【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は気相成長方法及び気
相成長装置に関するものであり、特に、強誘電体の分極
履歴を利用したＦＲＡＭ（強誘電体メモリ）を製造する
際に用いる有機金属気相成長装置等の気相成長装置のガ
ス噴出口（ノズル）の目詰まりを防止するための構成に
特徴のある気相成長方法及び気相成長装置に関するもの
である。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a vapor phase growth method and a vapor phase growth apparatus, and more particularly, to an organic metal used for manufacturing an FRAM (ferroelectric memory) utilizing the polarization history of a ferroelectric substance. The present invention relates to a vapor phase growth method and a vapor phase growth apparatus characterized by a configuration for preventing clogging of a gas ejection port (nozzle) of a vapor phase growth apparatus such as a vapor phase growth apparatus.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、不揮発性メモリとして、Ｐｂ（Ｚ
ｒ0.4Ｔｉ0.6）Ｏ3等のＰＺＴ〔Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）
Ｏ3〕を誘電体膜として用いた強誘電体メモリの研究開
発が盛んに行われており、このＦＲＡＭは、誘電体膜を
構成するＰＺＴの強誘電体特性により、一度データを記
憶すると電源を断っても情報を保持し続ける不揮発性を
有するとともに、既存の不揮発性メモリであるフラッシ
ュメモリに比べて書き換え速度が高速で、低消費電力で
あり、且つ、書き換え耐性に優れているという特徴があ
る。2. Description of the Related Art In recent years, Pb (Z
PZT [Pb (Zr, Ti) such as r0.4 Ti0.6 ) O3
Research and development of ferroelectric memories using O3 ] as a dielectric film have been actively conducted. This FRAM uses a ferroelectric characteristic of PZT constituting a dielectric film to switch power once data is stored. It has the characteristics of being non-volatile that retains information even when it is turned off, and that has a higher rewriting speed, lower power consumption, and superior rewriting durability compared to flash memories that are existing non-volatile memories. .
【０００３】また、ＤＲＡＭ（ダイナミック・ランダム
・アクセス・メモリ）と比べても、高速性や集積度にそ
れほどの遜色はなく、且つ、不揮発性であるため、ＲＯ
Ｍやバッテリーとの併用の必要がなくなり、ＩＣカード
やタグへの商品化が行われている。[0003] Compared with a DRAM (Dynamic Random Access Memory), the speed and the degree of integration are not inferior to those of a DRAM (Dynamic Random Access Memory).
It is no longer necessary to use M and batteries together, and commercialization of IC cards and tags has been carried out.
【０００４】ここで、図５を参照して、従来のＦＲＡＭ
の一例を説明する。 図５（ａ）参照 図５（ａ）は、ＦＲＡＭの１メモリセル分の概略的断面
図であり、ｐ型シリコン基板６１を選択酸化することに
よって素子分離選択酸化膜６２を形成し、この素子分離
選択酸化膜６２で囲まれた素子形成領域にゲート絶縁膜
６３を介してワード線（ＷＬ）を兼ねるゲート電極６４
を設け、このゲート電極６４をマスクとしてｎ型不純物
をイオン注入することによって、ビット線（ＢＬ）を兼
ねるｎ+型ドレイン領域６５と、ｎ+型ソース領域６６
を形成する。Here, referring to FIG. 5, a conventional FRAM
An example will be described. FIG. 5A is a schematic cross-sectional view of one memory cell of the FRAM. An element isolation selective oxide film 62 is formed by selectively oxidizing a p-type silicon substrate 61. A gate electrode 64 also serving as a word line (WL) is formed via a gate insulating film 63 in an element formation region surrounded by an isolation / selective oxide film 62.
And an n+ -type drain region 65 also serving as a bit line (BL) and an n+ -type source region 66 are implanted by ion-implanting n-type impurities using the gate electrode 64 as a mask.
To form
【０００５】次いで、第１層間絶縁膜６７を介して強誘
電体キャパシタ６８を形成し、第２層間絶縁膜７２に設
けたビアホールを介して強誘電体キャパシタ６８とｎ+
型ソース領域６６とを接続電極７３で接続し、全体を保
護膜７４で覆う。Next, a ferroelectric capacitor 68 is formed via a first interlayer insulating film 67, and the ferroelectric capacitor 68 and n+ are formed via via holes provided in a second interlayer insulating film 72.
The mold source region 66 is connected to the connection electrode 73, and the whole is covered with a protective film 74.
【０００６】この場合の強誘電体キャパシタ６８は、例
えば、プレート線（ＰＬ）兼ねるＰｔからなる下部電極
６９、ＰＺＴからなる強誘電体膜７０、及び、Ｐｔから
なる上部電極７１によって構成される。In this case, the ferroelectric capacitor 68 is composed of, for example, a lower electrode 69 made of Pt also serving as a plate line (PL), a ferroelectric film 70 made of PZT, and an upper electrode 71 made of Pt.
【０００７】図５（ｂ）参照 図５（ｂ）は、図５（ａ）の等価回路図であり、蓄積キ
ャパシタを強誘電体キャパシタ６８で構成した以外は従
来のＤＲＡＭと同様の１Ｔ１Ｃでメモリ動作が可能であ
る。但し、実際には、データの読出を安定に行うため
に、１つのメモリセルに１つのダミーセルを設けた２Ｔ
２Ｃの構造を採用しており、図５（ａ）において右側に
対称形のダミーセルを設けている。FIG. 5 (b) is an equivalent circuit diagram of FIG. 5 (a). The memory is a 1T1C memory similar to a conventional DRAM except that the storage capacitor is constituted by a ferroelectric capacitor 68. Operation is possible. However, in actuality, in order to stably read data, 2T in which one dummy cell is provided for one memory cell.
A 2C structure is employed, and a symmetrical dummy cell is provided on the right side in FIG.
【０００８】しかし、Ｐｔ，Ｉｒ，ＩｒＯ2等を下部電
極６９或いは上部電極７１として用いた場合、ＰＺＴは
Ｈ2に対して弱く、例えば、水素雰囲気中で熱処理を行
うと残留分極が著しく低下するという問題があり、その
ために、電極として水素に対するバリア性の高いＳｒＲ
ｕＯ3等の採用が試みられている。However, when Pt, Ir, IrO2 or the like is used as the lower electrode 69 or the upper electrode 71, PZT is weaker than H2. For example, when heat treatment is performed in a hydrogen atmosphere, remnant polarization is significantly reduced. Therefore, SrR having a high barrier property against hydrogen as an electrode
Attempts have been made to adopt uO3 and the like.
