【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば液晶パネ
ル、または半導体素子等の電子デバイスを製造するため
のフォトリソグラフィ工程でマスクに形成されたパター
ンを基板上に露光するための露光装置に関し、特に大面
積の基板に露光する場合に使用して好適なものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an exposure apparatus for exposing a pattern formed on a mask on a substrate in a photolithography process for manufacturing an electronic device such as a liquid crystal panel or a semiconductor element, and more particularly, to an exposure apparatus. It is suitable for use when exposing a large area substrate.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、液晶パネルを製造する際には、ガ
ラス基板上に順次複数層の薄膜が形成され、これらの薄
膜がそれぞれ所望の形状にパターニングされている。液
晶パネル中でも特にＴＦＴ方式の液晶パネルにおいて
は、最小パターン寸法が３〜５μｍ程度の微細なパター
ンをガラス基板上に形成する必要がある。従来より、半
導体素子のみならず、液晶パネルを製造する際にもフォ
トリソグラフィの手法が採用されており、その中の露光
工程において投影露光装置が用いられている。2. Description of the Related Art Conventionally, when manufacturing a liquid crystal panel, a plurality of thin films are sequentially formed on a glass substrate, and each of these thin films is patterned into a desired shape. Among liquid crystal panels, particularly in a TFT type liquid crystal panel, it is necessary to form a fine pattern having a minimum pattern size of about 3 to 5 μm on a glass substrate. 2. Description of the Related Art Conventionally, a photolithography method has been employed not only for manufacturing a semiconductor element but also for manufacturing a liquid crystal panel, and a projection exposure apparatus has been used in an exposure step in the method.
【０００３】液晶パネル製造用の投影露光装置として、
図３に示すように、基板８及びマスク９を静止させて、
基板８及びマスク９に対して、照明光学系（不図示）及
び投影光学系１を同期して走査して、基板８にマスク９
のパターンを露光する方式が、特開平６−１７７００９
号公報に開示されている。この場合、投影光学系１は等
倍の正立正像を投影するものであり、投影光学系１の走
査速度にゆらぎが生じて投影光学系１の位置に誤差が生
じても、マスク９のパターンの投影光学系１による像と
基板８の間に位置の誤差は生じない。As a projection exposure apparatus for manufacturing a liquid crystal panel,
As shown in FIG. 3, the substrate 8 and the mask 9 are stopped,
The illumination optical system (not shown) and the projection optical system 1 are scanned synchronously with respect to the substrate 8 and the mask 9 so that the mask 9
The method of exposing the pattern described in JP-A-6-177909
No. 6,086,045. In this case, the projection optical system 1 projects an erect erect image of the same size, and even if the scanning speed of the projection optical system 1 fluctuates and an error occurs in the position of the projection optical system 1, the pattern of the mask 9 can be obtained. No positional error occurs between the image formed by the projection optical system 1 and the substrate 8.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかし、図４に示すよ
うに、投影光学系１が移動する際に姿勢誤差があると、
すなわち、投影光学系１の姿勢が変化すると、マスク９
のパターンの投影光学系１による像と基板８の間に位置
の誤差が生じて、正しく投影されなくなってしまう。本
発明は、上記問題点に鑑み、投影光学系１を移動する際
に投影光学系１の姿勢が変化してもマスク９に形成され
たパターンを正しく基板８上に露光することができる露
光装置を提供することを目的とする。However, as shown in FIG. 4, if there is a posture error when the projection optical system 1 moves,
That is, when the attitude of the projection optical system 1 changes, the mask 9
An error occurs in the position between the image of the pattern by the projection optical system 1 and the substrate 8, and the pattern cannot be correctly projected. In view of the above problems, the present invention provides an exposure apparatus that can correctly expose a pattern formed on a mask 9 onto a substrate 8 even when the attitude of the projection optical system 1 changes when the projection optical system 1 is moved. The purpose is to provide.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の一実施の形態を表す図１に対応付けて説明
すると、請求項１記載の露光装置は、マスク（９）に形
成されたパターンを投影光学系（１）を介して基板
（８）上に露光するものであって、前記マスク（９）を
保持して移動するマスクステージ（３）と、前記基板
（８）を保持して移動する基板ステージ（２）と、前記
投影光学系（１）の光軸とほぼ直交する所定の方向（Ｘ
方向）に前記投影光学系（１）を移動する投影光学系移
動ステージ（１７ａ，１７ｂ）と、前記投影光学系
（１）の姿勢を検出する姿勢検出手段（３４，３５）
と、前記姿勢検出手段（３４，３５）の検出結果に基づ
いて前記マスクステージ（３）と前記基板ステージ
（２）との少なくとも一方を制御するステージ制御手段
（５０）とを備えるものである。Means for Solving the Problems To solve the above problems, a description will be given with reference to FIG. 1 showing an embodiment of the present invention. Exposing the formed pattern onto a substrate (8) via a projection optical system (1), the mask stage (3) moving while holding the mask (9), and the substrate (8) A substrate stage (2) that is held and moved; and a predetermined direction (X) substantially orthogonal to the optical axis of the projection optical system (1).
