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JP2003077845A - 半導体装置の製造方法および基板処理装置 - Google Patents

半導体装置の製造方法および基板処理装置

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Publication number
JP2003077845A
JP2003077845AJP2001268265AJP2001268265AJP2003077845AJP 2003077845 AJP2003077845 AJP 2003077845AJP 2001268265 AJP2001268265 AJP 2001268265AJP 2001268265 AJP2001268265 AJP 2001268265AJP 2003077845 AJP2003077845 AJP 2003077845A
Authority
JP
Japan
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boron
gas
semiconductor device
reaction
monogermane
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Pending
Application number
JP2001268265A
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English (en)
Inventor
Hirohisa Yamazaki
裕久 山崎
Takaaki Noda
孝暁 野田
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Kokusai Denki Electric Inc
Original Assignee
Hitachi Kokusai Electric Inc
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Publication date
Application filed by Hitachi Kokusai Electric IncfiledCriticalHitachi Kokusai Electric Inc
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Priority to US10/234,520prioritypatent/US6686281B2/en
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Abstract

(57)【要約】【課題】減圧ＣＶＤ装置におけるボロンドープポリシリ
コンゲルマニウムまたはボロンドープアモルファスシリ
コンゲルマニウムを成膜する半導体装置の製造方法およ
び基板処理装置において、良好なボロン濃度均一性の実
現をを可能とする半導体装置の製造方法および基板処理
装置を提供すること。【解決手段】ヒータ６によって加熱された反応炉１１内
のボート３に搭載されたウェハ４に、減圧下、モノシラ
ン（ＳｉＨ４）とモノゲルマン（ＧｅＨ４）とドーピン
グガスとを作用させて、ウェハ４の表面にボロンドープ
ポリシリコンゲルマニウムまたはボロンドープアモルフ
ァスシリコンゲルマニウムを成膜する半導体装置の製造
方法および基板処理装置において、前記ドーピングガス
として三塩化ホウ素（ＢＣｌ３）を用いることを特徴と
する半導体装置の製造方法および基板処理装置を構成す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
方法および基板処理装置に関し、特に、減圧ＣＶＤ法
（化学気相堆積法）によって、ボロンドープのポリシリ
コンゲルマニウムまたはアモルファスシリコンゲルマニ
