DE102005059850A1 - Device for cleaning and drying wafers - Google Patents

Abstract

Translated fromGerman

Waferbearbeitungsvorrichtung (1) mit einer Prozesskammer (3), die von einem Gehäuse (2) umgeben ist, einer Anordnung von Einlassöffnungen (9), die dazu vorgesehen sind, ein Fluid abzugeben und einer drehbaren Aufnahmevorrichtung (11) für die Wafer (15) innerhalb der Prozesskammer (3), bei der auf der Aufnahmevorrichtung (11) eine Beschichtung aus einem Fluorpolymer, vorzugsweise PTFE, vorgesehen ist.Wafer processing device (1) with a process chamber (3) which is surrounded by a housing (2), an arrangement of inlet openings (9) which are provided to dispense a fluid and a rotatable receiving device (11) for the wafers (15) inside the process chamber (3), in which a coating of a fluoropolymer, preferably PTFE, is provided on the receiving device (11).

Description

Translated fromGerman

Dievorliegende Erfindung betrifft eine Waferbearbeitungsvorrichtunggemäß dem Oberbegriffdes Patentanspruchs 1.TheThe present invention relates to a wafer processing apparatusaccording to the generic termof claim 1

IntegrierteSchaltungen, wie Mikroprozessoren oder Speicherchips, und andere ähnlicheBaugruppen werden üblicherweiseauf dünnenrunden Scheiben, so genannten Wafern, hergestellt. Diese unterliegenwährendihrer Herstellung einer großen Anzahlan aufeinander folgenden Prozessschritten, eingeschlossen Reinigungsschritten,die üblicherweisein Spül-und Trockenvorgängenausgeführtwerden.integratedCircuits, such as microprocessors or memory chips, and other similar onesAssemblies are usuallyon thinround slices, so-called wafers. These are subjectwhiletheir production of a large numberat successive process steps, including purification steps,the usualin rinsingand drying processesaccomplishedbecome.

DieFertigungsausbeute hochintegrierter Schaltungen ist in erheblichemMaße vonder Sauberkeit der Wafer währenddes gesamten Prozesses abhängig.Verunreinigungen könnendabei sowohl Partikel als auch chemische Kontaminationen sein, dieaus der Prozessumgebung auf der Scheibenoberfläche angelagert werden. BeideVerunreinigungen könnennicht streng voneinander getrennt werden, da chemische Bestandteilevon Partikeln insbesondere bei Hochtemperaturprozessen in das Siliziumeindiffundieren und die elektrischen oder mechanischen Eigenschaftendes Materials lokal verändern können.TheProduction yield of highly integrated circuits is considerableMeasures ofthe cleanliness of the wafers duringdependent on the whole process.Impurities canBoth particles and chemical contaminants that arebe deposited from the process environment on the disk surface. BothImpurities canare not strictly separated from each other, as are chemical constituentsof particles especially in high-temperature processes in the silicondiffuse and the electrical or mechanical propertiesof the material can change locally.

Partikelkontaminationerfolgt durch Anlagerungen aus Umgebungsluft, Gasen und Flüssigkeiten.Starke Quellen sind durch bewegliche Teile in Maschinen erzeugterAbrieb sowie abplatzende Schichten z. B. in CVD (Chemical Vapordeposition)-Prozessen. Anlagerung und Haftung der Partikel sinddabei stark vom jeweiligen elektrostatischen Ladungszustand abhängig. An derScheibenoberfläche anhaftendePartikel führenin Fotoprozessen zu inhomogenen Lackdicken sowie Kurzschlüssen oderUnterbrechungen der Lackbahnen. Ätz-und Implantationsprozesse könnenlokal maskiert werden, so dass hier ebenfalls Kurzschlüsse undUnterbrechungen auftreten können.Der Einbau von Partikeln in Isolatorschichten ergibt Stellen mitverminderter Durchbruchfestigkeit oder vertikalen Kurzschlüssen.particle contaminationoccurs through deposits of ambient air, gases and liquids.Strong sources are produced by moving parts in machinesAbrasion and chipping layers z. B. in CVD (Chemical Vapordeposition) processes. Attachment and adhesion of the particles arethereby strongly dependent on the respective electrostatic charge state. At theDisc surface adhesiveParticles leadin photo processes to inhomogeneous paint thicknesses as well as short circuits orInterruptions of the paint runways. causticand implantation processes canbe locally masked, so here too shorts andInterruptions can occur.The incorporation of particles in insulator layers gives placesreduced breakdown strength or vertical short circuits.

