Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur strukturierten Metallisierung der Oberfläche von polymeren Substraten zur Herstellung von Feinstleiterschaltungen, wobei auf die Oberfläche des Substrates eine Basisschicht vollflächig aufgetragen wird, dann durch eine im Bereich der einzubringenden Isolationskanäle einwirkende kurzwellige elektromagnetische Strahlung, vorzugsweise im UV-Bereich, insbesondere eines Lasers, in die Basisschicht Isolationskanäle durch vollständigen Abtrag der Basisschicht eingearbeitet werden, und nachfolgend die verbliebene strukturierte Basisschicht in einem stromlosen Metallisierungsbad mit metallischen Leiterbahnen versehen wird.The invention relates to a method for structured metallization of the surface ofpolymeric substrates for the production of fine conductor circuits, being on the surfaceof the substrate, a base layer is applied over the entire surface, then by one in the areaof the insulation channels to be introduced, acting short-wave electromagneticRadiation, preferably in the UV range, in particular a laser, into the base layerInsulation channels can be incorporated by completely removing the base layer, andsubsequently the remaining structured base layer in an electroless oneMetallization bath is provided with metallic conductor tracks.
In der DE 39 22 478 A1 ist ein Verfahren zur Strukturierung kupferkaschierter Polymeroberflächen beschrieben, bei dem mittels eines Excimerlasers ein direkter Abtrag einer Restkupferschicht und einer Kunststoffschicht erfolgt. Hier ist es vor allem nachteilig, daß der Abtrag der relativ dicken Kupferschicht mit einer Wärmeentwicklung einhergeht, die die Kantenschärfe der erzeugten Strukturen nachteilig beeinflußt.DE 39 22 478 A1 describes a method for structuring copper-cladDescribed polymer surfaces, in which a direct removal by means of an excimer lasera residual copper layer and a plastic layer. The main disadvantage here isthat the removal of the relatively thick copper layer is accompanied by a heat development, thethe edge sharpness of the structures produced adversely affected.
In der Zeitschrift "Galvanotechnik 84" (1993), Nr. 2, Seiten 570 ff., ist in dem Artikel "Herstellung flexibler Schaltungen mit Bayprint - eine zukunftsweisende Technologie" ein Verfahren beschrieben, das ohne Belichtung und ohne Ätzung arbeitet. Hier wird eine Polymeroberfläche mit einem Primer, d. h. mit einer haftvermittelnden Schicht, im Siebdruckverfahren bedruckt. Die Leiterbahnstrukturen werden hier bereits durch eine strukturierte Beschichtung mit dem Primer vorgegeben. Der Primer ist nichtleitend, haftet gut auf der Polymeroberfläche und weist nach einem Trocknungsvorgang an einer Oberseite eine poröse Struktur auf, die anschließend eine haftfeste Verankerung einer stromlos abgeschiedenen Metallschicht ermöglicht. Die Metallschicht bildet dann die Leiterbahn. Dieses Verfahren weist zwar den Vorteil auf, daß es relativ einfach zu handhaben ist, es ist jedoch durch die Anwendung des Siebdruckes auf Leiterbahnbreiten und Abstände der Isolationskanäle von größer als 100 µm begrenzt.In the magazine "Galvanotechnik 84" (1993), No. 2, pages 570 ff., The article"Production of flexible circuits with Bayprint - a future-oriented technology"Described method that works without exposure and without etching. Here is onePolymer surface with a primer, i.e. H. with an adhesion-promoting layer, inScreen printing process printed. The conductor track structures are already here by astructured coating with the primer. The primer is non-conductive, is liable good on the polymer surface and shows a drying processA porous structure on top, which is then firmly anchoredmetal layer deposited without current. The metal layer then forms theConductor track. This method has the advantage that it is relatively easy to dohandle, but it is due to the application of screen printing on conductor widthsand distances between the insulation channels of greater than 100 microns.