Projection optical system moving stage (17a, 17b) for moving the projection optical system (1) in the same direction) and posture detecting means (34, 35) for detecting the posture of the projection optical system (1).
And a stage control means (50) for controlling at least one of the mask stage (3) and the substrate stage (2) based on the detection result of the attitude detection means (34, 35).
【０００６】また、請求項２記載の露光装置は、前記マ
スクステージ（３）が鉛直方向（Ｚ方向）に沿って前記
マスク（９）を保持し、前記基板ステージ（２）が前記
鉛直方向（Ｚ方向）に沿って前記基板（８）を保持する
ことにより、投影光学系（１）を移動する構成を簡単に
することができる。According to a second aspect of the present invention, in the exposure apparatus, the mask stage (3) holds the mask (9) along a vertical direction (Z direction), and the substrate stage (2) holds the mask (9) in the vertical direction (Z). By holding the substrate (8) along the (Z direction), the configuration for moving the projection optical system (1) can be simplified.
【０００７】さらに、請求項３記載の露光装置は、照明
源（７）からのビーム（１８）を用いて前記マスク
（９）を照明する照明光学系（４）を前記所定の方向
（Ｘ方向）に移動させる照明光学系移動ステージ（２
２）と、前記照明光学系（４）の移動に際し、前記照明
源（７）と前記マスク（９）面との光路長をほぼ一定に
調整する光路長調整手段（５，６）とを備えることによ
り、前記マスク（９）を照明する照明光の照度を一定に
保つことができる。Further, in the exposure apparatus according to the third aspect, the illumination optical system (4) for illuminating the mask (9) using the beam (18) from the illumination source (7) is moved in the predetermined direction (X direction). ) The illumination optical system moving stage (2)
2) and optical path length adjusting means (5, 6) for adjusting the optical path length between the illumination source (7) and the mask (9) surface to be substantially constant when the illumination optical system (4) is moved. Thereby, the illuminance of the illumination light for illuminating the mask (9) can be kept constant.
【０００８】また、請求項４記載の露光装置は、前記姿
勢検出手段（３４，３５）が、前記投影光学系（１）の
複数の部位の位置情報から姿勢を検出するものであるこ
とにより、前記投影光学系（１）の姿勢を簡単な構成で
精密に検出することができる。According to a fourth aspect of the present invention, in the exposure apparatus, the posture detecting means (34, 35) detects a posture from position information of a plurality of parts of the projection optical system (1). The attitude of the projection optical system (1) can be accurately detected with a simple configuration.