ウムを成膜する半導体装置の製造方法および基板処理装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体デバイスを製造
する工程においては、減圧ＣＶＤ法（化学気相堆積法）
によって、基板上に薄膜を成膜することが行われてい
る。そのような成膜工程の中の一つとして、減圧ＣＶＤ
法によって、シリコンゲルマニウム膜を形成することが
試みられている。
【０００３】シリコンゲルマニウムは、目的のデバイス
によって、例えばヘテロ接合型バイポーラトランジスタ
（ＨＢＴ）ではベース領域にエピタキシャルシリコンゲ
ルマニウムを成長させることやＭＯＳトランジスタでは
ゲート電極部分にポリシリコンゲルマニウム膜を形成す
ることが試みられている。
【０００４】従来の縦型減圧ＣＶＤ装置によるポリシリ
コンゲルマニウム成膜において、ボロンをドーピングす
るのにジボラン（Ｂ２Ｈ６）が用いられていた。しか
し、ジボランは気相反応が著しく、ウエハ以外の場所で
も反応し、そして、ボロンは堆積膜中に取込まれやすく
消費が早い。そのため、ウエハ面間およびウエハ面内で
のボロン濃度均一性が悪いという問題があった。
【０００５】ウエハ面間では、ボロンの消費が早いた
め、ガスの流れ方向に対して下流になるほどボロン濃度
が低くなり、ボロン濃度均一性が悪くなる。そこで、反
応炉内にガス補充ノズルを複数本設置し、ジボランを途
中補充することでボロンの消費を補正し、ボロン濃度面
間均一性の向上が図られている。
【０００６】また、ウエハ面内では、ジボランがウエハ
中心部まで行きわたるまでに消費されてしまうため、ボ
ロン濃度が低くなり、ボロン濃度面内均一性が悪くな
る。そのため、ウエハとウエハとの間隔を広げるなどし
て、ボロン濃度面内均一性の向上が図られている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、ジボラン補充
用ノズルを用いた場合、それとは別に、膜厚およびゲル
マニウム比率の面内・面間均一性を確保するために、モ
ノゲルマン補充用ノズルを用いる必要がある。この場
合、ノズル本数やガス流量制御用のマスフローコントロ
ーラの数が多くなってしまう。また、ウエハとウエハと
の間隔を広げた場合には、一度に成膜処理できるウエハ
の枚数が少なくなってしまい、例えば、ウエハの間隔を
倍にすると処理できるウエハの枚数は半分になってしま
うという問題がある。
【０００８】本発明の目的は、上記の従来技術の問題点
を解決して、減圧ＣＶＤ装置におけるボロンドープポリ
シリコンゲルマニウムまたはボロンドープアモルファス
シリコンゲルマニウムを成膜する半導体装置の製造方法
および基板処理装置において、良好なボロン濃度均一性
の実現を可能とする半導体装置の製造方法および基板処
理装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明は、請求項１に記載のように、反応ガスとし
てモノシランとモノゲルマンとを使用し、反応炉内にお
いて、減圧ＣＶＤ法により、基板上にボロンドープポリ
シリコンゲルマニウムまたはボロンドープアモルファス
シリコンゲルマニウムを成膜する半導体装置の製造方法
において、ドーピングガスとして三塩化ホウ素を用いる
ことを特徴とする半導体装置の製造方法を構成する。
【００１０】また、本発明は、請求項２に記載のよう
に、請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
一度に複数枚の前記基板を処理する際、前記モノゲルマ
ンを前記反応炉内に複数箇所から途中供給し、前記ドー
ピングガスである三塩化ホウ素を少なくとも前記反応炉
内のガス流上流側から供給することを特徴とする半導体
装置の製造方法を構成する。
【００１１】また、本発明は、請求項３に記載のよう
に、請求項１または請求項２に記載の半導体装置の製造
方法において、前記成膜を、温度３５０℃以上５５０℃
以下で行うことを特徴とする半導体装置の製造方法を構
成する。
【００１２】また、本発明は、請求項４に記載のよう
に、請求項１または請求項２に記載の半導体装置の製造
