【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板、液晶表示
装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディ
スク用基板等（以下、単に「基板」と称する）を、純水
や各種薬液等の処理液に浸漬する基板処理装置に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor substrate, a glass substrate for a liquid crystal display device, a glass substrate for a photomask, a substrate for an optical disk (hereinafter, simply referred to as a "substrate"). The present invention relates to a substrate processing apparatus immersed in a processing liquid.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来より、上記基板の製造工程において
は、フッ酸等の薬液による処理および純水による洗浄処
理を順次行った後、純水から基板を引き出しつつイソプ
ロピルアルコール（以下、「ＩＰＡ」と称する）等の有
機溶剤の蒸気を基板の周辺に供給して乾燥処理を行う基
板処理装置が用いられている。2. Description of the Related Art Conventionally, in a substrate manufacturing process, after a treatment with a chemical such as hydrofluoric acid and a cleaning treatment with pure water are sequentially performed, isopropyl alcohol (hereinafter referred to as “IPA”) is drawn out of the substrate from the pure water. A substrate processing apparatus that performs a drying process by supplying a vapor of an organic solvent to the periphery of the substrate is used.
【０００３】一般に、このような基板処理装置は、外槽
内に浸漬処理を行う処理槽とＩＰＡを供給する供給ノズ
ルとを配置して構成されている。処理槽内にて純水によ
る最終の仕上げ洗浄処理が終了すると、供給ノズルから
ＩＰＡが外槽内に供給され処理槽の上方にＩＰＡの蒸気
を含む雰囲気が形成される。そして、処理槽から基板を
引き揚げると、基板の主面にＩＰＡの蒸気が凝縮し、基
板主面に付着した水滴がＩＰＡによって置換される。そ
の後、外槽内を減圧状態とすることによって基板が乾燥
されるのである。In general, such a substrate processing apparatus is configured by arranging a processing tank for performing immersion processing in an outer tank and a supply nozzle for supplying IPA. When the final finish cleaning process using pure water is completed in the processing tank, IPA is supplied from the supply nozzle into the outer tank, and an atmosphere containing IPA vapor is formed above the processing tank. Then, when the substrate is lifted from the processing bath, the IPA vapor condenses on the main surface of the substrate, and the water droplets attached to the main surface of the substrate are replaced by the IPA. Thereafter, the substrate is dried by reducing the pressure in the outer tank.
【０００４】このような基板処理装置において、基板を
処理液中に浸漬した下方位置と、処理液から引き上げた
上方位置との間を昇降させるには、基板を立姿勢に保持
して昇降する昇降機構が使用される。In such a substrate processing apparatus, in order to move the substrate between a lower position where the substrate is immersed in the processing liquid and an upper position where the substrate is lifted from the processing liquid, the substrate is held upright and raised and lowered. A mechanism is used.
【０００５】この種の昇降機構９０は、第８図に基板を
処理液から引き上げる際の処理液の流れる様子を正面図
で示すように、基板Ｗを立姿勢で保持する基板保持溝が
形成され、立姿勢の基板Ｗの中央より下垂した基板外縁
部位に位置する中央保持部材９２と、基板保持溝が形成
され、基板Ｗの外縁に沿って前記中央保持部材を中間に
してその両側に等距離に配置した２つの側方保持部材９
１、９３とを備える。これら３つの保持部材９１、９
２、９３は、基板Ｗの外縁を３箇所で保持するもので、
それぞれの一端が、リフターアーム９４に片持ち梁状に
固設され、リフターアームは鉛直方向に昇降可能に設け
られている。In this type of elevating mechanism 90, a substrate holding groove for holding the substrate W in an upright position is formed as shown in a front view of a state in which the processing liquid flows when the substrate is lifted from the processing liquid in FIG. A central holding member 92 located at an outer edge portion of the substrate W hanging down from the center of the substrate W in the upright position, and a substrate holding groove formed therein. Two side holding members 9 arranged in
1 and 93. These three holding members 91, 9
2, 93 hold the outer edge of the substrate W at three places,
One end of each is fixed to the lifter arm 94 in a cantilever manner, and the lifter arm is provided so as to be able to move up and down in the vertical direction.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のよう
な基板処理装置においては、基板Ｗを処理液から引き上
げる際、処理液の液面に浮遊するパーティクル等の汚染
物質が基板Ｗに付着しないように、処理液はオーバーフ
ローさせる。しかし、基板Ｗの下端部位には、しばし
ば、汚染物質の付着する不具合が認められる。By the way, in the above substrate processing apparatus, when the substrate W is pulled up from the processing liquid, contaminants such as particles floating on the surface of the processing liquid do not adhere to the substrate W. Then, the processing liquid overflows. However, at the lower end portion of the substrate W, a problem that a contaminant adheres is often recognized.
【０００７】この不具合の原因を探求したところ、次の
ような現象に起因することを見いだした。すなわち、立
姿勢に保持された基板Ｗの外縁のうち、特に中央保持部
材９２や側方支持部材９１、９３と接する部位は、基板
保持溝に入り込んでおり、浸漬中に槽内の処理液な流れ
が行き届き難く、汚染物質が多く存在している。そのう
ち側方支持部材９１、９３に存在する汚染物質は、基板
Ｗ引き上げ時に液面を通過する際に、処理槽９５の縁か
らオーバーフローすべく処理槽９５の縁へ向かって液面
に沿って進む流れによって流れ去り、引き上げられた基
板Ｗに付着する可能性は少ない。他方、中央保持部材１
と接する部位に存在する汚染物質は、基板引き上げ時に
液面を通過する際に、やはりオーバーフローする処理液
の流れに洗われるが、基板Ｗの下端部位に再付着する。
また、処理液に混在している汚染物質が処理槽内の上昇
流によって液面に達し、これも基板Ｗに付着する。[0007] When the cause of this inconvenience was searched for, it was found that the cause was as follows. That is, of the outer edge of the substrate W held in the upright position, particularly, a portion that comes into contact with the center holding member 92 and the side support members 91 and 93 enters the substrate holding groove, and the processing liquid in the tank during immersion. The flow is difficult to reach and there are many pollutants. The contaminants existing in the side support members 91 and 93 travel along the liquid surface toward the edge of the processing tank 95 so as to overflow from the edge of the processing tank 95 when passing through the liquid surface when the substrate W is lifted. It is unlikely that it will flow away and adhere to the lifted substrate W. On the other hand, the center holding member 1
The contaminant present in the portion in contact with the substrate W is also washed by the overflow of the processing liquid when passing through the liquid surface when the substrate is pulled up, but adheres again to the lower end portion of the substrate W.
In addition, the contaminants mixed in the processing liquid reach the liquid surface due to the upward flow in the processing tank, and also adhere to the substrate W.
【０００８】このような再付着や新たな付着は、中央保
持部材９２と基板Ｗの下端部位が接する部位が液面を通
過する際に、オーバーフローしている処理液の流れによ
って基板Ｗや中央保持部材９２から汚染物質が遊離する
ものの、また新たに処理液中から液面に上昇して来た汚
染物質などのように、液面に浮遊する汚染物質は、液面
に沿って処理槽９５の縁へ向かって移動するが、図８に
示すように、側方保持部材２、３に行く手を遮られ、側
方保持部材２と側方保持部材３で両側を囲まれたように
して、汚染物質が高濃度に浮遊する液面領域が発生して
いる。このようにして、かかる汚染物質が高濃度に浮遊
する液面領域を通過するようにして基板Ｗの下端部位は
引き上げられていたから、基板Ｗの下端部位に汚染物質
が部分的に多く付着することが判明した。Such re-adhesion or new adhesion is caused by the overflow of the processing liquid when the portion where the center holding member 92 and the lower end portion of the substrate W come into contact with each other passes through the liquid surface. Although the contaminants are released from the member 92, the contaminants floating on the liquid surface, such as the contaminants newly rising from the processing liquid to the liquid surface, flow along the liquid surface to the processing tank 95. Although moving toward the edge, as shown in FIG. 8, the hand to the side holding members 2 and 3 is blocked, and the side holding member 2 and the side holding member 3 surround the both sides, so that contamination occurs. There is a liquid surface area where the substance is suspended in high concentration. In this manner, since the lower end portion of the substrate W has been lifted up so as to pass through the liquid surface region in which such contaminants float at a high concentration, it is possible that the contaminant adheres partially to the lower end portion of the substrate W. found.