Durch die EP 0 727 925 ist es auch bereits bekannt geworden, auf die Oberfläche des Substrats eine Primerschicht im Bereich einer später aufzubringenden Metallschicht vollflächig aufzutragen und durch eine in bestimmten Bereichen einwirkende elektromagnetische Strahlung im UV-Bereich, insbesondere eines Excimerlasers mit relativ hoher Energiedichte, in die Primerschicht Isolationskanäle durch vollständigen direkten Abtrag einzuarbeiten, wobei dann nachfolgend die verbliebene strukturierte Primerschicht zur Ausbildung von Leiterbahnen in einem stromlosen Metallisierungsbad mit einer Metallschicht versehen wird.From EP 0 727 925 it has also become known that the surface of theSubstrate a primer layer in the area of a metal layer to be applied laterto be applied over the entire surface and by one acting in certain areaselectromagnetic radiation in the UV range, in particular an excimer laser with relativehigh energy density, insulation channels through complete direct into the primer layerTo incorporate removal, followed by the remaining structured primer layerfor the formation of conductor tracks in an electroless metallization bath with aMetal layer is provided.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zu schaffen, das eine hochauflösende strukturierte Metallisierung der Oberfläche von Substraten, insbesondere von Leiterplatten, schnell und wirtschaftlich ermöglicht.The invention has for its object to provide a method thatHigh-resolution structured metallization of the surface of substrates, in particularof printed circuit boards, quickly and economically.
Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe durch die Merkmale des Anspruchs 1 gelöst. Die weitere Ausgestaltung der Erfindung ist den Unteransprüchen zu entnehmen.According to the invention, this object is achieved by the features of claim 1. Thea further embodiment of the invention can be found in the subclaims.
Indem als Basisschicht auf das Substrat ein metallischer Schichtaufbau in einer maximalen Dicke aufgetragen wird, die der Photonen-Eindringtiefe der einwirkenden elektromagnetischen Strahlung entspricht, und indem die Energiedichte der elektromagnetischen Strahlung derart eingestellt wird, daß der metallische Schichtaufbau ohne Abtrag durchstrahlt und die Energie im wesentlichen an der Phasengrenze zum polymeren Substrat absorbiert wird, ist der Effekt erzielbar, daß im Bereich der Einwirkung der elektromagnetischen Strahlung ein sich bildendes Plasma den metallischen Schichtaufbau unter Ausbildung von Isolationskanälen sehr hoher Konturenschärfe rückstandslos entfernt. An sich war nicht zu erwarten, daß mittels einer einwirkenden kurzwelligen elektromagnetischen Strahlung eine hochauflösende und kantenscharfe Strukturierung eines metallischen Schichtaufbaus im Feinstleiterbereich möglich ist.By using a metallic layer structure as a base layer on the substrate in a maximumThickness is applied, which is the photon penetration depth of the acting electrocorresponds to magnetic radiation, and by the energy density of the electromagneticRadiation is set so that the metallic layer structure without ablationradiates and the energy essentially at the phase boundary to the polymerIs absorbed substrate, the effect can be achieved that in the area of action ofelectromagnetic radiation a plasma forming the metallic layer structurewith the formation of isolation channels very high contour sharpness removed without residue.As such, it was not to be expected that a short-wave electromagnetic radiation a high-resolution and sharp-edged structuring of ametallic layer structure in the fine conductor area is possible.
Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung wird der metallische Schichtaufbau in einer Dicke von 5 bis 500 nm, vorzugsweise in einer Dicke von 10 bis 100 nm aufgetragen. Wie sich gezeigt hat, ist völlig überraschend, daß das sich unterhalb eines metallischen Schichtaufbaus dieser geringen Dicke ausbildende Plasma offenbar dazu in der Lage ist, den Schichtaufbau rückstandslos zu entfernen, wobei in vorteilhafter Weise äußerst randscharfe Bruchkanten ausgebildet werden. Es sind somit extrem saubere Schnittkanten erzielbar, die bisher nicht erreichbar waren.According to a preferred embodiment of the invention, the metallicLayer structure in a thickness of 5 to 500 nm, preferably in a thickness of 10 to 100 nm applied. As has been shown, it is completely surprising that this is below oneMetallic layer structure of this small thickness plasma apparently to do so inis able to remove the layer structure without residue, advantageouslyextremely sharp edges are formed. So they are extremely cleanCutting edges can be achieved that were previously unattainable.