方法において、前記成膜を、圧力１０Ｐａ以上１３０Ｐ
ａ以下で行うことを特徴とする半導体装置の製造方法を
構成する。
【００１３】また、本発明は、請求項５に記載のよう
に、基板を処理する反応管と、前記反応管内の前記基板
を加熱するヒータと、前記反応管内に反応ガスであるモ
ノシランを供給するノズルと、反応ガスであるモノゲル
マンを供給するノズルと、ドーピングガスである三塩化
ホウ素を供給するノズルとを有し、前記各ノズルから前
記反応管内に前記モノシラン、モノゲルマンおよび三塩
化ホウ素を供給し、前記基板上にボロンドープポリシリ
コンゲルマニウムまたはボロンドープアモルファスシリ
コンゲルマニウムを成膜することを特徴とする基板処理
装置を構成する。
【００１４】また、本発明は、請求項６に記載のよう
に、請求項５に記載の基板処理装置において、前記反応
管は、一度に複数枚の前記基板を処理する反応管からな
り、前記モノゲルマンを供給するノズルは、前記反応管
内にガスを複数箇所から途中供給するノズルからなり、
前記ドーピングガスである三塩化ホウ素を供給するノズ
ルは、少なくとも前記反応管内のガス流上流側からガス
を供給するノズルからなることを特徴とする基板処理装
置を構成する。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明に係る半導体装置の製造方
法は、本発明に係る基板処理装置であるホットウォール
式のバッチ式縦型減圧ＣＶＤ装置において、反応ガスと
してモノシランおよびモノゲルマン、ドーピングガスと
して三塩化ホウ素をそれぞれ使用し、基板としてのウエ
ハ上にボロンドープポリシリコンゲルマニウムまたはボ
ロンドープアモルファスシリコンゲルマニウムを成膜す
るものである。このように、ドーピングガスとして、三
塩化ホウ素をジボランに代えて用いることにより、ジボ
ランの場合にはウエハ面間およびウエハ面内でのボロン
濃度均一性を確保するために必要であった複数本ノズル
によるドーピングガスの途中補充が不必要となる。ま
た、以下に説明する発明の実施の形態例においては、ゲ
ルマニウム比率の面内・面間均一性を確保するために、
炉内にモノゲルマンを複数箇所から途中供給する。
【００１６】図１は、本発明の実施の形態例である基板
処理装置の概要を示す。
【００１７】図１において、ホットウォール炉を構成
し、基板を加熱する４ゾーンに分かれたヒータ６の内側
に、反応炉１１の外筒である石英製の反応管すなわちア
ウターチューブ１およびアウターチューブ１内部のイン
ナーチューブ２が設置されており、この２種のチューブ
の間をメカニカルブースタポンプ７およびドライポンプ
８を用いて真空引きしている。インナーチューブ２内側
に、４本の途中供給ノズル１２ａ〜１２ｄから反応ガス
としてモノゲルマン（ＧｅＨ４）、主系統ノズル１３か
ら反応ガスとしてモノシラン（ＳｉＨ４）とモノゲルマ
ン（ＧｅＨ４）、さらに一系統ノズル１４からドーピン
グガスとして三塩化ホウ素（ＢＣｌ３）が導入され、こ
れらの反応ガスとドーピングガスはインナーチューブ２
内を上昇し、２種のチューブ１および２の間を下降して
排気される。基板としてのウエハ４が複数枚装填された
石英ボートはインナーチューブ２内に設置され、反応ガ
スとドーピングガスにさらされた時に、気相中およびウ
エハ４表面での反応により、ウエハ４上にボロンドープ
ポリシリコンゲルマニウムまたはボロンドープアモルフ
ァスシリコンゲルマニウムの薄膜が形成される。
【００１８】断熱板５はボート３と装置下部との間を断
熱するためのものであり、９はボート回転軸であり、１
０はステンレス製蓋である。
【００１９】なお、ボート３には、ウェハ４を支持する
スロットが合計１７２個設けられており、一番下のスロ
ットから数えて１０スロット目まではダミーのウェハ４
が、１１から１６７スロット目までは製品のウェハ４
が、１６８から１７２スロット目まではダミーのウェハ
４が、それぞれ、中心を合わせて垂直方向に積層して支
持される。また、図１中のトップ領域、センタ領域、ボ
トム領域とは、それぞれ、１２９から１６７スロット目
