【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、ガス放電型表示装
置に係り、特に３電極面放電構造のＡＣ型ガス放電型表
示装置の構造に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a gas discharge type display device, and more particularly to a structure of an AC type gas discharge type display device having a three-electrode surface discharge structure.
【０００２】[0002]
【従来の技術】プラズマディスプレイなどのガス放電型
表示装置は自己発光により表示を行うため、視野角が広
く、表示が見やすい。また、薄型のものが作製できるこ
とや大画面を実現できるなどの特徴を持っており、情報
端末機器の表示装置や高品位テレビジョン受像機への応
用が始まっている。プラズマディスプレイは直流駆動型
と交流駆動型に大別される。このうち交流駆動型のプラ
ズマディスプレイは、電極を覆っている誘電体層のメモ
リー作用によって輝度が高く、保護層の形成などにより
実用に耐える寿命が得られるようになった。この結果、
プラズマディスプレイは多用途のビデオ・モニタとして
実用化されている。2. Description of the Related Art A gas discharge type display device such as a plasma display performs display by self-emission, so that the display angle is wide and the display is easy to see. In addition, it has features such as being able to manufacture a thin type and realizing a large screen, and has begun to be applied to a display device of an information terminal device and a high-definition television receiver. Plasma displays are roughly classified into a DC drive type and an AC drive type. Among them, the AC drive type plasma display has a high luminance due to the memory effect of the dielectric layer covering the electrodes, and has a practically usable life due to the formation of the protective layer and the like. As a result,
Plasma displays have been put to practical use as versatile video monitors.
【０００３】図４は実用化されたプラズマディスプレイ
パネルの構造を示す斜視図である。この図では、見易く
するため、前面基板１００を背面基板２００と放電空間
領域３００より離して図示した。FIG. 4 is a perspective view showing the structure of a practically used plasma display panel. In this figure, the front substrate 100 is shown separated from the rear substrate 200 and the discharge space region 300 for easy viewing.
【０００４】前面基板１００は、前面ガラス基板４００
上にITO(Indium Tin Oxide)や酸化スズ(SnO2)などの透
明電極材料からなる表示電極６００と低抵抗材料からな
るバス電極７００、透明な絶縁材料からなる誘電体層８
００、酸化マグネシウム(MgO)などの材料からなる保護
層９００が形成された構造となっている。The front substrate 100 includes a front glass substrate 400
A display electrode 600 made of a transparent electrode material such as ITO (Indium Tin Oxide) or tin oxide (SnO2), a bus electrode 700 made of a low-resistance material, and a dielectric layer 8 made of a transparent insulating material are formed thereon.
00, a protective layer 900 made of a material such as magnesium oxide (MgO) is formed.
【０００５】背面基板２００は、背面ガラス基板５００
上にアドレス電極１０００と隔壁１１００、蛍光体層１
２００が形成された構造となっている。The back substrate 200 is a back glass substrate 500
Address electrode 1000, partition 1100, phosphor layer 1
200 is formed.
【０００６】そして、前面基板１００と背面基板２００
を表示電極６００とアドレス電極１０００がほぼ直交す
るように張り合わせることにより、放電空間領域３００
が前面基板１００と背面基板２００の間に形成されてい
る。The front substrate 100 and the rear substrate 200
Are bonded so that the display electrode 600 and the address electrode 1000 are substantially orthogonal to each other, so that the discharge space region 300
Are formed between the front substrate 100 and the rear substrate 200.
【０００７】このガス放電型表示装置では、前面基板１
００に設けた１対の表示電極６００の間に交流電圧を印
加し、背面基板２００に設けたアドレス電極１０００と
表示電極６００の間に電圧を印加することによってアド
レス放電を発生させ、所定の放電セルに主放電を発生さ
せる。この主放電で発生する紫外線により各々の放電セ
ルに塗り分けられた赤、緑及び青の蛍光体１２００を発
光させ、表示を行っている。In this gas discharge type display device, the front substrate 1
00, an AC voltage is applied between a pair of display electrodes 600 provided on the rear substrate 200, and a voltage is applied between the address electrodes 1000 provided on the rear substrate 200 and the display electrodes 600 to generate an address discharge. A main discharge is generated in the cell. The red, green, and blue phosphors 1200 that are separately applied to the respective discharge cells are caused to emit light by the ultraviolet light generated by the main discharge, and display is performed.
【０００８】このようなガス放電型表示装置の従来例
は、たとえば、フラットパネルディスプレイ１９９６
（日経マイクロデバイス編、１９９５年）の第２０８頁
から２１５頁に記載されている。A conventional example of such a gas discharge type display device is, for example, a flat panel display 1996.
(Nikkei Microdevices, 1995), pp. 208-215.
【０００９】なお、隔壁１１００は、隔壁材を所定の高
さまで印刷、焼成した後、サンドブラストなどを用いて
所望の形状に形成するため、図５に示すようにアドレス
電極１０００上に誘電体層１３００（図示せず）を形成
するのが一般的である。すなわち、この誘電体層１３０
０によりサンドブラスト時のアドレス電極１０００の保
護をするのが一般的である。The partition wall 1100 is formed by printing and baking the partition wall material to a predetermined height and then forming the partition wall into a desired shape by using sand blasting or the like. Therefore, as shown in FIG. (Not shown) is generally formed. That is, the dielectric layer 130
Generally, 0 protects the address electrodes 1000 during sandblasting.
【００１０】[0010]
【発明が解決しようとする課題】しかし、この誘電体層
１３００を形成すると、アドレス電極１０００と表示電
極６００との間の放電現象の中で、リセットしきれない
アンバランスな電荷がアドレス電極１０００上の誘電体
層１３００表面に蓄積しやすくなり、その後の放電現象
においてラッチアップや偶発的な異常放電を引き起こす
といった問題が生ずる。このラッチアップや偶発的な異
常放電は、放電セル空間が比較的大きい場合は起こりに
くいが、駆動条件や各構成要件の寸法を適正化したとし
ても完全に防止することは極めて困難であり、特に、２
５インチのＸＧＡやＳＸＧＡなどの高精細パネルではセ
ル空間が狭いので、この現象は大きな問題となる。However, when the dielectric layer 1300 is formed, unbalanced charges that cannot be completely reset remain on the address electrode 1000 due to a discharge phenomenon between the address electrode 1000 and the display electrode 600. This easily accumulates on the surface of the dielectric layer 1300, causing a problem that a subsequent discharge phenomenon causes latch-up or accidental abnormal discharge. This latch-up and accidental abnormal discharge are unlikely to occur when the discharge cell space is relatively large, but it is extremely difficult to completely prevent even if the driving conditions and the dimensions of each component are optimized, especially , 2
In a high-definition panel such as 5-inch XGA or SXGA, the cell space is narrow, so this phenomenon is a serious problem.