Der Schichtaufbau ist von einem bei der stromlosen Metallisierung katalytisch wirkenden Metall gebildet, das es ermöglicht, den nach der Einwirkung der elektromagnetischen Strahlung verbliebenen strukturierten Schichtaufbau anschließend in einem stromlosen Metallisierungsbad mit Leiterbahnen zu versehen.The layer structure is of a catalytic effect in the electroless metallizationMetal formed, which makes it possible after the exposure to electromagneticRadiation remaining structured layer structure then in an electrolessMetallization bath to be provided with conductor tracks.
Vorteilhaft kann es sein, wenn der metallische Schichtaufbau zweischichtig von einem auf der Oberfläche des Substrates aufgetragenen Metallhaftfilm und von einem auf dem Metallhaftfilm aufgetragenen, aus dem katalytisch wirkenden Metall bestehenden Metallfilm ausgebildet ist. Der Metallhaftfilm optimiert hier die Haftung des metallischen Schichtaufbaus und somit der Leiterbahnen auf der Oberfläche des Substrates.It can be advantageous if the metallic layer structure has two layers from one to the otherthe surface of the substrate applied metal adhesive film and from one on theMetal adhesive film applied, consisting of the catalytically active metal filmis trained. The metal adhesive film optimizes the adhesion of the metallic oneLayer structure and thus the conductor tracks on the surface of the substrate.
Im Rahmen der Erfindung ist es vorgesehen, daß der Schichtaufbau bzw. der Metallfilm vorzugsweise aus Au, Cu, Pd, Pt, Ag, Al bzw. aus Legierungen dieser Metalle besteht. Der Metallhaftfilm besteht vorzugsweise aus Cr. Vorzugsweise wird der Schichtaufbau durch Aufdampfen bzw. Sputtern aufgebracht.In the context of the invention it is provided that the layer structure or the metal filmpreferably consists of Au, Cu, Pd, Pt, Ag, Al or alloys of these metals. TheMetal adhesive film is preferably made of Cr. The layer structure is preferably carried out byEvaporation or sputtering applied.
Vorzugsweise wird der metallische Schichtaufbau in den Isolationskanälen zwischen den späteren Leiterbahnen mittels eines Krypton-Fluorid-Excimerlasers mit einer Wellenlänge von 248 nm und einer geringen Energiedichte von 100-200 mJ/cm2 abgetragen. Wie sich gezeigt hat, ist es insbesondere bei Verwendung eines Krypton-Fluorid-Excimerlasers möglich, feinste Isolationskanäle und Leiterbahnen mit einer Breite bis zu etwa 5 µm zu strukturieren. Der Arbeitsbereich erstreckt sich von ca. 5 µm bis ca. 200 µm, insbesondere auf etwa 20-40 µm. Wie sich gezeigt hat, ist aufgrund des geringen Energieeinsatzes in der Regel je Flächeneinheit lediglich ein einziger Laserimpuls erforderlich, um die Strukturen zu erzeugen. Das erfindungsgemäße Verfahren zeichnet sich daher auch durch eine große Schnelligkeit und hohe Wirtschaftlichkeit aus.The metallic layer structure in the insulation channels between the later conductor tracks is preferably removed by means of a krypton fluoride excimer laser with a wavelength of 248 nm and a low energy density of 100-200 mJ / cm2 . As has been shown, in particular when using a krypton fluoride excimer laser, it is possible to structure the finest insulation channels and conductor tracks with a width of up to approximately 5 μm. The working range extends from approx. 5 µm to approx. 200 µm, especially around 20-40 µm. As has been shown, due to the low energy input, usually only a single laser pulse is required per unit area in order to generate the structures. The method according to the invention is therefore also characterized by great speed and high economy.
Es ist beispielsweise auch möglich, unter Wahrung der genannten Vorteile, die Isolationskanäle mittels eines frequenzkonvertierten Nd:YAG-Festkörperlasers auszubilden. Hier kann es sich z. B. um einen frequenzverdoppelten Nd:YAG-Festkörperlaser mit einer Wellenlänge von λ = 532 nm, einer Laserfrequenz von 5 kHz und einer mittleren Leistung von etwa 6 W handeln.It is also possible, for example, while maintaining the advantages mentionedForm isolation channels using a frequency-converted Nd: YAG solid-state laser.Here it can be z. B. a frequency-doubled Nd: YAG solid-state laser with a Wavelength of λ = 532 nm, a laser frequency of 5 kHz and an average powerof about 6 W.
