備加熱温度Ｔ１に到達したか否かを常に監視する
（ステップＳ４）。In this state, the glass substrate W is continuously heated via the heat diffusion plate 73. When the temperature of the glass substrate W rises, a temperature sensor (not shown)
Surface temperature of glass substrate W, that is, amorphous silicon film W2
Always monitors whether or not the temperature has reached the preheating temperature T1 (step S4).
【００４１】なお、この予備加熱温度Ｔ１は、摂氏２０
０度乃至摂氏４００度程度の温度である。ガラス基板Ｗ
をこの程度の予備加熱温度Ｔ１まで加熱したとしても、
非晶質シリコン膜Ｗ２が多結晶化してしまうことはな
い。また、ガラス板Ｗ１がそりや歪みを生じることもな
い。The preheating temperature T1 is 20 degrees Celsius.
The temperature is from 0 to 400 degrees Celsius. Glass substrate W
Is heated to the preheating temperature T1 of this degree,
The amorphous silicon film W2 is never polycrystallized. Further, the glass plate W1 does not warp or warp.
【００４２】そして、ガラス基板Ｗの表面温度が図４に
示す予備加熱温度Ｔ１となった直後に、キセノンフラッ
シュランプ６９を点灯してフラッシュ加熱を行う（ステ
ップＳ５）。このフラッシュ加熱工程におけるキセノン
フラッシュランプ６９の点灯時間は、０．１ミリセカン
ド乃至１０ミリセカンド程度の時間で、可視光から赤外
に渡る波長で１０乃至３０Ｊ／ｃｍ2のエネルギー範囲
で照射する。このように、キセノンフラッシュランプ６
９においては、予め蓄えられていた静電エネルギーがこ
のように極めて短い光パルスに変換されることから、極
めて強い閃光が照射されることになる。Immediately after the surface temperature of the glass substrate W reaches the preheating temperature T1 shown in FIG. 4, the xenon flash lamp 69 is turned on to perform flash heating (step S5). The lighting time of the xenon flash lamp 69 in this flash heating step is about 0.1 millisecond to 10 millisecond, and irradiation is performed in the energy range of 10 to 30 J / cm2 in the wavelength range from visible light to infrared light. In this way, the xenon flash lamp 6
In No. 9, since the electrostatic energy stored in advance is converted into an extremely short light pulse in this way, an extremely strong flash light is emitted.
【００４３】この状態において、ガラス基板Ｗの表面温
度は、図４に示す温度Ｔ２となる。この温度Ｔ２は、摂
氏５００度乃至摂氏６００度程度のガラス基板Ｗの処理
に必要な温度である。ガラス基板Ｗの表面がこのような
処理温度Ｔ２にまで昇温された場合においては、非晶質
シリコン膜Ｗ２が結晶化し、ポリシリコン膜となる。こ
の状態において、ガラス基板Ｗ上の光照射された部分の
非晶質シリコン膜Ｗ２は、光エネルギーにより溶融し、
再結晶化して多結晶シリコン膜に変わる。In this state, the surface temperature of the glass substrate W becomes the temperature T2 shown in FIG. This temperature T2 is a temperature required for processing the glass substrate W at about 500 degrees Celsius to about 600 degrees Celsius. When the surface of the glass substrate W is heated to such a processing temperature T2, the amorphous silicon film W2 is crystallized and becomes a polysilicon film. In this state, the portion of the amorphous silicon film W2 on the glass substrate W irradiated with light is melted by the light energy,
It is recrystallized and converted into a polycrystalline silicon film.
【００４４】この時の光照射エネルギーは、被照射され
る非晶質シリコン膜Ｗ２の膜厚により適宜調整されるも
のであるが、アシスト加熱工程により予め昇温されるた
め、上述の範囲で調整される。The light irradiation energy at this time is appropriately adjusted depending on the film thickness of the amorphous silicon film W2 to be irradiated, but since it is raised in advance by the assist heating step, it is adjusted within the above range. To be done.
