【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、メッキ被膜の形成
方法および半導体装置の製造方法に関し、詳しくはアル
ミニウム系金属からなる電極部上にニッケル系無電解メ
ッキ層を形成するメッキ被膜の形成方法およびこのメッ
キ被膜の形成方法を用いた半導体装置の製造方法に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for forming a plating film and a method for manufacturing a semiconductor device, and more particularly to a method for forming a plating film for forming a nickel-based electroless plating layer on an electrode portion made of aluminum-based metal. The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device using the method for forming a plating film.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来のバンプ形成は、半田や金が用いら
れているが、コストやリペアの面から半田を用いること
が有利である。ところが、アルミニウム系金属電極の表
面には、数ｎｍ厚の酸化膜が存在するため、半田の濡れ
性が悪い。また一旦濡れると、アルミニウム−スズの共
晶反応が起こる。しかもその反応物は腐食されやすい。
そこで、通常はバンプと電極界面に下地金属〔パラジウ
ム（Ｐｄ）／ニッケル（Ｎｉ）／チタン（Ｔｉ）、金
（Ａｕ）／銅（Ｃｕ）／クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）／
白金（Ｐｔ）／チタン（Ｔｉ）等〕を形成している。2. Description of the Related Art In the conventional bump formation, solder or gold is used, but it is advantageous to use solder in terms of cost and repair. However, since an oxide film having a thickness of several nm exists on the surface of the aluminum-based metal electrode, the wettability of the solder is poor. Also, once wet, an aluminum-tin eutectic reaction occurs. Moreover, the reactants are susceptible to corrosion.
Therefore, the base metal [palladium (Pd) / nickel (Ni) / titanium (Ti), gold (Au) / copper (Cu) / chromium (Cr), gold (Au) /
Platinum (Pt) / titanium (Ti) etc.].
【０００３】しかし、この方法では、上記下地金属を蒸
着やスパッタリングでウエハ全面に形成した後、汎用フ
ォトリソグラフィーとエッチング技術を用いて電極部だ
け開孔する。その後、蒸着、電解メッキ、浸漬等の方法
によって、半田バンプを形成する。次いで、レジストを
剥離してから、半田バンプをマスクにして、下地金属を
エッチングする。さらに、蒸着の場合は、最後にリフロ
ーを行い、ウエットバックを行って半球状のバンプ形状
を保つ方法等が実施されている。However, in this method, after the base metal is formed on the entire surface of the wafer by vapor deposition or sputtering, only the electrode portion is opened using general-purpose photolithography and etching techniques. Thereafter, solder bumps are formed by a method such as vapor deposition, electrolytic plating, and immersion. Next, after the resist is removed, the underlying metal is etched using the solder bumps as a mask. Furthermore, in the case of vapor deposition, a method of performing reflow at the end and performing wet back to maintain a hemispherical bump shape is performed.
【０００４】しかしながら、下地金属を用いる必要があ
ること、電解メッキ以外の部分に半田メッキもしくは蒸
着がなされないように、マスクを形成すること等が必要
になり、また高価な装置を利用する必要があり、しかも
工程が複雑になり、コストダウンの障害となっている。However, it is necessary to use a base metal, it is necessary to form a mask so that solder plating or vapor deposition is not performed on portions other than electrolytic plating, and it is necessary to use expensive equipment. In addition, the process becomes complicated, which is an obstacle to cost reduction.
【０００５】そこで、最近では、アルミニウム電極の表
面に無電解メッキ薄層を形成する方法が進展している。
無電解メッキ薄層としては、品質、信頼性、コスト等の
面から総合的に判断して多分野で実績のあるニッケル系
無電解メッキが選択されている。Accordingly, recently, a method of forming a thin electroless plating layer on the surface of an aluminum electrode has been developed.
As the electroless plating thin layer, nickel-based electroless plating, which has a proven track record in various fields, is selected comprehensively in terms of quality, reliability, cost, and the like.
【０００６】ニッケル系無電解メッキ法は、亜鉛置換法
やパラジウム触媒付与法に分類される。一般にニッケル
系無電解メッキ法ではニッケルリン系薄膜層が形成さ
れ、その上に無電解のフラッシュ金メッキ薄膜層が形成
される。パラジウム触媒付与法はパラジウム価格の変動
が大きく、亜鉛置換法がコスト面で有利である。[0006] The nickel-based electroless plating method is classified into a zinc substitution method and a palladium catalyst application method. Generally, in the nickel-based electroless plating method, a nickel-phosphorus-based thin film layer is formed, and an electroless flash gold-plated thin film layer is formed thereon. The palladium catalyst application method has a large fluctuation in palladium price, and the zinc substitution method is advantageous in terms of cost.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
技術では以下のような課題がある。However, the prior art has the following problems.
【０００８】アルミニウム電極部の表面は、チップ合
否測定等での汚れの付着、バッドマークの焼き付けでの
汚れの付着、空気中での酸化膜の生成、ウエットエッチ
ング時の水酸化膜の生成があり、このままでは無電解メ
ッキ層を形成することが困難である。そこで、酸性脱脂
剤（硫酸タイプ）および低濃度のアルカリ（ＫＯＨ）を
用いた前処理を行っていたが、アルミニウム電極の表面
に生成される数ｎｍ厚の酸化膜は除去することは困難で
あった。また、酸エッチング処理（硫酸−フッ酸含有、
９８％硫酸等）では、酸化膜を除去することができる
が、酸エッチング処理によってアルミニウムパッドが溶
解、脱落しやすいので、量産条件の安定性に課題があっ
た。On the surface of the aluminum electrode portion, there is adhesion of dirt in chip pass / fail measurement, etc., adhesion of bad marks by burning, formation of an oxide film in the air, and formation of a hydroxide film in wet etching. In this state, it is difficult to form an electroless plating layer. Therefore, pretreatment using an acidic degreasing agent (sulfuric acid type) and a low concentration of alkali (KOH) has been performed, but it is difficult to remove an oxide film having a thickness of several nm formed on the surface of the aluminum electrode. Was. In addition, acid etching treatment (containing sulfuric acid and hydrofluoric acid,
With 98% sulfuric acid, etc., the oxide film can be removed, but there is a problem in stability of mass production conditions because the aluminum pad is easily dissolved and dropped off by the acid etching treatment.
【０００９】形成されたニッケル系無電解メッキとフ
ラッシュ金メッキ層の表面には、水酸化ニッケル化合物
膜が存在し、これが金ボンド付き性や半田バンプ付き性
を悪化させている。A nickel hydroxide compound film is present on the surface of the formed nickel-based electroless plating and flash gold plating layers, which deteriorates the gold bondability and the solder bumpability.
【００１０】アルミニウムとニッケル系無電解メッキ
との密着性が低い。Low adhesion between aluminum and nickel-based electroless plating.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するために成されたメッキ被膜の形成方法および半導
体装置の製造方法である。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides a method for forming a plating film and a method for manufacturing a semiconductor device, which have been made to solve the above-mentioned problems.
