Halbleitersubstrat Die Erfindung betrifft ein Halbleitersubstratmit mehreren, auf seiner Oberfläche angeordneten Flektrodenanschlüs.sen. Semiconductor substrate The invention relates to a semiconductor substratewith several Flektrodenanschlüs.sen arranged on its surface.
Allgemein bezieht die vorliegende Erfindung sich auf ein Haibleitersubstratoder eine Tablette bzw. ein Halbleiter-Bauelement.In general, the present invention relates to a semiconductor substrateor a tablet or a semiconductor component.
Beim Zusammenbau bzw. der Montage von Haibleiteranordnungen wird einVerfahrensschritt durchgeführt, der als "Kontaktieren" oder "Bonden" bezeichnetwird; damit ist die.Herstellung elektrischer Verbindung durch dünne Drähte innerhalbder Halbleiteranordnung gemeint; in dieser Weise wird die Anschlußfläche bzw. dertontaktfleck des Halbleiter-Bauelementes mittels eines dünnen Metalldrahtes, derbeispielsweise aus Gold (Au), Aluminium (Al) oder einem ähnlichen Material besteht,mit Leitungen verbunden. Die elektrische Verbindung wird unter Verwendung des Metalidrahteszwischen den Leitungen und den tontaktflecken des Bauelementes hergestellt, die.einer vorher bestimmten Lage eines Leitungsrahmens angepaßt sind, auf dem einstückigeine Anzahl von Leitungen ausgebildet sind.When assembling or assembling semiconductor arrays, aProcess step carried out, referred to as "contacting" or "bonding"will; thus the production of electrical connection through thin wires withinmeant the semiconductor device; in this way the pad or thecontact pad of the semiconductor component by means of a thin metal wire, thefor example made of gold (Au), aluminum (Al) or a similar material,connected with lines. The electrical connection is made using the metal wiremade between the leads and the contact pads of the component, the.a predetermined position of a lead frame are adapted on the one-piecea number of lines are formed.
tiblicherweise wird das Bonden von Hand durchgeführt. Dazu muß eineBedienungsperson von Hand einen Manipulator betätigen und eine Kapillare bewegen,während die jeweilige Kontaktlage durch ein Mikroskop überwacht und bestätigt wird.Da das Bonden durchgeführt wird, während gleichzeitig die t'berwachung der Yontaktlageerfolgt, hat dieser Verfahrensschritt einen unbefriedigenden Wirkungsgrad. Außerdemmuß bei dem Bonden ein Mikroskop verwendet werden, so daß nur geschickte Personendieses Verfahren durchführen können. Ein weiterer wesentlicher Nachteil liegt darin,daßdie Bedienungspersonen relativ rasch ermüden. Usually the bonding is done by hand. To do this, one mustOperator manually operate a manipulator and move a capillary,while the respective contact position is monitored and confirmed by a microscope.Since the bonding is carried out while at the same time monitoring the contact positiontakes place, this process step has an unsatisfactory efficiency. aside from thata microscope must be used in the bonding, so that only skilled personsbe able to perform this procedure. Another major disadvantage is thatthe operators tire relatively quickly.
In Anbetracht dieser Nachteile der Hanefertigung ist versucht worden,die komplizierten, beim Bonden erforderlichen Verfahrensschritte zu autonzatisieren;zu diesem Zweck sind verschiedene Vorschläge gemacht und teilweise auch in die Praxisumgesetzt worden. Beim automatischen Bonden ist die Ausrichtung einer Anschlußflächebzw.In view of these disadvantages of hemp manufacture, it has been attemptedto automate the complicated process steps required during bonding;Various proposals have been made for this purpose, some of which have been put into practiceimplemented. In automatic bonding, the orientation of a pad isrespectively.
eines Kontaktflecks mit einer Kapillaren von ausschlaggebender Bedeutung. Um diese Allsrichtung zu erreichen, ist unter anderem ein Verfahren vorgeschlagenworden, bei dem eine Ausrichtungsmarkierung auf dem Bauelement ausgebildet wird,so daß die Ausrichtung durch die Feststellung dieser Markierungen durchgeführt werdenkann.of a contact point with a capillary of crucial Beinterpretation. In order to achieve this omnidirectional direction, a method is proposed, among other thingsin which an alignment mark is formed on the component,so that the alignment can be done by noting these markscan.
