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DE102009030303A1 - Process for the preparation of antireflective coating-forming coatings and antireflective coatings - Google Patents

Process for the preparation of antireflective coating-forming coatings and antireflective coatings
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DE102009030303A1DE102009030303ADE102009030303ADE102009030303A1DE 102009030303 A1DE102009030303 A1DE 102009030303A1DE 102009030303 ADE102009030303 ADE 102009030303ADE 102009030303 ADE102009030303 ADE 102009030303ADE 102009030303 A1DE102009030303 A1DE 102009030303A1
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Abstract

The method for the production of a coating having antireflexion layer on a movable substrate (30) by a plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD), comprises providing a gas mixture having process-, carrier- and/or balance gas through a slit formed between two high-voltage electrodes (20) and producing plasma between a self-moving substrate that is supported by a counter electrode (50), and the high-voltage electrode. The plasma presets a plasma zone with standard, where the plasma is processed at atmospheric pressure and/or approximate atmospheric pressure. The method for the production of a coating having antireflexion layer on a movable substrate (30) by a plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD), comprises providing a gas mixture having process-, carrier- and/or balance gas through a slit formed between two high-voltage electrodes (20) and producing plasma between a self-moving substrate that is supported by a counter electrode (50), and the high-voltage electrode. The plasma presets a plasma zone with standard, where the plasma is processed at atmospheric pressure and/or approximate atmospheric pressure and a volume dose of the plasma of 2x 10 5>to 2x 10 7>Ws/m 3>is kept in the plasma zone. The plasma zone is worked with dielectric barrier discharge. The gas speed of the gas mixture is selected so that a time spent of the plasma in the plasma zone is 5-500 ms. The PECVD process is carried out so that the plasma zone comprises a pre-ionization area with decreased deposition rate and deposition area and the pre-ionization is partially carried out in gap. A reflection reduction is achieved to 2.5% in a wavelength range of 200 nm per coated substrate surface related to the uncoated substrate. The substrate has a reflexion reduction of 2.5% in the range of 300-1000 nm. A further layer is deposited on a layer that forms antireflexion layer. A layer influencing the wetting of the surface is deposited as a further layer. A layer improving the scraper stability of the surface is deposited as a further layer. The glass is float glass or cast glass. The substrate is optical transparent plastic. An independent claim is included for an antireflexion coating on a substrate.

Description

Translated fromGerman

DieErfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Antireflexschicht-bildendenBeschichtungen auf einem Substrat sowie eine Antireflexbeschichtungauf einem Substrat.TheThe invention relates to a process for the preparation of antireflective coating-formingCoatings on a substrate as well as an antireflective coatingon a substrate.

Esist bekannt, dass heutzutage transparente Kunststoffe und Glas miteiner Antireflex-Schicht versehen werden, um die Verluste durchdie Reflexion an den Oberflächen zu minimieren. Fürz. B. Brillengläser und Fensterscheiben werden dazu hauptsächlichSchichtkombinationen eingesetzt, die mindestens eine hochbrechendeSchicht enthalten. Diese Multilagenschichten werden hauptsächlich über PVD-Prozesse,wie Sputtern oder Aufdampfen, hergestellt (EP 1 206 715 A1) bzw. über PECVD/PICVD-Verfahren(DE 102 50 564 A1).Allerdings sind diese Mehrschicht-Antireflexbeschichtungen nur fürAnwendungen geeignet, bei denen die spektrale Bandbreite der Entspiegelungkleiner als eine Oktave sein darf (A. Gombert, M. Rommel,Forschungsverbund Sonnenenergie „Themen 97/98”,S. 81). Für eine breitbandige Entspiegelung, wiesie z. B. für solare Anwendungen benötigt wird,können diese Verfahren daher nicht eingesetzt werden. Zudemsind die Vielschichtsysteme für viele Anwendungen zu teuer.It is known today that transparent plastics and glass are provided with an antireflection coating in order to minimize the losses due to the reflection on the surfaces. For z. As lenses and windows are used mainly layer combinations that contain at least one high refractive index layer. These multilayer films are mainly produced by PVD processes, such as sputtering or vapor deposition ( EP 1 206 715 A1 ) or via PECVD / PICVD methods ( DE 102 50 564 A1 ). However, these multilayer antireflective coatings are only suitable for applications in which the spectral bandwidth of the antireflection coating may be less than one octave ( A. Gombert, M. Rommel, Research Group Solar Energy "Themen 97/98", p. 81 ). For a broadband anti-reflection, as z. B. is required for solar applications, these methods can therefore not be used. In addition, the multilayer systems are too expensive for many applications.

Umeine wirksame Erhöhung der solaren Transmission zu erreichen,muss der Brechungsindex des Substratmaterials (nS ≅ 1,5)an denjenigen von Luft (nL = 1) überein sehr niedrigbrechendes Dünnschichtsystem (nD < 1,3)angepasst werden. Dies ist mit den klassischen Beschichtungstechnologienals dichte Filme nicht erzielbar. Allerdings sind eine Reihe vonVerfahren für die breitbandige Transmissionserhöhungvon Acrylglas und Floatglas bereits untersucht worden (A.Gombert, M. Rommel, Forschungsverbund Sonnenenergie „Themen 97/98”,S. 81), die auf porösen bzw. mikrostrukturiertenMaterialien beruhen, bei denen ein Festkörper mit Luftgemischt wird. Die Poren bzw. Strukturen müssen fein genugsein, damit Sie von der einfallenden Strahlung nicht aufgelöstwerden.In order to achieve an effective increase in solar transmission, the refractive index of the substrate material (nS ≅ 1.5) must be adjusted to that of air (nL = 1) over a very low refractive index thin film system (nD <1.3). This is not achievable with the classical coating technologies as dense films. However, a number of methods for the broadband transmission enhancement of acrylic glass and float glass have already been investigated ( A. Gombert, M. Rommel, Research Group Solar Energy "Themen 97/98", p. 81 ), which are based on porous or microstructured materials in which a solid is mixed with air. The pores or structures must be fine enough so that they are not dissolved by the incident radiation.

ImBereich der Solaranwendungen werden solche Antireflex-Eigenschaftenauf Glas über Sol-Gel-Schichten (Centrosolar,EP 1 328 483 B1,EP 1 181 256 B1)und geätzte Oberflächen (SUNARC) schon angeboten.Eine weitere Möglichkeit ist die Abscheidung solcher porösenSchichten mittels PECVD-Verfahren unter Niederdruckbedingungen,wie es inDE 199 12 737 beschriebenist.In the field of solar applications, such antireflective properties on glass via sol-gel layers (Centrosolar, EP 1 328 483 B1 . EP 1 181 256 B1 ) and etched surfaces (SUNARC) already offered. Another possibility is the deposition of such porous layers by means of PECVD processes under low pressure conditions as described in US Pat DE 199 12 737 is described.

