DescriptionDescription
Titre de l'invention : Installation d’interféromètre et son procédé de fabricationTitle of the invention: Installation of an interferometer and its manufacturing process
Domaine technique [0001] La présente invention se rapporte à une installation de miroir pour une installation d’interféromètre ainsi qu’une installation d’interféromètre équipée d’une telle installation de miroir.Technical Field [0001] The present invention relates to a mirror installation for an interferometer installation as well as an interferometer installation equipped with such a mirror installation.
[0002] L’invention se rapporte également à un procédé de fabrication d’une installation de miroir pour une installation d’interféromètre ainsi qu’un procédé de réalisation d’une telle installation d’interféromètre.The invention also relates to a method of manufacturing a mirror installation for an interferometer installation and a method of producing such an interferometer installation.
Technique antérieure [0003] Pour miniaturiser les filtres spectraux accordés, on réalise avantageusement les interféromètres Labry-Pérot en technique MEMS. Ainsi on utilise le fait qu’une cavité composée de deux miroirs plans parallèles fortement réfléchissants avec un écartement (longueur de la cavité) dans le domaine de la longueur d’onde optique, présente une forte transmission seulement pour les longueurs d’onde dont la longueur de la cavité est un multiple entier de la demi-longueur d’onde. La longueur de la cavité se modifie par exemple par un actionnement électrostatique ou piézoélectrique ce qui permet d’accorder spectralement l’élément de filtre accordable.Prior Art [0003] To miniaturize the tuned spectral filters, Labry-Pérot interferometers are advantageously produced in MEMS technique. Thus, we use the fact that a cavity composed of two parallel highly reflective plane mirrors with a spacing (length of the cavity) in the optical wavelength range, has a strong transmission only for wavelengths whose length of the cavity is an integer multiple of the half wavelength. The length of the cavity is modified for example by an electrostatic or piezoelectric actuation which allows spectrally tuning of the tunable filter element.
[0004] Une grande partie des interféromètres Labry-Pérot accordables utilise un actionnement électrostatique des miroirs (contrairement à l’actionnement piézoélectrique évoqué ci-dessus) et les miroirs sont souvent des membranes. On applique pour cela une tension entre deux électrodes qui se trouvent sur le plan des deux miroirs de façon que l’attraction électrostatique des deux miroirs les déplace l’un par rapport à l’autre. Les miroirs à membrane, habituels ont au moins une matière semi-conductrice partiellement conductrice. Du fait des rapports d’aspects en général extrêmes (dimensions latérales des miroirs principalement également l’ouverture optique, comparées aux épaisseurs de couche) les forces de rappel produites par les contraintes de flexion sont en général négligeables par comparaison aux forces de rappel exercées par les tensions de la membrane et qui repose sur la précontrainte en tension qui domine.A large part of the tunable Labry-Pérot interferometers uses an electrostatic actuation of the mirrors (unlike the piezoelectric actuation mentioned above) and the mirrors are often membranes. For this, a voltage is applied between two electrodes which lie on the plane of the two mirrors so that the electrostatic attraction of the two mirrors moves them relative to each other. The usual membrane mirrors have at least one partially conductive semiconductor material. Due to the generally extreme aspect ratios (lateral dimensions of the mirrors mainly also the optical aperture, compared to the layer thicknesses) the restoring forces produced by the bending stresses are in general negligible compared to the restoring forces exerted by the tensions of the membrane and which is based on the prestress in tension which dominates.
[0005] Généralement on dégage les structures d’interféromètre Labry-Pérot en technique de microstructures par un procédé de gravure de couche sacrificielle et on dégage le miroir-membrane ; on utilise des orifices ou trous perforés et on commande le procédé de gravure. Toutefois cela est soumis en général à des variations très importantes du procédé, du point de vue de la vitesse de gravure. Les contraintes de tension nécessaires des membranes de miroir de spectromètres de Labry-Pérot sont en général obtenues avec des éléments résiduels de la couche sacrificielle qui est par exemple une résine photosensible ou une couche d’oxyde. Les variations d’importantes du procédé dans l’opération de gravure, entraînent généralement des variations du dégagement des miroirs et ainsi aussi des différentes tailles de membranes. En outre la forme de l’arête de gravure est principalement une mise à l’échelle résiduelle de la disposition des orifices de gravure ce qui limite les degrés de liberté de conception. C’est pourquoi il est souhaitable d’avoir un blocage de gravure latéral pour le procédé de gravure de la couche sacrificielle, pour réduire les tolérances à respecter et augmenter la liberté de conception technologique.Generally, the Labry-Pérot interferometer structures are released in microstructure technique by a sacrificial layer etching process and the mirror-membrane is released; perforated holes or holes are used and the etching process is controlled. However, this is generally subject to very significant variations in the process, from the point of view of the etching speed. The necessary voltage constraints of the mirror membranes of Labry-Pérot spectrometers are generally obtained with residual elements of the sacrificial layer which is for example a photosensitive resin or an oxide layer. Significant variations in the process in the etching operation generally result in variations in the clearance of the mirrors and thus also in the different sizes of membranes. In addition, the shape of the etching edge is mainly a residual scaling of the arrangement of the etching holes, which limits the degrees of design freedom. This is why it is desirable to have a lateral etching blocking for the process of etching the sacrificial layer, to reduce the tolerances to be observed and increase the freedom of technological design.
[0006] Le document US 2012/050751 décrit un interféromètre Fabry-Pérot, commandé, réalisé en technique MEMS. L’interféromètre comprend des couches de miroir chaque fois sous la forme d’une membrane. Les couches de miroir peuvent être installées sur une puce.Document US 2012/050751 describes a Fabry-Pérot interferometer, controlled, produced in MEMS technique. The interferometer includes mirror layers each in the form of a membrane. The mirror layers can be installed on a chip.
[0007] EXPOSE ET AVANTAGES DE L’INVENTION [0008] L’invention a pour objet une installation de miroir pour une installation d’interféromètre comprenant [0009] une couche de miroir avec un ancrage, qui entoure la couche de miroir au moins en partie latéralement, et [0010] un substrat portant l’ancrage, [0011] - la couche de miroir étant encastrée mécaniquement par l’ancrage qui, [0012] en vue de dessus sur le substrat, décrit une courbe dont le rayon varie de manière azimutale.DESCRIPTION AND ADVANTAGES OF THE INVENTION The invention relates to a mirror installation for an interferometer installation comprising [0009] a mirror layer with an anchoring, which surrounds the mirror layer at least in laterally, and a substrate carrying the anchor, [0011] - the mirror layer being mechanically embedded by the anchor which, in top view on the substrate, describes a curve whose radius varies from azimuth way.