【０００９】本発明は、上記課題に鑑みてなされたもの
であり、処理液中に浮遊する汚染物質が基板に付着する
ことを少なくして基板を処理液から引き上げることがで
きる基板処理装置を提供することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and provides a substrate processing apparatus capable of pulling up a substrate from a processing liquid while reducing contaminants floating in the processing liquid from adhering to the substrate. The purpose is to do.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項１に係る発明は、処理液を貯留し、上端縁か
ら処理液が溢流する処理槽と、基板を立姿勢で保持し
て、前記処理槽に貯留された処理液中に基板を浸漬する
下方位置と、前記処理槽に貯留された処理液より脱引き
上げた上方位置との間を、昇降する昇降機構を有する基
板処理装置において、前記昇降機構は、立姿勢に保持さ
れる基板の中央の鉛直方向下端の外縁と接して基板を保
持する中央保持部材と、前記中央保持部材を中間にして
立姿勢に保持された基板の外縁に沿って等距離隔てて配
置された側方保持部材を備え、前記中央保持部材の基板
と接する部位と前記側方保持部材の下端とが、上下に間
隔を空けるように配置することを特徴とする基板処理装
置である。According to a first aspect of the present invention, there is provided an apparatus for storing a processing solution in which a processing solution is stored and overflows from an upper edge, and a substrate is held in an upright position. A substrate processing apparatus having an elevating mechanism that moves up and down between a lower position where the substrate is immersed in the processing liquid stored in the processing tank and an upper position where the substrate is removed from the processing liquid stored in the processing tank. In the above, the elevating mechanism includes a center holding member that holds the substrate in contact with the outer edge of the center in the vertical direction at the center of the substrate held in the upright position, and a substrate held in the upright position with the center holding member in the middle. A side holding member is provided equidistantly along the outer edge, and a portion of the central holding member that contacts the substrate and a lower end of the side holding member are arranged so as to be vertically spaced. Is a substrate processing apparatus.
【００１１】また、請求項に２に係る発明は、請求項１
に記載の基板処理装置において、前記処理槽を収容する
外槽と、前記外槽内に前記有機溶剤の蒸気を含む雰囲気
を形成する有機溶剤雰囲気形成手段と、を備えた基板処
理装置である。Further, the invention according to claim 2 is based on claim 1.
3. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising: an outer tank that houses the processing tank; and an organic solvent atmosphere forming unit that forms an atmosphere containing the vapor of the organic solvent in the outer tank.
【００１２】[0012]
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態について詳細に説明する。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.
【００１３】まず、本発明に係る基板処理装置の全体構
成について簡単に説明する。ここで説明する基板処理装
置は、多槽式の基板処理装置である。図１は、本発明に
係る基板処理装置の一例を示す正面概略図である。図１
および以下の各図には、それらの方向関係を明確にする
ため、ＸＹＺ直交座標系を適宜付している。この基板処
理装置１００は、薬液槽処理部ＣＢ１、ＣＢ２と、水洗
槽処理部ＷＢ１、ＷＢ２、ＦＲと、洗浄して乾燥する多
機能処理部ＬＰＤと、基板を搬送する基板搬送ロボット
ＴＲとを備えている。また、基板処理装置１００は、そ
の両端に、未処理基板Ｗを収納したカセットＣを載置す
るローダー部ＬＤと処理済みの基板Ｗが格納されるカセ
ットＣを載置するアンローダー部ＵＬＤとを備えてい
る。First, the overall configuration of the substrate processing apparatus according to the present invention will be briefly described. The substrate processing apparatus described here is a multi-tank type substrate processing apparatus. FIG. 1 is a schematic front view showing an example of the substrate processing apparatus according to the present invention. FIG.
In each of the following drawings, an XYZ orthogonal coordinate system is appropriately attached in order to clarify the directional relationship. The substrate processing apparatus 100 includes chemical bath processing units CB1, CB2, washing bath processing units WB1, WB2, FR, a multifunctional processing unit LPD for cleaning and drying, and a substrate transport robot TR for transporting a substrate. ing. Further, the substrate processing apparatus 100 has, at both ends thereof, a loader section LD for mounting a cassette C containing unprocessed substrates W and an unloader section ULD for mounting a cassette C for storing processed substrates W. Have.
【００１４】薬液槽処理部ＣＢ１、ＣＢ２に備えられた
処理槽１０は硫酸、アンモニア、塩酸、フッ酸、過酸化
水素水またはそれらの混合液などの薬液を収容可能であ
り、ここで考えている例では、フッ酸を貯留し、基板に
対してエッチング処理を行う。また、水洗槽処理部ＷＢ
１、ＷＢ２に備えられた処理槽１０は純水を収容し、基
板Ｗに付着したフッ酸を洗浄するのに供される。また、
水洗槽処理部ＦＲに備えられた処理槽１０も純水を収容
し、主として仕上げの洗浄として用いられる。さらに、
多機能処理部ＬＰＤは基板を処理液に浸漬して洗浄した
後に、引き上げ乾燥させる処理部である。The processing tank 10 provided in the chemical liquid tank processing sections CB1 and CB2 can store a chemical such as sulfuric acid, ammonia, hydrochloric acid, hydrofluoric acid, hydrogen peroxide or a mixture thereof, and is considered here. In the example, hydrofluoric acid is stored and an etching process is performed on the substrate. In addition, the washing tank processing unit WB
1. The processing tank 10 provided in the WB 2 contains pure water and is used for cleaning hydrofluoric acid attached to the substrate W. Also,
The processing tank 10 provided in the washing tank processing unit FR also stores pure water and is mainly used for finishing cleaning. further,
The multi-function processing unit LPD is a processing unit that immerses the substrate in a processing liquid, cleans the substrate, and then pulls up and dry the substrate.
【００１５】基板搬送ロボットＴＲは、水平方向および
上下方向に移動可能であり、ローダー部ＬＤから未処理
の基板群（ロット）を払い出し、予め定められた処理手
順に従って上記各処理槽間でロットを順次搬送するとと
もに、処理済みのロットをアンローダー部ＵＬＤに渡す
ロボットである。基板搬送ロボットＴＲは、開閉自在の
一対のハンド１を備えており、ハンド１には、その内側
に基板Ｗを保持するための複数の溝が一定のピッチで平
行に設けられており（図示省略）、それら複数の溝によ
ってロットが保持されることとなる。この基板搬送ロボ
ットＴＲがローダー部ＬＤからロットを受け取る際に
は、カセットＣの下方に設けられた図示を省略するホル
ダによってカセットＣから上昇されたロットを基板搬送
ロボットＴＲの一対のハンド１が把持することによって
行われる。また、アンローダー部ＵＬＤにロットを渡す
場合には、上記とは逆に、ハンド１から図示を省略する
ホルダにロットが渡され、そのホルダが下降することに
よって、ロットがカセットＣ内部に格納される。The substrate transport robot TR is movable in the horizontal and vertical directions, pays out unprocessed substrate groups (lots) from the loader unit LD, and transfers the lots among the processing tanks according to a predetermined processing procedure. A robot that sequentially conveys and transfers the processed lot to the unloader unit ULD. The substrate transport robot TR includes a pair of openable and closable hands 1, and a plurality of grooves for holding the substrate W are provided in the hand 1 in parallel at a constant pitch (not shown). ), The lot is held by the plurality of grooves. When the substrate transport robot TR receives the lot from the loader section LD, the pair of hands 1 of the substrate transport robot TR grips the lot raised from the cassette C by a holder (not shown) provided below the cassette C. It is done by doing. In the case of transferring the lot to the unloader unit ULD, the lot is transferred from the hand 1 to a holder (not shown), and the lot is stored in the cassette C by descending the holder. You.
【００１６】次に、基板処理装置１００に設けられた薬
液槽処理部ＣＢ１、ＣＢ２、水洗槽処理部ＷＢ１、ＷＢ
２、ＦＲ、多機能処理部ＬＰＤにおける処理槽１０の構
成について説明する。それら処理部は、貯留する処理液
が一部異なるが、備えられる処理槽１０の構造は共通す
る。なお、後述するように多機能処理部ＬＰＤには、処
理槽１０を収容する外槽を備える。Next, chemical bath processing units CB1 and CB2 provided in the substrate processing apparatus 100, and washing bath processing units WB1 and WB
2. The configuration of the processing tank 10 in the FR, multi-function processing unit LPD will be described. Although these processing units partially store processing liquids, the processing tanks 10 provided have the same structure. Note that, as described later, the multi-function processing unit LPD includes an outer tank that houses the processing tank 10.