Halbleiter-Bauelemente werden jedoch im allgemeinen so ausgelegt,daß sich eine hohe Kompaktheit bzw. Packungsdichte und eine möglichst geringe Größeergibt; es ist deshalb nicht zweckmäßig, das Bauelement zusätzlich mit einer Ausrichtungsmarkierungzu versehen, da die Anbringung der Ausrichtungsmarkierung zwangsläufig zu einerVergrößerung des Bauelementes führt.However, semiconductor components are generally designed in such a way thatthat there is a high degree of compactness or packing density and the smallest possible sizeresults; it is therefore not advisable to additionally mark the component with an alignment markto be provided, as the application of the alignment mark inevitably leads to aEnlargement of the component leads.
Der Erfindung liegt deshalb die Aufgabe zugrunde, ein Halbleitersubstratder angegebenen Gattung zu schaffen, das mit einer Markierung für das Bonden versehenwerden kann, ohne die Größe des Substrates bzw. des Bauelementes zu erhöhen.The invention is therefore based on the object of a semiconductor substrateto create the specified type, provided with a marking for bondingcan be without increasing the size of the substrate or the component.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß eine Lagemarkierungfür das Bonden in wenigstens einem Elektrodenanschlußbereich definiert ist.This object is achieved according to the invention in that a position markeris defined for bonding in at least one electrode connection area.
Die mit der Erfindung erzielten Vorteile liegen insbesondere darin,daß in wenigstens einem Elektrodenanschlußbereich eines Halbleitersubstrats ( odereines Halbleiter-#auele'.nentes) Markierungen angeordnet sind, mit denen sich diejeweils erforderliche Lage für die Durchführung des Bondens feststellen läßt; dasHalbleitersubstrat weist mehrere Elektrodenanschlüsse (oder Anschlußflächen bzw.Kontaktflecke) auf, die auf seiner Oberfläche ausgebildet sind.The advantages achieved with the invention are, in particular,that in at least one electrode connection area of a semiconductor substrate (orof a semiconductor # auele'.nentes) markings are arranged with which thecan be determined in each case required position for the implementation of the bonding; theSemiconductor substrate has several electrode connections (or connection surfaces orPads) formed on its surface.
Die Erfindung schafft also ein Halbleitersubstrat mit einer Lagemarkierungfür das Bonden, die in einer Anschlußfläche des Substrats definiert ist. Die Anordnungder Markierung nach der Erfindung erfordert keine Vergrößerung des Halbleitersubstrats,sondern stellt die Ausrichtung der Yontaktlage während des Bondens auf einfacheund genaue Weise sicher.The invention thus creates a semiconductor substrate with a position markingfor bonding defined in a pad of the substrate. The orderthe marking according to the invention does not require enlargement of the semiconductor substrate,but makes the alignment of the contact layer during bonding easyand accurate way for sure.
Die Erfindung wird im folgenden anhand von Ausführungsbeispielen unterBezugnahme auf die beiliegenden, schematischen Zeichnungen näher erläutert.The invention is illustrated below with the aid of exemplary embodimentsExplained in more detail with reference to the accompanying schematic drawings.