【００１１】このため、特開平１０−６４４３４号公報
では、誘電体層１３００内に１０μｍ以下の微粒の金属
やその酸化物をごく微量均一に入れて蓄積電荷を逃がす
ように構成している。For this reason, Japanese Patent Laid-Open No. 10-64434 discloses a structure in which a very small amount of fine metal or oxide thereof having a size of 10 μm or less is introduced into the dielectric layer 1300 in a very small amount to release the accumulated charge.
【００１２】ところが、この金属微粒子は粒径を揃えか
つ微細にしたものを誘電体層１３００内に分散させるこ
とが難しい。例えば、金属粒子をあまり微細にしすぎる
と、それぞれの金属粒子が凝集して巨大粒子となり、隣
接するアドレス電極１０００間をショートする原因とな
る。また、金属の種類によっては、大気中でも燃焼して
しまうほど反応性が高いため、不活性雰囲気で管理する
必要があり、コスト増となってしまう。However, it is difficult to disperse the fine metal particles having a uniform particle size and a fine size in the dielectric layer 1300. For example, if the metal particles are too fine, each metal particle aggregates and becomes a giant particle, which causes a short circuit between the adjacent address electrodes 1000. In addition, depending on the type of metal, the reactivity is so high that it burns even in the air, so that it is necessary to manage it in an inert atmosphere, which increases the cost.
【００１３】また、前述の蓄積電荷を逃がすだけなら
ば、誘電体層１３００をスパッタ法や蒸着法などにより
成膜して誘電体層１３００を薄く形成すればよいが、ガ
ラス基板５００に対するアドレス電極１０００の段差が
あるために、薄くすればするほどアドレス電極１０００
に対する誘電体層１３００のカバレジ性が悪くなり、誘
電体層により覆われない部分が存在してしまう。If only the above-mentioned accumulated charge is released, the dielectric layer 1300 may be formed by sputtering or vapor deposition to make the dielectric layer 1300 thin. Of the address electrode 1000
The coverage of the dielectric layer 1300 is deteriorated, and there is a portion that is not covered by the dielectric layer.
【００１４】本発明の目的は、アドレス電極上の誘電体
層を蓄積電荷を逃がす程度の薄さとし、かつ少なくとも
表示領域に配置されるアドレス電極の全表面を誘電体層
で覆うようにしたガス放電型表示装置を提供することに
ある。An object of the present invention is to provide a gas discharge in which a dielectric layer on an address electrode is made thin enough to allow accumulated charges to escape and at least the entire surface of the address electrode arranged in a display area is covered with the dielectric layer. It is to provide a type display device.
【００１５】[0015]
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、複数の第一の電極と該第一の電極間に配
置された隔壁とを有する第一の基板と、 該第一の電極
と交差するように配置された複数の第二の電極を有する
第二の基板とを備えたガス放電型表示装置であって、該
第一の電極を沈み込ませて誘電体層内に配置したもので
ある。In order to achieve the above object, the present invention provides a first substrate having a plurality of first electrodes and a partition disposed between the first electrodes; A gas discharge type display device comprising: one electrode and a second substrate having a plurality of second electrodes arranged to intersect with each other, wherein the first electrode is submerged in the dielectric layer. It is arranged in.
【００１６】このように第一の電極を誘電体層内に沈み
込ませて形成することで、ガラス基板に対する第一の電
極の段差の影響を受けにくくなり第一の電極に対する誘
電体層のカバレジ性を向上させることができる。また、
第一の電極を誘電体層内に沈み込ませて形成すれば、ア
ドレス電極上の誘電体層を蓄積電荷を逃がす程度の薄さ
に形成しやすいので、アドレス電極の放電面を蓄積電荷
を逃がす程度の薄さとし、かつ少なくとも表示領域に配
置される電極全体を誘電体層で覆うことができる。By forming the first electrode so as to be submerged in the dielectric layer in this way, the first electrode is less affected by the step of the first electrode with respect to the glass substrate, and the coverage of the dielectric layer with respect to the first electrode is reduced. Performance can be improved. Also,
If the first electrode is formed so as to sink into the dielectric layer, the dielectric layer on the address electrode can be easily formed to a thickness small enough to allow the accumulated charges to escape, so that the accumulated charges can escape from the discharge surface of the address electrode. It can be made as thin as possible, and at least the entire electrode arranged in the display area can be covered with the dielectric layer.
【００１７】また、第一の電極の表面を誘電体層により
被覆することにより、サンドブラスト時のダメージを抑
制できかつ蓄積電荷を逃がすことができるので、断線や
異常放電を抑制したガス放電型表示装置を提供すること
が可能となる。また、従来のように誘電体層内に金属粉
を混入させて蓄積電荷を逃がすことはないので、隣接す
る電極間のショート等の問題もない。Further, by covering the surface of the first electrode with a dielectric layer, damage during sandblasting can be suppressed and accumulated charges can be released, so that a gas discharge type display device in which disconnection and abnormal discharge are suppressed. Can be provided. In addition, since the accumulated charge is not released by mixing the metal powder into the dielectric layer as in the related art, there is no problem such as a short circuit between adjacent electrodes.
【００１８】[0018]
【発明の実施の形態】以下、図面を用いて本発明の実施
の形態を詳細に説明する。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.
【００１９】図１は、本発明を適用したガス放電型表示
装置の断面図である。FIG. 1 is a sectional view of a gas discharge type display device to which the present invention is applied.
【００２０】図において、１は背面ガラス基板、２はア
ドレス電極、３は隔壁、４は蛍光体層、５はＭｇＯ等の
保護層、６は誘電体層（前面）、７は低抵抗化のための
ＡｇやＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒなどの不透明電極であるバス電
極、８はＩＴＯなどの表示電極、９は前面ガラス基板、
１０は誘電体層（背面）である。なお、バス電極７と表
示電極８とで構成する電極はほぼ並列に複数個配置され
ており（図示せず）、隣接する２本の電極（Ｘ電極、Ｙ
電極）を対とし、かつそれらと交差するアドレス電極２
とで１つの放電セルを形成する。この放電セルは縦横方
向に複数個配置されており、マトリクス状に配置されて
いる。In the figure, 1 is a rear glass substrate, 2 is an address electrode, 3 is a partition, 4 is a phosphor layer, 5 is a protective layer of MgO or the like, 6 is a dielectric layer (front), and 7 is a lower resistance. Bus electrode which is an opaque electrode such as Ag or Cr / Cu / Cr, 8 is a display electrode such as ITO, 9 is a front glass substrate,
Reference numeral 10 denotes a dielectric layer (back surface). A plurality of electrodes composed of the bus electrode 7 and the display electrode 8 are arranged substantially in parallel (not shown), and two adjacent electrodes (X electrode, Y electrode)
Electrodes) and address electrodes 2 intersecting them
To form one discharge cell. The plurality of discharge cells are arranged in the vertical and horizontal directions, and are arranged in a matrix.
