Movatterモバイル変換


[0]ホーム

URL:


EP1535353A2 - Organic photovoltaic component and method for production thereof - Google Patents

Organic photovoltaic component and method for production thereof

Info

Publication number
EP1535353A2
EP1535353A2EP03794811AEP03794811AEP1535353A2EP 1535353 A2EP1535353 A2EP 1535353A2EP 03794811 AEP03794811 AEP 03794811AEP 03794811 AEP03794811 AEP 03794811AEP 1535353 A2EP1535353 A2EP 1535353A2
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
layer
structuring
semiconductor layer
substrate
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
EP03794811A
Other languages
German (de)
French (fr)
Inventor
Christoph Brabec
Jens Hauch
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Konarka Technologies Inc
Original Assignee
Siemens AG
Siemens Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG, Siemens CorpfiledCriticalSiemens AG
Publication of EP1535353A2publicationCriticalpatent/EP1535353A2/en
Withdrawnlegal-statusCriticalCurrent

Links

Classifications

Definitions

Landscapes

Abstract

The invention relates to an organic photovoltaic component, in particular an organic solar cell, in which one or more layers is (are) structured.

Description

Translated fromGerman

Beschreibungdescription

Organisches photovoltaisches Bauelement und Herstellungsverfahren dazuOrganic photovoltaic device and manufacturing method thereto

Die Erfindung betrifft ein organisches photovoltaisches Bauelement, insbesondere eine organische Solarzelle.The invention relates to an organic photovoltaic component, in particular an organic solar cell.

Bekannt sind Solarzellen, beispielsweise mit folgendem Zell- aufbau:Solar cells are known, for example with the following cell structure:

Auf einem Substrat befindet sich eine positive Elektrode (typischerweise ITO, Indium Tin Oxide) . Darauf befindet sich die Lochleitschicht, die beispielsweise aus PEDOT mit PSS als Anion besteht. Die angrenzende Schicht ist ein Absorber, in der Regel ein organischer Halbleiter (z. B. eine Mischung aus konjugiertem Polymer mit Fulleren) . Daran schließt die negative Elektrode (z. B: Ca/Ag oder LiF/Al) an. Die einzelnen Schichten können jedoch abweichen, insbesondere die Elektro- den, das konjugierte Polymer und auch der Akzeptor (PCBM, ein lösliches Methanofullerene) .On a substrate is a positive electrode (typically ITO, Indium Tin Oxide). On top of this is the hole-guiding layer which, for example, consists of PEDOT with PSS as anion. The adjacent layer is an absorber, typically an organic semiconductor (eg, a mixture of conjugated polymer with fullerene). This is followed by the negative electrode (eg Ca / Ag or LiF / Al). However, the individual layers may differ, in particular the electrodes, the conjugated polymer and also the acceptor (PCBM, a soluble methanofullerene).

Durch die geringe Beweglichkeit der typischerweise in diesen Solarzellen verwendeten Halbleitermaterialien wird die aktive Halbleiterschicht (der Absorber) sehr dünn (typischerweise zwischen 20 nm und 2000 nm) ausgeführt, um Rekombination zu vermeiden. Diese dünne Absorberschicht reicht jedoch in der Regel nicht aus, um das eingestrahlte Licht vollständig zu absorbieren. Ein Teil des Lichts wird deshalb an der Rück- elektrode verloren (absorbiert) oder reflektiert (und durch die Frontseite der Solarzelle wieder ausgekoppelt) .Due to the low mobility of the semiconductor materials typically used in these solar cells, the active semiconductor layer (the absorber) is made very thin (typically between 20 nm and 2000 nm) in order to avoid recombination. However, this thin absorber layer is usually not sufficient to completely absorb the incident light. Part of the light is therefore lost (absorbed) or reflected at the back electrode (and decoupled from the front of the solar cell).

