JP2000323487A - 枚葉式熱処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】【課題】 被処理体の応力集中を抑制すると共に、被処
理体を面内均一に熱処理することを可能とする。【解決手段】 一枚の被処理体ｗを昇降軸１１上端の支
持体３により支持した状態で処理室１内に搬入し、処理
室１外の加熱手段２により加熱して所定の処理ガス雰囲
気下で熱処理する枚葉式熱処理装置において、前記支持
体３は被処理体ｗの周縁部全体を面支持する環状の支持
部１３を有すると共に、被処理体ｗの移載を行なうため
に被処理体ｗを支持位置から突き上げる突上げ部材１４
を有している。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、枚葉式熱処理装置
に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の製造プロセスにおいては、
被処理体例えば半導体ウエハに酸化、拡散、ＣＶＤ、ア
ニールなどの処理を行なうために、各種の熱処理装置が
使用されている。この熱処理装置としては、半導体ウエ
ハを一枚ずつ熱処理することにより、半導体ウエハの大
口径化および半導体素子の微細化に適する急速な昇降温
を要する熱処理を可能とした枚葉式熱処理装置が知られ
ている。

【０００３】この枚葉式熱処理装置としては、一枚の半
導体ウエハを昇降軸上端の支持体により支持した状態で
処理室内に搬入し、処理室外の加熱手段により加熱して
所定の処理ガス雰囲気下で熱処理するようにした、いわ
ゆるホットウォール型のものがある。前記支持体は、半
導体ウエハの下面を複数の点支持例えば三点支持で支持
するように形成されており、プラットフォーム側の搬送
アームにより処理前の半導体ウエハを支持体上に移載
し、処理後の半導体ウエハを支持体上から搬出するよう
に構成されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記枚
葉式熱処理装置においては、半導体ウエハを三点支持し
た状態で熱処理するようになっているため、応力が支持
点に集中し、結晶欠陥の原因になり易いという問題があ
った。また、半導体ウエハの周縁部（エッジ部分）から
の入熱が多く、半導体ウエハの昇温時に半導体ウエハの
中央部が周縁部よりも遅れて昇温し、昇温過程でウエハ
の面内に温度分布のムラすなわち面内温度差が生じる傾
向があった。

【０００５】本発明は、前記事情を考慮してなされたも
ので、被処理体の応力集中を抑制することができると共
に、被処理体を面内均一に熱処理することができる枚葉
式熱処理装置を提供することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明のうち、請求項１
に係る発明は、一枚の被処理体を昇降軸上端の支持体に
より支持した状態で処理室内に搬入し、処理室外の加熱
手段により加熱して所定の処理ガス雰囲気下で熱処理す
る枚葉式熱処理装置において、前記支持体は被処理体の
周縁部全体を面支持する環状の支持部を有すると共に、
被処理体の移載を行なうために被処理体を支持位置から
突き上げる突上げ部材を有していることを特徴とする。

【０００７】請求項２に係る発明は、請求項１記載の枚
葉式熱処理装置において、前記昇降軸が内外二重軸構造
とされ、その外軸の上端部に前記支持体が設けられ、内
軸の上端部に前記突上げ部材が設けられていることを特
徴とする。

【０００８】請求項３に係る発明は、請求項２記載の枚
葉式熱処理装置において、前記内軸が被処理体もしくは
支持体から放射される熱線を前記突上げ部材から内軸を
介して外部に取り出し、被処理体もしくは支持体の温度
を検出し得るように構成されていることを特徴とする。

【０００９】請求項４に係る発明は、請求項１または３
記載の枚葉式熱処理装置において、前記支持体には支持
体の温度を一定にするためのヒータが設けられているこ
とを特徴とする。

【００１０】請求項５に係る発明は、請求項１記載の枚
葉式熱処理装置において、前記加熱手段が加熱ランプか
らなり、該加熱ランプが熱処理領域の被処理体の中心部
を中心とする球面状に配設されていることを特徴とす
る。

【００１１】請求項６に係る発明は、請求項１記載の枚
葉式熱処理装置において、前記処理室の外側には処理室
内の熱処理領域以外の領域を加熱するための補助ヒータ
が設けられていることを特徴とする。