までの製品のウェハ４の存在する領域、３７から１２８
スロット目までの製品のウェハ４の存在する領域、１１
から３６スロット目までの製品のウェハ４の存在する領
域のことを示している。また、４つに分かれたヒータゾ
ーンのうち、一番下のＬ(Lower)ゾーンは１スロット目
より下側の、ウェハが殆ど存在しない領域に対応してお
り、下から二番目のＣＬ(Center Lower)ゾーンは２から
５６スロット目までのダミーのウェハ４と製品のウェハ
４とが混在する領域に対応しており、下から三番目すな
わち上から二番目のＣＵ(Center Upper)ゾーンは５７か
ら１７２スロット目までの製品のウェハ４とダミーのウ
ェハ４とが混在する領域に対応しており、下から四番目
すなわち一番上のＵ(Upper)ゾーンはそれより上側のウ
ェハの存在しない領域に対応している。
【００２０】主系統ノズル１３からは、反応ガスとして
モノシラン（ＳｉＨ４）とモノゲルマン（ＧｅＨ４）と
の混合ガスがガス流の上流である反応炉１１底部に供給
され、長さの異なる４本の途中供給ノズル１２ａ〜１２
ｄからは、反応ガスとしてモノゲルマン（ＧｅＨ４）が
反応炉１１中のガス流の異なる位置において複数箇所か
ら途中供給され、一系統ノズル１４からは、ドーピング
ガスとして三塩化ホウ素（ＢＣｌ３）が反応炉１１内の
底部のガス流上流側から供給される。ノズル１２ａ、１
２ｂ、１２ｃ、１２ｄの各噴出口は、それぞれ略等間隔
に配置されており、それぞれ、３０スロット目、７０ス
ロット目、１１０スロット目、１５０スロット目の高さ
位置にある。
【００２１】三塩化ホウ素はジボランと比較して反応性
が低い。そのためガス流れ方向に対してそれほど消費が
多くないので、三塩化ホウ素を途中補充するための途中
補充ノズルの本数もジボランより少なくしてよく、例え
ば、図１に示したように、途中補充ノズルが無くても、
ボロン濃度面間均一性を確保できる。またウエハ間隔が
狭くても、三塩化ホウ素はウエハ中心部まで行きわた
り、ボロン濃度面内均一性も良くなる。なお、モノゲル
マンは反応性が極めて高く、ガス流れ方向に対する消費
量も多いため、反応炉下部一箇所から炉内に供給した場
合、モノゲルマンの消費により、反応炉内の上流側と下
流側でガス濃度が異なり、膜厚およびゲルマニウム比率
の面内、面間均一性は大幅に悪化する。これを改善する
ために、本実施の形態では、モノゲルマンについては、
反応炉内に複数の箇所から途中供給している。
【００２２】図２は、図１に示した基板処理装置を用い
る成膜手順を示している。
【００２３】まず反応炉１１内を成膜温度に安定化させ
た後、ウエハ４を装填したボート３を反応炉１１内にロ
ード（挿入）する。リアクター（反応炉１１）内を排気
し、ボート３やチューブ１、２に吸着した水分等を脱離
させるためにＮ２パージを行う。リアクター（反応炉１
１）内リークチェックを行った後、モノシランとモノゲ
ルマンと三塩化ホウ素の流量を設定し、反応炉１１内に
各ガスを流して圧力を安定化させ、成膜を行う。このよ
うにして、反応ガスとしてモノシランとモノゲルマンと
を使用し、ドーピングガスとして三塩化ホウ素を用い
て、減圧ＣＶＤ法により、基板であるウエハ４上にボロ
ンドープポリシリコンゲルマニウムまたはボロンドープ
アモルファスシリコンゲルマニウムを成膜する。成膜が
終了したら配管内をＮ２でサイクルパージし、Ｎ２でリ
アクター内を大気圧まで戻す。大気圧に戻ったらボート
３をアンロードし、ウエハ４を自然冷却する。最後にウ
エハ４をボート３から取り出す。
【００２４】成膜時における好ましい条件としては、温
度３５０℃以上５５０℃以下、圧力１０Ｐａ以上１３０
Ｐａ以下、モノシラン分圧１０Ｐａ以上７９．８Ｐａ以
下、モノゲルマン分圧４８Ｐａ以下、三塩化ホウ素分圧
０．０００１６Ｐａ以上２．２Ｐａ以下、モノゲルマン
／モノシラン流量比０．６以下、三塩化ホウ素／モノシ
ラン流量比０．００００１７以上０．０２８以下が挙げ
られる。
【００２５】温度３５０℃未満では、モノゲルマンの熱