Aufgabe der Erfindung ist es daher, diese Verlustprozesse durch einen möglichst einfachen und kostengünstigen Prozess- schritt zu vermindern. Gegenstand der Erfindung ist ein organisches photovoltaisches Bauelement, ein Substrat, eine positive Elektrode, einen organischen Halbleiter und eine negative Elektrode umfassend, wobei das Substrat und/oder eine oder mehrere zusätzliche Transportschicht (en) zwischen der Elektrode und der Halbleiterschicht strukturiert ist (sind). Außerdem ist Gegenstand der Erfindung ein Verfahren zur Strukturierung der Halbleiterschicht eines photovoltaischen Bauelements, durch Beibehaltung einer bestehenden Strukturierung einer unteren Schicht, auf die die Halbleiterschicht aufgebracht wird.The object of the invention is therefore to reduce these loss processes by the simplest and most cost-effective process step. The invention relates to an organic photovoltaic device comprising a substrate, a positive electrode, an organic semiconductor and a negative electrode, wherein the substrate and / or one or more additional transport layer (s) is / are structured between the electrode and the semiconductor layer. , In addition, the subject matter of the invention is a method for structuring the semiconductor layer of a photovoltaic component by maintaining an existing structuring of a lower layer to which the semiconductor layer is applied.

Nach einer Ausführungsform der Erfindung ist das Substrat strukturiert, so dass die Elektrode und die Halbleiterschicht der Strukturierung folgen und damit die spezifische Absorpti- on der Halbleiterschicht erhöht wird.According to one embodiment of the invention, the substrate is structured so that the electrode and the semiconductor layer follow the structuring and thus the specific absorption of the semiconductor layer is increased.

Nach einer anderen Ausführungsform wird die Halbleiterschicht so aufgetragen, dass sie die Strukturierung planarisiert .According to another embodiment, the semiconductor layer is applied so that it planarizes the structuring.

Nach einer Ausführungsform werden mehrere Schichten, die unterhalb der Halbleiterschicht liegen, strukturiert. Es können auch Zwischenschichten in das photovoltaische Bauelement eingebaut werden, damit eine strukturierte Oberfläche vorliegt, auf die die Halbleiterschicht aufgebracht wird.In one embodiment, multiple layers underlying the semiconductor layer are patterned. Interlayers may also be incorporated into the photovoltaic device to provide a patterned surface onto which the semiconductor layer is deposited.

Die Strukturierung einer oder mehrerer Schichten des photovoltaischen Elements führt dazu, dass Licht in die Solarzelle besser einkoppelt. Deshalb wird diese Art der Strukturierung auch „Lighttrapping" genannt.The structuring of one or more layers of the photovoltaic element leads to better coupling of light into the solar cell. Therefore, this type of structuring is also called "lighttrapping".

Der Begriff „organisches Material" und/oder „Funktionspoly- mer" umfasst hier alle Arten von organischen, metallorganischen und/oder anorganischen Kunststoffen, die im Englischen z.B. mit „plastics" bezeichnet werden. Es handelt sich um al- le Arten von Stoffen mit Ausnahme der Halbleiter, die die klassischen Dioden bilden (Germanium, Silizium) , und der typischen metallischen Leiter. Eine Beschränkung im dogmati- sehen Sinn auf organisches Material als Kohlenstoffenthaltendes Material ist demnach nicht vorgesehen, vielmehr ist auch an den breiten Einsatz von z.B. Siliconen gedacht. Weiterhin soll der Term keiner Beschränkung im Hinblick auf die Molekülgröße, insbesondere auf polymere und/oder oligome- re Materialien unterliegen, sondern es ist durchaus auch der Einsatz von „small molecules möglich.The term "organic material" and / or "functional polymer" here includes all types of organic, organometallic and / or inorganic plastics, which are referred to in English for example as "plastics." These are all types of substances Exception of semiconductors, which form the classical diodes (germanium, silicon), and the typical metallic conductor. make sense on organic material as a carbon-containing material is therefore not provided, but is also thought of the widespread use of eg silicones. Furthermore, the term should not be restricted in terms of molecular size, in particular to polymeric and / or oligomeric materials, but it is also quite possible to use "small molecules".