Die Isolationskanäle können beispielsweise aber auch mittels eines frequenzverdreifachten Nd:YAG-Festkörperlasers mit einer Wellenlänge von λ = 355, einer Laserfrequenz von 5 kHz und einer mittleren Leistung von etwa 0,5-1 W ausgebildet werden.The isolation channels can also be tripled, for example, by means of a frequencyNd: YAG solid-state laser with a wavelength of λ = 355, a laser frequency of 5 kHzand an average power of about 0.5-1 W are formed.
Mittels des erfindungsgemäßen Verfahrens können äußerst feine Isolationskanäle und Leiterbahnen mit einer Breite von 5 µm bis 200 µm, vorzugsweise 10 µm bis 100 µm, erzeugt werden. Vorteilhaft ist beim vorliegenden Verfahren außerdem die Tatsache, daß unter Anwendung von Excimerlasern, verbunden mit dem Einsatz optischer Komponenten, auch die Strukturierung gekrümmter Substratmaterialien möglich ist.Extremely fine insulation channels andConductor tracks with a width of 5 µm to 200 µm, preferably 10 µm to 100 µm,be generated. Another advantage of the present method is the fact thatusing excimer lasers combined with the use of optical components,The structuring of curved substrate materials is also possible.
Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung wird die elektromagnetische Strahlung unter Verwendung einer im Strahlengang des Excimerlasers angeordneten Maske oder mittels eines Abbildungsverfahrens aufgebracht. Auch ist es möglich, den metallischen Schichtaufbau in den Isolationskanälen mittels eines fokussierten Laserstrahls abzutragen. Die genannten Verfahren ermöglichen es, den Laserstrahl fein strukturiert auf den metallischen Schichtaufbau einwirken zu lassen.According to a preferred embodiment of the invention, the electromagneticRadiation using a mask arranged in the beam path of the excimer laseror applied by means of an imaging process. It is also possible to use the metallicRemoving the layer structure in the insulation channels by means of a focused laser beam.The methods mentioned allow the laser beam to be finely structured on theto allow metallic layer structure to act.
Es ist im übrigen von erheblichem Vorteil, daß mittels des erfindungsgemäßen Verfahrens auch räumliche elektronische Schaltungsträger, wie das Innere von Gerätegehäusen, in der beschriebenen Art und Weise mit Leiterbahnen äußerst feiner Struktur versehen werden können. Alle erforderlichen Verfahrensschritte sind auch an gewölbten Oberflächen problemlos durchführbar. Auch auf die Oberfläche eines stark gewölbten Substrates kann der metallische Schichtaufbau z. B. durch Aufdampfen bzw. Sputtern aufgetragen werden. Die Einwirkung der Strahlung eines Excimerlasers kann beispielsweise über eine entsprechend geformte Schablone gleichfalls an beliebig gekrümmten Oberflächen von Substraten mit größter Präzision erfolgen. Nicht zuletzt bereitet der abschließende Auftrag der Metallschicht auch an gewölbten Oberflächen keine Schwierigkeiten. Erfindungsgemäß ist es möglich, elektrische und mechanische Elemente auf nahezu beliebig geformten Leiterplatten zu integrieren.It is also of considerable advantage that by means of the method according to the inventionalso spatial electronic circuit carriers, such as the inside of device housings, in thedescribed manner can be provided with conductor tracks of extremely fine structurecan. All necessary process steps are also on curved surfacesfeasible without any problems. Can also be applied to the surface of a strongly curved substratethe metallic layer structure z. B. be applied by vapor deposition or sputtering.The effect of the radiation from an excimer laser can be, for example, via aaccordingly shaped template also on any curved surfaces ofSubstrates with the greatest precision. Last but not least, the final order preparesthe metal layer no problem even on curved surfaces. According to the inventionit is possible to build electrical and mechanical elements on almost any shapeIntegrate circuit boards.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in der Zeichnung dargestellt und wird im folgenden näher beschrieben. Es zeigen:An embodiment of the invention is shown in the drawing and is infollowing described in more detail. Show it:
Fig. 1, einen Querschnitt durch eine Leiterplatte mit einem aufgetragenen metallischen Schichtaufbau,Fig. 1, a cross section through a printed circuit board with a deposited metallic layer structure,
Fig. 2, einen Querschnitt durch die Leiterplatte gemäßFig. 1, mit durch die Einwirkung einer kurzwelligen elektromagnetischen Strahlung abgetragenen Isolationskanälen,FIG. 2 shows a cross section through the printed circuit board according toFIG. 1, with insulation channels removed by the action of a short-wave electromagnetic radiation,
Fig. 3, einen Querschnitt durch die Leiterplatte gemäßFig. 1 und 2, mit einer aufgebrachten Metallschicht.Fig. 3, a cross section through the circuit board according toFIGS. 1 and 2, with an applied metal layer.