【００１７】図２は薬液槽処理部ＣＢ１、ＣＢ２、水洗
槽処理部ＷＢ１、ＷＢ２、ＦＲ、多機能処理部ＬＰＤに
各々備えられるる処理槽１０の要部構成を示す正面図で
あり、図３は薬液槽処理部ＣＢ１、ＣＢ２、水洗槽処理
部ＷＢ１、ＷＢ２、ＦＲ、多機能処理部ＬＰＤに備えら
れる処理槽１０の要部構成を示す側面図である。基板処
理装置１００において、薬液槽処理部ＣＢ１、ＣＢ２、
水洗槽処理部ＷＢ１、ＷＢ２、ＦＲ、多機能処理部ＬＰ
Ｄの各々における処理槽１０には、吐出ノズル２０と、
昇降機構４０とが付随して設けられている。FIG. 2 is a front view showing a main configuration of a processing tank 10 provided in each of the chemical tank processing sections CB1, CB2, the washing tank processing sections WB1, WB2, FR, and the multi-function processing section LPD. FIG. 3 is a side view showing a main configuration of a processing tank 10 provided in the chemical tank processing units CB1, CB2, the washing tank processing units WB1, WB2, FR, and the multi-function processing unit LPD. In the substrate processing apparatus 100, the chemical tank processing units CB1, CB2,
Rinse tank processing units WB1, WB2, FR, multi-function processing unit LP
D has a discharge nozzle 20 in the processing tank 10,
An elevating mechanism 40 is additionally provided.
【００１８】吐出ノズル２０は、処理槽１０の底部両側
のそれぞれに設けられ、処理槽１０内に各種薬液や純水
等の処理液を供給するノズルである。吐出ノズル２０
は、処理槽１０の長手方向（Ｘ方向）に沿って延びる円
筒状のノズルであり、複数の円形の吐出孔２０ａを備え
ている。また、吐出ノズル２０は、処理槽１０外部の処
理液供給源２５に接続されており、所要の処理液が処理
液供給源２５供給される。The discharge nozzles 20 are provided on both sides of the bottom of the processing tank 10 and supply various processing solutions such as chemicals and pure water into the processing tank 10. Discharge nozzle 20
Is a cylindrical nozzle extending along the longitudinal direction (X direction) of the processing tank 10 and has a plurality of circular discharge holes 20a. Further, the discharge nozzle 20 is connected to a processing liquid supply source 25 outside the processing tank 10, and a required processing liquid is supplied to the processing liquid supply source 25.
【００１９】処理液供給源２５から供給された処理液
は、吐出ノズル２０の吐出孔２０ａから処理槽１０内に
吐出される。ここで、吐出孔２０ａは処理槽１０の中央
底部に向けて設けられており、両側の吐出ノズル２０か
ら吐出された処理液は処理槽１０の底壁と平行に流れ、
やがて処理槽１０底部中央にて衝突し、その後処理槽１
０の中央部近傍に上方に向けた処理液の上昇流れ（層流
状）を形成することとなる。なお、吐出ノズル２０から
供給された処理液は処理槽１０の上部から順次溢れ出る
ように、基板Ｗ引き上げ時にはオーバーフローしてい
る。また、複数の円形の吐出孔２０ａに代えて、１つの
スリット状の吐出孔を設けるようにしてもよい。The processing liquid supplied from the processing liquid supply source 25 is discharged into the processing tank 10 through the discharge hole 20a of the discharge nozzle 20. Here, the discharge hole 20a is provided toward the center bottom of the processing tank 10, and the processing liquid discharged from the discharge nozzles 20 on both sides flows parallel to the bottom wall of the processing tank 10,
Eventually, a collision occurs at the center of the bottom of the processing tank 10, and then the processing tank 1
An upward flow (laminar flow) of the processing liquid is formed in the vicinity of the center of the zero. Note that the processing liquid supplied from the discharge nozzle 20 overflows when the substrate W is lifted so as to sequentially overflow from the upper part of the processing tank 10. Further, one slit-shaped discharge hole may be provided in place of the plurality of circular discharge holes 20a.
【００２０】昇降機構４０は、処理槽１０に貯留されて
いる処理液に複数の基板Ｗを浸漬させる機構である。昇
降機構４０は、昇降駆動源４１と、リフターアーム４２
と、基板Ｗを保持する３本の保持部、すなわち、第４図
に要部を示すように、中央保持部材４４と、側方保持部
材４３、４５とを備えている。そのうち、中央保持部材
４４は、立姿勢に保持される基板Ｗの中央から鉛直下方
に下した垂線が、基板Ｗの外縁と交わる基板外縁に位置
にて基板と接して、つまり、立姿勢に保持される基板Ｗ
の中央から鉛直下方に位置する基板外縁と接して基板を
保持するものである。側方保持部材４３、４５は、前記
中央保持部材４４を中間にして立姿勢に保持された基板
Ｗの外縁に沿って等距離隔てて配置されたものである。The elevating mechanism 40 is a mechanism for immersing a plurality of substrates W in the processing liquid stored in the processing tank 10. The lifting mechanism 40 includes a lifting drive source 41 and a lifter arm 42.
And three holding portions for holding the substrate W, that is, a central holding member 44 and side holding members 43 and 45 as shown in FIG. The center holding member 44 is in contact with the substrate at a position where a vertical line vertically downward from the center of the substrate W held in the vertical position intersects with the outer edge of the substrate W, that is, the central holding member 44 holds the vertical position. Substrate W
And holds the substrate in contact with the outer edge of the substrate located vertically downward from the center of the substrate. The side holding members 43 and 45 are arranged equidistantly along the outer edge of the substrate W held in the upright position with the center holding member 44 in the middle.
【００２１】これら保持部材４３、４４、４５はいずれ
も例えば石英性の棒状体であって、これら３本の保持部
材４３、４４、４５のそれぞれには基板Ｗの外縁部がは
まり込んで基板Ｗを起立姿勢にて保持する複数の保持溝
が所定間隔にてＸ方向に配列して設けられている。前記
中央保持部材４４の上端、つまり中央保持部材４４の基
板Ｗと接する部位と、前記側方保持部材４３、４５の下
端とは、上下に間隔Ｈを空けるように配置されている。Each of the holding members 43, 44, and 45 is, for example, a rod made of quartz, and the outer edges of the substrate W fit into the three holding members 43, 44, and 45, respectively. Are held in the X direction at predetermined intervals. The upper end of the center holding member 44, that is, the portion of the center holding member 44 that contacts the substrate W, and the lower ends of the side holding members 43 and 45 are arranged so as to have an interval H vertically.
【００２２】中央保持部材４４の上端と前記側方保持部
材４３、４５の下端との間を上下に空ける間隔Ｈの望ま
しい寸法は、処理液の粘性やオーバーフローする処理液
の流速等の要素により一概に特定できるものではない
が、純水ないし純水に近い粘度の処理液の場合、望まし
くは０．２ミリメートル以上空けることが望まれる。な
お、かかる間隔Ｈの大きさは、中央の保持部材４４の上
面が液面に達する直前の時点で、液面の上端面から流れ
出た汚染物質が液面に沿っての処理液の流れによって、
側方保持部材４３、４５の下端の下方を通過して処理槽
１０の縁へ向かって流れ去るような状況が実現できるよ
うな大きさであればよい。つまり、中央の保持部材４４
の上面が液面に達する直前の時点で、そのような状況が
実現されているならば、かかる時点で、液面と側方保持
部材４３、４５の下端とは離れてさえいればよく、液面
から離れている距離の加減は、汚染物質が流れ去ること
に影響ないからである。Desirable dimensions of the space H between the upper end of the central holding member 44 and the lower ends of the side holding members 43 and 45 are generally determined by factors such as the viscosity of the processing liquid and the flow velocity of the processing liquid overflowing. However, in the case of a treatment liquid having pure water or a viscosity close to pure water, it is desirable to leave a gap of 0.2 mm or more. It should be noted that the size of the interval H is such that the contaminants flowing out from the upper end surface of the liquid surface immediately before the upper surface of the central holding member 44 reaches the liquid surface due to the flow of the processing liquid along the liquid surface.