WennKunststoffe entspiegelt werden sollen, werden dazu häufigStrukturen in die Oberfläche geprägt oder es wirddurch Plasmaätzen die Oberfläche strukturiert(DE 103 18 566).If plastics are to be anti-reflective, structures are often embossed into the surface or the surface is patterned by plasma etching ( DE 103 18 566 ).

Injüngster Zeit werden immer häufiger Plasmen eingesetzt,die bei Umgebungsdruck arbeiten. Mit kalten, bei Atmosphärendruckbetriebenen, im technischen Sprachgebrauch auch. als „Corona-Entladungen” bezeichnetendielektrisch behinderten Entladungen („(dielektrische)Barrierenentladungen”) ist es möglich, mittelsPECVD ebenfalls Schichten abzuscheiden. Hierbei könnenebenfalls gezielt poröse Schichten hergestellt werden,die als Antireflex-Schicht eingesetzt werden können. InEP 1 342 810,EP 1 819 843 A,WO 08/045226 A wird dies über denEinsatz von Organosiloxanen auf Kunststoffen erreicht. BeiJidenko(J. Phys. D: Appl. Phys. 40 (2007) 4155–4163) undBorra(J. Phys. D: Appl. Phys. 39 (2006) R19–R54) istdie Bildung von porösen Schichten mittels Silan als Monomerbeschrieben.More recently, plasmas that operate at ambient pressure are being used more and more frequently. With cold, operated at atmospheric pressure, in technical usage as well. dielectrically impeded discharges ("(dielectric) barrier discharges") called "corona discharges", it is also possible to deposit layers by means of PECVD. In this case, targeted porous layers can also be produced, which can be used as an antireflection layer. In EP 1 342 810 . EP 1 819 843 A . WO 08/045226 A This is achieved through the use of organosiloxanes on plastics. at Jidenko (J. Phys. D: Appl. Phys. 40 (2007) 4155-4163) and Borra (J. Phys. D: Appl. Phys. 39 (2006) R19-R54) describes the formation of porous layers by means of silane as a monomer.

Allediese Schichten bzw. porösen Materialien zeigen einen sehr ähnlichen,optisch nahezu gleichen Verlauf der Transmission bzw. Reflexion.Sie können über die Schichtdicke und den Brechungsindexin einem begrenzten spektralen Bereich auf eine gute Transmissionbzw. geringe Reflexion optimiert werden. Eine breitbandige Entspiegelungkann damit aber nicht erreicht werden.Allthese layers or porous materials show a very similar,optically almost the same course of the transmission or reflection.You can about the layer thickness and the refractive indexin a limited spectral range to a good transmissionor low reflection can be optimized. A broadband anti-reflective coatingbut can not be achieved with it.

Ausgehendhiervon ist es Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine kostengünstige,breitbandige Entspiegelung von Substraten zu ermöglichen,wobei auch die Brechungsindices der benachbarten Schichten angepasstsein sollen.outgoingIt is the object of the present invention to provide a cost-effective,to enable broadband antireflective of substrateswherein also the refractive indices of the adjacent layers are adjustedshould be.

DieseAufgabe wird durch das Verfahren mit den Merk malen des Anspruchs1 gelöst. Anspruch 23 betrifft eine Antireflexbeschichtung.Weitere vorteilhafte Ausführungsformen sind in den abhängigen Ansprüchenenthalten.TheseThe object is achieved by the method with the features of the claim1 solved. Claim 23 relates to an antireflective coating.Further advantageous embodiments are in the dependent claimscontain.

Erfindungsgemäß wirdein Verfahren zur Herstellung mindestens einer eine Antireflexschicht bildendenBeschichtung auf einem sich bewegenden Substrat, mittels eines PECVD-Verfahrensbereitgestellt, wobei eine Gasmischung umfassend mindestens einArbeits-, Träger- sowie Balancegas durch mindestens einenzwischen mindestens zwei Hochspannungselektroden bildenden Spaltgeführt wird und mindestens zwischen dem sich bewegenden Substrat,das von mindestens einer Gegenelektrode getragen wird, und den Hochspannungselektroden einPlasma erzeugt wird, das eine Plasmazone vorgibt mit der Maßgabe,dass bei Atmosphärendruck bzw. annäherndem Atmosphärendruckgearbeitet wird und eine Volumendosis des Plasmas von 105 bis 108 Ws/m3 in der Plasmazone eingehalten wird.According to the invention, a process is provided for producing at least one antireflection coating on a moving substrate by means of a PECVD process, wherein a gas mixture comprising at least one working, carrier and balance gas is passed through at least one gap forming between at least two high voltage electrodes and at least between the moving substrate carried by at least one counterelectrode and the high voltage electrodes, a plasma is generated which provides a plasma zone with the proviso that operating at atmospheric pressure or approximately atmospheric pressure and a volume dose of the plasma from 105 to 108 Ws / m3 is maintained in the plasma zone.

Unterannäherndem Atmosphärendruck wird erfindungsgemäß einDruck zwischen 0,9 und 1,1 bar verstanden. Mit dem erfindungsgemäßenVerfahren ist es möglich, über einen PECVD-Prozessbei Atmosphärendruck (bzw. annäherndem Atmosphärendruck)eine sehr breitbandige (mehrere 100 nm) Entspiegelung bzw. Erhöhungder Transmission zu erreichen. Dazu wurde die Anordnung eines Elektrodensystemsmit einem Gaseinlass und mehreren Hochspannungselektroden dahingehendoptimiert, dass die in einem Schritt, d. h. bei nur einer Passageder zu entspiegelnden Scheibe durch eine Beschichtungsvorrichtung,abgeschiedene Schicht unterschiedliche Brechungsindices enthält.Wichtig ist dabei, dass die Anzahl der Elektroden sowie die Gaszufuhrund Gasabfuhr genau auf das Monomer abgestimmt wer den, um die optimalenoptischen Eigenschaften zu erhalten.Under approximate atmospheric pressure is understood according to the invention a pressure between 0.9 and 1.1 bar. With the method according to the invention, it is possible via a PECVD process at atmo Spherical pressure (or approximate atmospheric pressure) to achieve a very broadband (several 100 nm) anti-reflection or increase in the transmission. For this purpose, the arrangement of an electrode system with a gas inlet and a plurality of high-voltage electrodes has been optimized such that the layer deposited in one step, ie, only one passage of the wafer to be coated by a coating apparatus, contains different refractive indices. It is important that the number of electrodes and the gas supply and gas removal matched exactly to the monomer who the, to obtain the optimum optical properties.