In der Zeichnung ist mit1 ein Substrat, d. h. eine Leiterplatte bezeichnet, die in an sich bekannter Weise aus einem nichtleitenden Polymer besteht. Auf der Oberfläche des Substrates1 ist ein metallischer Schichtaufbau2 in einer Dicke von 5 bis 500 nm, vorzugsweise in einer Dicke von 10 bis 100 nm aufgebracht. Das Aufbringen des metallischen Schichtaufbaus2 erfolgt z. B. durch Aufdampfen bzw. Sputtern. Im vorliegenden Ausführungsbeispiel ist der metallische Schichtaufbau2 zweischichtig von einem auf das Substrat1 aufgedampften Metallhaftfilm3 und von einem auf den Metallhaftfilm3 aufgedampften Metallfilm4 gebildet. Der Metallhaftfilm3 besteht z. B. aus Cr und dient der Herstellung einer sicheren Haftung des metallischen Schichtaufbaus2 auf dem Substrat1. Der Metallfilm4 ist, um eine spätere stromlose Metallisierung zu ermöglichen, von einem katalytisch wirkenden Metall gebildet. Grundsätzlich kann der metallische Schichtaufbau2 jedoch durchaus auch einschichtig aufgebaut und ausschließlich von einem katalytisch wirkenden Metall gebildet sein. Wichtig ist es, daß der metallische Schichtaufbau2 in den später zu metallisierenden Bereichen vollflächig auf die Oberfläche des Substrates1 aufgebracht ist.In the drawing,1 denotes a substrate, ie a printed circuit board, which consists of a non-conductive polymer in a manner known per se. A metallic layer structure2 is applied to the surface of the substrate1 in a thickness of 5 to 500 nm, preferably in a thickness of 10 to 100 nm. The application of the metallic layer structure2 takes place, for. B. by vapor deposition or sputtering. In the present embodiment, the metallic layer structure2 has two layers constituted by a vapor-deposited on the substrate1 adherent metallic film3, and a vapor-deposited on the metal bonding film3 metal film.4 The metal adhesive film3 consists, for. B. from Cr and serves to produce a secure adhesion of the metallic layer structure2 on the substrate.1 The metal film4 is formed from a catalytically active metal in order to enable a later electroless metallization. In principle, however, the metallic layer structure2 can also be constructed in one layer and be formed exclusively from a catalytically active metal. It is important that the metallic layer structure2 is applied to the entire surface of the surface of the substrate1 in the areas to be metallized later.