分解が促進されないため、シリコンゲルマニウム膜が形
成されない。５５０℃より温度が高いと、ガス流の下流
域（反応管１１上部）でガス（特にモノゲルマン）が枯
渇しやすくなり、上流側と下流側とで成長速度が異な
り、膜厚の面間均一性、ゲルマニウム比率の面間均一性
等が悪くなるという問題がある。よって成膜温度は３５
０℃以上５５０℃以下が好ましい。
【００２６】圧力については、圧力が低くなると、各ガ
ス（モノシラン、モノゲルマン、三塩化ホウ素）の分圧
が小さくなるため、成長速度は低下する傾向にあり、１
０Ｐａ未満では、実用的な成長速度が得られない。逆
に、圧力が高くなると、成膜速度が大きくなり、膜厚面
内均一性が悪化する傾向にあり、特に１３０Ｐａより高
い圧力では、膜厚均一性が極めて悪くなる。したがっ
て、圧力は１０Ｐａ以上１３０Ｐａ以下が好ましい。な
お、その際の各ガスの分圧は、モノシラン分圧１０Ｐａ
以上７９．８Ｐａ以下、モノゲルマン分圧４８Ｐａ以
下、三塩化ホウ素分圧０．０００１６Ｐａ以上２．２Ｐ
ａ以下とするのが好ましい。各ガスの分圧をこの範囲に
設定することにより、実用的な成長速度を確保でき、ま
た、膜厚面内均一性を良好なものとすることができる。
【００２７】モノシランに対するモノゲルマンの流量比
を０．６より大きくすると膜表面があれ、膜厚均一性が
悪くなる。また、ガス（特にモノゲルマン）の消費も多
くなり、上流側と下流側とで成長速度が異なり、膜厚の
面間均一性、ゲルマニウム比率の面間均一性等が悪くな
るという問題がある。よって、モノシランに対するモノ
ゲルマンの流量比は０より大きく、０．６以下とするこ
とが好ましい。
【００２８】モノシランに対する三塩化ホウ素の流量比
は０．００００１７より小さいと抵抗率が高くなり過ぎ
て（ボロン濃度が低くなり過ぎて）ゲート電極として使
えなくなる。また、０．０２８より大きいと、ボロンの
固溶度の限界近くなので、それ以上濃度を高くしても供
給したガス（三塩化ホウ素）のすべてが活性化すること
にはならないため、原料を無駄に消費することとなる。
従って、モノシランに対する三塩化ホウ素の流量比は
０．００００１７以上０．０２８以下とするのが好まし
い。
【００２９】なお、上記成膜条件を適宜決定すればアモ
ルファス、ポリの何れの成膜も可能である。
【００３０】［実施の形態例］図１に示した基板処理装
置を用いて、８インチウエハに対し、ボロンドープシリ
コンゲルマニウムを成膜した。この場合の成膜条件は以
下の通りである。すなわち、モノシラン（ＳｉＨ４）、
モノゲルマン（ＧｅＨ４）および三塩化ホウ素（ＢＣｌ
３）の各流量比を表１に示すように設定した。
【００３１】
【表１】表中、ＧｅＨ４／ＳｉＨ４、ＢＣｌ３／ＳｉＨ４とは、
それぞれ、モノシラン（ＳｉＨ４）に対するモノゲルマ
ン（ＧｅＨ４）、三塩化ホウ素（ＢＣｌ３）の流量比を
示している。
【００３２】成膜時の温度は４５０℃〜５５０℃の範囲
に、圧力は３０〜１２０Ｐａの範囲に、それぞれ、設定
した。なお、ウエハ間の距離（ピッチ）は５．２ｍｍに
設定した。
【００３３】このようにして成膜したボロンドープシリ
コンゲルマニウム膜のシート抵抗を、図３に示した、ウ
エハ面における９箇所において測定し、その測定結果か
ら、そのシート抵抗の面内・面間均一性を求めた。シー
ト抵抗はボロン濃度に依存し、ボロン濃度が低いほど高
い値となる。すなわち、シート抵抗の面内・面間均一性
が良好であれば、ボロン濃度の面内・面間均一性も良好
と言える。
【００３４】表２は、上記の成膜方法によって得たボロ
ンドープシリコンゲルマニウム膜のシート抵抗の面内分
布を、図３に示した各位置における測定値によって表し
たものである。なお、シート抵抗の面内均一性は、シー
ト抵抗の面内の不均一量の百分率で表されており、表２
に示したシート抵抗の測定値より計算されたものである
（数値が小さいほど均一性は良い）。
【００３５】
【表２】この測定に用いたボロンドープシリコンゲルマニウム膜
は上記の条件下で成膜された膜のうちの反応炉１１のセ
ンタ領域にあるウエハ４上に形成されたものである。こ