【００１２】本発明のメッキ被膜の形成方法は、基板に
形成された電極部上に無電解メッキを施すメッキ被膜の
形成方法において、無電解メッキを行う前に電極部をプ
ラズマクリーニングする。超音波法により電極部の表面
に亜鉛置換層を形成した後、無電解メッキによりニッケ
ル系無電解メッキ層を形成する。この亜鉛置換層を形成
する亜鉛置換処理は、複数回に分けて行い、かつ初回よ
り回を重ねる毎に各回の処理時間を長くして亜鉛置換処
理を行う。そして、ニッケル系無電解メッキ層を形成し
た後、使用する半田の融点以上の温度でニッケル系無電
解メッキ層に不活性ガス雰囲気中でアニーリングを施
す。According to the method of forming a plating film of the present invention, in the method of forming a plating film for performing electroless plating on an electrode portion formed on a substrate, the electrode portion is plasma-cleaned before performing the electroless plating. After a zinc-substituted layer is formed on the surface of the electrode portion by an ultrasonic method, a nickel-based electroless plated layer is formed by electroless plating. The zinc substitution treatment for forming this zinc substitution layer is performed in a plurality of times, and the zinc substitution treatment is performed by increasing the treatment time for each treatment each time the treatment is repeated from the first time. Then, after forming the nickel-based electroless plating layer, annealing is performed on the nickel-based electroless plating layer in an inert gas atmosphere at a temperature equal to or higher than the melting point of the solder to be used.
【００１３】上記メッキ被膜の形成方法では、無電解メ
ッキを行う前に電極部をプラズマクリーニングすること
から、電極部表面に形成されている酸化膜、水酸化膜、
有機系の汚れが除去される。In the method of forming a plating film, the electrode portion is subjected to plasma cleaning before performing the electroless plating, so that an oxide film, a hydroxide film,
Organic dirt is removed.
【００１４】超音波法により電極部の表面に亜鉛置換層
を形成した後、無電解メッキによりニッケル系無電解メ
ッキ層を形成することから、超音波の印加により発生期
の水素の分離が促進され、ニッケル系無電解メッキ層の
成長速度が高められて、メッキむらが無くなり、電極部
に対するニッケル系無電解めっき層の密着力が向上す
る。Since a nickel-based electroless plating layer is formed by electroless plating after forming a zinc-substituted layer on the surface of the electrode portion by an ultrasonic method, the separation of nascent hydrogen is promoted by the application of ultrasonic waves. In addition, the growth rate of the nickel-based electroless plating layer is increased, plating unevenness is eliminated, and the adhesion of the nickel-based electroless plating layer to the electrode portion is improved.
【００１５】また、ニッケル系無電解メッキ層を形成し
た後、使用する半田の融点以上の温度でニッケル系無電
解メッキ層にアニーリングを施すことから、電極部と無
電解メッキ層との界面及び無電解メッキ層中の吸着水分
及びガスが除去される。この亜鉛置換層を形成する亜鉛
置換処理を複数回に分けて行い、かつ初回より回を重ね
る毎に各回の処理時間を長くして処理を行うことから、
亜鉛置換むらが少なくなる。そのため、微小ふくれが無
くなり、ニッケル系無電解メッキ層と電極部との密着性
が向上し、半田付き性が良くなる。また、使用する半田
の融点以上の温度でアニーリングすることにより、半田
を付けた時には水分および吸着ガスの放出が無くなり、
ニッケル系無電解メッキ層と半田との密着性が向上し、
半田の信頼性が高まる。After the nickel-based electroless plating layer is formed, the nickel-based electroless plating layer is annealed at a temperature equal to or higher than the melting point of the solder to be used. Adsorbed moisture and gas in the electrolytic plating layer are removed. Since the zinc substitution treatment for forming the zinc substitution layer is performed in a plurality of times, and the treatment time is increased by increasing the treatment time each time the treatment is repeated from the first time,
Zinc substitution unevenness is reduced. For this reason, fine blisters are eliminated, the adhesion between the nickel-based electroless plating layer and the electrode portion is improved, and the solderability is improved. In addition, by annealing at a temperature equal to or higher than the melting point of the solder used, the release of moisture and adsorbed gas is eliminated when solder is attached,
The adhesion between the nickel-based electroless plating layer and the solder is improved,
Solder reliability is improved.
【００１６】本発明の半導体装置の製造方法は、基板に
形成された電極部をプラズマクリーニングする工程と、
超音波法により前記電極部の表面に亜鉛置換層を形成し
た後、無電解メッキによりニッケル系無電解メッキ層を
形成する工程と、使用する半田の融点以上の温度で前記
ニッケル系無電解メッキ層に対してアニーリングを施す
工程と、ニッケル系無電解メッキ層の表面をプラズマク
リーニングする工程と、ニッケル系無電解メッキ層上に
半田バンプを形成する工程とを備えている。その半田バ
ンプを形成する工程は、ニッケル系無電解メッキ層を形
成した電極部上に一段目の半田バンプを形成する工程
と、一段目の半田バンプをドライクリーニングする工程
と、一段目の半田バンプ上に二段目の半田バンプを形成
する工程とからなる。According to the method of manufacturing a semiconductor device of the present invention, a step of plasma cleaning an electrode portion formed on a substrate;
After forming a zinc-substituted layer on the surface of the electrode portion by an ultrasonic method, forming a nickel-based electroless plating layer by electroless plating, and forming the nickel-based electroless plating layer at a temperature equal to or higher than the melting point of the solder used. , A step of plasma cleaning the surface of the nickel-based electroless plating layer, and a step of forming solder bumps on the nickel-based electroless plating layer. The step of forming the solder bump includes a step of forming a first-stage solder bump on the electrode portion on which the nickel-based electroless plating layer is formed, a step of dry-cleaning the first-stage solder bump, and a step of dry-cleaning the first-stage solder bump. Forming a second-stage solder bump thereon.
【００１７】上記半導体装置の製造方法では、前記メッ
キ被膜の形成方法と同様なる作用が得られる。それとと
もに、ニッケル系無電解メッキ層の表面をプラズマクリ
ーニングすることから、ニッケル系無電解メッキ層の表
面に形成されている水酸化ニッケル化合物、有機系の汚
れ等が除去される。According to the method of manufacturing a semiconductor device, the same operation as that of the method of forming the plating film can be obtained. At the same time, since the surface of the nickel-based electroless plating layer is subjected to plasma cleaning, nickel hydroxide compounds, organic stains, and the like formed on the surface of the nickel-based electroless plating layer are removed.