【０００９】この様な強誘電体膜や酸化物導電体膜の製
造方法としては、レーザアブレーション法やｓｏｌ−ｇ
ｅｌ法とならんで有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）
が知られており、例えば、ＰＺＴの場合には、Ｐｂ（Ｃ
2Ｈ5）4，Ｚｒ（Ｏ−ｔＣ4Ｈ9）4，Ｔｉ（Ｏ−ｉ
Ｃ3Ｈ7）4等の室温において液体の有機金属化合物を
用いてバブリングによって堆積室に導入して基板の上に
成膜している。The production of such a ferroelectric film or oxide conductor film
Laser ablation method and sol-g
Metalorganic vapor phase epitaxy (MOCVD) along with el method
Is known. For example, in the case of PZT, Pb (C
TwoHFive)Four, Zr (O-tCFourH9)Four, Ti (O-i
CThreeH7)FourA liquid organometallic compound at room temperature
Into the deposition chamber by bubbling over the substrate
The film is formed.
【００１０】しかし、この様な室温において液体の有機
金属化合物、特に、蒸気圧の高いＰｂ（Ｃ2Ｈ5）
4は、毒性、安全性、或いは、環境等の問題から量産に
は不適であると考えられ、最近では、室温において固体
で且つ蒸気圧の低いＰｂ（ｔｈｄ）2等の安全性の高い
錯体化合物が用いられるようになってきており、同時
に、Ｚｒ原料やＴｉ原料としても、Ｚｒ（ｔｈｄ）4や
Ｔｉ（ｔｈｄ）2（ｉ−ＯＣ3Ｈ7）2等が用いられて
いる。なお、ｔｈｄとは（（ＣＨ3）3ＣＣＯ）2ＣＨ
−を表す。However, at room temperature, such organic liquid
Metal compounds, especially Pb (CTwoHFive)
FourCan be mass-produced due to toxicity, safety, or environmental issues.
Is considered unsuitable and has recently been shown to be solid at room temperature.
Pb (thd) with low vapor pressureTwoEtc. High safety
Complex compounds are being used,
In addition, Zr (thd)FourAnd
Ti (thd)Two(I-OCThreeH7)TwoEtc. are used
I have. In addition, thd is ((CHThree)ThreeCCO)TwoCH
Represents-.
【００１１】ここで、図６を参照して、ＰＺＴ等の酸化
物を成膜する際に用いる固体を溶媒に溶解した溶液原料
を用いる従来の有機金属気相成長装置を説明する。 図６参照 図６は、従来の有機金属気相成長装置の概念的構成図で
あり、堆積室８１と気化室８８から構成され、堆積室８
１には、基板８３を加熱保持するサセプター８２、原料
気化ガス１１８をＯ2とともに基板８３に導くシャワー
ヘッド８４が設けられており、堆積室８１は、弁８５を
介してロータリーポンプ８６に接続されて排気を行い、
排気された反応生成物或いは未反応原料気化ガス等は除
害装置８７で除去される。また、堆積室８１に繋がる配
管９４は弁９９、ＭＦＣ（流量計）１０９を介してＯ2
ボンベ（図示を省略）に接続されている。Referring to FIG. 6, a conventional metal organic chemical vapor deposition apparatus using a solution material obtained by dissolving a solid used in forming an oxide such as PZT in a solvent will be described. Referring to FIG. 6, FIG. 6 is a conceptual configuration diagram of a conventional metal organic chemical vapor deposition apparatus, which comprises a deposition chamber 81 and a vaporization chamber 88.
1 is provided with a susceptor 82 for heating and holding the substrate 83 and a shower head 84 for guiding the source gas 118 to the substrate 83 together with O2. The deposition chamber 81 is connected to a rotary pump 86 via a valve 85. Exhaust
The exhausted reaction product or unreacted raw material vaporized gas is removed by the detoxifying device 87. A pipe 94 connected to the deposition chamber 81 is connected to the O2 through a valve 99 and an MFC (flow meter) 109.
It is connected to a cylinder (not shown).
【００１２】また、堆積室８１に原料気化ガス１１８を
供給する気化室８８には、導入管８９を介して原料供給
系が接続されているとともに、気化室８８の内部の圧力
を監視する圧力センサ１１６が設けられている。なお、
この場合の導入管８９の流出側の口径は、例えば、０．
１ｍｍ以下である。A vapor supply chamber 88 for supplying a vaporized gas 118 to the deposition chamber 81 is connected to a raw material supply system via an introduction pipe 89 and a pressure sensor for monitoring the pressure inside the vaporized chamber 88. 116 are provided. In addition,
In this case, the diameter of the outflow side of the introduction pipe 89 is, for example, 0.1 mm.
It is 1 mm or less.
【００１３】また、導入管８９には、弁９５及びＬＭＦ
Ｃ（流体流量計）１０５を介してＰｂ溶液原料１１１を
収容したＰｂ原料容器１１０に繋がる配管９０、弁９６
及びＭＦＣ１０８を介してＡｒガスボンベ（図示を省
略）に繋がる配管９１、弁９７及びＬＭＦＣ１０６を介
してＺｒ溶液原料１１３を収容したＺｒ原料容器１１２
に繋がる配管９２、及び、弁９８及びＬＭＦＣ１０７を
介してＴｉ溶液原料１１５を収容したＴｉ原料容器１１
４に繋がる配管９３が接続されている。なお、Ｐｂ溶液
原料１１１、Ｚｒ溶液原料１１３、及び、Ｔｉ溶液原料
１１５は、夫々、固体原料であるＰｂ（ｔｈｄ）2、Ｚ
ｒ（ｔｈｄ）4、及び、Ｔｉ（ｔｈｄ）2（ｉ−ｏＣ3
Ｈ7）2を、溶媒であるＴＨＦ（テトラヒドロフラン）
に溶解させたものである。The introduction pipe 89 has a valve 95 and an LMF
A pipe 90 and a valve 96 connected to a Pb material container 110 containing a Pb solution material 111 via a C (fluid flow meter) 105
And a Zr raw material container 112 containing a Zr solution raw material 113 via a pipe 91 connected to an Ar gas cylinder (not shown) via an MFC 108, a valve 97 and an LMFC 106.
Raw material container 11 containing a Ti solution raw material 115 via a pipe 92 connected to the container and a valve 98 and an LMFC 107.
4 is connected to a pipe 93. The Pb solution raw material 111, the Zr solution raw material 113, and the Ti solution raw material 115 are Pb (thd)2 , Z which are solid raw materials, respectively.
r (thd)4 and Ti (thd)2 (i-oC3
H7 )2 was converted to THF (tetrahydrofuran) as a solvent.
Is dissolved in
【００１４】また、各弁９５〜９９には、弁開閉機構１
００〜１０４が取り付けられており、これらの弁開閉機
構１００〜１０４は、弁開閉制御器１１７によって電気
的制御される。なお、図示を省略しているが、各配管９
０〜９４には排気系に直接繋がる分岐配管が弁を介して
設けられているとともに、溶液原料を輸送する配管９
０，９２，９３はシートヒータによって覆われている。Each of the valves 95 to 99 has a valve opening / closing mechanism 1.
