【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は同一の基板上に発光
素子と薄膜トランジスタ(ＴＦＴ)とを形成した半導体素
子及びその製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device having a light emitting device and a thin film transistor (TFT) formed on the same substrate, and a method for manufacturing the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）
素子等の発光素子と、発光素子をスイッチングする薄膜
トランジスタとを集積化した自発光型の半導体素子は、
平面型ディスプレイ等に用いられる。2. Description of the Related Art Organic electroluminescence (EL)
A light emitting element such as an element, and a self-luminous semiconductor element in which a thin film transistor for switching the light emitting element is integrated,
It is used for flat displays.
【０００３】薄膜トランジスタは、ガラス等の基板上に
形成されたゲート上に絶縁層を介してアモルファスシリ
コンや多結晶シリコン等のシリコン系材料から成る半導
体活性層が形成される。半導体活性層上にはコンタクト
層を介してソース及びドレインが形成される。コンタク
ト層はソース及びドレインとのオーミック接合を確保す
るために設けられる。ゲートに電圧が印加されると、ソ
ースとドレインとが電気的に繋がって薄膜トランジスタ
から成るスイッチング素子がＯＮになる。In a thin film transistor, a semiconductor active layer made of a silicon material such as amorphous silicon or polycrystalline silicon is formed on a gate formed on a substrate such as glass via an insulating layer. A source and a drain are formed on the semiconductor active layer via a contact layer. The contact layer is provided to ensure ohmic contact with the source and drain. When a voltage is applied to the gate, the source and the drain are electrically connected and the switching element formed of a thin film transistor is turned on.
【０００４】発光素子は、上部電極と下部電極との間に
発光層が挟まれて構成されている。そして、スイッチン
グ素子がＯＮになると、発光素子の上部電極と下部電極
との間に電圧が印加され、発光層が発光するようになっ
ている。The light emitting element is constructed by sandwiching a light emitting layer between an upper electrode and a lower electrode. Then, when the switching element is turned on, a voltage is applied between the upper electrode and the lower electrode of the light emitting element, and the light emitting layer emits light.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来の半導体素子によると、シリコン系の材料で形成さ
れた薄膜トランジスタの半導体活性層は可視光を吸収す
る。このため、外部からの可視光の入射による誤動作を
防止するために遮光層を設ける必要があり、構造が複雑
になる問題があった。However, according to the above-described conventional semiconductor element, the semiconductor active layer of the thin film transistor formed of a silicon-based material absorbs visible light. Therefore, it is necessary to provide a light-shielding layer in order to prevent malfunction due to incidence of visible light from the outside, and there is a problem that the structure becomes complicated.
【０００６】また、薄膜トランジスタのゲート、ソー
ス、ドレイン及び発光素子の上部電極、下部電極は導電
性材料であればよいため製造工程や製造装置の共通化が
可能である。しかし、薄膜トランジスタのコンタクト
層、半導体活性層及び発光素子の発光層はそれぞれ材料
が異なるため製造工程や製造装置の共通化が困難であ
り、製造コストがかかる問題があった。Further, since the gate, source and drain of the thin film transistor and the upper and lower electrodes of the light emitting element may be made of a conductive material, the manufacturing process and the manufacturing apparatus can be made common. However, since the contact layer of the thin film transistor, the semiconductor active layer, and the light emitting layer of the light emitting element are made of different materials, it is difficult to standardize the manufacturing process and the manufacturing apparatus, and there is a problem that the manufacturing cost increases.
【０００７】本発明は、半導体活性層の可視光の吸収を
防止することができるとともに、薄膜トランジスタと発
光素子とを容易に形成することができる半導体素子を提
供することを目的とする。また本発明は、薄膜トランジ
スタと発光素子とを有する半導体素子を容易に形成する
ことができる半導体素子の製造方法を提供することを目
的とする。An object of the present invention is to provide a semiconductor device capable of preventing absorption of visible light in a semiconductor active layer and easily forming a thin film transistor and a light emitting device. Another object of the present invention is to provide a method for manufacturing a semiconductor element, which can easily form a semiconductor element having a thin film transistor and a light emitting element.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の半導体素子は、可視光を透過する半導体活性
層を有した薄膜トランジスタと、前記半導体活性層と主
成分が同じ発光層を有する発光素子とを同一の基板上に
形成したことを特徴としている。この構成によると、半
導体活性層と発光層とを同じ成膜装置によって形成する
ことができるとともに、可視光の吸収のない薄膜トラン
ジスタを有する自発光型の半導体素子が得られる。In order to achieve the above object, a semiconductor device of the present invention comprises a thin film transistor having a semiconductor active layer that transmits visible light, and a light emitting layer whose main component is the same as that of the semiconductor active layer. The light emitting element and the light emitting element are formed on the same substrate. According to this structure, the semiconductor active layer and the light emitting layer can be formed by the same film forming apparatus, and a self-luminous semiconductor element having a thin film transistor that does not absorb visible light can be obtained.
【０００９】また本発明は、上記構成の半導体素子にお
いて、前記発光層が可視光を透過することを特徴として
いる。この構成によると、透明な自発光型の半導体素子
を得ることが可能となる。The present invention is also characterized in that, in the semiconductor device having the above-mentioned structure, the light emitting layer transmits visible light. With this configuration, it is possible to obtain a transparent self-luminous semiconductor element.
【００１０】また本発明は、上記各構成の半導体素子に
おいて、前記半導体活性層及び前記発光層は酸化亜鉛を
主成分とすることを特徴としている。この構成による
と、紫外から青色の短波長の光を発光可能な半導体素子
が得られる。Further, the present invention is characterized in that, in the semiconductor element having each of the above-mentioned constitutions, the semiconductor active layer and the light emitting layer contain zinc oxide as a main component. According to this structure, a semiconductor element capable of emitting light of short wavelength from ultraviolet to blue is obtained.
【００１１】また本発明は、上記各構成の半導体素子に
おいて、前記発光素子は電圧を印加する上部電極及び下
部電極を有し、前記下部電極が酸化亜鉛を主成分とする
ことを特徴としている。この構成によると、酸化亜鉛か
ら成る下部電極は良好な結晶性を示し、下部電極がバッ
ファ層となってその上に発光層が形成されることにより
発光層の良好な発光特性が得られる。Further, the present invention is characterized in that, in the semiconductor element having each of the above-mentioned constitutions, the light emitting element has an upper electrode and a lower electrode for applying a voltage, and the lower electrode contains zinc oxide as a main component. According to this structure, the lower electrode made of zinc oxide exhibits good crystallinity, and the lower electrode serves as a buffer layer and the light emitting layer is formed on the buffer electrode, whereby good light emitting characteristics of the light emitting layer can be obtained.
【００１２】また本発明の半導体素子の製造方法は、半
導体活性層を有する薄膜トランジスタと、発光層を有す
る発光素子とを同一の基板上に形成した半導体素子の製
造方法において、前記半導体活性層と前記発光層とが同
じ主成分の材料から成ることを特徴としている。この構
成によると、半導体活性層と発光層とを同じ成膜装置に
よって形成することができる。The method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention is the method of manufacturing a semiconductor device in which a thin film transistor having a semiconductor active layer and a light emitting device having a light emitting layer are formed on the same substrate. The light emitting layer and the light emitting layer are made of the same main component material. With this configuration, the semiconductor active layer and the light emitting layer can be formed by the same film forming apparatus.
【００１３】尚、本発明において、「主成分が同じ」と
いう場合、半導体活性層及び発光層について構成材料が
全く同じ場合だけでなく、それぞれの構成材料組成の化
学量論比が互いに異なり互いに異なる物性を示す場合
や、少なくとも一方の母材に副成分がドーピングされて
いる場合をも含む。例えば、ｉ型の酸化亜鉛により半導
体活性層を形成し、微量の不純物を母材の酸化亜鉛にド
ーピングしたり酸素を欠損させたりすることでｎ型の酸
化亜鉛により発光層を形成した場合、半導体活性層及び
発光層の主成分（酸化亜鉛）は同じである。In the present invention, the term "having the same main component" means that the constituent materials of the semiconductor active layer and the light emitting layer are exactly the same, and that the stoichiometric ratios of the constituent material compositions are different from each other. It also includes the case of exhibiting physical properties and the case where at least one of the base materials is doped with a subcomponent. For example, when a semiconductor active layer is formed from i-type zinc oxide and a light emitting layer is formed from n-type zinc oxide by doping a trace amount of impurities into the base material zinc oxide or depleting oxygen, The main components (zinc oxide) of the active layer and the light emitting layer are the same.