【００１８】また、半田バンプを形成する際に、ニッケ
ル系無電解メッキ層を形成した電極部上に一段目の半田
バンプを形成した後に、一段目の半田バンプをドライク
リーニングすることから、一段目の半田バンプの表面に
形成されている酸化膜、水酸化膜、有機系の汚れが除去
される。さらに、一段目の半田バンプの融点を二段目の
半田バンプの融点よりも高くすることで、半田バンプの
高さと形状安定による電気的、機械的接続の品質および
信頼性が向上する。In forming the solder bumps, the first-stage solder bumps are dry-cleaned after the first-stage solder bumps are formed on the electrode portions on which the nickel-based electroless plating layers are formed. An oxide film, a hydroxide film, and organic stains formed on the surface of the solder bump are removed. Further, by setting the melting point of the first-stage solder bump higher than the melting point of the second-stage solder bump, the quality and reliability of electrical and mechanical connection due to the height and shape stability of the solder bump are improved.
【００１９】[0019]
【発明の実施の形態】本発明に係わる第１の実施の形態
を、図１の断面図で示す製造工程図によって説明する。
図１では、メッキ被膜の形成方法および半導体装置の製
造方法を示し、一例として、ペリフェラルパッドの場合
を示す。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A first embodiment according to the present invention will be described with reference to a manufacturing process diagram shown in a sectional view of FIG.
FIG. 1 shows a method of forming a plating film and a method of manufacturing a semiconductor device. As an example, a case of a peripheral pad is shown.
【００２０】図１の（１）に示すように、基板（例えば
半導体ウエハ）１１上に設けられたアルミニウム系金属
からなる電極部１２の表面をアルゴン＋フォーミングガ
ス（例えば、窒素＋２％水素）等の放電ガスを用いてプ
ラズマクリーニングする。なお、上記基板１１は、保護
膜１３に被覆され、上記電極部１２上およびスクライブ
ラインＳ上の保護膜１３は除去されている。また基板１
１上に形成されているダイシングアライメントマーク１
４も上記保護膜１３に被覆されている。As shown in FIG. 1A, the surface of an electrode portion 12 made of an aluminum-based metal provided on a substrate (for example, a semiconductor wafer) 11 is coated with argon + forming gas (for example, nitrogen + 2% hydrogen) or the like. Is subjected to plasma cleaning using the discharge gas. The substrate 11 is covered with a protective film 13, and the protective film 13 on the electrode section 12 and the scribe line S is removed. Substrate 1
Dicing alignment mark 1 formed on 1
4 is also covered by the protective film 13.
【００２１】上記プラズマクリーニングでは、高周波平
行平板逆スパッタ方式クリーニング装置等を用い、クリ
ーニングガスには水素を含む不活性なガスとして、例え
ばアルゴン＋フォーミングガス（窒素＋水素）等の放電
ガスを用いてプラズマを発生させ、電極部１２の表面を
クリーニングし、その表面に生じているアルミニウム酸
化膜、アルミニウム水酸化膜および有機物汚れ等を除去
する。このとき、従来のアルゴンガスのみを用いたクリ
ーニングでは不十分であり、水素含有のフォーミングガ
スを混入することで、プラズマ中にラジカルな水素を発
生させ、これによるアルミニウム酸化膜の還元とアルゴ
ンガスの物理的衝撃により、アルミニウム酸化膜、アル
ミニウム水酸化膜等を除去する。In the above-mentioned plasma cleaning, a high frequency parallel plate reverse sputtering type cleaning apparatus or the like is used, and a cleaning gas such as argon + forming gas (nitrogen + hydrogen) is used as an inert gas containing hydrogen. Plasma is generated to clean the surface of the electrode portion 12 to remove an aluminum oxide film, an aluminum hydroxide film, organic contaminants, and the like generated on the surface. At this time, the conventional cleaning using only argon gas is not sufficient. By mixing a hydrogen-containing forming gas, radical hydrogen is generated in the plasma, thereby reducing the aluminum oxide film and reducing the argon gas. The aluminum oxide film, the aluminum hydroxide film and the like are removed by physical impact.
【００２２】次に、図１の（２）に示すように、超音波
法、特にメガソニック超音波法により、上記電極部１２
の表面に亜鉛置換層（図示省略）とニッケル系無電解メ
ッキ層１５とを形成する。Next, as shown in FIG. 1B, the electrode portion 12 is formed by an ultrasonic method, in particular, a megasonic ultrasonic method.
A zinc-substituted layer (not shown) and a nickel-based electroless plating layer 15 are formed on the surface of the substrate.
【００２３】上記亜鉛置換法は、亜鉛を強アルカリ性溶
液に溶解させ、亜鉛イオンを形成させて硝酸液中に浸漬
した際や水洗時に形成された電極部１２の表面の酸化被
膜を除去するとともに、アルミニウムより電位的に負で
ある亜鉛粒子と鉄粒子とを溶液中のアルミニウム系金属
からなる電極部１２の表面に置換析出させ、上記亜鉛置
換層を形成する。この亜鉛置換層中の鉄粒子の量（ニッ
ケル系無電解メッキ液に投入した時の電極部１２上にあ
る鉄粒子の量）によって、電極部１２とニッケル系無電
解メッキ層１５との密着力が決定する。In the above zinc substitution method, zinc is dissolved in a strong alkaline solution to form zinc ions, and the oxide film formed on the surface of the electrode portion 12 formed when immersed in a nitric acid solution or washed with water is removed. Zinc particles and iron particles, which are more negative in potential than aluminum, are substituted and deposited on the surface of the electrode portion 12 made of an aluminum-based metal in the solution to form the zinc-substituted layer. The adhesion force between the electrode portion 12 and the nickel-based electroless plating layer 15 depends on the amount of the iron particles in the zinc-substituted layer (the amount of the iron particles on the electrode portion 12 when injected into the nickel-based electroless plating solution). Is determined.
【００２４】上記のように亜鉛置換処理を行った電極部
１２をニッケル系無電解メッキ液に投入すると、電極部
１２の表面の亜鉛粒子はほとんど溶解してメッキ浴中の
ニッケルイオンと置換する。そして、かなりの鉄粒子は
電極部１２の表面上に残り、メッキ初期反応の触媒核と
して、次亜りん酸塩の酸化を助けてメッキ反応を推進さ
せ、数秒後にメッキ被膜が形成される。When the electrode portion 12 having been subjected to the zinc substitution treatment as described above is introduced into a nickel-based electroless plating solution, zinc particles on the surface of the electrode portion 12 are almost dissolved and replaced with nickel ions in the plating bath. Then, considerable iron particles remain on the surface of the electrode portion 12 and serve as catalyst nuclei for the initial reaction of the plating to assist the oxidation of hypophosphite to promote the plating reaction, and a plating film is formed several seconds later.