【０００９】[0009]
【発明の実施の形態】以下添付図面を参照しながら本発
明の好適な実施の形態について詳細に説明する。図１は
液晶表示素子の露光装置であって、投影光学系１を移動
する構成を簡単にするため、基板８及びマスク９の面を
鉛直にした例を示している。基板ステージ２は、角形の
ガラスプレートである基板８をチャックして、ガイド１
０と駆動機構１２とによりＸ方向に移動可能であり、ガ
イド１１と駆動機構１３とによりＺ方向に移動可能であ
る。マスクステージ３は３ヶ所に配置されたエアガイド
１５により液晶表示素子パターンが形成されているマス
ク９をＸＺ面内に移動可能にチャックして、駆動アクチ
ュエータ１４ａ，１４ｂ，１４ｃによりＸ，Ｚ，θＹ方
向に微小量移動可能にしている。投影光学系１はマスク
９上のパターンの一部を基板８上に投影結像する。この
とき投影される像は等倍で正立正像である。投影光学系
１はエアガイド１６によりガイドされリニアモータ１７
ａ，１７ｂによりＸ方向に走査され、マスク９を照明す
る照明光学系４はエアガイド２１によりガイドされリニ
アモータ２２によりＸ方向に走査される。投影光学系１
と照明光学系４とは同期してＸ方向に等速度ｖで走査さ
れることにより、マスクパターン全体を基板８上に露光
転写する。照明源である光源７からのビームである照明
光光束１８は対になった直角ミラー５，６で反射されて
から照明光学系４を経由してマスク３を照明する。直角
ミラー６を照明光学系４の走査速度ｖと同期してＹ方向
に等速度ｖ／２で走査することにより、光源７と照明光
学系４までの光学距離Ｌを該走査中一定に保ち、照明光
の照度を一定に保つ。露光装置全体の制御系統を示す図
２を更に参照して、投影光学系１の姿勢誤差を計測し、
基板ステージ２及びマスクステージ３の位置を計測する
構成を説明する。基板ステージ２とマスクステージ３と
のＸ方向の相対位置を基板ステージ２の側面にある反射
鏡で反射されるレーザ光１９ａ及びマスクステージ３の
側面にある反射鏡で反射されるレーザ光１９ｂによりレ
ーザ干渉計３０が計測し、基板ステージ２とマスクステ
ージ３とのＺ方向の相対位置を基板ステージ２の上面に
ある反射鏡で反射されるレーザ光１９ｅ及びマスクステ
ージ３の上面にある反射鏡で反射されるレーザ光１９ｆ
によりレーザ干渉計３３が計測し、基板ステージ２のθ
Ｙ方向の位置をレーザ光１９ａ及び基板ステージ２の側
面にある反射鏡で反射されるレーザ光１９ｃによりレー
ザ干渉計３１が計測し、マスクステージ３のθＹ方向の
位置をレーザ光１９ｂ及びマスクステージ３の側面にあ
る反射鏡で反射されるレーザ光１９ｄによりレーザ干渉
計３２が計測する。投影光学系１の走査中の姿勢誤差
は、θＺ方向について、投影光学系１の側面にあってＹ
方向に離れて固設される反射反射鏡で反射されるレーザ
光２０ａ及び２０ｂによりレーザ干渉計３４が計測し、
θＸ方向について、投影光学系１の上面にあってＸ方向
に長尺でＹ方向に離れて固設される反射鏡で反射される
レーザ光２０ｃ及び２０ｄによりレーザ干渉計３５が計
測する。各レーザ干渉計３０〜３５の出力はＣＰＵやメ
モリなどから構成される主制御装置５０に入力され、主
制御装置５０は、駆動機構１２，１３を制御して基板ス
テージ２にチャックされている基板８をＸ，Ｚ方向に位
置決めし、基板ステージ２の位置決め誤差はマスクステ
ージ３を駆動アクチュエータ１４ａ，１４ｂ，１４ｃに
よりＸ，Ｚ，θＹ方向に微小量移動して補正し、リニア
モータ１７ａ，１７ｂ，２２を制御して投影光学系１及
び照明光学系４を同期してＸ方向に走査する。そして、
主制御装置５０は、投影光学系１のθＺ，θＸ方向の姿
勢誤差によるマスクパターンの投影像の位置誤差を計算
してマスクステージ３の前記位置決め誤差補正に重畳し
て、投影光学系１の姿勢誤差によるマスクパターン投影
像の位置誤差を補正する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 shows an exposure apparatus for a liquid crystal display element, in which the surfaces of a substrate 8 and a mask 9 are vertical in order to simplify the structure for moving the projection optical system 1. The substrate stage 2 chucks the substrate 8 which is a rectangular glass plate, and
It is movable in the X direction by the 0 and the drive mechanism 12, and is movable in the Z direction by the guide 11 and the drive mechanism 13. The mask stage 3 movably chucks the mask 9 on which the liquid crystal display element pattern is formed in the XZ plane by the air guides 15 arranged at three places, and X, Z, θY by the drive actuators 14a, 14b, 14c. It can be moved by a small amount in the direction. The projection optical system 1 projects and forms a part of the pattern on the mask 9 onto the substrate 8. The image projected at this time is an erect erect image at the same magnification. The projection optical system 1 is guided by an air guide 16 and a linear motor 17.