【００１４】[0014]
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施形態を図面を
参照して説明する。図１、図２は第１実施形態の半導体
素子を示す平面図及び回路図である。本実施形態の半導
体素子３０は、平面型ディスプレイに搭載されている。
半導体素子３０はマトリクス状に配列され、それぞれが
平面型ディスプレイの一画素になっている。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. 1 and 2 are a plan view and a circuit diagram showing a semiconductor device of the first embodiment. The semiconductor element 30 of this embodiment is mounted on a flat panel display.
The semiconductor elements 30 are arranged in a matrix, and each is a pixel of a flat panel display.
【００１５】一画素の半導体素子３０は、薄膜トランジ
スタ２０と発光素子１０とから成っている。薄膜トラン
ジスタ２０（図２のＴ１〜Ｔ４に対応する）のゲート１
１（図２のＧに対応する）は列選択線３３に接続されて
いる。薄膜トランジスタ２０のソース１６（図２のＳに
対応する）は行選択線３１に接続されている。A semiconductor element 30 of one pixel comprises a thin film transistor 20 and a light emitting element 10. Gate 1 of thin film transistor 20 (corresponding to T1 to T4 in FIG. 2)
1 (corresponding to G in FIG. 2) is connected to the column selection line 33. The source 16 of the thin film transistor 20 (corresponding to S in FIG. 2) is connected to the row selection line 31.
【００１６】ゲート１１がハイレベルの時、ソース１６
とドレイン１５（図２のＤに対応する）とが電気的に接
続される。これにより、薄膜トランジスタ２０がスイッ
チング素子として機能するようになっている。ゲート１
１がローレベルの時、薄膜トランジスタ２０はＯＦＦと
なる。When the gate 11 is at high level, the source 16
And the drain 15 (corresponding to D in FIG. 2) are electrically connected. As a result, the thin film transistor 20 functions as a switching element. Gate 1
When 1 is at low level, the thin film transistor 20 is turned off.
【００１７】また、ドレイン１５は発光素子２０の下部
電極２に接続されている。発光素子１０の上部電極５は
電流源である駆動電源線３２に接続されている。従っ
て、行ドライブ回路３５によって一の行選択線３１にロ
ーレベルの信号が与えられると、その行選択線３１に接
続されている薄膜トランジスタ（例えばＴ１、Ｔ２）が
選択される。The drain 15 is connected to the lower electrode 2 of the light emitting element 20. The upper electrode 5 of the light emitting element 10 is connected to a drive power supply line 32 which is a current source. Therefore, when a low level signal is applied to one row selection line 31 by the row drive circuit 35, the thin film transistors (for example, T1 and T2) connected to the row selection line 31 are selected.
【００１８】所定の画素が接続された列選択線３３に列
ドライブ回路３６によって信号電圧を印加すると、所定
の画素の発光素子２０の下部電極２と上部電極５との間
に電圧が印加される。これにより、所定の位置の発光素
子１０（図２のＬに対応する）が発光する。そして、行
ドライブ回路３５によって隣接する行選択線３１に順次
信号電圧が印加されて各行の所定の画素が発光して１画
面が形成されるようになっている。When a signal voltage is applied to the column selection line 33 to which a predetermined pixel is connected by the column drive circuit 36, the voltage is applied between the lower electrode 2 and the upper electrode 5 of the light emitting element 20 of the predetermined pixel. . As a result, the light emitting element 10 (corresponding to L in FIG. 2) at a predetermined position emits light. Then, the row drive circuit 35 sequentially applies a signal voltage to the adjacent row selection line 31 to cause a predetermined pixel in each row to emit light to form one screen.
【００１９】図３は半導体素子３０の断面図を示してい
る。半導体素子３０はサファイヤから成る基板１上に発
光素子１０及び薄膜トランジスタ２０が形成されてい
る。発光素子１０は、ｎ型のＺｎＯ（酸化亜鉛）から成
る下部電極２上にｎ型のＺｎＯから成るｎ型発光層３及
びｐ型のＺｎＯから成るｐ型発光層４が形成されてい
る。ｐ型発光層４上にはＩＴＯ（酸化インジウム錫）か
ら成る上部電極５が形成されている。FIG. 3 shows a sectional view of the semiconductor element 30. In the semiconductor element 30, the light emitting element 10 and the thin film transistor 20 are formed on the substrate 1 made of sapphire. In the light emitting element 10, an n type light emitting layer 3 made of n type ZnO and ap type light emitting layer 4 made of p type ZnO are formed on a lower electrode 2 made of n type ZnO (zinc oxide). An upper electrode 5 made of ITO (indium tin oxide) is formed on the p-type light emitting layer 4.
【００２０】薄膜トランジスタ２０はＺｎＯから成るゲ
ート１１上にＳｉＯ2から成る絶縁層１２を介してｉ型
のＺｎＯから成る半導体活性層１３が形成されている。
半導体活性層１３上には、ｎ型のＺｎＯから成るコンタ
クト層１４を介してＩＴＯから成るドレイン１５及びソ
ース１６が形成されている。また、ドレイン１５は発光
素子１０の下部電極２に接続されている。In the thin film transistor 20, a semiconductor active layer 13 made of i-type ZnO is formed on a gate 11 made of ZnO via an insulating layer 12 made of SiO2 .
A drain 15 and a source 16 made of ITO are formed on the semiconductor active layer 13 via a contact layer 14 made of n-type ZnO. The drain 15 is connected to the lower electrode 2 of the light emitting element 10.
【００２１】上記構成の半導体素子３０の製造方法を図
４〜図１２を参照して以下に説明する。図４、図５は下
部電極形成工程を示している。図４に示すように、基板
１上にはｎ型のＺｎＯ膜２２がパルスレーザーデポジシ
ョン（Pulsed Laser Deposition：以下、「ＰＬＤ」と
いう）等の方法により成膜される。A method of manufacturing the semiconductor device 30 having the above structure will be described below with reference to FIGS. 4 and 5 show the lower electrode forming step. As shown in FIG. 4, an n-type ZnO film 22 is formed on the substrate 1 by a method such as pulsed laser deposition (hereinafter referred to as “PLD”).
【００２２】ＰＬＤは、レーザーを真空チャンバー内に
置かれたターゲット物質の表面に断続的に照射し、ター
ゲットの構成物質を励起状態で放出させ、その飛散粒子
を対向に設置された基板上に堆積させて薄膜を形成する
方法である。高融点の物質の成膜が可能、装置の自由度
が高い、結晶性の優れた膜を得やすい等の特徴を有して
いる。The PLD intermittently irradiates a surface of a target material placed in a vacuum chamber with a laser to release a constituent material of the target in an excited state, and deposits the scattered particles on a substrate placed oppositely. This is a method of forming a thin film. It has features that it is possible to form a film with a high melting point, the degree of freedom of the apparatus is high, and a film with excellent crystallinity is easily obtained.
【００２３】サファイアから成る基板１上にＺｎＯを成
膜するとエピタキシャル成長させることができる。Ｚｎ
Ｏ膜２２は電極に使用されるので、低抵抗にするために
Ａｌ、Ｂ、Ｇａ、Ｉｎ等の不純物をドーピングして形成
される。When ZnO is deposited on the sapphire substrate 1, epitaxial growth can be performed. Zn
Since the O film 22 is used as an electrode, it is formed by doping impurities such as Al, B, Ga and In in order to reduce the resistance.
【００２４】ＺｎＯ膜２２上には、レジスト２１がスピ
ンナー等により塗布され、所定形状に露光現像してパタ
ーニングされる。そして、図５に示すように、ＲＩＥ(R
eactive Ion Etching)等の方法によりＺｎＯ膜２２をエ
ッチングした後、レジスト２１を除去する。これによ
り、下部電極２及びゲート１１が形成される。A resist 21 is applied on the ZnO film 22 by a spinner or the like, and exposed and developed in a predetermined shape to be patterned. Then, as shown in FIG. 5, RIE (R
After etching the ZnO film 22 by a method such as eactive ion etching, the resist 21 is removed. As a result, the lower electrode 2 and the gate 11 are formed.