【００２５】この時、新しいメッキ液の場合、メッキ液
に投入後に亜鉛はほとんど溶解し、鉄はかなり残る。新
しいメッキ液はメッキ成長速度が速く、鉄の溶解は少な
く、ブリスター（微小ふくれ）の発生はない。At this time, in the case of a fresh plating solution, zinc is almost dissolved after being put into the plating solution, and iron remains considerably. The new plating solution has a high plating growth rate, little iron dissolution, and no blistering (fine swelling).
【００２６】一方、老化したメッキ液の場合、メッキ液
に投入後に亜鉛はほとんど溶解し、鉄はかなり残るが新
しいメッキ液と比較すると少ない。老化したメッキ液は
メッキ成長速度が少し遅く、その分、鉄の溶解量が多く
なる。そのため、鉄粒子の不足した箇所では局所的な密
着力不足の部分が発生し、それがブリスターの発生の要
因となる。On the other hand, in the case of an aged plating solution, zinc is almost dissolved after being put into the plating solution, and iron is considerably left, but it is less than that of a new plating solution. The aged plating solution has a slightly slower plating growth rate, and accordingly, the amount of dissolved iron increases. Therefore, a portion where the adhesion is insufficient locally occurs in a portion where the iron particles are insufficient, which causes blistering.
【００２７】したがって、亜鉛置換処理によって多量の
鉄粒子を電極部１２上に残すことが、ブリスターの発生
を防止し、密着性を向上させることに対して重要であ
る。このため、亜鉛置換処理を、複数回に分けて行い、
初回より回を重ねる毎に各回の処理時間を長くして処理
を行うことが望ましい。例えば２回に分け、前の亜鉛を
硝酸または硫酸で除去して再度亜鉛置換する。その際、
第１回目の処理時間を短く、例えば２０秒とし、第２回
目の処理時間を長く、例えば４０秒とする。なお、第１
回目の処理時間を第２回目の処理時間と比較して長くす
ると、亜鉛置換むらが発生し、このむらの発生した部分
でブリスターが発生しやすくなる。したがって、上述し
たように、初回より回を重ねる毎に各回の処理時間を長
くして処理を行うことにより、亜鉛置換むらが少なくな
り、それによって、微小ふくれが無くなり、ニッケル系
無電解メッキ層１５と電極部１２との密着性が向上す
る。そのため、半田付き性が良くなる。Therefore, it is important to leave a large amount of iron particles on the electrode portion 12 by the zinc substitution treatment in order to prevent the occurrence of blisters and improve the adhesion. Therefore, the zinc substitution process is performed in a plurality of times,
It is desirable that each time the processing is repeated from the first time, the processing time is increased for each processing. For example, it is divided into two times, and the previous zinc is removed with nitric acid or sulfuric acid and replaced with zinc again. that time,
The first processing time is short, for example, 20 seconds, and the second processing time is long, for example, 40 seconds. The first
When the processing time of the second treatment is longer than the processing time of the second treatment, uneven zinc substitution occurs, and blisters are likely to occur in the portion where the unevenness occurs. Therefore, as described above, by performing the treatment by increasing the treatment time for each treatment each time the treatment is repeated from the first treatment, the zinc substitution unevenness is reduced, whereby the fine blister is eliminated, and the nickel-based electroless plating layer 15 is removed. The adhesion between the electrode and the electrode portion 12 is improved. Therefore, the solderability is improved.
【００２８】このようにして、アルミニウム系金属から
なる電極部１２上に、汎用の無電解メッキ法によって、
ニッケル−リン（以下、Ｎｉ−Ｐと記す）、ニッケル−
リン−ホウ素（以下、Ｎｉ−Ｐ−Ｂと記す）、ニッケル
−ホウ素（以下、Ｎｉ−Ｂと記す）等のニッケル系無電
解メッキ層１５を２μｍ〜１０μｍの厚さに形成する。
例えば、Ｎｉ−Ｐ合金は次亜リン酸浴（次亜リン酸ナト
リウムまたは次亜リン酸カリウム）で形成し、Ｎｉ−Ｂ
合金は水素化ホウ素ナトリウム浴またはジメチル（ジエ
チル）アミノボランを用いる弱酸性浴または中性浴で形
成し、Ｎｉ−Ｐ−Ｂ合金は中性浴で形成する。In this manner, the electrode portion 12 made of aluminum-based metal is formed by a general-purpose electroless plating method.
Nickel-phosphorus (hereinafter referred to as Ni-P), nickel-
A nickel-based electroless plating layer 15 of phosphorus-boron (hereinafter, referred to as Ni-P-B) or nickel-boron (hereinafter, referred to as Ni-B) is formed to a thickness of 2 μm to 10 μm.
For example, a Ni-P alloy is formed in a hypophosphorous acid bath (sodium hypophosphite or potassium hypophosphite) and Ni-B
The alloy is formed in a sodium borohydride bath or a weakly acidic or neutral bath using dimethyl (diethyl) aminoborane, and the Ni-P-B alloy is formed in a neutral bath.
【００２９】上記亜鉛置換層（図示省略）とニッケル系
無電解メッキ層１５とを形成する過程において、超音波
印加により発生期の水素の分解を促進させることで、亜
鉛置換およびＮｉ−Ｐ、Ｎｉ−Ｐ−Ｂ、Ｎｉ−Ｂ等のニ
ッケル系無電解メッキ層１５の成長速度が高くなり、メ
ッキむらが無くなり、密着力が向上する。超音波は、定
在波の無い２周波数（２６ｋＨｚと２８ｋＨｚの混在
等）またはメガソニック（１ＭＨｚ）のいずれでもよい
が、電極部１２に対するダメージの少ないメガソニック
を用いる方が望ましい。In the process of forming the zinc-substituted layer (not shown) and the nickel-based electroless plating layer 15, the decomposition of nascent hydrogen by application of ultrasonic waves is promoted, so that zinc-substitution and Ni-P, Ni The growth rate of the nickel-based electroless plating layer 15 such as -PB, Ni-B or the like is increased, the plating unevenness is eliminated, and the adhesion is improved. The ultrasonic wave may be any of two frequencies (for example, a mixture of 26 kHz and 28 kHz) having no standing wave or megasonic (1 MHz), but it is preferable to use megasonic which causes less damage to the electrode portion 12.
【００３０】なお、必要に応じて、ニッケル系無電解メ
ッキ層１５上にフラッシュ金の無電解メッキ層（図示省
略）を形成する。このフラッシュ金の厚さは３０ｎｍ〜
５０ｎｍ程度が好ましく、必要に応じてメガソニック超
音波を印加して形成してもよい。If necessary, an electroless plating layer (not shown) of flash gold is formed on the nickel-based electroless plating layer 15. The thickness of this flash gold is 30nm ~
The thickness is preferably about 50 nm, and may be formed by applying megasonic ultrasonic waves as needed.