Aus derFig. 2 der Zeichnung ist ersichtlich, daß der metallische Schichtaufbau2 des Substrates1 zur Strukturierung einer kurzwelligen elektromagnetischen Strahlung5 z. B. eines in der Zeichnung nicht dargestellten Excimerlasers ausgesetzt wird. Sofern die Eindringtiefe der Photonen beispielsweise etwa 20 bis 30 nm beträgt, so wird dabei der metallische Schichtaufbau2, sofern dessen Dicke geringer ist als die Eindringtiefe der Photonen, ohne Abtrag durchstrahlt und die Energie im wesentlichen erst an der Phasengrenze zum polymeren Substrat1 absorbiert. Ein sich im Bereich der Einwirkung der elektromagnetischen Strahlung an der Phasengrenze zum polymeren Substrat1 unterhalb des metallischen Schichtaufbaus2 ausbildendes, in der Zeichnung nicht dargestelltes Plasma bewirkt dann, daß der metallische Schichtaufbau2 unter Ausbildung von Isolationskanälen6 rückstandslos entfernt wird.FromFig. 2 of the drawing it can be seen that the metallic layer structure2 of the substrate1 for structuring a short-wave electromagnetic radiation5 z. B. is exposed to an excimer laser, not shown in the drawing. If the penetration depth of the photons is, for example, about 20 to 30 nm, the metallic layer structure2 , provided that its thickness is less than the penetration depth of the photons, is irradiated without removal and the energy is absorbed essentially only at the phase boundary with the polymeric substrate1 . A plasma which is formed in the area of the action of the electromagnetic radiation at the phase boundary with the polymeric substrate1 below the metallic layer structure2 and is not shown in the drawing then causes the metallic layer structure2 to be removed without residue, with the formation of isolation channels6 .
Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung wird der metallische Schichtaufbau in einer Dicke von lediglich 10 bis 20 nm aufgetragen. Wie sich gezeigt hat, ist das sich unterhalb eines metallischen Schichtaufbaus dieser geringen Dicke ausbildende Plasma völlig überraschend offenbar dazu in der Lage, den Schichtaufbau rückstandslos abzusprengen, wobei in vorteilhafter Weise äußerst randscharfe Bruchkanten ausgebildet werden. Es sind somit extrem saubere Schnittkanten erzielbar, die bisher nicht erreichbar waren. Es ist somit möglich, in der Primerschicht2 feinste Strukturen mit einer Breite von bis zu etwa 5 µm zu erzeugen. Beim Abtrag des metallischen Schichtaufbaus2 ist jedoch zu beachten, daß eine später aufgebrachte Metallschicht7 möglicherweise auch an den Rändern der Isolationskanäle6 aufgebaut wird. Die Isolationskanäle6 müssen aus diesem Grunde an jedem dieser Ränder um die Stärke der aufgebrachten Metallschichten7 breiter abgetragen werden, als es an sich für die Isolierung erforderlich ist.According to a preferred embodiment of the invention, the metallic layer structure is applied in a thickness of only 10 to 20 nm. As has been shown, the plasma which forms below a metallic layer structure of this small thickness is surprisingly capable of blasting off the layer structure without any residues, advantageously with extremely sharp edges. This means that extremely clean cutting edges can be achieved that were previously unattainable. It is thus possible to produce the finest structures in the primer layer2 with a width of up to approximately 5 μm. When removing the metallic layer structure2 , however, it should be noted that a later applied metal layer7 may also be built up at the edges of the insulation channels6 . For this reason, the insulation channels6 have to be removed wider at each of these edges by the thickness of the applied metal layers7 than is actually required for the insulation.
Ein weiterer vorteilhafter Effekt ergibt sich aus der Tatsache, daß der vorzugsweise durch Aufdampfen bzw. Sputtern auf das Substrat1 aufgebrachte metallische Schichtaufbau2 scharf abgegrenzt auf dessen Oberfläche angeheftet ist, ohne diese zu durchdringen. Es ist folglich zum erforderlichen sicheren, vollständigen Abtrag des metallischen Schichtaufbaus2 im Vergleich zu den bekannten Verfahren nicht erforderlich, auch das Substrat oberflächlich zu entfernen. Es ergibt sich letztlich erst hieraus die Möglichkeit, in äußerst vorteilhafter Weise sehr schnell mit einer elektromagnetischen Strahlung5 einer so geringen Energiedichte zu arbeiten, daß weder ein direkter Abtrag des metallischen Schichtaufbaus2, noch ein Polymerabtrag am Substrat1 erfolgt. So können als sehr positiver Randeffekt schädliche Ablagerungen in den Isolationskanälen6 sicher vermieden werden.A further advantageous effect results from the fact that the metallic layer structure2 , which is preferably applied to the substrate1 by vapor deposition or sputtering, is adhered to the surface in a sharply delimited manner without penetrating it. It is consequently not necessary in order to remove the metallic layer structure2 reliably and completely, in comparison to the known methods, to also remove the substrate on the surface. Ultimately, this results in the possibility of working very quickly with electromagnetic radiation5 of such a low energy density in an extremely advantageous manner that neither a direct removal of the metallic layer structure2 nor a polymer removal on the substrate1 takes place. In this way, harmful deposits in the insulation channels6 can be reliably avoided as a very positive edge effect.
