EP1699899B9 - Luminous substance and light source comprising such a luminous substance - Google Patents

Description

Translated fromGerman

Technisches GebietTechnical area

Die Erfindung geht aus von einem Leuchtstoff und Lichtquelle mit derartigem Leuchtstoff gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1. Es handelt sich dabei insbesondere um einen Granat-basierten Leuchtstoff, der sich zur Anwendung bei Lichtquellen wie LEDs und Lampen eignet.The invention is based on a phosphor and light source with such a phosphor according to the preamble ofclaim 1. It is in particular a garnet-based phosphor which is suitable for use in light sources such as LEDs and lamps.

Stand der TechnikState of the art

Aus der DE-GM 201 08 013 ist bereits ein Leuchtstoff und Lichtquelle mit derartigem Leuchtstoff bekannt, bei dem ein Leuchtstoff ein Granat bestimmter Seltene Erden ist. die Anwendung verschiedener Seltene Erden gibt die Möglichkeit, den Farbort des Leuchtstoffs in gewissen Grenzen einzustellen. Allerdings sind derartige Leuchtstoffe, wenn nicht Y die hauptsächliche Komponente des von Seltene Erdenbesetzten Gitterplatzes darstellt, wenig stabil oder sie besitzen wenig Effizienz oder nur geringe Absorptionsfähigkeit. Zwar kann im Granat Al durch Ga teilweise ersetzt werden. insbesondere bei diesen bekannten Leuchtstoffen mit Farbort im Grünen Spektralbereich ist die Anregbarkeit und damit einhergehend die Effizienz der Konversion nicht zufriedenstellend. Eine weitere Beschränkung des gewünschten Farborts eines bekannten Granat-Leuchtstoffs zur Realisierung einer weißen LED liegt darin, dass des öfteren eine relativ hohe Cer-Konzentration dafür erforderlich ist, die jedoch herstellungstechnisch nur sehr aufwendig zu realisieren ist.From DE-GM 201 08 013 a phosphor and light source with such a phosphor is already known, in which a phosphor is a garnet of certain rare earths. the application of various rare earths makes it possible to adjust the color location of the phosphor within certain limits. However, unless Y is the major component of the rare earth lattice site, such phosphors are poorly stable or have low efficiency or low absorptivity. Although in the garnet Al can be partly replaced by Ga. In particular in these known phosphors with chromaticity in the green spectral range, the excitability and concomitantly the efficiency of the conversion is not satisfactory. Another limitation of the desired color locus of a known garnet phosphor for the realization of a white LED is that often a relatively high cerium concentration is required for this, but which is technically very difficult to manufacture.

AusUS-A4 550 256 ist ein Leuchtstoff bekannt, der auf YAG basiert und bei dem Paare von Gruppe II und Gruppe IV Elementen, insbesondere Ca einerseits und Si oder Ge andererseits, zugesetzt sein können. Anwendungsgebiet ist hauptsächlich CRT.Out US-A4 550 256 For example, a phosphor based on YAG and in which pairs of group II and group IV elements, in particular Ca on the one hand and Si or Ge on the other hand, may be added. Field of application is mainly CRT.

Bisher mussten zur Realisierung bestimmter Farborte, die beispielsweise einer neutralweißen oder warmweißen Lichtfarbe entsprechen, die Kombination mehrerer Leuchtstoffe angewendet werden. Dieses Zweikomponenten-System hat prinzipiell mehrere Nachteile: Der langweiligere Leuchtstoff absorbiert i. allg. die Emission des kürzerwelligen. Des weiteren müssen die Partikelgrößen der Leuchtstoffe aufeinander abgestimmt sein, damit keine Agglomeration oder Sedimentation auftritt. Hinzu kommt, dass die Leuchtstoffe in einem exakten Mischungsverhältnis sehr homogen gemischt werden müssen, um Farbortschwankungen zu vermeiden. Schließlich zeigen die bekannten Leuchtstoffe im allgemeinen eine unterschiedliche Temperaturabhängigkeit, wodurch eine Farbortdrift beim Dimmen der LED oder unterschiedlichen Umgebungstemperaturen entstehen kann.Previously, the combination of several phosphors had to be used to realize certain color locations, which correspond for example to a neutral white or warm white light color. In principle, this two-component system has several disadvantages: the more boring phosphor absorbs i. geng. the emission of the shorter-wave. Furthermore, the particle sizes of the phosphors must be coordinated so that no agglomeration or sedimentation occurs. in addition comes that the phosphors must be mixed very homogeneously in an exact mixing ratio to avoid Farbortschwankungen. Finally, the known phosphors generally show a different temperature dependence, whereby a Farbortdrift can arise when dimming the LED or different ambient temperatures.

Darstellung der ErfindungPresentation of the invention

Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen Leuchtstoff gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1 bereitzustellen, der sich durch Robustheit und hohe Sensibilität für die Wahl des Farbort in einem weiten Bereich des Farbdiagramms auszeichnetIt is an object of the present invention to provide a phosphor according to the preamble ofclaim 1, which is characterized by robustness and high sensitivity for the choice of the color location in a wide range of the color diagram

Eine weitere Aufgabe ist die Herstellung eines hocheffizienten, stabilen Grünleuchtstoffs mit Granatstruktur für den Einsatz in vollfarbtauglichen LEDs auf der Basis einer kurzwellig emittierenden, beispielsweise im Blauen emittierenden Primär-LED mit langer Lebensdauer ermöglicht.Another object is the production of a high-efficiency, stable green fluorescent garnet structure for use in full color LEDs based on a short-wave emissive, for example, emitting in the blue primary LED with a long life.

Eine weitere Aufgabe ist die Herstellung eines hocheffizienten Granatleuchtstoffs mit genau abgestimmten Farbort für die photonische Anregung, insbesondere durch weiße LEDs, sowie die Bereitstellung einer Lichtquelle, insbesondere einer weißen LED mit neutral- bis warmweißer Lichtfarbe mit nur einem Leuchtstoff als Konverter. Bei Verwendung eines einzigen Leuchtstoffs lassen sich Farbortschwankungen einschränken und die Produktion wird einfacher, da es keine Misch- und Sedimentationsprobleme gibt. Selbstverständlich kann der Leuchtstoff auch zusammen mit anderen Leuchtstoffen für die Bereitstellung einer Lichtquelle verwendet werden.A further object is the production of a highly efficient garnet phosphor with a precisely coordinated color locus for the photonic excitation, in particular by white LEDs, and the provision of a light source, in particular a white LED with neutral to warm white light color with only one phosphor as a converter. Using a single phosphor can limit chromaticity variations and make production easier as there are no mixing and sedimentation problems. Of course, the phosphor can also be used together with other phosphors for the provision of a light source.

Diese Aufgabe wird durch die kennzeichnenden Merkmale des Anspruchs 1 gelöst. Besonders vorteilhafte Ausgestaltungen finden sich in den abhängigen Ansprüchen.This object is solved by the characterizing features ofclaim 1. Particularly advantageous embodiments can be found in the dependent claims.

Die erfindungsgemäße Substitution der Komponente B, insbesondere von Al3+, durch Si4+ führt in Leuchtstoff-Systemen mit Granatstruktur, beispielsweise Y(Al,Ga)G:Ce zu einer ausgeprägten Farbortverschiebung. Dabei ist normalerweise immer eine weitere Komponente aus Gründen der Ladungskompensation erforderlich, weil Si ein vierwertiges Ion, die Komponente B wie beispielsweise Al aber ein dreiwertiges Ion ist. Aus diesem Grund hat man bisher immer nur den naheliegenden Weg versucht, Al durch andere dreiwertige Ionen wie Ga oder In zu ersetzen, die denselben Gitterplatz belegen.The substitution according to the invention of component B, in particular ofAl 3+, by Si 4+ leads in phosphor systems with garnet structure, for example Y (Al, Ga) G: Ce, to a distinct color locus shift. Usually, another component is always required for charge compensation because Si is a tetravalent ion, while component B, such as Al, is a trivalent ion. For this reason, you have so far always only the obvious Path tries to replace Al with other trivalent ions such as Ga or In, which occupy the same lattice site.

