【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は，欠陥検査装置に係
り，詳しくは，半導体ウェーハ等の被検査物に光を照射
してその散乱光から上記被検査物の欠陥を検査する欠陥
検査装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a defect inspection apparatus, and more particularly, to a defect inspection apparatus for irradiating an inspection object such as a semiconductor wafer with light and inspecting the inspection object for defects from the scattered light. Things.
【０００２】[0002]
【従来の技術】例えば半導体ウェーハの製造工程は，次
の（１）〜（３）の工程から構成される。即ち，（１）
インゴットからウェーハを切り出すスライス工程，
（２）切り出されたウェーハを粗研磨するラップ工程，
（３）粗研磨されたウェーハについて鏡面仕上げをする
鏡面研磨工程の順に処理が行われ，半導体ウェーハが製
造される。ところで，上記工程（２）や（３）の段階で
ウェーハに欠けが生じると，ウェーハ自身はもちろん，
研磨装置にまで重大な損傷を与えてしまう。このため，
上記（１）のスライス工程の後にウェーハ表面の欠陥の
検査が行われる。特に欠陥が発生するのは，ウェーハの
外周部（エッジ部）である。従って，上記欠陥の検査
は，ウェーハのエッジ部を中心に行われる。この検査
は，目視により行うのが一般的であるが，例えばウェー
ハに平行光やレーザ光等の検査光を照射して，欠陥から
の散乱光を検出し自動的に欠陥を検査する欠陥検査装置
も開発されている。2. Description of the Related Art For example, a semiconductor wafer manufacturing process includes the following steps (1) to (3). That is, (1)
Slicing process to cut wafer from ingot,
(2) a lapping step of roughly polishing the cut wafer,
(3) Processing is performed in the order of a mirror polishing step of mirror finishing the roughly polished wafer to produce a semiconductor wafer. By the way, if the wafer is chipped in the steps (2) and (3), not only the wafer itself, but also
It seriously damages the polishing equipment. For this reason,
After the slicing step (1), the wafer surface is inspected for defects. Particularly, defects occur in the outer peripheral portion (edge portion) of the wafer. Therefore, the inspection for the defect is performed mainly on the edge portion of the wafer. This inspection is generally performed visually, but a defect inspection device that irradiates the wafer with inspection light such as parallel light or laser light, detects scattered light from the defect, and automatically inspects the defect. Has also been developed.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】ところで，検査により
発見すべき欠陥の大きさは数十μｍ程度の幅しかない，
非常に小さいものである。しかしながら，上記スライス
工程後のウェーハ表面には，スライサーの鋸刃によって
生じた凹凸が，図９に示すように，平行線状に形成され
てしまう。この凹凸は，上記ウェーハの欠陥の大きさと
比較して大きなものであり，検査光の照射方向によって
は，上記凹凸によって陰影が生じ，欠陥が判別されな
い。上記ウェーハは，回転テーブルに載置され，その面
内で回転させられて検査されることが一般的であるの
で，上記凹凸による陰影がどうしても生じてしまうとい
う問題があった。本発明は，このような従来の技術にお
ける課題を解決するために，欠陥検査装置を改良し，特
定方向の凹凸が形成されたウェーハに対して上記特定方
向から平行に検査光を照射することにより，上記凹凸の
陰影を解消し，欠陥の検査精度を向上させることができ
る欠陥検査装置を提供することを目的とするものであ
る。The size of a defect to be found by inspection has a width of only about several tens of μm.
It is very small. However, unevenness caused by the saw blade of the slicer is formed in a parallel line shape on the wafer surface after the slicing step as shown in FIG. The unevenness is larger than the size of the defect on the wafer, and depending on the irradiation direction of the inspection light, a shadow is generated by the unevenness and the defect cannot be determined. Since the wafer is generally placed on a rotary table and rotated and inspected in the plane, there is a problem that shadows due to the unevenness are necessarily generated. In order to solve the problems in the prior art, the present invention improves a defect inspection apparatus, and irradiates a wafer having irregularities in a specific direction with inspection light in parallel from the specific direction. It is another object of the present invention to provide a defect inspection apparatus that can eliminate the above-mentioned irregularities and improve the inspection accuracy of defects.