Die Begrenzung der Strahlung5 auf den Bereich der Isolationskanäle6 des metallischen Schichtaufbaus2 erfolgt beispielsweise durch die Anordnung einer Maske im Strahlengang eines Excimerlasers. Selbstverständlich ist es auch möglich, mittels eines Abbildungsverfahrens bzw. mittels eines fokussierten Laserstrahls, den metallischen Schichtaufbau2 sehr fein strukturiert abzutragen.The radiation5 is limited to the region of the insulation channels6 of the metallic layer structure2 , for example by arranging a mask in the beam path of an excimer laser. Of course, it is also possible to remove the metallic layer structure2 in a very finely structured manner by means of an imaging method or by means of a focused laser beam.
Wie in derFig. 3 dargestellt, wird nach dem Abtragen des metallischen Schichtaufbaus2, d. h. nach Fertigstellung der Isolationskanäle6, auf die verbliebenen Strukturen des metallischen Schichtaufbaus2 eine Metallschicht7 aufgebracht, die Leiterbahnen8 bildet. Die Metallisierung der verbliebenen Primergeometrien erfolgt mittels eines handelsüblichen stromlosen Metallisierungsbades, wobei eine Metallstärke von 2 µm in 1 Sekunde erreichbar ist. Die stromlose Metallisierung gewährleistet eine außerordentlich gleichmäßige Schichtstärke. Die aufgebrachten Metallschichten7 können zudem extrem dünn gehalten werden, wobei Schichtdicken mit einer Stärke von 0,5-30 µm, bevorzugt 1-10 µm, eingestellt werden.As shown inFIG. 3, after the metallic layer structure2 has been removed, that is to say after the insulation channels6 have been completed , a metal layer7 , which forms conductor tracks8, is applied to the remaining structures of the metallic layer structure2 . The remaining primer geometries are metallized by means of a commercially available electroless metallization bath, a metal thickness of 2 μm being achievable in 1 second. The electroless metallization ensures an extremely uniform layer thickness. The applied metal layers7 can also be kept extremely thin, layer thicknesses having a thickness of 0.5-30 μm, preferably 1-10 μm, being set.
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19951721ADE19951721A1 (en) | 1999-10-27 | 1999-10-27 | Very fine circuit production on polymer involves structurization by erosion with short wavelength electromagnetic radiation using metal coat penetrated by photons and erosion by plasma formed at interface with polymer |
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19951721ADE19951721A1 (en) | 1999-10-27 | 1999-10-27 | Very fine circuit production on polymer involves structurization by erosion with short wavelength electromagnetic radiation using metal coat penetrated by photons and erosion by plasma formed at interface with polymer |
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE19951721A1true DE19951721A1 (en) | 2000-06-15 |
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19951721AWithdrawnDE19951721A1 (en) | 1999-10-27 | 1999-10-27 | Very fine circuit production on polymer involves structurization by erosion with short wavelength electromagnetic radiation using metal coat penetrated by photons and erosion by plasma formed at interface with polymer |
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE19951721A1 (en) |
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10109786A1 (en)* | 2001-02-28 | 2002-12-12 | Fractal Ag | Process for the production of printed circuit boards |
| WO2004091842A1 (en)* | 2003-04-11 | 2004-10-28 | Lpkf Laser & Electronics Ag | Method for producing multiple layer systems |
| WO2005066616A3 (en)* | 2003-06-20 | 2005-11-10 | Roche Diagnostics Gmbh | Biosensor and method of making |
| US7510985B1 (en) | 2005-10-26 | 2009-03-31 | Lpkf Laser & Electronics Ag | Method to manufacture high-precision RFID straps and RFID antennas using a laser |
| US7629261B2 (en) | 2005-04-05 | 2009-12-08 | Plastic Logic Limited | Patterning metal layers |
| US7836588B2 (en) | 2006-07-06 | 2010-11-23 | Ideon Llc | Method for fabricating an electronic device |