【００４５】このとき、ガラス基板Ｗの表面温度が０．
１ミリセカンド乃至１０ミリセカンド程度の極めて短い
時間で処理温度Ｔ２まで昇温されることから、ガラス基
板Ｗ上の非晶質シリコン膜Ｗ２の再結晶は短時間で完了
する。従って、処理時間が短縮されるとともにガラス板
Ｗ１が昇温されることを防止することが可能となる。At this time, the surface temperature of the glass substrate W is 0.
Since the temperature is raised to the processing temperature T2 in an extremely short time of about 1 millisecond to 10 milliseconds, the recrystallization of the amorphous silicon film W2 on the glass substrate W is completed in a short time. Therefore, it is possible to reduce the processing time and prevent the temperature of the glass plate W1 from rising.
【００４６】また、キセノンフラッシュランプ６９を点
灯してガラス基板Ｗを加熱する前に、加熱プレート７４
を使用してガラス基板Ｗの表面温度を摂氏２００度乃至
摂氏４００度程度の予備加熱温度Ｔ１まで加熱している
ことから、キセノンフラッシュランプ６９によりガラス
基板Ｗを摂氏５００度乃至摂氏６００度程度の処理温度
Ｔ２まで速やかに昇温させることが可能となる。Before the xenon flash lamp 69 is turned on to heat the glass substrate W, the heating plate 74 is used.
Since the surface temperature of the glass substrate W is heated to a preheating temperature T1 of about 200 ° C. to 400 ° C. by using, the glass substrate W is heated to about 500 ° C. to 600 ° C. by the xenon flash lamp 69. It is possible to quickly raise the temperature to the processing temperature T2.
【００４７】このフラッシュ加熱工程において、加熱プ
レート７４は石英製の熱拡散板７３を透過した光線をう
ける。しかしながら、加熱プレート７４は白色の窒化ア
ルミニウムから構成されていることから、加熱プレート
７４に焦げ付きが生ずることはない。In this flash heating step, the heating plate 74 receives the light rays that have passed through the heat diffusion plate 73 made of quartz. However, since the heating plate 74 is made of white aluminum nitride, the heating plate 74 does not burn.
【００４８】また、上述したフラッシュ加熱工程は、減
圧下で実行される。このため、従来のように熱処理室６
５内で気体が反応してパーティクルを拡散させたりガラ
ス基板Ｗを移動させたりすることはない。The flash heating process described above is performed under reduced pressure. Therefore, as in the conventional case, the heat treatment chamber 6
The gas does not react within 5 to diffuse the particles or move the glass substrate W.
【００４９】同様に、熱処理室６５を減圧することによ
り、熱処理室６５内で対流が発生することがなくなり、
予備加熱工程およびフラッシュ加熱工程において、ガラ
ス基板Ｗの全面を均一に加熱することが可能となる。Similarly, by reducing the pressure in the heat treatment chamber 65, convection does not occur in the heat treatment chamber 65,
In the preheating process and the flash heating process, the entire surface of the glass substrate W can be heated uniformly.
【００５０】さらには、熱処理室６４内を減圧すること
により、熱処理室６５内から酸素や有機物を排除するこ
とが可能となる。このため、熱処理室６５を構成する材
料の酸化や有機物の黒化に起因する熱処理装置の寿命の
低下を防止することが可能となる。Furthermore, by reducing the pressure in the heat treatment chamber 64, it becomes possible to remove oxygen and organic substances from the heat treatment chamber 65. Therefore, it is possible to prevent the life of the heat treatment apparatus from being shortened due to the oxidation of the material forming the heat treatment chamber 65 and the blackening of the organic matter.
【００５１】フラッシュ加熱工程が終了すれば、開閉弁
８１を閉止するとともに導入路７８から空気を導入する
ことにより、熱処理室６５を大気解放する（ステップＳ
６）。また、加熱プレート７４を利用してのガラス基板
Ｗの加熱を停止する（ステップＳ７）。When the flash heating process is completed, the on-off valve 81 is closed and air is introduced from the introduction passage 78 to open the heat treatment chamber 65 to the atmosphere (step S).
6). Further, the heating of the glass substrate W using the heating plate 74 is stopped (step S7).