Any size may be used so long as it can pass under the lower ends of the side holding members 43 and 45 and flow toward the edge of the processing tank 10. That is, the central holding member 44
If such a situation is realized immediately before the upper surface of the liquid crystal reaches the liquid level, it is sufficient that the liquid surface and the lower ends of the side holding members 43 and 45 only have to be separated at this time. This is because adjusting the distance from the surface does not affect the flow of the pollutant.
【００２３】むしろ、前記中央保持部材４４の基板Ｗと
接する部位と、前記側方保持部材４３、４５の下端との
上下に間隔Ｈを、あまり大きくすると、基板搬送ロボッ
トＴＲとの間での基板Ｗの受け渡し時に、側方保持部材
４３、４５が基板搬送ロボットＴＲのハンド１と衝突
し、両者間で基板Ｗの取り合いができなくなることが懸
念される。例えば、基板の上限寸法の３分の１以下が望
ましい。Rather, if the distance H between the center of the center holding member 44 in contact with the substrate W and the lower ends of the side holding members 43 and 45 is too large, the substrate between the center holding member 44 and the substrate transfer robot TR may be too large. At the time of delivery of W, there is a concern that the side holding members 43 and 45 collide with the hand 1 of the substrate transport robot TR, and the two cannot hold the substrate W therebetween. For example, one-third or less of the upper limit dimension of the substrate is desirable.
【００２４】なお、処理液の流れに波立ちが生じている
場合には、かかる間隔Ｈの大きさは、波立ちの振幅を越
える大きさが望ましい。これは、中央の保持部材４４の
上面が液面に達する直前の時点で、波頭の上端が側方保
持部材４３、４５の下端より離れて下にあればよいか
ら。In the case where the flow of the processing liquid has undulation, it is desirable that the size of the interval H exceeds the amplitude of the undulation. This is because it is sufficient that the upper end of the wave crest is lower than the lower ends of the side holding members 43 and 45 immediately before the upper surface of the center holding member 44 reaches the liquid level.
【００２５】前記した３本の保持部４３、４４、４５
は、それぞれに一端部が、リフターアーム４２に片持ち
梁状に固設され、リフターアーム４２は昇降駆動源４１
によって鉛直方向に昇降可能に設けられている。The above-mentioned three holding parts 43, 44, 45
Each has one end fixed to a lifter arm 42 in a cantilever shape, and the lifter arm 42 is
It is provided to be able to move up and down in the vertical direction.
【００２６】このような構成により、昇降機構４０は３
本の保持部４３、４４、４５によってＸ方向に所定間隔
にて平行に配列されて保持された複数の基板Ｗを処理槽
１０に貯留された純水に浸漬する位置（図２の実線位
置）と処理槽１０の上方であって基板搬送ロボットＴＲ
との基板受け渡しを行う位置（図２の２点鎖線位置）と
の間で昇降させることができる。なお、昇降駆動源４１
には、リフターアーム４２を昇降させる機構として、ボ
ールネジを用いた送りネジ機構やプーリとベルトを用い
たベルト機構など種々の機構を採用することが可能であ
る。With this configuration, the lifting mechanism 40 is
A position (solid line position in FIG. 2) in which a plurality of substrates W, which are arranged and held in parallel in the X direction at predetermined intervals by the book holding units 43, 44, and 45, are immersed in pure water stored in the processing tank 10. And the substrate transport robot TR above the processing tank 10
2 (indicated by the two-dot chain line in FIG. 2). The lifting drive source 41
As the mechanism for raising and lowering the lifter arm 42, various mechanisms such as a feed screw mechanism using a ball screw and a belt mechanism using a pulley and a belt can be adopted.
【００２７】なお、処理槽１０において、この処理槽１
０の各上端縁より、吐出ノズル２０から供給された処理
液は、処理槽１０が順次溢れ出ると、回収された後、装
置外部に排出されたり、浄化されて処理槽１０へ戻って
循環使用される。In the processing tank 10, the processing tank 1
When the processing liquid supplied from the discharge nozzle 20 sequentially overflows from the upper end edge of the processing tank 10, the processing liquid is collected and then discharged to the outside of the apparatus or purified and returned to the processing tank 10 for circulating use. Is done.
【００２８】引き続き、基板処理装置１００に設けられ
た多機能処理部ＬＰＤの構成にいて説明する。図５は多
機能処理部FLの正面図であり、図６は多機能処理部ＬＰ
Ｄの平面図である。Next, the configuration of the multi-function processing unit LPD provided in the substrate processing apparatus 100 will be described. FIG. 5 is a front view of the multi-function processing unit FL, and FIG.
It is a top view of D.
【００２９】多機能処理部FLは、外槽６０と、処理槽１
０と、ＩＰＡ蒸気・Ｎ２供給ノズル５０と、昇降機構４
０とを備えている。多機能処理部ＬＰＤに備えれた処理
槽１０は、フッ酸等の薬液または純水等の処理液を貯留
して基板に順次表面処理を行う槽であり、外槽６０の内
部に収容されている。The multi-function processing section FL includes an outer tank 60 and a processing tank 1
0, IPA vapor / N2 supply nozzle 50, and lifting mechanism 4
0. The processing tank 10 provided in the multi-function processing unit LPD is a tank that stores a chemical solution such as hydrofluoric acid or a processing liquid such as pure water and sequentially performs surface treatment on the substrate, and is housed inside the outer tank 60. I have.
【００３０】また、多機能処理部ＬＰＤにおいては、昇
降機構４０が外槽６の上方において、基板搬送ロボット
ＴＲと基板Ｗの受け渡しが行えるように、外槽６０の上
部にスライド式開閉機構（図示省略）が設けられてい
る。In the multi-function processing section LPD, a sliding opening / closing mechanism (shown in the figure) is provided above the outer tank 60 so that the lifting mechanism 40 can transfer the substrate W to and from the substrate transport robot TR above the outer tank 6. (Omitted).
【００３１】ＩＰＡ蒸気・Ｎ２供給ノズル５０は、外槽
６０内の２つの側壁６０ａの外側にそれぞれ設けられて
おり、外槽６０内にＩＰＡの蒸気を含む雰囲気を形成す
るノズルである。ＩＰＡ蒸気・Ｎ２供給ノズル５０のそ
れぞれは、Ｘ方向に沿って伸びる中空の管状部材であ
り、Ｘ方向に等間隔にて配列された複数のＩＰＡ蒸気・
Ｎ２吐出孔５０ａを備えている。また、ＩＰＡ蒸気・Ｎ
２供給ノズル５０のそれぞれには、外槽６０の外部に設
けられたＩＰＡ供給源５５から配管５６を経由してＩＰ
Ａ蒸気が供給される。そして、供給されたＩＰＡ蒸気
は、複数のＩＰＡ蒸気・Ｎ２吐出孔５０ａから上方（＋
Ｚ方向）へ向けて外槽６０内に供給されるのである。図
５に示すように、外槽６０内において、側壁６０ａの上
方は開放されており、ＩＰＡ蒸気・Ｎ２供給ノズル５０
のそれぞれから供給されたＩＰＡ蒸気は側壁６０ａの上
方を通過して、処理槽１０の上方に至り、やがて処理槽
１０の上方にＩＰＡの雰囲気を形成する。The IPA vapor / N 2 supply nozzle 50 is provided outside each of the two side walls 60 a in the outer tub 60, and is a nozzle for forming an atmosphere containing IPA vapor in the outer tub 60. Each of the IPA vapor / N2 supply nozzles 50 is a hollow tubular member extending along the X direction, and a plurality of IPA vapor / N2 supply nozzles 50 arranged at equal intervals in the X direction.
An N2 discharge hole 50a is provided. Also, IPA vapor / N
Each of the two supply nozzles 50 receives an IP through a pipe 56 from an IPA supply source 55 provided outside the outer tank 60.
A vapor is supplied. Then, the supplied IPA vapor flows upward (+) from the plurality of IPA vapor / N2 discharge holes 50a.
(Z direction) is supplied into the outer tank 60. As shown in FIG. 5, in the outer tank 60, the upper side of the side wall 60a is opened, and the IPA vapor / N2 supply nozzle 50 is opened.
The IPA vapor supplied from each of them passes over the side wall 60a, reaches the upper part of the processing tank 10, and eventually forms an IPA atmosphere above the processing tank 10.