The illumination optical system 4, which is scanned in the X direction by a and 17 b and illuminates the mask 9, is guided by the air guide 21 and scanned in the X direction by the linear motor 22. Projection optical system 1
And the illumination optical system 4 are synchronously scanned at a constant speed v in the X direction, thereby exposing and transferring the entire mask pattern onto the substrate 8. The illumination light beam 18, which is a beam from the light source 7 as an illumination source, is reflected by the paired right-angle mirrors 5 and 6 and then illuminates the mask 3 via the illumination optical system 4. By scanning the right-angle mirror 6 at a constant speed v / 2 in the Y direction in synchronization with the scanning speed v of the illumination optical system 4, the optical distance L between the light source 7 and the illumination optical system 4 is kept constant during the scanning. Keep the illuminance of the illumination light constant. With further reference to FIG. 2 showing a control system of the entire exposure apparatus, an attitude error of the projection optical system 1 is measured,
A configuration for measuring the positions of the substrate stage 2 and the mask stage 3 will be described. The relative position of the substrate stage 2 and the mask stage 3 in the X direction is determined by the laser beam 19a reflected by the reflecting mirror on the side surface of the substrate stage 2 and the laser beam 19b reflected by the reflecting mirror on the side surface of the mask stage 3. The interferometer 30 measures, and the relative position in the Z direction between the substrate stage 2 and the mask stage 3 is reflected by the laser beam 19e reflected by the reflector on the upper surface of the substrate stage 2 and by the reflector on the upper surface of the mask stage 3. Laser light 19f
Is measured by the laser interferometer 33, and θ
The laser interferometer 31 measures the position in the Y direction with the laser light 19a and the laser light 19c reflected by the reflecting mirror on the side surface of the substrate stage 2, and determines the position of the mask stage 3 in the θY direction with the laser light 19b and the mask stage 3. Is measured by the laser interferometer 32 with the laser light 19d reflected by the reflecting mirror on the side surface of. The posture error during scanning of the projection optical system 1 is Y in the side of the projection optical system 1 in the θZ direction.
The laser interferometer 34 measures the laser beams 20a and 20b reflected by the reflecting mirrors fixed in the direction away from each other,
In the θX direction, the laser interferometer 35 measures the laser light 20c and 20d reflected on a reflecting mirror that is fixed in the upper surface of the projection optical system 1 in the X direction and long and separated in the Y direction. The output of each of the laser interferometers 30 to 35 is input to a main controller 50 including a CPU, a memory, and the like. The main controller 50 controls the driving mechanisms 12 and 13 so that the substrate held on the substrate stage 2 is chucked. 8 is adjusted in the X and Z directions, and the positioning error of the substrate stage 2 is corrected by moving the mask stage 3 by a small amount in the X, Z and θY directions by the drive actuators 14a, 14b and 14c, and the linear motors 17a, 17b and The control unit 22 controls the projection optical system 1 and the illumination optical system 4 to scan in the X direction in synchronization with each other. And
The main controller 50 calculates the position error of the projected image of the mask pattern due to the position error of the projection optical system 1 in the θZ and θX directions, and superimposes the position error on the correction of the positioning error of the mask stage 3, and The position error of the mask pattern projection image due to the error is corrected.