のシート抵抗の面内分布と比較するために、ドーピング
ガスとしてジボラン（Ｂ２Ｈ６）を用いて得たボロンド
ープシリコンゲルマニウム膜のシート抵抗の面内分布を
前記測定と同様な方法で測定し、その結果を表３に示し
た。
【００３６】
【表３】この測定に用いたボロンドープシリコンゲルマニウム膜
は、図１に示した縦型減圧ＣＶＤ装置において、一系統
ノズル１４から、三塩化ホウ素に代えて、ジボランを反
応炉１１内に供給して得たものである。なお、成膜は、
ドーピングガスとしてジボランを用いる以外は、前記成
膜と同様な条件下で行った。
【００３７】表２の数値を表３の数値と比較すれば明ら
かなように、シート抵抗の面内均一性、すなわち、ボロ
ン濃度の面内均一性は、本発明の方法、すなわち、ドー
ピングガスとして三塩化ホウ素を用いる方法によって、
従来の方法、すなわち、ドーピングガスとしてジボラン
を用いる方法に較べて、飛躍的に向上することが判る。
【００３８】表４は、上記の本発明における成膜方法に
よって得たボロンドープシリコンゲルマニウム膜のシー
ト抵抗の面間均一性を示す表である。
【００３９】
【表４】この測定に用いたボロンドープシリコンゲルマニウム膜
はウエハ装填位置のトップ領域、センタ領域、ボトム領
域のそれぞれから１枚ずつ採取したウエハ４上のもので
あり、表中のシート抵抗値は、図３に示した各位置にお
ける測定値の平均値である。なお、シート抵抗の面間均
一性は、シート抵抗の面間の不均一量の百分率で表され
ており、表４に示したトップ領域、センタ領域、ボトム
領域のウエハ４上のボロンドープシリコンゲルマニウム
膜のシート抵抗の測定値より計算されたものである（数
値が小さいほど均一性は良い）。このシート抵抗の面間
分布と比較するために、ドーピングガスとしてジボラン
を用いて得たボロンドープシリコンゲルマニウム膜のシ
ート抵抗の面間均一性を前記測定と同様な方法で測定
し、その結果を表５に示した。
【００４０】
【表５】この測定に用いたボロンドープシリコンゲルマニウム膜
は、図１に示した縦型減圧ＣＶＤ装置において、一系統
ノズル１４から、三塩化ホウ素に代えて、ジボランを反
応炉１１内に供給して得たものであり、ウエハ装填位置
のトップ領域、センタ領域、ボトム領域のそれぞれから
１枚ずつ採取したウエハ４上のものである。なお、成膜
は、ドーピングガスとしてジボランを用いる以外は、前
記成膜と同様な条件下で行った。表中のシート抵抗値
は、表４の場合と同様に、図３に示した各位置における
測定値の平均値である。
【００４１】表４の数値を表５の数値と比較すれば明ら
かなように、シート抵抗の面間均一性、すなわち、ボロ
ン濃度の面間均一性は、本発明の方法、すなわち、ドー
ピングガスとして三塩化ホウ素を用いる方法によって、
従来の方法、すなわち、ドーピングガスとしてジボラン
を用いる方法に較べて、大きく向上することが判る。
【００４２】本発明の方法を実行する過程において、ボ
ロンドープシリコンゲルマニウム膜の成長速度は三塩化
ホウ素によるボロンドープにより著しく増加することが
判明した。表６は、そのような三塩化ホウ素による成膜
速度の増大を、成膜速度と三塩化ホウ素流量との関係と
して示したものである。この場合のモノシランとモノゲ
ルマンの流量比は表１に示した値とした。
【００４３】
【表６】この表に示された成膜速度の増大はボロン（ホウ素）に
よる触媒作用によるものであり、このような触媒作用に
よって、３５０℃〜４５０℃のような低温でも高速成膜
が可能となり、また三塩化ホウ素の流量を変えることで
ボロン濃度の制御も可能となる。
【００４４】以上説明したように、ボロンドープポリシ
リコンゲルマニウムまたはボロンドープアモルファスシ
リコンゲルマニウムの成膜において、ドーピングガスと
して三塩化ホウ素を用いることにより、良好な面内・面
間のボロン濃度均一性の確保を可能とする製造方法を提
供することができる。
【００４５】
【発明の効果】本発明の実施によって、減圧ＣＶＤ装置
におけるボロンドープポリシリコンゲルマニウムまたは
ボロンドープアモルファスシリコンゲルマニウムを成膜