【００３１】次に、半田バンプを形成する際に用いる半
田の融点以上の温度でアニーリングを行う。このアニー
リングは、窒素等の不活性なガス雰囲気中で、使用する
半田の融点以上の温度（例えば、融点より３０℃〜５０
℃高い温度）で３０分〜１２０分間行う。それによっ
て、電極部１２とニッケル系無電解メッキ層１５との界
面およびニッケル系無電解メッキ層１５中の吸着水分お
よびガスが除去される。また、使用する半田の融点以上
の温度でアニーリングすることにより、半田を付けた時
には水分および吸着ガスの放出が無くなり、ボイドを発
生しなくなるので、ニッケル系無電解メッキ層１５と半
田との密着性が向上し、半田の信頼性が高まる。このよ
うにして、ニッケル系無電解メッキ層１５からなる本発
明のメッキ被膜が形成される。Next, annealing is performed at a temperature equal to or higher than the melting point of the solder used when forming the solder bumps. This annealing is performed in an inert gas atmosphere such as nitrogen at a temperature higher than the melting point of the solder used (for example, 30 ° C. to 50 ° C. below the melting point).
30 ° C. for 120 minutes. Thereby, the adsorbed moisture and gas in the interface between the electrode portion 12 and the nickel-based electroless plating layer 15 and in the nickel-based electroless plating layer 15 are removed. Also, by annealing at a temperature equal to or higher than the melting point of the solder to be used, moisture and adsorbed gas are not released when solder is applied, and voids are not generated, so that the adhesion between the nickel-based electroless plating layer 15 and the solder is reduced. And the reliability of the solder is increased. Thus, the plating film of the present invention composed of the nickel-based electroless plating layer 15 is formed.
【００３２】次に、ニッケル系無電解メッキ層１５の表
面をプラズマクリーニングする。前記説明した電極部１
２の表面のプラズマクリーニングと同様に、例えば高周
波平行平板逆スパッタ方式クリーニング装置等を用い
て、アルゴン＋フォーミングガス（窒素＋水素）または
水素の放電用ガスでニッケル系無電解メッキ層１５の表
面をプラズマクリーニングする。それによって、ニッケ
ル系無電解メッキ層１５の表面の水酸化ニッケル化合物
や有機物汚れ等が除去される。Next, the surface of the nickel-based electroless plating layer 15 is subjected to plasma cleaning. The electrode unit 1 described above
Similarly to the plasma cleaning of the surface of No. 2, the surface of the nickel-based electroless plating layer 15 is cleaned with a gas for discharging argon + forming gas (nitrogen + hydrogen) or hydrogen using, for example, a high-frequency parallel flat plate reverse sputtering type cleaning device. Perform plasma cleaning. This removes nickel hydroxide compounds, organic stains, and the like on the surface of the nickel-based electroless plating layer 15.
【００３３】次いで、図１の（３）に示すように、上記
ニッケル系無電解メッキ層１５上に、一段目の半田バン
プ１６を形成する。任意の組成の半田溶融液への浸漬、
または任意組成の半田スクリーン印刷と溶融等により形
成する。例えば、スズ−亜鉛系半田溶融液もしくはスズ
−銀半田溶融液を用いることで、鉛を含まない半田バン
プとなる。この一段目の半田バンプ１６の高さは、所定
の高さ、例えば５０μｍ以上あれば、その高さのばらつ
きは問題としないが、そのばらつきを±５μｍ以内に抑
えることが望ましい。Next, as shown in FIG. 1C, a first-stage solder bump 16 is formed on the nickel-based electroless plating layer 15. Immersion in solder melt of any composition,
Alternatively, it is formed by solder screen printing of an arbitrary composition and melting. For example, by using a tin-zinc solder melt or a tin-silver solder melt, a solder bump containing no lead is obtained. If the height of the first-stage solder bump 16 is a predetermined height, for example, 50 μm or more, the variation in the height does not matter, but it is desirable to keep the variation within ± 5 μm.
【００３４】さらに、基板１１の表面を樹脂保護膜１７
で封止する。この樹脂保護膜１７は、例えばポリイミ
ド、ポリイミドシロキサン、エポキシ系、アクリル系、
フェノール系のいずれで形成してもよい。例えば、回転
塗布等で５μｍ〜１０μｍの厚さに塗布し、キュアする
ことにより形成する。このとき、加熱真空または加熱加
圧で脱泡し、密着性を向上させることが好ましい。また
上記樹脂保護膜１７は透明、または半透明で、ダイシン
グアライメントマーク１４が認識できることが望まし
い。Further, the surface of the substrate 11 is covered with a resin protective film 17.
Seal with. The resin protective film 17 is made of, for example, polyimide, polyimide siloxane, epoxy, acrylic,
It may be formed of any of phenols. For example, it is formed by applying to a thickness of 5 μm to 10 μm by spin coating and curing. At this time, it is preferable to remove bubbles by heating vacuum or heating and pressurizing to improve adhesion. Preferably, the resin protective film 17 is transparent or translucent so that the dicing alignment mark 14 can be recognized.
【００３５】次に、図１の（４）に示すように、上記樹
脂保護膜１７および一段目の半田バンプ１６を、例えば
研削および研磨して、この一段目の半田バンプ１６の高
さｈ１をそろえる。上記樹脂保護膜１７でコーティング
された一段目の半田バンプ１６を、比較的荒い番手の研
削砥石を用いて研削し、その後に酸化セリウムの研磨剤
を用いてバフ研磨して、例えば、その高さｈ１を２０μ
ｍ〜４０μｍの所定の高さにそろえる。ここでは一例と
して、４０μｍの高さにそろえた一段目の半田バンプ１
６を形成する。Next, as shown in FIG. 1D, the resin protective film 17 and the first-stage solder bumps 16 are ground and polished, for example, so that the height h1 of the first-stage solder bumps 16 is reduced. Align The first-stage solder bumps 16 coated with the resin protective film 17 are ground using a relatively rough grinding wheel, and then buff-polished with a cerium oxide abrasive, for example, to the height thereof. h1 is 20μ
The height is adjusted to a predetermined height of m to 40 μm. Here, as an example, the first-stage solder bumps 1 having a height of 40 μm
6 is formed.
【００３６】次いで、一段目の半田バンプ１６の表面に
対してドライクリーニングを行うことが望ましい。この
ドライクリーニングは、先に説明したプラズマクリーニ
ングと同様に、アルゴン＋フォーミングガス（窒素＋水
素）のような水素を含む放電ガスを用いる。もしくは、
スパッタクリーニングにより行うことも可能である。こ
のように、一段目の半田バンプ１６の表面に対してドラ
イクリーニングを行うことにより、一段目の半田バンプ
１６の表面に形成されている酸化膜、水酸化膜、有機系
の汚れが除去される。そのため、二段目の半田バンプの
付き性が高められる。Next, it is desirable to perform dry cleaning on the surface of the first-stage solder bump 16. This dry cleaning uses a discharge gas containing hydrogen, such as argon + forming gas (nitrogen + hydrogen), similarly to the plasma cleaning described above. Or
It is also possible to carry out by sputter cleaning. As described above, by performing dry cleaning on the surface of the first-stage solder bump 16, an oxide film, a hydroxide film, and organic stains formed on the surface of the first-stage solder bump 16 are removed. . Therefore, the attachment property of the second-stage solder bump is improved.
