【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、固体レーザー結晶
を半導体レーザー（レーザーダイオード）によって励起
する半導体レーザー励起固体レーザーの駆動方法に関
し、特に詳細には、固体レーザー結晶の吸収最大となる
波長と、半導体レーザーの発振波長とのズレを防止し
て、高出力が得られるようにした駆動方法に関するもの
である。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for driving a solid-state laser crystal, in which the solid-state laser crystal is excited by a semiconductor laser (laser diode). The present invention relates to a driving method capable of obtaining a high output by preventing a deviation from an oscillation wavelength of a semiconductor laser.
【０００２】[0002]
【従来の技術】例えば特開平７−１８３６０５号に示さ
れるように、ネオジウム等の希土類が添加された固体レ
ーザー結晶を、半導体レーザーから発せられた光によっ
て励起する半導体レーザー励起固体レーザーが公知とな
っている。この種の半導体レーザー励起固体レーザーに
おいては、共振器内に光波長変換素子を配して、固体レ
ーザービームを第２高調波等に波長変換することも広く
行なわれている。2. Description of the Related Art As disclosed in, for example, JP-A-7-183605, a semiconductor laser pumped solid-state laser that excites a solid-state laser crystal to which a rare earth element such as neodymium is added by light emitted from the semiconductor laser is known. ing. In this type of semiconductor laser-excited solid-state laser, an optical wavelength conversion element is arranged in a resonator to convert the wavelength of a solid-state laser beam into a second harmonic or the like.
【０００３】またこの種の半導体レーザー励起固体レー
ザーにおいては、出力の安定した駆動状態を得るため
に、固体レーザービームの出力や、あるいは上述のよう
に波長変換する場合は波長変換波の出力を検出し、その
検出出力に基づいて半導体レーザーの駆動電流をフイー
ドバック制御する、いわゆるＡＰＣ（automatic powerc
ontrol）駆動がなされることも多い。In this type of solid-state laser pumped solid-state laser, the output of a solid-state laser beam or the output of a wavelength-converted wave when the wavelength is converted as described above is detected in order to obtain a stable driving state of the output. A feedback control of the driving current of the semiconductor laser based on the detected output, so-called APC (automatic powerc
Ontrol) is often driven.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の半導
体レーザー励起固体レーザーにおいては、高出力を得る
目的で半導体レーザーの出力を高めても、固体レーザー
の出力は僅かに増大しただけですぐに頭打ちになってし
まうという問題が認められている。図２の曲線ａは、こ
の点を示している。つまりこの例では、初期駆動の状態
から、半導体レーザー駆動電流ＩＦを１０％、２０％と
増大させても、固体レーザーの出力（本例は上述の第２
高調波を発生させる場合で、より正確には第２高調波出
力）は僅か８％上昇しただけで飽和してしまう。Incidentally, in the conventional semiconductor laser pumped solid-state laser, even if the output of the semiconductor laser is increased for the purpose of obtaining a high output, the output of the solid-state laser is only slightly increased and reaches a plateau immediately. The problem of becoming Curve a in FIG. 2 illustrates this point. That is, in this example, even if the semiconductor laser driving current IF is increased to 10% or 20% from the initial driving state, the output of the solid-state laser (this example is the above-described second example).
In the case of generating harmonics, more precisely, the output of the second harmonic is saturated only by 8%.