Es zeigen: Fig. 1 eine Draufsicht auf eine Ausführungsform eines Halbleitersubstratsgemäß der vorliegenden Erfindung; Fig. 2 und 3 weitere Draufsichten einer anderenAusführungs form der Erfindung; Fig. 4, 6 und 8 Draufsichten von Ausführungsformen,wie ein Draht mit einer Anschlußfläche verbunden wird; und Fig. 5, 7 und 9 Querschnittsansichtender in den Fig. 4,6, bzw.1 shows a plan view of an embodiment of a semiconductor substrateaccording to the present invention; Figures 2 and 3 are further plan views of anotherEmbodiment of the invention; 4, 6 and 8 plan views of embodiments,how to connect a wire to a pad; and Figures 5, 7 and 9 are cross-sectional viewsthe one in Figs.
8 dargestellten Ausführungsformen. 8 illustrated embodiments.
In Fig. 1 ist eine Draufsicht des wesentlichen Teils eines Halbleitersubstratsgemäß der vorliegenden Erfindung dargestellt.In Fig. 1 is a plan view of the essential part of a semiconductor substrateillustrated in accordance with the present invention.
Das Halbleitersubstrat (Bauelement) 1 weist mehrere quadratische Anschlußflächen2 mit einer Breite von ungefähr 100 - 120 micron auf, die längs des Timfangs desSubstrats angeordnet sind. Die Anschlußflächen 2 werden durch Aufdampfen von Aluminiumim Vakuum (~im allgemeinen über eine Siliziumdioxid-Schicht) hergestellt.The semiconductor substrate (component) 1 has a plurality of square connection surfaces2 with a width of about 100-120 microns along the timeline of theSubstrate are arranged. The pads 2 are by vapor deposition of aluminumproduced in a vacuum (~ generally via a silicon dioxide layer).
Mit anderen Worten wird zunächst Aluminium durch Aufdampfen im Vakuumauf dem Halbleitersubstrat abgelagert; außer den Anschlußflächen und den Zwischenverbindungsbereichenwerden unerwünschte Bereiche entfernt, indem eine Ätzbehandlung durchgeführt wird;dazukann beispielsweise eine Photogravüretechnik eingesetzt werden.In other words, aluminum is first made by vapor deposition in a vacuumdeposited on the semiconductor substrate; except for the pads and interconnection areasunwanted areas are removed by performing an etching treatment;For example, a photo-engraving technique can be used.
Wird zu diesem Zeitpunkt gleichzeitig Aluminium mit einer kreuzförmigenMarkierung entfernt, so läßt sich eine Lagemarkierung mit Kreuzform erhalten. AlsAlternative hierzu kann zunächst eine Maske mit Kreuzform angebracht werden, umzu verhindern, daß Aluminium bei dem folgenden Aufdampfen im Vakuum auf diesen Bereichdes Substrates abgelagert wird.At this point, aluminum is simultaneously used with a cross-shapedMark removed, a position mark with a cross shape can be obtained. asAs an alternative to this, a mask with a cross shape can first be attached toto prevent aluminum from being applied to this area during the subsequent vacuum depositionof the substrate is deposited.
Auf diese Weise kann im Bereich einer viereckigen Anschlußfläche 2eine Markierung 3 in Kreuzform mit einer Breite von ungefähr 10 micron ausgebildetwerden.In this way, in the area of a square connection surface 2a mark 3 formed in a cross shape with a width of about 10 micronswill.
Da die Lagemarkierung 3 in der Anschlußfläche 2 hergestellt wird,wie oben erwähnt wurde, kann eine Verschiebung einer jeden Anschlußfläche aus derüblichen Lage (d.h., aus der Lage, in der sich die Anschlußfläche befinden sollte)vor dem Bonden leicht mittels der Markierung 3 festgestellt werden; damit kann jedeAnschlußfläche in der üblichen Lage ausgerichtet werden, indem eine Verschiebung,falls sie vorhanden ist, ausgeglichen wird; anschließend kann das Bonden in korrekterWeise durchgeführt werden.Since the position marking 3 is produced in the connection surface 2,as mentioned above, displacement of each pad out of theusual position (i.e. from the position in which the connection surface should be)can be easily ascertained by means of the marker 3 before bonding; everyone can do thatCan be aligned in the usual position by a shift,if it is present, it is compensated; then the bonding can be carried out in a more correct mannerWay to be carried out.