Für die Realisierung gibt es mehrere Wege. In einer ersten Ausführungsform wird gleichzeitig mit Si ein Ion KB eingeführt, das denselben Gitterplatz belegt, jedoch eine Wertigkeit unter 3 besitzt, also ein einwertiges- Ion. In diesen Fällen wird das Ersatzion KB häufig als Oxid eingeführt, so dass wegen der Granatstruktur keine weitere Ladungskompensation beachtet werden muss.For the realization there are several ways. In a first embodiment, an ion KB is introduced simultaneously with Si, which occupies the same lattice site, but has a valence of less than 3, ie a monovalent ion. In these cases, the replacement ion KB is often introduced as an oxide, so that due to the garnet structure no further charge compensation must be considered.

In einer zweiten Ausführungsform wird ein anderer Weg eingeschlagen, indem gleichzeitig mit Si ein Ion KC eingeführt wird, das einen anderen Gitterplatz mit entgegengesetzter Ladungspolarität belegt. Aufgrund der anderen Ladungspolarität ist in diesem Fall der Wahl der Wertigkeit keine Beschränkung auferlegt. Besonders bevorzugt ist für diesen Fall der Ersatz von Sauerstoff (als O^2- zu verstehen) durch Stickstoff (als N^3- zu verstehen).In a second embodiment, another approach is taken by simultaneously introducing with Si an ion KC occupying another lattice site of opposite charge polarity. Due to the different charge polarity, no restriction is imposed on the choice of valence in this case. Particularly preferred for this case is the replacement of oxygen (to be understood as O^2- ) by nitrogen (to be understood as N^3- ).

In einer dritten Ausführungsform wird gleichzeitig mit Si ein Ion KA eingeführt, das einen anderen Gitterplatz, nämlich den der Komponente A, belegt. Dabei ist wieder die Ladungspolarität dieselbe wie bei Si. Geeignete Kandidaten sind Na und Li.In a third embodiment, simultaneously with Si, an ion KA is introduced which occupies another lattice site, namely that of component A. Again, the charge polarity is the same as Si. Suitable candidates are Na and Li.

In einer vierten Ausführungsform wird kein weiteres Ion mit Si eingeführt, sondern die Ladungskompensation erfolgt über Fehlstellen (nach Kröger-Vink mit V_A oder V_B oder V_C bezeichnet, wenn die Fehlstelle am Gitterplatz von A, B oder O sitzt), die mit einer eigenen Wertigkeit von null angesetzt werden.In a fourth embodiment, no further ion is introduced with Si, but the charge compensation takes place via defects (according to Kröger-Vink with V_A or V_B or V_C denoted when the defect sits on the lattice site of A, B or O), which with their own value of zero.

Bevorzugt eignen sich generell Ionen, deren Radius möglichst nahe am Radius des zu ersetzenden Ions liegt. In der Praxis zeigt sich, dass im Falle eines größeren Radius diese Grenze bei 30 %, also einem 1,3 -fach höheren Radius liegt. Im Falle eines Ions, dessen Radius kleiner als der des zu ersetzenden Ions ist, ist diese Grenze deutlich weniger kritisch.Preferably, ions are generally suitable whose radius is as close as possible to the radius of the ion to be replaced. In practice, it can be seen that in the case of a larger radius this limit is 30%, ie a radius 1.3 times higher. In the case of an ion whose radius is smaller than that of the ion to be replaced, this limit is much less critical.

Die Substitution unter Beibehaltung der Granatstruktur hat nichts mit den neuartigen Nitridosilikaten zu tun, die zwar aus ähnlichen Einzelkomponenten aufgebaut sein können, jedoch völlig andere Stöchiometrie, Gitterstruktur und Emissionsverhalten besitzen; eine typische Gitterstruktur ist α-Sialon, siehe "On new rare-earth doped M-Si-Al-O-N materials", van Krevel, TU Eindhoven 2000, ISBN 90-386-2711-4, Kapitel 2.The substitution while retaining the garnet structure has nothing to do with the novel nitridosilicates, which may be composed of similar individual components, but have completely different stoichiometry, lattice structure and emission behavior; a typical lattice structure is α-sialon, see " On new rare-earth doped M-Si-Al-ON materials ", van Krevel, TU Eindhoven 2000, ISBN 90-386-2711-4,Chapter 2 ,

Im einzelnen zeigt sich im Falle einer gleichzeitiger Ladungskompensation durch einen Austausch von O^2- durch N^3- überraschenderweise eine deutlich kurzwelligere Emission als bei entsprechendem Granat mit konventionellem Teilersatz des Al durch Ga, also Y(Al,Ga)G:Ce, wie bisher in der Literatur bekannt. Dabei wird die hohe Quanteneffizienz des reinen YAG:Ce-Leuchtstoffs nahezu beibehalten. Es lassen sich beispielsweise Leuchtstoffe mit 4 mol-% Cer als Aktivator und einer Dominanzwellenlänge zwischen 559 nm und 573 nm mit einer Quanteneffizienz von ca. 85-90% synthetisieren. Ohne die Verwendung des Siliziums müsste die Cer-Dotierung sehr stark reduziert werden, um vergleichbare Dominanzwellenlängen zu erreichen. Bei 4% Cer-Dotierung wurde in der Praxis als kürzeste Dominanzwellenlänge 563 nm erreicht. Die Cer-Dotierung liegt im Bereich 0,1 bis 10 %.Specifically, in the case of a simultaneous charge compensation by an exchange of O^2- by N^3- surprisingly a much shorter wavelength emission than in corresponding garnet with conventional partial replacement of Al by Ga, so Y (Al, Ga) G: Ce, as before known in the literature. In the process, the high quantum efficiency of the pure YAG: Ce phosphor is almost maintained. For example, phosphors with 4 mol% cerium as the activator and a dominant wavelength between 559 nm and 573 nm can be synthesized with a quantum efficiency of about 85-90%. Without the use of silicon, the cerium doping would have to be greatly reduced to achieve comparable dominance wavelengths. At 4% cerium doping, 563 nm was achieved in practice as the shortest dominant wavelength. The cerium doping is in the range 0.1 to 10%.

Überraschenderweise wirkt die Substitution in rein Al-haltigen Granat-Leuchtstoffen vom Typ (Y,Tb,Gd)AG:Ce anders. Durch geringe Substitution (< 1 mol%) von Al durch Si in YAG:Ce lässt sich die Dominanzwellenlänge um einige Nanometer zu längeren Wellenlängen hin verschieben, ohne dass die Effizienz des Leuchtstoffs abnimmt. Dadurch ist es möglich, den Weißfarbort der Standard-Weiß-LED "optimal" einzustellen, ohne einen zweiten, in aller Regel ineffizienteren Leuchtstoff zur Farbortkorrektur einsetzen zu müssen.Surprisingly, the substitution in purely Al-containing garnet phosphors of the type (Y, Tb, Gd) AG: Ce acts differently. By a small substitution (<1 mol%) of Al by Si in YAG: Ce, the dominant wavelength can be shifted by a few nanometers to longer wavelengths without the efficiency of the phosphor decreasing. This makes it possible to "optimally" set the white color location of the standard white LED, without having to use a second, usually inefficient phosphor for color correction.

