【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、所定周波数の振動
波に共振すべく寸法設定された板状のカンチレバー（共
振子）の振動を利用して前記振動波を検出する構成とし
てあり、共振周波数が異なる複数のカンチレバーを備え
ることにより、コンパクトな構成でありながら周波数分
解機能を持たせることができ、音声認識、音響計測、振
動計測等の技術分野において好便に用い得る振動波セン
サ、及びこの振動波センサに用いられるセンサ素子に関
する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a configuration for detecting a vibration wave using a vibration of a plate-shaped cantilever (resonator) dimensioned to resonate with a vibration wave having a predetermined frequency. By providing a plurality of cantilevers different from each other, it is possible to provide a frequency resolution function while having a compact configuration, and a vibration wave sensor that can be conveniently used in technical fields such as voice recognition, acoustic measurement, vibration measurement, and the like. The present invention relates to a sensor element used for a vibration wave sensor.
【０００２】[0002]
【従来の技術】各種の音声をコンピュータに認識させる
ための音声認識システム等の技術分野においては、種々
の周波数成分を有する振動波として与えられる振動（音
声）を周波数分解して検出する機能を有するコンパクト
な構成の振動波センサの開発が重要な課題となってお
り、この課題に応え得る振動波センサの一つとして、例
えば、W.Benecke et al., "A Frequency-Selective, Pi
ezoresistive Silicon Vibration Sensor," Digest of
Technical Papersof TRANSDUCERS '85, pp.105-108(198
5)、又はE.Peeters et al., "Vibration Signature Ana
lysis Sensors forPredictive Diagnostics," Proceedi
ngs of SPIE '97, vol.3224, pp-220-230(1997) 等に記
載された共振子アレイ形の振動波センサが知られてい
る。2. Description of the Related Art In a technical field such as a voice recognition system for causing a computer to recognize various voices, a function of frequency-resolving and detecting vibration (voice) given as a vibration wave having various frequency components is provided. The development of a compact vibration wave sensor has become an important issue, and one of the vibration wave sensors that can respond to this problem is, for example, W. Benecke et al., "A Frequency-Selective, Pi
ezoresistive Silicon Vibration Sensor, "Digest of
Technical Papersof TRANSDUCERS '85, pp.105-108 (198
5) or E. Peeters et al., "Vibration Signature Ana
lysis Sensors for Predictive Diagnostics, "Proceedi
ngs of SPIE '97, vol. 3224, pp-220-230 (1997) and the like are known.
【０００３】この振動波センサは、夫々異なる周波数の
振動波に対して共振するように寸法設定された複数のカ
ンチレバー（共振子）を、夫々の端部を共通の支持体に
支持させてアレイ状に並設してなるセンサ素子を用い、
前記カンチレバーの一面に、夫々の振動に応じた電気的
出力を発する検知部を各別に形成して、前記支持体を介
して伝播する振動波により前記カンチレバーのいずれか
が共振したとき、対応する検知部の出力により、周波数
毎の振動レベルが得られるように構成したものである。In this vibration wave sensor, a plurality of cantilevers (resonators) sized so as to resonate with vibration waves having different frequencies are arranged in an array by supporting each end on a common support. Using sensor elements arranged side by side,
On one surface of the cantilever, a detection unit that emits an electric output according to each vibration is separately formed, and when any of the cantilevers resonates due to a vibration wave propagating through the support, a corresponding detection is performed. The configuration is such that a vibration level for each frequency can be obtained by the output of the unit.
【０００４】前記検知部は、例えば、各カンチレバーの
一面に形成したピエゾ抵抗とし、夫々に対応するカンチ
レバーの共振によって生じる抵抗値の変化を、各ピエゾ
抵抗を含めて構成された各別のホイートストンブリッジ
の出力として取り出す構成とすることができる。複数の
カンチレバーは、これらの基部を支持する支持体等と共
に、マイクロマシン加工技術を用いて半導体シリコン基
板上に一体形成されている。[0004] The detection unit is, for example, a piezoresistor formed on one surface of each cantilever, and detects a change in a resistance value caused by resonance of the corresponding cantilever, for each Wheatstone bridge including each piezoresistor. Can be taken out as an output. The plurality of cantilevers are integrally formed on a semiconductor silicon substrate using a micromachining technique together with a support for supporting these bases and the like.
【０００５】前記ピエゾ抵抗は、各カンチレバーの基部
近傍の一面にポリシリコンを積層して形成され、これら
の支持体の表面に導電性金属によりパターン形成された
出力取り出し用の回路パターンに接続されており、後者
の文献（Vibration Signature Analysis Sensors for P
redictive Diagnostics,）に記載されているように、各
ピエゾ抵抗を含むホイートストンブリッジを構成し、各
ホイートストンブリッジの出力をマルチプレクサにより
スイッチングして逐次読み出し、周波数毎の振動レベル
を得るようにしている。The piezoresistors are formed by laminating polysilicon on one surface in the vicinity of the base of each cantilever, and are connected to a circuit pattern for taking out output formed by patterning a conductive metal on the surface of these supports. And the latter literature (Vibration Signature Analysis Sensors for P
As described in “Redictive Diagnostics,”, a Wheatstone bridge including each piezoresistor is formed, and the output of each Wheatstone bridge is switched by a multiplexer to be sequentially read to obtain a vibration level for each frequency.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】さて、以上の如く構成
された振動波センサにおいて、各カンチレバーの一面に
おけるピエゾ抵抗の形成部分、及び前記回路パターンの
形成部分は、その絶縁を確保する必要があることから、
複数のカンチレバー及びこれらの支持体における前記ピ
エゾ抵抗及び回路パターンの形成面の全面に、ＳｉＯ2
等の絶縁材料製の被膜を成膜してピエゾ抵抗及び回路パ
ターンの形成部分を覆い、前記絶縁を確保する構成とす
る必要がある。In the vibration wave sensor configured as described above, it is necessary to secure insulation between the piezoresistor forming portion and the circuit pattern forming portion on one surface of each cantilever. From that
The entire surface of the plurality of cantilevers and their supports on which the piezoresistors and circuit patterns are formed is made of SiO2.
It is necessary to form a film made of an insulating material such as the above so as to cover a portion where the piezoresistor and the circuit pattern are formed and to secure the insulation.