【０００５】この問題は、固体レーザー結晶の吸収最大
となる波長と、半導体レーザーの発振波長とのズレに起
因している。すなわち、高出力を得ようとする半導体レ
ーザー励起固体レーザーに用いられる半導体レーザー
は、放熱量が大きいために発振波長の駆動電流依存性が
高く、駆動電流を上げるのに従って発振波長が次第に長
波長側にずれて行く。その結果、固体レーザー結晶の吸
収最大となる波長から半導体レーザーの発振波長が大き
く外れて、励起パワーつまり半導体レーザーの駆動電流
を大きく増大させた割には、固体レーザー出力が僅かし
か上昇しないのである。[0005] This problem is caused by the difference between the wavelength at which the absorption of the solid-state laser crystal becomes maximum and the oscillation wavelength of the semiconductor laser. In other words, the semiconductor laser used for the semiconductor laser pumped solid-state laser for obtaining a high output has a large heat radiation amount, so that the oscillation wavelength is highly dependent on the drive current, and as the drive current is increased, the oscillation wavelength gradually increases toward the longer wavelength side. Going to As a result, the oscillation wavelength of the semiconductor laser deviates significantly from the wavelength at which the absorption of the solid-state laser becomes the maximum, and the output of the solid-state laser increases only slightly, although the pump power, that is, the drive current of the semiconductor laser, is greatly increased. .
【０００６】このような点から、従来より、半導体レー
ザーの放熱効果を高める等により、半導体レーザーの発
振波長の駆動電流依存性を抑制することが行なわれて来
たが、それでも、半導体レーザーの材料物性の問題等、
克服することが技術的に困難な問題も多く、固体レーザ
ー出力を著しく上昇させるのは困難となっていた。In view of the above, the dependence of the oscillation wavelength of the semiconductor laser on the drive current has been suppressed by increasing the heat radiation effect of the semiconductor laser. Problems of physical properties,
Many problems were technically difficult to overcome, and it was difficult to significantly increase the solid-state laser output.
【０００７】本発明は上記の事情に鑑みてなされたもの
であり、固体レーザー結晶の吸収最大となる波長と、半
導体レーザーの発振波長とのズレを防止して、高出力を
得ることができる半導体レーザー励起固体レーザーの駆
動方法を提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above circumstances, and a semiconductor capable of obtaining a high output by preventing a deviation between a wavelength at which absorption of a solid-state laser crystal becomes maximum and an oscillation wavelength of a semiconductor laser. An object of the present invention is to provide a method for driving a laser-excited solid-state laser.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明による半導体レー
ザー励起固体レーザーの駆動方法は、まず半導体レーザ
ーに所定の駆動電流を供給して初期駆動した後、この駆
動電流を上昇させて出力を向上させる場合、初期駆動の
際に半導体レーザーの発振波長を、固体レーザー結晶の
吸収最大となる波長よりも所定値だけ予め短波長側にず
らしておくことを特徴とするものである。According to the driving method of a solid-state laser excited by a semiconductor laser according to the present invention, first, a predetermined driving current is supplied to the semiconductor laser to perform initial driving, and then the driving current is increased to improve the output. In this case, at the time of initial driving, the oscillation wavelength of the semiconductor laser is shifted in advance by a predetermined value to the shorter wavelength side from the wavelength at which the solid-state laser crystal has the maximum absorption.
【０００９】なお、この本発明による半導体レーザー励
起固体レーザーの駆動方法において、上記初期駆動の状
態から駆動電流をΔＩＦ上昇させて駆動する際には、上
記所定値は、駆動電流をΔＩＦ上昇させたことによる半
導体レーザーの発振波長増大分とほぼ等しく設定される
のが望ましい。In the method of driving a solid-state laser excited by a semiconductor laser according to the present invention, when the drive current is increased by ΔIF from the initial drive state, the drive current is increased by ΔIF. It is desirable to set the value substantially equal to the increase in the oscillation wavelength of the semiconductor laser.
【００１０】また初期駆動の際の半導体レーザーの発振
波長は、例えばその温度を変えることによって制御可能
である。The oscillation wavelength of the semiconductor laser at the time of initial driving can be controlled, for example, by changing its temperature.