【０００４】[0004]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に，請求項１に係る発明は，特定方向に凹凸が形成され
たウェーハが載置され，ウェーハをその面内で回転させ
る回転手段と，上記回転手段により回転させられるウェ
ーハに対して検査光を照射する検査光照射手段と，上記
検査光照射手段により検査光が照射されたウェーハを撮
像する撮像手段と，上記撮像手段により撮像された撮像
画像に基づいてウェーハの欠陥を検査する検査手段とを
具備してなる欠陥検査装置において，上記回転手段によ
り回転させられるウェーハの回転角度を検出する回転角
度検出手段と，上記回転角度検出手段により検出された
ウェーハの回転角度に基づいて上記検査光照射手段の上
記検査光の照射方向を調整する照射方向調整手段と，上
記特定方向と平行な方向から上記検査光をウェーハに照
射するように上記照明方向調整手段を制御する制御手段
とを具備してなることを特徴とする欠陥検査装置として
構成されいてる。また，請求項２に係る発明は，上記請
求項１に記載の欠陥検査装置において，上記制御手段
が，上記回転手段に載置されたウェーハの初期状態にお
ける上記特定方向を検出する方向検出手段を具備してな
ることを要旨とする。また，請求項３に係る発明は，上
記請求項２に記載の欠陥検査装置において，上記方向検
出手段が，上記検査光照射手段により検査光が照射され
ることにより生じた上記凹凸の陰影に基づいて，上記特
定方向を算出するものであることをその要旨とする。上
記請求項１〜３のいずれか１項に記載の欠陥検査装置に
よれば，特定方向の凹凸が形成されたウェーハに対して
上記特定方向から平行に検査光を照射することにより，
上記凹凸の陰影が解消されるため，欠陥の検査精度を向
上させることができる。また，上記ウェーハを回転手段
に載置したときの上記特定方向が不明であっても，上記
凹凸の陰影に基づいて，上記特定方向を算出することが
できる。In order to achieve the above object, the invention according to claim 1 comprises a rotating means for mounting a wafer having irregularities formed in a specific direction and rotating the wafer in the plane. Inspection light irradiating means for irradiating inspection light on the wafer rotated by the rotating means, imaging means for imaging the wafer irradiated with the inspection light by the inspection light irradiating means, and imaging by the imaging means In a defect inspection apparatus comprising inspection means for inspecting a defect of a wafer based on a captured image, a rotation angle detection means for detecting a rotation angle of a wafer rotated by the rotation means, and a rotation angle detection means Irradiation direction adjusting means for adjusting the irradiation direction of the inspection light of the inspection light irradiation means based on the detected rotation angle of the wafer; Direction from which have been configured as a defect inspection apparatus characterized by comprising and a control means for controlling the lighting direction adjusting means so as to irradiate the inspection light on the wafer. According to a second aspect of the present invention, in the defect inspection apparatus according to the first aspect, the control means includes a direction detecting means for detecting the specific direction in an initial state of the wafer placed on the rotating means. The gist is to have it. According to a third aspect of the present invention, in the defect inspection apparatus according to the second aspect, the direction detection unit is configured to detect the irregularities of the irregularities caused by the irradiation of the inspection light by the inspection light irradiation unit. Therefore, the gist is to calculate the specific direction. According to the defect inspection apparatus according to any one of claims 1 to 3, by irradiating inspection light in parallel from the specific direction to a wafer having irregularities formed in a specific direction,
Since the shading of the irregularities is eliminated, the inspection accuracy of the defect can be improved. Further, even if the specific direction when the wafer is placed on the rotating means is unknown, the specific direction can be calculated based on the shading of the unevenness.