The valve opening / closing mechanisms 100 to 104 are electrically controlled by a valve opening / closing controller 117. Although not shown, each pipe 9
Branch pipes directly connected to the exhaust system are provided at 0 to 94 via valves, and pipes 9 for transporting solution raw materials are provided.
0, 92 and 93 are covered by the seat heater.
【００１５】この様な固体原料を溶媒に溶解した溶液原
料を用いた有機金属気相成長法によって、毒性、安全
性、或いは、環境等の問題が解決され、ＦＲＡＭ等の強
誘電体膜或いは酸化物導電体膜を設けた半導体装置等の
量産化が可能になる。The problems of toxicity, safety, environment and the like are solved by the metal organic chemical vapor deposition method using a solution raw material in which such a solid raw material is dissolved in a solvent. It is possible to mass-produce semiconductor devices and the like provided with a conductor film.
【００１６】[0016]
【発明が解決しようとする課題】しかし、この様な固体
原料を用いた有機金属気相成長装置においては気化室８
８を用いるため、気化室８８中での原料の分解によるパ
ーティクルや残渣の発生によるノズル、即ち、導入管８
９の先端部における目詰まりが問題となる。However, in such a metal organic chemical vapor deposition apparatus using a solid material, the vaporizing chamber 8 is not used.
Since the nozzle 8 is used, a nozzle due to generation of particles and residues due to decomposition of the raw material in the vaporization chamber 88, that is, the introduction pipe 8
9 becomes a problem at the tip end.
【００１７】この様な目詰まりが発生すると装置を停止
して、ノズルを含む導入管８９を交換する必要があり、
そのための分解、交換、脱ガス等の作業に約２日を要す
ることになり、生産上非常に問題となる。When such clogging occurs, it is necessary to stop the apparatus and replace the introduction pipe 89 including the nozzle.
It takes about two days to perform such operations as disassembly, replacement, and degassing, which is very problematic in production.
【００１８】この目詰まり現象を検証したところ、導入
管８９の流出口のノズル近傍における有機金属原料の析
出が原因であると考えられる。即ち、固体原料を溶媒に
溶解させた溶液原料は、気化室８８に入ってから瞬間的
に気化することが望ましいが、実際には熱伝導のために
気化室８８に入る前の導入管８９の内部で温度が上が
り、溶液原料中の沸騰点の低いＴＨＦ等の溶媒が一部気
化を始め、何らかの原因で気化室８８の圧力が低下する
と、導入管の中の圧力も低下して溶媒の沸騰点が下がる
ため、溶媒の分別気化が激しくなり、それによって、導
入管８９の内部で有機金属原料が析出すると考えられ
る。When this clogging phenomenon was verified, it is considered that the cause was deposition of the organometallic raw material near the nozzle at the outlet of the introduction pipe 89. That is, it is desirable that the solution raw material obtained by dissolving the solid raw material in the solvent be vaporized instantaneously after entering the vaporization chamber 88, but in fact, the introduction pipe 89 before entering the vaporization chamber 88 for heat conduction. When the temperature rises inside and the solvent such as THF having a low boiling point in the solution raw material partially starts to evaporate, and if the pressure in the vaporization chamber 88 decreases for some reason, the pressure in the introduction pipe also decreases and the solvent boils. Since the number of dots is lowered, it is considered that the fractional vaporization of the solvent becomes intense, whereby the organometallic raw material precipitates inside the introduction pipe 89.
【００１９】この様に導入管８９において有機金属原料
の析出が起こると、導入管８９の先端部のノズルの開口
を狭くし、気化が不安定になったり、或いは、完全にノ
ズルを詰まらせたりすることになり、ノズルを含む導入
管８９の交換が必要になり、上述のように量産の妨げに
なる。When the organometallic raw material precipitates in the introduction pipe 89 as described above, the opening of the nozzle at the tip of the introduction pipe 89 is narrowed, and the vaporization becomes unstable or the nozzle is completely clogged. This necessitates replacement of the introduction pipe 89 including the nozzle, which hinders mass production as described above.
【００２０】したがって、本発明は、気相成長装置にお
けるノズル部の目詰まりを自動的に防止することを目的
とする。Accordingly, an object of the present invention is to automatically prevent clogging of a nozzle portion in a vapor phase growth apparatus.
【００２１】[0021]
【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理的構
成の説明図であり、この図１を参照して本発明における
課題を解決するための手段を説明する。なお、図におい
て、符号７，８は、夫々、原料気化ガス及び堆積室であ
る。 図１参照 上述の目的を達成するために、本発明は、気相成長方法
において、気化室１或いは気化室１に原料、特に、有機
金属固体原料を溶媒に溶解させた溶液原料５，６を導く
原料導入管２の内部の圧力を検知し、圧力が所定値より
低下した場合に、酢酸ブチル等の有機溶媒４を原料導入
管２に導入することを特徴とする。FIG. 1 is an explanatory view of the principle configuration of the present invention. Referring to FIG. 1, means for solving the problems in the present invention will be described. In the drawing, reference numerals 7 and 8 indicate a raw material vaporized gas and a deposition chamber, respectively. See FIG. 1 In order to achieve the above object, the present invention relates to a vapor phase growth method, in which a raw material, particularly solution raw materials 5 and 6 obtained by dissolving an organometallic solid raw material in a solvent is used in a vaporization chamber 1. The pressure inside the raw material introduction pipe 2 to be guided is detected, and when the pressure falls below a predetermined value, an organic solvent 4 such as butyl acetate is introduced into the raw material introduction pipe 2.
【００２２】この様に、圧力が所定値より低下した場合
に、酢酸ブチル等の有機溶媒４を原料導入管２に導入、
特に、自動的に導入することによって、原料導入管２の
内部における有機金属等の原料の析出を未然に防ぐこと
ができる。As described above, when the pressure falls below a predetermined value, an organic solvent 4 such as butyl acetate is introduced into the raw material introduction pipe 2,
In particular, by automatically introducing, it is possible to prevent the deposition of a raw material such as an organic metal inside the raw material introduction pipe 2 beforehand.
【００２３】即ち、本発明者による鋭意検討の結果、原
料導入管２の内部への有機金属等の原料の析出には、原
料導入管２の内部の乾燥状態が大いに関与していること
を発見したものであり、原料導入管２の内部が乾燥して
いると、有機金属等の原料の析出が起こりやすいことを
見いだしたものである。That is, as a result of earnest studies by the present inventors, it has been found that the dry state inside the raw material introduction pipe 2 is greatly involved in the deposition of the raw material such as an organic metal into the raw material introduction pipe 2. It has been found that when the inside of the raw material introduction pipe 2 is dry, a raw material such as an organic metal is easily precipitated.