【００２１】ところで、本実施の形態では、図から分か
るように、アドレス電極２が誘電体層（背面）１０内に
配置されており、アドレス電極２の表面を誘電体層１０
により薄くコートされたような状態となっている。In the present embodiment, as can be seen from the figure, the address electrode 2 is disposed in the dielectric layer (back surface) 10 and the surface of the address electrode 2 is disposed on the dielectric layer 10.
It is in a state where it is thinly coated.
【００２２】隔壁３を形成するときのサンドブラストの
ダメージを抑制し、かつ誘電体層10表面に蓄積する蓄積
電荷をアドレス電極２へ逃がすようにするために、この
アドレス電極２の表面を覆う誘電体層１０の厚さは１０
ナ以上、１μｍ以下としている。A dielectric covering the surface of the address electrode 2 in order to suppress damage due to sand blast when forming the partition 3 and to release accumulated charges accumulated on the surface of the dielectric layer 10 to the address electrode 2. The thickness of layer 10 is 10
And not less than 1 μm.
【００２３】これによって、隔壁を形成するときのサン
ドブラストのダメージを抑制してアドレス電極の断線を
抑制することができる。また、誘電体層１０表面に蓄積
する蓄積電荷はアドレス電極２へリークしやすくなるの
で、余分な蓄積電荷が原因で生ずる異常放電を抑制する
こともできる。Thus, the damage of the sandblast when forming the partition can be suppressed, and the disconnection of the address electrode can be suppressed. Further, since the accumulated charges accumulated on the surface of the dielectric layer 10 easily leak to the address electrode 2, abnormal discharge caused by extra accumulated charges can be suppressed.
【００２４】次に、図７は隔壁３を形成する前のアドレ
ス電極２の有する外部接続端子と誘電体層３との関係を
示している。なお外部接続端子とは、外部回路との接続
部分である。Next, FIG. 7 shows the relationship between the external connection terminals of the address electrode 2 and the dielectric layer 3 before the formation of the partition walls 3. Note that the external connection terminal is a connection portion with an external circuit.
【００２５】図から分かるように、誘電体層１０は、表
示領域だけでなく外部接続端子を覆うような範囲にまで
形成する。従って、外部接続端子を含むアドレス電極２
の全ての表面が誘電体層１０により覆われることとな
り、アドレス電極２における酸化反応が抑制され信頼性
が向上する。また、この場合の外部回路との接続は、図
８に示すように導電粒子２１と熱可塑性樹脂２２とから
なる導電性シート２３などを用いて接続すればよい。す
なわち、アドレス電極２の外部接続端子表面を覆った誘
電体層１０を導電性シート２３に含まれる導電粒子によ
り破るようにして外部回路２０の端子との電気的接続を
とればよい。As can be seen from the figure, the dielectric layer 10 is formed not only in the display area but also in a range that covers the external connection terminals. Therefore, the address electrodes 2 including the external connection terminals
Is covered with the dielectric layer 10, the oxidation reaction in the address electrode 2 is suppressed, and the reliability is improved. Further, in this case, connection to an external circuit may be made using a conductive sheet 23 made of conductive particles 21 and a thermoplastic resin 22, as shown in FIG. That is, the dielectric layer 10 covering the surface of the external connection terminal of the address electrode 2 may be broken by the conductive particles contained in the conductive sheet 23 to make an electrical connection with the terminal of the external circuit 20.
【００２６】以下、ガラス層(誘電体層１０)、電極パタ
ーン、隔壁材料等の形成を印刷方法を用いた製造プロセ
スで説明しているが、各材料をコーターで塗布、または
ドライフィルムをラミネータで貼着する方法を用いて形
成し、その後、必要があればフォトリソ法を用いて各パ
ターンを形成する製造プロセスでも良い。In the following, the formation of the glass layer (dielectric layer 10), electrode pattern, partition wall material, and the like will be described by a manufacturing process using a printing method. Each material is applied by a coater, or a dry film is applied by a laminator. A manufacturing process of forming each pattern by using a sticking method, and then forming each pattern by using a photolithography method, if necessary, may be used.
【００２７】次に図６は図１に示す構造の製造プロセス
を示す。なお、図６は、アドレス電極を薄膜電極と厚膜
電極との両方で形成した場合をそれぞれ示している。ま
た、誘電体層上に隔壁を形成するまでを示している。FIG. 6 shows a manufacturing process of the structure shown in FIG. FIG. 6 shows a case where the address electrode is formed of both a thin film electrode and a thick film electrode. Also, the steps up to the formation of the partition on the dielectric layer are shown.
【００２８】まず誘電体層（背面）１０として、例えば
軟化点が６００℃以下のガラス層を印刷、焼成して形成
する（ステップ１）。次に、その焼成したガラス層（誘
電体層１０）の上にアドレス電極２としてＡｇ電極を所
望の電極パターンに印刷して形成する（ステップ２）。First, a glass layer having a softening point of, for example, 600 ° C. or less is formed as the dielectric layer (back surface) 10 by printing and baking (step 1). Next, on the fired glass layer (dielectric layer 10), an Ag electrode as an address electrode 2 is formed by printing in a desired electrode pattern (step 2).
【００２９】次に、その印刷形成したＡｇ電極（アドレ
ス電極２）を焼成することで（ステップ３）、同時に下
地ガラス層（誘電体層１０）にＡｇ電極（アドレス電極
２）を沈み込ませる（ステップ４）。このように下地ガ
ラス層（誘電体層１０）にＡｇ電極（アドレス電極２）
が沈み込む理由は、印刷形成したＡｇ電極（アドレス電
極２）の電極表面や内部は一般的に粗な状態であり、そ
の粗な部分に軟化した下地ガラス層（誘電体層１０）が
吸収されることで実現したものと考えられる。従って、
アドレス電極はＡｇに限らず、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌなどで
あっても同様の構造にすることも可能である。Next, the printed Ag electrode (address electrode 2) is fired (step 3), and at the same time, the Ag electrode (address electrode 2) is submerged in the underlying glass layer (dielectric layer 10) (step 3). Step 4). Thus, the Ag electrode (address electrode 2) is formed on the underlying glass layer (dielectric layer 10).
The reason for sinking is that the electrode surface or the inside of the printed Ag electrode (address electrode 2) is generally in a rough state, and the softened base glass layer (dielectric layer 10) is absorbed in the rough part. It is thought that it was realized by doing. Therefore,
The address electrode is not limited to Ag, but may have the same structure even if it is made of Ni, Cu, Al, or the like.