【００２５】図６、図７は絶縁膜／活性層形成工程を示
している。図６に示すように、下部電極２及びゲート１
１上にはプラズマＣＶＤ等の方法によりＳｉＯ2膜２３
が成膜される。ＳｉＯ2膜２３上には、略真性半導体
（ｉ型半導体）から成るｉ−ＺｎＯ膜２４がＰＬＤ等に
より成膜される。通常ＺｎＯは酸素欠損に基づく準位の
存在によりｎ型の導電性を示す。しかし、成膜時に酸素
ラジカル等を導入することで酸素の欠損を補償でき、真
性半導体に近いＺｎＯ膜を成膜することができる。6 and 7 show an insulating film / active layer forming step. As shown in FIG. 6, the lower electrode 2 and the gate 1
The SiO2 film 23 is formed on the substrate 1 by a method such as plasma CVD.
Is formed. An i-ZnO film 24 made of a substantially intrinsic semiconductor (i-type semiconductor) is formed on the SiO2 film 23 by PLD or the like. Usually, ZnO exhibits n-type conductivity due to the presence of levels due to oxygen deficiency. However, by introducing oxygen radicals or the like during film formation, oxygen deficiency can be compensated, and a ZnO film close to an intrinsic semiconductor can be formed.
【００２６】ｉ−ＺｎＯ膜２４上には、レジスト２１が
スピンナー等により塗布され、所定形状に露光現像して
パターニングされる。そして、図７に示すように、ＲＩ
Ｅ等の方法によりＳｉＯ2膜２３及びｉ−ＺｎＯ膜２４
をエッチングした後、レジスト２１を除去する。これに
より、絶縁層１２及び半導体活性層１３が形成される。A resist 21 is applied on the i-ZnO film 24 by a spinner or the like, and exposed and developed in a predetermined shape to be patterned. Then, as shown in FIG.
The SiO2 film 23 and the i-ZnO film 24 are formed by a method such as E.
After etching, the resist 21 is removed. As a result, the insulating layer 12 and the semiconductor active layer 13 are formed.
【００２７】図８、図９はｎ型半導体膜形成工程を示し
ている。図８に示すように、半導体活性層１３及び下部
電極２上には、ｎ型半導体から成るｎ−ＺｎＯ膜２５が
ＰＬＤ等により成膜される。上記のように、ｎ型のＺｎ
Ｏ膜は酸素欠損または不純物の添加により容易に形成す
ることができる。8 and 9 show an n-type semiconductor film forming step. As shown in FIG. 8, an n-ZnO film 25 made of an n-type semiconductor is formed on the semiconductor active layer 13 and the lower electrode 2 by PLD or the like. As described above, n-type Zn
The O film can be easily formed by adding oxygen deficiency or impurities.
【００２８】ｎ−ＺｎＯ膜２５上には、レジスト２１が
スピンナー等により塗布され、所定形状に露光現像して
パターニングされる。そして、図９に示すように、ＲＩ
Ｅ等の方法によりｎ−ＺｎＯ膜２５をエッチングした
後、レジスト２１を除去する。これにより、ｎ型発光層
３及びコンタクト層１４が形成される。A resist 21 is applied on the n-ZnO film 25 by a spinner or the like, and is exposed and developed into a predetermined shape and patterned. Then, as shown in FIG.
After etching the n-ZnO film 25 by a method such as E, the resist 21 is removed. As a result, the n-type light emitting layer 3 and the contact layer 14 are formed.
【００２９】尚、ｎ−ＺｎＯ膜２５のエッチングにより
半導体活性層１３がオーバーエッチングされ、膜厚が薄
くなって所望の特性が得られない場合がある。このた
め、半導体活性層１３となるｉ−ＺｎＯ膜２４の膜厚を
予め厚くしておくとより望ましい。The semiconductor active layer 13 may be over-etched due to the etching of the n-ZnO film 25, and the film thickness may be reduced, so that desired characteristics may not be obtained. Therefore, it is more desirable to increase the thickness of the i-ZnO film 24 that will be the semiconductor active layer 13 in advance.
【００３０】図１０、図１１はｐ型半導体膜形成工程を
示している。図１０に示すように、ｎ型発光層３及びコ
ンタクト層１４上には、ｐ型半導体から成るｐ−ＺｎＯ
膜２６がＰＬＤ等により成膜される。ＺｎＯは亜酸化窒
素をプラズマ化してチャンバー内に導入することによ
り、酸素欠損を補償するのと同時にアクセプターとして
Ｎを導入することができる。これに加えて、Ｇａを少量
添加したＺｎＯターゲットを用いることでＧａとＮとが
同時に導入され、ｐ型のＺｎＯ膜を形成することができ
る。10 and 11 show a p-type semiconductor film forming step. As shown in FIG. 10, p-ZnO made of a p-type semiconductor is formed on the n-type light emitting layer 3 and the contact layer 14.
The film 26 is formed by PLD or the like. By converting nitrous oxide into plasma and introducing it into the chamber, ZnO can compensate oxygen deficiency and simultaneously introduce N as an acceptor. In addition to this, by using a ZnO target to which a small amount of Ga is added, Ga and N are simultaneously introduced, and a p-type ZnO film can be formed.
【００３１】ｐ−ＺｎＯ膜２６上には、レジスト２１が
スピンナー等により塗布され、所定形状に露光現像して
パターニングされる。そして、図１１に示すように、Ｒ
ＩＥ等の方法によりｐ−ＺｎＯ膜２６をエッチングした
後、レジスト２１を除去する。これにより、ｐ型発光層
４が形成される。従って、ｎ型発光層３及びｐ型発光層
４によりｐｎ接合が形成され、発光ダイオードが構成さ
れる。A resist 21 is applied on the p-ZnO film 26 by a spinner or the like, and exposed and developed into a predetermined shape to be patterned. Then, as shown in FIG.
After the p-ZnO film 26 is etched by a method such as IE, the resist 21 is removed. As a result, the p-type light emitting layer 4 is formed. Therefore, a pn junction is formed by the n-type light emitting layer 3 and the p-type light emitting layer 4 to form a light emitting diode.
【００３２】図１２は上部電極形成工程を示している。
ｐ型発光層４及びコンタクト層１４上には、ＩＴＯ膜２
７がプラズマＣＶＤ等により成膜される。ＩＴＯ膜２７
上には、レジスト２１がスピンナー等により塗布され、
所定形状に露光現像してパターニングされる。そして、
ＲＩＥ等の方法によりＩＴＯ膜２７をエッチングした
後、レジスト２１を除去する。これにより、前述の図３
に示すように、上部電極５、ドレイン１５、ソース１６
が形成され、半導体素子３０が得られる。FIG. 12 shows the upper electrode forming step.
The ITO film 2 is formed on the p-type light emitting layer 4 and the contact layer 14.
7 is formed by plasma CVD or the like. ITO film 27
A resist 21 is applied on the top by a spinner or the like,
It is exposed and developed into a predetermined shape and patterned. And
After etching the ITO film 27 by a method such as RIE, the resist 21 is removed. As a result, as shown in FIG.
As shown in, the upper electrode 5, the drain 15, the source 16
Are formed, and the semiconductor element 30 is obtained.
【００３３】下部電極２、上部電極５、ゲート１１、ド
レイン１５及びソース１６は、Ｉｎ、Ａｌ、Ｃｒ等の金
属薄膜により形成してもよい。また、透明に形成する場
合には、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化錫等の酸化物
材料や、ＡＺＯ（酸化アルミニウム亜鉛）等を用いても
よい。The lower electrode 2, the upper electrode 5, the gate 11, the drain 15 and the source 16 may be formed of a metal thin film of In, Al, Cr or the like. Further, when it is formed transparent, an oxide material such as zinc oxide, indium oxide, tin oxide, AZO (aluminum zinc oxide) or the like may be used.
【００３４】また、薄膜トランジスタ２０はゲート１１
が下方に配され、ドレイン１５及びソース１６が上方に
配された所謂ボトムゲート型になっているが、ゲート１
１が上方に配され、ドレイン１５及びソース１６が下方
に配された所謂トップゲート型にしてもよい。The thin film transistor 20 has a gate 11
Is a so-called bottom gate type in which the drain 15 and the source 16 are disposed above and the gate 1
It may be a so-called top gate type in which 1 is arranged above and drain 15 and source 16 are arranged below.
【００３５】図１３は第２実施形態の半導体素子３１を
示す断面図である。説明の便宜上、前述の図１〜図１２
に示す第１実施形態と同一の部分には同一の符号を付し
ている。第１実施形態と異なる点は、半導体活性層１３
の上面にＳｉＮから成るストッパ層１７を設けている点
である。その他の構成は第１実施形態と同一である。FIG. 13 is a sectional view showing a semiconductor device 31 of the second embodiment. For convenience of explanation, the aforementioned FIGS.