【００２４】この様な原料導入管２の内部の乾燥は、気
化室１からの熱伝導による温度上昇とともに、急激な気
圧低下が関与していると考えられ、それによって、気化
室１或いは原料導入管２の内部の気圧を測定することに
よって、原料導入管２の内部の乾燥状態を監視し、気圧
が低下して乾燥し始めると有機溶媒４を原料導入管２に
導入して乾燥を防ぐとともに、一部付着した有機金属を
再び溶解することによって目詰まりを防止するものであ
る。It is considered that such drying of the inside of the raw material introduction pipe 2 involves a sudden rise in air pressure as well as a rise in temperature due to heat conduction from the vaporization chamber 1. By measuring the air pressure inside the tube 2, the drying state inside the material introduction tube 2 is monitored, and when the air pressure decreases and drying starts, the organic solvent 4 is introduced into the material introduction tube 2 to prevent drying. In addition, clogging is prevented by dissolving the organic metal that has partially adhered again.
【００２５】この場合、原料導入管２から導入する有機
溶媒４としては、沸騰点が高い有機溶媒４が望ましく、
例えば、通常使用される有機溶媒４であるＴＨＦ（６６
℃／ａｔｍ）より沸騰点の高い酢酸ブチル（１２５℃／
ａｔｍ）或いはオクタンが望ましく、それによって、原
料導入管２内で気化する率が低くなるので、効果的に原
料導入管２内部の乾燥を防止することができる。In this case, the organic solvent 4 introduced from the raw material introduction pipe 2 is preferably an organic solvent 4 having a high boiling point.
For example, THF (66) which is a commonly used organic solvent 4 is used.
Butyl acetate (125 ° C./atm)
Atm) or octane is desirable, and as a result, the rate of vaporization in the raw material introduction pipe 2 is reduced, so that drying inside the raw material introduction pipe 2 can be effectively prevented.
【００２６】なお、この様な気相成長方法は、ＦＲＡＭ
の誘電体を構成するＰＺＴ等の強誘電体膜の製造方法
や、ＦＲＡＭの強誘電体キャパシタの電極を構成するＳ
ｒＲｕＯ3等の酸化物導電体膜の製造工程に好適であ
り、それによって、連続生産性が向上する。It should be noted that such a vapor phase growth method is described in FRAM
Manufacturing method of a ferroelectric film such as PZT constituting a dielectric of the present invention, and S forming an electrode of a ferroelectric capacitor of a FRAM.
It is suitable for a process of manufacturing an oxide conductor film such as rRuO3 , thereby improving continuous productivity.
【００２７】また、気相成長装置としては、気化室１或
いは気化室１に原料を導入する原料導入管２の少なくと
も一方の内部の圧力を検知する圧力検知手段、例えば、
圧力センサ３或いはチェックバルブのいずれかからなる
圧力検知手段を設けるとともに、検知圧力に基づいて原
料導入管２に有機溶媒４を自動的に導入する有機溶媒４
導入手段を設ければ良い。Further, as the vapor phase growth apparatus, pressure detecting means for detecting the pressure inside at least one of the vaporization chamber 1 or the raw material introduction pipe 2 for introducing the raw material into the vaporization chamber 1, for example,
A pressure detecting means comprising either a pressure sensor 3 or a check valve is provided, and an organic solvent 4 for automatically introducing the organic solvent 4 into the raw material introduction pipe 2 based on the detected pressure.
What is necessary is just to provide an introduction means.
【００２８】[0028]
【発明の実施の形態】ここで、図２を参照して、本発明
の第１の実施の形態の有機金属気相成長装置を説明する
が、この場合には、ＦＲＡＭの強誘電体キャパシタを構
成する上部電極となるＳｒＲｕＯ3膜の製造工程として
説明する。 図２参照 図２は、本発明の第１の実施の形態の有機金属気相成長
装置の概略的構成図であり、従来の有機金属気相成長装
置と同様に、堆積室１１と気化室１８から構成され、堆
積室１１には、基板１３を加熱保持するサセプター１
２、原料気化ガス４８をＯ2とともに基板１３に導くシ
ャワーヘッド１４が設けられており、堆積室１１は、弁
１５を介してロータリーポンプ１６に接続されて排気を
行い、排気された反応生成物或いは未反応原料気化ガス
等は除害装置１７で除去される。また、堆積室１１に繋
がる配管２４は弁２９、ＭＦＣ３９を介してＯ2ボンベ
（図示を省略）に接続されている。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A metal organic chemical vapor deposition apparatus according to a first embodiment of the present invention will now be described with reference to FIG. 2. In this case, a ferroelectric capacitor of an FRAM is used. A description will be given as a manufacturing process of the SrRuO3 film serving as the upper electrode to be constituted. FIG. 2 is a schematic diagram showing the configuration of the metal organic chemical vapor deposition apparatus according to the first embodiment of the present invention. And a susceptor 1 for heating and holding the substrate 13 in the deposition chamber 11.
2. A shower head 14 for guiding the source gas 48 to the substrate 13 together with O2 is provided. The deposition chamber 11 is connected to a rotary pump 16 through a valve 15 to exhaust gas, and the exhausted reaction product is exhausted. Alternatively, the unreacted raw material vaporized gas is removed by the detoxifying device 17. A pipe 24 connected to the deposition chamber 11 is connected to an O2 cylinder (not shown) via a valve 29 and an MFC 39.
【００２９】また、堆積室１１に原料気化ガス４８を供
給する気化室１８には、導入管１９を介して原料供給系
が接続されているとともに、気化室１８の内部の圧力を
監視する圧力センサ４６が設けられており、第１の実施
の形態の有機金属気相成長装置においては、この圧力セ
ンサ４６の検出圧力が弁開閉制御器４７に出力され、後
述する様に、検出された圧力によって各弁２５〜２９の
開閉を制御する。なお、この場合も、導入管１９の流出
側の口径は、例えば、０．１ｍｍ以下である。Further, a raw material supply system is connected to a vaporizing chamber 18 for supplying a raw material vaporized gas 48 to the deposition chamber 11 through an introduction pipe 19 and a pressure sensor for monitoring the pressure inside the vaporizing chamber 18. 46 is provided, and in the metal organic chemical vapor deposition apparatus of the first embodiment, the detected pressure of the pressure sensor 46 is output to the valve opening / closing controller 47, and as described later, the detected pressure is determined by the detected pressure. The opening and closing of each of the valves 25 to 29 is controlled. Also in this case, the diameter of the outflow side of the introduction pipe 19 is, for example, 0.1 mm or less.