する半導体装置の製造方法および基板処理装置におい
て、良好なボロン濃度均一性の実現を可能とする半導体
装置の製造方法および基板処理装置を提供することがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態例である基板処理装置の概
要を示す図である。
【図２】減圧ＣＶＤ法による成膜手順を説明する図であ
る。
【図３】ウエハ面上のボロンドープシリコンゲルマニウ
ム膜のシート抵抗を測定する位置を示す図である。
【符号の説明】
１…アウターチューブ、２…インナーチューブ、３…ボ
ート、４…ウェハ、５…断熱板、６…ヒータ、７…メカ
ニカルブースタポンプ、８…ドライポンプ、９…ボート
回転軸、１０…ステンレス製蓋、１１…反応炉、１２ａ
〜１２ｄ…途中供給ノズル、１３…主系統ノズル、１４
…一系統ノズル。
─────────────────────────────────────────────────────フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K030 AA03 AA05 AA06 AA20 BA48 BB03 BB05 CA04 CA12 EA06 JA09 5F045 AA06 AB01 AC01 AC03 AC19 AD07 AD08 AD09 AE17 AE19 BB04 EE15 EF08

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】反応ガスとしてモノシランとモノゲルマン
    とを使用し、反応炉内において、減圧ＣＶＤ法により、
    基板上にボロンドープポリシリコンゲルマニウムまたは
    ボロンドープアモルファスシリコンゲルマニウムを成膜
    する半導体装置の製造方法において、ドーピングガスと
    して三塩化ホウ素を用いることを特徴とする半導体装置
    の製造方法。
  2. 【請求項２】請求項１に記載の半導体装置の製造方法に
    おいて、一度に複数枚の前記基板を処理する際、前記モ
    ノゲルマンを前記反応炉内に複数箇所から途中供給し、
    前記ドーピングガスである三塩化ホウ素を少なくとも前
    記反応炉内のガス流上流側から供給することを特徴とす
    る半導体装置の製造方法。
  3. 【請求項３】請求項１または請求項２に記載の半導体装
    置の製造方法において、前記成膜を、温度３５０℃以上
    ５５０℃以下で行うことを特徴とする半導体装置の製造
    方法。
  4. 【請求項４】請求項１または請求項２に記載の半導体装
    置の製造方法において、前記成膜を、圧力１０Ｐａ以上
    １３０Ｐａ以下で行うことを特徴とする半導体装置の製
    造方法。
  5. 【請求項５】基板を処理する反応管と、前記反応管内の
    前記基板を加熱するヒータと、前記反応管内に反応ガス
    であるモノシランを供給するノズルと、反応ガスである
    モノゲルマンを供給するノズルと、ドーピングガスであ
    る三塩化ホウ素を供給するノズルとを有し、前記各ノズ
    ルから前記反応管内に前記モノシラン、モノゲルマンお
    よび三塩化ホウ素を供給し、前記基板上にボロンドープ
    ポリシリコンゲルマニウムまたはボロンドープアモルフ
    ァスシリコンゲルマニウムを成膜することを特徴とする
    基板処理装置。
  6. 【請求項６】請求項５に記載の基板処理装置において、
    前記反応管は、一度に複数枚の前記基板を処理する反応
    管からなり、前記モノゲルマンを供給するノズルは、前
    記反応管内にガスを複数箇所から途中供給するノズルか
    らなり、前記ドーピングガスである三塩化ホウ素を供給
    するノズルは、少なくとも前記反応管内のガス流上流側
    からガスを供給するノズルからなることを特徴とする基
    板処理装置。
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