【００５２】なお、ガラス基板Ｗの表面温度が予備加熱
温度Ｔ１となった直後にフラッシュ加熱を行うととも
に、フラッシュ加熱工程完了後に熱処理室６５内を大気
解放するのは、次のような理由による。The reason why the flash heating is performed immediately after the surface temperature of the glass substrate W reaches the preheating temperature T1 and the inside of the heat treatment chamber 65 is opened to the atmosphere after the flash heating process is completed is as follows.
【００５３】すなわち、この発明に係る熱処理装置にお
いては、加熱プレート７４を減圧された熱処理室６５内
に設置していることから、加熱プレート７４を降温する
ことが困難となり、加熱プレート７４を所望の温度に維
持することが難しくなる。このような問題に対応するた
め、ペルチェ素子等の降温手段を使用した場合には、ガ
ラス基板Ｗに対する温度の均一性が低下する。That is, in the heat treatment apparatus according to the present invention, since the heating plate 74 is installed in the heat treatment chamber 65 whose pressure is reduced, it is difficult to lower the temperature of the heating plate 74, and the heating plate 74 is desired. It becomes difficult to maintain the temperature. In order to cope with such a problem, when a temperature lowering means such as a Peltier element is used, the temperature uniformity with respect to the glass substrate W is reduced.
【００５４】このため、この発明に係る熱処理装置にお
いては、ガラス基板Ｗの表面温度が予備加熱温度Ｔ１と
なった直後にフラッシュ加熱を行うことにより、フラッ
シュ加熱が、ガラス基板Ｗが予備加熱温度Ｔ１より高い
温度となった時点で実行されることを防止するととも
に、フラッシュ加熱工程完了後に熱処理室６５内を大気
解放することにより熱処理室６５内を速やかに降温して
いる。これにより、図４に示すように、ガラス基板Ｗの
温度は、予備加熱温度Ｔ１に対して若干オーバーシュー
トＨを生じた後、速やかに低下する。Therefore, in the heat treatment apparatus according to the present invention, by performing flash heating immediately after the surface temperature of the glass substrate W reaches the preheating temperature T1, the flash heating is performed and the glass substrate W is preheated temperature T1. It is prevented from being executed at a time when the temperature becomes higher, and after the flash heating process is completed, the inside of the heat treatment chamber 65 is released to the atmosphere to rapidly reduce the temperature inside the heat treatment chamber 65. As a result, as shown in FIG. 4, the temperature of the glass substrate W is rapidly lowered after a slight overshoot H with respect to the preheating temperature T1.
【００５５】熱処理室６５の大気解放が完了すれば、熱
拡散板７３および加熱プレート７４がエアシリンダ７６
の駆動により図１に示すガラス基板Ｗの搬入・搬出位置
まで下降するとともに、ゲートバルブ６８により閉鎖さ
れていた開口部６６が解放される。そして、支持ピン７
０上に載置されたガラス基板Ｗが図示しない搬送ロボッ
トにより搬出される（ステップＳ８）。When the atmospheric release of the heat treatment chamber 65 is completed, the heat diffusion plate 73 and the heating plate 74 are moved to the air cylinder 76.
Is driven down to the loading / unloading position of the glass substrate W shown in FIG. 1, and the opening 66 closed by the gate valve 68 is released. And the support pin 7
The glass substrate W placed on 0 is unloaded by a transfer robot (not shown) (step S8).
【００５６】以上のようにすれば、キセノンフラッシュ
ランプ６９からの閃光照射による一括露光によって基板
Ｗの非晶質シリコン膜Ｗ２を加熱しているため、非晶質
シリコン膜Ｗ２を全面にわたって短時間で均一に昇温す
ることができ、シリコン膜の改質を均一に行うことがで
きる。その結果、良質な多結晶シリコン膜を得ることが
でき、特性の優れたＴＦＴが得られる。With the above arrangement, since the amorphous silicon film W2 of the substrate W is heated by the batch exposure by the flash light irradiation from the xenon flash lamp 69, the entire surface of the amorphous silicon film W2 is shortened. The temperature can be raised uniformly, and the silicon film can be reformed uniformly. As a result, a good quality polycrystalline silicon film can be obtained, and a TFT having excellent characteristics can be obtained.