Gemäß der oben erwähnten Ausführungsform wird die Markierung 3 inder Anschlußfläche 2 angeordnet, so daß zu diesem Zweck keine spezifische Vergrößerungdes Bauelementes erforderlich ist. Bei dem herkömmlichen Aufbau wird die Markierungso angeordnet, daß sie nicht in Kontakt mit anderen Mustern bzw. Markierungen kommt;andererseits muß die Markierung zusätzlich an einem Bauelement angebracht werden,das bereits eine hohe Dichte bzw. Yompaktheit und eine minimale Größe hat; dadurchwird zwangsläufig die Form oder die Größe des Bauelementes größer. Im Gegensatzhierzu wird bei der vorliegenden Erfindung die Markierung in der Anschlußflächeangeordnet, so daß das Bauelement nicht vergrößert werden muß.According to the above-mentioned embodiment, the marker 3 inthe pad 2 arranged so that no specific enlargement for this purposeof the component is required. In the conventional structure, the markingarranged so that it does not come into contact with other patterns or markings;on the other hand, the marking must also be attached to a component,which already has a high density or compactness and a minimal size; through thisthe shape or the size of the component is inevitably larger. In contrastfor this purpose, in the present invention, the marking in the connection surfacearranged so that the component does not have to be enlarged.
Wenn die Markierung 3 in der Anschlußfläche 2 angeordnet ist, wirdjedoch bei dem Halbleitersubstrat nach der vorliegenden Erfindung ein tJbergangsbzw. Verbindungsbereich des Drahtes zu der Anschlußfläche 2 kleiner. Sollte sichdadurch unter Umständen manchmal eine nachteilige Wirkung auf die Verbindung ergeben,so kann die Anschlußfläche 2, die sich an den Ecken des Bauelementes 1 befindet,größer gemacht werden, wie in Fig. 2 dargestellt ist; dadurch wird die Fläche desMarkierungsbereichs im Innern der Anschlußfläche relativ kleiner. In diesem Fallsteht den Anschlußflächen, die sich an den Ecken des Bauelementes befinden, ausreichendRaum zur Verfugung, um sich in Richtung auf die Ecken des Bauelementes zu vergrößern.When the marking 3 is arranged in the pad 2, ishowever, a transition in the semiconductor substrate according to the present inventionor connection area of the wire to the connection surface 2 is smaller. Shouldthis may sometimes have an adverse effect on the connection,so the connection surface 2, which is located at the corners of the component 1,can be made larger as shown in Fig. 2; this increases the area of theMarking area in the interior of the connection surface is relatively smaller. In this caseis the connection surfaces that are located at the corners of the component, sufficientSpace available to increase in the direction of the corners of the component.
Wenn zur Feststellung der Markierungen ein photoelektrisches Mikroskopverwendet wird, so ist ein Grenzabschnitt für helle und dunkle Bereiche wesentlich;es muß also in dem Abtastbereich eine Grenzlinie für helle und dunkle Bereiche vorgesehenwerden, die sich aus der Markierung ergibt. Aus diesem Grund muß die Anschlußfläche,die mit der Markierung versehen werden soll, größer gemacht werden. Dies läßt sichdadurch erreichen, daß auch in diesem Fall die Anschlußflächen an den Ecken desBauelementes innerhalb deskritischen Größenbereiches relativ zuden anderen Anschlußflächen so groß wie möglich gemacht werden. Weiterhin werdenmanchmal die Anschlußflächen auch als Energiezuführung oder Ausgangsklemmen verwendet;diese Anschlußflächen werden dann größer ausgebildet als die anderen Anschlußflächen,so daß in diesem Fall die Markierungen an den größeren Anschlußflächen angeordnetwerden können.When using a photoelectric microscope to determine the markingsis used, a boundary portion is essential for light and dark areas;a boundary line for light and dark areas must therefore be provided in the scanning arearesulting from the marking. For this reason, the connection surface,which is to be provided with the marking should be made larger. This can beachieve that in this case, too, the pads at the corners of theComponent within thecritical size range relative tothe other pads are made as large as possible. Continue to besometimes the pads are also used as power supply or output terminals;these pads are then made larger than the other pads,so that in this case the markings are arranged on the larger padscan be.