【００３２】また、ＩＰＡ蒸気・Ｎ２供給ノズル５０
は、窒素供給源５９とも接続されており、窒素ガスのみ
を外槽６０内に供給することおよびＩＰＡと窒素との混
合ガスを外槽６０内に供給することができる。従って、
ＩＰＡ蒸気・Ｎ２供給ノズル５０により、外槽６０内に
は、ＩＰＡ雰囲気、窒素雰囲気、またはＩＰＡ・窒素混
合雰囲気を選択的に形成することができる。なお、ＩＰ
Ａの蒸気を含む雰囲気とは、ＩＰＡ雰囲気およびＩＰＡ
・窒素混合雰囲気の双方を含むものである。なお、吐出
ノズル２０から供給された処理液は処理槽１０の上部か
ら順次溢れ出、処理槽１０から流れ出た処理液は、回収
された後、装置外部に排出されたり、浄化されて循環使
用される。The IPA vapor / N2 supply nozzle 50
Is also connected to the nitrogen supply source 59, and can supply only nitrogen gas into the outer tank 60 and supply a mixed gas of IPA and nitrogen into the outer tank 60. Therefore,
By the IPA vapor / N2 supply nozzle 50, an IPA atmosphere, a nitrogen atmosphere, or an IPA / nitrogen mixed atmosphere can be selectively formed in the outer tank 60. In addition, IP
The atmosphere containing the vapor of A is an IPA atmosphere and an IPA atmosphere.
-Includes both nitrogen mixed atmospheres. The processing liquid supplied from the discharge nozzle 20 sequentially overflows from the upper part of the processing tank 10, and the processing liquid flowing out of the processing tank 10 is collected and then discharged to the outside of the apparatus, or purified and circulated for use. You.
【００３３】次に、基板処理装置１００における処理手
順について説明するが、本実施形態においては説明を簡
単にするため、ローダー部ＬＤから払い出された基板Ｗ
は、薬液槽処理部ＣＢ１、処理槽１０、水洗槽処理部Ｆ
Ｒ、多機能処理部ＬＰＤの順に基板搬送ロボットＴＲに
よって搬送されるものとする。すなわち、薬液槽処理部
ＣＢ１の処理槽１０はフッ酸を貯留し、薬液槽処理部Ｃ
Ｂ１にてフッ酸によるエッチング処理が施された基板Ｗ
は、純水を貯留する水洗槽処理部ＷＢ１に搬送され、水
洗処理に供される。そして、水洗槽処理部ＷＢ１での水
洗処理が終了した基板Ｗは、水洗槽処理部ＦＲに搬送さ
れ、最終の仕上げ水洗処理が行われた後、多機能処理部
ＬＰＤにて水洗および乾燥されるのである。以下、各処
理部における処理の態様についてさらに説明を続ける。Next, a processing procedure in the substrate processing apparatus 100 will be described. In the present embodiment, for simplicity of description, the substrate W paid out from the loader section LD will be described.
Are the chemical tank processing section CB1, the processing tank 10, the washing tank processing section F
It is assumed that the substrate is transferred by the substrate transfer robot TR in the order of R and the multifunctional processing unit LPD. That is, the processing tank 10 of the chemical tank processing section CB1 stores hydrofluoric acid, and the chemical tank processing section C
Substrate W etched with hydrofluoric acid in B1
Is transported to a washing tank processing section WB1 for storing pure water, and subjected to a washing process. Then, the substrate W that has been subjected to the rinsing processing in the rinsing tank processing unit WB1 is transported to the rinsing tank processing unit FR, and after being subjected to final finish rinsing processing, is rinsed and dried in the multifunctional processing unit LPD. It is. Hereinafter, the mode of processing in each processing unit will be further described.
【００３４】薬液槽処理部ＣＢ１に付随して設けられた
昇降機構４０は、基板搬送ロボットＴＲから複数の基板
Ｗを受け取り、所定間隔にて保持した基板Ｗを薬液槽処
理部ＣＢ１の処理槽１０の中に降下する。薬液槽処理部
ＣＢ１の処理槽１０にはフッ酸が貯留されており、基板
Ｗはそのフッ酸中に浸漬される。薬液槽処理部ＣＢ１の
処理槽１０に貯留されたフッ酸に浸漬された基板Ｗに対
しては、エッチング処理が進行される。このときに、基
板Ｗの表面に付着していた不純物はフッ酸によって溶か
し出され、そのままの形態にてまたは何らかの化学反応
によって汚染物質となる。その汚染物質は、吐出ノズル
２０からの液流によってフッ酸の液面（気液界面）へ浮
遊するように流される。The elevating mechanism 40 provided in association with the chemical tank processing section CB1 receives a plurality of substrates W from the substrate transport robot TR and holds the substrates W held at predetermined intervals in the processing tank 10 of the chemical tank processing section CB1. Descends into. Hydrofluoric acid is stored in the processing tank 10 of the chemical liquid tank processing section CB1, and the substrate W is immersed in the hydrofluoric acid. The etching process is performed on the substrate W immersed in the hydrofluoric acid stored in the processing tank 10 of the chemical liquid tank processing unit CB1. At this time, impurities adhering to the surface of the substrate W are dissolved out by hydrofluoric acid and become contaminants as they are or by some chemical reaction. The contaminant is caused to flow to the liquid surface of hydrofluoric acid (gas-liquid interface) by the liquid flow from the discharge nozzle 20.
【００３５】やがて、所定時間が経過し、エッチング処
理が終了すると、昇降機構４０が複数の基板Ｗをフッ酸
から引き揚げる。既述したように、液流によってフッ酸
の表面に流された汚染物質は気液界面を浮遊する傾向が
ある。基板Ｗを引き揚げる際には、基板Ｗが気液界面を
通過せざるを得ないのであるが、本発明に係る基板処理
装置では、オーバーフローさせながら引き上げるにつ
き、前述したように昇降機構４０を構成しているので基
板Ｗへの汚染物質の付着が抑制される。このことを図７
を用いて説明する。After a predetermined time has elapsed and the etching process has been completed, the lifting mechanism 40 lifts the plurality of substrates W out of hydrofluoric acid. As described above, the contaminants that have flowed to the surface of hydrofluoric acid by the liquid flow tend to float at the gas-liquid interface. When lifting the substrate W, the substrate W must pass through the gas-liquid interface. However, in the substrate processing apparatus according to the present invention, the lifting mechanism 40 is configured as described above for lifting while overflowing. Therefore, adhesion of contaminants to the substrate W is suppressed. This is shown in FIG.
This will be described with reference to FIG.
【００３６】図７は処理槽１０から処理液が流れ出る様
子を示す側面図である。基板Ｗを浸漬している間は、吐
出ノズル２０から連続して処理液が吐出され続けている
ため、それに伴って処理槽１０の上部からは処理液が溢
れ出し続ける。そして、基板Ｗが引き揚げられる段階に
おいても、薬液槽処理部ＣＢ１の上部からはフッ酸が溢
れて流れ出し続けている。かかる処理槽１０の上部から
溢れでる流れは、基板Ｗと基板Ｗの間を通過した処理液
の上昇流が、液面に達すると水平な向きへ方向転換し、
処理槽１０の縁へ向かい、処理槽１０の縁からからオー
バーフローする。FIG. 7 is a side view showing how the processing liquid flows out of the processing tank 10. While the substrate W is immersed, the processing liquid is continuously discharged from the discharge nozzle 20, and accordingly, the processing liquid continues to overflow from the upper portion of the processing tank 10. Then, even at the stage where the substrate W is lifted, hydrofluoric acid overflows from the upper part of the chemical solution processing section CB1 and continues to flow. The flow overflowing from the upper part of the processing tank 10 is changed in the horizontal direction when the upward flow of the processing liquid passing between the substrates W reaches the liquid level,
It flows toward the edge of the processing tank 10 and overflows from the edge of the processing tank 10.
【００３７】基板Ｗを処理液から引き上げるにともな
い、基板に付着していた汚染物質や、側方保持部材４
３、４５の基板保持溝に存在する汚染物質は、液面を通
過する際に、液面に沿って処理槽１０の縁へ向かう処理
液の流れによって、基板Ｗや側方保持部材４３、４５か
ら離れて、処理槽１０に外で流れ去る。As the substrate W is pulled up from the processing liquid, the contaminants adhering to the substrate and the side holding members 4 are removed.