Bevorzugtliegt die Volumendosis im Bereich von 2 × 105 bis2 × 107 Ws/m3.Dadurch wird eine optimale Beschichtung des Substrates ermöglicht.So ist es möglich, eine Oberfläche zu erhalten,die möglichst gleichmäßig beschichtetist. Die Volumendosis setzt sich dabei aus der Leistung pro Volumenund der Verweilzeit des Prozessgases in der Plasmazone in dem Volumenzusammen. Sie ist ein Maß für den Umsetzungsgraddes Precursors.Preferably, the volume dose is in the range of 2 × 105 to 2 × 107 Ws / m3 . As a result, an optimum coating of the substrate is made possible. So it is possible to obtain a surface that is coated as evenly as possible. The volume dose is composed of the power per volume and the residence time of the process gas in the plasma zone in the volume. It is a measure of the degree of conversion of the precursor.

Weiterhinkann in dem erfindungsgemäßen Verfahren mit einerdielektrischen Barriereentladung gearbeitet werden.Farthercan in the inventive method with adielectric barrier discharge to be worked.

DieGasgeschwindigkeit der Gasmischung kann dabei so gewähltwerden, dass eine Verweildauer des Plasmas in der Plasmazone von1 ms bis 1000 ms eingehalten wird. Dies ermöglicht einehomogene Beschichtung der Oberfläche in Abhängigkeitvon den eingesetzten Substraten wie auch dem Arbeits-, Träger-sowie Balancegas. Vorteilhaft ist eine Verweildauer von 5 ms bis500 ms.TheGas velocity of the gas mixture can be chosen sobe that a residence time of the plasma in the plasma zone of1 ms to 1000 ms is maintained. This allows ahomogeneous coating of the surface in dependenceof the substrates used as well as the working, carrieras well as balance gas. An advantage is a residence time of 5 ms to500 ms.

Alternativkann das PECVD-Verfahren so betrieben werden, dass die Plasmazoneeinen Vorionisationsbereich mit verminderter Abscheiderate und einenAbscheidebereich umfasst.alternativeThe PECVD method can be operated so that the plasma zonea Vorionisationsbereich with reduced deposition rate and aSeparation area includes.

Bevorzugtwird das PECVD-Verfahren so betrieben, dass die Vorionisation mindestensteilweise im Spalt erfolgt. Dabei kann die Anordnung fürdas Verfahren aus z. B. einer Gaszufuhr in der Mitte und mindestenseiner oder mehrerer beliebig breiter Elektroden auf je der Seiteder Gaszufuhr bestehen, wodurch auch eine gezielte Absaugung desGases so realisiert werden kann. Durch eine geeignete elektrischeAnordnung kann die Vorionisation auch zwischen den Elektroden erfolgen,so dass auf dem Substrat nur die Abscheidung erfolgt. Im Bereichder Vorionisation wird üblicherweise nur eine geringfügigeSchicht abgeschieden, wohingegen in der Abscheidungszone die eigentlicheAbscheidung erfolgt.Prefersthe PECVD process is operated so that the pre-ionization at leastpartially done in the gap. The arrangement forthe method of z. B. a gas supply in the middle and at leastone or more arbitrarily wide electrodes on each sideconsist of gas supply, whereby a targeted extraction of theGases can be realized. By a suitable electricalArrangement, the preionization can also take place between the electrodes,so that only the deposition takes place on the substrate. In the areaThe preionization is usually only a minorLayer deposited, whereas in the deposition zone, the actualDeposition takes place.

Vorteilhafterweisewird mit dem erfindungsgemäßen Verfahren pro beschichteterSubstratoberfläche, bezogen auf das unbeschichtete Substrat, eineReflektionsminderung um mindestens 2,5% in einem Wellenlängenbereichvon mindestens 200 nm erreicht. Dieser Bereich kann variabel zwischen200 nm und 1500 nm eingestellt werden und z. B. zwischen 300 nmund 500 nm, 400 nm und 600 nm oder 500 nm und 700 nm liegen.advantageously,is coated with the method according to the invention proSubstrate surface, based on the uncoated substrate, aReflection reduction by at least 2.5% in one wavelength rangeof at least 200 nm. This area can be variable between200 nm and 1500 nm are set and z. B. between 300 nmand 500 nm, 400 nm and 600 nm or 500 nm and 700 nm.

BeimDurchgang eines Lichtstrahls durch eine Scheibe wird das Licht anGrenzflächen reflektiert und in den Materialien absorbiert;aus Gründen der Energieerhaltung ist die transmittierteIntensität, bezogen auf eine einfallende Intensitätvon 100%, gegeben durch T = 100% – R – A, wobeiR und A die „Energieverluste” durch Reflexionund Absorption bezeichnen. Wenn es gelingt, durch Entspiegelungeiner Grenzfläche des ursprünglich unbeschichteten Glasesdie Reflexion um x% zu verringern, steigt T um x% an. Die theoretischmaximal mögliche Entspiegelung einer Grenzflächeeines Materials mit dem Brechungsindex ns beträgtdabei [(ns – 1)/(ns + 1)]2, bei gewöhnlichem Glas mit ns ≈ 1,5 also 4,0%.As a light beam passes through a disk, the light is reflected at interfaces and absorbed in the materials; for energy conservation reasons, the transmitted intensity, based on an incident intensity of 100%, is given by T = 100% - R - A, where R and A denote the "energy losses" by reflection and absorption. If it is possible to reduce the reflection by x% by antireflecting an interface of the originally uncoated glass, T increases by x%. The theoretically maximum possible antireflection of an interface of a material with the refractive index ns is [(ns -1) / (ns + 1)]2 , in the case of ordinary glass with ns ≈ 1.5 that is 4.0%.