| US7892849B2 (en) | 2003-06-20 | 2011-02-22 | Roche Diagnostics Operations, Inc. | Reagent stripe for test strip |
| US8287703B2 (en) | 1999-10-04 | 2012-10-16 | Roche Diagnostics Operations, Inc. | Biosensor and method of making |
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8287703B2 (en) | 1999-10-04 | 2012-10-16 | Roche Diagnostics Operations, Inc. | Biosensor and method of making |
| US8551308B2 (en) | 1999-10-04 | 2013-10-08 | Roche Diagnostics Operations, Inc. | Biosensor and method of making |
| DE10109786A1 (en)* | 2001-02-28 | 2002-12-12 | Fractal Ag | Process for the production of printed circuit boards |
| WO2004091842A1 (en)* | 2003-04-11 | 2004-10-28 | Lpkf Laser & Electronics Ag | Method for producing multiple layer systems |
| WO2005066616A3 (en)* | 2003-06-20 | 2005-11-10 | Roche Diagnostics Gmbh | Biosensor and method of making |
| US7892849B2 (en) | 2003-06-20 | 2011-02-22 | Roche Diagnostics Operations, Inc. | Reagent stripe for test strip |
| US7629261B2 (en) | 2005-04-05 | 2009-12-08 | Plastic Logic Limited | Patterning metal layers |
| US7510985B1 (en) | 2005-10-26 | 2009-03-31 | Lpkf Laser & Electronics Ag | Method to manufacture high-precision RFID straps and RFID antennas using a laser |
| US7836588B2 (en) | 2006-07-06 | 2010-11-23 | Ideon Llc | Method for fabricating an electronic device |
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0679052B1 (en) | Process for structured metallizing of the surface of substrates | |
| DE4447897B4 (en) | Process for the production of printed circuit boards | |
| DE69418698T2 (en) | Process for the production of printed circuit boards | |
| EP0727925A1 (en) | Process for structured metallizing of the surface of substrates | |
| DE69506000T2 (en) | METHOD FOR COATING THROUGH HOLES WITH THE AID OF A LASER | |
| EP0917597B1 (en) | Method for producing conductor track structures, especially fine conductor track structures, arranged on a nonconductive support material | |
| EP1062850B1 (en) | Method for producing printed conductor structures | |
| DE68910864T2 (en) | Selective plating by laser ablation. | |
| US5609746A (en) | Printed circuit manufacture | |
| DE68914939T2 (en) | Method for interconnecting thin-film electrical circuits. | |
| DE69601784T2 (en) | METHOD FOR SELECTIVE REMOVAL OF A METAL LAYER FROM A NON-METAL SUBSTRATE | |
| WO2006128898A9 (en) | Method for producing vertical electrical contact connections in semiconductor wafers | |
| EP0361192A2 (en) | Method of making circuit boards | |
| EP0287843A1 (en) | Process for manufacturing printed-circuit boards | |
| DE19620095A1 (en) | Circuit boards production | |
| DE10149559A1 (en) | Method and device for drilling printed wiring boards | |
| WO2003094584A1 (en) | Method for creating a trench structure in a polymer substrate | |
| DE69030215T2 (en) | Lithographic laser scanning process for the production of electronic and similar components | |
| DE19951721A1 (en) | Very fine circuit production on polymer involves structurization by erosion with short wavelength electromagnetic radiation using metal coat penetrated by photons and erosion by plasma formed at interface with polymer | |
| EP1169893A1 (en) | Method for introducing plated-through holes in an electrically insulating base material that is provided with metal layers on both sides | |
| EP0483782A2 (en) | Metallising process | |
| DE69906599T2 (en) | Method and device for laser processing | |
| WO1991009984A1 (en) | Coating process | |
| WO2008095526A2 (en) | Method for applying a structure to a semiconductor element | |
| EP0136364B1 (en) | Method and apparatus for the selective and self-adjusting deposition of metal layers and application of this method |
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| OAV | Applicant agreed to the publication of the unexamined application as to paragraph 31 lit. 2 z1 | ||
| 8141 | Disposal/no request for examination |