Selbstverständlich ist die Form der Markierung bei der vorliegendenErfindung nicht auf die Kreuzform beschränkt, wie sie bei der obigen Ausführungsformbeschrieben wurde. Es können in gleicher Weise auch andere Formen eingesetzt werden,wie beispielsweise eine L-Form, eine Form, die durch zwei sich kreuzende Liniendefiniert ist, eine viereckige bzw. quadratische Form, eine Kreisform, usw.; diejeweils ausgewählte Form muß nur die Bedingung erfüllen, daß ihre Abbildung in ausreichenderWeise festgestellt werden kann.It goes without saying that the shape of the marking is in the present caseInvention not limited to the cross shape as in the above embodimenthas been described. Other shapes can be used in the same way,such as an L-shape, a shape created by two intersecting linesis defined, a square shape, a circular shape, etc .; theeach selected form only has to meet the condition that its mapping is sufficientWay can be determined.
Da üblicherweise der Leitungsrahmen, auf dem das Halblitersubstratmontiert ist, im allgemeinen nur wenige Fehler in seiner Richtung O-aufweist, wenner zur Durchführung des Bondens angebracht wird, gibt es kaum Probleme für das Bonden.Wenn keine Ausrichtung relativ zu der Richtung o in einem solchen Fall erforderlichist, wie oben erwähnt wurde, kann die Kompensation bzw. der Ausgleich der Lage einerAnschlußfläche in Bezug auf die X-vnd Y-Richtungen, wie in Fig. 2 dargestellt ist,ausreichend genau vorgenommen werden, indem eine einzige Markierung verwendet wird.Since usually the lead frame on which the half liter substrateis mounted, generally has few errors in its O-direction, ifit is attached to perform the bonding, there are hardly any problems for the bonding.If no alignment relative to the direction o is required in such a caseis, as mentioned above, the compensation or the compensation of the position of aPad with respect to the X and Y directions, as shown in Fig. 2,be made sufficiently accurate using a single marking.
In Fig. 3 ist ein weiteres Verfahren dargestellt, eine Markierungan einer kleinen Anschlußfläche anzuordnen. Bei diesem Verfahren wird die Markierung3 in zwei Markierungsbereiche eingeteilt, d.h., beispielsweise eine Markierung 3xin die X-Richtung und eine Markierung 3y in die Y-Richtung; jede der Markierungen3x und 3y wird jeweils in getrennten Anschlußflächen 2a und 2b angeordnet. In dieser Weisekann die Fläche der Markierunge 3x oder 3y, die in der ;Fläche der Anschlußflächen2a oder 2b liegen, minimal gemacht werden. Deshalb kann sogar dann die für das Bondenzur Verfügung stehende Oberfläche ausreichend groß gemacht werden, wenn diese Oberflächedie Markierung etwas überlappt oder überdeckt. Diese Ausgestaltung der Anschlußflächeist in den Fig. 4 bis 7 unter die~ ser Bedingung dargestellt.In Fig. 3, a further method is shown, a markingto be arranged on a small pad. In this process, the marking3 divided into two marking areas, i.e., for example a marking 3xin the X direction and a mark 3y in the Y direction; each of the marks3x and 3y are arranged in separate pads 2a and 2b, respectively. In thiswaycan be the area of the marking 3x or 3y, which is in the; area of the connection surfaces2a or 2b are minimized. Therefore, even then, it can be used for bondingavailable surface can be made sufficiently large if this surfacethe marking slightly overlaps or covers. This configuration of the connection surfaceis shown in FIGS. 4 to 7 under this condition.