【００３０】Ａｇ電極（アドレス電極２）表面を十分に
下地ガラス層（誘電体層１０）により覆い、下地ガラス
層（誘電体層１０）内に電極形成が終了すると（ステッ
プ５）、次に隔壁材料を所定の高さに印刷し（ステップ
６）、焼成した後（ステップ７）、サンドブラストなど
により所望の形状に加工する（ステップ８）。この際、
Ａｇ電極（アドレス電極２）表面はガラス層（誘電体
層１０）により覆われているので、サンドブラストによ
り Ａｇ電極が受けるダメージを抑制することができ
る。The surface of the Ag electrode (address electrode 2) is sufficiently covered with the base glass layer (dielectric layer 10), and when the electrodes are formed in the base glass layer (dielectric layer 10) (step 5), the partition walls are formed. The material is printed at a predetermined height (Step 6), fired (Step 7), and then processed into a desired shape by sandblasting or the like (Step 8). On this occasion,
Since the surface of the Ag electrode (address electrode 2) is covered with the glass layer (dielectric layer 10), damage to the Ag electrode by sandblasting can be suppressed.
【００３１】なお、このプロセスでは、下地ガラス層
（誘電体層１０）にＡｇ電極（アドレス電極２）を沈み
込ませるために、その焼成温度はガラス層（誘電体層１
０）の軟化点温度よりも高い温度とし、下地ガラス層
（誘電体層１０）が軟化した状態となるようにしてい
る。従って、誘電体層１０は、アドレス電極を構成する
金属の焼成開始温度以上であって焼成完了温度以下の軟
化点温度の範囲である必要がある。また、この誘電体層
１０上に形成する隔壁３も焼成して形成するので、隔壁
３の焼成時に軟化しないような隔壁３の焼成温度以上の
軟化点を有する誘電体層１０である必要がある。In this process, the firing temperature is set to the glass layer (dielectric layer 1) in order to sink the Ag electrode (address electrode 2) into the underlying glass layer (dielectric layer 10).
The temperature is set higher than the softening point temperature of 0) so that the underlying glass layer (dielectric layer 10) is in a softened state. Therefore, the dielectric layer 10 needs to have a softening point temperature which is higher than the firing start temperature of the metal constituting the address electrode and lower than the firing completion temperature. In addition, since the partition walls 3 formed on the dielectric layer 10 are also formed by firing, the dielectric layer 10 needs to have a softening point equal to or higher than the firing temperature of the partition walls 3 so that the partition walls 3 are not softened during firing. .
【００３２】次にアドレス電極２をＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ、
Ｃｒ／Ａｌ／Ｃｒ、Ｃｒ／Ｃｕ、Ｃｒ／Ａｌなどの薄膜
電極で形成した場合は以下の通りであり、まず誘電体層
（背面）１０として、例えば軟化点が６００℃以下のガ
ラス層を印刷、焼成して形成し（ステップ１）、その焼
成したガラス層（誘電体層１０）の上にアドレス電極２
となる材料としてＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒを積層するように順
に成膜する（ステップ９）。次に、所望の電極パターン
を形成するためのマスク等を形成し、そのマスクを用い
たエッチングにより所望の電極パターンを形成する（ス
テップ１０）。Next, the address electrode 2 is made of Cr / Cu / Cr,
The following is a case where the thin film electrode is formed of a thin film electrode of Cr / Al / Cr, Cr / Cu, Cr / Al or the like. Is formed by firing (step 1), and the address electrode 2 is formed on the fired glass layer (dielectric layer 10).
Are sequentially formed in such a manner that Cr / Cu / Cr is laminated as a material (step 9). Next, a mask or the like for forming a desired electrode pattern is formed, and a desired electrode pattern is formed by etching using the mask (step 10).
【００３３】次に、形成したＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ電極の表
面や内部は前述の厚膜電極に比べて粗な状態ではない
が、所望の薄膜電極を形成した後に加温することで（ス
テップ１１）、軟化した誘電体層１０が電極表面をぬれ
広がっていき（ステップ１２）、結果としてアドレス電
極２の表面に薄い誘電体層１０が形成され、図に示すよ
うな構造となる（ステップ１３）。以後、隔壁材料を所
定の高さに印刷し（ステップ１４）、焼成した後（ステ
ップ１５）、サンドブラストなどにより所望の形状に加
工する（ステップ１６）。この際も、 Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃ
ｒ電極（アドレス電極２）表面はガラス層（誘電体層１
０）により覆われているので、サンドブラストにより
Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ電極が受けるダメージを抑制すること
ができる。Next, although the surface and inside of the formed Cr / Cu / Cr electrode are not in a rough state as compared with the above-mentioned thick film electrode, they are heated after forming a desired thin film electrode (step 11). ), The softened dielectric layer 10 wets and spreads over the electrode surface (step 12), and as a result, a thin dielectric layer 10 is formed on the surface of the address electrode 2 to have a structure as shown in the figure (step 13). . Thereafter, the partition wall material is printed at a predetermined height (Step 14), fired (Step 15), and processed into a desired shape by sandblasting or the like (Step 16). At this time, Cr / Cu / C
The surface of the r electrode (address electrode 2) is a glass layer (dielectric layer 1).
0) covered by sandblasting
Damage to the Cr / Cu / Cr electrode can be suppressed.
【００３４】その他、 Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ電極パターン
を形成した後（ステップ１０）、隔壁材料を所定の高さ
に印刷し（ステップ１７）、焼成することで（ステップ
１８）、軟化した誘電体層１０により電極表面をぬれ広
がらせても良い（ステップ１９）。アドレス電極２の表
面に薄い誘電体層１０が形成されたら（ステップ２
０）、サンドブラストなどにより所望の形状に加工する
（ステップ２１）。この際も、 Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ電極
（アドレス電極２）表面はガラス層（誘電体層１０）に
より覆われているので、サンドブラストにより Ｃｒ／
Ｃｕ／Ｃｒ電極が受けるダメージを抑制することができ
る。In addition, after forming the Cr / Cu / Cr electrode pattern (Step 10), the partition wall material is printed at a predetermined height (Step 17) and baked (Step 18) to obtain a softened dielectric layer. The electrode surface may be wet-spread by the step 10 (step 19). When the thin dielectric layer 10 is formed on the surface of the address electrode 2 (Step 2)
0), processing into a desired shape by sandblasting or the like (step 21). Also at this time, the surface of the Cr / Cu / Cr electrode (address electrode 2) is covered with the glass layer (dielectric layer 10).
Damage to the Cu / Cr electrode can be suppressed.