【００１２】請求項７に係る発明は、請求項５記載の枚
葉式熱処理装置において、前記加熱ランプが個々に向き
を可変調整可能に構成されていることを特徴とする。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態を添
付図面に基いて詳述する。

【００１４】枚葉式熱処理装置の縦断面構造を示す図１
において、１は被処理体（被処理基板）例えば半導体ウ
エハｗを収容して所定の処理例えばＣＶＤ処理を施すの
に適するように構成された処理室ないし処理容器である
反応管（プロセスチューブ）である。この反応管１は、
上部が閉塞され、下部が開放された縦型円筒状に耐熱性
を有する材料例えば石英により形成されている。なお、
前記反応管１は、二重管構造になっていてもよい。

【００１５】前記反応管１の外側上方には、熱輻射によ
り反応管内の半導体ウエハを高温例えば８００〜１２０
０℃程度に加熱する加熱手段として図示例では抵抗発熱
体からなるヒータ２が設けられている。なお、加熱手段
としては、後述する加熱ランプであってもよい。

【００１６】図示例のヒータ２は、反応管１内の熱処理
領域に支持体３を介して水平に支持された半導体ウエハ
ｗを面内均一に加熱すべく、その半導体ウエハｗの被処
理面である上面と対向するように面状に形成された上面
加熱部２ａと、反応管１の上側周囲を囲繞する円筒状の
周囲加熱部２ｂとから構成されている。なお、前記ヒー
タ２と反応管１の間には、例えば炭化珪素（ＳｉＣ）等
からなる均熱体が配置されていてもよい。

【００１７】前記反応管１の下側壁には、所定の処理ガ
スや不活性ガスを反応管１内に導入する複数の導入ポー
ト４と、反応管１内を排気する排気ポート５とが設けら
れている。導入ポート４にはガス供給系が接続され、排
気ポート５には排気系が接続されている（図示省略）。

【００１８】また、反応管１内の上方には、処理ガスを
下方に向ってシャワー状に噴出するシャワーヘッド６が
設けられ、このシャワヘッド６内（反応管１の天井部と
シャワヘッド６の間）に前記導入ポート４からガス通路
７を介して処理ガスや不活性ガスが導入されるようにな
っている。前記シャワーヘッド６は、例えば石英製の平
板８に多数の噴出孔９を形成してなっている。なお、前
記反応管１が二重管構造である場合には、外管と内管の
間のガス通路を介してシャワヘッドにガスを供給するよ
うにしてもよい。

【００１９】前記反応管１の下部には、半導体ウエハｗ
の搬入搬出作業を行なう作業室１０が接続されている。
この作業室１０は、耐熱性および耐食性を有する材料例
えばステンレススチールにより上部が開放された箱状に
形成されている。前記作業室１０の底部中央部には、例
えば石英製の垂直な昇降軸１１が昇降可能に貫通されて
おり、この昇降軸１１の上端部には単一すなわち一枚の
半導体ウエハｗを水平に支持する例えば石英製の支持体
３が設けられている。

【００２０】前記作業室１０の底部には、昇降軸１１の
貫通部を気密に封止する封止手段１２が設けられてい
る。前記支持体３は、図２にも示すように、半導体ウエ
ハｗの下面の周縁部全体を面支持する環状の支持部１３
を有すると共に、半導体ウエハｗの移載を行なうために
半導体ウエハｗを支持位置から突き上げる突上げ部材１
４を有している。

【００２１】前記支持部１３の周囲には、半導体ウエハ
ｗの周囲を囲繞（取り囲む）する石英製のリング部１５
が設けられ、このリング部１５によりヒータ２から半導
体ウエハｗの周縁部（エッジ部）への輻射熱の入熱を抑
制すると共にリング部１５と支持部１４の熱容量によっ
て半導体ウエハ周縁部の昇温を抑えるように構成されて
いる。また、前記リング部１５が半導体ウエハｗの周囲
を囲繞していることにより、半導体ウエハｗが支持部１
３上に位置決めされており、半導体ウエハｗの昇降移動
時や熱処理中の振動により半導体ウエハｗが支持部１３
上から脱落するのを防止している。