【０００７】ところが、前記カンチレバーの夫々は、数
μｍ〜十数μｍ程度の厚みと、数十μｍ程度の幅とを有
する薄肉細幅のビームとして構成されており、これらの
一面に前記被膜を形成した場合、該被膜の内部応力の作
用により各カンチレバーに反りが発生すると共に、これ
らの振動が阻害されて各別に設定された共振周波数に狂
いが生じ、センサ特性及び検出精度の低下を招くという
問題があることが新たに判明した。However, each of the cantilevers is configured as a thin and narrow beam having a thickness of about several μm to about several tens μm and a width of about several tens μm, and the film is formed on one surface thereof. In this case, the cantilever is warped by the action of the internal stress of the coating, and these vibrations are disturbed, and the resonance frequencies set individually for each of the cantilevers are deviated, thereby deteriorating sensor characteristics and detection accuracy. It turns out that there is a new.
【０００８】また、前述したセンサ素子を用いた振動波
センサとして、カンチレバーの先端近傍に形成された可
動電極と、これに対向配置された固定電極とによりコン
デンサを構成とし、カンチレバーの振動に伴う可動電極
の変位による前記コンデンサの静電容量の変化を出力と
して取り出す構成とした場合、前記可動電極の絶縁確保
のために、該可動電極の形成面の全面を、カンチレバー
及びこれの支持体を含めて絶縁性の被膜により覆う必要
があるが、この被膜によりカンチレバーの振動が阻害さ
れ、センサ特性及び検出精度の低下を招くという問題が
同様に発生することが新たに判明した。In addition, as a vibration wave sensor using the above-described sensor element, a capacitor is constituted by a movable electrode formed near the tip of the cantilever and a fixed electrode disposed opposite to the movable electrode. When the change in the capacitance of the capacitor due to the displacement of the electrode is taken out as an output, in order to secure the insulation of the movable electrode, the entire surface of the movable electrode is formed, including the cantilever and its support. Although it is necessary to cover with an insulating film, it has been newly found that the problem that the vibration of the cantilever is inhibited by this film and the sensor characteristics and the detection accuracy are deteriorated similarly occurs.
【０００９】本発明は斯かる事情に鑑みてなされたもの
であり、板状の支持体と、該支持体に支持された板状の
共振子（カンチレバー）とを備えるセンサ素子における
被膜の形成範囲を限定し、この被膜形成による共振子の
振動阻害を可及的に低減して、このセンサ素子を用いる
ことにより、センサ特性及び検出精度に優れた振動波セ
ンサを提供することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned circumstances, and an area where a coating is formed on a sensor element including a plate-shaped support and a plate-shaped resonator (cantilever) supported by the support is provided. It is an object of the present invention to provide a vibration wave sensor having excellent sensor characteristics and detection accuracy by using this sensor element by minimizing vibration inhibition of a resonator due to the formation of a film.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】本発明の第１発明に係る
センサ素子は、板状の支持体と、該支持体に支持された
板状の共振子とを備え、これらの一方の面に被膜を形成
して構成されたセンサ素子において、前記一方の面の少
なくとも前記共振子の一部に、前記被膜の非形成域を備
えることを特徴とする。According to a first aspect of the present invention, there is provided a sensor element including a plate-shaped support, and a plate-shaped resonator supported by the support. In a sensor element formed by forming a coating, at least a part of the resonator on the one surface is provided with an area where the coating is not formed.
【００１１】この発明においては、支持体に支持された
共振子の一部に被膜の非形成域が設けてあり、支持体を
介して伝播する振動波に共振して生じる共振子の振動が
前記被膜の存在により阻害される程度を軽減する。前記
共振子は、好適にはカンチレバーとして構成される。In the present invention, the non-coating area is provided in a part of the resonator supported by the support, and the vibration of the resonator generated by resonating with the vibration wave propagating through the support is generated. Reduces the degree of inhibition caused by the presence of the coating. The resonator is preferably configured as a cantilever.
【００１２】本発明の第２発明に係る振動波センサは、
板状の支持体に支持された板状の共振子の一方の面に、
該面を覆って形成された被膜と、前記支持体から伝播す
る振動波の作用による前記共振子の共振を検知する検知
部とを備え、該検知部の電気的出力によって前記振動波
を検出する構成とした振動波センサにおいて、前記一方
の面の少なくとも前記共振子の一部に、前記被膜の非形
成域を備えることを特徴とする。A vibration wave sensor according to a second aspect of the present invention comprises:
On one surface of the plate-shaped resonator supported by the plate-shaped support,
A coating formed to cover the surface; and a detection unit for detecting resonance of the resonator due to the action of the vibration wave propagating from the support, and detecting the vibration wave by an electrical output of the detection unit. In the vibration wave sensor having the configuration, at least a part of the resonator on the one surface includes an area where the coating is not formed.
【００１３】この発明においては、支持体に支持された
共振子の一部に被膜の非形成域が設けてあり、支持体を
介して伝播する振動波に共振して生じる共振子の振動が
前記被膜の存在により阻害される程度が軽減され、これ
により共振子の一部に設けた検知部の電気的出力により
前記振動を高精度に検出することを可能とする。In the present invention, the non-coating region is provided in a part of the resonator supported by the support, and the vibration of the resonator generated by resonating with the vibration wave propagating through the support is generated by the vibration. The degree of hindrance caused by the presence of the coating is reduced, and this makes it possible to detect the vibration with high accuracy by the electrical output of the detection unit provided in a part of the resonator.
【００１４】本発明の第３発明に係る振動波センサは、
板状の支持体に支持された板状の共振子の一方の面に、
該面を覆って形成された被膜と、前記支持体から伝播す
る振動波の作用による前記共振子の共振を検知する検知
部とを備え、該検知部の電気的出力によって前記振動波
を検出する構成とした振動波センサにおいて、前記被膜
の形成域が、少なくとも前記検知部、及び該検知部から
の回路配線の形成部分を含むことを特徴とする。A vibration wave sensor according to a third aspect of the present invention comprises:
On one surface of the plate-shaped resonator supported by the plate-shaped support,
A coating formed to cover the surface; and a detection unit for detecting resonance of the resonator due to the action of the vibration wave propagating from the support, and detecting the vibration wave by an electrical output of the detection unit. In the vibration wave sensor having the configuration, the formation region of the coating includes at least the detection unit and a portion where a circuit wiring is formed from the detection unit.