【００３５】なお、アドレス電極２を薄膜電極とする場
合、下地ガラス層（誘電体層１０）は、１００ｎｍ以下
の平坦度と、アドレス電極２を酸化させないうちに表面
にぬれ広がるだけの低い軟化点のガラス材であり、さら
に隔壁３の焼成時にアドレス電極２と反応しないガラス
材であることが望ましい。When the address electrode 2 is a thin film electrode, the underlying glass layer (dielectric layer 10) has a flatness of 100 nm or less and a low softening point enough to spread over the surface without oxidizing the address electrode 2. It is preferable that the glass material does not react with the address electrode 2 when the partition walls 3 are fired.
【００３６】次に、図９は、図６で示した製造プロセス
以外の製造プロセスである。図６と同様にアドレス電極
を薄膜電極と厚膜電極との両方で形成した場合を示し、
誘電体層上に隔壁を形成するまでを示す。Next, FIG. 9 shows a manufacturing process other than the manufacturing process shown in FIG. FIG. 6 shows a case where the address electrode is formed by both a thin film electrode and a thick film electrode as in FIG.
The process up to forming a partition on a dielectric layer is shown.
【００３７】初めにアドレス電極２を厚膜電極とした場
合の製造プロセスについて説明する。First, the manufacturing process when the address electrode 2 is a thick film electrode will be described.
【００３８】まず、誘電体層（背面）１０として、例え
ば軟化点が６００℃以下のガラス層を印刷、焼成して形
成する（ステップ１０１）。First, a glass layer having a softening point of, for example, 600 ° C. or lower is printed and fired as the dielectric layer (back surface) 10 (step 101).
【００３９】次に、その焼成したガラス層（誘電体層１
０）の上にアドレス電極２としてＡｇ電極を所望の電極
パターンに印刷して形成する（ステップ１０２）。Next, the fired glass layer (dielectric layer 1)
On the 0), an Ag electrode is formed as an address electrode 2 by printing in a desired electrode pattern (Step 102).
【００４０】次に、その印刷形成したＡｇ電極（アドレ
ス電極２）を焼成する（ステップ１０３）。Next, the printed Ag electrode (address electrode 2) is fired (step 103).
【００４１】これと同時に下地ガラス層（誘電体層１
０）にＡｇ電極（アドレス電極２）を沈み込ませる（ス
テップ１０４）。At the same time, the base glass layer (dielectric layer 1)
The Ag electrode (address electrode 2) is submerged in 0) (step 104).
【００４２】このように下地ガラス層（誘電体層１０）
にＡｇ電極（アドレス電極２）が沈み込む理由は、印刷
形成したＡｇ電極（アドレス電極２）の電極表面や内部
は一般的に粗な状態であり、その粗な部分に軟化した下
地ガラス層（誘電体層１０）が吸収されることで実現し
たものと考えられる。従って、アドレス電極はＡｇに限
らず、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌなどであっても同様の構造にす
ることも可能である。As described above, the base glass layer (the dielectric layer 10)
The reason why the Ag electrode (address electrode 2) sinks into the surface is that the electrode surface or the inside of the printed Ag electrode (address electrode 2) is generally in a rough state, and the softened base glass layer ( This is considered to be realized by absorption of the dielectric layer 10). Therefore, the address electrode is not limited to Ag, but may have the same structure even if it is made of Ni, Cu, Al, or the like.
【００４３】Ａｇ電極（アドレス電極２）の電極表面を
十分に下地ガラス層（誘電体層１０）により覆い、下地
ガラス層（誘電体層１０）内に電極形成が終了する（ス
テップ１０５）。The electrode surface of the Ag electrode (address electrode 2) is sufficiently covered with the base glass layer (dielectric layer 10), and the electrode formation in the base glass layer (dielectric layer 10) is completed (step 105).
【００４４】次に隔壁材料を所定の高さに印刷する（ス
テップ１０６）。Next, the partition wall material is printed at a predetermined height (step 106).
【００４５】そして乾燥させる（ステップ１０７）。Then, it is dried (step 107).
【００４６】サンドブラストなどにより所望の形状に加
工する（ステップ１０８）。Processing into a desired shape by sandblasting or the like (step 108).
【００４７】この際、 Ａｇ電極（アドレス電極２）の
電極表面はガラス層（誘電体層１０）により覆われてい
るので、サンドブラストにより Ａｇ電極が受けるダメ
ージを抑制することができる。At this time, since the electrode surface of the Ag electrode (address electrode 2) is covered with the glass layer (dielectric layer 10), damage to the Ag electrode by sandblast can be suppressed.
【００４８】この後、焼成する（ステップ１０９）。Thereafter, firing is performed (step 109).
【００４９】このプロセスでは、下地ガラス層（誘電体
層１０）にＡｇ電極（アドレス電極２）を沈み込ませる
ために、Ａｇ電極の焼成温度はガラス層（誘電体層１
０）の軟化点温度よりも高い温度とし、下地ガラス層
（誘電体層１０）が軟化した状態となるようにしてい
る。従って、誘電体層１０の軟化点温度の範囲は、アド
レス電極を構成する金属の焼成開始温度以上であって焼
成完了温度以下である必要がある。In this process, the firing temperature of the Ag electrode is set to the glass layer (dielectric layer 1) in order to sink the Ag electrode (address electrode 2) into the underlying glass layer (dielectric layer 10).
The temperature is set higher than the softening point temperature of 0) so that the underlying glass layer (dielectric layer 10) is in a softened state. Therefore, the range of the softening point temperature of the dielectric layer 10 needs to be equal to or higher than the firing start temperature of the metal constituting the address electrode and equal to or lower than the firing completion temperature.
【００５０】また、この誘電体層１０上に形成する隔壁
３も焼成して形成するので、隔壁３の焼成時に軟化しな
いような隔壁３の焼成温度以上の軟化点を有する誘電体
層１０である必要がある。Since the partition walls 3 formed on the dielectric layer 10 are also formed by firing, the dielectric layer 10 has a softening point not lower than the firing temperature of the partition walls 3 so that the partition walls 3 are not softened when firing. There is a need.
【００５１】次にアドレス電極２を薄膜電極とした場合
の製造プロセスについて説明する。Next, a manufacturing process when the address electrode 2 is a thin film electrode will be described.
【００５２】アドレス電極２をＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ、Ｃｒ
／Ａｌ／Ｃｒ、Ｃｒ／Ｃｕ、Ｃｒ／Ａｌなどの薄膜電極
で形成した場合は以下の通りである。The address electrode 2 is made of Cr / Cu / Cr, Cr
In the case of forming with a thin film electrode of / Al / Cr, Cr / Cu, Cr / Al, etc., it is as follows.
【００５３】まず、誘電体層（背面）１０として、例え
ば軟化点が６００℃以下のガラス層を印刷、焼成して形
成する（ステップ１０１）。First, a glass layer having a softening point of, for example, 600 ° C. or lower is printed and fired as the dielectric layer (back surface) 10 (step 101).