【００２２】前記昇降軸１１は、内外二重軸構造とさ
れ、中空ないし管状の外軸１１ａと、この外軸１１ａ内
に沿って昇降可能に挿通された内軸１１ｂとから構成さ
れている。外軸１１ａの上端部には前記支持体３が設け
られ、内軸１１ｂの上端部には前記突上げ部材１４が設
けられている。前記外軸１１ａの上端部には、上方に向
って開いた複数の支持腕１６が設けられ、これら支持腕
１６を介して前記支持体３が設けられている。また、前
記突上げ部材１４は、上方に向って開くように複数例え
ば３本に分岐され、半導体ウエハｗの下面周辺部を複数
の点支持例えば三点支持で支持するようになっている。

【００２３】前記昇降軸１１の外軸１１ａの下端部は、
例えばボールネジ等からなる昇降機構１７の昇降アーム
１７ａに取付けられており、その昇降駆動によって半導
体ウエハｗを作業室１０内から反応管１内に上昇搬入
し、逆に反応管１内から作業室１０内に熱処理後の半導
体ウエハｗを下降搬出するように構成されている。ま
た、前記内軸１１ｂを介して突上げ部材１４を上下に移
動させるために、前記昇降アーム１７ａには内軸１１ｂ
の下端部を上下に移動する例えばボールネジまたはエア
シリンダ等からなる上下動機構１８が設けられている。

【００２４】前記作業室１０には、その内部を反応管１
内と熱的に遮断するための開閉可能なシャッター１９が
設けられている。このシャッター１９は、例えば左右一
対のシャッター板１９ａ，１９ｂを水平方向からエアシ
リンダ等により互いに接近離反させて開閉するように構
成されている。また、作業室１０の側壁には、支持体３
に対して外部から半導体ウエハｗの搬入搬出（出し入
れ）を行なうための出入口２０が設けられ、この出入口
２０にはゲートバルブ２１が設けられている。

【００２５】前記作業室１０は、出入口２０およびゲー
トバルブ２１を介してプラットフォーム側の搬送室２２
に接続され、この搬送室２２には複数枚例えば２５枚程
度の半導体ウエハを収納したカセットから半導体ウエハ
を取り出して作業室１０内の支持体３上に移載し、逆に
支持体３上にから熱処理後の半導体ウエハを受け取って
カセット内に戻すための水平移動可能な搬送アーム２３
を有する搬送アーム機構が設けられている。搬送アーム
２３の先端部は、半導体ウエハｗを載置可能な平面Ｕ字
状に形成されている。

【００２６】半導体ウエハｗを支持体３上に移載する場
合、先ず搬送アーム２３により半導体ウエハｗを支持体
３の上方まで搬送し、突上げ部材１４の上昇により搬送
アーム２３上から半導体ウエハｗを突き上げ、搬送アー
ム２３を後退させ、突き上げ部材１４の下降により半導
体ウエハｗを支持体３上に載置するようになっている。
また、半導体ウエハｗを支持体３上から搬出する場合、
先ず突上げ部材１４の上昇により支持体３上から半導体
ウエハｗを突き上げ、搬送アーム２３を支持体１４と半
導体ウエハｗの間に移動させ、突上げ部材１４の下降に
より半導体ウエハｗを搬送アーム２３上に載置し、搬送
アーム２３の後退により半導体ウエハｗを搬送室２２側
へ搬出するようになっている。

【００２７】次に、以上のように構成された枚葉式熱処
理装置の作用について説明する。先ず、昇降軸１１上端
の支持体３を作業室１０内に位置させ、その支持体３の
上方に出入口２０から搬送アーム２３により半導体ウエ
ハｗを搬入して支持体３の支持部１３上に移載する。こ
の場合、上下動機構１８により昇降軸１１の内軸１１ｂ
を介して突上げ部材１４を上昇させ、搬送アーム２３上
から半導体ウエハｗを突き上げる。次に、搬送アーム２
３を後退させた後、上下動機構１８により突き上げ部材
１４を下降させて半導体ウエハｗを支持体３の支持部１
３上に載置すればよく、このようにして半導体ウエハｗ
の移載を容易に行なうことができる。