【００３０】また、導入管１９には、弁２６及びＭＦＣ
３８を介してＮ2ガスボンベ（図示を省略）に繋がる配
管２１、弁２７及びＬＭＦＣ３６を介してＳｒ溶液原料
４３を収容したＳｒ原料容器４２に繋がる配管２２、及
び、弁２８及びＬＭＦＣ４７を介してＲｕ溶液原料４５
を収容したＲｕ原料容器４４に繋がる配管２３が接続さ
れているとともに、弁２５及びＬＭＦＣ３５を介して酢
酸ブチル４１を収容した溶媒容器４０に繋がる配管２０
が接続されている。The introduction pipe 19 has a valve 26 and an MFC
A pipe 21 connected to an N2 gas cylinder (not shown) via 38, a pipe 22 connected to an Sr raw material container 42 containing an Sr solution raw material 43 via a valve 27 and an LMFC 36, and Ru via a valve 28 and an LMFC 47. Solution raw material 45
A pipe 23 connected to a Ru material container 44 containing butyl acetate 41 is connected via a valve 25 and an LMFC 35 to a solvent container 40 containing butyl acetate 41.
Is connected.
【００３１】この場合のＳｒ溶液原料４３及びＲｕ溶液
原料４５は、夫々、固体原料であるＳｒ（ＤＰＭ）2及
びＲｕ（ＤＰＭ）3を、溶媒であるＴＨＦに溶解させた
ものである。なお、ＤＰＭは、ジピバロイルメタンを意
味する。In this case, the Sr solution raw material 43 and the Ru solution raw material 45 are respectively prepared by dissolving Sr (DPM)2 and Ru (DPM)3 as solid raw materials in THF as a solvent. In addition, DPM means dipivaloylmethane.
【００３２】また、各弁２５〜２９には、弁開閉機構３
０〜３４が取り付けられており、これらの弁開閉機構３
０〜３４は、弁開閉制御器４９によって電気的制御され
て、通常の開閉駆動がなされるとともに、圧力センサ４
６に接続された弁開閉制御器４７によっても電気的制御
され、導入管１９の目詰まりを防止することになる。な
お、この場合も、図示を省略しているが、各配管２０〜
２４には排気系に直接繋がる分岐配管が弁を介して設け
られているとともに、溶液原料を輸送する配管２２，２
３はシートヒータによって覆われている。Each of the valves 25 to 29 has a valve opening / closing mechanism 3.
0 to 34 are attached, and these valve opening / closing mechanisms 3
Nos. 0 to 34 are electrically controlled by a valve opening / closing controller 49 so that normal opening / closing driving is performed and a pressure sensor 4
6 is also electrically controlled by a valve opening / closing controller 47 connected to the valve 6 to prevent the introduction pipe 19 from being clogged. In this case also, although not shown, each pipe 20 to
The branch pipe 24 is provided with a branch pipe directly connected to the exhaust system via a valve, and the pipes 22 and 2 for transporting the solution raw material.
3 is covered by a seat heater.
【００３３】この様な有機金属気相成長装置を用いて上
部電極となるＳｒＲｕＯ3膜を成膜する際には、Ｓｒ原
料容器４２及びＲｕ原料容器４４にＨｅガスを送り込
み、その圧力によってＳｒ溶液原料４３及びＲｕ溶液原
料４５を、夫々配管２２，２３を介して導入管１９に導
くとともに、キャリアガスとなるＮ2ガスとともに、導
入管１９の先端部の小径のノズルから霧状吹き出し、気
化室１８の内壁に接触してガス化して原料気化ガス４８
となる。この場合、Ｈｅは、ＡｒやＮ2等の他の不活性
ガスと比べて溶液原料中に溶け込み量が少ないので用い
ている。When an SrRuO3 film serving as an upper electrode is formed by using such a metal organic chemical vapor deposition apparatus, He gas is fed into the Sr raw material container 42 and the Ru raw material container 44, and the pressure thereof causes the Sr solution to flow. The raw material 43 and the Ru solution raw material 45 are guided to the introduction pipe 19 via the pipes 22 and 23, respectively, and together with N2 gas serving as a carrier gas, mist is blown out from a small-diameter nozzle at the tip of the introduction pipe 19 to form a vaporization chamber. The raw material vaporized gas 48 comes into contact with the inner wall of
Becomes In this case, He is used because the amount of He dissolved into the solution raw material is smaller than that of other inert gases such as Ar and N2 .
【００３４】この場合の、各流量は、例えば、Ｓｒ溶液
原料４３及びＲｕ溶液原料４５を夫々０．３ｓｃｃｍ、
及び、キャリアガスとしてＮ2ガスを２００ｓｃｃｍ流
して気化室１８の気圧が、例えば、２０Ｔｏｒｒになる
ようにするものであり、気化室１８の温度は、Ｓｒ（Ｄ
ＰＭ）2の気化温度である２５０℃以上、例えば、２９
０℃にして気化を行い、気化した原料気化ガス４８を堆
積室１１に送り込み、例えば、９００ｓｃｃｍの流量の
Ｏ2ガスとともに、シャワーヘッド１４のノズルから噴
射して、基板１２上に設けたＰＺＴ膜の上にＳｒＲｕＯ
3膜を堆積させる。In this case, each flow rate is, for example, 0.3 sccm for the Sr solution raw material 43 and the Ru solution raw material 45, respectively.
The N2 gas is flowed at 200 sccm as a carrier gas so that the pressure in the vaporization chamber 18 becomes, for example, 20 Torr, and the temperature of the vaporization chamber 18 is Sr (D
PM) 250 ° C. or more, which is the vaporization temperature of2 , for example, 29
Vaporization is performed at 0 ° C., and the vaporized raw material vaporized gas 48 is sent to the deposition chamber 11 and, for example, sprayed from the nozzle of the shower head 14 together with O2 gas at a flow rate of 900 sccm to form the PZT film provided on the substrate 12. On top of SrRuO
3 films are deposited.
【００３５】この様なＳｒＲｕＯ3膜の堆積工程におい
て、気化室１８の内部の圧力が低下した場合、例えば、
１Ｔｏｒｒ以下に低下した場合、導入管１９の内部にお
いて、気化室１８から伝導してきた熱とともに気圧の急
激な低下によって乾燥が始まり、有機金属が析出するこ
とになる。In the step of depositing the SrRuO3 film, when the pressure inside the vaporization chamber 18 decreases, for example,
When the pressure is reduced to 1 Torr or less, drying starts due to a rapid decrease in the pressure together with the heat conducted from the vaporization chamber 18 inside the introduction pipe 19, and organic metal is deposited.