Erhöht man den Siliziumgehalt auf bis zu 20 mol-%, insbesondere im Bereich 1-20 mol-%, bevorzugt bis 10 mol-%, so erhält man eine immer deutlicher erkennbare rote Cer-Emission. Die Dominanzwellenlänge verschiebt sich dadurch auf bis zu 584 nm. Es zeigt sich, dass sich unter Verwendung eines solchen Leuchtstoffs beispielsweise eine Warmweiß-LED mit Farbtemperatur von ca. 3200 K und einem Ra-Wert um 75-80 mit nur einem Leuchtstoff herstellen lässt. Die Quanteneffizienz des Leuchtstoffs steigt mit abnehmendem Si-Gehalt. Die entsprechende LED-Effizienz steigt daher mit zunehmender Farbtemperatur. Es lassen sich Lichtquellen realisieren, die im Bereich der Lichtfarben tageslichtähnlich über neutralweiß bis warmweiß liegen, insbesondere im Bereich einer Farbtemperatur 2600 bis 6500 K.If the silicon content is increased to up to 20 mol%, in particular in the range 1-20 mol%, preferably up to 10 mol%, an ever more clearly visible red cerium emission is obtained. As a result, the dominant wavelength shifts to up to 584 nm. It turns out that using such a phosphor, for example, a warm white LED having a color temperature of about 3200 K and an Ra value of about 75-80 can be produced with only one phosphor. The quantum efficiency of the phosphor increases with decreasing Si content. The corresponding LED efficiency therefore increases with increasing color temperature. It can be realized light sources that are similar to daylight in the range of light colors over neutral white to warm white, especially in the range of a color temperature 2600 to 6500 K.

Unter Granatstruktur ist hier selbstverständlich auch eine geringfügig vom Idealfall des Granats abweichende, auf Fehlstellen oder Gitterstörungen beruhende Struktur gemeint, solange dieser Kristall die typische Granatstruktur beibehält.Under garnet structure here is of course a slightly different from the ideal case of Garnet deviating, based on flaws or lattice disorder structure meant as long as this crystal retains the typical garnet structure.

Ein typischer erfindungsgemäßer Leuchtstoff hat die ideale Granatstruktur A3B5O12:D mit der neuartigen grundsätzlichen Modifikation A_3-uB_5-vSi_xO_12-w:D, dabei sitzt Si nur auf dem Gitterplatz der Komponente B, wobei Ladungsneutralität erhalten bleiben muss, beispielsweise realisiert als A3B5-xSixKyO12-y:D, mit
A = Seltenerdmetall (SE) erfindungsgemäß ausgewählt aus der Gruppe Y, Gd, La, Lu einzeln oder in Kombination oder vergleichsweise; A = Seltenerdemetall (SE) ausgewählt aus der Gruppe Y. Gd, Tb, La, Lu einzeln oder in Kombination
B = Al, Ga, In einzeln oder in Kombination;
D = Aktivator, der SE ersetzt, ausgewählt aus der Gruppe Ce, Pr, Eu einzeln oder in Kombination;
K = Ladungskompensator, insbesondere N3-, der die Ladungsfehlanpassung des Si ausgleicht.A typical phosphor according to the invention has the ideal garnet structure A3B5O12: D with the novel fundamental modification A_3-u B_5-v Si_x O_12-w : D, while Si sits only on the lattice site of component B, whereby charge neutrality must be maintained, for example realized as A3B5-xSixKyO12-y: D, with
A = rare earth metal (SE) according to the invention selected from the group Y, Gd, La, Lu individually or in combination or comparatively; A = rare earth metal (SE) selected from the group Y. Gd, Tb, La, Lu singly or in combination
B = Al, Ga, In singly or in combination;
D = activator replacing SE selected from the group Ce, Pr, Eu singly or in combination;
K = charge compensator, in particular N3-, which compensates for Si's charge mismatch.

Dabei gilt insbesondere 0 < x ≤ 1 sowie 0 ≤ y ≤ 2x.In particular, 0 <x ≦ 1 and 0 ≦ y ≦ 2x.

Der Wert von y hängt von den Einzelheiten des Kristallaufbaus ab, insbesondere im Falle K = N gilt y =x.The value of y depends on the details of the crystal structure, in particular in the case K = N, y = x.

Generell ist im einzelnen zu berücksichtigen, dass verschiedene Gitterplätze verschiedene Wertigkeiten haben können, so dass eine Darstellung des modifizierten Granats unter Berücksichtigung möglicher kompensierender Komponenten KA auf dem Gitterplatz A, kompensierender Komponenten KB auf dem Gitterplatz B und kompensierender Komponenten KC auf dem Gitterplatz des Sauerstoffs zur generellen DarstellungIn general, it should be considered in detail that different grids may have different valences, so that a representation of the modified garnet taking account of possible compensating components KA on the grating space A, compensating components KB on the grating space B and compensating components KC on the grating space of the oxygen general presentation

[A_3-aKA_a]_A [B_5-b-xKB_bSi_x]_B [O_12-sKC_s]_o:D führt, wobei der Aktivator D der Komponente A zuzurechnen ist. In anderen Worten kann also die Formel auch ausgedrückt werden als [A_3-t-a#KA_a#D_t]_A[B_5-b-xKB_bSi_x]_B[O_12-sKC_s]_o. Dabei ist a# ein anderer Wert als a, der sich ausgehnd von a durch Zurechnung der Dotierung D ergibt, wie an sich bekannt.[A_3-a KA_a ]_A [B_5-bx KB_b Si_x ]_B [O_12-s KC_s ]_o : D where the activator D is attributable to component A. In other words, the formula can also be expressed as [A_{3-ta #} KA_{a #} D_t ]_A [B_5-bx KB_b Si_x ]_B [O_12-s KC_s ]_o . Here, a # is a value other than a, which results from a by adding the doping D, as known per se.

Die wesentliche Bedingung für die Koeffizienten ist allgemein darstellbar als:$$\mathrm{a}\left({\mathrm{m}}_{\mathrm{KA}}-\mathrm{3}\right)+\mathrm{b}\left({\mathrm{m}}_{\mathrm{KB}}-\mathrm{3}\right)+\mathrm{x}=\mathrm{s}\left(-{\mathrm{m}}_{\mathrm{KC}}-\mathrm{2}\right)\mathrm{.}$$

The essential condition for the coefficients is generally representable as:$$\mathrm{a}\left({\mathrm{m}}_{\mathrm{KA}}-\mathrm{3}\right)+\mathrm{b}\left({\mathrm{m}}_{\mathrm{KB}}-\mathrm{3}\right)+\mathrm{x}=\mathrm{s}\left(-{\mathrm{m}}_{\mathrm{KC}}-\mathrm{2}\right)\mathrm{,}$$

Dabei ist m die jeweilige Wertigkeit des eingebauten Ions der Komponente KA, KB oder KC, wobei die etwaigen Fehlstellen mit einer Wertigkeit m=0 angesetzt sind.In this case, m is the respective valency of the built-in ion of the component KA, KB or KC, the possible imperfections having a valence m = 0 being used.

Dabei gibt es mehrere grundsätzliche Ausführungsformen:There are several basic embodiments:

Zum ersten gibt es den Typ, bei dem Si einen Teil des Elements B ersetzt, wobei Si durch eine Fähre, nämlich einen Sauerstoff ersetzenden Mechanismus, beispielsweise mittels Stickstoff, eingebracht wird, so dass für die Stöchiometrie gilt: A₃B_5-xSi_x[O_12-sN_s]_o:D, wobei der tiefgestellte Index O eine Aussage über den Gitterplatz O macht. Hier ist N ein Ion des Typs KC, wobei insbesondere s ≤1,5 und x ≤ 1,5, und bevorzugt x=s.First, there is the type in which Si replaces a part of the element B, where Si is introduced by a ferry, namely an oxygen-replacing mechanism, for example by means of nitrogen, so that for the stoichiometry: A₃ B_5-x Si_x [O_12-s N_s ]_o : D, where the subscript O makes a statement about the grid position O. Here, N is an ion of the type KC, wherein in particular s ≦ 1.5 and x ≦ 1.5, and preferably x = s.