The contaminants present in the substrate holding grooves 3 and 45 pass through the liquid surface, and the flow of the processing liquid toward the edge of the processing bath 10 along the liquid surface causes the substrate W and the side holding members 43 and 45 to flow. Away from the processing tank 10.
【００３８】さらに引き上げが進行して側方保持部材４
３、４５の下端が液面から液面より上に出ると、中央保
持部材４４の上端と側方保持部材４３、４５の下端と
は、上下に間隔Ｈを空けるように配置しているから、処
理槽１０の内部を上昇して来て、液面に達してた時点で
処理槽１０の縁へ向かって液面に沿って流れるべく液面
で方向転換する処理液の流れとの関わりで、次ぎによう
な作用が生ずる。The lifting is further progressed, and the side holding members 4
When the lower ends of 3, 45 rise above the liquid level from the liquid level, the upper end of the central holding member 44 and the lower ends of the side holding members 43, 45 are arranged so as to have a space H up and down. In connection with the flow of the processing liquid which rises inside the processing tank 10 and turns at the liquid surface so as to flow along the liquid surface toward the edge of the processing tank 10 when reaching the liquid level, The following effects occur.
【００３９】中央保持部材４４と基板Ｗとの間に存在す
る汚染物質、前述したように中央保持部材４４の上面に
形成されている基板保持溝内は、浸漬処理中に処理槽１
０内部での処理液の流れが入り込み難く、とかく汚染物
質がひときは多く存在している。そのような中央保持部
材４４の上面が液面を通過する際には、前記したように
中央保持部材４４の上端と側方保持部材４３、４５の下
端とは上下に間隔Ｈを空けた配置であるので、前記した
ように液面近くで方向転換しようとする処理液の流れに
よって、それら汚染物質は中央保持部材４４や基板Ｗか
ら流れ去るようにして離れ、液面に沿って処理槽１０の
縁へ向かって移動するにつけ、側方保持部材４３、４５
の下端が液面より上方に位置し、上記した処理液の流れ
は側方保持部材４３、４５の下端の下方を通過でき、液
面の沿っての処理液の流れが妨げられることはなく、浮
遊する汚染物質を効率よく処理槽１０の外へ排出するこ
とができる。The contaminants existing between the center holding member 44 and the substrate W, and the inside of the substrate holding groove formed on the upper surface of the center holding member 44 as described above,
It is difficult for the flow of the processing liquid inside to enter, and particularly, there are many contaminants. When the upper surface of the central holding member 44 passes through the liquid surface, the upper end of the central holding member 44 and the lower ends of the side holding members 43 and 45 are arranged with an interval H vertically as described above. Therefore, as described above, due to the flow of the processing liquid which is about to change its direction near the liquid surface, the contaminants are separated so as to flow away from the central holding member 44 and the substrate W, and the contaminants are removed along the liquid surface. When moving toward the edge, the side holding members 43, 45
Is positioned above the liquid level, the flow of the processing liquid described above can pass below the lower ends of the side holding members 43 and 45, and the flow of the processing liquid along the liquid level is not obstructed. Floating contaminants can be efficiently discharged out of the processing tank 10.
【００４０】これにより、昇降機構４０が基板Ｗを引き
揚げるときに、基板Ｗの下端部位に汚染物質が付着する
ことが解消できる。Thus, when the lifting mechanism 40 lifts the substrate W, it is possible to prevent the contaminant from adhering to the lower end portion of the substrate W.
【００４１】次に、昇降機構４０が複数の基板Ｗを薬液
槽処理部ＣＢ１の処理槽１０から完全に引き揚げると、
基板搬送ロボットＴＲが基板Ｗを受け取って水洗槽処理
部ＷＢ１に搬送し、水洗槽処理部ＷＢ１に付随して設け
られた昇降機構４０に複数の基板Ｗを渡す。昇降機構４
０は、基板Ｗを水洗槽処理部ＷＢ１の処理槽１０の中に
降下させ、純水中に浸漬させる。純水に浸漬された基板
Ｗに対しては、水洗処理が進行される。Next, when the elevating mechanism 40 completely lifts the plurality of substrates W from the processing tank 10 of the chemical liquid tank processing section CB1,
The substrate transport robot TR receives the substrate W, transports the substrate W to the washing tank processing unit WB1, and transfers the plurality of substrates W to the elevating mechanism 40 provided in association with the washing tank processing unit WB1. Lifting mechanism 4
In the case of 0, the substrate W is lowered into the processing tank 10 of the washing tank processing section WB1, and is immersed in pure water. With respect to the substrate W immersed in pure water, a washing process is performed.
【００４２】ここで、水洗処理の処理効率が最も高いの
は気液界面近傍である。従って、昇降機構４０が基板Ｗ
を降下させている段階において、基板Ｗの主面上を相対
移動中の気液界面近傍が最も効率よく洗浄されるのであ
る。このときに、基板Ｗの表面に付着しているフッ酸と
ともに、薬液槽処理部ＣＢ１の処理槽１０から引き揚げ
るときに若干付着した汚染物質も洗い出される。当該汚
染物質は、そのままの形態にてまたは何らかの化学反応
によって新たな汚染物質となる。Here, the treatment efficiency of the water washing treatment is highest near the gas-liquid interface. Therefore, the elevating mechanism 40 moves the substrate W
In the stage where is lowered, the vicinity of the gas-liquid interface that is relatively moving on the main surface of the substrate W is most efficiently cleaned. At this time, the contaminants slightly adhered when being lifted from the processing tank 10 of the chemical liquid tank processing unit CB1 are washed out together with the hydrofluoric acid adhering to the surface of the substrate W. The contaminants become new contaminants in their native form or by some chemical reaction.
【００４３】薬液槽処理部ＣＢ１におけるエッチング処
理と同様に、水洗処理の間も、吐出ノズル２０から連続
して純水が吐出され続けているため、それに伴って水洗
槽処理部ＷＢ１の上部からは純水が溢れ出し続ける。Similarly to the etching process in the chemical tank processing section CB1, since the pure water is continuously discharged from the discharge nozzle 20 during the water cleaning processing, the pure water is continuously discharged from the upper part of the water cleaning tank processing section WB1. Pure water continues to overflow.
【００４４】次に、昇降機構４０が複数の基板Ｗを水洗
槽処理部ＷＢ１の処理槽１０から完全に引き揚げると、
基板搬送ロボットＴＲが基板Ｗを受け取って水洗槽処理
部ＦＲに搬送し、水洗槽処理部ＦＲに付随して設けられ
た昇降機構４０に複数の基板Ｗを渡す。水洗槽処理部Ｆ
Ｒにおいても、水洗槽処理部ＷＢ１における処理と同じ
処理が行われる。Next, when the elevating mechanism 40 completely lifts the plurality of substrates W from the processing tank 10 of the washing tank processing section WB1,
The substrate transport robot TR receives the substrate W, transports the substrate W to the washing tank processing unit FR, and passes the plurality of substrates W to the elevating mechanism 40 provided in association with the washing tank processing unit FR. Rinse tank processing section F
In R, the same processing as the processing in the washing tank processing unit WB1 is performed.
【００４５】その後、基板Ｗは、多機能処理部ＬＰＤに
搬送され、多機能処理部ＬＰＤの昇降機構４０が基板搬
送ロボットＴＲから複数の基板Ｗを受け取る。そして、
外槽６０が密閉されるとともに、昇降機構４０がＸ方向
に平行配列させて保持したそれら基板Ｗを降下させて処
理槽１０に貯留された純水中に浸漬させる。この段階に
おいては、吐出ノズル２０から処理槽１０に純水が供給
され続けており、処理槽１０の上端すなわち縁からは純
水が溢れ出し続けている。処理槽１０から溢れ出した純
水は外槽６０に落下して回収され、装置外の廃液ライン
に排出される。また、ＩＰＡ蒸気・Ｎ２供給ノズル５０
からは窒素ガスが供給され、外槽６０内は窒素雰囲気と
されている。Thereafter, the substrate W is transferred to the multi-function processing unit LPD, and the elevating mechanism 40 of the multi-function processing unit LPD receives a plurality of substrates W from the substrate transfer robot TR. And
The outer tub 60 is sealed, and the elevating mechanism 40 lowers and holds the substrates W arranged in parallel in the X direction and immerses the substrates W in the pure water stored in the processing tub 10. At this stage, the pure water is continuously supplied from the discharge nozzle 20 to the processing tank 10, and the pure water continues to overflow from the upper end, that is, the edge of the processing tank 10. Pure water overflowing from the processing tank 10 falls into the outer tank 60, is collected, and is discharged to a waste liquid line outside the apparatus. The IPA vapor / N2 supply nozzle 50
, A nitrogen gas is supplied, and the inside of the outer tank 60 is set to a nitrogen atmosphere.