In Fig. 4 ist eine Draufsicht einer Anschlußfläche mit einer kreuz,förmigen Markierung gezeigt, die einstückig mit der Anschlußfläche ausgebildet ist;diese Markierung soll sowohl in ihrer X#-Richtung als auch in ihrer Y-Richtung festgestelltwerden. Ein Draht wird mit der Anschlußfläche mittels eines Verfahrens verbunden,das als ~,Nagelkopf-Bonden'1 (oder manchmal auch als "rugel-Ponden") bezeichnetwird; dabei wird die Spitze des Drahtes zu einer Kugel form zerdrückt bzw. geschlagenund anschließerd mit der Anschlußfläche kontaktiert.In Fig. 4 is a plan view of a connection surface with a cross,Shaped mark shown which is formed integrally with the terminal surface;this marking should be determined both in its X # direction and in its Y directionwill. A wire is connected to the pad using a processthis is referred to as ~ 'nail head bonding'1 (or sometimes also as "rugel-Ponden")will; the tip of the wire is crushed or beaten to form a balland then contacted with the pad.
Fig. 5 stellt eine Querschnittsansicht der Anschlußfläche und desDrahtes nach Fig. 4 dar.Fig. 5 illustrates a cross-sectional view of the pad and theWire according to Fig. 4.
Fig. 6 zeigt eine Draufsicht der Anschlußfläche 2b mit einer der beidengeteilten Markierungen (Markierung 3y) einer Markierung dar, die in ihrer X undY-Richtung festgestellt werden soll;, damit wird ein Draht mittels Nagelkopf-Bondenverbunden; Fig. 7 stellt eine Querschnittsansicht dar.Fig. 6 shows a plan view of the connection surface 2b with one of the twosplit markings (mark 3y) of a mark, which in their X andY-direction is to be determined; so that a wire is bonded by means of nail headtied together; Fig. 7 is a cross-sectional view.
Wie sich aus einem Vergleich der Figuren 4 und 5 mit den Figuren 6und 7 ergibt, hat die in den zuletzt erwähnten Figuren dargestellte Anschlußflächeeinen größeren Kontaktbereich als die in den zuerst erwähnten gezeigte Anschlußfläche.As can be seen from a comparison of FIGS. 4 and 5 with FIGSand 7 results, has the connection surface shown in the last-mentioned figuresa larger contact area than the pad shown in the first mentioned.
Dies gilt auch für den Fall, bei dem das Bonden des Drahtes mit derAnschlußfläche durch ein Verfahren durchgeführt wird, das als "Heft-Bonden"("stich bonding method") bezeichnet wird; dabei wird das Bonden durchgeführt, währenddie Seitenoberfläche des Drahtes zerdrückt bzw. zerschlagen wird. In diesem Fallschneidet sich zw#ckmäßigerweise eine longitudinale Richtung A der Markierung miteiner longitudinalen Richtung B des Kontaktbereichs, und zwar nach einer bevorzugtenAusführungsform kreuzweise, wie in Figuren 8 und 9 dargestellt ist. Im Falle einerkreuzförmigen Markierung können auch die longitudinale Richtung der Markierungsabschnitte3x und 3y der Markierung 3 so angeordnet werden, daß sie die longitudinale r.ichtungdes Kontaktbereichs schneiden bzw. kreuzen.This also applies to the case where the wire is bonded to thePad is performed by a process known as "staplingBonding "("stich bonding method"); the bonding is carried out whilethe side surface of the wire is crushed or smashed. In this caseexpediently intersects a longitudinal direction A of the markinga longitudinal direction B of the contact area, namely according to a preferred oneEmbodiment crosswise, as shown in FIGS. 8 and 9. In case of aCross-shaped marking can also indicate the longitudinal direction of the marking sections3x and 3y of the marker 3 are arranged so that they are the longitudinal r. Directioncut or cross the contact area.