Zum zweiten gibt es den Typ, bei dem Si das Element B teilweise ersetzt, wobei Si durch einen die Ladung am Gitterplatz B ausgleichenden Mechanismus eingebracht wird, so dass für die Stöchiometrie gilt: A₃[B_5-(x+y)Si_xKB_y]_BO₁₂:D, wobei der tiefgestellte Index B eine Aussage über den Gitterplatz B macht. Beispielsweise wird Si zusammen mit Na eingebracht, und zwar beide über eine Sauerstoffverbindung als Fähre, wobei insbesondere y ≤1 und x ≤ 1.Second, there is the type in which Si partially replaces element B, where Si is introduced by a mechanism balancing the charge at lattice site B, so that the stoichiometry is A₃ [B_{5 (x + y)} Si_x KB_y ]_B O₁₂ : D, where the subscript B makes a statement about the grid location B. For example, Si is introduced together with Na, both via an oxygen compound as a ferry, in particular y ≦ 1 and x ≦ 1.

Im Falle eines anderen Einbringens der Kodotierung K, beispielsweise mittels Stickstoff oder eines anderen Sauerstoff ersetzenden Elements, ergibt die resultierende Stöchiometrie Vergleichsbeispiels eine Mischform zum ersten Typ, also beispielsweise

        A₃[B_5-x-ySi_xKB_y]_B[O_12-sN_s]_o:D.

Ein Beispiel ist x =1 und y =0,5 mit B ist Mg2+ sowie s = 0,5.In the case of another introduction of the codoping K, for example by means of nitrogen or another oxygen-replacing element, the resulting stoichiometry comparative example yields a mixed form of the first type, that is to say, for example

A₃ [B_5-xy Si_x KB_y]B [O_12-s N_s]o: D.

An example is x = 1 and y = 0.5 with B being Mg2 + and s = 0.5.

Zum dritten den Typ, bei dem Si das Element B teilweise ersetzt, wobei Si durch ein Element als Fähre eingebracht wird, das den Gitterplatz A teilweise ersetzt, also durch einen A ersetzenden Mechanismus eingebracht wird, so dass für die Stöchiometrie gilt:

        [A_3-yKA_y]_A[B_5-xSi_x]_BO₁₂:D,

wobei der tiefgestellte Index A, B eine Aussage über die Zugehörigkeit zu den Gitterplätzen der Komponente A und B macht. Hier ist insbesondere x = y. Als KA kommen Na und Li in Frage, die einwertig eingebaut werden, wobei insbesondere y ≤ 2 und x ≤ 2.Thirdly, the type in which Si partially replaces the element B, where Si is introduced as a ferry by an element which partially replaces the lattice site A, ie is introduced by an A-substituting mechanism, so that the following applies to the stoichiometry:

[A_3-y KA_y ]_A [B_5-x Si_x ]_B O₁₂ : D,

wherein the subscript A, B makes a statement about the membership of the lattice sites of the component A and B. Here, in particular, x = y. As KA, Na and Li come into consideration, which are monovalent, in particular y ≦ 2 and x ≦ 2.

Zum vierten gibt es den Typ, der den Ladungsausgleich allein durch Fehlstellenbildung kompensiert. In diesem Fall kann das Si mit Fehlstellen an allen Gitterplätzen einhergehen. Die Stöchiometrie ist dann: A_3-x/3B_5-xSi_xO₁₂:D, wobei insbesondere x ≤ 0,2. Beispielsweise ist x = 0,1.Fourth, there is the type that compensates for charge balancing by defect formation alone. In this case, the Si may have defects at all lattice sites accompanied. The stoichiometry is then: A_{3-x / 3} B_5-x Si_x O₁₂ : D, where in particular x ≦ 0.2. For example, x = 0.1.

Selbstverständlich können auch Mischformen all dieser Grundtypen auftreten. Die Dotierung D ist normalerweise immer als Bestandteil des Gitterplatzes A aufzufassen.Of course, mixed forms of all these basic types can occur. The doping D is normally always regarded as part of the lattice site A.

Bevorzugt ist im Falle B = Al der Wert x zwischen 0,01 ≤ x ≤ 1, bevorzugt ist im Falle B = (Al, Ga) mit einem Ga-Anteil von mindestens 20 mol-% von B der Wert von x im Bereih 0,05 ≤ x ≤ 0,25. Je nach Umgebung wirkt der Zusatz von Si in der Granatstruktur rot- oder blau-verschiebend gegenüber einem gleichartigen Si-freien Granat. Noch überraschender ist der Befund, dass die Größe der Farbortverschiebung nicht eine eindeutige Funktion der Beigabe an Si ist, sondern sich eher im Sinne einer Relation verhält. Besonders große Verschiebungen lassen sich mit eher geringen Beimengungen an Si erreichen (x = 0,08 bis 0,23). Das Verhalten im Einzelfall hängt zudem aber noch von dem Ladungskompensator K ab, insbesondere der Frage seines zugeordneten Gitterplatzes.In the case B = Al, the value x is preferably between 0.01 ≦ x ≦ 1, in the case B = (Al, Ga) with a Ga content of at least 20 mol% of B, the value of x in therange 0 is preferred , 05 ≤ x ≤ 0.25. Depending on the environment, the addition of Si in the garnet structure has a red- or blue-shifting effect compared to a similar Si-free garnet. Even more surprising is the finding that the size of the color locus shift is not a clear function of the addition to Si, but rather behaves in the sense of a relation. Particularly large displacements can be achieved with rather small admixtures of Si (x = 0.08 to 0.23). In addition, the behavior in the individual case still depends on the charge compensator K, in particular the question of its assigned grid location.

Der lonenradius des Si4+ ist vergleichbar groß wie der des Al3+, so dass es relativ leicht anstatt Al3+ eingebaut werden kann. Dies ist einer der wesentlichen Punkte für das überraschend gute Funktionieren des Ersetzens. Dagegen ist der lonenradius des Mg2+, das hier als vergleichsweise als Ladungskompensator dienen kann, merklich größer als von Al3+, so dass es weniger gut anstatt Al3+ eingebaut werden kann. Daher kann mit dem System Si4+-Mg2+ nur eine relativ kleine Menge an Si4+ zugesetzt werden.The ionic radius of the Si4 + is comparable to that of the Al3 +, so it can be incorporated relatively easily instead of Al3 +. This is one of the essential points for the surprisingly good functioning of the replacement. In contrast, the ionic radius of Mg2 +, which can serve as a charge compensator in this case, is appreciably larger than that of Al3 +, so that it can be incorporated less well than Al3 +. Therefore, with the system Si4 + -Mg2 + only a relatively small amount of Si4 + can be added.

Dagegen ist das System Si4+ mit N3- als Ladungskompensator deutlich weniger kritisch, weil das Stickstoff-Ion das etwa gleich große Sauerstoff-Ion ersetzt. Daher kann mit diesem System eine relativ große Menge an Si4+ zugesetzt werden.In contrast, the system Si4 + with N3 as a charge compensator is much less critical because the nitrogen ion replaces the approximately equal oxygen ion. Therefore, a relatively large amount of Si4 + can be added with this system.

Vorteilhaft ist, dass dieser Mechanismus teilweise auch die Rolle des Aktivators D hinsichtlich einer Verschiebung des Farborts übernehmen kann, so dass relativ geringe Mengen an D, verglichen mit konventionellen Granaten, benötigt werden. Dies gilt insbesondere im Falle D = Ce.It is advantageous that this mechanism can partially take on the role of the activator D with respect to a shift of the color locus, so that relatively small amounts of D, compared with conventional grenades, are needed. This is especially true in the case D = Ce.