DasSubstrat weist bevorzugt im Bereich von 300 bis 1000 nm eine Reflektionsminderungvon mindestens 2,5% auf. Dies umfasst folglich nicht nur den Bereichdes sichtbaren Lichtes, sondern auch einen Teil des nahen Infrarot-Bereichssowie auch des UV-Lichtes. Somit ist das erfindungsgemäßeVerfahren für eine große spektrale Bandbreiteund damit verbundenen, verschiedenen Anforderungen einsetzbar.TheSubstrate preferably has a reflection reduction in the range of 300 to 1000 nmof at least 2.5%. Consequently, this does not only cover the areaof visible light, but also a part of the near infrared rangeas well as the UV light. Thus, the inventionMethod for a large spectral bandwidthand related, various requirements can be used.

Eskann auch mit dem erfindungsgemäßen Verfahreneine eine Antireflexschicht bildende Beschichtung abgeschieden werden.Itcan also with the method according to the inventiona coating forming an antireflective layer is deposited.

Weiterhinkann auf der mindestens einen Schicht, die eine Antireflexschichtbildet, mindestens eine weitere Schicht abgeschieden werden.Farthercan be on the at least one layer containing an antireflective layerforms, at least one further layer to be deposited.

Vorteilhafterweisekann als mindestens eine weitere Schicht eine die Benetzung derOberfläche beeinflussende Schicht abgeschieden werden.Dies kann eine hydrophobe Schicht sein, die z. B. mittels Hexamethylcyclotrisiloxan,Hexamethyldisiloxan oder einer Fluorverbindung (c-C4F8 oder CF4) unter inertenBedingungen (Ar, He, N2 als Trägergas)abgeschieden werden kann und einen Wasserrandwinkel über90° aufweist.Advantageously, a layer influencing the wetting of the surface can be deposited as at least one further layer. This may be a hydrophobic layer, the z. B. by hexamethylcyclotrisiloxane, hexamethyldisiloxane or a fluorine compound (cC4 F8 or CF4 ) under inert conditions (Ar, He, N2 as a carrier gas) can be deposited and has a water edge angle over 90 °.

Bevorzugtwird als mindestens eine weitere Schicht eine die Kratzfestigkeitder Oberfläche verbessernde Schicht abgeschieden. Diesermöglicht einen Einsatz der Substrate auch unter extremeren Umgebungsbedingungen,wie z. B. im Außenbereich. Dies kann eine glasartige SiOx-Schicht sein, wie sie im Beispiel 3 beschriebenist.Preferably, a layer which improves the scratch resistance of the surface is deposited as at least one further layer. This allows use of the substrates even under extreme environmental conditions, such. B. in the outdoor area. This may be a glassy SiOx layer, as described in Example 3.

AlsArbeitsgas wird bevorzugt mindestens ein Precursor ausgewähltaus Silanen, Organosilanen, Organosiloxanen, Organosilazanen, Alkoxysilanen,fluorhaltigen Monomeren und/oder Mischungen hiervon eingesetzt.As the working gas is preferably at least a precursor selected from silanes, organosilanes, organosiloxanes, organosilazanes, alkoxysilanes, fluorine-containing monomers and / or mixtures thereof used.

Hierbeiist das Organosilan ausgewählt aus Substanzen wie z. B.Tetramethylsilan, Trimethylsilan oder Mischungen hiervon. Hierbeiist das Organosiloxan ausgewählt aus Substanzen wie z.B. Hexamethyldisiloxan, Octamethyltrisiloxan oder Mischungen hiervon.Hierbei ist das Organosilazan ausgewählt aus Substanzenwie z. B. Hexamethyldisilazan, Octamethyltrisilazan oder Mischungenhiervon. Hierbei ist das Alkoxysilan ausgewählt aus Substanzenwie z. B. Tetramethoxysilan, Tetraethoxysilan, Aminopropyltrimethoxysilanoder Mischungen hiervon.in this connectionis the organosilane selected from substances such. B.Tetramethylsilane, trimethylsilane or mixtures thereof. in this connectionis the organosiloxane selected from substances such.Hexamethyldisiloxane, octamethyltrisiloxane or mixtures thereof.Here, the organosilazane is selected from substancessuch as As hexamethyldisilazane, octamethyltrisilazane or mixtureshereof. Here, the alkoxysilane is selected from substancessuch as For example, tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, aminopropyltrimethoxysilaneor mixtures thereof.

DerBegriff „Arbeitsgas” beinhaltet eine reaktiveSubstanz, die bei Standard-Bedingungen (Raumtemperatur, Normaldruck)gasförmig sein kann und polymerisierbar ist, so dass sieauf dem Substrat eine Beschichtung bilden kann.Of theTerm "working gas" includes a reactive oneSubstance which under standard conditions (room temperature, normal pressure)may be gaseous and is polymerizable, so theycan form a coating on the substrate.

Jenach Precursor können die Hydrophilie der Oberflächeerhöht werden oder hydrophobe Schichten aufgebracht werdenbzw. die Kratzfestigkeit und damit die Stabilität der Schichtenerhöht werden. Ein Maß für den Umsetzungsgraddes Precursors in der Plasmazone ist die bereits genannte Volumendosis.everAfter Precursor, the hydrophilicity of the surfacebe increased or hydrophobic layers are appliedor the scratch resistance and thus the stability of the layersincrease. A measure of the degree of implementationof the precursor in the plasma zone is the volume dose already mentioned.

Bevorzugtist das Balancegas ausgewählt aus Luft, CO2,O2, NH3, N2O, He, N2, Ar. DasBalancegas ist erfindungsgemäß ein reaktives odernicht reaktives Gas, das dem Trägergas und Arbeitsgas vorder Plasmazone beigemischt wird.Preferably, the balance gas is selected from air, CO2 , O2 , NH3 , N2 O, He, N2 , Ar. The balance gas according to the invention is a reactive or non-reactive gas which is added to the carrier gas and working gas in front of the plasma zone.

DasTrägergas ist vorzugsweise ausgewählt aus Edelgasenoder Inertgasen, insbesondere Helium, Argon und Stickstoff. Trägergasesind Gase, die das Arbeitsgas in die Plasmazone trägt.TheCarrier gas is preferably selected from noble gasesor inert gases, in particular helium, argon and nitrogen. carrier gasesare gases that carry the working gas into the plasma zone.