【００１０】つぎに、本実施の形態による露光装置の動
作について説明する。まず、主制御装置５０は、レーザ
干渉計３０〜３３によりマスクステージ３に対する基板
ステージ２のＸ，Ｚ，θＹ方向の相対位置を計測して、
駆動機構１２，１４により基板ステージ２をＸ，Ｚ方向
にステップ移動して基板８の露光領域にマスクパターン
が投影されるように位置決めする。さらに、主制御装置
５０はリニアモータ１７ａ，１７ｂにより投影光学系１
を露光時の走査方向と逆方向に移動しながら、マスクパ
ターンの最外周に配置されたアライメントマークと基板
８の前工程のレイヤーに形成されたアライメントマーク
の重なり誤差を、投影光学系１を介してアライメント顕
微鏡（不図示）によって計測し、アクチュエータ１４
ａ，１４ｂ，１４ｃによりマスクステージ３を微小駆動
してマスクパターンと基板８との位置誤差を補正する。
露光転写時には、主制御装置５０はリニアモータ１７
ａ，１７ｂにより投影光学系１を、そして、リニアモー
タ２２により照明光学系４を、等速度ｖで走査（同期移
動）しつつ、レーザ干渉計３４，３５で投影光学系１の
θＺ，θＸ方向の姿勢誤差を計測して、該姿勢誤差によ
るマスクパターンの投影像の位置誤差を計算してマスク
ステージ３の前記位置決め誤差補正に重畳して、投影光
学系１の姿勢誤差によるマスクパターン投影像の位置誤
差を補正する。Next, the operation of the exposure apparatus according to the present embodiment will be described. First, main controller 50 measures the relative positions of substrate stage 2 in the X, Z, and θY directions with respect to mask stage 3 by laser interferometers 30 to 33,
The substrate stages 2 are step-moved in the X and Z directions by the driving mechanisms 12 and 14 so as to be positioned so that the mask pattern is projected onto the exposure area of the substrate 8. Further, main controller 50 controls projection optical system 1 by linear motors 17a and 17b.
Is moved in the direction opposite to the scanning direction at the time of exposure, and the overlapping error between the alignment marks arranged on the outermost periphery of the mask pattern and the alignment marks formed on the previous layer of the substrate 8 is detected via the projection optical system 1. And measured by an alignment microscope (not shown).
The mask stage 3 is minutely driven by a, 14b, and 14c to correct a positional error between the mask pattern and the substrate 8.
At the time of exposure transfer, the main controller 50 controls the linear motor 17.
The laser interferometers 34 and 35 scan the projection optical system 1 by the laser interferometers 34 and 35 in the θZ and θX directions while scanning the projection optical system 1 by the a and 17b and the illumination optical system 4 by the linear motor 22 at a constant speed v (synchronous movement). Is calculated, and the position error of the projected image of the mask pattern due to the posture error is calculated and superimposed on the correction of the positioning error of the mask stage 3, and the projected image of the mask pattern due to the posture error of the projection optical system 1 is calculated. Correct the position error.
【００１１】このように、投影光学系１を移動する際
に、投影光学系１の姿勢が傾いても、投影光学系１の姿
勢誤差によるマスクパターン投影像の位置誤差を補正す
るので、マスクパターンは基板８に正しく投影される。
その際に、投影光学系１及び照明光学系４の走査に併せ
て、直角ミラー６を照明光学系４の走査速度ｖと同期し
てＹ方向に等速度ｖ／２で走査することにより、光源７
と照明光学系４までの光学距離Ｌを該走査中一定に保
ち、照明光の照度を一定に保つことは前述のとおりであ
る。As described above, even when the attitude of the projection optical system 1 is tilted when the projection optical system 1 is moved, the position error of the mask pattern projected image due to the attitude error of the projection optical system 1 is corrected. Is correctly projected on the substrate 8.
At this time, the right-angle mirror 6 is scanned at a constant speed v / 2 in the Y direction in synchronization with the scanning speed v of the illumination optical system 4 in accordance with the scanning of the projection optical system 1 and the illumination optical system 4. 7
As described above, the optical distance L to the illumination optical system 4 is kept constant during the scanning, and the illuminance of the illumination light is kept constant.
