Diese Erfindung bezieht sich auf ein verbessertes Verfahrenund eine verbesserte Vorrichtung zum Abscheiden vonpolykristallinem Silicium auf Siliciumsubstraten. Insbesonderebetrifft diese Erfindung eine Einzelsubstrat-Behandlungskammerzum Abscheiden einer eine verbesserte Gleichförmigkeitaufweisenden polykristallinem Siliciumschicht aufHalbleitersubstraten sowie ein Verfahren dafür.
Auf Siliciumsubstraten, wie Siliciumwafern, hat man dotierteoder undotierte Siliciumschichten unter Verwendung eineschemischen Dampfabscheidungsprozesses (CVD) bei niedrigem Druckabgeschieden. Zum Abscheiden eines Siliciumfilms auf derOberfläche des Substrats wird ein Reaktionsgasgemisch mit einerSiliciumquelle, wie Silan, Disilan, Siliciumtetrachlorid unddergleichen, sowie fakultativ mit einem Dotiergas, wiePhosphin, Arsin, Diboran und dergleichen, und fakultativ mit einemTrägergas (wie Wasserstoff, Argon, Stickstoff oder Helium)erhitzt und über ein Siliciumsubstrat geführt. Die genaueKristalistruktur des abgeschiedenen Siliciums hängt von derAbscheidungstemperatur ab. Bei niedrigen Reaktionstemperaturenist das abgeschiedene Silicium meist amorph. Wenn höhereAbscheidungstemperaturen verwendet werden, wird ein Gemisch ausamorphem Silicium und polykristallinem Silicium oderpolykristallines Silicium allein abgeschieden.
Die Verfahren nach dem Stand der Technik verwenden für diesenProzeß vergleichsweise niedrige Drucke von etwa 26,7 bis53,3 Pa (200 bis 400 mTorr). Es können Filme guter Qualitätausgebildet werden, man erhält jedoch sehr niedrigeAbscheidungsraten von etwa 100 Angström/min für undotiertes, und etwaAngström/min für dotiertes polykristallines Silicium. Dieseniedrige Abscheidungsrate kann durch Behandeln einer Vielzahlvon Wafern, beispielsweise bis zu 100, gleichzeitig in einerim Chargenbetrieb arbeitenden Behandlungskammer überwundenwerden.
Die gegenwärtige Dünnfilmausrüstung für dieHalbleiterindustrie hat sich jedoch zur Einzelsubstratbehandlung hin bewegt,da die Behandlungskammern kleiner gemacht werden können undder Prozeß besser gesteuert werden kann. Man hat außerdemmoderne Halbleiter-Vakuumbehandlungssysteme entwickelt, um mehrals einen Behandlungsschritt an einem Substrat auszuführen,ohne das Substrat aus einer Vakuumumgebung zu entfernen. DieVerwendung solcher Vakuumsysteme ergibt eine verringerteAnzahl von Teilchen, welche die Oberfläche des Wafers währendder Behandlung verunreinigen, wodurch die Vorrichtungsausbeuteverbessert wird. Zu solchen Vakuumsystemen gehört einezentrale robotische Überführungskammer, die mit verschiedenenBehandlungskammern verbunden ist, beispielsweise dasBehandlungssystem von Applied Materials Baureihe 5000 undbeschrieben im US-Patent 4,951,601 von Maydan et al..
Dadurch kommt die CVD-Vorrichtung für Einzelsubstratbehandlungzum Abscheiden von polykristallinem Silicium aufHalbleitersubstraten in kommerziellen Gebrauch. Eine CVD-Kammer füreinen solchen Zweck wurde zuvor beschrieben und wird unterBenzugnahme auf Fig. 1 erläutert.