【００３６】そこで、この様な気圧の急激な低下を圧力
センサ４６で監視し、その検出圧力によって弁開閉制御
器４７を動作させ、弁開閉機構３１〜３４を制御して弁
２６〜２９を閉じる一方、弁開閉機構３０を制御して弁
２５を開放し、配管２０を通じで溶媒である酢酸ブチル
４１を導入管１９に流し、導入管１９の内部の乾燥を抑
制し、目詰まりを未然に防止する。Therefore, such a sudden decrease in the atmospheric pressure is monitored by the pressure sensor 46, the valve opening / closing controller 47 is operated by the detected pressure, and the valves 26 to 29 are closed by controlling the valve opening / closing mechanisms 31 to 34. On the other hand, the valve opening / closing mechanism 30 is controlled to open the valve 25, and butyl acetate 41, which is a solvent, is passed through the pipe 20 to the introduction pipe 19, thereby suppressing drying inside the introduction pipe 19 and preventing clogging. I do.
【００３７】この場合の酢酸ブチル４１の流量は、導入
管１９の先端部において酢酸ブチル４１の気化が生じな
い程度の温度まで降温する流量を流せば良く、例えば、
１５〜２０ｓｃｃｍの流量で、３０〜６０秒間流すもの
である。この様に酢酸ブチル４１を流すことによって、
導入管１９の内部の乾燥は防止されるとともに、析出し
かかった有機金属を酢酸ブチル４１中に溶解して清浄化
する。In this case, the flow rate of the butyl acetate 41 may be a flow rate that decreases the temperature at the tip of the introduction pipe 19 to a temperature at which the butyl acetate 41 does not vaporize.
The flow is performed at a flow rate of 15 to 20 sccm for 30 to 60 seconds. By flowing butyl acetate 41 in this way,
Drying inside the introduction tube 19 is prevented, and the organic metal that is about to precipitate is dissolved in butyl acetate 41 to be cleaned.
【００３８】この酢酸ブチル４１の気化温度は約１２５
℃／ａｔｍであり、溶液原料の溶媒として用いているＴ
ＨＦの約６６℃／ａｔｍと比べて高温であるので、導入
管１９の内部で気化しにくく、それによって、導入管１
９の内部の乾燥をＴＨＦより効果的に防止することがで
きる。The vaporization temperature of this butyl acetate 41 is about 125
° C / atm, and T
Since the temperature is high as compared with about 66 ° C./atm of HF, it is difficult to vaporize inside the introduction pipe 19, whereby the introduction pipe 1
9 can be more effectively prevented from drying than THF.
【００３９】この様に、弁開閉制御器４７が作動した場
合には、成膜が中断され、所望のＳｒＲｕＯ3膜が得ら
れていないので、酢酸ブチル４１の供給を停止したの
ち、基板１３を堆積室１１から取り出し、取り出した基
板１３を廃棄したのち、新たな基板１３をサセプター１
２上に載置してＳｒＲｕＯ3膜の成膜工程を再開するこ
とになる。As described above, when the valve opening / closing controller 47 is operated, the film formation is interrupted, and the desired SrRuO3 film is not obtained. After taking out from the deposition chamber 11 and discarding the taken out substrate 13, a new substrate 13 is placed in the susceptor 1.
2 and restart the SrRuO3 film formation process.
【００４０】この様に、本発明の第１の実施の形態にお
いては、圧力センサ４６に弁２５〜２９を弁開閉制御器
４９とは独立に制御する弁開閉制御器４７を接続し、圧
力が急激に低下した場合に、溶液原料の供給を停止し
て、有機溶媒である酢酸ブチル４１を流して乾燥を防止
しているので、導入管１９の先端部における目詰まりを
未然に防止することができる。As described above, in the first embodiment of the present invention, the valve opening / closing controller 47 for controlling the valves 25 to 29 independently of the valve opening / closing controller 49 is connected to the pressure sensor 46 so that the pressure is reduced. In the case of a sharp decrease, the supply of the solution raw material is stopped, and butyl acetate 41, which is an organic solvent, is flown to prevent drying. Therefore, it is possible to prevent clogging at the tip of the introduction tube 19 beforehand. it can.
【００４１】それによって、約２日を要する導入管１９
の交換作業が不要になるので、生産性が高まり、ＦＲＡ
Ｍの大量生産化が可能になり、ＦＲＡＭの低コスト化が
可能になる。Thus, the introduction pipe 19 which takes about two days is required.
No need for replacement work, increasing productivity and increasing FRA
M can be mass-produced, and the cost of the FRAM can be reduced.
【００４２】次に、図３及び図４を参照して、本発明の
第２の実施の形態の有機金属気相成長装置を説明する
が、圧力変動による有機溶媒の導入手段が異なるだけ
で、他の基本的構成は上記の第１の実施の形態と同様で
あるので構成の説明は簡単にする。 図３参照 図３は、本発明の第２の実施の形態の有機金属気相成長
装置の概略的構成図であり、図に示すように、有機溶媒
である酢酸ブチル４１を収容した溶媒容器４０に連なる
配管２０に分岐配管５０を設け、この分岐配管５０に圧
力低下検知手段と溶媒導入弁を兼ねるチェックバルブ５
１を設けたものである。また、それに伴って、圧力セン
サ４６に接続していた弁開閉制御器４７及び弁２５〜２
９に繋がる電気制御系を不要にしたものである。Next, a metal organic chemical vapor deposition apparatus according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 3 and 4, except that the means for introducing an organic solvent due to pressure fluctuation is different. The other basic configuration is the same as that of the first embodiment, so that the description of the configuration will be simplified. FIG. 3 is a schematic configuration diagram of a metal organic chemical vapor deposition apparatus according to a second embodiment of the present invention. As shown in the drawing, a solvent container 40 containing butyl acetate 41 as an organic solvent is shown. A branch pipe 50 is provided in the pipe 20 connected to the check valve 5, which serves as a pressure drop detecting means and a solvent introduction valve.
1 is provided. Accordingly, the valve opening / closing controller 47 connected to the pressure sensor 46 and the valves 25-2
9 eliminates the need for an electrical control system.
【００４３】図４参照 図４は、本発明の第２の実施の形態に用いるチェックバ
ルブ５１の概略的断面図であり、バルブ筐体５２の内部
に可動弁５３と可動弁５３を流入口５５側に押しつける
バネ５４が設けられた構造になっている。FIG. 4 is a schematic sectional view of a check valve 51 used in a second embodiment of the present invention. A movable valve 53 and a movable valve 53 are provided inside a valve housing 52 through an inlet 55. It has a structure in which a spring 54 for pressing the side is provided.
【００４４】通常の成膜状態においては、流出口５６側
の気圧が、気化室１８の内部の気圧である２０Ｔｏｒｒ
程度であるので、バネ５４の押圧力によって可動弁５３
は流入口５５に押し付けられて流入口５５を塞ぐので、
酢酸ブチル４１は気化室１８には導かれない。In a normal film formation state, the pressure on the outlet 56 side is 20 Torr, which is the pressure inside the vaporization chamber 18.