【００１２】図１からも明らかなように、本実施例にお
いては、基板８がマスク９よりも大きくなっている。従
って、Ｚ方向に沿って基板８にマスク９のパターンを２
個取りする場合には、１回目の走査露光が終了した後
に、基板ステージ２をＺ方向に所定量移動させて、再び
投影光学系１と照明光学系４とを等速度Ｖで走査すれば
いい。As is clear from FIG. 1, in the present embodiment, the substrate 8 is larger than the mask 9. Therefore, the pattern of the mask 9 is formed on the substrate 8 along the Z direction by two.
In the case of individual picking, after the first scanning exposure is completed, the substrate stage 2 is moved by a predetermined amount in the Z direction, and the projection optical system 1 and the illumination optical system 4 are again scanned at a constant speed V. .
【００１３】同様に、Ｘ方向に沿って基板８にマスク９
のパターンを２個取りする場合には、１回目の走査露光
が終了した後に、基板ステージ２をＸ方向に所定量移動
させて、再び投影光学系１と照明光学系４とを等速度Ｖ
で走査すればいい。マスク９の大きさを基板８に比べて
小さく（例えば１／２、１／４）することによりマスク
ステージ３が小型化することは勿論のこと、マスク９単
体の製造コストを低減でき、また、マスク９にパターン
を描画する際の誤差を小さくすることもできる。Similarly, a mask 9 is formed on the substrate 8 along the X direction.
When two patterns are taken, the substrate stage 2 is moved by a predetermined amount in the X direction after the first scanning exposure is completed, and the projection optical system 1 and the illumination optical system 4 are again moved at the constant speed V.
Scan with. By making the size of the mask 9 smaller (for example, 、, ４) than the size of the substrate 8, not only the mask stage 3 can be reduced in size, but also the manufacturing cost of the mask 9 alone can be reduced. An error in drawing a pattern on the mask 9 can be reduced.
【００１４】本実施例の露光装置は、複数のレンズから
構成される照明光学系４、投影光学系１をベース１００
に組み込んだ光学調整をするとともに、多数の機械部品
からなる基板ステージ２やマスクステージ３をベース１
００に取り付けて配線や配管を接続し、更に総合調整
（電気調整、動作確認等）をすることにより製造するこ
とができる。また、基板ステージ２やマスクステージ３
の駆動装置としてリニアモータを用いる場合は、エアベ
アリングを用いたエア浮上型およびローレンツ力または
リアクタンス力を用いた磁気浮上型のどちらを用いても
いい。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等
が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。更
に、基板ステージ２やマスクステージ３の駆動装置をベ
ース１００から独立した部材に設ければ基板ステージ２
やマスクステージ３を駆動した時の反力がベース１００
に伝わることがなく精度のいい露光をすることができ
る。The exposure apparatus of this embodiment uses an illumination optical system 4 composed of a plurality of lenses and a projection optical system 1 as a base 100.
In addition to the optical adjustment incorporated in the base 1, the substrate stage 2 and the mask stage 3 composed of a number of
It can be manufactured by attaching wires and pipes by attaching it to 00 and further performing comprehensive adjustment (electrical adjustment, operation confirmation, etc.). Also, the substrate stage 2 and the mask stage 3
When a linear motor is used as the drive device, any of an air levitation type using an air bearing and a magnetic levitation type using Lorentz force or reactance force may be used. It is desirable that the manufacture of the exposure apparatus be performed in a clean room in which the temperature, cleanliness, and the like are controlled. Furthermore, if the driving device for the substrate stage 2 and the mask stage 3 is provided on a member independent of the base 100, the substrate stage 2
And the reaction force when driving the mask stage 3
The exposure can be performed with high accuracy without being transmitted to the camera.
【００１５】なお、本発明は上記実施の形態に限定され
るものではない。基板ステージ２及びマスクステージ３
はその面が鉛直方向に沿うものである必要はなく、水平
なものであっても良い。光路長調整手段５，６は光源７
と照明光学系４とを直接接続する湾曲自在な光ファイバ
であっても良い。The present invention is not limited to the above embodiment. Substrate stage 2 and mask stage 3
Does not need to have its surface extending along the vertical direction, and may be horizontal. Light path length adjusting means 5 and 6 are light sources 7
It may be a bendable optical fiber that directly connects the illumination optical system 4 and the illumination optical system 4.