【００２８】支持体３の支持部１３上に半導体ウエハｗ
を移載したなら、シャッター１９を開放し、支持体３を
反応管１内の熱処理領域（熱処理位置）まで上昇させ、
ヒータ２により半導体ウエハｗを加熱すると共にシャワ
ーヘッド６から所定の処理ガスを半導体ウエハｗの上面
に噴射供給して所定の熱処理を施す。なお、前記熱処理
中は、シャッター１９を閉じておくことが好ましい。

【００２９】熱処理が終了したら、支持体３を作業室１
０に下降させ、シャッター１９を閉じる。なお、熱処理
後に反応が進まないように処理ガスから不活性ガスに切
り換えて反応管１内を不活性ガス例えば窒素ガス
（Ｎ₂）で置換すると共に、ヒータ２の温度も落とすこ
とが好ましい。

【００３０】そして、支持体３上から熱処理後の半導体
ウエハｗを搬送アーム２３により搬出する一方、熱処理
前の半導体ウエハｗを支持体３上に移載し、以上のサイ
クルで半導体ウエハが一枚ずつ連続的に熱処理されるこ
とになる。なお、支持体３上から半導体ウエハｗを搬出
する場合には、先ず上下動機構１８により突上げ部材１
４を上昇させて半導体ウエハｗを支持位置から突き上
げ、搬送アーム２３を支持体３と半導体ウエハｗの間に
移動させる。次いで、上下動機構１８により突上げ部材
１４を下降させて半導体ウエハｗを搬送アーム２３上に
載置し、搬送アーム２３の後退により半導体ウエハｗを
搬送室２２側へ搬出すればよい。

【００３１】前記枚葉式熱処理装置によれば、一枚の半
導体ウエハｗを昇降軸１１上端の支持体３により支持し
た状態で処理室である反応管１内に搬入し、反応管１外
の加熱手段例えばヒータ２により加熱して所定の処理ガ
ス雰囲気下で熱処理する枚葉式熱処理装置において、前
記支持体３は半導体ウエハｗの下面の周縁部全体を面支
持する環状の支持部１３を有しているため、点支持のも
のと異なり半導体ウエハｗの応力集中を抑制することが
でき、結晶欠陥を抑制することができる。

【００３２】また、前記環状の支持部１３の熱容量によ
り半導体ウエハｗの周縁部からの昇温を抑制して半導体
ウエハｗを面内均一に昇温させることが可能となる。し
かも、前記支持部１３には半導体ウエハｗの周囲を囲繞
するリング部１５が設けられているため、半導体ウエハ
ｗの周縁部からの輻射熱の入熱を抑制して昇温を抑制す
ることができ、半導体ウエハｗの面内均一な熱処理が可
能となる。なお、前記リング部１５の材質としては、石
英が好ましいが、ポリシリコン等であってもよい。

【００３３】また、前記支持体３は半導体ウエハｗの移
載を行なうために半導体ウエハｗを支持位置から突き上
げる突上げ部材１４を有しているため、半導体ウエハｗ
の周縁部全体を支持する構造でありながらその環状の支
持部１３が移載の邪魔になることがなく、半導体ウエハ
ｗの移載を容易に行なうことができる。更に、前記昇降
軸１１は内外二重軸構造とされ、その外軸１１ａの上端
部に前記支持体３が設けられ、内軸１１ｂの上端部に前
記突上げ部材１４が設けられているため、簡単な構造で
突上げ部材１４の駆動操作を行なうことができる。

【００３４】なお、前記内軸１１ｂは、透明石英からな
っていると共に、その一端の突上げ部材１４が半導体ウ
エハｗに近接しており、他端が反応管１から外部に出て
いるため、半導体ウエハｗから放射（輻射）される熱線
（赤外線）を前記突上げ部材１４から内軸１１ｂを介し
て外部に取り出し、半導体ウエハｗの温度を検出するよ
うに構成してもよい。これにより、簡単な構造で半導体
ウエハｗの温度管理を行なうことが可能となる。なお、
同様に、支持体３の温度を検出して支持体３の温度管理
を行なうようにすることもできる。