[0013] L’invention a également pour objet une installation d’interféromètre dont la couche de miroir présente une précontrainte en tension.The invention also relates to an interferometer installation, the mirror layer of which has a prestress in tension.
[0014] Enfin l’invention a pour objet un procédé de fabrication d’installation d’interféromètre telle que définie ci-dessus [0015] selon laquelle [0016] la seconde installation de miroir a une extension latérale inférieure ou égale à celle de la première installation de miroir et la seconde installation de miroir est montée avec son ancrage directement sur la première installation de miroir qui est elle-même le substrat de la seconde installation de miroir.Finally, the invention relates to a method of manufacturing an interferometer installation as defined above [0015] according to which the second mirror installation has a lateral extension less than or equal to that of the first mirror installation and the second mirror installation is mounted with its anchoring directly on the first mirror installation which is itself the substrate of the second mirror installation.
[0017] Enfin l’invention a pour objet un procédé de fabrication d’une installation d’interféromètre selon lequel on fournit une première installation de miroir et une seconde installation de miroir, la première installation de miroir étant réalisée selon un procédé correspond tel que défini ci-dessus et ensuite on applique une seconde couche sacrificielle sur la première installation de miroir, [0018] on imprime une seconde structure de sillon dans la seconde couche sacrificielle qui traverse complètement la seconde couche sacrificielle jusqu’à la première installation de miroir et décrit en vue de dessus sur le côté supérieur de la seconde couche sacrificielle, une courbe dont le rayon varie de façon azimutale, [0019] on introduit une matière de blocage de gravure ou une matière de miroir dans la seconde structure de sillon, et [0020] on applique une matière de miroir sur la face supérieure plane de la seconde couche sacrificielle de façon que la matière de miroir s’étende sur le côté supérieur plan de la seconde couche sacrificielle, latéralement entre la seconde structure de sillon et au moins en partie sur la seconde structure de sillon.Finally, the invention relates to a method of manufacturing an interferometer installation according to which a first mirror installation and a second mirror installation are provided, the first mirror installation being produced according to a corresponding method such as defined above and then a second sacrificial layer is applied to the first mirror installation, a second groove structure is printed in the second sacrificial layer which completely crosses the second sacrificial layer up to the first mirror installation and described in top view on the upper side of the second sacrificial layer, a curve whose radius varies azimuthally, an engraving blocking material or a mirror material is introduced into the second groove structure, and [ 0020] a mirror material is applied to the flat upper face of the second sacrificial layer so that the material mirror era extends on the upper plane side of the second sacrificial layer, laterally between the second furrow structure and at least in part on the second furrow structure.
[0021 ] AVANTAGES DE L’INVENTION [0022] L’idée de base de la présente invention est de développer une installation de miroir pour une installation d’interféromètre avec un ancrage pour enserrer la couche de miroir ou la membrane de miroir. L’invention a également pour objet, comme décrit ci-dessus, un procédé de réalisation d’une installation de miroir et d’une installation d’interféromètre se caractérisant par le développement d’une contrainte dans la couche de miroir ou au moins une membrane de miroir partiellement dégagée. La réalisation permet d’ancrer avantageusement la définition de la butée de blocage de gravure pour un procédé de dégagement de la couche de miroir. En modifiant la forme radiale de l’ancrage comme encastrement, on augmente avantageusement les efforts du serrage possible de la couche de miroir selon l’ancrage, par rapport à une réalisation circulaire sans que cela ne se traduise par une réduction significative de planéité des miroirs. Un avantage de l’encastrement courbe est une augmentation de stabilité par rapport à un encastrement circulaire.ADVANTAGES OF THE INVENTION The basic idea of the present invention is to develop a mirror installation for an interferometer installation with an anchoring to grip the mirror layer or the mirror membrane. The invention also relates, as described above, to a method for producing a mirror installation and an interferometer installation, characterized by the development of a stress in the mirror layer or at least one partially released mirror membrane. The embodiment advantageously anchors the definition of the etching blocking stop for a method of clearing the mirror layer. By modifying the radial shape of the anchoring as embedding, advantageously increases the efforts of possible tightening of the mirror layer according to the anchoring, compared to a circular embodiment without this resulting in a significant reduction in flatness of the mirrors . An advantage of curved embedding is an increase in stability compared to circular embedding.
[0023] Selon l’invention, l’installation de miroir pour une installation d’interféromètre comporte une couche de miroir avec un ancrage qui entoure au moins partiellement latéralement la couche de miroir et un substrat portant l’ancrage ; la couche de miroir est enserrée mécaniquement par l’ancrage qui en vue de dessus du substrat, décrit une courbe dont le rayon varie dans le sens azimutal. En particulier l’ancrage de la couche de miroir est latéralement complètement périphérique et l’ancrage entoure au moins partiellement latéralement la couche de miroir.According to the invention, the mirror installation for an interferometer installation comprises a mirror layer with an anchoring which at least partially laterally surrounds the mirror layer and a substrate carrying the anchor; the mirror layer is mechanically clamped by the anchor which, when viewed from above the substrate, describes a curve whose radius varies in the azimuth direction. In particular, the anchoring of the mirror layer is laterally completely peripheral and the anchoring surrounds the mirror layer at least partially laterally.
[0024] Pour avoir une contrainte en tension prédéfinie ou souhaitable, ou pour la maintenir ou l’obtenir, il est nécessaire d’avoir un encastrement déterminé de la membrane de miroir notamment de la couche de miroir qui résiste aux efforts d’encastrement nécessaires sans avoir à céder de manière significative et ainsi sans réduction de la planimétrie de miroir ou du parallélisme.To have a predefined or desirable tension stress, or to maintain or obtain it, it is necessary to have a determined embedding of the mirror membrane in particular of the mirror layer which resists the necessary embedding forces. without having to yield significantly and thus without reducing mirror planimetry or parallelism.
[0025] Selon une forme de réalisation préférentielle de l’installation de miroir, l’ancrage de la couche de miroir, entoure latéralement complètement la couche de miroir et la courbe décrit une courbe fermée.According to a preferred embodiment of the mirror installation, the anchoring of the mirror layer completely laterally surrounds the mirror layer and the curve describes a closed curve.
[0026] La courbe peut être une courbe pratiquement fermée.The curve can be a practically closed curve.
[0027] Selon une forme de réalisation préférentielle, l’installation de miroir décrit une courbe qui a une forme sinusoïdale, une forme de roue dentée, une forme de dents de scie ou une forme polygonale.According to a preferred embodiment, the mirror installation describes a curve which has a sinusoidal shape, a toothed wheel shape, a sawtooth shape or a polygonal shape.
[0028] Selon une forme de réalisation préférentielle de l’installation de miroir, l’ancrage est réalisé comme serrage de la couche de miroir sur le substrat.According to a preferred embodiment of the mirror installation, the anchoring is carried out as a clamping of the mirror layer on the substrate.