【００１６】照明光学系４は移動するタイプである必要
はなく、固設されていて一括して照明するものであって
も良い。投影光学系１の姿勢を検出する手段は、投影光
学系１の枠にある反射鏡にレーザ光を照射し、反射光の
受光位置を検出することにより投影光学系１の傾斜角度
を検出するものであっても良い。投影光学系１の姿勢誤
差に基づいて位置誤差を補正するのは、基板ステージ２
を移動させることによって実現しても良い。The illumination optical system 4 does not need to be of a movable type, but may be fixed and illuminated collectively. The means for detecting the attitude of the projection optical system 1 irradiates a laser beam to a reflecting mirror in the frame of the projection optical system 1 and detects the angle of inclination of the projection optical system 1 by detecting the light receiving position of the reflected light. It may be. Correcting the position error based on the attitude error of the projection optical system 1 is performed by the substrate stage 2
May be realized by moving.
【００１７】露光装置としては、液晶表示素子用だけで
なく、半導体素子やＣＣＤを露光する露光装置等にも幅
広く適用することができる。露光光としてＫｒＦエキシ
マレーザ（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（１９
３ｎｍ）、Ｆ2レーザ（１５７ｎｍ）のみならず、Ｘ線
を用いることができる。投影光学系１としては、エキシ
マレーザを用いる場合は硝材として石英や蛍石を用い、
Ｘ線を用いる場合は反射屈折系の光学系にする（マスク
も反射型タイプのものを用いる）。The exposure apparatus can be widely applied to not only a liquid crystal display element but also an exposure apparatus for exposing a semiconductor element or a CCD. KrF excimer laser (248 nm) and ArF excimer laser (19
3 nm), not only the F2 laser (157 nm) only, it is possible to use an X-ray. When the excimer laser is used as the projection optical system 1, quartz or fluorite is used as a glass material.
When X-rays are used, a catadioptric optical system is used (a mask of a reflection type is used).
【００１８】[0018]
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、投影光
学系を移動する際に投影光学系の姿勢が変化してもマス
クに形成されたパターンを正しく基板上に露光すること
ができる。As described above, according to the present invention, the pattern formed on the mask can be correctly exposed on the substrate even when the attitude of the projection optical system changes when the projection optical system is moved. .
【図１】本発明の一実施の形態の全体斜視図である。FIG. 1 is an overall perspective view of an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の一実施の形態の要部のブロック図であ
る。FIG. 2 is a block diagram of a main part of one embodiment of the present invention.
【図３】投影光学系が移動する露光装置の動作を説明す
る図である。FIG. 3 is a diagram illustrating an operation of an exposure apparatus in which a projection optical system moves.
【図４】投影光学系が移動する露光装置の問題点を説明
する図である。FIG. 4 is a diagram illustrating a problem of an exposure apparatus in which a projection optical system moves.
１ 投影光学系 ２ 基板ステージ ３ マスクステージ ４ 照明光学系 ５，６ 直角ミラー ７ 光源 ８ 基板 ９ マスク １０，１１ ガイド １２，１３ 駆動機構 １４ａ〜ｃ 駆動アクチュエータ １５，１６，２１ エアガイド １７ａ，１７ｂ，２２ リニアモータ １８ 照明光光束 １９ａ〜ｆ，２０ａ〜ｄ レーザ光 ３０〜３５ レーザ干渉計 ５０ 主制御装置 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Projection optical system 2 Substrate stage 3 Mask stage 4 Illumination optical system 5, 6 Right angle mirror 7 Light source 8 Substrate 9 Mask 10, 11 Guide 12, 13 Driving mechanism 14a-c Driving actuator 15, 16, 21 Air guide 17a, 17b, Reference Signs List 22 linear motor 18 illumination light flux 19a-f, 20a-d laser light 30-35 laser interferometer 50 main controller
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/30 ５１６ＢContinued on the front page (51) Int.Cl.7 Identification symbol FI Theme coat II (Reference) H01L 21/30 516B
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