【００３５】図３は支持体の変形例を示している。この
支持体３において、前記実施の形態と同一部分は同一参
照符号を付して説明を省略する。この支持体３は、板状
ないし皿状に形成されており、その周縁部に半導体ウエ
ハｗの下面の周縁部全体を面支持する環状の支持部１３
が形成されていると共に、支持部１３の周囲にリング部
１５が設けられている。

【００３６】支持体３は、初期は常温に冷えており、熱
処理に伴い徐々に昇温して行くが、その昇温速度は半導
体ウエハよりも遅いため、熱処理時に支持体３から半導
体ウエハｗに熱影響を与え易い。そこで、支持体３ｗか
ら半導体ウエハｗへの熱影響を抑制すべく支持体３の温
度を常に一定に保っておくために、支持体３の内部に
は、支持体３の温度を一定にするためのヒータ２４が設
けられている。このヒータ２４としては、抵抗発熱体を
石英で密封してなる石英ヒータが好ましい。

【００３７】支持体３の底部には、突上げ部材１４を貫
通させる貫通孔２５が設けられている。昇降軸１１の外
軸１１ａの上端部には、複数の支持腕の代りに突上げ部
材１４の周囲を気密に覆って支持体３の下面を気密に支
持する筒状ないし漏斗状の支持部材２６が設けられてい
る。

【００３８】このように構成された支持体を備えた枚葉
式熱処理装置によれば、支持体３にヒータ２４が設けら
れているため、支持体２４の温度を常に一定に保つこと
ができ、支持体３から半導体ウエハｗへの熱影響を抑制
して常に一定の条件で熱処理することが可能となる。ま
た、昇降軸１１の外軸１１ａと内軸１１ｂの間、支持部
材２６内および貫通孔２５を通して半導体ウエハｗの裏
面にガスを供給することができるため、例えば不活性ガ
ス例えば窒素ガス（Ｎ₂）を供給して半導体ウエハｗの
裏面の成膜を防止したり、あるいは、成膜促進ガス例え
ば水素ガス（Ｈ₂）等を供給して裏面の成膜を積極的に
行なったりすることができる。

【００３９】図４も支持体の変形例を示している。この
支持体３は、図３の支持体とほぼ同じ構造であるが、図
３の支持体の支持部１３の内側に形成された凹部２７の
深さ（凹部２７の底と半導体ウエハｗの隙間）ｄが一定
（凹部２７の底２７ａが平ら）であるのに対し、図４の
支持体３の凹部２７の底２７ａは、深さ（隙間）が周縁
部よりも中央部が小さくなるように、凸面状に形成され
ている。この支持体３によれば、半導体ウエハｗの裏面
中央部に凹部２７の凸面状の底２７ａが接近しているた
め、半導体ウエハｗの周縁部よりも昇温の遅い中央部を
支持体３内のヒータ２４により積極的に加熱することが
でき、半導体ウエハｗを面内均一に昇温させることが可
能となる。

【００４０】図５は枚葉式熱処理装置の変形例を示して
いる。この枚葉式熱処理装置においては、加熱手段とし
て多数の加熱ランプ２８が使用されている。加熱ランプ
２８としては、例えばハロゲンランプが使用される。こ
れら多数の加熱ランプ２８は、半導体ウエハｗに対する
形態係数を同じくするために、反応管１内の熱処理領域
における半導体ウエハｗの中心部ｃを中心とする所定半
径Ｒの球面状に反応管１の外側に配設されている。

【００４１】反応管１の下側部分は、上側部分と異なり
加熱ランプ２８により直接加熱されないため、初期は常
温に冷えており、熱処理を重ねるに従って上方からの熱
伝導により徐々に昇温し、一定の温度に収束して行く。
このため、半導体ウエハｗが反応管１内の熱処理領域以
外の領域を通過する際に受ける熱影響ないし温度が変動
する。そこで、この変動を抑制するために、反応管１の
下側の外側には、反応管１内の熱処理領域以外の領域を
加熱するための補助ヒータ２９が設けられている。