[0029] Le dépôt de matière approprié de couche de l’installation de miroir permet par exemple de développer de manière intrinsèque une tension en traction latérale dans cette installation et agissant sur l’installation mais aussi de sélectionner l’encastrement.The deposition of suitable layer material of the mirror installation allows for example to intrinsically develop a tension in lateral tension in this installation and acting on the installation but also to select the embedding.
[0030] La direction azimutale est avantageusement une direction dans le plan de la couche de miroir et qui, en vue de dessus, correspond à une extension plan parallèle.The azimuthal direction is advantageously a direction in the plane of the mirror layer and which, when viewed from above, corresponds to a parallel plane extension.
[0031] Selon une forme de réalisation préférentielle de l’installation de miroir, la couche de miroir est mise en précontrainte de tension.According to a preferred embodiment of the mirror installation, the mirror layer is prestressed.
[0032] Selon l’invention, l’installation d’interféromètre comprend une première installation de miroir et une seconde installation de miroir pratiquement parallèle à la première, la première installation de miroir et/ou la seconde installation de miroir ayant une installation de miroir selon l’invention et au moins l’une des installations de miroir est dans une direction perpendiculaire à l’extension plane de la couche de miroir de façon mobile, par rapport à l’autre installation de miroir respective de sorte que la distance entre la première installation de miroir et la seconde installation de miroir est variable.According to the invention, the interferometer installation comprises a first mirror installation and a second mirror installation practically parallel to the first, the first mirror installation and / or the second mirror installation having a mirror installation according to the invention and at least one of the mirror installations is in a direction perpendicular to the plane extension of the mirror layer in a movable manner, relative to the other respective mirror installation so that the distance between the first mirror installation and the second mirror installation is variable.
[0033] Selon une forme de réalisation préférentielle, l’installation d’interféromètre comprend la première installation de miroir et la seconde installation de miroir ayant chacune son substrat propre ou encore l’une des installations constitue le substrat de l’autre installation de miroir.According to a preferred embodiment, the interferometer installation comprises the first mirror installation and the second mirror installation each having its own substrate or one of the installations constitutes the substrate of the other mirror installation .
[0034] Selon une forme de réalisation préférentielle de l’installation d’interférométrie, la première installation de miroir et la seconde installation de miroir ont le même substrat.According to a preferred embodiment of the interferometry installation, the first mirror installation and the second mirror installation have the same substrate.
[0035] Selon une forme de réalisation préférentielle de l’installation d’interféromètre, la seconde installation de miroir dépasse latéralement la première installation de miroir, la première installation et la seconde installation de miroir étant sur un substrat commun avec leur ancrage respectif.According to a preferred embodiment of the interferometer installation, the second mirror installation extends laterally beyond the first mirror installation, the first installation and the second mirror installation being on a common substrate with their respective anchoring.
[0036] Selon une forme de réalisation préférentielle, l’installation d’interféromètre comprend la seconde installation de miroir avec une extension latérale moindre ou égale à celle de la première installation de miroir et l’ancrage de la seconde installation de miroir est directement sur la première installation de miroir qui constitue elle-même le substrat de la seconde installation de miroir.According to a preferred embodiment, the interferometer installation comprises the second mirror installation with a lateral extension less than or equal to that of the first mirror installation and the anchoring of the second mirror installation is directly on the first mirror installation which itself constitutes the substrate of the second mirror installation.
[0037] Selon l’invention, dans le procédé de fabrication d’une installation de miroir pour une installation d’interféromètre, on fournit un substrat, on applique une couche sacrificielle sur le substrat, on imprime une structure de sillon dans la couche sacrificielle qui traverse complètement la couche sacrificielle jusqu’au substrat et décrit, en vue de dessus sur la surface supérieure de la couche sacrificielle, une courbe dont le rayon varie de manière azimutale ; on introduit une matière de blocage de gravure ou une matière de miroir dans la structure de sillon et on applique une matière de miroir sur la face supérieure plane de la couche sacrificielle pour que la matière de miroir sur le côté supérieur plan s’étende latéralement entre la structure de sillon et au moins en partie au-delà de la structure globale.According to the invention, in the method of manufacturing a mirror installation for an interferometer installation, a substrate is provided, a sacrificial layer is applied to the substrate, a groove structure is printed in the sacrificial layer which completely crosses the sacrificial layer up to the substrate and describes, in top view on the upper surface of the sacrificial layer, a curve whose radius varies in azimuthal fashion; an etching blocking material or a mirror material is introduced into the groove structure and a mirror material is applied to the flat upper face of the sacrificial layer so that the mirror material on the upper plane side extends laterally between the groove structure and at least in part beyond the overall structure.
[0038] Le procédé présente les avantages déjà cités en combinaison avec l’installation de miroir et les installations d’interféromètres et réciproquement.The method has the advantages already mentioned in combination with the installation of a mirror and the installations of interferometers and vice versa.
[0039] Selon une forme de réalisation préférentielle du procédé, on imprime la structure de sillon de façon qu’en vue de dessus sur le côté supérieur de la couche sacrificielle, celle-ci décrit une courbe fermée de forme sinusoïdale, de forme de roue dentée, de forme de dents de scie ou de forme de polygone.According to a preferred embodiment of the method, the groove structure is printed so that when viewed from above on the upper side of the sacrificial layer, this describes a closed curve of sinusoidal shape, of wheel shape toothed, sawtooth or polygon shaped.
[0040] Selon une réalisation préférentielle de l’invention, on réalise au moins un trou de gravure dans la couche de miroir et on enlève au moins en partie la couche sacrificielle entre le substrat et la couche de miroir par le procédé de gravure.According to a preferred embodiment of the invention, at least one etching hole is made in the mirror layer and at least part of the sacrificial layer is removed between the substrate and the mirror layer by the etching process.
[0041] L’invention a également pour objet un procédé de réalisation d’une installation d’interféromètre selon lequel on fournit une première installation de miroir et une seconde installation de miroir, la première installation de miroir étant réalisée selon un procédé décrit ci-dessus et ensuite on applique une seconde couche sacrificielle sur la première installation de miroir, [0042] on imprime une seconde structure de sillon dans la seconde couche sacrificielle qui traverse complètement la seconde couche sacrificielle jusqu’à la première installation de miroir et décrit, en vue de dessus sur le côté supérieur de la seconde couche sacrificielle, une courbe dont le rayon varie de façon azimutale, [0043] on introduit une matière de blocage de gravure ou une matière de miroir dans la seconde structure de sillon, et [0044] on applique une matière de miroir sur la face supérieure plane de la seconde couche sacrificielle de façon que la matière de miroir s’étende sur le côté supérieur plan de la seconde couche sacrificielle, latéralement entre la seconde structure de sillon et au moins en partie sur la seconde structure de sillon.The invention also relates to a method for producing an interferometer installation according to which a first mirror installation and a second mirror installation are provided, the first mirror installation being produced according to a method described below. above and then a second sacrificial layer is applied to the first mirror installation, a second groove structure is printed in the second sacrificial layer which completely crosses the second sacrificial layer until the first mirror installation and described, in seen from above on the upper side of the second sacrificial layer, a curve whose radius varies azimuthally, an engraving blocking material or a mirror material is introduced into the second groove structure, and [0044] a mirror material is applied to the flat upper face of the second sacrificial layer so that the mirror material ir extends on the upper plane side of the second sacrificial layer, laterally between the second furrow structure and at least partially on the second furrow structure.