Vorteilhafterweisewird als Substrat Glas, insbesondere Floatglas oder Gussglas, eingesetzt. Somitsind diese Schichten hervorragend u. a. für den Einsatzim Bereich Verglasung und solare Anwendung geeignet. Mit diesemVerfahren können alle möglichen planaren Substrate,wie Folien, Platten oder Scheiben aus Glas, Silizium, Gummi oder Kunststoffbeschichtet werden. Weiterhin kann durch eine dynamische Beschichtung,d. h. durch Bewegung des Substrates oder des Elektrodenkopfes, einebesonders gute Beschichtung und damit eine breitbandige Entspiegelungerreicht werden.advantageously,is used as a substrate glass, in particular float glass or cast glass. ConsequentlyThese layers are excellent u. a. for usesuitable for glazing and solar applications. With thisMethods can be any possible planar substrates,such as foils, plates or discs made of glass, silicon, rubber or plasticbe coated. Furthermore, by means of a dynamic coating,d. H. by movement of the substrate or the electrode head, aparticularly good coating and thus a broadband anti-reflection coatingbe achieved.

AlsSubstrat können ferner auch Polymere, insbesondere optischtransparente Kunststoffe, eingesetzt werden.WhenSubstrate can also polymers, in particular opticallytransparent plastics, are used.

Weiterhinist eine durch eines der bisher beschriebenen Verfahren herstellbareAntireflexbeschichtung auf einem Substrat erfindungsgemäß.Fartheris a producible by one of the methods described so farAntireflection coating on a substrate according to the invention.

Anhandder nachfolgenden1 bis5 sowieder Beispiele 1 bis 3 soll der anmeldungsgemäße Gegenstandnäher erläutert werden, ohne diesen auf diesespeziellen Varianten einzuschränken.Based on the following 1 to 5 as well as Examples 1 to 3, the object according to the application is intended to be explained in more detail, without restricting it to these special variants.

1 zeigtdie berechnete Reflexion eines mit porösen SiO2-Schichtenbeidseitig entspiegelten Floatglases. 1 shows the calculated reflection of a double-coated with porous SiO2 layers float glass.

2A zeigtden schematischen Aufbau zur Beschichtung von Substraten. 2A shows the schematic structure for coating substrates.

2B zeigtdie Schichtdicke sowie den Brechungsindex in Abhängigkeitvon der Messposition. 2 B shows the layer thickness and the refractive index as a function of the measuring position.

3A zeigtdie Abhängigkeit der Reflexion von der Wellenlänge. 3A shows the dependence of the reflection on the wavelength.

3B zeigtdie Abhängigkeit der Transmission von der Wellenlänge. 3B shows the dependence of the transmission on the wavelength.

4A zeigteine mögliche Anordnung zur Abscheidung der breitbandigenAntireflexbeschichtung, wobei das Substrat breiter ist als der Bereich derGaszufuhr bzw. des Gasauslasses und der Hochspannungselektroden. 4A shows a possible arrangement for the deposition of the broadband antireflection coating, wherein the substrate is wider than the area of the gas supply or the gas outlet and the high voltage electrodes.

4B zeigteine weitere mögliche Anordnung zur Abscheidung der breitbandigenAntireflexbeschichtung, wobei hier das Substrat schmaler ist alsdie Summe aus Hochspannungselektroden und Gaszufuhr bzw. Auslass. 4B shows a further possible arrangement for the deposition of the broadband antireflection coating, in which case the substrate is narrower than the sum of high voltage electrodes and gas supply or outlet.

4C zeigteine weitere mögliche Anordnung zur Abscheidung der breitbandigenAntireflexbeschichtung, wobei die Gaszufuhr zwischen den zwei Hochspannungselektrodenerfolgt und der Auslass links bzw. rechts neben den Hochspannungselektrodenangeordnet ist. 4C shows another possible arrangement for depositing the broadband antireflection coating, wherein the gas supply between the two high-voltage electrodes is carried out and the outlet is arranged to the left or right of the high voltage electrodes.

5A zeigtden Einfluss der elektrischen Anordnung auf die Bereiche der Vorionisationund der Abscheidung, wobei die Hochspannung auf beiden Elektrodengleichphasig geschaltet ist. 5A shows the influence of the electrical arrangement on the areas of the preionization and the deposition, wherein the high voltage is connected in phase on both electrodes.

5B zeigtden Einfluss der elektrischen Anordnung auf die Bereiche der Vorionisationund der Abscheidung, wobei die Hochspannung gegenphasig geschaltetist. 5B shows the influence of the electrical arrangement on the areas of the preionization and the deposition, wherein the high voltage is connected in phase opposition.

1 zeigtdie berechnete Reflexion eines mit po rösen SiO2-Schichtenbeidseitig entspiegelten Floatgases. Der effektive Brechungsindexn = 1,24 und die Schichtdicke beträgt 150 nm. Die berechnete Reflexionsteigt im Bereich von 250 bis 400 nm auf 9% und fällt biszu einer Wellenlänge von 700 nm wieder auf 0 ab. Danacherhöht sich der Wert für die berechnete Reflexionin einem Wellenlängen-Bereich von 700 bis 1.500 nm nahezulinear und nähert sich im darauf folgenden einem Maximumvon 7% an. 1 shows the calculated reflection of a floating SiO2 layers coated on both sides with floating SiO2 layers. The effective refractive index n = 1.24 and the layer thickness is 150 nm. The calculated reflection increases in the range of 250 to 400 nm to 9% and falls to a wavelength of 700 nm back to 0. Thereafter, the value for the calculated reflection in a wavelength range of 700 to 1,500 nm almost linearly increases and thereafter approaches a maximum of 7%.

In2A istder Aufbau für das erfindungsgemäße Beschichtungsverfahrendargestellt. Der Gaseinlass10 erfolgt zwischen den zweiHochspannungselektroden20 auf das Glassubstrat30.Das Glassubstrat30 ist hierbei auf der Gegenelektrode50 angeordnet.Mit den Ziffern1 bis5 sind verschiedene Messpositionen,die sich auf dem Glassubstrat30 befinden, bezeichnet.In 2A the structure for the coating process according to the invention is shown. The gas inlet 10 occurs between the two high voltage electrodes 20 on the glass substrate 30 , The glass substrate 30 is here on the counter electrode 50 arranged. With the numbers 1 to 5 are different measuring positions that are on the glass substrate 30 are designated.