Gemäß Fig. 1 hat ein Einzelsubstratreaktor 31 eine obere Wand32, Seitenwände 33 und eine untere Wand 34, die den Reaktor 13begrenzen, in welchen ein Einzelsubstrat 35, wie einSiliciumwafer, geladen werden kann. Das Substrat 35 wird auf einemSockel oder Suszeptor 36 angeordnet, der durch einen Motor 37gedreht wird, um eine zeitlich gemittelte Umgebung für dasSubstrat 35 zu bilden, die zylindersymmetrisch ist. In derKammer 30 ist ein Vorheizring 40 gehalten, der den Wafer 35umgibt. Der Wafer 35 und der Vorheizring 40 werden durch Lichtaus einer Vielzahl von Lampen 38 und 39 hoher Intensitäterhitzt, die außerhalb des Reaktors 31 angeordnet sind. Dieobere Wand 32 und die untere Wand 34 der Kammer 30 sind imwesentlichen für Licht transparent, so daß das Licht von denexternen Lampen 38 und 39 in den Reaktor 31 eintreten und denSuszeptor 36, das Substrat 35 und den Vorheizring 40 erhitzenkann. Ein zweckmäßiges Material für die obere Wand 32 und dieuntere Wand 34 ist Quarz, da es für Licht mit sichtbarer undInfrarotfrequenz transparent ist. Es ist ein relativhochfestes Material, das eine große Durckdifferenz über diesenWänden aushalten kann. Es ist auch deshalb günstig, weil es eineniedrige Ausgasrate hat.
Während des Abscheidens strömt ein Reaktionsteilnehmergasstromvon einer Gaseinlaßöffnung 310 quer über den Vorheizring 40,wo die Gase erhitzt werden, quer über die Oberfläche desSubstrats 35 in Richtung der Pfeile 41, um Siliciumfilme daraufabzuscheiden, und in eine Auslaßöffnung 311. DieGaseinlaßöffnung 310 ist mit einem Gasverteiler (nicht gezeigt) verbunden,der dafür sorgt, daß ein Gas oder ein Gemisch aus Gasen in denReaktor 31 über eine Vielzahl von Rohren in diese Öffnungeintritt. Die Stellen der Einlaßenden dieser Rohre, dieGaskonzentrationen und/oder der Durchsatz durch jedes dieser Rohrewerden so gewählt, daß Reaktionsteilnehmergasströme undKonzentrationsprofile erzeugt werden, welche dieBehandlungsgleichförmigkeit optimieren. Obwohl die Drehung des Substratsund die thermischen Gradienten, die durch die Wärme von denLampen 38 und 39 verursacht werden, das Strömungsprofil derGase in dem Reaktor 31 beträchtlich beeinflussen können, istdie vorherrschende Form des Strömungsprofils eine laminareStrömung von der Gaseinlaßöffnung 310 und quer über denVorheizring40 und das Substrat 35 zur Auslaßöffnung 311.
Bei einem typischen Prozeß zur Erzeugung einer nicht-dotiertenSiliciumschicht auf einem Siliciumwafer wird ein Druckzwischen 133 Pa bis 26,7 KPa (1 bis 200 Torr) in der Kammerdadurch aufrechterhalten, daß Wasserstoff mit etwa 4 bis 101/min in die Kammer eingeführt und etwa 200 bis 500 cm³ Silanbei einer Temperatur des Substrats von etwa 560 bis 750ºCzugegeben werden, was durch ein geeignetes Pyrometerfestgestellt wird. Unter diesen Umständen kann ein polykristallinesSilicium mit einer Rate von etwa 2000 Angström/minabgeschieden werden. Die bei dem oberen Verfahren verwendeten höherenDrucke verbessern die Abscheidungsrate von dotiertem oderundotiertem pllykristallinem Silicium.
Ein Nachteil bei dem obigen Behandlungsreaktor besteht darin,daß sich eine unerwünschte Abscheidung von Silicium auf derRückseite sowohl des Wafers als auch des Suszeptorsherausgestellt hat. Die Abscheidung auf der Rückseite des Wafers istvom Gesichtspunkt der Qualitätskontrolle nicht akzeptabel,während die Abscheidung auf der Rückseite des Suszeptors, wienachstehend beschrieben wird, die erforderlichenWafertemperaturmessungen nachteilig beeinflussen kann.