[0045] La seconde structure de sillon traverse avantageusement la seconde couche sacrificielle pour arriver jusqu’au substrat commun des deux installations de miroir ou seulement jusqu’à la couche de miroir de la première installation de miroir.The second groove structure advantageously crosses the second sacrificial layer to reach the common substrate of the two mirror installations or only up to the mirror layer of the first mirror installation.
Brève description des dessins [0046] Une installation de miroir ainsi qu’une installation d’interféromètre et leur procédé de fabrication seront décrit après à l’aide des dessins annexés dans lesquels :Brief description of the drawings A mirror installation as well as an interferometer installation and their manufacturing process will be described later using the attached drawings in which:
[0047] [fig. la] [0048] [fig. lb] [0049] [fig.lc] [0050] [fig.Id] vues en coupe latérale schématique respectives d’une installation de miroir pendant sa fabrication selon un exemple de réalisation d’un procédé de l’invention, [0051] [fig.2a] [0052] [fig.2b] [0053] [fig.2c] [0054] [fig.2d] section latérale schématique respectives d’une installation de miroir pendant sa fabrication selon un autre exemple de réalisation du procédé de l’invention, [0055] [fig.3] vue de dessus schématique d’une courbe d’ancrage selon un exemple de réalisation de l’invention, [0056] [fig.4a] [0057] [fig.4b] section latérale schématique d’installation de miroir d’une installation d’interféromètre selon un exemple de réalisation de l’invention, [0058] [fig.5] vue en coupe latérale schématique d’installation de miroir d’une installation d’interféromètre selon un autre exemple de réalisation de l’invention, et [0059] [fig.6] schéma par blocs des étapes du procédé de l’invention.[Fig. the] [fig. lb] [fig.lc] [fig.Id] respective schematic side section views of a mirror installation during its manufacture according to an exemplary embodiment of a method of the invention, [0051] [fig.2a] [fig.2b] [0053] [fig.2c] [0054] [fig.2d] respective schematic side section of a mirror installation during its manufacture according to another exemplary embodiment of the method of the invention, [fig.3] schematic top view of an anchor curve according to an exemplary embodiment of the invention, [0056] [fig.4a] [0057] [fig.4b] schematic lateral section of mirror installation of an interferometer installation according to an exemplary embodiment of the invention, [fig.5] schematic side sectional view of mirror installation of an interferometer installation according to another embodiment of the invention, and [fig.6] block diagram of the steps of the method of the invention.
[0060] Dans les différentes figures on utilisera les mêmes références pour désigner les mêmes éléments ou des éléments de même fonction.In the different figures we will use the same references to designate the same elements or elements of the same function.
[0061] DESCRIPTION D’UN MODE DE REALISATION [0062] Les figures la, 1b, le et Id montrent respectivement une section latérale schématique d’une installation de miroir en cours de fabrication selon un procédé d’un exemple de réalisation de la présente invention.DESCRIPTION OF AN EMBODIMENT Figures la, 1b, le and Id respectively show a schematic side section of a mirror installation during manufacture according to a method of an exemplary embodiment of the present invention.
[0063] La succession des figures la-ld correspond à une première possibilité de réalisation et de définition d’une butée de blocage de gravure qui peut représenter avantageusement l’ancrage B.The succession of figures la-ld corresponds to a first possibility of making and defining an etching blocking stop which can advantageously represent the anchor B.
[0064] La figure la montre une couche sacrificielle 4, 4b appliqué sur un substrat 2. Le substrat 2 peut également comporter d’autres couches. La figure 1b montre une autre étape du procédé selon laquelle on donne une structure à la couche sacrificielle 4, 4b en imprimant une structure de sillon 5 dans la couche sacrificielle 4. Cette structure de sillon, décrit en vue de dessus une courbe dont le rayon varie dans la direction azimutale (figure 3). A la figure le qui correspond à une autre étape on applique une matière de blocage de gravure 6 dans la structure de sillon 5 et sur la couche sacrificielle 4, 4b. Après avoir enlevé partiellement la matière de blocage de gravure 6 de la couche sacrificielle 4 à la figure Id, par exemple par meulage ou polissage, on réalise une face supérieure 4a pratiquement plane de la couche sacrificielle 4, 4b ; de la matière de blocage de gravure 6 peut rester dans la structure de sillon 5 de sorte que la matière de blocage de gravure 6 développe une surface supérieure plane avec la face supérieure 4a de la couche sacrificielle 4.Figure la shows a sacrificial layer 4, 4b applied to a substrate 2. The substrate 2 may also include other layers. FIG. 1b shows another step of the method according to which a structure is given to the sacrificial layer 4, 4b by printing a groove structure 5 in the sacrificial layer 4. This groove structure, described from above, shows a curve whose radius varies in the azimuthal direction (Figure 3). In FIG. 1c which corresponds to another step, an etching blocking material 6 is applied in the groove structure 5 and on the sacrificial layer 4, 4b. After having partially removed the etching blocking material 6 from the sacrificial layer 4 in FIG. Id, for example by grinding or polishing, a practically planar upper face 4a of the sacrificial layer 4, 4b is produced; etching blocking material 6 can remain in the groove structure 5 so that the etching blocking material 6 develops a flat upper surface with the upper face 4a of the sacrificial layer 4.
[0065] La mise en structure peut se faire par exemple par un procédé de lithogravure (suivi par un procédé de gravure). La couche de blocage de gravure se caractérise avantageusement par une forte sélectivité de gravure vis-à-vis de la couche sacrificielle et lors d’une future gravure de la couche sacrificielle, la matière de blocage de gravure ne sera pas attaquée. Dans la suite on peut appliquer une couche de miroir (non représentée) sur la couche sacrificielle 4 et au moins en partie sur la couche de blocage de gravure ; la couche de blocage de gravure peut ainsi servir d’ancrage, par exemple d’encastrement de la couche de miroir. A la place du meulage on peut également utiliser une étape d’amincissement sélectif pour rendre plan, par exemple un polissage chimique-mécanique ou une étape de gravure.The structure can be done for example by a lithography process (followed by an etching process). The etching blocking layer is advantageously characterized by a high selectivity of etching with respect to the sacrificial layer and during a future etching of the sacrificial layer, the etching blocking material will not be attacked. In the following, a mirror layer (not shown) can be applied to the sacrificial layer 4 and at least in part to the etching blocking layer; the etching blocking layer can thus serve as an anchor, for example for embedding the mirror layer. Instead of grinding, a selective thinning step can also be used to make the plane, for example a chemical-mechanical polishing or an etching step.