2B zeigtdie Abhängigkeit der Schichtdicke sowie der Brechungsindicesvon der Messposition1 bis5. Die Schichtdickeliegt bei Messposition1 bis3 im Bereich von50 nm und bei Messposition4 und5 im Bereichvon 350 nm. Der Brechungsindex liegt für Messposition1 bei1,125 und für Messposition2 und3 imBereich von 1,05. Für die Messpositionen4 und5 liegtder Brechungsindex bei 1,2 bzw. 1,1525. In2b istder Brechungsindex und Schichtdickenverlauf einer statischen Beschichtung mitSilan dargestellt. 2 B shows the dependence of the layer thickness and the refractive indices on the measuring position 1 to 5 , The layer thickness is at the measuring position 1 to 3 in the range of 50 nm and at the measuring position 4 and 5 in the range of 350 nm. The refractive index is for measuring position 1 at 1,125 and for measurement position 2 and 3 in the range of 1.05. For the measuring positions 4 and 5 the refractive index is 1.2 or 1.1525. In 2 B the refractive index and layer thickness profile of a static coating with silane is shown.

3A zeigtdie Reflexion in Abhängigkeit von der Wellenlängebei einer erfindungsgemäßen, beidseitigen Antireflexbeschichtungauf Floatglas, wobei das Substrat oder der Elektrodenkopf bewegt wird.die Reflexion der Antireflexschicht liegt im Bereich von 0 bis 600nm bei 1% und sinkt in einem Bereich bis ca. 800 nm auf 0,5% ab.Danach folgt ein Anstieg der Reflexion, der im Bereich von 2.000bis 2.500 gegen ein Maximum, hier 5%, geht. Die Referenz (unbeschichtetesFloatglas) weist im Bereich von 0 bis 100 nm einen Anstieg der Reflexionvon 5,5 auf 8,5% auf. Danach sinkt die prozentuale Reflexion geringfügig,liegt aber über den ganzen gemessenen Wellenlängenbereichdeutlich über der Reflexion der erfindungsgemäßenAntireflexschicht. 3A shows the reflection as a function of the wavelength in a two-sided antireflection coating according to the invention on float glass, wherein the substrate or the electrode head is moved. the reflection of the antireflection layer is in the range of 0 to 600 nm at 1% and decreases in a range up to about 800 nm to 0.5%. This is followed by an increase in the reflection, which goes in the range of 2,000 to 2,500 against a maximum, here 5%. The reference (uncoated float glass) has an increase in reflection from 5.5 to 8.5% in the range of 0 to 100 nm. Thereafter, the percentage reflection decreases slightly, but is well above the reflection of the antireflection coating according to the invention over the entire measured wavelength range.

3B zeigtdie Transmission einer Referenz sowie der erfindungsgemäßenAntireflexbeschichtung in Abhängigkeit von der Wellenlänge.Die Kurven für die Transmission verlaufen nahezu parallel,wobei für die erfindungsgemäße Antireflexbeschichtungdie Transmission durchgängig über den ganzen gemessenenWellenlängenbereich einen höheren Wert aufweistals für die Referenz (unbeschichtetes Floatglas). 3B shows the transmission of a reference and the anti-reflection coating according to the invention as a function of the wavelength. The curves for the transmission run almost parallel, wherein for the antireflection coating according to the invention the transmission has a higher value over the entire measured wavelength range throughout than for the reference (uncoated float glass).

4A zeigteine mögliche Anordnung zur Abscheidung der breitbandigenAntireflexbeschichtung. Hier sind die Hochspannungselektroden20 linksund rechts von der Gaszufuhr40 angeordnet. Das Substrat30 liegtdieser Anordnung gegenüber. Auf der Gegenelektrode50 istdas Substrat30 angeordnet. Der Pfeil unterhalb der Gegenelektrodezeigt die Bewegungsrichtung von Gegenelektrode50 und demdarauf befindlichen Substrat30 an. 4A shows a possible arrangement for depositing the broadband antireflection coating. Here are the high voltage electrodes 20 left and right of the gas supply 40 arranged. The substrate 30 lies opposite this arrangement. On the counter electrode 50 is the substrate 30 arranged. The arrow below the counter electrode shows the direction of movement of the counter electrode 50 and the substrate thereon 30 at.

4B zeigteine weitere mögliche Anordnung zur Abscheidung der breitbandigenerfindungsgemäßen Antireflexbeschichtung. DasSubstrat30 ist auf der Gegenelektrode50 angeordnet,die der Gaszufuhr40 gegenüber liegt. Die Gaszufuhr40 istzwischen zwei Hochspannungselektroden20 angeordnet. DerPfeil unterhalb der Gegenelektrode50 zeigt die Bewegungs richtungdes Substrates30 an. 4B shows a further possible arrangement for the deposition of the broadband antireflective coating according to the invention. The substrate 30 is on the counter electrode 50 arranged the gas supply 40 is opposite. The gas supply 40 is between two high voltage electrodes 20 arranged. The arrow below the counter electrode 50 shows the direction of movement of the substrate 30 at.

4C zeigteine weitere Variante zur Abscheidung der Antireflexbeschichtung.Hier ist die Gaszufuhr40 zwischen zwei Hochspannungselektroden20 oberhalbdes Substrates30 angeordnet. Der Gasauslass45 istlinks bzw. rechts der Hochspannungselektroden20 angeordnet.Das Substrat30 befindet sich auf der Gegenelektrode50,die in Pfeilrichtung bewegt wird. 4C shows a further variant for depositing the antireflection coating. Here is the gas supply 40 between two high voltage electrodes 20 above the substrate 30 arranged. The gas outlet 45 is left or right of the high voltage electrodes 20 arranged. The substrate 30 is located on the counter electrode 50 which is moved in the direction of the arrow.

5A zeigteine weitere mögliche Anordnung, wobei hier der Einflussder elektrischen Anordnung auf die Bereiche der Vorionisation60 undder Abscheidung70 dargestellt ist. Die Hochspannung istauf beiden Hochspannungselektroden20 gleichphasig geschaltet.Hier befindet sich das Substrat30 auf der Gegenelektrode50.Dieser Anordnung gegenüber ist die Gaszufuhr40,die zwischen den beiden Hochspannungselektroden20 erfolgt,angeordnet. 5A shows another possible arrangement, in which case the influence of the electrical arrangement on the areas of preionization 60 and the deposition 70 is shown. The high voltage is on both high voltage electrodes 20 in-phase switched. Here is the substrate 30 on the counter electrode 50 , Opposite this arrangement is the gas supply 40 between the two high voltage electrodes 20 done, arranged.