Die EP-A-0467624 offenbart einen CVD-Reaktor, bei welchem eininertes thermisches Gas, wie Argon, auf die Rückseite des inBehandlung befindlichen Wafers während der Abscheidung vonWolfram oder anderer Metalle und Siliciden geführt wird, umeine Materialabscheidung auf der Rückseite des in Behandlungbefindlichen Wafers zu vermeiden. In jeder Behandlungsstationist über einer Platte ein Gasdispersionskopf angeordnet. DiePlatte hat eine kreisförmige Vertiefung für die Aufnahme einesWafers und eine ringförmige Nut, die im Boden der Vertiefungin der Nähe ihrer Wand vorgesehen ist. In die Nut wirderhitztesund unter Druck gesetztes Rückseitengas eingeführt, so daßder Wafer in einer Position über dem Boden der Vertiefung,jedoch noch in ihr, gehalten ist. Auf diese Weise belüftet dasRückseitengas von unten den Rand des Wafers auf der Platte undverhindert, daß Behandlungsgase die Waferrückseitekontaktieren.
Die US-A-4817558 offenbart eineDünnfilm-Abscheidungsvorrichtung mit einer Reaktionskammer, die ein Substratträgerelementfür die Aufnahme eines Substrats enthält, auf dem ein Dünnfilmabgeschieden werden soll. Die ganze Oberfläche desSubstratträgerelements mit Ausnahme einer Substratträgerfläche, aufder das Substrat anzuordnen ist, wird von einem Abdeckelementabgedeckt. Die Oberflächentemperatur der Abdeckung wirdniedriger als die des Substrats gehalten, so daß verhindert wird,daß ein unerwünschter Film auf der Oberfläche desAbdeckelements abgeschieden wird.
Die Nut liegt im allgemeinen jenseits des Umfangs desSubstrats.
Der Suszeptor kann weiterhin eine an seinem Durchmesserausgebildete Abstufung aufweisen. Die Abstufung paßt mit einerkomplementären Abstufung an einem den Suszeptor umschließendenVorheizring zusammen, der in der Kammer angeordnet ist unddessen Funktion darin besteht, zu verhindern, daßSubstratbehandlungsgas die Rückseite des Suszeptors erreicht.
Es folgt eine Beschreibung einiger speziellerAusführungsformen der Erfindung, wobei auf die beiliegenden ZeichnungenBezug genommen wird, in denen
Fig. 1 eine teilweise schematische Schnittansicht einerEinzelsubstrat-Abscheidungskammer nach dem Stand der Technik ist.
Dementsprechend möchte man eine Substratbehandlungsvorrichtungbereitstellen, die das Abscheiden auf der Rückseite des Wafersausschließt oder auf ein Minimum reduziert, während die obenerläuterten Komplikationen des Standes der Technik vermiedenwerden.
Die Erfindung stellt eine Vorrichtung zur chemischenBehandlung eines Substrats bereit, das ein Gehäuse mit einerSubstratbehandlungskammer, eine Gaseinlaßöffnung zum Einblasenvon chemischem Behandlungsgas in die Kammer, eineGasauslaßöffnung zum Abführen von Gasen aus der Kammer und einenSuszeptorhalter für ein zu behandelndes Substrat aufweist, dereine Substrattragfläche und eine der Tragflächegegenüberliegende rückseitige Fläche aufweist, wobei in derSubstrattragfläche eine Tasche für die Aufnahme des Substrats vorgesehenist, die Tasche einen Boden und insgesamt hochstehende Seitenaufweist und für die Aufnahme des Substrats bemessen ist, undder Boden der Tasche eine umschreibende Nut hat, die sobemessen ist, daß sie, wenn das Substrat in der Tasche aufgenommenist, am Umfang des Substrats liegt. Dabei ist angrenzend anden Suszeptorhalter und ihn umgebend ein Vorerhitzungsringvorgesehen, wobei der Suszeptorhalter zwischen der Tragflächeund der rückseitigen Fläche einen Fortsatz und derVorerhitzungsring einen Fortsatz hat, der mit demSuszeptorhalterfortsatz so zusammenpaßt, daß eine Sperre gebildet wird, dieverhindert, daß Prozeßgas die rückseitige Fläche des Suszeptorserreicht, und die Nut im Boden der Tasche ein Behältnis fürabgeschiedenes Material bildet, um die Menge des Materials zuverringern, das auf der Rückseite des Substrats abgeschiedenwird.