【００１５】この発明においては、共振子における被膜
の形成域を、絶縁が必要な検知部、及びこの検知部から
の回路配線の形成部分の近傍に限り、共振子の大部分を
被膜の非形成域とし、該被膜による共振子の振動阻害を
可及的に軽減して高精度での振動波の検出を可能とす
る。According to the present invention, most of the resonator is provided with no coating, as long as the area of the resonator on which the coating is formed is limited to the vicinity of the sensing portion requiring insulation and the portion where the circuit wiring is formed from the sensing portion. As a result, the vibration inhibition of the resonator by the coating is reduced as much as possible, and the vibration wave can be detected with high accuracy.
【００１６】本発明の第４発明に係る振動波センサは、
第２又は第３発明の振動波センサにおける検知部が、前
記支持体と前記共振子との連結部近傍に出力端を備え、
該出力端は、前記支持体の一方の面に形成された出力取
り出し用の回路配線に接続してあることを特徴とする。A vibration wave sensor according to a fourth aspect of the present invention comprises:
The detection unit in the vibration wave sensor according to the second or third invention includes an output end near a connection between the support and the resonator,
The output end is connected to a circuit wiring for output extraction formed on one surface of the support.
【００１７】この発明においては、共振子の一方の面に
おける検知部の形成態様を工夫し、この検知部からの回
路配線の形成部分を支持体の一面に限定して、共振子に
おける被膜の形成域を前記検知部の形成部分のみとし、
該被膜による共振子の振動阻害を可及的に軽減して高精
度での振動波の検出を可能とする。According to the present invention, the formation of the detecting portion on one surface of the resonator is devised, and the portion where the circuit wiring is formed from this detecting portion is limited to one surface of the support to form a coating on the resonator. The area is only the formation part of the detection unit,
Vibration waves can be detected with high precision by minimizing vibration inhibition of the resonator by the coating.
【００１８】本発明の第５発明に係る振動波センサは、
第２乃至第４発明のいずれかの振動波センサにおいて、
前記被膜が、電気的絶縁状態を確保するための絶縁膜で
あることを特徴とする。A vibration wave sensor according to a fifth aspect of the present invention comprises:
In the vibration wave sensor according to any one of the second to fourth inventions,
The film is an insulating film for ensuring an electrical insulation state.
【００１９】この発明においては、共振子の一方の面を
覆う被膜を、電気的絶縁状態の確保のために不可欠な絶
縁膜に限り、この被膜による共振子の振動阻害を可及的
に軽減して高精度での振動波の検出を可能とする。In the present invention, the film covering one surface of the resonator is limited to an insulating film indispensable for securing an electrical insulation state, and the vibration inhibition of the resonator by this film is reduced as much as possible. To detect the vibration wave with high accuracy.
【００２０】本発明の第６発明に係る振動波センサは、
第２乃至第５発明のいずれかの振動波センサにおいて、
共通の支持体に夫々の両面を揃えて支持され、各別に異
なる共振周波数を有する複数の共振子を備えることを特
徴とする。A vibration wave sensor according to a sixth aspect of the present invention comprises:
In the vibration wave sensor according to any one of the second to fifth aspects,
It is characterized in that it comprises a plurality of resonators which are supported on a common support with their both surfaces aligned and have different resonance frequencies.
【００２１】この発明においては、第２乃至第５発明の
振動波センサを、共振周波数が異なる複数の共振子を共
通の支持体に支持させてなるセンサ素子を用いて構成
し、種々の周波数成分を含む振動波を、周波数毎の振動
レベルを含めて精度良く検出する。In this invention, the vibration wave sensors of the second to fifth inventions are constituted by using a sensor element in which a plurality of resonators having different resonance frequencies are supported on a common support, and various frequency components are provided. Is accurately detected including the vibration level for each frequency.
【００２２】本発明の第７発明に係る振動波センサは、
第２乃至第５発明のいずれかの振動波センサの検知部
が、前記共振子の振動に応じてその抵抗値を変えるピエ
ゾ抵抗であることを特徴とする。A vibration wave sensor according to a seventh aspect of the present invention comprises:
The detecting unit of the vibration wave sensor according to any one of the second to fifth aspects is a piezoresistor that changes a resistance value according to the vibration of the resonator.
【００２３】この発明においては、被膜の影響を軽減さ
れて生じる共振子の振動を、これの一部に形成したピエ
ゾ抵抗の抵抗値の変化として精度良く検出する。According to the present invention, the vibration of the resonator caused by reducing the influence of the coating is accurately detected as a change in the resistance value of a piezo resistor formed in a part of the resonator.
【００２４】本発明の第８発明に係る振動波センサは、
第２乃至第５発明のいずれかの振動波センサの検知部
が、前記共振子の振動に応じて変位する可動電極と、こ
れと対向配置された固定電極とを備え、両電極間の静電
容量の変化を出力として取り出す構成としてあることを
特徴とする。[0024] The vibration wave sensor according to the eighth invention of the present invention comprises:
The detection unit of the vibration wave sensor according to any one of the second to fifth aspects includes a movable electrode that is displaced in accordance with the vibration of the resonator, and a fixed electrode that is disposed to face the movable electrode, and an electrostatic capacitance between the two electrodes. It is characterized in that a change in capacitance is taken out as an output.
【００２５】この発明においては、被膜の影響を軽減さ
れて生じる共振子の振動を、該共振子の一部に形成され
た可動電極と、これと対向配置された固定電極との間の
静電容量の変化として精度良く検出する。According to the present invention, the vibration of the resonator caused by reducing the influence of the coating is applied to the electrostatic force between the movable electrode formed on a part of the resonator and the fixed electrode opposed to the movable electrode. It is detected accurately as a change in capacitance.
【００２６】本発明の第９発明に係る振動波センサは、
第８発明の振動波センサにおける被膜の形成域が、前記
可動電極の形成部分を含むことを特徴とする。A vibration wave sensor according to a ninth aspect of the present invention comprises:
The vibration wave sensor according to the eighth invention is characterized in that the film formation region includes the movable electrode formation portion.
【００２７】この発明においては、共振子における被膜
の形成域を、絶縁が必要な可動電極の近傍に限り、共振
子の大部分を被膜の非形成域とし、該被膜による振動阻
害を可及的に軽減して高精度での振動波の検出を可能と
する。According to the present invention, most of the resonator is set as a non-coating region of the resonator only in the vicinity of the movable electrode where insulation is required, so that the coating is formed as much as possible. And the vibration wave can be detected with high accuracy.