【００５７】また、加熱プレート７４によって予備加熱
温度Ｔ１まで昇温された基板Ｗの非晶質シリコン膜Ｗ２
をキセノンフラッシュランプ６９の点灯によるフラッシ
ュ加熱により処理温度Ｔ２まで昇温しているため、フラ
ッシュ加熱に高いエネルギーを要することなく均一なシ
リコン膜の熱処理を行うことができる。Further, the amorphous silicon film W2 of the substrate W which has been heated to the preheating temperature T1 by the heating plate 74.
Since the temperature is raised to the processing temperature T2 by flash heating by turning on the xenon flash lamp 69, uniform heat treatment of the silicon film can be performed without requiring high energy for flash heating.
【００５８】さらに、短時間の熱処理が可能となるた
め、スループットが向上して量産性が向上し、その結
果、例えば、ＴＦＴを用いた液晶表示（ＬＣＤ）パネル
を低コストで製造することができる。Further, since heat treatment can be performed for a short time, throughput is improved and mass productivity is improved. As a result, for example, a liquid crystal display (LCD) panel using TFT can be manufactured at low cost. .
【００５９】なお、本発明は、上述した実施例に限定さ
れるものではなく、以下のように他の形態でも実施する
ことができる。The present invention is not limited to the above-mentioned embodiments, but can be implemented in other forms as follows.
【００６０】（１）上記の実施形態においては、非晶質
シリコン膜を多結晶化する例で説明したが、表面上にシ
リコン膜が形成されたガラス基板として、前述の非晶質
シリコン膜が形成されたガラス基板の他に、窒化シリコ
ン膜が形成されたガラス基板上や、多結晶シリコン膜が
形成されたガラス基板上のように種々のシリコン膜が形
成されたガラス基板に対して、本発明の熱処理方法は実
施できる。例えば、ＣＶＤ法により形成した多結晶シリ
コン膜にシリコンをイオン注入して非晶質化した非晶質
シリコン膜を形成し、更に、その上に反射防止膜となる
酸化シリコン膜を形成する。この状態で、非晶質シリコ
ン膜の全面に光照射し、本発明による熱処理を施して非
晶質シリコン膜が多結晶化した多結晶シリコン膜を形成
する場合にも適用できる。(1) In the above embodiment, an example in which an amorphous silicon film is polycrystallized has been described, but the above-mentioned amorphous silicon film is used as a glass substrate having a silicon film formed on its surface. In addition to the formed glass substrate, a glass substrate on which various silicon films are formed, such as a glass substrate on which a silicon nitride film is formed or a glass substrate on which a polycrystalline silicon film is formed, The inventive heat treatment method can be carried out. For example, a polycrystalline silicon film formed by the CVD method is ion-implanted with silicon to form an amorphous silicon film, and a silicon oxide film serving as an antireflection film is further formed thereon. In this state, the entire surface of the amorphous silicon film may be irradiated with light and the heat treatment according to the present invention may be performed to form a polycrystalline silicon film in which the amorphous silicon film is polycrystallized.
【００６１】（２）また、ガラス基板上に下地ＳｉＯ2
膜、アモルファスシリコンを結晶化したポリシリコン膜
を有し、ポリシリコン膜にリンやボロン等の不純物をド
ーピングされた構造のＴＦＴ基板を、本発明により熱処
理してもよい。このような光照射処理が施される目的
は、主にドーピング工程で打ち込まれた不純物の活性
化、および膜の改質にある。この処理においては均一な
処理を施すことが可能となる。(2) Further, the base SiO2 is formed on the glass substrate.
A TFT substrate having a film, a polysilicon film obtained by crystallizing amorphous silicon, and having a structure in which the polysilicon film is doped with impurities such as phosphorus and boron may be heat-treated according to the present invention. The purpose of performing such a light irradiation treatment is mainly to activate the impurities implanted in the doping process and to modify the film. In this process, it is possible to perform a uniform process.