Die Erfindung stellt auch einen Suszeptor zur Verwendung ineiner Substratbehandlungsvorrichtung mit einerSubstratbehandlungskammer zur Aufnahme des Suszeptors bereit, wobei derSuszeptoreine vordere Substrataufnahmefläche und eine hintereFläche, eine Substrataufnahmetasche, die in der vorderenFläche ausgebildet ist, und einen Boden und insgesamthochstehende Seiten hat, die für die Aufnahme eines Substrats darinbemessen sind, und eine Nut um den Umfang aufweist, die im Bodender Tasche ausgebildet und so bemessen ist, daß sie, wenn dasSubstrat in der Tasche aufgenommen ist, auf dem Umfang desSubstrats liegt. Dabei ist angrenzend an den Suszeptorhalterund ihn umschließend ein Vorerhitzungsring vorgesehen, wobeider Suszeptorhalter einen Fortsatz zwischen der Tragfläche undder rückseitigen Fläche hat, der Vorerhitzungsring einenFortsatz hat, der mit dem Suszeptorhalterfortsatz so zusammenpaßt,daß eine Sperre gebildet wird, so daß sich kein Behandlungsgasauf der Rückseite des Suszeptors abscheiden kann.
Fig. 2 ist eine teilweise schematische Schnittansicht einerEinzelsubstrat-Abscheidungskammer, die eine Ausführungsformder vorliegenden Erfindung darstellt,
Fig. 3 ist eine Schnittansicht einer Ausführung einerReaktionsteilnehmergassperre der Erfindung,
Fig. 4 ist eine teilweise geschnittene perspektivische Ansichteines Suszeptors, der eine weitere Ausführung dieser Erfindungveranschaulicht, und
Fig. 5 ist eine Schnittansicht durch den Rand einesSuszeptors, die eine weitere Ausführung dieser Erfindung darstellt.
In Fig. 2 ist eine Ausführungsform des verbesserten Suszeptorsder Erfindung dargestellt. Diese Ausführung veranschaulichtMerkmale, die die Menge der Abscheidung auf der Rückseite desSuszeptors verringern, und zeigt einen Einzelsubstratreaktor131 mit einer oberen Wand 132, Seitenwänden 133 und einerunteren Wand 134. Die obere Wand 132 und die untere Wand 134sind aus Quarz gefertigt. Außerhalb des Reaktors 131 ist eineVielzahl von Lampen 138 und 139 hoher Intensität angeordnet,die den Vorerhitzungsring 140, einen Suszeptor 136 und einSubstrat 135 erhitzen, auf welchem ein polykristallinerSiliciumfilm abgeschieden werden soll. Der Suszeptor 136 ist eineflache Platte mit einer oberen Fläche 146 und einerrückseitigen Fläche 145. Den Suszeptor 136 trägt ein Suszeptorhalter148. Eine Reaktionsteilnehmergas-Einlaßöffnung 111 und eineAuslaßöffnung 112, die in gegenüberliegenden Seitenwänden 133angeordnet sind, gewährleisten einen laminaren Gasstrom überden Vorerhitzungsring 140 und das Substrat 135.