【００１１】[0011]
【発明の効果】半導体レーザーを初期駆動した後その駆
動電流を上昇させると、前述したように半導体レーザー
の発振波長が長波長側にずれる。本発明の駆動方法で
は、初期駆動の際に半導体レーザーの発振波長を、固体
レーザー結晶の吸収最大となる波長よりも所定値だけ予
め短波長側にずらしておくようにしたので、半導体レー
ザーの発振波長は長波長側にずれることにより、固体レ
ーザー結晶の吸収最大となる波長により近付くことにな
る。When the driving current is increased after the initial drive of the semiconductor laser, the oscillation wavelength of the semiconductor laser shifts to the longer wavelength side as described above. In the driving method of the present invention, the oscillation wavelength of the semiconductor laser is shifted in advance by a predetermined value to the shorter wavelength side from the wavelength at which the solid-state laser crystal has the maximum absorption. By shifting the wavelength to the longer wavelength side, the wavelength becomes closer to the wavelength at which the absorption of the solid-state laser crystal becomes maximum.
【００１２】それにより、固体レーザー結晶の吸収最大
となる波長と半導体レーザーの発振波長とのズレが少な
く抑えられ、半導体レーザーの駆動電流上昇に見合う大
きな出力が安定して得られるようになる。As a result, the deviation between the wavelength at which the solid-state laser crystal has the maximum absorption and the oscillation wavelength of the semiconductor laser is suppressed to a small value, and a large output commensurate with an increase in the driving current of the semiconductor laser can be stably obtained.
【００１３】特に、初期駆動の状態から駆動電流をΔＩ
Ｆ上昇させて駆動する際に、上記所定値を、駆動電流を
ΔＩＦ上昇させたことによる半導体レーザーの発振波長
増大分とほぼ等しく設定しておけば、駆動電流をΔＩＦ
上昇させた後の半導体レーザー発振波長は、固体レーザ
ー結晶の吸収最大となる波長とほぼ一致する。そこでこ
の場合は、特に大きな出力が安定して得られるようにな
る。In particular, the drive current is set to ΔI from the initial drive state.
When the drive current is increased by F, if the predetermined value is set to be substantially equal to the increase in the oscillation wavelength of the semiconductor laser caused by increasing the drive current by ΔIF, the drive current can be increased by ΔIF.
The semiconductor laser oscillation wavelength after the increase substantially coincides with the wavelength at which the absorption of the solid-state laser crystal becomes maximum. Therefore, in this case, a particularly large output can be stably obtained.
【００１４】[0014]
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。図１は、本発明の駆動方法
によって駆動される半導体レーザー励起固体レーザーの
一例を示すものである。この半導体レーザー励起固体レ
ーザーは、励起光としてのレーザービーム10を発する半
導体レーザー11と、発散光である上記レーザービーム10
を集光する集光レンズ12ａおよび12ｂと、ネオジウム
（Ｎｄ）がドーピングされた固体レーザー媒質であるＹ
ＬＦ結晶（以下、Ｎｄ：ＹＬＦ結晶と称する）13と、こ
のＮｄ：ＹＬＦ結晶13の前方側（図中右方側）に配され
た共振器ミラー14と、Ｎｄ：ＹＬＦ結晶13の前後に配さ
れたツイスト・モード化のためのλ／４板15、16とを有
している。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. FIG. 1 shows an example of a semiconductor laser pumped solid-state laser driven by the driving method of the present invention. The solid-state laser excited by a semiconductor laser includes a semiconductor laser 11 that emits a laser beam 10 as excitation light and the laser beam 10 that is divergent light.
Lenses 12a and 12b for condensing light, and a solid-state laser medium Y doped with neodymium (Nd).
An LF crystal (hereinafter, referred to as an Nd: YLF crystal) 13, a resonator mirror 14 disposed in front of the Nd: YLF crystal 13 (right side in the drawing), and disposed before and after the Nd: YLF crystal 13 .Lamda. / 4 plates 15 and 16 for twist mode conversion.