Die Anregbarkeit der neuartigen Leuchtstoffe erstreckt sich zudem über einen weiten Bereich, der von etwa 250 nm, bevorzugt 300 nm, bis zu etwa 550 nm, bevorzugt 490 m, reicht. Maxima liegen bei etwa 350 nm und etwa 460 m. Damit ist dieser Leuchtstoff nicht nur zur Anregung durch UV oder blau emittierende Primärlichtquellen wie LEDs oder konventionelle Entladungslampen auf Hg-Basis geeignet, sondern auch für Lichtquellen wie einer Entladungslampe auf Basis einer Indium-Niederdruckentladung oder auch Indium-Hochdruckentladung, deren Resonanzlinien beispielsweise bei 304, 325, 410 und 451 nm liegen.The excitability of the novel phosphors also extends over a wide range, which is from about 250 nm, preferably 300 nm, up to about 550 nm, preferred 490 m, enough. Maxima are at about 350 nm and about 460 m. Thus, this phosphor is not only suitable for excitation by UV or blue emitting primary light sources such as LEDs or conventional discharge lamps based on Hg, but also for light sources such as a discharge lamp based on an indium low-pressure discharge or indium high-pressure discharge, the resonance lines, for example at 304, 325, 410 and 451 nm.

Das Emissionsverhalten hängt deutlich vom Ladungskompensator ab. Beispielsweise führt die Verwendung von Stickstoff zu einem erhöhten kovalenten Bindungsanteil, in der Literatur wird so ein Verhalten als sog. nephelauxetischer Effekt beschrieben. Dem kann gleichzeitig eine erhöhte Kristallfeldaufspaltung überlagert sein, bedingt beispielsweise durch die höhere Ladung des N^3-Ions gegenüber dem O^2- -Ion. Das gegenüber Al3+ höher geladene Si4+-lon beeinflusst diese Effekte zusätzlich, die Zielrichtung hängt hier von den Details ab.The emission behavior clearly depends on the charge compensator. For example, the use of nitrogen leads to an increased covalent binding fraction; in the literature such a behavior is described as a so-called nephelauxetic effect. At the same time, an increased crystal field splitting can be superimposed on this, due, for example, to the higher charge of the N³ ion relative to the O^2- ion. The higher Si4 + -lon compared to Al3 + influences these effects additionally, the direction depends on the details.

Der erfindungsgemäße Leuchtstoff eignet sich hervorragend als Grün-Leuchtstoff.The phosphor according to the invention is outstandingly suitable as a green phosphor.

Ein besonderer Vorteil der erfindungsgemäßen Leuchtstoffe ist, dass sie relativ wenig Temperaturlöschung zeigen. Überraschend ist, dass ein vierwertiges Ion wie Si ohne nennenswerte Effizienzverluste auf den Gitterplatz eines dreiwertigen Ions eingebaut werden kann.A particular advantage of the phosphors according to the invention is that they show relatively little temperature quenching. It is surprising that a tetravalent ion, such as Si, can be incorporated onto the lattice site of a trivalent ion without appreciable efficiency losses.

Kurze Beschreibung der ZeichnungenBrief description of the drawings

Im folgenden soll die Erfindung anhand mehrerer Ausführungsbeispiele näher erläutert werden. Es zeigen:

Figur 1

ein Halbleiterbauelement, das als Lichtquelle (LED) für weißes oder grünes Licht dient;

Figur 2

eine Beleuchtungseinheit mit Leuchtstoffen gemäß der vorliegenden Erfindung;

Figur 3

das Emissionsspektrum einer warmweißen LED mit Si-Granat;

Figur 4

das Reflexionsverhalten eines Si-Granats;

Figur 5

das Emissionsverhalten eines Si-Granats;

Figur 6

das Emissionsverhalten eines weiteren Si-Granats;

Figur 7

das Emissionsverhalten eines weiteren Si-Granats;

Figur 8

die Verschiebung der dominanten Wellenlänge eines Si-Granats;

Figur 9

ein Spektrum einer LED-Lampe

Figur 10

ein Spektrum einer LED-Lampe

Figur 11

ein Spektrum einer LED-Lampe

Figur 12

die Verschiebung der dominanten Wellenlänge eines Si-Granats;

Figur 13

das Farbdiagramm für ein System blaue Primär-LED mit Si-Granat;

Figur 14-17

ein Röntgendiffraktogramm für verschiedene Si-Granate;

Figur 18

ein Beispiel einer OLED;

Figur 19

eine Niederdrucklampe mit Indium-Füllung unter Verwendung eines Granats;

Figur 20

die Langzeitstabilität einer warmweißen LED.

In the following the invention will be explained in more detail with reference to several embodiments. Show it:

FIG. 1

a semiconductor device serving as a light source (LED) for white or green light;

FIG. 2

a lighting unit with phosphors according to the present invention;

FIG. 3

the emission spectrum of a warm white LED with Si garnet;

FIG. 4

the reflection behavior of a Si garnet;

FIG. 5

the emission behavior of a Si garnet;

FIG. 6

the emission behavior of another Si garnet;

FIG. 7

the emission behavior of another Si garnet;

FIG. 8

the shift of the dominant wavelength of a Si garnet;

FIG. 9

a spectrum of an LED lamp

FIG. 10

a spectrum of an LED lamp

FIG. 11

a spectrum of an LED lamp

FIG. 12

the shift of the dominant wavelength of a Si garnet;

FIG. 13

the color diagram for a system blue primary LED with Si garnet;

Figure 14-17

an X-ray diffractogram for various Si garnets;

FIG. 18

an example of an OLED;

FIG. 19

a low pressure indium filled lamp using a garnet;

FIG. 20

the long-term stability of a warm white LED.

Bevorzugte Ausführung der ErfindungPreferred embodiment of the invention

Für den Einsatz in einer warmweißen LED zusammen mit einem GalnN-Chip wird beispielsweise ein Aufbau ähnlich wie inUS 5 998 925 beschrieben verwendet. Der Aufbau einer derartigen Lichtquelle für weißes Licht ist inFigur 1 explizit gezeigt. Die Lichtquelle ist ein Halbleiterbauelement (Chip 1) des Typs InGaN mit einer Peak-Emissionswellenlänge von 460 nm mit einem ersten und zweiten elektrischen Anschluss 2,3, das in ein lichtundurchlässiges Grundgehäuse 8 im Bereich einer Ausnehmung 9 eingebettet ist. Einer der Anschlüsse 3 ist über einen Bonddraht 14 mit dem Chip 1 verbunden. Die Ausnehmung hat eine Wand 17, die als Reflektor für die Primärstrahlung des Chips 1 dient. Die Ausnehmung 9 ist mit einer Vergussmasse 5 gefüllt, die als Hauptbestandteile ein Epoxidgießharz (beispielsweise 80 bis 90 Gew.-%) und Leuchtstoffpigmente 6 (beispielsweise weniger als 15 Gew.-%) enthält. Weitere geringe Anteile entfallen u.a. auf Aerosil. Die Leuchtstoffpigmente bestehen aus Pigmenten von Siliziumhaltigem Granat. Diese emittieren gelb und mischen sich zusammen mit einem Rest des nicht konvertierten Blau der Primärstrahlung zu weiß. Der gleiche Aufbau eignet sich auch zur Schaffung einer grün emittierenden LED, wobei die blaue Primärstrahlung vollständig konvertiert wird.For example, for use in a warm white LED together with a GalnN chip, a structure similar to that in FIG US Pat. No. 5,998,925 described used. The structure of such a white light source is shown in FIG FIG. 1 shown explicitly. The light source is a semiconductor device (chip 1) of the type InGaN with a peak emission wavelength of 460 nm with a first and secondelectrical connection 2, 3 which is embedded in anopaque base housing 8 in the region of arecess 9. One of theterminals 3 is connected to thechip 1 via abonding wire 14. The recess has awall 17, which serves as a reflector for the primary radiation of thechip 1. Therecess 9 is filled with apotting compound 5 which contains as main constituents an epoxy casting resin (for example 80 to 90% by weight) and phosphor pigments 6 (for example less than 15% by weight). Other minor shares include Aerosil. The phosphor pigments consist of pigments of silicon-containing garnet. These emit yellow and mix together with a remnant of the unconverted blue of the primary radiation to white. The same structure is also suitable for creating a green-emitting LED, with the blue primary radiation being completely converted.