Wie im einzelnen in Fig. 3 näher gezeigt ist, hat derSuszeptor eine Abstufung 142, die an seinem Umfang ausgebildet ist.Die Abstufung kann entweder im Körper des Suszeptors 36ausgebildet sein oder wird von einem an dem Suszeptor angebrachtenFortsatz gebildet. Der Vorerhitzungsring 140 hat einekomplementäre Abstufung 144, die mit der Abstufung des Suszeptorszusammenpaßt.
Diese Ausgestaltung bildet einen gewundenen Weg, längs dessendas Prozeßgas strömen muß, ehe es die rückseitige Fläche desSuszeptors 136 erreicht. Dieser gewundene Weg erhöht sowohldie Entfernung, über die sich das Gas bewegen muß, ehe es dieRückseite des Suszeptors erreicht, und verursacht auch eineTurbulenz in dem längs des Wegs strömenden Gas. Als Folgeergibt sich eine Abscheidung an beiden Hälften derÜberlappungsformation, die von den komplementären Abstufungen in demSuszeptor bzw. Vorerhitzungsring 140 gebildet wird. Diesreduziert die Menge des Gases, das zwischen dem Suszeptor und demVorerhitzungsring hindurchgehen kann und verringert, wie sichzeigt, die Größe der Abscheidung auf der Rückseite 145 desSuszeptors.
Man nimmt an, daß Abscheidungen von dotiertem oder undotiertemSilicium oder anderen Feststoffmaterialien auf der Rückseitedes Suszeptors Temperaturänderungen quer über dem Suszeptor136 verursachen. Diese Temperaturänderungen führen ihrerseitszu Veränderungen in der Filmdicke und den Eigenschaften derpolykristallinen Siliciumfilme von Wafer zu Wafer.
Außerdem verursacht ein Materialaufbau auf der Rückseite 145des Suszeptors 136 auch ungenaue Temperaturablesungen desSubstrats 135 während der Abscheidung, wodurch auch die Art derAbscheidung und die Abscheidungsrate des sich abscheidendenFilms beeinflußt werden. Die Temperatur des Suszeptors 136wird mittels eines Pyrometers 150 bestimmt, das auf derAußenseite der Kammer 131 und über den Lampen 139 angeordnet ist.Das Pyrometer 150 ist für die Emissionsstärke der rückseitigenFläche 145 des Suszeptors 136 empfindlich. Wenn sich dieEmissionsstärke der rückseitigen Fläche. 145 des Suszeptors 136aufgrund der Abscheidung von verschiedenen Materialien auf ihrändert, erhält das Pyrometer 150 ein sich änderndes Signal undergibt so eine fehlerhafte Temperaturablesung. Deshalb muß dieEmissionsstärke der rückseitige Fläche 145 des Suszeptors 136so konstant wie möglich gehalten werden.
Da sich der Aufbau des Materials auf der rückseitigen Fläche145 während der sequentiellen Substratbehandlung fortsetzt,ergibt sich auch noch eine Änderung von Wafer zu Wafer bei denabgeschiedenen Filmen, die im Idealfilm so gering wie möglichgehalten werden sollte.
Dadurch, daß verhindert wird, daß Reaktionsteilnehmergase dieRückseite des Suszeptors erreichen, wird die Abscheidung aufihm reduziert. Dadurch werden Temperaturänderungen quer überdem Substrat und auf dem Suszeptor reduziert, und dieTemperaturablesungen des Substrats während der Abscheidung sindgenauer als bei den Abscheidungskammern nach dem Stand derTechnik.
Fig. 4 zeigt eine weitere Ausgestaltung dieser Erfindung. Indieser Figur ist der Suszeptor 236 mit einer Abstufung 242dargestellt, die ähnlich der Abstufung 142 in Fig. 2 und 3ist. Der Vorerhitzungsring 240 hat in gleicher Weise einekomplementäre Ausbildung 244, die die Abstufung 242 desSuszeptors 236 überlappt. Diese Ausbildung 244 ist ähnlich derAusbildung 144 bei den vorherigen beiden Figuren.