[0066] L’ancrage B sert avantageusement à mettre en tension la membrane d’une couche de miroir qui peut absorber des contraintes produites sans se déformer de manière significative. La forme plane de la surface supérieure de la couche sacrificielle et du procédé de blocage de gravure sur le côté supérieur définissent avantageusement l’encastrement.The anchor B advantageously serves to tension the membrane of a mirror layer which can absorb the stresses produced without being significantly deformed. The planar shape of the upper surface of the sacrificial layer and of the etching blocking method on the upper side advantageously define the embedding.
[0067] Les figures 2a, 2b, 2c, 2d montrent chacune respectivement une section latérale schématique d’une installation de miroir en cours de fabrication dans l’application dans un autre exemple de réalisation du procédé selon la présente invention.Figures 2a, 2b, 2c, 2d each respectively show a schematic side section of a mirror installation during manufacture in the application in another embodiment of the method according to the present invention.
[0068] Selon la figure 2a, sur un substrat 2 on réalise une couche sacrificielle 4 (dans le cas où il s’agit du développement d’une première installation de miroir) ou une seconde couche sacrificielle 4b (s’il s’agit de développer une seconde installation de miroir). Le substrat 2 peut également comporter d’autres couches, par exemple d’autres couches sacrificielles ou une couche d’électrode. Dans la couche sacrificielle 4, 4b on peut réaliser une structure ; la structure de sillon 5 s’imprime dans la couche sacrificielle 4. Cette structure de sillon 5 décrit en vue de dessus une courbe dont le rayon ou les coordonnées radiales varient dans le sens azimutal (figure 3).According to Figure 2a, on a substrate 2 there is provided a sacrificial layer 4 (in the case where it is the development of a first mirror installation) or a second sacrificial layer 4b (if it is to develop a second mirror installation). The substrate 2 can also include other layers, for example other sacrificial layers or an electrode layer. In the sacrificial layer 4, 4b, a structure can be produced; the groove structure 5 is printed in the sacrificial layer 4. This groove structure 5 describes a top view of a curve whose radius or radial coordinates vary in the azimuth direction (FIG. 3).
[0069] Il est également possible que la courbe décrive une zone de bord avec une largeur de bord qui présente radialement un côté intérieur et un côté extérieur ayant en vue de dessus, des formes radiales de courbe, identiques ou différentes ou des variations de rayon.It is also possible that the curve describes an edge area with an edge width which has radially an inner side and an outer side having, in top view, radial shapes of curve, identical or different or variations in radius .
[0070] La réalisation de rinstallation de miroir 1 dans la phase de fabrication de la figure 2a correspond avantageusement à celle de la figure 1b. La réalisation de rinstallation de miroir 1 se distingue dans l’exemple de réalisation de la figure 2b de celle de la figure le en ce qu’à la place de la matière de blocage de gravure selon la figure le on introduit une ou plusieurs matières de miroir 7 dans la face supérieure plane 4a de la couche sacrificielle 4 et dans la structure de sillon 5. La couche de miroir 3 peut également se composer de plusieurs couches partielles.The realization of the mirror 1 installation in the manufacturing phase of Figure 2a advantageously corresponds to that of Figure 1b. The embodiment of the mirror installation 1 is distinguished in the embodiment of FIG. 2b from that of FIG. 1c in that, instead of the etching blocking material according to the figure, one or more mirror 7 in the planar upper face 4a of the sacrificial layer 4 and in the groove structure 5. The mirror layer 3 can also consist of several partial layers.
[0071] Dans le cas d’une seconde installation de miroir, la matière de miroir 7 s’applique ou s’intégre dans ou sur une surface supérieure 4c essentiellement plane de la seconde couche sacrificielle 4b et dans des secondes structures de sillon 5b. La matière de miroir 7, appliquée peut ainsi développer une couche de miroir 3 sur la couche sacrificielle 4, 4b, dans la zone de structure de sillon 5 celle-ci comporte un gradin dans le côté supérieur opposé, au substrat 2 ce qui peut être réalisé par l’application. La matière de miroir 7 dans la structure de sillon 5 sur la surface plane 4a de la couche sacrificielle 4 peut couvrir avantageusement les bords de la structure de sillon 5 au moins partiellement ou totalement latéralement. Dans la structure de sillon 5 La matière de miroir 7 réalise avantageusement un ancrage B sous la forme d’un encastrement de la couche de miroir 3 dans le substrat 2 car l’ancrage B est avantageusement fixé verticalement au substrat 2.In the case of a second mirror installation, the mirror material 7 is applied or integrated in or on an essentially planar upper surface 4c of the second sacrificial layer 4b and in second groove structures 5b. The mirror material 7, applied can thus develop a mirror layer 3 on the sacrificial layer 4, 4b, in the groove structure zone 5 this has a step in the upper opposite side, to the substrate 2 which can be made by the application. The mirror material 7 in the groove structure 5 on the flat surface 4a of the sacrificial layer 4 can advantageously cover the edges of the groove structure 5 at least partially or completely laterally. In the groove structure 5 The mirror material 7 advantageously achieves an anchoring B in the form of an embedding of the mirror layer 3 in the substrate 2 because the anchor B is advantageously fixed vertically to the substrate 2.