【００４２】また、反応管１内の上方に設けられたシャ
ワーヘッド６は、フラットではなく、その中央部が半導
体ウエハｗの中央部に接近するように凸面状に形成さ
れ、加熱ランプ２８により加熱された処理ガスを半導体
ウエハｗの中央部に接近して供給することにより、半導
体ウエハｗの中央部の昇温を促進するようになってい
る。

【００４３】このように構成された枚葉式熱処理装置に
よれば、加熱手段として加熱ランプ２８を使用し、加熱
ランプ２８が熱処理領域の半導体ウエハｗの中心部ｃを
中心とする球面状に配設されているため、半導体ウエハ
ｗに対する形態係数を同じくすることができ、半導体ウ
エハｗを面内均一に熱処理することができる。また、前
記反応管１の外側には反応管１内の熱処理領域以外の領
域を加熱するための補助ヒータ２９が設けられているた
め、反応管１内の熱処理領域以外の領域で半導体ウエハ
ｗに与える熱影響ないし温度の変動を抑制することがで
き、半導体ウエハｗの熱履歴を一定に抑えて品質の向上
が図れる。更に、前記シャワーヘッド６の中央部が半導
体ウエハｗの中央部に接近するように凸面状に形成され
ているため、加熱ランプ２８により加熱された処理ガス
を半導体ウエハｗの中央部に接近して吹き付けることが
でき、周縁部よりも遅い中央部の昇温を促進して半導体
ウエハｗを面内均一に昇温させることが可能となる。

【００４４】図６は加熱ランプの変形例を示している。
前述したように球面状に配設された多数の加熱ランプ２
８は、図６に示すように、個々に向きを可変調整可能に
構成されている。この加熱ランプ２８は、ランプ本体
（電球）２８ａと、このランプ本体２８ａを支持するラ
ンプ支持部２８ｂと、ランプ本体２８ａを囲繞する反射
体２８ｃとから主に構成されており、そのランプ本体２
８ａがランプ支持部２８ｂに例えば球面継手２８ｄを介
して角度可変に支持されている。これにより、反射体２
８ｄに対してランプ本体２８ａの向きを可変調整できる
ようになっている。このような加熱ランプを備えた枚葉
式熱処理装置によれば、前記加熱ランプ２８が個々に向
きを可変調整可能に構成されているため、ランプ出力を
変えることなく半導体ウエハｗを面内均一に加熱するこ
とが可能となる。

【００４５】以上、本発明の実施の形態を図面により詳
述してきたが、本発明は前記実施の形態に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲での種々の
設計変更等が可能である。例えば、被処理体としては、
半導体ウエハ以外に、ガラス基板やＬＣＤ基板等であっ
てもよい。また、本発明の枚葉式熱処理装置は、酸化、
拡散、ＣＶＤ、アニール等の各種の熱処理が可能であ
る。

【００４６】

【発明の効果】以上要する本発明によれば、次のような
効果を奏することができる。

【００４７】（１）請求項１に係る発明によれば、一枚
の被処理体を昇降軸上端の支持体により支持した状態で
処理室内に搬入し、処理室外の加熱手段により加熱して
所定の処理ガス雰囲気下で熱処理する枚葉式熱処理装置
において、前記支持体は被処理体の周縁部全体を面支持
する環状の支持部を有すると共に、被処理体の移載を行
なうために被処理体を支持位置から突き上げる突上げ部
材を有しているため、被処理体の応力集中を抑制するこ
とができると共に、被処理体の周縁部からの昇温を抑制
して被処理体を面内均一に熱処理することができ、しか
も、被処理体の周縁部全体を支持する構造でありながら
被処理体の移載を容易に行なうことができる。

【００４８】（２）請求項２に係る発明によれば、前記
昇降軸が内外二重軸構造とされ、その外軸の上端部に前
記支持体が設けられ、内軸の上端部に前記突上げ部材が
設けられているため、簡単な構造で突上げ部材の駆動操
作を行なうことができる。