Generell wird Lighttrapping durch eine periodische Struktu- rierung zumindest einer der Schichten der Solarzelle erreicht. Es wurde zwar schon vorgeschlagen (M. Nigge an et al., „Trapping Light in organic plastic solar cells with in- tegrated diffraction gratings" , Proceedings of the World Pho- tovoltaic Congress, Munich 2001) , den Absorber (zum Beispiel durch einen Prägeprozess, Stempelprozess) periodisch zu strukturieren. Die Prägung des Halbleiters ist jedoch ein kritischer Prozessschritt, da bei diesem Prozess die sensible Halbleiterschicht leicht beschädigt werden kann. Trotzdem kann die Strukturierung der Halbleiterschicht in Kombination mit der Strukturierung des Substrats und/oder einer zusätzlichen Transportschicht im Sinne der Erfindung durchgeführt werden.In general, light trapping is achieved by a periodic structuring of at least one of the layers of the solar cell. Although it has already been proposed (M. Nigge et al., "Trapping Light in organic plastic solar cells with integrated diffraction gratings", Proceedings of the World Photo- voltaic Congress, Munich 2001), the absorber (for example by a However, embossing the semiconductor is a critical process step because it can easily damage the sensitive semiconductor layer, but the patterning of the semiconductor layer can be combined with patterning of the substrate and / or an additional transport layer in the substrate Be carried out sense of the invention.

Die Begriffe die obere Schicht „folgt der Strukturierung" und/oder „bildet die Strukturierung nach oben hin ab" beschreibt nur die Tatsache, dass zumindest ein Teil der unteren Strukturierung nach oben hin durchgepaust wird, also entweder die untere Strukturierung teilweise oder ganz oben wiederzufinden ist. Dabei kann die obere Struktur durchaus auch noch Ergänzungen der Strukturierung erfahren, so dass sich eine gänzlich andere Struktur ergibt. Die Erfindung soll an dieser Stelle in keiner Weise beschränkt sein.The terms the upper layer "follows the structuring" and / or "depicts the structuring upward" only describes the fact that at least part of the lower structuring is traversed upwards, ie either to find the lower structuring partially or completely at the top is. The upper structure can certainly also be supplemented by the structuring, so that a completely different structure results. The invention should not be limited in any way at this point.

Im folgenden wird die Erfindung noch anhand einzelner Bei- spiele, die Ausführungsformen der Erfindung betreffen, näher erläutert. Figur 1 zeigt einen Schichtaufbau eines photovoltaischen Bauelements, bei dem das Substrat strukturiert ist und mit einer zusätzlichen Transportschicht wieder planarisiert wird und die untere Elektrode bereits wieder auf eine planare Oberflä- ehe aufgetragen wird.In the following, the invention will be explained in more detail with reference to individual examples relating to embodiments of the invention. FIG. 1 shows a layer structure of a photovoltaic component in which the substrate is structured and is planarized again with an additional transport layer and the lower electrode is already applied again to a planar surface.

Figur 2 zeigt ein photovoltaisches Bauelement, bei dem auf dem Substrat eine zusätzliche Ausgleichsschicht zur Anpassung der optischen Eigenschaften (matching layer) so aufgebracht ist, dass die Strukturierung nach oben hin abgebildet wird, eine Strukturierung der Elektrodenschicht bewirkt, die dann durch eine Lochleitschicht planarisiert wird, so dass die Halbleiterschicht auf eine planare Oberfläche aufgebracht wird.FIG. 2 shows a photovoltaic component in which an additional compensating layer for matching the optical properties (matching layer) is applied to the substrate in such a way that the structuring is imaged upward, thereby structuring the electrode layer, which is then planarized by a hole-conducting layer so that the semiconductor layer is deposited on a planar surface.

Figur 3 zeigt ein photovoltaisches Bauelement, bei dem auf einem planarem Substrat eine untere Elektrode strukturiert wird, die Strukturierung durch eine Lochleitschicht durchwirkt und schließlich die Halbleiterschicht auf eine struktu- rierte Oberfläche aufgebracht wird.FIG. 3 shows a photovoltaic component in which a lower electrode is patterned on a planar substrate, the structuring is penetrated by a hole-conducting layer, and finally the semiconductor layer is applied to a structured surface.