【００６２】（３）また、上記の実施形態においては、
ガラス板Ｗ１の上に非晶質シリコン膜Ｗ２を成膜してガ
ラス基板Ｗを構成していたが、他の材質の平板の上にシ
リコン膜を成膜したものを処理対象の基板として熱処理
を行うようにしても良い。ガラス板以外のものとして
は、石英板、樹脂板を使用することができ、これらの上
にシリコン膜を形成して光照射により熱処理を行うよう
にしても良い。また、シリコン膜を成膜する板状部材は
透明であっても良いし、半透明であっても良い。さら
に、ガラス板Ｗ１を構成するガラス材料としては、例え
ばアルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、鉛アルカリガラ
ス、ホウケイ酸ガラス、アルミノケイ酸ガラス、シリカ
ガラスを採用することができる。これらのうちコストの
観点からはアルカリガラスが好ましい。(3) In the above embodiment,
Although the amorphous silicon film W2 is formed on the glass plate W1 to form the glass substrate W, the heat treatment is performed using the silicon film formed on the flat plate of another material as the substrate to be processed. You may do it. A quartz plate or a resin plate may be used as a material other than the glass plate, and a silicon film may be formed on these and heat treatment may be performed by light irradiation. The plate-shaped member on which the silicon film is formed may be transparent or semi-transparent. Furthermore, as the glass material forming the glass plate W1, for example, alkali glass, soda lime glass, lead alkali glass, borosilicate glass, aluminosilicate glass, or silica glass can be adopted. Of these, alkali glass is preferable from the viewpoint of cost.
【００６３】その他、特許請求の範囲に記載された技術
的事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能であ
る。Besides, it is possible to make various design changes within the scope of the technical matters described in the claims.
【００６４】[0064]
【発明の効果】以上、説明したように、請求項１の発明
によれば、あらかじめ設定した予備加熱温度まで昇温し
た基板に対して閃光を照射することにより、その基板を
処理温度まで昇温させるため、シリコン膜に対する光照
射による熱処理を均一に行うことが可能となり、比較的
容易に一定且つ良好な特性を持つ薄膜トランジスタ等の
半導体素子を基板上に形成することができる。As described above, according to the first aspect of the present invention, the substrate heated to the preset preheating temperature is irradiated with flash light to raise the temperature of the substrate to the processing temperature. Therefore, it becomes possible to uniformly perform the heat treatment on the silicon film by light irradiation, and it is possible to relatively easily form a semiconductor element such as a thin film transistor having a constant and good characteristic on the substrate.
【００６５】また、請求項２の発明によれば、基板を摂
氏２００度乃至摂氏４００度の温度に予備加熱してお
り、この温度範囲の昇温であれば基板のそりや歪みが生
じないので、その結果、フラッシュ加熱工程を行うに際
して良好な照射処理が行われる。According to the second aspect of the present invention, the substrate is preheated to a temperature of 200 to 400 degrees Celsius, and warping or distortion of the substrate does not occur if the temperature is raised within this temperature range. As a result, a good irradiation process is performed when performing the flash heating step.
【００６６】また、請求項３の発明によれば、照射強度
を１０乃至３０Ｊ／ｃｍ2としており、閃光強度が比較
的低いため調整が容易で、バラツキを少なくして処理温
度までの加熱処理が達成される。Further, according to the invention of claim 3, the irradiation intensity is 10 to 30 J / cm2 , and the flash intensity is relatively low, so that the adjustment is easy, and the variation is reduced, and the heat treatment up to the treatment temperature is performed. To be achieved.
【００６７】また、請求項４の発明によれば、あらかじ
め設定された予備加熱温度まで予備加熱手段によって昇
温された基板に対して閃光を照射することにより当該基
板を処理温度まで昇温させるため、シリコン膜に対する
光照射による熱処理を均一に行うことが可能となり、比
較的容易に一定且つ良好な特性を持つ薄膜トランジスタ
等の半導体素子を基板上に形成することができる。According to the fourth aspect of the invention, the temperature of the substrate is raised to the processing temperature by irradiating the substrate whose temperature has been raised by the preheating means up to the preset preheating temperature with flash light. The heat treatment by light irradiation on the silicon film can be uniformly performed, and a semiconductor element such as a thin film transistor having a constant and good characteristic can be relatively easily formed on the substrate.