【００３７】次に、図１の（５）に示すように、上記一
段目の半田バンプ１６の上に、二段目の半田バンプ１８
を形成する。例えば、高さをそろえた一段目の半田バン
プ１６の上に、スクリーン印刷と溶融等により二段目の
半田バンプ１８を、例えばその高さｈ２が７０μｍ〜８
０μｍ程度になるように形成する。上記一段目の半田バ
ンプ１６および二段目の半田バンプ１８ともに、その材
質は鉛を含まないスズ−銀系、スズ−亜鉛系、亜鉛−ビ
スマス系の半田を用いることが望ましい。また二段目の
半田バンプ１８を形成するときおよびチップをマウント
するときに、バンプの高さおよび形状安定させるため
に、一段目の半田バンプ１６を形成する半田は、二段目
の半田バンプ１８を形成する半田よりも融点の高い半田
を用いることが好ましい。Next, as shown in FIG. 1 (5), the second-stage solder bumps 18 are placed on the first-stage solder bumps 16.
To form For example, a second-stage solder bump 18 having a height h2 of, for example, 70 μm to 8
It is formed so as to be about 0 μm. It is desirable that the material of both the first-stage solder bump 16 and the second-stage solder bump 18 be a tin-silver, tin-zinc, or zinc-bismuth solder containing no lead. When forming the second-stage solder bumps 18 and mounting the chip, the solder for forming the first-stage solder bumps 16 is replaced with the second-stage solder bumps 18 in order to stabilize the height and shape of the bumps. It is preferable to use a solder having a higher melting point than the solder forming.
【００３８】その後、ペレタイズを行う。すなわち、樹
脂保護膜１７を透かしたダイシングアライメントマーク
１４の検出によりフルカットダイシングを行って、基板
１１をペレットに分割する。このようにして、半導体装
置が製造される。Thereafter, pelletizing is performed. That is, the substrate 11 is divided into pellets by performing full cut dicing by detecting the dicing alignment mark 14 through the resin protective film 17. Thus, a semiconductor device is manufactured.
【００３９】次に、本発明に係わる第２の実施の形態
を、図２の断面図で示す製造工程図によって以下に説明
する。図２では、一例として、エリアパッドの場合を示
し、前記第１の実施の形態で示した構成部品と同様のも
のには同一符号を付与する。Next, a second embodiment according to the present invention will be described below with reference to a manufacturing process diagram shown in a sectional view of FIG. FIG. 2 shows a case of an area pad as an example, and the same components as those described in the first embodiment are denoted by the same reference numerals.
【００４０】図２の（１）に示すように、基板（例えば
半導体ウエハ）１１上にはアルミニウム系金属からなる
電極部１２が設けられている。その基板１１は保護膜１
３に被覆されていて、電極部１２上およびスクライブラ
イン上の保護膜１３は除去されている。なお、基板１１
上に形成されているダイシングアライメントマーク１４
も上記保護膜１３に被覆されている。このような基板１
１上の全面に感光性ポリイミド膜２１をコーティングし
た後、電極部１２上およびスクライブライン上のポリイ
ミド膜２１を露光、現像処理により除去した後、所定条
件でキュアを行って硬化させる。As shown in FIG. 2A, an electrode portion 12 made of an aluminum-based metal is provided on a substrate (for example, a semiconductor wafer) 11. The substrate 11 is a protective film 1
3, the protective film 13 on the electrode portion 12 and the scribe line is removed. The substrate 11
Dicing alignment mark 14 formed on top
Is also covered by the protective film 13. Such a substrate 1
After the photosensitive polyimide film 21 is coated on the entire surface of the substrate 1, the polyimide film 21 on the electrode section 12 and the scribe line is removed by exposure and development, and then cured under predetermined conditions to cure.
【００４１】次に、図２の（２）に示すように、スパッ
タリングによって、上記ポリイミド膜２１上の全面に密
着金属層（図示省略）となるクロム層とエリアパッドと
なる例えばアルミニウム系金属層との２層構造膜を形成
する。上記アルミニウム系金属層は、例えば１％のシリ
コン入りアルミニウムで形成する。なお、上記アルミニ
ウム系金属層の代わりに、アルミニウム、アルミニウム
銅合金、銅もしくは銅合金でエリアパッドとなる層を形
成してもよい。Next, as shown in FIG. 2B, a chromium layer serving as an adhesion metal layer (not shown) and an aluminum-based metal layer serving as an area pad are formed on the entire surface of the polyimide film 21 by sputtering. Is formed. The aluminum-based metal layer is formed of, for example, 1% silicon-containing aluminum. Note that, instead of the aluminum-based metal layer, a layer serving as an area pad may be formed of aluminum, an aluminum copper alloy, copper, or a copper alloy.
【００４２】上記スパッタリングでは、それを行う前に
逆スパッタリングを行って、アルミニウム表面のアルミ
ニウム酸化膜、アルミニウム水酸化膜、有機物残さ、ポ
リイミドキュア時のアウトガス汚れ等を除去することが
必要である。In the above sputtering, it is necessary to remove the aluminum oxide film, the aluminum hydroxide film, the organic residue, the outgas contamination during polyimide curing, etc. on the aluminum surface by performing reverse sputtering before performing the sputtering.
【００４３】次いでフォトリソグラフィーとエッチング
技術とによって、上記２層構造膜を加工して電極パッド
再配置のパターン２２を形成する。そして、そのパター
ン２２を被覆する状態に感光性ポリイミド膜２３を形成
する。この形成方法は、上記ポリイミド膜２１と同様で
ある。Then, the two-layer structure film is processed by photolithography and etching to form a pattern 22 for electrode pad rearrangement. Then, a photosensitive polyimide film 23 is formed so as to cover the pattern 22. This forming method is the same as that of the polyimide film 21.
【００４４】その後、ポリイミド膜２３を露光、現像お
よびキュア処理して、このポリイミド膜２３の所定の位
置に開口部を形成してエリアパッド部２４を形成する。Thereafter, the polyimide film 23 is exposed, developed and cured to form an opening at a predetermined position of the polyimide film 23 to form an area pad portion 24.
【００４５】なお、ポリイミド膜２１、２３中の吸着水
分除去での金属膜との密着性向上のために、真空ベーキ
ングを行ってスパッタリングを行う必要がある。そのと
きの基板温度は、例えば１５０℃〜２００℃に設定す
る。It is necessary to perform vacuum baking and sputtering in order to improve the adhesion to the metal film by removing adsorbed moisture in the polyimide films 21 and 23. The substrate temperature at that time is set, for example, to 150 ° C. to 200 ° C.