【０００５】[0005]
【発明の実施の形態】以下，添付図面を参照して，本発
明の実施の形態につき説明し，本発明の理解に供する。
尚，以下の実施の形態は，本発明の具体的な一例であっ
て，本発明の技術的範囲を限定する性格のものでない。
まず，図１に本発明の一実施の形態に係る欠陥検査装置
の概略構成を示す。図１に示す如く，本発明の一実施の
形態に係る欠陥検査装置は，スライス時に特定方向に凹
凸が形成されたウェーハ１１が載置され，ウェーハ１１
をその面内で回転させるターンテーブル１２（回転手段
に相当）と，上記回転手段１２により回転させられるウ
ェーハ１１に対して検査光を照射する照明１５，１６
（検査光照射手段に相当）と，上記照明１５，１６によ
り検査光が照射されたウェーハ１１を撮像するカメラ
（撮像手段に相当）と，上記カメラ１５，１６により撮
像された撮像画像に基づいてウェーハの欠陥を検査する
画像処理装置１８（検査手段に相当）とを具備する点で
従来のものとほぼ同様である。上記欠陥検査装置が，従
来のものと異なるのは，上記ターンテーブル１２により
回転させられるウェーハの回転角度を検出するエンコー
ダ（回転角度検出手段に相当）と，上記エンコーダによ
り検出されたウェーハの回転角度に基づいて上記照明１
５，１６の上記検査光の照射方向を調整し，上記特定方
向と平行な方向から上記検査光をウェーハに照射するよ
うに上記照明１５，１６を制御する照明制御装置１７
（照明方向調整手段及び制御手段に相当）とを具備して
なる点である。先に，ウェーハのノッチ位置に対する鋸
痕の方向が一定の場合について説明する。上記欠陥検査
装置において，不図示のセンタリング装置によってウェ
ーハ１１のノッチ位置検出とセンタリングが行われ，ノ
ッチの位置が一定になるように，ターンテーブル１２上
にウェーハ１１が移載される。この初期状態において，
ウェーハ１１の鋸方向が一定となっている。ターンテー
ブル１２は，ステッピングモータ等により駆動され，ウ
ェーハ１１を所定角度毎に回転・停止させる。上記ター
ンテーブル１２の回転角度は，図示しないエンコーダに
よって検出される。エンコーダによって検出される回転
角度信号は，後記する照明制御装置１７に出力される。
上記ターンテーブル１２によれば，例えば直径１２イン
チのウェーハに対して，３．６度刻み，即ち１００ステ
ップをかけてウェーハ１１が１回転させられ，ウェーハ
１１の全周が検査される。カメラ１３とカメラ１４は，
ウェーハ１１のエッジ部を撮像する。カメラ１３がウェ
ーハ１１の上面を，カメラ１４がウェーハ１１の下面を
撮像することにより，ウェーハ１１の両面を同時に検査
できるように構成されている。上記カメラ１３，１４の
視野角は例えば１０ｍｍ角であり，分解能は約２０μｍ
角である。上記カメラ１３，１４の近傍には，半円型に
形成された照明１５，１６が設けられている。照明１
５，１６が２つ設けられるのも，上記ウェーハ１１の上
面と下面とを同時に照明するためである。各照明１５，
１６は，図２に示すように，複数のＬＥＤ２１が半円形
に配設されたものであり，各ＬＥＤを独立に点灯させる
ことができる。これにより，カメラ１３，１４の撮影視
野を一様の照度で，且つ任意の方向から照明するように
照明方向を調整することが可能となっている。上記ＬＥ
Ｄ２１の照明方向の制御は照明制御装置１７によって行
われる。照明制御装置１７は，ターンテーブル１２上に
移載されたウェーハ１１の初期状態における照明方向を
設定し，また，ターンテーブル１２の上記エンコーダか
ら出力された回転角度信号に基づいて，その角度に合わ
せて照明方向を順次調整させる。上記照明制御装置１７
により制御される照明方向は，図３に示すように，ウェ
ーハ１１表面の鋸痕の方向に平行な方向である。上記カ
メラ１３，１４はターンテーブル１２が所定角度で停止
する毎にウェーハ１１のエッジ部を撮像する。ここで，
ウェーハ表面の鋸痕に平行な方向から照明がされている