The movable valve 53 by the pressing force of the spring 54.
Is pressed against the inflow port 55 and closes the inflow port 55,
Butyl acetate 41 is not guided to vaporization chamber 18.
【００４５】しかし、気化室１８の気圧が１Ｔｏｒｒ以
下に低下した場合、圧力とバネ５４の均衡が破れ、気圧
差によって可動弁５３が流出口５６側に引っ張られて流
入口５５が開放し、酢酸ブチル４１がチェックバルブ５
１を介して導入管１９の内部に流れ込むことになる。However, when the pressure in the vaporizing chamber 18 drops to 1 Torr or less, the pressure and the spring 54 are out of balance, and the pressure difference causes the movable valve 53 to be pulled toward the outlet 56 so that the inlet 55 is opened. Butyl 41 is check valve 5
1 will flow into the inside of the introduction pipe 19.
【００４６】再び、図３参照 この場合、チェックバルブ５１を介して導入管１９の内
部に酢酸ブチル４１が流れ込んでも、弁２５〜２９の開
閉は制御されておらず、溶液原料、キャリアガス、及
び、Ｏ2ガスは流れたままであるので、所定時間経過後
に手動で各弁２５〜２９を閉じることになる。Referring again to FIG. 3, in this case, even if butyl acetate 41 flows into the introduction pipe 19 via the check valve 51, the opening and closing of the valves 25 to 29 are not controlled, and the solution raw material, carrier gas, because O2 gas remains flowing, will be closed manually valves 25-29 after a predetermined time has elapsed.
【００４７】この第２の実施の形態においては、電気的
制御を行うことなく、チェックバルブ５１自体の機械的
動作によって、圧力の急激な低下を検知するとともに、
有機溶媒を導入しているので、装置構成が簡素化され、
有機金属気相成長装置の低コスト化が可能になる。In the second embodiment, a sudden decrease in pressure is detected by the mechanical operation of the check valve 51 without performing electrical control.
The introduction of an organic solvent simplifies the equipment configuration,
The cost of the metal organic chemical vapor deposition apparatus can be reduced.
【００４８】以上、本発明の各実施の形態を説明してき
たが、本発明は各実施の形態に記載された構成・条件に
限られるものではなく、各種の変更が可能である。例え
ば、上記の各実施の形態においては、キャリアガスとし
てＮ2ガスを用いているが、ＡｒやＨｅ等の他の不活性
ガスを用いても良いものである。The embodiments of the present invention have been described above. However, the present invention is not limited to the configurations and conditions described in the embodiments, and various changes can be made. For example, in each of the above embodiments, the N2 gas is used as the carrier gas, but another inert gas such as Ar or He may be used.
【００４９】また、上記の各実施の形態においては、有
機溶媒として酢酸ブチルを用いているが、酢酸ブチルに
限られるものではなく、ヘキサン或いはオクタンを用い
ても良いものであり、さらには、沸騰点の低いＴＨＦを
用いても良いものである。In each of the above embodiments, butyl acetate is used as the organic solvent. However, the organic solvent is not limited to butyl acetate, and hexane or octane may be used. THF with a low point may be used.
【００５０】また、上記の第１の実施の形態において
は、気化室１８の気圧低下によって各弁２５〜２９を開
閉しているが、気化室１８の内部の気圧ではなく、導入
管１９に連なるように圧力センサを設け、導入管１９の
内部の気圧低下に応じて各弁２５〜２９を開閉するよう
に構成しても良いものである。In the first embodiment, the valves 25 to 29 are opened and closed by the decrease in the pressure of the vaporization chamber 18. However, the valves 25 to 29 are connected not to the pressure inside the vaporization chamber 18 but to the introduction pipe 19. The pressure sensor may be provided as described above, and each of the valves 25 to 29 may be opened and closed according to a decrease in the atmospheric pressure inside the introduction pipe 19.
【００５１】また、上記の各実施の形態においては、強
誘電体キャパシタの上部電極を構成するＳｒＲｕＯ3膜
の製造工程として説明しているが、下部電極として用い
ても良いものであり、さらには、ＳｒＲｕＯ3膜の単層
膜ではなくＩｒＯ2膜との２層構造膜として用いて良い
ものである。この場合、強誘電体膜に接する側がＳｒＲ
ｕＯ3膜となる。Further, in each of the above embodiments, the description has been given as the manufacturing process of the SrRuO3 film constituting the upper electrode of the ferroelectric capacitor, but it may be used as the lower electrode. It may be used not as a single-layer SrRuO3 film but as a two-layer film with an IrO2 film. In this case, the side in contact with the ferroelectric film is SrR
It becomes a uO3 film.
【００５２】また、上記の各実施の形態の有機金属気相
成長装置は、酸化物導電体膜の製造工程に限られるもの
ではなく、ＰＺＴやＰＺＬＴ等の強誘電体膜の製造工程
にも用いられるものであり、この有機金属気相成長装置
における原料供給系として、配管を増やして酸化物導電
体原料及び強誘電体原料を接続し、弁を切り替えること
によって、下部電極、強誘電体膜、及び、上部電極を同
じ気化室内において連続的に成膜することが可能にな
り、弁を切り替える際には、弁２５を開放にして酢酸ブ
チル４１を流して清浄化すれば良い。The metal-organic vapor phase epitaxy apparatus of each of the above embodiments is not limited to the process of manufacturing an oxide conductor film, but is also used in the process of manufacturing a ferroelectric film such as PZT or PZLT. As a raw material supply system in this metal organic chemical vapor deposition apparatus, by connecting an oxide conductor raw material and a ferroelectric raw material by increasing pipes and switching valves, a lower electrode, a ferroelectric film, In addition, it becomes possible to form a film continuously on the upper electrode in the same vaporization chamber. When switching the valve, the valve 25 may be opened and butyl acetate 41 may be flowed for cleaning.
【００５３】また、本発明は、ＦＲＡＭ等の半導体装置
の製造工程に限られるものではなく、ハイブリッドＩＣ
に用いる高誘電体キャパシタや、他の高誘電体デバイス
或いは強誘電体デバイスの製造工程にも用いられるもの
である。Further, the present invention is not limited to the process of manufacturing a semiconductor device such as an FRAM or the like.
It is also used in a manufacturing process of a high dielectric capacitor used for the above and other high dielectric devices or ferroelectric devices.