【００４６】その後、上記エリアパッド２４に対して前
記図１によって説明した第１の実施の形態と同様のプロ
セスを行えばよい。Thereafter, a process similar to that of the first embodiment described with reference to FIG. 1 may be performed on the area pad 24.
【００４７】上記各実施の形態で説明した電極部１２は
アルミニウム系金属に限定されることはなく、電極部１
２が銅、銅合金であっても、上記説明したプラズマクリ
ーニングの効果は得られる。The electrode portion 12 described in each of the above embodiments is not limited to the aluminum-based metal,
Even if 2 is copper or a copper alloy, the above-described effect of the plasma cleaning can be obtained.
【００４８】なお、上記各実施の形態で説明したプラズ
マクリーニングでは、高周波平行平板型逆スパッタ方式
のプラズマクリーニング装置を用いているが、酸化物の
除去、水酸化物の除去、有機物汚れの除去等を可能にす
るプラズマクリーニングを行うことが可能なものであれ
ば、上記装置に限定されることはない。In the plasma cleaning described in each of the above embodiments, a high frequency parallel plate type reverse sputtering type plasma cleaning apparatus is used. However, removal of oxides, removal of hydroxides, removal of organic contamination, etc. The apparatus is not limited to the above-described apparatus as long as the apparatus can perform plasma cleaning that enables the above.
【００４９】[0049]
【発明の効果】以上、説明したように本発明のメッキ被
膜の形成方法によれば、以下のような効果が得られる。As described above, according to the plating film forming method of the present invention, the following effects can be obtained.
【００５０】（１）無電解メッキを行う前に電極部をプ
ラズマクリーニングするので、電極部表面に形成されて
いる酸化膜、水酸化膜、有機系の汚れを除去することが
できる。通常、アルミニウム系金属からなる電極部の表
面には数ｎｍ厚の酸化膜が形成されており、酸性脱脂剤
（硫酸タイプ）および低濃度のアルカリ（ＫＯＨ）では
その酸化膜は除去できず、また酸エッチング処理（硫酸
−フッ酸含有、９８％硫酸等）すると除去はできるが、
電極部が溶解、脱落しやすいので、量産条件の安定性に
問題があったが、例えばアルゴン＋フォーミングガスま
たは水素等の放電用ガスによる上記プラズマクリーニン
グを行うことにより、電極部の表面の有機物汚れや酸化
膜および水酸化膜を除去することができ、その後に無電
解メッキ薄膜を形成した場合、メッキむらを少なくし、
メッキ速度を速くして、生産性を高め、しかもコストダ
ウンを実現することができる。(1) Since the electrode portion is subjected to plasma cleaning before performing the electroless plating, an oxide film, a hydroxide film, and organic stains formed on the surface of the electrode portion can be removed. Usually, an oxide film having a thickness of several nm is formed on the surface of the electrode portion made of an aluminum-based metal, and the oxide film cannot be removed with an acidic degreasing agent (sulfuric acid type) or a low-concentration alkali (KOH). It can be removed by acid etching (sulfuric acid-hydrofluoric acid containing, 98% sulfuric acid etc.)
Since the electrode portion was easily dissolved and dropped, there was a problem in the stability of mass production conditions. However, by performing the above-described plasma cleaning using a discharge gas such as argon + forming gas or hydrogen, organic contamination on the surface of the electrode portion was reduced. And oxide film and hydroxide film can be removed, and when an electroless plating thin film is formed thereafter, plating unevenness is reduced,
It is possible to increase the plating speed, increase the productivity, and reduce the cost.
【００５１】（２）超音波法により電極部の表面に亜鉛
置換層を形成した後、無電解メッキによりニッケル系無
電解メッキ層を形成するので、超音波の印加により発生
期の水素の分離が促進され、亜鉛置換およびニッケル系
無電解メッキ層の成長速度を高めてメッキむらを無く
し、密着力を向上させることができる。よって、品質、
信頼性、生産性の向上を実現するとともにコストダウン
を実現することができる。また、超音波法においては、
特に、メガソニック超音波法を用いることにより、ダメ
ージを軽減できる。(2) Since a zinc-substituted layer is formed on the surface of the electrode portion by an ultrasonic method and then a nickel-based electroless plated layer is formed by electroless plating, the generation of hydrogen can be separated by application of ultrasonic waves. This promotes the growth of the zinc-substituted and nickel-based electroless plating layer, thereby eliminating plating unevenness and improving the adhesion. Therefore, quality,
The reliability and productivity can be improved and the cost can be reduced. In the ultrasonic method,
In particular, damage can be reduced by using a megasonic ultrasonic method.
【００５２】（３）ニッケル系無電解メッキ層を形成し
た後、使用する半田の融点以上の温度でニッケル系無電
解メッキ層にアニーリングを施すので、電極部と無電解
メッキ層との界面及び無電解メッキ層中の吸着水分及び
ガスを除去することができる。また、この亜鉛置換層を
形成する亜鉛置換処理を複数回に分けて行い、かつ初回
より回を重ねる毎に各回の処理時間を長くして処理を行
うので、亜鉛置換むらを少なくすることができ、そのた
め、微小ふくれが無くなり、ニッケル系無電解メッキ層
と電極部との密着性を向上させることができるので、半
田付き性が良くなり、品質および信頼性の向上が図れ
る。また、使用する半田の融点以上の温度でアニーリン
グするので、半田を付けた時には水分および吸着ガスの
放出が無くなり、半田の信頼性をさらに高めることがで
きる。(3) After forming the nickel-based electroless plating layer, the nickel-based electroless plating layer is annealed at a temperature equal to or higher than the melting point of the solder to be used. Adsorbed moisture and gas in the electrolytic plating layer can be removed. In addition, since the zinc substitution treatment for forming the zinc substitution layer is performed in a plurality of times, and the treatment time is increased by increasing the treatment time each time the treatment is repeated from the first time, the zinc substitution unevenness can be reduced. Therefore, fine blisters are eliminated, and the adhesion between the nickel-based electroless plating layer and the electrode portion can be improved, so that the solderability is improved, and the quality and reliability can be improved. Also, since annealing is performed at a temperature equal to or higher than the melting point of the solder to be used, the release of moisture and adsorbed gas when solder is applied is eliminated, and the reliability of the solder can be further improved.
【００５３】本発明の半導体装置の製造方法によれば、
前記メッキ被膜の形成方法の効果（１）〜（３）と同様
なる効果が得られるとともに、以下のような効果が得ら
れる。According to the method of manufacturing a semiconductor device of the present invention,
The same effects as the effects (1) to (3) of the method of forming the plating film are obtained, and the following effects are obtained.