ため，鋸痕による影が消され，ウェーハ１１表面は一様
な明るさで撮像される。即ち，図４（ａ）に示すよう
に，鋸痕に対して平行でない方向から照明された場合に
は，鋸痕の凸部によって影が生じてしまい欠陥の検出が
困難となるが，図４（ｂ）に示すように，鋸痕に平行な
方向から照明された場合には，鋸痕の凸部による影は生
じず，欠陥の検出が可能な状態にすることができる。画
像処理装置１８は，カメラ１３，１４からの撮像画像を
取り込み，画像処理によって欠陥を検出する。上記欠陥
の画像処理による検出は，例えば図５に示すように，参
照画像と撮像画像とを比較することにより行うことがで
きる。即ち，回転させる１つ前の画像を参照画像として
記憶しておき，回転後の画像とエッジが一致するように
画像を位置決めしてから，各画素の差を求める。この差
が所定のしきい値以上の大きさの領域を抽出し，各領域
においてその面積が一定量以上であるならば，その領域
が欠陥として検出されるのである。尚，ノッチ部分につ
いては，ノッチが画面の中央になるようにターンテーブ
ル１２にて位置決めを行い，図６に示すように，撮像し
た画像を反転させたものを参照画像とすることにより欠
陥の検査を行うことが可能である。次に，ウェーハ１１
のノッチ位置に対する鋸痕の方向が一定でない場合につ
いて説明する。この場合には，ノッチ位置を基準に移載
を行っても，鋸痕の方向が不明であるため，まず初期状
態における鋸痕の方向を定める必要がある。ターンテー
ブル１２上にウェーハ１１が移載された初期状態におい
て，照明制御装置１７により制御される照明１５，１６
によって所定方向から照明が行われ，カメラ１３，１４
によりウェーハ１１表面が撮像される。この状態で輝度
分布が求められ，例えば図７（ａ）に示すように，一定
の範囲以上に輝度が分布しているならば，照明方向と鋸
痕の方向とが一致していないことが，上記画像処理装置
１８により判別される。照明方向と鋸痕の方向とが一致
していないことが判別された場合には，照明の方向が調
整され，カメラ１３，１４によりウェーハ１１表面の撮
像が行われ，輝度分布が再度取得される。一方，図７
（ｂ）に示すように，ほぼ一定の範囲内に輝度が分布し
ている場合には，照明方向と鋸痕の方向とがほぼ一致し
ているとの判別が上記画像処理装置１８により行われ
る。照明方向と鋸痕の方向とがほぼ一致しているとの判
別がされた場合には，照明制御装置１７により照明１
５，１６の方向が９０度調整され，改めてカメラ１３，
１４によりウェーハ１１の撮像が行われ，鋸痕による陰
影が生じた画像が取得される。そして，こうして得られ
た画像のＸ方向，Ｙ方向についてそれぞれ所定位置で１
ラインが抽出され，図８に示すように，そのライン上に
おける輝度変化の周期ｄＸ，ｄＹが求められる。さら
に，これらに基づいて，初期状態での鋸痕の角度が，ｔ
ａｎ-1（ｄＹ／ｄＸ）が算出される。上記のようにして
初期状態における鋸痕の角度が算出された後の動作は，
上記ノッチ位置に対する鋸痕の方向が一定である場合と
同様である。尚，上記のような初期状態における鋸痕の
角度の算出を実現する演算手段が，本発明における方向
検出手段の一例である。このように，本実施の形態に係
る欠陥検査装置では，鋸痕の方向と平行な方向から光を
照射することにより，鋸痕の凸部によって生じる影を解
消して，欠陥の検出を行うため，精度のよいウェーハの
欠陥検査を自動的に行うことが可能である。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings to provide an understanding of the present invention.
The following embodiment is a specific example of the present invention and does not limit the technical scope of the present invention.