【００１５】またλ／４板16と共振器ミラー14との間に
は、λ／４板16側から順に光波長変換素子17、偏光制御
素子18および波長選択素子19が配されている。そして共
振器ミラー14の外側には後述のようにして発せられる第
２高調波21を一部分岐させるビームスプリッタ22が配さ
れ、分岐された第２高調波21は例えばフォトダイオード
等からなる光検出器23に受光されるようになっている。
この光検出器23の出力は、ＡＰＣ回路24に入力される。An optical wavelength conversion element 17, a polarization control element 18, and a wavelength selection element 19 are arranged between the λ / 4 plate 16 and the resonator mirror 14 in this order from the λ / 4 plate 16 side. A beam splitter 22 for partially splitting a second harmonic 21 emitted as described later is disposed outside the resonator mirror 14, and the split second harmonic 21 is a photodetector such as a photodiode. The light is received by 23.
The output of the photodetector 23 is input to the APC circuit 24.
【００１６】上記半導体レーザー11および集光レンズ12
ａ、12ｂからなる励起部は例えば銅等からなるマウント
30に保持され、図示しない温度制御素子および温調回路
によって所定温度に保たれる。一方、λ／４板15から共
振器ミラー14までの共振器部分も銅等からなるマウント
31に保持され、図示しない温度制御素子および温調回路
によって所定温度に保たれる。The semiconductor laser 11 and the condenser lens 12
The excitation section made of a and 12b is, for example, a mount made of copper or the like.
The temperature is maintained at 30 and is maintained at a predetermined temperature by a temperature control element and a temperature control circuit (not shown). On the other hand, the resonator part from the λ / 4 plate 15 to the resonator mirror 14 is also mounted with copper or the like.
The temperature is maintained at 31 by a temperature control element and a temperature control circuit (not shown).
【００１７】なお本例において、光波長変換素子17は、
ＭｇＯがドープされたＬｉＮｂＯ3結晶に周期ドメイン
反転構造が形成されてなるものが用いられている。また
偏光制御素子18はブリュースーター板からなり、波長選
択素子19としてはエタロンが用いられている。In this embodiment, the light wavelength conversion element 17 is
A structure in which a periodic domain inversion structure is formed in a LiNbO3 crystal doped with MgO is used. Further, the polarization control element 18 is made of a Brewster plate, and an etalon is used as the wavelength selection element 19.
【００１８】一方半導体レーザー11としては、波長797
ｎｍのレーザービーム10を発するものが用いられてい
る。Ｎｄ：ＹＬＦ結晶13は入射したレーザービーム10に
よってネオジウムイオンが励起されて、波長1313ｎｍの
光を発する。On the other hand, the semiconductor laser 11 has a wavelength of 797.
Those that emit a laser beam 10 of nm are used. The Nd: YLF crystal 13 excites neodymium ions by the incident laser beam 10 and emits light having a wavelength of 1313 nm.
【００１９】λ／４板15の外側端面（ミラー面）15ａに
は、波長797 ｎｍの励起用レーザービーム10は良好に透
過させ、波長1313ｎｍの光および後述の波長 657ｎｍの
光は良好に反射させるコートが施されている。一方共振
器ミラー14のミラー面14ａには、励起用レーザービーム
10および波長1313ｎｍの光は良好に反射させ、波長 657
ｎｍの光は一部透過させるコートが施されている。On the outer end face (mirror surface) 15a of the λ / 4 plate 15, an excitation laser beam 10 having a wavelength of 797 nm is transmitted well, and light having a wavelength of 1313 nm and light having a wavelength of 657 nm, which will be described later, are reflected well. Coat is given. On the other hand, the laser surface for excitation is
Light of 10 and 1313 nm is reflected well, and the wavelength of 657
A coat for partially transmitting light of nm is provided.
【００２０】したがって、上記波長1313ｎｍの光はミラ
ー面15ａ、14ａ間で共振してレーザー発振を引き起こ
し、こうして発生した波長1313ｎｍの固体レーザービー
ム20は光波長変換素子17により、波長が１／２つまり 6
57ｎｍの第２高調波21に変換される。Accordingly, the light having the wavelength of 1313 nm resonates between the mirror surfaces 15a and 14a to cause laser oscillation. The solid-state laser beam 20 having the wavelength of 1313 nm generated by the light wavelength conversion element 17 has a wavelength of 1/2 6
It is converted to the second harmonic 21 of 57 nm.