【００５４】その焼成したガラス層（誘電体層１０）の
上にアドレス電極２としてＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒを積層する
ように順次成膜する（ステップ１１０）。On the fired glass layer (dielectric layer 10), Cr / Cu / Cr is sequentially formed as an address electrode 2 so as to be laminated (step 110).
【００５５】次に、所望の電極パターンを形成するため
のマスク等を形成し、そのマスクを用いたエッチングに
より所望の電極パターンを形成する（ステップ１１
０）。Next, a mask or the like for forming a desired electrode pattern is formed, and a desired electrode pattern is formed by etching using the mask (step 11).
0).
【００５６】次に、形成したＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ電極の表
面や内部は前述の厚膜電極に比べて粗な状態ではない
が、所望の薄膜電極を形成した後に加温する（ステップ
１１２）。Next, although the surface and the inside of the formed Cr / Cu / Cr electrode are not in a rough state as compared with the above-mentioned thick-film electrode, they are heated after forming a desired thin-film electrode (Step 112).
【００５７】これにより軟化した誘電体層１０が電極表
面をぬれ広がっていき、電極が誘電体層１０内に沈み込
んだ形になっていく（ステップ１１３）。As a result, the softened dielectric layer 10 spreads over the electrode surface, and the electrode sinks into the dielectric layer 10 (step 113).
【００５８】結果としてアドレス電極２の表面に薄い誘
電体層１０が形成され、図１に示すような構造となる。
つまり、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ電極の電極表面を十分に下地
ガラス層（誘電体層１０）により覆い、下地ガラス層
（誘電体層１０）内に電極形成が終了する（ステップ１
１４）。As a result, a thin dielectric layer 10 is formed on the surface of the address electrode 2, resulting in a structure as shown in FIG.
That is, the electrode surface of the Cr / Cu / Cr electrode is sufficiently covered with the base glass layer (dielectric layer 10), and the electrode formation in the base glass layer (dielectric layer 10) is completed (step 1).
14).
【００５９】次に隔壁材料を所定の高さに印刷する（ス
テップ１１５）。Next, the partition wall material is printed at a predetermined height (step 115).
【００６０】そして乾燥させる（ステップ１１６）。Then, it is dried (step 116).
【００６１】サンドブラストなどにより所望の形状に加
工する（ステップ１１７）。It is processed into a desired shape by sandblasting or the like (step 117).
【００６２】この際、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ電極（アドレス
電極２）の電極表面はガラス層（誘電体層１０）により
覆われているので、サンドブラストにより電極が受ける
ダメージを抑制することができる。At this time, since the electrode surface of the Cr / Cu / Cr electrode (address electrode 2) is covered with the glass layer (dielectric layer 10), damage to the electrode by sandblast can be suppressed.
【００６３】この後、焼成する（ステップ１１８）。Thereafter, firing is performed (step 118).
【００６４】このプロセスでは、下地ガラス層（誘電体
層１０）にCr/Cu/Cr電極（アドレス電極２）を沈む込ま
せるために、加える温度はガラス層（誘電体層１０）の
軟化点温度よりも高い温度とし、下地ガラス層（誘電体
層１０）が軟化した状態となるようにしている。In this process, in order to sink the Cr / Cu / Cr electrode (address electrode 2) into the base glass layer (dielectric layer 10), the temperature to be applied is the softening point temperature of the glass layer (dielectric layer 10). The temperature is set to be higher than that of the base glass layer (the dielectric layer 10) in a softened state.
【００６５】また、この誘電体層１０上に形成する隔壁
３も焼成して形成するので、隔壁３の焼成時に軟化しな
いような隔壁３の焼成温度以上の軟化点を有する誘電体
層１０である必要がある。Since the partition walls 3 formed on the dielectric layer 10 are also formed by firing, the dielectric layer 10 has a softening point not lower than the firing temperature of the partition walls 3 so as not to soften when firing the partition walls 3. There is a need.
【００６６】その他、下地ガラス層（誘電体層１０）に
Cr/Cu/Cr電極（アドレス電極２）を形成する（ステップ
１１１）。In addition, the base glass layer (dielectric layer 10)
A Cr / Cu / Cr electrode (address electrode 2) is formed (Step 111).
【００６７】次に隔壁材料を所定の高さに印刷する（ス
テップ１１７）。Next, the partition wall material is printed at a predetermined height (step 117).
【００６８】そして乾燥させる（ステップ１１８）。Then, it is dried (step 118).
【００６９】サンドブラストなどにより所望の形状に加
工する（ステップ１１９）。Processing into a desired shape by sandblasting or the like (step 119).
【００７０】この際、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ電極（アドレス
電極２）の電極表面はガラス層（誘電体層１０）により
覆われていないので、サンドブラストにより電極がダメ
ージを受けないうちにサンドブラストを終了する。At this time, since the electrode surface of the Cr / Cu / Cr electrode (address electrode 2) is not covered with the glass layer (dielectric layer 10), the sand blast is completed before the electrode is damaged by the sand blast. .
【００７１】この後、焼成する（ステップ１２０）。Thereafter, firing is performed (step 120).
【００７２】このステップ１２０の隔壁の焼成により軟
化した誘電体層１０が電極表面をぬれ広がっていき、電
極が誘電体層１０内に沈み込んだ形になってゆく（ステ
ップ１２１）。The dielectric layer 10 softened by the baking of the partition walls in step 120 wets and spreads over the electrode surface, and the electrode sinks into the dielectric layer 10 (step 121).
【００７３】結果としてアドレス電極２の表面に薄い誘
電体層１０が形成され、図１に示すような構造となる。
つまり、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ電極の電極表面を十分に下地
ガラス層（誘電体層１０）により覆い、下地ガラス層
（誘電体層１０）内に電極形成が終了する（ステップ１
２２）。As a result, a thin dielectric layer 10 is formed on the surface of the address electrode 2, and the structure as shown in FIG. 1 is obtained.
That is, the electrode surface of the Cr / Cu / Cr electrode is sufficiently covered with the base glass layer (dielectric layer 10), and the electrode formation in the base glass layer (dielectric layer 10) is completed (step 1).
22).
【００７４】なお、アドレス電極２を薄膜電極とする場
合、下地ガラス層（誘電体層１０）は、１００ｎｍ以下
の平坦度と、アドレス電極2を酸化させないうちに表面
にぬれ広がるだけの低い軟化点のガラス材であり、さら
に隔壁３の焼成時にアドレス電極２と反応しないガラス
材であることが望ましい。When the address electrode 2 is a thin film electrode, the underlying glass layer (dielectric layer 10) has a flatness of 100 nm or less and a low softening point enough to spread over the surface without oxidizing the address electrode 2. It is preferable that the glass material does not react with the address electrode 2 when the partition walls 3 are fired.