【００５４】（４）ニッケル系無電解メッキ層の表面を
プラズマクリーニングするので、ニッケル系無電解メッ
キ層の表面に形成されている水酸化ニッケル化合物、有
機系の汚れ等を除去することができる。よって、ニッケ
ル系無電解メッキ層の表面の半田付き性が良くなり、品
質および信頼性の向上が図れる。(4) Since the surface of the nickel-based electroless plating layer is subjected to plasma cleaning, it is possible to remove nickel hydroxide compounds, organic dirt, and the like formed on the surface of the nickel-based electroless plating layer. Therefore, the solderability of the surface of the nickel-based electroless plating layer is improved, and the quality and reliability can be improved.
【００５５】（５）半田バンプを形成する際に、ニッケ
ル系無電解メッキ層を形成した電極部上に一段目の半田
バンプを形成した後に、その一段目の半田バンプをドラ
イクリーニングすることから、一段目の半田バンプの表
面に形成されている酸化膜、水酸化膜、有機系の汚れを
除去することができる。よって、一段目の半田バンプの
表面の半田付き性が良くなり、品質および信頼性の向上
が図れる。(5) When forming the solder bumps, the first-stage solder bumps are dry-cleaned after the first-stage solder bumps are formed on the electrode portions on which the nickel-based electroless plating layers are formed. An oxide film, a hydroxide film, and organic stains formed on the surface of the first-stage solder bump can be removed. Therefore, the solderability of the surface of the first-stage solder bump is improved, and the quality and reliability can be improved.
【図１】本発明に係わる第１の実施の形態を示す製造工
程図である。FIG. 1 is a manufacturing process diagram showing a first embodiment according to the present invention.
【図２】本発明に係わる第２の実施の形態を示す製造工
程図である。FIG. 2 is a manufacturing process diagram showing a second embodiment according to the present invention.
１１…基板、１２…電極部、１５…ニッケル系無電解メ
ッキ層、１６…一段目の半田バンプ、１８…二段目の半
田バンプ11: substrate, 12: electrode part, 15: nickel-based electroless plating layer, 16: first-stage solder bump, 18: second-stage solder bump
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11047364AJP2000252313A (en) | 1999-02-25 | 1999-02-25 | Formation of plating film and fabrication of semiconductor device |
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11047364AJP2000252313A (en) | 1999-02-25 | 1999-02-25 | Formation of plating film and fabrication of semiconductor device |
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000252313Atrue JP2000252313A (en) | 2000-09-14 |
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP11047364APendingJP2000252313A (en) | 1999-02-25 | 1999-02-25 | Formation of plating film and fabrication of semiconductor device |
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000252313A (en) |
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7045894B2 (en) | 2001-12-25 | 2006-05-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JP2007506284A (en)* | 2003-09-22 | 2007-03-15 | インテル コーポレイション | Conductive bump structure and manufacturing method thereof |
| JP2007129220A (en)* | 2005-10-31 | 2007-05-24 | Freescale Semiconductor Inc | Method for forming multilayer bumps on a substrate |
| JP2010514218A (en)* | 2006-12-20 | 2010-04-30 | テッセラ，インコーポレイテッド | Compliance microelectronic assembly and method therefor |
| US7750654B2 (en) | 2002-09-02 | 2010-07-06 | Octec Inc. | Probe method, prober, and electrode reducing/plasma-etching processing mechanism |
| JP2012513109A (en)* | 2008-12-19 | 2012-06-07 | トロワデー、プリュ | Wafer scale manufacturing method for surface mount electronic module |
| DE112009005044T5 (en) | 2009-07-08 | 2012-06-21 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and method for its production |
| KR101224799B1 (en) | 2011-05-13 | 2013-01-21 | 서울과학기술대학교 산학협력단 | Method of bonding semiconductor component on printed circuit board using plasma |
| KR101224694B1 (en) | 2011-05-13 | 2013-01-21 | 서울과학기술대학교 산학협력단 | Method of bonding semiconductor component on printed circuit board through increasing of the bonding area between the semiconductor component and printed circuit board |
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7320932B2 (en) | 2001-12-25 | 2008-01-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US7045894B2 (en) | 2001-12-25 | 2006-05-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US7750654B2 (en) | 2002-09-02 | 2010-07-06 | Octec Inc. | Probe method, prober, and electrode reducing/plasma-etching processing mechanism |
| JP2007506284A (en)* | 2003-09-22 | 2007-03-15 | インテル コーポレイション | Conductive bump structure and manufacturing method thereof |
| US11201129B2 (en) | 2003-09-22 | 2021-12-14 | Intel Corporation | Designs and methods for conductive bumps |
| US10249588B2 (en) | 2003-09-22 | 2019-04-02 | Intel Corporation | Designs and methods for conductive bumps |
| US9543261B2 (en) | 2003-09-22 | 2017-01-10 | Intel Corporation | Designs and methods for conductive bumps |
| US8580679B2 (en) | 2003-09-22 | 2013-11-12 | Intel Corporation | Designs and methods for conductive bumps |
| KR101279234B1 (en) | 2005-10-31 | 2013-06-26 | 프리스케일 세미컨덕터, 인크. | Method for forming multi-layer bumps on a substrate |
| JP2007129220A (en)* | 2005-10-31 | 2007-05-24 | Freescale Semiconductor Inc | Method for forming multilayer bumps on a substrate |
| JP2010514218A (en)* | 2006-12-20 | 2010-04-30 | テッセラ，インコーポレイテッド | Compliance microelectronic assembly and method therefor |
| JP2012513109A (en)* | 2008-12-19 | 2012-06-07 | トロワデー、プリュ | Wafer scale manufacturing method for surface mount electronic module |
| US8426972B2 (en) | 2009-07-08 | 2013-04-23 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| DE112009005044T5 (en) | 2009-07-08 | 2012-06-21 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and method for its production |
| KR101224694B1 (en) | 2011-05-13 | 2013-01-21 | 서울과학기술대학교 산학협력단 | Method of bonding semiconductor component on printed circuit board through increasing of the bonding area between the semiconductor component and printed circuit board |
| KR101224799B1 (en) | 2011-05-13 | 2013-01-21 | 서울과학기술대학교 산학협력단 | Method of bonding semiconductor component on printed circuit board using plasma |
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100446715B1 (en) | Method for manufacturing a semiconductor device | |
| JP5587778B2 (en) | Semiconductor die manufacturing method and semiconductor device including semiconductor die obtained thereby | |
| Hutt et al. | Electroless nickel bumping of aluminum bondpads. I. Surface pretreatment and activation | |
| JP2013534367A (en) | Method for forming solder deposits and non-molten bumps on a substrate | |
| JP5402939B2 (en) | Copper surface treatment method and copper | |
| CN102034721B (en) | Method for encapsulating chip | |
| US20090021109A1 (en) | Under bump metal film, method for forming same, and surface acoustic wave device | |
| KR20010108419A (en) | Method and apparatus for enabling conventional wire bonding to copper-based bond pad features | |
| JP2000252313A (en) | Formation of plating film and fabrication of semiconductor device | |
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