In Figur 1 erkennt man das Substrat 1, das eine PET Folie oder auch eine Photolackschicht auf Glas sein kann. Dieses Substrat wird strukturiert und durch eine zusätzliche Schicht 6, beispielsweise eines Materials mit hohem Brechungsindex, wie Ti02, beschichtet, so dass sich die Struktur durchpaust und dann wieder mit einer Schicht 7 eines transparenten Materials, das auch eine PET Folie oder eine Photolackschicht auf Glas sein kann, planarisiert. Auf diesem Substrat wird dann die Standardzelle prozessiert, von unten nach oben als erstes eine untere Elektrode 2, die für den Fall, dass die Seite des Substrats 1 die lichteinfallende Seite des photovoltaischen Bauelements darstellt, semitransparent (z.B. ITO) ausgestaltet ist. Darauf befindet sich bei dieser Ausführungsform eine zusätzliche organische Elektrode 3a, beispielsweise aus PEDOT und darauf die Halbleiterschicht 4, eine zweite Elektrode 3b und/oder 5. Figur 2 zeigt ein Substrat 1, das strukturiert ist und auf dem eine Schicht 6 eines Materials mit beispielsweise hohem Brechungsindex aufgebracht ist, das der Strukturierung folgt. Darauf befindet sich die untere Elektrode 2, darauf eine zusätzliche Elektrode oder Transportschicht 3a, die die Strukturierung planarisiert. Die Halbleiterschicht 4 ist auf eine planare Oberfläche aufgebracht. Der weitere Aufbau umfasst eine weitere Elektrode oder Transportschicht 3b und die obere Elektrode 5.FIG. 1 shows the substrate 1, which may be a PET film or even a photoresist layer on glass. This substrate is patterned and coated by an additional layer 6 of, for example, a high refractive index material, such as TiO2 , so that the structure passes through and then again with a layer 7 of transparent material, which also comprises a PET film or a photoresist layer Glass can be planarized. The standard cell is then processed on this substrate, from bottom to top, first a lower electrode 2, which is designed semitransparent (eg ITO) in the case where the side of the substrate 1 represents the light incident side of the photovoltaic device. In this embodiment, there is an additional organic electrode 3a, for example made of PEDOT, and then the semiconductor layer 4, a second electrode 3b and / or 5. FIG. 2 shows a substrate 1 which is patterned and on which a layer 6 of a material with, for example, a high refractive index, which follows the structuring, is applied. Thereupon is the lower electrode 2, thereupon an additional electrode or transport layer 3a, which planarizes the structuring. The semiconductor layer 4 is applied to a planar surface. The further construction comprises a further electrode or transport layer 3b and the upper electrode 5.

Das Material der Schicht 6 ist allgemein eine Schicht für verbesserte optische Eigenschaften und/oder optische Anpassung, wie zum Beispiel eine Schicht mit hohem Brechungsindex.The material of layer 6 is generally a layer for improved optical properties and / or optical matching, such as a high refractive index layer.

Figur 3 zeigt ein Subtrat 1 , das nicht strukturiert ist, darauf eine untere Elektrode 2, die strukturiert ist, darauf eine zusätzliche Schicht 3a, die der Strukturierung folgt und auf deren strukturierter Oberfläche die Halbleiterschicht 4 aufgebracht wird. Die Halbleiterschicht 4 planarisiert dieFIG. 3 shows a substrate 1, which is not structured, thereupon a lower electrode 2, which is patterned, thereupon an additional layer 3a, which follows the structuring and on whose structured surface the semiconductor layer 4 is applied. The semiconductor layer 4 planarizes the

Strukturierung, so dass eine zusätzliche Elektrode 3b auf eine planare Oberfläche der Halbleiterschicht 4 aufgebracht wird. Eine weitere Elektrode 3b und die obere Elektrode 5 sind bei der gezeigten Ausführung nicht strukturiert.Structuring, so that an additional electrode 3b is applied to a planar surface of the semiconductor layer 4. Another electrode 3b and the upper electrode 5 are not structured in the embodiment shown.