First, FIG. 1 shows a schematic configuration of a defect inspection apparatus according to one embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, a defect inspection apparatus according to one embodiment of the present invention mounts a wafer 11 having irregularities formed in a specific direction during slicing.
Turntable 12 (corresponding to a rotating means) for rotating the wafer 11 in the plane thereof, and illuminations 15 and 16 for irradiating the wafer 11 rotated by the rotating means 12 with inspection light.
(Corresponding to the inspection light irradiating means), a camera (corresponding to an imaging means) for imaging the wafer 11 irradiated with the inspection light by the illuminations 15 and 16, and a captured image captured by the cameras 15 and 16. This is almost the same as the conventional one in that an image processing device 18 (corresponding to an inspection means) for inspecting a defect of a wafer is provided. The defect inspection apparatus differs from the conventional one in that an encoder (corresponding to a rotation angle detecting means) for detecting a rotation angle of a wafer rotated by the turntable 12 and a rotation angle of the wafer detected by the encoder are used. Lighting 1 based on
An illumination control device 17 that adjusts the irradiation direction of the inspection light 5 and 16 and controls the illuminations 15 and 16 so as to irradiate the wafer with the inspection light from a direction parallel to the specific direction.
(Corresponding to illumination direction adjusting means and control means). First, the case where the direction of the saw mark with respect to the notch position of the wafer is constant will be described. In the defect inspection apparatus, notch position detection and centering of the wafer 11 are performed by a centering device (not shown), and the wafer 11 is transferred onto the turntable 12 so that the position of the notch becomes constant. In this initial state,
The saw direction of the wafer 11 is constant. The turntable 12 is driven by a stepping motor or the like, and rotates and stops the wafer 11 at a predetermined angle. The rotation angle of the turntable 12 is detected by an encoder (not shown). The rotation angle signal detected by the encoder is output to a lighting control device 17 described later.
According to the turntable 12, for example, a wafer having a diameter of 12 inches is rotated once in steps of 3.6 degrees, that is, 100 steps, and the entire circumference of the wafer 11 is inspected. Camera 13 and camera 14
The edge of the wafer 11 is imaged. The camera 13 images the upper surface of the wafer 11 and the camera 14 images the lower surface of the wafer 11 so that both surfaces of the wafer 11 can be inspected simultaneously. The viewing angles of the cameras 13 and 14 are, for example, 10 mm square and the resolution is about 20 μm.
Is the corner. In the vicinity of the cameras 13 and 14, illuminations 15 and 16 formed in a semicircular shape are provided. Lighting 1
The reason why two 5 and 16 are provided is to illuminate the upper surface and the lower surface of the wafer 11 at the same time. Each lighting 15,
Reference numeral 16 denotes a plurality of LEDs 21 arranged in a semicircle as shown in FIG. 2, and each LED can be turned on independently. This makes it possible to adjust the illumination direction so that the field of view of the cameras 13 and 14 is illuminated with uniform illuminance and from any direction. LE above
The illumination direction control of D21 is performed by the illumination control device 17. The illumination control device 17 sets the illumination direction of the wafer 11 transferred on the turntable 12 in the initial state, and adjusts the angle to the angle based on the rotation angle signal output from the encoder of the turntable 12. To sequentially adjust the illumination direction. Lighting control device 17
Is a direction parallel to the direction of the saw mark on the surface of the wafer 11, as shown in FIG. The cameras 13 and 14 image the edge of the wafer 11 each time the turntable 12 stops at a predetermined angle. here,
Since the illumination is performed from the direction parallel to the saw marks on the wafer surface, the shadow caused by the saw marks is eliminated, and the surface of the wafer 11 is imaged with uniform brightness. That is, as shown in FIG. 4A, when the illumination is performed from a direction that is not parallel to the saw mark, a shadow is formed by the protruding portion of the saw mark, making it difficult to detect a defect. As shown in (b), when the illumination is performed from a direction parallel to the saw mark, the shadow due to the convex portion of the saw mark does not occur, and the defect can be detected. The image processing device 18 captures captured images from the cameras 13 and 14 and detects defects by image processing. Detection of the defect by image processing can be performed by comparing a reference image and a captured image, for example, as shown in FIG. That is, the image immediately before the rotation is stored as a reference image, and the image is positioned so that the edge coincides with the image after the rotation, and then the difference between the pixels is obtained. Regions having the difference equal to or larger than a predetermined threshold value are extracted. If the area of each region is equal to or larger than a predetermined amount, the region is detected as a defect. Note that the notch portion is positioned on the turntable 12 so that the notch is located at the center of the screen, and as shown in FIG. It is possible to do. Next, the wafer 11
The case where the direction of the saw mark with respect to the notch position is not constant will be described. In this case, even if the transfer is performed based on the notch position, since the direction of the saw mark is unknown, it is necessary to first determine the direction of the saw mark in the initial state. In an initial state where the wafer 11 is transferred onto the turntable 12, the illuminations 15, 16 controlled by the illumination control device 17 are provided.