The same parts as those of the first embodiment shown in FIG. The difference from the first embodiment is that the semiconductor active layer 13
That is, the stopper layer 17 made of SiN is provided on the upper surface of the. Other configurations are the same as those in the first embodiment.
【００３６】図１４はストッパ層形成工程を示してい
る。前述の図７に示す絶縁膜／活性層形成工程の後、Ｓ
ｉＮ膜をプラズマＣＶＤ等により成膜する。そして、レ
ジストをスピンナー等により塗布し、所定形状に露光現
像してパターニングする。その後、ＲＩＥ等の方法によ
りＳｉＮ膜をエッチングし、レジストを除去する。これ
により、半導体活性層１３の上面にストッパ層１７が形
成される。FIG. 14 shows a stopper layer forming process. After the insulating film / active layer forming step shown in FIG.
An iN film is formed by plasma CVD or the like. Then, a resist is applied by a spinner or the like, exposed and developed into a predetermined shape, and patterned. After that, the SiN film is etched by a method such as RIE to remove the resist. As a result, the stopper layer 17 is formed on the upper surface of the semiconductor active layer 13.
【００３７】コンタクト層１４を形成するｎ−ＺｎＯ膜
２５（図８参照）のエッチング時において、使用するガ
スによりＲＩＥは選択性を持たせることができるためス
トッパ層１７を設けることにより半導体活性層１３がオ
ーバーエッチングされない。これにより、薄膜トランジ
スタ２０の特性劣化を防止することができる。At the time of etching the n-ZnO film 25 (see FIG. 8) forming the contact layer 14, the RIE can have selectivity depending on the gas used, so that the semiconductor active layer 13 is provided by providing the stopper layer 17. Is not over-etched. Thereby, the characteristic deterioration of the thin film transistor 20 can be prevented.
【００３８】第１、第２実施形態によると、薄膜トラン
ジスタ２０の半導体活性層１３がｉ型のＺｎＯにより形
成されている。ｉ型のＺｎＯは透明材料であるため、可
視光を透過する。従って、半導体活性層１３の可視光の
吸収がないため、遮光層がなくても外光を吸収すること
による誤動作を防止することができる。According to the first and second embodiments, the semiconductor active layer 13 of the thin film transistor 20 is made of i-type ZnO. Since i-type ZnO is a transparent material, it transmits visible light. Therefore, since the semiconductor active layer 13 does not absorb visible light, a malfunction due to absorption of external light can be prevented even without the light shielding layer.
【００３９】そして、半導体活性層１３がｉ型のＺｎＯ
から成り、発光素子１０の発光層（３、４）がｎ型及び
ｐ型のＺｎＯから成るため半導体活性層１３及び発光層
（３、４）の成膜装置を共通化することができる。これ
により、遮光層を設けることなく外光の吸収による誤動
作を防止できる自発光型の半導体素子を簡単に製造する
ことができる。The semiconductor active layer 13 is i-type ZnO.
Since the light emitting layers (3, 4) of the light emitting element 10 are made of n-type and p-type ZnO, the film forming apparatus for the semiconductor active layer 13 and the light emitting layers (3, 4) can be shared. Accordingly, it is possible to easily manufacture a self-luminous semiconductor element capable of preventing malfunction due to absorption of external light without providing a light shielding layer.
【００４０】更に、各電極、コンタクト層、絶縁層を透
明な材料（ＩＴＯ、ＺｎＯ、ＳｉＯ2）により形成し、
透明なサファイア基板を用いているので半導体素子全体
が透明に形成されている。これにより、例えば自動車の
フロントガラス等の一部に上記各実施形態の半導体素子
を取り付けて情報を表示させることができ、半導体素子
の使用用途を拡大することができる。Further, each electrode, contact layer, and insulating layer are transparent.
Clear materials (ITO, ZnO, SiO2),
Since a transparent sapphire substrate is used, the entire semiconductor device
Is formed transparent. This allows, for example,
The semiconductor element according to each of the above-mentioned embodiments on a part of the windshield, etc.
Can be attached to display information, semiconductor elements
The usage of can be expanded.
【００４１】また、ＺｎＯは青色光の発光材料として一
般に知られるＧａＮとほぼ同じバンドギャップを持ち、
励起子結合エネルギーがＧａＮより大きい。このため、
ＺｎＯから成る発光ダイオードはＧａＮから成る発光ダ
イオードよりも高い発光効率で青色光を発光させること
ができる。また、ＺｎＯにＣｄやＭｇ等の不純物を添加
することによってバンドギャップを制御でき、青色等の
可視光の発光も可能である。ZnO has almost the same bandgap as GaN generally known as a blue light emitting material,
Exciton binding energy is greater than GaN. For this reason,
The light emitting diode made of ZnO can emit blue light with higher luminous efficiency than the light emitting diode made of GaN. Further, the band gap can be controlled by adding impurities such as Cd and Mg to ZnO, and visible light such as blue light can be emitted.
【００４２】上記各実施形態によると、紫外から青色の
短波長光を発光できる自発光型の半導体素子を簡単に製
造することができる。従って、データ通信の情報密度を
増大させることができる光通信装置等を容易に構成する
ことができる。また、自発光型の半導体素子を搭載した
自発光型の平面型ディスプレイを容易に構成することが
できる。According to each of the above embodiments, it is possible to easily manufacture a self-emission type semiconductor device capable of emitting short wavelength light of ultraviolet to blue. Therefore, it is possible to easily configure an optical communication device or the like that can increase the information density of data communication. Further, it is possible to easily configure a self-luminous flat panel display on which a self-luminous semiconductor element is mounted.
【００４３】上記各実施形態において、基板１の材料と
してサファイアを用いている。サファイア基板を用いる
とＺｎＯをエピタキシャル成長させることができ、結晶
性の良好なｎ型半導体を容易に形成することができる。
また、サファイアに替えてガラスから成る基板を用いる
と安価に半導体素子を形成することができる。In each of the above embodiments, sapphire is used as the material of the substrate 1. When a sapphire substrate is used, ZnO can be epitaxially grown, and an n-type semiconductor having good crystallinity can be easily formed.
Further, when a substrate made of glass is used instead of sapphire, a semiconductor element can be formed at low cost.
【００４４】この場合に、ガラスは結晶性を持たない
が、下部電極２をＺｎＯで形成し、バッファ層として機
能させることにより結晶性の良好な発光層（３、４）を
形成することができる。即ち、ＺｎＯは、ガラス基板上
に成膜してもｃ軸配向した結晶が容易に得られ、膜厚が
厚くなるに従って配向性が良好になる。このため、下部
電極２の膜厚を１０００Å以上成膜することにより、発
光層の下地となる下部電極２がバッファ層となって発光
層となるｎ型のＺｎＯを結晶性よく成膜することができ
る。In this case, the glass has no crystallinity, but the lower electrode 2 is made of ZnO and functions as a buffer layer, so that the light emitting layer (3, 4) having good crystallinity can be formed. . That is, ZnO can easily obtain crystals with c-axis orientation even when formed on a glass substrate, and the orientation becomes better as the film thickness increases. For this reason, by forming the lower electrode 2 to a film thickness of 1000 Å or more, the lower electrode 2 serving as a base of the light emitting layer serves as a buffer layer to form n-type ZnO serving as the light emitting layer with good crystallinity. it can.
【００４５】半導体素子全体が透明ではなくなるが、基
板１の材料としてシリコンを用いても安価に半導体素子
を形成することができる。この場合も上記と同様に、下
部電極２をＺｎＯで形成してバッファ層として機能させ
ることによって結晶性の良好な発光層（３、４）を形成
することができる。Although the entire semiconductor element is not transparent, the semiconductor element can be inexpensively formed even if silicon is used as the material of the substrate 1. Also in this case, similarly to the above, by forming the lower electrode 2 of ZnO and functioning as a buffer layer, the light emitting layers (3, 4) having good crystallinity can be formed.
【００４６】尚、上記の具体的実施形態には以下の構成
を有する発明が含まれている。The above specific embodiments include inventions having the following configurations.