[0072] La figure 2c montre l’étape suivante du procédé selon laquelle on réalise un ou plusieurs orifices de gravure L dans la couche de miroir 3, avantageusement entre un ancrage qui forme une courbe fermée (figure 3) pour enlever la couche sacrificielle 4, 4b sous la couche de miroir 3 (figure 2d) avec un procédé de gravure. L’ancrage B avec la matière de miroir 7, présente avantageusement une résistance à la gravure plus élevée que la couche sacrificielle, avantageusement plus élevée qu’un oxyde tel que le dioxyde de silicium de sorte que l’ancrage B fonctionne avantageusement comme blocage latéral de gravure lorsqu’on dégage la couche de miroir 3 comme membrane de miroir. Les zones latérales à l’extérieur de l’ancrage B peuvent rester ou sont éliminées. La couche sacrificielle sous la couche de miroir peut être enlevée complètement de façon avantageuse. La butée de blocage de gravure peut avoir une résistance prolongée à la gravure. Ce procédé évite avantageusement un dépôt séparé d’une matière de blocage de gravure ainsi un nouvel amincissement par un polissage compliqué. La matière de miroir peut être déposée directement sur la couche sacrificielle et dans les sillons. Les trous de gravure peuvent être obtenus en réalisant la structure la couche de miroir.FIG. 2c shows the next step in the method according to which one or more etching orifices L are produced in the mirror layer 3, advantageously between an anchoring which forms a closed curve (FIG. 3) to remove the sacrificial layer 4 , 4b under the mirror layer 3 (FIG. 2d) with an etching process. The anchor B with the mirror material 7 advantageously has a higher etching resistance than the sacrificial layer, advantageously higher than an oxide such as silicon dioxide so that the anchor B advantageously functions as lateral blocking of etching when the mirror layer 3 is released as the mirror membrane. The lateral zones outside the anchor B can remain or are eliminated. The sacrificial layer under the mirror layer can be removed completely advantageously. The etching blocking stopper may have prolonged resistance to etching. This process advantageously avoids a separate deposit of an etching blocking material and thus further thinning by a complicated polishing. The mirror material can be deposited directly on the sacrificial layer and in the grooves. The etching holes can be obtained by making the structure the mirror layer.
[0073] Le blocage de la gravure permet d’améliorer de manière significative la définition de la membrane notamment son diamètre car la zone de dégagement de la couche de miroir n’est plus définie par le motif des trous de gravure ni des variations du procédé mais par le tracé du blocage de gravure lui-même dans la mesure où l’on utilise un procédé de gravure suffisamment long.The blocking of the etching makes it possible to significantly improve the definition of the membrane, in particular its diameter because the area of release of the mirror layer is no longer defined by the pattern of the etching holes or of variations in the process. but by the layout of the etching block itself insofar as a sufficiently long etching process is used.
[0074] Pour exercer une précontrainte de tension, la couche de miroir 3 est avantageusement précontrainte. Pour cela l’ancrage B comme encastrement est conçu avantageusement pour absorber une force d’encastrement élevée. F-Ασ. Dans cette formule, A représente la surface encastrée de la membrane de miroir, et-σ- ia précontrainte. Cette force peut agir radialement sur la tension d’encastrement (ancrage B) évitant une déformation significative de la structure d’encastrement (encastrement B et membrane de miroir) par une mise en forme appropriée. Un ancrage de rayon variable permet d’avoir une rigidité élevée vis-à-vis de la flexion ou d’une simple forme circulaire ce qui est avantageux même si l’épaisseur de la membrane de miroir (et ainsi également l’encastrement) est faible. Cela permet d’aboutir à une planéité élevée du milieu de la membrane de miroir.To exert a prestress in tension, the mirror layer 3 is advantageously prestressed. For this, the anchor B as a recess is advantageously designed to absorb a high recess force. F-Ασ. In this formula, A represents the recessed surface of the mirror membrane, and-σ- iis prestressed. This force can act radially on the embedding tension (anchor B) avoiding a significant deformation of the embedding structure (embedding B and mirror membrane) by an appropriate shaping. An anchoring of variable radius makes it possible to have a high rigidity with respect to bending or a simple circular shape which is advantageous even if the thickness of the mirror membrane (and thus also the embedding) is low. This allows to achieve a high flatness of the middle of the mirror membrane.
[0075] La figure 3 est une vue de dessus schématique d’une courbe d’ancrage selon un exemple de réalisation de l’invention.Figure 3 is a schematic top view of an anchoring curve according to an exemplary embodiment of the invention.
[0076] On peut également envisager des formes de réalisation dans lesquelles les sillons formés (5, 5b de la figure 2) sont décrits sur le côté radial intérieur à la figure 3 sous la forme d’une courbe et sur le côté extérieur, par exemple par une simple forme circulaire.One can also envisage embodiments in which the grooves formed (5, 5b in FIG. 2) are described on the inner radial side in FIG. 3 in the form of a curve and on the outer side, by example by a simple circular shape.
[0077] En vue de dessus du substrat, l’ancrage ou la structure de sillon correspondent à une courbe K, K2 de la seconde installation de miroir dont le rayon varie selon l’azimut. La courbe K, K2 peut entourer complètement latéralement la couche de miroir et décrire une courbe fermée qui est une forme sinusoïdale, une forme de roue dentée, une forme en dents de scie ou une forme polygonale. L’écart par rapport à la forme circulaire donne avantageusement plusieurs contacts d’ancrage avec le substrat dans les positions radiales différentes, transmettant une force d’encastrement plus importante au substrat ; en d’autres termes on réalise un encastrement de membrane plus rigide ou un encastrement de miroir. En d’autres termes on augmente la rigidité vis-à-vis de la traction radiale. La forme de la courbe Ka correspond à différentes variantes, par exemple en coordonnées polaires elle se représente par r (φ) ; les valeurs x et y de la ligne formant le bord s’obtiennent par la transformation habituelle des coordonnées [0078] x = r(q>)cosq> ; y = r(q>)sinq>.In top view of the substrate, the anchor or the groove structure corresponds to a curve K, K2 of the second mirror installation, the radius of which varies according to the azimuth. The curve K, K2 can completely surround the mirror layer laterally and describe a closed curve which is a sinusoidal shape, a toothed wheel shape, a sawtooth shape or a polygonal shape. The deviation from the circular shape advantageously gives several anchoring contacts with the substrate in the different radial positions, transmitting a greater embedding force to the substrate; in other words, we make a more rigid membrane embedding or a mirror embedding. In other words, it increases the rigidity vis-à-vis the radial traction. The shape of the curve Ka corresponds to different variants, for example in polar coordinates it is represented by r (φ); the x and y values of the line forming the edge are obtained by the usual transformation of the coordinates [0078] x = r (q>) cosq>; y = r (q>) sinq>.
[0079] La courbe peut également avoir en grande partie une structure périodique azimutale. L’interruption de la périodicité peut être possible par exemple pour le passage de lignes électriques de l’installation de miroir, il faut une autre mise en structure. Visà-vis d’une trajectoire circulaire ou d’un rayon non modulable, on améliore de façon significative la rigidité de l’encastrement.The curve can also largely have an azimuthal periodic structure. Interruption of the periodicity may be possible for example for the passage of power lines of the mirror installation, another structure is required. Vis-à-vis a circular path or a non-modular radius, it significantly improves the rigidity of the embedding.
[0080] La figure 4a est une section latérale schématique d’installation de miroir d’une installation d’interféromètre selon un exemple de réalisation de la présente invention.Figure 4a is a schematic side section of mirror installation of an interferometer installation according to an exemplary embodiment of the present invention.