【００２８】[0028]
【発明の実施の形態】以下本発明をその実施の形態を示
す図面に基づいて詳述する。図１は、本発明の振動波セ
ンサの第１の実施の形態を示す平面図である。図示の如
く振動波センサは、振動波を受ける板状のダイヤフラム
２と、該ダイヤフラム２にその一端を連設された横断ビ
ーム３と、該横断ビーム３の他端に連設された終止板４
とを備え、該終止板４と前記ダイヤフラム２との間にて
前記横断ビーム３の一方の側に、これの長手方向に複数
本のカンチレバー（共振子）５，５…を並設して構成さ
れたセンサ素子１を備えている。このようなセンサ素子
１は、マイクロマシン加工技術により、図示の如く半導
体シリコン基板20の一部に一体形成することができる。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below in detail with reference to the drawings showing the embodiments. FIG. 1 is a plan view showing a first embodiment of the vibration wave sensor of the present invention. As shown in the drawing, the vibration wave sensor includes a plate-like diaphragm 2 receiving vibration waves, a transverse beam 3 having one end connected to the diaphragm 2, and a stop plate 4 connected to the other end of the transverse beam 3.
And a plurality of cantilevers (resonators) 5, 5... Arranged in a longitudinal direction on one side of the transverse beam 3 between the end plate 4 and the diaphragm 2. Sensor element 1 is provided. Such a sensor element 1 can be integrally formed on a part of the semiconductor silicon substrate 20 by a micromachining technique as shown in the figure.
【００２９】カンチレバー５，５…の支持体としての横
断ビーム３は、ダイヤフラム２の側が広幅であり、終止
板４の側が狭幅であって、これらの間にて連続的に変化
する幅を有して形成されている。このような横断ビーム
３の一方側に並設された複数本のカンチレバー５，５…
は、夫々が異なる周波数の振動に共振するように、即
ち、夫々が異なる共振周波数を有するように寸法設定さ
れた薄肉細幅のビームであり、夫々の長手方向の一端を
横断ビーム３に片持ち支持させ、これと略直交する向き
に突設されている。The transverse beam 3 as a support for the cantilevers 5, 5,... Has a wide width on the side of the diaphragm 2 and a narrow width on the side of the end plate 4, and has a continuously changing width between them. It is formed. A plurality of cantilevers 5, 5...
Are thin, narrow beams sized such that each resonates with vibration of a different frequency, i.e., each has a different resonance frequency, and each longitudinal end is cantilevered to a transverse beam 3. It is supported and protruded in a direction substantially orthogonal to this.
【００３０】以上の如きカンチレバー５，５…の寸法
は、夫々を共振させるべき共振周波数ｆを与えたとき、
下記（１）式に従って設定することができる。 ｆ＝（ＣａＹ1/2）／（Ｘ2ｓ1/2） …（１） 但し、Ｃ：実験的に決定される定数 ａ：各カンチレバー５の厚さ Ｘ：各カンチレバー５の長さ Ｙ：材料物質（半導体シリコン）のヤング率 ｓ：材料物質（半導体シリコン）の密度The dimensions of the cantilevers 5, 5,... As described above are given when the resonance frequency f at which each of them can resonate is given.
It can be set according to the following equation (1). f = (CaY1/2 ) / (X2 s1/2 ) (1) where C: constant determined experimentally a: thickness of each cantilever 5 X: length of each cantilever 5 Y: Young's modulus of material (semiconductor silicon) s: density of material (semiconductor silicon)
【００３１】なお実際には、夫々のカンチレバー５，５
…の厚さａは、ダイヤフラム２，横断ビーム３及び終止
板４を含めて一定とし、夫々の長さＸを変えることによ
り各別の共振周波数ｆを得るようにしている。このよう
にして定められた夫々の長さＸを有するカンチレバー
５，５…は、支持体としての横断ビーム３に、図におけ
る右側（ダイヤフラム２側）から左側（終止板４側）に
向かうにつれて順次長くなるように並設され、各カンチ
レバー５，５…の共振周波数が、ダイヤフラム２の側か
ら終止板４の側に向かうに従って高周波数から低周波数
に移行するように配置されている。Actually, each cantilever 5,5
Are constant including the diaphragm 2, the transverse beam 3 and the end plate 4, and the respective resonance frequencies f are obtained by changing the length X of each. The cantilevers 5, 5... Having the respective lengths X determined in this way are sequentially applied to the transverse beam 3 as a support from the right side (diaphragm 2 side) to the left side (end plate 4 side) in the figure. Are arranged so that the resonance frequency of each of the cantilevers 5, 5... Shifts from a high frequency to a low frequency as going from the diaphragm 2 side to the end plate 4 side.
【００３２】以上の如く構成されたセンサ素子１におい
て、音声、音響等、種々の周波数の振動を含む振動波が
大面積のダイヤフラム２に入力されると、該ダイヤフラ
ム２が振動し、この振動が横断ビーム３を経て終止板４
にまで伝播する間に、該横断ビーム３に片持ち支持され
た複数のカンチレバー５，５…が、前記振動波に含まれ
る夫々の共振周波数の振動成分に応答して共振する。In the sensor element 1 configured as described above, when vibration waves including vibrations of various frequencies, such as voice and sound, are input to the large-area diaphragm 2, the diaphragm 2 vibrates. End plate 4 via transverse beam 3
Are resonated in response to the vibration components of the respective resonance frequencies included in the vibration wave.
【００３３】各カンチレバー５，５…は、夫々の根元部
（横断ビーム３との連設部）近傍の一面に、検知部とし
てのピエゾ抵抗６，６…を備えている。これらのピエゾ
抵抗６，６…は、前述した振動の伝播により該当するカ
ンチレバー５，５…が共振したとき、これにより、自身
に生じる歪みに応じてその抵抗値を変える公知の抵抗素
子である。Each of the cantilevers 5, 5,... Is provided with a piezoresistor 6, 6,... As a detecting section on one surface near the root (joint portion with the cross beam 3). These piezoresistors 6, 6,... Are well-known resistance elements that change their resistance values in accordance with the distortion generated therein when the corresponding cantilevers 5, 5,.