Um eine ausreichende Festigkeit des Kontaktes beizubehalten, solltedie Breite der Anschlußfläche im wesentlichen gleich der des Kontaktbereichs gemachtwerden, d.h., des zerdrückten Abschnittes der Spitze der Leitung, die mit der Oberflächedes Halbleiterchips in Kontakt kommt.In order to maintain sufficient strength of the contact, shouldthe width of the pad is made substantially equal to that of the contact areai.e., the crushed portion of the tip of the conduit that comes with the surfaceof the semiconductor chip comes into contact.
Die Breite der Anschlußflächen liegt im allgemeinen im Bereich vonungefähr 100 bis 120 micron. Bei der Durchführung des Bondens mit den herkömmlichenAnschlußflächen hat sich herausgestellt, daß eine ausreichende Festigkeit für dasBonden dann sichergestellt ist, wenn wenigstens eine Hälfte des oben erwähnten Kontaktbereichsmit der Anschlußfläche verbunden wird. Aus diesem Grunde sollte die Fläche der Markierungfm Innern der Anschlußfläche so ausgelegt werden, daß sie diese Anforderung erfüllt.The width of the pads is generally in the range ofabout 100 to 120 microns. When performing the bonding with the conventionalTerminal surfaces have been found to have sufficient strength for theBonding is ensured when at least one half of the contact area mentioned aboveis connected to the pad. Because of this, the area of the marking should beThe inside of the connection surface must be designed in such a way that it meets this requirement.
Gemäß der vorliegenden Erfindung wird als für die Durchführung desBondens eine Lagemarkierung in einer Anschlußfläche eines Halbleitersubstrats angeordnet,so daß keine unerwünschte Vergrößerung des Halbleitersubstrats wegen dieser Markierungerforderlich ist.According to the present invention, as for performing theBonding a position marking arranged in a connection surface of a semiconductor substrate,so that no undesired enlargement of the semiconductor substrate because of this markingis required.
Deshalb können also mehrere Halbleitersubstrate von einem einzigenScheibchen oder Wafer gefertigt werden, so daß sich die Produktionskosten senkenlassen.Therefore, several semiconductor substrates can be made from a single oneDiscs or wafers are manufactured, so that the production costs are reducedpermit.
In den Figuren bezeichnen die Bezugszeichen im einzelnen folgendeTeile: 1 ..... Halbleitersubstrat (Bauelement) 2 Anschlußfläche bzw. Kontaktfleck2a .... Anschlußfläche, die mit einer Markierung zur Feststellung ihrer X-Richtungversehen ist 2b .... Anschlußfläche, die mit einer Markierung zur Feststellung ihrerY-Richtung versehen ist 3 ..... Markierung 3x .... Markierung zur Feststellung derRichtung 3y .... Markierung zur Feststellung der Y-Richtung 4 ..... Draht, der miteiner Anschlußfläche durch Nagelkopf-Bonden verbunden wird 5 ..... Draht, der miteiner Anschlußfläche durch Heft-Bonden verbunden wird.In the figures, the reference symbols denote the following in detailParts: 1 ..... semiconductor substrate (component) 2 connection area or contact pad2a .... pad with a marking to determine its X-directionis provided 2b .... pad, which is marked with a marking to determine theirY-direction is provided 3 ..... marking 3x .... marking to determine theDirection 3y .... Marking to determine the Y direction 4 ..... wire that goes witha connection surface is connected by nail head bonding 5 ..... wire that is connected toa pad is connected by tack-bonding.
Patentansprüche Claims
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP49111469AJPS5138969A (en) | 1974-09-30 | 1974-09-30 |
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2543651A1true DE2543651A1 (en) | 1976-04-15 |
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19752543651PendingDE2543651A1 (en) | 1974-09-30 | 1975-09-30 | Integrated circuit semiconductor substrate - has position marks on its surface for contacting of electrode terminals |
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5138969A (en) |
| DE (1) | DE2543651A1 (en) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| OHJ | Non-payment of the annual fee |