【００２１】以上の説明から明かな通り本例では、λ／
４板15および共振器ミラー14により、ファブリー・ペロ
ー型の固体レーザー共振器が構成されており、共振器ミ
ラー14からはほぼ第２高調波21のみが出射する。なお固
体レーザービーム20は（つまり第２高調波21は）偏光制
御素子18によって直線偏光の向きが制御され、また波長
選択素子19の作用で単一縦モード化される。As is clear from the above description, in this example, λ /
The four plates 15 and the resonator mirror 14 constitute a Fabry-Perot type solid-state laser resonator, and almost only the second harmonic 21 is emitted from the resonator mirror 14. The direction of the linearly polarized light of the solid-state laser beam 20 (that is, the second harmonic 21) is controlled by the polarization control element 18, and a single longitudinal mode is set by the action of the wavelength selection element 19.
【００２２】共振器ミラー14から出射した第２高調波21
はビームスプリッタ22によって一部分岐され、分岐され
た第２高調波21は光検出器23に受光される。光検出器23
はこの第２高調波21の強度を検出し、その出力はＡＰＣ
回路24に入力される。ＡＰＣ回路24は光検出器23の出力
に基づいて半導体レーザー11の駆動電流を制御すること
により、第２高調波21の強度を一定に保持する。The second harmonic 21 emitted from the resonator mirror 14
Is partially branched by a beam splitter 22, and the branched second harmonic 21 is received by a photodetector 23. Photodetector 23
Detects the intensity of the second harmonic 21 and outputs the APC
Input to the circuit 24. The APC circuit 24 keeps the intensity of the second harmonic 21 constant by controlling the drive current of the semiconductor laser 11 based on the output of the photodetector 23.
【００２３】次に、Ｎｄ：ＹＬＦ結晶13の吸収が最大と
なる波長と、半導体レーザー11の発振波長とのズレを防
止する点に関して説明する。この半導体レーザー励起固
体レーザーは、最初に半導体レーザー11の駆動電流ＩＦ
を２０００ｍＡに設定して初期駆動した後、この駆動電
流ＩＦを上昇させて出力を向上させる。Next, a description will be given of how to prevent a deviation between the wavelength at which the absorption of the Nd: YLF crystal 13 becomes maximum and the oscillation wavelength of the semiconductor laser 11. This semiconductor laser pumped solid-state laser is first driven by the driving current IF of the semiconductor laser 11.
Is set to 2000 mA, and after the initial drive, the drive current IF is increased to improve the output.
【００２４】図３には、半導体レーザー11の温度ＴLDと
第２高調波21の出力との関係を、半導体レーザー駆動電
流ＩＦを２０００ｍＡに設定したとき（曲線ａ）、半導
体レーザー駆動電流ＩＦをそこから５％増大させたとき
（曲線ｂ）、10％増大させたとき（曲線ｃ）および15％
増大させたとき（曲線ｄ）について示してある。なお横
軸の半導体レーザー温度ＴLDは、初期駆動時にＮｄ：Ｙ
ＬＦ結晶13の吸収が最大となる温度（そのときのＮｄ：
ＹＬＦ結晶13の吸収が最大となる波長は７９７．０ｎｍ
であり、実際の温度は２５．０℃である）を０として示
し、そこからの差で示してある。また縦軸の第２高調波
出力は相対値である。FIG. 3 shows the relationship between the temperature TLD of the semiconductor laser 11 and the output of the second harmonic 21 when the semiconductor laser drive current IF is set to 2000 mA (curve a). From there 5% increase (curve b), 10% increase (curve c) and 15%
This is shown when the value is increased (curve d). Note that the semiconductor laser temperature TLD on the horizontal axis is Nd: Y during initial driving.