【００４９】（３）請求項３に係る発明によれば、前記
内軸が被処理体もしくは支持体から放射される熱線を前
記突上げ部材から内軸を介して外部に取り出し、被処理
体もしくは支持体の温度を検出し得るように構成されて
いるため、簡単な構造で被処理体もしくは支持体の温度
管理を行なうことができる。

【００５０】（４）請求項４に係る発明によれば、前記
支持体には支持体の温度を一定にするためのヒータが設
けられているため、支持体の温度を常に一定に保つこと
ができ、支持体から被処理体への熱影響を抑制すること
ができる。

【００５１】（５）請求項５に係る発明によれば、前記
加熱手段が加熱ランプからなり、該加熱ランプが熱処理
領域の被処理体の中心部を中心とする球面状に配設され
ているため、被処理体に対する形態係数を同じくするこ
とができ、被処理体を面内均一に熱処理することができ
る。

【００５２】（６）請求項６に係る発明によれば、前記
処理室の外側には処理室内の熱処理領域以外の領域を加
熱するための補助ヒータが設けられているため、処理室
内の熱処理領域以外の領域で被処理体に与える熱影響を
抑制することができ、被処理体の熱履歴を抑えて品質の
向上が図れる。

【００５３】（７）請求項７に係る発明によれば、前記
加熱ランプが個々に向きを可変調整可能に構成されてい
るため、ランプ出力を変えないで被処理体を面内均一に
加熱することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態である枚葉式熱処理装置を
示す縦断面図である。

【図２】同枚葉式熱処理装置における支持体を示す断面
図である。

【図３】支持体の変形例を示す断面図である。

【図４】支持体の変形例を示す断面図である。

【図５】枚葉式熱処理装置の変形例を示す縦断面図であ
る。

【図６】加熱ランプの変形例を示す断面図である。

【符号の説明】

ｗ 半導体ウエハ（被処理体） １ 反応管（処理室） ２ ヒータ（加熱手段） ３ 支持体 １１ 昇降軸 １１ａ 外軸 １１ｂ 内軸 １３ 支持部 １４ 突上げ部材 ２８ 加熱ランプ（加熱手段） ２９ 補助ヒータ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5F045 BB12 DP03 EK06 EK11 EM02 EM10

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一枚の被処理体を昇降軸上端の支持体に
   より支持した状態で処理室内に搬入し、処理室外の加熱
   手段により加熱して所定の処理ガス雰囲気下で熱処理す
   る枚葉式熱処理装置において、前記支持体は被処理体の
   周縁部全体を面支持する環状の支持部を有すると共に、
   被処理体の移載を行なうために被処理体を支持位置から
   突き上げる突上げ部材を有していることを特徴とする枚
   葉式熱処理装置。
2. 【請求項２】 前記昇降軸が内外二重軸構造とされ、そ
   の外軸の上端部に前記支持体が設けられ、内軸の上端部
   に前記突上げ部材が設けられていることを特徴とする請
   求項１記載の枚葉式熱処理装置。
3. 【請求項３】 前記内軸が被処理体および支持体から放
   射される熱線を前記突上げ部材から内軸を介して外部に
   取り出し、被処理体および支持体の温度を検出し得るよ
   うに構成されていることを特徴とする請求項２記載の枚
   葉式熱処理装置。
4. 【請求項４】 前記支持体には支持体の温度を一定にす
   るためのヒータが設けられていることを特徴とする請求
   項１または３記載の枚葉式熱処理装置。
5. 【請求項５】 前記加熱手段が加熱ランプからなり、該
   加熱ランプが熱処理領域の被処理体の中心部を中心とす
   る球面状に配設されていることを特徴とする請求項１記
   載の枚葉式熱処理装置。
6. 【請求項６】 前記処理室の外側には処理室内の熱処理
   領域以外の領域を加熱するための補助ヒータが設けられ
   ていることを特徴とする請求項１記載の枚葉式熱処理装
   置。
7. 【請求項７】 前記加熱ランプが個々に向きを可変調整
   可能に構成されていることを特徴とする請求項５記載の
   枚葉式熱処理装置。