InFigur 2 ist ein Ausschnitt aus einer Flächenleuchte 20 als Beleuchtungseinheit gezeigt. Sie besteht aus einem gemeinsamen Träger 21, auf den ein quaderförmiges äußeres Gehäuse 22 aufgeklebt ist. Seine Oberseite ist mit einer gemeinsamen Abdeckung 23 versehen. Das quaderförmige Gehäuse besitzt Aussparungen, in denen einzelne Halbleiter-Bauelemente 24 untergebracht sind. Sie sind UVemittierende Leuchtdioden mit einer Peakemission von typisch 340 nm. Die Umwandlung in weißes Licht erfolgt mittels Konversionsschichten, die direkt im Gießharz der einzelnen LED sitzen ähnlich wie inFigur 1 beschrieben oder Schichten 25, die auf allen der UV-Strahlung zugänglichen Flächen angebracht sind. Dazu zählen die innen liegenden Oberflächen der Seitenwände des Gehäuses, der Abdeckung und des Bodenteils. Die Konversionsschichten 25 bestehen aus drei Leuchtstoffen, die im roten, grünen und blauen Spektralbereich emittieren unter Benutzung der erfindungsgemäßen Leuchtstoffe.In FIG. 2 a section of asurface light 20 is shown as a lighting unit. It consists of acommon carrier 21, to which a cuboidouter housing 22 is glued. Its upper side is provided with acommon cover 23. The cuboid housing has recesses in whichindividual semiconductor components 24 are housed. They are UV emitting LEDs with a peak emission of typically 340 nm. The conversion into white light takes place by means of conversion layers, which sit directly in the casting resin of the individual LED, similar to FIG. 1 described orlayers 25 which are mounted on all UV radiation accessible surfaces. These include the inside surfaces of the side walls of the housing, the cover and the bottom part. The conversion layers 25 consist of three phosphors which emit in the red, green and blue spectral range using the phosphors according to the invention.

Tab. 1 zeigt zunächst lonenradien einiger wichtiger Elemente, die im Granat eingebaut werden. Die relativen Quanteneffizienzen QE einiger Si-Granate des Typs Y(Al3-xSixGa2)O12:Ce(4 %) sind in Tab. 2 gezeigt.Table 1 shows first ionic radii of some important elements that are incorporated in the garnet. The relative quantum efficiencies QE of some Si-garnets of the type Y (Al3-xSixGa2) O12: Ce (4%) are shown in Tab.

Figur 3 zeigt das Emissionsspektrum einer warmweißen LED, die einen einzigen Si-Granat als Konversionsmittel verwendet. Die Primärstrahlung ist 460 nm, womit eine Farbtemperatur von 3250 K und ein Farbwiedergabeindex von 80 erzielt wird. FIG. 3 shows the emission spectrum of a warm white LED using a single Si garnet as a conversion agent. The primary radiation is 460 nm, which gives a color temperature of 3250 K and a color rendering index of 80.

Fig. 4 zeigt das Reflexionsverhalten eines Si-Granats als Funktion der Wellenlänge. Es handelt sich um Y3Al4,9Si0,1O11,9N0,1:Ce. Fig. 4 shows the reflection behavior of a Si garnet as a function of wavelength. It is Y3Al4.9Si0.1O11.9N0.1: Ce.

Figur 5 zeigt als Funktion der Wellenlänge (in nm) das Emissionsverhalten eines Si-Granats (x=0,25), nämlich Y3Al4,75Si0,251O11,75N0,25:Ce im direkten Vergleich mit dem Emissionsverhalten des gleichen Granats ohne Si-Zusatz (x=0) , nämlich YAG:Ce. Erstaunlich ist die sehr große Verschiebung der Peakwellenlänge. Ein typischer Wert für die Cer-Dotierung ist 0,5 bis 4 % von A. FIG. 5 shows as a function of the wavelength (in nm) the emission behavior of a Si garnet (x = 0.25), namely Y3Al4.75Si0.251O11.75N0.25: Ce in direct comparison with the emission behavior of the same garnet without Si addition (x = 0), namely YAG: Ce. Amazing is the very large shift of the peak wavelength. A typical value for the cerium doping is 0.5 to 4% of A.

Figur 6 zeigt das Emissionsverhalten des Si-Granats Tb(Al4,5Si0,5)O11,5N0,5:Ce als Funktion der Wellenlänge.Figur 7 zeigt das Emissionsverhalten des Si-Granats (Y0,55Gd0,45)(Al4,5Si0,5)O11,5N0,5:Ce als Funktion der Wellenlänge. FIG. 6 shows the emission behavior of the Si garnet Tb (Al4.5Si0.5) O11.5N0.5: Ce as a function of the wavelength. FIG. 7 shows the emission behavior of the Si garnet (Y0.55Gd0.45) (Al4.5Si0.5) O11.5N0.5: Ce as a function of the wavelength.

Figur 8 zeigt die Verschiebung der dominanten Wellenlänge (nm) als Funktion des Gehalts x an Si bei 460 m für den Leuchtstoff Y(Al5-xSix)(O12-xNx):Ce. Überraschend ist das Maximum bei etwa 0,25. Es liegt also keine lineare Funktion vor. FIG. 8 shows the shift of the dominant wavelength (nm) as a function of the content x of Si at 460 m for the phosphor Y (Al5-xSix) (O12-xNx): Ce. Surprisingly, the maximum is around 0.25. So there is no linear function.

Figur 9 zeigt die Änderung der Effizienz und Emissionsbreite für verschiedene Leuchtstoffe des Typs Y2,88Ce0,12Al5O12 (also YAG:Ce) bei Austausch von AIO durch SiN. FIG. 9 shows the change of the efficiency and emission width for different phosphors of the type Y2,88Ce0,12Al5O12 (ie YAG: Ce) when replacing AIO by SiN.

Figur 10 zeigt die Änderung der Effizienz und Emissionsbreite für verschiedene Leuchtstoffe des Typs Y2,88Ce0,12Al3Ga2O12 (also Y(Al,Ga)G:Ce) bei Zugabe von Si als SiN im Austausch zu AIO. Überraschend verhält sich dieses System infolge der Galliumzugabe völlig anders als reines YAG:Ce. FIG. 10 shows the change of efficiency and emission width for different phosphors of the type Y2,88Ce0,12Al3Ga2O12 (ie Y (Al, Ga) G: Ce) on addition of Si as SiN in exchange for AIO. Surprisingly, this system behaves completely different than pure YAG: Ce due to the addition of gallium.

Figur 11 zeigt als Funktion der Wellenlänge (in nm) das Emissionsverhalten eines Si-Granats (x=0,25), im direkten Vergleich mit dem Emissionsverhalten des gleichen Granats ohne Si-Zusatz (x=0) , nämlich Y3Al2Ga2:Ce . Erstaunlich ist nicht nur die große Verschiebung der Peakwellenlänge, sondern auch die Tatsache, dass sie genau in die entgegengesetzte Richtung wie inFigur 5 erfolgt. Die Details dieses ungewöhnlichen Verhaltens sind noch nicht vollständig verstanden. FIG. 11 shows as a function of the wavelength (in nm) the emission behavior of a Si garnet (x = 0.25), in direct comparison with the emission behavior of the same garnet without Si addition (x = 0), namely Y3Al2Ga2: Ce. Amazing is not only the large shift of the peak wavelength, but also the fact that they are exactly in the opposite direction as in FIG. 5 he follows. The details of this unusual behavior are not fully understood yet.

Figur 12 zeigt die Verschiebung der dominanten Wellenlänge (nm) als Funktion des Gehalts x an Si bei 460 nm Anregung für den Leuchtstoff Y(Al3-xGa2Six)O12:Ce. Überraschend ist das Maximum bei etwa 0,25. es liegt also keine lineare Funktion vor. FIG. 12 shows the shift of the dominant wavelength (nm) as a function of the content x of Si at 460 nm excitation for the phosphor Y (Al3-x Ga2 Six) O12: Ce. Surprisingly, the maximum is around 0.25. So there is no linear function.