【００５４】[0054]
【発明の効果】本発明によれば、固体原料を溶媒に溶解
させた溶液原料を用いて気相成長させる際に、気化室或
いは導入管内の圧力の急激な低下を検知した場合に、有
機溶媒を導入管に自動的に流す機構を設けているので、
導入管の目詰まりを未然に防ぐことができ、それによっ
て、ＦＲＡＭ等の強誘電体膜或いは酸化物導電体膜を有
する半導体装置等の大量生産化が可能になるので、ＦＲ
ＡＭ等の低コスト化に寄与するところが大きい。According to the present invention, when a rapid decrease in pressure in a vaporization chamber or an introduction pipe is detected during vapor phase growth using a solution raw material obtained by dissolving a solid raw material in a solvent, an organic solvent is used. Is automatically provided to the inlet pipe,
Since the clogging of the introduction tube can be prevented beforehand, it becomes possible to mass-produce a semiconductor device having a ferroelectric film such as FRAM or an oxide conductor film, etc.
It greatly contributes to cost reduction of AM and the like.
【図１】本発明の原理的構成図である。FIG. 1 is a diagram showing the basic configuration of the present invention.
【図２】本発明の第１の実施の形態の有機金属気相成長
装置の概略的構成図である。FIG. 2 is a schematic configuration diagram of a metal organic chemical vapor deposition apparatus according to the first embodiment of the present invention.
【図３】本発明の第２の実施の形態の有機金属気相成長
装置の概略的構成図である。FIG. 3 is a schematic configuration diagram of a metal organic chemical vapor deposition apparatus according to a second embodiment of the present invention.
【図４】本発明の第２の実施の形態に用いるチェックバ
ルブの概略的構成図である。FIG. 4 is a schematic configuration diagram of a check valve used in a second embodiment of the present invention.
【図５】ＦＲＡＭのメモリセル部の概略的断面図であ
る。FIG. 5 is a schematic sectional view of a memory cell portion of the FRAM.
【図６】従来の有機金属気相成長装置の概略的構成図で
ある。FIG. 6 is a schematic configuration diagram of a conventional metal organic chemical vapor deposition apparatus.
１ 気化室 ２ 原料導入管 ３ 圧力センサ ４ 有機溶媒 ５ 溶液原料 ６ 溶液原料 ７ 原料気化ガス ８ 堆積室 １１ 堆積室 １２ サセプター １３ 基板 １４ シャワーヘッド １５ 弁 １６ ロータリーポンプ １７ 除害装置 １８ 気化室 １９ 導入管 ２０〜２４ 配管 ２５〜２９ 弁 ３０〜３４ 弁開閉機構 ３５〜３７ ＬＭＦＣ ３８ ＭＦＣ ３９ ＭＦＣ ４０ 溶媒容器 ４１ 酢酸ブチル ４２ Ｓｒ原料容器 ４３ Ｓｒ溶液原料 ４４ Ｒｕ原料容器 ４５ Ｒｕ溶液原料 ４６ 圧力センサ ４７ 弁開閉制御器 ４８ 原料気化ガス ４９ 弁開閉制御器 ５０ 分岐配管 ５１ チェックバルブ ５２ バルブ筐体 ５３ 可動弁 ５４ バネ ５５ 流入口 ５６ 流出口 ６１ ｐ型シリコン基板 ６２ 素子分離選択酸化膜 ６３ ゲート絶縁膜 ６４ ゲート電極 ６５ ｎ+型ドレイン領域 ６６ ｎ+型ソース領域 ６７ 第１層間絶縁膜 ６８ 強誘電体キャパシタ ６９ 下部電極 ７０ 強誘電体膜 ７１ 上部電極 ７２ 第２層間絶縁膜 ７３ 接続電極 ７４ 保護膜 ８１ 堆積室 ８２ サセプター ８３ 基板 ８４ シャワーヘッド ８５ 弁 ８６ ロータリーポンプ ８７ 除害装置 ８８ 気化室 ８９ 導入管 ９０〜９４ 配管 ９５〜９９ 弁 １００〜１０４ 弁開閉機構 １０５〜１０７ ＬＭＦＣ １０８ ＭＦＣ １０９ ＭＦＣ １１０ Ｐｂ原料容器 １１１ Ｐｂ溶液原料 １１２ Ｚｒ原料容器 １１３ Ｚｒ溶液原料 １１４ Ｔｉ原料容器 １１５ Ｔｉ溶液原料 １１６ 圧力センサ １１７ 弁開閉制御器 １１８ 原料気化ガスDESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Vaporization chamber 2 Raw material introduction pipe 3 Pressure sensor 4 Organic solvent 5 Solution raw material 6 Solution raw material 7 Raw material vaporized gas 8 Deposition chamber 11 Deposition chamber 12 Susceptor 13 Substrate 14 Shower head 15 Valve 16 Rotary pump 17 Detoxification device 18 Vaporization chamber 19 Introduction Pipe 20-24 Pipe 25-29 Valve 30-34 Valve opening and closing mechanism 35-37 LMFC 38 MFC 39 MFC 40 Solvent container 41 Butyl acetate 42 Sr raw material container 43 Sr solution raw material 44 Ru raw material container 45 Ru solution raw material 46 Pressure sensor 47 Valve Opening / closing controller 48 Raw material vaporized gas 49 Valve opening / closing controller 50 Branch pipe 51 Check valve 52 Valve housing 53 Movable valve 54 Spring 55 Inlet 56 Outlet 61 P-type silicon substrate 62 Element isolation selective oxide film 63 Gate insulating film 64 Gate electrode 65 n+ -type drain region 6 n+ -type source region 67 first interlayer insulating film 68 ferroelectric capacitor 69 little lower electrode 70 dielectric layer 71 upper electrode 72 the second interlayer insulating film 73 connecting electrode 74 protective film 81 deposition chamber 82 susceptor 83 a substrate 84 showerhead 85 Valve 86 Rotary pump 87 Detoxification device 88 Vaporization chamber 89 Inlet pipe 90-94 Piping 95-99 Valve 100-104 Valve opening and closing mechanism 105-107 LMFC 108 MFC 109 MFC 110 Pb raw material container 111 Pb solution raw material 112 Zr raw material container 113 Zr Solution raw material 114 Ti raw material container 115 Ti solution raw material 116 Pressure sensor 117 Valve opening / closing controller 118 Raw material vaporized gas
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K030 AA11 AA14 AA16 AA18 BA42 CA04 EA01 EA03 FA10 KA39 LA15 5F045 AA04 AC07 AC08 BB20 DC63 DP03 DQ10 EE03 EF05 EK07 GB06 5F058 BC08 BF06 BF27 BF29 BJ02 5F083 FR02 GA27 JA15 JA45 PR21 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 4K030 AA11 AA14 AA16 AA18 BA42 CA04 EA01 EA03 FA10 KA39 LA15 5F045 AA04 AC07 AC08 BB20 DC63 DP03 DQ10 EE03 EF05 EK07 GB06 5F058 BC08 BF06 BF27 BF29 BJ025JA8F
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