【００３４】図２は、カンチレバー５，５…の根元部近
傍におけるピエゾ抵抗６，６…の形成態様の説明図であ
る。図示の如くピエゾ抵抗６，６…は、夫々のカンチレ
バー５，５…の一面に、これらに長手方向を沿わせた矩
形の平面形状を有するシリコン基板の表面に、拡散抵抗
として形成されている。これらのピエゾ抵抗６，６…の
カンチレバー５，５…の先端側の端部は、共通の給電線
８により図示しない直流電源に接続されており、また各
ピエゾ抵抗６，６…のカンチレバー５，５…の根元側の
端部は、各別の出力線７，７…により図示しない出力回
路に並列接続されている。FIG. 2 is an explanatory view of the formation of the piezoresistors 6, 6,... Near the roots of the cantilevers 5, 5,. As shown in the figure, the piezoresistors 6, 6,... Are formed as diffusion resistors on one surface of each of the cantilevers 5, 5,..., On the surface of a silicon substrate having a rectangular planar shape along the longitudinal direction. The distal ends of the cantilevers 5, 5,... Of the piezoresistors 6, 6,... Are connected to a DC power supply (not shown) by a common power supply line 8, and the cantilevers 5, 6,. 5 are connected in parallel to an output circuit (not shown) by separate output lines 7, 7,.
【００３５】以上の如く構成されたピエゾ抵抗６，６…
には、前記直流電源から所定のバイアス電圧が、共通の
給電線８を介して印加されており、前述の如く伝播する
振動波によりカンチレバー５，５…が共振したとき、こ
れに応じた各別のピエゾ抵抗６，６…の抵抗値の変化
が、前記出力線７，７…を介して接続された出力回路の
出力として各別に検出され、前記振動波に含まれる周波
数毎の振動レベルが得られるようになっている。The piezoresistors 6, 6...
, A predetermined bias voltage is applied from the DC power supply via a common power supply line 8, and when the cantilevers 5, 5,... Of the piezoresistors 6, 6,... Are individually detected as outputs of output circuits connected via the output lines 7, 7,..., And a vibration level for each frequency included in the vibration wave is obtained. It is supposed to be.
【００３６】検知部としてのピエゾ抵抗６，６…に連な
る回路配線としての前記給電線８及び出力線７，７…
は、前記カンチレバー５，５…の支持体としての横断ビ
ーム３の一方の面（ピエゾ抵抗６の形成面と同側の面）
に、導電性金属による回路パターンとして形成されてお
り、前記給電線８は、各カンチレバー５，５…と横断ビ
ーム３との連設部において、夫々のピエゾ抵抗６，６…
の形成部分を囲うように先端側に延長され、この延長部
の中途にて各ピエゾ抵抗６，６…の他端に接続されてい
る。The power supply line 8 and the output lines 7, 7,... Serving as circuit wiring connected to the piezo resistors 6, 6,.
Is one surface of the transverse beam 3 as a support for the cantilevers 5, 5... (The surface on the same side as the surface on which the piezoresistor 6 is formed).
Are formed as a circuit pattern made of a conductive metal, and the feeder line 8 is connected to each of the piezoresistors 6, 6,.
Are extended to the front end side so as to surround the portion where the piezoresistors 6 are formed.
【００３７】以上の如くピエゾ抵抗６，６…、出力線
７，７…及び給電線８及びが形成されたカンチレバー
５，５…並びに横断ビーム３の一方の面は、検知部とし
てのピエゾ抵抗６，６…、並びに回路配線としての出力
線７，７…及び給電線８の形成部分における絶縁確保の
ために、シリコンの熱酸化により得られるＳｉＯ2膜等
の絶縁材料製の被膜９により覆われているが、本発明に
係る振動波センサにおいては、以上の如き被膜９が、図
２中にハッチングを施して示す如く、絶縁が不可欠な前
記ピエゾ抵抗６，６…、出力線７，７…及び給電線８の
形成域を少なくとも覆うように形成されている。As described above, the cantilevers 5, 5,... Having the piezoresistors 6, 6,..., The output lines 7, 7,. , 6,... And the output lines 7, 7,... Serving as circuit wiring, and the power supply line 8 are covered with a coating 9 made of an insulating material such as a SiO2 film obtained by thermal oxidation of silicon. However, in the vibration wave sensor according to the present invention, the coating 9 as described above is hatched in FIG. 2 and the piezoresistors 6, 6. And at least the area where the power supply line 8 is formed.
【００３８】これによりカンチレバー５，５…の一面
は、ピエゾ抵抗６，６…、及びこれらを囲う給電線８が
形成された夫々の根元部近傍のみが前記被膜９により覆
われ、先端側の大部分が被膜９の非形成域として残され
た状態となる。従って、前記被膜９の内部応力の作用に
よる各カンチレバー５，５…の反りの発生を抑えること
ができ、これに起因するカンチレバー５，５…の振動阻
害が抑制されて、前述の如き振動波の伝播に伴う各カン
チレバー５，５…の共振が、前述した寸法設定により決
定された夫々の周波数の振動に対して正確に生じるよう
になり、検知部としてのピエゾ抵抗６，６…の出力によ
り正確な振動波の検出が可能となる。As a result, one surface of each of the cantilevers 5, 5,... Is covered with the coating 9 only in the vicinity of the base where the piezoresistors 6, 6,. The portion is left as a region where the coating 9 is not formed. .. Can be suppressed by the action of the internal stress of the coating 9, and the inhibition of the vibration of the cantilevers 5, 5,... Resulting from this can be suppressed. Resonance of the cantilevers 5, 5... Due to the propagation is accurately generated with respect to the vibration of each frequency determined by the above-described dimension setting, and more accurate by the output of the piezo resistors 6, 6. It is possible to detect various vibration waves.
【００３９】なお、以上の如き被膜９の非形成域は、前
記ＳｉＯ2膜の場合、例えば、カンチレバー５，５…及
び横断ビーム３を含めたセンサ素子１の一面の全体の熱
酸化により、全面を覆うＳｉＯ2膜を形成しておき、そ
の後のエッチングにより、各カンチレバー５，５…の先
端側のＳｉＯ2膜を除去する手順により実現することが
できる。In the case of the SiO2 film, for example, the entire area of the sensor element 1 including the cantilevers 5, 5... And the transverse beam 3 is thermally oxidized. Can be realized by a procedure in which a SiO2 film is formed so as to cover the cantilever 5, and then the SiO2 film on the tip side of each of the cantilevers 5, 5,.
【００４０】図３は、本発明に係る振動波センサのカン
チレバー５，５…の根元部近傍におけるピエゾ抵抗６，
６…の形成態様の他の実施の形態を示す説明図である。
本図に示すピエゾ抵抗６，６…は、夫々のカンチレバー
５，５…の一面に、これらの根元側、即ち、支持体とし
ての横断ビーム３との連結側にその開口側の端部を臨ま
せたコの字形の平面形状を有して形成され、前記端部の
夫々を、横断ビーム３の一面（ピエゾ抵抗６の形成面と
同側の面）に回路パターンとして形成された各別の出力
線７，７…、及び共通の給電線８に接続して振動波セン
サが構成されている。FIG. 3 shows a piezoresistor 6, near the root of the cantilever 5, 5,... Of the vibration wave sensor according to the present invention.