Zusätzlich zu diesem Merkmal hat der Suszeptor 236 weiterhineine versenkte Waferaufnahmetasche 250. In dem Boden derTasche sind drei kreisförmige Löcher 252 gezeigt. Diese Löcher252 erstrecken sich durch den Körper des Suszeptors 236 undwirken als Führungen für Waferhubfinger (nicht gezeigt), diewährend der Überführung des Wafers zu dem Suszeptor oder vonihm weg, sich relativ zum Suszeptor bewegen, um den Wafer ausder Tasche 250 anzuheben und von der oberen Fläche 243 desSuszeptors freizugeben.
Die Tasche 250 ist gewöhnlich bis zu einem Niveau von 1,02 mm(0,04 Zoll) unter der oberen Fläche 243 des Suszeptors 236ausgebildet. Diese Tiefe ist jedoch variabel und wird durchdie Dicke des Halbleiterwafers bestimmt, der in der Taschegehalten wird. Im Idealfall sollte die Oberseite desHalbleiterwafers auf einer Höhe der oberen Fläche 243 des Suszeptors236 sein.
In dieser Figur ist auch eine ringförmige Nut 254 gezeigt, dieum den Umfang der Waferaufnahmetasche 250 herum ausgebildetist. Die Nut 254 ist etwa 2,03 mm (0,08 Zoll) breit und hateine Bodenfläche, die sich 4,45 mm (0,175 Zoll) unter demNiveau der Tasche 250 befindet. Die Nut 254 ist so bemessen,daß, wenn ein Wafer in der Tasche 250 gehalten wird, die Nutden äußeren Rand des Wafers kreisförmig umschließt, d.h. derDurchmesser des Wafers ist kleiner als der Durchmesser derInnenwand 258 der Nut 254.
Es hat sich gezeigt, daß bei den Suszeptoren nach dem Standder Technik, von denen keiner eine ringförmige Nut hat, einebestimmte Mange von Behandlungsgas unter dem Halbleiterwafereinsickert, der auf einem solchen Suszeptor gehalten ist, unddas Abscheiden auf der Rückseite des Wafers verursacht. DieseAbscheidung kann so stark sein, daß es sich zur Mitte desWafers hin bis zu 25,4 mm (1 Zoll) vom Außenumfang des Wafersaus erstreckt. Aufgrund von nachfolgenden Behandlungsschrittenist diese rückseitige Abscheidung für bestimmteAnwendungszwecke vom Gesichtspunkt der Qualitätskontrolle nichtakzeptabel.
Die versenkte Tasche 250, und insbesondere die Nut 254 desSuszeptors 236, wie sie in dieser Figur dargestellt sind,überwinden dieses Problem.
Zunächst befindet sich, wenn der Wafer in der Tasche 250angeordnet ist, seine obere Fläche insgesamt auf der gleichenHöhe wie die obere Fläche 243 des Suszeptors 236. Als Folgewird bis zu einem bestimmten Ausmaß verhindert, daß quer überdie obere Fläche des Wafers strömende Reaktionsteilnehmergaseunter den Wafer über die äußere Wand 256 der Nut 254einsikkern.
Wenn sich das Reaktionsteilnehmergas in den Raum zwischen denAußenrand des Wafers und die äußere Wand 256 bewegt, bewegtsich weiterhin - und was von größerer Bedeutung ist - diesesGas nach unten in den Boden der Nut und dann nach oben längsihrer Innenwand 258, ehe es sich unter den Wafer bewegt, derauf der Tasche 250 ruht.
Dieser Effekt könnte das Ergebnis einer Anzahl von Faktorensein. Die Reaktionsteilnehmergase haben eine laminare Strömungbeim Eintritt in die Kammer, wenn diese Gase jedoch in die Nutströmen, wird ein bestimmtes Ausmaß an Turbulenz in dem Gaserzeugt. Als Folge hat das Gas die erforderlicheRichtungsströmung, um unter den Wafer einzusickern. Bei den typischenTemperaturen, bei denen die Waferbehandlungsreaktorenarbeiten, reagieren weiterhin die Rekationsteilnehmergase nur, wennsie in Kontakt mit der erhitzten Oberfläche kommen. Als Folgeder obengezeigten Ausgestaltung ist die Weglänge (d.h. dererhitzte Oberflächenbereich), mit der das Gas in Kontaktkommt, bevor es den Wafer erreicht, wesentlich vergrößert.