【００４６】次に、処理槽１５に貯留された純水に複数
の基板Ｗを浸漬した状態を維持しつつ、吐出ノズル２０
から処理槽１０に薬液または純水を順次供給することに
よりエッチングや洗浄処理を予め定められた順序に従っ
て進行させる。この段階においては、処理槽１０の上端
から薬液または純水が溢れ出し続けており、溢れ出した
処理液は外槽６０に落下して回収される。なお、ＩＰＡ
蒸気・Ｎ２供給ノズル５０からは窒素ガスが供給され、
外槽６０内は窒素雰囲気とされていることは上記と同様
である。Next, while maintaining the state in which the plurality of substrates W are immersed in the pure water stored in the processing tank 15, the discharge nozzle 20
By sequentially supplying a chemical solution or pure water to the processing tank 10, the etching and cleaning processes are performed in a predetermined order. At this stage, the chemical solution or pure water continues to overflow from the upper end of the processing tank 10, and the overflowing processing liquid falls into the outer tank 60 and is collected. In addition, IPA
Nitrogen gas is supplied from the steam / N2 supply nozzle 50,
As in the above, the inside of the outer tank 60 is set to a nitrogen atmosphere.
【００４７】基板Ｗに対する表面処理が進行すると、や
がて最終の洗浄処理に至る。本実施形態では、かかる洗
浄処理も通常の洗浄処理と同じく、吐出ノズル２０から
の処理液供給を純水に切り替え、処理槽１５内を純水に
置換することによって行われる。そして、処理槽１０内
における浸漬処理を終了して昇降機構４０が基板Ｗを純
水から引き上げる前に、ＩＰＡ蒸気・Ｎ２供給ノズル５
０からＩＰＡ蒸気が所定時間供給され、外槽６０内に
て、処理槽１０の上方にＩＰＡの蒸気を含む雰囲気が形
成される。なお、ＩＰＡ蒸気・Ｎ２供給ノズル５０から
はＩＰＡと窒素との混合ガスを供給するようにしてもよ
い。As the surface treatment of the substrate W progresses, a final cleaning process is reached. In the present embodiment, the cleaning process is performed by switching the supply of the processing liquid from the discharge nozzle 20 to pure water and replacing the inside of the processing tank 15 with pure water, similarly to the normal cleaning process. Then, before the dipping process in the processing tank 10 is completed and before the elevating mechanism 40 lifts the substrate W from the pure water, the IPA vapor / N2 supply nozzle 5
From 0, IPA vapor is supplied for a predetermined time, and an atmosphere containing IPA vapor is formed above the processing tank 10 in the outer tank 60. Note that a mixed gas of IPA and nitrogen may be supplied from the IPA vapor / N2 supply nozzle 50.
【００４８】処理槽１５の上方にＩＰＡの蒸気を含む雰
囲気が形成された後、昇降機構４０が複数の基板Ｗを処
理槽１５内の純水から引き揚げ、ＩＰＡの蒸気を含む雰
囲気まで移動させる。そして、基板Ｗの表面はＩＰＡの
蒸気を含む雰囲気中に曝されることとなり、基板Ｗの表
面にはＩＰＡ蒸気が凝縮し、当該表面に付着していた水
滴と置換する。After the atmosphere containing the IPA vapor is formed above the processing tank 15, the lifting mechanism 40 lifts the plurality of substrates W from the pure water in the processing tank 15 and moves the substrates W to the atmosphere containing the IPA vapor. Then, the surface of the substrate W is exposed to the atmosphere containing the IPA vapor, and the IPA vapor condenses on the surface of the substrate W and replaces the water droplets attached to the surface.
【００４９】かかる多機能処理部ＬＰＤにおける処理槽
１０の処理液から基板Ｗを引き上げる際も、吐出ノズル
２０から連続して処理液が吐出され続けており、基板に
付着していた汚染物質や、側方保持部材４３、４５の基
板保持溝に存在する汚染物質は、液面を通過する際に、
液面に沿って処理槽１０の縁へ向かう処理液の流れによ
って、基板から離れて、処理槽１０に外へ流れ去る。When the substrate W is pulled up from the processing liquid in the processing tank 10 in the multifunctional processing unit LPD, the processing liquid is continuously discharged from the discharge nozzle 20, and contaminants adhering to the substrate, The contaminants existing in the substrate holding grooves of the side holding members 43 and 45, when passing through the liquid surface,
By the flow of the processing liquid toward the edge of the processing tank 10 along the liquid surface, the processing liquid is separated from the substrate and flows out of the processing tank 10.
【００５０】さらに引き上げが進行して側方保持部材４
３、４５の下端が液面から出ると、中央保持部材４４の
上端と側方保持部材４３、４５の下端とは、上下に間隔
Ｈを空けるように配置しているから、前記したように液
面近くで方向転換しようとする処理液の流れによって、
それら汚染物質は中央保持部材４４や基板Ｗから流れ去
るようにして離れ、液面に沿って処理槽１０の縁へ向か
って移動し、かかる移動に際して、側方保持部材４３、
４５の下端は液面より上方にあり、液面の沿っての処理
液の流れに支障とはならず、浮遊する汚染物質を効率よ
く処理槽１０の外へ排出することができるのである。The lifting is further advanced, and the side holding members 4
When the lower ends of 3, 45 come out of the liquid surface, the upper end of the central holding member 44 and the lower end of the side holding members 43, 45 are arranged so as to be spaced apart from each other by an interval H in the vertical direction. Due to the flow of the processing solution that is changing direction near the surface,
These contaminants move away from the central holding member 44 and the substrate W, and move along the liquid surface toward the edge of the processing tank 10.
The lower end of 45 is above the liquid level, does not hinder the flow of the processing liquid along the liquid level, and allows the floating contaminants to be efficiently discharged out of the processing tank 10.
【００５１】これにより、昇降機構４０が基板Ｗを引き
揚げるときに、基板Ｗの下端部位に汚染物質が付着する
ことが解消できる。Accordingly, when the lifting mechanism 40 lifts the substrate W, it is possible to prevent the contaminant from adhering to the lower end portion of the substrate W.
【００５２】とりわけ、多機能処理部ＬＰＤでは、処理
液から基板Ｗを引き上げるに際して、外槽６０内にて、
処理槽１０の上方にＩＰＡの蒸気を含む雰囲気が形成さ
れているので、ＩＰＡ蒸気が処理液に溶け込み、基板Ｗ
の表面に汚染物質が生成する可能性があるが、そのよう
な汚染物質か生成したところで、上記したように引き上
げられる基板Ｗに付着することなく、基板を処理液から
引き上げるこことができるので、清浄に乾燥することが
できる。In particular, in the multi-function processing section LPD, when the substrate W is pulled up from the processing liquid,
Since an atmosphere containing IPA vapor is formed above the processing tank 10, the IPA vapor dissolves in the processing liquid and the substrate W
There is a possibility that a contaminant is generated on the surface of the substrate, but when such a contaminant is generated, the substrate can be pulled up from the processing liquid without adhering to the substrate W pulled up as described above. It can be dried cleanly.
【００５３】その後、基板Ｗが図５における２点鎖線の
位置にまで到達した時点で、基板Ｗの引き揚げがは一
旦、停止する。この時点においては、ＩＰＡ蒸気・Ｎ２
供給ノズル５０から窒素ガスを所定時間供給して外槽６
０内の雰囲気を窒素雰囲気とする。また、吐出ノズル２
０からの純水供給が停止されるとともに、処理槽１０内
に貯留されていた純水は、図示を省略する急速排出機構
によって急速排水される。その後、図示しない減圧排気
機構により外槽６０内を減圧雰囲気とすることにより、
基板Ｗの表面に凝縮していたＩＰＡが完全に乾燥する。
減圧乾燥処理後の基板Ｗは基板搬送ロボットＴＲに渡さ
れて一連の処理が終了する。Thereafter, when the substrate W reaches the position indicated by the two-dot chain line in FIG. 5, the lifting of the substrate W is temporarily stopped. At this time, IPA vapor N2
The outer nozzle 6 supplies nitrogen gas from the supply nozzle 50 for a predetermined time.