Für den Fall, dass die untere Elektrode nicht auf der lichteinfallenden Seite ist, kann diese Elektrode auch aus komplett reflektierendem Material ausgeführt sein.In the event that the lower electrode is not on the light incident side, this electrode can also be made of completely reflecting material.

Die Erfindung zeigt erstmals photovoltaische Bauelemente, deren spezifische Absorption von Licht durch die Strukturierung einer oder mehrerer Schichten des Bauelements, die zu einer verbesserten Einkopplung führen, erhöht wird. Die Strukturierung der Schichten wird dabei ohne mechanische oder thermi- sehe Belastung der Halbleiterschicht ausgeführt, so dass diese unbeschadet bleibt. Durch die Erfindung wird vorgeschlagen, anstatt einer Strukturierung der Halbleiterschicht, die zwar eine Erhöhung der spezifischen Absorption bewirkt, jedoch die Halbleiterschicht mechanisch, chemisch und/oder physikalisch belastet, eine Strukturierung des Substrates vor der Aufbringung der positiven oder negativen Elektrode und/oder eine Strukturierung einer organischen Transportschicht (z.B. PEDOT) vor Aufbringung der Halbleiterschicht. Die Strukturierungsschritte betreffen das Substrat, eine der Elektroden und/oder eine der zusätzli- che(n) Transportschicht (en) aber nicht den Halbleiter, so dass dieser unbelastet bleibt.For the first time, the invention shows photovoltaic components whose specific absorption of light is increased by the structuring of one or more layers of the component, which leads to an improved coupling. The structuring of the layers is carried out without mechanical or thermal loading of the semiconductor layer, so that it remains undamaged. The invention proposes, instead of structuring the semiconductor layer, which indeed causes an increase in the specific absorption, but mechanically, chemically and / or physically stresses the semiconductor layer, a structuring of the substrate before the application of the positive or negative electrode and / or structuring an organic transport layer (eg PEDOT) before application of the semiconductor layer. The structuring steps relate to the substrate, one of the electrodes and / or one of the additional transport layer (s) but not the semiconductor, so that it remains unloaded.

Beispiele für strukturierbare Substrate wären Folien oder Schichten aus konventionellen Polymeren wie PET, PMMA, PC. Diese Folien können typischerweise eine Schichtdicke zwischen 10 und 1000 micron haben, die Tiefe und Periode der eingeprägten periodischen Strukturierung kann im 10 - 1000 nm Bereich sein, die Tiefe von aperiodischen irregulären geprägten Strukturen kann im 1 - 500 micron Bereich sein.Examples of structurable substrates would be films or layers of conventional polymers such as PET, PMMA, PC. These films may typically have a film thickness between 10 and 1000 microns, the depth and period of the embossed periodic pattern may be in the 10-1000 nm range, the depth of aperiodic irregular embossed structures may be in the 1 - 500 micron range.

Beispiele für Planarisierungslayer mit hohem optischen Brechungsindex wären Polyimide und/oder mit anorganischen Nano- partikel (Ti02) gefüllte Polymere.Examples of planarization layers with a high optical refractive index would be polyimides and / or polymers filled with inorganic nanoparticles (TiO 2).