Illumination is performed from a predetermined direction by the
Images the surface of the wafer 11. In this state, a luminance distribution is obtained. For example, as shown in FIG. 7A, if the luminance is distributed over a certain range, it is determined that the illumination direction does not match the saw mark direction. The determination is made by the image processing device 18. If it is determined that the illumination direction does not match the saw mark direction, the illumination direction is adjusted, the cameras 13 and 14 image the surface of the wafer 11, and the luminance distribution is acquired again. . On the other hand, FIG.
As shown in (b), when the luminance is distributed within a substantially constant range, the image processing device 18 determines that the illumination direction and the direction of the saw mark are substantially the same. . If it is determined that the illumination direction and the direction of the saw mark are substantially the same, the illumination
The directions of 5 and 16 are adjusted 90 degrees, and the camera 13
The imaging of the wafer 11 is performed by 14, and an image in which the shadow due to the saw mark occurs is obtained. Then, in the X direction and the Y direction of the image thus obtained,
The line is extracted, and the periods dX and dY of the luminance change on the line are obtained as shown in FIG. Further, based on these, the angle of the saw mark in the initial state is t
an-1 (dY / dX) is calculated. The operation after the angle of the saw mark in the initial state is calculated as described above is as follows.
This is similar to the case where the direction of the saw mark with respect to the notch position is constant. The calculating means for calculating the angle of the saw mark in the initial state as described above is an example of the direction detecting means in the present invention. As described above, in the defect inspection apparatus according to the present embodiment, by irradiating light from a direction parallel to the direction of the saw mark, the shadow caused by the convex portion of the saw mark is eliminated, and the defect is detected. It is possible to automatically perform a highly accurate wafer defect inspection.
【０００６】[0006]
【実施例】上記実施の形態では，複数のＬＥＤを半円形
に配設した照明１５，１６を用いたが，これに限らず，
例えば円形にＬＥＤを配設してもよいし，ＬＥＤ以外の
他の光源を用いるようにしてもよい。さらに，蛍光管を
用いた円形の照明に液晶シャッタを取り付け，任意の方
向の光を透過できるようにしたものを用いてもよい。こ
のような欠陥検査装置も本発明における欠陥検査装置の
一例である。また，上記実施の形態では，参照画像と撮
像画像との差分を求めて，欠陥の検出を行ったが，これ
に限られるものではなく，例えば撮像画像に対してＳｏ
ｂｅｌ等の微分フィルタを用いて微分処理を行い，欠陥
部分だけを強調する前処理を行ってから，あるしきい値
以上の大きさの領域を抽出し，各領域の面積が一定量以
上である場合に，その領域を欠陥であると判別するよう
にしてもよい。このような欠陥検査装置も本発明におけ
る欠陥検査装置の一例である。また，上記実施の形態で
は，初期状態における撮像画像のＸ，Ｙ方向それぞれに
ついて１ラインを抽出して輝度変化の周期を求めたが，
複数のラインを抽出して輝度変化の周期を複数求め，そ
れを平均したものを用いるようにしてもよい。また，上
記周期は，フーリエ変換を用いて求めてもよい。この場
合にも，例えばＸ，Ｙ方向の１次元フーリエ変換を個別
に求めてもよいし，２次元フーリエ変換を用いて両方向
の周期を同時に求めるようにしてもよい。このような欠
陥検査装置も本発明における欠陥検査装置の一例であ
る。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS In the above embodiment, the illuminations 15 and 16 in which a plurality of LEDs are arranged in a semicircle are used.