【００４７】（１）可視光を透過する半導体活性層を有
した薄膜トランジスタと、前記半導体活性層と主成分が
同じ発光層を有する発光素子とをサファイアから成る同
一の基板上に形成したことを特徴とする半導体素子。こ
の構成によると、半導体活性層が外光を吸収することに
よる誤動作を防止して自発光できる半導体素子を容易に
得ることができるとともに、結晶性の良好な発光層を容
易に得ることができる。(1) A thin film transistor having a semiconductor active layer that transmits visible light and a light emitting element having a light emitting layer whose main component is the same as that of the semiconductor active layer are formed on the same substrate made of sapphire. And semiconductor device. With this configuration, it is possible to easily obtain a semiconductor element capable of preventing a malfunction caused by absorption of external light by the semiconductor active layer and capable of emitting light by itself, and easily obtain a light emitting layer having good crystallinity.
【００４８】（２）可視光を透過する半導体活性層を有
した薄膜トランジスタと、前記半導体活性層と主成分が
同じ発光層を有する発光素子とをガラスから成る同一の
基板上に形成したことを特徴とする半導体素子。この構
成によると、半導体活性層が外光を吸収することによる
誤動作を防止して自発光できる半導体素子を容易且つ安
価に得ることができる(2) A thin film transistor having a semiconductor active layer that transmits visible light and a light emitting element having a light emitting layer whose main component is the same as that of the semiconductor active layer are formed on the same substrate made of glass. And semiconductor device. With this configuration, it is possible to easily and inexpensively obtain a semiconductor element capable of preventing a malfunction due to the semiconductor active layer absorbing external light and emitting light by itself.
【００４９】（３）半導体活性層を有する薄膜トランジ
スタと、発光層を有する発光素子とを同一の基板上に形
成した半導体素子の製造方法において、前記半導体活性
層と前記発光層とは主成分が同じ材料から成るととも
に、前記薄膜トランジスタ薄膜の一の積層膜と前記発光
層の一の積層膜とを同時に形成したことを特徴とする半
導体素子の製造方法。(3) In a method of manufacturing a semiconductor device in which a thin film transistor having a semiconductor active layer and a light emitting device having a light emitting layer are formed on the same substrate, the semiconductor active layer and the light emitting layer have the same main component. A method of manufacturing a semiconductor element, which is made of a material and in which one thin film of the thin film transistor and one thin film of the light emitting layer are simultaneously formed.
【００５０】この構成によると、例えば、薄膜トランジ
スタのコンタクト層と発光素子の発光層や、薄膜トラン
ジスタのゲートと発光素子の下部電極や、薄膜トランジ
スタのドレイン及びソースと発光素子の上部電極等をそ
れぞれ同じ材料にして同時に成膜し、製造工数を削減す
ることができる。According to this structure, for example, the contact layer of the thin film transistor and the light emitting layer of the light emitting element, the gate of the thin film transistor and the lower electrode of the light emitting element, the drain and source of the thin film transistor and the upper electrode of the light emitting element are made of the same material. Film formation at the same time and the number of manufacturing steps can be reduced.
【００５１】[0051]
【発明の効果】請求項１の発明の半導体素子によると、
薄膜トランジスタの半導体活性層が可視光を透過し、該
半導体活性層及び発光素子の発光層の主成分が同じであ
るので、半導体活性層及び発光層を同じ成膜装置により
形成することができる。従って、半導体活性層が外光を
吸収することによる誤動作を防止して自発光できる半導
体素子を容易に得ることができる。According to the semiconductor device of the invention of claim 1,
Since the semiconductor active layer of the thin film transistor transmits visible light and the semiconductor active layer and the light emitting layer of the light emitting element have the same main components, the semiconductor active layer and the light emitting layer can be formed by the same film forming apparatus. Therefore, it is possible to easily obtain a semiconductor element capable of preventing the malfunction caused by the semiconductor active layer absorbing external light and emitting light by itself.
【００５２】また請求項２の発明の半導体素子による
と、発光素子の発光層が可視光を透過するので、自発光
できる透明な半導体素子を形成することが可能となる。
これにより、自発光型の半導体素子の使用用途を拡大す
ることができる。According to the semiconductor element of the invention of claim 2, the light emitting layer of the light emitting element transmits visible light, so that it is possible to form a transparent semiconductor element capable of emitting light by itself.
As a result, the usage of the self-luminous semiconductor element can be expanded.
【００５３】また請求項３の発明の半導体素子による
と、薄膜トランジスタの半導体活性層及び発光素子の発
光層の主成分が酸化亜鉛から成るので、半導体活性層及
び発光層を同じ成膜装置により形成することができ、紫
外から青色の短波長の光を自発光できる半導体素子を容
易に得ることができる。これにより、データ通信の情報
密度を増大させることができる光通信装置や、自発光型
の半導体素子を搭載した自発光型の平面型ディスプレイ
を容易に構成することができる。According to the semiconductor element of the third aspect of the present invention, since the main components of the semiconductor active layer of the thin film transistor and the light emitting layer of the light emitting element are zinc oxide, the semiconductor active layer and the light emitting layer are formed by the same film forming apparatus. Therefore, it is possible to easily obtain a semiconductor element capable of emitting light of short wavelength from ultraviolet to blue. As a result, it is possible to easily configure an optical communication device capable of increasing the information density of data communication and a self-luminous flat panel display equipped with a self-luminous semiconductor element.
【００５４】また請求項４の発明の半導体素子による
と、発光素子の下部電極が酸化亜鉛から成るので、発光
層を形成する面の結晶性を確保することができ、安価な
ガラス基板等の上に発光素子を形成することができる。According to the semiconductor element of the invention of claim 4, since the lower electrode of the light emitting element is made of zinc oxide, the crystallinity of the surface on which the light emitting layer is formed can be ensured, and the cost is improved on an inexpensive glass substrate or the like. A light emitting element can be formed in the.
【００５５】また請求項５の発明の半導体素子の製造方
法によると、半導体活性層及び発光素子の発光層の主成
分が同じであるので、半導体活性層及び発光層を同じ成
膜装置により形成することができる。これにより、製造
コストを削減することができる。According to the semiconductor element manufacturing method of the fifth aspect of the present invention, since the semiconductor active layer and the light emitting layer of the light emitting element have the same main components, the semiconductor active layer and the light emitting layer are formed by the same film forming apparatus. be able to. Thereby, the manufacturing cost can be reduced.
【図１】 本発明の第１実施形態の半導体素子を示す
平面図である。FIG. 1 is a plan view showing a semiconductor device according to a first embodiment of the present invention.
【図２】 本発明の第１実施形態の半導体素子を示す
回路図である。FIG. 2 is a circuit diagram showing a semiconductor device according to a first embodiment of the present invention.
【図３】 本発明の第１実施形態の半導体素子を示す
断面図である。FIG. 3 is a sectional view showing a semiconductor device according to a first embodiment of the present invention.
【図４】 本発明の第１実施形態の半導体素子の下部
電極形成工程を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a step of forming a lower electrode of the semiconductor device according to the first embodiment of the present invention.
【図５】 本発明の第１実施形態の半導体素子の下部
電極形成工程を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing a step of forming a lower electrode of the semiconductor device according to the first embodiment of the present invention.
【図６】 本発明の第１実施形態の半導体素子の絶縁
膜／活性層形成工程を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing an insulating film / active layer forming step of the semiconductor device of the first embodiment of the present invention.
【図７】 本発明の第１実施形態の半導体素子の絶縁
膜／活性層形成工程を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing a step of forming an insulating film / active layer of the semiconductor element according to the first embodiment of the present invention.
【図８】 本発明の第１実施形態の半導体素子のｎ型
半導体膜形成工程を示す図である。FIG. 8 is a diagram showing an n-type semiconductor film forming step of the semiconductor device of the first embodiment of the present invention.
【図９】 本発明の第１実施形態の半導体素子のｎ型
半導体膜形成工程を示す図である。FIG. 9 is a diagram showing an n-type semiconductor film forming step of the semiconductor device of the first embodiment of the present invention.
【図１０】 本発明の第１実施形態の半導体素子のｐ型
半導体膜形成工程を示す図である。FIG. 10 is a diagram showing a p-type semiconductor film forming step of the semiconductor element according to the first embodiment of the present invention.
【図１１】 本発明の第１実施形態の半導体素子のｐ型
半導体膜形成工程を示す図である。FIG. 11 is a diagram showing a p-type semiconductor film forming step of the semiconductor element according to the first embodiment of the present invention.
【図１２】 本発明の第１実施形態の半導体素子の上部
電極形成工程を示す図である。FIG. 12 is a diagram showing an upper electrode forming step of the semiconductor device according to the first embodiment of the present invention.
【図１３】 本発明の第２実施形態の半導体素子を示す
断面図である。FIG. 13 is a sectional view showing a semiconductor device according to a second embodiment of the present invention.