Claims

Translated fromGerman
Patentansprüche claims1. Organisches photovoltaisches Bauelement, ein Substrat, eine positive Elektrode, einen organischen Halbleiter und eine negative Elektrode umfassend, wobei das Substrat und/oder eine oder mehrere zusätzliche Transportschicht (en) zwischen der Elektrode und der Halbleiterschicht strukturiert ist (sind) .An organic photovoltaic device comprising a substrate, a positive electrode, an organic semiconductor and a negative electrode, wherein the substrate and / or one or more additional transport layer (s) is (are) structured between the electrode and the semiconductor layer.2. Organisches photovoltaisches Bauelement nach Anspruch 1, bei dem das Substrat eine flexible Folie ist, die strukturiert ist.2. An organic photovoltaic device according to claim 1, wherein the substrate is a flexible film which is structured.3. Organisches photovoltaisches Bauelement nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei dem das Substrat und/oder eine zusätzliche Schicht oberhalb oder unterhalb der Halbleiterschicht strukturiert ist.3. Organic photovoltaic device according to one of the preceding claims, wherein the substrate and / or an additional layer above or below the semiconductor layer is structured.4. Verfahren zur Strukturierung der Halbleiterschicht eines photovoltaischen Bauelements, durch Beibehaltung einer beste- henden Strukturierung einer unteren Schicht, auf die die Halbleiterschicht aufgebracht wird.4. A method for structuring the semiconductor layer of a photovoltaic device, by maintaining an existing structuring of a lower layer to which the semiconductor layer is applied.5. Verfahren nach Anspruch 4, bei dem die Halbleiterschicht die Strukturierung der unteren Schicht (en) planarisiert.5. The method of claim 4, wherein the semiconductor layer planarizes the patterning of the lower layer (s).6. Verfahren nach einem der Ansprüche 4 oder 5, bei dem die Strukturierung durch Einführen einer zusätzlichen Schicht erfolgt.6. The method according to any one of claims 4 or 5, wherein the structuring is carried out by introducing an additional layer.
EP03794811A2002-09-052003-09-03Organic photovoltaic component and method for production thereofWithdrawnEP1535353A2 (en)

Applications Claiming Priority (3)

Application NumberPriority DateFiling DateTitle
DE102412042002-09-05
DE102412042002-09-05
PCT/DE2003/002930WO2004025747A2 (en)2002-09-052003-09-03Organic photovoltaic component and method for production thereof

Publications (1)

Publication NumberPublication Date
EP1535353A2true EP1535353A2 (en)2005-06-01

Family

ID=31983900

Family Applications (1)

Application NumberTitlePriority DateFiling Date
EP03794811AWithdrawnEP1535353A2 (en)2002-09-052003-09-03Organic photovoltaic component and method for production thereof

Country Status (5)

CountryLink
US (1)US20060102891A1 (en)
EP (1)EP1535353A2 (en)
JP (1)JP2005538556A (en)
CN (1)CN1682389A (en)
WO (1)WO2004025747A2 (en)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication numberPriority datePublication dateAssigneeTitle
KR101102133B1 (en)*2004-10-272012-01-02삼성전자주식회사 A manufacturing method of a thin film transistor and a display element comprising a thin film transistor manufactured by the method
JP2007005620A (en)2005-06-242007-01-11Dainippon Printing Co Ltd Organic thin film solar cell
JP5023457B2 (en)*2005-09-062012-09-12大日本印刷株式会社 Organic thin film solar cell
CN101523628B (en)*2006-05-012012-05-30维克森林大学 Fiber Optoelectronic Devices and Their Applications
EP2044630A1 (en)*2006-07-202009-04-08LEONHARD KURZ Stiftung & Co. KGPolymer-based solar cell
WO2010060145A1 (en)*2008-11-282010-06-03Securency International Pty LtdNanoscale embossing of hetero-junction devices
US8941006B2 (en)2011-02-252015-01-27Fina Technology, Inc.Apparatus and method for extending polyolefin containing photovoltaic panel life span
JP5773255B2 (en)*2011-04-282015-09-02三菱化学株式会社 Solar cell module
TWI430492B (en)*2011-07-212014-03-11Nat Univ Tsing Hua Organic solar cell with patterned electrode
CN102956825B (en)*2011-08-232016-06-01岑尚仁 Organic solar cells with patterned electrodes
WO2013142870A1 (en)*2012-03-232013-09-26The University Of AkronBroadband polymer photodetectors using zinc oxide nanowire as an electron-transporting layer
US9256126B2 (en)2012-11-142016-02-09Irresistible Materials LtdMethanofullerenes
JP6293138B2 (en)*2013-06-172018-03-14株式会社カネカ Solar cell module and method for manufacturing solar cell module
US9748423B2 (en)*2014-01-162017-08-29Fundacio Institut De Ciencies FotoniquesPhotovoltaic device with fiber array for sun tracking