Metallkontaminationerfolgt ebenfalls durch Anlagerungen aus der Umgebungsluft, Gasenund Flüssigkeiten;Kontamination durch Metalle ergibt sich häufig durch Abrieb von beweglichenMetallteilen, aber auch durch Absputtern von Metallteilen in denProzesskammern in Plasmaprozessen. Da Metallatome beim Einbau imSiliziumgitter meist tiefliegende Störstellenniveaus ergeben, führt ihreEindiffusion bei Hochtemperaturprozessen zu erhöhter Rekombination der Ladungsträger undverminderter Minoritätsträgerlebensdauer;weiterhin wirken sie als Quelle für oxidationsinduzierte Stapelfahler.Metallkontamination erfordert fürden Nachweis meist einen hohen analytischen Aufwand.metal contaminationalso takes place by deposits from the ambient air, gasesand liquids;Contamination by metals often results from abrasion of movingMetal parts, but also by sputtering of metal parts in theProcess chambers in plasma processes. Since metal atoms are incorporated in theSilicon lattice usually low-lying impurity levels result, leads theirIndiffusion in high-temperature processes to increased recombination of the charge carriers andreduced minority carrier lifetime;furthermore, they act as a source of oxidation-induced staple precipitators.Metal contamination required forthe proof usually a high analytical effort.

EffektiveReinigungsverfahren und/oder Trockenverfahren müssen daher die oben beschriebenenKontaminationen zwischen den Prozessschritten beseitigen oder aufein fürdie Funktionsfähigkeitder Bauelemente unkritisches Maß reduzieren.effectiveCleaning processes and / or drying processes must therefore be as described aboveEliminate or eliminate contamination between process stepsone forthe functionalityreduce the components uncritical.

Nebenmechanischen Reinigungsverfahren sind vor allem trockenchemischeund nasschemische Reinigungsverfahren bekannt.Nextmechanical cleaning processes are mainly dry chemicaland wet-chemical cleaning methods.

Während mancheVerbindungen durch einfaches Spülenin Reinstwasser oder de-ionisierten Wasser von der Scheibenoberfläche entferntwerden können,erfordern die weitaus meisten Kontaminaten jedoch zunächst die Überführung ineinen löslichen Zustand.Zur Anwendung kommen hier saure oder basische Lösungen, Oxidationsmittel undKomplexbildner.While someConnections by simply rinsingin ultrapure water or deionized water from the disk surfacecan beHowever, the vast majority of contaminants require first the transfer ina soluble state.Here, acidic or basic solutions, oxidizing agents andComplexing agent.

Inder Praxis laufen die Reinigungs- und/oder Trockenschritte weitgehendautomatisiert in zentrifugalen Sprühsystemen ab.InIn practice, the cleaning and / or drying steps run largelyautomated in centrifugal spray systems.

Beiderartigen Prozessen kommen üblicherweiseSchleudern zum Einsatz, in denen die einzelnen Schritte des Herstellungsprozessesablaufen. Die Schleudern verfügendabei übereine Trommel, in der die Wafer währenddes Prozessschrittes gehalten werden. Die Trommel ist wiederum drehbarin einer Kammer angeordnet, in denen Düsen angeordnet sind, die dieWafer mit Flüssigkeitenoder Gasen besprühen.Währenddes Schleuderprozesses dreht sich die Trommel mit hoher Geschwindigkeit,um einerseits füreine gute Verteilung der Flüssigkeitenauf den Wafer zu sorgen und um andererseits im Trockenvorgang für eine Beseitigungder Flüssigkeiten aufder Waferoberflächemittels Zentrifugalkraft zu sorgen.atsuch processes usually comeSlings are used, in which the individual steps of the manufacturing processexpire. The slings haveover ita drum in which the wafers duringof the process step are kept. The drum is turnablearranged in a chamber in which nozzles are arranged, which are theWafer with liquidsor spray gases.Whilethe spinning process, the drum rotates at high speed,on the one hand fora good distribution of fluidson the wafer and on the other hand in the drying process for disposalof liquidsthe wafer surfaceto provide by centrifugal force.

Daes bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen auf große defektfreieStückzahlenin geringer Zeit ankommt, ist zusätzlich darauf zu achten, dassdie Reinigungsprozesse in einer angemessenen Zeit stattfinden.Thereit in the manufacture of semiconductor devices on large defect-freenumbersarrives in a short time, care must be taken in addition to thatthe cleaning processes take place in a timely manner.

Nachteiligan den bekannten Reinigungs- und Trockenvorrichtungen ist, dasssie üblicherweise auseiner Stahllegierung bestehen. Da bei den Reinigungs- und TrockenprozessengrundsätzlichFlüssigkeiten,beispielsweise de-ionisiertes Wasser, eingesetzt werden, die Atomeaus den Stahllegierungen lösenkönnen,besteht die Gefahr, dass gerade Fremdatome wie z.B. Vanadium, Tantal,Wolfram oder Gold, insbesondere aber Eisen, Chrom, Nickel, Sauerstoffund Kohlenstoff gelöstwerden, in Kontakt mit den Wafern kommen und bei den nachfolgenden Temperaturprozessenin die Gitterstruktur des Siliziums eindringen. Gerade Eisenatomekönnenbesonders leicht an den Oberflächender Wafer anhaften, wobei es dann nach Temperaturprozessen zu Störstellenrekombinationenim Siliziumkristallgitter aufgrund von Kristalldefekten kommen kann.Wichtig für einehohe Ladungsträgerlebensdauerund somit die Qualitätder Wafer ist jedoch eine geringe Verunreinigung an Fremdatomen.Daraus resultieren hohe Anforderungen an die Reinheit der Ausgangsmaterialienund an alle Nass- und Hochtemperaturprozesse, bei denen besondersschnell Fremdatome eingebracht werden können.A disadvantage of the known cleaning and drying devices is that they usually consist of a steel alloy. Since cleaning and drying processes always use liquids, for example deionized water, which can dissolve atoms from the steel alloys, there is the danger that even foreign atoms, such as, for example, vanadium, tantalum, tungsten or gold, but especially iron, chromium, Nickel, oxygen and carbon are dissolved, come into contact with the wafers and penetrate in the subsequent temperature processes in the lattice structure of the silicon. Especially iron atoms can be special Often they adhere to the surfaces of the wafer, which may then lead to temperature processes to impurity recombination in the silicon crystal lattice due to crystal defects. However, it is important for a high charge carrier lifetime and thus the quality of the wafers to have a low level of impurity contamination. This results in high demands on the purity of the starting materials and on all wet and high-temperature processes in which foreign atoms can be introduced very quickly.

Beieinem weiteren bekannten Verfahren zum Reinigen und Trocken vonWafern werden unter Ausnutzung des Marangoni-Effekts Medien wieIsopropanol oder Alkohol-/Wassergemische verwendet, wobei sehr guteErfolge erzielt werden, allerdings sind die Geräte für dieses Verfahren weit teurerals fürdie herkömmlichenVerfahren.atAnother known method for cleaning and drying ofWafers, using the Marangoni effect, become media likeIsopropanol or alcohol / water mixtures used, being very goodAchievements, but the devices are far more expensive for this processas forthe conventional onesMethod.

Aufgabeder Erfindung ist es daher unter Vermeidung vorgenannter Nachteiledie Partikelanzahl im Reinigungsprozess zu minimieren und die Kontaminationmit Metallionen zu vermeiden.taskThe invention is therefore to avoid the aforementioned disadvantagesminimize the number of particles in the cleaning process and the contaminationwith metal ions to avoid.

DieseAufgabe wird erfindungsgemäß durch eineVorrichtung der eingangs genannten Art mit den Merkmalen des Patentanspruches1 und durch ein Verfahren gemäß Patentanspruch8 gelöst.Günstige Ausgestaltungsformensind Gegenstand von Unteransprüchen.TheseThe object is achieved by aDevice of the type mentioned above with the features of claim1 and by a method according to claim8 solved.Favorable embodimentsare the subject of dependent claims.

Demnachbesteht das Wesen der Erfindung darin, dass bei einer Waferbearbeitungsvorrichtung, dieeine Prozesskammer und innerhalb der Prozesskammer eine Anordnungvon Einlassöffnungenund eine drehbare Aufnahmevorrichtung für die Wafer umfasst, auf derdrehbaren Aufnahmevorrichtung eine Beschichtung aus einem Fluorpolymervorgesehen ist. Da selbst das de-ionisierte Wasser, das zum Reinigenverwendet wird, immer noch schädliche Partikelenthält,besteht grundsätzlichdie Gefahr, dass diese Partikel an der Oberfläche der Prozesskammer haftenbleiben und beim nächstenReinigungsvorgang die Wafer kontaminieren. Im Gegensatz zu einerOberflächeaus Stahl oder Edelstahl ist die Oberfläche des Fluorpolymers hydrophob,daher bleibt kein Wasser, das eventuell Partikel enthalten könnte, ander Oberflächehaften.Thereforethe essence of the invention is that in a wafer processing apparatus, thea process chamber and within the process chamber an arrangementfrom inlet openingsand a rotatable wafer receiving device, on whichrotatable receiving device a coating of a fluoropolymeris provided. Because even the de-ionized water that is used for cleaningis used, still harmful particlescontainsbasically existsthe danger that these particles adhere to the surface of the process chamberstay and the nextCleaning process contaminate the wafer. Unlike onesurfacemade of steel or stainless steel, the surface of the fluoropolymer is hydrophobic,therefore, no water that could possibly contain particles remainsthe surfacebe liable.

Optischeund elektronische Untersuchungen der Anmelderin haben gezeigt, dassdie Partikelanzahl auf den Wafern nach dem Reinigen in einer erfindungsgemäßen Vorrichtungin einen Bereich unter 2 bis 5 Partikel pro Wafer gesunken ist,währendvor dem Einsatz der Vorrichtung die Partikelanzahl zwischen 10 und25 lag.opticaland electronic investigations by the Applicant have shown thatthe number of particles on the wafers after cleaning in a device according to the inventionhas fallen into a range below 2 to 5 particles per wafer,whilebefore using the device, the particle number between 10 and25 lag.

Alsbesonders vorteilhaft hat sich hierbei eine Beschichtung erwiesen,bei dem als Fluorpolymer Polytetrafluorethylen (PTFE) vorgesehenist. Dieses weist eine sehr geringe Oberflächenspannung auf, so dass keinePartikel und kein Reinigungsfluid an der Oberfläche haften bleiben können. Weiterhinbietet eine Beschichtung aus PTFE den Vorteil, dass sie im Gegensatzzu anderen Fluorpolymeren sehr dünnaufgetragen werden kann. Daher treten auch bei einer Nachrüstung anden Maschinen nur geringe Massenänderungenauf. Dies ist bei den zentrifugalen Waferbearbeitungsvorrichtungenvon großerBedeutung, damit es nicht zu Unwuchten bei der Rotation kommt.WhenIn this case, a coating has proved to be particularly advantageousin which provided as a fluoropolymer polytetrafluoroethylene (PTFE)is. This has a very low surface tension, so that noParticles and no cleaning fluid can adhere to the surface. FartherA coating of PTFE offers the advantage of being in contrastvery thin compared to other fluoropolymerscan be applied. Therefore, also occur in a retrofitthe machines only small mass changeson. This is with the centrifugal wafer processing devicesof greatMeaning, so that it does not come to imbalances in the rotation.

Eineandere Ausgestaltung der Erfindung sieht vor, dass das Fluorpolymerein Perfluoralkoxy-Copolymerisat (PFA) ist.AAnother embodiment of the invention provides that the fluoropolymera perfluoroalkoxy copolymer (PFA).

Gemäß einervorteilhaften Weiterbildung der Erfindung ist unter der Beschichtungaus einem Fluorpolymer eine Hartschicht, vorzugsweise aus Siliziumcarbid(SiC, S-SiC oder Si-SiC) vorgesehen. Von besonderem Vorteil istweiterhin, wenn die Hartschicht übereine raue Oberfläche, ähnlich einerkeramischen Oberfläche,die Spitzen und Täleraufweist, verfügt.Gemäß einerWeiterbildung der Erfindung wird die Beschichtung aus Fluorpolymerdünn, miteiner Schichtdicke in einem Bereich von 40 bis 100 μm, aufgetragen.According to oneadvantageous development of the invention is under the coatingfrom a fluoropolymer, a hard layer, preferably of silicon carbide(SiC, S-SiC or Si-SiC) are provided. Of particular advantage iscontinue when the hard layer overa rough surface, similar to oneceramic surface,the peaks and valleyshas.According to oneFurther development of the invention is the coating of fluoropolymerthin, witha layer thickness in a range of 40 to 100 microns, applied.

DaWaferbearbeitungsvorrichtungen üblicherweisevon außenmittels Heizmatten oder ähnlichemfür einzelneProzessschritte beheizt werden, besteht der Vorteil einer dünnen Beschichtungdarin, dass nicht zuviel Wärmeenergieaufgrund der isolierenden Eigenschaften der Beschichtung verloren geht.ThereWafer processing devices usuallyfrom the outsideby means of heating mats or similarfor individualProcess steps are heated, there is the advantage of a thin coatingin that not too much heat energylost due to the insulating properties of the coating.

BeimAuftrag der Fluorpolymerschicht auf die raue Hartschicht kann dieDicke der Fluorpolymerschicht auf den Spitzen der Hartschichtoberfläche im Bereichvon wenigen μmliegen, währendsich in den Tälerneine Schicht mit der vorgenannten Schichtstärke von 40 bis 100 μm sammelt.Bei mechanischer Beanspruchung der Oberfläche verbleibt somit in denTälernder Hartschicht die Fluorpolymerschicht auch dann, wenn die Spitzenbeschädigt werdensollten. Dadurch bleiben die Eigenschaften der Oberfläche insgesamtgewahrt.At theApplication of the fluoropolymer layer on the rough hard layer, theThickness of the fluoropolymer layer on the tips of the hardcoat surface in the areaof a few μmlie whilein the valleysa layer with the aforementioned layer thickness of 40 to 100 microns collects.With mechanical stress of the surface thus remains in thevalleysthe hard layer also covers the fluoropolymer layer when the tipsto be damagedshould. This leaves the properties of the surface as a wholemaintained.

Einevorteilhafte Ausgestaltung der Erfindung sieht zudem vor, die Beschichtungauf allen Fluid berührendenTeilen innerhalb der Waferbearbeitungsvorrichtung und/oder auf derinnen liegenden Oberflächedes Gehäusesvorzusehen.Aadvantageous embodiment of the invention also provides, the coatingtouching on all fluidParts within the wafer processing apparatus and / or on theinside surfaceof the housingprovided.

Weiterhinsieht die Erfindung ein Verfahren zur Bearbeitung eines Wafers vor,bei welchem zunächstein oder mehrere Wafer in eine drehbare Aufnahmevorrichtung einerProzesskammer eingelegt werden, wobei die Aufnahmevorrichtung miteiner Beschichtung aus einem Fluorpolymer versehen ist. Nachdemdie Wafer fixiert und die Prozesskammer verschlossen ist, wird einFluid, auf die Oberfläche derWafer mittels der in der Prozesskammer angeordneten Einlassöffnungenaufgebracht. Im Anschluss an den Reinigungs- und Spülvorgangwerden die Wafer durch Drehen der Aufnahmevorrichtung unter Ausnutzungder Zentrifugalkraft getrocknet.Furthermore, the invention provides a method for processing a wafer, in which initially one or more wafers are inserted into a rotatable receiving device of a process chamber, wherein the receiving device with a Coating of a fluoropolymer is provided. After the wafers are fixed and the process chamber is closed, a fluid is applied to the surface of the wafers by means of the inlet openings arranged in the process chamber. Following the cleaning and rinsing process, the wafers are dried by rotating the receiving device using centrifugal force.

Anhandder Figuren soll die Erfindung näher beschriebenwerden.BasedThe figures will be described in more detail the inventionbecome.

1 zeigteinen Längsschnittdurch eine Waferbearbeitungsvorrichtung 1 shows a longitudinal section through a wafer processing device

2 zeigteinen Querschnitt durch eine Waferbearbeitungsvorrichtung 2 shows a cross section through a wafer processing apparatus

3 zeigtMessergebnisse von der Anzahl der Partikel pro Wafer vor und nachdem Einsatz der erfindungsgemäßen Vorrichtungbzw. des erfindungsgemäßen Verfahrens 3 shows measurement results of the number of particles per wafer before and after the use of the device or the method according to the invention

1 zeigteinen Längsschnittdurch eine Waferbearbeitungsvorrichtung1. Diese Vorrichtung weistabgeschlossen durch ein zylinderförmiges Gehäuse2 eine Prozesskammer3 auf,in der eine rotierende Aufnahmevorrichtung11 für mindestenseinen Waferträger6 angeordnetist. Währenddes Reini gungsprozesses wird die Aufnahmevorrichtung11 durcheinen Rotationsantrieb10, der das Gehäuse2 durchdringt,in Bewegung versetzt. In der Prozesskammer3 ist außerdem einDüsenstock8 angeordnet,der mehrere Einlassöffnungen9 aufweist,die die jeweilige Reinigungsflüssigkeitoder ein Gas in die Prozesskammer3 einleiten. 1 shows a longitudinal section through a wafer processing device 1 , This device has completed by a cylindrical housing 2 a process chamber 3 on, in which a rotating receptacle 11 for at least one wafer carrier 6 is arranged. During the cleaning process, the receiving device 11 by a rotary drive 10 that's the case 2 permeates, set in motion. In the process chamber 3 is also a nozzle 8th arranged, the several inlet openings 9 having the respective cleaning liquid or a gas in the process chamber 3 initiate.

DieAufnahmevorrichtung11 enthält je zwei Haltestangen12,in welche der Waferträger6 eingehängt werdenkann. Damit die Wafer15 auch während der Rotationsbewegungfixiert sind, werden sie durch einen Verschluss7, dergelenkig an einer der Haltestangen12 befestigt ist, niedergehalten.The cradle 11 contains two handrails each 12 into which the wafer carrier 6 can be hung. So the wafers 15 even during the rotational movement are fixed, they are through a closure 7 that hinged to one of the handrails 12 is fastened, held down.

DieAufnahmevorrichtung11 ist auf beiden Seiten des Gehäuses2 mitRotationslagern14 versehen. Zur Aussteifung der Aufnahmevorrichtung11 sindinsgesamt vier Streben13 jeweils auf beiden Seiten derWaferträger6 angeordnet.The cradle 11 is on both sides of the case 2 with rotation bearings 14 Mistake. For stiffening the receiving device 11 are a total of four struts 13 each on both sides of the wafer carrier 6 arranged.

Beider vorliegenden Ausführungsformist der Düsenstock8 axialverschieblich in der Mitte des Gehäuses2 angeordnet.Es sind aber auch Ausführungsformendenkbar, bei denen der Düsenstock8 aufdem Boden des Gehäuses2 festfixiert ist.In the present embodiment, the nozzle is 8th axially displaceable in the middle of the housing 2 arranged. But there are also conceivable embodiments in which the nozzle 8th on the bottom of the case 2 firmly fixed.

2 zeigteinen Querschnitt durch die Waferbearbeitungsvorrichtung1.Der Deckel4 ist gelenkig am Gehäuse2 befestigt undermöglichtdas Be- und Entladen der Prozesskammer3. Reinigungflüssigkeitenund -gase werden durch die Einlassöffnungen9 des Düsenstocks8 inder Prozesskammer3 verteilt. 2 shows a cross section through the wafer processing apparatus 1 , The lid 4 is articulated on the housing 2 attached and allows the loading and unloading of the process chamber 3 , Cleaning fluids and gases pass through the inlet ports 9 of the nozzle block 8th in the process chamber 3 distributed.

Nebendem Gehäuse2 unddessen abschließendenDeckel4 sind sowohl die Aufnahmevorrichtung11 undderen Einzelteile, wie Haltestangen12 und Streben13 alsauch die Rotationslager14 üblicherweise aus Stahl oderEdelstahl hergestellt. Währenddes Reinigungsprozesses werden alle diese innen liegenden Konstruktionsteilevon der Reinigungsflüssigkeitoder -gas umspült.Die Beschichtung aus einem Fluorpolymer auf den einzelnen Teilender Waferbearbeitungsvorrichtung1 sorgt dafür, dasssich keine Metallionen lösenkönnten,die die vorgenannten Schädenan den Wafern15 hervorrufen können und dass sich von denWafern15 beim Reinigen gelöste Partikel nicht in der Waferbearbeitungsvorrichtung1 ablagern.Next to the case 2 and its final lid 4 are both the cradle 11 and their items, such as handrails 12 and striving 13 as well as the rotary bearings 14 Usually made of steel or stainless steel. During the cleaning process, all of these internal structural parts are washed by the cleaning fluid or gas. The coating of a fluoropolymer on the individual parts of the wafer processing apparatus 1 ensures that no metal ions could solve the aforementioned damage to the wafers 15 can cause and that is different from the wafers 15 when cleaning particles dissolved in the wafer processing device 1 deposit.

Indem Diagramm der3 sind die Anzahl der Partikel,die größer als0,3 μm sindund die nach dem Reinigungsvorgang noch an der Oberfläche einesWafers gemessen werden können über einer Zeitachse16,17,18 aufgetragen.Der erste Bereich16 gibt die Partikelanzahl nach Reinigungs-und Trockenvorgängenin herkömmlichenWaferbearbeitungsvorrichtungen nach dem Stand der Technik an. Imzweiten Bereich17 wurden Messungen nach dem Einsatz vonherkömmlichenund der Erprobung der erfindungsgemäßen Waferbearbeitungsvorrichtung durchgeführt. DerBereich18 gibt schließlichdie Partikelanzahl nach dem Einsatz der erfindungsgemäßen Vorrichtungwieder. Hierbei entspricht jeder Messwert der Anzahl der gemessenenPartikel an einem Wafer. Währenddie Anzahl der Partikel vor dem Einsatz der Erfindung zwischen 5und 25 schwankt, liegt die Partikelanzahl ab dem Einsatz der erfindungsgemäßen Vorrichtungin einem Bereich zwischen 2 und 5 Partikel pro Wafer.In the diagram of 3 are the number of particles that are larger than 0.3 μm and that can still be measured after the cleaning process on the surface of a wafer over a time axis 16 . 17 . 18 applied. The first area 16 indicates the number of particles after cleaning and drying operations in conventional prior art wafer processing apparatus. In the second area 17 measurements were carried out after the use of conventional and the testing of the wafer processing apparatus according to the invention. The area 18 Finally, the number of particles after the use of the device according to the invention again. In this case, each measured value corresponds to the number of measured particles on a wafer. While the number of particles varies between 5 and 25 before the use of the invention, the particle number after use of the device according to the invention is in a range between 2 and 5 particles per wafer.

11

WaferbearbeitungsvorrichtungWafer processing device

22

Gehäusecasing

33

Prozesskammerprocess chamber

44

Deckelcover

55

Öffnungopening

66

Waferträgerwafer carrier

77

Verschlussshutter

88th

Düsenstocknozzle

99

Einlassöffnunginlet port

1010

Rotationsantriebrotary drive

1111

RotierendeAufnahmevorrichtungrotatingcradle

1212

HaltestangenHandrails

1313

Strebenpursuit

1414

Rotationslagerrotary bearings

1515

Waferwafer

1616

Standder Technikwas standingof the technique

1717

Erprobungund Vergleichslauftestingand comparative run

1818

Einsatzder erfindungsgemäßen Vorrichtungcommitmentthe device according to the invention

Claims (8)

Translated fromGerman

Waferbearbeitungsvorrichtung (1), umfassend • eine Prozesskammer(3) umgeben von einem Gehäuse (2), • eine Anordnungvon Einlassöffnungen(9) innerhalb der Prozesskammer (3), die dazuvorgesehen sind, ein Fluid abzugeben und • eine drehbareAufnahmevorrichtung (11) für Wafer (15) innerhalbder Prozesskammer (3)dadurch gekennzeichnet,dass • aufder drehbaren Aufnahmevorrichtung (11) eine Beschichtungaus einem Fluorpolymer vorgesehen ist.Wafer processing device ( 1 ), comprising • a process chamber ( 3 ) surrounded by a housing ( 2 ), An arrangement of inlet openings ( 9 ) within the process chamber ( 3 ), which are intended to dispense a fluid and • a rotatable receiving device ( 11 ) for wafers ( 15 ) within the process chamber ( 3 )characterized in that • on the rotatable receiving device ( 11 ) is provided a coating of a fluoropolymer.Waferbearbeitungsvorrichtung (1) gemäß Anspruch1, dadurch gekennzeichnet, dass unter der Beschichtung aus einemFluorpolymer eine Hartschicht, vorzugsweise aus Siliziumcarbid SiCvorgesehen ist.Wafer processing device ( 1 ) according to claim 1, characterized in that under the coating of a fluoropolymer, a hard layer, preferably made of silicon carbide SiC is provided.Waferbearbeitungsvorrichtung (1) gemäß Anspruch2, dadurch gekennzeichnet, dass die Hartschicht mit einer rauenOberflächevorgesehen ist.Wafer processing device ( 1 ) according to claim 2, characterized in that the hard layer is provided with a rough surface.Waferbearbeitungsvorrichtung (1) gemäß einemder vorhergehenden Ansprüche,dadurch gekennzeichnet, dass das Fluorpolymer ein Polytetrafluorethylen(PTFE) ist.Wafer processing device ( 1 ) according to one of the preceding claims, characterized in that the fluoropolymer is a polytetrafluoroethylene (PTFE).Waferbearbeitungsvorrichtung (1) gemäß einemder Ansprüche1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass das Fluorpolymer ein Perfluoralkoxy-Copolymerisat (PFA)ist.Wafer processing device ( 1 ) according to one of claims 1 to 3, characterized in that the fluoropolymer is a perfluoroalkoxy copolymer (PFA).Waferbearbeitungsvorrichtung (1) gemäß einemder vorhergehenden Ansprüche,dadurch gekennzeichnet, dass die Beschichtung auf allen Fluid berührendenTeilen innerhalb der Waferbearbeitungsvorrichtung (1) vorgesehenist.Wafer processing device ( 1 ) according to one of the preceding claims, characterized in that the coating on all fluid-contacting parts within the wafer processing apparatus ( 1 ) is provided.Waferbearbeitungsvorrichtung (1) gemäß einemder vorhergehenden Ansprüche,dadurch gekennzeichnet, dass die Beschichtung auf der innen liegendenOberflächedes Gehäuses(2) vorgesehen ist.Wafer processing device ( 1 ) according to one of the preceding claims, characterized in that the coating on the inner surface of the housing ( 2 ) is provided.Verfahren zur Bearbeitung eines Wafers (15) mitden Schritten • Einlegenwenigstens eines Wafers (15) in eine drehbare Aufnahmevorrichtung(11) einer Prozesskammer (3), wobei die Aufnahmevorrichtung(11) mit einer Beschichtung aus einem Fluorpolymer versehen ist; • Aufbringeneines Fluids auf die Oberflächeder Wafer (15) mittels in der Prozesskammer (3)angeordneter Einlassöffnungen(9); • Trocknender Wafer (15) durch Drehen der Aufnahmevorrichtung (11)unter Ausnutzung der Zentrifugalkraft.Method for processing a wafer ( 15 ) with the steps • insert at least one wafer ( 15 ) in a rotatable receiving device ( 11 ) a process chamber ( 3 ), wherein the receiving device ( 11 ) is provided with a coating of a fluoropolymer; Applying a fluid to the surface of the wafers 15 ) by means in the process chamber ( 3 ) inlet openings ( 9 ); • drying the wafers ( 15 ) by turning the receiving device ( 11 ) utilizing the centrifugal force.