Die Wirkung dieser beiden Faktoren und anderer Faktorenbesteht darin, daß die Abscheidung desReaktionsteilnehmerprodukts größtenteils längs der Innenwände der Nut erfolgt undnicht auf der Rückseite des Wafers. Es hat sichherausgestellt, daß dies derart erfolgreich ist, daß dieAbscheidungsmenge auf der Waferrückseite von etwa 25,4 mm (1 Zoll) bisetwa im Bereich von 2-3 mm verringert wurde.
In Fig. 5 ist noch eine andere Verbesserung an dem Suszeptorgezeigt. In dieser Figur sind die Bauelemente, die denen inden vorherigen Figuren entsprechen, mit ähnlichenBezugszeichen versehen. So ist beispielsweise der Suszeptor 236(Fig. 4) in dieser Figur mit dem Bezugszeichen 336 versehen.Da die verschiedenen Elemente in dieser Figur, die der vonFig. 4 entsprechen, bereits beschrieben worden sind, ist eineweitere Beschreibung dieser Elemente nicht erforderlich. Wasdiese Figur jedoch zeigt, ist ein Wafer 335 (mit gestricheltenLinien gezeigt), der in der Tasche 350 angeordnet ist. DieserWafer 335 ist lediglich dargestellt, um in etwa zuveranschaulichen,wie er in der Tasche 350 aufgenommen ist.
Zusätzlich hat der in dieser Figur gezeigte Suszeptor 336anstelle einer gleichförmigen, nicht unterbrochenen Unterseite346 eine kreisförmige Tasche 360, die in ihr von untenausgebildet ist. Diese Tasche 360 hat zur Wirkung, daß diethermische Masse des gesamten Suszeptors 336 reduziert ist. AlsFolge ist die von dem Suszeptor 336 gehaltene Wärmemenge kleinerals sie es wäre, wenn die Tasche 360 nicht in der Unterseite346 ausgebildet wäre.
Dies ist bei bestimmten Behandlungsvorgängen besondersvorteilhaft, bei denen die Temperatur sehr schnell erhöht undabgesenkt wird, und sich der Suszeptor schnell erwärmen oderabkühlen muß. Eine Verringerung der thermischen Masse desSuszeptors, wie sie bei dieser Ausführungsform vorgesehen ist,macht diese Erhöhung und Verringerung der Temperaturenleichter.
Die Behandlungskammer der Erfindung und die beschriebenenVerbesserungen an dem Suszeptor können für sich eingesetzt werdenoder vorzugsweise einen Teil einesMehrfachkammer-Vakuumbehandlungssystems bilden, wie es oben beschrieben ist. Indiesem Fall hat die Behandlungskammer der Erfindung eine Öffnungin einer Seitenwand zum Übeführen von Substraten in die Kammeraus einer zentralen überführungskammer und aus ihr heraus.
Ein Vorteil der Erfindung besteht darin, daß eine Sperre fürden Strom von Reaktionsteilnehmergasen zur Rückseite desSuszeptors vorgesehen wird. Dies verhindert Abscheidungen auf derRückseite des Suszeptors und daraus resultierendeTemperaturmeßungenauigkeiten. Dementsprechend werden Änderungen derFilmdicke von Wafer zu Wafer unterbunden oder auf ein Minimumreduziert.
Ein weiterer Vorteil dieser Erfindung besteht darin, daßBehandlungsgase daran gehindert werden, unter den Wafereinzusickern. Dies reduziert das Auftreten einer Abscheidung aufder Waferrückseite wesentlich und verbessert dadurch dieQualität des Wafers.