Figur 13 zeigt das Farbdiagramm (CIE) mit den Koordinaten x, y für ein System aus blauer LED (Peakemission bei 450 bis 470 nm) und erfindungsgemäßen Si-Granaten. Es zeigt sich dass bei konventionellen Granaten nun erstmals Systeme mit warmweißer Lichtfarbe von typisch 3200 oder 2850 K oder darunter leicht mit einem einzigen Leuchtstoff realisiert werden können. Kandidaten dafür sind insbesondere Si-Granate auf Basis der Granate (Hohle Dreiecke) der Seltenerdmetalle Y, Tb und Gd, die mittels Si-Zugabe nach rechts zu längeren Wellenlängen hin verschoben werden können (gefüllte Dreiecke). Umgekehrt lassen sich gut grüne LEDs realisieren, indem Ga-haltige Granate (Al:Ga Verhältnis ist bevorzugt zwischen 0,5 und 2,5), ausgehend von YAG:Ce, mit Si beaufschlagt werden, wobei die Peakwellenlänge nach links zu kürzeren Wellenlängen hin wandert. FIG. 13 shows the color diagram (CIE) with the coordinates x, y for a system of blue LED (peak emission at 450 to 470 nm) and Si grenades according to the invention. It turns out that in conventional grenades, for the first time, systems with a warm white light color of typically 3200 or 2850 K or below can easily be realized with a single phosphor. Candidates for this are in particular Si garnets based on the grenades (hollow triangles) of the rare earth metals Y, Tb and Gd, which can be shifted to the right by means of Si addition to longer wavelengths (filled triangles). Conversely, good green LEDs can be realized by loading Si-containing garnets (Al: Ga ratio is preferably between 0.5 and 2.5), starting from YAG: Ce, with the peak wavelength to the left towards shorter wavelengths emigrated.

Si-Granate sind daher ideal zur maßgeschneiderten Anpassung an Kundenwünsche geeignet.Si grenades are therefore ideal for tailor-made adaptation to customer requirements.

Figur 14 zeigt ein Röntgendiffraktogramm für YAG:Ce mit Si-Anteil x=0,1, das die typische Granatstruktur, verglichen mit konventionellem YAG:Ce , siehe untere Laufleiste, verdeutlicht.Figur 15 zeigt ähnliches für einen Si-Anteil von x = 0,25. FIG. 14 shows an X-ray diffraction pattern for YAG: Ce with Si content x = 0.1, which illustrates the typical garnet structure, compared with conventional YAG: Ce, see lower bar. FIG. 15 shows similar for a Si content of x = 0.25.

Figur 16 zeigt ein Röntgendiffraktogramm für YAl3Ga2O12:Ce mit Si-Anteil x=0,25, das die typische Granatstruktur, verglichen mit konventionellem YAG:Ce , siehe untere Laufleiste, verdeutlicht, wobei als zweite Laufleiste ein Yttriumoxinitrid angegeben ist, dessen Struktur aber nicht für den untersuchten Leuchtstoff passt.Figur 17 zeigt ähnliches für einen Si-Anteil von x = 0,5. FIG. 16 shows an X-ray diffraction pattern for YAl3Ga2O12: Ce with Si content x = 0.25, which illustrates the typical garnet structure, compared to conventional YAG: Ce, see lower bar, indicated as a second bar a Yttriumoxinitrid, but its structure is not for the examined fluorescent fits. FIG. 17 shows similar for a Si content of x = 0.5.

Ein typisches Herstellverfahren orientiert sich grundsätzlich an der üblichen Herstellung von YAG:Ce mit folgender beispielhafter Modifikation:A typical production method is basically based on the customary production of YAG: Ce with the following exemplary modification:

Der Ansatz wird entsprechend Tab. 3 wie folgt gewählt:The approach is chosen according to Tab. 3 as follows:

Dieser Ansatz wird ca. 40 min in einer Mörsermühle gemischt; anschließend wird er bei 1460 - 1560 °C für mehrere Stunden (typisch 3 h) geglüht. Die genaue Temperatur ist abhängig von der Zusammensetzung und vor allem von der Schmelzmittelzugabe. Typisch ist die Zugabe von Borsäure H3BO3.This approach is mixed for about 40 minutes in a mortar mill; then it is annealed at 1460-1560 ° C for several hours (typically 3 h). The exact temperature depends on the composition and above all on the addition of the flux. Typical is the addition of boric acid H3BO3.

Figur 18 zeigt eine weitere Anwendung, wie sie im Prinzip bereits ausUS-B 6 700 322 bekannt ist. Dabei wird der erfindungsgemäße Leuchtstoff zusammen mit einer OLED angewendet. Die Lichtquelle ist eine organische lichtemittierende Diode 31, bestehend aus der eigentlichen organischen Folie 30 und einem transparenten Substrat 32. Die Folie 30 emittiert insbesondere blaues primäres Licht, erzeugt beispielsweise mittels PVK:PBD:Kumarin. Die Emission wird von einer Deckschicht, gebildet aus einer Schicht 33 des erfindungsgemäßen Leuchtstoffs, teilweise in gelbes, sekundär emittiertes Licht umgewandelt, so dass insgesamt durch Farbmischung des primär und sekundär emittierten Lichts eine weiße Emission realisiert wird. Bevorzugt ist das Zusammenwirken des erfindungsgemäß en Leuchtstoffs mit einer blaugrünen Primäremission. Das bedeutet, die primäre Emission liegt bei 480 bis 505 nm Peakwellenlänge. Sie kann besonders bevorzugt auch realisiert sein durch eine organische Leuchtstofffolie, die zwei Peaks, einen im blauen bei 430 bis 490 nm und einen weiteren bei 495 bis 520 m, so dass insgesamt die dominante Wellenlänge bei blaugrün liegt. Dieses System erreicht mit nur zwei Leuchtstoffen (die Folie und der modifizierte Granat-Leuchtstoff) erstaunliche Werte der Farbwiedergabe (Ra besser als 85) bei einer Farbtemperatur von 4000 K bis 4600 K. Die OLED besteht im wesentlichen aus mindestens einer Schicht eines lichtemittierenden Polymers oder von sog. small molecules zwischen zwei Elektroden, die aus an sich bekannten Materialien bestehen, wie beispielsweise ITO als Anode, und ein hochreaktives Metall, wie z.B. Ba oder Ca, als Kathode. Oft werden auch mehrere Schichten zwischen den Elektroden verwendet, die entweder als Lochtransportschicht dienen (z.B. Baytron-P, kommerziell von HC Starck erhältlich) oder im Bereich der Small Molecules auch als Elektronentransportschichten dienen. Als emittierende Polymere kommen beispielsweise Polyfluorene oder Polyspiro-Materialien zum Einsatz. FIG. 18 shows another application, as they already exist in principle US Pat. No. 6,700,322 is known. In this case, the phosphor according to the invention is used together with an OLED. The light source is an organic light-emittingdiode 31, consisting of the actualorganic film 30 and atransparent substrate 32. Thefilm 30 in particular emits blue primary light, produced for example by means of PVK: PBD: coumarin. The emission is partially converted into a yellow, secondarily emitted light by a cover layer, formed from alayer 33 of the phosphor according to the invention, so that a white emission is achieved overall by color mixing of the primary and secondary emitted light. Preference is given to the interaction of the phosphor according to the invention with a blue-green primary emission. That is, the primary emission is at 480 to 505 nm peak wavelength. It may also be particularly preferably realized by an organic phosphor film, the two peaks, one in the blue at 430 to 490 nm and another at 495 to 520 m, so that the total is the dominant wavelength at blue-green. With only two phosphors (the film and the modified garnet phosphor), this system achieves astounding color rendering values (Ra better than 85) at a color temperature of 4000 K to 4600 K. The OLED essentially consists of at least one layer of a light emitting polymer or of so-called small molecules between two electrodes, which consist of materials known per se, such as ITO as the anode, and a highly reactive metal, such as Ba or Ca, as a cathode. Often, several layers are used between the electrodes, which either serve as a hole transport layer (eg Baytron-P, commercially available from HC Starck) or serve as electron transport layers in the area of small molecules. As emitting polymers, for example, polyfluorene or polyspiro materials are used.