[0081] Sur un substrat 2 on forme une première installation de miroir SP1 et une seconde installation de miroir SP2 ou encore plusieurs telles installations au moins partiellement l’une au-dessus de l’autre pour former une installation d’interféromètre Int. De façon avantageuse l’interféromètre Fabry-Pérot est un micro-spectromètre. Selon la figure 4a, les deux installations de miroir SP1 et SP2 peuvent être réalisées sur un même substrat commun 2. Pour cela la première installation de miroir comporte un premier ancrage B1 sur le substrat commun 2 et la seconde installation de miroir SP2 comporte un second ancrage B2 sur le substrat commun 2 ; les ancrages B1 et B2 sont disposés décalés latéralement l’un par rapport à l’autre. Les installations de miroir SP1 et SP2 peuvent être écartées d’une distance (d) entre leur couche de miroir (membrane). Il est ainsi possible qu’au moins l’une des membranes de miroir puisse être actionnée par rapport à l’autre, c’est-à-dire de façon à pouvoir modifier la distance (d) par exemple à l’aide d’électrodes d’actionnement prévues dans ou sur la membrane de miroir et latéralement à l’intérieur de l’ancrage Bl, B2 (cette solution n’est pas représentée) comme cela est le cas à la figure 4b. L’actionnement de l’installation de miroir peut se faire par exemple de manière électrostatique. A la fois la figure 4a et aussi la figure 4b montrent des segments latéraux des installations de miroir autour de leur ancrage ; les membranes de miroir peuvent s’étendre plus loin dans la direction x. Ainsi chacune des membranes de miroir, dégagées, ou l’une des installations de miroir ou une couche de miroir peuvent avoir un reste de couche sacrificielle (non représenté).On a substrate 2, a first SP1 mirror installation and a second SP2 mirror installation are formed, or even several such installations at least partially one above the other to form an Int interferometer installation. Advantageously, the Fabry-Pérot interferometer is a micro-spectrometer. According to FIG. 4a, the two mirror installations SP1 and SP2 can be produced on the same common substrate 2. For this, the first mirror installation comprises a first anchoring B1 on the common substrate 2 and the second mirror installation SP2 comprises a second anchoring B2 on the common substrate 2; the anchors B1 and B2 are arranged laterally offset from one another. SP1 and SP2 mirror installations can be spaced by a distance (d) between their mirror layer (membrane). It is thus possible that at least one of the mirror membranes can be actuated relative to the other, that is to say so as to be able to modify the distance (d) for example using actuation electrodes provided in or on the mirror membrane and laterally inside the anchor B1, B2 (this solution is not shown) as is the case in FIG. 4b. The actuation of the mirror installation can be done for example electrostatically. Both FIG. 4a and also FIG. 4b show lateral segments of the mirror installations around their anchoring; the mirror membranes can extend further in the x direction. Thus each of the exposed mirror membranes, or one of the mirror installations or a mirror layer may have a sacrificial layer residue (not shown).
[0082] Le mode de réalisation présenté à la figure 4b comporte une seconde installation de miroir SP2 située complètement avec son second ancrage B2 sur la première installation de miroir SP1. Les deux peuvent avoir la même extension latérale (non représenté) ou encore la seconde installation de miroir SP2 peut avoir une extension moindre et/ou décaler latéralement. Ainsi la première installation de miroir elle-même, avec sa couche de miroir peut servir de substrat pour la seconde installation de miroir à laquelle on applique alors le procédé de fabrication selon l’invention pour réaliser cette seconde installation de miroir SP2 (1). Cela permet que chacune des installations de miroir ou l’une des installations de miroir comporte une membrane de miroir dégagée ou une couche de miroir sur laquelle subsiste une couche sacrificielle (non représentée). Les installations de miroir SP1 et SP2 peuvent comporter des systèmes de miroir complets ; en d’autres termes, elles peuvent elles-mêmes comporter des systèmes de couches formées de couches séparées telles qu’un miroir de Bragg, avec des piles de couches Si/SiN ou Si/SiCN ou un miroir métallique. On peut également envisager des miroirs de Bragg avec du gaz ou du vide comme matière à faible indice de réfraction, par exemple la combinaison Si/air-miroir dans laquelle les deux couches de silicium d’un miroir sont écartées l’une de l’autre. Dans le domaine de l’encastrement, les deux couches partielles de silicium d’une installation de miroir peuvent être appliquées l’une sur l’autre en enlevant de façon appropriée la couche sacrificielle dans cette zone.The embodiment presented in Figure 4b includes a second mirror installation SP2 located completely with its second anchor B2 on the first mirror installation SP1. Both can have the same lateral extension (not shown) or the second SP2 mirror installation can have a lesser extension and / or offset laterally. Thus the first mirror installation itself, with its mirror layer, can serve as a substrate for the second mirror installation to which the manufacturing method according to the invention is then applied to produce this second mirror installation SP2 (1). This allows each of the mirror installations or one of the mirror installations to have a free mirror membrane or a mirror layer on which a sacrificial layer remains (not shown). SP1 and SP2 mirror installations may include complete mirror systems; in other words, they may themselves have layer systems formed of separate layers such as a Bragg mirror, with stacks of Si / SiN or Si / SiCN layers or a metal mirror. One can also consider Bragg mirrors with gas or vacuum as a material with a low refractive index, for example the Si / air-mirror combination in which the two silicon layers of a mirror are spaced apart from one another. other. In the field of embedding, the two partial layers of silicon of a mirror installation can be applied one on top of the other by appropriately removing the sacrificial layer in this area.
[0083] La figure 5 montre une section latérale schématique d’installation de miroir d’une installation d’interféromètre selon un autre exemple de réalisation de l’invention.Figure 5 shows a schematic side section of mirror installation of an interferometer installation according to another embodiment of the invention.
[0084] La représentation de la figure 5 montre par exemple une disposition de la seconde installation de miroir SP2 sur la première installation de miroir SP1 qui peuvent être développées selon l’exemple de la figure 4a à la différence qu’entre les deux ancrages B1 et B2, il subsiste une partie de la couche sacrificielle 4, 4b. Lors de la réalisation, par une structuration complémentaire de la seconde couche sacrificielle 4b, on réalise un élément de liaison VS qui peut être introduit dans un autre sillon de la seconde couche sacrificielle (non représenté). Ce sillon peut lui-même être rempli avec de la matière du miroir pour la seconde installation de miroir, de façon analogue à l’ancrage, toutefois seulement jusqu’à la couche de miroir de la première installation de miroir (procédé de dépôt conforme). Entre les deux installations de miroir on peut avoir plusieurs tels éléments de liaison, avantageusement à l’extérieur de la zone d’actionnement ou de l’ouverture optique de la couche de miroir.The representation of Figure 5 shows for example an arrangement of the second mirror installation SP2 on the first mirror installation SP1 which can be developed according to the example of Figure 4a with the difference that between the two anchors B1 and B2, part of the sacrificial layer 4, 4b remains. During production, by a complementary structuring of the second sacrificial layer 4b, a connecting element VS is produced which can be introduced into another groove of the second sacrificial layer (not shown). This groove can itself be filled with mirror material for the second mirror installation, similar to anchoring, however only up to the mirror layer of the first mirror installation (conforming deposition process) . Between the two mirror installations, there may be several such connecting elements, advantageously outside the actuation zone or the optical opening of the mirror layer.