For example, the LEDs may be arranged in a circle, or a light source other than the LEDs may be used. Further, a liquid crystal shutter may be attached to circular illumination using a fluorescent tube so that light in an arbitrary direction can be transmitted. Such a defect inspection device is also an example of the defect inspection device in the present invention. Further, in the above-described embodiment, the difference between the reference image and the captured image is obtained to detect the defect. However, the present invention is not limited to this.
The differential processing is performed using a differential filter such as bel, and preprocessing is performed to emphasize only the defective portion. Then, regions having a size equal to or larger than a certain threshold value are extracted, and the area of each region is equal to or larger than a certain amount. In such a case, the area may be determined to be defective. Such a defect inspection device is also an example of the defect inspection device in the present invention. In the above-described embodiment, one line is extracted in each of the X and Y directions of the captured image in the initial state, and the cycle of the luminance change is obtained.
A plurality of lines may be extracted to determine a plurality of periods of the luminance change, and an average thereof may be used. Further, the period may be obtained by using a Fourier transform. In this case, for example, the one-dimensional Fourier transform in the X and Y directions may be individually obtained, or the periods in both directions may be simultaneously obtained using the two-dimensional Fourier transform. Such a defect inspection device is also an example of the defect inspection device in the present invention.
【０００７】[0007]
【発明の効果】以上説明した通り，上記請求項１〜３の
いずれか１項に記載の欠陥検査装置によれば，特定方向
の凹凸が形成されたウェーハに対して上記特定方向から
平行に検査光を照射することにより，上記凹凸の陰影が
解消されるため，欠陥の検査精度を向上させることがで
きる。また，上記ウェーハを回転手段に載置したときの
上記特定方向が不明であっても，上記凹凸の陰影に基づ
いて，上記特定方向を算出することができる。As described above, according to the defect inspection apparatus according to any one of the first to third aspects, an inspection is performed on a wafer having irregularities in a specific direction in parallel from the specific direction. By irradiating the light, the shading of the unevenness is eliminated, so that the inspection accuracy of the defect can be improved. Further, even if the specific direction when the wafer is placed on the rotating means is unknown, the specific direction can be calculated based on the shading of the unevenness.
【図１】 本発明の一実施の形態に係る欠陥検査装置の
概略構成を示す図。FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a defect inspection apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図２】 上記欠陥検査装置の照明を説明するための
図。FIG. 2 is a view for explaining illumination of the defect inspection apparatus.
【図３】 ウェーハの鋸痕と照明の関係を説明するため
の図。FIG. 3 is a diagram for explaining the relationship between saw marks on a wafer and illumination.
【図４】 照明の照射方向と撮像画像の関係を説明する
ための図。FIG. 4 is a diagram for explaining the relationship between the direction of illumination and the captured image.
【図５】 画像処理による欠陥検査の一例を説明するた
めの図。FIG. 5 is a view for explaining an example of a defect inspection by image processing.
【図６】 画像処理による欠陥検査の他の例を説明する
ための図。FIG. 6 is a view for explaining another example of the defect inspection by image processing.
【図７】 ある方向からウェーハに検査光を照射したと
きの輝度分布を説明するための図。FIG. 7 is a diagram for explaining a luminance distribution when the wafer is irradiated with inspection light from a certain direction.
【図８】 鋸痕の方向についての演算を説明するための
図。FIG. 8 is a diagram for explaining an operation regarding the direction of a saw mark.