It is explanatory drawing which shows the other embodiment of the formation aspect of 6 ....
The piezoresistors 6, 6... Shown in the figure have their roots on one surface thereof, that is, their ends on the opening side on the connection side with the transverse beam 3 as a support. Each of the end portions is formed as a circuit pattern on one surface of the transverse beam 3 (the surface on the same side as the surface on which the piezoresistor 6 is formed). The vibration wave sensor is configured by connecting to the output lines 7, 7,... And the common power supply line 8.
【００４１】以上の如く構成された振動波センサにおい
ても、カンチレバー５，５…及び横断ビーム３の一面
は、図３中にハッチングを施して示す如く、絶縁が不可
欠なピエゾ抵抗６，６…、出力線７，７…及び給電線８
の形成部分を絶縁材料製の被膜９により覆ってあり、カ
ンチレバー５，５…の一面は、その先端側の大部分が被
膜９により覆われていない非形成域として残されてい
る。Also in the vibration wave sensor constructed as described above, one surface of the cantilevers 5, 5,... And one surface of the transverse beam 3 are indicated by hatching in FIG. Output lines 7, 7 ... and power supply line 8
Are covered with a coating 9 made of an insulating material, and one surface of the cantilevers 5, 5,... Is left as a non-formation area where most of the tip side is not covered with the coating 9.
【００４２】ここで、図３に示す実施の形態において
は、カンチレバー５，５…の一面におけるピエゾ抵抗
６，６…が、前述したコの字形の平面形状を有して形成
され、出力線７，７…及び給電線８との接続が、横断ビ
ーム３との連結側に向けた端部においてなされる構成と
してあり、カンチレバー５，５…の一面に出力線７，７
…及び給電線８が形成されていないことから、カンチレ
バー５，５…における前記被膜９の形成域が、ピエゾ抵
抗６，６…の形成部分にのみ限られ、該被膜９の非形成
域をより大きくすることができる。これにより各カンチ
レバー５，５…の反りの発生、及び振動阻害が一層有効
に抑制され、これらのカンチレバー５，５…の共振を予
め設定された共振周波数においてより正確に生ぜしめる
ことができ、検知部としてのピエゾ抵抗６，６…の出力
により正確な振動検出が可能となる。Here, in the embodiment shown in FIG. 3, the piezoresistors 6, 6,... On one surface of the cantilevers 5, 5,. , 7,... And the feeder 8 are connected at the end toward the connection side with the transverse beam 3, and the output wires 7, 7,.
And the feeder line 8 is not formed, the area where the coating 9 is formed on the cantilevers 5, 5 is limited only to the portion where the piezoresistors 6, 6 are formed. Can be bigger. Thus, the generation of warpage and vibration inhibition of each of the cantilevers 5, 5,... Are more effectively suppressed, and resonance of these cantilevers 5, 5,... Can be more accurately generated at a preset resonance frequency. The output of the piezoresistors 6, 6,... As the unit enables accurate vibration detection.
【００４３】図４は、図２及び図３に示す本発明に係る
振動波センサの出力特性を、カンチレバー５，５…の全
面が被膜９（厚さ５０００ÅのＳｉＯ2膜）により覆わ
れた従来の振動波センサと比較した結果を示すグラフで
ある。図の横軸は、ダイヤフラム２に入力される振動波
としての音波の音圧レベル、同じく縦軸は、ピエゾ抵抗
６，６…の出力側に得られる出力電圧のレベルであり、
図中の一点鎖線は、従来の振動波センサの出力特性を、
同じく実線は、図２に示す振動波センサの出力特性を、
同じく破線は、図３に示す振動波センサの出力特性を夫
々示している。FIG. 4 shows the output characteristics of the vibration wave sensor according to the present invention shown in FIGS. 2 and 3 according to the prior art in which the entire surface of the cantilevers 5, 5,... Is covered with a coating 9 (5000 ° thick SiO2 film). 7 is a graph showing a result of comparison with the vibration wave sensor of FIG. The horizontal axis in the figure is the sound pressure level of the sound wave as the vibration wave input to the diaphragm 2, and the vertical axis is the level of the output voltage obtained on the output side of the piezoresistors 6, 6,.
The chain line in the figure indicates the output characteristics of the conventional vibration wave sensor.
Similarly, the solid line shows the output characteristics of the vibration wave sensor shown in FIG.
Similarly, broken lines indicate output characteristics of the vibration wave sensor shown in FIG.
【００４４】本図に示す如く、本発明に係る振動波セン
サにより得られる出力電圧のレベルは、従来の振動波セ
ンサのそれよりも極めて高く、同一の音圧レベルの振動
を与えた場合の出力電圧を比較した場合、図２に示す振
動波センサの出力電圧Ｖ1は、従来の振動波センサの出
力電圧Ｖ0の略２．３倍、図３に示す振動波センサの出
力電圧Ｖ2は、従来の振動波センサの出力電圧Ｖ0の略
２．５倍にも達し、本発明に係る振動波センサによれ
ば、正確な振動検出に加えて、出力特性の改善が図られ
ることが明らかとなった。As shown in the figure, the output voltage level obtained by the vibration wave sensor according to the present invention is much higher than that of the conventional vibration wave sensor, and the output when the vibration of the same sound pressure level is given. When the voltages are compared, the output voltage V1 of the vibration wave sensor shown in FIG. 2 is approximately 2.3 times the output voltage V0 of the conventional vibration wave sensor, and the output voltage V2 of the vibration wave sensor shown in FIG. reached in approximately 2.5 times the output voltage V0 which conventional vibration wave sensor, according to the vibration wave sensor according to the present invention, clear that in addition to the accurate vibration detection, improvement of the output characteristics can be achieved It became.
【００４５】なお以上の実施の形態においては、カンチ
レバー５の振動を検知する検知部として、これの根元部
に構成されたピエゾ抵抗６を用いた振動波センサについ
て述べたが、前記検知部の構成は、ピエゾ抵抗６に限ら
ず、他の構成とすることも可能である。In the above-described embodiment, the vibration wave sensor using the piezoresistor 6 provided at the base of the detection unit for detecting the vibration of the cantilever 5 has been described. Is not limited to the piezoresistor 6, and other configurations are also possible.