[0085] Selon une autre forme de réalisation, la construction de la figure 5 peut s’appliquer à n’importe quelle installation de miroir qui comporte deux couches de miroir 3a, 3b avec un ancrage respectif constituant un ancrage commun B.According to another embodiment, the construction of Figure 5 can be applied to any mirror installation which has two mirror layers 3a, 3b with a respective anchor constituting a common anchor B.
[0086] La partie de la couche sacrificielle 4, 4b entre les ancrages permet de stabiliser l’ancrage et sa position.The part of the sacrificial layer 4, 4b between the anchors makes it possible to stabilize the anchor and its position.
[0087] Entre les couches de miroir on peut avoir un intervalle d’air. En outre on peut également développer ce principe avec d’autres membranes partielles de miroir ce qui signifie qu’un miroir Si/air peut se composer d’autres paires de couches Si/air.Between the mirror layers, there can be an air gap. In addition, this principle can also be developed with other partial mirror membranes, which means that an Si / air mirror can be made up of other pairs of Si / air layers.
[0088] Une telle disposition de la couche sacrificielle 4, 4b entre les zones d’ancrage Bl, B2 protège la couche sacrificielle 4, 4b dans la zone de l’encastrement pour interdire la gravure. Un tel procédé peut également s’envisager pour d’autres types de miroir tels que Si/SiN (silicium, nitrure de silicium) et Si/SiCN (carbonitrure de silicium) constituant des piles de couches.Such an arrangement of the sacrificial layer 4, 4b between the anchoring zones B1, B2 protects the sacrificial layer 4, 4b in the embedding zone to prevent etching. Such a process can also be envisaged for other types of mirror such as Si / SiN (silicon, silicon nitride) and Si / SiCN (silicon carbonitride) constituting stacks of layers.
[0089] La figure 6 est un schéma par blocs des étapes du procédé selon la présente invention. Dans le procédé de fabrication d’une installation de miroir pour une installation d’interféromètre, on fournit SI un substrat ; on applique S2 une couche sacrificielle sur le substrat ; on imprime S3 une structure de sillon dont la couche sacrificielle s’étend à travers la couche sacrificielle jusqu’au substrat et décrit en vue de dessus de la face supérieure de la couche sacrificielle, une courbe dont le rayon varie dans le sens azimutal ; on introduit S4 une matière de blocage de gravure ou une matière de miroir dans la structure de sillon et on applique S5 une matière de miroir sur la face supérieure plane de la couche sacrificielle de façon que la matière de miroir sur la face supérieure plane arrive latéralement entre la structure de sillon et au moins partiellement par-dessus cette structure de sillon.Figure 6 is a block diagram of the steps of the method according to the present invention. In the method of manufacturing a mirror installation for an interferometer installation, IF provides a substrate; a sacrificial layer is applied S2 on the substrate; we print S3 a groove structure whose sacrificial layer extends through the sacrificial layer to the substrate and describes in top view of the upper face of the sacrificial layer, a curve whose radius varies in the azimuth direction; an etching blocking material or a mirror material is introduced S4 into the groove structure and a mirror material is applied S5 to the flat upper face of the sacrificial layer so that the mirror material on the flat upper face arrives laterally between the groove structure and at least partially over this groove structure.
[0090] Ensuite dans un procédé de fabrication d’une installation d’interféromètre, on fournit S6 une première installation de miroir et une seconde installation de miroir, la première installation de miroir étant fabriquée selon le procédé de l’invention. Ensuite on applique S7 une seconde couche sacrificielle sur la première installation de miroir, on imprime S8 une seconde structure de sillon dans la seconde couche sacrificielle qui traverse complètement la couche sacrificielle pour arriver jusqu’à la première installation de miroir et qui, en vue de dessus sur la face supérieure de la seconde couche sacrificielle, décrit une courbe dont le rayon varie dans le sens azimutal ; on introduit S9 une matière de blocage de gravure ou une matière de miroir dans la seconde structure de sillon et on applique une matière de miroir sur la face supérieure plane de la seconde couche sacrificielle pour que la matière de miroir sur la face supérieure plane de la seconde couche sacrificielle arrive latéralement entre la seconde structure de sillon et s’étende au moins partiellement sur cette seconde structure de sillon.Then in a method of manufacturing an interferometer installation, S6 is supplied with a first mirror installation and a second mirror installation, the first mirror installation being produced according to the method of the invention. Then apply S7 a second sacrificial layer on the first mirror installation, print S8 a second groove structure in the second sacrificial layer which completely crosses the sacrificial layer to reach the first mirror installation and which, in order to above on the upper face of the second sacrificial layer, describes a curve whose radius varies in the azimuth direction; an etching blocking material or a mirror material is introduced S9 into the second groove structure and a mirror material is applied to the flat upper face of the second sacrificial layer so that the mirror material on the flat upper face of the second sacrificial layer arrives laterally between the second furrow structure and extends at least partially over this second furrow structure.
[0091 ] NOMENCLATURE DES ELEMENTS PRINCIPAUX [0092] B, Bl, B2 Ancrage [0093] 1 Installation de miroir [0094] 2 Substrat [0095] 3, 3a, 3b Couche de miroir [0096] 4, 4a, 4b Couche sacrificielle [0097] 5 Structure de sillon [0098] 6 Matière de blocage de gravure [0099] 7 Matière de miroir [0100] L Trou de gravure [0101] KA, K2 Courbe décrite par l’ancrage [0102] SP1, SP2 Installation de miroir [0103] Int Installation d’interféromètre [0104] S1/10 Etapes du procédé de fabricationNOMENCLATURE OF MAIN ELEMENTS [B, Bl, B2 Anchoring [0093] 1 Installation of mirror [0094] 2 Substrate [0095] 3, 3a, 3b Mirror layer [0096] 4, 4a, 4b Sacrificial layer [ 0097] 5 Groove structure [0098] 6 Engraving blocking material [0099] 7 Mirror material [0100] L Engraving hole [0101] KA, K2 Curve described by anchoring [0102] SP1, SP2 Installation of mirror [0103] Int Installation of interferometer [0104] S1 / 10 Steps of the manufacturing process
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