【図９】 ウェーハに生じる鋸痕を説明するための図。FIG. 9 is a view for explaining saw marks formed on a wafer.
１１…ウェーハ １２…ターンテーブル １３，１４…カメラ １５，１６…照明 １７…照明制御装置 １８…画像処理装置 DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 ... Wafer 12 ... Turntable 13, 14 ... Camera 15, 16 ... Lighting 17 ... Lighting control device 18 ... Image processing device
フロントページの続き (72)発明者 今西 顕史 兵庫県神戸市西区高塚台１丁目５番５号 株式会社神戸製鋼所神戸総合技術研究所内 (72)発明者 森本 勉 兵庫県神戸市西区高塚台１丁目５番５号 株式会社神戸製鋼所神戸総合技術研究所内 (72)発明者 高松 弘行 兵庫県神戸市西区高塚台１丁目５番５号 株式会社神戸製鋼所神戸総合技術研究所内 (72)発明者 山本 雄治 兵庫県神戸市西区高塚台１丁目５番５号 神戸製鋼５号館 ジェネシス・テクノロジ ー株式会社内 Ｆターム(参考） 2F065 AA49 AA61 BB01 CC19 DD11 FF04 FF41 FF65 GG07 GG15 JJ03 JJ05 MM04 NN00 QQ13 QQ16 QQ24 QQ25 QQ31 TT02 2G051 AA51 AB02 BA01 BA20 CA03 CA04 CA07 CB06 DA07 DA08 EA08 EA14 EB01 EB02 EC02 EC03Continuing from the front page (72) Inventor, Kenji Imanishi 1-5-5, Takatsukadai, Nishi-ku, Kobe City, Hyogo Prefecture Inside Kobe Research Institute, Kobe Steel Ltd. No. 5-5 Kobe Steel, Ltd.Kobe Research Institute (72) Inventor Hiroyuki Takamatsu 1-5-5 Takatsukadai, Nishi-ku, Kobe City, Hyogo Prefecture Kobe Steel, Ltd.Kobe Research Institute (72) Inventor Yamamoto Yuji 1-5-5 Takatsukadai, Nishi-ku, Kobe City, Hyogo Prefecture Kobe Steel No.5 Building Genesis Technology Co., Ltd. F-term (reference) 2F065 AA49 AA61 BB01 CC19 DD11 FF04 FF41 FF65 GG07 GG15 JJ03 JJ05 MM04 NN00 QQ13 QQ25 QQ24 TT02 2G051 AA51 AB02 BA01 BA20 CA03 CA04 CA07 CB06 DA07 DA08 EA08 EA14 EB01 EB02 EC02 EC03
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20912698AJP2000046743A (en) | 1998-07-24 | 1998-07-24 | Defect-inspecting device |
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20912698AJP2000046743A (en) | 1998-07-24 | 1998-07-24 | Defect-inspecting device |
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000046743Atrue JP2000046743A (en) | 2000-02-18 |
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20912698APendingJP2000046743A (en) | 1998-07-24 | 1998-07-24 | Defect-inspecting device |
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000046743A (en) |
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100389967B1 (en)* | 2000-08-21 | 2003-07-02 | 김성남 | Automatized defect inspection system |
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| US11927545B1 (en) | 2023-01-12 | 2024-03-12 | Camtek Ltd | Semiconductor edge and bevel inspection tool system |
| US12315206B2 (en) | 2023-04-24 | 2025-05-27 | Camtek Ltd | Inspection system for edge and bevel inspection of semiconductor structures |
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| JP7441469B2 (en) | 2019-05-31 | 2024-03-01 | 株式会社昭和電気研究所 | Visual inspection equipment |
| CN114563352A (en)* | 2022-04-27 | 2022-05-31 | 深圳市标谱半导体科技有限公司 | Light source installation component and braid detection device |
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| US11927545B1 (en) | 2023-01-12 | 2024-03-12 | Camtek Ltd | Semiconductor edge and bevel inspection tool system |
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