The atmosphere in 0 is a nitrogen atmosphere. Also, the discharge nozzle 2
The supply of pure water from 0 is stopped, and the pure water stored in the processing tank 10 is rapidly drained by a rapid discharge mechanism (not shown). Thereafter, the inside of the outer tank 60 is set to a reduced pressure atmosphere by a reduced pressure exhaust mechanism (not shown),
The IPA condensed on the surface of the substrate W is completely dried.
The substrate W after the reduced-pressure drying process is transferred to the substrate transport robot TR, and a series of processes ends.
【００５４】以上、本発明の実施の形態について説明し
たが、この発明は上記の例に限定されるものではない。
例えば、上記実施の形態では、有機溶剤の蒸気としてＩ
ＰＡ蒸気を使用したが、これに限らず、有機溶剤の蒸気
として、エタノールやメタノール等その他の有機溶剤を
用いてもよい。Although the embodiment of the present invention has been described above, the present invention is not limited to the above-described example.
For example, in the above embodiment, the vapor of the organic solvent is I
Although the PA vapor was used, the present invention is not limited to this, and other organic solvents such as ethanol and methanol may be used as the vapor of the organic solvent.
【００５５】また、上記実施の形態では、中央保持部材
４４と側方保持部材４３、４５はいづれも複数の基板を
保持するように、基板保持溝を複数形成しているが、基
板を１枚だけ保持するようにしてもよい。In the above embodiment, the center holding member 44 and the side holding members 43 and 45 each have a plurality of substrate holding grooves so as to hold a plurality of substrates. May be held.
【００５６】[0056]
【発明の効果】請求項１の発明によれば、中央保持部材
が液面に達する直前に、処理槽の縁から溢流すべく処理
槽の縁へ向かう処理槽の液面に沿う処理液の流れによっ
て、中央保持部材や、中央保持部材に接する基板に存在
する汚染物質は、流れ去るようにして央保持部材や基板
から離れ、液面に沿って処理槽の縁へ向かって移動する
につけ、前記中央保持部材の基板と接する部位と側方保
持部材の下端とが、上下に間隔を空けるように配置する
ため、側方保持部材の下端が液面から出た時点で、側方
保持部材の下方を通過して滞りなく処理槽の縁へ向かっ
て液面に沿って流れ去ることでできる。このため、中央
保持部材や、中央保持部材に接する基板から洗い流され
て来たて浮遊する汚染物質や、処理槽内の処理液から浮
遊して来た汚染物質を、中央保持部材が液面に達する直
前においても、効率よく処理槽１０の外へ排出すること
ができる。このため、処理液中に浮遊する汚染物質が基
板に付着することを少なくして基板を処理液から引き上
げることができる。According to the first aspect of the present invention, just before the center holding member reaches the liquid level, the flow of the processing liquid along the liquid level of the processing tank toward the edge of the processing tank to overflow from the edge of the processing tank. By this, the contaminants present on the center holding member and the substrate in contact with the center holding member are separated from the center holding member and the substrate in such a way as to flow away, and move toward the edge of the processing tank along the liquid surface, Since the portion of the center holding member that contacts the substrate and the lower end of the side holding member are arranged so as to be spaced apart from each other vertically, when the lower end of the side holding member comes out of the liquid level, the lower side of the side holding member And flows down along the liquid surface toward the edge of the processing tank without any interruption. For this reason, the contaminant that has been washed away from the center holding member and the substrate in contact with the center holding member and floats from the processing solution in the processing tank, and the contaminant that has floated from the processing solution in the processing tank, is brought to the liquid level by the center holding member. Immediately before reaching, it can be efficiently discharged out of the processing tank 10. For this reason, the substrate can be pulled out of the processing liquid while contaminants floating in the processing liquid are less attached to the substrate.
【００５７】また、請求項２の発明によれば、請求項１
の発明における処理槽を収容する外槽と、外槽内に前記
有機溶剤の蒸気を含む雰囲気を形成する有機溶剤雰囲気
形成手段とを備えることいより、処理液中に浮遊する汚
染物質が基板に付着することを少なくして基板を処理液
から引き上げられた基板を、基板表面に付着する液をＩ
ＰＡ蒸気と置換して、乾燥することができ、汚染物質が
付着せず清浄に乾燥させることができる。According to the invention of claim 2, according to claim 1,
By providing an outer tank containing the processing tank according to the invention and an organic solvent atmosphere forming means for forming an atmosphere containing the vapor of the organic solvent in the outer tank, contaminants floating in the processing liquid are present on the substrate. The substrate that has been pulled up from the processing liquid with less adhesion is treated with a liquid that adheres to the substrate surface by I.
It can be dried by replacing PA vapor, and can be dried cleanly without contaminants.
【図１】本発明に係る基板処理装置の正面図である。FIG. 1 is a front view of a substrate processing apparatus according to the present invention.
【図２】図１の基板処理装置の水洗槽の要部構成を示す
正面図である。FIG. 2 is a front view showing a main configuration of a washing tank of the substrate processing apparatus of FIG. 1;
【図３】図１の基板処理装置の水洗槽の要部構成を示す
側面図である。FIG. 3 is a side view showing a main configuration of a washing tank of the substrate processing apparatus of FIG. 1;
【図４】図１の基板処理装置の昇降機構の要部を示す斜
視図である。FIG. 4 is a perspective view showing a main part of an elevating mechanism of the substrate processing apparatus of FIG.
【図５】図１の基板処理装置における多機能処理処理部
の要部構成を示す正面図である。FIG. 5 is a front view illustrating a main configuration of a multi-function processing unit in the substrate processing apparatus of FIG. 1;
【図６】図１の基板処理装置における多機能処理処理部
の要部構成を示す平面である。FIG. 6 is a plan view illustrating a main configuration of a multi-function processing unit in the substrate processing apparatus of FIG. 1;
【図７】図１の基板処理装置における昇降機構によって
基板を引き上げる際の処理液の流れる様子を説明する図
である。FIG. 7 is a diagram illustrating a state in which a processing liquid flows when a substrate is lifted by an elevating mechanism in the substrate processing apparatus of FIG. 1;
【図８】従来の基板処理装置における昇降機構によって
基板を引き上げる際の処理液の流れる様子を説明する図
である。FIG. 8 is a diagram illustrating a state in which a processing liquid flows when a substrate is lifted by an elevating mechanism in a conventional substrate processing apparatus.
１ ハンド １０ 処理槽 ２０ 吐出ノズル ４０ 昇降機構 ４１ 昇降駆動源 ４２ リフターアーム ４３、４５ 側方保持部材 ４４ 中央保持部材 ５０ ＩＰＡ蒸気・Ｎ２供給ノズル ６０ 外槽 ９０ 従来の昇降機構 ９１、９３ 側方保持部材 ９２ 中央保持部材 ９４ リフターアーム ９５ 処理槽 １００ 基板処理装置 Ｗ 基板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Hand 10 Processing tank 20 Discharge nozzle 40 Elevating mechanism 41 Elevating drive source 42 Lifter arm 43, 45 Side holding member 44 Central holding member 50 IPA vapor / N2 supply nozzle 60 Outer tank 90 Conventional elevating mechanism 91, 93 Side holding Member 92 Central holding member 94 Lifter arm 95 Processing tank 100 Substrate processing device W Substrate
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000051025AJP2001232311A (en) | 2000-02-28 | 2000-02-28 | Substrate treating device |
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000051025AJP2001232311A (en) | 2000-02-28 | 2000-02-28 | Substrate treating device |
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001232311Atrue JP2001232311A (en) | 2001-08-28 |
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000051025AAbandonedJP2001232311A (en) | 2000-02-28 | 2000-02-28 | Substrate treating device |
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001232311A (en) |
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100746645B1 (en) | 2006-02-06 | 2007-08-06 | 삼성전자주식회사 | A support member, a substrate cleaning device comprising the same, and a substrate cleaning method. |
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100746645B1 (en) | 2006-02-06 | 2007-08-06 | 삼성전자주식회사 | A support member, a substrate cleaning device comprising the same, and a substrate cleaning method. |
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval | Free format text:JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date:20050201 | |
| A131 | Notification of reasons for refusal | Free format text:JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date:20050315 | |
| A762 | Written abandonment of application | Free format text:JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762 Effective date:20050526 |