【００６８】また、請求項５の発明によれば、基板を摂
氏２００度乃至摂氏４００度の温度に予備加熱してお
り、この温度範囲の昇温であれば基板のそりや歪みが生
じないので、その結果、フラッシュ加熱工程を行うに際
して良好な照射処理が行われる。According to the fifth aspect of the present invention, the substrate is preheated to a temperature of 200 to 400 degrees Celsius, and warping or distortion of the substrate does not occur if the temperature is raised within this temperature range. As a result, a good irradiation process is performed when performing the flash heating step.
【００６９】また、請求項６の発明によれば、フラッシ
ュ加熱手段の照射強度を１０乃至３０Ｊ／ｃｍ2として
おり、閃光強度が比較的低いため調整が容易で、バラツ
キを少なくして処理温度までの加熱処理が達成される。Further, according to the invention of claim 6, the irradiation intensity of the flash heating means is set to 10 to 30 J / cm2 , and since the flash intensity is relatively low, the adjustment is easy and the variation is reduced to the processing temperature. The heat treatment of is achieved.
【図１】この発明に係る熱処理装置の側断面図である。FIG. 1 is a side sectional view of a heat treatment apparatus according to the present invention.
【図２】この発明に係る熱処理装置の側断面図である。FIG. 2 is a side sectional view of a heat treatment apparatus according to the present invention.
【図３】この発明に係る熱処理装置によるガラス基板の
熱処理動作を示すフローチャートである。FIG. 3 is a flowchart showing a heat treatment operation of a glass substrate by the heat treatment apparatus according to the present invention.
【図４】ガラス基板の処理温度の推移等を示すグラフで
ある。FIG. 4 is a graph showing changes in processing temperature of a glass substrate.
【図５】ガラス基板を示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view showing a glass substrate.
【図６】この発明に係る熱処理装置の平面概要図であ
る。FIG. 6 is a schematic plan view of a heat treatment apparatus according to the present invention.
６１ 透光板６２ 底板６３ 側板６４ 側板６５ 熱処理室６６ 開口部６８ ゲートバルブ６９ キセノンフラッシュランプ７０ 支持ピン７２ 光拡散板７３ 熱拡散板７４ 加熱プレート７５ 位置ずれ防止ピン７６ エアシリンダ７７ 蛇腹７８ 導入路８０ 排出路８１ 開閉弁Ｈ オーバーシュートＴ１ 予備加熱温度Ｔ２ 処理温度Ｗ ガラス基板Ｗ１ ガラス板Ｗ２ 非晶質シリコン膜61 translucent plate62 Bottom plate63 side plate64 side plate65 heat treatment room66 opening68 Gate valve69 xenon flash lamp70 Support pin72 Light diffuser73 Heat diffusion plate74 Heating plate75 Misalignment prevention pin76 air cylinder77 Bellows78 Introduction route80 discharge path81 on-off valveH overshootT1 preheating temperatureT2 processing temperatureW glass substrateW1 glass plateW2 amorphous silicon film
─────────────────────────────────────────────────────フロントページの続き Ｆターム(参考） 5F052 AA11 AA18 AA25 CA10 DA02 DB01 EA06 FA05 FA19 HA06 JA01 5F110 AA16 AA26 BB01 DD01 DD02 DD03 DD13 DD14 GG02 GG13 HJ01 HJ23 PP02 PP10 PP11 PP33 ─────────────────────────────────────────────────── ───Continued front page F-term (reference) 5F052 AA11 AA18 AA25 CA10 DA02 DB01 EA06 FA05 FA19 HA06 JA01 5F110 AA16 AA26 BB01 DD01 DD02 DD03 DD13 DD14 GG02 GG13 HJ01 HJ23 PP02 PP10 PP11 PP33
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