DieErfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement.TheThe invention relates to an optoelectronic component.
OptoelektronischeBauelemente mit einem Halbleiterkörper, der Strahlung einesersten Wellenlängenbereichs aussendet, umfassen zur Erzeugung vonmischfarbigen – etwa weißem – Licht inder Regel einen Wellenlängenkonversionsstoff. Der Wellenlängenkonversionsstoffwandelt einen Teil der von dem Halbleiterkörper emittiertenStrahlung des ersten Wellenlängenbereichs in Strahlungeines vom ersten Wellenlängenbereich verschiedenen, zweiten Wellenlängenbereichsum. Solche Bauelemente sind beispielsweise in den Druckschriften
Aufgabeder Erfindung ist es, ein optoelektronisches Bauelement mit einemWellenkonversionstoff anzugeben, das eine hohe Effizienz aufweist.taskThe invention is an optoelectronic device with aSpecify wave conversion material that has a high efficiency.
DieseAufgabe wird durch ein optoelektronisches Bauelement mit den Merkmalendes Patentanspruches 1 gelöst.TheseThe object is achieved by an optoelectronic component having the featuresof claim 1.
VorteilhafteAusführungsformen sowie weitere Merkmale des optoelektronischenBauelementes sind in den abhängigen Patentansprüchenangegeben.advantageousEmbodiments and other features of the optoelectronicComponent are in the dependent claimsspecified.
Einoptoelektronisches Bauelement umfasst insbesondere:
Essei an dieser Stelle darauf hingewiesen, dass die innere und die äußereHalbkugelfläche in erster Linie virtuelle Flächensind, die nicht notwendigerweise in dem Bauelement als gegenständliche Merkmaleausgebildet sein müssen.ItIt should be noted at this point that the inner and the outerHemisphere surface primarily virtual surfacesare not necessarily in the component as representational featuresmust be trained.
Insbesondereerfüllt die Auskoppellinse die oben beschriebene Weierstrass-Bedingung,wenn die Weierstrass-Halbkugelschale, die durch die innere Halbkugelflächemit dem Radius Rkonversion und die äußereHalbkugelschale mit dem Radius Raussen gebildetist, in ihrer Gesamtheit innerhalb der Auskoppellinse liegt.In particular, the Auskoppellinse meets the Weierstrass condition described above, when the Weierstrass hemisphere shell, which is formed by the inner hemisphere with the radius Rconversion and the outer hemisphere shell with the radius Routside , lies in their entirety within the coupling-out lens.
Besondersbevorzugt ist die Weierstrass-Halbkugelschale frei von der wellenlängenkonvertierendenSchicht.EspeciallyPreferably, the Weierstrass hemisphere shell is free of the wavelength convertingLayer.
Erfülltdie Auskoppellinse die Weierstrass-Bedingung, so ist mit anderenWorten die Außenseite der Auskoppellinse derart geformtund derart beabstandet von dem strahlungsemittierenden Halbleiterkörperangeordnet, dass die Außenseite der Auskoppellinse vonjedem Punkt des Halbleiterkörpers aus gesehen, unter einemso kleinen Winkel erscheint, dass keine Totalreflexion an der Außenseiteder Auskoppellinse auftritt. Eine Auskoppellinse, die der Weierstrass-Bedingunggehorcht, weist daher nur sehr geringe Strahlungsverluste aufgrundvon Totalreflexion an ihrer Außenseite auf. Die Auskoppeleffizienzdes optoelektronischen Bauelementes ist somit vorteilhafterweiseerhöht.Fulfillsthe decoupling lens the Weierstrass condition, so is with othersWords shaped the outside of the coupling lens soand so spaced from the radiation-emitting semiconductor bodyarranged that the outside of the coupling lens ofSeen from each point of the semiconductor body, under oneso small angle appears that no total reflection on the outsidethe coupling lens occurs. A decoupling lens, the Weierstrass conditionobeys, therefore, has only very low radiation losses dueof total reflection on its outside. The decoupling efficiencythe optoelectronic component is thus advantageouslyelevated.
Beidem optoelektronischen Bauelement ist der Wellenlängenkonversionsstoffvorteilhafterweise beabstandet von einer strahlungsemittierendenVorderseite des Halbleiterkörpers angeordnet. Der Raumzwischen dem Wellenlängenkonversionsstoff der wellenlängenkonvertierendenSchicht und dem Halbleiterkörper ist im Wesentlichen durchden inneren Formkörper gefüllt. Besonders bevorzugtist der Raum zwischen der wellenlängenkonvertierenden Schichtund dem Halbleiterkörper vollständig mit dem innerenFormkörper gefüllt. Besonders bevorzugt ist derinnere Formkörper als Verguss ausgeführt. Da derWellenlängenkonversionsstoff beabstandet von der strahlungsemittierendenVorderseite des Halbleiterkörpers angeordnet ist, wirddie Temperaturbelastung des Wellenlängenkonversionstoffesvorteilhafterweise gering gehalten. Dies erhöht ebenfallsdie Effizienz des Bauteils.atthe optoelectronic component is the wavelength conversion substanceadvantageously spaced from a radiation-emittingFront side of the semiconductor body arranged. The spacebetween the wavelength conversion substance of the wavelength-convertingLayer and the semiconductor body is essentially throughfilled the inner molded body. Especially preferredis the space between the wavelength-converting layerand the semiconductor body completely with the inner oneMoldings filled. Particularly preferred is theinner moldings designed as potting. Since theWavelength conversion substance spaced from the radiation-emittingFront side of the semiconductor body is arranged isthe temperature load of the wavelength conversion substanceadvantageously kept low. This also increasesthe efficiency of the component.
DieAuskoppellinse kann ein separat gefertigtes Element sein, das beispielsweisegefräst, gedreht oder spritzgegossen ist und in einem Montageschrittan dem optoelektronischen Bauelement befestigt wird.The decoupling lens can be made separately For example, be machined element that is milled, rotated or injection-molded, for example, and is attached to the optoelectronic device in an assembly step.
Weiterhinist es aber auch möglich, dass die Auskoppellinse auf demoptoelektronischen Bauelement gefertigt wird, beispielsweise indemdie Auskoppellinse als Verguss auf dem optoelektronischen Bauelementhergestellt ist.FartherBut it is also possible that the coupling lens on theoptoelectronic component is manufactured, for example bythe coupling-out lens as encapsulation on the optoelectronic componentis made.
Bevorzugtist eine strahlungsemittierende Vorderseite des Halbleiterkörpersfrei von der wellenlängenkonvertierenden Schicht. Besondersbevorzugt ist/sind auch der innere Formkörper und/oder dieAuskoppellinse im Wesentlichen frei von Wellenlängenkonversionsstoff,das heißt, dass der innere Formkörper und/oderdie Auskoppellinse bis auf geringe Verunreinigungen keinen Wellenlängenkonversionsstoffaufweisen.Prefersis a radiation-emitting front side of the semiconductor bodyfree from the wavelength-converting layer. Especiallyis / are also the inner molding and / or theCoupling lens substantially free of wavelength conversion substance,that is, the inner molding and / orthe decoupling lens no wavelength conversion substance except for small impuritiesexhibit.
Gemäß einerAusführungsform umfasst das optoelektronische Bauelementmehrere Halbleiterkörper, die dazu vorgesehen sind, elektromagnetischeStrahlung zu emittieren. Merkmale, die nur anhand eines Halbleiterkörpersbeschrieben sind, können in dem Fall, dass das optoelektronischeBauelement mehrere Halbleiterkörper umfasst, auch von einigenoder allen Halbleiterkörpern aufgewiesen werden.According to oneEmbodiment comprises the optoelectronic componenta plurality of semiconductor bodies intended to be electromagneticEmit radiation. Features based only on a semiconductor bodycan be described in the case that the optoelectronicComponent includes a plurality of semiconductor bodies, including someor all semiconductor bodies.
Umfasstdas optoelektronische Bauelement mehrere Halbleiterkörper,so sind diese bevorzugt in einem symmetrischen, besonders bevorzugtin einem punktsymmetrischen Muster angeordnet. Die Halbleiterkörperkönnen beispielsweise entlang einer Linie oder gemäß einemregelmäßigen Gitter angeordnet sein. Das regelmäßigeGitter kann beispielsweise nach Art eines quadratischen oder hexagonalenGitters ausgebildet sein.includesthe optoelectronic component has a plurality of semiconductor bodies,so these are preferably in a symmetrical, particularly preferredarranged in a point-symmetrical pattern. The semiconductor bodyFor example, along a line or according to abe arranged regular grid. The regularFor example, grids may be of the type of a square or hexagonalBe formed lattice.
Umfasstdas optoelektronische Bauelement mehrere Halbleiterkörper,so müssen diese nicht zwingend Strahlung desselben Wellenlängenbereichsaussenden. Vielmehr können die HalbleiterkörperStrahlung unterschiedlicher Wellenlängenbereiche aussenden.In diesem Fall ist es auch möglich, dass nicht nur einWellenlängenbereich konvertiert wird, sondern auch mehrereWellenlängenbereiche. Hierzu weist das Bauelement in derRegel mehrere verschiedene Wellenlängenkonversionsstoffeauf.includesthe optoelectronic component has a plurality of semiconductor bodies,they do not necessarily have radiation of the same wavelength rangesend out. Rather, the semiconductor bodySend radiation of different wavelength ranges.In this case it is also possible that not only oneWavelength range is converted, but also severalWavelength ranges. For this purpose, the device in theUsually several different wavelength conversion substanceson.
Gemäß einerweiteren Ausführungsform des optoelektronischen Bauelementesist der innere Formkörper von einer weiteren Halbkugelflächemit Radius Rinnen umschlossen, und die strahlungsemittierendeVorderseite des Halbleiterkörpers weist eine FlächeA auf, wobei die Fläche A und der Radius Rinnen dieBedingung A' ≤ 1/2·π·Rinnen2 erfüllen.According to a further embodiment of the optoelectronic component, the inner shaped body is enclosed by a further hemispherical surface with radius Rinside , and the radiation-emitting front side of the semiconductor body has an area A, wherein the area A and the radius Rinside the condition A '≤ 1/2 · Satisfy π · Rin2 .
Auchdie weitere Halbkugelfläche ist, wie die innere und die äußereHalbkugelfläche eine virtuelle, gedachte, Halbkugelfläche,die nicht notwendigerweise in dem Bauelement als gegenständliches Merkmalausgebildet sein muss.Alsothe other hemisphere surface is like the inner and the outerHemisphere surface a virtual, imaginary, hemisphere surface,not necessarily in the device as an objective featuremust be trained.
Weistdas optoelektronische Bauelement mehrere Halbleiterkörperauf, so sind die Halbleiterkörper von einer FlächeA' umfassbar, wobei die Fläche A' sowie der Radius Rinnen die Bedingung A' ≤ 1/2·π·Rinnen2 erfüllen.Die Fläche A' kann beispielsweise ein die Halbleiterkörpereinbeschreibender Kreis sein. Besonders bevorzugt ist die FlächeA' die minimale Fläche, die alle Halbleiterkörperdes optoelektronischen Bauelementes umfasst.If the optoelectronic component has a plurality of semiconductor bodies, then the semiconductor bodies can be covered by a surface A ', wherein the surface A' and the radius Rinside fulfill the condition A '≦ 1/2 * π * Rinside2 . The area A 'may be, for example, a circle inscribing the semiconductor bodies. Particularly preferably, the area A 'is the minimum area which comprises all the semiconductor bodies of the optoelectronic component.
Gemäß einerweiteren Ausführungsform erfüllt die FlächeA der strahlungsemittierenden Vorderseite des Halbleiterkörpersund der Radius Rinnen der weiteren Halbkugelflächedie Bedingung:
Weistdas optoelektronische Bauelement mehrere Halbleiterkörperauf, so erfüllen wiederum die Fläche A' sowieder Radius Rinnen die Bedingung A' ≤ 1/2·π·Rinnen2. Gemäß einerAusführungsform fällt eine Außenseitedes inneren Formkörpers mit der weiteren Halbkugelflächezumindest in einem Punkt zusammen.If the optoelectronic component has a plurality of semiconductor bodies, the area A 'and the radius Rinside again satisfy the condition A' ≦ 1/2 * π * Rinside2 . According to one embodiment, an outside of the inner molded body coincides with the further hemispherical surface at least at one point.
Gemäß einerweiteren Ausführungsform fällt die Außenseitedes inneren Formkörpers mit der weiteren Halbkugelflächezusammen.According to oneAnother embodiment, the outside fallsthe inner molded body with the further hemisphere surfacetogether.
Gemäß einerAusführungsform ist der innere Formkörper nachArt einer Halbkugel geformt. In diesem Fall fällt die Außenseitedes inneren Formkörpers mit der weiteren Halbkugelflächezusammen. Besonders bevorzugt ist der innere Formkörperbei dieser Ausführungsform derart angeordnet, dass die Halbkugel überdem Halbleiterkörper zentriert ist. Das heißt,dass sich der Flächenschwerpunkt der strahlungsemittierendenVorderseite des Halbleiterkörpers und der Mittelpunkt derHalbkugel auf einer optischen Achse des optoelektronischen Bauelementesbefinden, wobei die optische Achse auf der strahlungsemittierendenVorderseite des Halbleiterkörpers senkrecht steht. Umfasstdas optoelektronische Bauelement mehrere Halbleiterkörper,so sind diese bei dieser Ausführungsform bevorzugt gemäß einempunktsymmetrischen Muster angeordnet, wobei sich der Schwerpunktdes Musters, der in der Regel ebenfalls ein Symmetriepunkt des Musterist, und der Mittelpunkt der Halbkugel auf der optischen Achse befinden.According to oneEmbodiment is the inner molding afterFormed like a hemisphere. In this case, the outside fallsthe inner molded body with the further hemisphere surfacetogether. Particularly preferred is the inner molded bodyarranged in this embodiment such that the hemisphere overthe semiconductor body is centered. This means,that the centroid of the radiation-emittingFront side of the semiconductor body and the center of theHemisphere on an optical axis of the optoelectronic componentbe located, with the optical axis on the radiation-emittingFront side of the semiconductor body is vertical. includesthe optoelectronic component has a plurality of semiconductor bodies,so they are preferred in this embodiment according to apoint-symmetric pattern arranged, focusing on the center of gravityof the pattern, which is usually also a symmetry point of the patternis, and the center of the hemisphere are on the optical axis.
Gemäß einerAusführungsform fällt die innere Halbkugelflächemit Radius Rkonversion mit der Innenseiteder Auskoppellinse in zumindest einem Punkt zusammen.According to one embodiment, the inner hemisphere surface of radius Rconversion falls with the inside of the coupling-out lens in at least one point together.
Gemäß einerweiteren Ausführungsform fällt die Innenseiteder Auskoppellinse mit der inneren Halbkugelfläche zusammen.According to oneAnother embodiment, the inside fallsthe coupling lens with the inner hemisphere surface together.
Gemäß einerweiteren Ausführungsform fällt die Außenseiteder Auskoppellinse ebenfalls zumindest in einem Punkt mit der äußerenHalbkugelfläche zusammen.According to oneAnother embodiment, the outside fallsthe coupling lens also at least in one point with the outerHemisphere surface together.
Gemäß einerweiteren Ausführungsform fällt die Außenseiteder Auskoppellinse mit der äußeren Halbkugelflächezusammen.According to oneAnother embodiment, the outside fallsthe coupling lens with the outer hemisphere surfacetogether.
Gemäß einerAusführungsform ist die wellenlängenkonvertierendeSchicht in direktem Kontakt auf den inneren Formkörperaufgebracht, das heißt, dass die wellenlängenkonvertierendeSchicht eine gemeinsame Grenzfläche mit dem inneren Formkörperausbildet.According to oneEmbodiment is the wavelength convertingLayer in direct contact with the inner moldingApplied, that is, the wavelength-convertingLayer a common interface with the inner moldingsformed.
Diewellenlängenkonvertierende Schicht weist gemäß einerweiteren Ausführungsform eine im Wesentlichen konstanteDicke auf. Besonders bevorzugt ist die wellenlängenkonvertierendeSchicht als Halbkugelschale auf den inneren Formkörperaufgebracht, der bevorzugt ebenfalls als Halbkugel ausgebildet ist.In diesem Fall ist die Weglänge der Strahlung des erstenWellenlängenbereichs innerhalb der wellenlängenkonvertierendenSchicht im Wesentlichen konstant.TheWavelength-converting layer has according to aAnother embodiment is a substantially constantThickness up. Particularly preferred is the wavelength convertingLayer as hemispherical shell on the inner moldingapplied, which is preferably also designed as a hemisphere.In this case, the path length of the radiation of the firstWavelength range within the wavelength-convertingLayer substantially constant.
Gemäß einerweiteren Ausführungsform ist die Auskoppellinse in direktemKontakt auf die wellenlängenkonvertierende Schicht aufgebracht,das heißt, die Auskoppellinse bildet mit der wellenlängenkonvertierendenSchicht eine gemeinsame Grenzfläche aus.According to oneIn another embodiment, the coupling-out lens is in directContact applied to the wavelength-converting layer,that is, the coupling-out lens forms with the wavelength-convertingLayer out a common interface.
Gemäß einerweiteren Ausführungsform ist die Auskoppellinse nach Arteiner Halbkugelschale gebildet, die zentriert über demHalbleiterkörper angeordnet ist, das heißt, dassder Flächenschwerpunkt der strahlungsemittierenden Vorderseitedes Halbleiterkörpers und der Mittelpunkt der Halbkugelschaleauf der optischen Achse des optoelektronischen Bauelementes angeordnetsind. Umfasst das optoelektronische Bauelement mehrere Halbleiterkörper,so sind diese bei dieser Ausführungsform bevorzugt gemäß einempunktsymmetrischen Muster angeordnet, wobei sich der Schwerpunktdes Musters, der in der Regel ein Symmetriepunkt des Muster ist,und der Mittelpunkt der Halbkugelschale auf der optischen Achsedes optoelektronischen Bauelements befinden.According to oneAnother embodiment is the coupling-out lens according to Arta hemispherical shell formed, which centers over theSemiconductor body is arranged, that is, thatthe centroid of the radiation-emitting frontof the semiconductor body and the center of the hemisphere shellarranged on the optical axis of the optoelectronic componentare. Does the optoelectronic component comprises a plurality of semiconductor bodies,so they are preferred in this embodiment according to apoint-symmetric pattern arranged, focusing on the center of gravitythe pattern, which is usually a symmetry point of the pattern,and the center of the hemisphere shell on the optical axisof the optoelectronic component.
Gemäß einerweiteren Ausführungsform ist der Halbleiterkörperauf einen Träger aufgebracht, wobei der Trägerzumindest seitlich des Halbleiterkörpers einen Spiegelaufweist. Der Spiegel hat die Aufgabe, Strahlung des ersten und/oderdes zweiten Wellenlängenbereichs, die zu einer Rückseitedes optoelektronischen Bauelementes gesandt wird, zu einer strahlungsemittierendenVorderseite des optoelektronischen Bauelementes umzulenken, diedessen Rückseite gegenüberliegt. Die Rückseitedes optoelektronischen Bauelementes kann beispielsweise durch denTräger gebildet sein. Die strahlungsemittierende Vorderseitedes Bauelementes kann beispielsweise durch die Außenseiteder Auskoppellinse gebildet sein. Weiterhin können aufder Außenseite der Auskoppellinse auch weitere Elemente,beispielsweise eine Antireflektionsbeschichtung oder eine UV-absorbierendeSchicht, angeordnet sein.According to oneAnother embodiment is the semiconductor bodyapplied to a support, the supportat least laterally of the semiconductor body, a mirrorhaving. The mirror has the task of radiation of the first and / orof the second wavelength range, to a back sideof the optoelectronic component is sent to a radiation-emittingFront of the optoelectronic device to redirect, thewhose back is opposite. The backsideof the optoelectronic component can, for example, by theBe formed carrier. The radiation-emitting frontof the component can, for example, through the outsidebe formed of the coupling lens. Furthermore, you canthe outside of the coupling lens also other elements,For example, an anti-reflection coating or a UV-absorbingLayer, be arranged.
DerSpiegel kann auch unterhalb des Halbleiterkörpers zwischendem Halbleiterkörper und dem Träger ausgebildetsein.Of theMirror can also be placed below the semiconductor body betweenformed the semiconductor body and the carrierbe.
Besondersbevorzugt weist der Spiegel einen Reflexionsgrad für Strahlungdes ersten und/oder zweiten Wellenlängenbereichs auf, dermindestens 0,9 beträgt. Besonders bevorzugt weist der Spiegeleinen Reflexionsgrad für Strahlung des ersten und/oderzweiten Wellenlängenbereichs auf, der mindestens 0,98 beträgt.EspeciallyPreferably, the mirror has a reflectance for radiationof the first and / or second wavelength range, theis at least 0.9. Particularly preferred, the mirrora reflectance for radiation of the first and / orsecond wavelength range, which is at least 0.98.
Weiterhinweisen Rauhigkeitsspitzen des Spiegels bevorzugt höchstenseine Höhe von 40 nm auf.Fartherhave roughness peaks of the mirror preferably at mosta height of 40 nm.
Besondersbevorzugt ist der Spiegel zumindest seitlich des Halbleiterkörpersspekular reflektierend für Strahlung des ersten und/oderzweiten Wellenlängenbereichs ausgebildet.EspeciallyPreferably, the mirror is at least laterally of the semiconductor bodyspecularly reflective for radiation of the first and / orsecond wavelength range formed.
DerSpiegel kann beispielsweise eine metallische Schicht aufweisen oderaus einer metallischen Schicht bestehen. Die metallische Schichtkann beispielsweise Aluminium aufweisen oder aus Aluminium bestehen.Of theMirror may, for example, have a metallic layer orconsist of a metallic layer. The metallic layermay for example comprise aluminum or consist of aluminum.
Weiterhinkann der Spiegel eine metallische Schicht und einen Bragg-Spiegelaufweisen oder aus einer metallischen Schicht und einem Bragg-Spiegel bestehen.FartherThe mirror can be a metallic layer and a Bragg mirroror consist of a metallic layer and a Bragg mirror.
DerSpiegel kann auch als reflektionsverstärkendes oxidbasiertesSchichtsystem ausgebildet sein. Ein reflektionsverstärkendesoxidbasiertes Schichtsystem umfasst zumindest eine Schicht, die einOxid aufweist oder aus einem Oxid besteht. Beispielsweise weistdas reflektionsverstärkende oxidbasierte Schichtsystemzwei Schichten auf, die ein Oxid umfassen, beispielsweise eine Titanoxidschicht undeine Siliziumoxidschicht.Of theMirror can also be used as a reflection-enhancing oxide-basedLayer system be formed. A reflection-enhancingoxide-based layer system comprises at least one layer, the oneHas oxide or consists of an oxide. For example, pointsthe reflection-enhancing oxide-based layer systemtwo layers comprising an oxide, for example, a titanium oxide layer anda silicon oxide layer.
Umfasstder Spiegel eine metallische Schicht und einen Bragg-Spiegel, sosind diese bevorzugt derart angeordnet, dass die Oberflächedes Spiegels durch den Bragg-Spiegel gebildet wird. Ein Spiegel,dessen Oberfläche durch einen Bragg-Spiegel gebildet wird,weist in der Regel eine geringe Rauhigkeit mit Rauhigkeitsspitzennicht höher als 40 nm auf. Weiterhin ist ein solcher Spiegelin der Regel spekular reflektierend für Strahlung des ersten und/oderzweiten Wellenlängenbereichs ausgebildet.If the mirror comprises a metallic layer and a Bragg mirror, these are be Preferably arranged such that the surface of the mirror is formed by the Bragg mirror. A mirror whose surface is formed by a Bragg mirror usually has a low roughness with roughness peaks not higher than 40 nm. Furthermore, such a mirror is generally specularly reflective for radiation of the first and / or second wavelength range.
DerBragg-Spiegel ist beispielsweise alternierend aus jeweils zwei Siliziumoxidschichtenund aus zwei Titanoxidschichten aufgebaut, das heißt, derBragg-Spiegel weist zwei Siliziumoxidschichten auf und zwei Titanoxidschichten,die abwechseln angeordnet sind. Die Siliziumoxidschichten umfassen Siliziumoxidoder bestehen aus Siliziumoxid. Die Titanoxidschichten umfassenTitanoxid oder bestehen aus Titanoxid.Of theBragg mirror is, for example, alternately made of two silicon oxide layersand composed of two titanium oxide layers, that is, theBragg mirror has two silicon oxide layers and two titanium oxide layers,which are arranged alternately. The silicon oxide layers include silicon oxideor consist of silicon oxide. The titanium oxide layers compriseTitanium oxide or consist of titanium oxide.
Gemäß einerweiteren Ausführungsform ist der Halbleiterkörperin einem Reflektorbereich des Trägers angeordnet. Der Reflektorbereichist beispielsweise durch eine Vertiefung innerhalb des Trägersgebildet, die bevorzugt schräge Seitenwände aufweist.According to oneAnother embodiment is the semiconductor bodyarranged in a reflector region of the carrier. The reflector areais for example by a depression within the carrierformed, which preferably has oblique side walls.
Beidem Träger kann es sich um eine Leiterplatte, etwa eineMetallkernplatine handeln. Weiterhin kann der Träger aucheines der folgenden Materialien aufweisen oder aus einem der folgendenMaterialien bestehen: Kupfer, Aluminiumoxid, Aluminiumnitrid.atThe carrier may be a printed circuit board, such as aMetal core board act. Furthermore, the carrier can alsohave one of the following materials or one of the followingMaterials include: copper, alumina, aluminum nitride.
DerWellenlängenkonversionsstoff weist bevorzugt zumindesteinen Stoff aus der Gruppe auf, die durch die folgenden Materialiengebildet wird: mit Metallen der seltenen Erden dotierte Granate,mit Metallen der seltenen Erden dotierte Erdalkalisulfide, mit Metallender seltenen Erden dotierte Thiogalate, mit Metallen der seltenenErden dotierte Aluminate, mit Metallen der seltenen Erden dotierteOrthosilikate, mit Metallen der seltenen Erden dotierte Chlorosilikate,mit Metallen der seltenen Erden dotierte Erdalkalisiliziumnitride,mit Metallen der seltenen Erden dotierte Oxynitride und mit Metallender seltenen Erden dotierte Aluminiumoxinitride.Of theWavelength conversion substance preferably has at leasta fabric from the group on, by the following materialsis formed: rare earth doped grenade,alkaline earth sulfides doped with rare earth metals, with metalsthe rare earth doped thiogalates, with rare metalsEarth doped aluminates, doped with rare earth metalsOrthosilicates, rare earth doped chlorosilicates,alkaline earth silicon nitrides doped with rare earth metals,oxynitrides doped with rare earth metals and with metalsrare earth doped aluminum oxynitrides.
DerWellenlängenkonversionsstoff ist gemäß einerAusführungsform in einem Bindemittel eingebettet.Of theWavelength conversion substance is according to aEmbodiment embedded in a binder.
Alternativkann der Wellenlängenkonversionsstoff auch in Form einerSchicht auf den inneren Formkörper aufgebracht sein, beispielsweisemittels Elektrophorese.alternativecan the wavelength conversion substance in the form of aLayer be applied to the inner moldings, for exampleby electrophoresis.
Derinnere Formkörper und/oder die Auskoppellinse und/oderdas Bindemittel weisen gemäß einer Ausführungsformein Silikon auf oder bestehen aus einem solchen.Of theinner moldings and / or the coupling lens and / orthe binder according to one embodimenta silicone on or consist of such.
Derinnere Formkörper und/oder die wellenlängenkonvertierendeSchicht können zur Verbesserung der Abstrahlcharakteristikstreuende Partikel aufweisen.Of theinner moldings and / or the wavelength-convertingLayer can improve the radiation characteristicshave scattering particles.
Diestreuenden Partikel weisen beispielsweise zumindest eines der folgendenMaterialien auf oder bestehen aus einem solchen: Aluminiumoxid, Titanoxid.TheFor example, scattering particles have at least one of the followingMaterials on or consist of such: alumina, titanium oxide.
DerHalbleiterkörper umfasst in der Regel eine aktive Zone,die zur Strahlungserzeugung beispielsweise einen herkömmlichenpn-Übergang, eine Doppelheterostruktur, eine Einfach-Quantentopfstrukturoder eine Mehrfach-Quantentopfstruktur umfasst. Beispiele fürsolche Mehrfachquantentopfstrukturen sind beispielsweise in denDruckschriften
Umfasstdie von dem Halbleiterkörper ausgesandte Strahlung desersten Wellenlängenbereichs nur sichtbare Strahlung, soist in der Regel angestrebt, dass der Wellenlängenkonversionsstoffnur einen Teil dieser Strahlung des ersten Wellenlängenbereichsin Strahlung des zweiten Wellenlängenbereichs umwandelt,während ein weiterer Teil der vom Halbleiterkörperemittierten Strahlung des ersten Wellenlängenbereichs diewellenlängenkonvertierende Schicht unkonvertiert durchläuft.Das optoelektronische Bauelement sendet in diesem Fall Mischlicht aus,das Strahlung des ersten Wellenlängenbereichs und Strahlungdes zweiten Wellenlängenbereichs umfasst.includesthe radiation emitted by the semiconductor body of thefirst wavelength range only visible radiation, sois usually desired that the wavelength conversion materialonly part of this radiation of the first wavelength rangeconverted into radiation of the second wavelength range,while another part of the semiconductor bodyemitted radiation of the first wavelength range theWavelength-converting layer passes through unconverted.The optoelectronic component emits in this case mixed light,the radiation of the first wavelength range and radiationof the second wavelength range.
Sendetder Halbleiterkörper beispielsweise sichtbares Licht ausdem blauen Spektralbereich aus, so kann ein Teil dieser sichtbarenblauen Strahlung des ersten Wellenlängenbereichs mittelsdes Wellenlängenkonversionsstoffes in gelbe Strahlung umgewandeltwerden, so dass das optoelektronische Bauelement Mischlicht miteinem Farbort im weißen Bereich der CIE-Normfarbtafel aussendet.sendsthe semiconductor body, for example, visible lightthe blue spectral range, so part of these visibleblue radiation of the first wavelength range by meansof the wavelength conversion substance converted into yellow radiationbe so that the optoelectronic component mixed light witha color spot in the white area of the CIE standard color chart.
Gemäß einerAusführungsform ist die wellenlängenkonvertierendeSchicht innerhalb eines Innenbereiches, der über dem Halbleiterkörperangeordnet ist, dicker ausgeführt, als innerhalb einesAußenbereiches der wellenlängenkonvertierenden Schicht,der seitlich des Halbleiterkörpers angeordnet ist. DerAußenbereich der wellenlängenkonvertierenden Schichtist bevorzugt zumindest teilweise umlaufend um den Innenbereichder wellenlängenkonvertierenden Schicht angeordnet. Beidieser Ausführungsform umfasst der erste Wellenlängenbereich bevorzugtblaue Strahlung, während der zweite Wellenlängenbereichgelbe Strahlung aufweist. Das Bauelement sendet bevorzugt Mischlichtmit einem Farbort im weißen Bereich der CIE-Normfarbtafelaus. Eine wellenlängenkonvertierende Schicht, deren Dickeinnerhalb des Innenbereiches über dem Halbleiterkörpergrößer ist als innerhalb eines Außenbereicheseitlich des Halbleiterkörpers, führt in der Regel zueiner bezüglich des Farbortes besonders homogenen Abstrahlcharakteristikdes optoelektronischen Bauelementes.According to an embodiment, the wavelength-converting layer is made thicker within an inner region which is arranged above the semiconductor body, than inside an outer region of the wavelength-converting layer, which is arranged laterally of the semiconductor body. The outer region of the wavelength-converting layer is preferably arranged at least partially circumferentially around the inner region of the wavelength-converting layer. In this embodiment, the first wavelength range preferably comprises blue radiation, while the second wavelength range comprises yellow radiation. The device preferably emits mixed light with a Far bort in the white area of the CIE standard color chart. A wavelength-converting layer, the thickness of which is greater within the inner region over the semiconductor body than within an outer region laterally of the semiconductor body, generally leads to a particularly homogeneous radiation characteristic of the optoelectronic component with respect to the color locus.
Gemäß einerweiteren Ausführungsform sendet der HalbleiterkörperStrahlung eines ersten Wellenlängenbereichs aus, der ultravioletteStrahlung umfasst. Die ultraviolette Strahlung des ersten Wellenlängenbereichswird zumindest teilweise von dem Wellenlängenkonversionsstoffder wellenlängenkonvertierenden Schicht in sichtbare Strahlung umgewandelt.Der zweite Wellenlängenbereich weist somit sichtbare Strahlungauf. Sendet der Halbleiterkörper elektromagnetische Strahlungaus dem ultravioletten Spektralbereich aus, so ist in der Regelangestrebt, einen möglichst großen Anteil derultravioletten Strahlung des ersten Wellenlängenbereichsin sichtbares Licht umwandelt, da die ultraviolette Strahlung nichtzur wahrnehmbaren Helligkeit des Bauelementes beiträgtund weiterhin sogar das menschliche Auge schädigen kann.According to oneIn another embodiment, the semiconductor body transmitsRadiation of a first wavelength range, the ultravioletRadiation includes. The ultraviolet radiation of the first wavelength rangeis at least partially derived from the wavelength conversion materialthe wavelength converting layer converted into visible radiation.The second wavelength range thus has visible radiationon. The semiconductor body emits electromagnetic radiationfrom the ultraviolet spectral range, so is usuallyaspired to the largest possible share ofultraviolet radiation of the first wavelength rangeconverted into visible light, since the ultraviolet radiation is notcontributes to the perceptible brightness of the componentand continue to harm even the human eye.
Gemäß einerweiteren Ausführungsform ist die Auskoppellinse absorbierendund/oder reflektierend für elektromagnetische Strahlungaus dem ultravioletten Spektralbereich ausgebildet. Die Auskoppellinsekann hierzu beispielsweise Glas umfassen oder aus Glas bestehen.According to oneIn another embodiment, the coupling-out lens is absorbentand / or reflective for electromagnetic radiationformed from the ultraviolet spectral range. The coupling-out lensThis may for example comprise glass or consist of glass.
Gemäß einerweiteren Ausführungsform ist auf der Innenseite der Auskoppellinseeine reflektierende Schicht angeordnet, die für Strahlungdes ersten Wellenlängenbereichs reflektierend ausgebildet ist.Besonders bevorzugt wird eine solche reflektierende Schicht in Kombinationmit einem Halbleiterkörper eingesetzt, der Strahlung ausdem ultravioletten Spektralbereich aussendet. In diesem Fall istdie reflektierende Schicht bevorzugt reflektierend fürultraviolette Strahlung des ersten Wellenlängenbereichsund durchlässig für sichtbare Strahlung des zweitenWellenlängenbereichs ausgebildet. Es ist aber auch denkbar, diereflektierende Schicht in Kombination mit einem Halbleiterkörperanzuwenden, der sichtbare Strahlung aussendet, beispielsweise, wenneine nahezu vollständige Konversion der Strahlung des erstenWellenlängenbereichs in Strahlung des zweiten Wellenlängenbereichsangestrebt ist.According to oneAnother embodiment is on the inside of the coupling-out lensa reflective layer arranged for radiationis formed reflecting the first wavelength range.Particularly preferred is such a reflective layer in combinationused with a semiconductor body, the radiation offemits the ultraviolet spectral range. In this case isthe reflective layer is preferably reflective forultraviolet radiation of the first wavelength rangeand permeable to visible radiation of the secondWavelength range formed. But it is also conceivable thatreflective layer in combination with a semiconductor bodyapply that emits visible radiation, for example, whenan almost complete conversion of the radiation of the firstWavelength range in radiation of the second wavelength rangeis sought.
Diereflektierende Schicht kann beispielsweise ein dielektrischer Spiegelsein.Thereflective layer may, for example, a dielectric mirrorbe.
WeitereMerkmale, vorteilhafte Ausgestaltungen und Zweckmäßigkeitender Erfindung ergeben sich aus den im Folgenden in Verbindung mitden Figuren beschriebenen Ausführungsbeispielen.FurtherFeatures, advantageous embodiments and expedienciesThe invention will become apparent from the following in connection withThe embodiments described in the figures.
Eszeigen:Itdemonstrate:
Inden Ausführungsbeispielen und Figuren sind gleiche odergleich wirkende Bestandteile jeweils mit den gleichen Bezugszeichenversehen. Die dargestellten Elemente der Figuren sind nicht notwendigerweiseals maßstabsgerecht anzusehen. Vielmehr könneneinzelne Bestandteile, wie beispielsweise Schichtdicken, zum besserenVerständnis teilweise übertrieben groß dargestelltsein.InThe embodiments and figures are the same orlike-acting components each with the same reference numeralsMistake. The illustrated elements of the figures are not necessarilyto be considered as true to scale. Rather, you canindividual components, such as layer thicknesses, for the betterUnderstanding partly exaggeratedly bigbe.
Dasoptoelektronische Bauelement gemäß dem Ausführungsbeispielder
Aufeiner Außenseite
Weiterhinweist die wellenlängenkonvertierende Schicht
Diewellenlängenkonvertierende Schicht
DerWellenlängenkonversionsstoff
DerWellenlängenkonversionsstoff
Alternativkann der Wellenlängenkonversionsstoff
Weiterhinumfasst das optoelektronische Bauelement gemäß demAusführungsbeispiel der
DieAuskoppellinse
Dieinnere Halbkugelfläche Hinnen unddie äußere Halbkugelfläche Haußen sindvirtuelle Flächen, die in der Figur gestrichelt dargestelltsind.The inner hemisphere surface Hinside and the outer hemisphere surface Houtside are virtual surfaces, which are shown in dashed lines in the figure.
Vorliegendfällt die innere Halbkugelfläche Hinnen mitder Innenseite
Weistdie Auskoppellinse
Diestrahlungsemittierende Vorderseite
Derinnere Formkörper
DieAuskoppellinse
Derinnere Formkörper
DerHalbleiterkörper
Seitlichdes Halbleiterkörpers
DerSpiegel
Diemetallische Schicht
DerBragg-Spiegel
Wie
Auchdie Auskoppellinse
Weiterhinsind der Halbleiterkörper
Wie
ImUnterschied zu dem optoelektronischen Bauelement gemäß demAusführungsbeispiel der
Dasoptoelektronische Bauelement umfasst einen Halbleiterkörper
DerWellenlängenkonversionsstoff
Diewellenlängenkonvertierende Schicht
Durchdie Variation in der Dicke der wellenlängenkonvertierendenSchicht
Weiterhinkann die wellenlängenkonvertierende Schicht
DieAußenseite
DieAuskoppellinse
Dadie wellenlängenkonvertierende Schicht
Weiterhinsind der Halbleiterkörper
DasBauelement gemäß dem Ausführungsbeispielder
Diewellenlängenkonvertierende Schicht
ImInnenbereich
ZumEinen ist der simulierte Cx-Wert des Farbortes in Abhängigkeitdes Abstrahlwinkels Θ eines herkömmlichen Bauelementesdargestellt, bei dem die wellenlängenkonvertierende Schicht
Weiterhinzeigt
Diedritte Kurve (Kurve 3) in dem Graph der
DasBauelement gemäß dem Ausführungsbeispielder
DerReflektorbereich
DerHalbleiterkörper
Vorliegendfällt die innere Halbkugelfläche Hinnen mitder Innenseite
Die übrigenElemente bzw. Merkmale des Bauelementes gemäß der
Dasoptoelektronische Bauelement gemäß dem Ausführungsbeispielder
DieAuskoppellinse
Die übrigenElemente bzw. Merkmale des Bauelementes gemäß der
ImUnterschied zu dem optoelektronischen Bauelement gemäß demAusführungsbeispiel der
DieHalbleiterkörper
Dievier Halbleiterkörper
DieHalbleiterkörper
DieErfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispielebeschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowiejede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombinationvon Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auchwenn dieses Merkmal oder diese Kombination von Merkmalen selbst nichtexplizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielenangegeben sind.TheThe invention is not by the description based on the embodimentslimited. Rather, the invention includes every new feature as wellany combination of features, especially any combinationincludes features in the claims, alsoif this feature or this combination of features itself is notexplicitly in the patent claims or exemplary embodimentsare indicated.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNGQUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION
Diese Listeder vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisierterzeugt und ist ausschließlich zur besseren Informationdes Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschenPatent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmtkeinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.This listThe documents listed by the applicant have been automatedgenerated and is solely for better informationrecorded by the reader. The list is not part of the GermanPatent or utility model application. The DPMA takes overno liability for any errors or omissions.
Zitierte PatentliteraturCited patent literature
Zitierte Nicht-PatentliteraturCited non-patent literature
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102007049799ADE102007049799A1 (en) | 2007-09-28 | 2007-10-17 | Optoelectronic component |
| EP08801318AEP2193552A1 (en) | 2007-09-28 | 2008-09-10 | Optoelectronic component |
| KR1020107008650AKR20100061562A (en) | 2007-09-28 | 2008-09-10 | Optoelectronic component |
| PCT/DE2008/001514WO2009039826A1 (en) | 2007-09-28 | 2008-09-10 | Optoelectronic component |
| CN2008801088845ACN101809765B (en) | 2007-09-28 | 2008-09-10 | Optoelectronic component |
| JP2010526155AJP2010541220A (en) | 2007-09-28 | 2008-09-10 | Optoelectronic devices |
| US12/680,637US8624289B2 (en) | 2007-09-28 | 2008-09-10 | Optoelectronic component |
| TW097135863ATWI419361B (en) | 2007-09-28 | 2008-09-18 | Optoelectronic component |
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102007046699.6 | 2007-09-28 | ||
| DE102007046699 | 2007-09-28 | ||
| DE102007049799ADE102007049799A1 (en) | 2007-09-28 | 2007-10-17 | Optoelectronic component |
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE102007049799A1true DE102007049799A1 (en) | 2009-04-02 |
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE102007049799AWithdrawnDE102007049799A1 (en) | 2007-09-28 | 2007-10-17 | Optoelectronic component |
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8624289B2 (en) |
| EP (1) | EP2193552A1 (en) |
| JP (1) | JP2010541220A (en) |
| KR (1) | KR20100061562A (en) |
| CN (1) | CN101809765B (en) |
| DE (1) | DE102007049799A1 (en) |
| TW (1) | TWI419361B (en) |
| WO (1) | WO2009039826A1 (en) |
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102008045331A1 (en) | 2008-09-01 | 2010-03-04 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic component |
| DE102008057140A1 (en) | 2008-11-13 | 2010-05-20 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic component |
| CN102986032A (en)* | 2010-06-17 | 2013-03-20 | 邱罗利士公司 | Light-emitting structure and a method for fabricating the same |
| JP2015149468A (en)* | 2014-02-05 | 2015-08-20 | 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | Light emitting diode package and manufacturing method thereof |
| CN108255545A (en)* | 2016-12-28 | 2018-07-06 | 阿里巴巴集团控股有限公司 | The funcall method, apparatus of inter-module and component based architecture system |
| WO2019161895A1 (en)* | 2018-02-21 | 2019-08-29 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Method for producing an optoelectronic component |
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW200926454A (en) | 2007-08-03 | 2009-06-16 | Panasonic Corp | Light-emitting device |
| DE102007044146A1 (en) | 2007-09-12 | 2009-03-19 | Bayer Materialscience Ag | Thermoplastic with metal identification plate |
| JP5512515B2 (en)* | 2008-05-30 | 2014-06-04 | シャープ株式会社 | Light emitting device, surface light source, and liquid crystal display device |
| US10422503B2 (en) | 2009-10-30 | 2019-09-24 | Ideal Industries Lighting Llc | One-piece multi-lens optical member and method of manufacture |
| JP5451534B2 (en)* | 2010-06-07 | 2014-03-26 | 株式会社東芝 | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing semiconductor light emitting device |
| KR101689163B1 (en)* | 2010-07-08 | 2016-12-23 | 엘지이노텍 주식회사 | The light- |
| US8835199B2 (en)* | 2010-07-28 | 2014-09-16 | GE Lighting Solutions, LLC | Phosphor suspended in silicone, molded/formed and used in a remote phosphor configuration |
| KR101906863B1 (en)* | 2011-03-07 | 2018-10-11 | 루미리즈 홀딩 비.브이. | A light emitting module, a lamp, a luminaire and a display device |
| JP2013021136A (en)* | 2011-07-11 | 2013-01-31 | Sharp Corp | Light-emitting device and display device |
| KR101859653B1 (en)* | 2011-08-30 | 2018-05-18 | 삼성전자주식회사 | Light emitting unit and liquid display apparatus having the same |
| US8492746B2 (en) | 2011-09-12 | 2013-07-23 | SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. | Light emitting diode (LED) dice having wavelength conversion layers |
| CN104115290B (en) | 2011-11-23 | 2017-04-05 | 夸克星有限责任公司 | Light emitting device providing asymmetric propagation of light |
| JP2013135084A (en)* | 2011-12-26 | 2013-07-08 | Nitto Denko Corp | Light-emitting diode device manufacturing method |
| CN103375708B (en)* | 2012-04-26 | 2015-10-28 | 展晶科技(深圳)有限公司 | Light-emitting diode lamp source device |
| CN103489997B (en)* | 2012-06-09 | 2016-02-03 | 王树生 | Led |
| US20140048824A1 (en) | 2012-08-15 | 2014-02-20 | Epistar Corporation | Light-emitting device |
| US9356070B2 (en) | 2012-08-15 | 2016-05-31 | Epistar Corporation | Light-emitting device |
| US9612002B2 (en) | 2012-10-18 | 2017-04-04 | GE Lighting Solutions, LLC | LED lamp with Nd-glass bulb |
| US20140209950A1 (en)* | 2013-01-31 | 2014-07-31 | Luxo-Led Co., Limited | Light emitting diode package module |
| US9752757B2 (en) | 2013-03-07 | 2017-09-05 | Quarkstar Llc | Light-emitting device with light guide for two way illumination |
| US8847261B1 (en) | 2013-03-14 | 2014-09-30 | Cooledge Lighting Inc. | Light-emitting devices having engineered phosphor elements |
| US9920901B2 (en) | 2013-03-15 | 2018-03-20 | Cree, Inc. | LED lensing arrangement |
| US10400984B2 (en) | 2013-03-15 | 2019-09-03 | Cree, Inc. | LED light fixture and unitary optic member therefor |
| USD735683S1 (en)* | 2013-05-03 | 2015-08-04 | Cree, Inc. | LED package |
| USD758976S1 (en)* | 2013-08-08 | 2016-06-14 | Cree, Inc. | LED package |
| US9335023B2 (en)* | 2013-12-11 | 2016-05-10 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Quantum dot lens and manufacturing method thereof |
| USD746240S1 (en)* | 2013-12-30 | 2015-12-29 | Cree, Inc. | LED package |
| KR102188500B1 (en)* | 2014-07-28 | 2020-12-09 | 삼성전자주식회사 | Light emitting diode package and lighting device using the same |
| EP3224529B1 (en)* | 2014-11-25 | 2025-05-21 | Quarkstar LLC | Lighting device having a 3d scattering element and optical extractor with convex output surface |
| KR20230041087A (en)* | 2015-02-04 | 2023-03-23 | 메르크 파텐트 게엠베하 | Electronic element and display |
| US10118547B2 (en)* | 2015-11-13 | 2018-11-06 | The Boeing Company | Embedded lighting features for lighting panels |
| DE102016113942A1 (en)* | 2016-07-28 | 2018-02-15 | HELLA GmbH & Co. KGaA | Light source with a primary optic of silicone and method for producing the light source |
| KR102646700B1 (en) | 2018-08-16 | 2024-03-13 | 엘지이노텍 주식회사 | Lighting apparatus |
| CN110544738B (en)* | 2019-08-22 | 2021-06-29 | 佛山市柔浩电子有限公司 | An ultraviolet light-emitting diode structure |
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2311417B2 (en)* | 1972-03-14 | 1977-07-14 | ELECTROLUMINESCENT DIODE ARRANGEMENT | |
| DE2942875A1 (en)* | 1978-11-02 | 1980-05-14 | Philips Nv | COUPLING DEVICE BETWEEN OPTICAL FIBERS AND ELECTRO-OPTICAL ELEMENTS |
| DE69016885T2 (en)* | 1989-08-29 | 1995-06-08 | Hewlett Packard Co | High efficiency lamp or light receiver. |
| US5684309A (en) | 1996-07-11 | 1997-11-04 | North Carolina State University | Stacked quantum well aluminum indium gallium nitride light emitting diodes |
| DE19638667A1 (en)* | 1996-09-20 | 1998-04-02 | Siemens Ag | Mixed-color light-emitting semiconductor component with luminescence conversion element |
| WO1998031055A1 (en) | 1997-01-09 | 1998-07-16 | Nichia Chemical Industries, Ltd. | Nitride semiconductor device |
| US5831277A (en) | 1997-03-19 | 1998-11-03 | Northwestern University | III-nitride superlattice structures |
| WO2001039282A2 (en) | 1999-11-19 | 2001-05-31 | Osram Opto Semiconductors Gmbh & Co. Ohg | Optical semiconductor device comprising a multiple quantum well structure |
| WO2002054502A1 (en)* | 2000-12-28 | 2002-07-11 | Tridonic Optoelectronics Gmbh | Light source comprising a light-emitting element |
| WO2002056390A1 (en) | 2001-01-15 | 2002-07-18 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Light-emitting diode and method for the production thereof |
| DE10120703A1 (en)* | 2001-04-27 | 2002-10-31 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Semiconductor chip for optoelectronics |
| EP1455398A2 (en)* | 2003-03-03 | 2004-09-08 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light emitting device comprising a phosphor layer and method of making same |
| WO2006034703A1 (en) | 2004-09-30 | 2006-04-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic component and housing for an optoelectronic component |
| EP1744375A1 (en)* | 2005-07-14 | 2007-01-17 | Osram Opto Semiconductors GmbH | Optoelectronic chip and process for its manufacture |
| EP1840977A1 (en)* | 2004-12-24 | 2007-10-03 | Kyocera Corporation | Light-emitting device and illuminating device |
| WO2007126836A2 (en)* | 2006-04-04 | 2007-11-08 | Cree, Inc. | Uniform emission led package |
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3676668A (en)* | 1969-12-29 | 1972-07-11 | Gen Electric | Solid state lamp assembly |
| JP2990652B2 (en) | 1996-03-22 | 1999-12-13 | 株式会社村田製作所 | Stacked balun transformer |
| JP2907286B1 (en)* | 1998-06-26 | 1999-06-21 | サンケン電気株式会社 | Resin-sealed semiconductor light emitting device having fluorescent cover |
| HK1041367A1 (en)* | 2000-02-09 | 2002-07-05 | Nippon Leiz Corporation | Light source |
| US6635363B1 (en)* | 2000-08-21 | 2003-10-21 | General Electric Company | Phosphor coating with self-adjusting distance from LED chip |
| US7064355B2 (en)* | 2000-09-12 | 2006-06-20 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Light emitting diodes with improved light extraction efficiency |
| DE10054966A1 (en)* | 2000-11-06 | 2002-05-16 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Component for optoelectronics |
| US6737681B2 (en)* | 2001-08-22 | 2004-05-18 | Nichia Corporation | Light emitting device with fluorescent member excited by semiconductor light emitting element |
| US7800121B2 (en) | 2002-08-30 | 2010-09-21 | Lumination Llc | Light emitting diode component |
| CN100468791C (en)* | 2002-08-30 | 2009-03-11 | 吉尔科有限公司 | Light emitting diode with improved effience |
| US6744077B2 (en)* | 2002-09-27 | 2004-06-01 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Selective filtering of wavelength-converted semiconductor light emitting devices |
| US6896381B2 (en)* | 2002-10-11 | 2005-05-24 | Light Prescriptions Innovators, Llc | Compact folded-optics illumination lens |
| US6730940B1 (en)* | 2002-10-29 | 2004-05-04 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Enhanced brightness light emitting device spot emitter |
| US7157839B2 (en)* | 2003-01-27 | 2007-01-02 | 3M Innovative Properties Company | Phosphor based light sources utilizing total internal reflection |
| KR20050113200A (en) | 2003-02-26 | 2005-12-01 | 크리, 인코포레이티드 | Composite white light source and method for fabricating |
| CA2523544A1 (en)* | 2003-04-30 | 2004-11-18 | Cree, Inc. | High powered light emitter packages with compact optics |
| US7029935B2 (en)* | 2003-09-09 | 2006-04-18 | Cree, Inc. | Transmissive optical elements including transparent plastic shell having a phosphor dispersed therein, and methods of fabricating same |
| US6995402B2 (en)* | 2003-10-03 | 2006-02-07 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | Integrated reflector cup for a light emitting device mount |
| US7791274B2 (en)* | 2004-01-07 | 2010-09-07 | Panasonic Corporation | LED lamp |
| US20060012298A1 (en)* | 2004-07-14 | 2006-01-19 | Taiwan Oasis Technology Co., Ltd. | LED chip capping construction |
| US7344902B2 (en) | 2004-11-15 | 2008-03-18 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Overmolded lens over LED die |
| JP2007035802A (en)* | 2005-07-25 | 2007-02-08 | Matsushita Electric Works Ltd | Light-emitting device |
| WO2008025723A1 (en)* | 2006-08-29 | 2008-03-06 | Osram Sylvania Inc. | Enhanced emission from phosphor-converted leds using interferometric filters |
| US7994529B2 (en)* | 2008-11-05 | 2011-08-09 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | LED with molded bi-directional optics |
| JP5325639B2 (en)* | 2009-04-03 | 2013-10-23 | パナソニック株式会社 | Light emitting device |
| US8168998B2 (en)* | 2009-06-09 | 2012-05-01 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | LED with remote phosphor layer and reflective submount |
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2311417B2 (en)* | 1972-03-14 | 1977-07-14 | ELECTROLUMINESCENT DIODE ARRANGEMENT | |
| DE2942875A1 (en)* | 1978-11-02 | 1980-05-14 | Philips Nv | COUPLING DEVICE BETWEEN OPTICAL FIBERS AND ELECTRO-OPTICAL ELEMENTS |
| DE69016885T2 (en)* | 1989-08-29 | 1995-06-08 | Hewlett Packard Co | High efficiency lamp or light receiver. |
| US5684309A (en) | 1996-07-11 | 1997-11-04 | North Carolina State University | Stacked quantum well aluminum indium gallium nitride light emitting diodes |
| DE19638667A1 (en)* | 1996-09-20 | 1998-04-02 | Siemens Ag | Mixed-color light-emitting semiconductor component with luminescence conversion element |
| WO1998031055A1 (en) | 1997-01-09 | 1998-07-16 | Nichia Chemical Industries, Ltd. | Nitride semiconductor device |
| EP1017113A1 (en) | 1997-01-09 | 2000-07-05 | Nichia Chemical Industries, Ltd. | Nitride semiconductor device |
| US5831277A (en) | 1997-03-19 | 1998-11-03 | Northwestern University | III-nitride superlattice structures |
| WO2001039282A2 (en) | 1999-11-19 | 2001-05-31 | Osram Opto Semiconductors Gmbh & Co. Ohg | Optical semiconductor device comprising a multiple quantum well structure |
| WO2002054502A1 (en)* | 2000-12-28 | 2002-07-11 | Tridonic Optoelectronics Gmbh | Light source comprising a light-emitting element |
| WO2002056390A1 (en) | 2001-01-15 | 2002-07-18 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Light-emitting diode and method for the production thereof |
| DE10120703A1 (en)* | 2001-04-27 | 2002-10-31 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Semiconductor chip for optoelectronics |
| EP1455398A2 (en)* | 2003-03-03 | 2004-09-08 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light emitting device comprising a phosphor layer and method of making same |
| WO2006034703A1 (en) | 2004-09-30 | 2006-04-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic component and housing for an optoelectronic component |
| EP1840977A1 (en)* | 2004-12-24 | 2007-10-03 | Kyocera Corporation | Light-emitting device and illuminating device |
| EP1744375A1 (en)* | 2005-07-14 | 2007-01-17 | Osram Opto Semiconductors GmbH | Optoelectronic chip and process for its manufacture |
| DE102005033005A1 (en)* | 2005-07-14 | 2007-01-18 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic chip |
| WO2007126836A2 (en)* | 2006-04-04 | 2007-11-08 | Cree, Inc. | Uniform emission led package |
| Title |
|---|
| Journal of Display Technology, Vol. 3, NO 2, June 2007, Seiten 155 bis 159 |
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102008045331A1 (en) | 2008-09-01 | 2010-03-04 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic component |
| US8785951B2 (en) | 2008-09-01 | 2014-07-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectric component |
| DE102008057140A1 (en) | 2008-11-13 | 2010-05-20 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic component |
| US8558259B2 (en) | 2008-11-13 | 2013-10-15 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic component having a dome-like conversion element |
| CN102986032A (en)* | 2010-06-17 | 2013-03-20 | 邱罗利士公司 | Light-emitting structure and a method for fabricating the same |
| EP2583306A4 (en)* | 2010-06-17 | 2014-09-17 | Achrolux Inc | LIGHT STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME |
| JP2015149468A (en)* | 2014-02-05 | 2015-08-20 | 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | Light emitting diode package and manufacturing method thereof |
| CN108255545A (en)* | 2016-12-28 | 2018-07-06 | 阿里巴巴集团控股有限公司 | The funcall method, apparatus of inter-module and component based architecture system |
| WO2019161895A1 (en)* | 2018-02-21 | 2019-08-29 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Method for producing an optoelectronic component |
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2009039826A1 (en) | 2009-04-02 |
| TW200933932A (en) | 2009-08-01 |
| US8624289B2 (en) | 2014-01-07 |
| JP2010541220A (en) | 2010-12-24 |
| KR20100061562A (en) | 2010-06-07 |
| CN101809765B (en) | 2012-06-27 |
| EP2193552A1 (en) | 2010-06-09 |
| US20100308356A1 (en) | 2010-12-09 |
| TWI419361B (en) | 2013-12-11 |
| CN101809765A (en) | 2010-08-18 |
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE102007049799A1 (en) | Optoelectronic component | |
| DE102007059548A1 (en) | Optoelectronic component and coupling-out lens for an optoelectronic component | |
| EP2628193B1 (en) | Conversion component | |
| DE102010007751B4 (en) | Lens, optoelectronic semiconductor component and lighting device | |
| EP2215657B1 (en) | Arrangement having at least two light-emitting semiconductor devices and method for manufacturing the same | |
| EP2583319B1 (en) | Optoelectronic component | |
| EP2593975B1 (en) | Radiation-emitting component | |
| WO2009039827A1 (en) | Semiconductor light source having a primary radiation source and a luminescence conversion element | |
| DE10054966A1 (en) | Component for optoelectronics | |
| EP1618430A2 (en) | Light source | |
| DE102010045403A1 (en) | Optoelectronic component | |
| DE102018123851A1 (en) | Light-emitting device | |
| DE102006005042A1 (en) | Light-emitting device with non-activated phosphor | |
| DE102016104616A1 (en) | Semiconductor light source | |
| DE102008012407A1 (en) | Radiation-emitting device | |
| WO2011144385A1 (en) | Optoelectronic semiconductor component and method for producing a covering layer | |
| DE102017111706A1 (en) | Light emitting device | |
| WO2019141472A1 (en) | Optoelectronic semiconductor component | |
| DE102015121074A1 (en) | SEMICONDUCTOR COMPONENT WITH LIGHTING LAYER | |
| DE102004052456B4 (en) | Radiation-emitting component and method for its production | |
| DE102008048846A1 (en) | Optoelectronic component | |
| WO2025125065A1 (en) | Optoelectronic component and optoelectronic arrangement | |
| EP1598590A2 (en) | Illumination device with optimized light extracting surface | |
| DE102014113275A1 (en) | Optoelectronic component | |
| DE102013105533A1 (en) | Inorganic optical element and method for producing an inorganic optical element |
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| OM8 | Search report available as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law | ||
| R005 | Application deemed withdrawn due to failure to request examination | ||
| R079 | Amendment of ipc main class | Free format text:PREVIOUS MAIN CLASS: H01L0033000000 Ipc:H01L0033500000 |