【図１４】 本発明の第２実施形態の半導体素子のスト
ッパ層形成工程を示す図である。FIG. 14 is a diagram showing a step of forming a stopper layer of a semiconductor device according to a second embodiment of the present invention.
１ 基板２ 下部電極３ ｎ型発光層４ ｐ型発光層５ 上部電極１０ 発光素子１１ ゲート１２ 絶縁層１３ 半導体活性層１４ コンタクト層１５ ドレイン１６ ソース２０ 薄膜トランジスタ３０、４０ 半導体素子３１ 行選択線３２ 駆動電源線３３ 列選択線３５ 行ドライブ回路３６ 列ドライブ回路1 substrate2 Lower electrode3 n-type light emitting layer4 p-type light emitting layer5 Upper electrode10 Light emitting element11 gates12 Insulation layer13 Semiconductor active layer14 Contact layer15 drain16 sources20 thin film transistor30, 40 Semiconductor element31 line selection line32 drive power line33-column selection line35 row drive circuit36-row drive circuit
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|---|---|---|---|---|
| JP2004259549A (en)* | 2003-02-25 | 2004-09-16 | Rohm Co Ltd | Transparent electrode film |
| JP2004311702A (en)* | 2003-04-07 | 2004-11-04 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | Thin film transistor and manufacturing method thereof |
| JP2005277339A (en)* | 2004-03-26 | 2005-10-06 | Ricoh Co Ltd | Vertical transistor and light emitting device |
| JP2006019400A (en)* | 2004-06-30 | 2006-01-19 | Sanyo Electric Co Ltd | Light emitting device and its manufacturing method |
| JP2006165531A (en)* | 2004-11-10 | 2006-06-22 | Canon Inc | Method for manufacturing field effect transistor |
| JP2006186319A (en)* | 2004-11-10 | 2006-07-13 | Canon Inc | Light emitting device and display device |
| WO2006132439A1 (en)* | 2005-06-10 | 2006-12-14 | Casio Computer Co., Ltd | Thin film transistor having channel comprising zinc oxide and manufacturing method thereof |
| JP2006344926A (en)* | 2006-02-23 | 2006-12-21 | Casio Comput Co Ltd | Thin film transistor |
| JP2007027566A (en)* | 2005-07-20 | 2007-02-01 | Ricoh Co Ltd | Vertical transistor and light emitting device |
| JP2007096055A (en)* | 2005-09-29 | 2007-04-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device |
| JP2007165861A (en)* | 2005-11-15 | 2007-06-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JP2007194596A (en)* | 2005-12-20 | 2007-08-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | SEMICONDUCTOR DEVICE, DISPLAY DEVICE, ELECTRONIC DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD |
| JP2007286150A (en)* | 2006-04-13 | 2007-11-01 | Idemitsu Kosan Co Ltd | Electro-optical device, current control TFT substrate, and manufacturing method thereof |
| JP2008060099A (en)* | 2006-08-29 | 2008-03-13 | Casio Comput Co Ltd | Thin film transistor and manufacturing method thereof |
| JP2008078512A (en)* | 2006-09-22 | 2008-04-03 | Kochi Prefecture Sangyo Shinko Center | Manufacturing method of semiconductor devices |
| JP2008519292A (en)* | 2004-11-02 | 2008-06-05 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | Method and display utilizing zinc oxide row and column drivers integrated in combination with organic light emitting diodes |
| JP2008535205A (en)* | 2006-02-02 | 2008-08-28 | 財団法人高知県産業振興センター | Thin film transistor and manufacturing method thereof |
| JP2009010362A (en)* | 2007-05-31 | 2009-01-15 | Canon Inc | Method for manufacturing thin film transistor using oxide semiconductor |
| WO2009034953A1 (en)* | 2007-09-10 | 2009-03-19 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Thin film transistor |
| JP2009152633A (en)* | 2005-11-15 | 2009-07-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Method for manufacturing semiconductor device and method for manufacturing liquid crystal display device |
| JP2009260378A (en)* | 2005-09-29 | 2009-11-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Method of manufacturing semiconductor device |
| CN101640219A (en)* | 2008-07-31 | 2010-02-03 | 株式会社半导体能源研究所 | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| CN101640221A (en)* | 2008-07-31 | 2010-02-03 | 株式会社半导体能源研究所 | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
| US7863607B2 (en) | 2007-06-14 | 2011-01-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor array panel and manufacturing method thereof |
| JP2011054946A (en)* | 2009-08-07 | 2011-03-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device |
| WO2011055475A1 (en)* | 2009-11-05 | 2011-05-12 | パナソニック株式会社 | Solid-state imaging device |
| US20120187438A1 (en)* | 2011-01-26 | 2012-07-26 | Hwan Hee Jeong | Light emitting device and fabricating method thereof |
| JP2012160740A (en)* | 2004-11-10 | 2012-08-23 | Canon Inc | Method of manufacturing field effect transistor |
| US8716061B2 (en) | 2008-11-07 | 2014-05-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| JP2014132660A (en)* | 2009-07-18 | 2014-07-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Semiconductor device |
| JP2014222764A (en)* | 2008-07-31 | 2014-11-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Semiconductor device |
| JP2014239242A (en)* | 2009-09-16 | 2014-12-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Semiconductor device |
| JP2015092624A (en)* | 2009-06-30 | 2015-05-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Semiconductor device |
| JP2015164213A (en)* | 2010-08-27 | 2015-09-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Semiconductor device |
| JP2016036043A (en)* | 2008-11-13 | 2016-03-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Semiconductor device |
| JP2016054325A (en)* | 2010-02-05 | 2016-04-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Semiconductor device |
| JP2016131239A (en)* | 2008-09-19 | 2016-07-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Semiconductor device manufacturing method |
| JP2016174186A (en)* | 2016-06-27 | 2016-09-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Manufacturing method of semiconductor device |
| JP2017028314A (en)* | 2010-07-02 | 2017-02-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Semiconductor device |
| CN106409684A (en)* | 2009-06-30 | 2017-02-15 | 株式会社半导体能源研究所 | Method of manufacturing semiconductor device |
| US9660092B2 (en) | 2011-08-31 | 2017-05-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide semiconductor thin film transistor including oxygen release layer |
| JP2017130667A (en)* | 2008-11-07 | 2017-07-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Transistor |
| KR20180049600A (en)* | 2016-11-03 | 2018-05-11 | 주식회사 그라피아 | LED display structure and method of fabricating the same |
| US10128381B2 (en) | 2008-09-01 | 2018-11-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device with oxygen rich gate insulating layer |
| JP2019004172A (en)* | 2010-11-05 | 2019-01-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Semiconductor device |
| JP2019087766A (en)* | 2009-03-06 | 2019-06-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Semiconductor device |
| US10559695B2 (en) | 2008-07-31 | 2020-02-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US10580797B2 (en) | 2008-05-16 | 2020-03-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method of the same |
| JP2020102632A (en)* | 2008-12-26 | 2020-07-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Semiconductor device |
| JP6723484B1 (en)* | 2019-03-15 | 2020-07-15 | 三菱電機株式会社 | LED display and method of manufacturing LED display |
| WO2020188851A1 (en)* | 2019-03-15 | 2020-09-24 | 三菱電機株式会社 | Led display |
| JP2023171873A (en)* | 2009-10-29 | 2023-12-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Semiconductor devices, memory cells, memory cell arrays, nonvolatile memory |
| WO2024085528A1 (en)* | 2022-10-20 | 2024-04-25 | 주성엔지니어링(주) | Thin-film transistor and manufacturing method therefor |
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000150900A (en)* | 1998-11-17 | 2000-05-30 | Japan Science & Technology Corp | Transistor and semiconductor device |
| JP2000244015A (en)* | 1999-02-23 | 2000-09-08 | Murata Mfg Co Ltd | Light emitting element |
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000150900A (en)* | 1998-11-17 | 2000-05-30 | Japan Science & Technology Corp | Transistor and semiconductor device |
| JP2000244015A (en)* | 1999-02-23 | 2000-09-08 | Murata Mfg Co Ltd | Light emitting element |
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7948003B2 (en) | 2003-02-25 | 2011-05-24 | Rohm Co., Ltd. | Transparent electrode |
| US7417263B2 (en) | 2003-02-25 | 2008-08-26 | Rohm Co., Ltd. | Transparent electrode |
| JP2004259549A (en)* | 2003-02-25 | 2004-09-16 | Rohm Co Ltd | Transparent electrode film |
| JP2004311702A (en)* | 2003-04-07 | 2004-11-04 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | Thin film transistor and manufacturing method thereof |
| JP2005277339A (en)* | 2004-03-26 | 2005-10-06 | Ricoh Co Ltd | Vertical transistor and light emitting device |
| JP2006019400A (en)* | 2004-06-30 | 2006-01-19 | Sanyo Electric Co Ltd | Light emitting device and its manufacturing method |
| JP2008519292A (en)* | 2004-11-02 | 2008-06-05 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | Method and display utilizing zinc oxide row and column drivers integrated in combination with organic light emitting diodes |
| JP2012160740A (en)* | 2004-11-10 | 2012-08-23 | Canon Inc | Method of manufacturing field effect transistor |
| US8212252B2 (en) | 2004-11-10 | 2012-07-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-emitting device |