The temperature at which the absorption of the LF crystal 13 is maximized (Nd:
The wavelength at which the absorption of the YLF crystal 13 becomes maximum is 797.0 nm.
And the actual temperature is 25.0 ° C.) as 0 and the difference therefrom. The second harmonic output on the vertical axis is a relative value.
【００２５】ここに示されている通り、Ｎｄ：ＹＬＦ結
晶13の吸収が最大となる温度は、半導体レーザー駆動電
流ＩＦが１００ｍＡ上がるのに対して０．６℃の割合で
低下している。この点に鑑み、初期駆動時の半導体レー
ザー温度ＴLDは、本来２５．０℃とすれば第２高調波出
力が最大となるところ、そこから−１．２℃だけ低く設
定して、半導体レーザー発振波長を７９６．４ｎｍに設
定しておく。つまり、初期駆動状態から半導体レーザー
駆動電流ＩＦが１０％増大した際に、Ｎｄ：ＹＬＦ結晶
13の吸収が最大となる波長と半導体レーザー発振波長が
一致するようにしておく。As shown here, the temperature at which the absorption of the Nd: YLF crystal 13 becomes maximum decreases at a rate of 0.6 ° C. with respect to the increase of the semiconductor laser drive current IF by 100 mA. In view of this point, the semiconductor laser temperature TLD at the time of the initial driving is set at -1.2 ° C. lower than that where the output of the second harmonic is maximized if originally 25.0 ° C. The oscillation wavelength is set to 796.4 nm. That is, when the semiconductor laser drive current IF increases by 10% from the initial drive state, the Nd: YLF crystal
The wavelength at which the absorption of 13 is maximized and the oscillation wavelength of the semiconductor laser are matched.
【００２６】そのようにしたとき、初期駆動状態から半
導体レーザー駆動電流ＩＦを次第に増大させると、第２
高調波出力は図２の曲線ｃで示すように変化する。それ
に対して、初期駆動時に半導体レーザー温度ＴLDを２
５．０℃として半導体レーザー発振波長を７９７．０ｎ
ｍに設定しておいた場合、第２高調波出力は図２の曲線
ａで示すように変化する。In such a case, if the semiconductor laser drive current IF is gradually increased from the initial drive state, the second
The harmonic output changes as shown by curve c in FIG. On the other hand, at the time of initial driving, the semiconductor laser temperature TLD is set to 2
The semiconductor laser oscillation wavelength is set at 5.0 ° C., and the wavelength is 797.0 n.
When set to m, the second harmonic output changes as shown by the curve a in FIG.
【００２７】図２の曲線ａと曲線ｃとを比較すると、初
期駆動状態から半導体レーザー駆動電流ＩＦを１０％増
大させたとき、前者では第２高調波出力は８％の上昇に
とどまっているが、後者では第２高調波出力は１５％も
上昇する。また、前者では半導体レーザー駆動電流ＩＦ
をさらに増大させても、第２高調波出力は８％を超える
ことなくそこで頭打ちになるが、後者では１５％増では
頭打ちにならず、２４％増程度まで第２高調波出力を上
昇させることができる。Comparing the curves a and c in FIG. 2, when the semiconductor laser driving current IF is increased by 10% from the initial driving state, the output of the second harmonic increases only by 8% in the former. In the latter case, the second harmonic output increases by 15%. In the former, the semiconductor laser drive current IF
Even if is further increased, the second harmonic output peaks there without exceeding 8%, but in the latter case, the second harmonic output does not reach a plateau at 15% increase, and the second harmonic output is increased to about 24% increase. Can be.
【００２８】また初期駆動時の半導体レーザー温度ＴLD
を、本来２５．０℃とすれば第２高調波出力が最大とな
るところ、そこから−０．６℃だけ低く設定して、半導
体レーザー発振波長を７９６．７ｎｍに設定しておいて
もよい。つまりその場合は、初期駆動状態から半導体レ
ーザー駆動電流ＩＦが５％増大した際に、Ｎｄ：ＹＬＦ
結晶13の吸収が最大となる波長と半導体レーザー発振波
長が一致するようにしておく（図３参照）。The semiconductor laser temperature TLD at the time of initial driving
Is originally 25.0 ° C., where the second harmonic output becomes the maximum, the temperature may be set lower by −0.6 ° C. therefrom, and the semiconductor laser oscillation wavelength may be set to 796.7 nm. . That is, in this case, when the semiconductor laser drive current IF increases by 5% from the initial drive state, Nd: YLF
The wavelength at which the absorption of the crystal 13 is maximized is set to coincide with the semiconductor laser oscillation wavelength (see FIG. 3).
【００２９】そのようにしたとき、初期駆動状態から半
導体レーザー駆動電流ＩＦを次第に増大させると、第２
高調波出力は図２の曲線ｂで示すように変化する。図２
の曲線ａと曲線ｂとを比較すると、初期駆動状態から半
導体レーザー駆動電流ＩＦを５％増大させたとき、前者
では第２高調波出力は８％の上昇にとどまっているが、
後者では第２高調波出力は１２％まで上昇する。また、
前者では半導体レーザー駆動電流ＩＦをさらに増大させ
ても、第２高調波出力は８％を超えることなくそこで頭
打ちになるが、後者では１２％増では頭打ちにならず、
１４％増程度まで第２高調波出力を上昇させることがで
きる。In such a case, when the semiconductor laser drive current IF is gradually increased from the initial drive state, the second
The harmonic output changes as shown by curve b in FIG. FIG.
Comparing the curve a and the curve b, when the semiconductor laser drive current IF is increased by 5% from the initial drive state, the second harmonic output is increased by only 8% in the former,
In the latter, the second harmonic output rises to 12%. Also,
In the former case, even if the semiconductor laser driving current IF is further increased, the second harmonic output does not exceed 8% but peaks there.
The second harmonic output can be increased up to about 14%.
【図１】本発明の方法によって駆動される半導体レーザ
ー励起固体レーザーの一例を示す概略側面図FIG. 1 is a schematic side view showing an example of a semiconductor laser pumped solid-state laser driven by the method of the present invention.
【図２】本発明の方法で半導体レーザー励起固体レーザ
ーを駆動したとき、半導体レーザー駆動電流の変化に対
して第２高調波出力が変化する様子を、従来法の場合と
比較して示すグラフFIG. 2 is a graph showing how a second harmonic output changes with a change in a semiconductor laser driving current when a semiconductor laser pumped solid-state laser is driven by the method of the present invention, in comparison with the case of the conventional method.
【図３】図１の半導体レーザー励起固体レーザーにおけ
る半導体レーザー温度と第２高調波出力との関係を、半
導体レーザー駆動電流毎に示したグラフFIG. 3 is a graph showing a relationship between a semiconductor laser temperature and a second harmonic output in the semiconductor laser pumped solid-state laser of FIG. 1 for each semiconductor laser drive current.
10 レーザービーム（励起光） 11 半導体レーザー 12ａ、12ｂ 集光レンズ 13 Ｎｄ：ＹＬＦ結晶 14 共振器ミラー 15、16 λ／４板 17 光波長変換素子 18 偏光制御素子 19 波長選択素子 20 固体レーザービーム 21 第２高調波 22 ビームスプリッタ 23 光検出器 24 ＡＰＣ回路 10 Laser beam (excitation light) 11 Semiconductor laser 12a, 12b Condensing lens 13 Nd: YLF crystal 14 Resonator mirror 15, 16 λ / 4 plate 17 Optical wavelength conversion element 18 Polarization control element 19 Wavelength selection element 20 Solid-state laser beam 21 Second harmonic 22 Beam splitter 23 Photodetector 24 APC circuit
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8272399AJP2000277839A (en) | 1999-03-26 | 1999-03-26 | Driving method for semiconductor laser pumped solid- state laser |
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination | Free format text:JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date:20060606 |