【００７５】以上説明したプロセスであれば、アドレス
電極２が薄膜電極、厚膜電極のいずれの場合であって
も、アドレス電極２の表面を誘電体層１０により薄くコ
ートしたような状態を作り込むことができ、ガラス基板
１に対するアドレス電極２による段差の有無によらずア
ドレス電極２に対する誘電体層10のカバレジ性を向上さ
せることができる。従って、アドレス電極２の表面全て
を覆うこととなるので、アドレス電極２の酸化を抑制で
き、信頼性が向上する。According to the above-described process, a state where the surface of the address electrode 2 is thinly coated with the dielectric layer 10 is created regardless of whether the address electrode 2 is a thin film electrode or a thick film electrode. Accordingly, the coverage of the dielectric layer 10 with respect to the address electrodes 2 can be improved regardless of the presence or absence of a step due to the address electrodes 2 with respect to the glass substrate 1. Therefore, since the entire surface of the address electrode 2 is covered, the oxidation of the address electrode 2 can be suppressed, and the reliability is improved.
【００７６】次に、従来のガラス基板上に厚膜Ａｇ電極
を形成した場合と、ガラス基板上に形成した誘電体層上
に厚膜Ａｇ電極を形成した場合との相違をＳＥＭ写真に
より比較する。Next, the difference between the case where the thick-film Ag electrode is formed on the conventional glass substrate and the case where the thick-film Ag electrode is formed on the dielectric layer formed on the glass substrate will be compared with SEM photographs. .
【００７７】図２は下地ガラス層（誘電体層１０）がな
い場合に感光性Ａｇペーストをフォトリソグラフィーで
パターン形成し、５９０℃以上で焼成した厚膜Ａｇ焼結
体（アドレス電極２）の表面を観察したＳＥＭ像を示
す。ここでは、焼結金属特有の結晶粒皆界がみられる。
また、この電極は、背面ガラス基板１との密着性も悪く
すぐ剥離するうえ、隔壁３をサンドブラストにより形成
するときもダメージを受け易く剥離断線を起こしやすか
った。図３は軟化点５９０℃未満の下地ガラス層（誘電
体層１０）を印刷焼成して形成したのち同上の厚膜Ａｇ
電極（アドレス電極２）を同上の方法でパターン形成し
５９０℃以上で焼成した場合の表面を観察したＳＥＭ像
を示す。厚膜Ａｇ電極（アドレス電極２）の焼成温度が
５９０℃以上に対して下地ガラス層（誘電体層１０）の
軟化点が５９０℃未満なので、厚膜Ａｇ電極（アドレス
電極２）の焼成時に下地ガラス層（誘電体層１０）は軟
化する。従って、アドレス電極２上には薄いガラス層
（誘電体層１０）が観察され、また下層内にもガラス層
（誘電体層１）が完全に沈み込んでいることが観察され
た。特に厚膜Ａｇ電極（アドレス電極２）表面と誘電体
層１０との界面では厚膜Ａｇ電極（アドレス電極２）に
含まれる金属イオンとの反応によるコロイド状態となっ
ており、これにより誘電体層１０表面に蓄積される蓄積
電荷はアドレス電極２へリークされ易い構造となってい
る。但し、そのコロイド状態はアドレス電極表面近傍に
限られ、隣接するアドレス電極間には存在しなかったの
で、隣接するアドレス電極間のショートは確認されなか
った。また、この図３の状態に隔壁をサンドブラストで
形成してアドレス電極２表面はガラスコートされている
のでアドレス電極２にはダメージはなかった。FIG. 2 shows the surface of a thick Ag sintered body (address electrode 2) formed by patterning a photosensitive Ag paste by photolithography when there is no underlying glass layer (dielectric layer 10) and firing at 590 ° C. or higher. 3 shows an SEM image of the observed SEM. Here, crystal grain boundaries specific to the sintered metal are seen.
In addition, this electrode had poor adhesion to the back glass substrate 1 and was easily peeled off. In addition, when the partition wall 3 was formed by sandblasting, the electrode was easily damaged and easily peeled off. FIG. 3 shows a thick film Ag formed by printing and baking a base glass layer (dielectric layer 10) having a softening point of less than 590 ° C.
The SEM image which observed the surface when the electrode (address electrode 2) was patterned by the same method as above and baked at 590 ° C. or higher is shown. Since the baking temperature of the thick Ag electrode (address electrode 2) is 590 ° C. or higher and the softening point of the underlying glass layer (dielectric layer 10) is lower than 590 ° C., the baking temperature of the thick Ag electrode (address electrode 2) is low. The glass layer (dielectric layer 10) softens. Therefore, a thin glass layer (dielectric layer 10) was observed on the address electrode 2, and it was observed that the glass layer (dielectric layer 1) was completely submerged in the lower layer. In particular, the interface between the surface of the thick film Ag electrode (address electrode 2) and the dielectric layer 10 is in a colloidal state due to the reaction with the metal ions contained in the thick film Ag electrode (address electrode 2). The accumulated charges accumulated on the surface 10 are easily leaked to the address electrodes 2. However, since the colloidal state was limited to the vicinity of the address electrode surface and did not exist between the adjacent address electrodes, a short circuit between the adjacent address electrodes was not confirmed. In addition, since the partition walls were formed by sandblasting in the state of FIG. 3 and the surface of the address electrode 2 was coated with glass, the address electrode 2 was not damaged.
【００７８】以上説明したように電極パターン形成後の
焼成等により、下地ガラス層に電極がわずかに沈み込
み、もしくは電極表面にうすいガラス層がぬれ広がり形
成されるので、アドレス電極がガラス層で完全に覆われ
る。これによってアドレス保護層なしでもアドレス電極
のサンドブラストからの保護ができ、薄いガラス被膜が
大きな容量のコンデンサの役目も果たすことでアドレス
電圧も低く駆動でき、アドレス電極へトンネル効果によ
り蓄積された余剰電荷も適度に流れるのでラッチアップ
や偶発的異常放電も防止できる。As described above, by firing after forming an electrode pattern, the electrode slightly sinks into the underlying glass layer, or a thin glass layer is formed on the surface of the electrode so as to be wet and spread. Covered in. As a result, address electrodes can be protected from sandblasting without an address protection layer, and the thin glass film also serves as a large-capacity capacitor, so that the address voltage can be driven low and the excess charge accumulated by the tunnel effect on the address electrodes can be reduced. Since it flows appropriately, latch-up and accidental abnormal discharge can be prevented.