| JP2006186319A (en)* | 2004-11-10 | 2006-07-13 | Canon Inc | Light emitting device and display device |
| JP2006165531A (en)* | 2004-11-10 | 2006-06-22 | Canon Inc | Method for manufacturing field effect transistor |
| KR100908557B1 (en)* | 2005-06-10 | 2009-07-20 | 가시오게산키 가부시키가이샤 | Thin film transistor having a channel containing zinc oxide and method of manufacturing the same |
| EP3651209B1 (en)* | 2005-06-10 | 2024-09-04 | Samsung Display Co., Ltd. | Liquid crystal display comprising thin film transistor having channel comprising zinc oxide |
| EP3651209A1 (en)* | 2005-06-10 | 2020-05-13 | Samsung Display Co., Ltd. | Manufacturing method for thin film transistor having channel comprising zinc oxide |
| JP2006344849A (en)* | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Casio Comput Co Ltd | Thin film transistor |
| WO2006132439A1 (en)* | 2005-06-10 | 2006-12-14 | Casio Computer Co., Ltd | Thin film transistor having channel comprising zinc oxide and manufacturing method thereof |
| US7585698B2 (en) | 2005-06-10 | 2009-09-08 | Casio Computer Co., Ltd. | Thin film transistor having oxide semiconductor layer and manufacturing method thereof |
| US7566904B2 (en) | 2005-06-10 | 2009-07-28 | Casio Computer Co., Ltd. | Thin film transistor having oxide semiconductor layer and manufacturing method thereof |
| JP2007027566A (en)* | 2005-07-20 | 2007-02-01 | Ricoh Co Ltd | Vertical transistor and light emitting device |
| US20190051759A1 (en)* | 2005-09-29 | 2019-02-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US8274077B2 (en) | 2005-09-29 | 2012-09-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US8669550B2 (en) | 2005-09-29 | 2014-03-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US8629069B2 (en) | 2005-09-29 | 2014-01-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US8790959B2 (en) | 2005-09-29 | 2014-07-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US8466463B2 (en) | 2005-09-29 | 2013-06-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JP2009260378A (en)* | 2005-09-29 | 2009-11-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Method of manufacturing semiconductor device |
| US8796069B2 (en) | 2005-09-29 | 2014-08-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US9099562B2 (en) | 2005-09-29 | 2015-08-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US10304962B2 (en) | 2005-09-29 | 2019-05-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JP2007096055A (en)* | 2005-09-29 | 2007-04-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device |
| US12183832B2 (en) | 2005-09-29 | 2024-12-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JP2007165861A (en)* | 2005-11-15 | 2007-06-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JP2009152633A (en)* | 2005-11-15 | 2009-07-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Method for manufacturing semiconductor device and method for manufacturing liquid crystal display device |
| JP2011086954A (en)* | 2005-11-15 | 2011-04-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Semiconductor device |
| US8525165B2 (en) | 2005-11-15 | 2013-09-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active matrix display device with bottom gate zinc oxide thin film transistor |
| US8368079B2 (en) | 2005-11-15 | 2013-02-05 | Semicondutor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including common potential line |
| JP2010010721A (en)* | 2005-11-15 | 2010-01-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Diode and active matrix display device |
| JP2007194596A (en)* | 2005-12-20 | 2007-08-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | SEMICONDUCTOR DEVICE, DISPLAY DEVICE, ELECTRONIC DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD |
| US7981734B2 (en) | 2006-02-02 | 2011-07-19 | Kochi Industrial Promotion Center | Manufacturing method of thin film transistor including low resistance conductive thin films |
| JP2008535205A (en)* | 2006-02-02 | 2008-08-28 | 財団法人高知県産業振興センター | Thin film transistor and manufacturing method thereof |
| JP2006344926A (en)* | 2006-02-23 | 2006-12-21 | Casio Comput Co Ltd | Thin film transistor |
| JP2007286150A (en)* | 2006-04-13 | 2007-11-01 | Idemitsu Kosan Co Ltd | Electro-optical device, current control TFT substrate, and manufacturing method thereof |
| JP2008060099A (en)* | 2006-08-29 | 2008-03-13 | Casio Comput Co Ltd | Thin film transistor and manufacturing method thereof |
| JP2008078512A (en)* | 2006-09-22 | 2008-04-03 | Kochi Prefecture Sangyo Shinko Center | Manufacturing method of semiconductor devices |
| JP2009010362A (en)* | 2007-05-31 | 2009-01-15 | Canon Inc | Method for manufacturing thin film transistor using oxide semiconductor |
| US7863607B2 (en) | 2007-06-14 | 2011-01-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor array panel and manufacturing method thereof |
| JPWO2009034953A1 (en)* | 2007-09-10 | 2010-12-24 | 出光興産株式会社 | Thin film transistor |
| WO2009034953A1 (en)* | 2007-09-10 | 2009-03-19 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Thin film transistor |
| US10580797B2 (en) | 2008-05-16 | 2020-03-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method of the same |
| US11133332B2 (en) | 2008-05-16 | 2021-09-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method of the same |
| US11646322B2 (en) | 2008-05-16 | 2023-05-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having conductive oxide electrode layers in direct contact with oxide semiconductor layer |
| US12300702B2 (en) | 2008-05-16 | 2025-05-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including storage capacitor having pixel electrode, directly stacked conductive layer, and insulating layer interposed between them, wherein the stacked conductive layers extending towards the gate and source wirings/lines |
| CN102569189A (en)* | 2008-07-31 | 2012-07-11 | 株式会社半导体能源研究所 | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JP2020038970A (en)* | 2008-07-31 | 2020-03-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Semiconductor devices, liquid crystal display devices |
| US8729544B2 (en) | 2008-07-31 | 2014-05-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US11296121B2 (en) | 2008-07-31 | 2022-04-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US8624237B2 (en) | 2008-07-31 | 2014-01-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| CN102842585A (en)* | 2008-07-31 | 2012-12-26 | 株式会社半导体能源研究所 | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| JP2014222764A (en)* | 2008-07-31 | 2014-11-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Semiconductor device |
| US12068329B2 (en) | 2008-07-31 | 2024-08-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| JP2021100132A (en)* | 2008-07-31 | 2021-07-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Semiconductor device |
| US10937897B2 (en) | 2008-07-31 | 2021-03-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US9087745B2 (en) | 2008-07-31 | 2015-07-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US12074210B2 (en) | 2008-07-31 | 2024-08-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US9111804B2 (en) | 2008-07-31 | 2015-08-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US10930792B2 (en) | 2008-07-31 | 2021-02-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| CN101640219A (en)* | 2008-07-31 | 2010-02-03 | 株式会社半导体能源研究所 | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| JP7122421B2 (en) | 2008-07-31 | 2022-08-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | semiconductor equipment |
| CN102544109A (en)* | 2008-07-31 | 2012-07-04 | 株式会社半导体能源研究所 | Semiconductor device |
| US10559695B2 (en) | 2008-07-31 | 2020-02-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JP2019216251A (en)* | 2008-07-31 | 2019-12-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Semiconductor device |
| CN105514124A (en)* | 2008-07-31 | 2016-04-20 | 株式会社半导体能源研究所 | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US10326025B2 (en) | 2008-07-31 | 2019-06-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JP2016096347A (en)* | 2008-07-31 | 2016-05-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Semiconductor device |
| JP2016096348A (en)* | 2008-07-31 | 2016-05-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Semiconductor device |
| JP2010056542A (en)* | 2008-07-31 | 2010-03-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device |
| JP2016165009A (en)* | 2008-07-31 | 2016-09-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Semiconductor device |
| CN101640221A (en)* | 2008-07-31 | 2010-02-03 | 株式会社半导体能源研究所 | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
| US9496406B2 (en) | 2008-07-31 | 2016-11-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| JP2017022411A (en)* | 2008-07-31 | 2017-01-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Semiconductor device |
| JP2019033274A (en)* | 2008-07-31 | 2019-02-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Semiconductor device |
| US10128381B2 (en) | 2008-09-01 | 2018-11-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device with oxygen rich gate insulating layer |
| JP2016131239A (en)* | 2008-09-19 | 2016-07-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Semiconductor device manufacturing method |