In5B istdie Hochspannung der Hochspannungselektroden20 gegenphasiggeschaltet. Dadurch zündet das Plasma auch zwischen den Elektroden20 unddie Vorionisation60 befindet sich nicht direkt auf derSubstratoberfläche30. Die Gaszufuhr40 erfolgtzwischen den zwei Hochspannungselektroden20 auf das Substrat30,das auf der Gegenelektrode50 angeordnet ist. Durch denPfeil unterhalb der Gegenelektrode50 ist die Bewegungsrichtungdes Substrates30 dargestellt.In 5B is the high voltage of the high voltage electrodes 20 switched in antiphase. As a result, the plasma also ignites between the electrodes 20 and the preionization 60 is not located directly on the substrate surface 30 , The gas supply 40 occurs between the two high voltage electrodes 20 on the substrate 30 that on the counter electrode 50 is arranged. By the arrow below the counter electrode 50 is the direction of movement of the substrate 30 shown.

Dieseverschiedenen Anordnungen sind beliebig kombinierbar in Abhängigkeitvon den Substraten wie auch den gewünschten Oberflächeneigenschaften.Thesevarious arrangements can be combined as desired in dependencefrom the substrates as well as the desired surface properties.

Beispiel 1example 1

Antireflex-Beschichtung eines Floatglases(dynamisch)Antireflective coating of a float glass(dynamic)

EinBeschichtungssystem mit einem zentralen Gaseinlass und je einerHochspannungselektrode auf jeder Seite wird verwendet. Die Gasgeschwindigkeitwird so gewählt, dass eine Verweilzeit von 12 ms erreichtwird, mit einer Mischung aus Helium, Kohlendioxid, Ammoniak undSilan. Es wird eine dielektrische Barrierenentladung betrieben,so dass eine Volumendosis von 6·105 W·s/m3 erreicht wird. Ein sich bewegendes Glassubstratwird so einseitig mit einer Geschwindigkeit von 1 mm/s beschichtet. Danachwird die Probe gedreht und mit den gleichen Parametern auf der Rückseitebeschichtet. Bei der mittels UV-VIS-Spektroskopie vermessenen Probe reduziertsich die Reflexion im Bereich von 300 bis 1000 nm auf etwa 1%.A coating system with a central gas inlet and a high voltage electrode on each side is used. The gas velocity is chosen to achieve a residence time of 12 ms with a mixture of helium, carbon dioxide, ammonia and silane. A dielectric barrier discharge is operated, so that a volume dose of 6 · 105 W · s / m3 is achieved. A moving glass substrate is coated on one side at a speed of 1 mm / s. The sample is then rotated and coated with the same parameters on the back. In the case of the UV-VIS spectroscopy measured sample, the reflection in the range of 300 to 1000 nm reduced to about 1%.

Beispiel 2Example 2

Antireflex-Beschichtung eines Floatglases(statisch)Antireflective coating of a float glass(static)

EinBeschichtungsreaktor mit zwei Glasplatten (10 × 30 cm2) und Kupferband als planare Elektroden(5 × 25 cm2) wird von einer Seitemit einer Gasmischung aus Helium, Distickstoffoxid, Ammoniak undSilan gespült. Die Gesamtverweilzeit im Reaktor beträgt360 ms und die gesamte Volumendosis 2·105 Ws/m3. Es zeigt sich, dass nach einer Verweilzeitvon ca. 5 ms die Schichtabscheidung einer Antireflex-Schicht beginntund aufgrund der gewählten Volumendosis diese bis zu einerVerweilzeit von ca. 140 ms als Antireflex-Schicht reicht. Danachist der Precursor nahezu vollständig abreagiert.A coating reactor with two glass plates (10 × 30 cm2 ) and copper tape as planar electrodes (5 × 25 cm2 ) is rinsed from one side with a gas mixture of helium, nitrous oxide, ammonia and silane. The total residence time in the reactor is 360 ms and the total volume dose 2 × 105 Ws / m3 . It turns out that after a residence time of about 5 ms, the layer deposition of an antireflection layer begins and, due to the selected volume dose, this extends as an antireflection layer up to a residence time of about 140 ms. Thereafter, the precursor is almost completely reacted.

Beispiel 3Example 3

Antireflex und Antikratz-BeschichtungAnti-reflective and anti-scratch coating

EinFloatglas wird zuerst mit den in Beispiel 1 beschriebenen Parameternmit einer Antireflex-Schicht beschichtet. Allerdings wird diese Schichtbei einer Geschwindigkeit von 2 mm/s abgeschieden. Im Anschlusswird mit einer identischen Anordnung mit dem Precursor TMOS (Tetramethoxysilan)sowie Stickstoff und Ammoniak als Prozessgasen die Gasgeschwindigkeitso gewählt, dass eine Verweilzeit von 10 ms und eine Volumendosisvon 5·105 Ws/m3 undeiner Geschwindigkeit von 4 mm/s betrieben. Diese Schichtkombinationzeigt neben der Antireflex-Wirkung auch eine verbesserte Kratzstabilität.A float glass is first coated with the antireflective layer using the parameters described in Example 1. However, this layer is deposited at a speed of 2 mm / s. Subsequently, with an identical arrangement with the precursor TMOS (tetramethoxysilane) and nitrogen and ammonia as process gases, the gas velocity is chosen so that a residence time of 10 ms and a volume dose of 5 × 105 Ws / m3 and a speed of 4 mm / s operated. In addition to the antireflection effect, this layer combination also exhibits improved scratch stability.

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Claims (23)