【００４６】図５は、カンチレバーの振動を静電容量の
変化を利用して検知する構成とした静電容量形の検知部
を備える本発明に係る振動波センサの側面図である。図
示の振動波センサは、ガラス基板10の一部に積層された
絶縁体製の基層11を介して支持されたシリコン製の支持
基板12の一側に、これに片持ち支持されたカンチレバー
13を備えている。FIG. 5 is a side view of a vibration wave sensor according to the present invention including a capacitance-type detection unit configured to detect vibration of the cantilever by utilizing a change in capacitance. The illustrated vibration wave sensor has a cantilever supported on one side of a silicon support substrate 12 supported via an insulator base layer 11 laminated on a part of a glass substrate 10.
It has thirteen.
【００４７】カンチレバー13の先端のガラス基板10との
対向面には可動電極14が形成されており、ガラス基板10
表面の該当位置に形成された固定電極17に対向させてあ
る。またガラス基板10の他部には、その一側を絶縁体製
の基層15により支持してシリコン製の回路基板16が備え
られ、この回路基板16は、バンプ18を介して前記固定電
極17に接続されている。そして、前記カンチレバー13の
先端側の前記固定電極17との対向面は、少なくとも前記
可動電極14の形成部分を含めて絶縁性を有する被膜によ
る覆ってある。A movable electrode 14 is formed on the surface of the tip of the cantilever 13 facing the glass substrate 10.
It is opposed to a fixed electrode 17 formed at a corresponding position on the surface. The other part of the glass substrate 10 is provided with a circuit board 16 made of silicon, one side of which is supported by a base layer 15 made of an insulator.The circuit board 16 is connected to the fixed electrode 17 via bumps 18. It is connected. A surface of the tip of the cantilever 13 facing the fixed electrode 17 is covered with an insulating film including at least a portion where the movable electrode 14 is formed.
【００４８】以上の如く構成された振動波センサにおい
て、振動波の伝播によりカンチレバー13が共振すると、
この振動に応じてカンチレバー13先端の可動電極14が、
ガラス基板10表面の固定電極17に接離するように変位
し、これらの電極14，17により構成されたコンデンサの
静電容量が変化することから、この静電容量の変化を出
力として取り出すことにより振動波の検出が行われる。In the vibration wave sensor configured as described above, when the cantilever 13 resonates due to the propagation of the vibration wave,
The movable electrode 14 at the tip of the cantilever 13 responds to this vibration,
The capacitor is displaced so as to come into contact with and separate from the fixed electrode 17 on the surface of the glass substrate 10, and the capacitance of the capacitor formed by these electrodes 14 and 17 changes. Vibration waves are detected.
【００４９】このような静電容量形の振動波センサにお
いては、カンチレバー13の変位に伴って可動電極14と固
定電極17とが接触し、両者間に短絡が発生する虞れがあ
ったが、前述の如く、カンチレバー13の可動電極14の形
成面が絶縁性を有する被膜により覆ってあるから、前記
短絡の発生を回避でき、また前記被膜の形成域が、前述
の如く、絶縁が不可欠な可動電極14の形成部分とされ、
カンチレバー13の根元側の大部分が被膜の非形成域とし
てあることにより、該カンチレバー13の振動阻害が抑制
され、センサ特性及び検出精度の向上を図ることができ
る。In such a capacitance type vibration wave sensor, the movable electrode 14 and the fixed electrode 17 come into contact with the displacement of the cantilever 13 and a short circuit may occur between them. As described above, since the surface on which the movable electrode 14 of the cantilever 13 is formed is covered with the insulating film, the occurrence of the short circuit can be avoided, and the area where the film is formed is movable as described above. A part for forming the electrode 14,
Since most of the root side of the cantilever 13 is an area where the film is not formed, the inhibition of the vibration of the cantilever 13 is suppressed, and the sensor characteristics and the detection accuracy can be improved.
【００５０】[0050]
【発明の効果】以上のように本発明に係るセンサ素子、
及びこれを用いて構成された振動波センサにおいては、
板状の支持体に支持された板状の検出子の一部に被膜の
非形成域を設けたから、前記被膜の内部応力による検出
子の反り、及び振動阻害の発生を抑制でき、良好な特性
下にて正確な振動波の検出が可能となる等、本発明は優
れた効果を奏する。As described above, the sensor element according to the present invention,
And in the vibration wave sensor configured using this,
Since a non-coating area is provided in a part of the plate-like detector supported by the plate-like support, warpage of the detector due to internal stress of the coating, and occurrence of vibration inhibition can be suppressed, and good characteristics can be obtained. The present invention has excellent effects such as accurate detection of vibration waves below.
【図１】本発明に係る振動波センサの第１の実施の形態
を示す平面図である。FIG. 1 is a plan view showing a first embodiment of a vibration wave sensor according to the present invention.
【図２】図１に示す振動波センサのカンチレバーの根元
部近傍におけるピエゾ抵抗の形成態様の説明図である。FIG. 2 is an explanatory diagram of a mode of forming a piezoresistor near a root of a cantilever of the vibration wave sensor shown in FIG. 1;
【図３】本発明に係る振動波センサのカンチレバーの根
元部近傍におけるピエゾ抵抗の形成態様の他の実施の形
態を示す説明図である。FIG. 3 is an explanatory view showing another embodiment of a mode of forming a piezoresistor in the vicinity of the base of the cantilever of the vibration wave sensor according to the present invention.
【図４】本発明の振動波センサによる出力特性の向上効
果の説明図である。FIG. 4 is an explanatory diagram of the effect of improving output characteristics by the vibration wave sensor of the present invention.
【図５】静電容量形の検知部を備える本発明に係る振動
波センサの側面図である。FIG. 5 is a side view of the vibration wave sensor according to the present invention including a capacitance type detection unit.