Family Cites Families (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication numberPriority datePublication dateAssigneeTitle
US3476945A (en)*1968-02-231969-11-04Bailey Meter CoFlame detector for a multiple fuel-fired furnace
US3951513A (en)*1974-09-091976-04-20Masi James VSemiconductor light modulating optical wave guide
US4195121A (en)*1978-03-281980-03-25Union Carbide CorporationThin flexible electrodes and the method for producing them
US4514582A (en)*1982-09-171985-04-30Exxon Research And Engineering Co.Optical absorption enhancement in amorphous silicon deposited on rough substrate
JPH0652795B2 (en)*1984-03-071994-07-06太陽誘電株式会社 Flexible amorphous semiconductor solar cell
JPS61160566U (en)*1985-03-251986-10-04
US4636578A (en)*1985-04-111987-01-13Atlantic Richfield CompanyPhotocell assembly
US4683160A (en)*1985-05-091987-07-28Exxon Research And Engineering CompanySolar cells with correlated roughness substrate
JPS63120391A (en)*1986-11-101988-05-24Hitachi LtdIc card
US4793910A (en)*1987-05-181988-12-27Gas Research InstituteMultielectrode photoelectrochemical cell for unassisted photocatalysis and photosynthesis
US5232519A (en)*1990-09-201993-08-03United Solar Systems CorporationWireless monolithic photovoltaic module
JPH04181783A (en)*1990-11-161992-06-29Canon Inc Solar cell with photoconductive layer containing polysilane and organic semiconductor compound
JP2652089B2 (en)*1991-06-141997-09-10シャープ株式会社 Photovoltaic device
FR2694451B1 (en)*1992-07-291994-09-30Asulab Sa Photovoltaic cell.
JPH0766439A (en)*1993-08-301995-03-10Mitsubishi Heavy Ind Ltd Organic solar cell device
JPH0766438A (en)*1993-08-301995-03-10Tonen Corp Method for manufacturing substrate for photoelectric conversion device
US5468304A (en)*1994-03-141995-11-21Texas Instruments IncorporatedOutput-increasing, protective cover for a solar cell
DE69534582T2 (en)*1994-05-192006-07-20Canon K.K. Photovoltaic device, electrode structure thereof and manufacturing method
JP3792281B2 (en)*1995-01-092006-07-05株式会社半導体エネルギー研究所 Solar cell
US6172296B1 (en)*1996-05-172001-01-09Canon Kabushiki KaishaPhotovoltaic cell
US5782993A (en)*1996-06-281998-07-21Ponewash; JackiePhotovoltaic cells having micro-embossed optical enhancing structures
US5986206A (en)*1997-12-101999-11-16Nanogram CorporationSolar cell
JP2000294818A (en)*1999-04-052000-10-20Sony Corp Thin film semiconductor device and method of manufacturing the same
US6291763B1 (en)*1999-04-062001-09-18Fuji Photo Film Co., Ltd.Photoelectric conversion device and photo cell
AU5871500A (en)*1999-06-112001-01-02Sydney HymanImage making medium
JP2001111076A (en)*1999-10-082001-04-20Tdk Corp Coated body and solar cell module
US6962613B2 (en)*2000-03-242005-11-08Cymbet CorporationLow-temperature fabrication of thin-film energy-storage devices
AT410729B (en)*2000-04-272003-07-25Qsel Quantum Solar Energy Linz PHOTOVOLTAIC CELL WITH A PHOTOACTIVE LAYER OF TWO MOLECULAR ORGANIC COMPONENTS
US6900382B2 (en)*2002-01-252005-05-31Konarka Technologies, Inc.Gel electrolytes for dye sensitized solar cells
US7022910B2 (en)*2002-03-292006-04-04Konarka Technologies, Inc.Photovoltaic cells utilizing mesh electrodes
JP4461656B2 (en)*2000-12-072010-05-12セイコーエプソン株式会社 Photoelectric conversion element
EP1376697A1 (en)*2002-06-172004-01-02CSEM Centre Suisse d'Electronique et de Microtechnique SAIntegrated-optical microsystem based on organic semiconductors
WO2004038462A1 (en)*2002-10-222004-05-06Sunray Technologies, Inc.Diffractive structures for the redirection and concentration of optical radiation
US20050217716A1 (en)*2004-01-292005-10-06Kyocera CorporationPhotovoltaic power generation system
US20060275625A1 (en)*2005-06-032006-12-07Daniel LiebermanHigh and low refractive index and metallic surface relief coatings