【００７９】また、８５％ＲＨの高湿度下で長時間ヒー
トランを行った場合、従来の電極構造では２００ｈ程度
でマイグレーションによるショートが発生したのに対
し、図１に示す構造では１０００ｈｒ以上でもマイグレ
ーションは起こらず、マイグレーション寿命が大幅に向
上することも確認された。すなわち、アドレス電極とし
てＡｇ焼結体を用いた場合でも電極がガラスで完全に覆
われてしまうので今まで厚膜Ａｇ電極等の課題であった
マイグレーション寿命が劇的に長くなり信頼性が大幅に
向上した低コストな背面板を供給することができる。な
お、このことは、薄膜のＣｒ／Ｃｕ／ＣｒやＣｒ／Ａｌ
／Ｃｒなどの配線系でも下地誘電体を適切に選べば同様
の効果があることも確認された。When a long-time heat run was performed under a high humidity of 85% RH, a short circuit due to migration occurred in about 200 hours in the conventional electrode structure, whereas the structure shown in FIG. It was also confirmed that no migration occurred and the migration life was significantly improved. That is, even when an Ag sintered body is used as an address electrode, the electrode is completely covered with glass, so that the migration lifetime, which has been a problem with thick-film Ag electrodes and the like, has been dramatically increased, and reliability has been greatly increased. An improved low-cost rear plate can be supplied. Note that this is because the thin film of Cr / Cu / Cr or Cr / Al
It has also been confirmed that the same effect can be obtained in a wiring system such as / Cr by appropriately selecting the underlying dielectric.
【００８０】[0080]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ガス放電型表示装置においてアドレス電極上の誘電体層
を蓄積電荷を逃がす程度の薄さとし、かつ少なくとも表
示領域に配置される電極全体を誘電体層で覆うことが可
能となる。従って、ガス放電型表示装置においてサンド
ブラスト時のダメージと、ラッチアップや異常放電の発
生とを抑制することが可能となる。As described above, according to the present invention,
In a gas discharge type display device, it is possible to make the dielectric layer on the address electrode thin enough to allow the accumulated charges to escape, and to cover at least the entire electrode arranged in the display region with the dielectric layer. Therefore, it is possible to suppress damage during sandblasting and occurrence of latch-up and abnormal discharge in the gas discharge display device.
【図１】本発明の実施の形態であるＡＣ型ガス放電型表
示装置の断面図FIG. 1 is a cross-sectional view of an AC gas discharge display device according to an embodiment of the present invention.
【図２】下地ガラスがない場合の厚膜Ａｇ焼結体のＳＥ
Ｍ写真FIG. 2 SE of thick film Ag sintered body without base glass
M photo
【図３】下地ガラスがある場合の厚膜Ａｇ焼結体のＳＥ
Ｍ写真FIG. 3 SE of a thick-film Ag sintered body with a base glass
M photo
【図４】従来のＡＣ型ガス放電型表示装置の斜視図FIG. 4 is a perspective view of a conventional AC gas discharge type display device.
【図５】従来のＡＣ型ガス放電型表示装置の断面図FIG. 5 is a cross-sectional view of a conventional AC gas discharge display device.
【図６】本発明の実施の形態であるＡＣ型ガス放電型表
示装置の製造プロセスを示すフローチャートFIG. 6 is a flowchart illustrating a manufacturing process of an AC gas discharge display device according to an embodiment of the present invention.
【図７】本発明の実施の形態であるＡＣ型ガス放電型表
示装置の外部接続端子周辺の構成を示した図FIG. 7 is a diagram showing a configuration around an external connection terminal of an AC gas discharge display device according to an embodiment of the present invention.
【図８】本発明の実施の形態であるＡＣ型ガス放電型表
示装置の外部接続端子の接続を示した図FIG. 8 is a diagram showing connection of external connection terminals of an AC gas discharge display device according to an embodiment of the present invention.
【図９】本発明の実施の形態であるＡＣ型ガス放電型表
示装置の別の製造プロセスを示すフローチャートFIG. 9 is a flowchart showing another manufacturing process of the AC gas discharge display device according to the embodiment of the present invention.
１…ガラス基板（背面）、２…アドレス電極、３…隔
壁、４…蛍光体、５…保護層（ＭｇＯ）、６…誘電体層
（前面）、７…バス電極、８…表示電極（透明電極）、
９…ガラス基板（前面）、１０…誘電体層（背面）。DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Glass substrate (back), 2 ... address electrode, 3 ... partition, 4 ... phosphor, 5 ... protective layer (MgO), 6 ... dielectric layer (front), 7 ... bus electrode, 8 ... display electrode (transparent) electrode),
9: glass substrate (front), 10: dielectric layer (back).
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐藤 了平 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式 会社日立製作所情報メディア事業本部内 (72)発明者 鈴木 重明 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式 会社日立製作所情報メディア事業本部内 (72)発明者 大沢 敦夫 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式 会社日立製作所情報メディア事業本部内 (72)発明者 石垣 正治 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式 会社日立製作所情報メディア事業本部内 (72)発明者 大沢 通孝 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式 会社日立製作所情報メディア事業本部内 (72)発明者 川野 寛治 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式 会社日立製作所情報メディア事業本部内 (72)発明者 梅原 邦夫 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式 会社日立製作所情報メディア事業本部内 (72)発明者 太田 範雄 東京都新宿区市谷加賀町一丁目１番１号大 日本印刷株式会社内 (72)発明者 斉藤 浩 東京都新宿区市谷加賀町一丁目１番１号大 日本印刷株式会社内 Ｆターム(参考） 5C040 AA04 AA07 DD01 DD05 DD06 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Ryohei Sato 292 Yoshida-cho, Totsuka-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Prefecture Inside the Information Media Business Unit of Hitachi, Ltd. (72) Shigeaki Suzuki 292 Yoshida-cho, Totsuka-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Address Co., Ltd.Hitachi Ltd.Information Media Division (72) Inventor Atsuo Osawa 292 Yoshida-cho, Totsuka-ku, Yokohama, Kanagawa Prefecture Hitachi Ltd.Information Media Division (72) Inventor Masaharu Ishigaki Yoshida, Totsuka-ku, Yokohama, Kanagawa No. 292, Hitachi, Ltd.Information Media Division of Hitachi, Ltd. (72) Inventor Michitaka Osawa 292, Yoshida-cho, Totsuka-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Prefecture, Ltd.Information Media Division of Hitachi, Ltd. 292 Yoshida-cho, Ward Hitachi, Ltd. Within the Business Unit (72) Inventor Kunio Umehara 292 Yoshida-cho, Totsuka-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Pref.Information Media Business Unit, Hitachi, Ltd. (72) Norio Ota 1-1-1, Yagagacho, Shinjuku-ku, Tokyo Dai Nippon Printing Co., Ltd. (72) Inventor Hiroshi Saito 1-1-1, Ichigaya-Kagacho, Shinjuku-ku, Tokyo F-term within Nippon Printing Co., Ltd. (reference) 5C040 AA04 AA07 DD01 DD05 DD06
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