Eine weitere Anwendung des erfindungsgemäß en Leuchtstoffs ist bei LeuchtstoffLampen, wo er auf die Innenseite des Kolbens aufgetragen wird, wie an sich bekannt, evtl. in Verbindung mit weiteren an sich bekannten Leuchtstoffen wie beispielsweise Halophosphaten. Die Anregung erfolgt dabei über die bekannten Hg-Linien, insbesondere bei 254 nm.A further application of the phosphor according to the invention is in the case of fluorescent lamps, where it is applied to the inside of the bulb, as is known per se, possibly in conjunction with further phosphors known per se, such as, for example, halophosphates. The excitation takes place via the known Hg lines, in particular at 254 nm.

Eine spezielle Anwendung ist in einer Indiumlampe.Figur 19 zeigt eine Niederdruck-Entladungslampe 20 mit einer quecksilberfreien Gasfüllung 21 (schematisiert), die eine Indiumverbindung und ein Puffergas analogWO 02/10374 enthält, wobei eine Schicht 22 aus Si-haltigem Granat angebracht ist. Der ganz besondere Vorteil bei dieser Anordnung ist, dass dieser modifizierte Granat gut der Indium-Strahlung angepasst ist, weil diese wesentliche Anteile sowohl im UV als auch im blauen Spektralbereich hat, die von diesem Granat beide gleichermaßen gut absorbiert werden, was ihn bei dieser Verwendung gegen die bisher bekannten Leuchtstoffe überlegen macht. Diese bekannten Leuchtstoffe absorbieren nennenswert entweder nur die UV-Strahlung oder die blaue Strahlung des Indiums, so dass die erfindungsgemäße Indium-Lampe eine deutlich höhere Effizienz zeigt. Diese Aussage gilt auch für eine Indium-Lampe auf Hochdruck-Basis wie an sich ausUS 4 810 938 bekannt.A special application is in an indium lamp. FIG. 19 shows a low-pressure discharge lamp 20 with a mercury-free gas filling 21 (schematized), an indium compound and a buffer gas analog WO 02/10374 containing alayer 22 of Si-containing garnet is attached. The particular advantage of this arrangement is that this modified garnet is well adapted to indium radiation because it has substantial proportions in both the UV and blue spectral regions, both of which are equally well absorbed by this garnet, making it useful in this application makes it superior to the previously known phosphors. These known phosphors absorb appreciably either only the UV radiation or the blue radiation of the indium, so that the indium lamp according to the invention shows a significantly higher efficiency. This statement also applies to a high-pressure indium lamp as such US 4,810,938 known.

Eine weitere Anwendung ist die Anregung in elektrolumineszenten Lampen durch einen blau oder blaugrün emittierenden elektrolumineszenten Leuchtstoff mit Peakemission zwischen 440 und 520 nm.Another application is the excitation in electroluminescent lamps by a blue or blue-green emitting electroluminescent phosphor with peak emission between 440 and 520 nm.

Figur 20 zeigt die gute Langzeit-Stabilität einer warmweißen LED unter Verwendung des inFigur 3 diskutierten Leuchtstoffs. Sowohl der Lichstrom (Figur 20a) als auch die Farbkoordinaten x und y (Figur 20b, 20c) bleiben über 500 Std. nahezu stabil.Tab. 1 lonenradien (typischer Wert) in nmCN4 tetraedrischCN6 oktaedrischMg2+-0,07Al3+0,040,05Ga3+0,050,06Si4+0,040,05O2-0,120,13N3-0,130,17Tab. 2 relative Quanteneffizienz für YAG:Ce, bei dem A ersetzt ist durch (Al3-xSixGa2) bei 460 nm AnregungX (Si)Rel. QE in %Dom. Wellenlänge (nm)01005660,251015590,501035600,75100561Tab. 3KomponenteReinheitBezugsquelleY2O34NRhodiaCeO23N5RhodiaAl2O34NAlfa AGa2O35NAlfa ASiO2AerosilOx 50H3BO3Merck FIG. 20 shows the good long-term stability of a warm white LED using the in FIG. 3 discussed phosphor. Both the Lichstrom ( FIG. 20a ) as well as the color coordinates x and y ( Figure 20b, 20c ) stay nearly stable for over 500 hours. Tab. 1 ionic radii (typical value) in nm CN4 tetrahedralCN6 octahedral Mg 2+ - 0.07Al 3+ 0.04 0.05Ga 3+ 0.05 0.06 Si4 + 0.04 0.05 O2 0.12 0.13 N3- 0.13 0.17 X (Si) Rel. QE in% Dom. Wavelength (nm) 0 100 566 0.25 101 559 0.50 103 560 0.75 100 561 component purity source Y2O3 4N Rhodia CeO2 3N5 Rhodia Al2O3 4N Alfa A Ga2O3 5N Alfa ASiO2 Aerosil Ox 50 H3BO3 Merck

Claims (12)

1. Phosphor with a garnet structure of type A₃B₅O₁₂:D, wherein part of component B is replaced by Si in a proportion x,characterized in that, for charge compensation, a vacancy is used or at least one further component K is incorporated where A = rare earth selected from the group consisting of A = Y, Gd, La, Lu, alone or in combination and B = Al, Ga alone or in combination, and D = rare earth selected from the group consisting of D = Ce, Pr, Eu, alone or in combination, wherein one or more of the elements N or Na or Li functions as charge compensator K.
2. Phosphor according to Claim 1,characterized in that x ≤ 1.
3. Phosphor according to Claim 1,characterized in that the garnet has the following structure, in which the charge compensators KA, KB, KC may be located at lattice site A, B and/or O and m is the valence of the incorporated ions:
   
           [A_3-aKA_a]_A [B_s-b-xKB_bSi_x]_B [O_12-sKC_s]_o:D,
   
   in which the following relationship applies:

   a(m_KA-3)+b(m_KB-3) + x = s (-m_KC-2) and in which one or more of the elements N or Na or Li function as charge compensators KA, KB, KC.
4. Phosphor according to Claim 3,characterized in that the phosphor has the stoichiometry A3B5-xSixKyO12-y:D, with y ≤ 2x.
5. Phosphor according to Claim 1,characterized in that x = 0.1 to 0.5.
6. Phosphor according to Claim 3,characterized in that KC = N and x = s.
7. Phosphor according to Claim 3,characterized in that the garnet has the following structure: A₃B_5-xSi_x[O_12-sN_s]_o:D, in which in particular s ≤ 1.5 and x ≤ 1.5, and preferably x = s.
8. Phosphor according to Claim 3,characterized in that the garnet has the following structure: A₃[B_5-(x+y)Si_xKB_y]_BO₁₂:D, in which in particular y ≤ 1 and x ≤ 1.
9. Phosphor according to Claim 3,characterized in that the garnet has the following structure: [A_3-yKA_y]_A[B_5-xSi_x]_BO₁₂:D, in which in particular y ≤ 2 and x ≤ 2.
10. Phosphor according to Claim 3,characterized in that the garnet has the following structure: A_3-x/3B_5-xSi_xO₁₂: D, in which in particular x ≤ 0.2.
11. Light source comprising a phosphor according to Claim 1, in which the primary emission of the light source serves to excite the phosphor and a maximum of the primary emission is in the range from 250 to 550 nm, and in which the primary radiation is at least partially converted into secondary radiation, in particular in order to generate white light.
12. Light source according to Claim 11,characterized in that the light source is an LED or OLED or discharge lamp.

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