| US10032796B2 (en) | 2008-09-19 | 2018-07-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| US10559599B2 (en) | 2008-09-19 | 2020-02-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| US11610918B2 (en) | 2008-09-19 | 2023-03-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| US8716061B2 (en) | 2008-11-07 | 2014-05-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US10411102B2 (en) | 2008-11-07 | 2019-09-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JP2017130667A (en)* | 2008-11-07 | 2017-07-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Transistor |
| US11239332B2 (en) | 2008-11-07 | 2022-02-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US12324189B2 (en) | 2008-11-07 | 2025-06-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US10665684B2 (en) | 2008-11-07 | 2020-05-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JP2016036043A (en)* | 2008-11-13 | 2016-03-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Semiconductor device |
| US11817506B2 (en) | 2008-12-26 | 2023-11-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US12224355B2 (en) | 2008-12-26 | 2025-02-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JP2020102632A (en)* | 2008-12-26 | 2020-07-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Semiconductor device |
| US10700213B2 (en) | 2009-03-06 | 2020-06-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| JP7032507B2 (en) | 2009-03-06 | 2022-03-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Transistor |
| US11715801B2 (en) | 2009-03-06 | 2023-08-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US11309430B2 (en) | 2009-03-06 | 2022-04-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| JP2021036610A (en)* | 2009-03-06 | 2021-03-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Transistor |
| JP2019087766A (en)* | 2009-03-06 | 2019-06-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Semiconductor device |
| US9831101B2 (en) | 2009-06-30 | 2017-11-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| JP2015092624A (en)* | 2009-06-30 | 2015-05-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Semiconductor device |
| CN106409684B (en)* | 2009-06-30 | 2020-01-21 | 株式会社半导体能源研究所 | Method for manufacturing semiconductor device |
| CN106409684A (en)* | 2009-06-30 | 2017-02-15 | 株式会社半导体能源研究所 | Method of manufacturing semiconductor device |
| US9576795B2 (en) | 2009-06-30 | 2017-02-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US10090171B2 (en) | 2009-06-30 | 2018-10-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| JP2021016000A (en)* | 2009-06-30 | 2021-02-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Semiconductor device |
| US10796908B2 (en) | 2009-06-30 | 2020-10-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US11177289B2 (en) | 2009-07-18 | 2021-11-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
| US11715741B2 (en) | 2009-07-18 | 2023-08-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
| JP2014132660A (en)* | 2009-07-18 | 2014-07-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Semiconductor device |
| US9263472B2 (en) | 2009-07-18 | 2016-02-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
| US10461098B2 (en) | 2009-07-18 | 2019-10-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
| JP2015173265A (en)* | 2009-08-07 | 2015-10-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | semiconductor device |
| JP2011054946A (en)* | 2009-08-07 | 2011-03-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device |
| US8912541B2 (en) | 2009-08-07 | 2014-12-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US9935202B2 (en) | 2009-09-16 | 2018-04-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor and display device comprising oxide semiconductor layer |
| JP2014239242A (en)* | 2009-09-16 | 2014-12-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Semiconductor device |
| JP2023171873A (en)* | 2009-10-29 | 2023-12-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Semiconductor devices, memory cells, memory cell arrays, nonvolatile memory |
| JP7633342B2 (en) | 2009-10-29 | 2025-02-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Semiconductor device, memory cell, memory cell array, non-volatile memory |
| US8704321B2 (en) | 2009-11-05 | 2014-04-22 | Panasonic Corporation | Solid-state imaging device |
| WO2011055475A1 (en)* | 2009-11-05 | 2011-05-12 | パナソニック株式会社 | Solid-state imaging device |
| US11469255B2 (en) | 2010-02-05 | 2022-10-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US9728555B2 (en) | 2010-02-05 | 2017-08-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US12113074B2 (en) | 2010-02-05 | 2024-10-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US10615179B2 (en) | 2010-02-05 | 2020-04-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US9991288B2 (en) | 2010-02-05 | 2018-06-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| JP2016054325A (en)* | 2010-02-05 | 2016-04-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Semiconductor device |
| US11749686B2 (en) | 2010-02-05 | 2023-09-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US11101295B2 (en) | 2010-02-05 | 2021-08-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| JP2017028314A (en)* | 2010-07-02 | 2017-02-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Semiconductor device |
| JP2022091917A (en)* | 2010-07-02 | 2022-06-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Semiconductor device |
| JP7285985B2 (en) | 2010-07-02 | 2023-06-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | semiconductor equipment |
| US9837544B2 (en) | 2010-07-02 | 2017-12-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having an oxide semiconductor layer |
| JP2015164213A (en)* | 2010-08-27 | 2015-09-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Semiconductor device |
| JP2017069578A (en)* | 2010-08-27 | 2017-04-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Semiconductor device |
| JP7510995B2 (en) | 2010-11-05 | 2024-07-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Semiconductor Device |
| JP2023017090A (en)* | 2010-11-05 | 2023-02-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | semiconductor equipment |
| JP2019004172A (en)* | 2010-11-05 | 2019-01-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Semiconductor device |
| CN102623481B (en)* | 2011-01-26 | 2016-05-25 | Lg伊诺特有限公司 | Luminescent device and manufacture method thereof |
| US9281341B2 (en) | 2011-01-26 | 2016-03-08 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device and fabricating method thereof |
| EP2482318A1 (en)* | 2011-01-26 | 2012-08-01 | LG Innotek Co., Ltd. | Light emitting device and fabricating method thereof |
| CN102623481A (en)* | 2011-01-26 | 2012-08-01 | Lg伊诺特有限公司 | Light emitting device and manufacturing method thereof |
| US20120187438A1 (en)* | 2011-01-26 | 2012-07-26 | Hwan Hee Jeong | Light emitting device and fabricating method thereof |
| US9660092B2 (en) | 2011-08-31 | 2017-05-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide semiconductor thin film transistor including oxygen release layer |
| JP2016174186A (en)* | 2016-06-27 | 2016-09-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Manufacturing method of semiconductor device |
| KR101886324B1 (en)* | 2016-11-03 | 2018-08-20 | 주식회사 그라피아 | LED display structure and method of fabricating the same |
| KR20180049600A (en)* | 2016-11-03 | 2018-05-11 | 주식회사 그라피아 | LED display structure and method of fabricating the same |
| WO2020188851A1 (en)* | 2019-03-15 | 2020-09-24 | 三菱電機株式会社 | Led display |
| JP6723484B1 (en)* | 2019-03-15 | 2020-07-15 | 三菱電機株式会社 | LED display and method of manufacturing LED display |
| WO2024085528A1 (en)* | 2022-10-20 | 2024-04-25 | 주성엔지니어링(주) | Thin-film transistor and manufacturing method therefor |
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2003037268A (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
| US8421090B2 (en) | Organic light emitting diode display and method of manufacturing the same | |
| US7323723B2 (en) | Semiconductor light-emitting device using phosphors for performing wavelength conversion | |
| KR100762682B1 (en) | Organic electroluminescent display and manufacturing method thereof | |
| US9793252B2 (en) | Method of integrating inorganic light emitting diode with oxide thin film transistor for display applications | |
| US8455876B2 (en) | Organic light emitting diode display and method of manufacturing the same | |
| US10937813B2 (en) | Active matrix substrate, liquid crystal display device, organic electroluminescent display device and method for producing active matrix substrate | |
| US7663302B2 (en) | Organic light emitting display (OLED) and its method of fabrication | |
| CN104241326B (en) | Organic electroluminescence device and fabrication method thereof | |
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| CN101523610B (en) | Thin film transistor, method for manufacturing the same, and display | |
| US20070285411A1 (en) | Organic light-emitting display device and method for fabricating the same | |
| US8022398B2 (en) | Thin film transistor, method of forming the same and flat panel display device having the same | |
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| US20080197354A1 (en) | Thin film transistor, an organic light emitting device including the same, and a manufacturing method thereof | |
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