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Verfahren zur Herstellung mindestens einer eineAntireflexschicht bildenden Beschichtung auf einem sich bewegendenSubstrat, mittels eines PECVD-Verfahrens, wobei eine Gasmischungumfassend mindestens ein Arbeits-, Träger- sowie Balancegasdurch mindestens einen zwischen mindestens zwei Hochspannungselektrodenbildenden Spalt geführt wird und mindestens zwischen demsich bewegenden Substrat, das von mindestens einer Gegenelektrodegetragen wird, und den Hochspannungselektroden ein Plasma erzeugtwird, das eine Plasmazone vorgibt mit der Maßgabe, dass: a)bei Atmosphärendruck bzw. annäherndem Atmosphärendruckgearbeitet wird und b) eine Volumendosis des Plasmas von 105 bis 108 Ws/m3 in der Plasmazone eingehalten wird.A process for producing at least one coating which forms an antireflection coating on a moving substrate by means of a PECVD process, wherein a gas mixture comprising at least one working, carrier and balance gas is passed through at least one gap forming between at least two high voltage electrodes and at least between them moving substrate supported by at least one counter electrode, and generating a plasma defining a plasma zone with the proviso that: a) operating at atmospheric pressure and approximate atmospheric pressure; and b) a volume dose of the plasma from 105 to 108 Ws / m3 is maintained in the plasma zone.Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,dass die Volumendosis im Bereich von 2 × 105 bis2 × 107 Ws/m3 liegt.A method according to claim 1, characterized in that the volume dose in the range of 2 × 105 to 2 × 107 Ws / m3 .Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet,dass mit einer dielektrischen Barriereentladung gearbeitet wird.Method according to claim 1 or 2, characterizedthat works with a dielectric barrier discharge.Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Gasgeschwindigkeit derGasmischung so gewählt wird, dass eine Verweildauer desPlasmas in der Plasmazone von 1 ms bis 1000 ms eingehalten wird.Method according to at least one of the claims1 to 3, characterized in that the gas velocity ofGas mixture is chosen so that a residence time ofPlasma is maintained in the plasma zone from 1 ms to 1000 ms.Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet,dass eine Verweildauer von 5 ms bis 500 ms eingehalten wird.Method according to claim 4, characterized in thatthat a residence time of 5 ms to 500 ms is maintained.Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass das PECVD-Verfahren so betriebenwird, dass die Plasmazone einen Vorionisationsbereich mit verminderterAb scheiderate und einen Abscheidebereich umfasst.Method according to at least one of the claims1 to 5, characterized in that the PECVD method so operatedis that the plasma zone with a Vorionisationsbereich with reducedFrom a rate and a separation area includes.Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass das PECVD-Verfahren so betriebenwird, dass die Vorionisation mindestens teilweise im Spalt erfolgt.Method according to at least one of the claims1 to 5, characterized in that the PECVD method so operatedis that the pre-ionization takes place at least partially in the gap.Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass pro beschichtete Substratoberflächebezogen auf das unbeschichtete Substrat eine Reflektionsminderungum mindestens 2,5% in einem Wellenlängenbereich von mindestens200 nm erreicht wird.Method according to at least one of the claims1 to 7, characterized in that per coated substrate surfacebased on the uncoated substrate, a reflection reductionby at least 2.5% in a wavelength range of at least200 nm is achieved.Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet,dass das Substrat im Bereich von 300 bis 1000 nm eine Reflektionsminderungvon mindestens 2,5% aufweist.Method according to claim 8, characterized in thatthat the substrate in the range of 300 to 1000 nm, a reflection reductionof at least 2.5%.Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass eine eine Antireflexschichtbildende Beschichtung abgeschieden wird.Method according to at least one of the claims1 to 9, characterized in that one an antireflection layerforming coating is deposited.Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass auf der mindestens einen Schicht,die eine Antireflexschickt bildet, mindestens eine weitere Schichtabgeschieden wird.Method according to at least one of the claims1 to 9, characterized in that on the at least one layer,which forms an antireflex, at least one further layeris deposited.Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet,dass als mindestens eine weitere Schicht eine die Benetzung derOberfläche beeinflussende Schicht abgeschieden wird.Method according to claim 11, characterized in thatthat as at least one further layer, the wetting of theSurface influencing layer is deposited.Verfahren nach Anspruch 11 oder 12, dadurch gekennzeichnet,dass als mindestens eine weitere Schicht eine die Kratzfestigkeitder Oberfläche verbessernde Schicht abgeschieden wird.Method according to claim 11 or 12, characterizedthat as at least one further layer, the scratch resistancethe surface improving layer is deposited.Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass als Arbeitsgas mindestensein Precursor ausgewählt aus Silanen, Organosilanen, Organosiloxanen,Organosilazanen, Alkoxysilanen, fluorhaltigen Monomeren und/oderMischungen hiervon eingesetzt wird.Method according to at least one of the claims1 to 13, characterized in that at least as working gasa precursor selected from silanes, organosilanes, organosiloxanes,Organosilazanes, alkoxysilanes, fluorine-containing monomers and / orMixtures thereof is used.Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet,dass das Organosilan ausgewählt ist aus Substanzen, wiez. B. Tetramethylsilan, Trimethylsilan oder Mischungen hiervon.Method according to claim 14, characterized in thatthat the organosilane is selected from substances such asz. Tetramethylsilane, trimethylsilane or mixtures thereof.Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet,dass das Organosiloxan ausgewählt ist aus Substanzen wiez. B. Hexamethyldisiloxan, Octamethyltrisiloxan oder Mischungenhiervon.Method according to claim 14, characterized in thatthat the organosiloxane is selected from substances such asz. As hexamethyldisiloxane, octamethyltrisiloxane or mixtureshereof.Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet,dass das Organosilazan ausgewählt ist aus Substanzen wiez. B. Hexamethyldisilazan, Octamethyltrisilazan oder Mischungenhiervon.Method according to claim 14, characterized in thatthat the organosilazane is selected from substances such asz. As hexamethyldisilazane, octamethyltrisilazane or mixtureshereof.Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet,dass das Alkoxysilan ausgewählt ist aus Substanzen wiez. B. Tetramethoxysilan, Tetraethoxysilan, Aminopropyltrimethoxysilanoder Mischungen hiervon.Method according to claim 14, characterized in thatthat the alkoxysilane is selected from substances such asz. For example, tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, aminopropyltrimethoxysilaneor mixtures thereof.Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche1 bis 18, dadurch gekennzeichnet, dass das Balancegas ausgewähltist aus Luft, CO2, O2,NH3, N2O, He, N2, Ar.Method according to at least one of claims 1 to 18, characterized in that the balance gas is selected from air, CO2 , O2 , NH3 , N2 O, He, N2 , Ar.Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche1 bis 19, dadurch gekennzeichnet, dass das Trägergas ausgewähltist aus Edelgasen oder Inertgasen, insbesondere Helium, Argon undStickstoff.Method according to at least one of the claims1 to 19, characterized in that the carrier gas is selectedis from noble gases or inert gases, in particular helium, argon andNitrogen.Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche1 bis 20, dadurch gekennzeichnet, dass als Substrat Glas, insbesondereFloatglas oder Gussglas, eingesetzt wird.Method according to at least one of Claims 1 to 20, characterized in that as the substrate glass, in particular float glass or cast glass, is used.Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche1 bis 20, dadurch gekennzeichnet, dass als Substrat Polymere, insbesondereoptisch transparente Kunststoffe, eingesetzt werden.Method according to at least one of the claims1 to 20, characterized in that as a substrate polymers, in particularoptically transparent plastics are used.Antireflexbeschichtung auf einem Substrat, herstellbardurch ein Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche1 bis 22.Antireflection coating on a substrate, manufacturableby a method according to at least one of the claims1 to 22.
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