１ センサ素子 ２ ダイヤフラム ３ 横断ビーム ４ 終止板 ５ カンチレバー ６ ピエゾ抵抗 ７ 出力線 ８ 給電線 ９ 被膜 13 カンチレバー 14 可動電極 17 固定電極 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Sensor element 2 Diaphragm 3 Transverse beam 4 End plate 5 Cantilever 6 Piezoresistance 7 Output line 8 Feeding line 9 Coating 13 Cantilever 14 Movable electrode 17 Fixed electrode
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00569599AJP3374775B2 (en) | 1999-01-12 | 1999-01-12 | Vibration wave sensor |
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00569599AJP3374775B2 (en) | 1999-01-12 | 1999-01-12 | Vibration wave sensor |
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000205940Atrue JP2000205940A (en) | 2000-07-28 |
| JP3374775B2 JP3374775B2 (en) | 2003-02-10 |
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP00569599AExpired - Fee RelatedJP3374775B2 (en) | 1999-01-12 | 1999-01-12 | Vibration wave sensor |
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3374775B2 (en) |
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003064982A1 (en)* | 2002-02-01 | 2003-08-07 | Yo Sugawara | Sound/vibration resonance separating device |
| JP2004251751A (en)* | 2003-02-20 | 2004-09-09 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | Acoustic sensor array, acoustic diagnostic device, and acoustic diagnostic method |
| JP2007051952A (en)* | 2005-08-18 | 2007-03-01 | Tokyo Electron Ltd | Acoustic sensor device, acoustic analysis diagnosis device, and method of manufacturing acoustic sensor |
| JP2007520652A (en)* | 2004-02-17 | 2007-07-26 | ヴィンコール ニクスドルフ インテルナチオナール ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | A cassette-type valuables container with a safety device to store securities |
| KR100804513B1 (en) | 2006-07-28 | 2008-02-20 | 한국표준과학연구원 | Acoustic Sensor Using Piezoelectric Cantilever |
| KR100811862B1 (en)* | 2006-12-28 | 2008-03-10 | 한국표준과학연구원 | Acoustic Sensor Using Piezoelectric Array |
| JP2009219342A (en)* | 2007-11-30 | 2009-09-24 | Seiko Instruments Inc | Oscillating current converter |
| JP2011012995A (en)* | 2009-06-30 | 2011-01-20 | Mitsutoyo Corp | Servo-type vibration detector |
| CN112903088A (en)* | 2021-01-18 | 2021-06-04 | 中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心 | MEMS bionic vector acoustic wave sensor with cross-shaped sensitive structure and processing method thereof |
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003064982A1 (en)* | 2002-02-01 | 2003-08-07 | Yo Sugawara | Sound/vibration resonance separating device |
| US7116035B2 (en) | 2002-02-01 | 2006-10-03 | Yo Sugawara | Sound/vibration resonance separating device |
| JP2004251751A (en)* | 2003-02-20 | 2004-09-09 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | Acoustic sensor array, acoustic diagnostic device, and acoustic diagnostic method |
| JP2007520652A (en)* | 2004-02-17 | 2007-07-26 | ヴィンコール ニクスドルフ インテルナチオナール ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | A cassette-type valuables container with a safety device to store securities |
| JP2007051952A (en)* | 2005-08-18 | 2007-03-01 | Tokyo Electron Ltd | Acoustic sensor device, acoustic analysis diagnosis device, and method of manufacturing acoustic sensor |
| KR100804513B1 (en) | 2006-07-28 | 2008-02-20 | 한국표준과학연구원 | Acoustic Sensor Using Piezoelectric Cantilever |
| KR100811862B1 (en)* | 2006-12-28 | 2008-03-10 | 한국표준과학연구원 | Acoustic Sensor Using Piezoelectric Array |
| WO2008082053A1 (en)* | 2006-12-28 | 2008-07-10 | Korea Research Institute Of Standards And Science | Acoustic sensor with piezo-arrangement film |
| US7965018B2 (en) | 2006-12-28 | 2011-06-21 | Korea Research Institute Of Standards And Science | Acoustic sensor with piezo-arrangement film |
| JP4823363B2 (en)* | 2006-12-28 | 2011-11-24 | コリア リサーチ インスティテュート オブ スタンダーズ アンド サイエンス | Acoustic sensor using piezoelectric alignment film (ACOUSTICSENSORWITHPIEZO-ARRANGEMENTFILM) |
| JP2009219342A (en)* | 2007-11-30 | 2009-09-24 | Seiko Instruments Inc | Oscillating current converter |
| JP2011012995A (en)* | 2009-06-30 | 2011-01-20 | Mitsutoyo Corp | Servo-type vibration detector |
| CN112903088A (en)* | 2021-01-18 | 2021-06-04 | 中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心 | MEMS bionic vector acoustic wave sensor with cross-shaped sensitive structure and processing method thereof |
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3374775B2 (en) | 2003-02-10 |
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4757026B2 (en) | Acceleration sensor characteristic adjustment method | |
| JP3348687B2 (en) | Vibration wave detection method and device | |
| JP3348686B2 (en) | Vibration wave detection method and device | |
| JPH11271207A (en) | Sensor, particularly, sensor for measuring viscosity and density of medium | |
| US7194906B2 (en) | Acceleration sensor having resonators with reduced height | |
| JPH0454165B2 (en) | ||
| JP2000205940A (en) | Sensor element and vibration wave sensor | |
| US6803698B2 (en) | Acceleration sensor | |
| JP3353728B2 (en) | Acoustic vibration sensor | |
| JPH0643179A (en) | Acceleration sensor and manufacture of said sensor | |
| JPH06300800A (en) | Potential sensor | |
| US7155980B2 (en) | Resonating transducer | |
| JP3189620B2 (en) | Piezoelectric vibrator | |
| JPS60186725A (en) | pressure sensor | |
| JP2001091206A (en) | Touch sensor | |
| JPH1038913A (en) | Piezoelectric oscillator | |
| JP2001074767A (en) | Acceleration sensor and method of manufacturing the same | |
| JPS62188975A (en) | Piezoelectric angular velocity sensor | |
| CN222635654U (en) | Piezoelectric resonant pressure sensor and compensation system | |
| CN222635652U (en) | Piezoelectric resonant pressure sensor and compensation system | |
| JPH0954113A (en) | Acceleration sensor | |
| JP2001082961A (en) | Angular velocity sensor and method of manufacturing angular velocity sensor | |
| JPH0643928B2 (en) | Stress sensor | |
| JPS63266338A (en) | piezoelectric vibrator | |
| JPH0979920A (en) | Force detecting device |
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees | Free format text:JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 | |
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) | Free format text:PAYMENT UNTIL: 20111129 Year of fee payment:9 | |
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) | Free format text:PAYMENT UNTIL: 20111129 Year of fee payment:9 | |
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) | Free format text:PAYMENT UNTIL: 20141129 Year of fee payment:12 | |
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |