【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明はシリコンウェーハの
表面を洗浄する方法に関するものである。The present invention relates to a method for cleaning the surface of a silicon wafer.
【０００２】[0002]
【従来の技術】シリコンウェーハの表面には、その製造
の加工中に金属不純物や粒径が１μｍ以下の微粒子、有
機物等が付着し、かつピット等の欠陥が形成される。半
導体デバイスの高集積化、高機能化に伴って、シリコン
ウエーハの表面がこれらの金属不純物や微粒子、有機物
で汚染されておらず、かつ欠陥がないことが益々要求さ
れ、そのためのシリコンウエーハの洗浄技術は半導体デ
バイス技術全体の中で極めて重要なものとなってきてい
る。従来のシリコンウエーハの洗浄方法として、過酸化
水素と水酸化アンモニウムの混合液であるＳＣ−１洗浄
液と、過酸化水素と塩酸の混合液であるＳＣ−２洗浄液
を用いたＲＣＡ洗浄法が知られている。ＳＣ−１洗浄液
はパーティクルの除去に効果的であり、ＳＣ−２洗浄液
は金属の除去に効果的であることが知られている。2. Description of the Related Art Metal impurities, fine particles having a particle size of 1 μm or less, organic substances, and the like adhere to the surface of a silicon wafer during processing, and defects such as pits are formed. As semiconductor devices become more highly integrated and more sophisticated, it is increasingly required that the surface of the silicon wafer is not contaminated with these metallic impurities, fine particles, and organic substances, and is free from defects. Technology has become extremely important in the overall semiconductor device technology. As a conventional silicon wafer cleaning method, an RCA cleaning method using an SC-1 cleaning solution which is a mixed solution of hydrogen peroxide and ammonium hydroxide and an SC-2 cleaning solution which is a mixed solution of hydrogen peroxide and hydrochloric acid is known. ing. It is known that the SC-1 cleaning solution is effective for removing particles, and the SC-2 cleaning solution is effective for removing metals.
【０００３】このＲＣＡ洗浄法では、先ずシリコンウエ
ーハをＳＣ−１洗浄液に浸漬して、この洗浄液の酸化性
及び還元性の性質によりウェーハから微粒子及び有機物
を除去する。即ち、このＳＣ−１洗浄液中では酸化と還
元の両反応が同時に行われ、アンモニアによる還元と過
酸化水素による酸化が同一槽で競合して起こり、同時に
水酸化アンモニウム溶液のエッチング作用によって微粒
子及び有機物をウェーハ表面から離脱させることにより
除去する。またシリコンウエーハの加工により生じた機
械的な微小欠陥を除去する。次いでシリコンウエーハを
フッ酸水溶液に浸漬して基板表面の自然酸化膜を除去し
た後、このシリコンウエーハをＳＣ−２洗浄液に浸漬し
て、ＳＣ−１洗浄液で不溶のアルカリイオンや金属不純
物を除去する。このため、ＲＣＡ洗浄は水酸化アンモニ
ウム溶液のエッチング作用により清浄化された基板表面
を酸性溶液の洗浄によって再清浄化することになる。In this RCA cleaning method, first, a silicon wafer is immersed in an SC-1 cleaning liquid, and fine particles and organic substances are removed from the wafer by the oxidizing and reducing properties of the cleaning liquid. That is, in the SC-1 cleaning solution, both oxidation and reduction reactions are performed simultaneously, and reduction by ammonia and oxidation by hydrogen peroxide compete in the same tank, and at the same time, fine particles and organic substances are etched by the ammonium hydroxide solution. By removing from the wafer surface. In addition, mechanical minute defects generated by processing the silicon wafer are removed. Next, the silicon wafer is immersed in a hydrofluoric acid aqueous solution to remove a natural oxide film on the substrate surface, and then the silicon wafer is immersed in an SC-2 cleaning solution to remove insoluble alkali ions and metal impurities with the SC-1 cleaning solution. . Therefore, the RCA cleaning re-cleans the substrate surface cleaned by the etching action of the ammonium hydroxide solution by cleaning with an acidic solution.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記ＳＣ−１
洗浄液中では、巨視的に見た場合、シリコンウエーハ表
面において酸化反応と還元反応が同時に起る。従って、
シリコンウェーハの酸化は反応律速で行われ、洗浄前の
表面形状が洗浄後もそのまま維持される。即ち、洗浄に
よって初期表面形状を改善することができない。またＳ
Ｃ−１洗浄液を微視的に見た場合、洗浄液の組成は一定
でないため、酸化優位な箇所と還元優位な箇所が生じ、
微小領域における面荒れが発生する。However, the above SC-1
In the cleaning solution, when viewed macroscopically, an oxidation reaction and a reduction reaction occur simultaneously on the surface of the silicon wafer. Therefore,
Oxidation of the silicon wafer is performed at a reaction rate, and the surface shape before cleaning is maintained after cleaning. That is, the initial surface shape cannot be improved by cleaning. Also S
When the cleaning liquid C-1 is microscopically observed, the composition of the cleaning liquid is not constant, so that there are places where oxidation is superior and places where reduction is superior,
Surface roughness occurs in a minute area.
【０００５】本発明の目的は、シリコンウェーハの加工
により生じるピット等の微小欠陥のサイズを低減させる
ことができ、シリコンウエーハ表面の微小領域における
面荒れを抑制できるシリコンウエーハの洗浄方法を提供
することにある。An object of the present invention is to provide a method for cleaning a silicon wafer, which can reduce the size of micro defects such as pits generated by processing a silicon wafer and can suppress surface roughness in a minute region on the surface of the silicon wafer. It is in.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
シリコンウェーハを酸化する工程とこの酸化したシリコ
ンウエーハを還元する工程とを含むシリコンウエーハの
洗浄方法である。請求項２に係る発明は、請求項１に係
る発明であって、シリコンウェーハの酸化とシリコンウ
エーハの還元が繰返し行われる洗浄方法である。請求項
３に係る発明は、請求項１又は２に係る発明であって、
シリコンウエーハの酸化が溶存オゾン水溶液に浸漬する
ことにより行われる洗浄方法である。請求項４に係る発
明は、請求項１又は２に係る発明であって、シリコンウ
エーハの還元がフッ酸又はフッ酸とカルボキシル基を含
む有機酸若しくは有機酸塩の混合液に浸漬することによ
り行われる洗浄方法である。The invention according to claim 1 is
A silicon wafer cleaning method including a step of oxidizing a silicon wafer and a step of reducing the oxidized silicon wafer. The invention according to claim 2 is the invention according to claim 1, and is a cleaning method in which oxidation of the silicon wafer and reduction of the silicon wafer are repeatedly performed. The invention according to claim 3 is the invention according to claim 1 or 2,
This is a cleaning method in which oxidation of a silicon wafer is performed by immersing the silicon wafer in a dissolved ozone aqueous solution. The invention according to claim 4 is the invention according to claim 1 or 2, wherein the reduction of the silicon wafer is performed by immersion in hydrofluoric acid or a mixed solution of hydrofluoric acid and an organic acid or an organic acid salt containing a carboxyl group. This is the cleaning method used.
【０００７】請求項５に係る発明は、請求項４に係る発
明であって、フッ酸の濃度が０．００５〜０．２５重量
％である洗浄方法である。請求項６に係る発明は、請求
項４又は５に係る発明であって、有機酸若しくは有機酸
塩の濃度が０．０００１重量％以上である洗浄方法であ
る。請求項７に係る発明は、請求項４ないし６いずれか
に係る発明であって、有機酸若しくは有機酸塩がクエン
酸、コハク酸、エチレンジアミン四酢酸、酒石酸、サリ
チル酸、シュウ酸、酢酸、ギ酸、プロピオン酸、酪酸、
吉草酸、カプロン酸、エナント酸、カプリル酸、安息香
酸、アクリル酸、アジピン酸、マロン酸、リンゴ酸、フ
タル酸、グリコール酸、テレフタル酸及びフマル酸から
なる群より選ばれた１種又は２種以上の有機酸又はその
塩である洗浄方法である。A fifth aspect of the present invention is the cleaning method according to the fourth aspect, wherein the concentration of hydrofluoric acid is 0.005 to 0.25% by weight. The invention according to claim 6 is the invention according to claim 4 or 5, wherein the concentration of the organic acid or the organic acid salt is 0.0001% by weight or more. The invention according to claim 7 is the invention according to any one of claims 4 to 6, wherein the organic acid or organic acid salt is citric acid, succinic acid, ethylenediaminetetraacetic acid, tartaric acid, salicylic acid, oxalic acid, acetic acid, formic acid, Propionic acid, butyric acid,
One or two selected from the group consisting of valeric acid, caproic acid, enanthic acid, caprylic acid, benzoic acid, acrylic acid, adipic acid, malonic acid, malic acid, phthalic acid, glycolic acid, terephthalic acid and fumaric acid The washing method is an organic acid or a salt thereof as described above.
【０００８】[0008]
【発明の実施の形態】本発明の好ましい実施の形態の洗
浄方法は、図１に示すようにシリコンウェーハを酸化す
る工程１１とこの酸化したシリコンウエーハを還元する
工程１２とを含む。酸化工程と還元工程を分離すること
により、先ず酸化工程でシリコンウエーハ表面に酸化種
が効果的に拡散してウェーハ表面に酸化膜が均一に形成
される。次いで還元工程でこの酸化膜が除去される。こ
れによりピット等の微小欠陥のサイズを低減させる効果
が生じ、またシリコンウエーハ表面の微小領域における
面荒れを抑制できる効果も生じる。上記洗浄方法におい
て、シリコンウェーハの酸化とシリコンウエーハの還元
を繰返し行うことが好ましい。ここで、酸化したシリコ
ンウェーハを直ちに還元してもよいが、酸化したシリコ
ンウェーハを酸化・還元作用の小さい液、例えば超純水
に浸漬した後、還元してもよい。特に酸化と還元を繰返
す場合には、酸化工程と還元工程の間、及び還元工程と
酸化工程の間にシリコンウェーハを酸化・還元作用の小
さい液に浸漬する工程をそれぞれ設けることが好まし
い。シリコンウエーハの酸化は、溶存オゾン水溶液に浸
漬することにより行われ、シリコンウエーハの還元は、
フッ酸又はフッ酸とカルボキシル基を含む有機酸若しく
は有機酸塩の混合液に浸漬することにより行われること
が好ましい。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS As shown in FIG. 1, a cleaning method according to a preferred embodiment of the present invention includes a step 11 for oxidizing a silicon wafer and a step 12 for reducing the oxidized silicon wafer. By separating the oxidizing step and the reducing step, first, in the oxidizing step, oxidizing species are effectively diffused on the surface of the silicon wafer and an oxide film is uniformly formed on the surface of the wafer. Next, this oxide film is removed in a reduction step. This has the effect of reducing the size of minute defects such as pits, and also has the effect of suppressing surface roughness in minute regions on the silicon wafer surface. In the above-described cleaning method, it is preferable that oxidation of the silicon wafer and reduction of the silicon wafer are repeatedly performed. Here, the oxidized silicon wafer may be immediately reduced, or the oxidized silicon wafer may be reduced after being immersed in a liquid having a small oxidation / reduction action, for example, ultrapure water. In particular, when oxidation and reduction are repeated, it is preferable to provide a step of immersing the silicon wafer in a liquid having a small oxidation / reduction action between the oxidation step and the reduction step and between the reduction step and the oxidation step. Oxidation of the silicon wafer is performed by immersion in a dissolved ozone aqueous solution, and reduction of the silicon wafer is performed by:
It is preferable to carry out the treatment by immersion in hydrofluoric acid or a mixture of hydrofluoric acid and an organic acid or organic acid salt containing a carboxyl group.
【０００９】酸化工程１１で使用される溶存オゾン水溶
液のオゾン濃度は０．５ｐｐｍ以上であることが好まし
い。０．５ｐｐｍ未満であるとウェーハ表面に親水性の
酸化膜を形成することが困難となり、またウェーハ表面
に付着していた有機酸や有機物の分解除去作用が低下す
る。純水へのオゾンの溶解限界は約２５ｐｐｍであるた
め、溶存オゾン水溶液のオゾン濃度は２〜２５ｐｐｍが
より好ましい。還元工程１２で使用されるフッ酸の濃度
は０．００５〜０．２５重量％である。特に０．００５
〜０．１０重量％が好ましく、０．０５〜０．１０重量
％が更に好ましい。０．００５重量％未満では、シリコ
ンウエーハ表面の酸化膜が溶解しにくく、また０．２５
重量％を超えると、この液が強酸となり液中の有機酸の
解離が抑制され、その錯化作用が低下するとともに、微
粒子の表面電位が０に近くなり、またウェーハ表面の酸
化膜が完全に除去されるので、微粒子がウェーハ表面に
再付着するようになる。The ozone concentration of the aqueous solution of dissolved ozone used in the oxidation step 11 is preferably 0.5 ppm or more. If it is less than 0.5 ppm, it is difficult to form a hydrophilic oxide film on the wafer surface, and the action of decomposing and removing organic acids and organic substances attached to the wafer surface is reduced. Since the solubility limit of ozone in pure water is about 25 ppm, the ozone concentration of the dissolved ozone aqueous solution is more preferably 2 to 25 ppm. The concentration of hydrofluoric acid used in the reduction step 12 is 0.005 to 0.25% by weight. Especially 0.005
-0.10% by weight, more preferably 0.05-0.10% by weight. If the content is less than 0.005% by weight, the oxide film on the surface of the silicon wafer is hardly dissolved,
If it exceeds 10% by weight, the solution becomes a strong acid, the dissociation of the organic acid in the solution is suppressed, the complexing action is reduced, the surface potential of the fine particles is close to 0, and the oxide film on the wafer surface is completely removed. As they are removed, the particles will re-adhere to the wafer surface.
【００１０】還元工程１２で使用される液中の有機酸若
しくは有機酸塩の種類及びその濃度は、除去しようとす
る金属不純物の種類に応じて決められる。液中の有機酸
若しくは有機酸塩の濃度は０．０００１重量％以上であ
る。好ましくは０．００３〜１０重量％である。０．０
００１重量％未満ではウェーハ表面から遊離した金属不
純物イオンの錯化作用が十分でない不具合がある。還元
工程１２で用いられる有機酸若しくは有機酸塩として
は、クエン酸、コハク酸、エチレンジアミン四酢酸、酒
石酸、サリチル酸、シュウ酸、酢酸、ギ酸、プロピオン
酸、酪酸、吉草酸、カプロン酸、エナント酸、カプリル
酸、安息香酸、アクリル酸、アジピン酸、マロン酸、リ
ンゴ酸、フタル酸、グリコール酸、テレフタル酸及びフ
マル酸からなる群より選ばれた１種又は２種以上の有機
酸又はその塩が挙げられる。上記列挙した有機酸若しく
は有機酸塩はウェーハを汚染する不純物の金属イオンの
錯化作用がある。The type and concentration of the organic acid or organic acid salt in the liquid used in the reduction step 12 are determined according to the type of the metal impurity to be removed. The concentration of the organic acid or organic acid salt in the liquid is 0.0001% by weight or more. Preferably it is 0.003 to 10% by weight. 0.0
If the content is less than 001% by weight, there is a problem that the complexing action of metal impurity ions released from the wafer surface is not sufficient. Organic acids or organic acid salts used in the reduction step 12 include citric acid, succinic acid, ethylenediaminetetraacetic acid, tartaric acid, salicylic acid, oxalic acid, acetic acid, formic acid, propionic acid, butyric acid, valeric acid, caproic acid, enanthic acid, One or more organic acids or salts thereof selected from the group consisting of caprylic acid, benzoic acid, acrylic acid, adipic acid, malonic acid, malic acid, phthalic acid, glycolic acid, terephthalic acid and fumaric acid. Can be The above-listed organic acids or organic acid salts have a function of complexing metal ions of impurities that contaminate the wafer.
【００１１】[0011]
【実施例】次に本発明の実施例を比較例とともに説明す
る。 ＜実施例１＞通常の研磨工程を経た未洗浄のシリコンウ
エーハを下記の条件にて洗浄処理した。工程１１とし
て、上記シリコンウエーハを溶存オゾン水溶液（オゾン
濃度：５ｐｐｍ）に浸漬し、室温で５分間処理した。次
いで工程１２として、上記工程１１で処理されたシリコ
ンウエーハを室温の希フッ酸（フッ酸濃度：０．１％）
に４分間浸漬した。この工程１１と工程１２からなる洗
浄工程を１サイクルとして、このサイクルを７回、１４
回及び２１回それぞれ繰返した。Next, examples of the present invention will be described together with comparative examples. <Example 1> An uncleaned silicon wafer having undergone a normal polishing step was subjected to a cleaning treatment under the following conditions. In step 11, the silicon wafer was immersed in a dissolved ozone aqueous solution (ozone concentration: 5 ppm) and treated at room temperature for 5 minutes. Next, in step 12, the silicon wafer treated in step 11 is diluted with diluted hydrofluoric acid (hydrofluoric acid concentration: 0.1%) at room temperature.
For 4 minutes. The washing process including the process 11 and the process 12 is defined as one cycle, and this cycle is performed seven times,
And 21 times each.
【００１２】＜実施例２＞通常の研磨工程を経た未洗浄
のシリコンウエーハを下記の条件にて洗浄処理した。工
程１１として、上記シリコンウエーハを溶存オゾン水溶
液（オゾン濃度：５ｐｐｍ）に浸漬し、室温で５分間処
理した。次いで工程１２として、上記工程１１で処理さ
れたシリコンウエーハを希フッ酸（フッ酸濃度：０．１
％）とクエン酸（クエン酸濃度：０．６３ｇ／純水１０
００ｃｃ）の混合液に室温で４分間浸漬した。この工程
１１と工程１２からなる洗浄工程を１サイクルとして、
このサイクルを７回、１４回及び２１回それぞれ繰返し
た。<Example 2> An uncleaned silicon wafer having undergone a normal polishing step was subjected to a cleaning treatment under the following conditions. In step 11, the silicon wafer was immersed in a dissolved ozone aqueous solution (ozone concentration: 5 ppm) and treated at room temperature for 5 minutes. Next, in step 12, the silicon wafer treated in step 11 is diluted with hydrofluoric acid (hydrofluoric acid concentration: 0.1
%) And citric acid (citric acid concentration: 0.63 g / pure water 10)
(00 cc) of the mixed solution at room temperature for 4 minutes. The cleaning process including the process 11 and the process 12 is defined as one cycle.
This cycle was repeated 7, 14 and 21 times, respectively.
【００１３】＜比較例１＞従来のＲＣＡ洗浄法を比較例
１の洗浄法として採用した。即ち、実施例１と同様に通
常の研磨工程を経た未洗浄のシリコンウエーハをＳＣ−
１洗浄液（Ｈ2Ｏ：Ｈ2Ｏ2(30%)：ＮＨ4ＯＨ(29%)＝５：
１：０．５の混合液）に浸漬し、８０℃で５分間、１０
分間及び１５分間それぞれ処理した。Comparative Example 1 A conventional RCA cleaning method was employed as the cleaning method of Comparative Example 1. That is, an uncleaned silicon wafer that has undergone a normal polishing process as in Example 1 is SC-
1 Washing liquid (H2 O: H2 O2 (30%): NH4 OH (29%) = 5:
1: 0.5 mixed solution) at 80 ° C. for 5 minutes.
For 15 minutes and 15 minutes, respectively.
【００１４】＜比較試験と評価＞ (a) 平均表面粗さ 実施例１、実施例２及び比較例１のそれぞれ洗浄した後
のシリコンウェーハの平均表面粗さ（Ｒａ）を原子間力
顕微鏡（ＡＦＭ）を用いて測定した。その結果を図２に
示す。図２から明らかなように、実施例１及び実施例２
の場合には、洗浄サイクルが７回、１４回及び２１回と
繰返されてもＲａは０．１２ｎｍ程度であり、大きな変
化は見られなかった。これに対して比較例１の場合に
は、シリコンウエーハはＳＣ−１洗浄液で５分間洗浄さ
れることによりＲａは約０．１２ｎｍから０．１４５ｎ
ｍ程度まで増加し、さらに１０分間及び１５分間洗浄さ
れることによりＲａは約０．１７ｎｍ程度まで増加し
た。このことから、実施例１〜２の洗浄方法は比較例１
の洗浄方法に比べてシリコンウエーハ表面の微小領域に
おける面荒れを抑制する能力が高いことが判る。<Comparison Test and Evaluation> (a) Average Surface Roughness The average surface roughness (Ra) of each of the cleaned silicon wafers of Example 1, Example 2 and Comparative Example 1 was measured by an atomic force microscope (AFM). ). The result is shown in FIG. As is clear from FIG. 2, the first embodiment and the second embodiment
In the case of No. 5, even when the washing cycle was repeated 7, 14 and 21 times, Ra was about 0.12 nm, and no significant change was observed. On the other hand, in the case of Comparative Example 1, the silicon wafer was cleaned with the SC-1 cleaning solution for 5 minutes, so that Ra was about 0.12 nm to 0.145 n.
m, and Ra further increased to about 0.17 nm by washing for 10 minutes and 15 minutes. From this, the cleaning methods of Examples 1 and 2 were compared with Comparative Example 1
It can be seen that the ability to suppress surface roughness in a minute region of the silicon wafer surface is higher than that of the cleaning method described above.
【００１５】(b) 微小欠陥（Light Point Defect）の変
化量 実施例１、実施例２及び比較例１のそれぞれのシリコン
ウエーハの所定領域における洗浄前後の微小欠陥をパー
ティクルカウンターを用いて微小欠陥のサイズ毎に測定
した。洗浄前の微小欠陥の数をＮ0とし、洗浄後の微小
欠陥をＮ1として、微小欠陥の変化量△Ｎ＝Ｎ1−Ｎ0を
求めた。その結果を図３に示す。図３から明らかなよう
に、実施例１及び実施例２の場合には、０．１７μｍ以
上の大きな微小欠陥は増加しないのに対し、比較例１で
は、０．１７μｍ以上の大きな微小欠陥も増加した。こ
のことから、実施例１〜２の洗浄方法は比較例１の洗浄
方法に比べて、ピット等の微小欠陥のサイズ増大を抑制
する能力が高いことが判る。(B) Variation of minute defect (Light Point Defect) The minute defect before and after cleaning in a predetermined region of each of the silicon wafers of Example 1, Example 2 and Comparative Example 1 is determined by using a particle counter. It was measured for each size. Assuming that the number of micro defects before cleaning is N0 and the micro defects after cleaning is N1 , the variation ΔN = N1 −N0 of the micro defects was obtained. The result is shown in FIG. As is clear from FIG. 3, in Examples 1 and 2, large microdefects of 0.17 μm or more did not increase, whereas in Comparative Example 1, large microdefects of 0.17 μm or more also increased. did. This indicates that the cleaning methods of Examples 1 and 2 have a higher ability to suppress the increase in the size of micro defects such as pits than the cleaning method of Comparative Example 1.
【００１６】[0016]
【発明の効果】以上述べたように、本発明の洗浄方法で
は、シリコンウェーハを酸化した後、還元する工程を繰
返すことにより、シリコンウェーハの加工により生じる
ピット等の微小欠陥のサイズ増大を抑制することがで
き、またシリコンウエーハ表面の微小領域における面荒
れを抑制できる。As described above, in the cleaning method of the present invention, the step of oxidizing a silicon wafer and then reducing it is repeated to suppress an increase in the size of micro defects such as pits generated by processing the silicon wafer. And the surface roughness in a minute region on the surface of the silicon wafer can be suppressed.
【図１】本発明の実施の形態の洗浄工程を示す図。FIG. 1 is a diagram showing a cleaning step according to an embodiment of the present invention.
【図２】実施例１、実施例２及び比較例１の洗浄後のシ
リコンウェーハ表面の平均表面粗さ（Ｒａ）を示す図。FIG. 2 is a view showing an average surface roughness (Ra) of a silicon wafer surface after cleaning in Example 1, Example 2, and Comparative Example 1.
【図３】実施例１、実施例２及び比較例１の洗浄後のシ
リコンウェーハの微小欠陥の変化量（△Ｎ）を示す図。FIG. 3 is a diagram showing a variation (ΔN) of a minute defect of a silicon wafer after cleaning in Example 1, Example 2, and Comparative Example 1.
１１ シリコンウエーハの酸化工程 １２ シリコンウエーハの還元工程 11 Oxidation process of silicon wafer 12 Reduction process of silicon wafer
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 原田 剛 東京都千代田区大手町１丁目５番１号 三 菱マテリアル株式会社シリコン研究センタ ー内 (72)発明者 高田 涼子 東京都千代田区大手町１丁目５番１号 三 菱マテリアル株式会社シリコン研究センタ ー内 (72)発明者 高石 和成 東京都千代田区大手町１丁目５番１号 三 菱マテリアル株式会社シリコン研究センタ ー内 Ｆターム(参考） 5F043 AA02 BB27 DD30 GG10 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Tsuyoshi Harada 1-5-1, Otemachi, Chiyoda-ku, Tokyo Mitsui Materials Corporation Silicon Research Center (72) Inventor Ryoko Takada 1 Otemachi 1, Chiyoda-ku, Tokyo No.5-1, Mitsui Materials Co., Ltd. Silicon Research Center (72) Inventor Kazunari Takaishi 1-5-1, Otemachi, Chiyoda-ku, Tokyo Mitsui Materials Co., Ltd. Silicon Research Center F-term (reference) 5F043 AA02 BB27 DD30 GG10
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| JP2000277473Atrue JP2000277473A (en) | 2000-10-06 |
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| WO2007129555A1 (en)* | 2006-05-02 | 2007-11-15 | Mimasu Semiconductor Industry Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor substrate, solar semiconductor substrate, and etching liquid |
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| JP4795430B2 (en)* | 2006-05-02 | 2011-10-19 | 三益半導体工業株式会社 | Semiconductor substrate manufacturing method and etching solution |
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|---|---|---|
| KR100340274B1 (en) | Cleaning Method of Semiconductor Substrate | |
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