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See references ofWO2004025747A2*

Also Published As

Publication numberPublication date
JP2005538556A (en)2005-12-15
CN1682389A (en)2005-10-12
WO2004025747A3 (en)2004-06-24
US20060102891A1 (en)2006-05-18
WO2004025747A2 (en)2004-03-25

Similar Documents

PublicationPublication DateTitle
EP1771895B1 (en)Top-emitting, electroluminescent component having at least one organic layer
EP2188855B1 (en)Organic photodetector for the detection of infrared radiation, method for the production thereof, and use thereof
WO2004025747A2 (en)Organic photovoltaic component and method for production thereof
DE102012210875B4 (en) Method for producing a three-dimensional conductive electrode for a solar cell
EP1565947B1 (en)Photovoltaic component and production method therefor
WO2004112161A2 (en)Tandem solar cell with a shared organic electrode
EP1631996B2 (en)Organic solar cell comprising an intermediate layer with asymmetrical transport properties
DE102008038461A1 (en) Photovoltaic cells and process for their preparation
EP2291861A1 (en)Photodetector and method for the production thereof
DE102004036734A1 (en) Cost-effective organic solar cell and method of manufacture
DE102007060108A1 (en) Solar cell module and method for its production
DE112013001490T5 (en) Optoelectronic device
EP1753048B1 (en)Method of making a top-emitting element and its use
DE102004042461A1 (en) Top-emitting, electroluminescent device with frequency conversion centers
DE102008051012B4 (en) Light-emitting device and method for manufacturing
WO2003107451A2 (en)Electrodes for optoelectronic components and the use thereof
EP2294618A1 (en)Electronic circuit
DE102008050332A1 (en)Photovoltaic cell comprises a photovoltaic conversion layer, a lower electrode layer applied on a lower surface of the photovoltaic conversion layer, and a multilayer foil applied on an upper surface of the photovoltaic conversion layer
DE102022105533B3 (en) Process for the production of perovskite/silicon tandem solar cells
DE102008034256A1 (en) Photoactive component with organic layers
DE102006034095B4 (en) Solar cell based on polymer
DE102004030628A1 (en) Organic electronic element with electrically conductive semitransparent layer
DE102013106789B4 (en) Eyeglass lens with variable transparency and method for producing an eyeglass lens
DE102021130501A1 (en) Layer system with at least one photoactive layer with at least one intermediate layer for an organic electronic component

Legal Events

DateCodeTitleDescription
PUAIPublic reference made under article 153(3) epc to a published international application that has entered the european phase

Free format text:ORIGINAL CODE: 0009012

17PRequest for examination filed

Effective date:20050218

AKDesignated contracting states

Kind code of ref document:A2

Designated state(s):AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IT LI LU MC NL PT RO SE SI SK TR

RAP1Party data changed (applicant data changed or rights of an application transferred)

Owner name:KONARKA TECHNOLOGIES, INC.

17QFirst examination report despatched

Effective date:20070730

STAAInformation on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text:STATUS: THE APPLICATION IS DEEMED TO BE WITHDRAWN

18DApplication deemed to be withdrawn

Effective date:20101020


[8]ページ先頭

©2009-2025 Movatter.jp